JP2012172150A - ガリウム配合インク、並びにその製造方法および使用方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】a)ガリウム成分;セレン成分;有機カルコゲナイド成分;第1b族成分;場合によって、二座チオール成分;場合によって、インジウム成分;の組み合わせを当初成分として含む第1b族/ガリウム/(場合によってインジウム)/第6a族システムと、(b)液体キャリア成分を含む、ガリウム配合インクであって、前記ガリウム成分がガリウム、安定化成分、添加剤およびガリウムキャリアを当初成分として含み、有機カルコゲナイド成分がRZ−Z’R’およびR2−SHから選択される式を有する少なくとも1種の有機カルコゲナイドを含み、第1b族成分はCuCl2およびCu2Oの少なくとも1種を含み、安定化成分は、1,3−プロパンジチオール、ベータ−メルカプトエタノール、これらの類似体およびこれらの混合物からなる群から選択され、液体キャリア中に分散されるガリウム配合インク。
【選択図】なし
Description
前記有機カルコゲナイド成分はRZ−Z’R’およびR2−SHから選択される式を有する少なくとも1種の有機カルコゲナイドを含み、式中、ZおよびZ’は独立して硫黄、セレンおよびテルルから選択され;RはH、C1−20アルキル基、C6−20アリール基、C1−20ヒドロキシアルキル基、C1−20メルカプトアルキル基、およびエーテル基から選択され;R’およびR2はC1−20アルキル基、C6−20アリール基、C1−20ヒドロキシアルキル基、C1−20メルカプトアルキル基、およびエーテル基から選択され;
前記第1b族成分はCuCl2およびCu2Oの少なくとも1種を当初成分として含み;
前記安定化成分は、1,3−プロパンジチオール、ベータ−メルカプトエタノール、これらの類似体およびこれらの混合物からなる群から選択され;
前記添加剤はピラジン、2−メチルピラジン、3−メチルピラゾール、メチル2−ピラジンカルボキシラート、ピラゾール、プラキサジン、ピラジンカルボキサミド、ピラジンカルボニトリル、2,5−ジメチルピラジン、2,3,5,6−テトラメチルピラジン、2−アミノピラジン、2−エチルピラジン、キノキサリン、C1−5アルキル基で置換されたキノキサリン、2−ピラジンカルボン酸、2−メチルキノキサリン、2,3−ピラジンジカルボキサミド、2,3−ピラジンジカルボニトリル、ピロリジノ−1−シクロヘキセン、ピロリジノ−1−シクロペンテン、フェナジン、C1−5アルキル基で置換されたフェナジン、イソキノリン、C1−5アルキル基で置換されたイソキノリン、インドール、C1−5アルキル基で置換されたインドール、イミダゾール、C1−5アルキル基で置換されたイミダゾール、テトラゾール、C1−5アルキル基で置換されたテトラゾール、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ−5−エン、および1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ−7−エンからなる群から選択され;
前記ガリウムキャリアはエチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリス(2−アミノエチル)アミン、トリエチレンテトラミン、n−ブチルアミン、n−ヘキシルアミン、オクチルアミン、2−エチル−1−ヘキシルアミン、3−アミノ−1−プロパノール、1−アミノ−2−プロパノール、1,3−ジアミノプロパン、1,2−ジアミノプロパン、1,2−ジアミノシクロヘキサン、ピリジン、ピロリジン、1−メチルイミダゾール、テトラメチルグアニジン、2−メチルピラジンおよびこれらの混合物から選択され;並びに
前記第1b族/ガリウム/(場合によってインジウム)/第6a族システムは前記液体キャリア成分中に安定に分散されている、ガリウム配合インクを提供する。
表1に示される材料および材料の量を用いてガリウムインクが製造された。具体的には、表1に示される各実施例については、ガリウム(アルファエーサー(Alfa Aesar)からのショット)が反応器に計り採られ、攪拌棒を備え付けた。次いで、この反応器に液体キャリアが添加され、次いで表1に示される追加の固体材料(すなわち、ピラジン)が添加された。次いで、反応器はグローブボックス内で組み立てられ、窒素下で反応器を密封した。次いで、この反応器はドラフトに移され、そこでは、窒素マニホルドを用いて正の窒素圧力下でその反応器が維持された。次いで、挿入シリンジを用いて、反応器の隔壁を経由して残りの液体材料が添加された。次いで、反応器の内容物は表1に示される反応条件下で処理された。冷却の後に、内容物を出すために、この反応器はグローブボックスに移された。次いで、生成物インクは反応器からデカントされて、残っている固体を除去した。デカントされた生成物インクは、1週間の室温で窒素下での貯蔵の後で透明かつ安定なままであることが観察された(すなわち、懸濁固体は明確には認められなかった)。
B:反応器はアルミニウム加熱ブロック上に配置された;次いで、加熱ブロック温度が120℃に設定され24時間維持された;次いで、加熱ブロック温度が140℃に設定され4時間維持された;次いで、反応器は熱源から取り外され、冷却された。
C:反応器はアルミニウム加熱ブロック上に配置された;次いで、加熱ブロック温度が140℃に設定され24時間維持された;次いで、加熱ブロック温度が150℃に設定され4時間維持された;次いで、加熱ブロック温度が160℃に設定され2時間維持された;次いで、反応器は熱源から取り外され、冷却された。
D:反応器はアルミニウム加熱ブロック上に配置された;次いで、加熱ブロック温度が160℃に設定され7時間維持された;次いで、反応器は熱源から取り外され、冷却された。
E:反応器はアルミニウム加熱ブロック上に配置された;次いで、加熱ブロック温度が140℃に設定され6時間維持された;次いで、反応器は熱源から取り外され、冷却された。
F:反応器はアルミニウム加熱ブロック上に配置された;次いで、加熱ブロック温度が140℃に設定され30時間維持された;次いで、反応器は熱源から取り外され、冷却された。
実施例10、12および14〜15からのデカントされた生成物ガリウムインクが、窒素下で別々の丸底フラスコに入れられた。次いで、減圧下でこれら生成物サンプルから揮発性物質が除かれた。実施例22については、揮発性物質は最初に2.67kPaおよび80〜85℃でロータリーエバポレータで処理することにより除去された。実施例23〜25については、揮発性物質は最初に0.13kPaおよび80〜85℃でショートパス蒸留を行うことにより除去された。次いで、全てのサンプルは2.67kPaで2日間真空ハウス下に置かれて、残留する揮発性物質を除去した。次いで、丸底フラスコ内に残ったサンプル物質が誘導結合プラズマ発光分光分析(ICP−OES)によって分析された。これら分析の結果が表2に提供される。
インジウム金属(2g、ショット、99.99%、アルファエーサーから)、33.16gのエチレンジアミン(アクロス(Acros)99+%)および4.84グラムの2−ヒドロキシエチルジスルフィド(アルファエーサー、90%)が、凝縮器を取り付けた100mLの1つ口フラスコ内で一緒にされた。次いで、フラスコ内容物は窒素でパージされて、120℃で21時間還流され、この時点で、インジウムの大部分が消費されて、褐色がかった橙色の溶液を形成した。この褐色がかった橙色の溶液生成物であるインジウム成分がカニューレを介してバイアルに移された。この生成物インジウム成分は、カニュレーションの後のフラスコ内に残っているインジウムの重量に基づいて、3.75重量%濃度のインジウム金属を有すると推定された。
セレン粉体200メッシュ(4.0g)(ストレムケミカルズ(Strem Chemicals)Inc.より)が40mLバイアル内に秤量された。次いで、このバイアルは窒素グローブボックス内に移された。次いで、1,3−ジアミノプロパン(アクロス99+%)(14.49g)がグローブボックス内のこのバイアルに添加された。このバイアルは反応器内に配置され、窒素下で密閉された。バイアル/反応器はドラフトに移され、そこではそれは窒素マニホルドに接続され、ジ−n−ブチルジスルフィド(1.51g)(アクロス、98%)がシリンジでバイアルに添加された。バイアルの内容物は攪拌しつつ6時間還流加熱され、黒色溶液生成物である化合セレン成分を生じた。この溶液(20% w/wSe)は使用まで窒素下に貯蔵された。
8mLのパラレル反応管に、118mgの塩化銅(II)(無水、ストレム、98%)、190mgの1,3−プロパンジチオール(アクロス、98%)および2.49gの1,3−ジアミノプロパン(アクロス、99%)が空気中で秤量された。次いで、この反応器は密閉され、窒素で不活性化された。次いで、この反応管は80℃に加熱され、磁気攪拌しつつそこで2時間保持された。この反応物は次いで室温まで冷却され、そして生成物溶液は窒素下で貯蔵された。2%(w/w)銅溶液はわずかな黄色みを有しており、目に見える固体はなかった。
配合第1b族/第3a族/セレンインクは表3に示される量で成分を使用して製造された。これら成分はサンプルバイアルにインジウム成分を添加することに始まり、次いでガリウムインクを添加し、次いでセレン成分を添加し、次いで銅成分を添加し、そして次いで10秒間激しく混合した。生成物の配合第1b族/第3a族/セレンインクはテフロン(登録商標)キャップしたバイアル内に使用まで貯蔵された。
生成物の配合第1b族/第3a族/セレンインクの安定性が表4に示される。具体的には、示されるインクは室温で窒素パージボックス内でキャップされたバイアル中で貯蔵され、そして貯蔵の当初および29日後に50倍のペンシルスコープを用いてそのインクの外観観察がなされた。これら観察の結果は表4に報告される。
窒素グローブボックス内の80℃のホットプレート上に配置された、モリブデンコートされたスライドガラス上に表5に示された配合インク12滴を配置することにより第1b族/第3a族/セレン物質の薄膜が製造された。次いで、このホットプレート温度は約15分間の勾配時間にわたって400℃に上げられた。このホットプレート温度は30分間にわたって400℃に維持され、その後ホットプレートのスイッチを切った。次いで、スライドガラスがホットプレート表面上で室温まで冷却させられた。次いで、堆積した膜はリガクD/MAX2500を用いる、ニッケルフィルター銅Kα放射線で50kV/200mAでのx線回折(XRD)によって分析された。この膜は0.03度のステップで0.25度/分で5〜85度の2θでスキャンされた。回折ジオメトリが使用され、サンプルは20RPMで回転させられた。得られたXRDスペクトルはCIGS化合物の既知のXRDスペクトル(例えば、CuIn0.5Ga0.5Se2CIGS相についてのJCPDS粉末回折ファイルからの00−040−1488)と良く相関していた。
実施例34からの配合インク生成物を2平方インチのモリブデンコートされたスライドガラス上にスピンコートすることにより、第1b族/第3a族/セレン物質の薄膜が製造された。各実施例において、スライドガラスはまず5%水酸化アンモニウム溶液で清浄化され、次いで脱イオン水およびアルコールですすがれた。1,000mgの配合インクをこのスライドガラス上に分配することにより、配合インクの第1のコートがこのスライドガラスに適用された。次いで、このスライドガラスは200rpmまで10秒の勾配時間で回転数を上げられ、200rpmで60秒間保持された。次いで、このスライドガラスは10秒間の勾配時間で2000rpmまで回転数を上げられ、2000rpmで30秒間保持された。次いで、このスライドガラスは130℃で4分間、第1のホットプレート上に配置された。次いで、このスライドガラスは240℃で4分間、ホットプレート上に配置された。次いで、このスライドガラスは400℃で4分間、ホットプレート上に配置された。次いで、このスライドガラスはホットプレート上で裏返されて130℃で4分間、配置された。次いで、このスライドガラスはホットプレートから取り出され、室温まで4分間冷却された。次いで、さらなる1,000mgの配合インクをこのスライドガラス上に分配することにより、配合インクの第2のコートがこのスライドガラスに適用された。次いで、このスライドガラスは1200rpmまで10秒の勾配時間で回転数を上げられ、1200rpmで60秒間保持された。次いで、このスライドガラスは10秒間の勾配時間で2000rpmまで回転数を上げられ、2000rpmで30秒間保持された。次いで、このスライドガラスは130℃で4分間、第1のホットプレート上に配置された。次いで、このスライドガラスは240℃で4分間、ホットプレート上に配置された。次いで、このスライドガラスは400℃で4分間、ホットプレート上に配置された。次いで、このスライドガラスはホットプレート上で裏返されて130℃で4分間、配置された。次いで、このスライドガラスはホットプレートから取り出され、室温まで4分間冷却された。次いで、さらなる1,000mgの配合インクをこのスライドガラス上に分配し、そして第2のコートについて示されたスピンサイクルを行うことにより、配合インクの第3のコートがこのスライドガラスに適用された。次いで、このスライドガラスは130℃で4分間、ホットプレート上に配置された。次いで、このスライドガラスは240℃で4分間、ホットプレート上に配置された。次いで、このスライドガラスは400℃で30分間、ホットプレート上に配置された。次いで、このスライドガラスはホットプレートから取り出され、室温まで冷却された。
実施例35および36からの配合インク生成物を1平方インチのモリブデンコートされたスライドガラス上にスピンコートすることにより、実施例55〜56における第1b族/第3a族/セレン物質の薄膜が製造された。スライドガラスはまず5%水酸化アンモニウム溶液で清浄化され、次いで脱イオン水およびアルコールですすがれた。各実施例において、300mgの配合インクをこのスライドガラス上に分配することにより、配合インクの第1のコートがこのスライドガラスに適用された。次いで、このスライドガラスは200rpmまで10秒の勾配時間で回転数を上げられ、200rpmで60秒間保持された。次いで、このスライドガラスは10秒間の勾配時間で1200rpmまで回転数を上げられ、1200rpmで30秒間保持された。次いで、このスライドガラスは130℃で3分間、第1のホットプレート上に配置された。次いで、このスライドガラスは240℃で3分間、第2のホットプレート上に配置された。次いで、このスライドガラスは400℃にセットされた第3のホットプレート上に3分間配置された。次いで、このスライドガラスは第1のホットプレート上で裏返されて130℃で3分間、配置された。次いで、このスライドガラスは第1のホットプレートから取り出され、室温で3分間冷却された。次いで、さらなる300mgの配合インクをこのスライドガラス上に分配することにより、配合インクの第2のコートがこのスライドガラスに適用された。次いで、このスライドガラスは200rpmまで10秒の勾配時間で回転数を上げられ、200rpmで60秒間保持された。次いで、このスライドガラスは10秒間の勾配時間で1200rpmまで回転数を上げられ、1200rpmで30秒間保持された。次いで、このスライドガラスは130℃で3分間、第1のホットプレート上に配置された。次いで、このスライドガラスは240℃で3分間、第2のホットプレート上に配置された。次いで、このスライドガラスは400℃にセットされた第3のホットプレート上に3分間配置された。次いで、このスライドガラスは第1のホットプレート上で裏返されて130℃で3分間、配置された。次いで、このスライドガラスは第1のホットプレートから取り出され、室温で3分間冷却された。次いで、さらなる300mgの配合インクをこのスライドガラス上に分配し、そして第2のコートについて示されたスピンサイクルを行うことにより、配合インクの第3のコートがこのスライドガラスに適用された。次いで、このスライドガラスは130℃で3分間、ホットプレート上に配置された。次いで、このスライドガラスは240℃で3分間、ホットプレート上に配置された。次いで、このスライドガラスは400℃で30分間、ホットプレート上に配置された。次いで、このスライドガラスはホットプレートから取り出され、室温まで冷却された。
実施例37〜43からの配合インク生成物をドロップキャストすることにより、それぞれ、実施例57〜63における第1b族/第3a族/セレン物質の薄膜が製造された。具体的には、実施例57〜63のそれぞれにおいては、8滴の配合インクが、ホットプレートの表面上にあるモリブデンコートされたスライドガラス上に配置された。次いで、このホットプレート設定温度が80℃に上げられ、その堆積インクから全ての液体が蒸発するまでそこで保持された。次いで、このホットプレート設定温度が約15分間の勾配時間にわたって400℃に上げられた。次いで、このホットプレート設定温度が400℃で30分間保持され、その後スイッチを切った。次いで、このスライドガラスはホットプレートの表面上で室温まで冷却された。次いで、この生成物膜は、日立3400VP−SEMにおいて可変圧力モードで、15KeVで30mm2SD検出器を用いて、エネルギー分散型X線分析(EDS)によって分析された。この分析の結果は表8に提供される。
Claims (10)
- (a)ガリウム成分;セレン成分;有機カルコゲナイド成分;第1b族成分;場合によって、二座チオール成分;場合によって、インジウム成分;の組み合わせを当初成分として含む第1b族/ガリウム/(場合によってインジウム)/第6a族システムと、(b)液体キャリア成分とを含む、ガリウム配合インクであって、
前記ガリウム成分がガリウム、安定化成分、添加剤およびガリウムキャリアを当初成分として含み;
前記有機カルコゲナイド成分がRZ−Z’R’およびR2−SHから選択される式を有する少なくとも1種の有機カルコゲナイドを含み、式中、ZおよびZ’は独立して硫黄、セレンおよびテルルから選択され;RはH、C1−20アルキル基、C6−20アリール基、C1−20ヒドロキシアルキル基、C1−20メルカプトアルキル基、およびエーテル基から選択され;R’およびR2はC1−20アルキル基、C6−20アリール基、C1−20ヒドロキシアルキル基、C1−20メルカプトアルキル基、およびエーテル基から選択され;
前記第1b族成分はCuCl2およびCu2Oの少なくとも1種を当初成分として含み;
前記安定化成分は、1,3−プロパンジチオール、ベータ−メルカプトエタノール、これらの類似体およびこれらの混合物からなる群から選択され;
前記添加剤はピラジン、2−メチルピラジン、3−メチルピラゾール、メチル2−ピラジンカルボキシラート、ピラゾール、プラキサジン、ピラジンカルボキサミド、ピラジンカルボニトリル、2,5−ジメチルピラジン、2,3,5,6−テトラメチルピラジン、2−アミノピラジン、2−エチルピラジン、キノキサリン、C1−5アルキル基で置換されたキノキサリン、2−ピラジンカルボン酸、2−メチルキノキサリン、2,3−ピラジンジカルボキサミド、2,3−ピラジンジカルボニトリル、ピロリジノ−1−シクロヘキセン、ピロリジノ−1−シクロペンテン、フェナジン、C1−5アルキル基で置換されたフェナジン、イソキノリン、C1−5アルキル基で置換されたイソキノリン、インドール、C1−5アルキル基で置換されたインドール、イミダゾール、C1−5アルキル基で置換されたイミダゾール、テトラゾール、C1−5アルキル基で置換されたテトラゾール、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ−5−エン、および1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ−7−エンからなる群から選択され;
前記ガリウムキャリアはエチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリス(2−アミノエチル)アミン、トリエチレンテトラミン、n−ブチルアミン、n−ヘキシルアミン、オクチルアミン、2−エチル−1−ヘキシルアミン、3−アミノ−1−プロパノール、1−アミノ−2−プロパノール、1,3−ジアミノプロパン、1,2−ジアミノプロパン、1,2−ジアミノシクロヘキサン、ピリジン、ピロリジン、1−メチルイミダゾール、テトラメチルグアニジン、2−メチルピラジンおよびこれらの混合物から選択され;並びに
前記第1b族/ガリウム/(場合によってインジウム)/第6a族システムは前記液体キャリア成分中に安定に分散されている;
ガリウム配合インク。 - 安定化成分が1,3−プロパンジチオールおよびベータ−メルカプトエタノールから選択される、請求項1に記載のガリウム配合インク。
- 添加剤が、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ−5−エン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ−7−エン、ピロリジノ−1−シクロヘキセン、ピロリドン−1−シクロペンテン、1−メチルイミダゾール、ピラジンおよび2−メチルピラジンから選択される、請求項1に記載のガリウム配合インク。
- ガリウムキャリアが1,3−ジアミノプロパン、1,2−ジアミノプロパン、2−メチルピラジンおよびこれらの混合物から選択される、請求項1に記載のガリウム配合インク。
- 液体キャリア成分が窒素含有溶媒および窒素含有溶媒の混和性混合物から選択される、請求項1に記載のガリウム配合インク。
- 液体キャリア成分が式NR3(式中、各Rは独立して、H、C1−10アルキル基、C6−10アリール基およびC1−10アミノアルキル基から選択される)を有する液体アミンから選択される、請求項1に記載のガリウム配合インク。
- 液体キャリア成分がエチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリス(2−アミノエチル)アミン、トリエチレンテトラミン、n−ブチルアミン、n−ヘキシルアミン、オクチルアミン、2−エチル−1−ヘキシルアミン、3−アミノ−1−プロパノール、1−アミノ−2−プロパノール、1,3−ジアミノプロパン、1,2−ジアミノプロパン、1,2−ジアミノシクロヘキサン、ピリジン、ピロリジン、1−メチルイミダゾール、テトラメチルグアニジンおよびこれらの混合物から選択される、請求項1に記載のガリウム配合インク。
- セレン:銅:ガリウム+場合によるインジウムのモル比が2:0.5:1〜10:1.5:1である、請求項1に記載のガリウム配合インク。
- ガリウムを提供し;
1,3−プロパンジチオール、ベータ−メルカプトエタノール、これらの類似体およびこれらの混合物から選択される安定化成分を提供し;
ピラジン、2−メチルピラジン、3−メチルピラゾール、メチル2−ピラジンカルボキシラート、ピラゾール、プラキサジン、ピラジンカルボキサミド、ピラジンカルボニトリル、2,5−ジメチルピラジン、2,3,5,6−テトラメチルピラジン、2−アミノピラジン、2−エチルピラジン、キノキサリン、C1−5アルキル基で置換されたキノキサリン、2−ピラジンカルボン酸、2−メチルキノキサリン、2,3−ピラジンジカルボキサミド、2,3−ピラジンジカルボニトリル、ピロリジノ−1−シクロヘキセン、ピロリジノ−1−シクロペンテン、フェナジン、C1−5アルキル基で置換されたフェナジン、イソキノリン、C1−5アルキル基で置換されたイソキノリン、インドール、C1−5アルキル基で置換されたインドール、イミダゾール、C1−5アルキル基で置換されたイミダゾール、テトラゾール、C1−5アルキル基で置換されたテトラゾール、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ−5−エン、および1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ−7−エンからなる群から選択される添加剤を提供し;
エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリス(2−アミノエチル)アミン、トリエチレンテトラミン、n−ブチルアミン、n−ヘキシルアミン、オクチルアミン、2−エチル−1−ヘキシルアミン、3−アミノ−1−プロパノール、1−アミノ−2−プロパノール、1,3−ジアミノプロパン、1,2−ジアミノプロパン、1,2−ジアミノシクロヘキサン、ピリジン、ピロリジン、1−メチルイミダゾール、テトラメチルグアニジン、2−メチルピラジンおよびこれらの混合物から選択されるガリウムキャリアを提供し;
セレンを提供し;
第1の有機カルコゲナイドおよび場合によっては第2の有機カルコゲナイドを含む有機カルコゲナイド成分を提供し、ここで前記第1の有機カルコゲナイドおよび前記第2の有機カルコゲナイドはいずれもRZ−Z’R’およびR2−SHから独立して選択される式を有し、式中、ZおよびZ’は独立して硫黄、セレンおよびテルルから選択され、RはH、C1−20アルキル基、C6−20アリール基、C1−20ヒドロキシアルキル基、C1−20メルカプトアルキル基、およびエーテル基から選択され、R’およびR2はC1−20アルキル基、C6−20アリール基、C1−20ヒドロキシアルキル基、C1−20メルカプトアルキル基、およびエーテル基から選択される;
CuCl2およびCu2Oの少なくとも1種を当初成分として含む第1b族成分を提供し;
第1b族リガンド成分を提供し;
インジウムを場合によって提供し;
第1の液体キャリア、第2の液体キャリアおよび場合によって第3の液体キャリアを含む液体キャリア成分を提供し;
ガリウム、安定化成分、添加剤およびガリウムキャリアを一緒にして、ガリウム成分を生じさせ;
セレン、第1の有機カルコゲナイドおよび第1の液体キャリアを一緒にし、この一緒にしたものを攪拌しつつ加熱して化合したセレン/有機カルコゲナイド成分を生じさせ;
第1b族成分、第1b族リガンド成分および第2の液体キャリアを一緒にして、第1b族物質/リガンド成分を生じさせ;
場合によって、インジウム、第2の有機カルコゲナイドおよび第3の液体キャリアを一緒にして、場合によるインジウム/有機カルコゲナイド成分を生じさせ;
ガリウム成分、化合したセレン/有機カルコゲナイド成分、第1b族物質/リガンド成分、および場合によるインジウム/有機カルコゲナイド成分を一緒にして、ガリウム配合インクを形成することを含み、
前記ガリウム配合インクが安定な分散物であり、
第1の液体キャリア、第2の液体キャリアおよび場合による第3の液体キャリアはガリウムキャリアと一緒に混和可能であるかまたは同じである、
請求項1に記載のガリウム配合インクを製造する方法。 - 基体を提供し;
請求項1に記載のガリウム配合インクを提供し;
ガリウム配合インクを基体上に堆積させ;
堆積したガリウム配合インクを加熱してガリウムキャリア、第1の液体キャリア、第2の液体キャリアおよび場合による第3の液体キャリアを除いて、第1b族/ガリウム/(場合によってインジウム)/第6a族物質を基体上に残し;並びに
場合によっては、第1b族/ガリウム/(場合によってインジウム)/第6a族物質をアニールする;
ことを含み、
前記第1b族/ガリウム/(場合によってインジウム)/第6a族物質は式 NaLCumGadIn(1−d)S(2+e)(1−f)Se(2+e)f(式中、0≦L≦0.25、0.25≦m≦1.5、0≦d≦1、−0.2≦e≦0.5、0<f≦1、0.5≦(L+m)≦1.5、および1.8≦{(2+e)f+(2+e)(1−f)}≦2.5である)に従う、
第1b族/ガリウム/(場合によってインジウム)/第6a族物質を基体上に堆積させる方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/030,175 US8343267B2 (en) | 2011-02-18 | 2011-02-18 | Gallium formulated ink and methods of making and using same |
| US13/030,175 | 2011-02-18 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012172150A true JP2012172150A (ja) | 2012-09-10 |
| JP2012172150A5 JP2012172150A5 (ja) | 2015-03-19 |
| JP5902502B2 JP5902502B2 (ja) | 2016-04-13 |
Family
ID=46605120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012029573A Expired - Fee Related JP5902502B2 (ja) | 2011-02-18 | 2012-02-14 | ガリウム配合インク、並びにその製造方法および使用方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8343267B2 (ja) |
| JP (1) | JP5902502B2 (ja) |
| KR (1) | KR101889765B1 (ja) |
| CN (1) | CN102702841B (ja) |
| DE (1) | DE102012003206A1 (ja) |
| FR (1) | FR2971787A1 (ja) |
| TW (1) | TWI464221B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012178560A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-13 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | ガリウムインク、並びにその製造方法および使用方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011146115A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Heliovolt Corporation | Liquid precursor for deposition of copper selenide and method of preparing the same |
| US9142408B2 (en) | 2010-08-16 | 2015-09-22 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Liquid precursor for deposition of indium selenide and method of preparing the same |
| US9105797B2 (en) * | 2012-05-31 | 2015-08-11 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Liquid precursor inks for deposition of In—Se, Ga—Se and In—Ga—Se |
| JP6080573B2 (ja) * | 2013-01-31 | 2017-02-15 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
| CN110518084B (zh) * | 2019-08-06 | 2021-03-05 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种镓局域掺杂的perc电池及其制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011029624A (ja) * | 2009-07-16 | 2011-02-10 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | セレンインク、並びにその製造方法および使用方法 |
| JP2011052206A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-03-17 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | ジカルコゲナイドセレンインク、並びにその製造方法および使用方法 |
| JP2011241396A (ja) * | 2010-05-18 | 2011-12-01 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | セレン/第3a族インク、並びにその製造方法および使用方法 |
| JP2012102319A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-05-31 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | セレン/第1b族/第3a族インク、並びにその製造方法および使用方法 |
| JP2012178560A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-13 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | ガリウムインク、並びにその製造方法および使用方法 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993004212A1 (en) | 1991-08-26 | 1993-03-04 | Eastman Kodak Company | Preparation of group iii element-group vi element compound films |
| GB9315771D0 (en) | 1993-07-30 | 1993-09-15 | Epichem Ltd | Method of depositing thin metal films |
| US6126740A (en) | 1995-09-29 | 2000-10-03 | Midwest Research Institute | Solution synthesis of mixed-metal chalcogenide nanoparticles and spray deposition of precursor films |
| GB9711799D0 (en) | 1997-06-07 | 1997-08-06 | Vecht Aron | Preparation of sulphides and selenides |
| US7524528B2 (en) | 2001-10-05 | 2009-04-28 | Cabot Corporation | Precursor compositions and methods for the deposition of passive electrical components on a substrate |
| US6875661B2 (en) | 2003-07-10 | 2005-04-05 | International Business Machines Corporation | Solution deposition of chalcogenide films |
| US20060060237A1 (en) * | 2004-09-18 | 2006-03-23 | Nanosolar, Inc. | Formation of solar cells on foil substrates |
| US7663057B2 (en) | 2004-02-19 | 2010-02-16 | Nanosolar, Inc. | Solution-based fabrication of photovoltaic cell |
| US7494841B2 (en) | 2006-05-12 | 2009-02-24 | International Business Machines Corporation | Solution-based deposition process for metal chalcogenides |
| US8372685B2 (en) | 2006-06-12 | 2013-02-12 | Nanosolar, Inc. | Bandgap grading in thin-film devices via solid group IIIA particles |
| US8057850B2 (en) | 2006-11-09 | 2011-11-15 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Formation of copper-indium-selenide and/or copper-indium-gallium-selenide films from indium selenide and copper selenide precursors |
| EP2101931B1 (en) | 2006-11-09 | 2015-05-13 | Alliance for Sustainable Energy, LLC | Precursors for formation of copper selenide, indium selenide, copper indium diselenide, and/or copper indium gallium diselenide films |
| US20080280030A1 (en) | 2007-01-31 | 2008-11-13 | Van Duren Jeoren K J | Solar cell absorber layer formed from metal ion precursors |
| CA2684535C (en) * | 2007-04-18 | 2017-03-14 | Nanoco Technologies Limited | Fabrication of electrically active films based on multiple layers |
| KR101634405B1 (ko) * | 2007-12-19 | 2016-06-28 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 높은 전기전도성의 광변성 안료 |
| US20090260670A1 (en) * | 2008-04-18 | 2009-10-22 | Xiao-Chang Charles Li | Precursor ink for producing IB-IIIA-VIA semiconductors |
| CN101870458B (zh) * | 2009-04-22 | 2012-05-09 | 钟润文 | 多元金属硫族元素化合物和靶材及涂层材料的制备方法 |
-
2011
- 2011-02-18 US US13/030,175 patent/US8343267B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-02-14 JP JP2012029573A patent/JP5902502B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-02-16 TW TW101105027A patent/TWI464221B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-02-17 KR KR1020120016522A patent/KR101889765B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2012-02-17 FR FR1251513A patent/FR2971787A1/fr active Pending
- 2012-02-17 DE DE201210003206 patent/DE102012003206A1/de not_active Ceased
- 2012-02-17 CN CN201210046775.3A patent/CN102702841B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-11-16 US US13/679,519 patent/US9080068B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011029624A (ja) * | 2009-07-16 | 2011-02-10 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | セレンインク、並びにその製造方法および使用方法 |
| JP2011052206A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-03-17 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | ジカルコゲナイドセレンインク、並びにその製造方法および使用方法 |
| JP2011241396A (ja) * | 2010-05-18 | 2011-12-01 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | セレン/第3a族インク、並びにその製造方法および使用方法 |
| JP2012102319A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-05-31 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | セレン/第1b族/第3a族インク、並びにその製造方法および使用方法 |
| JP2012178560A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-13 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | ガリウムインク、並びにその製造方法および使用方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012178560A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-13 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | ガリウムインク、並びにその製造方法および使用方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8343267B2 (en) | 2013-01-01 |
| TW201239043A (en) | 2012-10-01 |
| CN102702841B (zh) | 2015-01-14 |
| KR20120103446A (ko) | 2012-09-19 |
| TWI464221B (zh) | 2014-12-11 |
| US20130078384A1 (en) | 2013-03-28 |
| KR101889765B1 (ko) | 2018-08-20 |
| CN102702841A (zh) | 2012-10-03 |
| FR2971787A1 (fr) | 2012-08-24 |
| JP5902502B2 (ja) | 2016-04-13 |
| US9080068B2 (en) | 2015-07-14 |
| DE102012003206A1 (de) | 2012-08-23 |
| US20120213924A1 (en) | 2012-08-23 |
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Legal Events
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|
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