[go: up one dir, main page]

JP2012018988A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
JP2012018988A
JP2012018988A JP2010154220A JP2010154220A JP2012018988A JP 2012018988 A JP2012018988 A JP 2012018988A JP 2010154220 A JP2010154220 A JP 2010154220A JP 2010154220 A JP2010154220 A JP 2010154220A JP 2012018988 A JP2012018988 A JP 2012018988A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
bonding
pads
pad
pad row
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010154220A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiromasa Takeda
裕正 武田
Satoshi Isa
聡 伊佐
Mitsuaki Katagiri
光昭 片桐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Micron Memory Japan Ltd
Original Assignee
Elpida Memory Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Elpida Memory Inc filed Critical Elpida Memory Inc
Priority to JP2010154220A priority Critical patent/JP2012018988A/en
Publication of JP2012018988A publication Critical patent/JP2012018988A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H10W72/0198
    • H10W72/865
    • H10W90/734
    • H10W90/754

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device capable of chip size reduction and multiple bits.SOLUTION: A third chip pad line 4C positioned outside of ends of first and second chip pad lines 4A and 4B is aligned on an extension line of the center line between the first chip pad line 4A and the second chip pad line 4B. Therefore, chip pads 4 comprising the third chip pad line 4C can keep longer distance in Y direction to chip pads 6 comprising first and second bonding pad lines 6A and 6B than to chip pads 4 comprising the first and second chip pad lines 4A and 4B. As a result, angles to the Y-direction of bonding wires 7 connecting chip pads 4 to bonding pads 6 can be reduced.

Description

本発明は、半導体チップがパッケージ基板上に実装されてなる半導体装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a package substrate.

近年、半導体チップの集積度が年々向上し、それに伴って配線の微細化や多層化などが進んでいる。一方、半導体パッケージ(半導体装置)の高密度実装化のためには、パッケージサイズの小型化が必要となっている。例えば、BGA(Ball Grid Array)やCSP(Chip Size Package)などの半導体パッケージは、パッケージ基板上に半導体チップを実装し、この半導体チップとパッケージ基板との間をワイヤーボンディング等で接続した構造を有している。この場合、パッケージ基板の裏面全面に外部接続用のはんだボール等の外部接続端子を配置することができるため、多ピン化に対応可能なパッケージ形態となっている。   In recent years, the degree of integration of semiconductor chips has been improved year by year, and accordingly, the miniaturization and multilayering of wiring have been advanced. On the other hand, in order to achieve high-density mounting of a semiconductor package (semiconductor device), it is necessary to reduce the package size. For example, semiconductor packages such as BGA (Ball Grid Array) and CSP (Chip Size Package) have a structure in which a semiconductor chip is mounted on a package substrate and the semiconductor chip and the package substrate are connected by wire bonding or the like. is doing. In this case, since external connection terminals such as solder balls for external connection can be arranged on the entire back surface of the package substrate, the package form can cope with the increase in the number of pins.

ここで、従来の半導体装置の一例として図10に示すwBGA(window Ball Grid Array)型の半導体パッケージ100について説明する。
この半導体パッケージ100は、半導体チップ101がパッケージ基板102上に実装されてなるものであり、この半導体チップ101のパッケージ基板102と対向する側の面には、複数のチップパッド103が配置されている。これら複数のチップパッド103は、半導体チップ101の中央部分において、一の方向(図10中に示すX方向)に並ぶ2列の第1チップパッド列103A及び第2チップパッド列103Bを構成している。
A wBGA (window ball grid array) type semiconductor package 100 shown in FIG. 10 will be described as an example of a conventional semiconductor device.
In this semiconductor package 100, a semiconductor chip 101 is mounted on a package substrate 102, and a plurality of chip pads 103 are arranged on the surface of the semiconductor chip 101 facing the package substrate 102. . The plurality of chip pads 103 constitute two rows of the first chip pad row 103A and the second chip pad row 103B arranged in one direction (X direction shown in FIG. 10) in the central portion of the semiconductor chip 101. Yes.

一方、パッケージ基板102には、半導体チップ101の第1及び第2チップパッド列103A,103Bを外方に臨ませる開口部104が設けられている。また、パッケージ基板102の半導体チップ101が実装される面とは反対側の面には、複数のボンディングパッド105が配置されている。これら複数のボンディングパッド105は、開口部104を挟んだ一の方向と直交する方向(図10中に示すY方向)の一方側において、X方向に並ぶ1列の第1ボンディングパッド列105Aと、その他方側において、X方向に並ぶ1列の第2ボンディングパッド列105Bとを構成している。   On the other hand, the package substrate 102 is provided with an opening 104 that allows the first and second chip pad rows 103A and 103B of the semiconductor chip 101 to face outward. A plurality of bonding pads 105 are disposed on the surface of the package substrate 102 opposite to the surface on which the semiconductor chip 101 is mounted. The plurality of bonding pads 105 includes one row of first bonding pad rows 105A arranged in the X direction on one side of a direction (Y direction shown in FIG. 10) orthogonal to one direction across the opening 104, On the other side, one row of second bonding pad rows 105B arranged in the X direction is formed.

そして、第1チップパッド列103Aを構成するチップパッド103は、その並び方向(X方向)において順に、第1ボンディングパッド列105Aを構成するボンディングパッド105とボンディングワイヤー106を介して電気的に接続されている。同様に、第2チップパッド列103Bを構成するチップパッド103は、その並び方向(X方向)において順に、第2ボンディングパッド列105Bを構成するボンディングパッド105とボンディングワイヤー106を介して電気的に接続されている。   The chip pads 103 constituting the first chip pad row 103A are electrically connected to the bonding pads 105 constituting the first bonding pad row 105A and the bonding wires 106 in order in the arrangement direction (X direction). ing. Similarly, the chip pads 103 constituting the second chip pad row 103B are electrically connected to the bonding pads 105 constituting the second bonding pad row 105B and the bonding wires 106 in order in the arrangement direction (X direction). Has been.

また、パッケージ基板102の半導体チップ101が実装される面とは反対側の面には、複数のはんだボール107が設けられている。これら複数のはんだボール107は、第1及び第2ボンディングパッド列105A,105Bの外側において、X方向及びY方向にそれぞれ並んで配置されている。また、パッケージ基板102の半導体チップ101が実装される面とは反対側の面には、複数のパッケージ配線108が形成されており、その一端に上記ボンディングパッド105が配置され、その他端に上記はんだボール107が配置された構成となっている。   A plurality of solder balls 107 are provided on the surface of the package substrate 102 opposite to the surface on which the semiconductor chip 101 is mounted. The plurality of solder balls 107 are arranged side by side in the X direction and the Y direction, respectively, outside the first and second bonding pad rows 105A and 105B. A plurality of package wirings 108 are formed on the surface of the package substrate 102 opposite to the surface on which the semiconductor chip 101 is mounted, the bonding pads 105 are disposed at one end, and the solder is disposed at the other end. The ball 107 is arranged.

ところで、近年のチップサイズの縮小化や多ビット化に伴って、上記半導体チップ101に配置されるチップパッド103の数が増加すると共に、その狭ピッチ化も進んできている。これに伴って、設計ルールの制約条件によって、パッケージ配線108のレイアウトが非常に困難となってきている。   By the way, with the recent reduction in chip size and the increase in the number of bits, the number of chip pads 103 arranged on the semiconductor chip 101 has increased and the pitch has been reduced. As a result, the layout of the package wiring 108 has become very difficult due to the constraints of the design rules.

具体的に、図11に拡大して示す半導体パッケージ100において、パッケージ基板102上のボンディングパッド105からはんだボール107までパッケージ配線108を引き回すことが可能な領域(引回し領域)Sには制限がある。したがって、上述したチップサイズの縮小化や多ビット化に伴って、第1及び第2ボンディングパッド列105A,105Bを構成するチップパッド103の数が増加したり、隣接するチップパッド103の間隔(ピッチ)が狭くなったりすると、図11中の囲み部分Zに示すチップパッド列103A,103Bの両端において、チップパッド103とボンディングパッド105との間を接続するボンディングワイヤー106の角度が設計ルールの制約条件を超えてしまう可能性がある。   Specifically, in the semiconductor package 100 shown in an enlarged view in FIG. 11, there is a limit to the region (routing region) S in which the package wiring 108 can be routed from the bonding pad 105 on the package substrate 102 to the solder ball 107. . Therefore, as the chip size is reduced and the number of bits is increased, the number of chip pads 103 constituting the first and second bonding pad rows 105A and 105B is increased, and the interval (pitch) between adjacent chip pads 103 is increased. ) Becomes narrower, the angle of the bonding wire 106 connecting the chip pad 103 and the bonding pad 105 at both ends of the chip pad rows 103A and 103B shown in the encircled portion Z in FIG. May be exceeded.

例えば図12に示すように、X方向において隣接するチップパッド103の間隔Eを300μm、Y方向において隣接するボンディングパッド105の間隔Fを150μmとした設計ルールでは、ボンディングワイヤー106のY方向に対する角度θは、このボンディングワイヤー106と隣接するチップパッド103又はボンディングパッド105との干渉(短絡)を防ぐために、45゜以下となるように規定されている。なお、上記チップパッド103の間隔E及びボンディングパッド105の間隔Fは、キャピラリー(ボンディング時のツール)サイズに起因して、このキャピラリーとボンディングワイヤー106との接触を防ぐために規定されている。   For example, as shown in FIG. 12, in the design rule in which the distance E between adjacent chip pads 103 in the X direction is 300 μm and the distance F between adjacent bonding pads 105 in the Y direction is 150 μm, the angle θ of the bonding wire 106 with respect to the Y direction Is defined to be 45 ° or less in order to prevent interference (short circuit) between the bonding wire 106 and the adjacent chip pad 103 or bonding pad 105. Note that the interval E between the chip pads 103 and the interval F between the bonding pads 105 are defined in order to prevent contact between the capillaries and the bonding wires 106 due to the size of the capillary (tool during bonding).

しかしながら、DDR2×32のように多ビット化が進むと、DDR2×16などに比べてパッケージ配線108の本数が増加することになる。このため、上記半導体パッケージ100では、チップパッド103の間隔Bを最小値とした2列のチップパッド列103A,103Bを配置しても、上記ボンディングパッド105の間隔Bを最小値とし、なお且つ、上記引回し領域Sの確保を優先したボンディングパッド105の配置では、チップパッド列103A,103Bの両端において、ボンディングワイヤー106の角度θが45゜を超えてしまうため、設計ルール違反となってしまう。   However, when the number of bits increases as in DDR2 × 32, the number of package wirings 108 increases as compared to DDR2 × 16. For this reason, in the semiconductor package 100, even if two chip pad rows 103A and 103B having the minimum spacing B between the chip pads 103 are arranged, the spacing B between the bonding pads 105 is minimized, and In the arrangement of the bonding pad 105 giving priority to securing the routing area S, the angle θ of the bonding wire 106 exceeds 45 ° at both ends of the chip pad rows 103A and 103B, which violates the design rule.

このような問題の解消するため、例えば図13に示すように、上記ボンディングパッド105を千鳥配置とすることが考えられる。しかしながら、千鳥配置では、ボンディングワイヤー106の角度θが設計ルールを超える問題が解消される代わりに、パッケージ基板102上の一部の引回し領域Sにパッケージ配線108が集中し過ぎてしまい、現状の設計ルールでは全てのパッケージ配線108を引き回すことが困難となる。   In order to solve such a problem, for example, as shown in FIG. 13, it is conceivable to arrange the bonding pads 105 in a staggered arrangement. However, in the staggered arrangement, instead of solving the problem that the angle θ of the bonding wire 106 exceeds the design rule, the package wiring 108 is excessively concentrated in a part of the routing region S on the package substrate 102, and the current situation According to the design rule, it is difficult to route all the package wirings 108.

なお、本発明に関連する先行技術文献としては、例えば下記特許文献1がある。この特許文献1には、半導体チップの中央部分に軸対照的に2列に配列されたチップパッドと、1列に配列されたチップパッドとを含む構成が記載されている。しかしながら、この特許文献1には、上述したチップパッド103とボンディングパッド105との間を接続するボンディングワイヤー106の角度θが設計ルールの制約条件を超えてしまう可能性についての記載はなく、多ビット化に対応するためにチップパッドを2列に配列した構成が記載されているだけである。   In addition, as a prior art document relevant to this invention, there exists the following patent document 1, for example. This patent document 1 describes a configuration including chip pads arranged in two rows in an axial contrast with a central portion of a semiconductor chip and chip pads arranged in one row. However, this Patent Document 1 does not describe the possibility that the angle θ of the bonding wire 106 that connects between the chip pad 103 and the bonding pad 105 described above may exceed the constraint conditions of the design rule. Only a configuration in which chip pads are arranged in two rows in order to cope with this is described.

特開平6−350052号公報JP-A-6-350052

上述したように、近年のチップサイズの縮小化や多ビット化に伴って、半導体チップ101に配置されるチップパッド103の数が増加する(具体的にはチップパッド列が1列から2列となる)と共に、その狭ピッチ化も進む傾向にある。したがって、上述した設計ルールを満足しつつ、チップサイズの縮小化や多ビット化に対応できるレイアウトが求められている。   As described above, the number of chip pads 103 arranged on the semiconductor chip 101 increases with the recent reduction in chip size and the increase in the number of bits (specifically, the number of chip pad columns is changed from one to two). In addition, the pitch tends to be narrowed. Therefore, there is a demand for a layout that can meet the reduction in chip size and the number of bits while satisfying the design rules described above.

本発明に係る半導体装置は、半導体チップがパッケージ基板上に実装されてなる半導体装置であって、半導体チップは、パッケージ基板と対向する面の中央部分に位置して、複数のチップパッドが一の方向に平行に並ぶ第1チップパッド列及び第2チップパッド列と、第1及び第2チップパッド列の端部よりも外側に位置して、複数のチップパッドが一の方向に並ぶ第3チップパッド列とを有し、パッケージ基板は、半導体チップの第1、第2及び第3チップパッド列を外方に臨ませる開口部と、半導体チップが実装される面とは反対側の面に位置して、複数のボンディングパッドが開口部の第1チップパッド列側の開口端に沿って並ぶ第1ボンディングパッド列と、複数のボンディングパッドが開口部の第2チップパッド列側の開口端に沿って並ぶ第2ボンディングパッド列とを有し、第1チップパッド列を構成するチップパッドがボンディングワイヤーを介して第1ボンディングパッド列を構成するボンディングパッドと電気的に接続され、第2チップパッド列を構成するチップパッドがボンディングワイヤーを介して第2ボンディングパッド列を構成するボンディングパッドと電気的に接続され、第3チップパッド列を構成するチップパッドがボンディングワイヤーを介して第1又は第2ボンディングパッド列を構成するボンディングパッドと電気的に接続され、なお且つ、各ボンディングワイヤーの一の方向と直交する方向に対する角度が45゜以下であることを特徴とする。   A semiconductor device according to the present invention is a semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a package substrate, and the semiconductor chip is located at a central portion of a surface facing the package substrate and has a plurality of chip pads. A first chip pad row and a second chip pad row arranged in parallel to the direction, and a third chip in which a plurality of chip pads are arranged in one direction, located outside the ends of the first and second chip pad rows And the package substrate is positioned on a surface opposite to the surface on which the semiconductor chip is mounted, and an opening for facing the first, second, and third chip pad rows of the semiconductor chip outward. The plurality of bonding pads are arranged along the opening end of the opening on the first chip pad row side, and the plurality of bonding pads are arranged along the opening end of the opening on the second chip pad row side. A second bonding pad row arranged in a row, and the chip pads constituting the first chip pad row are electrically connected to the bonding pads constituting the first bonding pad row via bonding wires, and the second chip pad row The chip pads constituting the third chip pad row are electrically connected to the bonding pads constituting the second bonding pad row via the bonding wire, and the chip pads constituting the third chip pad row are connected to the first or second bonding via the bonding wire. It is electrically connected to the bonding pads constituting the pad row, and the angle with respect to a direction orthogonal to one direction of each bonding wire is 45 ° or less.

以上のように、本発明によれば、チップサイズの縮小化や多ビット化に対応したレイアウトが可能となる。したがって、半導体チップに配置されるチップパッドの数が増加する場合でも、信頼性を犠牲にすることなく、パッケージ基板上にチップパッドの数に応じたパッケージ配線の引回し領域を確保すことが可能となる。また、隣接するボンディングワイヤー同士の短絡や、ボンディングワイヤーと隣接するチップパッド又はボンディングパッドとの短絡といった問題も回避することが可能である。   As described above, according to the present invention, a layout corresponding to a reduction in chip size and an increase in the number of bits can be achieved. Therefore, even when the number of chip pads arranged on a semiconductor chip increases, it is possible to secure a routing area for package wiring according to the number of chip pads on the package substrate without sacrificing reliability. It becomes. In addition, it is possible to avoid problems such as a short circuit between adjacent bonding wires and a short circuit between the bonding wire and the adjacent chip pad or bonding pad.

本発明を適用した半導体パッケージの一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the semiconductor package to which this invention is applied. 図1に示す半導体パッケージのY方向の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the Y direction of the semiconductor package shown in FIG. チップパッドとボンディングパッドとの間を接続するボンディングワイヤーの角度を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating the angle of the bonding wire which connects between a chip pad and a bonding pad. 図1に示す半導体パッケージの製造工程を順に説明するための図であり、(a)はその平面図、(b)はその断面図であるIt is a figure for demonstrating the manufacturing process of the semiconductor package shown in FIG. 1 in order, (a) is the top view, (b) is the sectional drawing. 図1に示す半導体パッケージの製造工程を順に説明するための図であり、(a)はその平面図、(b)はその断面図であるIt is a figure for demonstrating the manufacturing process of the semiconductor package shown in FIG. 1 in order, (a) is the top view, (b) is the sectional drawing. 図1に示す半導体パッケージの製造工程を順に説明するための断面図であるFIG. 3 is a cross-sectional view for sequentially explaining the manufacturing process of the semiconductor package shown in FIG. 1. 図1に示す半導体パッケージの製造工程を順に説明するための断面図であるFIG. 3 is a cross-sectional view for sequentially explaining the manufacturing process of the semiconductor package shown in FIG. 1. 図1に示す半導体パッケージの製造工程を順に説明するための断面図であるFIG. 3 is a cross-sectional view for sequentially explaining the manufacturing process of the semiconductor package shown in FIG. 1. 図1に示す半導体パッケージの製造工程を順に説明するための断面図であるFIG. 3 is a cross-sectional view for sequentially explaining the manufacturing process of the semiconductor package shown in FIG. 1. 従来の半導体パッケージの一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the conventional semiconductor package. 図10に示す半導体パッケージの要部を拡大して示す平面図である。It is a top view which expands and shows the principal part of the semiconductor package shown in FIG. 図10に示す半導体パッケージのチップパッド列の両端においてボンディングワイヤーの角度θが45゜を超えてしまう場合を示す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing a case where the angle θ of the bonding wire exceeds 45 ° at both ends of the chip pad row of the semiconductor package shown in FIG. 10. ボンディングパッドが千鳥配置された半導体パッケージの一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the semiconductor package by which the bonding pad was zigzag-arranged.

以下、本発明を適用した半導体装置について、図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
Hereinafter, a semiconductor device to which the present invention is applied will be described in detail with reference to the drawings.
In addition, in the drawings used in the following description, in order to make the features easy to understand, there are cases where the portions that become the features are enlarged for the sake of convenience, and the dimensional ratios of the respective components are not always the same as the actual ones. Absent.

先ず、本発明を適用した半導体装置の一例として、例えば図1及び図2に示すwBGA型の半導体パッケージ1について説明する。なお、図1は、この半導体パッケージ1の要部を示す平面図であり、図2は、この半導体パッケージ1の要部を示す断面図である。   First, as an example of a semiconductor device to which the present invention is applied, for example, a wBGA type semiconductor package 1 shown in FIGS. 1 and 2 will be described. 1 is a plan view showing the main part of the semiconductor package 1, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing the main part of the semiconductor package 1. As shown in FIG.

この半導体パッケージ1は、図1及び図2に示すように、平面視で矩形状を為す半導体チップ2が、平面視で矩形状を為すパッケージ基板3上に実装された構造を有している。   As shown in FIGS. 1 and 2, the semiconductor package 1 has a structure in which a semiconductor chip 2 having a rectangular shape in plan view is mounted on a package substrate 3 having a rectangular shape in plan view.

半導体チップ2は、パッケージ基板3よりも小さく、接着剤や接着フィルム(DAF:Die Attached Film)などの接着層2aを介してパッケージ基板3の実装面の中央部分に接着固定されている。   The semiconductor chip 2 is smaller than the package substrate 3 and is adhesively fixed to the central portion of the mounting surface of the package substrate 3 via an adhesive layer 2a such as an adhesive or an adhesive film (DAF: Die Attached Film).

また、半導体チップ2のパッケージ基板3と対向する側の面には、複数のチップパッド4が配置されている。これら複数のチップパッド4は、半導体チップ2の中央部分に位置して、一の方向(図1中に示すX方向)に直線状に並ぶ2列の第1チップパッド列4A及び第2のチップパッド列4Bと、これら第1及び第2チップパッド列4A,4Bの端部よりも外側に位置して、X方向に直線状に並ぶ1列の第3チップパッド列4Cとを構成している。   A plurality of chip pads 4 are arranged on the surface of the semiconductor chip 2 facing the package substrate 3. The plurality of chip pads 4 are located at the central portion of the semiconductor chip 2 and are arranged in two rows of first chip pad rows 4A and second chips arranged in a straight line in one direction (X direction shown in FIG. 1). The pad row 4B and one third chip pad row 4C, which is located outside the end portions of the first and second chip pad rows 4A and 4B and is linearly arranged in the X direction, are configured. .

このうち、第1チップパッド列4Aを構成するチップパッド4と、第2チップパッド列4Bを構成するチップパッド4とは、互いに平行に並んで配置されている。一方、第3チップパッド列4Cを構成するチップパッド4は、第1チップパッド列4Aと第2チップパッド列4Bとの間の中心線の延長線上に並んで配置されている。   Among these, the chip pads 4 constituting the first chip pad row 4A and the chip pads 4 constituting the second chip pad row 4B are arranged in parallel to each other. On the other hand, the chip pads 4 constituting the third chip pad row 4C are arranged side by side on an extension of the center line between the first chip pad row 4A and the second chip pad row 4B.

パッケージ基板3は、プリント配線板からなり、その中央部分には、半導体チップ2の第1、第2及び第3チップパッド列4A,4B,4Cを外方に臨ませる矩形状の開口部5が設けられている。この開口部5は、X方向において半導体チップ2よりも大きく、Y方向において半導体チップ2よりも小さい平面視略矩形状の孔部を形成している。   The package substrate 3 is made of a printed wiring board, and a rectangular opening 5 is provided in the central portion thereof so that the first, second, and third chip pad rows 4A, 4B, 4C of the semiconductor chip 2 face outward. Is provided. The opening 5 forms a hole having a substantially rectangular shape in plan view that is larger than the semiconductor chip 2 in the X direction and smaller than the semiconductor chip 2 in the Y direction.

パッケージ基板3の半導体チップ2が実装される面とは反対側の面には、複数のボンディングパッド6が配置されている。これら複数のボンディングパッド6は、開口部5の第1チップパッド列4A側の開口端に沿って直線状に並ぶ1列の第1ボンディングパッド列6Aと、開口部5の第2チップパッド列4B側の開口端に沿って直線状に並ぶ1列の第2ボンディングパッド列6Bとを構成している。   A plurality of bonding pads 6 are arranged on the surface of the package substrate 3 opposite to the surface on which the semiconductor chip 2 is mounted. The plurality of bonding pads 6 include a first bonding pad row 6A arranged in a line along the opening end of the opening 5 on the first chip pad row 4A side, and a second chip pad row 4B in the opening 5. A second bonding pad row 6B arranged in a straight line along the opening end on the side is formed.

そして、第1チップパッド列4Aを構成するチップパッド4は、その並び方向(X方向)において順に、第1ボンディングパッド列6Aを構成するボンディングパッド6とボンディングワイヤー7を介して電気的に接続されている。また、第2チップパッド列4Bを構成するチップパッド4は、その並び方向(X方向)において順に、第2ボンディングパッド列6Bを構成するボンディングパッド6とボンディングワイヤー7を介して電気的に接続されている。   The chip pads 4 constituting the first chip pad row 4A are electrically connected to the bonding pads 6 constituting the first bonding pad row 6A and the bonding wires 7 in order in the arrangement direction (X direction). ing. The chip pads 4 constituting the second chip pad row 4B are electrically connected to the bonding pads 6 constituting the second bonding pad row 6B via the bonding wires 7 in order in the arrangement direction (X direction). ing.

一方、第3チップパッド列4Cを構成するチップパッド4は、その並び方向(X方向)において順に、第1又は第2ボンディングパッド列6A,6Bを構成するボンディングパッド6とボンディングワイヤー7を介して電気的に接続されている。さらに、第3チップパッド列4Cを構成するチップパッド4は、その並び方向(X方向)において、第1ボンディングパッド列6Aを構成するボンディングパッド6と、第2ボンディングパッド列6Bを構成するボンディングパッド6とに対してボンディングワイヤー7により交互に(互い違いに)接続されている。   On the other hand, the chip pads 4 constituting the third chip pad row 4C are sequentially passed through the bonding pads 6 and the bonding wires 7 constituting the first or second bonding pad row 6A, 6B in the arrangement direction (X direction). Electrically connected. Further, the chip pads 4 constituting the third chip pad row 4C are arranged such that, in the arrangement direction (X direction), the bonding pads 6 constituting the first bonding pad row 6A and the bonding pads constituting the second bonding pad row 6B. 6 and 6 are alternately (alternately) connected by bonding wires 7.

パッケージ基板3の半導体チップ2が実装される面とは反対側の面には、外部接続端子となる複数のはんだボール8が設けられている。これら複数のはんだボール8は、第1及び第2ボンディングパッド列6A,6Bの外側において、X方向及びY方向にそれぞれ格子状に並んで配置されている。   A plurality of solder balls 8 serving as external connection terminals are provided on the surface of the package substrate 3 opposite to the surface on which the semiconductor chip 2 is mounted. The plurality of solder balls 8 are arranged outside the first and second bonding pad rows 6A and 6B in a grid pattern in the X direction and the Y direction, respectively.

また、パッケージ基板3の半導体チップ2が実装される面とは反対側の面には、開口部5を挟んだ第1ボンディングパッド列6A側に位置して複数のパッケージ配線9が引き回された第1引回し領域S1と、開口部5を挟んだ第2ボンディングパッド列6B側に位置して複数のパッケージ配線9が引き回された第2引回し領域S2とが設けられている。   Further, a plurality of package wirings 9 are routed on the surface of the package substrate 3 opposite to the surface on which the semiconductor chip 2 is mounted, located on the first bonding pad row 6A side with the opening 5 interposed therebetween. A first routing region S1 and a second routing region S2 in which a plurality of package wirings 9 are routed are provided on the second bonding pad row 6B side with the opening 5 interposed therebetween.

そして、第1引回し領域S1に配置されたパッケージ配線9の一端には、それぞれ第1ボンディングパッド列6Aを構成するボンディングパッド6が配置され、その他端には、それぞれはんだボール8が配置されている。一方、第2引回し領域S2に配置されたパッケージ配線9の一端には、それぞれ第2ボンディングパッド6Bを構成するボンディングパッド6が配置され、その他端には、それぞれ上記はんだボール8が配置されている。   Bonding pads 6 constituting the first bonding pad row 6A are disposed at one end of the package wiring 9 disposed in the first routing area S1, and solder balls 8 are disposed at the other ends, respectively. Yes. On the other hand, the bonding pads 6 constituting the second bonding pads 6B are respectively arranged at one end of the package wiring 9 arranged in the second routing region S2, and the solder balls 8 are arranged at the other ends, respectively. Yes.

また、半導体パッケージ1では、チップパッド4とボンディングパッド6との間の結線部分を保護するため、開口部5が結線後に封止樹脂(封止材)10によって封止されている。また、この半導体パッケージ1では、半導体チップ2を保護するため、最終的にパッケージ基板3の半導体チップ2が実装される側の面が封止樹脂(封止材)11により封止されている。これらの封止樹脂10,11は、例えば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂に、ガラス繊維などからなるフィラーを充填したものからなる。   In the semiconductor package 1, the opening 5 is sealed with a sealing resin (sealing material) 10 after the connection in order to protect the connection portion between the chip pad 4 and the bonding pad 6. In the semiconductor package 1, the surface of the package substrate 3 on which the semiconductor chip 2 is mounted is finally sealed with a sealing resin (sealing material) 11 in order to protect the semiconductor chip 2. These sealing resins 10 and 11 are made of, for example, a thermosetting resin such as an epoxy resin filled with a filler made of glass fiber or the like.

一方、パッケージ基板3の半導体チップ2が実装される面とは反対側の面は、上記ボンディングパッド6と上記はんだボール8が配置された部分を除いてソルダーレジストなどの絶縁膜12によって覆われている。   On the other hand, the surface of the package substrate 3 opposite to the surface on which the semiconductor chip 2 is mounted is covered with an insulating film 12 such as a solder resist except for the portion where the bonding pads 6 and the solder balls 8 are disposed. Yes.

以上のような構造を有する半導体パッケージ1では、第1及び第2チップパッド列4A,4Bの端部よりも外側に位置する第3チップパッド列4Cが、第1チップパッド列4Aと第2チップパッド列4Bとの間の中心線の延長線上に並んで配置されている。   In the semiconductor package 1 having the structure as described above, the third chip pad row 4C located outside the end portions of the first and second chip pad rows 4A and 4B is connected to the first chip pad row 4A and the second chip. Arranged side by side on an extension of the center line between the pad row 4B.

ここで、図3に示すように、X方向において隣接するチップパッド4の間隔Aと、X方向において隣接するボンディングパッド6の間隔Bと、これらチップパッド4とボンディングパッド6とのX方向におけるオフセット量Cを同一としたときに、チップパッド4とボンディングパッド6とのY方向の距離が図3(A)に示す短い距離D1の場合と、図3(B)に示す長い距離D2の場合において、チップパッド4とボンディングパッド6との間を接続するボンディングワイヤー7のY方向に対する角度を比較すると、図3(A)に示す距離Dが短い場合の角度θ1よりも、図3(B)に示す距離Dが長い場合の角度θ2の方が、その角度を緩和(θ1>θ2)することが可能である。   Here, as shown in FIG. 3, an interval A between adjacent chip pads 4 in the X direction, an interval B between adjacent bonding pads 6 in the X direction, and an offset in the X direction between these chip pads 4 and bonding pads 6. When the amount C is the same, the distance in the Y direction between the chip pad 4 and the bonding pad 6 is the short distance D1 shown in FIG. 3A and the long distance D2 shown in FIG. 3B. When the angle with respect to the Y direction of the bonding wire 7 connecting the chip pad 4 and the bonding pad 6 is compared, the angle θ1 in the case where the distance D shown in FIG. When the distance D shown is longer, the angle θ2 can be relaxed (θ1> θ2).

このことから、上記第3チップパッド列4Cを構成するチップパッド4は、第1及び第2チップパッド列4A,4Bを構成するチップパッド4よりも、第1又は第2ボンディングパッド列6A,6Bを構成するボンディングパッド6に対するY方向の距離を大きく確保することができる。したがって、これらチップパッド4とボンディングパッド6との間を接続するボンディングワイヤー7のY方向に対する角度を緩和することが可能である。   From this, the chip pad 4 constituting the third chip pad row 4C is more than the first or second bonding pad row 6A, 6B than the chip pad 4 constituting the first and second chip pad rows 4A, 4B. It is possible to ensure a large distance in the Y direction with respect to the bonding pad 6 constituting the. Therefore, the angle of the bonding wire 7 connecting the chip pad 4 and the bonding pad 6 with respect to the Y direction can be relaxed.

これにより、上記図10に示す従来の半導体パッケージ100では、第1及び第2チップパッド列103A,103Bの両端において、ボンディングワイヤー106のY方向に対する角度θが45゜を超えてしまうのに対して、上記図1に示す本発明の半導体パッケージ100では、各ボンディングワイヤー7のY方向に対する角度を45゜以下にすることが可能である。   Accordingly, in the conventional semiconductor package 100 shown in FIG. 10, the angle θ with respect to the Y direction of the bonding wire 106 exceeds 45 ° at both ends of the first and second chip pad rows 103A and 103B. In the semiconductor package 100 of the present invention shown in FIG. 1, the angle of each bonding wire 7 with respect to the Y direction can be set to 45 ° or less.

以上のようにして、本発明を適用した半導体パッケージ1では、チップサイズの縮小化や多ビット化に対応したレイアウトが可能となる。すなわち、半導体チップ2に配置されるチップパッド4の数が増加する場合でも、信頼性を犠牲にすることなく、パッケージ基板3上にチップパッド4の数に応じたパッケージ配線9の引回し領域S1,S2を確保すことが可能となる。また、隣接するボンディングワイヤー7同士の短絡や、ボンディングワイヤー7と隣接するチップパッド4又はボンディングパッド6との短絡といった問題も回避することが可能である。   As described above, in the semiconductor package 1 to which the present invention is applied, a layout corresponding to a reduction in chip size and an increase in the number of bits can be achieved. That is, even when the number of chip pads 4 arranged on the semiconductor chip 2 increases, the routing area S1 of the package wiring 9 according to the number of chip pads 4 on the package substrate 3 without sacrificing reliability. , S2 can be secured. In addition, it is possible to avoid problems such as a short circuit between adjacent bonding wires 7 and a short circuit between the bonding wire 7 and the adjacent chip pad 4 or bonding pad 6.

次に、上記半導体パッケージ1の製造工程について説明する。
上記半導体パッケージ1を製造する際は、先ず、図4(a),(b)に示すように、上記パッケージ基板3となる部分30aが複数並んで形成された母パッケージ基板30を用意する。この母パッケージ基板30は、枠部30bの内側に上記パッケージ基板3となる部分30aをマトリックス状に複数並べて形成したものであり、上記パッケージ基板3となる部分30aには、それぞれ上記開口部5が設けられている。また、枠部30bには、この母パッケージ基板30を位置決めするための孔部30cが設けられている。そして、この母パッケージ基板30は、最終的にダイシングラインLに沿って切断することで、上記パッケージ基板3となる部分30aを個々のパッケージ基板3として切り出すことが可能となっている。
Next, the manufacturing process of the semiconductor package 1 will be described.
When manufacturing the semiconductor package 1, first, as shown in FIGS. 4A and 4B, a mother package substrate 30 in which a plurality of portions 30 a to be the package substrate 3 are formed side by side is prepared. The mother package substrate 30 is formed by arranging a plurality of portions 30a to be the package substrate 3 in a matrix inside the frame portion 30b. The openings 5 are formed in the portions 30a to be the package substrate 3, respectively. Is provided. The frame 30b is provided with a hole 30c for positioning the mother package substrate 30. Then, the mother package substrate 30 is finally cut along the dicing line L, so that the portions 30a to be the package substrate 3 can be cut out as individual package substrates 3.

次に、図5(a),(b)に示すように、母パッケージ基板30の各パッケージ基板3の実装面となる部分に半導体チップ2を実装する。具体的には、半導体チップ2の第1、第2及び第3チップパッド列4A,4B,4Cが開口部5から露出するように、母パッケージ基板30の各パッケージ基板3となる部分30aに接着層2aを介して半導体チップ2を固定する。   Next, as shown in FIGS. 5A and 5B, the semiconductor chip 2 is mounted on the portion of the mother package substrate 30 that becomes the mounting surface of each package substrate 3. Specifically, the first, second, and third chip pad rows 4A, 4B, and 4C of the semiconductor chip 2 are bonded to the portions 30a that become the package substrates 3 of the mother package substrate 30 so as to be exposed from the openings 5. The semiconductor chip 2 is fixed via the layer 2a.

次に、図6に示すように、各パッケージ基板3となる部分30aに設けられた上記ボンディングパッド6と、各半導体チップ2に設けられた上記チップパッド4との間を、Au線やCu線等からなるボンディングワイヤー7により結線する。   Next, as shown in FIG. 6, between the bonding pad 6 provided in the portion 30a to be each package substrate 3 and the chip pad 4 provided in each semiconductor chip 2, Au wire or Cu wire is provided. It connects with the bonding wire 7 which consists of etc.

すなわち、第1チップパッド列4Aを構成するチップパッド4と、第1ボンディングパッド列6Aを構成するボンディングパッド6との間を、その並び方向(X方向)において順にボンディングワイヤー7により結線していく。また、第2チップパッド列4Bを構成するチップパッド4と、第2ボンディングパッド列6Bを構成するボンディングパッド6との間を、その並び方向(X方向)において順にボンディングワイヤー7により結線していく。   That is, the chip pads 4 constituting the first chip pad row 4A and the bonding pads 6 constituting the first bonding pad row 6A are connected in order in the arrangement direction (X direction) by the bonding wires 7. . Further, the bonding pads 7 are sequentially connected in the arrangement direction (X direction) between the chip pads 4 constituting the second chip pad row 4B and the bonding pads 6 constituting the second bonding pad row 6B. .

一方、第3チップパッド列4Cを構成するチップパッド4と、第1又は第2ボンディングパッド列6A,6Bを構成するボンディングパッド6との間を、その並び方向(X方向)において順にボンディングワイヤー7により結線していく。さらに、第3チップパッド列4Cを構成するチップパッド4を、その並び方向(X方向)において、第1ボンディングパッド列6Aを構成するボンディングパッド6と、第2ボンディングパッド列6Bを構成するボンディングパッド6とに対してボンディングワイヤー7により交互に(互い違いに)結線していく。   On the other hand, the bonding wire 7 is sequentially formed between the chip pad 4 constituting the third chip pad row 4C and the bonding pad 6 constituting the first or second bonding pad row 6A, 6B in the arrangement direction (X direction). Connect with. Further, the chip pads 4 constituting the third chip pad row 4C are arranged in the arrangement direction (X direction) with the bonding pads 6 constituting the first bonding pad row 6A and the bonding pads constituting the second bonding pad row 6B. 6 and 6 are alternately (alternately) connected by bonding wires 7.

本発明では、上述したようにチップパッド4とボンディングパッド6との間を接続するボンディングワイヤー7のY方向に対する角度θを45゜以下に緩和することが可能であり、チップサイズの縮小化や多ビット化に対応したレイアウトが可能となっている。   In the present invention, as described above, the angle θ of the bonding wire 7 connecting the chip pad 4 and the bonding pad 6 with respect to the Y direction can be relaxed to 45 ° or less. A layout corresponding to bit conversion is possible.

次に、図7に示すように、チップパッド4とボンディングパッド6との間の結線部分を保護するため、結線後に開口部5を封止樹脂(封止材)10により封止する。具体的に、この開口部5を封止樹脂10によって封止する際は、半導体チップ2のX方向の両端部よりも外側にはみ出した開口部5の隙間から封止樹脂10をパッケージ基板3の半導体チップ2を実装する面側から流し込むことによって行うことができる。   Next, as shown in FIG. 7, the opening 5 is sealed with a sealing resin (sealing material) 10 after the connection in order to protect the connection portion between the chip pad 4 and the bonding pad 6. Specifically, when the opening 5 is sealed with the sealing resin 10, the sealing resin 10 is removed from the gap of the opening 5 that protrudes outward from both ends in the X direction of the semiconductor chip 2. This can be done by pouring from the surface side where the semiconductor chip 2 is mounted.

また、各半導体チップ2を保護するため、母パッケージ基板30の各パッケージ基板3となる部分30aの実装面を封止樹脂(封止材)11により封止する。この封止工程では、例えばトランスファー方式やポッティング方式などのモールド成形法を用いることができる。   Further, in order to protect each semiconductor chip 2, the mounting surface of the portion 30 a that becomes each package substrate 3 of the mother package substrate 30 is sealed with a sealing resin (sealing material) 11. In this sealing step, for example, a molding method such as a transfer method or a potting method can be used.

次に、図8に示すように、母パッケージ基板30の各パッケージ基板3となる部分30aの実装面とは反対側の面にはんだボール8を配置する。このはんだボール8の配置は、吸着機構41を用いてパッケージ基板3となる部分30a毎に行う。   Next, as shown in FIG. 8, the solder balls 8 are arranged on the surface of the mother package substrate 30 opposite to the mounting surface of the portion 30 a that becomes each package substrate 3. The placement of the solder balls 8 is performed for each portion 30 a that becomes the package substrate 3 using the suction mechanism 41.

次に、図9に示すように、母パッケージ基板30の封止材11側にダイシングテープ42を貼着した後、ダイシングブレード43を用いて母パッケージ基板30をダイシングテープ42とは反対側からダイシングラインLに沿って切断する。これにより、個々の半導体パッケージ1に分割する。そして、これら半導体パッケージ1をダイシングテープ42から引き剥がすことで、上記図1に示す半導体パッケージ1を得ることができる。   Next, as shown in FIG. 9, after the dicing tape 42 is attached to the sealing material 11 side of the mother package substrate 30, the mother package substrate 30 is diced from the side opposite to the dicing tape 42 using a dicing blade 43. Cut along line L. Thus, the semiconductor package 1 is divided. Then, by peeling off these semiconductor packages 1 from the dicing tape 42, the semiconductor package 1 shown in FIG. 1 can be obtained.

以上のような工程を経ることによって、上記半導体パッケージ1を一括して製造することが可能である。また、本発明では、このようなMAP(Mold Array Process)と呼ばれる複数の半導体パッケージ1を一括して封止する生産方式を用いることにより、上記半導体パッケージ1を効率良く製造することができるため、その製造コストの低減を図ることが可能である。   By going through the steps as described above, the semiconductor package 1 can be manufactured collectively. In the present invention, the semiconductor package 1 can be efficiently manufactured by using a production method for collectively sealing a plurality of semiconductor packages 1 called MAP (Mold Array Process). It is possible to reduce the manufacturing cost.

なお、本発明は、上記実施形態のものに必ずしも限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
具体的に、上記実施形態では、パッケージ基板3及び母パッケージ基板30として、例えばガラスエポキシ樹脂からなる基材の面上にCu等の導電材料からなる配線を形成したプリント配線板を用いることができるが、例えばTCP(Tape Carrier Package)型の半導体装置のように、ポリイミド樹脂等からなるフレキシブルプリント配線板の上に半導体チップを実装した半導体パッケージに対しても、本発明を適用することが可能である。
In addition, this invention is not necessarily limited to the thing of the said embodiment, A various change can be added in the range which does not deviate from the meaning of this invention.
Specifically, in the above embodiment, as the package substrate 3 and the mother package substrate 30, for example, a printed wiring board in which wiring made of a conductive material such as Cu is formed on the surface of a base material made of glass epoxy resin can be used. However, the present invention can be applied to a semiconductor package in which a semiconductor chip is mounted on a flexible printed wiring board made of polyimide resin or the like, for example, a TCP (Tape Carrier Package) type semiconductor device. is there.

また、上記実施形態では、パッケージ基板3の一面にパッケージ配線9が配置された構成となっているが、このような構成に限らず、上記パッケージ基板3として、複数のプリント配線板が積層された多層プリント配線板を用いることも可能である。   In the above embodiment, the package wiring 9 is arranged on one surface of the package substrate 3. However, the present invention is not limited to this configuration, and a plurality of printed wiring boards are stacked as the package substrate 3. It is also possible to use a multilayer printed wiring board.

また、上記実施形態では、パッケージ基板3の中央部分に開口部5が設けられた構成について説明したが、この開口部5によってパッケージ基板3が2つに分割された構成であってもよい。   Moreover, although the said embodiment demonstrated the structure by which the opening part 5 was provided in the center part of the package substrate 3, the structure by which the package substrate 3 was divided | segmented into two by this opening part 5 may be sufficient.

また、上記実施形態では、パッケージ基板3上に1つの半導体チップ2が実装された構成について説明したが、パッケージ基板3上に複数の半導体チップ2が実装された構成であってもよい。   Moreover, although the said embodiment demonstrated the structure by which the one semiconductor chip 2 was mounted on the package board | substrate 3, the structure by which the several semiconductor chip 2 was mounted on the package board | substrate 3 may be sufficient.

また、上記実施形態では、外部接続端子としてはんだボールを用いたBGA型の半導体装置に適用した場合について説明したが、外部接続端子として電極パッドを用いたLGA(Land Grid Array)型の半導体装置に本発明を適用することも可能である。   In the above embodiment, the case where the present invention is applied to a BGA type semiconductor device using solder balls as external connection terminals has been described. However, the present invention is applied to an LGA (Land Grid Array) type semiconductor device using electrode pads as external connection terminals. It is also possible to apply the present invention.

1…半導体パッケージ 2…半導体チップ 2a…接着層 3…パッケージ基板 4…チップパッド 4A…第1チップパッド列 4B…第2チップパッド列 4B…第3チップパッド列 5…開口部 6…ボンディングパッド 6A…第1ボンディングパッド列 6B…第2ボンディングパッド列 7…ボンディングワイヤー 8…はんだボール(外部接続端子) 9…パッケージ配線 10,11…封止樹脂(封止材) 12…絶縁膜 30…母パッケージ基板   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor package 2 ... Semiconductor chip 2a ... Adhesion layer 3 ... Package board 4 ... Chip pad 4A ... 1st chip pad row | line | column 4B ... 2nd chip pad row | line | column 4B ... 3rd chip pad row | line | column 5 ... Opening part 6 ... Bonding pad 6A 1st bonding pad row 6B 2nd bonding pad row 7 Bonding wire 8 Solder ball (external connection terminal) 9 Package wiring 10, 11 Sealing resin (sealing material) 12 Insulating film 30 Mother package substrate

Claims (9)

半導体チップがパッケージ基板上に実装されてなる半導体装置であって、
前記半導体チップは、前記パッケージ基板と対向する面の中央部分に位置して、複数のチップパッドが一の方向に平行に並ぶ第1チップパッド列及び第2チップパッド列と、前記第1及び第2チップパッド列の端部よりも外側に位置して、複数のチップパッドが前記一の方向に並ぶ第3チップパッド列とを有し、
前記パッケージ基板は、前記半導体チップの第1、第2及び第3チップパッド列を外方に臨ませる開口部と、前記半導体チップが実装される面とは反対側の面に位置して、複数のボンディングパッドが前記開口部の第1チップパッド列側の開口端に沿って並ぶ第1ボンディングパッド列と、複数のボンディングパッドが前記開口部の第2チップパッド列側の開口端に沿って並ぶ第2ボンディングパッド列とを有し、
前記第1チップパッド列を構成するチップパッドがボンディングワイヤーを介して前記第1ボンディングパッド列を構成するボンディングパッドと電気的に接続され、
前記第2チップパッド列を構成するチップパッドがボンディングワイヤーを介して前記第2ボンディングパッド列を構成するボンディングパッドと電気的に接続され、
前記第3チップパッド列を構成するチップパッドがボンディングワイヤーを介して前記第1又は第2ボンディングパッド列を構成するボンディングパッドと電気的に接続され、
なお且つ、各ボンディングワイヤーの前記一の方向と直交する方向に対する角度が45゜以下であることを特徴とする半導体装置。
A semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a package substrate,
The semiconductor chip is positioned at a central portion of a surface facing the package substrate, and a plurality of chip pads are arranged in parallel in one direction, and the first and second chip pad rows, A third chip pad row that is located outside the end of the two chip pad row and in which a plurality of chip pads are arranged in the one direction;
The package substrate includes a plurality of openings disposed on a surface opposite to the surface on which the semiconductor chip is mounted, and an opening that faces the first, second, and third chip pad rows of the semiconductor chip outward. Bonding pads are arranged along the opening end of the opening on the first chip pad row side, and a plurality of bonding pads are arranged along the opening end of the opening on the second chip pad row side. A second bonding pad row;
A chip pad constituting the first chip pad row is electrically connected to a bonding pad constituting the first bonding pad row via a bonding wire;
A chip pad constituting the second chip pad row is electrically connected to a bonding pad constituting the second bonding pad row via a bonding wire;
A chip pad constituting the third chip pad row is electrically connected to a bonding pad constituting the first or second bonding pad row via a bonding wire;
The semiconductor device is characterized in that an angle of each bonding wire with respect to a direction orthogonal to the one direction is 45 ° or less.
前記第1及び第2チップパッド列を構成するチップパッドは、その並び方向において前記第1及び第2ボンディングパッド列を構成するボンディングパッドと順に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。   2. The chip pads constituting the first and second chip pad rows are sequentially connected to bonding pads constituting the first and second bonding pad rows in the arrangement direction thereof. Semiconductor device. 前記第3チップパッド列を構成するチップパッドは、その並び方向において前記第1又は第2ボンディングパッド列を構成するボンディングパッドと交互に接続されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。   3. The chip pads constituting the third chip pad row are alternately connected to the bonding pads constituting the first or second bonding pad row in the arrangement direction thereof. Semiconductor device. 前記第3チップパッド列は、記第1チップパッド列と前記第2チップパッド列との間の中心線の延長線上に並んで配置されていることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の半導体装置。   The said 3rd chip pad row | line | column is arrange | positioned along with the extended line of the centerline between the said 1st chip pad row | line | column and the said 2nd chip pad row | line | column. The semiconductor device according to one item. 前記第3チップパッド列は、前記第1及び第2チップパッド列を挟んだ一の方向の両側に配置されていることを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載の半導体装置。   5. The semiconductor device according to claim 1, wherein the third chip pad row is disposed on both sides in one direction across the first and second chip pad rows. 6. . 前記第1及び第2ボンディングパッドは、前記半導体チップが実装される面とは反対側の面に配置された複数のパッケージ配線の一端に設けられていることを特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載の半導体装置。   6. The first and second bonding pads are provided at one end of a plurality of package wirings disposed on a surface opposite to a surface on which the semiconductor chip is mounted. The semiconductor device according to any one of the above. 前記複数のパッケージ配線の他端には、それぞれ外部接続端子が設けられ、
前記外部接続端子は、前記第1及び第2ボンディングパッド列の外側に位置して、前記一の方向及び前記一の方向と直交する方向に複数並んで配置されていることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
External connection terminals are respectively provided at the other ends of the plurality of package wirings,
The plurality of external connection terminals are located outside the first and second bonding pad rows, and are arranged side by side in the one direction and a direction orthogonal to the one direction. 6. The semiconductor device according to 6.
前記外部接続端子は、はんだボール又は電極パッドであることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 7, wherein the external connection terminal is a solder ball or an electrode pad. 前記開口部が封止材によって封止されていることを特徴とする請求項1〜8の何れか一項に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the opening is sealed with a sealing material.
JP2010154220A 2010-07-06 2010-07-06 Semiconductor device Pending JP2012018988A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010154220A JP2012018988A (en) 2010-07-06 2010-07-06 Semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010154220A JP2012018988A (en) 2010-07-06 2010-07-06 Semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012018988A true JP2012018988A (en) 2012-01-26

Family

ID=45604048

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010154220A Pending JP2012018988A (en) 2010-07-06 2010-07-06 Semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2012018988A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113035071A (en) * 2021-04-14 2021-06-25 京东方科技集团股份有限公司 Display device and binding method thereof
US11164833B2 (en) 2019-10-04 2021-11-02 SK Hynix Inc. Semiconductor device using wires and stacked semiconductor package

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11164833B2 (en) 2019-10-04 2021-11-02 SK Hynix Inc. Semiconductor device using wires and stacked semiconductor package
CN113035071A (en) * 2021-04-14 2021-06-25 京东方科技集团股份有限公司 Display device and binding method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5222509B2 (en) Semiconductor device
JP5598787B2 (en) Manufacturing method of stacked semiconductor device
US6586274B2 (en) Semiconductor device, substrate for a semiconductor device, method of manufacture thereof, and electronic instrument
TWI399146B (en) Printed circuit board, manufacturing method thereof and ball grid array land pattern
US7879655B2 (en) Semiconductor device and a manufacturing method of the same
US7679178B2 (en) Semiconductor package on which a semiconductor device can be stacked and fabrication method thereof
US20120086111A1 (en) Semiconductor device
US9627366B2 (en) Stacked microelectronic packages having at least two stacked microelectronic elements adjacent one another
JP2008198841A (en) Semiconductor device
JP2006190771A (en) Semiconductor device
JP4068635B2 (en) Wiring board
US8294250B2 (en) Wiring substrate for a semiconductor chip, and semiconducotor package having the wiring substrate
TWI458062B (en) Electronic package assembly and electronic device
JP5645371B2 (en) Semiconductor device
JP2009026861A (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2007053121A (en) Semiconductor device, stacked semiconductor device, and wiring board
JP2011222901A (en) Semiconductor device
US20160104652A1 (en) Package structure and method of fabricating the same
JP2012018988A (en) Semiconductor device
KR20040078807A (en) Ball Grid Array Stack Package
US6965162B2 (en) Semiconductor chip mounting substrate and semiconductor device using it
JP5103155B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
US20070209830A1 (en) Semiconductor chip package having a slot type metal film carrying a wire-bonding chip
KR100779344B1 (en) Semiconductor Package
JP4523425B2 (en) Semiconductor device mounting substrate