JP2012008173A

JP2012008173A - Interference filter, optical module and analyzer

Info

Publication number: JP2012008173A
Application number: JP2010141379A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Fujisawa; 里志藤澤
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2010-06-22
Filing date: 2010-06-22
Publication date: 2012-01-12

Abstract

【課題】高分解能で、かつ低コストで製造可能な干渉フィルターを提供する。
【解決手段】エタロン５は、表面研磨された第一反射膜形成面５１３を有する第一基板５１と、第一基板５１に対向配置され、第一反射膜形成面５１３に対向する第二反射膜形成面５２３を有する第二基板５２と、第一反射膜形成面５１３に設けられた第一反射膜５６と、第二反射膜形成面５２３に設けられ、第一反射膜５６に対向する第二反射膜５７と、第一基板５１および第二基板５２を接合するプラズマ重合膜５３と、を具備した。
【選択図】図３An interference filter that can be manufactured with high resolution and low cost is provided.
An etalon 5 includes a first substrate 51 having a surface-polished first reflection film forming surface 513, and a second reflection film disposed opposite to the first substrate 51 and facing the first reflection film formation surface 513. A second substrate 52 having a formation surface 523; a first reflection film 56 provided on the first reflection film formation surface 513; and a second electrode provided on the second reflection film formation surface 523 and facing the first reflection film 56. A reflective film 57 and a plasma polymerization film 53 that joins the first substrate 51 and the second substrate 52 are provided.
[Selection] Figure 3

Description

入射光から所定の波長の光を取り出す干渉フィルター、この干渉フィルターを備えた光モジュール、およびこの光モジュールを備えた分析装置に関する。 The present invention relates to an interference filter that extracts light of a predetermined wavelength from incident light, an optical module that includes the interference filter, and an analyzer that includes the optical module.

従来、入射光から所定波長の光のみを透過または反射させる干渉フィルターが知られている（例えば、特許文献１参照）。
この特許文献１に記載の干渉フィルターは、一対の基板のそれぞれ対向する面に、エッチングにより凹陥部を形成し、これらの基板を接着剤により接合している。この干渉フィルターでは、凹陥部の表面が鏡面となり、ファブリーペロー干渉計のミラーを構成している。
また、特許文献１には、エッチングされていない一対のガラス基板を対向させ、スペーサを介して接合する構成も開示されている。 Conventionally, an interference filter that transmits or reflects only light having a predetermined wavelength from incident light is known (see, for example, Patent Document 1).
In the interference filter described in Patent Document 1, concave portions are formed by etching on opposing surfaces of a pair of substrates, and these substrates are bonded together with an adhesive. In this interference filter, the surface of the recessed portion becomes a mirror surface, and forms a mirror of a Fabry-Perot interferometer.
Patent Document 1 also discloses a configuration in which a pair of unetched glass substrates are opposed to each other and bonded via a spacer.

特開２００１−２８１４４３号公報JP 2001-281443 A

しかしながら、上記特許文献１のように、基板に、エッチングにより凹陥部を設ける場合、エッチング形成された面が傾斜面となったり、表面に凹凸が生じたりする場合がある。この場合、一対の基板の互いに対向するミラーも傾斜したり、ミラー面に凹凸が生じたりし、干渉フィルターの分解能が低下してしまうという問題がある。
一方、特許文献１には、スペーサを介してエッチングされていない基板同士を対向する構成が開示されているが、このような構成では、スペーサが別途必要となる。また、ミラー間のギャップが異なる複数種類の干渉フィルターを製造するには、複数種類の厚み寸法のスペーサを用意する必要がある。このため、干渉フィルターの製造コストが高くなるという問題がある。これに加え、各スペーサの厚みを精度良く均一に製造しないと、基板同士が平行ではなくなり、上記と同様に、分解能が低下してしまうという問題もある。 However, when the substrate is provided with a recessed portion by etching as in Patent Document 1, the etched surface may be an inclined surface or the surface may be uneven. In this case, there is a problem that the mirrors of the pair of substrates facing each other are also inclined, or the mirror surface is uneven, and the resolution of the interference filter is lowered.
On the other hand, Patent Document 1 discloses a configuration in which substrates that are not etched are opposed to each other via a spacer. In such a configuration, a spacer is separately required. In order to manufacture a plurality of types of interference filters having different gaps between mirrors, it is necessary to prepare spacers having a plurality of types of thickness dimensions. For this reason, there exists a problem that the manufacturing cost of an interference filter becomes high. In addition, if the thicknesses of the spacers are not manufactured accurately and uniformly, the substrates are not parallel to each other, and there is a problem that the resolution is reduced as described above.

本発明は、上記のような問題に鑑みて、高分解能で、かつ低コストで製造可能な干渉フィルター、光モジュール、および分析装置を提供することを目的とする。 In view of the above problems, an object of the present invention is to provide an interference filter, an optical module, and an analyzer that can be manufactured with high resolution and low cost.

本発明の干渉フィルターは、一面側に表面研磨された第一研磨平面を有する第一基板と、前記第一基板に対向し、前記第一研磨平面に対向する一面側に表面研磨された第二研磨平面を有する第二基板と、前記第一研磨平面に設けられた第一反射膜と、前記第二研磨平面に設けられ、前記第一反射膜に対向する第二反射膜と、前記第一基板および前記第二基板を接合するとともに、前記第一反射膜および前記第二反射膜の間に反射膜間ギャップを形成する紫外線硬化接合膜と、を具備したことを特徴とする。 The interference filter of the present invention includes a first substrate having a first polishing plane that is surface-polished on one side, and a second surface that is opposite to the first substrate and is surface-polished on one side facing the first polishing plane. A second substrate having a polishing plane; a first reflecting film provided on the first polishing plane; a second reflecting film provided on the second polishing plane and facing the first reflecting film; And an ultraviolet curable bonding film that bonds the substrate and the second substrate and forms an inter-reflection film gap between the first reflection film and the second reflection film.

この発明では、第一基板および第二基板のそれぞれに第一研磨平面および第二研磨平面が設けられて、これらの第一研磨平面および第二研磨平面が対向配置されている。そして、これらの第一研磨平面および第二研磨平面のそれぞれに、第一反射膜および第二反射膜が互いに対向して設けられている。このような、第一研磨平面、第二研磨平面では、エッチング処理により形成される面に比べて、表面に傾斜や凹凸が形成されないため、第一研磨平面や第二研磨平面に設けられる第一反射膜および第二反射膜にも傾斜や凹凸が形成されない。また、紫外線硬化接合膜を用いて第一基板および第二基板を接合する構成では、製造時に、例えば第二基板から第一基板に向かって、または第一基板から第二基板に向かって荷重を印加することで、紫外線硬化接合膜が圧縮されて弾性的に変形する。このため、荷重を制御することで、第一反射膜および第二反射膜の間の反射膜間ギャップの寸法を容易に、所望の値に設定することが可能となり、かつ、荷重を均等に印加することで、これらの第一基板および第二基板を、精度良く平行に維持することができる。そして、第一基板および第二基板が平行に維持された状態で紫外線を照射することで、紫外線硬化接合膜を迅速に硬化させることができる。
以上により、本発明では、第一基板の第一研磨平面および第二基板の第二研磨平面を平行に維持することができ、第一反射膜および第二反射膜も平行にできる。また、第一研磨平面および第二研磨平面に傾斜や凹凸がないため、第一反射膜および第二反射膜も平滑面とすることができる。したがって、第一反射膜および第二反射膜の間の反射膜間ギャップの寸法が、平面位置によって変動することがなく、一様となるので、干渉フィルターにより取り出される光の波長にもばらつきがなく、高分解能を実現できる。
また、紫外線硬化接合膜の接合では、紫外線照射により行われるため、例えば第一および第二反射膜にダメージを与える熱処理などが不要で、反射膜の劣化がなく、高性能な干渉フィルターを製造できる。さらに、スペーサなどの別部材を用いる必要がないため、製造コストをも低減できる。 In the present invention, a first polishing plane and a second polishing plane are provided on each of the first substrate and the second substrate, and the first polishing plane and the second polishing plane are arranged to face each other. A first reflective film and a second reflective film are provided opposite to each other on each of the first polishing plane and the second polishing plane. In the first polishing plane and the second polishing plane, since the surface is not inclined or uneven as compared with the surface formed by the etching process, the first polishing plane and the second polishing plane are provided on the first polishing plane and the second polishing plane. Neither inclination nor unevenness is formed in the reflective film and the second reflective film. Further, in the configuration in which the first substrate and the second substrate are bonded using the ultraviolet curable bonding film, a load is applied, for example, from the second substrate to the first substrate or from the first substrate to the second substrate during manufacturing. By applying, the ultraviolet curable bonding film is compressed and elastically deformed. For this reason, it is possible to easily set the dimension of the gap between the reflective films between the first reflective film and the second reflective film to a desired value by controlling the load, and to apply the load evenly. By doing so, the first substrate and the second substrate can be accurately maintained in parallel. And an ultraviolet curable bonding film can be hardened rapidly by irradiating an ultraviolet-ray in the state where the 1st substrate and the 2nd substrate were maintained in parallel.
As described above, in the present invention, the first polishing plane of the first substrate and the second polishing plane of the second substrate can be maintained in parallel, and the first reflective film and the second reflective film can also be parallel. In addition, since the first polishing plane and the second polishing plane are not inclined or uneven, the first reflection film and the second reflection film can also be smooth surfaces. Therefore, the size of the gap between the reflection films between the first reflection film and the second reflection film does not vary depending on the plane position, and is uniform, so there is no variation in the wavelength of light extracted by the interference filter. High resolution can be realized.
In addition, since the UV curable bonding film is bonded by UV irradiation, for example, a heat treatment that damages the first and second reflective films is unnecessary, and the reflective film does not deteriorate and a high-performance interference filter can be manufactured. . Furthermore, since it is not necessary to use a separate member such as a spacer, the manufacturing cost can be reduced.

本発明の干渉フィルターでは、前記第一基板は、前記第二基板に対向する面に凹状に形成された電極溝と、この電極溝の溝底面に設けられる第一電極と、を備え、前記第二基板は、前記第一電極に対向する第二電極を備えることが好ましい。 In the interference filter according to the aspect of the invention, the first substrate includes an electrode groove formed in a concave shape on a surface facing the second substrate, and a first electrode provided on a groove bottom surface of the electrode groove, The two substrates preferably include a second electrode facing the first electrode.

この発明では、第一電極および第二電極のそれぞれに電圧を印加することで、静電引力により、第一基板および第二基板のうち少なくともいずれか一方を撓ませて反射膜間ギャップの寸法を調整することができる。したがって、例えば被測定対象光を構成する各波長の光の光量を測定する場合などにおいて、第一電極および第二電極に印加する電圧を順次切り替えることで、容易に、干渉フィルターから取り出す光の波長を切り替えることができる。 In this invention, by applying a voltage to each of the first electrode and the second electrode, at least one of the first substrate and the second substrate is deflected by electrostatic attraction, and the dimension of the gap between the reflective films is set. Can be adjusted. Therefore, for example, when measuring the amount of light of each wavelength constituting the light to be measured, the wavelength of the light easily extracted from the interference filter by sequentially switching the voltage applied to the first electrode and the second electrode Can be switched.

本発明の干渉フィルターでは、前記第一基板および前記第二基板は、ガラス基板であることが好ましい。
この発明では、第一基板および第二基板がガラス基板であり、鏡面研磨により平滑な平面を容易に得ることができる。また、ガラス基板であれば可視光を良好に透過することができ、可視光内の所望波長の光を、吸収などすることなく良好に取り出すことができる。 In the interference filter according to the aspect of the invention, it is preferable that the first substrate and the second substrate are glass substrates.
In this invention, the first substrate and the second substrate are glass substrates, and a smooth flat surface can be easily obtained by mirror polishing. Moreover, if it is a glass substrate, visible light can be favorably permeate | transmitted and the light of the desired wavelength in visible light can be taken out favorably, without absorbing.

本発明の光モジュールは、上述のような干渉フィルターと、干渉フィルターにより取り出される光の光量を検出する検出部と、を備えることを特徴とする。 An optical module according to the present invention includes the above-described interference filter and a detection unit that detects the amount of light extracted by the interference filter.

この発明では、上述したように、干渉フィルターは、第一反射膜および第二反射膜を、高精度に平行に維持することができるため、高分解能を実現できる。したがって、このような干渉フィルターを備えた光モジュールでは、高い分解能で取り出された所望の光を検出部で受光させることができ、所望波長の光の光量を正確に検出することができる。また、干渉フィルターを低コストで製造できるため、このような干渉フィルターを備えた光モジュールの製造コストも低コストにできる。 In the present invention, as described above, the interference filter can maintain the first reflective film and the second reflective film in parallel with high accuracy, and thus can achieve high resolution. Therefore, in an optical module including such an interference filter, desired light extracted with high resolution can be received by the detection unit, and the amount of light having a desired wavelength can be accurately detected. In addition, since the interference filter can be manufactured at a low cost, the manufacturing cost of the optical module including such an interference filter can also be reduced.

本発明の分析装置は、光モジュールと、前記検出部により検出された光の光量に基づいて、光分析処理を実施する処理部と、を備えることを特徴とする。
ここで、分析装置としては、上記のような光モジュールにより検出された光の光量に基づいて、干渉フィルターに入射した光の色度や明るさなどを分析する光測定器、ガスの吸収波長を検出してガスの種類を検査するガス検出装置、受光した光からその波長の光に含まれるデータを取得する光通信装置などを例示することができる。
本発明では、上述したように、光モジュールにより、所望波長の光の正確な光量を検出することができるため、分析装置では、このような正確なデータに基づいて、正確な分析処理を実施できる。また、光モジュールを低コストで製造できるため、このような光モジュールを備えた分析装置においても、製造コストを低減させることができる。 The analysis apparatus of the present invention includes an optical module and a processing unit that performs an optical analysis process based on the amount of light detected by the detection unit.
Here, the analyzer includes a light measuring device that analyzes the chromaticity and brightness of light incident on the interference filter based on the amount of light detected by the optical module as described above, and an absorption wavelength of gas. Examples thereof include a gas detection device that detects the type of gas by detecting it, and an optical communication device that acquires data included in light of that wavelength from received light.
In the present invention, as described above, the optical module can detect the exact amount of light of a desired wavelength, and thus the analyzer can perform an accurate analysis process based on such accurate data. . In addition, since the optical module can be manufactured at low cost, the manufacturing cost can be reduced even in an analyzer equipped with such an optical module.

本発明に係る一実施形態の測色装置の概略構成を示す図である。1 is a diagram illustrating a schematic configuration of a color measurement device according to an embodiment of the present invention. 前記実施形態の干渉フィルターであるエタロンの概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the etalon which is the interference filter of the said embodiment. 前記実施形態のエタロンの断面図である。It is sectional drawing of the etalon of the said embodiment. 前記実施形態のエタロンの分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the etalon of the embodiment. 第一基板の製造工程を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of a 1st board | substrate. 第二基板の製造工程を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of a 2nd board | substrate. 第一基板および第二基板を接合する接合工程を示す図である。It is a figure which shows the joining process of joining a 1st board | substrate and a 2nd board | substrate. 他の実施形態におけるエタロンの断面図である。It is sectional drawing of the etalon in other embodiment.

以下、本発明に係る一実施形態について、図面に基づいて説明する。
〔１．測色装置の全体構成〕
図１は、本発明に係る実施形態の測色装置の概略構成を示す図である。
この測色装置１は、本発明の分析装置であり、図１に示すように、被検査対象Ａに光を射出する光源装置２と、本発明の光モジュールである測色センサー３と、測色装置１の全体動作を制御する制御装置４とを備えている。そして、この測色装置１は、光源装置２から射出される光を被検査対象Ａにて反射させ、反射された検査対象光を測色センサーにて受光し、測色センサー３から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度、すなわち被検査対象Ａの色を分析して測定する装置である。 Hereinafter, an embodiment according to the present invention will be described with reference to the drawings.
[1. Overall configuration of the color measuring device]
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a color measurement device according to an embodiment of the present invention.
This color measurement device 1 is an analysis device according to the present invention, and as shown in FIG. 1, a light source device 2 that emits light to a test object A, a color measurement sensor 3 that is an optical module according to the present invention, and a color measurement device. And a control device 4 that controls the overall operation of the color device 1. The colorimetric device 1 reflects the light emitted from the light source device 2 by the inspection target A, receives the reflected inspection target light by the colorimetric sensor, and outputs it from the colorimetric sensor 3. This is an apparatus for analyzing and measuring the chromaticity of the inspection target light, that is, the color of the inspection target A based on the detection signal.

〔２．光源装置の構成〕
光源装置２は、光源２１、複数のレンズ２２（図１には１つのみ記載）を備え、被検査対象Ａに対して白色光を射出する。また、複数のレンズ２２には、コリメーターレンズが含まれており、光源装置２は、光源２１から射出された白色光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから被検査対象Ａに向かって射出する。
なお、本実施形態では、光源装置２を備える測色装置１を例示するが、例えば被検査対象Ａが液晶パネルなどの発光部材である場合、光源装置２が設けられない構成としてもよい。 [2. Configuration of light source device]
The light source device 2 includes a light source 21 and a plurality of lenses 22 (only one is shown in FIG. 1), and emits white light to the inspection target A. The plurality of lenses 22 include a collimator lens, and the light source device 2 converts the white light emitted from the light source 21 into parallel light by the collimator lens, and passes from the projection lens (not shown) to the object A to be inspected. Ejected towards.
In the present embodiment, the colorimetric device 1 including the light source device 2 is illustrated. However, for example, when the inspection target A is a light emitting member such as a liquid crystal panel, the light source device 2 may not be provided.

〔３．測色センサーの構成〕
測色センサー３は、図１に示すように、本発明の干渉フィルターを構成するエタロン５と、エタロン５を透過する光を受光する検出部３１と、エタロン５で透過させる光の波長を可変する電圧制御部６と、を備えている。また、測色センサー３は、エタロン５に対向する位置に、被検査対象Ａで反射された反射光（検査対象光）を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。そして、この測色センサー３は、エタロン５により、入射光学レンズから入射した検査対象光のうち、所定波長の光のみを分光し、分光した光を検出部３１にて受光する。
検出部３１は、複数の光電交換素子により構成されており、受光量に応じた電気信号を生成する。そして、検出部３１は、制御装置４に接続されており、生成した電気信号を受光信号として制御装置４に出力する。 [3. (Configuration of colorimetric sensor)
As shown in FIG. 1, the colorimetric sensor 3 varies the wavelength of light transmitted through the etalon 5, an etalon 5 that constitutes the interference filter of the present invention, a detection unit 31 that receives light transmitted through the etalon 5, and the etalon 5. Voltage control unit 6. Further, the colorimetric sensor 3 includes an incident optical lens (not shown) that guides reflected light (inspection target light) reflected by the inspection target A at a position facing the etalon 5. The colorimetric sensor 3 uses the etalon 5 to split only the light having a predetermined wavelength out of the inspection target light incident from the incident optical lens, and the detection unit 31 receives the split light.
The detection unit 31 includes a plurality of photoelectric exchange elements, and generates an electrical signal corresponding to the amount of received light. And the detection part 31 is connected to the control apparatus 4, and outputs the produced | generated electric signal to the control apparatus 4 as a light reception signal.

（３−１．エタロンの構成）
図２は、本発明の干渉フィルターを構成するエタロン５の概略構成を示す平面図であり、図３は、エタロン５の概略構成を示す断面図である。なお、図１では、エタロン５に検査対象光が図中下側から入射しているが、図３では、検査対象光が図中上側から入射するものとする。
エタロン５は、図２に示すように、例えば一辺が１０ｍｍ程度に形成される平面正方形状の板状の光学部材である。このエタロン５は、図３に示すように、第一基板５１、および第二基板５２を備えている。これらの２枚の基板５１，５２は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などにより形成されている。これらの中でも、各基板５１，５２の構成材料としては、例えばナトリウム（Ｎａ）やカリウム（Ｋ）などのアルカリ金属を含有したガラスが好ましく、このようなガラスにより各基板５１，５２を形成することで、後述する反射膜５６，５７や、各電極の密着性や、基板同士の接合強度を向上させることが可能となる。また、ガラスは、可視光の透過特性が良好であるため、本実施形態のように、被検査対象Ａの色を測定する場合では、基板５１，５２での光の吸収を抑えることができ、測色処理に適している。そして、これらの２つの基板５１，５２は、外周縁に沿って形成される接合面５１４，５２４同士がプラズマ重合膜５３により接合されることで、一体的に構成されている。 (3-1. Composition of etalon)
2 is a plan view showing a schematic configuration of the etalon 5 constituting the interference filter of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the etalon 5. As shown in FIG. In FIG. 1, the inspection target light is incident on the etalon 5 from the lower side in the figure, but in FIG. 3, the inspection target light is incident from the upper side in the figure.
As shown in FIG. 2, the etalon 5 is a planar square plate-shaped optical member having a side of about 10 mm, for example. The etalon 5 includes a first substrate 51 and a second substrate 52 as shown in FIG. These two substrates 51 and 52 are each formed of, for example, various glasses such as soda glass, crystalline glass, quartz glass, lead glass, potassium glass, borosilicate glass, and alkali-free glass, or crystal. . Among these, as a constituent material of each board | substrate 51,52, the glass containing alkali metals, such as sodium (Na) and potassium (K), for example is preferable, and each board | substrate 51,52 is formed with such glass. Thus, it becomes possible to improve the reflection films 56 and 57 described later, the adhesion between the electrodes, and the bonding strength between the substrates. Further, since glass has a good visible light transmission characteristic, when measuring the color of the object A to be inspected as in this embodiment, absorption of light at the substrates 51 and 52 can be suppressed. Suitable for colorimetric processing. And these two board | substrates 51 and 52 are integrally comprised by joining the joint surfaces 514 and 524 formed along an outer periphery with the plasma polymerization film | membrane 53. FIG.

また、第一基板５１と、第二基板５２との間には、本発明の第一反射膜５６および第二反射膜５７が設けられる。ここで、第一反射膜５６は、第一基板５１の第二基板５２に対向する面に固定され、第二反射膜５７は、第二基板５２の第一基板５１に対向する面に固定されている。また、これらの第一反射膜５６および第二反射膜５７は、反射膜間ギャップを介して対向配置されている。
さらに、第一基板５１と第二基板５２との間には、第一反射膜５６および第二反射膜５７の間の反射膜間ギャップの寸法を調整するための静電アクチュエーター５４が設けられている。
なお、本実施形態では、上述したように、平面視正方形状のエタロン５を例示するが、これに限定されるものではなく、例えば、平面視円形状、平面視多角形状に形成されていてもよい。 In addition, the first reflective film 56 and the second reflective film 57 of the present invention are provided between the first substrate 51 and the second substrate 52. Here, the first reflective film 56 is fixed to the surface of the first substrate 51 facing the second substrate 52, and the second reflective film 57 is fixed to the surface of the second substrate 52 facing the first substrate 51. ing. Further, the first reflective film 56 and the second reflective film 57 are disposed to face each other via a gap between the reflective films.
Further, an electrostatic actuator 54 is provided between the first substrate 51 and the second substrate 52 for adjusting the dimension of the gap between the reflection films between the first reflection film 56 and the second reflection film 57. Yes.
In the present embodiment, as described above, the etalon 5 having a square shape in plan view is exemplified, but the present invention is not limited to this. For example, the etalon 5 may be formed in a circular shape in plan view or a polygonal shape in plan view. Good.

（３−１−１．第一基板の構成）
図４は、エタロン５の第一基板５１および第二基板５２を分離した分解斜視図である。
第一基板５１は、厚みが例えば５００μｍに形成される略正方形状のガラス基板により形成される。
この第一基板５１には、図４に示すように、第二基板５２に対向する対向面に、電極溝５１１、およびこの電極溝５１１から外周側に向かって延出形成される配線溝５１２が、エッチングにより形成されている。
具体的には、電極溝５１１は、エタロン平面視（基板厚み方向から第一基板５１を見る平面視）において、平面中心点を中心とするリング形状に形成されている。
また、配線溝５１２は、図４に示すように、電極溝５１１の外輪縁５１１Ｂから第一基板５１の４頂点に向かって延出し、電極溝５１１と同一深さ寸法に形成されている。 (3-1-1. Configuration of the first substrate)
FIG. 4 is an exploded perspective view in which the first substrate 51 and the second substrate 52 of the etalon 5 are separated.
The first substrate 51 is formed of a substantially square glass substrate having a thickness of, for example, 500 μm.
As shown in FIG. 4, the first substrate 51 has an electrode groove 511 and a wiring groove 512 formed to extend from the electrode groove 511 toward the outer peripheral side on the facing surface facing the second substrate 52. It is formed by etching.
Specifically, the electrode groove 511 is formed in a ring shape centered on the plane center point in the etalon plan view (plan view in which the first substrate 51 is viewed from the substrate thickness direction).
As shown in FIG. 4, the wiring groove 512 extends from the outer ring edge 511 </ b> B of the electrode groove 511 toward the four apexes of the first substrate 51, and is formed to have the same depth as the electrode groove 511.

電極溝５１１の内輪縁５１１Ａおよび外輪縁５１１Ｂの間の溝底面には、静電アクチュエーター５４を構成するリング状の第一電極５４１が形成されている。また、４つの配線溝５１２のうち、平面中心点に対して点対称となる一対の配線溝５１２には、第一電極５４１に接続される第一電極線５４１Ａが形成されている。これらの第一電極線５４１Ａの先端には、それぞれ第一電極パッド５４１Ｂが形成され、これらの第一電極パッド５４１Ｂが電圧制御部６に接続されている。
ここで、静電アクチュエーター５４を駆動させる際には、電圧制御部６により、一対の第一電極パッド５４１Ｂのうちのいずれか一方にのみに電圧が印加される。そして、他方の第一電極パッド５４１Ｂは、第一電極５４１の電荷保持量を検出するための検出端子として用いられる。
なお、本実施形態では、一対の第一電極パッド５４１Ｂのうちの一方に電圧を印加する構成を例示するが、一対の第一電極パッド５４１Ｂの双方に電圧印加する構成としてもよい。また、４つの配線溝５１２のうちの１つにのみ、第一電極線５４１Ａおよび第一電極パッド５４１Ｂが形成される構成などとしてもよい。 A ring-shaped first electrode 541 constituting the electrostatic actuator 54 is formed on the groove bottom surface between the inner ring edge 511 </ b> A and the outer ring edge 511 </ b> B of the electrode groove 511. In addition, a first electrode line 541A connected to the first electrode 541 is formed in a pair of wiring grooves 512 that are symmetric with respect to the plane center point among the four wiring grooves 512. The first electrode pads 541B are formed at the tips of the first electrode lines 541A, and these first electrode pads 541B are connected to the voltage control unit 6.
Here, when the electrostatic actuator 54 is driven, a voltage is applied to only one of the pair of first electrode pads 541B by the voltage controller 6. The other first electrode pad 541B is used as a detection terminal for detecting the charge retention amount of the first electrode 541.
In the present embodiment, a configuration in which a voltage is applied to one of the pair of first electrode pads 541B is illustrated, but a configuration in which a voltage is applied to both the pair of first electrode pads 541B may be employed. Alternatively, the first electrode line 541A and the first electrode pad 541B may be formed in only one of the four wiring grooves 512.

そして、第一基板５１の表面領域のうち、電極溝５１１および配線溝５１２の形成領域以外の基板表面は、鏡面研磨加工により平面に形成されている。これにより、電極溝５１１の内輪縁５１１Ａの径内側は、鏡面研磨加工された平面となり、第一反射膜形成面５１３（本発明の第一研磨平面）が形成される。
この第一反射膜形成面５１３には、例えば直径が約３ｍｍの円形状に形成される第一反射膜５６が固定されている。この第一反射膜５６は、例えばＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ａｇの各層を順に積層することにより形成される反射膜であり、スパッタリングなどの手法により第一反射膜形成面５１３に形成される。なお、第一反射膜５６を構成する各層の積層順としては、エタロン５により分光する光の波長域や、所望する分解能により適宜設定されるものであり、上記の積層順には限定されない。また、本実施形態では、第一反射膜５６として、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ａｇの各層を適宜組み合わせて積層することで構成される例を示したが、例えばＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２を順に積層した誘電多層膜としてもよく、その他、例えばＡｇＣ単層膜などの単層膜を反射膜として形成してもよい。 Of the surface region of the first substrate 51, the substrate surface other than the formation region of the electrode groove 511 and the wiring groove 512 is formed into a flat surface by mirror polishing. As a result, the inner diameter of the inner ring edge 511A of the electrode groove 511 is a mirror-polished plane, and a first reflective film forming surface 513 (first polishing plane of the present invention) is formed.
For example, a first reflective film 56 formed in a circular shape having a diameter of about 3 mm is fixed to the first reflective film forming surface 513. The first reflective film 56 is a reflective film formed by sequentially laminating, for example, SiO ₂ , TiO ₂ , and Ag layers, and is formed on the first reflective film forming surface 513 by a technique such as sputtering. Note that the stacking order of the layers constituting the first reflective film 56 is appropriately set according to the wavelength range of light dispersed by the etalon 5 and the desired resolution, and is not limited to the above stacking order. Further, in the present embodiment, as the first reflecting film _56, an example configured by laminating a combination of layers of SiO 2, _TiO 2, Ag appropriate, for example by laminating _SiO 2, TiO ₂ in the order Alternatively, a dielectric multilayer film may be used, or a single layer film such as an AgC single layer film may be formed as a reflective film.

そして、第一基板５１の電極溝５１１の外方には、第一接合面５１４が形成されている。この第一接合面５１４には、上述したように、第一基板５１および第二基板５２を接合する紫外線硬化接合膜としてのプラズマ重合膜５３が形成されている。
このプラズマ重合膜５３の主原料としては、例えば、ポリオルガノシロキサンが挙げられ、このような主原料により形成されたプラズマ重合膜では、第一基板５１および第二基板５２の接合時に紫外線照射により迅速に硬化させることが可能となる。なお、本実施形態において、第一基板５１および第二基板５２を接合する紫外線硬化膜として、プラズマ重合膜を例示したが、例えば、紫外線硬化樹脂の接着層を形成する構成などとしてもよい。 A first bonding surface 514 is formed outside the electrode groove 511 of the first substrate 51. As described above, a plasma polymerization film 53 is formed on the first bonding surface 514 as an ultraviolet curable bonding film for bonding the first substrate 51 and the second substrate 52.
The main material of the plasma polymerized film 53 includes, for example, polyorganosiloxane. In the plasma polymerized film formed of such a main material, the first substrate 51 and the second substrate 52 are rapidly irradiated with ultraviolet rays when bonded. Can be cured. In the present embodiment, the plasma polymerization film is exemplified as the ultraviolet curable film for joining the first substrate 51 and the second substrate 52. However, for example, an ultraviolet curable resin adhesive layer may be formed.

さらに、第一基板５１は、第二基板５２に対向しない下面において、エタロン平面視で第一反射膜５６に対応する位置に、図示略の反射防止膜（ＡＲ）が形成されている。この反射防止膜は、低屈折率膜および高屈折率膜を交互に積層することで形成され、第一基板５１の表面での可視光の反射率を低下させ、透過率を増大させる。 Further, the first substrate 51 is provided with an antireflection film (AR) (not shown) at a position corresponding to the first reflection film 56 in the etalon plan view on the lower surface that does not face the second substrate 52. This antireflection film is formed by alternately laminating low refractive index films and high refractive index films, and reduces the reflectance of visible light on the surface of the first substrate 51 and increases the transmittance.

（３−１−２．第二基板の構成）
第二基板５２は、例えば厚み寸法が２００μｍに形成されるガラス基板をエッチングにより加工することで形成される。
具体的には、第二基板５２には、図２に示すような平面視において、基板中心点を中心とした円形の可動部５２１と、可動部５２１と同軸であり可動部５２１を保持する連結保持部５２２と、を備えている。この連結保持部５２２の外周径寸法は、第一基板５１の電極溝５１１の外周径寸法と同一寸法に形成されている。 (3-1-2. Configuration of Second Substrate)
The second substrate 52 is formed, for example, by processing a glass substrate having a thickness dimension of 200 μm by etching.
Specifically, the second substrate 52 has a circular movable portion 521 centered on the substrate center point and a connection that is coaxial with the movable portion 521 and holds the movable portion 521 in a plan view as shown in FIG. Holding part 522. The outer peripheral diameter of the connection holding portion 522 is formed to be the same as the outer peripheral diameter of the electrode groove 511 of the first substrate 51.

可動部５２１は、連結保持部５２２よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、第二基板５２の厚み寸法と同一寸法である２００μｍに形成されている。
また、可動部５２１は、第一基板５１とは反対側の上面において、図示略の反射防止膜（ＡＲ）が形成されている。この反射防止膜は、第一基板５１に形成される反射防止膜と同様の構成を有し、低屈折率膜および高屈折率膜を交互に積層することで形成される。 The movable portion 521 is formed to have a thickness dimension larger than that of the connection holding portion 522. For example, in the present embodiment, the movable portion 521 is formed to be 200 μm, which is the same dimension as the thickness dimension of the second substrate 52.
The movable portion 521 is provided with an antireflection film (AR) (not shown) on the upper surface opposite to the first substrate 51. This antireflection film has the same configuration as the antireflection film formed on the first substrate 51, and is formed by alternately laminating a low refractive index film and a high refractive index film.

連結保持部５２２は、可動部５２１の周囲を囲うダイヤフラムであり、例えば厚み寸法が５０μｍに形成されている。この連結保持部５２２の第一基板５１に対向する面には、第一電極５４１と、約１μｍの電磁ギャップを介して対向する、リング状の第二電極５４２が形成されている。ここで、この第二電極５４２および前述した第一電極５４１により、静電アクチュエーター５４が構成される。
また、第二電極５４２の外周縁の一部からは、一対の第二電極線５４２Ａが外周方向に向かって形成されている。具体的には、図２、図４に示すように、第二電極線５４２Ａは、エタロン平面視において、第一電極線５４１Ａが形成される一方の対角線方向とは異なる、他方の対角線方向に沿って形成されている。したがって、第一基板５１および第二基板５２を接合した際に、第一電極線５４１Ａおよび第二電極線５４２Ａはエタロン平面視において重ならない。そして、これらの第二電極線５４２Ａは、先端には、それぞれ第二電極パッド５４２Ｂが形成され、これらの第二電極パッド５４２Ｂが電圧制御部６に接続される。 The connection holding part 522 is a diaphragm surrounding the periphery of the movable part 521, and has a thickness dimension of, for example, 50 μm. A ring-shaped second electrode 542 facing the first electrode 541 with an electromagnetic gap of about 1 μm is formed on the surface of the connection holding portion 522 facing the first substrate 51. Here, the electrostatic actuator 54 is configured by the second electrode 542 and the first electrode 541 described above.
In addition, a pair of second electrode lines 542A are formed from the part of the outer peripheral edge of the second electrode 542 toward the outer peripheral direction. Specifically, as shown in FIGS. 2 and 4, the second electrode line 542A is different from the one diagonal direction in which the first electrode line 541A is formed in the etalon plan view, along the other diagonal direction. Is formed. Therefore, when the first substrate 51 and the second substrate 52 are joined, the first electrode line 541A and the second electrode line 542A do not overlap in the etalon plan view. The second electrode lines 542A are each formed with a second electrode pad 542B at the tip, and these second electrode pads 542B are connected to the voltage control unit 6.

ここで、静電アクチュエーター５４を駆動させる際には、第一電極５４１と同様、電圧制御部６により、一対の第二電極パッド５４２Ｂのうちのいずれか一方にのみに電圧が印加される。そして、他方の第二電極パッド５４２Ｂは、第二電極５４２の電荷保持量を検出するための検出端子として用いられる。 Here, when the electrostatic actuator 54 is driven, a voltage is applied to only one of the pair of second electrode pads 542B by the voltage control unit 6 as in the case of the first electrode 541. The other second electrode pad 542B is used as a detection terminal for detecting the charge retention amount of the second electrode 542.

また、第二基板５２の、連結保持部５２２の形成領域以外の基板表面は鏡面研磨加工により平面に加工されている。したがって、可動部５２１の第一基板５１に対向する面も、鏡面研磨加工された平面となり、第一反射膜形成面５１３に対向する第二反射膜形成面５２３（本発明の第二研磨平面）を構成する。
この第二反射膜形成面５２３には、第一反射膜５６と同一構成の第二反射膜５７が形成されており、第一反射膜５６と反射膜間ギャップを介して平行に保持されている。なお、第二反射膜５７の構成は、第一反射膜５６と同一であるため、ここでの説明は省略する。 The substrate surface of the second substrate 52 other than the region where the connection holding portion 522 is formed is processed into a flat surface by mirror polishing. Accordingly, the surface of the movable portion 521 facing the first substrate 51 is also a mirror-polished plane, and the second reflective film forming surface 523 (the second polishing plane of the present invention) facing the first reflective film forming surface 513. Configure.
A second reflective film 57 having the same configuration as that of the first reflective film 56 is formed on the second reflective film forming surface 523 and is held in parallel via the first reflective film 56 and the gap between the reflective films. . Note that the configuration of the second reflective film 57 is the same as that of the first reflective film 56, and thus the description thereof is omitted here.

（３−２．電圧制御部の構成）
電圧制御部６は、制御装置４からの入力される制御信号に基づいて、静電アクチュエーター５４の第一電極５４１および第二電極５４２に印加する電圧を制御する。 (3-2. Configuration of voltage control unit)
The voltage control unit 6 controls the voltage applied to the first electrode 541 and the second electrode 542 of the electrostatic actuator 54 based on the control signal input from the control device 4.

〔４．制御装置の構成〕
制御装置４は、測色装置１の全体動作を制御する。
この制御装置４としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。
そして、制御装置４は、図１に示すように、光源制御部４１、測色センサー制御部４２、および測色処理部４３（本発明の処理部）などを備えて構成されている。 [4. Configuration of control device]
The control device 4 controls the overall operation of the color measurement device 1.
As the control device 4, for example, a general-purpose personal computer, a portable information terminal, other color measurement dedicated computer, or the like can be used.
As shown in FIG. 1, the control device 4 includes a light source control unit 41, a colorimetric sensor control unit 42, a colorimetric processing unit 43 (processing unit of the present invention), and the like.

光源制御部４１は、光源装置２に接続されている。そして、光源制御部４１は、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置２に所定の制御信号を出力し、光源装置２から所定の明るさの白色光を射出させる。 The light source control unit 41 is connected to the light source device 2. Then, the light source control unit 41 outputs a predetermined control signal to the light source device 2 based on, for example, a user setting input, and causes the light source device 2 to emit white light with a predetermined brightness.

測色センサー制御部４２は、測色センサー３に接続されている。そして、測色センサー制御部４２は、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー３にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー３に出力する。これにより、測色センサー３の電圧制御部６は、制御信号に基づいて、利用者が所望する光の波長のみを透過させるよう、静電アクチュエーター５４への印加電圧を設定する。 The colorimetric sensor control unit 42 is connected to the colorimetric sensor 3. The colorimetric sensor control unit 42 sets a wavelength of light received by the colorimetric sensor 3 based on, for example, a user's setting input, and outputs a control signal for detecting the amount of light received at this wavelength. Output to the colorimetric sensor 3. Thereby, the voltage control unit 6 of the colorimetric sensor 3 sets the applied voltage to the electrostatic actuator 54 so as to transmit only the wavelength of light desired by the user based on the control signal.

測色処理部４３は、測色センサー制御部４２を制御して、エタロン５の反射膜間ギャップを変動させて、エタロン５を透過する光の波長を変化させる。また、測色処理部４３は、検出部３１から入力される受光信号に基づいて、エタロン５を透過した光の光量を取得する。そして、測色処理部４３は、上記により得られた各波長の光の受光量に基づいて、被検査対象Ａにより反射された光の色度を算出する。 The colorimetric processing unit 43 controls the colorimetric sensor control unit 42 to vary the gap between the reflective films of the etalon 5 to change the wavelength of light transmitted through the etalon 5. In addition, the colorimetric processing unit 43 acquires the amount of light transmitted through the etalon 5 based on the light reception signal input from the detection unit 31. Then, the colorimetric processing unit 43 calculates the chromaticity of the light reflected by the inspected object A based on the received light amount of each wavelength obtained as described above.

〔５．エタロンの製造方法〕
次に、上記エタロン５の製造方法について、図面に基づいて説明する。 [5. Etalon Manufacturing Method)
Next, a method for manufacturing the etalon 5 will be described with reference to the drawings.

（５−１．第一基板の製造）
図５は、エタロン５の第一基板５１の製造工程を示す図である。
第一基板５１を製造するためには、まず、第一基板５１の製造素材である母材（ガラス基板）を準備し、厚み寸法が５００μｍとなるように切削し、平均表面粗さＲａが例えば１ｎｍ以下となるように、母材の表面を鏡面研磨加工する。これにより、図５（Ａ）に示すように、第一基板５１の厚み寸法を均一にでき、基板表面を鏡面状の平滑面にすることができる。これにより、平面状の第一反射膜形成面５１３が形成される。 (5-1. Production of first substrate)
FIG. 5 is a diagram illustrating a manufacturing process of the first substrate 51 of the etalon 5.
In order to manufacture the first substrate 51, first, a base material (glass substrate) that is a manufacturing material of the first substrate 51 is prepared, and is cut so that the thickness dimension becomes 500 μm. The average surface roughness Ra is, for example, The surface of the base material is mirror-polished so as to be 1 nm or less. Thereby, as shown to FIG. 5 (A), the thickness dimension of the 1st board | substrate 51 can be made uniform and a board | substrate surface can be made into a mirror-like smooth surface. Thereby, the planar first reflective film forming surface 513 is formed.

次に、エッチングにより、図５（Ｂ）に示すように、第一基板５１の一面側に電極溝５１１を形成する。具体的には、第一基板５１の一面に、フォトリソグラフィ法を用いて、電極溝５１１を形成するためのレジストパターンを形成し、電極溝５１１の部分を、ウェットエッチングにより加工する。ウェットエッチングでは、エッチング剤として、ＢＨＦ（ＨＦ：ＮＨ_４Ｆ＝１：６）やＨＦ（ＨＦ：Ｈ_２Ｏ＝１：１０）等のフッ素酸水溶液を用いる。この際、第一電極５４１および第二電極５４２の電極間ギャップが、予め設定された設計値となるようにエッチング深さを決定して、エッチングを行う。 Next, as shown in FIG. 5B, an electrode groove 511 is formed on one surface side of the first substrate 51 by etching. Specifically, a resist pattern for forming the electrode groove 511 is formed on one surface of the first substrate 51 by using a photolithography method, and the portion of the electrode groove 511 is processed by wet etching. In wet etching, a fluorine acid aqueous solution such as BHF (HF: NH ₄ F = 1: 6) or HF (HF: H ₂ O = 1: 10) is used as an etchant. At this time, the etching is performed by determining the etching depth so that the inter-electrode gap between the first electrode 541 and the second electrode 542 becomes a preset design value.

次に、図５（Ｃ）に示すように、第一基板５１の第一接合面５１４上に、プラズマ重合膜５３を、プラズマＣＶＤ法により成膜する。このプラズマ重合膜５３の形成では、主材料にポリオルガノシロキサンを用いることが好ましい。ポリオルガノシロキサンは、通常、撥水性を示すが、各種の活性化処理を施すことによって容易に有機基を脱離させることができ、親水性に変化することができる。つまり、ポリオルガノシロキサンは撥水性と親水性との制御を容易に行える材料である。
撥水性を示すポリオルガノシロキサンで構成されたプラズマ重合膜５３は、それ同士を接触させても、有機基によって接着が阻害されることになり、極めて接着し難い。一方、親水性を示すポリオルガノシロキサンで構成されたプラズマ重合膜５３は、それ同士を接触させると、特に容易に接着することができる。つまり、撥水性と親水性の制御を容易に行えるという利点は、接着性の制御を容易に行えるという利点につながる。
また、プラズマ重合膜５３の形成では、反射膜間ギャップの寸法や、電極間ギャップの寸法が設計値となるように成膜する。本実施形態では、硬化後のプラズマ重合膜５３の厚み寸法が２０μｍとなるように、少なくとも２０μｍ以上の厚み寸法で、プラズマ重合膜５３を成膜する。 Next, as shown in FIG. 5C, a plasma polymerization film 53 is formed on the first bonding surface 514 of the first substrate 51 by a plasma CVD method. In forming the plasma polymerized film 53, it is preferable to use polyorganosiloxane as the main material. Polyorganosiloxane usually exhibits water repellency, but can be easily desorbed by applying various activation treatments, and can be changed to hydrophilic. That is, polyorganosiloxane is a material that can easily control water repellency and hydrophilicity.
Even if the plasma polymerized films 53 made of polyorganosiloxane exhibiting water repellency are brought into contact with each other, adhesion is hindered by the organic group, and it is extremely difficult to adhere. On the other hand, the plasma polymerized film 53 made of polyorganosiloxane exhibiting hydrophilicity can be particularly easily bonded when they are brought into contact with each other. That is, the advantage that the water repellency and the hydrophilicity can be easily controlled leads to the advantage that the adhesiveness can be easily controlled.
Further, in the formation of the plasma polymerized film 53, the film is formed such that the dimension of the gap between the reflective films and the dimension of the gap between the electrodes become design values. In the present embodiment, the plasma polymerized film 53 is formed with a thickness dimension of at least 20 μm or more so that the thickness dimension of the cured plasma polymerized film 53 is 20 μm.

この後、図５（Ｄ）に示すように、第一反射膜形成面５１３に、第一反射膜５６を形成する。具体的には、第一反射膜５６は、リフトオフプロセスにより成膜される。すなわち、フォトリソグラフィ法などにより、第一基板５１上の反射膜形成部分以外にレジスト（リフトオフパターン）を成膜する。そして、第一反射膜５６を形成する各層（ＳｉＯ_２，ＴｉＯ_２，Ａｇ）を積層して成膜する。この後、リフトオフにより、第一反射膜形成面５１３以外の反射膜を除去する。 Thereafter, as shown in FIG. 5D, the first reflective film 56 is formed on the first reflective film forming surface 513. Specifically, the first reflective film 56 is formed by a lift-off process. That is, a resist (lift-off pattern) is formed on a portion other than the reflective film formation portion on the first substrate 51 by photolithography or the like. Then, a film is formed by laminating the layers _{_{(SiO 2, TiO 2, Ag}} ) to form the first reflective film 56. Thereafter, the reflective film other than the first reflective film forming surface 513 is removed by lift-off.

次に、図５（Ｅ）に示すように、第一電極５４１（第一電極線５４１Ａ、および第一電極パッド５４１Ｂを含む）を形成する。この第一電極５４１としては、ＩＴＯを用いることができる。第一電極５４１の成膜では、まず、第一基板５１上にＩＴＯ膜を均一成膜し、フォトリソグラフィ法およびエッチングにより、所望の位置のＩＴＯパターンを形成、つまり第一電極５４１、第一電極線５４１Ａ，第一電極パッド５４１Ｂを形成する。 Next, as shown in FIG. 5E, the first electrode 541 (including the first electrode line 541A and the first electrode pad 541B) is formed. As the first electrode 541, ITO can be used. In forming the first electrode 541, first, an ITO film is uniformly formed on the first substrate 51, and an ITO pattern at a desired position is formed by photolithography and etching, that is, the first electrode 541 and the first electrode. A line 541A and a first electrode pad 541B are formed.

（５−２．第二基板の製造）
次に、第二基板５２の製造方法について説明する。
図６は、第二基板の製造工程の概略を示す断面図である。 (5-2. Production of second substrate)
Next, a method for manufacturing the second substrate 52 will be described.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing an outline of the manufacturing process of the second substrate.

第二基板５２の形成では、まず、図６（Ａ）に示すように、第二基板５２の形成素材である母材（ガラス基板）を用意し、切削等により、例えば厚み寸法を２００μｍの均一厚みに形成する。そして、母材の表面を鏡面研磨加工することで、平均表面粗さＲａが１ｎｍ以下の平滑面にする。 In forming the second substrate 52, first, as shown in FIG. 6A, a base material (glass substrate) which is a forming material of the second substrate 52 is prepared, and the thickness dimension is uniform, for example, 200 μm by cutting or the like. Form to thickness. Then, the surface of the base material is mirror-polished to obtain a smooth surface having an average surface roughness Ra of 1 nm or less.

この後、図６（Ｂ）に示すように、第二基板５２の一面側をエッチングすることで、可動部５２１および連結保持部５２２を形成する。この際、電極溝５１１の形成と同様に、第二基板５２の一面に、フォトリソグラフィ法を用いて、連結保持部５２２を形成するためのレジストパターンを形成し、ウェットエッチングにより加工する。ウェットエッチングでは、エッチング剤として、ＢＨＦ（ＨＦ：ＮＨ_４Ｆ＝１：６）やＨＦ（ＨＦ：Ｈ_２Ｏ＝１：１０）等のフッ素酸水溶液を用いる。 Thereafter, as shown in FIG. 6B, the movable portion 521 and the connection holding portion 522 are formed by etching one surface side of the second substrate 52. At this time, similarly to the formation of the electrode groove 511, a resist pattern for forming the connection holding portion 522 is formed on one surface of the second substrate 52 by using a photolithography method and processed by wet etching. In wet etching, a fluorine acid aqueous solution such as BHF (HF: NH ₄ F = 1: 6) or HF (HF: H ₂ O = 1: 10) is used as an etchant.

次に、図６（Ｃ）に示すように、第二基板５２の他面側（第一基板５１に対向する面）に、第二反射膜５７を形成する。この第二反射膜５７は、第一反射膜５６と同様に、リフトオフプロセスにより成膜する。すなわち、フォトリソグラフィ法により、第二基板５２上に第二反射膜形成部分以外にレジスト（リフトオフパターン）を成膜し、第二反射膜５７を形成する各層（ＳｉＯ_２，ＴｉＯ_２，Ａｇ）を積層して成膜する。そして、リフトオフにより、第二反射膜形成面５２３以外の反射膜を除去して、第二反射膜５７を形成する。 Next, as shown in FIG. 6C, a second reflective film 57 is formed on the other surface side of the second substrate 52 (the surface facing the first substrate 51). Similar to the first reflective film 56, the second reflective film 57 is formed by a lift-off process. That is, a resist (lift-off pattern) is formed on the second substrate 52 in addition to the second reflective film formation portion by photolithography, and each layer (SiO ₂ , TiO ₂ , Ag) forming the second reflective film 57 is formed. Laminate to form a film. Then, the second reflective film 57 is formed by removing the reflective film other than the second reflective film forming surface 523 by lift-off.

この後、図６（Ｄ）に示すように、第二電極５４２（第二電極線５４２Ａ，第二電極パッド５４２Ｂ含む）を形成する。これには、第一電極５４１の形成と同様に、まず第二基板５２の第一基板５１に対向する面に、ＩＴＯ膜を均一に成膜し、フォトリソグラフィ法、およびエッチング処理により、ＩＴＯパターンを形成して、第二電極５４２、第二電極線５４２Ａ、および第二電極パッド５４２Ｂを形成する。 Thereafter, as shown in FIG. 6D, the second electrode 542 (including the second electrode line 542A and the second electrode pad 542B) is formed. As in the formation of the first electrode 541, first, an ITO film is uniformly formed on the surface of the second substrate 52 facing the first substrate 51, and an ITO pattern is formed by photolithography and etching. The second electrode 542, the second electrode line 542A, and the second electrode pad 542B are formed.

（５−３．第一基板および第二基板の接合）
第一基板５１および第二基板５２の接合では、第一基板５１に形成されたプラズマ重合膜５３と、第二基板５２の第二接合面５２４とを重ね合わせて接合する接合工程を実施する。
具体的には、まず、プラズマ重合膜５３および第二基板５２を活性化させる表面活性化工程を実施する。ここで、この活性化とは、プラズマ重合膜５３や第二基板５２の表面及び内部の分子結合が切断されて終端化されていない結合手が生じた状態や、その切断された結合手にＯＨ基が結合した状態、又は、これらの状態が混在した状態をいう。
この表面活性化工程では、プラズマ重合膜５３や第二基板５２の表面を効率よく活性化させるためにプラズマを照射する方法が好ましい。この方法では、プラズマ重合膜５３や第二基板５２の分子構造を必要以上に切断することなく、プラズマ重合膜５３の特性の低下を避けることが可能となる。 (5-3. Bonding of first substrate and second substrate)
In the bonding of the first substrate 51 and the second substrate 52, a bonding step is performed in which the plasma polymerization film 53 formed on the first substrate 51 and the second bonding surface 524 of the second substrate 52 are overlapped and bonded.
Specifically, first, a surface activation process for activating the plasma polymerization film 53 and the second substrate 52 is performed. Here, this activation refers to the state in which the molecular bonds inside the surface of the plasma polymerized film 53 and the second substrate 52 and the inside are broken, and unbonded bonds are formed, or the broken bonds are OH. A state in which groups are bonded or a state in which these states are mixed.
In this surface activation step, a method of irradiating plasma is preferable in order to efficiently activate the surface of the plasma polymerization film 53 and the second substrate 52. In this method, it is possible to avoid deterioration of the characteristics of the plasma polymerized film 53 without cutting the molecular structure of the plasma polymerized film 53 and the second substrate 52 more than necessary.

図７は、第一基板および第二基板の接合させる接合工程の一部を示す図である。
プラズマ重合膜５３および第二基板５２を活性化した後、図７に示すように、プラズマ重合膜５３と第二基板５２とを接合させる。この時、上面が平滑面となる基台７１上に第一基板５１を載置して、プラズマ重合膜５３の端面に第二基板５２の第二接合面５２４を重ね合わせる。このとき、第二基板５２の上面を、押圧部材７２で押圧して加圧接合させる。この押圧部材７２は、第二基板５２の上面に当接する一面が平滑面に形成される。したがって、押圧部材７２の平滑面を基台７１に対して平行に維持した状態で進退させることで、第二基板５２に均等に荷重を与えることが可能となる。また、硬化していないプラズマ重合膜５３は弾性を有するため、押圧部材７２を進退させることで、プラズマ重合膜５３が弾性変形し、反射膜間ギャップおよび電極間ギャップの隙間寸法の調整が容易に実施でき、かつそれぞれ均一寸法となるように調整することができる。 FIG. 7 is a diagram illustrating a part of the bonding process for bonding the first substrate and the second substrate.
After the plasma polymerization film 53 and the second substrate 52 are activated, the plasma polymerization film 53 and the second substrate 52 are bonded as shown in FIG. At this time, the first substrate 51 is placed on the base 71 whose upper surface is a smooth surface, and the second bonding surface 524 of the second substrate 52 is overlaid on the end surface of the plasma polymerization film 53. At this time, the upper surface of the second substrate 52 is pressed and pressed by the pressing member 72. One surface of the pressing member 72 that contacts the upper surface of the second substrate 52 is formed as a smooth surface. Therefore, it is possible to apply a load evenly to the second substrate 52 by advancing and retracting while the smooth surface of the pressing member 72 is maintained parallel to the base 71. Further, since the uncured plasma polymerized film 53 has elasticity, by moving the pressing member 72 forward and backward, the plasma polymerized film 53 is elastically deformed, and the gap dimensions of the gap between the reflective films and the gap between the electrodes can be easily adjusted. It can be implemented and can be adjusted to have uniform dimensions.

また、第一基板５１のプラズマ重合膜５３と第二基板５２との接合部分では、プラズマ重合膜５３と第二基板５２の表面にそれぞれ存在するＯＨ基同士が隣接することになる。この隣接したＯＨ基同士は、水素結合によって互いに引き合い、ＯＨ基同士の間に引力が発生する。また、この水素結合によって互いに引き合うＯＨ基同士は温度条件によって脱水縮合を伴って表面から離脱する。その結果、２つの部材同士の接触境界では、脱離したＯＨ基が結合していた結合手同士が結合する。さらに、プラズマ重合膜５３の表面や内部に生じた終端化されていない結合手同士が再結合し、これらの再結合は、互いに重なり合う（絡み合う）ように複雑に生じる。これにより、接合界面にネットワーク状の結合が形成される。以上により、プラズマ重合膜５３および第二基板５２が直接接合して一体化され、接合される。また、この時、押圧部材７２により加圧されることで、接合強度がより大きくなる。 Further, at the junction between the plasma polymerized film 53 and the second substrate 52 of the first substrate 51, OH groups present on the surfaces of the plasma polymerized film 53 and the second substrate 52 are adjacent to each other. The adjacent OH groups attract each other by hydrogen bonding, and an attractive force is generated between the OH groups. In addition, OH groups attracting each other by this hydrogen bond are detached from the surface with dehydration condensation depending on temperature conditions. As a result, at the contact boundary between the two members, the bonds where the detached OH group is bonded are bonded. Further, unterminated bonds generated on the surface or inside of the plasma polymerization film 53 are recombined, and these recombination occur in a complicated manner so as to overlap (entangle) each other. Thereby, a network-like bond is formed at the bonding interface. As described above, the plasma polymerization film 53 and the second substrate 52 are directly bonded and integrated, and bonded. At this time, the bonding strength is further increased by being pressed by the pressing member 72.

そして、第一基板および第二基板の接合では、上記のような加圧状態で、プラズマ重合膜５３に紫外線を照射する。ポリオルガノシロキサンは、紫外線硬化特性を示す。したがって、プラズマ重合膜５３に紫外線を照射することで、プラズマ重合膜５３は、第一基板５１および第二基板５２を接合した状態で硬化する。また、押圧部材７２による加圧状態で、プラズマ重合膜５３を紫外線硬化させることで、押圧部材７２を外した後も、加圧により設定された反射膜間ギャップや、電極間ギャップのギャップ間寸法が維持される。
以上により、反射膜間ギャップ、および電極間ギャップが所望の設定値に精密に設定されたエタロン５が製造される。 And in joining of a 1st board | substrate and a 2nd board | substrate, an ultraviolet-ray is irradiated to the plasma polymerization film | membrane 53 by the above pressurization states. Polyorganosiloxane exhibits ultraviolet curing properties. Therefore, by irradiating the plasma polymerization film 53 with ultraviolet rays, the plasma polymerization film 53 is cured in a state where the first substrate 51 and the second substrate 52 are bonded. In addition, the plasma polymerized film 53 is UV-cured in a pressurized state by the pressing member 72, so that even after the pressing member 72 is removed, the gap between the reflective films and the gap between the electrodes are set by pressing. Is maintained.
As described above, the etalon 5 in which the gap between the reflection films and the gap between the electrodes are precisely set to desired setting values is manufactured.

〔６．本実施形態の作用効果〕
上述したように、本実施形態の測色装置１の測色センサー３に設けられたエタロン５では、第一基板５１および第二基板５２の鏡面研磨加工された母材表面である第一反射膜形成面５１３および第二反射膜形成面５２３に、第一反射膜５６および第二反射膜５７が形成されている。そして、これらの第一基板５１および第二基板５２は、プラズマ重合膜５３により接合され、このプラズマ重合膜５３の厚み寸法により、第一反射膜５６および第二反射膜５７の反射膜間ギャップの寸法が規定されている。 [6. Effects of this embodiment]
As described above, in the etalon 5 provided in the colorimetric sensor 3 of the colorimetric device 1 of the present embodiment, the first reflective film that is the surface of the base material on which the first substrate 51 and the second substrate 52 are mirror-polished. A first reflection film 56 and a second reflection film 57 are formed on the formation surface 513 and the second reflection film formation surface 523. The first substrate 51 and the second substrate 52 are bonded by a plasma polymerization film 53, and the gap between the reflection films of the first reflection film 56 and the second reflection film 57 is determined by the thickness dimension of the plasma polymerization film 53. Dimensions are specified.

このような構成のエタロン５では、第一反射膜５６および第二反射膜５７が鏡面研磨加工された第一反射膜形成面５１３および第二反射膜形成面５２３に形成されているため、凹凸が発生しない。また、プラズマ重合膜５３により第一基板５１および第二基板５２を接合する構成では、接合時の加圧過程で、プラズマ重合膜５３を弾性変形させて第一反射膜形成面５１３と第二反射膜形成面５２３と容易に平行に調整することができ、反射膜間ギャップの寸法も容易に調整することができる。そして、加圧過程において、紫外線照射を行うことでプラズマ重合膜５３が硬化するため、上記のように調整した反射膜間ギャップや、反射膜５６，５７同士の平行度も、押圧部材７２を外した後も維持することができる。
以上により、第一反射膜５６および第二反射膜５７が平行に維持され、高分解能のエタロン５を提供することができる。 In the etalon 5 having such a configuration, the first reflection film 56 and the second reflection film 57 are formed on the first reflection film formation surface 513 and the second reflection film formation surface 523 that have been mirror-polished, so Does not occur. Further, in the configuration in which the first substrate 51 and the second substrate 52 are bonded by the plasma polymerization film 53, the plasma polymerization film 53 is elastically deformed in the pressurizing process at the time of bonding, and the first reflection film forming surface 513 and the second reflection film are formed. The film formation surface 523 can be easily adjusted in parallel, and the gap between the reflection films can be easily adjusted. In the pressurization process, the plasma polymerization film 53 is cured by irradiating ultraviolet rays. Therefore, the gap between the reflection films adjusted as described above and the parallelism between the reflection films 56 and 57 are also outside the pressing member 72. Can be maintained after.
As described above, the first reflective film 56 and the second reflective film 57 are maintained in parallel, and the high resolution etalon 5 can be provided.

また、スペーサなどの別部材を第一基板５１および第二基板５２の間に設けないため、構造が簡単となり、製造コストも低減させることができる。また、第一基板５１および第二基板５２の接合時に、第二基板５２に加える荷重を調整することで、容易に反射膜間ギャップを調整することもでき、反射膜間ギャップが異なる複数種のエタロン５を製造する場合であっても、製造コストを抑えることができる。 Further, since another member such as a spacer is not provided between the first substrate 51 and the second substrate 52, the structure is simplified and the manufacturing cost can be reduced. In addition, by adjusting the load applied to the second substrate 52 when the first substrate 51 and the second substrate 52 are joined, the gap between the reflective films can be easily adjusted. Even when the etalon 5 is manufactured, the manufacturing cost can be suppressed.

さらに、このような高分解能で所望の波長の光を透過させることができるエタロン５を備えた測色センサー３では、検出部３１に、測定対象となる所望波長の光がより多く受光され、測定対象外の波長の光の光量が小さくなる。したがって、所望波長の光の光量をより正確に検出することができる。さらには、このような測色センサー３を備えた測色装置１においても、各波長の光に対する光量を正確に検出することができるため、これらの各波長の光の光量に基づいて、正確な分析処理を実施することができ、被検査対象Ａのより正確な色度を測定することができる。 Further, in the colorimetric sensor 3 including the etalon 5 capable of transmitting light of a desired wavelength with such a high resolution, the detection unit 31 receives more light of the desired wavelength to be measured, and the measurement is performed. The amount of light having a wavelength outside the target is reduced. Therefore, it is possible to more accurately detect the amount of light having a desired wavelength. Furthermore, the colorimetric device 1 including such a colorimetric sensor 3 can also accurately detect the amount of light with respect to each wavelength of light. Analysis processing can be performed, and the more accurate chromaticity of the inspection object A can be measured.

また、エタロン５を構成する第一基板５１および第二基板５２は、ガラス基板により形成されている。このようなガラス基板では、鏡面研磨加工により、容易に平滑な平面である第一反射膜形成面５１３、および第二反射膜形成面５２３を形成することができ、このような第一反射膜形成面５１３、および第二反射膜形成面５２３に第一反射膜５６および第二反射膜５７を形成することで、反射膜表面に凹凸や傾斜が生じず、高分解能を容易に実現できる。 Moreover, the 1st board | substrate 51 and the 2nd board | substrate 52 which comprise the etalon 5 are formed with the glass substrate. In such a glass substrate, the first reflecting film forming surface 513 and the second reflecting film forming surface 523 which are smooth and flat can be easily formed by mirror polishing, and such first reflecting film formation is possible. By forming the first reflective film 56 and the second reflective film 57 on the surface 513 and the second reflective film forming surface 523, unevenness and inclination are not generated on the reflective film surface, and high resolution can be easily realized.

また、第一基板５１および第二基板５２を接合する紫外線硬化接合膜として、プラズマ重合膜５３を用いている。このようなプラズマ重合膜５３は、プラズマＣＶＤ法により、容易に形成することができ、かつ厚み寸法の制御も容易に実施できる。また、プラズマ重合膜５３として、ポリオレガノシロキサンを用いている。ポリオレガノシロキサンは、プラズマの照射により、難接着性の疎水性から容易接着性の親水性に変化させることができ、接着接合の制御を容易にできる。 Further, a plasma polymerization film 53 is used as an ultraviolet curable bonding film for bonding the first substrate 51 and the second substrate 52. Such a plasma polymerized film 53 can be easily formed by the plasma CVD method, and the thickness dimension can be easily controlled. Further, as the plasma polymerized film 53, polyolefinasiloxane is used. Polyorganosiloxane can be changed from hardly adhesive hydrophobicity to easily adhesive hydrophilicity by plasma irradiation, and the adhesion and bonding can be easily controlled.

〔他の実施形態〕
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。 [Other Embodiments]
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and modifications, improvements, and the like within the scope that can achieve the object of the present invention are included in the present invention.

例えば、第一実施形態において、第一基板５１では、エッチングにより電極溝５１１の形成部のみを形成する例を示したが、これに限らない。例えば、図８に示すような構成としてもよい。すなわち、図８に示すエタロン５では、第一基板５１の第二基板５２に対向する面のうち、第一反射膜形成面５１３以外の領域がエッチングされて溝が形成されている。このような構成では、第一接合面５１４と電極溝５１１とが同一高さ位置に形成される。この場合、第一接合面５１４は、エッチングの状態により傾斜したり、表面に凹凸が生じたりする場合がある。しかしながら、上述したように、接合層として、プラズマ重合膜を用い、接合時に第二基板５２を第一基板５１側に均一荷重で押圧することで、プラズマ重合膜５３が弾性変形し、反射膜間ギャップの寸法を所望の寸法値に設定することができるため、エッチングによる傾斜や凹凸による影響がなく、第一基板５１および第二基板５２を平行にすることができる。また、この状態で紫外線を照射することで、迅速にプラズマ重合膜を硬化させることができる。 For example, in the first embodiment, in the first substrate 51, the example in which only the formation portion of the electrode groove 511 is formed by etching is shown, but the present invention is not limited thereto. For example, it is good also as a structure as shown in FIG. That is, in the etalon 5 illustrated in FIG. 8, a region other than the first reflective film formation surface 513 is etched to form a groove in the surface of the first substrate 51 that faces the second substrate 52. In such a configuration, the first bonding surface 514 and the electrode groove 511 are formed at the same height position. In this case, the first bonding surface 514 may be inclined depending on the etching state, or the surface may be uneven. However, as described above, a plasma polymerization film is used as a bonding layer, and the second substrate 52 is pressed against the first substrate 51 side with a uniform load during bonding, so that the plasma polymerization film 53 is elastically deformed and the reflection film is interposed between the reflection films. Since the gap dimension can be set to a desired dimension value, the first substrate 51 and the second substrate 52 can be made parallel without being affected by the inclination or unevenness caused by etching. Moreover, a plasma polymerization film | membrane can be hardened rapidly by irradiating an ultraviolet-ray in this state.

また、上記実施形態では、静電アクチュエーター５４により、反射膜間ギャップを調整可能なエタロン５の構成を例示したが、その他の駆動部材により反射膜間ギャップが調整可能な構成としてもよい。例えば、第二基板５２の第一基板５１とは反対側に、斥力により第二基板５２を押圧する静電アクチュエーターや、圧電部材を設ける構成としてもよい。
さらに、反射膜間ギャップの調整機構を具備しないエタロンであってもよい。この場合、エタロンは、予め設定された反射膜間ギャップの寸法に基づいた所定波長の光のみを透過させることができる。また、このようなエタロンでは、エッチングにより電極溝５１１や可動部５２１、連結保持部５２２を形成する必要がないため、より簡単に製造することができ、製造コストも低減できる。 Moreover, in the said embodiment, although the structure of the etalon 5 which can adjust the gap between reflective films was illustrated with the electrostatic actuator 54, it is good also as a structure which can adjust the gap between reflective films with another drive member. For example, an electrostatic actuator that presses the second substrate 52 by repulsive force or a piezoelectric member may be provided on the opposite side of the second substrate 52 from the first substrate 51.
Furthermore, an etalon that does not include a mechanism for adjusting the gap between the reflective films may be used. In this case, the etalon can transmit only light having a predetermined wavelength based on a preset dimension of the gap between the reflection films. Further, in such an etalon, it is not necessary to form the electrode groove 511, the movable portion 521, and the connection holding portion 522 by etching, so that it can be manufactured more easily and the manufacturing cost can be reduced.

また、上記実施形態では、紫外線硬化接合膜として、プラズマ重合膜を例示したが、プラズマ重合膜としては、ポリオレガノシロキサンに限られず、その他の組成物を主原料としてプラズマ重合膜を用いてもよい。
さらに、プラズマ重合膜に限られず、紫外線硬化樹脂や、紫外線硬化接着剤などを用いてもよい。 In the above-described embodiment, the plasma polymerized film is exemplified as the ultraviolet curable bonding film. However, the plasma polymerized film is not limited to polyolefinosiloxane, and a plasma polymerized film may be used with other composition as a main raw material. .
Furthermore, the present invention is not limited to the plasma polymerized film, and an ultraviolet curable resin or an ultraviolet curable adhesive may be used.

そして、上記実施形態では、第一基板５１の作成時にプラズマ重合膜５３を作成した後、第一反射膜５６および第一電極５４１を形成する製造方法を例示したが、例えば、第一基板５１に第一反射膜５６および第一電極５４１を作成した後、第二基板５２との接合を実施する直前にプラズマ重合膜５３を形成してもよい。 And in the said embodiment, after creating the plasma polymerization film | membrane 53 at the time of creation of the 1st board | substrate 51, the manufacturing method which forms the 1st reflective film 56 and the 1st electrode 541 was illustrated. After the first reflective film 56 and the first electrode 541 are formed, the plasma polymerization film 53 may be formed immediately before the bonding with the second substrate 52 is performed.

第一反射膜５６および第二反射膜５７として、ＳｉＯ_２層、ＴｉＯ_２層、およびＡｇ層の各層を順に積層させる積層膜を例示したが、例えば上述したように、ＳｉＯ_２層およびＴｉＯ_２層の２層を順に積層した誘電多層膜であってもよく、ＡｇＣ単層により反射膜が形成される構成であってもよい。また、ＳｉＯ_２層、ＴｉＯ_２層、およびＡｇ層の積層順を適宜変更して所望の反射特性を得る構成などとしてもよい。また、第一反射膜５６および第二反射膜５７において、ＳｉＯ_２層、ＴｉＯ_２層、およびＡｇ層の積層順を変更したり、互いにに異なる素材により反射膜を形成したりしてもよい。
第一電極５４１および第二電極５４２としてＩＴＯを例示したが、その他の導電性を有する膜であればいかなる素材により構成されていてもよく、例えば、Ｐｔなどの金属膜により形成される構成としてもよい。 As the first reflective film 56 and the second reflective film 57, a laminated film in which each of the SiO ₂ layer, the TiO ₂ layer, and the Ag layer is sequentially laminated has been illustrated. For example, as described above, the SiO ₂ layer and the TiO ₂ layer The dielectric multilayer film which laminated | stacked these two layers in order may be sufficient, and the structure by which a reflecting film is formed by an AgC single layer may be sufficient. Further, SiO ₂ layer, TiO ₂ layer, and the stacking sequence of the Ag layer suitably modified to be a like configuration to obtain the desired reflection characteristics. Further, in the first reflective film 56 and the second reflective film 57, the stacking order of the SiO ₂ layer, the TiO ₂ layer, and the Ag layer may be changed, or the reflective films may be formed of different materials.
Although ITO is exemplified as the first electrode 541 and the second electrode 542, it may be made of any material as long as it is a film having other conductivity. For example, it may be made of a metal film such as Pt. Good.

そして、上記実施形態では、本発明の光モジュールとして、測色センサー３を例示し、分析装置として、測色センサー３を備えた測色装置１を例示したが、これに限定されるものではない。例えば、センサー内部にガスを流入させ、入射光のうちガスにて吸収された光を検出するガスセンサーを本発明の光センサーとして用いてもよく、このようなガスセンサーによりセンサー内に流入されたガスを分析、判別するガス検出装置を本発明の光モジュールとしてもよい。
また、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、光モジュールに設けられたエタロン５により特定波長の光を分光し、検出器で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができ、このようなデータ抽出用光モジュールを備えた分析装置により、各波長の光のデータを処理することで、光通信を実施することもできる。 In the above-described embodiment, the colorimetric sensor 3 is illustrated as the optical module of the present invention, and the colorimetric device 1 including the colorimetric sensor 3 is illustrated as the analysis device. However, the present invention is not limited to this. . For example, a gas sensor that allows gas to flow into the sensor and detects light absorbed by the gas in the incident light may be used as the optical sensor of the present invention. A gas detector for analyzing and discriminating gas may be used as the optical module of the present invention.
It is also possible to transmit data using light of each wavelength by changing the intensity of light of each wavelength with time. In this case, light of a specific wavelength is spectrally separated by the etalon 5 provided in the optical module. Then, the data transmitted by the light of a specific wavelength can be extracted by receiving the light with the detector, and the data of the light of each wavelength is processed by the analyzer equipped with such an optical module for data extraction. Thus, optical communication can also be performed.

また、上記実施形態では、可視光域における被検査対象Ａの色度を測定するために、可視光域の所望の光を分光させるためのエタロン５を例示したが、これに限定されない。例えば、波長が可視光域よりも大きくなる赤外光域や、波長が可視光域よりも小さくなる紫外光域を対象とすることもできる。紫外光域を対象として光を分光する場合では、上記構成と同様に、第一基板５１、第二基板５２として、ガラス基板を用いることができ、赤外光域を対象として光を分光する場合では、第一基板５１および第二基板５２として、ガラス基板の他、表面加工がより容易に実施できるシリコン（Ｓｉ）などを用いることができる。また、第一反射膜５６および第二反射膜５７としては、分光により得たい光の波長域に対応した反射特性を有する反射膜を適宜選択すればよく、例えば、紫外光の場合、紫外光域の反射特性が良好であるＡｌなどを用いてもよい。 Moreover, in the said embodiment, in order to measure the chromaticity of the to-be-inspected object A in a visible light range, the etalon 5 for disperse | distributing the desired light of a visible light range was illustrated, However, It is not limited to this. For example, an infrared light region in which the wavelength is larger than the visible light region and an ultraviolet light region in which the wavelength is smaller than the visible light region can be targeted. In the case of splitting light for the ultraviolet region, a glass substrate can be used as the first substrate 51 and the second substrate 52 as in the above configuration, and the light is split for the infrared region. Then, as the first substrate 51 and the second substrate 52, in addition to the glass substrate, silicon (Si) that can be more easily surface-processed can be used. Further, as the first reflection film 56 and the second reflection film 57, a reflection film having reflection characteristics corresponding to the wavelength range of light desired to be obtained by spectroscopy may be appropriately selected. For example, in the case of ultraviolet light, the ultraviolet light range Al having good reflection characteristics may be used.

その他、本発明の実施の際の具体的な構造および手順は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などに適宜変更できる。 In addition, the specific structure and procedure for carrying out the present invention can be appropriately changed to other structures and the like within a range in which the object of the present invention can be achieved.

１…分析装置である測色装置、３…光モジュールである測色センサー、５…干渉フィルターであるエタロン、３１…検出部、４３…処理部である測色処理部、５１…第一基板、５２…第二基板、５３…紫外線硬化接合膜であるプラズマ重合膜、５６…第一反射膜、５７…第二反射膜、５１１…電極溝、５４１…第一電極、５４２…第二電極。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Color measuring device which is an analyzer, 3 ... Color measuring sensor which is an optical module, 5 ... Etalon which is an interference filter, 31 ... Detection part, 43 ... Color measurement processing part which is a processing part, 51 ... First board | substrate, 52 ... second substrate, 53 ... plasma polymerized film which is an ultraviolet curable bonding film, 56 ... first reflective film, 57 ... second reflective film, 511 ... electrode groove, 541 ... first electrode, 542 ... second electrode.

Claims

A first substrate having a first polished flat surface polished on one side;
A second substrate having a second polishing plane facing the first substrate and surface-polished on one side facing the first polishing plane;
A first reflective film provided on the first polishing plane;
A second reflective film provided on the second polishing plane and facing the first reflective film;
An ultraviolet-curing bonding film that bonds the first substrate and the second substrate and forms a gap between the reflection films between the first reflection film and the second reflection film;
An interference filter comprising:

The interference filter according to claim 1,
The first substrate includes an electrode groove formed in a concave shape on a surface facing the second substrate, and a first electrode provided on a groove bottom surface of the electrode groove,
Said 2nd board | substrate is equipped with the 2nd electrode facing said 1st electrode. The interference filter characterized by the above-mentioned.

The interference filter according to claim 1 or 2,
The interference filter, wherein the first substrate and the second substrate are glass substrates.

The interference filter according to any one of claims 1 to 3,
A detection unit for detecting the amount of light extracted by the interference filter;
An optical module comprising:

An optical module according to claim 4,
Based on the amount of light detected by the detection unit, a processing unit for performing an optical analysis process,
An analyzer characterized by comprising: