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JP2012032182A - Radiographic device - Google Patents

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JP2012032182A
JP2012032182A JP2010169733A JP2010169733A JP2012032182A JP 2012032182 A JP2012032182 A JP 2012032182A JP 2010169733 A JP2010169733 A JP 2010169733A JP 2010169733 A JP2010169733 A JP 2010169733A JP 2012032182 A JP2012032182 A JP 2012032182A
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JP
Japan
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radiation
sensor unit
imaging
unit
sensor
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Pending
Application number
JP2010169733A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Haruyasu Nakatsugawa
晴康 中津川
Naoyuki Nishino
直行 西納
Yasuyoshi Ota
恭義 大田
Naoto Iwakiri
直人 岩切
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
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Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
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Publication of JP2012032182A publication Critical patent/JP2012032182A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiographic device capable of detecting radiation and controlling a radiation source even when narrowing an irradiation range of the radiation down to a photograph area or a part of the photograph area.SOLUTION: In the radiographic device provided with a scintillator 71 which generates light by irradiation of radiation to a photograph area, a plurality of pixels 74a are provided in a matrix form so that the pixels are overlapped with the scintillator 71 and at least a part of a sensor portion 72 for photographing a radiation image and a sensor portion 146 for detecting radiation are not overlapped with each other.

Description

本発明は、放射線撮影装置に係り、特に、放射線源から射出されて被検者を透過した放射線により示される放射線画像の撮影を行う放射線撮影装置に関する。   The present invention relates to a radiation imaging apparatus, and more particularly, to a radiation imaging apparatus that captures a radiation image indicated by radiation emitted from a radiation source and transmitted through a subject.

近年、TFT(Thin Film Transistor)アクティブマトリクス基板上に放射線感応層を配置し、放射線を直接デジタルデータに変換できるFPD(Flat Panel Detector)等の放射線検出器が実用化されており、この放射線検出器を用いて、照射された放射線により表わされる放射線画像を撮影する放射線撮影装置が実用化されている。この放射線検出器を用いた放射線撮影装置は、従来のX線フィルムやイメージングプレートを用いた放射線撮影装置に比べて、即時に画像を確認でき、連続的に放射線画像の撮影を行う透視撮影(動画撮影)も行うことができるといったメリットがある。   In recent years, radiation detectors such as flat panel detectors (FPDs) that can arrange radiation sensitive layers on TFT (Thin Film Transistor) active matrix substrates and convert radiation directly into digital data have been put into practical use. A radiographic apparatus that captures a radiographic image represented by irradiated radiation has been put to practical use. The radiography apparatus using this radiation detector can see images immediately, compared with conventional radiography apparatuses using X-ray film or imaging plate, and radiographic imaging (moving image) (Photographing) can also be performed.

この種の放射線検出器は、種々のタイプのものが提案されており、例えば、放射線を一度CsI:Tl、GOS(GdS:Tb)などのシンチレータで光に変換し、変換した光をフォトダイオードなどのセンサ部で電荷に変換して蓄積する間接変換方式や、放射線をアモルファスセレン等の半導体層で電荷に変換する直接変換方式等があり、各方式でも半導体層に使用可能な材料が種々存在する。放射線撮影装置では、放射線検出器に蓄積された電荷を電気信号として読み出し、読み出した電気信号を増幅器で増幅した後にA/D(アナログ/デジタル)変換部でデジタルデータに変換している。 Various types of radiation detectors of this type have been proposed. For example, radiation is once converted into light by a scintillator such as CsI: Tl, GOS (Gd 2 O 2 S: Tb), and converted light. Materials that can be used for the semiconductor layer in each method, such as an indirect conversion method that converts the charge into a charge using a sensor such as a photodiode, and a direct conversion method that converts radiation into a charge in a semiconductor layer such as amorphous selenium. There are various types. In the radiation imaging apparatus, the electric charge accumulated in the radiation detector is read as an electric signal, and the read electric signal is amplified by an amplifier and then converted into digital data by an A / D (analog / digital) converter.

ところで、放射線撮影装置では、放射線検出器とは別に放射線を検出するセンサ部を設けて放射線の照射の開始や終了、放射線の照射量を検出し、放射線を照射する放射線源の制御を行う技術が知られている
例えば、特許文献1には、放射線検出器(固体撮像装置と記載)の横に放射線を検出するセンサ部を設け、センサ部により放射線の出射の開始及び終了を検出して放射線検出器への電荷の蓄積、蓄積された電荷の読み出し制御する技術が開示されている。
By the way, in the radiography apparatus, there is a technology for providing a sensor unit for detecting radiation separately from the radiation detector, detecting the start and end of radiation irradiation, detecting the radiation dose, and controlling the radiation source for radiating the radiation. For example, in Patent Document 1, a sensor unit that detects radiation is provided beside a radiation detector (described as a solid-state imaging device), and the start and end of radiation emission are detected by the sensor unit to detect radiation. A technique for controlling the accumulation of electric charges in a vessel and the reading of accumulated electric charges is disclosed.

特開2002−181942号公報JP 2002-181942 A

しかしながら、特許文献1のように放射線検出器の横に放射線を検出するセンサ部を設けた場合、放射線の照射範囲を放射線検出器の放射線画像を撮影する撮影領域や撮影領域の一部に絞られた場合に、放射線を検出できない。   However, when a sensor unit for detecting radiation is provided beside the radiation detector as in Patent Document 1, the radiation irradiation range is narrowed down to an imaging region for capturing a radiation image of the radiation detector or a part of the imaging region. In the case of radiation.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、放射線の照射範囲が撮影領域や撮影領域の一部に絞られた場合であっても、放射線を検出して放射線源の制御を行える放射線撮影装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described facts, and even when the radiation irradiation range is narrowed down to an imaging region or a part of the imaging region, radiation imaging capable of detecting radiation and controlling the radiation source An object is to provide an apparatus.

上記目的を達成するために、請求項1に記載の放射線撮影装置は、放射線画像を撮影する撮影領域に放射線が照射されることにより光を発生する発光層が設けられ、それぞれ光が照射されることにより電荷が発生する放射線画像撮影用の第1センサ部及び放射線検知用の第2センサ部が少なくとも一部が重ならないように形成された複数の画素が前記発光層と重なるようにマトリクス状に設けられた撮影部を備えている。   In order to achieve the above object, the radiation imaging apparatus according to claim 1 is provided with a light emitting layer that generates light by irradiating radiation to an imaging region where a radiographic image is captured, and each is irradiated with light. A plurality of pixels formed so that at least a portion of the first sensor unit for radiographic imaging and the second sensor unit for radiation detection that generate electric charges do not overlap at least partially overlap with the light emitting layer. An imaging unit is provided.

請求項1によれば、撮影部には、放射線画像を撮影する撮影領域に放射線が照射されることにより光を発生する発光層が設けられている。   According to the first aspect of the present invention, the imaging unit is provided with a light emitting layer that generates light when radiation is applied to an imaging region where radiographic images are captured.

そして、撮影部には、発光層と重なるように、それぞれ光が照射されることにより電荷が発生する放射線画像撮影用の第1センサ部及び放射線検知用の第2センサ部が少なくとも一部が重ならないように形成された複数の画素がマトリクス状に設けられている。   The imaging unit is at least partially overlapped with a first sensor unit for radiographic imaging and a second sensor unit for radiation detection that generate electric charges when irradiated with light so as to overlap the light emitting layer. A plurality of pixels formed so as not to be formed are provided in a matrix.

このように、請求項1に記載の発明によれば、撮影領域に放射線が照射されることにより光を発生する発光層が設けられ、発光層と重なるように、放射線画像撮影用の第1センサ部及び放射線検知用の第2センサ部が少なくとも一部が重ならないように形成された複数の画素がマトリクス状に設けられているので、放射線の照射範囲が撮影領域や撮影領域の一部に絞られた場合であっても、第2センサ部で放射線を検出することにより、放射線源の制御を行える。   As described above, according to the first aspect of the present invention, the first sensor for radiographic imaging is provided so that the imaging region is provided with the light emitting layer that generates light when irradiated with radiation, and overlaps the light emitting layer. Since the plurality of pixels formed so that at least a part of the first sensor unit and the second sensor unit for detecting radiation do not overlap each other are provided in a matrix, the radiation irradiation range is limited to the imaging region or a part of the imaging region. Even in such a case, the radiation source can be controlled by detecting the radiation with the second sensor unit.

なお、本発明は、請求項2に記載の発明のように、前記第2センサ部が、有機光電変換材料を含んで構成されることが好ましい。   In the present invention, as in the invention described in claim 2, it is preferable that the second sensor unit includes an organic photoelectric conversion material.

また、本発明は、請求項3に記載の発明のように、前記撮影部の各画素は、前記第1センサ部に発生した電荷を読み出すためのスイッチ素子が設けられ、前記第1センサ部又は前記第2センサ部と前記スイッチ素子とが重なるように形成されることが好ましい。   Further, according to the present invention, as in the invention described in claim 3, each pixel of the imaging unit is provided with a switch element for reading out the electric charge generated in the first sensor unit, and the first sensor unit or It is preferable that the second sensor unit and the switch element are formed to overlap each other.

また、本発明は、請求項4に記載の発明のように、前記第1センサ部及び前記スイッチ素子と前記2センサ部が、別な支持基板に前記第2センサ部と前記スイッチ素子とが重なるように形成されてもよい。   Further, according to the present invention, as in the invention according to claim 4, the first sensor unit, the switch element, and the two sensor unit overlap each other on another support substrate. It may be formed as follows.

また、本発明は、請求項5に記載の発明のように、前記スイッチ素子と前記第1センサ部及び前記2センサ部が、別な支持基板に前記第2センサ部と前記スイッチ素子とが重なるように形成されてもよい。   Further, according to the present invention, as in the invention described in claim 5, the switch element, the first sensor unit, and the two sensor unit overlap each other on a separate support substrate. It may be formed as follows.

また、本発明は、請求項6に記載の発明のように、前記第2センサ部による検出結果に基づいて放射線の照射開始、放射線の照射終了、及び放射線の照射量の少なくとも1つの検出を行う検出手段をさらに備えている。   According to a sixth aspect of the present invention, as in the sixth aspect of the present invention, at least one of the radiation irradiation start, the radiation irradiation end, and the radiation irradiation amount is detected based on the detection result by the second sensor unit. Detection means is further provided.

本発明によれば、放射線の照射範囲が撮影領域や撮影領域の一部に絞られた場合であっても、放射線を検出して放射線源の制御を行える、という効果が得られる。   According to the present invention, even when the radiation irradiation range is limited to an imaging region or a part of the imaging region, an effect is obtained that the radiation source can be controlled by detecting the radiation.

実施の形態に係る放射線情報システムの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the radiation information system which concerns on embodiment. 実施の形態に係る放射線画像撮影システムの放射線撮影室における各装置の配置状態の一例を示す側面図である。It is a side view which shows an example of the arrangement | positioning state of each apparatus in the radiography room of the radiographic imaging system which concerns on embodiment. 実施の形態に係る電子カセッテの内部構成を示す透過斜視図である。It is a permeation | transmission perspective view which shows the internal structure of the electronic cassette concerning embodiment. 第1の実施の形態に係る撮影部の概略構成を模式的に示した断面図である。It is sectional drawing which showed typically schematic structure of the imaging | photography part which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施の形態に係るTFT基板の構成を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the structure of the TFT substrate which concerns on 1st Embodiment. 実施の形態に係るTFT基板の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the TFT substrate which concerns on embodiment. (A)は、第1の実施の形態に係る撮影部のTFT70、センサ部72及びセンサ部146の概略的な配置構成を示す平面図であり、(B)は、撮影部のTFT70、センサ部72及びセンサ部146の概略的な配置構成を示す断面図である。(A) is a top view which shows schematic arrangement structure of TFT70 of the imaging | photography part which concerns on 1st Embodiment, the sensor part 72, and the sensor part 146, (B) is TFT70 of the imaging | photography part, and a sensor part 72 is a cross-sectional view showing a schematic arrangement configuration of 72 and sensor unit 146. 実施の形態に係る電子カセッテの電気系の要部構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the principal part structure of the electric system of the electronic cassette concerning embodiment. 実施の形態に係るコンソール及び放射線発生装置の電気系の要部構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the principal part structure of the electrical system of the console which concerns on embodiment, and a radiation generator. 実施の形態に係る撮影制御プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of a process of the imaging | photography control program which concerns on embodiment. 第2の実施の形態に係る撮影部の概略構成を模式的に示した断面図である。It is sectional drawing which showed typically schematic structure of the imaging | photography part which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施の形態に係るTFT基板の構成を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the structure of the TFT substrate which concerns on 2nd Embodiment. (A)は、第2の実施の形態に係る撮影部のTFT70、センサ部72及びセンサ部146の概略的な配置構成を示す平面図であり、(B)は、撮影部のTFT70、センサ部72及びセンサ部146の概略的な配置構成を示す断面図である。(A) is a top view which shows schematic arrangement structure of TFT70 of the imaging | photography part, sensor part 72, and sensor part 146 which concern on 2nd Embodiment, (B) is TFT70 of the imaging | photography part, and sensor part 72 is a cross-sectional view showing a schematic arrangement configuration of 72 and sensor unit 146. 放射線が照射された際のセンサ部から出力される電気信号のデジタルデータの値の変化を示すグラフである。It is a graph which shows the change of the value of the digital data of the electric signal output from a sensor part at the time of irradiation. 放射線が照射された際の累計値の変化を示すグラフである。It is a graph which shows the change of the total value when radiation is irradiated.

以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。なお、ここでは、本発明を、可搬型の放射線撮影装置(以下「電子カセッテ」ともいう。)を用いて放射線画像の撮影を行う放射線画像撮影システムに適用した場合の形態例について説明する。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Here, a description will be given of an example in which the present invention is applied to a radiation image capturing system that captures a radiation image using a portable radiation imaging apparatus (hereinafter also referred to as “electronic cassette”).

[第1の実施の形態]
まず、図1を参照して、本実施の形態に係る放射線情報システム(以下、「RIS(Radiology Information System)」と称する。)10の構成について説明する。
[First Embodiment]
First, the configuration of a radiation information system (hereinafter referred to as “RIS (Radiology Information System)”) 10 according to the present embodiment will be described with reference to FIG.

RIS10は、放射線科部門内における、診療予約、診断記録等の情報管理を行うためのシステムであり、病院情報システム(以下、「HIS(Hospital Information System)」と称する。)の一部を構成する。   The RIS 10 is a system for managing information such as medical appointments and diagnosis records in the radiology department, and constitutes a part of a hospital information system (hereinafter referred to as “HIS (Hospital Information System)”). .

RIS10は、複数台の撮影依頼端末装置(以下、「端末装置」と称する。)12、RISサーバ14、及び病院内の放射線撮影室(あるいは手術室)の個々に設置された放射線画像撮影システム(以下、「撮影システム」と称する。)18を有しており、これらが有線や無線のLAN(Local Area Network)等から成る病院内ネットワーク16に各々接続されて構成されている。なお、RIS10は、同じ病院内に設けられたHISの一部を構成しており、病院内ネットワーク16には、HIS全体を管理するHISサーバ(図示省略。)も接続されている。   The RIS 10 includes a plurality of radiography requesting terminal devices (hereinafter referred to as “terminal devices”) 12, a RIS server 14, and a radiographic imaging system (or an operating room) installed in a hospital. (Hereinafter referred to as “imaging system”) 18, which are connected to an in-hospital network 16, such as a wired or wireless LAN (Local Area Network). The RIS 10 constitutes a part of the HIS provided in the same hospital, and an HIS server (not shown) that manages the entire HIS is also connected to the in-hospital network 16.

端末装置12は、医師や放射線技師が、診断情報や施設予約の入力、閲覧等を行うためのものであり、放射線画像の撮影依頼や撮影予約もこの端末装置12を介して行われる。各端末装置12は、表示装置を有するパーソナル・コンピュータを含んで構成され、RISサーバ14と病院内ネットワーク16を介して相互通信が可能とされている。   The terminal device 12 is used by doctors and radiographers to input and browse diagnostic information and facility reservations, and radiographic image capturing requests and imaging reservations are also made via the terminal device 12. Each terminal device 12 includes a personal computer having a display device, and is capable of mutual communication via the RIS server 14 and the hospital network 16.

一方、RISサーバ14は、各端末装置12からの撮影依頼を受け付け、撮影システム18における放射線画像の撮影スケジュールを管理するものであり、データベース14Aを含んで構成されている。   On the other hand, the RIS server 14 receives an imaging request from each terminal device 12 and manages a radiographic imaging schedule in the imaging system 18, and includes a database 14A.

データベース14Aは、患者(被検者)の属性情報(氏名、性別、生年月日、年齢、血液型、体重、患者ID(Identification)等)、病歴、受診歴、過去に撮影した放射線画像等の患者に関する情報、撮影システム18で用いられる、後述する電子カセッテ32の識別番号(ID情報)、型式、サイズ、感度、使用可能な撮影部位(対応可能な撮影依頼の内容)、使用開始年月日、使用回数等の電子カセッテ32に関する情報、及び電子カセッテ32を用いて放射線画像を撮影する環境、すなわち、電子カセッテ32を使用する環境(一例として、放射線撮影室や手術室等)を示す環境情報を含んで構成されている。   Database 14A includes patient (subject) attribute information (name, sex, date of birth, age, blood type, weight, patient ID (Identification), etc.), medical history, medical history, radiation images taken in the past, etc. Information related to the patient, identification number (ID information) of the electronic cassette 32 (to be described later) used in the imaging system 18, model, size, sensitivity, usable imaging part (content of imaging request that can be supported), date of start of use , Information on the electronic cassette 32 such as the number of times of use, and environment information indicating an environment in which a radiographic image is taken using the electronic cassette 32, that is, an environment in which the electronic cassette 32 is used (for example, a radiographic room or an operating room) It is comprised including.

撮影システム18は、RISサーバ14からの指示に応じて医師や放射線技師の操作により放射線画像の撮影を行う。撮影システム18は、放射線源130(図2も参照。)から曝射条件に従った線量とされた放射線X(図3も参照。)を被検者に照射する放射線発生装置34と、被検者の撮影部位を透過した放射線Xにより示される放射線画像の撮影を行う電子カセッテ32と、電子カセッテ32に内蔵されているバッテリを充電するクレードル40と、電子カセッテ32,放射線発生装置34,及びクレードル40を制御するコンソール42と、を備えている。   The imaging system 18 captures a radiographic image by an operation of a doctor or a radiographer according to an instruction from the RIS server 14. The imaging system 18 includes a radiation generator 34 that irradiates a subject with radiation X (see also FIG. 3) that is a dose according to the exposure conditions from a radiation source 130 (see also FIG. 2), and a subject. An electronic cassette 32 that captures a radiographic image indicated by the radiation X transmitted through the imaging region of the person, a cradle 40 that charges a battery built in the electronic cassette 32, an electronic cassette 32, a radiation generator 34, and a cradle And a console 42 for controlling 40.

コンソール42は、RISサーバ14からデータベース14Aに含まれる各種情報を取得して後述するHDD110(図9参照。)に記憶し、当該情報に基づいて、電子カセッテ32、放射線発生装置34、及びクレードル40の制御を行う。   The console 42 acquires various types of information included in the database 14A from the RIS server 14 and stores them in an HDD 110 (see FIG. 9) described later. Based on the information, the electronic cassette 32, the radiation generator 34, and the cradle 40 are stored. Control.

図2には、本実施の形態に係る撮影システム18の放射線撮影室44における各装置の配置状態の一例が示されている。   FIG. 2 shows an example of the arrangement state of each device in the radiation imaging room 44 of the imaging system 18 according to the present embodiment.

同図に示すように、放射線撮影室44には、立位での放射線撮影を行う際に用いられる立位台45と、臥位での放射線撮影を行う際に用いられる臥位台46とが設置されており、立位台45の前方空間は立位での放射線撮影を行う際の被検者の撮影位置48とされ、臥位台46の上方空間は臥位での放射線撮影を行う際の被検者の撮影位置50とされている。   As shown in the figure, the radiation imaging room 44 has a standing table 45 used when performing radiography in a standing position and a prone table 46 used when performing radiography in a lying position. The space in front of the standing base 45 is set as a subject imaging position 48 when performing radiography in the standing position, and the upper space of the prong position 46 is used in performing radiography in the prone position. The imaging position 50 of the subject.

立位台45には電子カセッテ32を保持する保持部150が設けられており、立位での放射線画像の撮影を行う際には、電子カセッテ32が保持部150に保持される。同様に、臥位台46には電子カセッテ32を保持する保持部152が設けられており、臥位での放射線画像の撮影を行う際には、電子カセッテ32が保持部152に保持される。   The standing base 45 is provided with a holding unit 150 that holds the electronic cassette 32, and the electronic cassette 32 is held by the holding unit 150 when a radiographic image is taken in the standing position. Similarly, a holding unit 152 that holds the electronic cassette 32 is provided in the prone position table 46, and the electronic cassette 32 is held by the holding unit 152 when radiographic images are taken in the prone position.

また、放射線撮影室44には、単一の放射線源130からの放射線によって立位での放射線撮影も臥位での放射線撮影も可能とするために、放射線源130を、水平な軸回り(図2の矢印A方向)に回動可能で、鉛直方向(図2の矢印B方向)に移動可能で、さらに水平方向(図2の矢印C方向)に移動可能に支持する支持移動機構52が設けられている。ここで、支持移動機構52は、放射線源130を水平な軸回りに回動させる駆動源と、放射線源130を鉛直方向に移動させる駆動源と、放射線源130を水平方向に移動させる駆動源を各々備えている(何れも図示省略。)。   Further, in the radiation imaging room 44, the radiation source 130 is arranged around a horizontal axis (see FIG. 5) in order to enable radiation imaging in a standing position and in a standing position by radiation from a single radiation source 130. 2 is provided, and a support moving mechanism 52 is provided which can be rotated in the vertical direction (arrow B direction in FIG. 2) and supported so as to be movable in the horizontal direction (arrow C direction in FIG. 2). It has been. Here, the support moving mechanism 52 includes a drive source that rotates the radiation source 130 about a horizontal axis, a drive source that moves the radiation source 130 in the vertical direction, and a drive source that moves the radiation source 130 in the horizontal direction. Each is provided (not shown).

一方、クレードル40には、電子カセッテ32を収納可能な収容部40Aが形成されている。   On the other hand, the cradle 40 is formed with an accommodating portion 40 </ b> A capable of accommodating the electronic cassette 32.

電子カセッテ32は、未使用時にはクレードル40の収容部40Aに収納された状態で内蔵されているバッテリに充電が行われ、放射線画像の撮影時には放射線技師等によってクレードル40から取り出され、撮影姿勢が立位であれば立位台45の保持部150に保持され、撮影姿勢が臥位であれば臥位台46の保持部152に保持される。   When the electronic cassette 32 is not in use, the built-in battery is charged in a state of being accommodated in the accommodating portion 40A of the cradle 40. When a radiographic image is captured, the electronic cassette 32 is taken out from the cradle 40 by a radiographer or the like, and the imaging posture is established. If it is in the upright position, it is held in the holding part 150 of the standing table 45, and if it is in the upright position, it is held in the holding part 152 of the standing table 46.

ここで、本実施の形態に係る撮影システム18では、放射線発生装置34とコンソール42とをそれぞれケーブルで接続して有線通信によって各種情報の送受信を行うが、図2では、放射線発生装置34とコンソール42を接続するケーブルを省略している。また、電子カセッテ32とコンソール42との間は、無線通信によって各種情報の送受信を行う。なお、放射線発生装置34とコンソール42の間の通信も無線通信によって通信を行うものとしてもよい。   Here, in the imaging system 18 according to the present embodiment, the radiation generator 34 and the console 42 are connected by cables and various types of information are transmitted and received by wired communication. In FIG. The cable connecting 42 is omitted. Various information is transmitted and received between the electronic cassette 32 and the console 42 by wireless communication. The communication between the radiation generator 34 and the console 42 may be performed by wireless communication.

なお、電子カセッテ32は、立位台45の保持部150や臥位台46の保持部152で保持された状態のみで使用されるものではなく、その可搬性から、保持部に保持されていない状態で使用することもできる。   The electronic cassette 32 is not used only in the state of being held by the holding portion 150 of the standing base 45 or the holding portion 152 of the standing base 46, and is not held by the holding portion because of its portability. It can also be used in the state.

図3には、本実施の形態に係る電子カセッテ32の内部構成が示されている。   FIG. 3 shows an internal configuration of the electronic cassette 32 according to the present exemplary embodiment.

同図に示すように、電子カセッテ32は、放射線Xを透過させる材料からなる筐体54を備えており、防水性、密閉性を有する構造とされている。電子カセッテ32は、手術室等で使用されるとき、血液やその他の雑菌が付着するおそれがある。そこで、電子カセッテ32を防水性、密閉性を有する構造として、必要に応じて殺菌洗浄することにより、1つの電子カセッテ32を繰り返し続けて使用することができる。   As shown in the figure, the electronic cassette 32 includes a housing 54 made of a material that transmits the radiation X, and has a waterproof and airtight structure. When the electronic cassette 32 is used in an operating room or the like, there is a risk that blood and other germs may adhere. Therefore, one electronic cassette 32 can be used repeatedly by sterilizing and cleaning the electronic cassette 32 as necessary with a waterproof and hermetic structure.

筐体54の内部には、放射線Xが照射される筐体54の照射面56と対向する位置に放射線画像の撮影を行う撮影部21が配置されている。   Inside the casing 54, an imaging unit 21 that captures a radiographic image is disposed at a position facing the irradiation surface 56 of the casing 54 irradiated with the radiation X.

また、筐体54の内部の一端側には、マイクロコンピュータを含む電子回路及び充電可能で、かつ着脱可能なバッテリ96Aを収容するケース31が配置されている。撮影部21、及び電子回路は、ケース31に配置されたバッテリ96Aから供給される電力によって作動する。ケース31内部に収容された各種回路が放射線Xの照射に伴って損傷することを回避するため、ケース31の照射面56側には鉛板等を配設しておくことが望ましい。なお、本実施の形態に係る電子カセッテ32は、照射面56の形状が長方形とされた直方体とされており、その長手方向一端部にケース31が配置されている。   In addition, a case 31 that houses an electronic circuit including a microcomputer and a rechargeable battery 96 </ b> A is arranged on one end side inside the housing 54. The imaging unit 21 and the electronic circuit are operated by electric power supplied from a battery 96 </ b> A disposed in the case 31. In order to avoid various circuits housed in the case 31 from being damaged by the radiation X irradiation, it is desirable to arrange a lead plate or the like on the irradiation surface 56 side of the case 31. The electronic cassette 32 according to the present embodiment is a rectangular parallelepiped whose irradiation surface 56 has a rectangular shape, and a case 31 is disposed at one end in the longitudinal direction.

また、筐体54の外壁の所定位置には、‘レディ状態’,‘データ送信中’といった動作モード、バッテリ96Aの残容量の状態等の電子カセッテ32の動作状態を示す表示を行う表示部56Aが設けられている。なお、本実施の形態に係る電子カセッテ32では、表示部56Aとして、発光ダイオードを適用しているが、これに限らず、発光ダイオード以外の発光素子や、液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ等の他の表示手段としてもよい。   Further, at a predetermined position on the outer wall of the housing 54, a display unit 56A that displays an operation mode of the electronic cassette 32 such as an operation mode such as “ready state” and “data transmitting” and a remaining capacity of the battery 96A. Is provided. In the electronic cassette 32 according to the present embodiment, a light emitting diode is applied as the display unit 56A. However, the present invention is not limited to this, and other light emitting elements other than the light emitting diode, a liquid crystal display, an organic EL display, and the like are used. It may be a display means.

次に、放射線画像の撮影を行う撮影部21の構成について説明する。   Next, the configuration of the imaging unit 21 that captures radiographic images will be described.

図4には、第1の実施の形態に係る撮影部21の概略構成を示す断面図が示されている。   FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of the imaging unit 21 according to the first embodiment.

本実施の形態に係る撮影部21は、絶縁性基板64に薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor、以下「TFT」という)70、蓄積容量68及び光が入射されることにより電荷を発生するセンサ部72が形成されたTFTアクティブマトリクス基板(以下、「TFT基板」という)66を備えている。   The imaging unit 21 according to the present embodiment includes a thin film transistor (TFT) 70, a storage capacitor 68, and a sensor unit 72 that generates charges when light is incident on an insulating substrate 64. The TFT active matrix substrate (hereinafter referred to as “TFT substrate”) 66 is formed.

このTFT基板66の一方の面には、後述するセンサ部146が形成された放射線検出部62が配置され、その放射線検出部62上にはシンチレータ71が貼り付けられている。本実施の形態では、シンチレータ71側が照射面56と対向するように撮影部21が筐体54内に配置しており、照射面56を透過した放射線Xがシンチレータ71及び放射線検出部62を透過してTFT基板66に入射する。   On one surface of the TFT substrate 66, a radiation detection unit 62 in which a sensor unit 146 to be described later is formed is disposed, and a scintillator 71 is attached on the radiation detection unit 62. In the present embodiment, the imaging unit 21 is arranged in the housing 54 so that the scintillator 71 side faces the irradiation surface 56, and the radiation X transmitted through the irradiation surface 56 passes through the scintillator 71 and the radiation detection unit 62. Then, the light enters the TFT substrate 66.

シンチレータ71としては、例えば、CsI:Tl、GOSを用いることができる。なお、シンチレータ71は、これらの材料に限られるものではない。   As the scintillator 71, for example, CsI: Tl, GOS can be used. The scintillator 71 is not limited to these materials.

絶縁性基板64としては、光透過性を有し且つ放射線の吸収が少ないものであれば何れでもよく、例えば、ガラス基板、透明セラミック基板、光透過性の樹脂基板を用いることができる。なお、絶縁性基板64は、これらの材料に限られるものではない。   The insulating substrate 64 may be any substrate as long as it has light transparency and low radiation absorption. For example, a glass substrate, a transparent ceramic substrate, or a light transmissive resin substrate can be used. The insulating substrate 64 is not limited to these materials.

TFT基板66には、センサ部72とTFT70が互いに重ならないように設けられており、TFT基板66上を平坦化するための絶縁膜65Aが形成されている。   The TFT substrate 66 is provided so that the sensor portion 72 and the TFT 70 do not overlap each other, and an insulating film 65A for flattening the TFT substrate 66 is formed.

センサ部72は、上部電極72A、下部電極72B、及び該上下の電極間に配置された光電変換膜72Cを有している。   The sensor unit 72 includes an upper electrode 72A, a lower electrode 72B, and a photoelectric conversion film 72C disposed between the upper and lower electrodes.

光電変換膜72Cは、シンチレータ71から発せられた光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する。光電変換膜72Cは、光が照射されることにより電荷を発生する材料により形成すればよく、例えば、アモルファスシリコンや有機光電変換材料などにより形成することができる。アモルファスシリコンを含む光電変換膜72Cであれば、幅広い吸収スペクトルを持ち、シンチレータ71による発光を吸収することができる。有機光電変換材料を含む光電変換膜72Cであれば、可視域にシャープな吸収スペクトルを持ち、シンチレータ71による発光以外の電磁波が光電変換膜72Cに吸収されることがほとんどなく、X線等の放射線が光電変換膜72Cで吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。本実施の形態では、光電変換膜72Cにアモルファスシリコンを含んで構成する。   The photoelectric conversion film 72 </ b> C absorbs light emitted from the scintillator 71 and generates a charge corresponding to the absorbed light. The photoelectric conversion film 72C may be formed of a material that generates charges when irradiated with light. For example, the photoelectric conversion film 72C may be formed of amorphous silicon, an organic photoelectric conversion material, or the like. The photoelectric conversion film 72C containing amorphous silicon has a wide absorption spectrum and can absorb light emitted by the scintillator 71. If the photoelectric conversion film 72C includes an organic photoelectric conversion material, it has a sharp absorption spectrum in the visible range, and electromagnetic waves other than light emitted by the scintillator 71 are hardly absorbed by the photoelectric conversion film 72C, and radiation such as X-rays. Is effectively suppressed by the photoelectric conversion film 72C being absorbed. In this embodiment, the photoelectric conversion film 72C is configured to include amorphous silicon.

図5には、本実施の形態に係るTFT基板66の構成が概略的に示されている。   FIG. 5 schematically shows the configuration of the TFT substrate 66 according to the present embodiment.

TFT基板66は、絶縁性基板64上に電極67及びゲート電極70Aが形成されている。この電極67及びゲート電極70Aが形成された配線層には、電極67及びゲート電極70Aとともに、ゲート配線76(図4参照)が形成されている。ゲート電極70Aはゲート配線76に接続されている。この電極67及びゲート電極70Aが形成された配線層(以下、この配線層を「第1信号配線層」ともいう。)は、Al若しくはCu、又はAl若しくはCuを主体とした積層膜を用いて形成されているが、これらに限定されるものではない。   In the TFT substrate 66, an electrode 67 and a gate electrode 70 </ b> A are formed on an insulating substrate 64. In the wiring layer in which the electrode 67 and the gate electrode 70A are formed, a gate wiring 76 (see FIG. 4) is formed together with the electrode 67 and the gate electrode 70A. The gate electrode 70A is connected to the gate wiring 76. The wiring layer in which the electrode 67 and the gate electrode 70A are formed (hereinafter, this wiring layer is also referred to as “first signal wiring layer”) uses Al or Cu, or a laminated film mainly composed of Al or Cu. Although formed, it is not limited to these.

この第1信号配線層上には、一面に絶縁膜65Bが形成されている。絶縁膜65Bは、ゲート電極70A上に位置する部位がTFT70におけるゲート絶縁膜として作用する。絶縁膜65Bは、例えば、SiNX 等からなっており、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)成膜により形成される。   An insulating film 65B is formed on one surface on the first signal wiring layer. In the insulating film 65B, the portion located on the gate electrode 70A functions as a gate insulating film in the TFT 70. The insulating film 65B is made of, for example, SiNX, and is formed by, for example, CVD (Chemical Vapor Deposition) film formation.

絶縁膜65B上には、ゲート電極70Aに対応する位置にアモルファスシリコンによる活性層(チャネル層)70Bが形成されている。   An active layer (channel layer) 70B made of amorphous silicon is formed on the insulating film 65B at a position corresponding to the gate electrode 70A.

これらの上層には、ソース電極70C、及びドレイン電極70Dが形成されている。このソース電極70C、及びドレイン電極70Dが形成された配線層には、ソース電極70C、及びドレイン電極70Dとともに、データ配線78(図4参照)が形成されており、また、センサ部72の下部電極72Bが形成されている。ソース電極70Cはデータ配線78に接続され(図4参照。)、ドレイン電極70Dは下部電極72Bに接続されている。ソース電極70C、ドレイン電極70D、データ配線78、及び下部電極72Bが形成された配線層(以下、この配線層を「第2信号配線層」ともいう。)も、Al若しくはCu、又はAl若しくはCuを主体とした積層膜が用いて形成されるが、これらに限定されるものではない。   A source electrode 70C and a drain electrode 70D are formed in these upper layers. In the wiring layer in which the source electrode 70C and the drain electrode 70D are formed, the data wiring 78 (see FIG. 4) is formed together with the source electrode 70C and the drain electrode 70D, and the lower electrode of the sensor unit 72 is formed. 72B is formed. The source electrode 70C is connected to the data wiring 78 (see FIG. 4), and the drain electrode 70D is connected to the lower electrode 72B. The wiring layer in which the source electrode 70C, the drain electrode 70D, the data wiring 78, and the lower electrode 72B are formed (hereinafter, this wiring layer is also referred to as “second signal wiring layer”) is also Al or Cu, or Al or Cu. However, the present invention is not limited to this.

この第2信号配線層上には、下部電極72Bに対応する位置にアモルファスシリコンによる光電変換膜72Cが形成されている。   On the second signal wiring layer, a photoelectric conversion film 72C made of amorphous silicon is formed at a position corresponding to the lower electrode 72B.

そして、光電変換膜72Cの上層には、上部電極72Aが形成されている。この上部電極72Aが形成された配線層(以下、この配線層を「第3信号配線層」ともいう。)も、Al若しくはCu、又はAl若しくはCuを主体とした積層膜が用いて形成されるが、これらに限定されるものではない。   An upper electrode 72A is formed on the photoelectric conversion film 72C. The wiring layer in which the upper electrode 72A is formed (hereinafter, this wiring layer is also referred to as “third signal wiring layer”) is also formed using Al or Cu, or a laminated film mainly composed of Al or Cu. However, it is not limited to these.

本実施の形態に係るTFT基板66では、ゲート電極70A、絶縁膜65B、ソース電極70C、ドレイン電極70D、及び活性層70BによりTFT70が構成され、電極67、及び下部電極72Bにより蓄積容量68が構成される。   In the TFT substrate 66 according to the present embodiment, the gate electrode 70A, the insulating film 65B, the source electrode 70C, the drain electrode 70D, and the active layer 70B constitute the TFT 70, and the electrode 67 and the lower electrode 72B constitute the storage capacitor 68. Is done.

そして、これらを覆い、絶縁性基板64の画素が設けられた領域のほぼ全面(ほぼ全領域)には、絶縁膜65Aが形成されている。この絶縁膜65Aによって、下層の段差が平坦化しており、また、絶縁膜65A上層と下層に配置される金属間の容量を低く抑えている。   Then, an insulating film 65A is formed on almost the entire surface (substantially the entire region) of the region where the pixels of the insulating substrate 64 are provided so as to cover them. The step of the lower layer is flattened by the insulating film 65A, and the capacitance between the metals disposed in the upper layer and the lower layer of the insulating film 65A is kept low.

図6には、本実施の形態に係るTFT基板66の構成を示す平面図が示されている。   FIG. 6 is a plan view showing the configuration of the TFT substrate 66 according to this embodiment.

TFT基板66には、上述のセンサ部72、蓄積容量68、TFT70と、を含んで構成される画素74が一定方向(図6の行方向)及び一定方向に対する交差方向(図6の列方向)にマトリクス状に複数設けられている。   The TFT substrate 66 includes a pixel 74 including the sensor unit 72, the storage capacitor 68, and the TFT 70 described above in a certain direction (row direction in FIG. 6) and a crossing direction with respect to the certain direction (column direction in FIG. 6). Are provided in a matrix.

また、TFT基板66には、一定方向(行方向)に延設され各TFT70をオン・オフさせるための複数本のゲート配線76と、交差方向(列方向)に延設されオン状態のTFT70を介して電荷を読み出すための複数本のデータ配線78が設けられている。   The TFT substrate 66 includes a plurality of gate wirings 76 extending in a certain direction (row direction) for turning on / off the TFTs 70, and an on-state TFT 70 extending in a crossing direction (column direction). A plurality of data wirings 78 are provided for reading out charges through the wirings.

このようなTFT基板66上には、図4に示すように、放射線検出部62が配置されている。   On such a TFT substrate 66, as shown in FIG. 4, a radiation detector 62 is arranged.

一方、放射線検出部62は、図4に示すように、例えば、樹脂性の支持基板140の一方の面に、後述する配線160(図8)がパターニングされた配線層142及び絶縁層144が形成されており、その上に、TFT基板66の各画素74に対応して複数のセンサ部146が形成されている。   On the other hand, as shown in FIG. 4, the radiation detection unit 62 includes, for example, a wiring layer 142 and an insulating layer 144 in which a wiring 160 (FIG. 8) to be described later is patterned on one surface of a resinous support substrate 140. A plurality of sensor portions 146 are formed on the TFT substrate 66 so as to correspond to the respective pixels 74.

センサ部146は、上部電極147A、下部電極147B、及び該上下の電極間に配置された光電変換膜147Cを有している。光電変換膜147Cには、シンチレータ148によって変換された光が入射されることにより電荷を発生する。この光電変換膜147Cは、シンチレータ71から発せられた光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する。光電変換膜147Cは、光が照射されることにより電荷を発生する材料により形成すればよく、例えば、アモルファスシリコンや有機光電変換材料などにより形成することができるが、アモルファスシリコンを用いたPIN型、MIS型フォトダイオードよりも、有機光電変換材料が含有された光電変換膜が好ましい。これは、PIN型フォトダイオードやMIS型フォトダイオードを用いた場合と比較して、製造コストの削減や、フレキシブル化への対応の点で有機光電変換材料が含有された光電変換膜を用いたほうが有利だからである。有機光電変換材料を含む光電変換膜147Cであれば、可視域にシャープな吸収スペクトルを持ち、シンチレータ71による発光以外の電磁波が光電変換膜72Cに吸収されることがほとんどなく、X線等の放射線が光電変換膜147Cで吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。また、有機光電変換材料は、記録ヘッドから有機光電変換材料を含んだ液滴を吐出させる液滴吐出装置(所謂、インクジェット装置)により成膜するが可能であり、液滴吐出装置を用いて支持基板140上にセンサ部146を形成することにより、放射線検出部62の製造コストを低下させることができる。   The sensor unit 146 includes an upper electrode 147A, a lower electrode 147B, and a photoelectric conversion film 147C disposed between the upper and lower electrodes. The photoelectric conversion film 147 </ b> C generates a charge when light converted by the scintillator 148 is incident thereon. The photoelectric conversion film 147C absorbs light emitted from the scintillator 71 and generates electric charges according to the absorbed light. The photoelectric conversion film 147C may be formed using a material that generates charges when irradiated with light. For example, the photoelectric conversion film 147C can be formed using amorphous silicon, an organic photoelectric conversion material, or the like. A photoelectric conversion film containing an organic photoelectric conversion material is preferable to the MIS photodiode. This is because it is better to use a photoelectric conversion film containing an organic photoelectric conversion material in terms of reduction in manufacturing cost and flexibility in comparison with the case of using a PIN type photodiode or a MIS type photodiode. Because it is advantageous. If the photoelectric conversion film 147C contains an organic photoelectric conversion material, it has a sharp absorption spectrum in the visible range, and electromagnetic waves other than light emitted by the scintillator 71 are hardly absorbed by the photoelectric conversion film 72C, and radiation such as X-rays. Can be effectively suppressed noise generated by the absorption by the photoelectric conversion film 147C. In addition, the organic photoelectric conversion material can be formed into a film by a droplet discharge device (so-called inkjet device) that discharges droplets containing the organic photoelectric conversion material from the recording head, and is supported by using the droplet discharge device. By forming the sensor unit 146 on the substrate 140, the manufacturing cost of the radiation detection unit 62 can be reduced.

本実施の形態では、光電変換膜147Cに有機光電変換材料を含んで構成する。有機光電変換材料としては、例えばキナクリドン系有機化合物及びフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。例えばキナクリドンの可視域における吸収ピーク波長は560nmであるため、有機光電変換材料としてキナクリドンを用い、シンチレータ71の材料としてCsI(Ti)を用いれば、上記ピーク波長の差を5nm以内にすることが可能となり、光電変換膜72Cで発生する電荷量をほぼ最大にすることができる。この光電変換膜72Cとして適用可能な有機光電変換材料については、特開2009−32854号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。   In this embodiment mode, the photoelectric conversion film 147C is configured to include an organic photoelectric conversion material. Examples of the organic photoelectric conversion material include quinacridone organic compounds and phthalocyanine organic compounds. For example, since the absorption peak wavelength in the visible region of quinacridone is 560 nm, if quinacridone is used as the organic photoelectric conversion material and CsI (Ti) is used as the material of the scintillator 71, the difference in peak wavelength can be made within 5 nm. Thus, the amount of charge generated in the photoelectric conversion film 72C can be substantially maximized. Since the organic photoelectric conversion material applicable as the photoelectric conversion film 72C is described in detail in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-32854, description thereof is omitted.

図7(A)には、本実施の形態に係る撮影部21の各画素74におけるセンサ部72、TFT70、センサ部146の概略的な配置構成を示す平面図が示され、図7(B)には、撮影部21の各画素74におけるセンサ部72、TFT70、センサ部146の概略的な配置構成を示す断面図が示されている。なお、本実施の形態では、図7(A)に示すように各画素74にセンサ部72及びセンサ部146は略同一の大きさで形成されているが、センサ部72及びセンサ部146の大きさ(受光面の面積)が異なってもよい。センサ部72は画像取得用であるため、高感度であることがこのましく、一方、センサ部146は放射線を検出できればよいため、必ずしも高感度である必要はない。従って、センサ部72の方がセンサ部146よりも受光面の面積が大きいことが好ましい。   7A is a plan view showing a schematic arrangement configuration of the sensor unit 72, the TFT 70, and the sensor unit 146 in each pixel 74 of the imaging unit 21 according to the present embodiment, and FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a schematic arrangement configuration of the sensor unit 72, the TFT 70, and the sensor unit 146 in each pixel 74 of the imaging unit 21. In the present embodiment, as shown in FIG. 7A, the sensor portion 72 and the sensor portion 146 are formed in substantially the same size in each pixel 74, but the size of the sensor portion 72 and the sensor portion 146 is the same. (The area of the light receiving surface) may be different. Since the sensor unit 72 is used for image acquisition, the sensor unit 72 is preferably highly sensitive. On the other hand, the sensor unit 146 is not necessarily required to have high sensitivity because it is only necessary to detect radiation. Therefore, it is preferable that the sensor unit 72 has a larger light receiving surface area than the sensor unit 146.

本実施の形態では、TFT基板66に、各画素74毎に上述のようにセンサ部72とTFT70が互いに重ならないように設けられており、TFT70部分の上部を覆うようにセンサ部146が配置されている。   In the present embodiment, the sensor portion 72 and the TFT 70 are provided on the TFT substrate 66 so as not to overlap each other for each pixel 74 as described above, and the sensor portion 146 is disposed so as to cover the upper portion of the TFT 70 portion. ing.

図8には、本実施の形態に係る電子カセッテ32の電気系の要部構成を示すブロック図が示されている。   FIG. 8 is a block diagram showing the main configuration of the electrical system of the electronic cassette 32 according to the present embodiment.

TFT基板66は、上述したように、センサ部72、蓄積容量68、TFT70を備えた画素74がマトリクス状に多数個配置されており、電子カセッテ32への放射線Xの照射に伴ってセンサ部72で発生された電荷は、個々の画素74の蓄積容量68に蓄積される。これにより、電子カセッテ32に照射された放射線Xに担持されていた画像情報は電荷情報へ変換されて撮影部21のTFT基板66に保持される。   As described above, the TFT substrate 66 has a large number of pixels 74 including the sensor unit 72, the storage capacitor 68, and the TFT 70 arranged in a matrix, and the sensor unit 72 is associated with the irradiation of the radiation X to the electronic cassette 32. The electric charges generated in (1) are stored in the storage capacitors 68 of the individual pixels 74. As a result, the image information carried on the radiation X irradiated to the electronic cassette 32 is converted into charge information and held on the TFT substrate 66 of the imaging unit 21.

また、TFT基板66の個々のゲート配線76はゲート線ドライバ80に接続されており、個々のデータ配線78は信号処理部82に接続されている。個々の画素74の蓄積容量68に電荷が蓄積されると、個々の画素74のTFT70は、ゲート線ドライバ80からゲート配線76を介して供給される信号により行単位で順にオンされ、TFT70がオンされた画素74の蓄積容量68に蓄積されている電荷は、アナログの電気信号としてデータ配線78を伝送されて信号処理部82に入力される。従って、個々の画素74の蓄積容量68に蓄積されている電荷は行単位で順に読み出される。   The individual gate lines 76 of the TFT substrate 66 are connected to the gate line driver 80, and the individual data lines 78 are connected to the signal processing unit 82. When charges are accumulated in the storage capacitors 68 of the individual pixels 74, the TFTs 70 of the individual pixels 74 are sequentially turned on in units of rows by a signal supplied from the gate line driver 80 through the gate wiring 76, and the TFTs 70 are turned on. The charges stored in the storage capacitor 68 of the pixel 74 are transmitted through the data wiring 78 as an analog electric signal and input to the signal processing unit 82. Therefore, the charges accumulated in the accumulation capacitors 68 of the individual pixels 74 are read out in order in row units.

信号処理部82は、個々のデータ配線78毎に設けられた増幅器及びサンプルホールド回路を備えており、個々のデータ配線78を伝送された電気信号は増幅器で増幅された後にサンプルホールド回路に保持される。また、サンプルホールド回路の出力側にはマルチプレクサ、A/D(アナログ/デジタル)変換器が順に接続されており、個々のサンプルホールド回路に保持された電気信号はマルチプレクサに順に(シリアルに)入力され、A/D変換器によってデジタルの画像データへ変換される。   The signal processing unit 82 includes an amplifier and a sample-and-hold circuit provided for each data wiring 78, and an electric signal transmitted through each data wiring 78 is amplified by the amplifier and then held in the sample-and-hold circuit. The Further, a multiplexer and an A / D (analog / digital) converter are connected in order to the output side of the sample and hold circuit, and the electric signals held in the individual sample and hold circuits are sequentially (serially) input to the multiplexer. The digital image data is converted by an A / D converter.

信号処理部82には画像メモリ90が接続されており、信号処理部82のA/D変換器から出力された画像データは画像メモリ90に順に記憶される。画像メモリ90は複数フレーム分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた画像データが画像メモリ90に順次記憶される。   An image memory 90 is connected to the signal processing unit 82, and image data output from the A / D converter of the signal processing unit 82 is sequentially stored in the image memory 90. The image memory 90 has a storage capacity capable of storing image data for a plurality of frames, and image data obtained by imaging is sequentially stored in the image memory 90 every time a radiographic image is captured.

画像メモリ90は電子カセッテ32全体の動作を制御するカセッテ制御部92と接続されている。カセッテ制御部92はマイクロコンピュータを含んで構成されており、CPU(中央処理装置)92A、ROM(Read Only Memory)及びRAM(Random Access Memory)を含むメモリ92B、HDD(ハードディスク・ドライブ)やフラッシュメモリ等からなる不揮発性の記憶部92Cを備えている。   The image memory 90 is connected to a cassette control unit 92 that controls the operation of the entire electronic cassette 32. The cassette control unit 92 includes a microcomputer, and includes a CPU (central processing unit) 92A, a memory 92B including a ROM (Read Only Memory) and a RAM (Random Access Memory), an HDD (Hard Disk Drive), and a flash memory. A non-volatile storage unit 92 </ b> C is provided.

また、カセッテ制御部92には無線通信部94が接続されている。本実施の形態に係る無線通信部94は、IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineers)802.11a/b/g等に代表される無線LAN(Local Area Network)規格に対応しており、無線通信による外部機器との間での各種情報の伝送を制御する。カセッテ制御部92は、無線通信部94を介してコンソール42と無線通信が可能とされており、コンソール42との間で各種情報の送受信が可能とされている。   A wireless communication unit 94 is connected to the cassette control unit 92. The wireless communication unit 94 according to the present embodiment corresponds to a wireless LAN (Local Area Network) standard represented by IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers) 802.11a / b / g and the like. Controls the transmission of various information to and from external devices. The cassette control unit 92 can wirelessly communicate with the console 42 via the wireless communication unit 94, and can transmit and receive various information to and from the console 42.

一方、放射線検出部62は、上述したようにTFT基板66の各画素74に対応して、センサ部146がマトリクス状に複数形成されている。また、放射線検出部62には、複数の配線160が設けられている。   On the other hand, in the radiation detection unit 62, a plurality of sensor units 146 are formed in a matrix corresponding to each pixel 74 of the TFT substrate 66 as described above. In addition, the radiation detection unit 62 is provided with a plurality of wirings 160.

本実施の形態に係る放射線検出部62は、配線160に複数のセンサ部146を並列に接続している。図8では、一例として、2行×2列の4個のセンサ部146をそれぞれセンサグループ180として1本の配線160に並列に接続した例を示しているが、M行×N列(M、Nは共に自然数)で数十個から数百個単位のセンサ部146をセンサグループ180として1本の配線160に並列に接続する。このように1本の配線160に並列に複数のセンサ部146を接続することにより、1本の配線160に並列に接続された複数のセンサ部146が1つのセンサとして機能するため、放射線に対する感度が向上する。各配線160は信号検出部162に接続されている。   In the radiation detection unit 62 according to the present embodiment, a plurality of sensor units 146 are connected in parallel to the wiring 160. FIG. 8 shows an example in which four sensor units 146 of 2 rows × 2 columns are connected in parallel to one wiring 160 as sensor groups 180, but M rows × N columns (M, N is a natural number, and several tens to several hundreds of sensor units 146 are connected in parallel to one wiring 160 as a sensor group 180. By connecting a plurality of sensor units 146 in parallel to one wiring 160 in this way, the plurality of sensor units 146 connected in parallel to one wiring 160 function as one sensor, and thus sensitivity to radiation. Will improve. Each wiring 160 is connected to the signal detection unit 162.

信号検出部162は、配線160毎に設けられた増幅器及びA/D変換器を備えており、カセッテ制御部92と接続されている。信号検出部162は、カセッテ制御部92からの制御により、所定の周期で各配線160のサンプリングを行って各配線160を伝送される電気信号をデジタルデータに変換し、変換したデジタルデータを順次、カセッテ制御部92へ出力する。   The signal detection unit 162 includes an amplifier and an A / D converter provided for each wiring 160, and is connected to the cassette control unit 92. The signal detection unit 162 performs sampling of each wiring 160 at a predetermined cycle by the control from the cassette control unit 92, converts the electrical signal transmitted through each wiring 160 into digital data, and sequentially converts the converted digital data, Output to the cassette control unit 92.

また、電子カセッテ32には電源部96が設けられており、上述した各種回路や各素子(ゲート線ドライバ80、信号処理部82、画像メモリ90、無線通信部94、カセッテ制御部92、信号検出部162等)は、電源部96から供給された電力によって作動する。電源部96は、電子カセッテ32の可搬性を損なわないように、前述したバッテリ(二次電池)96Aを内蔵しており、充電されたバッテリ96Aから各種回路や各素子へ電力を供給する。なお、図8では、電源部96と各種回路や各素子を接続する配線の図示を省略している。   In addition, the electronic cassette 32 is provided with a power supply unit 96, and the various circuits and elements described above (gate line driver 80, signal processing unit 82, image memory 90, wireless communication unit 94, cassette control unit 92, signal detection). The unit 162 and the like are operated by the electric power supplied from the power source unit 96. The power supply unit 96 incorporates the above-described battery (secondary battery) 96A so as not to impair the portability of the electronic cassette 32, and supplies power from the charged battery 96A to various circuits and elements. In FIG. 8, illustration of wirings connecting the power supply unit 96 to various circuits and elements is omitted.

図9には、本実施の形態に係るコンソール42及び放射線発生装置34の電気系の要部構成を示すブロック図が示されている。   FIG. 9 is a block diagram showing the main configuration of the electrical system of the console 42 and the radiation generator 34 according to the present embodiment.

コンソール42は、サーバ・コンピュータとして構成されており、操作メニューや撮影された放射線画像等を表示するディスプレイ100と、複数のキーを含んで構成され、各種の情報や操作指示が入力される操作パネル102と、を備えている。   The console 42 is configured as a server computer, and includes a display 100 that displays an operation menu, a captured radiation image, and the like, and a plurality of keys, and an operation panel on which various information and operation instructions are input. 102.

また、本実施の形態に係るコンソール42は、装置全体の動作を司るCPU104と、制御プログラムを含む各種プログラム等が予め記憶されたROM106と、各種データを一時的に記憶するRAM108と、各種データを記憶して保持するHDD110と、ディスプレイ100への各種情報の表示を制御するディスプレイドライバ112と、操作パネル102に対する操作状態を検出する操作入力検出部114と、を備えている。また、コンソール42は、接続端子42A及び通信ケーブル35を介して放射線発生装置34との間で後述する曝射条件等の各種情報の送受信を行う通信インタフェース(I/F)部116と、電子カセッテ32との間で無線通信により曝射条件や画像データ等の各種情報の送受信を行う無線通信部118と、を備えている。   The console 42 according to the present embodiment includes a CPU 104 that controls the operation of the entire apparatus, a ROM 106 that stores various programs including a control program in advance, a RAM 108 that temporarily stores various data, and various data. It includes an HDD 110 that stores and holds, a display driver 112 that controls display of various types of information on the display 100, and an operation input detection unit 114 that detects an operation state of the operation panel 102. In addition, the console 42 includes a communication interface (I / F) unit 116 that transmits and receives various types of information such as an exposure condition to be described later to and from the radiation generator 34 via the connection terminal 42A and the communication cable 35, and an electronic cassette. And a wireless communication unit 118 that transmits and receives various types of information such as exposure conditions and image data by wireless communication.

CPU104、ROM106、RAM108、HDD110、ディスプレイドライバ112、操作入力検出部114、通信インタフェース部116、及び無線通信部118は、システムバスBUSを介して相互に接続されている。従って、CPU104は、ROM106、RAM108、HDD110へのアクセスを行うことができると共に、ディスプレイドライバ112を介したディスプレイ100への各種情報の表示の制御、通信I/F部116を介した放射線発生装置34との各種情報の送受信の制御、及び無線通信部118を介した放射線発生装置34との各種情報の送受信の制御を各々行うことができる。また、CPU104は、操作入力検出部114を介して操作パネル102に対するユーザの操作状態を把握することができる。   The CPU 104, ROM 106, RAM 108, HDD 110, display driver 112, operation input detection unit 114, communication interface unit 116, and wireless communication unit 118 are connected to each other via a system bus BUS. Therefore, the CPU 104 can access the ROM 106, RAM 108, and HDD 110, controls display of various information on the display 100 via the display driver 112, and the radiation generator 34 via the communication I / F unit 116. And control of transmission / reception of various information to / from the radiation generator 34 via the wireless communication unit 118. Further, the CPU 104 can grasp the operation state of the user with respect to the operation panel 102 via the operation input detection unit 114.

一方、放射線発生装置34は、放射線源130と、コンソール42との間で曝射条件等の各種情報を送受信する通信I/F部132と、受信した曝射条件に基づいて放射線源130を制御する線源制御部134と、を備えている。   On the other hand, the radiation generator 34 controls the radiation source 130 based on the received radiation conditions and the communication I / F unit 132 that transmits and receives various information such as the radiation conditions between the radiation source 130 and the console 42. A radiation source control unit 134.

線源制御部134もマイクロコンピュータを含んで構成されており、受信した曝射条件等を記憶する。このコンソール42から受信する曝射条件には管電圧、管電流の情報が含まれている。線源制御部134は、受信した曝射条件に基づいて放射線源130から放射線Xを照射させる。   The radiation source control unit 134 is also configured to include a microcomputer, and stores the received exposure conditions and the like. The exposure conditions received from the console 42 include information on tube voltage and tube current. The radiation source controller 134 irradiates the radiation X from the radiation source 130 based on the received exposure conditions.

次に、本実施の形態に係る撮影システム18の作用を説明する。   Next, the operation of the imaging system 18 according to the present embodiment will be described.

本実施の形態に係る撮影システム18は、1回ずつ撮影を行う静止画撮影と、連続的に撮影を行う透視撮影が可能とされており、撮影モードとして静止画撮影又は透視撮影が選択可能とされている。   The imaging system 18 according to the present embodiment can perform still image shooting that performs shooting one by one and fluoroscopic shooting that performs continuous shooting, and can select still image shooting or fluoroscopic shooting as a shooting mode. Has been.

端末装置12(図1参照。)は、放射線画像の撮影する場合、医師又は放射線技師からの撮影依頼を受け付ける。当該撮影依頼では、撮影対象とする患者、撮影対象とする撮影部位、撮影モードが指定され、管電圧、管電流などが必要に応じて指定される。   The terminal apparatus 12 (refer FIG. 1) receives the imaging request from a doctor or a radiographer, when imaging | photography of a radiographic image. In the imaging request, a patient to be imaged, an imaging region to be imaged, and an imaging mode are designated, and tube voltage, tube current, and the like are designated as necessary.

端末装置12は、受け付けた撮影依頼の内容をRISサーバ14に通知する。RISサーバ14は、端末装置12から通知された撮影依頼の内容をデータベース14Aに記憶する。   The terminal device 12 notifies the RIS server 14 of the contents of the accepted imaging request. The RIS server 14 stores the contents of the imaging request notified from the terminal device 12 in the database 14A.

コンソール42は、RISサーバ14にアクセスすることにより、RISサーバ14から撮影依頼の内容及び撮影対象とする患者の属性情報を取得し、撮影依頼の内容及び患者の属性情報をディスプレイ100(図9参照。)に表示する。   The console 42 accesses the RIS server 14 to acquire the content of the imaging request and the attribute information of the patient to be imaged from the RIS server 14, and displays the content of the imaging request and the attribute information of the patient on the display 100 (see FIG. 9). .).

撮影者は、ディスプレイ100に表示された撮影依頼の内容に基づいて放射線画像の撮影を開始する。   The photographer starts radiographic image capturing based on the content of the imaging request displayed on the display 100.

例えば、図2に示すように、臥位台46上に横臥した被検者の患部の撮影を行う際、臥位台46の保持部152に電子カセッテ32を配置する。   For example, as shown in FIG. 2, when photographing the affected part of the subject lying on the prone table 46, the electronic cassette 32 is disposed on the holding unit 152 of the prone table 46.

そして、撮影者は、操作パネル102に対して撮影モードとして静止画撮影又は透視撮影を指定し、さらに、操作パネル102に対して放射線Xを照射する際の管電圧及び管電流等を指定する。なお、撮影者は、透視撮影の場合、被検者の被曝を抑えるため、静止画撮影の場合と比べて単位時間当たりの放射線の照射量を低く指定する(例えば、静止画撮影の場合の1/10程度)。   Then, the photographer designates still image photographing or fluoroscopic photographing as the photographing mode for the operation panel 102, and further designates a tube voltage, a tube current, and the like when the operation panel 102 is irradiated with the radiation X. In the case of fluoroscopic imaging, the photographer designates a lower radiation dose per unit time than in the case of still image shooting in order to suppress the exposure of the subject (for example, 1 in the case of still image shooting). / 10).

ここで、撮影部21のTFT基板66は、X線が照射されていない状態であっても暗電流等によってセンサ部72に電荷が発生して各画素74の蓄積容量68に電荷が蓄積される。   Here, even if the TFT substrate 66 of the imaging unit 21 is not irradiated with X-rays, a charge is generated in the sensor unit 72 due to dark current or the like, and the charge is stored in the storage capacitor 68 of each pixel 74. .

このため、本実施の形態に係る電子カセッテ32では、放射線画像の撮影を行う際に、放射線検出部62により放射線の検出を行い、放射線を照射開始を検出するとTFT基板66の各画素74の蓄積容量68に蓄積された電荷を取り出して除去するリセット動作を行った後に撮影を開始する。   For this reason, in the electronic cassette 32 according to the present embodiment, when the radiation image is taken, the radiation detection unit 62 detects the radiation, and when the start of radiation irradiation is detected, the accumulation of each pixel 74 of the TFT substrate 66 is performed. Imaging is started after a reset operation for taking out and removing the electric charge accumulated in the capacitor 68 is performed.

また、本実施の形態に係る撮影システム18では、撮影の際、放射線検出部62により電子カセッテ32に照射された放射線量を検出し、放射線源130からの放射線の照射を制御する自動照射制御(所謂AEC(automatic exposure control))を行っている。具体的には、静止画撮影の場合、検出された放射線量が許容量となった場合に放射線源130からの放射線の照射を終了させると共にTFT基板66から画像の読み出し開始し、透視撮影の場合、所定のフレームレートで連続的に撮影を行い、放射線検出部62により検出された放射線量が許容量となった場合に放射線源130からの放射線の照射を終了させる。静止画撮影の許容量は、撮影部位の放射線画像が鮮明に撮るための適切な線量であり、透視撮影の許容量は、被検者の被曝を適切な範囲内に抑えるための線量であり、それぞれ目的が異なる。   Further, in the imaging system 18 according to the present embodiment, during the imaging, the radiation detection unit 62 detects the radiation dose applied to the electronic cassette 32 and controls the irradiation with radiation from the radiation source 130 ( So-called AEC (automatic exposure control) is performed. Specifically, in the case of still image shooting, when the detected radiation dose reaches an allowable amount, radiation irradiation from the radiation source 130 is terminated and image reading is started from the TFT substrate 66. The imaging is continuously performed at a predetermined frame rate, and the radiation irradiation from the radiation source 130 is terminated when the radiation amount detected by the radiation detection unit 62 becomes an allowable amount. The allowable amount of still image shooting is an appropriate dose for taking a radiographic image of the imaging region clearly, and the allowable amount of fluoroscopic imaging is a dose for suppressing the exposure of the subject within an appropriate range, Each has a different purpose.

静止画撮影の許容量及び透視撮影の許容量は、それぞれ撮影の際に撮影者により操作パネル102から入力されもよい。また、撮影部位毎に、静止画撮影の許容量及び透視撮影の許容量を撮影部位別許容量情報としてHDD110に予め記憶しておき、撮影者が操作パネル102に対して撮影部位が指定を行い、撮影部位が指定された際に撮影部位別許容量情報から指定された撮影モード及び撮影部位に対応する許容量と得るものとしてもよい。また、透視撮影の許容量は、RISサーバ14のデータベース14Aに、患者毎に日別の被曝量を記憶しておき、RISサーバ14が所定期間(例えば、直近3ヶ月間)での被曝量の合計値から患者の許容される被曝量を求めて当該許容される被曝量を許容量としてコンソール42へ通知されるものとしてもよい。   The allowable amount of still image shooting and the allowable amount of fluoroscopic shooting may be input from the operation panel 102 by the photographer at the time of shooting. In addition, the permissible amount for still image photographing and the permissible amount for fluoroscopic photographing are stored in advance in the HDD 110 as per-photographing region permissible amount information for each photographing part, and the photographer designates the photographing part on the operation panel 102. When the imaging region is specified, the imaging mode and the allowable amount corresponding to the imaging region may be obtained from the imaging region allowable amount information. In addition, the permissible amount of fluoroscopic imaging is stored in the database 14A of the RIS server 14 so that the daily exposure dose is stored for each patient, and the RIS server 14 determines the exposure dose during a predetermined period (for example, the latest three months). The allowable exposure dose of the patient may be obtained from the total value, and the allowable exposure dose may be notified to the console 42 as the allowable dose.

コンソール42は、指定された管電圧、管電流を曝射条件として放射線発生装置34へ送信し、指定された撮影モード、管電圧、管電流、許容量を撮影条件として電子カセッテ32へ送信する。放射線発生装置34の線源制御部134は、コンソール42から曝射条件を受信すると、受信した曝射条件を記憶し、電子カセッテ32のカセッテ制御部92は、コンソール42から撮影条件を受信すると、受信した撮影条件を記憶部92Cに記憶する。   The console 42 transmits the specified tube voltage and tube current to the radiation generator 34 as exposure conditions, and transmits the specified imaging mode, tube voltage, tube current, and allowable amount to the electronic cassette 32 as imaging conditions. When the radiation source control unit 134 of the radiation generator 34 receives the exposure condition from the console 42, the received exposure condition is stored, and when the cassette control unit 92 of the electronic cassette 32 receives the imaging condition from the console 42, The received shooting conditions are stored in the storage unit 92C.

撮影者は、撮影準備完了すると、コンソール42の操作パネル102に対して撮影を指示する撮影指示操作を行う。   When the photographer completes preparation for photographing, the photographer performs a photographing instruction operation for instructing photographing on the operation panel 102 of the console 42.

コンソール42は、操作パネル102に対して撮影開始操作が行なわれた場合、曝射開始を指示する指示情報を放射線発生装置34及び電子カセッテ32へ送信する。   When an imaging start operation is performed on the operation panel 102, the console 42 transmits instruction information for instructing the start of exposure to the radiation generator 34 and the electronic cassette 32.

放射線発生装置34は、コンソール42から受信した曝射条件に応じた管電圧、管電流で放射線の発生・射出を開始する。   The radiation generator 34 starts generating and emitting radiation with a tube voltage and a tube current corresponding to the exposure conditions received from the console 42.

電子カセッテ32のカセッテ制御部92は、曝射開始を指示する指示情報を受信すると、記憶部92Cに撮影条件として記憶された撮影モードに応じて撮影制御を行う。   When the cassette control unit 92 of the electronic cassette 32 receives the instruction information instructing the start of exposure, the cassette control unit 92 performs shooting control according to the shooting mode stored as the shooting condition in the storage unit 92C.

ところで、本実施の形態に係る電子カセッテ32では、上述のように、放射線画像の撮影を行う際に、放射線検出部62により放射線の検出を行い、放射線を照射開始を検出した場合にリセット動作を行った後に撮影を開始し、撮影中、電子カセッテ32に照射された放射線量を検出している。   By the way, in the electronic cassette 32 according to the present embodiment, as described above, when the radiation image is taken, the radiation detection unit 62 detects the radiation, and the reset operation is performed when the irradiation start is detected. After performing, imaging is started, and the radiation dose irradiated to the electronic cassette 32 is detected during imaging.

図10にはカセッテ制御部92のCPU92Aにより実行される撮影制御プログラムの処理の流れを示すフローチャートが示されている。なお、当該プログラムはメモリ92B(ROM)の所定の領域に予め記憶されている。   FIG. 10 is a flowchart showing a flow of processing of the photographing control program executed by the CPU 92A of the cassette control unit 92. The program is stored in advance in a predetermined area of the memory 92B (ROM).

同図のステップS10では、信号検出部162を制御して各配線160のサンプリングを開始させる。   In step S10 in the figure, the signal detection unit 162 is controlled to start sampling of each wiring 160.

これにより、信号検出部162は、所定の周期で各配線160のサンプリングを行って各配線160を伝送される電気信号をデジタルデータに変換し、変換したデジタルデータを順次、カセッテ制御部92へ出力する。   As a result, the signal detection unit 162 samples each wiring 160 at a predetermined cycle, converts the electrical signal transmitted through each wiring 160 into digital data, and sequentially outputs the converted digital data to the cassette control unit 92. To do.

放射線検出部62に設けられた各センサ部146には、放射線が照射されると電荷が発生する。発生した電荷は、それぞれ配線160に電気信号として流れ出す。   When each sensor unit 146 provided in the radiation detection unit 62 is irradiated with radiation, an electric charge is generated. The generated charges flow out as electric signals to the wiring 160, respectively.

次のステップS12では、信号検出部162から入力するデジタルデータの値を予め定めた放射線検知用の所定のしきい値と比較し、しきい値以上となった否かにより放射線の照射開始の検出を行っており、デジタルデータの値がしきい値以上となった場合は放射線の照射が開始されたものとしてステップS14へ移行し、デジタルデータの値がしきい値未満の場合はステップS12へ再度移行して、放射線の照射開始待ちを行う。   In the next step S12, the value of the digital data input from the signal detection unit 162 is compared with a predetermined threshold value for radiation detection, and detection of the start of radiation irradiation is performed depending on whether or not the threshold value is exceeded. If the value of the digital data is equal to or greater than the threshold value, the process proceeds to step S14 assuming that radiation irradiation has started. If the value of the digital data is less than the threshold value, the process returns to step S12. Transition to wait for the start of radiation irradiation.

次のステップS14では、ゲート線ドライバ80を制御してゲート線ドライバ80から各ゲート配線76にTFT70をオン状態とさせる制御信号を出力させ、各ゲート配線76に接続された各TFT70を1ラインずつ順にONさせて電荷の取り出しを行う。これにより、1ラインずつ順に各画素74の蓄積容量68に蓄積された電荷が電気信号として各データ配線78に流れ出し、暗電流等によって各画素74の蓄積容量68に蓄積された電荷が除去される。   In the next step S14, the gate line driver 80 is controlled to output a control signal from the gate line driver 80 to turn on the TFT 70 to each gate wiring 76, and each TFT 70 connected to each gate wiring 76 is line by line. The charge is taken out by turning it on in order. As a result, the charges accumulated in the storage capacitor 68 of each pixel 74 sequentially flow out to each data wiring 78 as an electric signal, and the charges accumulated in the storage capacitor 68 of each pixel 74 are removed by dark current or the like. .

次のステップS16では、記憶部92Cに記憶された撮影条件で撮影モードとして静止画撮影が指定されたか否かを判定し、肯定判定となった場合はステップS18へ移行し、否定判定の場合(撮影モードとして透視撮影が指定された場合)はステップS30へ移行する。   In the next step S16, it is determined whether still image shooting is designated as the shooting mode under the shooting conditions stored in the storage unit 92C. If the determination is affirmative, the process proceeds to step S18, and in the case of a negative determination ( If fluoroscopic shooting is designated as the shooting mode), the process proceeds to step S30.

ステップS18では、ゲート線ドライバ80を制御してゲート線ドライバ80から各ゲート配線76にTFT70をオフ状態とさせる制御信号を出力させる。   In step S18, the gate line driver 80 is controlled to output a control signal for turning off the TFT 70 to each gate wiring 76 from the gate line driver 80.

次のステップS20では、信号検出部162から入力するデジタルデータの値をセンサ部146の感度に応じて補正し、補正した値をセンサグループ180毎にそれぞれ累計する。この累計値は、照射された放射線量と見なすことができる。   In the next step S20, the value of the digital data input from the signal detection unit 162 is corrected according to the sensitivity of the sensor unit 146, and the corrected value is accumulated for each sensor group 180. This cumulative value can be regarded as the radiation dose irradiated.

次のステップS22では、何れかのセンサグループ180の累計値が許容量以上となったか否かを判定し、肯定判定となった場合はステップS24へ移行し、否定判定となった場合はステップS20へ移行する。   In the next step S22, it is determined whether or not the cumulative value of any one of the sensor groups 180 has exceeded the allowable amount. If the determination is affirmative, the process proceeds to step S24. If the determination is negative, step S20 is performed. Migrate to

ステップS24では、コンソール42に対して曝射終了を指示する指示情報を送信する。   In step S24, instruction information for instructing the end of exposure to the console 42 is transmitted.

コンソール42は電子カセッテ32から曝射終了を指示する指示情報を受信すると、曝射終了を指示する指示情報を放射線発生装置34へ送信する。放射線発生装置34は曝射終了を指示する指示情報を受信すると、放射線の照射を終了する。   When the console 42 receives the instruction information for instructing the end of exposure from the electronic cassette 32, the console 42 transmits the instruction information for instructing the end of exposure to the radiation generator 34. When receiving the instruction information for instructing the end of the exposure, the radiation generator 34 ends the radiation irradiation.

次のステップS26では、ゲート線ドライバ80を制御してゲート線ドライバ80から1ラインずつ順に各ゲート配線76にオン信号を出力させる。   In the next step S <b> 26, the gate line driver 80 is controlled to output an ON signal to each gate wiring 76 in order from the gate line driver 80 line by line.

TFT基板66は、各ゲート配線76に接続された各TFT70を1ラインずつ順にオンされると、1ラインずつ順に各蓄積容量68に蓄積された電荷が電気信号として各データ配線78に流れ出す。各データ配線78に流れ出した電気信号は信号処理部82でデジタルの画像データに変換されて、画像メモリ90に記憶される。   In the TFT substrate 66, when the TFTs 70 connected to the gate wirings 76 are sequentially turned on line by line, the charges accumulated in the storage capacitors 68 in order line by line flow out to the data wirings 78 as electric signals. The electric signal flowing out to each data wiring 78 is converted into digital image data by the signal processing unit 82 and stored in the image memory 90.

次のステップS28では、画像メモリ90に記憶された画像データをコンソール42へ送信し、処理を終了する。   In the next step S28, the image data stored in the image memory 90 is transmitted to the console 42, and the process ends.

一方、ステップS30では、透視撮影のフレームレートに応じた撮影周期を求める。   On the other hand, in step S30, an imaging cycle corresponding to the fluoroscopic frame rate is obtained.

次のステップS32では、信号検出部162から入力するデジタルデータの値をセンサ部146の感度に応じて補正し、補正した値をセンサグループ180毎にそれぞれ累計する。   In the next step S <b> 32, the value of the digital data input from the signal detection unit 162 is corrected according to the sensitivity of the sensor unit 146, and the corrected value is accumulated for each sensor group 180.

次のステップS34では、何れかのセンサグループ180のデジタルデータの累計値が許容量以上となったか否かを判定し、肯定判定となった場合はステップS50へ移行し、否定判定となった場合はステップS36へ移行する。   In the next step S34, it is determined whether or not the cumulative value of the digital data of any one of the sensor groups 180 has exceeded the allowable amount. If the determination is affirmative, the process proceeds to step S50, and the determination is negative. Proceeds to step S36.

ステップS36では、前回、TFT基板66の各画素74の電荷の読み出しを行ってから撮影周期以上の期間を経過したか否かを判定し、肯定判定となった場合はステップS38へ移行し、否定判定となった場合はステップS32へ移行する。   In step S36, it is determined whether or not a period equal to or longer than the imaging cycle has elapsed since the charge of each pixel 74 of the TFT substrate 66 was read last time. If the determination is affirmative, the process proceeds to step S38, and negative. When it becomes determination, it transfers to step S32.

次のステップS38では、ゲート線ドライバ80を制御してゲート線ドライバ80から1ラインずつ順に各ゲート配線76にオン信号を出力させる。   In the next step S38, the gate line driver 80 is controlled to output an ON signal to each gate wiring 76 in order from the gate line driver 80 line by line.

これにより、TFT基板66は、各ゲート配線76に接続された各TFT70を1ラインずつ順にオンされ、1ラインずつ順に各蓄積容量68に蓄積された電荷が電気信号として各データ配線78に流れ出す。各データ配線78に流れ出した電気信号は信号処理部82でデジタルの画像データに変換されて、画像メモリ90に記憶される。   As a result, the TFT substrate 66 sequentially turns on the TFTs 70 connected to the gate lines 76 line by line, and the charges accumulated in the storage capacitors 68 line by line flow out to the data lines 78 as electric signals. The electric signal flowing out to each data wiring 78 is converted into digital image data by the signal processing unit 82 and stored in the image memory 90.

次のステップS40では、画像メモリ90に記憶された画像データをコンソール42へ送信を行い、画像データの送信後、ステップS32へ移行する。   In the next step S40, the image data stored in the image memory 90 is transmitted to the console 42. After the image data is transmitted, the process proceeds to step S32.

一方、ステップS50では、コンソール42に対して曝射終了を指示する指示情報を送信し、処理を終了する。   On the other hand, in step S50, the instruction information for instructing the end of exposure is transmitted to the console 42, and the process is terminated.

放射線発生装置34は、曝射終了を指示する指示情報を受信すると、放射線の発生・射出を終了する。なお、本実施の形態では、透視撮影中に、何れかのセンサ部146の累計値が許容量となった場合に、透視撮影を停止する場合について説明したが、コンソール42へ許容量を超えたことを通知して、コンソール42で警告を表示させるものとしてもよい。また、コンソール42が放射線発生装置34へ管電圧、管電流の少なくとも一方を低下させた曝射条件を送信して放射線発生装置34の放射線源130から照射される単位時間あたりの放射線量を低下させるようにしてもよい。   When receiving the instruction information for instructing the end of exposure, the radiation generator 34 ends the generation and emission of radiation. In the present embodiment, the case where the fluoroscopic imaging is stopped when the cumulative value of any one of the sensor units 146 becomes an allowable amount during fluoroscopic imaging has been described. However, the console 42 has exceeded the allowable amount. This may be notified, and a warning may be displayed on the console 42. Further, the console 42 transmits an exposure condition in which at least one of the tube voltage and the tube current is reduced to the radiation generator 34 to reduce the radiation dose per unit time irradiated from the radiation source 130 of the radiation generator 34. You may do it.

コンソール42は、電子カセッテ32から画像情報を受信すると、受信した画像情報に対してシェーディング補正などの各種の補正する画像処理を行ない、画像処理後の画像情報をHDD110に記憶する。   When the console 42 receives image information from the electronic cassette 32, the console 42 performs various types of image processing such as shading correction on the received image information, and stores the image information after the image processing in the HDD 110.

HDD110に記憶された画像情報は、撮影した放射線画像の確認等のためにディスプレイ100に表示されると共に、RISサーバ14に転送されてデータベース14Aにも格納される。これにより、医師が撮影された放射線画像の読影や診断等を行うことが可能となる。   The image information stored in the HDD 110 is displayed on the display 100 for confirmation of the captured radiographic image, and is transferred to the RIS server 14 and stored in the database 14A. Thereby, it becomes possible for a doctor to perform interpretation, diagnosis, and the like of a radiographic image taken.

なお、センサグループ180の各センサ部146により検出されたデジタルデータの値の累計値は、被検者の被曝量と見なすことができる。このため、RISサーバ14のデータベース14Aに、患者毎に日別の被曝量を記憶させている場合、電子カセッテ32は、コンソール42を介してRISサーバ14へ送信してデータベース14Aに記憶させる。   The cumulative value of the digital data values detected by each sensor unit 146 of the sensor group 180 can be regarded as the exposure dose of the subject. For this reason, when the daily exposure dose is stored for each patient in the database 14A of the RIS server 14, the electronic cassette 32 is transmitted to the RIS server 14 via the console 42 and stored in the database 14A.

以上のように、本実施の形態によれば、撮影領域に放射線が照射されることにより光を発生するシンチレータ71を設け、シンチレータ71と重なるように、放射線画像撮影用のセンサ部72及び放射線検知用のセンサ部146が重ならないように形成された複数の画素74をマトリクス状に設けているので、放射線の照射範囲が撮影領域や撮影領域の一部に絞られた場合であっても、センサ部146で放射線を検出することにより、放射線源の制御を行える。   As described above, according to the present embodiment, the scintillator 71 that generates light by irradiating the imaging region with radiation is provided, and the radiographic imaging sensor unit 72 and the radiation detection so as to overlap the scintillator 71. Since the plurality of pixels 74 formed so that the sensor unit 146 for use does not overlap is provided in a matrix, the sensor can be used even when the radiation irradiation range is limited to the imaging region or a part of the imaging region. The radiation source can be controlled by detecting radiation with the unit 146.

また、本実施の形態によれば、センサ部146を有機光電変換材料を含んで構成しているので、液滴吐出装置を用いて支持基板140上にセンサ部146を形成することにより、放射線検出部62の製造コストを低下させることができる。   In addition, according to the present embodiment, since the sensor unit 146 includes the organic photoelectric conversion material, radiation detection is performed by forming the sensor unit 146 on the support substrate 140 using a droplet discharge device. The manufacturing cost of the part 62 can be reduced.

[第2の実施の形態]
次に、第2の実施の形態について説明する。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment will be described.

第2の実施の形態に係るRIS10、撮影システム18、電子カセッテ32の構成は、上記第1の実施の形態(図1〜図3、図8、図9参照)と同一であるので、ここでの説明は省略する。   Since the configurations of the RIS 10, the imaging system 18, and the electronic cassette 32 according to the second embodiment are the same as those of the first embodiment (see FIGS. 1 to 3, 8, and 9), here. Description of is omitted.

図11には、第2の実施の形態に係る撮影部21の概略構成を示す断面図が示されている。   FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of the imaging unit 21 according to the second embodiment.

本実施の形態に係る撮影部21は、各画素74毎にTFT基板66にTFT70、蓄積容量68及びセンサ部72と電気的に接続するための電極190が形成され、放射線検出部62にセンサ部72及びセンサ部146が互いに重ならないように並列に形成されている。   In the imaging unit 21 according to the present embodiment, for each pixel 74, an electrode 190 is formed on the TFT substrate 66 for electrical connection with the TFT 70, the storage capacitor 68, and the sensor unit 72. 72 and the sensor unit 146 are formed in parallel so as not to overlap each other.

図12には、本実施の形態に係るTFT基板66の構成が概略的に示されている。   FIG. 12 schematically shows the configuration of the TFT substrate 66 according to the present embodiment.

TFT基板66は、各画素74毎に、放射線検出部62が配置される側の表面に上記電極190が形成され、電極190に移動した電荷を蓄積する蓄積容量68と、蓄積容量68に蓄積された電荷を電気信号に変換して出力するTFT70が形成されている。   In the TFT substrate 66, the electrode 190 is formed on the surface on the side where the radiation detection unit 62 is arranged for each pixel 74, and the storage capacitor 68 for storing the electric charge moved to the electrode 190 and the storage capacitor 68. A TFT 70 is formed that converts the generated charges into an electric signal and outputs the electric signal.

TFT70は、ゲート電極70A、ゲート絶縁膜65B、及び活性層(チャネル層)70Bが積層され、さらに、活性層70B上にソース電極70Cとドレイン電極70Dが所定の間隔を開けて形成されている。   In the TFT 70, a gate electrode 70A, a gate insulating film 65B, and an active layer (channel layer) 70B are stacked, and a source electrode 70C and a drain electrode 70D are formed on the active layer 70B at a predetermined interval.

また、本実施の形態に係るTFT基板66では、活性層70Bが非晶質酸化物により形成されている。活性層70Bを構成する非晶質酸化物としては、In、Ga及びZnのうちの少なくとも1つを含む酸化物(例えばIn−O系)が好ましく、In、Ga及びZnのうちの少なくとも2つを含む酸化物(例えばIn−Zn−O系、In−Ga系、Ga−Zn−O系)がより好ましく、In、Ga及びZnを含む酸化物が特に好ましい。In−Ga−Zn−O系非晶質酸化物としては、結晶状態における組成がInGaO(ZnO)(mは6未満の自然数)で表される非晶質酸化物が好ましく、特に、InGaZnOがより好ましい。 In the TFT substrate 66 according to the present embodiment, the active layer 70B is formed of an amorphous oxide. As the amorphous oxide constituting the active layer 70B, an oxide containing at least one of In, Ga, and Zn (for example, In—O-based) is preferable, and at least two of In, Ga, and Zn are used. An oxide containing In (for example, In—Zn—O, In—Ga, or Ga—Zn—O) is more preferable, and an oxide containing In, Ga, and Zn is particularly preferable. As the In—Ga—Zn—O-based amorphous oxide, an amorphous oxide whose composition in a crystalline state is represented by InGaO 3 (ZnO) m (m is a natural number less than 6) is preferable, and InGaZnO is particularly preferable. 4 is more preferable.

TFT70の活性層70Bを非晶質酸化物で形成したものとすれば、X線等の放射線を吸収せず、あるいは吸収したとしても極めて微量に留まるため、ノイズの発生を効果的に抑制することができる。   If the active layer 70B of the TFT 70 is formed of an amorphous oxide, it will not absorb radiation such as X-rays, or even if it absorbs it, it will remain extremely small, effectively suppressing the generation of noise. Can do.

ここで、TFT70の活性層70Bを構成する非晶質酸化物は、低温での成膜が可能である。従って、絶縁性基板64としては、半導体基板、石英基板、及びガラス基板等の耐熱性の高い基板に限定されず、プラスチック等の可撓性基板、アラミド、バイオナノファイバを用いることもできる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の可撓性基板を用いることができる。このようなプラスチック製の可撓性基板を用いれば、軽量化を図ることもでき、例えば持ち運び等に有利となる。なお、絶縁性基板64には、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、平坦性あるいは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を設けてもよい。   Here, the amorphous oxide constituting the active layer 70B of the TFT 70 can be formed at a low temperature. Therefore, the insulating substrate 64 is not limited to a highly heat-resistant substrate such as a semiconductor substrate, a quartz substrate, and a glass substrate, and a flexible substrate such as plastic, aramid, or bio-nanofiber can also be used. Specifically, flexible materials such as polyesters such as polyethylene terephthalate, polybutylene phthalate, polyethylene naphthalate, polystyrene, polycarbonate, polyethersulfone, polyarylate, polyimide, polycycloolefin, norbornene resin, poly (chlorotrifluoroethylene), etc. A conductive substrate can be used. If such a plastic flexible substrate is used, it is possible to reduce the weight, which is advantageous for carrying around, for example. The insulating substrate 64 includes an insulating layer for ensuring insulation, a gas barrier layer for preventing permeation of moisture and oxygen, an undercoat layer for improving flatness or adhesion to electrodes, and the like. May be provided.

アラミドは、200度以上の高温プロセスを適用できるために、透明電極材料を高温硬化させて低抵抗化でき、また、ハンダのリフロー工程を含むドライバICの自動実装にも対応できる。また、アラミドは、ITO(indium tin oxide)やガラス基板と熱膨張係数が近いため、製造後の反りが少なく、割れにくい。また、アラミドは、ガラス基板等と比べて薄く基板を形成できる。なお、超薄型ガラス基板とアラミドを積層して絶縁性基板64を形成してもよい。   Since aramid can be applied at a high temperature process of 200 ° C. or more, the transparent electrode material can be cured at a high temperature to reduce the resistance, and can also be used for automatic mounting of a driver IC including a solder reflow process. Moreover, since aramid has a thermal expansion coefficient close to that of ITO (indium tin oxide) or a glass substrate, warping after production is small and it is difficult to crack. In addition, aramid can form a substrate thinner than a glass substrate or the like. Note that the insulating substrate 64 may be formed by stacking an ultrathin glass substrate and aramid.

バイオナノファイバは、バクテリア(酢酸菌、Acetobacter Xylinum)が産出するセルロースミクロフィブリル束(バクテリアセルロース)と透明樹脂との複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅50nmと可視光波長に対して1/10のサイズで、かつ、高強度、高弾性、低熱膨である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸・硬化させることで、繊維を60−70%も含有しながら、波長500nmで約90%の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数(3−7ppm)を有し、鋼鉄並の強度(460MPa)、高弾性(30GPa)で、かつフレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて薄く絶縁性基板64を形成できる。   Bionanofiber is a composite of cellulose microfibril bundles (bacterial cellulose) produced by bacteria (Acetobacter Xylinum) and a transparent resin. The cellulose microfibril bundle has a width of 50 nm and a size of 1/10 of the visible light wavelength, and has high strength, high elasticity, and low thermal expansion. By impregnating and curing a transparent resin such as an acrylic resin or an epoxy resin in bacterial cellulose, a bio-nanofiber having a light transmittance of about 90% at a wavelength of 500 nm can be obtained while containing 60-70% of the fiber. Bionanofiber has a low coefficient of thermal expansion (3-7ppm) comparable to silicon crystals, and is as strong as steel (460MPa), highly elastic (30GPa), and flexible, compared to glass substrates, etc. A thin insulating substrate 64 can be formed.

図13(A)には、本実施の形態に係る撮影部21の各画素74におけるセンサ部72、TFT70、センサ部146の概略的な配置構成を示す平面図が示され、図13(B)には、撮影部21の各画素74におけるセンサ部72、TFT70、センサ部146の概略的な配置構成を示す断面図が示されている。なお、本実施の形態においても、図13(A)に示すように各画素74にセンサ部72及びセンサ部146は略同一の大きさで形成されているが、センサ部72及びセンサ部146の大きさ(受光面の面積)が異なってもよい。センサ部72は画像取得用であるため、高感度であることがこのましく、一方、センサ部146は放射線を検出できればよいため、必ずしも高感度である必要はない。従って、センサ部72の方がセンサ部146よりも受光面の面積が大きいことが好ましい。   13A is a plan view showing a schematic arrangement configuration of the sensor unit 72, the TFT 70, and the sensor unit 146 in each pixel 74 of the imaging unit 21 according to the present embodiment, and FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a schematic arrangement configuration of the sensor unit 72, the TFT 70, and the sensor unit 146 in each pixel 74 of the imaging unit 21. Also in this embodiment, as shown in FIG. 13A, the sensor portion 72 and the sensor portion 146 are formed in substantially the same size in each pixel 74, but the sensor portion 72 and the sensor portion 146 have the same size. The size (area of the light receiving surface) may be different. Since the sensor unit 72 is used for image acquisition, the sensor unit 72 is preferably highly sensitive. On the other hand, the sensor unit 146 is not necessarily required to have high sensitivity because it is only necessary to detect radiation. Therefore, it is preferable that the sensor unit 72 has a larger light receiving surface area than the sensor unit 146.

本実施の形態では、TFT基板66に、各画素74毎にTFT70が設けられ、放射線検出部62にセンサ部72及びセンサ部146が設けられており、TFT70部分の上部を覆うようにセンサ部146が配置されている。   In the present embodiment, a TFT 70 is provided for each pixel 74 on the TFT substrate 66, a sensor unit 72 and a sensor unit 146 are provided on the radiation detection unit 62, and the sensor unit 146 covers the upper part of the TFT 70 part. Is arranged.

センサ部72及びセンサ部146は、それぞれ有機光電変換材料を用いて液滴吐出装置(所謂、インクジェット装置)により成膜することにより、放射線検出部62の製造コストを低下させることができる。   The sensor part 72 and the sensor part 146 can reduce the manufacturing cost of the radiation detection part 62 by forming a film with a droplet discharge device (so-called inkjet device) using an organic photoelectric conversion material.

以上のように、本実施の形態によれば、センサ部72及びセンサ部146を有機光電変換材料を含んで構成し、放射線検出部62に形成することにより、センサ部72及びセンサ部146を低コストで形成することができる。   As described above, according to the present embodiment, the sensor unit 72 and the sensor unit 146 are configured to include the organic photoelectric conversion material and are formed in the radiation detection unit 62, thereby reducing the sensor unit 72 and the sensor unit 146. Can be formed at a cost.

また、本実施の形態によれば、TFT基板66にセンサ部72を形成しないため、TFT基板66の製造が容易となる。   Further, according to the present embodiment, since the sensor part 72 is not formed on the TFT substrate 66, the TFT substrate 66 can be easily manufactured.

以上、本発明を第1及び第2の実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記各実施の形態に記載の範囲には限定されない。発明の要旨を逸脱しない範囲で上記各実施の形態に多様な変更または改良を加えることができ、当該変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれる。   As mentioned above, although this invention was demonstrated using 1st and 2nd embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in each said embodiment. Various modifications or improvements can be added to the above-described embodiments without departing from the gist of the invention, and embodiments to which the modifications or improvements are added are also included in the technical scope of the present invention.

また、上記の実施の形態は、クレーム(請求項)にかかる発明を限定するものではなく、また実施の形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。前述した実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜の組み合わせにより種々の発明を抽出できる。実施の形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、効果が得られる限りにおいて、この幾つかの構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。   The above embodiments do not limit the invention according to the claims (claims), and all the combinations of features described in the embodiments are essential for the solution means of the invention. Is not limited. The embodiments described above include inventions at various stages, and various inventions can be extracted by appropriately combining a plurality of disclosed constituent elements. Even if some constituent requirements are deleted from all the constituent requirements shown in the embodiment, as long as an effect is obtained, a configuration from which these some constituent requirements are deleted can be extracted as an invention.

例えば、上記各実施の形態では、可搬型の放射線撮影装置である電子カセッテ32に本発明を適応した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、据置型の放射線撮影装置に適用してもよい。   For example, in each of the above embodiments, the case where the present invention is applied to the electronic cassette 32 which is a portable radiation imaging apparatus has been described. However, the present invention is not limited to this, and a stationary radiation imaging apparatus is provided. You may apply to.

また、上記各実施の形態では、放射線の照射開始と放射線の照射量を検出する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、放射線の照射終了の検出を行うものとしてもよい。放射線の照射終了は、図14に示すように、信号検出部162から入力する各センサ部146のデジタルデータの値を、予め定めた放射線検知用の所定のしきい値と比較し、しきい値未満となった否かにより検出でき、また、各センサ部146のデジタルデータの値を累計している場合、図15のT1に示すように、累計値の増加量が大きく減少する変曲点があった場合に照射終了と検出することもできる。   Moreover, although each said embodiment demonstrated the case where the irradiation start of a radiation and the irradiation amount of a radiation were detected, this invention is not limited to this. For example, the end of radiation irradiation may be detected. As shown in FIG. 14, the end of radiation irradiation is performed by comparing the digital data value of each sensor unit 146 input from the signal detection unit 162 with a predetermined threshold value for detecting radiation. If the value of the digital data of each sensor unit 146 is accumulated, as shown at T1 in FIG. 15, an inflection point at which the increase amount of the accumulated value decreases greatly is detected. In such a case, it can be detected that the irradiation has ended.

また、上記1実施の形態では、図7(A)に示すように各画素74にセンサ部72及びセンサ部146を重ならないように配置した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、センサ部72及びセンサ部146の一部が重なるものとしてもよい。すなわち、センサ部72及びセンサ部146は少なくとも一部が重ならないように形成されていればよい。   In the above-described one embodiment, the case where the sensor portion 72 and the sensor portion 146 are arranged so as not to overlap each pixel 74 as shown in FIG. 7A has been described, but the present invention is limited to this. It is not a thing. For example, the sensor unit 72 and the sensor unit 146 may partially overlap. That is, the sensor part 72 and the sensor part 146 should just be formed so that at least one part may not overlap.

また、上記各実施の形態では、図4、及び図11に示すように、シンチレータ71側が照射面56と対向するように撮影部21が筐体54内に配置して、照射面56を透過した放射線Xがシンチレータ71及び放射線検出部62を透過してTFT基板66に入射するようにした場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、TFT基板66側が照射面56と対向するように撮影部21を筐体54内に配置して、TFT基板66側から放射線Xが撮影部21に入射するようにしてもよい。   In each of the above embodiments, as shown in FIGS. 4 and 11, the imaging unit 21 is disposed in the housing 54 so that the scintillator 71 side faces the irradiation surface 56, and is transmitted through the irradiation surface 56. Although the case where the radiation X passes through the scintillator 71 and the radiation detection unit 62 and enters the TFT substrate 66 has been described, the present invention is not limited to this. For example, the imaging unit 21 may be arranged in the housing 54 so that the TFT substrate 66 side faces the irradiation surface 56, and the radiation X may enter the imaging unit 21 from the TFT substrate 66 side.

また、上記各実施の形態では、図4、及び図11に示すように、TFT基板66の一方の面側の放射線検出部62を設け、当該放射線検出部62上にシンチレータ71を貼り付けて撮影部21を構成した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、TFT基板66の一方の面に放射線検出部62を配置し、TFT基板66の他方の面にシンチレータ71を貼り付けて撮影部21を構成してもよい。この場合、シンチレータ71側、放射線検出部62側の何れが照射面56と対向するように撮影部21が筐体54内に配置してもよい。撮影部21は、シンチレータ71が貼り付けられた一方の面側から放射線が照射(表面照射)された場合、シンチレータ71の一方の面側(TFT基板66の反対側)でより強く発光し、放射線検出部62が設けられた他方の面側から放射線が照射(裏面照射)された場合、放射線検出部62及びTFT基板66を透過した放射線がシンチレータ71に入射してシンチレータ71のTFT基板66側がより強く発光する。TFT基板66に設けられた各センサ部72には、シンチレータ71で発生した光により電荷が発生する。このため、撮影部21は、他方の面側から放射線が照射された場合の方が一方の面側から放射線が照射された場合よりもTFT基板66に対するシンチレータ71の発光位置が近いため、撮影によって得られる放射線画像の分解能が高い。   In each of the above embodiments, as shown in FIGS. 4 and 11, the radiation detection unit 62 on one surface side of the TFT substrate 66 is provided, and the scintillator 71 is pasted on the radiation detection unit 62 to perform imaging. Although the case where the part 21 was comprised was demonstrated, this invention is not limited to this. For example, the imaging unit 21 may be configured by arranging the radiation detection unit 62 on one surface of the TFT substrate 66 and attaching the scintillator 71 to the other surface of the TFT substrate 66. In this case, the imaging unit 21 may be disposed in the housing 54 so that either the scintillator 71 side or the radiation detection unit 62 side faces the irradiation surface 56. The imaging unit 21 emits light more strongly on one surface side of the scintillator 71 (opposite side of the TFT substrate 66) when radiation is irradiated (surface irradiation) from the one surface side to which the scintillator 71 is attached. When radiation is irradiated (backside irradiation) from the other surface side where the detection unit 62 is provided, the radiation that has passed through the radiation detection unit 62 and the TFT substrate 66 is incident on the scintillator 71, and the TFT substrate 66 side of the scintillator 71 is more Emits strong light. Electric charges are generated by the light generated by the scintillator 71 in each sensor unit 72 provided on the TFT substrate 66. For this reason, the image capturing unit 21 is closer to the light emission position of the scintillator 71 with respect to the TFT substrate 66 when the radiation is irradiated from the other surface side than when the radiation is irradiated from the one surface side. The resolution of the obtained radiographic image is high.

また、上記各実施の形態では、図8に示すように、放射線検出部62の各配線160に複数のセンサ部146をそれぞれセンサグループ180として並列に接続し、センサグループ180毎に信号検出部162から入力するデジタルデータの値を累計する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、放射線検出部62に、
センサ部146に個別に接続する配線160を設けて信号検出部162において各配線160の電気信号をデジタルデータに変換するものとし、センサグループ180を構成する各センサ部162のデジタルデータの値を累計するものとしてもよい。
Further, in each of the above embodiments, as shown in FIG. 8, a plurality of sensor units 146 are connected in parallel as sensor groups 180 to the respective wirings 160 of the radiation detection unit 62, and the signal detection unit 162 for each sensor group 180. Although the case where the values of the digital data input from are accumulated is described, the present invention is not limited to this. For example, the radiation detector 62
The wiring 160 individually connected to the sensor unit 146 is provided, and the electric signal of each wiring 160 is converted into digital data in the signal detection unit 162, and the value of the digital data of each sensor unit 162 constituting the sensor group 180 is accumulated. It is good also as what to do.

また、上記各実施の形態では、放射線としてX線を検出することにより放射線画像を撮影する放射線撮影装置に本発明を適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、検出対象とする放射線は、X線の他や可視光、紫外線、赤外線、ガンマ線、粒子線等いずれであってもよい。   Moreover, although each said embodiment demonstrated the case where this invention was applied to the radiography apparatus which image | photographs a radiographic image by detecting an X-ray as a radiation, this invention is not limited to this. For example, the radiation to be detected may be X-rays, visible light, ultraviolet rays, infrared rays, gamma rays, particle rays, or the like.

その他、上記各実施の形態で説明した構成は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において、不要な部分を削除したり、新たな部分を追加したり、接続状態等を変更したりすることができることは言うまでもない。   In addition, the configuration described in each of the above embodiments is an example, and an unnecessary part is deleted, a new part is added, or a connection state is changed without departing from the gist of the present invention. It goes without saying that you can do it.

さらに、上記第1の実施の形態で説明した各種プログラムの処理の流れ(図10参照。)も一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において、不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ換えたりすることができることは言うまでもない。   Furthermore, the processing flow of the various programs described in the first embodiment (see FIG. 10) is also an example, and unnecessary steps may be deleted or new within the scope of the gist of the present invention. It goes without saying that steps can be added and the processing order can be changed.

21 撮影部
32 電子カセッテ
64 絶縁性基板(支持基板)
70 TFT(スイッチ素子)
71 シンチレータ(発光層)
72 センサ部(第1センサ部)
74 画素
92 カセッテ制御部
140 支持基板
146 センサ部(第2センサ部)
21 Imaging unit 32 Electronic cassette 64 Insulating substrate (supporting substrate)
70 TFT (switch element)
71 Scintillator (light emitting layer)
72 Sensor part (first sensor part)
74 pixels 92 cassette control unit 140 support substrate 146 sensor unit (second sensor unit)

Claims (6)

放射線画像を撮影する撮影領域に放射線が照射されることにより光を発生する発光層が設けられ、それぞれ光が照射されることにより電荷が発生する放射線画像撮影用の第1センサ部及び放射線検知用の第2センサ部が少なくとも一部が重ならないように形成された複数の画素が前記発光層と重なるようにマトリクス状に設けられた撮影部を備えた放射線撮影装置。   A light emitting layer that generates light when irradiated with radiation is provided in an imaging region for capturing a radiation image, and a first sensor unit for radiation image capturing and radiation detection that generate charges when irradiated with light, respectively. A radiation imaging apparatus comprising: an imaging unit provided in a matrix so that a plurality of pixels formed so that at least part of the second sensor unit does not overlap at least partially overlap the light emitting layer. 前記第2センサ部は、有機光電変換材料を含んで構成された
請求項1記載の放射線撮影装置。
The radiation imaging apparatus according to claim 1, wherein the second sensor unit includes an organic photoelectric conversion material.
前記撮影部の各画素は、前記第1センサ部に発生した電荷を読み出すためのスイッチ素子が設けられ、前記第1センサ部又は前記第2センサ部と前記スイッチ素子とが重なるように形成された
請求項1又は請求項2記載の放射線撮影装置。
Each pixel of the imaging unit is provided with a switch element for reading out electric charges generated in the first sensor unit, and is formed so that the first sensor unit or the second sensor unit and the switch element overlap each other. The radiation imaging apparatus according to claim 1 or 2.
前記第1センサ部及び前記スイッチ素子と前記2センサ部は、別な支持基板に前記第2センサ部と前記スイッチ素子とが重なるように形成された
請求項3記載の放射線撮影装置。
The radiation imaging apparatus according to claim 3, wherein the first sensor unit, the switch element, and the two sensor unit are formed so that the second sensor unit and the switch element overlap each other on a separate support substrate.
前記スイッチ素子と前記第1センサ部及び前記2センサ部は、別な支持基板に前記第2センサ部と前記スイッチ素子とが重なるように形成された
請求項3記載の放射線撮影装置。
The radiation imaging apparatus according to claim 3, wherein the switch element, the first sensor unit, and the second sensor unit are formed so that the second sensor unit and the switch element overlap each other on a separate support substrate.
前記第2センサ部による検出結果に基づいて放射線の照射開始、放射線の照射終了、及び放射線の照射量の少なくとも1つの検出を行う検出手段をさらに備えた
請求項1〜請求項5の何れか1項記載の放射線撮影装置。
The detector according to any one of claims 1 to 5, further comprising detection means for detecting at least one of radiation start, radiation end, and radiation dose based on a detection result by the second sensor unit. The radiation imaging apparatus according to the item.
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