JP2013081031A

JP2013081031A - 電子部品の温度補償データ作成方法及び電子部品の製造方法

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Publication number: JP2013081031A
Application number: JP2011219303A
Authority: JP
Inventors: Kensaku Isohata; 健作磯畑
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2011-10-03
Filing date: 2011-10-03
Publication date: 2013-05-02

Abstract

【課題】温度補償データの精度の劣化を抑えながら温度補償データの作成に要する時間を短縮することが可能な電子部品の温度補償データ作成方法及び電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】電子部品の温度補償データ作成方法は、複数の電子部品を搭載可能な治具の、複数の電子部品を搭載する搭載面の温度分布情報を生成する温度分布情報生成工程（Ｓ３０）と、治具の搭載面に複数の電子部品を搭載する電子部品搭載工程（Ｓ３２）と、複数の電子部品が搭載された搭載面の一部分の温度を測定する温度測定工程（Ｓ３４）と、温度測定工程で測定した温度と温度分布情報に基づいて、治具の搭載面の温度測定工程で温度を測定していない部分の温度情報を算出する温度情報算出工程（Ｓ３６）と、温度情報算出工程で算出した温度情報に基づいて、複数の電子部品の各々に対する温度補償データを算出する温度補償データ算出工程（Ｓ３８）と、を含む。
【選択図】図２

Description

本発明は、電子部品の温度補償データ作成方法及び電子部品の製造方法に関する。

温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ：Temperature Compensated X’tal Oscillator）は、所定の温度範囲で水晶振動子の発振周波数の所望の周波数（公称周波数）からのずれ（周波数偏差）をキャンセルすることにより高い周波数安定度が得られるため、携帯電話の端末や基地局、ＧＰＳ（Global Positioning System）受信機等の高精度のタイミング信号を必要とする機器やシステムに広く使用されている。

ＴＣＸＯには、一般に、周波数温度特性が３次関数で近似されるＡＴカット水晶振動子が用いられるが、個々のＡＴカット水晶振動子でこの３次関数が異なる。そのため、ＴＣＸＯの最終検査において、４点以上の温度と発振周波数との関係を求めてこの３次関数の各係数を算出し、温度補償データとしてＴＣＸＯ内部のメモリーに書き込む工程（温度補償工程）が設けられる。そして、ＴＣＸＯが動作する際には、この温度補償データに基づいて、水晶振動子の周波数温度特性を補償するような電圧（温度補償電圧）を内部で発生させて、出力する発振信号の周波数温度特性がフラットに近づくようにしている。

このＴＣＸＯの温度補償工程では、複数のＴＣＸＯを恒温槽やペルチェ装置（ペルチェ素子を利用した温度制御装置）にセットして所望の温度で安定させ、各ＴＣＸＯの発振周波数を取得するが、恒温槽内やペルチェ素子の表面の温度は均一ではなく温度分布があるため、装置の表示温度と各ＴＣＸＯの周囲温度とは必ずしも一致しない。そのため、装置の表示温度を参照して算出される関数と実際の水晶振動子の周波数温度特性を表す関数との間に誤差が生じ、温度補償データの精度が低下するという問題がある。

そこで、特許文献１や特許文献２では、恒温槽が表示する温度ではなく、個々のＴＣＸＯに内蔵された温度検出器の温度情報を基に温度補償データを算出する手法が提案されている。これにより、恒温槽の設定温度の精度によらず、また恒温槽内の温度が均一でない状態でも、精度の高い温度補償データを抽出することができる。これらの手法によれば、高精度な温度補償が可能なＴＣＸＯを提供できるとともに、恒温槽の設定温度を細かく制御する手間やコストの削減が可能となる。さらに、各ＴＣＸＯに内蔵された温度検出器の温度情報から補償データを算出するので、恒温槽の温度が完全に安定するまで待つ必要がない。

特開２００１−３３９２４４号公報特開２００３−１１５７２０号公報

しかしながら、特許文献１や特許文献２の手法では、ＴＣＸＯ毎に温度情報を取得する必要があるので、恒温槽の表示温度に基づいて温度補償データを算出する場合と比較して、温度補償データの算出精度は上がるものの、温度補償工程に要する時間が大幅に増えてしまうという問題がある。

本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のいくつかの態様によれば、温度補償データの精度の劣化を抑えながら温度補償データの作成に要する時間を短縮することが可能な電子部品の温度補償データ作成方法及び電子部品の製造方法を提供することができる。

（１）本発明は、電子部品の所与の温度特性を補償するための温度補償データを作成する方法であって、複数の前記電子部品を搭載可能な治具の、複数の前記電子部品を搭載する搭載面の温度分布情報を生成する温度分布情報生成工程と、前記治具の前記搭載面に複数の前記電子部品を搭載する電子部品搭載工程と、複数の前記電子部品が搭載された前記搭載面の一部分の温度を測定する温度測定工程と、前記温度測定工程で測定した温度と前記温度分布情報に基づいて、前記搭載面の前記温度測定工程で温度を測定していない部分の温度情報を算出する温度情報算出工程と、前記温度情報算出工程で算出した前記温度情報に基づいて、複数の前記電子部品の各々に対する前記温度補償データを算出する温度補償データ算出工程と、を含む、電子部品の温度補償データ作成方法である。

本発明によれば、最初に一度だけ治具の搭載面の温度分布情報を生成すれば、その後は、温度補償データ作成対象の複数の電子部品を治具の搭載面に搭載する毎に、すべての電子部品の温度を測定するのではなく、当該搭載面の一部の温度のみ測定すればよいので、温度補償データの作成に要する時間を短縮することができる。

また、本発明によれば、治具の搭載面の温度を測定することで、恒温槽の表示温度等と比較して電子部品により近い位置の温度の情報が得られるので、より高精度な温度補償データを作成することができる。

（２）この電子部品の温度補償データ作成方法は、前記温度測定工程において、前記電子部品に含まれる温度センサーを用いて前記搭載面の一部分の温度を測定するようにしてもよい。

このようにすれば、電子部品自身の温度情報を基に高精度な温度補償データを作成することができるとともに、例えば、恒温槽の表示温度が安定するまで待つ必要がないので、温度安定待ち時間を短縮することができる。

（３）この電子部品の温度補償データ作成方法は、前記温度測定工程において、前記治具の前記搭載面に固定された温度センサーを用いて前記搭載面の一部分の温度を測定するようにしてもよい。

専用の温度センサーそのものを治具の搭載面に直接固定してもよいし、温度センサーを内蔵する温度測定用の電子部品を治具の搭載面に固定することで温度センサーを治具の搭載面に固定してもよい。

一般に、温度補償データ作成対象の電子部品は量産品であるため内蔵する温度センサーの特性にばらつきがあるので、これとは別の温度測定専用の温度センサー又は温度センサー内蔵の電子部品を治具に固定して温度を測定することで、温度測定の精度を向上させることができる。この温度情報を用いることで、治具の搭載面の温度分布が先に生成した温度分布情報とより一致した状態にしてより高精度な温度補償データを作成することができる。

さらに、機構が単純な信頼性の高い（壊れにくい）専用の温度センサーを用いることで、温度センサーの経時劣化に起因する温度補償データの精度の低下を抑えることができる。

（４）この電子部品の温度補償データ作成方法は、前記温度測定工程において、前記治具の前記搭載面の中央部の温度を測定するようにしてもよい。

（５）この電子部品の温度補償データ作成方法は、前記温度分布情報生成工程において、前記搭載面の所定位置の温度を測定し、当該所定位置の温度の情報を含む前記温度分布情報を生成し、前記温度測定工程において、前記搭載面の前記所定位置の温度を繰り返し測定し、前記温度情報算出工程において、前記温度測定工程で測定した前記所定位置の温度と前記温度分布情報から得られる当該所定位置の温度との差が所定量以下のときの前記温度情報を算出するようにしてもよい。

このようにすれば、治具の搭載面の温度分布が先に生成した温度分布情報に近づいた状態になるまで待ってから、精度の高い温度補償データを作成することができる。

（６）この電子部品の温度補償データ作成方法は、前記温度測定工程において、前記治具の前記搭載面の複数箇所に分かれた前記一部分の温度を測定するようにしてもよい。

このようにすれば、治具の搭載面の温度分布が先に生成した温度分布情報に近づいたか否かを正確かつ容易に判断できる。

（７）この電子部品の温度補償データ作成方法は、前記温度測定工程において、前記治具の前記搭載面の中央部の温度および周辺部の温度を測定するようにしてもよい。

治具の搭載面の中央部の温度を基準とすると周辺部の温度が中央部の温度と最も差があると考えられるので、中央部の温度と周辺部の温度を測定することで、治具の搭載面の温度分布が先に生成した温度分布情報に近づいたか否かを最も正確かつ容易に判断できる。

（８）この電子部品の温度補償データ作成方法は、前記温度分布情報生成工程において、前記搭載面の前記複数箇所の温度を測定し、当該複数箇所の温度差の情報を含む前記温度分布情報を生成し、前記温度測定工程において、前記搭載面の前記複数箇所の温度を繰り返し測定し、前記温度情報算出工程において、前記温度測定工程で測定した前記複数箇所の温度差と前記温度分布情報から得られる当該複数箇所の温度差との差が所定量以下になるまで待ってから前記温度情報を算出するようにしてもよい。

このようにすれば、治具の搭載面の温度分布が先に生成した温度分布情報に確実に近づいた状態になるまで待ってから、精度の高い温度補償データを作成することができる。

（９）この電子部品の温度補償データ作成方法において、前記治具は、ペルチェ素子であってもよい。

（１０）本発明は、所与の温度特性を補償するための温度補償データを記憶する電子部品の生産方法であって、設計情報に基づいて、記憶部に前記温度補償データが記憶されていない複数の前記電子部品を製造する製造工程と、前記電子部品製造工程で製造した前記電子部品を検査する検査工程と、を含み、前記検査工程は、複数の前記電子部品を搭載可能な治具の、前記電子部品を搭載する搭載面の温度分布情報を生成する温度分布情報生成工程と、前記治具の前記搭載面に複数の前記電子部品を搭載する電子部品搭載工程と、複数の前記電子部品が搭載された前記搭載面の一部分の温度を測定する温度測定工程と、前記温度測定工程で測定した温度と前記温度分布情報に基づいて、前記搭載面の前記温度測定工程で温度を測定していない部分の温度情報を算出する温度情報算出工程と、前記温度情報算出工程で算出した前記温度情報に基づいて、複数の前記電子部品の各々に対する前記温度補償データを算出する温度補償データ算出工程と、温度補償データ算出工程で算出した前記温度補償データを前記複数の前記電子部品の各々の前記記憶部に書き込む温度補償データ書き込み工程と、を含む、電子部品の生産方法である。

本発明によれば、検査工程において、最初に一度だけ治具の搭載面の温度分布情報を生成すれば、その後は、温度補償データ作成対象の複数の電子部品を治具の搭載面に搭載する毎に、すべての電子部品の温度を測定するのではなく、当該搭載面の一部の温度のみ測定すればよい。従って、電子部品の検査工程に要する時間を短縮することができる。

また、本発明によれば、検査工程において、治具の搭載面の温度を測定することで、恒温槽の表示温度等と比較して電子部品により近い位置の温度の情報が得られるので、より高精度な温度補償データを作成することができる。従って、本発明によれば、温度特性が良好な電子部品を生産することができる。

本実施形態の電子部品の生産方法のフローチャートの一例を示す図。本実施形態の電子部品の温度補償データ作成方法のフローチャートの一例を示す図。本実施形態の温度補償型水晶発振器の測定系の構成例を示す図。第１実施形態の温度補償データ作成方法の全体フローチャートの一例を示す図。第１実施形態における温度分布情報を生成する際のペルチェ素子の搭載面の配置例を示す図。第１実施形態における温度補償型水晶発振器の理想補償電圧値を取得する際のペルチェ素子の搭載面の配置例を示す図。本実施形態におけるペルチェ素子の搭載面の温度分布情報を生成する処理の具体的なフローチャートの一例を示す図。第１実施形態における、一部の温度センサーの電圧値と温度補償型水晶発振器の理想補償電圧値を取得する処理の具体的なフローチャートの一例を示す図。第２実施形態における、一部の温度センサーの電圧値と温度補償型水晶発振器の理想補償電圧値を取得する処理の具体的なフローチャートの一例を示す図。図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）は、それぞれ、第２実施形態における温度分布情報を生成する際及び温度補償型水晶発振器の理想補償電圧値を取得する際のペルチェ素子の搭載面の配置例を示す図。第３実施形態における、一部の温度センサーの電圧値と温度補償型水晶発振器の理想補償電圧値を取得する処理の具体的なフローチャートの一例を示す図。図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）は、それぞれ、第３実施形態における温度分布情報を生成する際及び温度補償型水晶発振器の理想補償電圧値を取得する際のペルチェ素子の搭載面の配置例を示す図。第４実施形態における、一部の温度センサーの電圧値と温度補償型水晶発振器の理想補償電圧値を取得する処理の具体的なフローチャートの一例を示す図。図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）は、それぞれ、第４実施形態における温度分布情報を生成する際及び温度補償型水晶発振器の理想補償電圧値を取得する際のペルチェ素子の搭載面の配置例を示す図。

以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。

１．電子部品の生産方法
本実施形態の製造方法は、温度補償データを記憶する電子部品を対象とする。このような電子部品としては、例えば、温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）、ＴＳＸＯ、温度補償型のＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）発振器等の発振器やジャイロセンサー等のセンサーなどが挙げられる。

図１は、本実施形態の電子部品の生産方法のフローチャートの一例を示す図である。図１に示すように、本実施形態では、電子部品は製造工程（Ｓ１０）と検査工程（Ｓ２０）を経て生産される。

製造工程（Ｓ１０）では、電子部品の設計情報（設計データやマスク情報等）に基づいて、例えば、半導体の製造プロセスやパッケージングなどを行い、記憶部に温度補償データが記憶されていない複数の電子部品が製造される。

検査工程（Ｓ２０）では、製造工程（Ｓ１０）で製造された電子部品に対して種々の検査（特性検査や外観検査等）を行い、良品を選別する。特に、本実施形態では、選別された良品に対して温度補償工程（Ｓ２２）が行われる。この温度補償工程（Ｓ２２）は、電子部品の所与の温度特性（例えば、周波数温度特性）を補償するための温度補償データを作成する温度補償データ作成工程（Ｓ２４）と、温度補償データ作成工程（Ｓ２４）で作成した温度補償データを、電子部品の記憶部に書き込む温度補償データ書き込み工程（Ｓ２６）を含む。

図２は、本実施形態の電子部品の温度補償データ作成方法（図１の温度補償データ作成工程（Ｓ２４））のフローチャートの一例を示す図である。

図２に示すように、まず、治具の搭載面の温度分布情報を生成する（温度分布情報生成工程）（Ｓ３０）。治具は、複数の電子部品を固定して搭載可能であればよく、例えば、ペルチェ素子であってもよいし、電子部品を固定する複数のソケットが設けられたプリント基板であってもよい。なお、治具の搭載面とは、治具における複数の電子部品が搭載される面である。

次に、治具の搭載面に複数の電子部品を搭載する(電子部品搭載工程）（Ｓ３２）。

次に、治具の温度が所定の温度になるよう温度設定し、治具の搭載面の一部分の温度を測定する（温度測定工程）（Ｓ３４）。温度設定については例えば、治具を恒温槽に収容して恒温槽の内部温度が所定の温度になるように設定し、搭載面の一部分の温度を測定してもよい。

次に、ステップＳ３４で測定した温度とステップＳ３０で生成した温度分布情報に基づいて、ステップＳ３４で治具の搭載面の温度を測定していない部分の温度情報を算出する（温度情報算出工程）（Ｓ３６）。

最後に、ステップＳ３６で算出した温度情報に基づいて、複数の電子部品の各々に対する温度補償データを算出する（温度補償データ算出工程）（Ｓ３８）。

以下では、電子部品の温度補償データ作成方法の具体的な実施形態として、温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）の温度補償データ作成方法を例に挙げて詳細に説明する。

２．電子部品の温度補償データ作成方法
２−１．測定系
まず、本実施形態の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）の測定系について説明する。図３は、本実施形態の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）の測定系の構成例を示す図である。

本実施形態の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１は、温度補償用ＩＣ（Integrated Circuit）１０と水晶振動子１２を含んで構成されている。

温度補償用ＩＣ１０は、電圧制御発振回路２０、温度補償電圧発生回路３０、温度センサー４０、インターフェース（Ｉ／Ｆ）回路５０、メモリー６０、スイッチ回路７０、スイッチ回路８０を含んで構成されている。

電圧制御発振回路２０は、外部端子１３，１４を介して水晶振動子１２と接続されており、制御電圧に応じて可変容量素子２２の容量値を変化させることにより、水晶振動子１２の発振周波数を制御する。電圧制御発振回路２０の発振信号は、出力端子１５を介して外部に出力される。

温度補償電圧発生回路３０は、温度センサー４０の電圧値とメモリー６０に記憶されている温度補償データに基づいて、温度補償電圧を発生させる。本実施形態では、温度補償電圧発生回路３０は、水晶振動子１２の周波数温度特性を表す関数と相似形の関数となるように、温度センサー４０の電圧値に応じた温度補償電圧を発生させる。例えば、水晶振動子１２がＡＴカット水晶振動子であれば、温度補償電圧発生回路３０は、次式（１）で表されるような、温度センサー４０の電圧値を変数とする３次関数の温度補償電圧Ｖ_ＴＣを発生させる。式（１）において、Ｖ_ＴＳは温度センサーの電圧値、Ｃ_３は３次係数、Ｃ_２は２次係数、Ｃ_１は１次係数、Ｃ_０は０次の定数である。

メモリー６０は、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory）等の不揮発性のメモリーであり、水晶振動子１２の周波数温度特性を温度補償するための温度補償データが記憶されている。温度補償データは、例えば、式（１）の４つの係数Ｃ_３，Ｃ_２，Ｃ_１，Ｃ_０の値であり、入出力端子１７からインターフェース（Ｉ／Ｆ）回路５０を介してメモリー６０に書き込んだり、メモリー６０から読み出したりすることができるようになっている。

スイッチ回路７０は、不図示の内部レジスタの設定値に従って、可変容量素子２２の制御電圧の供給源を選択する。また、スイッチ回路８０は、不図示の内部レジスタの設定値に従って、入出力端子１６の接続先を選択する。具体的には、通常動作モードでは、可変容量素子２２の制御電圧として温度補償電圧が選択され、テストモードでは、スイッチ回路７０とスイッチ回路８０の接続先を切り替えて、温度センサー４０の電圧値を入出力端子１６から出力したり、可変容量素子２２の制御電圧を入出力端子１６から供給することができるようになっている。

このような構成の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１は、温度補償工程（図１のＳ２２）において、出力端子１５、入出力端子１６，１７を介して測定器２と接続される。

測定器２は、周波数カウンター１００、電圧発生器１１０、電圧マルチメーター１２０、パーソナルコンピューター（ＰＣ）１３０を含んで構成されている。

周波数カウンター１００は、温度補償用ＩＣ１０の出力端子１５から出力される発振信号の周波数をカウントし、カウント値をＰＣ１３０に送信する。

電圧発生器１１０は、パーソナルコンピューター（ＰＣ）１３０の制御信号に応じた電圧を発生させる。電圧発生器１１０の出力電圧は、入出力端子１６を介して、可変容量素子２２の制御電圧として供給することができる。

電圧マルチメーター１２０は、温度補償用ＩＣ１０の入出力端子１６の電圧（電圧発生器１１０の出力電圧あるいは温度センサー４０の電圧）を測定し、測定値をＰＣ１３０に送信する。

パーソナルコンピューター（ＰＣ）１３０は、温度補償用ＩＣ１０のスイッチ回路７０やスイッチ回路８０の制御、メモリー６０に対する温度補償データの書き込みや読み出し、電圧発生器１１０の出力電圧の制御等を行う。

次に、図３に示した測定系を用いた温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）の温度補償データ作成方法について、４つの実施形態を例に挙げて詳細に説明する。

２−２．第１実施形態
図４は、第１実施形態の温度補償データ作成方法の全体フローチャートの一例を示す図である。

まず、例えば図５に示すように、複数のマスターワーク５をペルチェ素子３（治具の一例）の搭載面４に搭載し、恒温槽（不図示）に収容する（Ｓ５０）。マスターワーク５は、温度に対する電圧値が正確にわかっている温度センサーを含む電子部品であればよく、例えば、高精度の温度センサーそのものであってもよいし、あらかじめ精度の高い測定器で温度センサーの電圧値を測定済みの温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１であってもよい。あるいは、温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１に内蔵された温度センサー４０よりも高感度かつ高精度の温度センサーを内蔵し、その他は温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１と同じ構造の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）をマスターワーク５としてもよい。

次に、ペルチェ素子３の搭載面４の第１温度〜第５温度の温度分布情報を生成する（Ｓ５２）。

次に、例えば図６に示すように、複数の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１をマスターワーク５が取り除かれたペルチェ素子３の搭載面４に搭載し、恒温槽（不図示）に収容する（Ｓ５４）。複数の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１は、ステップＳ５０で複数のマスターワーク５を搭載した位置と同じ位置に搭載するのが望ましい。

次に、第１温度〜第５温度で、ペルチェ素子３の搭載面４に搭載した一部の温度センサーの電圧値（温度情報）を測定して各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得または算出する（Ｓ５６）。本実施形態では、この一部の温度センサーの電圧値として、図６に示すペルチェ素子３の搭載面４の中央部の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１ａの温度センサー４０の電圧値を取得する。

次に、第１温度〜第５温度の各々に対して、一部の温度センサーの電圧値（ステップＳ５６で取得した温度センサーの電圧値）と温度分布情報（ステップＳ５２で生成した温度分布情報）から、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の温度センサー４０の電圧値（測定していない温度センサー４０の電圧値）を算出する（Ｓ５８）。

最後に、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１に対して、第１温度〜第５温度の温度センサー４０の電圧値（ステップＳ５６で取得した温度センサー４０の電圧値又はステップＳ５８で算出した温度センサー４０の電圧値）と理想補償電圧値（ステップＳ５６で取得した理想補償電圧値）から、水晶振動子１２の周波数温度特性を表す３次関数の各係数値（例えば、式（１）の係数Ｃ_３，Ｃ_２，Ｃ_１，Ｃ_０の値）を算出する（Ｓ６０）。具体的には、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１に対して、式（１）に第１温度〜第５温度の温度センサー４０の電圧値をそれぞれ代入して係数Ｃ_３，Ｃ_２，Ｃ_１，Ｃ_０を４つの変数とする５つの連立方程式を立てて、最小二乗近似等の手法を用いて、係数Ｃ_３，Ｃ_２，Ｃ_１，Ｃ_０の値を算出する。

なお、ステップＳ５０及びＳ５２は、図２の温度分布情報生成工程（Ｓ３０）に相当する。また、ステップＳ５４は、図２の電子部品搭載工程（Ｓ３２）に相当する。また、ステップＳ５８は、図２の温度情報算出工程（Ｓ３６）に相当する。また、ステップＳ６０は、図２の温度補償データ算出工程（Ｓ３８）に相当する。

なお、図４の各ステップは、可能な範囲で適宜順番を入れ替えてもよい。例えば、ステップＳ５８は、ステップＳ５２とステップＳ６０の間にあればよく、ステップＳ５４，Ｓ５６との前後関係は問わない。

図７は、ペルチェ素子３の搭載面４の第１温度〜第５温度の温度分布情報を生成する処理（図４のＳ５２の処理）の具体的なフローチャートの一例を示す図である。

まず、ペルチェ素子３を収容した恒温槽を第１温度（例えば、−３０℃）に設定する（Ｓ１００）。

次に、中央部のマスターワーク５aの温度センサーの電圧値を取得する（Ｓ１０２）。

そして、中央部の温度と第１温度（設定温度）との差が所定量以下になったか否かを判定し（Ｓ１０４）、所定量以下になっていなければ（Ｓ１０４のＮ）、所定量以下になるまで（Ｓ１０４のＹ）ステップＳ１０２とＳ１０４の処理を繰り返し行う。具体的には、例えば、ステップＳ１０２で取得した中央部のマスターワーク５aの温度センサーの電圧値と、第１温度に対するマスターワーク５aの温度センサーの電圧値（計算値）との差が所定量以下になるか否かを判定する。この所定量としては、０又は０に近い値が設定される。

中央部の温度と第１温度との差が所定量以下になれば（Ｓ１０４のＹ）、第１設定時間が経過するまで待って（Ｓ１０６のＹ）、各マスターワーク５の温度センサーの電圧値を取得し、第１温度の温度分布情報を生成する（Ｓ１０８）。例えば、取得した各マスターワーク５の温度センサーの電圧値の情報をそのまま第１温度の温度分布情報としてもよいし、あるいは、第１温度の温度分布情報として、中央部のマスターワーク５aの温度センサーの電圧値の情報と、各マスターワーク５の温度センサーの電圧値と中央部のマスターワーク５aの温度センサーの電圧値との差の情報とを生成するようにしてもよい。第１設定時間は、例えば、中央部の温度と第１温度との差が所定量以下になってから、ペルチェ素子３の搭載面４の温度分布が安定するのに必要な時間である。

次に、恒温槽を第２温度（例えば、０℃）に設定し（Ｓ１１０）、ステップＳ１０２〜Ｓ１０８と同様の処理により、第２温度の温度分布情報を生成する（Ｓ１１２〜Ｓ１１８）。

次に、恒温槽を第３温度（例えば、２５℃）に設定し（Ｓ１２０）、ステップＳ１０２〜Ｓ１０８と同様の処理により、第３温度の温度分布情報を生成する（Ｓ１２２〜Ｓ１２８）。

次に、恒温槽を第４温度（例えば、５５℃）に設定し（Ｓ１３０）、ステップＳ１０２〜Ｓ１０８と同様の処理により、第４温度の温度分布情報を生成する（Ｓ１３２〜Ｓ１３８）。

最後に、恒温槽を第５温度（例えば、８５℃）に設定し（Ｓ１４０）、ステップＳ１０２〜Ｓ１０８と同様の処理により、第５温度の温度分布情報を生成し（Ｓ１４２〜Ｓ１４８）、処理を終了する。

図８は、第１温度〜第５温度で一部の温度センサーの電圧値と各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得する処理（図４のＳ５６の処理）の具体的なフローチャートの一例を示す図である。

まず、ペルチェ素子３を収容した恒温槽を第１温度（図７のステップＳ１００で設定した温度）に設定する（Ｓ２００）。

次に、図６における中央部の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１ａの温度センサー４０の電圧値を取得する（Ｓ２０２）。具体的には、温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１ａに対して、ＰＣ１３０が、スイッチ回路８０を制御して入出力端子１６に温度センサー４０の電圧を出力させ、電圧マルチメーター１２０の測定値を取得する。

そして、中央部の温度と第１温度との差が所定量以下になったか否かを判定し（Ｓ２０４）、所定量以下になっていなければ（Ｓ２０４のＮ）、所定量以下になるまで（Ｓ２０４のＹ）ステップＳ２０２とＳ２０４の処理を繰り返し行う。具体的には、例えば、ステップＳ２０２で取得した中央部の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１ａの温度センサー４０の電圧値と、第１温度に対するマスターワーク５aの温度センサーの電圧値（計算値）との差が所定量以下になるか否かを判定する。この所定量としては、０又は０に近い値が設定される。

中央部の温度と第１温度との差が所定量以下になれば（Ｓ２０４のＹ）、第１設定時間（図７のステップＳ１０６における設定時間）が経過するまで待って（Ｓ２０６のＹ）、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得する（Ｓ２０８）。具体的には、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１に対して、順番に、ＰＣ１３０が、電圧発生器１１０の出力電圧を変化させながら周波数カウンター１００のカウント値をモニターし、発振周波数が公称周波数と一致する時の電圧マルチメーター１２０の測定値を第１温度点での理想補償電圧として取得する。

次に、恒温槽を第２温度（図７のステップＳ１１０で設定した温度）に設定し（Ｓ２１０）、ステップＳ２０２〜Ｓ２０８と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得する（Ｓ２１８）。

次に、恒温槽を第３温度（図７のステップＳ１２０で設定した温度）に設定し（Ｓ２２０）、ステップＳ２０２〜Ｓ２０８と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得する（Ｓ２２８）。

次に、恒温槽を第４温度（図７のステップＳ１３０で設定した温度）に設定し（Ｓ２３０）、ステップＳ２０２〜Ｓ２０８と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得する（Ｓ２３８）。

最後に、恒温槽を第５温度（図７のステップＳ１４０で設定した温度）に設定し（Ｓ２４０）、ステップＳ２０２〜Ｓ２０８と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得し（Ｓ２４８）、処理を終了する。

なお、図８のステップＳ２００〜Ｓ２０４，Ｓ２１０〜Ｓ２１４，Ｓ２２０〜Ｓ２２４，Ｓ２３０〜Ｓ２３４，Ｓ２４０〜Ｓ２４４は、図２の温度測定工程（Ｓ３４）に相当する。

そして、測定器のＰＣ１３０が、第１温度〜第５温度の各々に対して、中央部の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１ａの温度センサー４０の電圧値と温度分布情報から、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の温度センサー４０の電圧値を算出する（図４のＳ５８）。例えば、第１温度の温度分布情報から得られる中央部の温度センサーの電圧値がＶ_１（例えば、−３０℃に相当する電圧値）であり、中央部の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１ａの温度センサー４０の電圧値がＶ_２（例えば、−３０．１℃に相当する電圧値）であれば、中央部を除く各位置の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１ａの温度センサー４０の電圧値を、第１温度の温度分布情報から得られる各位置の温度センサーの電圧値＋（Ｖ_２−Ｖ_１）として算出する（Ｖ_２−Ｖ_１は、例えば０．１℃に相当する電圧値）。

続いて、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１に対して、第１温度〜第５温度の温度センサー４０の電圧値と理想補償電圧値から、温度補償データ（式（１）の係数Ｃ_３，Ｃ_２，Ｃ_１，Ｃ_０の値）を算出する（図４のＳ６０）。

最後に、測定器２のＰＣ１３０が、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１に対して、温度補償用ＩＣ１０の入出力端子１７を介して温度補償データをメモリー６０に書き込み（図１のＳ２６）、温度補償工程（図１のＳ２２）を終了する。

以上に説明した第１実施形態の温度補償データ作成方法によれば、最初に一度だけペルチェ素子３の搭載面４の温度分布情報を生成すれば、その後は、温度補償データ作成対象の複数の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１をペルチェ素子３の搭載面４に搭載する毎に、すべての温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の温度を測定（温度センサー４０の電圧値を取得）するのではなく、中央部の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１ａの温度のみ測定（温度センサー４０の電圧値のみ取得）すればよいので、温度補償データの作成に要する時間を短縮することができる。

また、本発明によれば、温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の温度センサー４０によって温度を測定することで、温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の正確な温度の情報が得られる。そして、中央部の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の温度が温度分布情報から得られる当該中央部の温度とほぼ一致するまで待ってから、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧を取得するので、より高精度な温度補償データを作成することができる。さらに、恒温槽の表示温度が安定するまで待つ必要がないので温度安定待ち時間を短縮することができる。

なお、温度を測定する温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１は、ペルチェ素子３の搭載面４の中央部に限らず、どの位置にあってもよい。

２−３．第２実施形態
第１実施形態では、図８のステップＳ２０６，Ｓ２１６，Ｓ２２６，Ｓ２３６，Ｓ２４６において、それぞれ第１設定時間〜第５設定時間が経過するまで待ってから、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得している。この第１設定時間〜第５設定時間を短くすれば温度補償工程のＴＡＴを短縮することができるが、第１設定時間〜第５設定時間が短いほど、理想補償電圧値を取得する時のペルチェ素子３の搭載面４の温度分布と図７のステップＳ１０８，Ｓ１０８，Ｓ１０８，Ｓ１０８，Ｓ１０８でそれぞれ生成した第１温度〜第５温度の温度分布情報との差が大きくなりやすく、結果的に、温度補償データの精度が低下するおそれがある。そこで、第２実施形態では、第１温度〜第５温度に設定した後、ペルチェ素子３の搭載面４の温度分布がそれぞれ第１温度〜第５温度の温度分布情報とほぼ一致するまで待ってから、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得する。

第２実施形態の温度補償データ作成方法の全体フローチャートは、第１実施形態（図４）と同様であるため、その説明を省略する。ただし、本実施形態では、図４のステップＳ５２において、一部の温度センサーの電圧値として、ペルチェ素子３の搭載面４の中央部と周辺部の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の温度センサー４０の電圧値を取得する。

また、第２実施形態における第１温度〜第５温度の温度分布情報を生成する処理（図４のＳ５２の処理）の具体的なフローチャートは、第１実施形態（図７）と同様であるため、その説明を省略する。

図９は、第２実施形態における、第１温度〜第５温度で一部の温度センサーの電圧値と各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得する処理（図４のＳ５６の処理）の具体的なフローチャートの一例を示す図である。また、図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）は、それぞれ、温度分布情報を生成する際及び各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得する際のペルチェ素子３の搭載面４の配置例を示す図であり、それぞれ図５及び図６と同様の配置になっている。

まず、第１実施形態と同様に、ペルチェ素子３を搭載した恒温槽を第１温度（図７のステップＳ１００で設定した温度）に設定し（Ｓ３００）、図１０（Ｂ）における中央部の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１ａの温度センサー４０の電圧値Ｖａを取得する（Ｓ３０２）。

そして、第１実施形態と同様に、中央部の温度と第１温度との差が所定量以下になったか否かを判定し（Ｓ３０４）、所定量以下になっていなければ（Ｓ３０４のＮ）、所定量以下になるまで（Ｓ３０４のＹ）ステップＳ３０２とＳ３０４の処理を繰り返し行う。

中央部の温度と第１温度との差が所定量以下になれば（Ｓ３０４のＹ）、図１０（Ｂ）における周辺部の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅの各温度センサー４０の電圧値Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄ，Ｖｅを取得する（Ｓ３０６）。具体的には、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅに対して、順番に、ＰＣ１３０が、スイッチ回路８０を制御して入出力端子１６に温度センサー４０の電圧を出力させ、電圧マルチメーター１２０の測定値を取得する。

次に、各周辺部と中央部の温度差と、第１温度の温度分布における当該各周辺部と中央部の温度差との差が所定量以下になったか否かを判定し（Ｓ３０８）、所定量以下になっていなければ（Ｓ３０８のＮ）、所定量以下になるまで（Ｓ３０８のＹ）ステップＳ３０６とＳ３０８の処理を繰り返し行う。具体的には、図７のステップＳ１０８で取得した、温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅとそれぞれ同じ位置にある図１０（Ａ）のマスターワーク５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅの各温度センサーの電圧値をＶａ_０，Ｖｂ_０，Ｖｃ_０，Ｖｄ_０，Ｖｅ_０とし、所定量をΔＶとすると、例えば、｜（Ｖｂ−Ｖｂ_０）−（Ｖａ−Ｖａ_０）｜≦ΔＶ、かつ、｜（Ｖｃ−Ｖｃ_０）−（Ｖａ−Ｖａ_０）｜≦ΔＶ、かつ、｜（Ｖｄ−Ｖｄ_０）−（Ｖａ−Ｖａ_０）｜≦ΔＶ、かつ、｜（Ｖｅ−Ｖｅ_０）−（Ｖａ−Ｖａ_０）｜≦ΔＶか否かを判定する。この所定量としては０に近い値が設定される。

各周辺部と中央部の温度差と、第１温度の温度分布における当該各周辺部と中央部の温度差との差が所定量以下になれば（Ｓ３０８のＹ）、第１実施形態と同様に、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得する（Ｓ３１０）。

次に、恒温槽を第２温度（図７のステップＳ１１０で設定した温度）に設定し（Ｓ３１２）、ステップＳ３０２〜Ｓ３１０と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得する（Ｓ３２２）。

次に、恒温槽を第３温度（図７のステップＳ１２０で設定した温度）に設定し（Ｓ３２４）、ステップＳ３０２〜Ｓ３１０と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得する（Ｓ３３４）。

次に、恒温槽を第４温度（図７のステップＳ１３０で設定した温度）に設定し（Ｓ３３６）、ステップＳ３０２〜Ｓ３１０と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得する（Ｓ３４６）。

最後に、恒温槽を第５温度（図７のステップＳ１４０で設定した温度）に設定し（Ｓ３４８）、ステップＳ３０２〜Ｓ３１０と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得し（Ｓ３５８）、処理を終了する。

なお、図９のステップＳ３００〜Ｓ３０４，Ｓ３１２〜Ｓ３１６，Ｓ３２４〜Ｓ３２８，Ｓ３３６〜Ｓ３４０，Ｓ３４８〜Ｓ３５２は、図２の温度測定工程（Ｓ３４）に相当する。

以上に説明した第２実施形態の温度補償データ作成方法によれば、ペルチェ素子３の搭載面４の中央部の温度とともに、中央部との温度差が大きいと考えられる周辺部の温度を測定し、その差が温度分布情報から得られる当該中央部と周辺部の温度差とほぼ一致するまで待つことで、ペルチェ素子３の搭載面４の温度分布と温度分布情報とがより正確に一致した状態で、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得することができる。従って、温度補償データ（各係数値）の精度を高めることができる。

なお、本実施形態では、周辺部の中でも中央部から最も遠い４隅の温度を測定し、中央部と４隅の各々との温度差が温度分布情報から得られる当該中央部と４隅の各々との温度差とほぼ一致するまで待つことで、ペルチェ素子３の搭載面４の温度分布と温度分布情報とを極めて正確に一致させることが期待できる。

２−４．第３実施形態
第１実施形態では、第１温度〜第５温度で一部の温度センサーの電圧値と各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得する処理（図４のＳ５６の処理及び図８の処理）において、ペルチェ素子３の搭載面４には、温度補償の対象となる温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１のみを配置し、これにより温度補償工程のＴＡＴをできる限り短縮している。ただし、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得する時のペルチェ素子３の搭載面４の温度分布が温度分布情報と一致しているか否かは、中央部の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１ａの温度センサー４０の電圧値から判定している。一般に、温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１ａの温度センサー４０の精度はマスターワーク５の温度センサーの精度と比較して低いので、必ずしも十分な判定精度が得られない場合もある。そこで、第３実施形態では、ペルチェ素子３の搭載面４の中央部にマスターワーク５を固定して配置し、中央部を除く各位置には、第１温度〜第５温度の温度分布情報を生成する処理（図４のＳ５２の処理及び図７の処理）ではマスターワーク５を配置し、第１温度〜第５温度で一部の温度センサーの電圧値と各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得する処理（図４のＳ５６の処理）では、温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１を配置する。

第３実施形態の温度補償データ作成方法の全体フローチャートは、第１実施形態（図４）と同様であるため、その説明を省略する。ただし、本実施形態では、図４のステップＳ５２において、一部の温度センサーの電圧値として、ペルチェ素子３の搭載面４の中央部のマスターワーク５の温度センサーの電圧値を取得する。

また、第３実施形態における第１温度〜第５温度の温度分布情報を生成する処理の具体的なフローチャートは、第１実施形態（図７）と同様であるため、その説明を省略する。

図１１は、第３実施形態における、第１温度〜第５温度で一部の温度センサーの電圧値と各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得する処理（図４のＳ５６の処理）の具体的なフローチャートの一例を示す図である。また、図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）は、それぞれ、温度分布情報を生成する際及び各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得する際のペルチェ素子３の搭載面４の配置例を示す図である。図１２（Ａ）の配置は図５と同様の配置になっており、図１２（Ｂ）の配置は、図６の配置に対して中央部の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１ａのみマスターワーク５ａに置き換わっている。すなわち、マスターワーク５ａは、ペルチェ素子３の搭載面４の中央部に固定されている。このマスターワーク５ａは、温度に対する電圧値が正確にわかっている温度センサーを含む電子部品であればよく、例えば、高精度の温度センサーそのものであってもよいし、あらかじめ精度の高い測定器で温度センサーの電圧値を測定済みの温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１であってもよい。あるいは、温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１に内蔵された温度センサー４０よりも高感度かつ高精度の温度センサーを内蔵し、その他は温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１と同じ構造の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）であってもよい。

まず、第１実施形態と同様に、ペルチェ素子３を収容した恒温槽を第１温度（図７のステップＳ１００で設定した温度）に設定する（Ｓ４００）。

次に、図１２（Ｂ）における中央部のマスターワーク５ａの温度センサー４０の電圧値を取得する（Ｓ４０２）。

そして、中央部の温度と第１温度との差が所定量以下になったか否かを判定し（Ｓ４０４）、所定量以下になっていなければ（Ｓ４０４のＮ）、所定量以下になるまで（Ｓ４０４のＹ）ステップＳ４０２とＳ４０４の処理を繰り返し行う。具体的には、例えば、ステップＳ４０２で取得した中央部のマスターワーク５ａの温度センサーの電圧値と、第１温度に対するマスターワーク５aの温度センサーの電圧値（計算値）との差が所定量以下になるか否かを判定する。この所定量としては、０又は０に近い値が設定される。

中央部の温度と第１温度との差が所定量以下になれば（Ｓ４０４のＹ）、第１実施形態と同様に、第１設定時間（図７のステップＳ１０６における設定時間）が経過するまで待って（Ｓ４０６のＹ）、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得する（Ｓ４０８）。

次に、恒温槽を第２温度（図７のステップＳ１１０で設定した温度）に設定し（Ｓ４１０）、ステップＳ４０２〜Ｓ４０８と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得する（Ｓ４１８）。

次に、恒温槽を第３温度（図７のステップＳ１２０で設定した温度）に設定し（Ｓ４２０）、ステップＳ４０２〜Ｓ４０８と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得する（Ｓ４２８）。

次に、恒温槽を第４温度（図７のステップＳ１３０で設定した温度）に設定し（Ｓ４３０）、ステップＳ４０２〜Ｓ４０８と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得する（Ｓ４３８）。

最後に、恒温槽を第５温度（図７のステップＳ１４０で設定した温度）に設定し（Ｓ４４０）、ステップＳ４０２〜Ｓ４０８と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得し（Ｓ４４８）、処理を終了する。

なお、図１１のステップＳ４００〜Ｓ４０４，Ｓ４１０〜Ｓ４１４，Ｓ４２０〜Ｓ４２４，Ｓ４３０〜Ｓ４３４，Ｓ４４０〜Ｓ４４４は、図２の温度測定工程（Ｓ３４）に相当する。

以上に説明した第３実施形態の温度補償データ作成方法は、第１実施形態と同様の効果を奏するとともに、以下の効果も奏する。

第３実施形態の温度補償データ作成方法では、温度分布情報を生成する際に使用した中央部のマスターワーク５ａの温度センサーを、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧を取得する際の温度測定にも使用するので、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧を取得する際のペルチェ素子３の搭載面４の温度分布を温度分布情報と一致させやすい。従って、温度補償データの精度の向上と温度補償データの作成に要する時間の短縮が期待できる。

また、一般に、温度補償データ作成対象の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１は量産品であるため内蔵する温度センサー４０の特性ばらつきがあるので、第１実施形態又は第２実施形態の温度補償データ作成方法では、ペルチェ素子３の搭載面４に搭載する温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１を変える度に、理想補償電圧を取得する際の温度測定精度もばらつく。これに対して、第３実施形態の温度補償データ作成方法によれば、マスターワーク５ａをペルチェ素子３の搭載面４に固定し、毎回マスターワーク５ａの温度センサーで温度を測定するので、理想補償電圧を取得する際の温度測定精度を一定に保つことができる。これにより、温度補償データの精度を高めることができる。

なお、毎回、マスターワーク５ａの温度センサーで温度測定を行うので、マスターワーク５ａの経時劣化によって温度補償データの精度が低下するおそれがある。そこで、マスターワーク５ａとして、例えば、機構が単純な信頼性の高い（壊れにくい）専用の温度センサーを用いることで経時劣化を最小限に抑え、温度補償データの精度の低下を最小限に抑えることができる。

２−５．第４実施形態
第２実施形態では、第１温度〜第５温度で一部の温度センサーの電圧値と各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得する処理（図４のＳ５６の処理及び図８の処理）において、ペルチェ素子３の搭載面４には、温度補償の対象となる温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１のみを配置し、これにより温度補償工程のＴＡＴをできる限り短縮している。ただし、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得する時のペルチェ素子３の搭載面４の温度分布が温度分布情報と一致しているか否かは、周辺部の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅの各温度センサー４０の電圧値と中央部の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１ａの温度センサー４０の電圧値との差から判定している。一般に、温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅの温度センサー４０の精度はマスターワーク５の温度センサーの精度と比較して低いので、必ずしも十分な判定精度が得られない場合もある。そこで、第４実施形態では、ペルチェ素子３の搭載面４の中央部と周辺部の一部にマスターワーク５を固定して配置し、中央部と周辺部の一部を除く各位置には、第１温度〜第５温度の温度分布情報を生成する処理（図４のＳ５２の処理及び図７の処理）ではマスターワーク５を配置し、第１温度〜第５温度で一部の温度センサーの電圧値と各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得する処理（図４のＳ５６の処理）では、温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１を配置する。

第４実施形態の温度補償データ作成方法の全体フローチャートは、第２実施形態（図４）と同様であるため、その説明を省略する。ただし、本実施形態では、図４のステップＳ５２において、一部の温度センサーの電圧値として、ペルチェ素子３の搭載面４の中央部と周辺部のマスターワーク５の温度センサーの電圧値を取得する。

また、第４実施形態における第１温度〜第５温度の温度分布情報を生成する処理の具体的なフローチャートは、第２実施形態（図７）と同様であるため、その説明を省略する。

図１３は、第４実施形態における、第１温度〜第５温度で一部の温度センサーの電圧値と各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得する処理（図４のＳ５６の処理）の具体的なフローチャートの一例を示す図である。また、図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）は、それぞれ、温度分布情報を生成する際及び各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得する際のペルチェ素子３の搭載面４の配置例を示す図である。図１４（Ａ）の配置は図１０（Ａ）と同様の配置になっており、図１４（Ｂ）の配置は、図１０（Ｂ）の配置に対して中央部の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１ａと周辺部の４つの温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅのみ、それぞれマスターワーク５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅに置き換わっている。すなわち、マスターワーク５ａは、ペルチェ素子３の搭載面４の中央部に固定され、マスターワーク５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅは、ペルチェ素子３の搭載面４の周辺部に固定されている。このマスターワーク５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅは、温度に対する電圧値が正確にわかっている温度センサーを含む電子部品であればよく、例えば、高精度の温度センサーそのものであってもよいし、あらかじめ精度の高い測定器で温度センサーの電圧値を測定済みの温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１であってもよい。あるいは、温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１に内蔵された温度センサー４０よりも高感度かつ高精度の温度センサーを内蔵し、その他は温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１と同じ構造の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）であってもよい。

まず、第３実施形態と同様に、ペルチェ素子３を収容した恒温槽を第１温度（図７のステップＳ１００で設定した温度）に設定し（Ｓ５００）、図１４（Ｂ）における中央部のマスターワーク５ａの温度センサーの電圧値Ｖａを取得する（Ｓ５０２）。

そして、第３実施形態と同様に、中央部の温度と第１温度との差が所定量以下になったか否かを判定し（Ｓ５０４）、所定量以下になっていなければ（Ｓ５０４のＮ）、所定量以下になるまで（Ｓ５０４のＹ）ステップＳ５０２とＳ５０４の処理を繰り返し行う。

中央部の温度と第１温度との差が所定量以下になれば（Ｓ５０４のＹ）、図１４（Ｂ）における周辺部のマスターワーク５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅの各温度センサーの電圧値Ｖｂ，Ｖｃ，Ｖｄ，Ｖｅを取得する（Ｓ５０６）。

次に、各周辺部と中央部の温度差と、第１温度の温度分布における当該各周辺部と中央部の温度差との差が所定量以下になったか否かを判定し（Ｓ５０８）、所定量以下になっていなければ（Ｓ５０８のＮ）、所定量以下になるまで（Ｓ５０８のＹ）ステップＳ５０６とＳ５０８の処理を繰り返し行う。具体的には、図７のステップＳ１０８で取得した、図１０（Ａ）のマスターワーク５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅの各温度センサーの電圧値をＶａ_０，Ｖｂ_０，Ｖｃ_０，Ｖｄ_０，Ｖｅ_０とし、所定量をΔＶとすると、例えば、｜（Ｖｂ−Ｖｂ_０）−（Ｖａ−Ｖａ_０）｜≦ΔＶ、かつ、｜（Ｖｃ−Ｖｃ_０）−（Ｖａ−Ｖａ_０）｜≦ΔＶ、かつ、｜（Ｖｄ−Ｖｄ_０）−（Ｖａ−Ｖａ_０）｜≦ΔＶ、かつ、｜（Ｖｅ−Ｖｅ_０）−（Ｖａ−Ｖａ_０）｜≦ΔＶか否かを判定する。この所定量としては０に近い値が設定される。

各周辺部と中央部の温度差と、第１温度の温度分布における当該各周辺部と中央部の温度差との差が所定量以下になれば（Ｓ５０８のＹ）、第１実施形態と同様に、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得する（Ｓ５１０）。

次に、恒温槽を第２温度（図７のステップＳ１１０で設定した温度）に設定し（Ｓ５１２）、ステップＳ５０２〜Ｓ５１０と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得する（Ｓ５２２）。

次に、恒温槽を第３温度（図７のステップＳ１２０で設定した温度）に設定し（Ｓ５２４）、ステップＳ５０２〜Ｓ５１０と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得する（Ｓ５３４）。

次に、恒温槽を第４温度（図７のステップＳ１３０で設定した温度）に設定し（Ｓ５３６）、ステップＳ５０２〜Ｓ５１０と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得する（Ｓ５４６）。

最後に、恒温槽を第５温度（図７のステップＳ１４０で設定した温度）に設定し（Ｓ５４８）、ステップＳ５０２〜Ｓ５１０と同様の処理により、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧値を取得し（Ｓ５５８）、処理を終了する。

なお、図１３のステップＳ５００〜Ｓ５０４，Ｓ５１２〜Ｓ５１６，Ｓ５２４〜Ｓ５２８，Ｓ５３６〜Ｓ５４０，Ｓ５４８〜Ｓ５５２は、図２の温度測定工程（Ｓ３４）に相当する。

以上に説明した第４実施形態の温度補償データ作成方法は、第２実施形態と同様の効果を奏するとともに、以下の効果も奏する。

第４実施形態の温度補償データ作成方法では、温度分布情報を生成する際に使用したマスターワーク５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅの各温度センサーを、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧を取得する際の温度測定にも使用し、ペルチェ素子３の搭載面４の中央部の温度とともに、中央部との温度差が大きいと考えられる周辺部の温度を測定する。これにより、各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧を取得する際のペルチェ素子３の搭載面４の温度分布を温度分布情報と一致させやすいので、温度補償データの精度の向上と温度補償データの作成に要する時間の短縮が期待できる。

また、第４実施形態の温度補償データ作成方法によれば、マスターワーク５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅをペルチェ素子３の搭載面４に固定し、毎回マスターワーク５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅの温度センサーで温度を測定するので、理想補償電圧を取得する際の温度測定精度を一定に保つことができる。これにより、温度補償データの精度を高めることができる。

なお、マスターワーク５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅとして、例えば、機構が単純な信頼性の高い（壊れにくい）専用の温度センサーを用いることで経時劣化を最小限に抑え、温度補償データの精度の低下を最小限に抑えることができる。

なお、本発明は本実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。

第１〜第４実施形態では、発振子として水晶振動子を用いた温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）を例に挙げたが、例えば、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電単結晶や、ジルコン酸チタン酸鉛等の圧電セラミックス等の圧電材料、又はシリコン半導体材料等を用いた発振子を用いてもよい。また、発振子の励振手段としては、圧電効果によるものを用いてもよいし、クーロン力による静電駆動を用いてもよい。

また、本実施形態では、電子部品（温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ））をペルチェ素子に搭載するペルチェ式の恒温槽を例に挙げて説明したが、恒温槽のタイプは問わない。あるいは、本発明は、治具の搭載面の温度が安定すればよいので、必ずしも恒温槽をもちいなくてもよい。

また、第１実施形態では、ペルチェ素子３の搭載面４の中央部の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１ａの温度センサー４０を温度測定に使用しているが、任意の位置の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の温度センサー４０を温度測定に使用してもよい。同様に、第３実施形態では、マスターワーク５ａをペルチェ素子３の搭載面４の中央部に固定して温度測定に使用しているが、温度を測定するためにペルチェ素子３の搭載面４に固定されるマスターワーク５は、中央部に限らず、どの位置にあってもよい。

また、第２実施形態では、ペルチェ素子３の搭載面４の中央部及び４隅の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅの各温度センサー４０を温度測定に使用しているが、任意の位置にある複数（５個に限らない）の温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の各温度センサー４０を温度測定に使用してもよい。同様に、第４実施形態では、マスターワーク５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅをペルチェ素子３の搭載面４の中央部及び４隅に固定して温度測定に使用しているが、温度を測定するためにペルチェ素子３の搭載面４に固定される複数（５個に限らない）のマスターワーク５は、中央部や４隅に限らずどの位置にあってもよい。

また、本実施形態では、ペルチェ素子の搭載面中央部の温度が設定温度に一致し、かつ、ペルチェ素子の温度分布が温度分布情報と一致するまで待ってから各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）の理想補償電圧を取得しているが、中央部の温度が設定温度に一致しなくてもペルチェ素子の温度分布が温度分布情報と一致した時点で理想補償電圧を取得するようにしてもよい。ペルチェ素子の搭載面中央部の温度が設定温度から多少ずれた状態で理想補償電圧を取得しても問題なければ、当該中央部の温度が設定温度に一致する必要がないので、温度データの作成に要する時間を短縮することができる。

また、本実施形態では、温度分布情報を生成するために、ペルチェ素子３の搭載面４の温度分布が安定するのを待ってから各マスターワーク５の温度を取得しているが、ペルチェ素子３の搭載面４の温度分布が安定する前の過渡状態で各マスターワーク５の温度を取得するようにしてもよい。このようにすれば、ペルチェ素子３の搭載面４の温度分布が安定するのを待たずに各温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）１の理想補償電圧を取得することができるので、温度補償データの作成に要する時間を短縮することができる。ただし、過渡状態で理想補償電圧を取得するので、時間の経過により理想補償電圧の取得時のペルチェ素子３の搭載面４の温度分布と温度分布情報が徐々に一致しなくなり、温度補償データの精度が低下することが考えられる。従って、温度補償データの要求精度とコストを考慮して、ペルチェ素子３の搭載面４の温度分布がどの程度まで安定した時点で理想補償電圧を取得するかを決定するのがよい。

本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。

１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）、２測定器、３ペルチェ素子、４搭載面、５，５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅマスターワーク、１０温度補償用ＩＣ、１２水晶振動子、２０電圧制御発振回路、２２可変容量素子、３０温度補償電圧発生回路、４０温度センサー、５０インターフェース（Ｉ／Ｆ）回路、６０メモリー、７０スイッチ回路、８０スイッチ回路、１００周波数カウンター、１１０電圧発生器、１２０電圧マルチメーター、１３０パーソナルコンピューター（ＰＣ）

Claims

電子部品の所与の温度特性を補償するための温度補償データを作成する方法であって、
複数の前記電子部品を搭載可能な治具の、複数の前記電子部品を搭載する搭載面の温度分布情報を生成する温度分布情報生成工程と、
前記治具の前記搭載面に複数の前記電子部品を搭載する電子部品搭載工程と、
複数の前記電子部品が搭載された前記搭載面の一部分の温度を測定する温度測定工程と、
前記温度測定工程で測定した温度と前記温度分布情報に基づいて、前記搭載面の前記温度測定工程で温度を測定していない部分の温度情報を算出する温度情報算出工程と、
前記温度情報算出工程で算出した前記温度情報に基づいて、複数の前記電子部品の各々に対する前記温度補償データを算出する温度補償データ算出工程と、を含む、電子部品の温度補償データ作成方法。
請求項１において、
前記温度測定工程において、
前記電子部品に含まれる温度センサーを用いて前記搭載面の一部分の温度を測定する、電子部品の温度補償データ作成方法。
請求項１において、
前記温度測定工程において、
前記治具の前記搭載面に固定された温度センサーを用いて前記搭載面の一部分の温度を測定する、電子部品の温度補償データ作成方法。
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記温度測定工程において、
前記治具の前記搭載面の中央部の温度を測定する、電子部品の温度補償データ作成方法。
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記温度分布情報生成工程において、
前記搭載面の所定位置の温度を測定し、当該所定位置の温度の情報を含む前記温度分布情報を生成し、
前記温度測定工程において、
前記搭載面の前記所定位置の温度を繰り返し測定し、
前記温度情報算出工程において、
前記温度測定工程で測定した前記所定位置の温度と前記温度分布情報から得られる当該所定位置の温度との差が所定量以下のときの前記温度情報を算出する、電子部品の温度補償データ作成方法。
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記温度測定工程において、
前記治具の前記搭載面の複数箇所に分かれた前記一部分の温度を測定する、電子部品の温度補償データ作成方法。
請求項６において、
前記温度測定工程において、
前記治具の前記搭載面の中央部の温度および周辺部の温度を測定する、電子部品の温度補償データ作成方法。
請求項６又は７において、
前記温度分布情報生成工程において、
前記搭載面の前記複数箇所の温度を測定し、当該複数箇所の温度差の情報を含む前記温度分布情報を生成し、
前記温度測定工程において、
前記搭載面の前記複数箇所の温度を繰り返し測定し、
前記温度情報算出工程において、
前記温度測定工程で測定した前記複数箇所の温度差と前記温度分布情報から得られる当該複数箇所の温度差との差が所定量以下になるまで待ってから前記温度情報を算出する、電子部品の温度補償データ作成方法。
請求項１乃至８のいずれかにおいて、
前記治具は、ペルチェ素子である、電子部品の温度補償データ作成方法。
所与の温度特性を補償するための温度補償データを記憶する電子部品の生産方法であって、
設計情報に基づいて、記憶部に前記温度補償データが記憶されていない複数の前記電子部品を製造する製造工程と、
前記電子部品製造工程で製造した前記電子部品を検査する検査工程と、を含み、
前記検査工程は、
複数の前記電子部品を搭載可能な治具の、前記電子部品を搭載する搭載面の温度分布情報を生成する温度分布情報生成工程と、
前記治具の前記搭載面に複数の前記電子部品を搭載する電子部品搭載工程と、
複数の前記電子部品が搭載された前記搭載面の一部分の温度を測定する温度測定工程と、
前記温度測定工程で測定した温度と前記温度分布情報に基づいて、前記搭載面の前記温度測定工程で温度を測定していない部分の温度情報を算出する温度情報算出工程と、
前記温度情報算出工程で算出した前記温度情報に基づいて、複数の前記電子部品の各々に対する前記温度補償データを算出する温度補償データ算出工程と、
温度補償データ算出工程で算出した前記温度補償データを前記複数の前記電子部品の各々の前記記憶部に書き込む温度補償データ書き込み工程と、を含む、電子部品の生産方法。