[go: up one dir, main page]

JP2013034013A - 検査装置、リソグラフィ装置、リソグラフィプロセシングセルおよび検査方法 - Google Patents

検査装置、リソグラフィ装置、リソグラフィプロセシングセルおよび検査方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2013034013A
JP2013034013A JP2012244429A JP2012244429A JP2013034013A JP 2013034013 A JP2013034013 A JP 2013034013A JP 2012244429 A JP2012244429 A JP 2012244429A JP 2012244429 A JP2012244429 A JP 2012244429A JP 2013034013 A JP2013034013 A JP 2013034013A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
radiation
radiation beam
imaginary line
illuminated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2012244429A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013034013A5 (ja
Inventor
Hugo Augustinus Joseph Cramer
クラメル，フーゴ，アウグスティヌス，ヨセフ
Kiers Antoine Gaston Marie
ガストン マリー キールス，アントイネ
Henricus Petrus Maria Pellemans
ペレマンズ，ヘンリカス，ペトラス，マリア
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of JP2013034013A publication Critical patent/JP2013034013A/ja
Publication of JP2013034013A5 publication Critical patent/JP2013034013A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
    • G01J3/18—Generating the spectrum; Monochromators using diffraction elements, e.g. grating
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28—Investigating the spectrum
    • G01J3/2803—Investigating the spectrum using photoelectric array detector
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28—Investigating the spectrum
    • G01J3/44—Raman spectrometry; Scattering spectrometry ; Fluorescence spectrometry
    • G01J3/4412—Scattering spectrometry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
    • G01N21/4788—Diffraction
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
    • G01N23/04—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and forming images of the material
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7065—Production of alignment light, e.g. light source, control of coherence, polarization, pulse length, wavelength
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7092—Signal processing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

【課題】回折次数の重なりを防止しつつ基板の特性を精度良く求める技術を提供する。
【解決手段】角度分解分光法に対しては、４つのクアドラントを有する照明プロファイルを有する放射ビームが使用される。第１および第３クアドラントが照明される一方、第２および第４クアドラントは照明されない。したがって、結果として生じる瞳面は４つのクアドラントに分けられ、ゼロ次回折パターンのみが第１および第３クアドラントに現れて一次回折パターンのみが第２および第３クアドラントに現れる。
【選択図】図８ｂ

Description

[0001] 本発明は、例えば、リソグラフィ技術によるデバイスの製造で使用可能な検査方法およびリソグラフィ技術を用いてデバイスを製造する方法に関する。
[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
[0003] リソグラフィプロセスを監視するために、パターニングされた基板のパラメータ、例えば基板中または基板上に形成された連続する層間のオーバレイエラーなどを測定することが必要である。リソグラフィプロセスで形成される微細構造を測定するには、走査電子顕微鏡および様々な専用ツールを使用することを含めて、様々な技術がある。専用検査ツールの１つの形態は、放射ビームを基板の表面上のターゲットに誘導し、散乱または反射したビームの特性を測定するスキャトロメータである。基板による反射または散乱の前および後のビームの特性を比較することにより、基板の特性を求めることができる。これは、例えば反射したビームを、既知の基板特性に関連する既知の測定値のライブラリに記憶されているデータと比較することによって実行することができる。スキャトロメータは２つの主なタイプが知られている。分光スキャトロメータは、広帯域放射ビームを基板に誘導し、特定の狭い角度範囲に散乱した放射のスペクトル（波長の関数としての強度）を測定する。角度分解スキャトロメータは、単色の放射ビームを使用して角度の関数として散乱放射の強度を測定する。
[0004] 角度分解分光法では、基板上の周期的マークを様々な角度で同時に照明する。このマークによって回折した光は、そのマークの特定の特徴を測定するために使用される。マークの周期が十分に大きい場合、回折した光はより高い回折次数を含む。しかしながら、添付の図５に示すように、一次回折次数の一部は往々にしてゼロ次回折次数の一部と混合される。この回折次数の重なりは、一般的には、マークの特徴の少ないロバスト再構築をもたらす。異なる回折次数を分けるためには、輪帯照明を使用することができ、これは、図６に示すように離されたゼロ次および一次回折パターンとなる。しかしながら、そのような輪帯照明の使用は、輪帯照明が回折光に与える情報が少ないため、測定したマーク特徴におけるエラーへと繋がり得る。例えば、輪帯照明では、マーク特徴を測定するために貴重である情報をも含むほぼ法線入射の光ビームはない。
[0005] 一次およびゼロ次回折次数を分けることが可能であると同時に全ての可能な入射角および方位角で基板を照明する、基板を照明する方法を提供することが望ましい。本発明の一態様によると、基板の特性を測定するように構成された検査装置が提供される。装置は、放射ビームを提供するように構成された照明システムと、放射を基板上に投影するように構成された放射プロジェクタと、高開口数レンズと、ディテクタとを含む。ディタクタは、基板の表面から反射した前記放射ビームを検出し、かつゼロ次回折次数および一次回折次数を別々に検出するように構成される。放射プロジェクタによって投影される放射ビームの結果として生じる照明プロファイルは、放射ビームの強度分布が、瞳面内にあって放射プロジェクタの光軸を通過する仮想線に対して対称ではないことが可能となっている。
[0006] 本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
[0007]図１は、リソグラフィ装置を示す。 [0008]図２は、リソグラフィセルまたはクラスタを示す。 [0009]図３は、第１スキャトロメータを示す。 [0010]図４は、第２スキャトロメータを示す。 [0011]図５は、従来の照明を用いた瞳面を示す。 [0012]図６は、角度照明を用いた瞳面を示す。 [0013]図７ａは、本発明の一実施形態による照明プロファイルを示す。 [0014]図７ｂは、図７ａに示される照明プロフィールを用いた瞳面を示す。 [0015]図８ａは、本発明の別の実施形態による照明プロファイルを示す。 [0016]図８ｂは、図８ａに示される照明プロファイルを用いた瞳面を示す。 [0017]図９ａは、別の照明プロファイルを示す。 [0018]図９ｂは、図９ａに示される照明プロファイルを用いた瞳面を示す。
[0019] 図１は、リソグラフィ装置を概略的に示している。装置は、
[0020] -放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
[0021] -パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第１ポジショナＰＭに連結されているサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
[0022] -基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第２ポジショナＰＷに連結されている基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
[0023] -パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
[0024] 照明システムとしては、放射を誘導し、成形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
[0025] サポート構造は、パターニングデバイスの重量を支えるなどしてパターニングデバイスを支持する。サポート構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
[0026] 本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
[0027] パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
[0028] 本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
[0029] 本明細書に示されているとおり、装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）である。また、装置は、反射型のもの（例えば、上述のプログラマブルミラーアレイを採用しているもの、または反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。
[0030] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
[0031] また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間（例えば、マスクと投影システムとの間）に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるための技術においてよく知られている。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
[0032] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射を受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
[0033] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
[0034] 放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＬを通過し、投影システムＰＬは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、２−Ｄエンコーダまたは静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１ａには明示的に示されていない）を使い、例えば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
[0035] 例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
[0036] １．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
[0037] ２．スキャンモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＬの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
[0038] ３．別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射ソースが採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
[0039] 上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
[0040] 図２に示すように、リソグラフィ装置ＬＡは、リソセルまたはクラスタと呼ばれることもあるリソグラフィセルＬＣの一部を形成し、これは基板上で露光前および露光後プロセスを実行する装置も含む。従来、これは、レジスト層（例えば、コート）を堆積させるスピンコータＳＣ、露光したレジストを現像するデベロッパＤＥ、冷却プレートＣＨおよびベークプレートＢＫを含む。基板ハンドラまたはロボットＲＯは、入出力ポートＩ／Ｏ１、Ｉ／Ｏ２から基板を取り上げ、これを異なるプロセス装置間で移動させ、次にリソグラフィ装置のローディングベイＬＢへと送出する。これらのデバイスは、往々にしてトラックと総称され、トラック制御ユニットＴＣＵの制御下にあり、これ自体が監視制御システムＳＣＳに制御され、これはリソグラフィ制御ユニットＬＡＣＵを介してリソグラフィ装置も制御する。したがって、様々な装置を操作して、スループットおよび処理効率を最大限にすることができる。
[0041] リソグラフィ装置によって露光される基板を正確かつ一貫して露光するために、露光した基板を検査して、連続する層間のオーバレイエラー、線の太さ、クリティカルディメンジョン（ＣＤ）などの特性を測定することが望ましい。エラーが検出された場合は、特に同じバッチの他の基板をまだ露光するのに十分なほど即座に、かつ迅速に検査を実行できる場合、連続する基板の露光を調節することができる。また、既に露光された基板を（歩留まりを改善するために）取り除いて再加工するか、または廃棄し、それによって欠陥があることが分かっている基板での露光の実行を回避することができる。基板の一部のターゲット部分のみに欠陥がある場合は、良好であるターゲット部分のみにさらなる露光を実行することができる。
[0042] 検査装置を使用して、基板の特性を、特に異なる基板または同じ基板の異なる層の特性が層毎にいかに異なるかを求める。検査装置は、リソグラフィ装置ＬＡまたはリソセルＬＣに組み込まれるか、独立型デバイスでよい。最も迅速な測定を可能にするために、検査装置は、露光直後に露光したレジスト層の特性を測定することが望ましい。しかし、レジストの潜像はコントラストが非常に低く、放射で露光したレジストの部分と露光していない部分とには、屈折率に非常に小さい差しかなく、全ての検査装置が、潜像を有効に測定するほど十分な感度を有するわけではない。したがって、習慣的に露光した基板で実行する最初のステップであり、レジストの露光部分と非露光部分とのコントラストを向上させる露光後ベークステップ（ＰＥＢ）の後に、測定を実行することができる。この段階で、レジスト内の像を半潜在性と呼ぶことができる。レジストの露光部分または非露光部分のいずれかが除去された時点、またはエッチングなどのパターン転写ステップの後に、現像したレジスト像を測定することも可能である。後者の可能性は、欠陥がある基板を再加工する可能性を制限するが、それでも有用な情報を提供することができる。
[0043] 図３は、本発明に使用可能なスキャトロメータＳＭ１を示している。これは、基板Ｗに放射を投影する広帯域（白色光）放射プロジェクタ２を含む。反射した放射は分光ディテクタ４へと渡され、これが鏡面反射放射のスペクトル１０（波長の関数としての強度）を検出（例えば、測定）する。このデータから、検出したスペクトルを生じさせる構造又はプロファイルを、処理ユニットＰＵによって、例えば厳密結合波解析および非線形回帰によって、または図３の底部で示すようにシミュレートしたスペクトルのライブラリとの比較によって再構築することができる。概して、再構築するためには、構造の全体的形態が知られ、幾つかのパラメータは、構造を作成したプロセスの知識から想定され、構造の幾つかのパラメータのみが、スキャトロメータデータから求めるように残されている。このようなスキャトロメータは、法線入射スキャトロメータまたは斜め入射スキャトロメータとして構成することができる。
[0044] 本発明で使用できる別のスキャトロメータＳＭ２が、図４に図示されている。このデバイスでは、放射源２によって放出された放射は、レンズシステム１２を使用して干渉フィルタ１３および偏光器１７を通して集束され、部分反射表面１６によって反射し、好ましくは少なくとも０．９、より好ましくは少なくとも０．９５という高開口数（ＮＡ）を有する顕微鏡の対物レンズ１５を介して基板Ｗに集束される。液浸スキャトロメータは、開口数が１を超えるレンズを有してもよい。反射した放射は、次に部分反射表面１６を透過して、散乱スペクトルを検出するためにディテクタ１８に入る。ディテクタは、後方投影瞳面１１に配置することができ、これはレンズシステム１５の焦点距離にある。しかしながら、瞳面は、補助光学系（図示せず）によってディタクタ１８へと再結像することもできる。瞳面は、放射の半径方向位置が入射角度を規定し、角度位置が放射の方位角を規定する面である。ディテクタは、基板ターゲット３０の２次元角散乱スペクトルを測定できるように、２次元ディテクタであることが好ましい。ディテクタ１８は、例えばＣＣＤまたはＣＭＯＳセンサのアレイであり、例えば１フレーム当たり４０ミリ秒という積分時間を使用する。
[0045] 基準ビームは、例えば入射放射の強度を測定するために使用されることが多い。それを実行するには、放射ビームがビームスプリッタ１６に入射すると、その一部が基準ビームとして基準ミラー１４に向かってビームスプリッタを透過する。次に、基準ビームを同じディテクタ１８の異なる部分に投影する。
[0046] 例えば４０５〜７９０ｎｍの範囲、または２００〜３００ｎｍなどのさらに低い範囲で対象の波長を選択するために、干渉フィルタ１３のセットが使用可能である。干渉フィルタは、異なるフィルタのセットを含むのではなく、調節可能であってもよい。干渉フィルタの代わりに、回折格子を使用することもできる。
[0047] ディテクタ１８は、単一の波長（または狭い波長範囲）で散乱光の強度を測定するか、複数の波長で別々に強度を測定するか、またはある波長の範囲にわたって積分した強度を測定することができる。さらに、ディテクタは、ＴＭ(transverse magnetic)偏光、およびＴＥ(transverse electric)偏光の強度および／またはＴＭ偏光とＴＥ偏光の間の位相差を別々に測定することができる。
[0048] 広帯域光源（つまり光の周波数または波長の、したがって色の範囲が広い光源）の使用が可能であり、これは大きいエタンデュを与え、複数の波長の混合を可能にする。広帯域の複数の波長は、それぞれδλの帯域幅および少なくとも２δλの間隔（つまり波長の２倍）を有することが好ましい。幾つかの放射「源」は、ファイバ束を使用して分割された拡張放射源の異なる部分であり得る。この方法で、角度分解した散乱スペクトルを複数の波長にて並列で測定することができる。３−Ｄスペクトル（波長および２つの異なる角度）を測定することができ、３−Ｄスペクトルは２−Ｄスペクトルより多くの情報を含む。これによって、より多くの情報を測定することができ、メトロロジプロセスのロバスト性を向上させる。これについては、参照により全体が本明細書に組み込まれる欧州特許ＥＰ１，６２８，１６４Ａ号にさらに詳細に記載されている。
[0049] 基板Ｗ上のターゲット３０は、現像後にレジストの実線でバーが形成されるように印刷される回折格子であってもよい。あるいは、バーを基板にエッチングすることができる。このパターンは、リソグラフィ投影装置、特に投影システムＰＬの色収差に敏感であり、照明の対称性およびこのような収差の存在は、印刷された回折格子の変動として現れる。したがって、印刷された回折格子のスキャトロメトリデータを使用して、回折格子を再構築する。印刷ステップおよび／または他のスキャトロメトリプロセスの知識から、線の幅および形状などの回折格子のパラメータを再構築プロセスに入力し、処理ユニットＰＵで実行することができる。
[0050] 本発明によると、角度分解分光法中に基板を照明する放射ビームは、仮想線を有する。そこで照明される照明プロファイル内のあらゆる点（または領域）に対しては、仮想線の反対側に照明されていない対応する点（または領域）がある。同様に、照明されていない照明プロファイル内のあらゆる点に対しては、仮想線の反対側に照明されていない対応する点がある。これを行う最も簡単な方法は、図７ａに示すように、照明プロファイルの半分を照明することである。照明されるマークの対称軸は、照明プロファイルの対称面と一致し、かつ平行であるべきである。結果として生じる瞳面を図７ｂに示す。示されるように、一次回折パターンは瞳面の一方の半分に示され、ゼロ次回折パターンは瞳面のもう一方の半分に示される。したがって、回折パターンは、輪帯照明プロファイルの使用に関連するあらゆる不利益を伴わずに引き離される。この方法によって、一次からの更なる情報は、ゼロ次回折次数内の情報を取り除くことなく使用される。次いで、マークの特徴を、本発明の方法を用いて別々に測定されたゼロ次および一次回折次数を用いて再構築することができる。
[0051] 本発明の別の実施形態が図８に示されている。本実施形態では、図８ａに示す照明プロファイルは、４つのクアドラントに分けられる。第１および第３クアドラントが照明されて第２および第４クアドラントは照明されないままである。クアドラントのサイズが均等であることが好ましい。したがって、本実施形態には２つの仮想線がある。この種類の照明プロファイルは、照明プロファイルの仮想線と平行に位置合わせされる、少なくとも２つの対称性(two degrees of symmetry)を有するマークとともに使用される。結果として生じる瞳面を図８ｂに示す。
[0052] 図８ａは４つのクアドラントのうちの２つが照明されている照明プロファイルを示すが、複数のクアドラントのうち１つのみを照明することが必要であり、そのような照明プロファイルを図９ａに示す。結果として生じる瞳面を図９ｂに示す。そのような照明プロファイルは、例えばコンタクト・アパーチャのアレイの照明において特に有用である。しかしながら、２つ目のクアドラントを照明することは、センサの非対称性の影響を減少する。さらに、これは、測定したマーク特徴の再現性を改善するために役立つ更なる測定された光を与える。
[0053] 本発明ではゼロ次および一次回折パターンについて記載したが、同じ原理を一次および二次、ならびに二次および三次回折パターンに適用することもできる。照明プロファイルは、それらが、例えば、特定のクアドラントのみが照明されている照明プロファイルを用いて分けられるように構成されてもよい。
[0054] 測定された角度分解したスペクトルは、マーク特徴の再構築に両方ともが使用される別々のゼロ次および一次回折次数情報を含む。再構築方法は、例えば、リアルタイム回帰方法、ライブラリまたはこの２つの組み合わせに依存する。
[0055] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
[0056] 光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
[0057] 本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
[0058] 「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
[0059] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。
[0060] 上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。

Claims (27)

  1. 基板の特性を測定する検査装置であって、
    放射ビームを提供する照明システムと、
    前記放射を前記基板上に投影する放射プロジェクタと、
    高開口数レンズと、
    前記基板の表面から反射した前記放射ビームを検出し、かつゼロ次回折次数およびより高い回折次数を別々に検出するディタクタと、を含み、
    前記放射プロジェクタによって投影される前記放射ビームの照明プロファイルは、マークの少なくとも１つの特徴を別々に検出されたゼロ次回折次数およびより高い回折次数を用いて再構築することが可能となっている、検査装置。
  2. 前記より高い回折次数は一次回折次数である、請求項１に記載の検査装置。
  3. 前記放射ビームは、瞳面内にあって前記放射プロジェクタの光軸を通過する仮想線に対して対称ではない、請求項１または２に記載の検査装置。
  4. 前記照明プロファイルは、前記照明プロファイルの少なくとも一部にわたって、前記仮想線の第１側の照明されている部分は、前記仮想線の反対側に逆対称である照明されていない対応部分を有し、前記仮想線の前記第１側の照明されていない部分の少なくとも一部は、前記仮想線の前記反対側に逆対称である照明されている対応部分を有する、請求項３に記載の検査装置。
  5. 前記照明システムは、前記放射ビームが前記放射プロファイルを有する、請求項１に記載の検査装置。
  6. 前記照明プロファイルは、第１仮想線と垂直である第２仮想線を有し、前記照明プロファイルの少なくとも一部にわたって、前記第２仮想線の第１側の照明されている部分は、前記第２仮想線の反対側に逆対称である照明されていない対応部分を有し、前記第２仮想線の前記第１側の照明されていない部分の少なくとも一部は、前記第２仮想線の前記反対側に逆対称である照明されている対応部分を有する、請求項３に記載の検査装置。
  7. 前記照明プロファイルは４つの均等なクアドラントを有しており、１つのクアドラントが照明されて他の３つのクアドラントは照明されていない、請求項１、２または３のいずれかに記載の検査装置。
  8. 前記照明プロファイルは４つの均等なクアドラントを有しており、２つの隣接していないクアドラントが照明されて他の２つの隣接していないクアドラントは照明されていない、請求項１に記載の検査装置。
  9. 基板をさらに含む請求項１に記載の検査装置であって、前記基板は対称軸を有するマークを有しており、前記照明プロファイルの前記仮想線は前記マークの対称軸と平行である、請求項１に記載の検査装置。
  10. アパーチャは、一次回折次数が検出される瞳面内の領域に対応する前記放射の部分を遮断する、請求項１に記載の検査装置。
  11. パターンを照明する照明光学システムと、
    前記パターンの像を基板上に投影する投影光学システムと、
    請求項１に記載の検査装置と、
    を含む、リソグラフィ装置。
  12. 基板を放射感応性層でコーティングするコーターと、
    前記コーターによってコーティングされた基板の前記放射感応性層上に像を露光させるリソグラフィ装置と、
    前記リソグラフィ装置によって露光された像を現像するデベロッパと、
    請求項１に記載の検査装置と、
    を含む、リソグラフィセル。
  13. 基板の特性を測定する方法であって、
    ターゲットを露光させることと、
    放射ビームを前記基板上の前記ターゲットに投影することと、
    前記基板によって反射された前記放射を検出することと、
    前記反射放射から前記特性を決定することと、を含み、
    前記放射プロジェクタによって投影される前記放射ビームの照明プロファイルは、前記放射ビームの強度分布が瞳面内にあって放射プロジェクタの光軸を通過する仮想線に対して対称ではない、方法。
  14. 基板の特性を測定する検査装置であって、
    放射ビームを提供する照明システムと、
    前記放射ビームを前記基板上に投影する放射プロジェクタと、
    高開口数レンズと、
    前記基板の表面から反射した前記放射ビームを検出し、かつゼロ次回折次数および一次回折次数を別々に検出するディタクタと、を含み、
    前記放射プロジェクタによって投影される前記放射ビームの照明プロファイルは、前記放射ビームの強度分布が瞳面内にあって前記放射プロジェクタの光軸を通過する仮想線に対して対称ではない、検査装置。
  15. 前記照明プロファイルは、前記照明プロファイルの少なくとも一部にわたって、前記仮想線の第１側の照明されている部分は、前記仮想線の反対側に逆対称である照明されていない対応部分を有し、前記仮想線の前記第１側の照明されていない部分は、前記仮想線の前記反対側に逆対称である照明されている対応部分を有する、請求項１２に記載の検査装置。
  16. 前記照明システムは、前記放射ビームが前記放射プロファイルを有する、請求項１２に記載の検査装置。
  17. 前記照明プロファイルは、第１仮想線と垂直である第２仮想線を有し、前記照明プロファイルの少なくとも一部にわたって、前記第２仮想線の第１側の照明されている部分は、前記第２仮想線の反対側に逆対称である照明されていない対応部分を有し、前記第２仮想線の前記第１側の照明されていない部分は、前記第２仮想線の前記反対側に逆対称である照明されている対応部分を有する、請求項１２に記載の検査装置。
  18. 前記照明プロファイルは４つのクアドラントを有しており、１つのクアドラントが照明されて他は照明されていない、請求項１２に記載の検査装置。
  19. 前記４つのクアドラントのサイズは均等である、請求項１６に記載の検査装置。
  20. 前記照明プロファイルは４つのクアドラントを有しており、２つの隣接していないクアドラントが照明されて他の２つの隣接していないクアドラントは照明されていない、請求項１２に記載の検査装置。
  21. 前記４つのクアドラントのサイズは均等である、請求項１７に記載の検査装置。
  22. 基板をさらに含む請求項１２に記載の検査装置であって、前記基板は対称軸を有するマークを有しており、前記照明プロファイルの前記仮想線は前記マークの対称軸と平行である、請求項１２に記載の検査装置。
  23. 開口数は、一次回折次数が検出される瞳面内の領域に対応する前記放射ビームの部分を遮断する、請求項１２に記載の検査装置。
  24. パターンを照明する照明光学システムと、
    前記パターンの像を基板上に投影する投影光学システムと、
    前記基板の表面から反射した放射ビームを検出し、かつゼロ次回折次数および一次回折次数を別々に検出するディタクタを有する検査装置と、を含み、
    前記反射した放射ビームの照明プロファイルは、前記反射した放射ビームの強度分布が瞳面内にあって前記投影光学システムの光軸を通過する仮想線に対して対称ではない、リソグラフィ装置。
  25. 基板を放射感応性層でコーティングするコーターと、
    前記コーターによってコーティングされた基板の前記放射感応性層上に像を露光させるリソグラフィ装置と、
    前記リソグラフィ装置によって露光された像を現像するデベロッパと、
    前記基板の表面から反射した放射ビームを検出し、かつゼロ次回折次数および一次回折次数を別々に検出するディタクタを有する検査装置と、を含み、
    前記反射した放射ビームの照明プロファイルは、前記反射した放射ビームの強度分布が瞳面内にあって投影光学システムの光軸を通過する仮想線に対して対称ではない、リソグラフィセル。
  26. 基板の特性を測定する方法であって、
    ターゲットを露光させることと、
    投影光学システムを用いて放射ビームを基板上のターゲットに投影することと、
    前記基板によって反射された放射を検出し、かつゼロ次回折次数およびより高い回折次数を別々に検出することと、
    前記別々に検出されたゼロ次回折次数およびより高い回折次数を用いてマークの少なくとも１つの特徴を再構築することと、
    を含む、方法。
  27. 前記放射ビームは、瞳面内にあって前記投影光学システムの光軸を通過する仮想線に対して対称ではない、請求項２６に記載の方法。
JP2012244429A 2009-02-11 2012-11-06 検査装置、リソグラフィ装置、リソグラフィプロセシングセルおよび検査方法 Withdrawn JP2013034013A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15166509P 2009-02-11 2009-02-11
US61/151,665 2009-02-11

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010022659A Division JP2010192894A (ja) 2009-02-11 2010-02-04 検査装置、リソグラフィ装置、リソグラフィプロセシングセルおよび検査方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013034013A true JP2013034013A (ja) 2013-02-14
JP2013034013A5 JP2013034013A5 (ja) 2013-03-28

Family

ID=42097393

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010022659A Pending JP2010192894A (ja) 2009-02-11 2010-02-04 検査装置、リソグラフィ装置、リソグラフィプロセシングセルおよび検査方法
JP2012244429A Withdrawn JP2013034013A (ja) 2009-02-11 2012-11-06 検査装置、リソグラフィ装置、リソグラフィプロセシングセルおよび検査方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010022659A Pending JP2010192894A (ja) 2009-02-11 2010-02-04 検査装置、リソグラフィ装置、リソグラフィプロセシングセルおよび検査方法

Country Status (9)

Country Link
US (2) US8705007B2 (ja)
EP (1) EP2219078B1 (ja)
JP (2) JP2010192894A (ja)
KR (1) KR101129332B1 (ja)
CN (1) CN101819384B (ja)
IL (1) IL203445A (ja)
NL (1) NL2004094A (ja)
SG (1) SG164325A1 (ja)
TW (1) TWI428705B (ja)

Families Citing this family (273)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2004094A (en) 2009-02-11 2010-08-12 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and inspection method.
JP5545782B2 (ja) * 2009-07-31 2014-07-09 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置の焦点測定方法、散乱計、リソグラフィシステム、およびリソグラフィセル
NL2006935A (en) * 2010-06-28 2011-12-29 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus and method.
NL2007127A (en) 2010-08-06 2012-02-07 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus and method, lithographic apparatus and lithographic processing cell.
WO2012062501A1 (en) 2010-11-12 2012-05-18 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, and device manufacturing method
KR101492205B1 (ko) 2010-11-12 2015-02-10 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 메트롤로지 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 디바이스 제조 방법
NL2008197A (en) * 2011-02-11 2012-08-14 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus and method, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
NL2008110A (en) * 2011-02-18 2012-08-21 Asml Netherlands Bv Measuring method, measuring apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2008317A (en) 2011-03-24 2012-09-25 Asml Netherlands Bv Substrate and patterning device for use in metrology, metrology method and device manufacturing method.
NL2009001A (en) 2011-07-08 2013-01-09 Asml Netherlands Bv Methods and patterning devices for measuring phase aberration.
NL2008936A (en) 2011-07-28 2013-01-29 Asml Netherlands Bv Illumination source for use in inspection methods and/or lithography inspection and lithographic apparatus and inspection method.
EP2579100A3 (en) 2011-10-03 2017-12-06 ASML Holding N.V. Inspection apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method
US9605947B2 (en) 2012-04-12 2017-03-28 Asml Holding N.V. Position measurement with illumination profile having regions confined to peripheral portion of pupil
NL2010717A (en) 2012-05-21 2013-11-25 Asml Netherlands Bv Determining a structural parameter and correcting an asymmetry property.
CN104487898B (zh) 2012-07-23 2016-10-12 Asml荷兰有限公司 检查方法及设备、光刻系统以及器件制造方法
US9606442B2 (en) * 2012-07-30 2017-03-28 Asml Netherlands B.V. Position measuring apparatus, position measuring method, lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2704177B1 (en) * 2012-09-04 2014-11-26 Fei Company Method of investigating and correcting aberrations in a charged-particle lens system
NL2011706A (en) 2012-11-30 2014-06-04 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for determining lithographic quality of a structure.
NL2011816A (en) 2012-11-30 2014-06-04 Asml Netherlands Bv Method of determining dose and focus, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method.
DE102013204442A1 (de) 2013-03-14 2014-10-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optischer Wellenleiter zur Führung von Beleuchtungslicht
US9719920B2 (en) 2013-07-18 2017-08-01 Kla-Tencor Corporation Scatterometry system and method for generating non-overlapping and non-truncated diffraction images
NL2013625A (en) 2013-10-30 2015-05-04 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus and methods, substrates having metrology targets, lithographic system and device manufacturing method.
US10036962B2 (en) 2013-12-13 2018-07-31 Asml Netherlands B.V. Inspection apparatus and methods, lithographic system and device manufacturing method
NL2013837A (en) 2013-12-19 2015-06-22 Asml Netherlands Bv Inspection methods, substrates having metrology targets, lithographic system and device manufacturing method.
KR101906293B1 (ko) 2014-02-21 2018-10-10 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 타겟 배열 및 연계된 타겟의 최적화
JP6408610B2 (ja) 2014-06-02 2018-10-17 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトロロジターゲットの設計方法、メトロロジターゲットを有する基板、オーバーレイの測定方法、およびデバイス製造方法
NL2014938A (en) 2014-06-30 2016-03-31 Asml Netherlands Bv Method of determining dose, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method.
NL2014994A (en) 2014-07-09 2016-04-12 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus and methods, methods of manufacturing devices.
NL2015160A (en) 2014-07-28 2016-07-07 Asml Netherlands Bv Illumination system, inspection apparatus including such an illumination system, inspection method and manufacturing method.
WO2016030485A1 (en) 2014-08-28 2016-03-03 Asml Netherlands B.V. Laser-driven photon source and inspection apparatus including such a laser-driven photon source
CN107924132B (zh) 2014-08-28 2021-02-12 Asml荷兰有限公司 检查设备、检查方法和制造方法
WO2016030227A1 (en) 2014-08-29 2016-03-03 Asml Netherlands B.V. Method for controlling a distance between two objects, inspection apparatus and method
CN107077079B (zh) 2014-09-01 2018-12-14 Asml荷兰有限公司 测量目标结构的属性的方法、检查设备、光刻系统和器件制造方法
WO2016045945A1 (en) 2014-09-26 2016-03-31 Asml Netherlands B.V. Inspection apparatus and device manufacturing method
WO2016050453A1 (en) 2014-10-03 2016-04-07 Asml Netherlands B.V. Focus monitoring arrangement and inspection apparatus including such an arragnement
WO2016096524A1 (en) 2014-12-19 2016-06-23 Asml Netherlands B.V. Method of measuring asymmetry, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
NL2016121A (en) 2015-02-06 2016-09-29 Asml Netherlands Bv A method and apparatus for improving measurement accuracy
NL2016472A (en) * 2015-03-25 2016-09-30 Asml Netherlands Bv Metrology Methods, Metrology Apparatus and Device Manufacturing Method.
NL2016509A (en) 2015-04-03 2016-10-10 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus for measuring properties of a target structure, methods of operating an optical system, method of manufacturing devices.
KR102066588B1 (ko) 2015-06-12 2020-01-15 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 검사 장치, 검사 방법, 리소그래피 장치, 패터닝 디바이스 및 제조 방법
NL2016925A (en) 2015-06-18 2016-12-22 Asml Netherlands Bv Method of metrology, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
NL2017123A (en) 2015-07-24 2017-01-24 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus, inspection method, lithographic apparatus and manufacturing method
NL2017300A (en) 2015-08-27 2017-03-01 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for measuring a parameter of a lithographic process, substrate and patterning devices for use in the method
TWI656409B (zh) * 2015-09-09 2019-04-11 美商克萊譚克公司 基於輔助電磁場之引入之一階散射測量疊加之新方法
WO2017083325A1 (en) * 2015-11-11 2017-05-18 The Curators Of The University Of Missouri Multichannel ultra-sensitive optical spectroscopic detection
WO2017093256A1 (en) 2015-12-03 2017-06-08 Asml Netherlands B.V. Position measuring method of an alignment target
NL2017933A (en) 2015-12-18 2017-06-26 Asml Netherlands Bv Focus monitoring arrangement and inspection apparatus including such an arrangement
SG11201804232QA (en) 2015-12-21 2018-06-28 Asml Netherlands Bv Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
NL2017844A (en) 2015-12-22 2017-06-28 Asml Netherlands Bv Focus control arrangement and method
WO2017114672A1 (en) * 2015-12-31 2017-07-06 Asml Netherlands B.V. Metrology by reconstruction
JP6644898B2 (ja) 2016-02-19 2020-02-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 構造を測定する方法、検査装置、リソグラフィシステム、デバイス製造方法、およびそれらで使用する波長選択フィルタ
CN108700829B (zh) 2016-02-26 2021-05-18 Asml荷兰有限公司 测量结构的方法、检查设备、光刻系统、器件制造方法
US10615084B2 (en) 2016-03-01 2020-04-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus to determine a patterning process parameter, associated with a change in a physical configuration, using measured pixel optical characteristic values
WO2017153171A1 (en) 2016-03-11 2017-09-14 Asml Netherlands B.V. Method of calculating corrections for controlling a manufacturing process, metrology apparatus, device manufacturing method and modeling method
WO2017178285A1 (en) 2016-04-15 2017-10-19 Asml Netherlands B.V. Method for adjusting actuation of a lithographic apparatus
KR102429847B1 (ko) 2016-04-29 2022-08-04 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 구조체의 특성을 결정하는 방법 및 장치, 디바이스 제조 방법
WO2018001747A1 (en) 2016-07-01 2018-01-04 Asml Netherlands B.V. Illumination system for a lithographic or inspection apparatus
KR102221760B1 (ko) 2016-07-15 2021-03-04 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 메트롤로지 타겟 필드의 디자인을 위한 장치 및 방법
CN109564391A (zh) 2016-07-21 2019-04-02 Asml荷兰有限公司 测量目标的方法、衬底、量测设备以及光刻设备
US10712673B2 (en) 2016-09-12 2020-07-14 Asml Netherlands B.V. Method of determining a property of a structure, inspection apparatus and device manufacturing method
KR102326190B1 (ko) 2016-09-12 2021-11-15 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 정정 유도 방법 및 장치, 구조체의 속성을 결정하는 방법 및 장치, 디바이스 제조 방법
EP3309616A1 (en) 2016-10-14 2018-04-18 ASML Netherlands B.V. Method of inspecting a substrate, metrology apparatus, and lithographic system
DE102016221243A1 (de) * 2016-10-27 2017-11-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Charakterisierung eines durch wenigstens einen Lithographieschritt strukturierten Wafers
EP3321737A1 (en) 2016-11-10 2018-05-16 ASML Netherlands B.V. Method for determining an optimized set of measurement locations for measurement of a parameter of a lithographic process, metrology system
EP3333633A1 (en) 2016-12-09 2018-06-13 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatus for predicting performance of a measurement method, measurement method and apparatus
EP3336605A1 (en) 2016-12-15 2018-06-20 ASML Netherlands B.V. Method of measuring a structure, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
EP3336607A1 (en) 2016-12-16 2018-06-20 ASML Netherlands B.V. Method of measuring a property of a substrate, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
EP3336606A1 (en) 2016-12-16 2018-06-20 ASML Netherlands B.V. Method for monitoring a characteristic of illumination from a metrology apparatus
EP3343294A1 (en) 2016-12-30 2018-07-04 ASML Netherlands B.V. Lithographic process & apparatus and inspection process and apparatus
EP3361315A1 (en) 2017-02-09 2018-08-15 ASML Netherlands B.V. Inspection apparatus and method of inspecting structures
WO2018202414A1 (en) 2017-05-04 2018-11-08 Asml Holding N.V. Method, substrate and apparatus to measure performance of optical metrology
EP3401733A1 (en) 2017-05-08 2018-11-14 ASML Netherlands B.V. Method of measuring a structure, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
KR20200004381A (ko) 2017-05-08 2020-01-13 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 구조체를 측정하는 방법, 검사 장치, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법
WO2018215177A1 (en) 2017-05-24 2018-11-29 Asml Netherlands B.V. Method of measuring a parameter of interest, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
WO2018233951A1 (en) 2017-06-21 2018-12-27 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for detecting substrate surface variations
EP3422103A1 (en) 2017-06-26 2019-01-02 ASML Netherlands B.V. Method of determining a performance parameter of a process
EP3422102A1 (en) 2017-06-26 2019-01-02 ASML Netherlands B.V. Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
US10663633B2 (en) * 2017-06-29 2020-05-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Aperture design and methods thereof
EP3432072A1 (en) 2017-07-18 2019-01-23 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatus for measurement of a parameter of a feature fabricated on a semiconductor substrate
WO2019015995A1 (en) 2017-07-18 2019-01-24 Asml Netherlands B.V. METHODS AND APPARATUS FOR MEASURING A PARAMETER OF A CHARACTERISTIC MANUFACTURED ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
EP3441820A1 (en) 2017-08-11 2019-02-13 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatus for determining the position of a spot of radiation and inspection apparatus
EP3444674A1 (en) 2017-08-14 2019-02-20 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus to determine a patterning process parameter
EP3447580A1 (en) 2017-08-21 2019-02-27 ASML Netherlands B.V. Method of calibrating focus measurements, measurement method and metrology apparatus, lithographic system and device manufacturing method
WO2019038054A1 (en) 2017-08-23 2019-02-28 Asml Netherlands B.V. METHOD FOR DETERMINING A PARAMETER OF A PATTERN TRANSFER PROCESS, DEVICE MANUFACTURING METHOD
EP3451061A1 (en) 2017-09-04 2019-03-06 ASML Netherlands B.V. Method for monitoring a manufacturing process
EP3454124A1 (en) 2017-09-07 2019-03-13 ASML Netherlands B.V. Method to determine a patterning process parameter
EP3454127A1 (en) 2017-09-11 2019-03-13 ASML Netherlands B.V. Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
WO2019048147A1 (en) 2017-09-11 2019-03-14 Asml Netherlands B.V. METHODS AND DEVICES FOR FORMING PATTERNS AND APPARATUSES FOR MEASURING THE PERFORMANCE OF DEVELOPING A LITHOGRAPHIC APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
EP3457212A1 (en) 2017-09-18 2019-03-20 ASML Netherlands B.V. Method of controlling a patterning process, device manufacturing method
KR102388682B1 (ko) * 2017-09-28 2022-04-19 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. 계측 방법 및 디바이스
EP3470924A1 (en) 2017-10-11 2019-04-17 ASML Netherlands B.V. Method of optimizing the position and/or size of a measurement illumination spot relative to a target on a substrate, and associated apparatus
EP3477391A1 (en) 2017-10-26 2019-05-01 ASML Netherlands B.V. Method of determining a value of a parameter of interest, method of cleaning a signal containing information about a parameter of interest
CN111279268B (zh) 2017-10-26 2022-04-01 Asml荷兰有限公司 确定所关注的参数的值的方法、清除包含关于所关注的参数的信息的信号的方法
CN111316168B (zh) 2017-10-31 2022-04-01 Asml荷兰有限公司 量测设备、测量结构的方法、器件制造方法
EP3477392A1 (en) 2017-10-31 2019-05-01 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus, method of measuring a structure, device manufacturing method
EP3489756A1 (en) 2017-11-23 2019-05-29 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus to determine a patterning process parameter
IL275045B2 (en) 2017-12-04 2024-03-01 Asml Netherlands Bv Measurement method, patterning device and device manufacturing method
EP3492985A1 (en) 2017-12-04 2019-06-05 ASML Netherlands B.V. Method of determining information about a patterning process, method of reducing error in measurement data, method of calibrating a metrology process, method of selecting metrology targets
EP3492984A1 (en) 2017-12-04 2019-06-05 ASML Netherlands B.V. Measurement method, inspection apparatus, patterning device, lithographic system and device manufacturing method
EP3495888A1 (en) 2017-12-06 2019-06-12 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a lithographic apparatus and associated apparatuses
EP3495889A1 (en) 2017-12-07 2019-06-12 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing apparatus and associated apparatuses
EP3724721A1 (en) 2017-12-12 2020-10-21 ASML Netherlands B.V. Apparatus and method for determining a condition associated with a pellicle
EP3499311A1 (en) 2017-12-14 2019-06-19 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing apparatus and associated aparatuses
JP7186230B2 (ja) 2017-12-28 2022-12-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 装置の構成要素から汚染粒子を除去する装置および方法
WO2019129485A1 (en) 2017-12-29 2019-07-04 Asml Netherlands B.V. Method and device for determining adjustments to sensitivity parameters
WO2019129468A1 (en) 2017-12-29 2019-07-04 Asml Netherlands B.V. Method of processing data, method of obtaining calibration data
JP6818702B2 (ja) * 2018-01-15 2021-01-20 株式会社東芝 光学検査装置及び光学検査方法
EP3514628A1 (en) 2018-01-18 2019-07-24 ASML Netherlands B.V. Method of measuring a target, and metrology apparatus
KR20200096843A (ko) 2018-01-17 2020-08-13 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 타겟 측정 방법, 및 계측 장치
EP3521930A1 (en) 2018-02-02 2019-08-07 ASML Netherlands B.V. Method of optimizing a metrology process
EP3521929A1 (en) 2018-02-02 2019-08-07 ASML Netherlands B.V. Method of determining an optimal focus height for a metrology apparatus
EP3528047A1 (en) 2018-02-14 2019-08-21 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for measuring a parameter of interest using image plane detection techniques
EP3547029A1 (en) 2018-03-29 2019-10-02 ASML Netherlands B.V. Control method for a scanning exposure apparatus
EP3547031A1 (en) 2018-03-29 2019-10-02 ASML Netherlands B.V. Method for evaluating control strategies in a semicondcutor manufacturing process
EP3547030A1 (en) 2018-03-29 2019-10-02 ASML Netherlands B.V. Method for evaluating control strategies in a semicondcutor manufacturing process
KR20200125986A (ko) 2018-03-29 2020-11-05 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 스캐닝 노광 장치를 위한 제어 방법
EP3557327A1 (en) 2018-04-18 2019-10-23 ASML Netherlands B.V. Method of determining a value of a parameter of interest of a target formed by a patterning process
US11860549B2 (en) 2018-06-19 2024-01-02 Asml Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing apparatus and associated apparatuses
EP3584637A1 (en) 2018-06-19 2019-12-25 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing apparatus and associated apparatuses
EP3588190A1 (en) 2018-06-25 2020-01-01 ASML Netherlands B.V. Method for performing a manufacturing process and associated apparatuses
EP3611570A1 (en) 2018-08-16 2020-02-19 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses
EP3623869A1 (en) 2018-09-14 2020-03-18 ASML Netherlands B.V. Method for measuring a parameter of a structure formed using a lithographic process
IL281502B2 (en) 2018-09-19 2023-11-01 Asml Netherlands Bv Metrology sensor for position metrology
IL282017B2 (en) 2018-10-08 2025-11-01 Asml Netherlands Bv Metrology method, patterning device, apparatus and computer program
EP3637187A1 (en) 2018-10-12 2020-04-15 ASML Netherlands B.V. Method for measuring focus performance of a lithographic apparatus
EP3647871A1 (en) 2018-10-31 2020-05-06 ASML Netherlands B.V. Method of determing a value of a parameter of interest of a patterning process, device manufacturing method
EP3654103A1 (en) 2018-11-14 2020-05-20 ASML Netherlands B.V. Method for obtaining training data for training a model of a semicondcutor manufacturing process
EP3657256A1 (en) 2018-11-20 2020-05-27 ASML Netherlands B.V. Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
EP3657257A1 (en) 2018-11-26 2020-05-27 ASML Netherlands B.V. Method for of measuring a focus parameter relating to a structure formed using a lithographic process
WO2020115125A1 (en) 2018-12-04 2020-06-11 Asml Netherlands B.V. A target for measuring a parameter of a lithographic process
NL2024260A (en) 2018-12-20 2020-07-07 Asml Netherlands Bv Metrology sensor, illumination system and method of generating measurement illumination with a configurable illumination spot diameter
EP3715951A1 (en) 2019-03-28 2020-09-30 ASML Netherlands B.V. Position metrology apparatus and associated optical elements
WO2020141050A1 (en) 2018-12-31 2020-07-09 Asml Netherlands B.V. Position metrology apparatus and associated optical elements
WO2020141040A1 (en) 2019-01-03 2020-07-09 Asml Netherlands B.V. Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
EP3764164A1 (en) 2019-07-11 2021-01-13 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a lithographic apparatus and associated apparatuses
CN113632009B (zh) 2019-03-22 2024-07-02 Asml荷兰有限公司 控制光刻装置的方法和相关装置
CN113678063B (zh) 2019-04-04 2024-12-24 Asml荷兰有限公司 光刻工艺的子场控制和相关设备
EP3734366A1 (en) 2019-05-03 2020-11-04 ASML Netherlands B.V. Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus
CN113795792B (zh) 2019-05-06 2024-12-06 Asml荷兰有限公司 暗场显微镜
CN114008534A (zh) 2019-07-02 2022-02-01 Asml荷兰有限公司 量测方法和相关联的量测术以及光刻设备
US20220244649A1 (en) 2019-07-04 2022-08-04 Asml Netherlands B.V. Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus
EP3767391A1 (en) 2019-07-17 2021-01-20 ASML Netherlands B.V. Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus
WO2021037509A1 (en) 2019-08-29 2021-03-04 Asml Holding N.V. On chip sensor for wafer overlay measurement
CN114341739A (zh) 2019-08-30 2022-04-12 Asml控股股份有限公司 计量系统和方法
KR102823897B1 (ko) 2019-09-10 2025-06-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 프로세스의 서브-필드 제어 및 연관된 장치
EP3792693A1 (en) 2019-09-16 2021-03-17 ASML Netherlands B.V. Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus
EP3798729A1 (en) 2019-09-26 2021-03-31 ASML Netherlands B.V. Method for inferring a processing parameter such as focus and associated appratuses and manufacturing method
US20240118629A1 (en) 2019-10-17 2024-04-11 Asml Netherlands B.V. Methods of fitting measurement data to a model and modeling a performance parameter distribution and associated apparatuses
EP3809203A1 (en) 2019-10-17 2021-04-21 ASML Netherlands B.V. Methods of fitting measurement data to a model and modeling a performance parameter distribution and associated apparatuses
WO2021083704A1 (en) 2019-11-01 2021-05-06 Asml Netherlands B.V. Metrology method and lithographic apparatuses
US11774861B2 (en) 2019-11-11 2023-10-03 Asml Netherlands B.V. Calibration method for a lithographic system
US11762305B2 (en) 2019-12-05 2023-09-19 Asml Netherlands B.V. Alignment method
CN114830039A (zh) 2019-12-12 2022-07-29 Asml荷兰有限公司 对准方法以及相关对准和光刻设备
US12032299B2 (en) 2019-12-16 2024-07-09 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses
EP3839635A1 (en) 2019-12-17 2021-06-23 ASML Netherlands B.V. Dark field digital holographic microscope and associated metrology method
WO2021121733A1 (en) 2019-12-17 2021-06-24 Asml Netherlands B.V. Dark field digital holographic microscope and associated metrology method
WO2021130315A1 (en) 2019-12-24 2021-07-01 Asml Netherlands B.V. Method of determining a value of a parameter of interest of a target formed by a patterning process
IL279727B2 (en) 2019-12-24 2025-03-01 Asml Netherlands Bv Method for determining information about a patterning process, method for reducing error in measurement data, method for calibrating a metrology process, method for selecting metrology targets
WO2021151565A1 (en) 2020-01-28 2021-08-05 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses
CN115066657B (zh) 2020-02-12 2025-05-23 Asml荷兰有限公司 用于控制制造过程的方法和关联设备
EP3869271A1 (en) 2020-02-20 2021-08-25 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses
KR102877760B1 (ko) 2020-03-02 2025-10-27 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 국부 균일성 메트릭을 추론하는 방법
EP3879342A1 (en) 2020-03-10 2021-09-15 ASML Netherlands B.V. Method for inferring a local uniformity metric and associated appratuses
KR20250089552A (ko) 2020-03-03 2025-06-18 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 제조 프로세스를 제어하기 위한 방법 및 연관된 장치
EP3882701A1 (en) 2020-03-19 2021-09-22 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses
EP3876036A1 (en) 2020-03-04 2021-09-08 ASML Netherlands B.V. Vibration isolation system and associated applications in lithography
US12276921B2 (en) 2020-05-07 2025-04-15 Asml Netherlands B.V. Substrate comprising a target arrangement, and associated at least one patterning device, lithographic method and metrology method
US12493248B2 (en) 2020-05-26 2025-12-09 Asml Netherlands B.V. Method for optimizing a sampling scheme and associated apparatuses
CN115698865A (zh) 2020-06-09 2023-02-03 Asml荷兰有限公司 用于测量光刻过程的参数的目标
WO2021249711A1 (en) 2020-06-10 2021-12-16 Asml Netherlands B.V. Metrology method, metrology apparatus and lithographic apparatus
WO2021259559A1 (en) 2020-06-24 2021-12-30 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses
KR20230035034A (ko) 2020-07-06 2023-03-10 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 조명 장치 및 연관된 계측 및 리소그래피 장치
US11164307B1 (en) * 2020-07-21 2021-11-02 Kla Corporation Misregistration metrology by using fringe Moiré and optical Moiré effects
EP3945367A1 (en) 2020-07-31 2022-02-02 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses
CN116157744A (zh) 2020-07-22 2023-05-23 Asml荷兰有限公司 用于控制制造工艺的方法和相关联的装置
WO2022022949A1 (en) 2020-07-28 2022-02-03 Asml Netherlands B.V. Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
EP3964892A1 (en) 2020-09-02 2022-03-09 Stichting VU Illumination arrangement and associated dark field digital holographic microscope
KR20230075448A (ko) 2020-09-28 2023-05-31 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 타겟 구조체, 연관된 방법 및 장치
EP4002015A1 (en) 2020-11-16 2022-05-25 ASML Netherlands B.V. Dark field digital holographic microscope and associated metrology method
JP7804666B2 (ja) 2020-11-17 2026-01-22 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトロロジシステム及びリソグラフィシステム
WO2022111945A1 (en) 2020-11-24 2022-06-02 Asml Netherlands B.V. Method of determining mark structure for overlay fingerprints
CN116529673A (zh) 2020-11-27 2023-08-01 Asml荷兰有限公司 量测方法及相关量测和光刻装置
CN116569111A (zh) 2020-12-08 2023-08-08 Asml荷兰有限公司 量测方法和相关联的设备
EP4016186A1 (en) 2020-12-18 2022-06-22 ASML Netherlands B.V. Metrology method for measuring an etched trench and associated metrology apparatus
EP4030236A1 (en) 2021-01-18 2022-07-20 ASML Netherlands B.V. A method of monitoring a lithographic process and associated apparatuses
WO2022135890A1 (en) 2020-12-21 2022-06-30 Asml Netherlands B.V. A method of monitoring a lithographic process
EP4020084A1 (en) 2020-12-22 2022-06-29 ASML Netherlands B.V. Metrology method
EP4030237A1 (en) 2021-01-19 2022-07-20 ASML Netherlands B.V. Metrology method and system and lithographic system
EP4036646A1 (en) 2021-01-29 2022-08-03 ASML Netherlands B.V. Metrology methods and appratuses
EP4040233A1 (en) 2021-02-03 2022-08-10 ASML Netherlands B.V. A method of determining a measurement recipe and associated metrology methods and appratuses
WO2022200014A1 (en) 2021-03-22 2022-09-29 Asml Netherlands B.V. Digital holographic microscope and associated metrology method
EP4063971A1 (en) 2021-03-22 2022-09-28 ASML Netherlands B.V. Digital holographic microscope and associated metrology method
EP4071553A1 (en) 2021-04-07 2022-10-12 ASML Netherlands B.V. Method of determining at least a target layout and associated metrology apparatus
IL306078A (en) 2021-04-19 2023-11-01 Asml Netherlands Bv Method of calibrating a metrology tool and a combined metrology tool
EP4080284A1 (en) 2021-04-19 2022-10-26 ASML Netherlands B.V. Metrology tool calibration method and associated metrology tool
KR20240003442A (ko) 2021-05-04 2024-01-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 장치 및 리소그래피 장치
EP4086703A1 (en) 2021-05-06 2022-11-09 ASML Netherlands B.V. Method for determining a stochastic metric relating to a lithographic process
IL308126A (en) 2021-05-06 2023-12-01 Asml Netherlands Bv A method for determining a stochastic index related to a lithographic process
IL308338A (en) 2021-05-31 2024-01-01 Asml Netherlands Bv Metrology method and integrated metrology tool
EP4187321A1 (en) 2021-11-24 2023-05-31 ASML Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology tool
EP4113210A1 (en) 2021-07-01 2023-01-04 ASML Netherlands B.V. A method of monitoring a measurement recipe and associated metrology methods and apparatuses
CN117642701A (zh) 2021-07-16 2024-03-01 Asml荷兰有限公司 量测方法和设备
CN117616319A (zh) 2021-08-02 2024-02-27 Asml荷兰有限公司 用于在量测系统中使用的光学元件
WO2023012338A1 (en) 2021-08-06 2023-02-09 Asml Netherlands B.V. Metrology target, patterning device and metrology method
CN117813558A (zh) 2021-08-18 2024-04-02 Asml荷兰有限公司 量测方法和设备
EP4191337A1 (en) 2021-12-01 2023-06-07 ASML Netherlands B.V. A method of monitoring a lithographic process and associated apparatuses
US20240346200A1 (en) 2021-09-07 2024-10-17 Asml Netherlands B.V. A method of monitoring a lithographic process and associated apparatuses
WO2023036521A1 (en) 2021-09-08 2023-03-16 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses
CN117980829A (zh) 2021-09-22 2024-05-03 Asml荷兰有限公司 源选择模块以及相关联的量测和光刻设备
EP4155822A1 (en) 2021-09-28 2023-03-29 ASML Netherlands B.V. Metrology method and system and lithographic system
EP4163687A1 (en) 2021-10-06 2023-04-12 ASML Netherlands B.V. Fiber alignment monitoring tool and associated fiber alignment method
EP4167031A1 (en) 2021-10-18 2023-04-19 ASML Netherlands B.V. Method of determining a measurement recipe in a metrology method
EP4170429A1 (en) 2021-10-19 2023-04-26 ASML Netherlands B.V. Out-of-band leakage correction method and metrology apparatus
EP4174577A1 (en) 2021-11-01 2023-05-03 ASML Netherlands B.V. Method of determining a performance parameter distribution
EP4191338A1 (en) 2021-12-03 2023-06-07 ASML Netherlands B.V. Metrology calibration method
EP4202550A1 (en) 2021-12-22 2023-06-28 ASML Netherlands B.V. Substrate comprising a target arrangement, associated patterning device, lithographic method and metrology method
EP4224254A1 (en) 2022-02-04 2023-08-09 ASML Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology device
EP4224255A1 (en) 2022-02-08 2023-08-09 ASML Netherlands B.V. Metrology method
JP2023116048A (ja) * 2022-02-09 2023-08-22 キオクシア株式会社 計測装置および計測方法
EP4246231A1 (en) 2022-03-18 2023-09-20 Stichting VU A method for determining a vertical position of a structure on a substrate and associated apparatuses
CN119032327A (zh) 2022-03-18 2024-11-26 Asml荷兰有限公司 用于量测装置的照射装置和相关联的方法
EP4246232A1 (en) 2022-03-18 2023-09-20 Stichting VU Illumination arrangement for a metrology device and associated method
EP4254068A1 (en) 2022-03-28 2023-10-04 ASML Netherlands B.V. Method for determining a spatial distribution of a parameter of interest over at least one substrate or portion thereof
EP4279993A1 (en) 2022-05-18 2023-11-22 ASML Netherlands B.V. Source selection module and associated metrology apparatus
KR20250005146A (ko) 2022-04-25 2025-01-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 소스 선택 모듈 및 관련된 계측 장치
KR20250008066A (ko) 2022-05-16 2025-01-14 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치의 유지보수를 최적화하는 방법
EP4279992A1 (en) 2022-05-18 2023-11-22 ASML Netherlands B.V. Method of optimizing maintenance of a lithographic apparatus
CN119213367A (zh) 2022-05-20 2024-12-27 Asml荷兰有限公司 照射模块和关联方法以及量测装置
EP4279994A1 (en) 2022-05-20 2023-11-22 ASML Netherlands B.V. Illumination module and associated methods and metrology apparatus
CN119234188A (zh) 2022-05-31 2024-12-31 Asml荷兰有限公司 用于确定光刻系统上的失效事件的方法和相关联的失效检测组件
EP4300193A1 (en) 2022-06-27 2024-01-03 ASML Netherlands B.V. Focus measurment and control in metrology and associated wedge arrangement
EP4303658A1 (en) 2022-07-05 2024-01-10 ASML Netherlands B.V. Method of correction metrology signal data
IL316705A (en) 2022-07-14 2024-12-01 Asml Netherlands Bv The purpose of metrology and the associated metrology method
EP4318131A1 (en) 2022-08-01 2024-02-07 ASML Netherlands B.V. Sensor module, illuminator, metrology device and associated metrology method
EP4332678A1 (en) 2022-09-05 2024-03-06 ASML Netherlands B.V. Holographic metrology apparatus and method
WO2024052057A1 (en) 2022-09-06 2024-03-14 Asml Netherlands B.V. Method for monitoring proper functioning of one or more components of a lithography system
EP4357853A1 (en) 2022-10-17 2024-04-24 ASML Netherlands B.V. Apparatus and methods for filtering measurement radiation
CN120153323A (zh) 2022-10-17 2025-06-13 Asml荷兰有限公司 用于滤波测量辐射的装置和方法
KR20250117787A (ko) 2022-12-02 2025-08-05 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 하나 이상의 기계와 관련된 시계열 데이터를 라벨링하는 방법
EP4400913A1 (en) 2023-01-16 2024-07-17 ASML Netherlands B.V. Focus metrology method and associated metrology device
WO2024153407A1 (en) 2023-01-16 2024-07-25 Asml Netherlands B.V. Focus metrology method and associated metrology device
EP4474908A1 (en) 2023-06-07 2024-12-11 ASML Netherlands B.V. Focus metrology method and associated metrology device
CN120604172A (zh) 2023-01-30 2025-09-05 Asml荷兰有限公司 在光刻设备上执行维护动作的方法
EP4414783A1 (en) 2023-02-09 2024-08-14 Stichting Nederlandse Wetenschappelijk Onderzoek Instituten Method for nonlinear optical measurement of parameter
CN120917387A (zh) 2023-04-12 2025-11-07 Asml荷兰有限公司 量测方法
WO2024231008A1 (en) 2023-05-09 2024-11-14 Asml Netherlands B.V. Method of performing a qualification action on an exposure apparatus
WO2024235558A1 (en) 2023-05-17 2024-11-21 Asml Netherlands B.V. Method of predicting component drift on an exposure apparatus
WO2024256114A1 (en) 2023-06-15 2024-12-19 Asml Netherlands B.V. Method of determining fiducial degradation on a lithographic apparatus
WO2025008128A1 (en) 2023-07-03 2025-01-09 Asml Netherlands B.V. Method of identifying service actions on a machine such as an exposure apparatus
WO2025016662A1 (en) 2023-07-17 2025-01-23 Asml Netherlands B.V. Method of qualifying a machine such as an exposure apparatus
EP4498163A1 (en) 2023-07-27 2025-01-29 ASML Netherlands B.V. Method of optimizing a weighting for parameter of interest data and associated metrology and lithographic apparatuses
WO2025036636A1 (en) 2023-08-16 2025-02-20 Asml Netherlands B.V. Remaining useful lifetime estimation using multivariate signals
EP4521168A1 (en) 2023-09-05 2025-03-12 ASML Netherlands B.V. Method of determining a positioning correction for a lithographic process
EP4550047A1 (en) 2023-11-03 2025-05-07 ASML Netherlands B.V. Sidewall angle metrology
EP4571418A1 (en) 2023-12-11 2025-06-18 ASML Netherlands B.V. Holistic calibration
WO2025131523A1 (en) 2023-12-21 2025-06-26 Asml Netherlands B.V. Metrology method for a digital holographic microscope and associated computer program
WO2025149332A1 (en) 2024-01-08 2025-07-17 Asml Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing apparatus and associated apparatuses
WO2025153272A1 (en) 2024-01-15 2025-07-24 Asml Netherlands B.V. Method of predicting an effect of a maintenance action in production of integrated circuits and associated apparatus
EP4607576A1 (en) 2024-02-20 2025-08-27 ASML Netherlands B.V. Machine learning assisted pupil metrology
WO2025180728A1 (en) 2024-02-27 2025-09-04 Asml Netherlands B.V. Method of monitoring an exposure process
WO2025201786A1 (en) 2024-03-27 2025-10-02 Asml Netherlands B.V. Method for bonding semiconductor substrates
EP4647837A1 (en) 2024-05-07 2025-11-12 ASML Netherlands B.V. Metrology method and associated apparatus
EP4653953A1 (en) 2024-05-22 2025-11-26 ASML Netherlands B.V. Method of predicting an on product effect of a wafer load grid
EP4660701A1 (en) 2024-06-04 2025-12-10 ASML Netherlands B.V. Method of determining degradation on a sensor fiducial
WO2025261690A1 (en) 2024-06-19 2025-12-26 Asml Netherlands B.V. Wafer-to-wafer bonding process
WO2025261694A1 (en) 2024-06-19 2025-12-26 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for bonding substrates
WO2025261742A1 (en) 2024-06-20 2025-12-26 Stichting Nederlandse Wetenschappelijk Onderzoek Instituten Method of improving an image
WO2026002488A1 (en) 2024-06-27 2026-01-02 Asml Netherlands B.V. Method of performing a qualification action on an exposure apparatus
WO2026017503A1 (en) 2024-07-17 2026-01-22 Stichting Nederlandse Wetenschappelijk Onderzoek Instituten Method of correcting an image
WO2026017339A1 (en) 2024-07-17 2026-01-22 Asml Netherlands B.V. Method of configuring a substrate positioning system of a semiconductor manufacturing tool
WO2026021719A1 (en) 2024-07-26 2026-01-29 Asml Netherlands B.V. Method of determining degradation on a fiducial
EP4600737A3 (en) 2025-03-26 2025-12-10 ASML Netherlands B.V. A substrate, lithographic method and metrology method
EP4600739A2 (en) 2025-06-26 2025-08-13 ASML Netherlands B.V. Metrology method and metrology apparatus

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3744966B2 (ja) 1994-10-07 2006-02-15 株式会社ルネサステクノロジ 半導体基板の製造方法
KR960015001A (ko) * 1994-10-07 1996-05-22 가나이 쓰토무 반도체 기판의 제조방법과 피검사체상의 패턴결함을 검사하기 위한 방법 및 장치
US7804994B2 (en) * 2002-02-15 2010-09-28 Kla-Tencor Technologies Corporation Overlay metrology and control method
SG152898A1 (en) 2002-09-20 2009-06-29 Asml Netherlands Bv Alignment systems and methods for lithographic systems
US20060284162A1 (en) * 2003-09-05 2006-12-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Programmable optical component for spatially controlling the intensity of beam of radiation
US7791727B2 (en) 2004-08-16 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
US20060285110A1 (en) * 2005-02-25 2006-12-21 Accent Optical Technologies, Inc. Apparatus and method for enhanced critical dimension scatterometry
US7570358B2 (en) * 2007-03-30 2009-08-04 Asml Netherlands Bv Angularly resolved scatterometer, inspection method, lithographic apparatus, lithographic processing cell device manufacturing method and alignment sensor
US7460237B1 (en) * 2007-08-02 2008-12-02 Asml Netherlands B.V. Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
NL1036857A1 (nl) * 2008-04-21 2009-10-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
NL2004094A (en) 2009-02-11 2010-08-12 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and inspection method.
JP5545782B2 (ja) * 2009-07-31 2014-07-09 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置の焦点測定方法、散乱計、リソグラフィシステム、およびリソグラフィセル
CN103003754B (zh) * 2010-07-19 2015-03-11 Asml荷兰有限公司 用于确定重叠误差的方法和设备
NL2007127A (en) * 2010-08-06 2012-02-07 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus and method, lithographic apparatus and lithographic processing cell.

Also Published As

Publication number Publication date
NL2004094A (en) 2010-08-12
US20100201963A1 (en) 2010-08-12
TW201044116A (en) 2010-12-16
EP2219078A1 (en) 2010-08-18
KR101129332B1 (ko) 2012-03-26
SG164325A1 (en) 2010-09-29
JP2010192894A (ja) 2010-09-02
EP2219078B1 (en) 2017-11-15
US20140211185A1 (en) 2014-07-31
US8705007B2 (en) 2014-04-22
TWI428705B (zh) 2014-03-01
CN101819384B (zh) 2013-04-17
KR20100091919A (ko) 2010-08-19
IL203445A (en) 2017-07-31
US9128065B2 (en) 2015-09-08
CN101819384A (zh) 2010-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101129332B1 (ko) 검사 장치, 리소그래피 장치, 리소그래피 처리 셀 및 검사 방법
JP4787232B2 (ja) 測定方法、検査装置、およびリソグラフィ装置
TWI405046B (zh) 評估模型之方法，檢查裝置及微影裝置
JP4971225B2 (ja) スキャトロメータの非対称性を測定する方法、基板のオーバレイエラーを測定する方法、および計測装置
US7724370B2 (en) Method of inspection, a method of manufacturing, an inspection apparatus, a substrate, a mask, a lithography apparatus and a lithographic cell
US7605907B2 (en) Method of forming a substrate for use in calibrating a metrology tool, calibration substrate and metrology tool calibration method
JP4812712B2 (ja) 基板の特性を測定する方法及びデバイス測定方法
JP5277348B2 (ja) オーバーレイエラーを決定する方法
US9529278B2 (en) Inspection apparatus to detect a target located within a pattern for lithography
WO2009106253A1 (en) Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
KR20110081281A (ko) 스캐터로미터 및 리소그래피 장치
JP2009081436A (ja) オーバレイエラーの測定方法、検査装置及びリソグラフィ装置
JP2013500597A (ja) リソグラフィ用の検査方法
US20120092636A1 (en) Metrology Apparatus, Lithography Apparatus and Method of Measuring a Property of a Substrate
US20110102774A1 (en) Focus Sensor, Inspection Apparatus, Lithographic Apparatus and Control System

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130109

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130109

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20130524