JP2012009225A - 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】光取り出し効率を向上させることができる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】基板1、第1電極2、少なくとも1つの発光層を含む有機層3、第2電極4をこの順に積層して形成された有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。前記第1電極2が、導電性物質としてナノ粒子及びナノワイヤーから選ばれるものと、バインダーとを含有する。前記第1電極2内において前記基板1側に比べて前記有機層3側の方が前記導電性物質の濃度が高い。
【選択図】図1
【解決手段】基板1、第1電極2、少なくとも1つの発光層を含む有機層3、第2電極4をこの順に積層して形成された有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。前記第1電極2が、導電性物質としてナノ粒子及びナノワイヤーから選ばれるものと、バインダーとを含有する。前記第1電極2内において前記基板1側に比べて前記有機層3側の方が前記導電性物質の濃度が高い。
【選択図】図1
Description
本発明は、照明器具、液晶バックライト、各種ディスプレイ、表示装置などに用いられる有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法に関するものである。
面発光体の代表的なものとして、有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)がある。この有機EL素子は、図4に示すように、光透過性の基板1の上に光透過性の第1電極2を設け、この第1電極2の上に有機EL材料からなる発光層を含む有機層3を設けると共に、有機層3の上に光反射性の第2電極4を設けることによって形成されている。そして第1電極2と第2電極4との間に電圧を印加することによって有機層3で発光した光は、第1電極2及び基板1を透過して取り出される。
一般的に光透過性の第1電極2は、ITO、IZO、AZO、GZO、FTO、ATOなどの金属酸化物を透明導電材料として用い、スパッタ法や真空蒸着法などの気相成膜法などで形成される。これらの製膜方法は高価な装置や多量のエネルギーが必要であり、製造コストや環境負荷を低減する技術が求められていた。また、これらで製膜した透明導電膜の屈折率はガラス基板に比べて高く、有機EL素子にした場合、基板1と第1電極2間での屈折率差による全反射ロスが光取り出し効率を低下させる要因になっている。
近年、導電性ナノ粒子を含有する溶液を用いて塗布や印刷などにより、透明導電膜を形成する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。この方法を用いると、導電性ナノ粒子を保持するバインダーの選択により、透明導電膜の屈折率を制御できる。屈折率を制御することにより、光学的に有利な有機EL素子構造を形成することができるが、屈折率が1.5〜1.6程度の無アルカリガラスやソーダライムガラス、プラスチック樹脂基板を用いた場合、屈折率1.7〜1.8程度の発光層を含む有機層3との間には屈折率差が生じてしまい、間に挿入する第1電極2の屈折率を調整してもスネルの法則に従う全反射による導波ロスはほとんど変化せず、劇的な光取り出しの向上には結びつかない。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、光取り出し効率を向上させることができる有機エレクトロルミネッセンス素子、並びに光取り出し効率及び電気特性を共に向上させることができる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することを目的とするものである。
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板、第1電極、少なくとも1つの発光層を含む有機層、第2電極をこの順に積層して形成された有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記第1電極が、導電性物質としてナノ粒子及びナノワイヤーから選ばれるものと、バインダーとを含有すると共に、前記第1電極内において前記基板側に比べて前記有機層側の方が前記導電性物質の濃度が高いことを特徴とするものである。
前記有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記バインダーとして導電性高分子が用いられていることが好ましい。
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、ナノ粒子及びナノワイヤーから選ばれる導電性物質とバインダーとの少なくともいずれかを含有する複数の電極構成層を前記導電性物質の濃度が高いものから順に転写用基板に積層することによって第1電極を形成する工程と、前記第1電極を基板に転写する工程と、前記第1電極に少なくとも1つの発光層を含む有機層を形成する工程と、前記有機層に第2電極を形成する工程とをこの順に経ることを特徴とするものである。
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、少なくとも1つの発光層を含む有機層を転写用基板に形成し、ナノ粒子及びナノワイヤーから選ばれる導電性物質とバインダーとの少なくともいずれかを含有する複数の電極構成層を前記導電性物質の濃度が高いものから順に前記有機層に積層することによって第1電極を形成する工程と、前記第1電極を基板に転写する工程と、前記有機層に第2電極を形成する工程とをこの順に経ることを特徴とするものである。
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子によれば、第1電極内において基板側に比べて有機層側の方が導電性物質の濃度が高いので、光散乱体となる導電性物質が第1電極と有機層との界面における全反射条件を乱すことによって、光取り出し効率を向上させることができるものである。
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法によれば、第1電極内において基板側に比べて有機層側の方が導電性物質の濃度が高いので、光散乱体となる導電性物質が第1電極と有機層との界面における全反射条件を乱すことによって、光取り出し効率を向上させることができるものであり、また、転写により第1電極と有機層との界面が平坦化されることによって、短絡が低減するなど電気特性を向上させることができるものである。
以下、本発明の実施の形態を説明する。
図1は本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)の一例を示すものであり、この有機EL素子は、基板1、第1電極2、少なくとも1つの発光層を含む有機層3、第2電極4をこの順に積層して形成されている。そして、本発明においては、第1電極2が、導電性物質としてナノ粒子及びナノワイヤーから選ばれるものと、バインダーとを含有している。さらに、第1電極2内において基板1側に比べて有機層3側の方が導電性物質の濃度が高くなっている。
上記のように、第1電極2内において導電性物質について基板1側に比べて有機層3側の方が濃度が高くなるように濃度傾斜(濃度勾配)を有する有機EL素子は、例えば、図2に示すような工程を経て製造することができる。
まず、図2(a)に示すように、転写用基板5の表面に第1電極2を形成する。ここで、転写用基板5としては、第1電極2を形成する面が平坦であるものであれば特に限定されるものではないが、例えば、ソーダガラスや無アルカリガラス等のリジッドな透明ガラス板、ポリカーボネートやポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等のフレキシブルな透明プラスチック板やフィルムなど、任意のものを用いることができる。転写性が良好であることから、好ましくはフレキシブルな透明プラスチック板を用いる。
第1電極2は、ボトムエミッション型の有機EL素子を製造する場合には光透過性を有するものであり、複数の電極構成層2a、2bを転写用基板5に積層することによって形成される。図2では電極構成層2a、2bの層数は2層であるが3層以上でもよい。各電極構成層2a、2bは、ナノ粒子及びナノワイヤーから選ばれる導電性物質とバインダーとの少なくともいずれかを含有している。ここで、導電性物質としては、例えば、銀、インジウム−錫酸化物(ITO)、インジウム−亜鉛酸化物(IZO)、錫酸化物、Au等の金属の微粒子、ドーパント(ドナー又はアクセプタ)含有有機層、導電体との混合物を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。なお、ナノ粒子の粒子径は1〜100nmであることが好ましく、またナノワイヤーの直径は1〜100nm、アスペクト比は1〜100であることが好ましい。他方、バインダーとしては、例えば、アクリル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン、ポリアクリルニトリル、ポリビニルアセタール、ポリアミド、ポリイミド、ジアクリルフタレート樹脂、セルロース系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、その他の熱可塑性樹脂や、これらの樹脂を構成する単量体の2種以上の共重合体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。特にバインダーとしては、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)ポリ(スチレンスルホン酸)水性分散液、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリアセチレン、ポリカルバゾールなどの導電性高分子を用いることが好ましい。これらは単独で用いてもよいし、組み合わせて用いてもよい。このように、バインダーとして導電性高分子を用いることによって、第1電極2の電気特性(特に導電性)をより向上させることができるものである。また、導電性を高めるために、以下のようなドーパントを用いたドーピングを行ってもよい。ドーパントとしては、スルホン酸、ルイス酸、プロトン酸、アルカリ金属、アルカリ土類金属などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
ただし、各電極構成層2a、2bの導電性物質の濃度は異なっており、導電性物質の濃度が高いものから順に複数の電極構成層2a、2bを転写用基板5に積層することによって第1電極2を形成する。このとき各電極構成層2a、2bは、導電性物質とバインダーとの少なくともいずれかを溶媒に分散させた溶液をスピンコート、スクリーン印刷、ディップコート、ダイコート、キャスト、スプレーコート、グラビアコートすることによって、転写用基板5に形成したり、既に形成した電極構成層2aに重ねて形成したりすることができる。なお、溶媒としては、特に限定されるものではないが、例えば、イソプロピルアルコール等を用いることができる。
次に、図2(b)(c)に示すように、転写用基板5に形成した第1電極2を基板1の表面に転写する。このとき、導電性物質の濃度が最も低い電極構成層2bが基板1に接着し、転写用基板5を剥離などにより除去することによって、図2(c)のように導電性物質の濃度が最も高い電極構成層2aが最外層として露出する。このようにして露出した第1電極2の表面は、それまで密着していた転写用基板5の表面が平坦であったため、平坦化されている。
ここで、基板1としては、ボトムエミッション型の有機EL素子を製造する場合には、光透過性のものであれば特に限定されるものではないが、例えば、ソーダガラスや無アルカリガラス等のリジッドな透明ガラス板、ポリカーボネートやポリエチレンテレフタレート等のフレキシブルな透明プラスチック板など、任意のものを用いることができ、また、トップエミッション型の有機EL素子を製造する場合には、上記のものに加え、各種金属箔や板など光透過性の低いものも用いることができる。なお、転写用基板5の表面の平坦性を損なわない限り、転写用基板5の表面には第1電極2を形成する前に剥離層や光−熱変換層、感圧材を含む層を設けてもよい。そして、熱による転写、レーザー光を含む光による転写、加圧や静電力による転写が挙げられるが、このうち熱による転写は、例えば、第1電極2を介して転写用基板5及び基板1を加熱加圧した後、転写用基板5を除去することによって行うことができる。
次に、図2(d)に示すように、第1電極2の表面に有機層3を形成した後、有機層3の表面に第2電極4を形成することによって、有機EL素子を製造することができる。第1電極2の表面はあらかじめ平坦化されているので、第1電極2と有機層3との界面も平坦化されることになる。
ここで、有機層3は少なくとも1つの発光層を含むものであり、発光層を形成するための有機EL材料としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、ピレン、テトラセン、コロネン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−8−キノリナート)アルミニウム錯体、トリス(5−フェニル−8−キノリナート)アルミニウム錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、トリ−(p−ターフェニル−4−イル)アミン、ピラン、キナクリドン、ルブレン、及びこれらの誘導体、あるいは、1−アリール−2,5−ジ(2−チエニル)ピロール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、スチリルアリーレン誘導体、スチリルアミン誘導体、及びこれらの発光性化合物からなる基を分子の一部分に有する化合物あるいは高分子等が挙げられる。また上記化合物に代表される蛍光色素由来の化合物のみならず、いわゆる燐光発光材料、例えばIr錯体、Os錯体、Pt錯体、ユーロピウム錯体等々の発光材料、又はそれらを分子内に有する化合物若しくは高分子も好適に用いることができる。これらの材料は、必要に応じて、適宜選択して用いることができる。
また、有機層3は、発光層以外に、正孔注入層(ホール注入層)、正孔輸送層(ホール輸送層)、電子輸送層、電子注入層から選ばれるものを含んでいてもよい。
また、第2電極4を形成するための電極材料としては、Alなどを用いることができるが、Alと他の電極材料を組み合わせて積層構造などとして第2電極4を形成してもよい。このような電極材料の組み合わせとしては、アルカリ金属とAlとの積層体、アルカリ金属と銀との積層体、アルカリ金属のハロゲン化物とAlとの積層体、アルカリ金属の酸化物とAlとの積層体、アルカリ土類金属や希土類金属とAlとの積層体、これらの金属種と他の金属との合金などが挙げられ、具体的には、例えばナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム、マグネシウムなどとAlとの積層体、マグネシウム−銀混合物、マグネシウム−インジウム混合物、アルミニウム−リチウム合金、LiF/Al混合物/積層体、Al/Al2O3混合物などを例として挙げることができるが、これらに限定されるものではない。なお、第2電極4は、トップエミッション型の有機EL素子を製造する場合には光透過性を有するものである。
上記のようにして製造された有機EL素子にあっては、第1電極2内において基板1側に比べて有機層3側の方が導電性物質の濃度が高いので、光散乱体となる導電性物質が第1電極2と有機層3との界面における全反射条件を乱すことによって、光取り出し効率を向上させることができるものである。
このように、第1電極2と有機層3との界面近傍に光散乱体となる導電性物質(ナノ粒子やナノワイヤー)を配置すると、上記界面での全反射条件が乱れ、光取り出し効率が向上する。ただ、導電性物質とバインダーとを混合した溶液を塗布して形成された透明導電膜では、導電性物質の分散性が低いと、透明導電膜の表面粗さが大きくなり、有機EL素子の短絡が生じる危険性が高くなる。これを回避する方法として、ナノ粒子を含有する透明導電膜上にナノ粒子を含有しない、又は、ナノ粒子の含有量の少ないバインダーを用いてオーバーコート層を形成するなどして平坦性を改善する手法が開示されている(例えば、特表2009−505358号公報参照)。しかし、このような方法では平坦性は改善されるものの、上記界面での光散乱による全反射を抑制する効果が低下する。さらに、透明導電膜に比べてオーバーコート層の導電性が低いため、電極としての電気特性も低下してしまうおそれがある。
そこで、本発明では、転写を利用するようにしたものであり、これにより第1電極2と有機層3との界面が平坦化されることによって、短絡が低減するなど電気特性を向上させることができるものである。
また有機EL素子は、図3に示すような工程を経て製造することもできる。
まず、図3(a)に示すように、転写用基板5の表面に有機層3を形成した後、有機層3の表面に第1電極2を形成する。一般的に有機層3は単独で形成する場合、その表面の平坦性は高くなるので、有機層3と第1電極2との界面も平坦になる。ここで、転写用基板5としては、上述のものを用いることができる。また、この場合の有機層3も少なくとも1つの発光層を含むものであり、発光層を形成するための有機EL材料としては、上述のものを用いることができる。なお、最終的に得られる有機EL素子の有機層3の一部を転写用基板5に形成し、この一部を基板1に転写した後に残部を積層して有機層3を形成するようにしてもよい。この場合も有機層3は単独で形成するので、その表面の平坦性が高くなり、有機層3と第1電極2との界面も平坦になる。
第1電極2は、複数の電極構成層2a、2bを有機層3に積層することによって形成される。図3では電極構成層2a、2bの層数は2層であるが3層以上でもよい。各電極構成層2a、2bは、ナノ粒子及びナノワイヤーから選ばれる導電性物質とバインダーとの少なくともいずれかを含有している。ここで、導電性物質及びバインダーとしては、上述のものを用いることができる。
ただし、各電極構成層2a、2bの導電性物質の濃度は異なっており、導電性物質の濃度が高いものから順に複数の電極構成層2a、2bを有機層3に積層することによって第1電極2を形成する。
次に、図3(b)(c)に示すように、転写用基板5に形成した有機層3及び第1電極2を基板1の表面に転写する。このとき、導電性物質の濃度が最も低い電極構成層2bが基板1に接着し、転写用基板5を剥離などにより除去することによって、図3(c)のように有機層3が最外層として露出する。このようにして露出した有機層3の表面は、それまで密着していた転写用基板5の表面が平坦であったため、平坦化されている。ここで、基板1としては、上述のものを用いることができる。
次に、図3(d)に示すように、有機層3の表面に第2電極4を形成することによって、有機EL素子を製造することができる。有機層3の表面はあらかじめ平坦化されているので、有機層3と第2電極4との界面も平坦化されることになる。ここで、第2電極4を形成するための電極材料としては、上述のものを用いることができる。
上記のようにして製造された有機EL素子にあっては、第1電極2内において基板1側に比べて有機層3側の方が導電性物質の濃度が高いので、光散乱体となる導電性物質が第1電極2と有機層3との界面における全反射条件を乱すことによって、光取り出し効率を向上させることができるものである。
さらに、本発明では、転写を利用するようにしたものであり、これにより第2電極4と有機層3との界面も平坦化されることによって、短絡が低減するなど電気特性を向上させることができるものである。
以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
(実施例1)
転写用基板5として無アルカリガラス板(コーニング社製「No.1737」、屈折率1.50〜1.53@波長500nm)を用い、この転写用基板5の平坦な面に、ITOナノ粒子を溶媒で分散した溶液(粒子径約40nm、シーアイ化成社製NanoTek(登録商標)ITCW15wt%−G30)、ポリメチルメタクリレート(PMMA、Aldrich社製)を溶媒で分散した溶液(5wt%トルエン溶液)を順に塗布、乾燥させることによって、転写用の第1電極2を形成した。この第1電極2の膜厚を接触式段差計で測定したところ約200nmであった。次に、転写用基板5の第1電極2が形成されている面をポリイミドフィルムからなる基板1に接触させ、転写用基板5の第1電極2が形成されていない面をホットプレートに接触させて、加圧しながら加熱溶融することにより、基板1の表面に第1電極2を転写した。そして、転写用基板5を除去した後、第1電極2の表面に、PEDOT:PSS(Clevios(登録商標)P VP AI4083,H.C.Starck社製)を膜厚が約65nmになるように塗布し、これを200℃で15分間焼成することによってホール注入層を形成した。次に、TFB(Poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4'-(N-(4-sec-butylphenyl))diphenylamine)])(アメリカンダイソース社製「Hole Transport Polymer ADS259BE」)をTHF溶媒に溶解した溶液(1wt%THF溶液)をホール注入層の表面に膜厚が12nmになるようにスピンコーターで塗布してTFB被膜を形成し、これを200℃で10分間焼成することによってホール輸送層を形成した。波長650nmの屈折率を光学式薄膜測定システム(SCI社製「FilmTek」)で測定したところ1.7であった。次に、赤色高分子(アメリカンダイソース社製「Light Emitting Polymer ADS111RE」)をTHF溶媒に溶解した溶液(1wt%THF溶液)をホール輸送層の表面に膜厚が70nmになるようにスピンコーターで塗布し、これを100℃で10分間焼成することによって発光層を形成した。波長650nmの屈折率をホール輸送層と同様に測定したところ1.7であった。次に、発光層の表面に電子注入層としてBa(高純度化学製)を膜厚が5nmになるように形成することによって、有機層3を完成させた。そして、最後に電子注入層の表面にAl(高純度化学製)を膜厚が80nmになるように真空蒸着させることによって、陰極として第2電極4を形成した。
転写用基板5として無アルカリガラス板(コーニング社製「No.1737」、屈折率1.50〜1.53@波長500nm)を用い、この転写用基板5の平坦な面に、ITOナノ粒子を溶媒で分散した溶液(粒子径約40nm、シーアイ化成社製NanoTek(登録商標)ITCW15wt%−G30)、ポリメチルメタクリレート(PMMA、Aldrich社製)を溶媒で分散した溶液(5wt%トルエン溶液)を順に塗布、乾燥させることによって、転写用の第1電極2を形成した。この第1電極2の膜厚を接触式段差計で測定したところ約200nmであった。次に、転写用基板5の第1電極2が形成されている面をポリイミドフィルムからなる基板1に接触させ、転写用基板5の第1電極2が形成されていない面をホットプレートに接触させて、加圧しながら加熱溶融することにより、基板1の表面に第1電極2を転写した。そして、転写用基板5を除去した後、第1電極2の表面に、PEDOT:PSS(Clevios(登録商標)P VP AI4083,H.C.Starck社製)を膜厚が約65nmになるように塗布し、これを200℃で15分間焼成することによってホール注入層を形成した。次に、TFB(Poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4'-(N-(4-sec-butylphenyl))diphenylamine)])(アメリカンダイソース社製「Hole Transport Polymer ADS259BE」)をTHF溶媒に溶解した溶液(1wt%THF溶液)をホール注入層の表面に膜厚が12nmになるようにスピンコーターで塗布してTFB被膜を形成し、これを200℃で10分間焼成することによってホール輸送層を形成した。波長650nmの屈折率を光学式薄膜測定システム(SCI社製「FilmTek」)で測定したところ1.7であった。次に、赤色高分子(アメリカンダイソース社製「Light Emitting Polymer ADS111RE」)をTHF溶媒に溶解した溶液(1wt%THF溶液)をホール輸送層の表面に膜厚が70nmになるようにスピンコーターで塗布し、これを100℃で10分間焼成することによって発光層を形成した。波長650nmの屈折率をホール輸送層と同様に測定したところ1.7であった。次に、発光層の表面に電子注入層としてBa(高純度化学製)を膜厚が5nmになるように形成することによって、有機層3を完成させた。そして、最後に電子注入層の表面にAl(高純度化学製)を膜厚が80nmになるように真空蒸着させることによって、陰極として第2電極4を形成した。
この後、第1電極2、有機層3及び第2電極4を形成した基板1を露点−80℃以下のドライ窒素雰囲気のグローブボックスに大気に曝露することなく搬送した。一方、硝子製の封止キャップに吸水剤(ダイニック社製)を貼り付けると共に封止キャップの外周部に紫外線硬化樹脂製のシール剤を塗布したものをあらかじめ用意した。そして、グローブボックス内で第1電極2、有機層3及び第2電極4を囲むように封止キャップを基板1にシール剤で貼り合わせ、紫外線照射してシール剤を硬化させ、第1電極2、有機層3及び第2電極4を封止キャップで封止することによって、有機EL素子を得た。
(実施例2)
転写用基板5として無アルカリガラス板(コーニング社製「No.1737」、屈折率1.50〜1.53@波長500nm)を用い、この転写用基板5の平坦な面に、ITOナノ粒子を溶媒で分散した溶液(粒子径約40nm、シーアイ化成社製NanoTek(登録商標)ITCW15wt%−G30)、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン):ポリアニオンポリ(スチレンスルホン酸塩)(PEDOT:PSS、Clevios(登録商標)PH1000、H.C.Starck社製、組成比PEDOT:PSS=1:2.5)の溶液を順に塗布、乾燥させることによって、転写用の第1電極2を形成した。この第1電極2の膜厚を接触式段差計で測定したところ約200nmであった。そして、第1電極2を基板1に転写する工程以降は、実施例1と同様の工程を経て、有機EL素子を得た。
転写用基板5として無アルカリガラス板(コーニング社製「No.1737」、屈折率1.50〜1.53@波長500nm)を用い、この転写用基板5の平坦な面に、ITOナノ粒子を溶媒で分散した溶液(粒子径約40nm、シーアイ化成社製NanoTek(登録商標)ITCW15wt%−G30)、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン):ポリアニオンポリ(スチレンスルホン酸塩)(PEDOT:PSS、Clevios(登録商標)PH1000、H.C.Starck社製、組成比PEDOT:PSS=1:2.5)の溶液を順に塗布、乾燥させることによって、転写用の第1電極2を形成した。この第1電極2の膜厚を接触式段差計で測定したところ約200nmであった。そして、第1電極2を基板1に転写する工程以降は、実施例1と同様の工程を経て、有機EL素子を得た。
(実施例3)
転写用基板5として無アルカリガラス板(コーニング社製「No.1737」、屈折率1.50〜1.53@波長500nm)を用い、この転写用基板5の平坦な面に、ホール注入層として機能するPEDOT:PSS(Clevios(登録商標)P VP AI4083,H.C.Starck社製)を膜厚が約65nmになるように塗布し、さらにITOナノ粒子を溶媒で分散した溶液(粒子径約40nm、シーアイ化成社製NanoTek(登録商標)ITCW15wt%−G30)、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン):ポリアニオンポリ(スチレンスルホン酸塩)(PEDOT:PSS、Clevios(登録商標)PH1000、H.C.Starck社製、組成比PEDOT:PSS=1:2.5)の溶液を順に塗布、乾燥させることによって、転写用の第1電極2を形成した。次に、転写用基板5の第1電極2が形成されている面をポリイミドフィルムからなる基板1に接触させ、転写用基板5の第1電極2が形成されていない面をホットプレートに接触させて、加圧しながら加熱溶融することにより、基板1の表面に第1電極2を転写した。そして、転写用基板5を除去した後、ホール注入層にホール輸送層を形成する工程以降は、実施例1と同様の工程を経て、有機EL素子を得た。
転写用基板5として無アルカリガラス板(コーニング社製「No.1737」、屈折率1.50〜1.53@波長500nm)を用い、この転写用基板5の平坦な面に、ホール注入層として機能するPEDOT:PSS(Clevios(登録商標)P VP AI4083,H.C.Starck社製)を膜厚が約65nmになるように塗布し、さらにITOナノ粒子を溶媒で分散した溶液(粒子径約40nm、シーアイ化成社製NanoTek(登録商標)ITCW15wt%−G30)、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン):ポリアニオンポリ(スチレンスルホン酸塩)(PEDOT:PSS、Clevios(登録商標)PH1000、H.C.Starck社製、組成比PEDOT:PSS=1:2.5)の溶液を順に塗布、乾燥させることによって、転写用の第1電極2を形成した。次に、転写用基板5の第1電極2が形成されている面をポリイミドフィルムからなる基板1に接触させ、転写用基板5の第1電極2が形成されていない面をホットプレートに接触させて、加圧しながら加熱溶融することにより、基板1の表面に第1電極2を転写した。そして、転写用基板5を除去した後、ホール注入層にホール輸送層を形成する工程以降は、実施例1と同様の工程を経て、有機EL素子を得た。
(比較例1)
ポリイミドフィルムからなる基板1の表面に、ITOナノ粒子を溶媒で分散した溶液(粒子径約40nm、シーアイ化成社製NanoTek(登録商標)ITCW15wt%−G30)とポリメチルメタクリレート(PMMA、Aldrich社製)とをPMMAが5wt%となるように均一に混合して分散した溶液を塗布、乾燥させることによって、第1電極2を形成した。そして、第1電極2に有機層3を形成する工程以降は、実施例1と同様の工程を経て、有機EL素子を得た。
ポリイミドフィルムからなる基板1の表面に、ITOナノ粒子を溶媒で分散した溶液(粒子径約40nm、シーアイ化成社製NanoTek(登録商標)ITCW15wt%−G30)とポリメチルメタクリレート(PMMA、Aldrich社製)とをPMMAが5wt%となるように均一に混合して分散した溶液を塗布、乾燥させることによって、第1電極2を形成した。そして、第1電極2に有機層3を形成する工程以降は、実施例1と同様の工程を経て、有機EL素子を得た。
(比較例2)
ポリイミドフィルムからなる基板1の表面に、ITOナノ粒子を溶媒で分散した溶液(粒子径約40nm、シーアイ化成社製NanoTek(登録商標)ITCW15wt%−G30)とポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン):ポリアニオンポリ(スチレンスルホン酸塩)(PEDOT:PSS、Clevios(登録商標)PH1000、H.C.Starck社製、組成比PEDOT:PSS=1:2.5)とを重量比が1:3となるように均一に混合して分散した溶液を塗布、乾燥させることによって、第1電極2を形成した。そして、第1電極2に有機層3を形成する工程以降は、実施例1と同様の工程を経て、有機EL素子を得た。
ポリイミドフィルムからなる基板1の表面に、ITOナノ粒子を溶媒で分散した溶液(粒子径約40nm、シーアイ化成社製NanoTek(登録商標)ITCW15wt%−G30)とポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン):ポリアニオンポリ(スチレンスルホン酸塩)(PEDOT:PSS、Clevios(登録商標)PH1000、H.C.Starck社製、組成比PEDOT:PSS=1:2.5)とを重量比が1:3となるように均一に混合して分散した溶液を塗布、乾燥させることによって、第1電極2を形成した。そして、第1電極2に有機層3を形成する工程以降は、実施例1と同様の工程を経て、有機EL素子を得た。
そして、各有機EL素子について、外部量子効率比(光取り出し効率)及び電圧(10mA/cm2)を測定した。その結果を下記表1に示す。
上記表1から明らかなように、実施例1と比較例1とを対比すると、実施例1の方が、外部量子効率比が高く、電圧が低いことから、光取り出し効率及び電気特性を共に向上させることができることが確認された。
また、実施例2と比較例2とを対比すると、実施例2の方が、外部量子効率比が高く、電圧が低いことから、光取り出し効率及び電気特性を共に向上させることができることが確認された。
また、実施例1と実施例2、3とを対比すると、いずれも外部量子効率比は同じであるが、実施例2、3の方が電圧が低いことから、PMMAの代わりにポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)ポリ(スチレンスルホン酸)水性分散液を用いると電気特性が向上することが確認された。
1 基板
2 第1電極
2a 電極構成層
2b 電極構成層
3 有機層
4 第2電極
5 転写用基板
2 第1電極
2a 電極構成層
2b 電極構成層
3 有機層
4 第2電極
5 転写用基板
Claims (4)
- 基板、第1電極、少なくとも1つの発光層を含む有機層、第2電極をこの順に積層して形成された有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記第1電極が、導電性物質としてナノ粒子及びナノワイヤーから選ばれるものと、バインダーとを含有すると共に、前記第1電極内において前記基板側に比べて前記有機層側の方が前記導電性物質の濃度が高いことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記バインダーとして導電性高分子が用いられていることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- ナノ粒子及びナノワイヤーから選ばれる導電性物質とバインダーとの少なくともいずれかを含有する複数の電極構成層を前記導電性物質の濃度が高いものから順に転写用基板に積層することによって第1電極を形成する工程と、前記第1電極を基板に転写する工程と、前記第1電極に少なくとも1つの発光層を含む有機層を形成する工程と、前記有機層に第2電極を形成する工程とをこの順に経ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 少なくとも1つの発光層を含む有機層を転写用基板に形成し、ナノ粒子及びナノワイヤーから選ばれる導電性物質とバインダーとの少なくともいずれかを含有する複数の電極構成層を前記導電性物質の濃度が高いものから順に前記有機層に積層することによって第1電極を形成する工程と、前記第1電極を基板に転写する工程と、前記有機層に第2電極を形成する工程とをこの順に経ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010142987A JP2012009225A (ja) | 2010-06-23 | 2010-06-23 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2010142987A JP2012009225A (ja) | 2010-06-23 | 2010-06-23 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012009225A true JP2012009225A (ja) | 2012-01-12 |
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ID=45539554
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2010142987A Withdrawn JP2012009225A (ja) | 2010-06-23 | 2010-06-23 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP2012009225A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014202462A3 (de) * | 2013-06-21 | 2015-02-19 | Osram Oled Gmbh | Elektrode und optoelektronisches bauelement sowie ein verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements |
| WO2016074948A1 (de) * | 2014-11-11 | 2016-05-19 | Osram Oled Gmbh | Licht emittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines licht emittierenden bauelements |
| JP2018506166A (ja) * | 2015-08-18 | 2018-03-01 | ゴルテック.インク | マイクロ発光ダイオードの事前排除方法、製造方法、装置及び電子機器 |
| CN108630727A (zh) * | 2017-03-21 | 2018-10-09 | 宸鸿光电科技股份有限公司 | 有机发光二极管显示装置 |
-
2010
- 2010-06-23 JP JP2010142987A patent/JP2012009225A/ja not_active Withdrawn
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| US9887379B2 (en) | 2013-06-21 | 2018-02-06 | Osram Oled Gmbh | Electrode and optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component |
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| TWI661548B (zh) * | 2017-03-21 | 2019-06-01 | 宸鴻光電科技股份有限公司 | 有機發光二極體顯示裝置 |
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