JP2012073230A - Radiation imaging device and radiation imaging system - Google Patents
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Abstract
【課題】欠陥画素を設けずに、特定の領域に照射された放射線の検出を行うことができる放射線撮影装置、及び放射線撮影システムを提供する。
【解決手段】撮影領域に光を検出するセンサ部72を含む画素74が2次元状に設けられたTFT基板66の撮影領域に、放射線が照射された領域が発光するシンチレータ71を重なるように配置し、シンチレータ71のうち放射線の検出を行う検出対象領域172に導光部材170を配置し、導光部材170により検出対象領域で発生した光を検出する。
【選択図】図8A radiation imaging apparatus and a radiation imaging system capable of detecting radiation applied to a specific area without providing defective pixels.
A scintillator that emits light from a region irradiated with radiation is disposed so as to overlap an imaging region of a TFT substrate in which a pixel including a sensor section that detects light in the imaging region is two-dimensionally provided. Then, the light guide member 170 is disposed in the detection target region 172 in the scintillator 71 where radiation is detected, and the light generated in the detection target region is detected by the light guide member 170.
[Selection] Figure 8
Description
本発明は、放射線撮影装置、及び放射線撮影システムに係り、特に、放射線源から射出されて被検者を透過した放射線により示される放射線画像の撮影を行う放射線撮影装置、及び放射線撮影システムに関する。 The present invention relates to a radiation imaging apparatus and a radiation imaging system, and more particularly to a radiation imaging apparatus and a radiation imaging system that capture a radiation image indicated by radiation emitted from a radiation source and transmitted through a subject.
近年、TFT(Thin Film Transistor)アクティブマトリクス基板上に放射線感応層を配置し、X線などの放射線を直接デジタルデータに変換できるFPD(Flat Panel Detector)等の放射線検出器が実用化されており、この放射線検出器を用いて、照射された放射線により表わされる放射線画像を撮影する放射線撮影装置が実用化されている。この放射線検出器を用いた放射線撮影装置は、従来のX線フィルムやイメージングプレートを用いた放射線撮影装置に比べて、即時に画像を確認でき、連続的に放射線画像の撮影を行う透視撮影(動画撮影)も行うことができるといったメリットがある。 In recent years, radiation detectors such as FPD (Flat Panel Detector) that can arrange radiation sensitive layers on TFT (Thin Film Transistor) active matrix substrates and convert radiation such as X-rays directly into digital data have been put into practical use. A radiation imaging apparatus that takes a radiation image represented by irradiated radiation using this radiation detector has been put into practical use. The radiography apparatus using this radiation detector can see images immediately, compared with conventional radiography apparatuses using X-ray film or imaging plate, and radiographic imaging (moving image) (Photographing) can also be performed.
この種の放射線検出器は、種々のタイプのものが提案されており、例えば、放射線を一度CsI:Tl、GOS(Gd2O2S:Tb)などのシンチレータで光に変換し、変換した光をフォトダイオードなどのセンサ部で電荷に変換して蓄積する間接変換方式等がある。放射線撮影装置では、放射線検出器に蓄積された電荷を電気信号として読み出し、読み出した電気信号をアンプで増幅した後にA/D(アナログ/デジタル)変換部でデジタルデータに変換している。 Various types of radiation detectors of this type have been proposed. For example, radiation is once converted into light by a scintillator such as CsI: Tl or GOS (Gd2O2S: Tb), and the converted light is a photodiode or the like. There is an indirect conversion method in which the sensor unit converts the charges into charges and stores them. In the radiation imaging apparatus, the electric charge accumulated in the radiation detector is read as an electric signal, and the read electric signal is amplified by an amplifier and then converted into digital data by an A / D (analog / digital) converter.
ところで、放射線撮影装置では、放射線の照射の開始や終了、放射線の照射量を検出し、放射線を照射する放射線源の制御を行う技術が知られている。
例えば、特許文献1には、放射線検出器(固体撮像装置と記載)の横に放射線を検出する照射検出素子を設け、照射検出素子により放射線の出射の開始及び終了を検出して放射線検出器への電荷の蓄積、蓄積された電荷の読み出し制御する技術が開示されている。
By the way, in the radiation imaging apparatus, a technique is known in which the start and end of radiation irradiation, the amount of radiation irradiation is detected, and the radiation source for irradiating the radiation is controlled.
For example, Patent Document 1 includes an irradiation detection element that detects radiation next to a radiation detector (described as a solid-state imaging device), detects the start and end of radiation emission by the irradiation detection element, and then moves to the radiation detector. A technique for controlling the accumulation of electric charges and the reading of the accumulated electric charges is disclosed.
ところで、放射線画像の撮影では、通常、被検者やX線技師の被曝量を低減するために、放射線の照射領域を絞り、検査が必要な部分に放射線を照射する。 By the way, in radiographic image capturing, in order to reduce the exposure dose of the subject or the X-ray technician, the radiation irradiation region is usually narrowed down and the radiation that is necessary for the examination is irradiated.
このため、特許文献1のように放射線検出器の横に照射検出素子を設けた放射線撮影装置では、放射線の照射領域を絞った場合、照射検出素子でX線を十分に検出することができず、X線の照射を検知できずに画像取得ができないことがある。 For this reason, in a radiation imaging apparatus in which an irradiation detection element is provided beside the radiation detector as in Patent Document 1, when the radiation irradiation area is narrowed, X-rays cannot be sufficiently detected by the irradiation detection element. , X-ray irradiation may not be detected and image acquisition may not be possible.
そこで、特許文献2には、放射線検出器に設けられた複数の画素のうち一部を照射量検知用の画素として用いた放射線撮影装置が提案されている。 Therefore, Patent Document 2 proposes a radiation imaging apparatus in which some of a plurality of pixels provided in a radiation detector are used as pixels for detecting an irradiation amount.
また、特許文献3には、入射する放射線を光に変換するシンチレータと、光を電気信号に変換する複数の光電変換素子が2次元アレイ状に配置された光電変換素子基板とを具備した放射線撮影装置において、光電変換素子基板のシンチレータ側と反対側の面に導光板を配置し、導光板を介して光を検出する光検出器と、導光板を介して光を照射する光源とを設けた放射線撮影装置が提案されている。この特許文献3の放射線撮影装置では、シンチレータの光を導光板を介して光検出器で検出することにより、放射線の照射量を検出している。また、光電変換素子には、過去の放射線の照射履歴やバイアス印加履歴、光電変換素子内に残留した転送残りによる残留電荷、内部の欠陥にトラップされたトラップ電荷等に起因して暗電流が生じることがあり、素子特性が変化してしまい、そのため画像特性に悪影響を及ぼすといったことがある。その対策として、特許文献3の放射線撮影装置では、光電変換素子基板の各光電変換素子に導光板を介して光源からの光を照射することで、光電変換素子の特性を改善する光キャリブレーションを行っている。
Further,
特許文献2の放射線撮影装置は、放射線の照射範囲を絞った際も放射線の検知が可能であるが、撮影された画像において照射量検知用の画素部分は欠陥画素となり、画像補正が必要となる。 The radiation imaging apparatus of Patent Document 2 can detect radiation even when the radiation irradiation range is narrowed down. However, in the captured image, the pixel portion for detecting the irradiation amount becomes a defective pixel, and image correction is required. .
また、特許文献3の放射線撮影装置は、光電変換素子の光キャリブレーションを行うため、導光板が全面を覆うように配置されている必要があり、光検出器では導光板により全面から集積された光量を検出することしかできない。
In addition, the radiation imaging apparatus of
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、欠陥画素を設けずに、特定の領域に照射された放射線の検出を行うことができる放射線撮影装置、及び放射線撮影システムを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described facts, and an object thereof is to provide a radiation imaging apparatus and a radiation imaging system that can detect radiation applied to a specific region without providing defective pixels. And
上記目的を達成するために、請求項1に記載の放射線撮影装置は、撮影領域に光を検出するセンサ部を含む画素が2次元状に設けられた撮影パネルと、前記撮影領域に重なるように配置され、放射線が照射された領域が発光する発光層と、前記発光層のうち放射線の検出を行う検出対象領域に一部が配置され、当該検出対象領域で発生した光を導光する導光部材と、前記導光部材により導光された光を検出する光検出部と、を備えている。 In order to achieve the above object, the radiation imaging apparatus according to claim 1 is configured so that an imaging panel in which pixels including a sensor unit for detecting light are provided in an imaging area is provided in a two-dimensional manner and the imaging area. A light-emitting layer that is disposed and emits light from a region irradiated with radiation, and a light guide that is partially disposed in a detection target region that detects radiation in the light-emitting layer and guides light generated in the detection target region A member, and a light detection unit that detects light guided by the light guide member.
請求項1によれば、撮影パネルは、撮影領域に光を検出するセンサ部を含む画素が2次元状に設けられており、放射線が照射された領域が発光する発光層が撮影領域に重なるように配置されさている。 According to the first aspect of the present invention, the imaging panel is provided with pixels including a sensor unit for detecting light in a two-dimensional shape in the imaging region so that a light emitting layer emitting light from the region irradiated with radiation overlaps the imaging region. Is arranged.
そして、発光層のうち放射線の検出を行う検出対象領域に導光部材の一部が配置され、導光部材により検出対象領域で発生した光が導光され、光検出部によって、導光部材により導光された光が検出される。 And a part of light guide member is arrange | positioned in the detection object area | region which detects a radiation among light emitting layers, the light which generate | occur | produced in the detection object area | region is light-guided by the light guide member, and a light detection part by a light guide member The guided light is detected.
このように、請求項1に記載の発明によれば、撮影領域に光を検出するセンサ部を含む画素が2次元状に設けられた撮影パネルの撮影領域に放射線が照射された領域が発光する発光層を重なるように配置し、発光層のうち放射線の検出を行う検出対象領域に導光部材を配置し、導光部材により導光された光を検出するので、欠陥画素を設けずに、撮影領域のうち特定の領域に照射された放射線の検出を行うことができる。 As described above, according to the first aspect of the present invention, the region irradiated with radiation is emitted from the imaging region of the imaging panel in which pixels including the sensor unit for detecting light are provided in the imaging region in a two-dimensional manner. Since the light emitting layer is arranged so as to overlap, the light guide member is arranged in the detection target region for detecting radiation in the light emitting layer, and the light guided by the light guide member is detected. It is possible to detect radiation applied to a specific area in the imaging area.
なお、本発明は、請求項2記載の発明のように、前記検出対象領域が、複数設けられ、前記導光部材及び前記光検出部が、前記検出対象領域に対応して複数設けられてもよい。 In the present invention, as in the invention according to claim 2, a plurality of the detection target regions are provided, and a plurality of the light guide members and the light detection units are provided corresponding to the detection target regions. Good.
また、請求項2記載の発明は、請求項3記載の発明のように、前記撮影領域は、前記発光層で覆われていない露出部分が設けられ、少なくとも1つの前記導光部材が、前記撮影領域の前記露出部分に一部が配置されて当該露出部分に光を導光し、前記撮影パネルの前記露出部分の画素が前記光検出部として機能してもよい。 According to a second aspect of the present invention, as in the third aspect of the present invention, the photographing region is provided with an exposed portion that is not covered with the light emitting layer, and at least one of the light guide members is the photographing member. A part of the exposed portion of the region may be disposed to guide light to the exposed portion, and the pixel of the exposed portion of the photographing panel may function as the light detection unit.
また、請求項3記載の発明は、請求項4記載の発明のように、前記発光層の前記光検出部として機能する画素との対向面に遮光部材が設けられることが好ましい。 According to a third aspect of the present invention, as in the fourth aspect of the present invention, it is preferable that a light shielding member is provided on a surface of the light emitting layer facing the pixel functioning as the light detection unit.
また、請求項2〜請求項4記載の発明は、請求項5記載の発明のように、少なくとも1つの前記光検出部が、有機光電変換材料を含んで構成され、発光層の側面側に配置されてもよい。 Further, in the invention described in claim 2 to claim 4, as in the invention described in claim 5, at least one of the light detection parts is configured to include an organic photoelectric conversion material, and is disposed on the side surface side of the light emitting layer. May be.
また、請求項2〜請求項5記載の発明は、請求項6記載の発明のように、前記検出対象領域が、少なくとも2種類のサイズで設けられてもよい。
Further, in the invention described in claims 2 to 5, as in the invention described in
また、請求項2〜請求項6記載の発明は、請求項7記載の発明のように、前記検出対象領域は、撮影領域の中央部分及び周辺部分に少なくとも1つずつ設けられてもよい。 In the inventions according to claims 2 to 6, as in the invention according to claim 7, at least one of the detection target regions may be provided in a central portion and a peripheral portion of the imaging region.
また、本発明は、請求項8に記載の発明のように、前記光検出部による検出結果に基づいて放射線の照射開始、放射線の照射終了、及び放射線の照射量の何れかの検出を行う検出手段をさらに備えてもよい。 Further, according to the present invention, as in the invention described in claim 8, the detection is performed to detect any one of the radiation irradiation start, the radiation irradiation end, and the radiation irradiation amount based on the detection result by the light detection unit. Means may further be provided.
また、請求項1〜請求項8記載の発明は、請求項9に記載の発明のように、前記撮影パネルは光透過性を有し、前記発光層は前記撮影パネルを透過した放射線が入射するように配置され、前記導光部材は、前記撮影パネルを挟んで前記発光層の反対側に配置され、筐体の被照射面を形成する被照射面側部材と前記撮影パネルとの間に空隙が形成されるように、前記被照射面側部材と前記撮影パネルとに挟まれていてもよい。 Further, according to the first to eighth aspects of the present invention, as in the ninth aspect of the present invention, the imaging panel is light-transmitting, and radiation that has passed through the imaging panel is incident on the light emitting layer. The light guide member is disposed on the opposite side of the light emitting layer with the imaging panel interposed therebetween, and a gap is formed between the irradiated surface side member forming the irradiated surface of the housing and the imaging panel. May be sandwiched between the irradiated surface side member and the imaging panel.
また、請求項9記載の発明は、請求項10に記載の発明のように、前記発光層を挟んで前記撮影パネルの反対側に配置され、前記発光層側から入射された光を前記発光層側へ反射する第1反射部を更に備えていてもよい。 Further, according to a ninth aspect of the present invention, as in the tenth aspect of the present invention, the light incident on the light emitting layer side is arranged on the opposite side of the photographing panel with the light emitting layer interposed therebetween. You may further provide the 1st reflection part reflected to the side.
また、請求項1〜請求項8記載の発明は、請求項11に記載の発明のように、前記発光層は光透過性及び耐熱性を有する基板上に蒸着によって形成され、前記撮影パネルを透過した放射線が入射し、かつ前記基板が前記発光層を挟んで前記撮影パネルと反対側に位置するように配置され、前記導光部材は前記基板を挟んで前記発光層の反対側に配置されていてもよい。 Further, according to the first to eighth aspects of the present invention, as in the eleventh aspect of the present invention, the light emitting layer is formed by vapor deposition on a substrate having light transmittance and heat resistance, and is transmitted through the photographing panel. The radiation is incident, and the substrate is disposed on the opposite side of the photographing panel with the light emitting layer interposed therebetween, and the light guide member is disposed on the opposite side of the light emitting layer with the substrate interposed therebetween. May be.
また、請求項11記載の発明は、請求項12に記載の発明のように、前記基板と前記導光部材との間に配置され、前記発光層側から入射された光の一部を前記発光層側へ反射する第2の反射部を更に備えていてもよい。 Further, according to an eleventh aspect of the present invention, as in the twelfth aspect of the present invention, a part of the light that is disposed between the substrate and the light guide member and is incident from the light emitting layer side is emitted. You may further provide the 2nd reflection part reflected in the layer side.
また、請求項1〜請求項12に記載の発明は、請求項13に記載の発明のように、有機光電変換材料を含んで構成され、各々照射された光を検出する複数の第2センサ部が形成され、前記発光層又は前記撮影パネルに重なるように配置された検出パネルをさらに備えてもよい。 The invention according to claims 1 to 12 includes an organic photoelectric conversion material as in the invention according to claim 13, and a plurality of second sensor units for detecting each irradiated light. And a detection panel arranged so as to overlap the light emitting layer or the imaging panel.
また、請求項13記載の発明は、請求項14に記載の発明のように、前記撮影パネル及び前記発光層が、照射された放射線が前記撮影パネルを透過して前記発光層に入射するように配置され、前記検出パネルが、前記撮影パネルの前記発光層と反対側の面に配置されてもよい。 Further, according to a thirteenth aspect of the present invention, as in the fourteenth aspect of the present invention, the imaging panel and the light emitting layer are configured such that the irradiated radiation passes through the imaging panel and enters the light emitting layer. The detection panel may be disposed on a surface of the photographing panel opposite to the light emitting layer.
また、請求項13又は請求項14記載の発明は、請求項15に記載の発明のように、前記光検出部及び前記検出パネルを使い分けて放射線の照射開始、放射線の照射終了、及び放射線の照射量の何れかの検出を行う検出手段をさらに備えてもよい。
Further, in the invention of claim 13 or
一方、上記目的を達成するために、請求項16記載の放射線撮影システムは、撮影領域に光を検出するセンサ部を含む画素が2次元状に設けられた撮影パネルと、前記撮影領域に重なるように配置され、放射線が照射された領域が発光する発光層と、前記発光層のうち放射線の検出を行う検出対象領域に一部が配置され、当該検出対象領域で発生した光を導光する導光部材と、前記導光部材により導光された光を検出する光検出部と、前記光検出部による検出結果に基づいて放射線の照射開始、放射線の照射終了、及び放射線の照射量の何れかの検出を行う検出手段と、を有している。
On the other hand, in order to achieve the above object, the radiation imaging system according to
従って、本発明によれば、請求項1同様に作用するため、欠陥画素を設けずに、特定の領域に照射された放射線の検出を行うことができる。 Therefore, according to the present invention, since it operates in the same manner as in the first aspect, it is possible to detect radiation irradiated to a specific region without providing defective pixels.
本発明によれば、欠陥画素を設けずに、特定の領域に照射された放射線の検出を行うことができる、という効果が得られる。 According to the present invention, it is possible to detect radiation irradiated to a specific area without providing defective pixels.
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。なお、ここでは、本発明を、可搬型の放射線撮影装置(以下「電子カセッテ」ともいう。)を用いて放射線画像の撮影を行う放射線画像撮影システムに適用した場合の形態例について説明する。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Here, a description will be given of an example in which the present invention is applied to a radiation image capturing system that captures a radiation image using a portable radiation imaging apparatus (hereinafter also referred to as “electronic cassette”).
[第1の実施の形態]
まず、図1を参照して、本実施の形態に係る放射線情報システム(以下、「RIS(Radiology Information System)」と称する。)10の構成について説明する。
[First Embodiment]
First, the configuration of a radiation information system (hereinafter referred to as “RIS (Radiology Information System)”) 10 according to the present embodiment will be described with reference to FIG.
RIS10は、放射線科部門内における、診療予約、診断記録等の情報管理を行うためのシステムであり、病院情報システム(以下、「HIS(Hospital Information System)」と称する。)の一部を構成する。
The
RIS10は、複数台の撮影依頼端末装置(以下、「端末装置」と称する。)12、RISサーバ14、及び病院内の放射線撮影室(あるいは手術室)の個々に設置された放射線画像撮影システム(以下、「撮影システム」と称する。)18を有しており、これらが有線や無線のLAN(Local Area Network)等から成る病院内ネットワーク16に各々接続されて構成されている。なお、RIS10は、同じ病院内に設けられたHISの一部を構成しており、病院内ネットワーク16には、HIS全体を管理するHISサーバ(図示省略。)も接続されている。
The
端末装置12は、医師や放射線技師が、診断情報や施設予約の入力、閲覧等を行うためのものであり、放射線画像の撮影依頼や撮影予約もこの端末装置12を介して行われる。各端末装置12は、表示装置を有するパーソナル・コンピュータを含んで構成され、RISサーバ14と病院内ネットワーク16を介して相互通信が可能とされている。
The
一方、RISサーバ14は、各端末装置12からの撮影依頼を受け付け、撮影システム18における放射線画像の撮影スケジュールを管理するものであり、データベース14Aを含んで構成されている。
On the other hand, the
データベース14Aは、患者(被検者)の属性情報(氏名、性別、生年月日、年齢、血液型、体重、患者ID(Identification)等)、病歴、受診歴、過去に撮影した放射線画像等の患者に関する情報、撮影システム18で用いられる、後述する電子カセッテ32の識別番号(ID情報)、型式、サイズ、感度、使用可能な撮影部位(対応可能な撮影依頼の内容)、使用開始年月日、使用回数等の電子カセッテ32に関する情報、及び電子カセッテ32を用いて放射線画像を撮影する環境、すなわち、電子カセッテ32を使用する環境(一例として、放射線撮影室や手術室等)を示す環境情報を含んで構成されている。
撮影システム18は、RISサーバ14からの指示に応じて医師や放射線技師の操作により放射線画像の撮影を行う。撮影システム18は、放射線源130(図2も参照。)から曝射条件に従った線量とされた放射線X(図3も参照。)を被検者に照射する放射線発生装置34と、被検者の撮影部位を透過した放射線Xを吸収して電荷を発生し、発生した電荷量に基づいて放射線画像を示す画像情報を生成する放射線検出器60(図3も参照。)を内蔵する電子カセッテ32と、電子カセッテ32に内蔵されているバッテリを充電するクレードル40と、電子カセッテ32,放射線発生装置34,及びクレードル40を制御するコンソール42と、を備えている。
The
コンソール42は、RISサーバ14からデータベース14Aに含まれる各種情報を取得して後述するHDD110(図10参照。)に記憶し、当該情報に基づいて、電子カセッテ32、放射線発生装置34、及びクレードル40の制御を行う。
The
図2には、本実施の形態に係る撮影システム18の放射線撮影室44における各装置の配置状態の一例が示されている。
FIG. 2 shows an example of the arrangement state of each device in the
同図に示すように、放射線撮影室44には、立位での放射線撮影を行う際に用いられる立位台45と、臥位での放射線撮影を行う際に用いられる臥位台46とが設置されており、立位台45の前方空間は立位での放射線撮影を行う際の被検者の撮影位置48とされ、臥位台46の上方空間は臥位での放射線撮影を行う際の被検者の撮影位置50とされている。
As shown in the figure, the
立位台45には電子カセッテ32を保持する保持部150が設けられており、立位での放射線画像の撮影を行う際には、電子カセッテ32が保持部150に保持される。同様に、臥位台46には電子カセッテ32を保持する保持部152が設けられており、臥位での放射線画像の撮影を行う際には、電子カセッテ32が保持部152に保持される。
The standing
また、放射線撮影室44には、単一の放射線源130からの放射線によって立位での放射線撮影も臥位での放射線撮影も可能とするために、放射線源130を、水平な軸回り(図2の矢印A方向)に回動可能で、鉛直方向(図2の矢印B方向)に移動可能で、さらに水平方向(図2の矢印C方向)に移動可能に支持する支持移動機構52が設けられている。ここで、支持移動機構52は、放射線源130を水平な軸回りに回動させる駆動源と、放射線源130を鉛直方向に移動させる駆動源と、放射線源130を水平方向に移動させる駆動源を各々備えている(何れも図示省略。)。
Further, in the
一方、クレードル40には、電子カセッテ32を収納可能な収容部40Aが形成されている。
On the other hand, the
電子カセッテ32は、未使用時にはクレードル40の収容部40Aに収納された状態で内蔵されているバッテリに充電が行われ、放射線画像の撮影時には放射線技師等によってクレードル40から取り出され、撮影姿勢が立位であれば立位台45の保持部150に保持され、撮影姿勢が臥位であれば臥位台46の保持部152に保持される。
When the
ここで、本実施の形態に係る撮影システム18では、放射線発生装置34とコンソール42とをそれぞれケーブルで接続して有線通信によって各種情報の送受信を行うが、図2では、放射線発生装置34とコンソール42を接続するケーブルを省略している。また、電子カセッテ32とコンソール42との間は、無線通信によって各種情報の送受信を行う。なお、放射線発生装置34とコンソール42の間の通信も無線通信によって通信を行うものとしてもよい。
Here, in the
なお、電子カセッテ32は、立位台45の保持部150や臥位台46の保持部152で保持された状態のみで使用されるものではなく、その可搬性から、保持部に保持されていない状態で使用することもできる。
The
図3には、本実施の形態に係る電子カセッテ32の内部構成が示されている。
FIG. 3 shows an internal configuration of the
同図に示すように、電子カセッテ32は、放射線Xを透過させる材料からなる筐体54を備えており、防水性、密閉性を有する構造とされている。電子カセッテ32は、手術室等で使用されるとき、血液やその他の雑菌が付着するおそれがある。そこで、電子カセッテ32を防水性、密閉性を有する構造として、必要に応じて殺菌洗浄することにより、1つの電子カセッテ32を繰り返し続けて使用することができる。
As shown in the figure, the
筐体54の内部には、被検者を透過した放射線Xによる放射線画像を撮影する放射線検出器60が配設されている。
A
また、筐体54の内部の一端側には、マイクロコンピュータを含む電子回路及び充電可能で、かつ着脱可能なバッテリ96Aを収容するケース31が配置されている。放射線検出器60、及び電子回路は、ケース31に配置されたバッテリ96Aから供給される電力によって作動する。ケース31内部に収容された各種回路が放射線Xの照射に伴って損傷することを回避するため、ケース31の撮影面56側には鉛板等を配設しておくことが望ましい。なお、本実施の形態に係る電子カセッテ32は、撮影面56の形状が長方形とされた直方体とされており、その長手方向一端部にケース31が配置されている。
In addition, a
また、筐体54の外壁の所定位置には、‘レディ状態’,‘データ送信中’といった動作モード、バッテリ96Aの残容量の状態等の電子カセッテ32の動作状態を示す表示を行う表示部56Aが設けられている。なお、本実施の形態に係る電子カセッテ32では、表示部56Aとして、発光ダイオードを適用しているが、これに限らず、発光ダイオード以外の発光素子や、液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ等の他の表示手段としてもよい。
Further, at a predetermined position on the outer wall of the
図4には、本実施形態に係る放射線検出器60の構成を模式的に示した断面図が示されている。
FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the
放射線検出器60は、絶縁性基板64に薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor、以下「TFT」という)70、及び蓄積容量68が形成されたTFTアクティブマトリクス基板(以下、「TFT基板」という)66を備えている。
The
このTFT基板66上には、入射される放射線を光に変換するシンチレータ71が配置される。
On the
シンチレータ71としては、例えば、CsI:Tl、GOS(Gd2O2S:Tb)を用いることができる。なお、シンチレータ71は、これらの材料に限られるものではない。
As the
絶縁性基板64としては、光透過性を有し且つ放射線の吸収が少ないものであれば何れでもよく、例えば、ガラス基板、透明セラミック基板、光透過性の樹脂基板を用いることができる。なお、絶縁性基板64は、これらの材料に限られるものではない。
The insulating
TFT基板66には、シンチレータ71によって変換された光が入射されることにより電荷を発生するセンサ部72が形成されている。また、TFT基板66には、TFT基板66上を平坦化するための平坦化層67が形成されている。また、TFT基板66とシンチレータ71との間であって、平坦化層67上には、シンチレータ71をTFT基板66に接着するための接着層69が形成されている。
The
センサ部72は、上部電極72A、下部電極72B、及び該上下の電極間に配置された光電変換膜72Cを有している。
The
光電変換膜72Cは、シンチレータ71から発せられた光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する。光電変換膜72Cは、光が照射されることにより電荷を発生する材料により形成すればよく、例えば、アモルファスシリコンや有機光電変換材料などにより形成することができる。アモルファスシリコンを含む光電変換膜72Cであれば、幅広い吸収スペクトルを持ち、シンチレータ71による発光を吸収することができる。有機光電変換材料を含む光電変換膜72Cであれば、可視域にシャープな吸収スペクトルを持ち、シンチレータ71による発光以外の電磁波が光電変換膜72Cに吸収されることがほとんどなく、X線等の放射線が光電変換膜72Cで吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。
The
本実施の形態では、光電変換膜72Cに有機光電変換材料を含んで構成する。有機光電変換材料としては、例えばキナクリドン系有機化合物及びフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。例えばキナクリドンの可視域における吸収ピーク波長は560nmであるため、有機光電変換材料としてキナクリドンを用い、シンチレータ71の材料としてCsI(Tl)を用いれば、上記ピーク波長の差を5nm以内にすることが可能となり、光電変換膜72Cで発生する電荷量をほぼ最大にすることができる。この光電変換膜72Cとして適用可能な有機光電変換材料については、特開2009−32854号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。
In the present embodiment, the
図5には、本実施の形態に係るTFT基板66に形成されたTFT70及び蓄積容量68の構成が概略的に示されている。
FIG. 5 schematically shows the configuration of the
絶縁性基板64上には、下部電極72Bに対応して、下部電極72Bに移動した電荷を蓄積する蓄積容量68と、蓄積容量68に蓄積された電荷を電気信号に変換して出力するTFT70が形成されている。蓄積容量68及びTFT70の形成された領域は、平面視において下部電極72Bと重なる部分を有しており、このような構成とすることで、各画素部における蓄積容量68及びTFT70とセンサ部72とが厚さ方向で重なりを有することとなり、少なく面積で蓄積容量68及びTFT70とセンサ部72を配置できる。
On the insulating
蓄積容量68は、絶縁性基板64と下部電極72Bとの間に設けられた絶縁膜65Aを貫通して形成された導電性材料の配線を介して対応する下部電極72Bと電気的に接続されている。これにより、下部電極72Bで捕集された電荷を蓄積容量68に移動させることができる。
The
TFT70は、ゲート電極70A、ゲート絶縁膜65B、及び活性層(チャネル層)70Bが積層され、さらに、活性層70B上にソース電極70Cとドレイン電極70Dが所定の間隔を開けて形成されている。また、放射線検出器60では、活性層70Bが非晶質酸化物により形成されている。活性層70Bを構成する非晶質酸化物としては、In、Ga及びZnのうちの少なくとも1つを含む酸化物(例えばIn−O系)が好ましく、In、Ga及びZnのうちの少なくとも2つを含む酸化物(例えばIn−Zn−O系、In−Ga系、Ga−Zn−O系)がより好ましく、In、Ga及びZnを含む酸化物が特に好ましい。In−Ga−Zn−O系非晶質酸化物としては、結晶状態における組成がInGaO3(ZnO)m(mは6未満の自然数)で表される非晶質酸化物が好ましく、特に、InGaZnO4がより好ましい。
In the
TFT70の活性層70Bを非晶質酸化物で形成したものとすれば、X線等の放射線を吸収せず、あるいは吸収したとしても極めて微量に留まるため、ノイズの発生を効果的に抑制することができる。
If the
ここで、TFT70の活性層70Bを構成する非晶質酸化物や、光電変換膜72Cを構成する有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。従って、絶縁性基板64としては、半導体基板、石英基板、及びガラス基板等の耐熱性の高い基板に限定されず、プラスチック等の可撓性基板、アラミド、バイオナノファイバを用いることもできる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の可撓性基板を用いることができる。このようなプラスチック製の可撓性基板を用いれば、軽量化を図ることもでき、例えば持ち運び等に有利となる。なお、絶縁性基板64には、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、平坦性あるいは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を設けてもよい。
Here, both the amorphous oxide constituting the
アラミドは、200度以上の高温プロセスを適用できるために、透明電極材料を高温硬化させて低抵抗化でき、また、ハンダのリフロー工程を含むドライバICの自動実装にも対応できる。また、アラミドは、ITO(indium tin oxide)やガラス基板と熱膨張係数が近いため、製造後の反りが少なく、割れにくい。また、アラミドは、ガラス基板等と比べて薄く基板を形成できる。なお、超薄型ガラス基板とアラミドを積層して絶縁性基板64を形成してもよい。
Since aramid can be applied at a high temperature process of 200 ° C. or more, the transparent electrode material can be cured at a high temperature to reduce the resistance, and can also be used for automatic mounting of a driver IC including a solder reflow process. Moreover, since aramid has a thermal expansion coefficient close to that of ITO (indium tin oxide) or a glass substrate, warping after production is small and it is difficult to crack. In addition, aramid can form a substrate thinner than a glass substrate or the like. Note that the insulating
バイオナノファイバは、バクテリア(酢酸菌、Acetobacter Xylinum)が産出するセルロースミクロフィブリル束(バクテリアセルロース)と透明樹脂との複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅50nmと可視光波長に対して1/10のサイズで、かつ、高強度、高弾性、低熱膨である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸・硬化させることで、繊維を60−70%も含有しながら、波長500nmで約90%の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数(3−7ppm)を有し、鋼鉄並の強度(460MPa)、高弾性(30GPa)で、かつフレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて薄く絶縁性基板64を形成できる。
Bionanofiber is a composite of cellulose microfibril bundles (bacterial cellulose) produced by bacteria (Acetobacter Xylinum) and a transparent resin. The cellulose microfibril bundle has a width of 50 nm and a size of 1/10 of the visible light wavelength, and has high strength, high elasticity, and low thermal expansion. By impregnating and curing a transparent resin such as an acrylic resin or an epoxy resin in bacterial cellulose, a bio-nanofiber having a light transmittance of about 90% at a wavelength of 500 nm can be obtained while containing 60-70% of the fiber. Bionanofiber has a low coefficient of thermal expansion (3-7ppm) comparable to silicon crystals, and is as strong as steel (460MPa), highly elastic (30GPa), and flexible, compared to glass substrates, etc. A thin insulating
図6には、本実施の形態に係るTFT基板66の構成を示す平面図が示されている。
FIG. 6 is a plan view showing the configuration of the
TFT基板66には、上述のセンサ部72、蓄積容量68、TFT70と、を含んで構成される画素74が一定方向(図6の行方向)及び一定方向に対する交差方向(図6の列方向)に2次元状に複数設けられている。
The
また、TFT基板66には、一定方向(行方向)に延設され各TFT70をオン・オフさせるための複数本のゲート配線76と、交差方向(列方向)に延設されオン状態のTFT70を介して電荷を読み出すための複数本のデータ配線78が設けられている。
The
放射線検出器60は、平板状で平面視において外縁に4辺を有する四辺形状をしている。具体的には矩形状に形成されている。
The
本実施形態に係る放射線検出器60は、図4に示すように、このようなTFT基板66の表面にシンチレータ71が貼り付けられて形成される。
As shown in FIG. 4, the
シンチレータ71は、例えば、CsI:Tl等の柱状結晶で形成しようとする場合、蒸着基板73への蒸着によって形成される。このように蒸着によってシンチレータ71を形成する場合、蒸着基板73は、X線の透過率、コストの面からAlの板がよく使用され、蒸着の際のハンドリング性、自重による反り防止、輻射熱による変形等からある程度(数mm程度)の厚みが必要となる。なお、シンチレータ71としてGOSを用いる場合、蒸着基板73を用いずにTFT基板66の表面にGOSを塗布することにより、シンチレータ71を形成してもよい。
The
図7には、第1の実施形態に係る電子カセッテ32内部の放射線検出器60の配置構成を示す平面図が示され、図8には、第1の実施形態に係る電子カセッテ32内部の構成を示す側面図が示されている。なお、図8では、シンチレータ71を判別しやすくするため、実際よりも厚く図示している。また、図8では、TFT基板66の画素74が2次元状に複数設けられた撮影領域66Aを識別しやすくするため、撮影領域66Aを層として示している。
FIG. 7 is a plan view showing an arrangement configuration of the
図8に示すように、電子カセッテ32内部には、筐体54の撮影面56を構成する天板部分にTFT基板66側が天板側となるように放射線検出器60が貼付けられている。
As shown in FIG. 8, in the
放射線検出器60は、シンチレータ71が貼り付けられた一方の面側(図8の上方)から放射線が照射(表面照射)された場合、シンチレータ71の一方の面側(TFT基板66の反対側)でより強く発光し、他方の面側(図8の下方)から放射線が照射(裏面照射)された場合、放射線検出部62及びTFT基板66を透過した放射線がシンチレータ71に入射してシンチレータ71のTFT基板66側がより強く発光する。TFT基板66に設けられた各センサ部72には、シンチレータ71で発生した光により電荷が発生する。このため、撮影部21は、他方の面側から放射線が照射された場合の方が一方の面側から放射線が照射された場合よりもTFT基板66に対するシンチレータ71の発光位置が近いため、撮影によって得られる放射線画像の分解能が高い。
When the
このため、天板部分にTFT基板66側が天板側となるように放射線検出器60を貼付けることにより、高い分解能の放射線画像を撮影できる。
For this reason, a radiographic image with high resolution can be taken by attaching the
また、放射線検出器60は、図7に示すように、TFT基板66の画素74が2次元状に複数設けられた矩形状の撮影領域66Aよりもシンチレータ71が小さいサイズで形成されており、撮影領域66Aの周辺部にシンチレータ71で覆われていない露出部分が設けられている。
In the
シンチレータ71のTFT基板66側と反対側の面には、複数の導光部材170が配置されている。各導光部材170は、シンチレータ71上の、撮影領域66Aのうち放射線の検出を行う検出対象領域172に一部が接触し、他の一部がTFT基板66の撮影領域66Aの露出部分に接触するように形成されており、それぞれシンチレータ71の検出対象領域172部分の光をTFT基板66の撮影領域66Aの露出部分に導光する。なお、導光部材170から漏れた光がシンチレータ71に入射することを防止するため、シンチレータ71は、導光部材170と撮影領域66Aとの接触部分と対向する対向面に遮光部材71Aを設けるようにしてもよい。
A plurality of
なお、一般に導光部材はアクリルやその他の材料から成り、部材の表面のうち光が入射又は射出される部分以外の領域に、光の漏出を防止する特殊な加工を施した部材である。本第1の実施の形態において、導光部材170は、検出対象領域172に接触している部分から入射された光が、放射線検出器60と接触している部分へ導光され、放射線検出器60と接触している部分が面発光するように構成されている。
In general, the light guide member is made of acrylic or another material, and is a member that is subjected to special processing for preventing light leakage in a region other than a portion where light is incident or emitted on the surface of the member. In the first embodiment, the
ところで、撮影を行う場合、一般的に、撮影部位は矩形状の撮影領域66Aの中央に配置される。
By the way, when imaging is performed, the imaging region is generally arranged at the center of the
このため、本実施の形態では、図7に示すように、矩形状の撮影領域66Aの1つの対角線に沿ってそれぞれ所定の間隔で撮影領域66Aの中央部分を含む5箇所を検出対象領域172A〜172Eとしており、中央部分の検出対象領域172Cのサイズを他の検出対象領域172A、172B、172D、172Eよりも大きくして、中央部分の検出対象領域172Cにより放射線量を検出し、検出対象領域172A、172B、172D、172Eにより放射線の照射開始を検出する。
For this reason, in the present embodiment, as shown in FIG. 7,
図7に示すTFT基板66は、矢印A方向が不図示のデータ配線78の延設方向とされ、矢印B方向が不図示のゲート配線76の延設方向とされている。検出対象領域172Cの光を導く導光部材170Cは、放射線検出器60の撮影領域66Aの矢印A方向の一端側の露出部分に接触し、検出対象領域172A、172B、172D、172Eの光を導く導光部材170A、170B、170D、170Eは、放射線検出器60の撮影領域66Aの矢印A方向の他端側の露出部分に並んで接触している。
In the
TFT基板66の導光部材170A、170B、170D、170Eが接触する露出部分は、シンチレータ71で覆われていないが撮影領域66Aであるため画素74が設けられており、それらの画素74は、撮影領域66Aの矢印A方向の一端側及び他端側の所定本のゲート配線76に接続されている。
The exposed portions of the
図9には、第1の実施の形態に係る電子カセッテ32の電気系の要部構成を示すブロック図が示されている。
FIG. 9 is a block diagram showing the main configuration of the electrical system of the
放射線検出器60は、上述したように、センサ部72、蓄積容量68、TFT70を備えた画素74がマトリクス状に多数個配置されており、電子カセッテ32への放射線Xの照射に伴ってセンサ部72で発生された電荷は、個々の画素74の蓄積容量68に蓄積される。これにより、電子カセッテ32に照射された放射線Xに担持されていた画像情報は電荷情報へ変換されて放射線検出器60に保持される。
As described above, the
また、放射線検出器60の個々のゲート配線76はゲート線ドライバ80に接続されており、個々のデータ配線78は信号処理部82に接続されている。
The
本実施の形態に係るゲート線ドライバ80は、後述するカセッテ制御部92からの制御により、全てのゲート配線76に順にTFT70をオン状態とさせる制御信号を出力できる。これにより、放射線検出器60の各ゲート配線76に順に信号を出力して全ての画素74から蓄積されている電荷を読み出すことができる。個々の画素74の蓄積容量68に電荷が蓄積されると、個々の画素74のTFT70は、ゲート線ドライバ80からゲート配線76を介して供給される信号により行単位で順にオンされ、TFT70がオンされた画素74の蓄積容量68に蓄積されている電荷は、アナログの電気信号としてデータ配線78を伝送されて信号処理部82に入力される。従って、個々の画素74の蓄積容量68に蓄積されている電荷は行単位で順に読み出される。
The
また、本実施の形態に係るゲート線ドライバ80は、後述するカセッテ制御部92からの制御により、特定のゲート配線76に対してTFT70をオン状態とさせる制御信号を出力することも可能とされており、導光部材170Cが接触する撮影領域66Aの一端側の露出部分に設けられた各ゲート配線76や、導光部材170A、170B、170D、170Eが接触する撮影領域66Aの他端側の露出部分に設けられた各ゲート配線76に対して、TFT70をオン状態とさせる制御信号を個別に出力することができる。これにより、導光部材170Cが接触する領域の各画素74や、導光部材170A、170B、170D、170Eが接触する領域の各画素74から蓄積されている電荷を読み出すことも可能とされている。
In addition, the
信号処理部82は、個々のデータ配線78毎に設けられた増幅器及びサンプルホールド回路を備えており、個々のデータ配線78を伝送された電気信号は増幅器で増幅された後にサンプルホールド回路に保持される。また、サンプルホールド回路の出力側にはマルチプレクサ、A/D(アナログ/デジタル)変換器が順に接続されており、個々のサンプルホールド回路に保持された電気信号はマルチプレクサに順に(シリアルに)入力され、A/D変換器によってデジタルデータへ変換される。
The
信号処理部82には画像メモリ90が接続されており、信号処理部82のA/D変換器から出力されたデジタルデータは画像メモリ90に順に記憶される。画像メモリ90は複数フレーム分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、放射線検出器60の各画素74のデジタルデータが画像データとして画像メモリ90に順次記憶される。
An
画像メモリ90は電子カセッテ32全体の動作を制御するカセッテ制御部92と接続されている。カセッテ制御部92はマイクロコンピュータを含んで構成されており、CPU(中央処理装置)92A、ROM(Read Only Memory)及びRAM(Random Access Memory)を含むメモリ92B、HDD(ハードディスク・ドライブ)やフラッシュメモリ等からなる不揮発性の記憶部92Cを備えている。
The
また、カセッテ制御部92には無線通信部94が接続されている。本実施の形態に係る無線通信部94は、IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineers)802.11a/b/g等に代表される無線LAN(Local Area Network)規格に対応しており、無線通信による外部機器との間での各種情報の伝送を制御する。カセッテ制御部92は、無線通信部94を介してコンソール42と無線通信が可能とされており、コンソール42との間で各種情報の送受信が可能とされている。
A
また、電子カセッテ32には電源部96が設けられており、上述した各種回路や各素子(ゲート線ドライバ80、信号処理部82、画像メモリ90、無線通信部94、カセッテ制御部92等)は、電源部96から供給された電力によって作動する。電源部96は、電子カセッテ32の可搬性を損なわないように、前述したバッテリ(二次電池)96Aを内蔵しており、充電されたバッテリ96Aから各種回路や各素子へ電力を供給する。なお、図9では、電源部96と各種回路や各素子を接続する配線の図示を省略している。
The
図10には、本実施の形態に係るコンソール42及び放射線発生装置34の電気系の要部構成を示すブロック図が示されている。
FIG. 10 is a block diagram showing the main configuration of the electrical system of the
コンソール42は、サーバ・コンピュータとして構成されており、操作メニューや撮影された放射線画像等を表示するディスプレイ100と、複数のキーを含んで構成され、各種の情報や操作指示が入力される操作パネル102と、を備えている。
The
また、本実施の形態に係るコンソール42は、装置全体の動作を司るCPU104と、制御プログラムを含む各種プログラム等が予め記憶されたROM106と、各種データを一時的に記憶するRAM108と、各種データを記憶して保持するHDD110と、ディスプレイ100への各種情報の表示を制御するディスプレイドライバ112と、操作パネル102に対する操作状態を検出する操作入力検出部114と、を備えている。また、コンソール42は、接続端子42A及び通信ケーブル35を介して放射線発生装置34との間で後述する曝射条件等の各種情報の送受信を行う通信インタフェース(I/F)部116と、電子カセッテ32との間で無線通信により曝射条件や画像データ等の各種情報の送受信を行う無線通信部118と、を備えている。
The
CPU104、ROM106、RAM108、HDD110、ディスプレイドライバ112、操作入力検出部114、通信インタフェース部116、及び無線通信部118は、システムバスBUSを介して相互に接続されている。従って、CPU104は、ROM106、RAM108、HDD110へのアクセスを行うことができると共に、ディスプレイドライバ112を介したディスプレイ100への各種情報の表示の制御、通信I/F部116を介した放射線発生装置34との各種情報の送受信の制御、及び無線通信部118を介した放射線発生装置34との各種情報の送受信の制御を各々行うことができる。また、CPU104は、操作入力検出部114を介して操作パネル102に対するユーザの操作状態を把握することができる。
The
一方、放射線発生装置34は、放射線源130と、コンソール42との間で曝射条件等の各種情報を送受信する通信I/F部132と、受信した曝射条件に基づいて放射線源130を制御する線源制御部134と、を備えている。
On the other hand, the
線源制御部134もマイクロコンピュータを含んで構成されており、受信した曝射条件等を記憶する。このコンソール42から受信する曝射条件には管電圧、管電流の情報が含まれている。線源制御部134は、受信した曝射条件に基づいて放射線源130から放射線Xを照射させる。
The radiation
次に、本実施の形態に係る撮影システム18の作用を説明する。
Next, the operation of the
本実施の形態に係る撮影システム18は、1回ずつ撮影を行う静止画撮影と、連続的に撮影を行う透視撮影が可能とされており、撮影モードとして静止画撮影又は透視撮影が選択可能とされている。
The
端末装置12(図1参照。)は、放射線画像の撮影する場合、医師又は放射線技師からの撮影依頼を受け付ける。当該撮影依頼では、撮影対象とする患者、撮影対象とする撮影部位、撮影モードが指定され、管電圧、管電流などが必要に応じて指定される。 The terminal apparatus 12 (refer FIG. 1) receives the imaging request from a doctor or a radiographer, when imaging | photography of a radiographic image. In the imaging request, a patient to be imaged, an imaging region to be imaged, and an imaging mode are designated, and tube voltage, tube current, and the like are designated as necessary.
端末装置12は、受け付けた撮影依頼の内容をRISサーバ14に通知する。RISサーバ14は、端末装置12から通知された撮影依頼の内容をデータベース14Aに記憶する。
The
コンソール42は、RISサーバ14にアクセスすることにより、RISサーバ14から撮影依頼の内容及び撮影対象とする患者の属性情報を取得し、撮影依頼の内容及び患者の属性情報をディスプレイ100(図10参照。)に表示する。
The
撮影者は、ディスプレイ100に表示された撮影依頼の内容に基づいて放射線画像の撮影を開始する。
The photographer starts radiographic image capturing based on the content of the imaging request displayed on the
例えば、図2に示すように、臥位台46上に横臥した被検者の患部の撮影を行う際、臥位台46の保持部152に電子カセッテ32を配置する。
For example, as shown in FIG. 2, when photographing the affected part of the subject lying on the prone table 46, the
そして、撮影者は、操作パネル102に対して撮影モードとして静止画撮影又は透視撮影を指定し、さらに、操作パネル102に対して放射線Xを照射する際の管電圧及び管電流等を指定する。
Then, the photographer designates still image photographing or fluoroscopic photographing as the photographing mode for the
ここで、撮影システム18は、例えば、電子カセッテ32とコンソール42やコンソール42と放射線発生装置34との間を通信ケーブルで接続して有線通信で情報の送受信を行う場合、通信ケーブルによって装置のレイアウトに制限が発生するため、無線通信で情報の送受信を行う方が好ましい。しかし、このように無線通信で情報の送受信を行う場合、無線通信で互いに同期をとって撮影を行おうとした場合、無線通信での通信遅延が問題となる。
Here, for example, when the
また、放射線検出器60は、X線が照射されていない状態であっても暗電流等によってセンサ部72に電荷が発生して各画素74の蓄積容量68に電荷が蓄積される。
In the
このため、本実施の形態に係る電子カセッテ32では、放射線画像の撮影を行う際に、撮影領域66Aのうち、導光部材170A、170B、170D、170Eが接触する領域の画素74から蓄積されている電荷を繰り返し読み出して放射線の照射開始の検出を行い、放射線の照射開始を検出すると放射線検出器60の各画素74の蓄積容量68に蓄積された電荷を取り出して除去するリセット動作を行った後に撮影を開始する。
For this reason, in the
また、本実施の形態に係る撮影システム18では、撮影の際、撮影領域66Aのうち、導光部材170Cが接触する領域の画素74から蓄積されている電荷を繰り返し読み出して電子カセッテ32に照射された放射線量の検出を行い、検出された放射線量に基づいて放射線源130からの放射線の照射を制御する自動照射制御(所謂AEC(automatic exposure control))を行っている。具体的には、静止画撮影の場合、検出された放射線量が許容量となった場合に放射線源130からの放射線の照射終了及び放射線検出器60から画像の読み出しを開始し、透視撮影の場合、所定のフレームレートで連続的に撮影を行い、中央部分の検出対象領域172Cで検出された放射線量が許容量となった場合に放射線源130からの放射線の照射を終了する。静止画撮影の許容量は、撮影部位の放射線画像が鮮明に撮るための適切な線量であり、透視撮影の許容量は、被検者の被曝を適切な範囲内に抑えるための線量であり、それぞれ目的が異なる。
Further, in the
静止画撮影の許容量及び透視撮影の許容量は、それぞれ撮影の際に撮影者により操作パネル102から入力されもよい。また、撮影部位毎に、静止画撮影の許容量及び透視撮影の許容量を撮影部位別許容量情報としてHDD110に予め記憶しておき、撮影者が操作パネル102に対して撮影部位が指定を行い、撮影部位が指定された際に撮影部位別許容量情報から指定された撮影モード及び撮影部位に対応する許容量と得るものとしてもよい。また、透視撮影の許容量は、RISサーバ14のデータベース14Aに、患者毎に日別の被曝量を記憶しておき、RISサーバ14が所定期間(例えば、直近3ヶ月間)での被曝量の合計値から患者の許容される被曝量を求めて当該許容される被曝量を許容量としてコンソール42へ通知されるものとしてもよい。
The allowable amount of still image shooting and the allowable amount of fluoroscopic shooting may be input from the
コンソール42は、指定された管電圧、管電流を曝射条件として放射線発生装置34へ送信し、指定された撮影モード、管電圧、管電流、許容量を撮影条件として電子カセッテ32へ送信する。放射線発生装置34の線源制御部134は、コンソール42から曝射条件を受信すると、受信した曝射条件を記憶し、電子カセッテ32のカセッテ制御部92は、コンソール42から撮影条件を受信すると、受信した撮影条件を記憶部92Cに記憶する。
The
撮影者は、撮影準備完了すると、コンソール42の操作パネル102に対して撮影を指示する撮影指示操作を行う。
When the photographer completes preparation for photographing, the photographer performs a photographing instruction operation for instructing photographing on the
コンソール42は、操作パネル102に対して撮影開始操作が行なわれた場合、曝射開始を指示する指示情報を放射線発生装置34及び電子カセッテ32へ送信する。
When an imaging start operation is performed on the
放射線発生装置34は、コンソール42から受信した曝射条件に応じた管電圧、管電流で放射線の発生・射出を開始する。
The
電子カセッテ32のカセッテ制御部92は、曝射開始を指示する指示情報を受信すると、記憶部92Cに撮影条件として記憶された撮影モードに応じて撮影制御を行う。
When the
図11にはカセッテ制御部92のCPU92Aにより実行される撮影制御プログラムの処理の流れを示すフローチャートが示されている。なお、当該プログラムはメモリ92B(ROM)の所定の領域に予め記憶されている。
FIG. 11 is a flowchart showing a flow of processing of the photographing control program executed by the
同図のステップS10では、導光部材170A、170B、170D、170Eが接触する領域の各画素74から電荷を読み出す。
In step S10 in the figure, the charge is read from each
具体的には、ゲート線ドライバ80を制御してゲート線ドライバ80から導光部材170A、170B、170D、170Eが接触する撮影領域66Aの他端側の露出部分に設けられた各ゲート配線76にTFT70をオン状態とさせる制御信号を順に出力する。これにより、放射線検出器60では、撮影領域66Aの他端側の露出部分を通過するゲート配線76に接続された各画素74の蓄積容量68に蓄積された電荷が電気信号として各データ配線78に流れ出し、信号処理部82によりデジタルデータへ変換されて画像メモリ90に記憶される。
Specifically, the
電子カセッテ32は、撮影面56の何れかに放射線が照射されると、シンチレータ71の放射線が照射された領域において放射線が光に変換される。導光部材170A、170B、170D、170Eは、シンチレータ71の検出対象領域172A、172B、172D、172Eで変換された光を撮影領域66Aの周辺部にそれぞれ導光する。このため、導光部材170A、170B、170D、170Eが接触する領域の画素のデジタルデータの値により、検出対象領域172A、172B、172D、172Eでの放射線の検出を行うことができる。
When the
次のステップS12では、画像メモリ90に記憶されている各画素74のデジタルデータのうち、導光部材170A、170B、170D、170Eが接触する領域内の各画素74のデジタルデータを読み出し、読み出したデジタルデータの値を導光部材170A、170B、170D、170Eが接触する領域毎に合計する。すなわち、領域毎にソフトウェア的にビニングを行っている。このように、導光部材170A、170B、170D、170Eが接触する領域毎に各画素74のデジタルデータの値を合計することにより、放射線に対する感度が向上する。
In the next step S12, among the digital data of each
次のステップS14では、上記ステップS12で求めた導光部材170A、170B、170D、170Eが接触する領域毎のデジタルデータの合計値をそれぞれ予め定めた放射線検知用のしきい値と比較し、何れかがしきい値以上となった否かにより放射線の照射開始の検出を行っており、デジタルデータの合計値がしきい値以上となった場合は放射線の照射が開始されたものとしてステップS16へ移行し、デジタルデータの値がしきい値未満の場合はステップS10へ再度移行して、放射線の照射開始待ちを行う。
In the next step S14, the total value of the digital data for each region in contact with the
次のステップS16では、ゲート線ドライバ80を制御してゲート線ドライバ80から全てのゲート配線76にTFT70をオン状態とさせる制御信号を順次出力させ、各ゲート配線76に接続された各TFT70を1ラインずつ順にONさせて電荷の取り出しを行う。これにより、放射線検出器60では、1ラインずつ順に各画素74の蓄積容量68に蓄積された電荷が電気信号として各データ配線78に流れ出し、暗電流等によって各画素74の蓄積容量68に蓄積された電荷が除去される。
In the next step S <b> 16, the
次のステップS18では、記憶部92Cに記憶された撮影条件で撮影モードとして静止画撮影が指定されたか否かを判定し、肯定判定となった場合はステップS20へ移行し、否定判定の場合(撮影モードとして透視撮影が指定された場合)はステップS40へ移行する。
In the next step S18, it is determined whether still image shooting is designated as the shooting mode under the shooting conditions stored in the
ステップS20では、ゲート線ドライバ80を制御してゲート線ドライバ80から導光部材170Cが接触する撮影領域66Aの一端側の露出部分に設けられた各ゲート配線76にTFT70をオン状態とさせる制御信号を順に出力させ、その他の各ゲート配線76にTFT70をオフ状態とさせる制御信号を出力させる。これにより、放射線検出器60では、導光部材170Cが接触する領域を通過するゲート配線76に接続された各画素74の蓄積容量68に蓄積された電荷が電気信号として各データ配線78に流れ出し、信号処理部82によりデジタルデータへ変換されて画像メモリ90に記憶される。
In step S20, a control signal for controlling the
次のステップS22では、画像メモリ90に記憶されている各画素74のデジタルデータのうち、導光部材170Cが接触する領域内の各画素74のデジタルデータの値を合計する。
In the next step S22, among the digital data of each
次のステップS24では、上記ステップS22で求めた導光部材170Cが接触する領域内の各画素74のデジタルデータの合計値を累計する。この累計値は、検出対象領域172Cに照射された放射線量と見なすことができる。
In the next step S24, the total value of the digital data of each
次のステップS26では、上記ステップS22で求めた累計値が放射線の許容量に応じた値以上となったか否かを判定し、肯定判定となった場合はステップS28へ移行し、否定判定となった場合はステップS20へ移行する。 In the next step S26, it is determined whether or not the cumulative value obtained in step S22 is equal to or greater than the value according to the allowable amount of radiation. If the determination is affirmative, the process proceeds to step S28 and the determination is negative. If yes, the process proceeds to step S20.
ステップS28では、コンソール42に対して曝射終了を指示する指示情報を送信する。
In step S28, instruction information for instructing the end of exposure to the
コンソール42は電子カセッテ32から曝射終了を指示する指示情報を受信すると、曝射終了を指示する指示情報を放射線発生装置34へ送信する。放射線発生装置34は曝射終了を指示する指示情報を受信すると、放射線の照射を終了する。
When the
次のステップS30では、ゲート線ドライバ80を制御してゲート線ドライバ80から全てのゲート配線76に1ラインずつ順にオン信号を出力させる。
In the next step S <b> 30, the
放射線検出器60は、各ゲート配線76に接続された各TFT70を1ラインずつ順にオンされると、1ラインずつ順に各蓄積容量68に蓄積された電荷が電気信号として各データ配線78に流れ出す。各データ配線78に流れ出した電気信号は信号処理部82でデジタルの画像データに変換されて、画像メモリ90に記憶される。
In the
次のステップS32では、画像メモリ90に記憶された画像データをコンソール42へ送信し、処理を終了する。
In the next step S32, the image data stored in the
一方、ステップS40では、透視撮影のフレームレートに応じた撮影周期を求める。 On the other hand, in step S40, an imaging cycle corresponding to the perspective imaging frame rate is obtained.
次のステップS42では、ゲート線ドライバ80を制御してゲート線ドライバ80から導光部材170Cが接触する撮影領域66Aの一端側の露出部分に設けられた各ゲート配線76にTFT70をオン状態とさせる制御信号を順に出力させ、その他の各ゲート配線76にTFT70をオフ状態とさせる制御信号を出力させる。これにより、放射線検出器60では、導光部材170Cが接触する領域を通過するゲート配線76に接続された各画素74の蓄積容量68に蓄積された電荷が電気信号として各データ配線78に流れ出し、信号処理部82によりデジタルデータへ変換されて画像メモリ90に記憶される。
In the next step S42, the
次のステップS44では、画像メモリ90に記憶されている各画素74のデジタルデータのうち、導光部材170Cが接触する領域内の各画素74のデジタルデータの値を合計する。
In the next step S44, among the digital data of each
次のステップS46では、上記ステップS44で求めた導光部材170Cが接触する領域内の各画素74のデジタルデータの合計値を累計する。この累計値は、検出対象領域172Cに照射された放射線量と見なすことができる。
In the next step S46, the total value of the digital data of each
次のステップS48では、上記ステップS46で求めた累計値が放射線の許容量に応じた値以上となったか否かを判定し、肯定判定となった場合はステップS60へ移行し、否定判定となった場合はステップS50へ移行する。 In the next step S48, it is determined whether or not the cumulative value obtained in step S46 is greater than or equal to the value according to the allowable amount of radiation. If the determination is affirmative, the process proceeds to step S60, and the determination is negative. If yes, the process proceeds to step S50.
ステップS50では、前回、放射線検出器60の各画素74の電荷の読み出しを行ってから撮影周期以上の期間を経過したか否かを判定し、肯定判定となった場合はステップS52へ移行し、否定判定となった場合はステップS42へ移行する。
In step S50, it is determined whether or not a period equal to or longer than the imaging cycle has elapsed since the charge of each
次のステップS52では、ゲート線ドライバ80を制御してゲート線ドライバ80から1ラインずつ順に各ゲート配線76にオン信号を出力させる。
In the next step S52, the
これにより、放射線検出器60は、各ゲート配線76に接続された各TFT70を1ラインずつ順にオンされ、1ラインずつ順に各蓄積容量68に蓄積された電荷が電気信号として各データ配線78に流れ出す。各データ配線78に流れ出した電気信号は信号処理部82でデジタルの画像データに変換されて、画像メモリ90に記憶される。
As a result, the
次のステップS54では、画像メモリ90に記憶された放射線検出器60の各画素74のデジタルデータを画像データとしてコンソール42へ送信を行い、画像データの送信後、ステップS42へ移行する。
In the next step S54, the digital data of each
一方、ステップS60では、コンソール42に対して曝射終了を指示する指示情報を送信し、処理を終了する。
On the other hand, in step S60, the instruction information for instructing the end of exposure is transmitted to the
放射線発生装置34は、曝射終了を指示する指示情報を受信すると、放射線の発生・射出を終了する。なお、本実施の形態では、透視撮影中に、撮影領域の中央部分に設けられた検出対象領域172Cに照射された放射線量が許容量となった場合に、透視撮影を停止する場合について説明したが、コンソール42へ許容量を超えたことを通知して、コンソール42で警告を表示させるものとしてもよい。また、コンソール42が放射線発生装置34へ管電圧、管電流の少なくとも一方を低下させた曝射条件を送信して放射線発生装置34の放射線源130から照射される単位時間あたりの放射線量を低下させるようにしてもよい。
When receiving the instruction information for instructing the end of exposure, the
コンソール42は、電子カセッテ32から画像情報を受信すると、受信した画像情報に対してシェーディング補正などの各種の補正する画像処理を行ない、画像処理後の画像情報をHDD110に記憶する。
When the
HDD110に記憶された画像情報は、撮影した放射線画像の確認等のためにディスプレイ100に表示されると共に、RISサーバ14に転送されてデータベース14Aにも格納される。これにより、医師が撮影された放射線画像の読影や診断等を行うことが可能となる。
The image information stored in the
なお、検出対象領域172Cに照射された放射線量は、被検者の被曝量と見なすこともできる。このため、RISサーバ14のデータベース14Aに、患者毎に日別の被曝量を記憶させている場合、電子カセッテ32は、コンソール42を介してRISサーバ14へ送信してデータベース14Aに記憶させる。このように患者毎に日別の被爆量を記憶管理することにより、特定期間の総被爆量の把握が可能となる。また、被爆量と撮影条件とを併せてデータベース14Aに記憶させてもよい。この場合、電子カセッテ32が累計値(被爆量)をコンソール42に転送し、コンソール42が累計量(被爆量)と撮影条件を関連付けたデータとし、データベース14Bに記憶させる。このように被爆量と撮影条件とを併せて記憶した場合、データベース14Bの利用価値が一層高まる。
Note that the radiation dose irradiated to the
以上のように、本実施の形態によれば、撮影領域に光を検出するセンサ部72を含む画素74が2次元状に設けられたTFT基板66の撮影領域に放射線が照射された領域が発光するシンチレータ71を重なるように配置し、シンチレータ71のうち放射線の検出を行う検出対象領域172に導光部材170を配置し、導光部材170により検出対象領域で発生した光を検出するので、欠陥画素を設けずに、撮影領域のうち特定の領域に照射された放射線の検出を行うことができる。
As described above, according to the present embodiment, a region in which radiation is irradiated to the imaging region of the
また、本実施の形態によれば、導光部材170が検出対象領域172の光を放射線検出器60の撮影領域66Aの露出部分に導光し、撮影領域66Aの露出部分の画素74を検出対象領域172の光を検出する光検出部として機能させているので、光検出部を別途設けることなく、放射線の検出を行うことができる。
Further, according to the present embodiment, the
また、本実施の形態によれば、放射線検出器60の撮影領域66Aの中央部分の検出対象領域172Cの大きさを撮影領域66Aの周辺部分の検出対象領域172A、172B、172D、172Eよりも大きくしているので、撮影部位を透過した放射線量を精度よく検出できる。
Further, according to the present embodiment, the size of the
[第2の実施の形態]
次に、第2の実施の形態について説明する。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment will be described.
第2の実施の形態に係るRIS10、撮影システム18、電子カセッテ32、放射線検出器60の構成は、上記第1の実施の形態(図1〜図7、図10参照)と同一であるので、ここでの説明は省略する。
Since the configurations of the
図12には、第2の実施形態に係る電子カセッテ32内部の構成を示す側面図が示されている。なお、第1の実施の形態(図8)と同一部分については同一の符号を付して説明を省略する。
FIG. 12 is a side view showing the configuration inside the
本実施の形態に係る電子カセッテ32内部には、側面に光を検出する光検出部180が設けられている。光検出部180は、1チップのフォトダイオードとしてもよく、フォトトランジスタとしてもよく、また、有機光電変換材料を含んで構成されたセンサとしてもよい。本実施の形態では、光検出部180を有機光電変換材料を含んで構成されたセンサとする。
Inside the
このような有機光電変換材料を含んで構成された光検出部180は、薄く形成できるため、側面の小さな隙間に配置可能であり、低温で形成できるため、プラスチック等の可撓性基板にも形成できる。また、有機光電変換材料を含んで構成された光検出部180は、放射線による劣化が少なく性能が安定しており、落下衝撃にも強い。
Since the
導光部材170Cは、他端側が光検出部180に接触している。光検出部180は、導光部材170Cを介して検出対象領域172Cの光を検出する。
The other end side of the
図13には、第1の実施の形態に係る電子カセッテ32の電気系の要部構成を示すブロック図が示されている。なお、第1の実施の形態(図9)と同一部分については同一の符号を付して説明を省略する。
FIG. 13 is a block diagram showing the main configuration of the electrical system of the
光検出部180はカセッテ制御部92と接続されている。カセッテ制御部92は光検出部180による検出結果を把握することができる。
The
また、本実施の形態に係る電子カセッテ32では、撮影の際、導光部材170Cを介して光検出部180により検出対象領域172Cに照射された光を検出することにより、照射された放射線量を検出し、検出された放射線量に基づいて放射線源130からの放射線の照射を制御する自動照射制御を行っている。
Further, in the
図14には、第2の実施の形態に係る撮影制御プログラムの処理の流れを示すフローチャートが示されている。なお、第1の実施の形態(図11)と同一部分については同一の符号を付して説明を省略し、異なる部分については符号Aを付して説明をする。 FIG. 14 is a flowchart showing the flow of processing of the shooting control program according to the second embodiment. Note that the same parts as those of the first embodiment (FIG. 11) are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted, and different parts are denoted by reference numeral A for description.
ステップS20Aでは、ゲート線ドライバ80を制御してゲート線ドライバ80から各ゲート配線76にTFT70をオフ状態とさせる制御信号を出力させる。
In step S20A, the
ステップS22Aでは、光検出部180により光量の検出を行う。
In step S22A, the
ステップS24Aでは、上記ステップ21Aで検出された光量を累計する。この累計値は、被検者の被曝量と見なすことができる。 In step S24A, the amount of light detected in step 21A is accumulated. This cumulative value can be regarded as the exposure dose of the subject.
ステップS26Aでは、光量の累計値が許容量に応じた値以上となったか否かを判定し、肯定判定となった場合はステップS28へ移行し、否定判定となった場合はステップS22Aへ移行する。 In step S26A, it is determined whether or not the cumulative value of the light amount is equal to or larger than a value corresponding to the allowable amount. If the determination is affirmative, the process proceeds to step S28, and if the determination is negative, the process proceeds to step S22A. .
一方、ステップS42Aでは、ゲート線ドライバ80を制御してゲート線ドライバ80から各ゲート配線76にTFT70をオフ状態とさせる制御信号を出力させる。
On the other hand, in step S42A, the
ステップS44Aでは、光検出部180により光量の検出を行う。
In step S44A, the
ステップS46Aでは、上記ステップ21Aで検出された光量を累計する。 In step S46A, the amount of light detected in step 21A is accumulated.
ステップS48Aでは、光量の累計値が放射線の許容量に応じた値以上となったか否かを判定し、肯定判定となった場合はステップS60へ移行し、否定判定となった場合はステップS50Aへ移行する。 In step S48A, it is determined whether or not the cumulative value of the light amount is equal to or greater than a value corresponding to the allowable amount of radiation. If the determination is affirmative, the process proceeds to step S60, and if the determination is negative, the process proceeds to step S50A. Transition.
ステップS50Aでは、前回、放射線検出器60の各画素74の電荷の読み出しを行ってから撮影周期以上の期間を経過したか否かを判定し、肯定判定となった場合はステップS52へ移行し、否定判定となった場合はステップS44Aへ移行する。
In step S50A, it is determined whether or not a period equal to or longer than the imaging cycle has elapsed since the previous reading of the charge of each
また、ステップS54Aでは、画像メモリ90に記憶された放射線検出器60の各画素74のデジタルデータを画像データとしてコンソール42へ送信を行い、画像データの送信後、ステップS44Aへ移行する。
In step S54A, the digital data of each
以上のように、本実施の形態によれば、導光部材170が検出対象領域172の光を光検出部180に導光し、光検出部180により検出対象領域172の光を検出することにより、欠陥画素を設けずに、特定の領域に照射された放射線の検出を行うことができる。
As described above, according to the present embodiment, the
また、本実施の形態によれば、光検出部180を設けることにより、放射線検出器60を用いることなく、放射線の検出を行うことができる。
Further, according to the present embodiment, by providing the
[第3の実施の形態]
次に、第3の実施の形態について説明する。
[Third Embodiment]
Next, a third embodiment will be described.
第3の実施の形態に係るRIS10、撮影システム18、電子カセッテ32、放射線検出器60の構成は、上記第1の実施の形態(図1〜図7、図10参照)と同一であるので、ここでの説明は省略する。
Since the configurations of the
図15には、第3の実施形態に係る電子カセッテ32内部の構成を示す側面図が示されている。なお、第1の実施の形態(図8)と同一部分については同一の符号を付して説明を省略する。また、図15では、放射線検出部62の後述するセンサ部146が設けられた層を、センサ層62Aとして示している。
FIG. 15 is a side view showing the configuration inside the
本実施の形態に係る電子カセッテ32は、撮影領域66Aの中央部分の検出対象領域172Cに対応する導光部材170Cのみが設けられている。また、電子カセッテ32は、筐体54の内部の放射線検出器60のシンチレータ71側に放射線検出部62が配置されている。
The
図16には、本実施形態に係る放射線検出部62の構成を模式的に示した断面図が示されている。
FIG. 16 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the
放射線検出部62は、例えば、樹脂性の支持基板140上に、後述する配線160(図18)がパターニングされた配線層142及び絶縁層144が形成されており、その上に、放射線を検出するための複数のセンサ部146が形成されている。センサ部146は、上部電極147A、下部電極147B、及び該上下の電極間に配置された光電変換膜147Cを有している。光電変換膜147Cには、シンチレータ71によって変換された光が入射されることにより電荷を発生する。この光電変換膜147Cは、アモルファスシリコンを用いたPIN型、MIS型フォトダイオードよりも、上述の有機光電変換材料が含有された光電変換膜が好ましい。これは、PIN型フォトダイオードやMIS型フォトダイオードを用いた場合と比較して、製造コストの削減や、フレキシブル化への対応の点で有機光電変換材料が含有された光電変換膜を用いたほうが有利だからである。この放射線検出部62のセンサ部146は、放射線検出器60の各画素74に設けられたセンサ部72ほど細かく形成する必要はなく、放射線検出器60の数十から数百画素のサイズで形成すればよい。
In the
図17には、TFT基板66の撮影領域66Aに対する放射線検出部62のセンサ部146が設けられた領域を示す平面図が示されている。
FIG. 17 is a plan view showing a region where the
放射線検出部62には、筐体54の内部に配置した際にTFT基板66の撮影領域66Aの4隅の近傍となる位置に4つのセンサ部146が設けられている。各センサ部146は、同一サイズで形成されており、放射線に対して略同一の感度とされている。なお、本実施の形態では、センサ部146を4つとしているが、これに限定されるものではない。また、TFT基板66の撮影領域66Aの4隅の近傍となるようにセンサ部146を配置しているが、センサ部146の配置もこれに限定されるものではない。
The
図18には、第3の実施の形態に係る電子カセッテ32の電気系の要部構成を示すブロック図が示されている。なお、第1の実施の形態(図8)と同一部分については同一の符号を付して説明を省略する。
FIG. 18 is a block diagram showing a main configuration of the electrical system of the
放射線検出部62は、4つのセンサ部146が配置されている。また、放射線検出部62には、センサ部146とそれぞれ個別に接続された複数の配線160が設けられており、各配線160は信号検出部162に接続されている。
The
信号検出部162は、配線160毎に設けられた増幅器及びA/D変換器を備えており、カセッテ制御部92と接続されている。信号検出部162は、カセッテ制御部92からの制御により、所定の周期で各配線160のサンプリングを行って各配線160を伝送される電気信号をデジタルデータに変換し、変換したデジタルデータを順次、カセッテ制御部92へ出力する。
The
図19には、第3の実施の形態に係る撮影制御プログラムの処理の流れを示すフローチャートが示されている。なお、第1の実施の形態(図11)と同一部分については同一の符号を付して説明を省略し、異なる部分については符号Bを付して説明をする。 FIG. 19 is a flowchart showing the flow of processing of the shooting control program according to the third embodiment. Note that the same parts as those of the first embodiment (FIG. 11) are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted, and different parts are denoted by reference numeral B for description.
ステップS10Bでは、信号検出部162を制御して各配線160のサンプリングを開始させる。
In step S10B, the
これにより、信号検出部162は、所定の周期で各配線160のサンプリングを行って各配線160を伝送される電気信号をデジタルデータに変換し、変換したデジタルデータを順次、カセッテ制御部92へ出力する。
As a result, the
ここで、電子カセッテ32の撮影面56に撮影部位が配置された場合でも、撮影面56の撮影領域が全て撮影部位で覆われることは少なく、4隅の何れかの撮影部位で覆われない、所謂、素抜け領域となる。この素抜け領域は、放射線が撮影部位を透過しないため、高いエネルギーの放射線が照射される。放射線検出部62に設けられた各センサ部146には、放射線が照射されると電荷が発生し、特に素抜け領域内となったセンサ部146には、多くの電荷が発生する。発生した電荷は、それぞれ配線160に電気信号として流れ出す。
Here, even when the imaging part is arranged on the
ステップS14Bでは、信号検出部162から入力する各デジタルデータの値を予め定めた放射線検知用のしきい値と比較し、しきい値以上となった否かにより放射線の照射開始の検出を行っており、デジタルデータの値がしきい値以上となった場合は放射線の照射が開始されたものとしてステップS16へ移行し、デジタルデータの値がしきい値未満の場合はステップS14Bへ再度移行して、放射線の照射開始待ちを行う。
In step S14B, the value of each digital data input from the
以上のように、本実施の形態によれば、放射線検出部62をシンチレータ71に重ねて配置し、放射線検出部62の各センサ部146により光を検出することにより、欠陥画素を設けずに、特定の領域に照射された放射線の検出を行うことができる。
As described above, according to the present embodiment, the
また、本実施の形態によれば、放射線検出部62を設けることにより、放射線検出器60を用いることなく、放射線の検出を行うことができる。
Further, according to the present embodiment, by providing the
[第4の実施の形態]
次に、第4の実施の形態を説明する。なお、第4の実施の形態に係るRIS10、撮影システム18、電子カセッテ32の放射線検出器60の構成は、上記第1の実施の形態(図1〜図7、図10参照)と同一であるので、各部分に同一の符号を付して説明を省略し、以下、図29を参照し、本第4の実施の形態に係る電子カセッテ32の構成について、第1の実施の形態で説明した電子カセッテ32と異なる部分についてのみ説明する。
[Fourth Embodiment]
Next, a fourth embodiment will be described. The configurations of the
電子カセッテ32に設けられたシンチレータ71は発光波長域が可視光域(波長360nm〜830nm)であることが好ましく、放射線検出器60によってモノクロの放射線画像の撮影を可能とするためには、緑色の波長域を含んでいることがより好ましい。本第4の実施の形態に係る電子カセッテ32では、シンチレータ71として、X線照射時の発光スペクトルが420nm〜700nmにあるCsI(Tl)(タリウム賦活ヨウ化セシウム)を用いている。なお、CsI(Tl)の可視光域における発光ピーク波長は565nmである。
The
また、本第4の実施の形態では、図29に示すように、シンチレータ71を、放射線入射側(放射線検出器60側)に柱状結晶71Aを含む柱状結晶領域が形成され、放射線入射側と反対側に非柱状結晶71Bを含む非柱状結晶領域が形成された構成としている。なお、本第4の実施の形態に係るシンチレータ71は、柱状結晶71Aの平均径が柱状結晶71Aの長手方向に沿っておよそ均一とされており、柱状結晶71Aの先端部が粘着層120を介して放射線検出器60の表面に接着されている。また、シンチレータ71と蒸着基板73との間には、シンチレータ71側から入射された光の一部をシンチレータ71側へ反射し、残りを透過させる部分反射層122が設けられている。上記構成のシンチレータ71は、部分反射層122が形成された蒸着基板73にCsI(Tl)を蒸着させることで得られる。
In the fourth embodiment, as shown in FIG. 29, the
上記のように、シンチレータ71を柱状結晶領域及び非柱状結晶領域が形成された構成にすると共に、高効率の発光が得られる柱状結晶71Aから成る柱状結晶領域を放射線検出器60側に配置することで、シンチレータ71で発生された光は柱状結晶71A内を進行して放射線検出器60へ射出され、放射線検出器60側へ射出される光の拡散が抑制されることで、電子カセッテ32によって検出される放射線画像の鮮鋭度の低下が抑制される。また、シンチレータ71の深部(非柱状結晶領域)に到達した光も、非柱状結晶71B及び部分反射層122によって一部が放射線検出器60側へ反射されることで、放射線検出器60に入射される光の光量(シンチレータ71で発光された光の検出効率)が向上する。
As described above, the
なお、シンチレータ71の放射線入射側に位置する柱状結晶領域の厚みをt1とし、シンチレータ71の蒸着基板73側に位置する非柱状結晶領域の厚みをt2としたときに、t1とt2が下記の関係式を満たすことが好ましい。
0.01≦(t2/t1)≦0.25
When the thickness of the columnar crystal region located on the radiation incident side of the
0.01 ≦ (t2 / t1) ≦ 0.25
柱状結晶領域の厚みt1と非柱状結晶領域の厚みt2とが上記関係式を満たすことで、発光効率が高く光の拡散を防止する領域(柱状結晶領域)と、光を反射する領域(非柱状結晶領域)と、のシンチレータ71の厚み方向に沿った比率が好適な範囲となり、シンチレータ71の発光効率、シンチレータ71で発光された光の検出効率、及び、放射線画像の解像度が向上する。非柱状結晶領域の厚みt2が厚過ぎると発光効率の低い領域が増え、電子カセッテ32の感度の低下に繋がることから、(t2/t1)は0.02以上かつ0.1以下の範囲であることがより好ましい。
When the thickness t1 of the columnar crystal region and the thickness t2 of the non-columnar crystal region satisfy the above relational expression, a region that has high luminous efficiency and prevents light diffusion (columnar crystal region), and a region that reflects light (noncolumnar) The ratio of the
なお、シンチレータ71は柱状結晶領域と非柱状結晶領域が連続的に形成された構成であるが、例えば上記の非柱状結晶領域に代えて部分反射層122が設けられ、柱状結晶領域のみが形成された構成であってもよいし、他の構成であってもよい。本第4の実施の形態では、柱状結晶71Aの先端部が粘着層120を介して放射線検出器60の表面に接着されることで、一体化された状態の放射線検出器60、シンチレータ71及び蒸着基板73の外周が封止膜124によって被覆されている。
The
また、本第4の実施の形態に係る電子カセッテ32では、先に説明した第1の実施の形態に係る電子カセッテ32と同様に、蒸着基板73の裏面(シンチレータ71が形成された面と反対側の面)上の検出対象領域に導光部材170が設けられている。このため、本第4の実施の形態では、シンチレータ71から射出された光の一部が導光部材170に入射されるように、蒸着基板73として、耐熱性に加えて光透過性も有する基板を用いている。なお、導光部材170は、入射された光を、第1の実施の形態と同様に放射線検出器60の撮影領域66Aのうちシンチレータ71で覆われていない部分へ導光する構成、及び、第2の実施の形態と同様に光検出部180へ導光する構成、の何れであってもよい。
Further, in the
耐熱性及び光透過性を有する蒸着基板73に適用する材料としては、以下に列挙する材料が好適である。例えば透明ポリイミドフィルム(株式会社アイエスティ、”−150℃〜300℃に耐える高透明プラスチックフィルム”、[online]、[平成23年7月26日検索]、インターネット<URL:http://www.istcorp.jp/div_el_cpifl.htm>, <URL:http://www.kiis.or.jp/number1/pdf/10_rntHg.pdf>参照)が好適である。また、例えばUポリマー(PAR) (ユニチカ株式会社、” Uポリマーとは”、[online]、[平成23年7月26日検索]、インターネット<URL:http://www.unitika.co.jp/plastics/upolymer/index.html>参照)も好適である。また、例えばフレキシブルディスプレイ用透明プラスチック基板材料(OPS)(東ソー株式会社、”フレキシブルディスプレイ用透明プラスチック基板材料の開発”、[online]、[平成23年7月26日検索]、インターネット<URL:http://www.tosoh.co.jp/technology/report/pdfs/2006_03_02.pdf>参照)も好適である。また、例えば難燃性を有する無色透明なアラミド・フィルム(日経BP社、”ナノテク展「フレキシブル・ディスプレイの基板に使えます」,東レがハロゲンフリーで難燃性の無色透明なアラミド・フィルムを開発”、[online]、[平成23年7月26日検索]、インターネット<URL:http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20100210/180135/?ST=print>参照)も好適である。蒸着基板73に適用する材料は耐熱性及び光透過性を有する材料であればよく、上記以外の材料を適用することも可能であることは言うまでもない。
As materials applied to the
上記のように、蒸着基板73が光透過性を有していることで、シンチレータ71から射出された光の一部が部分反射層122、蒸着基板73を順に透過し、このうち検出対象領域を透過した光が導光部材170に入射される。これにより、検出対象領域を透過して導光部材170に入射された光が、導光部材170によって導光されて放射線検出器60又は光検出部180で検出されることで、検出対象領域に対応する特定領域に照射された放射線が検出されることになる。
As described above, since the
[第5の実施の形態]
次に、第5の実施の形態を説明する。なお、第5の実施の形態に係るRIS10、撮影システム18、電子カセッテ32の放射線検出器60の構成は、上記第1の実施の形態(図1〜図7、図10参照)と同一であるので、各部分に同一の符号を付して説明を省略し、以下、図30を参照し、本第5の実施の形態に係る電子カセッテ32の構成について、第4の実施の形態で説明した電子カセッテ32と異なる部分についてのみ説明する。
[Fifth Embodiment]
Next, a fifth embodiment will be described. The configurations of the
図30に示すように、本第5の実施の形態に係るシンチレータ71は、第4の実施の形態と同様に、放射線入射側(放射線検出器60側)に柱状結晶領域が形成され、放射線入射側と反対側に非柱状結晶領域が形成されている。また、本第5の実施の形態に係る電子カセッテ32では、導光部材170が放射線検出器60を挟んでシンチレータ71と反対側に設けられており、シンチレータ71から射出された光の一部を蒸着基板を挟んで反対側へ射出させる必要はない。
As shown in FIG. 30, in the
このため、本第5の実施の形態では、シンチレータ71が形成される蒸着基板128として、耐熱性を有し、また光透過性を有しない代りに低コストの材料(例えばアルミニウムが好適である)を適用した基板を用いている。また、本第5の実施の形態では、第4の実施の形態で説明した部分反射層122に代えて、シンチレータ71の非柱状結晶領域を透過した光を放射線検出器60側へ反射する全反射層126を設けている。これにより、放射線検出器60に入射される光の光量(シンチレータ71で発光された光の検出効率)が更に向上する。
For this reason, in the fifth embodiment, as the
なお、本第5の実施の形態においても、柱状結晶71Aの先端部が粘着層120を介して放射線検出器60の表面に接着されることで、一体化された状態の放射線検出器60、シンチレータ71及び蒸着基板128の外周が封止膜124によって被覆されている。
Also in the fifth embodiment, the tip of the
また、本第5の実施の形態に係る電子カセッテ32では、放射線検出器60の裏面(放射線検出器60を挟んでシンチレータ71と反対側の面)上の複数箇所に導光部材170が各々取り付けられている。このため、本第5の実施の形態において、放射線検出器60は光透過性を有するように構成されている(例えば絶縁性基板64として、光透過性を有し放射線の吸収が少ないガラス基板、透明セラミック基板、光透過性の樹脂基板を用いる等)。これにより、本第5の実施の形態では、シンチレータ71から射出された光の一部が放射線検出器60を透過して導光部材170に入射される。
In the
なお、導光部材170は、入射された光を、第1の実施の形態と同様に放射線検出器60の撮影領域66Aのうちシンチレータ71で覆われていない部分へ導光する構成、及び、第2の実施の形態と同様に光検出部180へ導光する構成、の何れであってもよい。これにより、放射線検出器60のを透過して個々の導光部材170に入射された光が、個々の導光部材170によって導光されて放射線検出器60又は光検出部180で検出されることで、放射線の照射が検出される。
The
また、放射線検出器60の裏面に取り付けられた個々の導光部材170は、放射線検出器60に取り付けられた面と反対側の面が、撮影面56を形成するケース31の天板31Aの裏面(撮影面56と反対側の面)に接着層136を介して接着されている。これにより、放射線検出器60は導光部材170を介して天板31Aの裏面に貼り付けられている。上記のように、シンチレータ71を接着した放射線検出器60を天板31Aの裏面に貼付した場合、放射線画像の撮影時には、患者(被検者)の体の重みが放射線検出器60を介してシンチレータ71に荷重として加わることになる。
In addition, each
これに対し、本第5の実施の形態では、天板31Aと放射線検出器60との間の複数箇所に導光部材170が設けられている。これにより、放射線画像の撮影時には、放射線検出器60との間に導光部材170が設けられていない部分の天板31Aが患者(被検者)の体の重みによって僅かに撓むことで、シンチレータ71に加わる荷重が軽減される。従って、シンチレータ71に加わる荷重によってシンチレータ71の柱状結晶領域に破損等が生ずることが未然に防止される。
In contrast, in the fifth embodiment,
また、放射線検出器60を天板31Aの裏面に貼付した場合、放射線画像の撮影時には、患者(被検者)の体温が放射線検出器60に伝導する。ここで、放射線検出器60の絶縁性基板64を熱伝導率の低いガラス基板で構成した場合、放射線検出器60に温度むらが生じ、温度に依存して変化するセンサ部72の暗電流のむらが生じることで、放射線画像の画質にむらが生じるという問題が生ずる。
Further, when the
これに対し、本第5の実施の形態では、天板31Aと放射線検出器60との間の複数箇所に導光部材170が設けられており、天板31Aと放射線検出器60との間に間隙が形成されている。これにより、天板31Aと放射線検出器60との間に存在する導光部材170及び間隙によって、天板31A側から伝導する熱が拡散し、放射線検出器60の温度むらが低減されることで、放射線画像の画質のむらも著しく抑制される。
In contrast, in the fifth embodiment,
なお、上述した第4及び第5の実施の形態において、第3の実施の形態で説明した放射線検出部62を更に設けてもよい。この場合、第3の実施の形態と同様に、放射線検出部62によって放射線の照射開始を検出し、導光部材170によって導光される光によって累積放射線量を検出してもよい。また、導光部材170によって導光される光によって放射線の照射開始を検出し、放射線検出部62によって累積放射線量を検出してもよい。
In addition, in the 4th and 5th embodiment mentioned above, you may further provide the
以上、本発明を第1〜第5の実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記各実施の形態に記載の範囲には限定されない。発明の要旨を逸脱しない範囲で上記各実施の形態に多様な変更または改良を加えることができ、当該変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれる。 As mentioned above, although this invention was demonstrated using the 1st-5th embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in each said embodiment. Various modifications or improvements can be added to the above-described embodiments without departing from the gist of the invention, and embodiments to which the modifications or improvements are added are also included in the technical scope of the present invention.
また、上記の実施の形態は、クレーム(請求項)にかかる発明を限定するものではなく、また実施の形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。前述した実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜の組み合わせにより種々の発明を抽出できる。実施の形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、効果が得られる限りにおいて、この幾つかの構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。 The above embodiments do not limit the invention according to the claims (claims), and all the combinations of features described in the embodiments are essential for the solution means of the invention. Is not limited. The embodiments described above include inventions at various stages, and various inventions can be extracted by appropriately combining a plurality of disclosed constituent elements. Even if some constituent requirements are deleted from all the constituent requirements shown in the embodiment, as long as an effect is obtained, a configuration from which these some constituent requirements are deleted can be extracted as an invention.
例えば、上記各実施の形態では、可搬型の放射線撮影装置である電子カセッテ32に本発明を適応した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、据置型の放射線撮影装置に適用してもよい。
For example, in each of the above embodiments, the case where the present invention is applied to the
また、上記各実施の形態では、放射線の照射開始と放射線の照射量を検出する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、放射線の照射終了の検出を行うものとしてもよい。放射線の照射終了は、図20(A)に示すように、導光部材170A、170B、170D、170Eが接触する領域毎のデジタルデータの合計値や、信号検出部162から入力する各センサ部146のデジタルデータの値を予め定めた放射線検知用のしきい値と比較し、しきい値未満となった否かにより検出できる。なお、図20(B)に示すように、照射開始と照射終了の検出でしきい値を異ならせてもよい。図20(B)では、照射開始のしきい値を照射終了のしきい値よりも大きくているが、照射開始のしきい値を照射終了のしきい値よりも小さくしてもよい。このように照射開始と照射終了の検出にヒステリシス性を持たせることにより、ノイズの影響等を抑えて照射開始や照射終了の検出をことができる。例えば、照射線が照射されることによりセンサ部72やセンサ部146に電荷が発生するが、センサ部72やセンサ部146内で発生した電荷の一部が一時的にトラップされ、放射線の照射終了後もセンサ部72やセンサ部146からトラップされた電荷が配線160に電気信号として流れ出す場合、照射終了のしきい値を大きくすることにより、照射終了をすみやかに検出できる。
Moreover, although each said embodiment demonstrated the case where the irradiation start of a radiation and the irradiation amount of a radiation were detected, this invention is not limited to this. For example, the end of radiation irradiation may be detected. As shown in FIG. 20A, the end of radiation irradiation is the total value of digital data for each region that the
また、図21のT1に示すように、累計値の増加量が大きく減少する変曲点があった場合に照射終了と検出することもできる。 Further, as shown at T1 in FIG. 21, the end of irradiation can be detected when there is an inflection point at which the increase amount of the cumulative value greatly decreases.
また、上記第1の実施の形態では、図7に示すように、撮影領域66Aよりも小さいサイズのシンチレータ71を撮影領域66Aの中央に配置し、検出対象領域172Cの光を導く導光部材170Cを撮影領域66Aの矢印A方向の一端側の露出部分に接触させ、検出対象領域172A、172B、172D、172Eの光を導く導光部材170A、170B、170D、170Eを撮影領域66Aの矢印A方向の他端側の露出部分に並んで接触させた場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、図22に示すように、撮影領域66Aよりも小さいサイズのシンチレータ71を撮影領域66Aの矢印A方向の一端側に寄せて配置し、中央部分の検出対象領域172Cの光を導く導光部材170Cと、検出対象領域172A、172B、172D、172Eの光を導く導光部材170A、170B、170D、170Eとをそれぞれ撮影領域66Aの矢印A方向の他端側の露出部分に並んで接触させてよい。これにより、矢印A方向の他端側の露出部分に設けられた各ゲート配線76にTFT70をオン状態とさせる制御信号を順に出力することにより、検出対象領域172A〜172Eでの放射線の検出を行うことができる。
In the first embodiment, as shown in FIG. 7, a
また、上記各実施の形態では、放射線画像を読み出す際、撮影領域66Aの露出部分に設けられたゲート配線76も含めて全てのゲート配線76に順に全てのゲート配線76に1ラインずつ順にオン信号を出力させる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、露出部分を除いた各ゲート配線76に1ラインずつ順にオン信号を出力させるようにしてもよい。このような場合、例えば、ゲート線ドライバ80とは別に、露出部分に設けられたゲート配線76を制御するゲート線ドライバを設けてもよい。
In each of the above embodiments, when the radiation image is read, the ON signal is sequentially applied to all the gate wirings 76 in order, including all the gate wirings 76 including the
また、上記各実施の形態では、撮影領域66Aの一端側及び他端側の露出部分に設けられた各ゲート配線76に1ラインずつオン信号を順に出力する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、検出対象領域172A、172B、172D、172Eでの放射線の検出を行う場合は、撮影領域66Aの他端側の露出部分に設けられた各ゲート配線76に同時にオン信号を出力し、検出対象領域172Cでの放射線の検出を行う場合は、撮影領域66Aの一端側の露出部分に設けられた各ゲート配線76に同時にオン信号を出力するようにしてもよい。複数のゲート配線76に同時にオン信号を出力された場合、オン信号が流れる複数のゲート配線76で各画素74のTFT70をオン状態となり、各データ配線78に複数の画素74の蓄積容量68に蓄積された電荷がまとめて電気信号として流れるため、アナログ的にビニングが行われることとなる。
In each of the above-described embodiments, the case where the ON signal is sequentially output to each
また、上記第3の実施の形態では、図15に示すように、撮影領域66Aの中央部分の検出対象領域172Cに対応する導光部材170Cのみを設け、撮影領域66Aの周辺部分の放射線を放射線検出部62により検出する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、図23に示すように、撮影領域66Aの周辺部分の検出対象領域172Aに対応する導光部材170Aのみを設け、撮影領域66Aの中央部分の放射線を放射線検出部62により検出するものとしてもよい。この放射線検出部62は、放射線検出器60が光透過性を有する場合、図24、図25に示すように、シンチレータ71と反対側の面に配置してもよい。放射線検出部62は、放射線検出器60を透過したシンチレータ71の光を検出する。センサ部146は有機光電変換材料が含有された光電変換膜で形成することにより、放射線検出部62のセンサ部146での放射線の吸収を抑えることができる。
Further, in the third embodiment, as shown in FIG. 15, only the
また、上記第1の実施の形態では、検出対象領域172を5つ設けた場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。また、検出対象領域172の配置についても本発明はこれに限定されるものではなく、撮影領域の中央部及び周辺部の少なくとも1つずつ配置されていればよい。
In the first embodiment, the case where five
また、上記では、電子カセッテ32のカセッテ制御部92において放射線の照射開始、放射線の照射終了、及び放射線の照射量の検出を行う場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、カセッテ制御部92が信号検出部162から入力するデジタルデータを随時コンソール42へ送信するものとし、コンソール42において放射線の照射開始、放射線の照射終了、及び放射線の照射量の検出を行うものとしてもよい。
In the above description, the case where the
また、上記第3の実施の形態では、放射線検出部62にセンサ部146を4つ設けた場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。また、センサ部146の配置についても本発明はこれに限定されるものではなく、撮影領域の中央部及び周辺部の少なくとも1つずつ配置されていればよい。例えば、図26に示すように、センサ部146を撮影領域にマトリクス状に配置してもよい。図26では、センサ部146を4×5のマトリクス状に配置した例を示している。
In the third embodiment, the case where four
また、上記各実施の形態では、例えば、図7に示すように、撮影領域66Aよりもシンチレータ71が小さいサイズで形成して撮影領域66Aの周辺部にシンチレータ71で覆われていない露出部分を設けた場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、シンチレータ71を撮影領域66Aよりも大きいサイズで形成した場合でも、図27に示すように、撮影領域66Aと並行にシンチレータ71を一方側へずらして配置することにより、撮影領域66Aの他方側の周辺部をシンチレータ71で覆われていない露出部分とするようにしてもよい。また、図28に示すように、シンチレータ71の形状を変形させて凹部200を設けて撮影領域66Aの周辺部にシンチレータ71で覆われていない露出部分を設けるようにしてもよい。
Further, in each of the above embodiments, for example, as shown in FIG. 7, the
また、上記各実施の形態では、放射線としてX線を検出することにより放射線画像を撮影する放射線撮影装置に本発明を適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、検出対象とする放射線は、X線の他、可視光、紫外線、赤外線、ガンマ線、粒子線等いずれであってもよい。 Moreover, although each said embodiment demonstrated the case where this invention was applied to the radiography apparatus which image | photographs a radiographic image by detecting an X-ray as a radiation, this invention is not limited to this. For example, the radiation to be detected may be any of visible light, ultraviolet rays, infrared rays, gamma rays, particle rays, etc. in addition to X-rays.
その他、上記各実施の形態で説明した構成は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において、不要な部分を削除したり、新たな部分を追加したり、接続状態等を変更したりすることができることは言うまでもない。 In addition, the configuration described in each of the above embodiments is an example, and an unnecessary part is deleted, a new part is added, or a connection state is changed without departing from the gist of the present invention. It goes without saying that you can do it.
さらに、上記各実施の形態で説明した各種プログラムの処理の流れも一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において、不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ換えたりすることができることは言うまでもない。 Furthermore, the processing flow of the various programs described in the above embodiments is also an example, and unnecessary steps can be deleted, new steps can be added, and the processing order can be added without departing from the gist of the present invention. Needless to say, can be replaced.
18 撮影システム
32 電子カセッテ
56 撮影面
60 放射線検出器
62A センサ層
62 放射線検出部(検出パネル)
66 TFT基板(撮影パネル)
66A 撮影領域
71 シンチレータ(発光層)
71A 遮光部材
72 センサ部
74 画素(光検出部)
92 カセッテ制御部(検出手段)
92A CPU
146 センサ部(第2センサ部)
170 導光部材
172 検出対象領域
180 光検出部
18
66 TFT substrate (photographing panel)
71A Light-shielding
92 Cassette control unit (detection means)
92A CPU
146 Sensor unit (second sensor unit)
170
Claims (16)
前記撮影領域に重なるように配置され、放射線が照射された領域が発光する発光層と、
前記発光層のうち放射線の検出を行う検出対象領域に一部が配置され、当該検出対象領域で発生した光を導光する導光部材と、
前記導光部材により導光された光を検出する光検出部と、
を備えた放射線撮影装置。 An imaging panel in which pixels including a sensor unit for detecting light in an imaging area are provided in a two-dimensional manner;
A light emitting layer disposed so as to overlap the imaging region and emitting a region irradiated with radiation;
A light guide member that guides light generated in the detection target region, a part of which is disposed in the detection target region that detects radiation in the light emitting layer,
A light detection unit for detecting light guided by the light guide member;
A radiography apparatus comprising:
前記導光部材及び前記光検出部は、前記検出対象領域に対応して複数設けられた
請求項1記載の放射線撮影装置。 A plurality of the detection target regions are provided,
The radiation imaging apparatus according to claim 1, wherein a plurality of the light guide member and the light detection unit are provided corresponding to the detection target region.
少なくとも1つの前記導光部材は、前記撮影領域の前記露出部分に一部が配置されて当該露出部分に光を導光し、
前記撮影パネルの前記露出部分の画素が前記光検出部として機能する
請求項2記載の放射線撮影装置。 The shooting area is provided with an exposed portion not covered with the light emitting layer,
At least one of the light guide members is partially disposed in the exposed portion of the imaging region and guides light to the exposed portion,
The radiation imaging apparatus according to claim 2, wherein pixels of the exposed portion of the imaging panel function as the light detection unit.
請求項3記載の放射線撮影装置。 The radiation imaging apparatus according to claim 3, wherein the light emitting layer is provided with a light shielding member on a surface facing the pixel functioning as the light detection unit.
請求項2〜請求項4の何れか1項記載の放射線撮影装置。 The radiation imaging apparatus according to claim 2, wherein at least one of the light detection units includes an organic photoelectric conversion material and is disposed on a side surface side of the light emitting layer.
請求項2〜請求項5の何れか1項記載の放射線撮影装置。 The radiation imaging apparatus according to claim 2, wherein the detection target area is provided in at least two sizes.
請求項2〜請求項6の何れか1項記載の放射線撮影装置。 The radiation imaging apparatus according to any one of claims 2 to 6, wherein at least one of the detection target areas is provided in a central part and a peripheral part of the imaging area.
請求項1〜請求項7の何れか1項記載の放射線撮影装置。 The detector according to any one of claims 1 to 7, further comprising detection means for detecting any one of radiation start, radiation end, and radiation dose based on a detection result by the light detection unit. The radiation imaging apparatus described.
前記発光層は前記撮影パネルを透過した放射線が入射するように配置され、
前記導光部材は、前記撮影パネルを挟んで前記発光層の反対側に配置され、筐体の被照射面を形成する被照射面側部材と前記撮影パネルとの間に空隙が形成されるように、前記被照射面側部材と前記撮影パネルとに挟まれている請求項1〜請求項8の何れか1項記載の放射線撮影装置。 The photographing panel has light transparency,
The light emitting layer is disposed so that radiation transmitted through the imaging panel is incident thereon,
The light guide member is disposed on the opposite side of the light emitting layer with the photographing panel interposed therebetween, and a gap is formed between the photographing surface side member forming the illuminated surface of the housing and the photographing panel. The radiation imaging apparatus according to claim 1, wherein the radiation imaging apparatus is sandwiched between the irradiated surface side member and the imaging panel.
前記導光部材は前記基板を挟んで前記発光層の反対側に配置されている請求項1〜請求項8の何れか1項記載の放射線撮影装置。 The light emitting layer is formed by vapor deposition on a light transmissive and heat resistant substrate, the radiation transmitted through the imaging panel is incident, and the substrate is positioned on the opposite side of the imaging panel with the light emitting layer interposed therebetween. Arranged as
The radiation imaging apparatus according to claim 1, wherein the light guide member is disposed on the opposite side of the light emitting layer with the substrate interposed therebetween.
請求項1〜請求項12の何れか1項記載の放射線撮影装置。 A plurality of second sensor units configured to include an organic photoelectric conversion material, each of which detects irradiated light, and further including a detection panel disposed so as to overlap the light emitting layer or the imaging panel. The radiation imaging apparatus according to any one of claims 1 to 12.
前記検出パネルは、前記撮影パネルの前記発光層と反対側の面に配置された
請求項13項記載の放射線撮影装置。 The imaging panel and the light emitting layer are arranged such that irradiated radiation passes through the imaging panel and enters the light emitting layer,
The radiation imaging apparatus according to claim 13, wherein the detection panel is disposed on a surface of the imaging panel opposite to the light emitting layer.
請求項13又は請求項14記載の放射線撮影装置。 The radiographic imaging according to claim 13 or 14, further comprising a detection unit that detects any one of radiation start, radiation end, and radiation dose by properly using the light detection unit and the detection panel. apparatus.
前記撮影領域に重なるように配置され、放射線が照射された領域が発光する発光層と、
前記発光層のうち放射線の検出を行う検出対象領域に一部が配置され、当該検出対象領域で発生した光を導光する導光部材と、
前記導光部材により導光された光を検出する光検出部と、
前記光検出部による検出結果に基づいて放射線の照射開始、放射線の照射終了、及び放射線の照射量の何れかの検出を行う検出手段と、
を有する放射線撮影システム。 An imaging panel in which pixels including a sensor unit for detecting light in an imaging area are provided in a two-dimensional manner;
A light emitting layer disposed so as to overlap the imaging region and emitting a region irradiated with radiation;
A light guide member that guides light generated in the detection target region, a part of which is disposed in the detection target region that detects radiation in the light emitting layer,
A light detection unit for detecting light guided by the light guide member;
Detecting means for detecting any one of radiation start, radiation end, and radiation dose based on a detection result by the light detection unit;
A radiation imaging system having
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014069129A1 (en) * | 2012-11-02 | 2014-05-08 | 富士フイルム株式会社 | Radiation signal processing device, radiography system and radiation signal processing method |
| JP2014090868A (en) * | 2012-11-02 | 2014-05-19 | Fujifilm Corp | Radiation signal processor, radiographic image photographing system, radiation signal processing method, and radiation signal processing program |
| CN104768464A (en) * | 2012-11-02 | 2015-07-08 | 富士胶片株式会社 | Radiation signal processing device, radiography system and radiation signal processing method |
| US9674935B2 (en) | 2012-11-02 | 2017-06-06 | Fujifilm Corporation | Radiation signal processing device, radiation imaging system, and radiation signal processing method |
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