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JP5673117B2 - Optical module and optical analyzer - Google Patents

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JP5673117B2 JP2011007564A JP2011007564A JP5673117B2 JP 5673117 B2 JP5673117 B2 JP 5673117B2 JP 2011007564 A JP2011007564 A JP 2011007564A JP 2011007564 A JP2011007564 A JP 2011007564A JP 5673117 B2 JP5673117 B2 JP 5673117B2
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Description

本発明は、特定波長の光を取得する波長可変干渉フィルターを備えた光モジュール、および光分析装置に関する。   The present invention relates to an optical module including a wavelength variable interference filter that acquires light of a specific wavelength, and an optical analyzer.

従来、複数波長の光から、特定波長の光を取り出す波長可変干渉フィルター(光フィルター素子)を備えた光学装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。   2. Description of the Related Art Conventionally, an optical device including a wavelength variable interference filter (optical filter element) that extracts light having a specific wavelength from light having a plurality of wavelengths is known (see, for example, Patent Document 1).

この特許文献1に記載の波長可変干渉フィルター(光学フィルター装置)は、可動部(第1部分)、および可動部を支持するダイヤフラム(第2部分)を備えた第1基板と、第1基板に対向する第2基板とを備えている。また、第1基板の可動部には、可動ミラーが形成され、第2基板の可動部に対向する面には、固定ミラーが形成されている。そして、第1基板および第2基板には、それぞれリング状の電極が設けられ、これらの電極から各基板の外周縁に向かってそれぞれ引き出し配線が形成されている。   The variable wavelength interference filter (optical filter device) described in Patent Document 1 includes a first substrate including a movable portion (first portion) and a diaphragm (second portion) that supports the movable portion, and a first substrate. And an opposing second substrate. In addition, a movable mirror is formed on the movable part of the first substrate, and a fixed mirror is formed on the surface facing the movable part of the second substrate. The first substrate and the second substrate are respectively provided with ring-shaped electrodes, and lead-out wirings are formed from these electrodes toward the outer peripheral edge of each substrate.

特開2009−251105号公報JP 2009-251105 A

ところで、上記特許文献1に記載の波長可変干渉フィルターを、光学装置の基板やケース等に固定する際に、波長可変干渉フィルターの基板に撓みが生じる場合がある。また、基板やケースに組み込まれた波長可変干渉フィルターの各引き出し電極に対して、配線を接続する必要があり、この配線作業時に、基板に応力が加わって、基板に撓みが生じる場合がある。
このように、基板に撓みが生じると、一対の反射膜の平行性を維持することができず、波長可変干渉フィルターの分解能が低下してしまうという問題がある。
By the way, when the wavelength variable interference filter described in Patent Document 1 is fixed to the substrate or case of the optical device, the substrate of the wavelength variable interference filter may be bent. In addition, it is necessary to connect a wiring to each extraction electrode of the variable wavelength interference filter incorporated in the substrate or case, and stress may be applied to the substrate during the wiring work, which may cause the substrate to bend.
As described above, when the substrate is bent, the parallelism of the pair of reflection films cannot be maintained, and there is a problem that the resolution of the wavelength variable interference filter is lowered.

本発明は、上述のような問題に鑑みて、分解能の低下を抑制できる光モジュール、および光分析装置を提供することを目的とする。   In view of the above problems, an object of the present invention is to provide an optical module and an optical analyzer that can suppress a decrease in resolution.

本発明の光モジュールは、第一基板と、前記第一基板に対向する第二基板と、前記第一基板に設けられた第一反射膜と、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜とギャップを介して対向する第二反射膜と、前記第一基板の前記第二基板に対向する基板対向面に設けられた第一電極と、を備えた波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターを固定する固定部と、前記波長可変干渉フィルターの前記基板対向面とは反対側の固定対向面、および前記固定部の間に設けられ、前記波長可変干渉フィルターを前記固定部に接合する異方性導電層と、を備え、前記第一基板は、前記固定部に対向する固定対向面に設けられた固定対向電極と、前記第一電極および前記固定対向電極を電気的に接続する導電接続部と、を有し、前記固定部は、前記固定対向電極に対向する第三電極を有し、前記異方性導電層は、前記固定対向電極と、前記第三電極とを導通することを特徴とする。   The optical module of the present invention includes a first substrate, a second substrate facing the first substrate, a first reflection film provided on the first substrate, and a first reflection film provided on the second substrate. A wavelength tunable interference filter comprising: a second reflective film facing the film through a gap; and a first electrode provided on a substrate facing surface of the first substrate facing the second substrate; and the wavelength tunable filter Provided between a fixed portion for fixing the interference filter, a fixed facing surface opposite to the substrate facing surface of the wavelength variable interference filter, and the fixed portion, and joining the wavelength variable interference filter to the fixed portion An anisotropic conductive layer, wherein the first substrate has a fixed counter electrode provided on a fixed counter surface facing the fixed portion, and electrically connects the first electrode and the fixed counter electrode. A connecting portion, and the fixing portion is Wherein a third electrode facing the fixed counter electrode, the anisotropic conductive layer is characterized by conducting said fixed counter electrode, and said third electrode.

この発明では、第一基板の基板対向面に設けられた第一電極は、固定対向面上に形成された固定対向電極に接続され、この固定対向電極は、異方性導電部材により固定部に接合されることで、固定対向電極に対向した固定部の第三電極に電気的に接続されている。
ここで、異方性導電層としては、例えばACF(Anisotropic Conductive Film:異方性導電フィルム)や、ACP(Anisotropic Conductive Paste:異方性導電膜)が挙げられ、互いに対向する電極同士を接着するための接着剤と、この接着剤中に均一に拡散された導電粒子とを備えた層である。このような異方性導電層では、押圧により接着剤中の導電粒子が接触するため、押圧方向に沿って導電性が生じる。
本発明では、波長可変干渉フィルターと固定部との間にこのような異方性導電層が設けられているため、波長可変干渉フィルターおよび固定部を互いに近接する方向に押圧することで、波長可変干渉フィルターの固定対向電極と、固定部の第三電極とを導通させることができる。このため、波長可変干渉フィルターに直接配線作業を実施する必要がなく、第三電極から波長可変干渉フィルターの第二電極に電力を供給することができる。
また、例えば波長可変干渉フィルターの側縁をケース等に設けられた剛性が強い係止部により保持する場合、係止部の保持力により波長可変干渉フィルターの基板に撓みが生じるおそれがある。これに対して、上記のような異方性導電層を用いる場合では、固定部上に設けられた異方性導電層の上に、波長可変干渉フィルターを載置して僅かに押圧するだけで、波長可変干渉フィルターを固定部に接着固定することができる。この場合、固定時に係る波長可変干渉フィルターへの応力が小さく、波長可変干渉フィルターの撓みを抑制することができる。
In this invention, the 1st electrode provided in the board | substrate opposing surface of the 1st board | substrate is connected to the stationary counter electrode formed on the stationary opposing surface, and this stationary opposing electrode is fixed to a fixed part by an anisotropic conductive member. By being joined, it is electrically connected to the third electrode of the fixed portion facing the fixed counter electrode.
Here, examples of the anisotropic conductive layer include an ACF (Anisotropic Conductive Film) and an ACP (Anisotropic Conductive Paste), and adhere electrodes facing each other. And a layer having conductive particles uniformly dispersed in the adhesive. In such an anisotropic conductive layer, the conductive particles in the adhesive come into contact with each other by pressing, and therefore conductivity is generated along the pressing direction.
In the present invention, since such an anisotropic conductive layer is provided between the wavelength tunable interference filter and the fixed part, the wavelength tunable interference filter and the fixed part are pressed in a direction close to each other, thereby changing the wavelength. The fixed counter electrode of the interference filter can be electrically connected to the third electrode of the fixed part. For this reason, it is not necessary to perform wiring work directly on the wavelength tunable interference filter, and power can be supplied from the third electrode to the second electrode of the wavelength tunable interference filter.
In addition, for example, when the side edge of the wavelength tunable interference filter is held by a locking portion with strong rigidity provided in a case or the like, the substrate of the wavelength tunable interference filter may be bent by the holding force of the locking portion. On the other hand, in the case of using the anisotropic conductive layer as described above, the wavelength variable interference filter is placed on the anisotropic conductive layer provided on the fixed portion and pressed slightly. The wavelength variable interference filter can be bonded and fixed to the fixing portion. In this case, the stress to the wavelength tunable interference filter at the time of fixing is small, and the deflection of the wavelength tunable interference filter can be suppressed.

本発明の光モジュールでは、前記第一基板は、前記第一電極が形成された領域の少なくとも一部に、基板厚み方向を貫通した貫通孔を備え、前記導電接続部は、前記貫通孔を通って前記第一電極と前記固定対向電極とを接続することが好ましい。   In the optical module of the present invention, the first substrate includes a through hole penetrating the substrate thickness direction in at least a part of the region where the first electrode is formed, and the conductive connection portion passes through the through hole. The first electrode and the fixed counter electrode are preferably connected.

導通接続部としては、例えば第一基板の外周側面を伝って、第一電極と固定対向電極とを接続する構成としてもよい。しかしながら、第一基板を製造する場合、複数の第一基板を1つのウエハー内に複数形成し、それらをカットして1つの第一基板を取り出す場合がある。このような場合、第一基板をカットした後、再び第一基板の外周側面に導電接続部を形成する必要があり、製造効率が低下し、コスト的にも不利となる。
これに対して、本発明では、第一基板に貫通孔が設けられ、この貫通孔を通る導電接続部が設けられる。このような構成では、ウエハーから第一基板をカットする前に導電接続部が形成されるため、カット後の処理が不要となり、製造効率を向上させることができ、コスト的にも有利となる。
As a conduction | electrical_connection connection part, it is good also as a structure which connects a 1st electrode and a fixed counter electrode, for example along the outer peripheral side surface of a 1st board | substrate. However, when manufacturing a 1st board | substrate, several 1st board | substrates may be formed in one wafer, they may be cut, and one 1st board | substrate may be taken out. In such a case, after cutting the first substrate, it is necessary to form a conductive connection portion on the outer peripheral side surface of the first substrate again, which reduces manufacturing efficiency and is disadvantageous in terms of cost.
On the other hand, in this invention, a through-hole is provided in the 1st board | substrate and the conductive connection part which passes along this through-hole is provided. In such a configuration, since the conductive connection portion is formed before the first substrate is cut from the wafer, the post-cut processing is unnecessary, the manufacturing efficiency can be improved, and the cost is advantageous.

本発明の光モジュールでは、前記導電接続部は、前記貫通孔に充填された導電部材であり、前記導電部材の前記貫通孔から前記固定対向面に対向して臨む面により前記固定対向電極が構成されたことが好ましい。   In the optical module of the present invention, the conductive connection portion is a conductive member filled in the through hole, and the fixed counter electrode is configured by a surface facing the fixed counter surface from the through hole of the conductive member. It is preferred that

本発明では、第一基板に設けられた貫通孔に導電部材を充填させることで、第一電極と導電部材とを確実に電気的に接続することができる。また、別途設けられた固定対向電極と導電接続部を接続する場合、その接続信頼性を確保する必要があるが、本発明では、貫通孔に充填された導電部材の固定部に対向する面が固定対向電極を構成するため、導電接続部と固定対向電極との接続信頼性を考慮する必要がなく、導電部材により確実に第一電極と固定対向電極とを導通状態にすることができる。   In the present invention, the first electrode and the conductive member can be reliably electrically connected by filling the through hole provided in the first substrate with the conductive member. In addition, when connecting a separately provided fixed counter electrode and a conductive connection portion, it is necessary to ensure the connection reliability. However, in the present invention, the surface facing the fixed portion of the conductive member filled in the through hole is provided. Since the fixed counter electrode is configured, it is not necessary to consider the connection reliability between the conductive connection portion and the fixed counter electrode, and the first electrode and the fixed counter electrode can be reliably brought into conduction by the conductive member.

本発明の光モジュールでは、前記第二基板の前記第一基板に対向する面で、前記第一電極に対向した第二電極と、前記第一電極および前記第二電極を電気的に接続する導電部と、を備えたことが好ましい。   In the optical module of the present invention, the second electrode facing the first electrode on the surface of the second substrate facing the first substrate, and the electrically connecting electrically the first electrode and the second electrode. And a portion.

この発明では、第二基板に設けられた第二電極が導電部により第一電極に接続されている。また、上記発明のように、第一電極は導電接続部により固定対向電極と接続され、この固定対向電極が異方性導電層により固定部の第三電極に接続されている。このため、第二基板に設けられた第二電極に対しても、配線作業等を実施することなく、容易に固定部の第三電極に接続することができる。   In this invention, the 2nd electrode provided in the 2nd board | substrate is connected to the 1st electrode by the electroconductive part. Further, as in the above invention, the first electrode is connected to the fixed counter electrode by the conductive connecting portion, and the fixed counter electrode is connected to the third electrode of the fixed portion by the anisotropic conductive layer. For this reason, the second electrode provided on the second substrate can be easily connected to the third electrode of the fixing portion without performing wiring work or the like.

本発明の光モジュールでは、前記異方性導電層は、前記波長可変干渉フィルターを、前記第一基板および前記第二基板の基板厚み方向から見た平面視において、前記固定対向面の前記第一反射膜および前記第二反射膜と重ならない領域を覆って設けられたことが好ましい。   In the optical module according to the aspect of the invention, the anisotropic conductive layer may be configured such that the wavelength-variable interference filter is the first of the fixed opposing surfaces in a plan view of the first substrate and the second substrate viewed from the substrate thickness direction. It is preferable to cover the reflective film and a region that does not overlap the second reflective film.

波長可変干渉フィルターには、第一反射膜および第二反射膜により多重干渉された光を反射させる反射型フィルターと、多重干渉された光を透過させる透過型フィルターとがあるが、特に透過型フィルターの場合、透過された光の通過部を設ける必要がある。本発明では、平面視において、第一反射膜および第二反射膜と重なる領域に異方性導電層が設けられていないため、この部分に透過型フィルターを透過した光を通すことができる。   The variable wavelength interference filter includes a reflective filter that reflects light that has undergone multiple interference by the first reflective film and the second reflective film, and a transmissive filter that transmits the light that has undergone multiple interference. In this case, it is necessary to provide a transmission part for transmitted light. In the present invention, since the anisotropic conductive layer is not provided in a region overlapping the first reflective film and the second reflective film in plan view, light transmitted through the transmission filter can be passed through this portion.

本発明の光モジュールでは、前記固定対向電極および前記第三電極は、複数設けられ、
前記異方性導電層は、互いに対向する前記固定対向電極および前記第三電極の組に対応してそれぞれ設けられたことが好ましい。
In the optical module of the present invention, a plurality of the fixed counter electrode and the third electrode are provided,
The anisotropic conductive layer is preferably provided corresponding to a set of the fixed counter electrode and the third electrode facing each other.

異方性導電層としては、波長可変干渉フィルターの固定部に対向する面の全面に対して設けられる構成としてもよいが、波長可変干渉フィルターに複数の固定対向電極が設けられる構成では、各固定対向電極に対向する位置のみに設けられていてもよい。このような構成とすることで、波長可変干渉フィルターとして透過型フィルターを用いた場合でも、透過した光が異方性導電層によって阻害されることなく、透過光を導くことができる。
また、異方性導電層を波長可変干渉フィルターの全面に対して設ける場合、固定対向電極が設けられる位置のみを押圧したとしても、固定対向電極が設けられていない部分に対して異方性導電層による応力が加わるおそれがある。これに対して、固定対向電極が設けられる位置のみに異方性導電層を設ける場合、固定対向電極と重ならない領域では、異方性導電層による第一基板への応力がなく、第一基板の撓みをより確実に防止できる。
The anisotropic conductive layer may be provided on the entire surface facing the fixed portion of the wavelength tunable interference filter. However, in the configuration in which the wavelength variable interference filter is provided with a plurality of fixed counter electrodes, each fixed It may be provided only at a position facing the counter electrode. With such a configuration, even when a transmission filter is used as the variable wavelength interference filter, the transmitted light can be guided without being inhibited by the anisotropic conductive layer.
Also, when the anisotropic conductive layer is provided on the entire surface of the variable wavelength interference filter, the anisotropic conductive layer is not applied to the portion where the fixed counter electrode is not provided, even if only the position where the fixed counter electrode is provided is pressed. There is a risk of applying stress due to the layer. On the other hand, when the anisotropic conductive layer is provided only at the position where the fixed counter electrode is provided, there is no stress on the first substrate by the anisotropic conductive layer in the region that does not overlap the fixed counter electrode, and the first substrate Can be reliably prevented.

そして、上記発明において、前記異方性導電層は、前記波長可変干渉フィルターを、前記第一基板の基板厚み方向から見た平面視において、前記第一反射膜の中心点を中心とした仮想円上で、前記中心点に対して等角度間隔に配置されたことが好ましい。   And in the said invention, the said anisotropic conductive layer is a virtual circle centering on the center point of said 1st reflective film in the planar view which looked at the said wavelength variable interference filter from the substrate thickness direction of said 1st substrate. Above, it is preferable that they are arranged at equiangular intervals with respect to the center point.

この発明では、異方性導電層により第一基板に応力が加わったとしても、これらの応力が第一基板に対して均等に加わることとなり、第一基板の撓みをより確実に防止できる。   In the present invention, even if stress is applied to the first substrate by the anisotropic conductive layer, these stresses are applied evenly to the first substrate, and the bending of the first substrate can be prevented more reliably.

本発明の光分析装置は、上述したような光モジュールと、前記光モジュールに接続された制御装置と、を具備し、前記光モジュールは、前記波長可変干渉フィルターにより取り出された光を検出する検出部を備え、前記制御装置は、前記検出部により検出された光に基づいて、前記光の光特性を分析する分析処理部を備えたことを特徴とする。   The optical analyzer of the present invention comprises the optical module as described above and a control device connected to the optical module, and the optical module detects light extracted by the wavelength variable interference filter. And the control device further includes an analysis processing unit that analyzes the light characteristics of the light based on the light detected by the detection unit.

ここで、光分析装置としては、上記のような光モジュールから出力される電気信号に基づいて、光モジュールに入射した光の色度や明るさなどを分析する光測定器、ガスの吸収波長を検出してガスの種類を検査するガス検出装置、受光した光からその波長の光に含まれるデータを取得する光通信装置などを例示することができる。
この発明では、光分析装置は、上述したような光モジュールを備えている。光モジュールは、上記のように、波長可変干渉フィルターを固定部に固定した時の撓みを抑制することができ、波長可変干渉フィルターにより分解能の高い光を取り出すことができる。また、光モジュールは、検出部により、このような高分解能で取り出された光を検出することができるので、測定対象となる光の正確な光量を取得することができる。
したがって、このような光モジュールを備えた光分析装置では、光モジュールにより取得された正確な光量に基づいて、正確な光分析処理を実施することができる。また、光モジュールの配線信頼性が高いため、光分析装置における装置信頼性も向上させることができる。
Here, as an optical analyzer, based on the electrical signal output from the optical module as described above, an optical measuring device that analyzes the chromaticity and brightness of light incident on the optical module, the absorption wavelength of the gas Examples thereof include a gas detection device that detects the type of gas by detecting it, and an optical communication device that acquires data included in light of that wavelength from received light.
In the present invention, the optical analyzer includes the optical module as described above. As described above, the optical module can suppress bending when the wavelength variable interference filter is fixed to the fixed portion, and can extract light with high resolution by the wavelength variable interference filter. Moreover, since the optical module can detect the light extracted with such a high resolution by the detection unit, it is possible to acquire an accurate light amount of the light to be measured.
Therefore, in the optical analyzer provided with such an optical module, it is possible to perform an accurate optical analysis process based on the accurate light amount acquired by the optical module. Further, since the wiring reliability of the optical module is high, the device reliability in the optical analyzer can also be improved.

本発明に係る第一実施形態の測色装置(光分析装置)の概略構成を示す図である。1 is a diagram illustrating a schematic configuration of a color measurement device (light analysis device) according to a first embodiment of the present invention. 第一実施形態の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the wavelength variable interference filter of 1st embodiment. 図2におけるA−O−A´線に沿う波長可変干渉フィルターの断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of the wavelength tunable interference filter along the line A-O-A ′ in FIG. 2. 第一実施形態の波長可変干渉フィルターにおける固定基板を可動基板側から見た平面図である。It is the top view which looked at the fixed board | substrate in the wavelength variable interference filter of 1st embodiment from the movable board | substrate side. 第一実施形態の波長可変干渉フィルターにおける可動基板を固定基板側から見た平面図である。It is the top view which looked at the movable board | substrate in the wavelength variable interference filter of 1st embodiment from the fixed board | substrate side. 波長可変干渉フィルターの固定電極パッドの近傍を拡大した拡大断面図である。It is the expanded sectional view which expanded the vicinity of the fixed electrode pad of a wavelength variable interference filter. 第一実施形態において、波長可変干渉フィルターに対して、異方性導電層が設けられる位置を示す平面図である。In 1st embodiment, it is a top view which shows the position in which an anisotropic conductive layer is provided with respect to a wavelength variable interference filter. 第一実施形態の波長可変干渉フィルターの固定基板の製造工程を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the fixed board | substrate of the wavelength variable interference filter of 1st embodiment. 第一実施形態の波長可変干渉フィルターの可動基板の製造工程を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the movable substrate of the wavelength variable interference filter of 1st embodiment. 第一実施形態の波長可変干渉フィルターの固定基板および可動基板を接合する接合工程を示す図である。It is a figure which shows the joining process of joining the fixed board | substrate and movable board | substrate of a wavelength variable interference filter of 1st embodiment. 第二実施形態の測色センサーにおいて、波長可変干渉フィルターに対して異方性導電層が設けられる位置を示す平面図である。It is a top view which shows the position in which an anisotropic conductive layer is provided with respect to a wavelength variable interference filter in the colorimetric sensor of 2nd embodiment.

[第一実施形態]
以下、本発明に係る第一実施形態について、図面に基づいて説明する。
〔1.測色装置の全体構成〕
図1は、本発明に係る第一実施形態の測色装置(光分析装置)の概略構成を示す図である。
この測色装置1は、本発明の光分析装置であり、図1に示すように、測定対象Aに光を射出する光源装置2と、本発明の光モジュールである測色センサー3と、測色装置1の全体動作を制御する制御装置4とを備えている。そして、この測色装置1は、光源装置2から射出される光を測定対象Aにて反射させ、反射された検査対象光を測色センサー3にて受光し、測色センサー3から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度、すなわち測定対象Aの色を分析して測定する装置である。
[First embodiment]
Hereinafter, a first embodiment according to the present invention will be described with reference to the drawings.
[1. Overall configuration of the color measuring device]
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a color measurement device (light analysis device) according to the first embodiment of the present invention.
The colorimetric device 1 is an optical analyzer of the present invention, and as shown in FIG. 1, a light source device 2 that emits light to a measurement object A, a colorimetric sensor 3 that is an optical module of the present invention, and a colorimetric device. And a control device 4 that controls the overall operation of the color device 1. The colorimetric device 1 reflects the light emitted from the light source device 2 by the measurement object A, receives the reflected inspection target light by the colorimetry sensor 3, and outputs the light from the colorimetry sensor 3. It is an apparatus that analyzes and measures the chromaticity of the inspection target light, that is, the color of the measurement target A based on the detection signal.

〔2.光源装置の構成〕
光源装置2は、光源21、複数のレンズ22(図1には1つのみ記載)を備え、測定対象Aに対して白色光を射出する。複数のレンズ22には、コリメーターレンズが含まれていてもよく、この場合、光源装置2は、光源21から射出された白色光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから測定対象Aに向かって射出する。
なお、本実施形態では、光源装置2を備える測色装置1を例示するが、例えば測定対象Aが発光部材である場合、光源装置2が設けられない構成としてもよい。
[2. Configuration of light source device]
The light source device 2 includes a light source 21 and a plurality of lenses 22 (only one is shown in FIG. 1), and emits white light to the measurement target A. The plurality of lenses 22 may include a collimator lens. In this case, the light source device 2 converts the white light emitted from the light source 21 into parallel light by the collimator lens and measures from the projection lens (not shown). Inject toward A.
In the present embodiment, the color measuring device 1 including the light source device 2 is illustrated, but when the measurement target A is a light emitting member, for example, the light source device 2 may not be provided.

〔3.測色センサーの構成〕
測色センサー3は、本発明の光モジュールを構成する。この測色センサー3は、図1に示すように、本発明の固定部であるモジュール基板30に固定された波長可変干渉フィルター5と、波長可変干渉フィルター5を透過した光を受光して検出する検出部31と、波長可変干渉フィルター5に駆動電圧を印加する電圧制御部32と、を備えている。また、測色センサー3は、波長可変干渉フィルター5に対向する位置に、測定対象Aで反射された反射光(検査対象光)を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。そして、この測色センサー3は、波長可変干渉フィルター5により、入射光学レンズから入射した検査対象光のうち、所定波長の光のみを分光し、分光した光を検出部31にて受光する。
検出部31は、複数の光電交換素子により構成されており、受光量に応じた電気信号を生成する。そして、検出部31は、制御装置4に接続されており、生成した電気信号を受光信号として制御装置4に出力する。
[3. (Configuration of colorimetric sensor)
The colorimetric sensor 3 constitutes the optical module of the present invention. As shown in FIG. 1, the colorimetric sensor 3 receives and detects the wavelength variable interference filter 5 fixed to the module substrate 30 which is the fixing unit of the present invention and the light transmitted through the wavelength variable interference filter 5. A detection unit 31 and a voltage control unit 32 that applies a drive voltage to the variable wavelength interference filter 5 are provided. In addition, the colorimetric sensor 3 includes an incident optical lens (not shown) that guides the reflected light (inspection target light) reflected by the measurement target A at a position facing the wavelength variable interference filter 5. In the colorimetric sensor 3, the wavelength variable interference filter 5 separates only light having a predetermined wavelength from the inspection target light incident from the incident optical lens, and the detected light is received by the detection unit 31.
The detection unit 31 includes a plurality of photoelectric exchange elements, and generates an electrical signal corresponding to the amount of received light. And the detection part 31 is connected to the control apparatus 4, and outputs the produced | generated electric signal to the control apparatus 4 as a light reception signal.

(3−1.波長可変干渉フィルターの構成)
図2は、波長可変干渉フィルター5を基板厚み方向から見た平面視における平面図であり、図3は、図2におけるA−O−A´線に沿う波長可変干渉フィルター5の断面図である。
波長可変干渉フィルター5は、図2に示すように、平面正方形状の板状の光学部材である。この波長可変干渉フィルター5は、図3に示すように、本発明の第一基板である固定基板51、および本発明の第二基板である可動基板52を備えている。これらの2枚の基板51,52は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などにより形成されている。そして、これらの2つの基板51,52は、外周部近傍に形成される接合面513,523が、例えばシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜などの接合膜513A,523Aにより接合されることで、一体的に構成されている。
(3-1. Configuration of wavelength tunable interference filter)
FIG. 2 is a plan view of the wavelength tunable interference filter 5 as seen from the thickness direction of the substrate, and FIG. 3 is a cross-sectional view of the wavelength tunable interference filter 5 along the line A-O-A ′ in FIG. .
As shown in FIG. 2, the wavelength variable interference filter 5 is a planar square plate-like optical member. As shown in FIG. 3, the variable wavelength interference filter 5 includes a fixed substrate 51 that is a first substrate of the present invention and a movable substrate 52 that is a second substrate of the present invention. These two substrates 51 and 52 are each formed of, for example, various glasses such as soda glass, crystalline glass, quartz glass, lead glass, potassium glass, borosilicate glass, and alkali-free glass, or crystal. . And these two substrates 51 and 52 are bonded by bonding films 513A and 523A such as a plasma polymerized film mainly composed of siloxane, with bonding surfaces 513 and 523 formed in the vicinity of the outer peripheral portion. It is constructed integrally.

固定基板51には、本発明の第一反射膜を構成する固定反射膜56が設けられ、可動基板52には、本発明の第二反射膜を構成する可動反射膜57が設けられている。ここで、固定反射膜56は、固定基板51の可動基板52に対向する面(基板対向面)に固定され、可動反射膜57は、可動基板52の固定基板51に対向する面に固定されている。また、これらの固定反射膜56および可動反射膜57は、ギャップを介して対向配置されている。
さらに、固定基板51と可動基板52との間には、固定反射膜56および可動反射膜57の間のギャップの寸法を調整するための静電アクチュエーター54が設けられている。この静電アクチュエーター54は、固定基板51側に設けられる本発明の第一駆動電極としての固定電極541と、可動基板52側に設けられる本発明の第二駆動電極としての可動電極542とを備えている。
また、波長可変干渉フィルター5を各基板51,52の基板厚み方向から見た図2に示すような平面視において、各基板51,52の中心点Oは、固定反射膜56,可動反射膜57の中心点と一致し、かつ後述する可動部521の中心点と一致する。
The fixed substrate 51 is provided with a fixed reflective film 56 constituting the first reflective film of the present invention, and the movable substrate 52 is provided with a movable reflective film 57 constituting the second reflective film of the present invention. Here, the fixed reflective film 56 is fixed to the surface of the fixed substrate 51 facing the movable substrate 52 (substrate facing surface), and the movable reflective film 57 is fixed to the surface of the movable substrate 52 facing the fixed substrate 51. Yes. In addition, the fixed reflection film 56 and the movable reflection film 57 are disposed to face each other via a gap.
Further, an electrostatic actuator 54 for adjusting the size of the gap between the fixed reflection film 56 and the movable reflection film 57 is provided between the fixed substrate 51 and the movable substrate 52. The electrostatic actuator 54 includes a fixed electrode 541 as the first drive electrode of the present invention provided on the fixed substrate 51 side, and a movable electrode 542 as the second drive electrode of the present invention provided on the movable substrate 52 side. ing.
Further, in the plan view as shown in FIG. 2 in which the wavelength variable interference filter 5 is viewed from the substrate thickness direction of each of the substrates 51 and 52, the center point O of each of the substrates 51 and 52 is the fixed reflection film 56 and the movable reflection film 57. And the center point of the movable part 521 described later.

(3−1−1.固定基板の構成)
図4は、第一実施形態の波長可変干渉フィルター5における固定基板51を可動基板52側から見た平面図である。
固定基板51は、厚みが例えば500μmに形成されるガラス基材を加工することで形成される。具体的には、図3、および図4に示すように、固定基板51には、エッチングにより電極形成溝511および反射膜固定部512が形成されている。この固定基板51は、可動基板52に対して厚み寸法が大きく形成されており、固定電極541および可動電極542間に電圧を印加した際の静電引力や、固定電極541の内部応力による固定基板51の撓みはない。なお、本実施形態では、固定基板51の可動基板52に対向しない側の面が測色センサー3のモジュール基板30に固定される面となる。
(3-1-1. Configuration of Fixed Substrate)
FIG. 4 is a plan view of the fixed substrate 51 in the variable wavelength interference filter 5 of the first embodiment as viewed from the movable substrate 52 side.
The fixed substrate 51 is formed by processing a glass base material having a thickness of, for example, 500 μm. Specifically, as shown in FIGS. 3 and 4, the fixed substrate 51 is formed with an electrode forming groove 511 and a reflective film fixing portion 512 by etching. The fixed substrate 51 is formed to have a thickness larger than that of the movable substrate 52, and the fixed substrate is caused by electrostatic attraction when a voltage is applied between the fixed electrode 541 and the movable electrode 542 or internal stress of the fixed electrode 541. There is no 51 deflection. In the present embodiment, the surface of the fixed substrate 51 that is not opposed to the movable substrate 52 is a surface that is fixed to the module substrate 30 of the colorimetric sensor 3.

電極形成溝511は、図4に示すように、平面視で、固定基板51の平面中心点を中心とした円形に形成されている。反射膜固定部512は、前記平面視において、電極形成溝511の中心部から可動基板52側に突出して形成される。
また、固定基板51には、電極形成溝511から、固定基板51の外周縁の各頂点C1,C2,C3,C4方向に向かって延出する4つの電極引出溝514が設けられている。
As shown in FIG. 4, the electrode forming groove 511 is formed in a circular shape centered on the plane center point of the fixed substrate 51 in plan view. The reflection film fixing portion 512 is formed so as to protrude from the central portion of the electrode forming groove 511 toward the movable substrate 52 in the plan view.
In addition, the fixed substrate 51 is provided with four electrode extraction grooves 514 extending from the electrode forming groove 511 toward the vertexes C1, C2, C3, and C4 of the outer peripheral edge of the fixed substrate 51.

そして、固定基板51の電極形成溝511の溝底部である電極形成面511Aには、固定電極541が形成されている。
この固定電極541は、図4に示すように、第一固定電極541Aと、第二固定電極541Bとを備えている。
第一固定電極541Aは、固定基板51を基板厚み方向から見た平面視(固定基板51を可動基板52側から見た平面視)において、固定反射膜56の中心を中心点Oとした仮想円Q1に沿って、円環状に形成されている。
第二固定電極541Bは、固定基板51を基板厚み方向から見た平面視において、仮想円Q1と同心円であり、仮想円Q1より径寸法が大きい仮想円Q2に沿って、C字状に形成されている。そして、第二固定電極541Bは、固定基板51の頂点C4に対向する部分がC字開口部となる。
これらの第一固定電極541Aおよび第二固定電極541B上には、固定電極541および可動電極542の間の放電を防止するための絶縁膜が積層されている。
A fixed electrode 541 is formed on the electrode forming surface 511 </ b> A that is the groove bottom of the electrode forming groove 511 of the fixed substrate 51.
As shown in FIG. 4, the fixed electrode 541 includes a first fixed electrode 541A and a second fixed electrode 541B.
The first fixed electrode 541A is a virtual circle whose center point O is the center of the fixed reflective film 56 in a plan view of the fixed substrate 51 viewed from the substrate thickness direction (a plan view of the fixed substrate 51 viewed from the movable substrate 52 side). It is formed in an annular shape along Q1.
The second fixed electrode 541B is formed in a C shape along a virtual circle Q2 that is concentric with the virtual circle Q1 and has a larger diameter than the virtual circle Q1 in a plan view of the fixed substrate 51 viewed from the substrate thickness direction. ing. The second fixed electrode 541B has a C-shaped opening at a portion facing the vertex C4 of the fixed substrate 51.
An insulating film for preventing discharge between the fixed electrode 541 and the movable electrode 542 is laminated on the first fixed electrode 541A and the second fixed electrode 541B.

そして、第一固定電極541Aからは、本発明の第一電極を構成する第一固定引出電極543Aが延出し、第二固定電極541Bからは、本発明の第一電極を構成する第二固定引出電極543Bが延出している。
第一固定引出電極543Aは、第一固定電極541Aの外周縁のうち頂点C4に最も近接する位置から、第二固定電極541BのC字開口部、および固定基板51の頂点C4側に設けられた電極引出溝514を通って、固定基板51の頂点C4まで延出する。この第一固定引出電極543Aの先端部(固定基板51の頂点C4に位置する部分)は、第一固定引出電極543Aの電極引出溝514上に位置する部分に比べて、幅方向が大きく形成され、固定電極パッド543Pを構成する。
From the first fixed electrode 541A, the first fixed extraction electrode 543A constituting the first electrode of the present invention extends, and from the second fixed electrode 541B, the second fixed extraction forming the first electrode of the present invention. The electrode 543B extends.
The first fixed extraction electrode 543A is provided on the C-shaped opening of the second fixed electrode 541B and the vertex C4 side of the fixed substrate 51 from the position closest to the vertex C4 in the outer peripheral edge of the first fixed electrode 541A. It extends to the apex C4 of the fixed substrate 51 through the electrode lead groove 514. The front end portion of the first fixed extraction electrode 543A (the portion located at the vertex C4 of the fixed substrate 51) is formed larger in the width direction than the portion positioned on the electrode extraction groove 514 of the first fixed extraction electrode 543A. The fixed electrode pad 543P is configured.

また、第二固定引出電極543Bは、第二固定電極541Bの外周縁のうち頂点C2に最も近接する位置から、固定基板51の頂点C2側に設けられた電極引出溝514を通り、固定基板51の頂点C2まで延出する。この第二固定引出電極543Bの先端部(固定基板51の頂点C2に位置する部分)は、第二固定引出電極543Bの電極引出溝514上に位置する部分に比べて、幅方向が大きく形成され、固定電極パッド543Pを構成する。   The second fixed extraction electrode 543B passes through the electrode extraction groove 514 provided on the vertex C2 side of the fixed substrate 51 from the position closest to the vertex C2 in the outer peripheral edge of the second fixed electrode 541B, and passes through the fixed substrate 51. It extends to the vertex C2. The tip end portion of the second fixed extraction electrode 543B (the portion positioned at the vertex C2 of the fixed substrate 51) is formed to have a larger width direction than the portion positioned on the electrode extraction groove 514 of the second fixed extraction electrode 543B. The fixed electrode pad 543P is configured.

そして、固定基板51には、電極形成溝511から固定基板51の頂点C1,C3に向かう方向に形成された電極引出溝514に、それぞれ、本発明の第一電極を構成する第一対向電極544が設けられている。これらの第一対向電極544は、第一固定電極541Aや第二固定電極541Bとは絶縁されている。また、これらの第一対向電極544の先端部(固定基板51の頂点C1、C3に位置する部分)は、第一固定引出電極543Aの電極引出溝514上に位置する部分に比べて、幅方向が大きく形成され、第一対向電極パッド544Pを構成する。   Then, in the fixed substrate 51, the electrode opposing grooves 514 formed in the direction from the electrode forming groove 511 toward the vertices C1 and C3 of the fixed substrate 51, respectively, the first counter electrode 544 constituting the first electrode of the present invention. Is provided. These first counter electrodes 544 are insulated from the first fixed electrode 541A and the second fixed electrode 541B. In addition, the tip portions of these first counter electrodes 544 (portions located at the vertices C1 and C3 of the fixed substrate 51) are wider in the width direction than the portions positioned on the electrode extraction groove 514 of the first fixed extraction electrode 543A. Is formed large and constitutes the first counter electrode pad 544P.

このような構成では、上述したように、第一固定引出電極543A、第二固定引出電極543B、および第一対向電極544が、それぞれ、本発明の第一電極を構成し、これらは、中心点Oに対して等角度間隔(90度間隔)となるように配置される。   In such a configuration, as described above, the first fixed extraction electrode 543A, the second fixed extraction electrode 543B, and the first counter electrode 544 each constitute the first electrode of the present invention, and these are the center points. Arranged so as to be equiangular with respect to O (90 degree intervals).

反射膜固定部512は、上述したように、電極形成溝511と同軸上で、電極形成溝511よりも小さい径寸法となる円柱状に形成されている。なお、本実施形態では、図3に示すように、反射膜固定部512の可動基板52に対向する反射膜固定面512Aが、電極形成面511Aよりも可動基板52に近接して形成される例を示すが、これに限らない。電極形成面511Aおよび反射膜固定面512Aの高さ位置は、反射膜固定面512Aに固定される固定反射膜56、および可動基板52に形成される可動反射膜57の間のギャップの寸法、固定電極541および可動電極542の間の寸法、固定反射膜56や可動反射膜57の厚み寸法により適宜設定される。したがって、例えば、電極形成面511Aと反射膜固定面512Aとが同一面に形成される構成や、電極形成面511Aの中心部に、円柱凹溝上の反射膜固定溝が形成され、この反射膜固定溝の底面に反射膜固定面が形成される構成などとしてもよい。   As described above, the reflection film fixing portion 512 is formed in a columnar shape coaxial with the electrode forming groove 511 and having a smaller diameter than the electrode forming groove 511. In the present embodiment, as shown in FIG. 3, the reflective film fixing surface 512A facing the movable substrate 52 of the reflective film fixing portion 512 is formed closer to the movable substrate 52 than the electrode forming surface 511A. However, the present invention is not limited to this. The height positions of the electrode forming surface 511A and the reflective film fixing surface 512A are the size and fixing of the gap between the fixed reflective film 56 fixed to the reflective film fixed surface 512A and the movable reflective film 57 formed on the movable substrate 52. It is appropriately set according to the dimension between the electrode 541 and the movable electrode 542 and the thickness dimension of the fixed reflective film 56 and the movable reflective film 57. Therefore, for example, a configuration in which the electrode forming surface 511A and the reflecting film fixing surface 512A are formed on the same surface, or a reflecting film fixing groove on the cylindrical concave groove is formed at the center of the electrode forming surface 511A. A configuration in which a reflecting film fixing surface is formed on the bottom surface of the groove may be employed.

そして、反射膜固定面512Aには、円形状に形成される固定反射膜56が固定されている。この固定反射膜56としては、金属の単層膜により形成されるものであってもよく、誘電体多層膜により形成されるものであってもよく、さらには、誘電多層膜上にAg合金が形成される構成などとしてもよい。金属単層膜としては、例えばAg合金の単層膜を用いることができ、誘電体多層膜の場合は、例えば高屈折層をTiO、低屈折層をSiOとした誘電体多層膜を用いることができる。 A fixed reflection film 56 formed in a circular shape is fixed to the reflection film fixing surface 512A. The fixed reflective film 56 may be formed of a metal single layer film, or may be formed of a dielectric multilayer film. Further, an Ag alloy is formed on the dielectric multilayer film. It may be configured to be formed. As the metal single layer film, for example, a single layer film of an Ag alloy can be used. In the case of a dielectric multilayer film, for example, a dielectric multilayer film in which the high refractive layer is TiO 2 and the low refractive layer is SiO 2 is used. be able to.

さらに、固定基板51は、基板対向面とは反対側の面(固定対向面)において、固定反射膜56に対応する位置に図示略の反射防止膜が形成されている。この反射防止膜は、低屈折率膜および高屈折率膜を交互に積層することで形成され、固定基板51の表面での可視光の反射率を低下させ、透過率を増大させる。   Further, the fixed substrate 51 is provided with an antireflection film (not shown) at a position corresponding to the fixed reflection film 56 on the surface opposite to the substrate facing surface (fixed facing surface). This antireflection film is formed by alternately laminating a low refractive index film and a high refractive index film, and reduces the reflectance of visible light on the surface of the fixed substrate 51 and increases the transmittance.

そして、固定基板51は、基板厚み方向から見た平面視において、第一固定引出電極543A、第二固定引出電極543B、および第一対向電極544と重なる位置に、基板対向面から固定対向面までを貫通する貫通孔515を備えている。より具体的には、固定基板51の貫通孔515は、各固定電極パッド543Pの中心と重なる位置、および第一対向電極パッド544Pの中心と重なる位置にそれぞれ設けられている。
この貫通孔515には、導電接続部516が充填されている。導電接続部516としては、例えばAgなどの金属等、導電性を有する部材であれば特に限定されない。この導電接続部516は、それぞれ、固定基板51の基板対向面に設けられた電極パッド543P(544P)に接触し、導通している。
また、導電接続部516のモジュール基板30に対向する面は、本発明の固定対向電極516Aを構成する。
The fixed substrate 51 is located at a position overlapping the first fixed extraction electrode 543A, the second fixed extraction electrode 543B, and the first counter electrode 544 in plan view as viewed from the substrate thickness direction, from the substrate facing surface to the fixed facing surface. A through hole 515 is provided. More specifically, the through hole 515 of the fixed substrate 51 is provided at a position that overlaps the center of each fixed electrode pad 543P and a position that overlaps the center of the first counter electrode pad 544P.
The through hole 515 is filled with a conductive connection portion 516. The conductive connection portion 516 is not particularly limited as long as it is a conductive member such as a metal such as Ag. Each of the conductive connection portions 516 is in contact with and in contact with the electrode pads 543P (544P) provided on the substrate facing surface of the fixed substrate 51.
The surface of the conductive connection portion 516 facing the module substrate 30 constitutes the fixed counter electrode 516A of the present invention.

(3−1−2.可動基板の構成)
図5は、第一実施形態の波長可変干渉フィルター5における可動基板52を固定基板51側から見た平面図である。なお、図5において、1点鎖線は、固定基板51の外周縁を示す。
可動基板52は、厚みが例えば200μmに形成されるガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。
具体的には、可動基板52は、図2、図5に示すような平面視において、基板中心点を中心とした円形の可動部521と、可動部521と同軸であり可動部521を保持する保持部522と、を備えている。
また、可動基板52には、図2および図5に示すように、固定基板51の各頂点C1,C2,C3,C4に対応して、切欠部524が形成されており、波長可変干渉フィルター5の可動基板52側から見た面に固定電極パッド543Pおよび第一対向電極パッド544Pが露出する。
(3-1-2. Configuration of movable substrate)
FIG. 5 is a plan view of the movable substrate 52 in the variable wavelength interference filter 5 of the first embodiment as viewed from the fixed substrate 51 side. In FIG. 5, the alternate long and short dash line indicates the outer peripheral edge of the fixed substrate 51.
The movable substrate 52 is formed by processing a glass substrate having a thickness of, for example, 200 μm by etching.
Specifically, the movable substrate 52 holds the movable portion 521 in a plan view as shown in FIGS. 2 and 5, a circular movable portion 521 centered on the substrate center point, and coaxial with the movable portion 521. Holding part 522.
Further, as shown in FIGS. 2 and 5, the movable substrate 52 is provided with a notch 524 corresponding to each vertex C1, C2, C3, C4 of the fixed substrate 51, and the wavelength variable interference filter 5 is formed. The fixed electrode pad 543P and the first counter electrode pad 544P are exposed on the surface viewed from the movable substrate 52 side.

可動部521は、保持部522よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、可動基板52の厚み寸法と同一寸法である200μmに形成されている。また、可動部521は、反射膜固定部512に平行な可動面521Aを備え、この可動面521Aに、固定反射膜56とギャップを介して対向する可動反射膜57が固定されている。
ここで、この可動反射膜57は、上述した固定反射膜56と同一の構成の反射膜が用いられる。
The movable part 521 is formed to have a thickness dimension larger than that of the holding part 522. For example, in this embodiment, the movable part 521 is formed to be 200 μm, which is the same dimension as the thickness dimension of the movable substrate 52. The movable portion 521 includes a movable surface 521A parallel to the reflective film fixing portion 512, and a movable reflective film 57 facing the fixed reflective film 56 via a gap is fixed to the movable surface 521A.
Here, the movable reflective film 57 is a reflective film having the same configuration as the above-described fixed reflective film 56.

さらに、可動部521は、固定対向面において、可動反射膜57に対応する位置に図示略の反射防止膜が形成されている。この反射防止膜は、固定基板51に形成される反射防止膜と同様の構成を有し、低屈折率膜および高屈折率膜を交互に積層することで形成される。   Further, the movable portion 521 has an antireflection film (not shown) formed at a position corresponding to the movable reflective film 57 on the fixed facing surface. This antireflection film has the same configuration as the antireflection film formed on the fixed substrate 51, and is formed by alternately laminating a low refractive index film and a high refractive index film.

保持部522は、可動部521の周囲を囲うダイヤフラムであり、例えば厚み寸法が50μmに形成され、可動部521よりも厚み方向に対する剛性が小さく形成されている。
このため、保持部522は可動部521よりも撓みやすく、僅かな静電引力により固定基板51側に撓ませることが可能となる。この際、可動部521は、保持部522よりも厚み寸法が大きく、剛性が大きくなるため、静電引力により可動基板52を撓ませる力が作用した場合でも、可動部521の撓みはほぼなく、可動部521に形成された可動反射膜57の撓みも防止できる。
The holding unit 522 is a diaphragm that surrounds the periphery of the movable unit 521, and is formed to have a thickness dimension of 50 μm, for example, and is less rigid in the thickness direction than the movable unit 521.
For this reason, the holding part 522 is more easily bent than the movable part 521 and can be bent toward the fixed substrate 51 by a slight electrostatic attraction. At this time, since the movable portion 521 has a thickness dimension larger than that of the holding portion 522 and has a large rigidity, even when a force that bends the movable substrate 52 by electrostatic attraction acts, the movable portion 521 is hardly bent. Deflection of the movable reflective film 57 formed on the movable portion 521 can also be prevented.

そして、この保持部522の固定基板51に対向する面には、固定電極541と、初期状態において約1μmの隙間を介して対向する、本発明の第二駆動電極を構成する可動電極542が形成されている。
この可動電極542は、図5に示すように、可動部521の中心点Oを中心とした仮想円Q1に沿うリング状に形成された第一可動電極542Aと、可動部521の中心点Oを中心とし、仮想円Q1よりも径大となる仮想円Q2に沿うリング状に形成された第二可動電極542Bと、を備えている。
そして、図2に示すように、平面視において、第一可動電極542Aは、第一固定電極541Aと重なる位置に設けられ、第二可動電極542Bは、第二固定電極541Bと重なる位置に設けられる。
A movable electrode 542 constituting the second drive electrode of the present invention is formed on the surface of the holding portion 522 that faces the fixed substrate 51 and faces the fixed electrode 541 with a gap of about 1 μm in the initial state. Has been.
As shown in FIG. 5, the movable electrode 542 includes a first movable electrode 542 </ b> A formed in a ring shape along a virtual circle Q <b> 1 centering on the center point O of the movable portion 521, and a center point O of the movable portion 521. And a second movable electrode 542B formed in a ring shape along a virtual circle Q2 having a diameter larger than that of the virtual circle Q1.
As shown in FIG. 2, the first movable electrode 542A is provided at a position overlapping the first fixed electrode 541A and the second movable electrode 542B is provided at a position overlapping the second fixed electrode 541B in a plan view. .

これらの第一可動電極542Aおよび第二可動電極542Bは、図2に示すように、頂点C1,C3を結ぶ対角線および頂点C2,C4を結ぶ対角線に沿って形成される接続線545により接続されている。また、第二可動電極542Bの外周縁からは、頂点C1方向、および頂点C2方向に向かって、本発明の第二電極を構成する一対の共通引出電極546が延出している。すなわち、共通引出電極546は、第一対向電極544に対向して設けられている。この共通引出電極546の先端部は、第一対向電極544の第一対向電極パッド544Pに対向する共通電極パッド546Pを構成する。   As shown in FIG. 2, the first movable electrode 542A and the second movable electrode 542B are connected by a connecting line 545 formed along a diagonal line connecting the vertices C1 and C3 and a diagonal line connecting the vertices C2 and C4. Yes. A pair of common extraction electrodes 546 constituting the second electrode of the present invention extend from the outer peripheral edge of the second movable electrode 542B toward the vertex C1 direction and the vertex C2 direction. That is, the common extraction electrode 546 is provided to face the first counter electrode 544. The tip of the common extraction electrode 546 constitutes a common electrode pad 546P that faces the first counter electrode pad 544P of the first counter electrode 544.

そして、可動基板52は、第一固定引出電極543Aおよび第二固定引出電極543Bに対向する位置に、それぞれ第二対向電極547を備えている。これらの第二対向電極547は、可動電極542とは絶縁されている。また、これらの第二対向電極547の先端部は、固定電極パッド543Pに対向する第二対向電極パッド547Pを構成する。   The movable substrate 52 includes a second counter electrode 547 at a position facing the first fixed extraction electrode 543A and the second fixed extraction electrode 543B. These second counter electrodes 547 are insulated from the movable electrode 542. The tip portions of the second counter electrodes 547 constitute a second counter electrode pad 547P that faces the fixed electrode pad 543P.

このような構成では、上述したように、共通引出電極546および第二対向電極547が、それぞれ、本発明の第二電極を構成し、これらは、中心点Oに対して等角度間隔となるように配置される。   In such a configuration, as described above, the common extraction electrode 546 and the second counter electrode 547 each constitute the second electrode of the present invention, and these are equiangularly spaced with respect to the center point O. Placed in.

なお、本実施形態では、図2、図4、図5に示すように、平面視において、各電極パッド543P,544P,546P,547Pが、それぞれ、引出電極543A,543B,546、対向電極544,547の電極線幅よりも大きくなる構成を例示したが、例えば、同じ線幅に形成される構成などとしてもよい。   In this embodiment, as shown in FIGS. 2, 4, and 5, the electrode pads 543 </ b> P, 544 </ b> P, 546 </ b> P, and 547 </ b> P are respectively connected to the extraction electrodes 543 </ b> A, 543 </ b> B, 546, the counter electrode 544, in plan view. Although the configuration in which the electrode line width is larger than the electrode line width 547 is illustrated, for example, a configuration in which the line width is the same may be employed.

そして、本実施形態の波長可変干渉フィルター5では、図2、および図3に示すように、固定基板51および可動基板52の間に、互いに対向する電極パッドの面同士を接続する導電部55が設けられる。具体的には、波長可変干渉フィルター5は、互いに固定電極パッド543Pおよび第二対向電極パッド547Pを接続する導電部55と、互いに対向する第一対向電極パッド544Pおよび共通電極パッド546P同士を接続する導電部55と、を備えている。
この導電部55としては、導電性を有し、パッド間の導通をとれるものであればいかなるものを用いてもよいが、電気抵抗値が小さく、かつ導電性接着剤としても機能するAgペーストを用いることが好ましい。
なお、導電部55としては、固定基板51および可動基板52の外周側面にAgペーストが注入されて、互いに対向する電極パッド543P,547P(544P,546P)の間に入り込んだ構成などとしてもよい。
In the tunable interference filter 5 of the present embodiment, as shown in FIGS. 2 and 3, the conductive portion 55 that connects the surfaces of the electrode pads facing each other is provided between the fixed substrate 51 and the movable substrate 52. Provided. Specifically, the variable wavelength interference filter 5 connects the conductive portion 55 that connects the fixed electrode pad 543P and the second counter electrode pad 547P to each other, and the first counter electrode pad 544P and the common electrode pad 546P that face each other. And a conductive portion 55.
Any conductive portion 55 may be used as long as it has conductivity and can conduct between the pads. However, an Ag paste having a small electric resistance value and functioning also as a conductive adhesive is used. It is preferable to use it.
The conductive portion 55 may be configured such that Ag paste is injected into the outer peripheral side surfaces of the fixed substrate 51 and the movable substrate 52 and enters between the electrode pads 543P and 547P (544P and 546P) facing each other.

(3−1−3.波長可変干渉フィルターの固定)
次に、上記のような波長可変干渉フィルター5のモジュール基板30への固定について説明する。図6は、波長可変干渉フィルター5の固定電極パッド543P近傍を拡大した断面図である。
波長可変干渉フィルター5は、図3、図6に示すように、固定基板51とモジュール基板30との間に異方性導電層301を設けることで接着固定される。
モジュール基板30には、固定基板51の導電接続部516の固定対向電極516Aに対向する位置に、本発明の第三電極であるモジュール電極302が設けられている。このモジュール電極302は、図示略の引出線が設けられ、引出線の端部に設けられた端子部から電圧制御部32に接続されている。
(3-1-3. Fixing of wavelength variable interference filter)
Next, fixing the wavelength variable interference filter 5 as described above to the module substrate 30 will be described. FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view of the vicinity of the fixed electrode pad 543P of the wavelength variable interference filter 5.
The wavelength variable interference filter 5 is bonded and fixed by providing an anisotropic conductive layer 301 between the fixed substrate 51 and the module substrate 30 as shown in FIGS.
The module substrate 30 is provided with a module electrode 302 that is the third electrode of the present invention at a position facing the fixed counter electrode 516A of the conductive connection portion 516 of the fixed substrate 51. The module electrode 302 is provided with a lead wire (not shown), and is connected to the voltage control unit 32 from a terminal portion provided at an end portion of the lead wire.

図7は、本実施形態において、波長可変干渉フィルター5に対して、異方性導電層301が設けられる位置を示す平面図である。図7において、破線は、波長可変干渉フィルター5の固定基板51の外形、反射膜56,57が設けられる位置、固定電極パッド543P、第一対向電極パッド544P、および導電接続部516の位置を示す。また、一点鎖線は、モジュール基板30、およびモジュール基板30上に設けられるモジュール電極302を示す。さらに、実線は、異方性導電層301を示す。   FIG. 7 is a plan view showing a position where the anisotropic conductive layer 301 is provided with respect to the wavelength variable interference filter 5 in the present embodiment. In FIG. 7, broken lines indicate the outer shape of the fixed substrate 51 of the wavelength tunable interference filter 5, the positions where the reflective films 56 and 57 are provided, the positions of the fixed electrode pad 543 </ b> P, the first counter electrode pad 544 </ b> P, and the conductive connection portion 516. . A one-dot chain line indicates the module substrate 30 and the module electrode 302 provided on the module substrate 30. Further, the solid line indicates the anisotropic conductive layer 301.

本実施形態の波長可変干渉フィルター5は、可動基板52側から入射した測定光を反射膜56,57間で多重干渉させ、互いに強め合った特定波長の光が固定基板51側に透過されて射出される透過型フィルターである。したがって、モジュール基板30には、透過された光を検出部31に導くための導光部303が設けられている。
なお、この導光部303としては、例えばモジュール基板30を貫通する孔部が設けられる構成としてもよく、凹部が形成され、この凹部に検出部31が設けられる構成などとしてもよい。また、モジュール基板30が、測定対象となる波長域に対して透過性を有する素材により形成されている場合では、導光部303が設けられない構成としてもよい。
The wavelength tunable interference filter 5 of the present embodiment causes measurement light incident from the movable substrate 52 side to undergo multiple interference between the reflective films 56 and 57, and light of specific wavelengths strengthened to each other is transmitted to the fixed substrate 51 side and emitted. Transmission type filter. Therefore, the module substrate 30 is provided with a light guide unit 303 for guiding the transmitted light to the detection unit 31.
In addition, as this light guide part 303, it is good also as a structure by which the hole part which penetrates the module board | substrate 30 is provided, for example, and it is good also as a structure by which the recessed part is formed and the detection part 31 is provided in this recessed part. In addition, when the module substrate 30 is formed of a material that is transparent to the wavelength range to be measured, the light guide unit 303 may not be provided.

そして、異方性導電層301は、図7に示すような波長可変干渉フィルター5を基板厚み方向から見た平面視において、波長可変干渉フィルター5のモジュール基板30に対向する面内で、反射膜56,57、および導光部303と重なる位置を除く部分を覆って設けられている。
この異方性導電層301は、例えばACFやACPであり、熱可塑性樹脂等により構成される接着剤中に、導電性粒子が均等に分散した層である。このような異方性導電層301は、所定方向に押圧することで、押圧方向において導電性粒子が互いに接触し、これらの導電性粒子の接触により押圧方向に沿って導電性が発生し、これ以外の方向には導電性は発生しない。
したがって、モジュール基板30上の異方性導電層301に、波長可変干渉フィルター5を載置し、波長可変干渉フィルター5を異方性導電層301側に押圧すると、導電接続部516の固定対向電極516Aと、モジュール電極302とが、異方性導電層301により導通される。
Then, the anisotropic conductive layer 301 is a reflection film within a plane facing the module substrate 30 of the variable wavelength interference filter 5 in a plan view of the variable wavelength interference filter 5 as shown in FIG. 56 and 57, and the part except the position which overlaps with the light guide part 303 is provided.
The anisotropic conductive layer 301 is, for example, ACF or ACP, and is a layer in which conductive particles are evenly dispersed in an adhesive composed of a thermoplastic resin or the like. Such an anisotropic conductive layer 301 is pressed in a predetermined direction so that the conductive particles come into contact with each other in the pressing direction, and the contact between these conductive particles generates conductivity along the pressing direction. Conductivity does not occur in other directions.
Therefore, when the wavelength variable interference filter 5 is placed on the anisotropic conductive layer 301 on the module substrate 30 and the wavelength variable interference filter 5 is pressed toward the anisotropic conductive layer 301, the fixed counter electrode of the conductive connection portion 516 is fixed. 516A and module electrode 302 are electrically connected by anisotropic conductive layer 301.

この時、波長可変干渉フィルター5の可動基板52には、図3、図6に示すように、切欠部524が形成されており、固定電極パッド543Pおよび第一対向電極パッド544Pが設けられる固定基板51の頂点部分のみが突出した形状となっている。したがって、この固定基板51の頂点部分のみを把持して、波長可変干渉フィルター5を異方性導電層301上に載置、押圧することで可動基板52への応力付加を防止できる。つまり、可動基板52には、可動部521および保持部522が設けられ、外部応力に対して撓みやすい形状に形成されており、外部応力等が加わることで、可動部521が傾斜して可動反射膜57と固定反射膜56との平行性が維持できなくなるおそれがある。これに対して、上記のように、可動基板52よりも厚み寸法が大きく形成され、可動基板52よりも剛性が大きい固定基板51を把持、押圧することで、可動基板52に対する応力を防止することができる。
また、固定基板51の固定電極パッド543P、第一対向電極パッド544Pを押圧することで、固定対向電極516Aとモジュール電極302との間の異方性導電層301に押圧力が加わり、押圧方向に分散している導電性粒子同士が接触することで固定対向電極516Aとモジュール電極302とを確実に導通させることができる。
At this time, as shown in FIGS. 3 and 6, the movable substrate 52 of the wavelength tunable interference filter 5 is formed with a notch 524, and the fixed substrate on which the fixed electrode pad 543P and the first counter electrode pad 544P are provided. Only the apex portion 51 has a protruding shape. Therefore, it is possible to prevent stress from being applied to the movable substrate 52 by gripping only the apex portion of the fixed substrate 51 and placing and pressing the wavelength variable interference filter 5 on the anisotropic conductive layer 301. That is, the movable substrate 52 is provided with a movable portion 521 and a holding portion 522, and is formed in a shape that is easily bent with respect to external stress. When the external stress or the like is applied, the movable portion 521 is inclined and movablely reflected. There is a possibility that the parallelism between the film 57 and the fixed reflective film 56 cannot be maintained. On the other hand, as described above, the thickness dimension of the movable substrate 52 is formed larger than that of the movable substrate 52, and the rigid substrate 51 having higher rigidity than the movable substrate 52 is gripped and pressed to prevent stress on the movable substrate 52. Can do.
Further, by pressing the fixed electrode pad 543P and the first counter electrode pad 544P of the fixed substrate 51, a pressing force is applied to the anisotropic conductive layer 301 between the fixed counter electrode 516A and the module electrode 302 in the pressing direction. When the dispersed conductive particles come into contact with each other, the fixed counter electrode 516A and the module electrode 302 can be reliably conducted.

(3−2.電圧制御手段の構成)
電圧制御部32は、制御装置4からの入力される制御信号に基づいて、静電アクチュエーター54に印加する電圧を制御する。
具体的には、電圧制御部32は、第一固定電極541Aに電圧を印加するための第一駆動電圧源(図示略)と、第二固定電極541Bに電圧を印加するための第二駆動電圧源(図示略)と、を備えている。また、電圧制御部32は、第一可動電極542Aおよび第二可動電極542Bに0電位を付与するためのGND回路(図示略)を備えている。
これにより、第一固定電極541Aおよび第一可動電極542A間には、第一駆動電圧源により設定された電位差の電圧が印加され、第二固定電極541Bおよび第二可動電極542B間には、第二駆動電圧源により設定された電位差の電圧が印加される。
(3-2. Configuration of voltage control means)
The voltage control unit 32 controls the voltage applied to the electrostatic actuator 54 based on the control signal input from the control device 4.
Specifically, the voltage control unit 32 includes a first drive voltage source (not shown) for applying a voltage to the first fixed electrode 541A and a second drive voltage for applying a voltage to the second fixed electrode 541B. A source (not shown). In addition, the voltage control unit 32 includes a GND circuit (not shown) for applying a zero potential to the first movable electrode 542A and the second movable electrode 542B.
As a result, a voltage having a potential difference set by the first drive voltage source is applied between the first fixed electrode 541A and the first movable electrode 542A, and the second fixed electrode 541B and the second movable electrode 542B are A voltage having a potential difference set by the two drive voltage sources is applied.

〔4.制御装置の構成〕
制御装置4は、測色装置1の全体動作を制御する。
この制御装置4としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。
そして、制御装置4は、図1に示すように、光源制御部41、測色センサー制御部42、および本発明の分析処理部を構成する測色処理部43などを備えて構成されている。
光源制御部41は、光源装置2に接続されている。そして、光源制御部41は、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置2に所定の制御信号を出力し、光源装置2から所定の明るさの白色光を射出させる。
測色センサー制御部42は、測色センサー3に接続されている。そして、測色センサー制御部42は、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー3にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー3に出力する。これにより、測色センサー3の電圧制御部32は、制御信号に基づいて、利用者が所望する光の波長のみを透過させるよう、静電アクチュエーター54への印加電圧を設定する。
測色処理部43は、検出部31により検出された受光量から、測定対象Aの色度を分析する。
[4. Configuration of control device]
The control device 4 controls the overall operation of the color measurement device 1.
As the control device 4, for example, a general-purpose personal computer, a portable information terminal, other color measurement dedicated computer, or the like can be used.
As shown in FIG. 1, the control device 4 includes a light source control unit 41, a colorimetric sensor control unit 42, a colorimetric processing unit 43 that constitutes an analysis processing unit of the present invention, and the like.
The light source control unit 41 is connected to the light source device 2. Then, the light source control unit 41 outputs a predetermined control signal to the light source device 2 based on, for example, a user setting input, and causes the light source device 2 to emit white light with a predetermined brightness.
The colorimetric sensor control unit 42 is connected to the colorimetric sensor 3. The colorimetric sensor control unit 42 sets a wavelength of light received by the colorimetric sensor 3 based on, for example, a user's setting input, and outputs a control signal for detecting the amount of light received at this wavelength. Output to the colorimetric sensor 3. Accordingly, the voltage control unit 32 of the colorimetric sensor 3 sets the voltage applied to the electrostatic actuator 54 so as to transmit only the wavelength of light desired by the user, based on the control signal.
The colorimetric processing unit 43 analyzes the chromaticity of the measurement target A from the amount of received light detected by the detection unit 31.

〔5.波長可変干渉フィルターの製造〕
次に、上述した測色装置1に設けられた波長可変干渉フィルター5の製造方法について、図面に基づいて説明する。
図8は、固定基板51の製造工程を示す図であり、図9は、可動基板52の製造工程を示す図であり、図10は、固定基板51と可動基板52とを接合する接合工程を示す図である。なお、図8〜図10では、図2のA−O−A´線での断面部分の各製造工程における状態を示す。
[5. Production of tunable interference filter)
Next, a manufacturing method of the wavelength variable interference filter 5 provided in the colorimetric apparatus 1 described above will be described based on the drawings.
FIG. 8 is a diagram illustrating a manufacturing process of the fixed substrate 51, FIG. 9 is a diagram illustrating a manufacturing process of the movable substrate 52, and FIG. 10 illustrates a bonding process of bonding the fixed substrate 51 and the movable substrate 52. FIG. 8 to 10 show states in the respective manufacturing steps of the cross-sectional portion taken along the line A-O-A 'in FIG.

(5−1.固定基板の製造工程)
固定基板51の製造では、まず、固定基板51の製造素材である第一母材を切削、研磨する研磨工程を実施する。この研磨工程では、第一母材の厚み寸法を例えば500μmに形成し、さらに表面粗さRaが1nm以下となるまで両面を精密研磨する。
(5-1. Manufacturing process of fixed substrate)
In the manufacture of the fixed substrate 51, first, a polishing process is performed in which the first base material that is a manufacturing material of the fixed substrate 51 is cut and polished. In this polishing step, the thickness of the first base material is formed to, for example, 500 μm, and both surfaces are precisely polished until the surface roughness Ra is 1 nm or less.

研磨工程の後、固定基板エッチング工程を実施する。この固定基板エッチング工程では、第一母材の一面側にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法により露光・現像して、電極形成溝511、電極引出溝514が形成される箇所にパターニングする。
そして、電極形成溝511、電極引出溝514を所望の深さにエッチングする。なお、ここでのエッチングとしては、ウェットエッチングが用いられる。
この後、第一母材の一面側にレジストを塗布し、反射膜固定面512Aが形成される箇所をパターニングする。
次に、反射膜固定面512Aを所望の位置までエッチングした後、レジストを除去することで、電極形成溝511及び反射膜固定部512が形成され、図8(A)に示すように、固定基板51の基板形状が決定される。
After the polishing process, a fixed substrate etching process is performed. In this fixed substrate etching step, a resist is applied to one surface side of the first base material, and is exposed and developed by a photolithography method, and is patterned at a location where the electrode formation groove 511 and the electrode extraction groove 514 are formed.
Then, the electrode formation groove 511 and the electrode extraction groove 514 are etched to a desired depth. Note that wet etching is used as the etching here.
Thereafter, a resist is applied to one surface side of the first base material, and a portion where the reflection film fixing surface 512A is formed is patterned.
Next, after etching the reflection film fixing surface 512A to a desired position, the resist is removed to form the electrode formation groove 511 and the reflection film fixing portion 512, and as shown in FIG. 51 substrate shapes are determined.

固定基板エッチング工程の後、図8(B)に示すように、固定電極形成工程を実施する。
固定電極形成工程では、固定基板51上に形成した電極を構成する材料からなる膜に対してフォトリソグラフィ法及びエッチングを行うことにより、第一固定電極541A、第二固定電極541B、第一固定引出電極543A、第二固定引出電極543B、および一対の第一対向電極544を形成する。
After the fixed substrate etching step, a fixed electrode forming step is performed as shown in FIG.
In the fixed electrode formation step, the first fixed electrode 541A, the second fixed electrode 541B, and the first fixed extraction are performed by performing photolithography and etching on the film made of the material constituting the electrode formed on the fixed substrate 51. An electrode 543A, a second fixed extraction electrode 543B, and a pair of first counter electrodes 544 are formed.

この固定電極形成工程の後、図8(C)に示すように、導電接続部形成工程を実施する。
導電接続部形成工程では、まず、固定基板51の表面に、貫通孔515を形成するためのレジストを形成する。
そして、固定電極パッド543Pおよび第一対向電極パッド544Pをエッチングストッパーとして、固定基板51のモジュール基板30に対向する面をエッチングし、貫通孔515を形成する。なお、この貫通孔515の形成としては、例えば深堀RIEなどの手法を用いてもよい。
この後、貫通孔515内に、例えばAgペースト等の導電性ペーストを充填し、導電接続部516を形成する。
After this fixed electrode formation step, a conductive connection portion formation step is performed as shown in FIG.
In the conductive connection portion forming step, first, a resist for forming the through hole 515 is formed on the surface of the fixed substrate 51.
Then, using the fixed electrode pad 543P and the first counter electrode pad 544P as an etching stopper, the surface of the fixed substrate 51 facing the module substrate 30 is etched to form a through hole 515. For forming the through hole 515, for example, a technique such as deep RIE may be used.
Thereafter, the through hole 515 is filled with a conductive paste such as an Ag paste to form a conductive connection portion 516.

そして、導電接続部形成工程の後、図8(D)に示すように、固定反射膜形成工程を実施する。
固定反射膜形成工程では、リフトオフプロセスにより固定反射膜56を成膜する。すなわち、フォトリソグラフィ法などにより、固定基板51上の反射膜形成部分以外にレジスト(リフトオフパターン)を成膜する。そして、固定基板51上に固定反射膜56を成膜した後、リフトオフにより、反射膜形成部分以外の反射膜を除去する。
さらに、第一接合膜513Aを接合面513に形成する。第一接合膜513Aは、ポリオルガノシロキサンを用いたプラズマCVD法により成膜されるプラズマ重合膜であり、厚み寸法は例えば100nmとする。
以上により、固定基板51が製造される。
And after a conductive connection part formation process, as shown in FIG.8 (D), a fixed reflection film formation process is implemented.
In the fixed reflective film forming step, the fixed reflective film 56 is formed by a lift-off process. That is, a resist (lift-off pattern) is formed on a portion other than the reflective film formation portion on the fixed substrate 51 by photolithography or the like. Then, after forming the fixed reflection film 56 on the fixed substrate 51, the reflection film other than the reflection film formation portion is removed by lift-off.
Further, a first bonding film 513A is formed on the bonding surface 513. The first bonding film 513A is a plasma polymerization film formed by a plasma CVD method using polyorganosiloxane and has a thickness dimension of, for example, 100 nm.
In this way, the fixed substrate 51 is manufactured.

(5−2.可動基板の製造工程)
次に、可動基板52の製造方法について説明する。
可動基板52の形成では、まず、可動基板52の製造素材である第二母材を切削、研磨する研磨工程を実施する。この研磨工程では、第二母材の厚み寸法を例えば200μmの均一厚みに形成し、さらに平均表面粗さRaが1nm以下の平滑面となるように両面を精密研磨する。
(5-2. Manufacturing process of movable substrate)
Next, a method for manufacturing the movable substrate 52 will be described.
In the formation of the movable substrate 52, first, a polishing process for cutting and polishing the second base material, which is a manufacturing material of the movable substrate 52, is performed. In this polishing step, the thickness of the second base material is formed to a uniform thickness of, for example, 200 μm, and both surfaces are precisely polished so that the average surface roughness Ra becomes a smooth surface of 1 nm or less.

研磨工程の後、可動基板エッチング工程を実施する。この可動基板エッチング工程では、第二母材の一面側(固定基板51に対向する面とは反対側の面)側にレジストを塗布する。そして、フォトリソグラフィ法を用いて、保持部522を形成するためのレジストパターンを形成する。この後、ウェットエッチングにより、図9(A)に示すような可動部521及び保持部522を形成する。これにより、可動基板52の基板形状が決定される。   After the polishing process, a movable substrate etching process is performed. In this movable substrate etching process, a resist is applied to one surface side (the surface opposite to the surface facing the fixed substrate 51) of the second base material. Then, a resist pattern for forming the holding portion 522 is formed using a photolithography method. Thereafter, a movable portion 521 and a holding portion 522 as shown in FIG. 9A are formed by wet etching. Thereby, the substrate shape of the movable substrate 52 is determined.

可動基板エッチング工程の後、可動電極形成工程、および可動反射膜形成工程を実施する。
可動電極形成工程では、固定電極形成工程と同様に、フォトリソグラフィ法及びエッチングにより、可動電極542(第一可動電極542A,第二可動電極542B)、接続線545、共通引出電極546、および第二対向電極547を形成する。
また、可動反射膜形成工程では、固定反射膜形成工程と同様に、リフトオフプロセスにより可動反射膜57を成膜する。
さらに、第二接合膜523Aを接合面523に形成する。第二接合膜523Aは、ポリオルガノシロキサンを用いたプラズマCVD法により成膜されるプラズマ重合膜であり、厚み寸法は例えば100nmとする。
この後、可動基板52の頂点部分をそれぞれ切断し、切欠部524を形成する。なお、可動基板エッチング工程において、可動基板52の頂点部分をエッチング処理し、厚み寸法を予め薄く形成しておいてもよく、この場合、切断処理が容易となる。
以上により、図9(B)に示すような可動基板52が製造される。
After the movable substrate etching step, a movable electrode forming step and a movable reflective film forming step are performed.
In the movable electrode forming step, the movable electrode 542 (first movable electrode 542A, second movable electrode 542B), connection line 545, common extraction electrode 546, and second electrode are formed by photolithography and etching, as in the fixed electrode formation step. A counter electrode 547 is formed.
In the movable reflective film forming step, the movable reflective film 57 is formed by a lift-off process, as in the fixed reflective film forming step.
Further, a second bonding film 523A is formed on the bonding surface 523. The second bonding film 523A is a plasma polymerization film formed by a plasma CVD method using polyorganosiloxane and has a thickness dimension of, for example, 100 nm.
Thereafter, the apex portions of the movable substrate 52 are cut to form the notches 524. In the movable substrate etching step, the apex portion of the movable substrate 52 may be etched and the thickness dimension may be formed thin in advance. In this case, the cutting process is facilitated.
Thus, the movable substrate 52 as shown in FIG. 9B is manufactured.

(5−3.接合工程)
次に、上述の固定基板製造工程及び可動基板製造工程で形成された各基板51,52を接合する接合工程について説明する。
接合工程では、まず、図10(A)に示すように、固定基板51の第一固定引出電極543A、および第二固定引出電極543Bの固定電極パッド543P、および第一対向電極544の第一対向電極パッド544P上に、導電部55(Agペースト)を設ける(導電性部材配置工程)。
(5-3. Joining process)
Next, a bonding process for bonding the substrates 51 and 52 formed in the above-described fixed substrate manufacturing process and movable substrate manufacturing process will be described.
In the joining step, first, as shown in FIG. 10A, the first fixed extraction electrode 543A of the fixed substrate 51, the fixed electrode pad 543P of the second fixed extraction electrode 543B, and the first counter electrode 544 of the first counter electrode 544 are first opposed. A conductive portion 55 (Ag paste) is provided on the electrode pad 544P (conductive member arranging step).

この後、各基板51,52に形成された第一接合膜513A及び第二接合膜523Aに活性化エネルギーを付与するために、Oプラズマ処理またはUV処理を行う。Oプラズマ処理は、例えば、O流量20cc/分、圧力4Pa、RFパワー50Wの条件で30秒間実施する。また、UV処理は、UV光源としてエキシマUV(波長172nm)を用いて例えば3分間処理を行う。なお、プラズマ重合膜に活性化エネルギーを付与するための処理としてOプラズマ処理、UV処理に限らず、Nプラズマ処理、Arプラズマ処理でもよい。 Thereafter, in order to apply activation energy to the first bonding film 513A and the second bonding film 523A formed on each of the substrates 51 and 52, O 2 plasma processing or UV processing is performed. For example, the O 2 plasma treatment is performed for 30 seconds under the conditions of an O 2 flow rate of 20 cc / min, a pressure of 4 Pa, and an RF power of 50 W. In addition, the UV treatment is performed, for example, for 3 minutes using excimer UV (wavelength 172 nm) as a UV light source. The treatment for applying activation energy to the plasma polymerization film is not limited to O 2 plasma treatment and UV treatment, but may be N 2 plasma treatment or Ar plasma treatment.

そして、図10(B)に示すように、可動反射膜57及び固定反射膜56が形成された面が向かい合うように固定基板51及び可動基板52のアライメントを行う。そして、第一接合膜513A及び第二接合膜523Aを重ね合わせて荷重をかけることにより、基板51,52同士を接合する。ここで、第一接合膜513A及び第二接合膜523Aが接合される。   Then, as shown in FIG. 10B, the fixed substrate 51 and the movable substrate 52 are aligned so that the surfaces on which the movable reflective film 57 and the fixed reflective film 56 are formed face each other. Then, the first bonding film 513A and the second bonding film 523A are overlapped to apply a load, thereby bonding the substrates 51 and 52 to each other. Here, the first bonding film 513A and the second bonding film 523A are bonded.

〔6.本実施形態の作用効果〕
上述したように、上記第一実施形態の測色センサー3では、波長可変干渉フィルター5の固定基板51と、モジュール基板30とが、異方性導電層301により接着されている。このような構成では、例えば、波長可変干渉フィルター5を係止部に係止したり把持したりする構成に比べて、波長可変干渉フィルター5に加わる外部応力を軽減でき、外部応力に起因した基板51,52の撓みを防止することができる。したがって、基板51,52によって生じる反射膜56,57の撓み等を防止でき、分解能の低下を抑制できる。
また、波長可変干渉フィルター5の固定基板51のモジュール基板30に対向する面には、固定対向電極516Aが設けられている。そして、この固定対向電極516Aは、導電接続部516により、固定基板51の基板対向面に設けられた第一固定引出電極543A、第二固定引出電極543B、および第一対向電極544と導通している。そして、モジュール基板30には、固定対向電極516Aに対向してモジュール電極302が設けられており、固定対向電極516Aおよびモジュール電極302が異方性導電層301により導通している。
このため、波長可変干渉フィルター5をモジュール基板30に装着した後、波長可変干渉フィルター5の各電極パッド543P,544Pと、モジュール電極302とを接続する配線作業を実施する必要がない。したがって、波長可変干渉フィルター5を測色センサー3に組み込む際の作業効率を向上させることができる。
[6. Effects of this embodiment]
As described above, in the colorimetric sensor 3 of the first embodiment, the fixed substrate 51 of the wavelength variable interference filter 5 and the module substrate 30 are bonded by the anisotropic conductive layer 301. In such a configuration, for example, the external stress applied to the wavelength tunable interference filter 5 can be reduced compared to a configuration in which the wavelength tunable interference filter 5 is locked or gripped by the locking portion, and the substrate caused by the external stress can be reduced. 51 and 52 can be prevented from bending. Therefore, it is possible to prevent the reflection films 56 and 57 from being bent by the substrates 51 and 52, and to suppress a reduction in resolution.
A fixed counter electrode 516A is provided on a surface of the fixed substrate 51 of the variable wavelength interference filter 5 facing the module substrate 30. The fixed counter electrode 516A is electrically connected to the first fixed extraction electrode 543A, the second fixed extraction electrode 543B, and the first counter electrode 544 provided on the substrate facing surface of the fixed substrate 51 by the conductive connection portion 516. Yes. The module substrate 30 is provided with a module electrode 302 facing the fixed counter electrode 516A, and the fixed counter electrode 516A and the module electrode 302 are electrically connected by the anisotropic conductive layer 301.
For this reason, after mounting the wavelength variable interference filter 5 on the module substrate 30, it is not necessary to perform a wiring operation for connecting the respective electrode pads 543 </ b> P and 544 </ b> P of the wavelength variable interference filter 5 and the module electrode 302. Therefore, it is possible to improve the working efficiency when incorporating the wavelength variable interference filter 5 into the colorimetric sensor 3.

また、波長可変干渉フィルター5の固定基板51には、貫通孔515が設けられ、この貫通孔515に導電接続部516が充填され、この導電接続部516のモジュール基板30に対向する面が固定対向電極516Aを構成している。
このため、固定基板51に別途電極を形成する必要がなく、貫通孔515に導電接続部516を充填するだけの簡単な構成で、容易に第一固定引出電極543Aや、第二固定引出電極543B、第一対向電極544と導通された固定対向電極516Aを形成することができる。
また、貫通孔515に対して導電接続部516を充填することで、導電接続部516と、第一固定引出電極543Aや、第二固定引出電極543B、第一対向電極544とを確実に接続することができる。
The fixed substrate 51 of the variable wavelength interference filter 5 is provided with a through hole 515, and the through hole 515 is filled with the conductive connection portion 516. The surface of the conductive connection portion 516 facing the module substrate 30 is fixedly opposed. The electrode 516A is configured.
For this reason, it is not necessary to separately form an electrode on the fixed substrate 51, and the first fixed extraction electrode 543A and the second fixed extraction electrode 543B can be easily formed with a simple configuration in which the through hole 515 is filled with the conductive connection portion 516. The fixed counter electrode 516A that is electrically connected to the first counter electrode 544 can be formed.
Further, by filling the through hole 515 with the conductive connection portion 516, the conductive connection portion 516 is reliably connected to the first fixed extraction electrode 543A, the second fixed extraction electrode 543B, and the first counter electrode 544. be able to.

さらに、例えば固定基板51のモジュール基板30に対向する面に、固定対向電極を別途設け、本発明の導電接続部として、固定基板51の外周側面を伝って、固定対向電極と、第一固定引出電極543Aや第二固定引出電極543B、第一対向電極544とを接続する構成としてもよい。しかしながら、固定基板51の製造として、1つのウエハーから1つの固定基板51を形成することは稀であり、一般には、1つのウエハーから複数の固定基板51を形成する。この場合、ウエハー上に複数の固定基板51を形成した後、これらの固定基板51をそれぞれカットすることで、複数の固定基板51を取り出す。このような場合、上記のように、固定基板51の外周側面に導電接続部を形成する構成では、カット工程の後、別途固定基板51の外周側面に電極を形成する必要が生じ、工程数が増大し、製造効率が低下してしまう。
これに対して、本実施形態のように、貫通孔515を形成して導電接続部516を形成する場合、カット後の処理が不要であるため、製造効率が低下する不都合も回避できる。
また、固定基板51の外周側面に形成した電極は、衝突等により剥離しやすく、配線信頼性が低下する。これに対して、貫通孔515により導電接続部516は、確実に第一固定引出電極543Aや、第二固定引出電極543B、第一対向電極543と、固定対向電極516Aとが導通し、高い配線信頼性を得ることができる。
Further, for example, a fixed counter electrode is separately provided on the surface of the fixed substrate 51 facing the module substrate 30, and as the conductive connection portion of the present invention, the fixed counter electrode and the first fixed lead are transmitted along the outer peripheral side surface of the fixed substrate 51. The electrode 543A, the second fixed extraction electrode 543B, and the first counter electrode 544 may be connected. However, as the manufacture of the fixed substrate 51, it is rare to form one fixed substrate 51 from one wafer, and in general, a plurality of fixed substrates 51 are formed from one wafer. In this case, after forming the plurality of fixed substrates 51 on the wafer, the plurality of fixed substrates 51 are taken out by cutting each of the fixed substrates 51. In such a case, as described above, in the configuration in which the conductive connection portion is formed on the outer peripheral side surface of the fixed substrate 51, it is necessary to separately form electrodes on the outer peripheral side surface of the fixed substrate 51 after the cutting process, and the number of processes is increased. It increases and manufacturing efficiency falls.
On the other hand, when the through-hole 515 is formed and the conductive connection part 516 is formed as in the present embodiment, the processing after the cutting is unnecessary, so that the disadvantage that the manufacturing efficiency is lowered can be avoided.
Moreover, the electrode formed on the outer peripheral side surface of the fixed substrate 51 is easily peeled off due to a collision or the like, and the wiring reliability is lowered. On the other hand, the conductive connection portion 516 is reliably connected to the first fixed extraction electrode 543A, the second fixed extraction electrode 543B, the first counter electrode 543, and the fixed counter electrode 516A by the through-hole 515, and the high wiring Reliability can be obtained.

また、固定対向電極516Aは、このような導電接続部516のモジュール基板30に対向する面により構成されている。したがって、固定基板51のモジュール基板30に対向する面に、別途固定対向電極を設ける必要がない。また、固定基板51のモジュール基板30に対応する面に、別途固定対向電極を設け、導電接続部516とこの電極とを接続する場合、その接続信頼性を確保する必要がある。これに対し、本実施形態では、導電接続部516の端面を固定対向電極516Aとしているため、接続信頼性を確保するための構成が不要となり、構成を簡単にできる。   Further, the fixed counter electrode 516A is configured by a surface of the conductive connection portion 516 facing the module substrate 30. Therefore, it is not necessary to separately provide a fixed counter electrode on the surface of the fixed substrate 51 that faces the module substrate 30. Further, when a fixed counter electrode is separately provided on the surface of the fixed substrate 51 corresponding to the module substrate 30, and the conductive connection portion 516 is connected to this electrode, it is necessary to ensure the connection reliability. On the other hand, in the present embodiment, since the end face of the conductive connection portion 516 is the fixed counter electrode 516A, a configuration for ensuring connection reliability is not necessary, and the configuration can be simplified.

そして、波長可変干渉フィルター5は、可動基板52に設けられた共通引出電極546と、固定基板51に設けられた第一対向電極544とが、導電部55により接続されており、この第一対向電極544が導電接続部516、異方性導電層301を介して、モジュール基板30のモジュール電極302に電気的に接続されている。
このため、可動基板52に形成された共通引出電極に対しても、波長可変干渉フィルター5をモジュール基板30に設置するだけで、モジュール基板30のモジュール電極302に接続することができ、配線作業を簡単にできる。
In the wavelength variable interference filter 5, a common extraction electrode 546 provided on the movable substrate 52 and a first counter electrode 544 provided on the fixed substrate 51 are connected by a conductive portion 55, and this first counter electrode is provided. The electrode 544 is electrically connected to the module electrode 302 of the module substrate 30 through the conductive connection portion 516 and the anisotropic conductive layer 301.
For this reason, the common extraction electrode formed on the movable substrate 52 can be connected to the module electrode 302 of the module substrate 30 only by installing the variable wavelength interference filter 5 on the module substrate 30, and wiring work can be performed. Easy to do.

また、異方性導電層301は、波長可変干渉フィルター5を基板厚み方向から見た平面視において、反射膜56,57と重ならない位置に設けられている。このため、反射膜56,57により多重干渉されて、固定基板51側に透過された光が異方性導電層301により阻害されることなく、検出部31に入射させることができる。   Further, the anisotropic conductive layer 301 is provided at a position where it does not overlap with the reflection films 56 and 57 in a plan view of the wavelength tunable interference filter 5 viewed from the substrate thickness direction. Therefore, light that has been subjected to multiple interference by the reflective films 56 and 57 and transmitted to the fixed substrate 51 side can be incident on the detection unit 31 without being blocked by the anisotropic conductive layer 301.

さらに、波長可変干渉フィルター5の可動基板52には、切欠部524が設けられており、固定基板51の固定電極パッド543P、第一対向電極パッド544Pが設けられる頂点部分が可動基板52の外周縁よりも突出している。このため、波長可変干渉フィルター5をモジュール基板30に固定する際に、この突出部分を把持することで、構造的に撓みやすい保持部522を有する可動基板52に外部応力が加わらず、可動基板52の撓みを防止できる。
また、固定基板51の頂点部分をモジュール基板30に対して押圧することで、可動基板52に対して押圧による応力が加わらず、可動基板52の撓みを防止できる。そして、固定基板51の頂点部分に設けられた固定電極パッド543Pおよび第一対向電極パッド544Pがモジュール基板30のモジュール電極302側に押圧されるため、これらの固定電極パッド543Pおよび第一対向電極パッド544Pと、モジュール電極302とを確実に導通させることができる。
Further, the movable substrate 52 of the variable wavelength interference filter 5 is provided with a notch 524, and the apex portion where the fixed electrode pad 543 </ b> P and the first counter electrode pad 544 </ b> P of the fixed substrate 51 are provided is the outer peripheral edge of the movable substrate 52. Than protruding. For this reason, when the variable wavelength interference filter 5 is fixed to the module substrate 30, the movable substrate 52 having the holding portion 522 that is structurally flexible is not applied to the movable substrate 52 by gripping the protruding portion, and the movable substrate 52. Can be prevented.
Further, by pressing the apex portion of the fixed substrate 51 against the module substrate 30, the stress due to the pressing is not applied to the movable substrate 52, and the bending of the movable substrate 52 can be prevented. Since the fixed electrode pad 543P and the first counter electrode pad 544P provided at the apex portion of the fixed substrate 51 are pressed toward the module electrode 302 side of the module substrate 30, these fixed electrode pad 543P and the first counter electrode pad 544P and the module electrode 302 can be reliably conducted.

[第二実施形態]
次に、本発明の第二実施形態について、図面に基づいて説明する。
上記第一実施形態では、波長可変干渉フィルター5のモジュール基板30に対向する面のうち、反射膜56,57と重なる領域を除いた面全体を覆って異方性導電層301を設ける例を示した。これに対して、第二実施形態では、異方性導電層301を固定対向電極516Aの位置に対応する位置のみに異方性導電層301が設けられる。
図11は、第二実施形態の測色センサーにおいて、波長可変干渉フィルター5に対して異方性導電層301が設けられる位置を示す平面図である。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described based on the drawings.
In the first embodiment, an example is shown in which the anisotropic conductive layer 301 is provided so as to cover the entire surface of the wavelength tunable interference filter 5 facing the module substrate 30 except for the region overlapping the reflective films 56 and 57. It was. On the other hand, in the second embodiment, the anisotropic conductive layer 301 is provided only at a position corresponding to the position of the fixed counter electrode 516A.
FIG. 11 is a plan view showing a position where the anisotropic conductive layer 301 is provided with respect to the wavelength variable interference filter 5 in the colorimetric sensor of the second embodiment.

図11に示すように、第二実施形態の測色センサーでは、波長可変干渉フィルター5の固定基板51に設けられた各導電接続部516の固定対向電極に対して、それぞれの異方性導電層301が設けられている。
ここで、各固定対向電極516Aは、平面視において、反射膜56,57の中心点Oを中心とした仮想円Q3の円周上に沿って、等角度間隔(90度)に配置されている。各異方性導電層301も、当該異方性導電層301の中心位置(重心位置)が仮想円Q3の円周上で、等角度間隔(90度)となるように、配置されている。
As shown in FIG. 11, in the colorimetric sensor of the second embodiment, each anisotropic conductive layer is fixed to the fixed counter electrode of each conductive connection portion 516 provided on the fixed substrate 51 of the wavelength variable interference filter 5. 301 is provided.
Here, the fixed counter electrodes 516A are arranged at equiangular intervals (90 degrees) along the circumference of the virtual circle Q3 with the center point O of the reflection films 56 and 57 as the center in plan view. . Each anisotropic conductive layer 301 is also arranged so that the center position (center of gravity position) of the anisotropic conductive layer 301 is equiangularly spaced (90 degrees) on the circumference of the virtual circle Q3.

(第二実施形態の作用効果)
第二実施形態の測色センサー3では、異方性導電層301が、波長可変干渉フィルター5の4つの固定対向電極516Aに対応して、それぞれ設けられ、各固定対向電極516Aと、各モジュール電極302とを接続し、かつ波長可変干渉フィルター5をモジュール基板30に接着固定している。
このような構成においても、上記第一実施形態と同様の効果が得られる。
すなわち、異方性導電層301により波長可変干渉フィルター5をモジュール基板30に固定しているため、波長可変干渉フィルター5に加わる外部応力を軽減でき、外部応力に起因した基板51,52の撓みを防止することができる。また、波長可変干渉フィルター5をモジュール基板30に装着した後の配線作業が不要であり、波長可変干渉フィルター5を測色センサー3に組み込む際の作業効率を向上させることができる。
(Operational effects of the second embodiment)
In the colorimetric sensor 3 of the second embodiment, the anisotropic conductive layer 301 is provided corresponding to each of the four fixed counter electrodes 516A of the wavelength variable interference filter 5, and each of the fixed counter electrodes 516A and each module electrode is provided. The variable wavelength interference filter 5 is bonded and fixed to the module substrate 30.
Even in such a configuration, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
That is, since the wavelength tunable interference filter 5 is fixed to the module substrate 30 by the anisotropic conductive layer 301, the external stress applied to the wavelength tunable interference filter 5 can be reduced, and the deflection of the substrates 51 and 52 due to the external stress can be reduced. Can be prevented. In addition, wiring work after the wavelength tunable interference filter 5 is mounted on the module substrate 30 is unnecessary, and work efficiency when the wavelength tunable interference filter 5 is incorporated into the colorimetric sensor 3 can be improved.

これに加え、第二実施形態のような測色センサー3では、固定基板51の頂点部分近傍のみに異方性導電層301に接触する構成であるため、異方性導電層301の固化収縮による固定基板51の撓みを軽減できる。
また、異方性導電層301は、反射膜56,57の中心点Oから等距離で、かつ中心点Oに対して等角度間隔に配置されている。したがって、異方性導電層301の固化収縮により応力が固定基板51に対して応力が加わった場合でも、これらの応力が固定基板51に対して均等に分散され、固定基板51の撓みを抑制することができる。
In addition to this, the colorimetric sensor 3 as in the second embodiment is configured to contact the anisotropic conductive layer 301 only in the vicinity of the apex portion of the fixed substrate 51. The bending of the fixed substrate 51 can be reduced.
Further, the anisotropic conductive layer 301 is equidistant from the center point O of the reflective films 56 and 57 and is disposed at equiangular intervals with respect to the center point O. Therefore, even when stress is applied to the fixed substrate 51 due to solidification shrinkage of the anisotropic conductive layer 301, these stresses are evenly distributed to the fixed substrate 51, and the bending of the fixed substrate 51 is suppressed. be able to.

〔他の実施形態〕
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
Other Embodiment
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and modifications, improvements, and the like within the scope that can achieve the object of the present invention are included in the present invention.

上記第一および第二実施形態では、第一電極として、固定電極541から延出した固定引出電極543A,543B、および第一対向電極544を例示したが、これに限定されない。
例えば、固定基板51に、固定電極451に残留する電荷を除去するための帯電除去電極を設け、この帯電除去電極から延出した帯電除去引出電極を本発明の第一電極としてもよい。この場合、帯電除去引出電極の一部(例えば、先端部)に対応する位置に、貫通孔515を設け、この貫通孔515に導電接続部516を設け、異方性導電層301を介してモジュール基板30のモジュール電極302に接続すればよい。
In the first and second embodiments, the fixed extraction electrodes 543A and 543B extending from the fixed electrode 541 and the first counter electrode 544 are exemplified as the first electrode, but the first electrode is not limited thereto.
For example, a charge removal electrode for removing charges remaining on the fixed electrode 451 may be provided on the fixed substrate 51, and the charge removal lead electrode extending from the charge removal electrode may be used as the first electrode of the present invention. In this case, a through hole 515 is provided at a position corresponding to a part (for example, a tip portion) of the charge removal extraction electrode, and a conductive connection portion 516 is provided in the through hole 515, and the module is interposed via the anisotropic conductive layer 301. What is necessary is just to connect to the module electrode 302 of the board | substrate 30.

また、反射膜間のギャップ寸法を測定するための静電容量測定電極を固定基板51および可動基板52に互いに対向する状態で設け、固定基板51上の静電容量測定電極から引き出された引出電極を第一電極とし、この引出電極に対向した可動基板52側の対向電極を第二電極とする構成としてもよい。   In addition, a capacitance measuring electrode for measuring the gap dimension between the reflective films is provided on the fixed substrate 51 and the movable substrate 52 so as to face each other, and a lead electrode drawn from the capacitance measuring electrode on the fixed substrate 51 is provided. May be the first electrode, and the counter electrode on the side of the movable substrate 52 facing the extraction electrode may be the second electrode.

上記第一および第二実施形態では、固定基板51に貫通孔515を設け、この貫通孔515に導電接続部516を充填し、導電接続部516のモジュール基板30に対向する面を固定対向電極516Aとする構成を例示したが、これに限定されない。
例えば、固定基板51のモジュール基板30に対向する面に、別途、固定対向電極を形成し、導電接続部516により、固定電極パッド543Pや第一対向電極パッド544Pと、固定対向電極とを接続する構成としてもよい。
また、導電接続部516として、貫通孔515にAgペースト等が充填される構成に限らず、例えば、貫通孔515の内周面に、固定基板51の基板対向面から固定対向面までに亘る電極層が形成される構成としてもよい。
さらに、導電接続部516の一端面が、固定基板51の固定対向面と同一平面となって固定対向電極516Aを形成する構成としたが、例えば導電接続部516が固定基板51の固定対向面からモジュール基板30側に突出して形成される構成としてもよく、導電接続部516の固定対向電極516Aが、固定対向面からモジュール基板30側に凸状に突出する凸面上に形成される構成としてもよい。この場合、波長可変干渉フィルター5をモジュール基板30に取り付ける際、凸状の導電接続部516または凸面状の固定対向電極516Aが異方性導電層301を押圧し、より確実に固定対向電極516Aとモジュール電極302との導通を取ることができる。
In the first and second embodiments, the through hole 515 is provided in the fixed substrate 51, the conductive connection portion 516 is filled in the through hole 515, and the surface of the conductive connection portion 516 facing the module substrate 30 is fixed to the fixed counter electrode 516A. However, the present invention is not limited to this.
For example, a fixed counter electrode is separately formed on the surface of the fixed substrate 51 facing the module substrate 30, and the fixed electrode pad 543P and the first counter electrode pad 544P are connected to the fixed counter electrode by the conductive connection portion 516. It is good also as a structure.
Further, the conductive connection portion 516 is not limited to the configuration in which the through hole 515 is filled with Ag paste or the like. For example, an electrode extending from the substrate facing surface of the fixed substrate 51 to the fixed facing surface is provided on the inner peripheral surface of the through hole 515. It is good also as a structure in which a layer is formed.
Furthermore, the one end surface of the conductive connection portion 516 is configured to be the same plane as the fixed opposing surface of the fixed substrate 51 to form the fixed counter electrode 516A. For example, the conductive connecting portion 516 is formed from the fixed opposing surface of the fixed substrate 51. It may be configured to protrude to the module substrate 30 side, or the fixed counter electrode 516A of the conductive connection portion 516 may be formed on a convex surface protruding in a convex shape from the fixed counter surface to the module substrate 30 side. . In this case, when the tunable interference filter 5 is attached to the module substrate 30, the convex conductive connecting portion 516 or the convex fixed counter electrode 516A presses the anisotropic conductive layer 301, and the fixed counter electrode 516A is more reliably connected. The module electrode 302 can be electrically connected.

さらには、固定基板51の外周側面に導電接続部を設ける構成としてもよい。この場合、固定基板51のモジュール基板30に対向する面に、別途、第一固定引出電極、第二固定引出電極、および一対の第一対向電極のそれぞれに対応した固定対向電極を形成し、これらを、固定基板51の外周側面に形成される導電接続部により接続すればよい。   Furthermore, it is good also as a structure which provides a conductive connection part in the outer peripheral side surface of the fixed board | substrate 51. FIG. In this case, a fixed counter electrode corresponding to each of the first fixed extraction electrode, the second fixed extraction electrode, and the pair of first counter electrodes is separately formed on the surface of the fixed substrate 51 facing the module substrate 30. May be connected by a conductive connection portion formed on the outer peripheral side surface of the fixed substrate 51.

波長可変干渉フィルター5において、一対の第一対向電極パッド544Pに対して、それぞれ導電接続部516を設ける構成を例示したが、いずれか一方の第一対向電極パッド544Pにのみ導電接続部516が形成される構成であってもよく、モジュール基板30のモジュール電極302も、いずれか一方の第一対向電極パッド544Pに対してのみ設けられていればよい。   In the wavelength tunable interference filter 5, the configuration in which the conductive connection portions 516 are provided for the pair of first counter electrode pads 544P is illustrated, but the conductive connection portions 516 are formed only in one of the first counter electrode pads 544P. The module electrode 302 of the module substrate 30 may be provided only for one of the first counter electrode pads 544P.

第二実施形態において、モジュール電極302が固定対向電極516Aよりも大きいサイズに形成され、異方性導電層301もモジュール電極302に対応して固定対向電極516Aよりも大きいサイズに形成される例を示したが、これに限らない。例えば、平面視において、異方性導電層301を、固定対向電極516Aを同等サイズに設定してもよい。   In the second embodiment, the module electrode 302 is formed in a size larger than the fixed counter electrode 516A, and the anisotropic conductive layer 301 is also formed in a size corresponding to the module electrode 302 and larger than the fixed counter electrode 516A. Although shown, it is not limited to this. For example, in a plan view, the anisotropic conductive layer 301 may be set to have the same size as the fixed counter electrode 516A.

また、固定電極パッド543Pと、第二対向電極パッド547Pとの間、第一対向電極パッド544Pと、共通電極パッド546Pとの間を、それぞれ、可動基板52の外周縁よりも内側に設けられた導電部55により接続する構成を例示したが、これに限らない。例えば、可動基板52の切欠部524の側面から基板51,52間にAgペースト等の導電性ペーストを注入して付着させることで、固定電極パッド543Pおよび第二対向電極パッド547P間、第一対向電極パッド544Pおよび共通電極パッド546P間を接続してもよい。   Further, the fixed electrode pad 543P and the second counter electrode pad 547P, the first counter electrode pad 544P, and the common electrode pad 546P are provided inside the outer peripheral edge of the movable substrate 52, respectively. Although the structure connected by the electroconductive part 55 was illustrated, it is not restricted to this. For example, by injecting and adhering conductive paste such as Ag paste from the side surface of the cutout portion 524 of the movable substrate 52 between the substrates 51 and 52, the fixed electrode pad 543P and the second counter electrode pad 547P are connected to each other. The electrode pad 544P and the common electrode pad 546P may be connected.

また、上記実施形態では、ダイヤフラム状の保持部522を例示するが、例えば、可動部の中心に対して点対象となる位置に設けられる複数対の梁構造を有する保持部が設けられる構成などとしてもよい。   In the above embodiment, the diaphragm-shaped holding portion 522 is exemplified. For example, as a configuration in which a holding portion having a plurality of pairs of beam structures provided at a point target position with respect to the center of the movable portion is provided. Also good.

さらに、上記実施形態では、波長可変干渉フィルター5として、第二基板である可動基板52に可動部521が設けられ、可動基板52の可動部521が固定基板51側に向かって変位する例を示したが、これに限らない。例えば、可動基板52を本発明の第一基板として、固定部であるモジュール基板30に固定する構成としてもよい。
また、固定基板51にも可動部が設けられ、この可動部が可動基板52側に変位可能な構成などとしてもよい。
Furthermore, in the said embodiment, the movable part 521 is provided in the movable substrate 52 which is a 2nd board | substrate as the wavelength variable interference filter 5, and the movable part 521 of the movable substrate 52 shows the example displaced toward the fixed substrate 51 side. However, it is not limited to this. For example, the movable substrate 52 may be configured as the first substrate of the present invention and fixed to the module substrate 30 which is a fixed portion.
Further, the movable substrate 51 may be provided with a movable portion, and the movable portion may be displaced toward the movable substrate 52.

そして、上記実施形態において、光モジュールとして、測色センサー3を例示し、光分析装置として測色装置1を例示したが、これに限定されない。
例えば、本発明の光モジュールを、波長可変干渉フィルター5により取り出された光を受光素子により受光することで、ガス特有の吸収波長を検出するガス検出モジュールとして用いることもでき、光分析装置として、ガス検出モジュールにより検出された吸収波長からガスの種類を判別するガス検出装置として用いることもできる。
さらには、例えば、光モジュールは、例えば光ファイバーなどの光伝達媒体により伝送された光から所望の波長の光を抽出する光通信モジュールとしても用いることができる。また、光分析装置として、このような光通信モジュールから抽出された光からデータをデコード処理し、光により伝送されたデータを抽出する光通信装置として用いることもできる。
In the above embodiment, the colorimetric sensor 3 is illustrated as the optical module, and the colorimetric device 1 is illustrated as the optical analyzer, but the present invention is not limited to this.
For example, the optical module of the present invention can be used as a gas detection module that detects the absorption wavelength peculiar to gas by receiving light extracted by the wavelength variable interference filter 5 by a light receiving element. It can also be used as a gas detection device for discriminating the type of gas from the absorption wavelength detected by the gas detection module.
Furthermore, for example, the optical module can be used as an optical communication module that extracts light having a desired wavelength from light transmitted by an optical transmission medium such as an optical fiber. Moreover, it can also be used as an optical analyzer that decodes data from light extracted from such an optical communication module and extracts data transmitted by light.

その他、本発明の実施の際の具体的な構造および手順は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などに適宜変更できる。   In addition, the specific structure and procedure for carrying out the present invention can be appropriately changed to other structures and the like within a range in which the object of the present invention can be achieved.

1…光分析装置としての測色装置、3…光モジュールとしての測色センサー、4…制御装置、5…波長可変干渉フィルター、30…固定部であるモジュール基板、31…検出部、43…分析処理部である測色処理部、51…第一基板である固定基板、52…第二基板である可動基板、55…導電部、56…第一反射膜である固定反射膜、57…第二反射膜である可動反射膜、301…異方性導電層、302…第三電極であるモジュール電極、515…貫通孔、516…導電接続部、516A…固定対向電極、543A…第一電極である第一固定引出電極、543B…第一電極である第二固定引出電極、544…第一電極である第一対向電極、546…第二電極である共通引出電極、547…第二電極である第二対向電極。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Color measuring device as an optical analyzer, 3 ... Color measuring sensor as an optical module, 4 ... Control apparatus, 5 ... Wavelength variable interference filter, 30 ... Module board | substrate which is a fixed part, 31 ... Detection part, 43 ... Analysis A colorimetric processing unit that is a processing unit, 51 ... a fixed substrate that is a first substrate, 52 ... a movable substrate that is a second substrate, 55 ... a conductive unit, 56 ... a fixed reflective film that is a first reflective film, 57 ... a second Movable reflective film as a reflective film, 301 ... anisotropic conductive layer, 302 ... module electrode as third electrode, 515 ... through hole, 516 ... conductive connection part, 516A ... fixed counter electrode, 543A ... first electrode First fixed extraction electrode, 543B ... second fixed extraction electrode as first electrode, 544 ... first counter electrode as first electrode, 546 ... common extraction electrode as second electrode, 547 ... second as second electrode Two counter electrodes.

Claims (7)

第一基板と、
前記第一基板に対向する第二基板と、
前記第一基板に設けられた第一反射膜と、
前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜とギャップを介して対向する第二反射膜と、
前記第一基板に設けられた第一電極と、
前記第二基板に設けられ、前記第一電極と対向する第二電極と、を備えた波長可変干渉フィルターと、
前記波長可変干渉フィルターが固定される固定部と、
前記波長可変干渉フィルターおよび前記固定部の間に設けられ、前記波長可変干渉フィルターを前記固定部に接合する異方性導電層と、
を備え、
前記第一基板は、前記固定部に対向する固定対向面に設けられた固定対向電極と、前記第一電極および前記固定対向電極を電気的に接続する導電接続部と、を有し、
前記固定部は、前記固定対向電極に対向する第三電極を有し、
前記異方性導電層は、前記固定対向電極および前記第三電極を電気的に接続し、前記第一基板の基板厚み方向から見た平面視において、前記第一反射膜の中心点を中心とした仮想円上で前記中心点に対して等角度間隔に配置されている
ことを特徴とする光モジュール。
A first substrate;
A second substrate facing the first substrate;
A first reflective film provided on the first substrate;
A second reflective film provided on the second substrate and facing the first reflective film via a gap;
A first electrode provided on the first base plate,
A tunable interference filter provided on the second substrate, the second electrode facing the first electrode; and
A fixed portion to which the wavelength variable interference filter is fixed;
Provided between the tunable interference filter over your and the fixed portion, and the anisotropic conductive layer for joining the variable wavelength interference filter to said fixed portion,
With
The first substrate includes a fixed counter electrode provided on a fixed counter surface facing the fixed portion, and a conductive connection portion that electrically connects the first electrode and the fixed counter electrode,
The fixed portion has a third electrode facing the fixed counter electrode,
The anisotropic conductive layer, said fixed counter electrode and the third electrodes are electrically connected, in a plan view as viewed from the substrate thickness direction of the first substrate, around the center point of the first reflecting film The optical module is arranged at equiangular intervals with respect to the center point on the virtual circle .
請求項1に記載の光モジュールにおいて、
前記第一基板は、前記第一電極が形成された領域の少なくとも一部に、基板厚み方向を貫通した貫通孔を備え、
前記導電接続部は、前記貫通孔を通って前記第一電極と前記固定対向電極とを接続する
ことを特徴とする光モジュール。
The optical module according to claim 1,
The first substrate includes a through-hole penetrating the substrate thickness direction in at least a part of the region where the first electrode is formed,
The said electrical connection part connects said 1st electrode and said fixed counter electrode through said through-hole. The optical module characterized by the above-mentioned.
請求項2に記載の光モジュールにおいて、
前記導電接続部は、前記貫通孔に充填された導電部材であり、前記固定対向面に前記導電部材により構成された前記固定対向電極を有する
ことを特徴とする光モジュール。
The optical module according to claim 2,
The optical module, wherein the conductive connection part is a conductive member filled in the through hole, and has the fixed counter electrode formed of the conductive member on the fixed counter surface .
第一基板と、
前記第一基板に対向する第二基板と、
前記第一基板に設けられた第一反射膜と、
前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜とギャップを介して対向する第二反射膜と、
前記第一基板に設けられた第一電極と、
前記第二基板に設けられ、前記第一電極と対向する第二電極と、を備えた波長可変干渉フィルターと、
前記波長可変干渉フィルターが固定される固定部と、
前記波長可変干渉フィルターおよび前記固定部の間に設けられ、前記波長可変干渉フィルターを前記固定部に接合する異方性導電層と、
を備え、
前記第一基板は、
前記第一基板および前記第二基板の間に設けられた導電部を介して前記第二電極と電気的に接続する引出電極と、
前記固定部に対向する固定対向面に設けられた固定対向電極と、
前記引出電極および前記固定対向電極を電気的に接続する導電接続部と、を有し、
前記固定部は、前記固定対向電極に対向する第三電極を有し、
前記異方性導電層は、前記固定対向電極と前記第三電極とを導通し、前記第一基板の基板厚み方向から見た平面視において、前記第一反射膜の中心点を中心とした仮想円上で前記中心点に対して等角度間隔に配置されている
ことを特徴とする光モジュール。
A first substrate;
A second substrate facing the first substrate;
A first reflective film provided on the first substrate;
A second reflective film provided on the second substrate and facing the first reflective film via a gap;
A first electrode provided on the first substrate;
A tunable interference filter provided on the second substrate, the second electrode facing the first electrode; and
A fixed portion to which the wavelength variable interference filter is fixed;
An anisotropic conductive layer provided between the wavelength tunable interference filter and the fixed portion, and joining the wavelength tunable interference filter to the fixed portion;
With
The first substrate is
An extraction electrode electrically connected to the second electrode via a conductive portion provided between the first substrate and the second substrate;
A fixed counter electrode provided on a fixed counter surface facing the fixed portion;
A conductive connection portion for electrically connecting the extraction electrode and the fixed counter electrode;
The fixed portion has a third electrode facing the fixed counter electrode,
The anisotropic conductive layer conducts the fixed counter electrode and the third electrode, and is a virtual centered on the central point of the first reflective film in a plan view as viewed from the substrate thickness direction of the first substrate. An optical module, wherein the optical module is arranged at equiangular intervals with respect to the center point on a circle .
請求項1から請求項4のいずれかに記載の光モジュールにおいて、
前記異方性導電層は、前記波長可変干渉フィルターを、前記第一基板および前記第二基板の基板厚み方向から見た平面視において、前記固定対向面の前記第一反射膜および前記第二反射膜と重ならない領域を覆って設けられた
ことを特徴とする光モジュール。
The optical module according to any one of claims 1 to 4,
The anisotropic conductive layer includes the first reflective film and the second reflective film on the fixed facing surface in a plan view of the variable wavelength interference filter viewed from the thickness direction of the first substrate and the second substrate. An optical module characterized in that it is provided so as to cover an area that does not overlap the film.
請求項1から請求項4のいずれかに記載の光モジュールにおいて、
前記固定対向電極および前記第三電極は、複数設けられ、
前記異方性導電層は、互いに対向する前記固定対向電極および前記第三電極の組に対応してそれぞれ設けられた
ことを特徴とする光モジュール。
The optical module according to any one of claims 1 to 4,
A plurality of the fixed counter electrode and the third electrode are provided,
The optical module, wherein the anisotropic conductive layer is provided corresponding to a set of the fixed counter electrode and the third electrode facing each other.
請求項1から請求項のいずれかに記載の光モジュールと、
前記光モジュールに接続された制御装置と、を具備し、
前記光モジュールは、前記波長可変干渉フィルターにより取り出された光を検出する検出部を備え、
前記制御装置は、前記検出部により検出された光に基づいて、前記光の光特性を分析する分析処理部を備えた
ことを特徴とする光分析装置。
An optical module according to any one of claims 1 to 6 ,
A control device connected to the optical module,
The optical module includes a detection unit that detects light extracted by the wavelength variable interference filter,
The control apparatus includes an analysis processing unit that analyzes an optical characteristic of the light based on the light detected by the detection unit.
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