JP2012079658A

JP2012079658A - Organic el display device

Info

Publication number: JP2012079658A
Application number: JP2010226530A
Authority: JP
Inventors: Masamitsu Furuya; 政光古家
Original assignee: Canon Inc; Hitachi Displays Ltd
Current assignee: Canon Inc; Japan Display Inc
Priority date: 2010-10-06
Filing date: 2010-10-06
Publication date: 2012-04-19

Abstract

【課題】有機ＥＬ層をＳｉＮ等の封止膜で覆うことによって、外部からの水分の影響を防止する固体封止タイプの有機ＥＬ表示装置において、封止膜におけるピンホールの存在の有無を工場内の検査で検出することが出来る構成を実現する。
【解決手段】素子基板１００の上に有機ＥＬ素子２０が形成され、その上にピンホール検出層３０が形成され、その上に封止膜４０が形成されている。封止膜４０にピンホールが存在するとこの部分から水分が浸入し、有機ＥＬ層を劣化させる。製品が工場から出荷される前に、ピンホールの有無を検出するために、水分と反応して色が変化するピンホール検出層３０が封止膜４０と有機ＥＬ素子２０の間に配置されている。ピンホール検出層３０は、有機材料にアルカリ金属またはアルカリ土類金属がドープされた構成であり、蒸着によって形成される。
【選択図】図１In a solid-sealing type organic EL display device which prevents the influence of moisture from the outside by covering the organic EL layer with a sealing film such as SiN, the presence or absence of pinholes in the sealing film is measured in a factory. The structure which can be detected by the inspection inside is realized.
An organic EL element is formed on an element substrate, a pinhole detection layer is formed thereon, and a sealing film is formed thereon. When pinholes are present in the sealing film 40, moisture enters from this portion, and the organic EL layer is deteriorated. Before the product is shipped from the factory, a pinhole detection layer 30 that changes its color by reacting with moisture is disposed between the sealing film 40 and the organic EL element 20 in order to detect the presence or absence of pinholes. Yes. The pinhole detection layer 30 has a configuration in which an organic material is doped with an alkali metal or an alkaline earth metal, and is formed by vapor deposition.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は有機ＥＬ表示装置に係り、特に水分による有機ＥＬ層の劣化を早期に発見し、市場における不良の発生を防止することが可能な有機ＥＬ表示装置に関する。 The present invention relates to an organic EL display device, and more particularly to an organic EL display device that can detect deterioration of an organic EL layer due to moisture at an early stage and prevent occurrence of defects in the market.

有機ＥＬ表示装置では下部電極と上部電極との間に有機ＥＬ層を挟持し、上部電極に一定電圧を印加し、下部電極にデータ信号電圧を印加して有機ＥＬ層の発光を制御する。下部電極へのデータ信号電圧の供給は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を介して行われる。有機ＥＬ層は、発光層の材料によって赤、緑、青の発光を行う。このような有機ＥＬ層とＴＦＴを有する画素をマトリクス状に配置し、各画素の発光を制御することによって画像を形成する。 In the organic EL display device, an organic EL layer is sandwiched between a lower electrode and an upper electrode, a constant voltage is applied to the upper electrode, and a data signal voltage is applied to the lower electrode to control light emission of the organic EL layer. The data signal voltage is supplied to the lower electrode through a thin film transistor (TFT). The organic EL layer emits red, green, and blue light depending on the material of the light emitting layer. Pixels having such an organic EL layer and TFT are arranged in a matrix, and an image is formed by controlling light emission of each pixel.

有機ＥＬ表示装置には、有機ＥＬ層から発光した光を、有機ＥＬ層等が形成されたガラス基板方向に取り出すボトムエミッション型と、有機ＥＬ層等が形成されたガラス基板と逆の方向に取り出すトップエミッション型とがある。トップエミッション型はＴＦＴが形成された領域の上にも発光領域を形成できるという利点がある。 In the organic EL display device, light emitted from the organic EL layer is extracted in the direction opposite to the glass substrate on which the organic EL layer is formed, and the bottom emission type in which the light is emitted toward the glass substrate on which the organic EL layer is formed. There is a top emission type. The top emission type has an advantage that a light emitting region can be formed on a region where a TFT is formed.

有機ＥＬ表示装置に使用される有機ＥＬ材料は水分が存在すると発光特性が劣化し、長時間動作をさせると、水分によって劣化した場所が発光しなくなる。これは有機ＥＬ素子のダークスポットとして現れる。このダークスポットは時間の経過とともに成長し、画像の欠陥となる。なお、画素の周辺で発光しない領域が増加するエッジグロースという現象も水分の影響によって生ずる。 The organic EL material used in the organic EL display device has a light emitting characteristic that deteriorates when moisture is present. When the organic EL material is operated for a long time, the place where the moisture is deteriorated does not emit light. This appears as a dark spot of the organic EL element. This dark spot grows with time and becomes an image defect. Note that the phenomenon of edge growth in which the area that does not emit light around the pixel increases is also caused by the influence of moisture.

ダークスポット等の発生、あるいは成長を防止するためには、有機ＥＬ表示装置内への水分の浸入の防止、あるいは、浸入した水分を除去する必要がある。このために従来は、有機ＥＬ層が形成された素子基板を周囲に設置したシールを介して、封止基板によって封止し、外部から有機ＥＬ表示装置内への水分の浸入を防止する技術が開発されてきた。封止された内部の空間にはＮ_２等の不活性ガスを充填する。一方、有機ＥＬ表示装置内に進入した水分を除去するために、有機ＥＬ表示装置内に乾燥剤を設置する。これを中空封止型有機ＥＬ表示装置という。 In order to prevent the occurrence or growth of dark spots or the like, it is necessary to prevent moisture from entering the organic EL display device or to remove the penetrated moisture. For this reason, conventionally, there is a technique for sealing an element substrate on which an organic EL layer is formed with a sealing substrate around the sealing substrate to prevent moisture from entering the organic EL display device from the outside. Has been developed. The sealed internal space is filled with an inert gas such as N ₂ . On the other hand, in order to remove moisture that has entered the organic EL display device, a desiccant is placed in the organic EL display device. This is called a hollow sealed organic EL display device.

しかし、中空封止型有機ＥＬ表示装置では、素子基板と封止基板のギャップ調整が難しい、内部への水分の浸入を防止するために、素子基板と封止基板を周辺で接着するシール材の幅を広くとる必要がある、封止剤によって封止するときの、封止剤から放出されたガスによる有機ＥＬ材料の汚染、スループットが低い等の問題がある。さらに完成した有機ＥＬ表示装置において素子基板あるいは封止基板に外力が加わると素子基板と封止基板が接触することによって有機ＥＬ層が破壊されるという問題点を有している。 However, in the hollow sealed organic EL display device, it is difficult to adjust the gap between the element substrate and the sealing substrate. In order to prevent moisture from entering the inside, a sealing material for bonding the element substrate and the sealing substrate around is used. There are problems such as the need to increase the width, contamination of the organic EL material by the gas released from the sealing agent when sealing with the sealing agent, and low throughput. Further, in the completed organic EL display device, when an external force is applied to the element substrate or the sealing substrate, there is a problem that the organic EL layer is destroyed due to the contact between the element substrate and the sealing substrate.

中空封止の問題を対策するものとして、「特許文献１」には、封止基板を使用せずに、有機ＥＬ層と上部電極が形成された有機ＥＬ表示パネルの上に無機パッシベーション膜、有機平坦化膜、さらに無機パッシベーション膜を形成することによって水分が浸入することを防止する技術が記載されている。以後このような封止構造を固体封止という。 As a countermeasure against the problem of hollow sealing, “Patent Document 1” describes that an inorganic passivation film and an organic layer are formed on an organic EL display panel in which an organic EL layer and an upper electrode are formed without using a sealing substrate. A technique for preventing moisture from entering by forming a planarizing film and further an inorganic passivation film is described. Hereinafter, such a sealing structure is referred to as solid sealing.

「特許文献２」には、有機ＥＬ層と上部電極が形成された有機ＥＬ表示パネルの上に無機パッシベーション膜、有機平坦化膜、さらに無機パッシベーション膜を形成し、有機平坦化膜に酸素あるいは水と反応して発色する物質を含有させ、水分の浸入を早期に発見する構成が記載されている。 In “Patent Document 2”, an inorganic passivation film, an organic planarization film, and further an inorganic passivation film are formed on an organic EL display panel on which an organic EL layer and an upper electrode are formed, and oxygen or water is formed on the organic planarization film. A structure is described that contains a substance that develops color by reacting with water to detect moisture intrusion at an early stage.

特開２００７−１５６０５８号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2007-156058 特願２００７−１５６０５８号Japanese Patent Application No. 2007-156058

有機ＥＬ層の電子注入層はアルカリ金属やアルカリ土類金属などの反応性の高い金属を用いる場合が多く、水分が存在すると、これと反応して、失活するので、水分の進入を防ぐように封止をする必要がある。上部電極まで形成された有機ＥＬ表示パネルをＳｉＮ等の無機パッシベーション膜で被覆した構成は、比較的堅牢で、薄く、コストの低い有機ＥＬ表示装置を形成できる可能性がある。 The electron injection layer of the organic EL layer often uses a highly reactive metal such as an alkali metal or alkaline earth metal, and reacts with the presence of moisture to deactivate it, thus preventing moisture from entering. Need to be sealed. The configuration in which the organic EL display panel formed up to the upper electrode is covered with an inorganic passivation film such as SiN may be able to form an organic EL display device that is relatively robust, thin, and low in cost.

しかし、無機パッシベーション膜にはピンホールが存在する。ピンホールの原因は基板上の異物や、気相成長したパーティクル等である。このようなピンホールが存在すると、このピンホールから水分が浸入して有機ＥＬ層に達し、有機ＥＬ層の劣化を生ずることになる。樹脂層中の拡散は遅いので、実際に不良となるのは、数ヶ月から１年程度かかり、加速試験でも１ケ月以上かかる。 However, pinholes exist in the inorganic passivation film. The cause of the pinhole is a foreign substance on the substrate, a vapor grown particle, or the like. When such a pinhole is present, moisture enters from the pinhole and reaches the organic EL layer, resulting in deterioration of the organic EL layer. Since diffusion in the resin layer is slow, it actually takes about several months to one year to become defective, and it takes more than one month even in an accelerated test.

このような不良は製品が市場に流通してから生ずるので、市場事故となって、顧客の信頼を失うことになる。したがって、このような不良は極力抑える必要がある。しかし、ピンホールは極めて小さく、顕微鏡をもってしても発見は困難であり、まして、アクティブマトリクスの回路のパターンや、有機ＥＬ層などが形成された素子基板上のパッシベーション膜に生じたピンホールの発見はほとんど不可能である。 Such a defect occurs after the product is distributed in the market, resulting in a market accident and losing customer trust. Therefore, it is necessary to suppress such defects as much as possible. However, pinholes are extremely small and difficult to find even with a microscope. Furthermore, discovery of pinholes generated in the passivation film on the element substrate on which an active matrix circuit pattern or organic EL layer is formed. Is almost impossible.

「特許文献１」には、このようなパッシベーション膜の欠陥を早期に発見する技術についての記載は無い。「特許文献２」は、有機ＥＬ層と上部電極が形成された有機ＥＬ表示パネルの上に無機パッシベーション膜、有機平坦化膜、さらに無機パッシベーション膜を形成した構成において、有機平坦化膜に水分あるいは酸素と反応して発色する材料を含有させることによって、外側の無機パッシベーション膜から侵入した水分を早期に発見することが可能である。 In “Patent Document 1”, there is no description about a technique for detecting such a defect in the passivation film at an early stage. “Patent Document 2” describes a structure in which an inorganic passivation film, an organic planarization film, and an inorganic passivation film are formed on an organic EL display panel on which an organic EL layer and an upper electrode are formed. By including a material that develops color by reacting with oxygen, it is possible to detect moisture invading from the outer inorganic passivation film at an early stage.

「特許文献２」の技術では、上部電極の上にまず、ＳｉＮ等の無機パッシベーション膜をスパッタリング等によって形成し、その後、水分の浸入を早期に発見するための材料がドープされたエポキシ等の有機材料を印刷法等で形成している。しかし、「特許文献２」の構成においては、有機材料を印刷で形成する必要がある。このような工程においては、上部電極の下に形成されている複数の層からなる有機ＥＬ層が破壊されてしまう可能性がある。すなわち、有機ＥＬ層は例えば、５層程度存在しているが、５層全部の膜厚であっても、１４０ｎｍ程度であるので、印刷時における圧力で容易に破壊されてしまう。すなわち、製造歩留まりが低下する。 In the technique of “Patent Document 2”, an inorganic passivation film such as SiN is first formed on the upper electrode by sputtering or the like, and then an organic material such as epoxy doped with a material for early detection of moisture intrusion. The material is formed by a printing method or the like. However, in the configuration of “Patent Document 2”, it is necessary to form an organic material by printing. In such a process, the organic EL layer composed of a plurality of layers formed under the upper electrode may be destroyed. That is, for example, there are about five organic EL layers, but even if the total thickness of the five layers is about 140 nm, it is easily destroyed by the pressure during printing. That is, the manufacturing yield decreases.

本発明の課題は、このような製造歩留まりの低下をきたさず、外部保護膜のピンホールから侵入してきた水分を早期に発見することが可能な有機ＥＬ表示装置構成を実現することである。 An object of the present invention is to realize an organic EL display device configuration that can detect moisture that has entered from a pinhole of an external protective film at an early stage without reducing the manufacturing yield.

本発明は上記課題を解決するものであり、具体的な手段は次のとおりである。 The present invention solves the above-mentioned problems, and specific means are as follows.

（１）下部電極と上部電極に挟持された有機ＥＬ層とＴＦＴを有する画素がマトリクス状に配置された表示領域を有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記上部電極の上には、有機材料にアルカリ金属またはアルカリ土類金属がドープされたピンホール検出層が蒸着によって形成され、前記ピンホール検出層の上に封止膜が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。 (1) An organic EL display device having a display region in which pixels having TFTs and organic EL layers sandwiched between a lower electrode and an upper electrode are arranged in a matrix,
A pinhole detection layer in which an organic material is doped with an alkali metal or an alkaline earth metal is formed on the upper electrode by vapor deposition, and a sealing film is formed on the pinhole detection layer. A characteristic organic EL display device.

（２）前記ピンホール検出層を構成する前記有機材料は、前記有機ＥＬ層に用いられた有機材料が用いられていることを特徴とする（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。 (2) The organic EL display device according to (1), wherein an organic material used for the organic EL layer is used as the organic material constituting the pinhole detection layer.

（３）前記アルカリ金属は、Ｃｓであることを特徴とする（１）または（２）に記載の有機ＥＬ表示装置。 (3) The organic EL display device according to (1) or (2), wherein the alkali metal is Cs.

（４）前記ピンホール検出層に存在するＣｓの量は、１．５ｗｔ％〜６０ｗｔ％であることを特徴とする（３）に記載の有機ＥＬ表示装置。 (4) The organic EL display device according to (3), wherein the amount of Cs present in the pinhole detection layer is 1.5 wt% to 60 wt%.

（５）前記ピンホール検出層の厚さは１０ｎｍ〜５０ｎｍであることを特徴とする（１）〜（４）のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。 (5) The organic EL display device according to any one of (1) to (4), wherein the pinhole detection layer has a thickness of 10 nm to 50 nm.

（６）前記封止膜は、ＳｉＮ、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、または、ＳｉＯＮの単層膜または、これらの積層膜で形成されていることを特徴とする（１）〜（５）のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。 (6) The sealing film is formed of a single layer film of SiN, SiO, SiO ₂ , or SiON, or a laminated film of these, according to any one of (1) to (5) The organic EL display device described.

（７）前記封止膜は、ＳｉＮ、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、または、ＳｉＯＮのいずれかと、樹脂の積層膜で形成されていることを特徴とする（１）〜（５）のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。 (7) The sealing film is formed of any one of SiN, SiO, SiO ₂ , or SiON, and a laminated film of a resin, according to any one of (1) to (5), Organic EL display device.

本発明によれば、固体封止タイプの有機ＥＬ表示装置において、最表面の無機パッシベーション膜のピンホールを早期に発見することが出来るので、ピンホールの存在する不良品が市場に出荷されることを防止することが出来る。また、ピンホールを早期に発見することによって、ＣＶＤ等の工程の問題を早期に発見することが出来、歩留まりを向上させることが出来る。 According to the present invention, in a solid-sealed organic EL display device, pinholes in the outermost inorganic passivation film can be found at an early stage, so that defective products with pinholes are shipped to the market. Can be prevented. Moreover, by discovering pinholes at an early stage, problems in processes such as CVD can be discovered early, and the yield can be improved.

また、本発明は上部電極の上にピンホール検出層を蒸着によって形成するので、上部電極の下に形成された有機層へのダメージを防止することが出来るので、製造歩留まりを向上させることが出来る。 In addition, since the present invention forms the pinhole detection layer on the upper electrode by vapor deposition, it is possible to prevent damage to the organic layer formed under the upper electrode, thereby improving the manufacturing yield. .

本発明の有機ＥＬ表示装置の外観図および断面図である。It is the external view and sectional drawing of the organic electroluminescence display of this invention. 本発明の有機ＥＬ表示パネルの表示領域の断面図である。It is sectional drawing of the display area of the organic electroluminescence display panel of this invention. 本発明の有機ＥＬ表示パネルの有機ＥＬ層の断面図である。It is sectional drawing of the organic electroluminescent layer of the organic electroluminescent display panel of this invention. 本発明の作用を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the effect | action of this invention. 従来例の問題点を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the trouble of a prior art example.

以下、実施例によって本発明の内容を詳細に説明する。 Hereinafter, the contents of the present invention will be described in detail by way of examples.

本発明の構成を説明する前に、図５を用いて、従来の固体封止において、封止膜４０のピンホール４５によって有機ＥＬ層２００にダークスポット２５が発生する様子を示す。図５（Ａ）は有機ＥＬ表示装置が完成した時点において、最外層の封止膜４０にピンホール４５が形成されている状態を示す断面図であり、図５（Ｂ）は工場における出荷検査での状態を示し、図５（Ｃ）は市場において、長時間動作した後の断面図を示している。 Before explaining the configuration of the present invention, FIG. 5 is used to show how the dark spot 25 is generated in the organic EL layer 200 by the pinhole 45 of the sealing film 40 in the conventional solid sealing. FIG. 5A is a cross-sectional view showing a state in which the pinhole 45 is formed in the outermost sealing film 40 when the organic EL display device is completed, and FIG. 5B is a shipping inspection in a factory. FIG. 5C shows a cross-sectional view after operating for a long time in the market.

図５（Ａ）において、ガラスで形成された素子基板１００の上にＴＦＴ回路１０が形成されている。ＴＦＴ回路１０はＴＦＴ、ＳＤ配線（ソース・ドレイン配線）、層間絶縁膜等を含む概念である。ＴＦＴ回路１０の上に有機ＥＬ層２００の下部電極１１０が形成され、その上に複数の層からなる有機ＥＬ層２００が形成され、その上に有機ＥＬ層２００の上部電極２１０が形成されている。 In FIG. 5A, a TFT circuit 10 is formed on an element substrate 100 made of glass. The TFT circuit 10 is a concept including a TFT, an SD wiring (source / drain wiring), an interlayer insulating film, and the like. A lower electrode 110 of the organic EL layer 200 is formed on the TFT circuit 10, an organic EL layer 200 composed of a plurality of layers is formed thereon, and an upper electrode 210 of the organic EL layer 200 is formed thereon. .

封止膜４０はＳｉＮ等によって１μｍ程度の厚さに形成される。封止膜４０はＣＶＤ、スパッタリング、印刷等によって形成されるが、いずれの形成方法であっても、図５（Ａ）に示すようなピンホール４５の発生する可能性は避けられない。ピンホール４５が存在すると、空気中の水分がこのピンホール４５を通して浸入する。上部電極２１０はＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）、Ａｇ等の金属、あるいは、ＡｇＭｇ等の合金による非常に薄い膜によって形成される。したがって、上部電極２１０には多くのピンホール４５が存在し、侵入した水分は容易に上部電極を通過して有機ＥＬ層２００に達し、有機ＥＬ層２００の特性を劣化させる。 The sealing film 40 is formed with a thickness of about 1 μm by SiN or the like. Although the sealing film 40 is formed by CVD, sputtering, printing, or the like, the possibility of the pinhole 45 as shown in FIG. When the pinhole 45 exists, moisture in the air enters through the pinhole 45. The upper electrode 210 is formed of a very thin film made of a metal such as IZO (Indium Zinc-Oxide) or Ag, or an alloy such as AgMg. Accordingly, many pinholes 45 exist in the upper electrode 210, and the invaded moisture easily passes through the upper electrode and reaches the organic EL layer 200, thereby deteriorating the characteristics of the organic EL layer 200.

ところが、封止膜４０に存在するピンホール４５は小さいので、工場における出荷検査では検出することが出来ない。また、封止膜４０のピンホール４５を介して侵入した水分による有機ＥＬ層２００の劣化は長時間をかけて進行するので、図５（Ｂ）に示すように、工場における出荷検査の時点では、有機ＥＬ層２００の劣化は異常が検出できるほど進んでいない。したがって、問題となるピンホール４５が存在する製品も良品として出荷される。 However, since the pinhole 45 present in the sealing film 40 is small, it cannot be detected by a shipping inspection in a factory. Further, since the deterioration of the organic EL layer 200 due to moisture that has entered through the pinhole 45 of the sealing film 40 proceeds over a long period of time, as shown in FIG. The deterioration of the organic EL layer 200 has not progressed so much that an abnormality can be detected. Therefore, a product having a pinhole 45 in question is also shipped as a non-defective product.

このような製品が市場において、長時間経過すると、封止膜４０のピンホール４５からの水分による有機ＥＬ層２００の劣化が進行し、図５（Ｃ）に示すように、有機ＥＬ層２００にダークスポット２５が生じ、画面欠陥となる。このダークスポット２５は、市場において、発生し、しかも大きさが増大するので、製品の品質に重大な問題を生ずる。本発明はこのような問題を対策するものである。 When such a product passes in the market for a long time, the organic EL layer 200 deteriorates due to moisture from the pinhole 45 of the sealing film 40, and as shown in FIG. A dark spot 25 is generated, resulting in a screen defect. This dark spot 25 occurs in the market and increases in size, which causes a serious problem in product quality. The present invention addresses such problems.

図１は本発明が適用される有機ＥＬ表示装置の図面であり、図１（Ａ）は平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＡ−Ａ断面図、図１（Ｃ）は図１（Ａ）のＢ−Ｂ断面図である。図１（Ａ）において、ガラスで形成された素子基板１００の上に形成された有機ＥＬ素子２０等を覆って封止膜４０が形成されている。素子基板１００において封止膜４０によって覆われていない部分は端子部であり、端子部にはＩＣドライバ５０が配置されている。また、端子部には、外部回路から有機ＥＬ表示装置に電源、信号等を供給するためのフレキシブル配線基板６０が接続されている。 1A and 1B are drawings of an organic EL display device to which the present invention is applied, in which FIG. 1A is a plan view, FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1A, and FIG. FIG. 2 is a sectional view taken along line BB in FIG. In FIG. 1A, a sealing film 40 is formed to cover the organic EL element 20 and the like formed on the element substrate 100 made of glass. A portion of the element substrate 100 that is not covered with the sealing film 40 is a terminal portion, and an IC driver 50 is disposed in the terminal portion. In addition, a flexible wiring substrate 60 for supplying power, signals, and the like from an external circuit to the organic EL display device is connected to the terminal portion.

図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１（Ｂ）において、素子基板１００の上にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）や有機ＥＬ層２００を含む有機ＥＬ素子２０が形成されている。有機ＥＬ素子２０の上には、本発明の特徴である、蒸着によって形成されたピンホール検出層３０が形成されている。ピンホール検出層３０は、真空蒸着可能な有機膜にＣｓなどのアルカリ金属または、アルカリ土類金属がドープされたものである。ドープされたＣｓ等の金属が水分を吸収すると変色することを利用して封止膜４０のピンホール４５を検知する。Ｃｓを用いた場合、水分を吸収する前は反射光で見て薄い赤色を呈していた膜が、水分を吸収することによって白色ないし無色透明に近い変色状態となる。 FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. In FIG. 1B, an organic EL element 20 including a TFT (thin film transistor) and an organic EL layer 200 is formed on an element substrate 100. On the organic EL element 20, a pinhole detection layer 30 formed by vapor deposition, which is a feature of the present invention, is formed. The pinhole detection layer 30 is obtained by doping an organic film that can be vacuum deposited with an alkali metal such as Cs or an alkaline earth metal. The pinhole 45 of the sealing film 40 is detected by utilizing the fact that the doped metal such as Cs changes color when it absorbs moisture. When Cs is used, a thin red film as seen by reflected light before absorbing moisture is changed to a white or colorless and transparent color change by absorbing moisture.

ピンホール検出層３０を覆って封止膜４０が形成されている。封止膜４０は、有機ＥＬ素子２０における有機ＥＬ層２００を水分から保護する。封止膜４０はＳｉＮ等で形成されるが、封止膜４０にピンホール４５が存在すると先に述べたように、このピンホール４５から空気中の水分が浸入し、有機ＥＬ層２００を侵してダークスポット２５を発生させる。図１（Ｃ）は図１（Ａ）のＢ−Ｂ断面図であり、構成は図１（Ｂ）で述べたのと同様である。 A sealing film 40 is formed so as to cover the pinhole detection layer 30. The sealing film 40 protects the organic EL layer 200 in the organic EL element 20 from moisture. The sealing film 40 is formed of SiN or the like, but when the pinhole 45 exists in the sealing film 40, as described above, moisture in the air enters from the pinhole 45, and the organic EL layer 200 is affected. The dark spot 25 is generated. FIG. 1C is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 1A, and the structure is the same as that described in FIG.

図２はトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の表示領域の詳細断面図である。図２において、素子基板１００の上に半導体層１０１が形成されている。なお、素子基板１００の表面には、ガラスの不純物が半導体層１０１に侵入することを阻止するための、図示しないＳｉＮで形成された第１下地膜および図示しないＳｉＯ_２で形成された第２下地膜が形成されている。 FIG. 2 is a detailed cross-sectional view of the display region of the top emission type organic EL display device. In FIG. 2, a semiconductor layer 101 is formed on the element substrate 100. A first base film made of SiN (not shown) and a second lower layer made of SiO _{2 (} not shown) are formed on the surface of the element substrate 100 to prevent glass impurities from entering the semiconductor layer 101. A geological film is formed.

半導体層１０１を覆ってゲート絶縁膜１０２が形成され、ゲート絶縁膜１０２の上にゲート電極１０３が形成されている。半導体層１０１はチャンネル層、ソース部１０１１、ドレイン部１０１２で構成されている。図２においては、ｐ型チャネルを有するｐ型ＴＦＴとｎ型チャネルを有するｎ型ＴＦＴが形成されている。有機ＥＬ層２００と直接接続しているＴＦＴはｐ型ＴＦＴである。ｐ型ＴＦＴにおいては、ソース部１０１１あるいはドレイン部１０１２とチャンネル部の間にはＬＤＤ（ＬｉｇｈｔＤｏｐｅｄＤｒａｉｎ）１０１３と呼ばれる領域が形成され、半導体層内の高電界による絶縁破壊を防止している。 A gate insulating film 102 is formed so as to cover the semiconductor layer 101, and a gate electrode 103 is formed on the gate insulating film 102. The semiconductor layer 101 includes a channel layer, a source portion 1011, and a drain portion 1012. In FIG. 2, a p-type TFT having a p-type channel and an n-type TFT having an n-type channel are formed. The TFT directly connected to the organic EL layer 200 is a p-type TFT. In the p-type TFT, a region called LDD (Light Doped Drain) 1013 is formed between the source portion 1011 or the drain portion 1012 and the channel portion to prevent dielectric breakdown due to a high electric field in the semiconductor layer.

層間絶縁膜１０４の上にはＳＤ配線１０５が形成されている。ＳＤ配線１０５を覆って無機パッシベーション膜１０６が形成され、無機パッシベーション膜１０６の上には平坦化膜を兼ねた有機パッシベーション膜１０７が形成されている。図２はトップエミッション型有機ＥＬ表示装置なので、有機パッシベーション膜１０７の上には反射膜１０８が形成されている。反射膜１０８は、Ａｌによって形成されている。 An SD wiring 105 is formed on the interlayer insulating film 104. An inorganic passivation film 106 is formed so as to cover the SD wiring 105, and an organic passivation film 107 that also serves as a planarization film is formed on the inorganic passivation film 106. Since FIG. 2 is a top emission type organic EL display device, a reflective film 108 is formed on the organic passivation film 107. The reflective film 108 is made of Al.

反射膜１０８の上には、有機ＥＬ層２００の下部電極１１０がＩＴＯによって形成されている。下部電極１１０は陽極となっている。有機パッシベーション膜１０７と無機パッシベーション膜１０６にスルーホールを形成し、このスルーホールを介して下部電極１１０がｐ型ＴＦＴのソース部１０１１と接続しており、下部電極１１０に映像信号が供給される。 On the reflective film 108, the lower electrode 110 of the organic EL layer 200 is formed of ITO. The lower electrode 110 is an anode. Through holes are formed in the organic passivation film 107 and the inorganic passivation film 106, and the lower electrode 110 is connected to the source portion 1011 of the p-type TFT through the through holes, and a video signal is supplied to the lower electrode 110.

有機パッシベーション膜１０７の上で、下部電極１１０の一部を覆ってバンク１０９が形成されている。バンク１０９は、有機ＥＬ層２００が段切れを起こさないよう有機ＥＬ層２００の端部に緩やかな傾斜を持たせるために形成される。バンク１０９はＳｉＮ等の無機膜によって形成される場合もあるし、ポリイミド等の有機膜によって形成される場合もある。バンク１０９によって囲まれた領域に有機ＥＬ層２００が形成され、画素になる。 A bank 109 is formed on the organic passivation film 107 so as to cover a part of the lower electrode 110. The bank 109 is formed in order to give a gentle inclination to the end of the organic EL layer 200 so that the organic EL layer 200 does not break off. The bank 109 may be formed of an inorganic film such as SiN or may be formed of an organic film such as polyimide. An organic EL layer 200 is formed in a region surrounded by the bank 109 to form a pixel.

図２において、下部電極１１０の上に有機ＥＬ層２００が形成されている。有機ＥＬ層２００は複数の層から構成されている。有機ＥＬ層２００の上にＩＺＯによって上部電極２１０が形成されている。上部電極２１０は陰極となる。上部電極２１０は、ＩＺＯのほか、ＡＺＯ、Ａｇ等の金属、あるいは、ＡｇＭｇ等の合金薄膜によって形成されることもある。 In FIG. 2, the organic EL layer 200 is formed on the lower electrode 110. The organic EL layer 200 is composed of a plurality of layers. An upper electrode 210 is formed on the organic EL layer 200 by IZO. The upper electrode 210 serves as a cathode. In addition to IZO, the upper electrode 210 may be formed of a metal such as AZO or Ag, or an alloy thin film such as AgMg.

図３は有機ＥＬ層２００の構成例を示す詳細断面図である。図３において、反射電極の上に陽極となる下部電極１１０がＩＴＯによって形成されている。下部電極１１０の上にホール注入層２０１が形成されている。ホール注入層２０１は例えば、銅フタロシアニンによって形成することが出来る。ホール輸送層２０２は例えば、テトラアリールベンジシン化合物（トリフェニルジアミン：ＴＰＤ）、芳香族三級アミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体、銅フタロシアニン誘導体等を用いることができる。 FIG. 3 is a detailed cross-sectional view showing a configuration example of the organic EL layer 200. In FIG. 3, a lower electrode 110 serving as an anode is formed of ITO on a reflective electrode. A hole injection layer 201 is formed on the lower electrode 110. The hole injection layer 201 can be formed of copper phthalocyanine, for example. The hole transport layer 202 includes, for example, a tetraarylbenzidine compound (triphenyldiamine: TPD), an aromatic tertiary amine, a hydrazone derivative, a carbazole derivative, a triazole derivative, an imidazole derivative, an oxadiazole derivative having an amino group, a polythiophene derivative, Copper phthalocyanine derivatives and the like can be used.

発光層２０３は、電子、ホールの輸送能力を有するホスト材料に、それらの再結合により蛍光もしくはりん光を発するドーパントを添加したもので共蒸着により発光層２０３として形成できるものであれば特に限定は無く、例えば、ホストとしてはトリス（８−キノリノラト）アルミニウム、ビス（８−キノリノラト）マグネシウム、ビス（ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノラト）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウムオキシド、トリス（８−キノリノラト）インジウム、トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム、８−キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−キノリノラト）カルシウム、５，７−ジクロル−８−キノリノラトアルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム、ポリ［亜鉛（II）−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリニル）メタン］のような錯体、アントラセン誘導体、カルバゾール誘導体、等であっても良い。 The light emitting layer 203 is not particularly limited as long as it can be formed as the light emitting layer 203 by co-evaporation by adding a dopant that emits fluorescence or phosphorescence by recombination to a host material having electron and hole transport capability. For example, as the host, tris (8-quinolinolato) aluminum, bis (8-quinolinolato) magnesium, bis (benzo {f} -8-quinolinolato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum oxide, tris (8-quinolinolato) indium, tris (5-methyl-8-quinolinolato) aluminum, 8-quinolinolatolithium, tris (5-chloro-8-quinolinolato) gallium, bis (5-chloro-8-quinolinolato) calcium, 5,7-dichloro-8-quinolinolato aluminum, tri (5,7-dibromo-8-hydroxyquinolinolato) aluminum, complexes such as poly [zinc (II) -bis (8-hydroxy-5-quinolinyl) methane], anthracene derivatives, carbazole derivatives, etc. Also good.

また、ドーパントとしてはホスト中で電子とホールを捉えて再結合させ発光するものであって、例えば赤ではピラン誘導体、緑ではクマリン誘導体、青ではアントラセン誘導体などの蛍光を発光する物質やもしくはイリジウム錯体、ピリジナート誘導体などりん光を発する物質であっても良い。 In addition, the dopant captures electrons and holes in the host to recombine and emits light. For example, a red light emitting substance such as a pyran derivative, a green coumarin derivative, a blue anthracene derivative, or an iridium complex. Further, a phosphorescent substance such as a pyridinate derivative may be used.

電子輸送層２０４としては電子輸送性を示し、アルカリ金属と共蒸着することにより電荷移動錯体化しやすいものであれば特に限定は無く、例えばトリス（８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４-メチル-８-キノリノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル−８−キノリノラート）−４−フェニルフェノラート−アルミニウム、ビス[２-[２-ヒドロキシフェニル]ベンゾオキサゾラート]亜鉛などの金属錯体や２−（４−ビフェニリル）−５−（４−tert−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，３−ビス[５−(ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル)−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル]ベンゼン等を用いることができる。 The electron transport layer 204 is not particularly limited as long as it exhibits electron transport properties and can be easily formed into a charge transfer complex by co-evaporation with an alkali metal. For example, tris (8-quinolinolato) aluminum, tris (4-methyl-8) -Quinolinolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) -4-phenylphenolate-aluminum, bis [2- [2-hydroxyphenyl] benzoxazolate] zinc and other metal complexes such as 2- (4- Biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, 1,3-bis [5- (p-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole -2-yl] benzene or the like can be used.

電子注入層２０５は電子輸送層２０４に用いた物質に対して電子供与性を示す材料を共蒸着して形成した、例えば、リチウム、セシウムなどのアルカリ金属、マグネシウム、カルシウムなどのアルカリ土類金属、さらには希土類金属等の金属類、あるいはそれらの酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物等から選択して電子供与性を示す物質として用いてもかまわない。 The electron injection layer 205 is formed by co-evaporating a material that exhibits an electron donating property with respect to the substance used for the electron transport layer 204, for example, an alkali metal such as lithium or cesium, an alkaline earth metal such as magnesium or calcium, Further, it may be selected from metals such as rare earth metals, or their oxides, halides, carbonates, etc. and used as a substance exhibiting electron donating properties.

上部電極２１０である陰極は、例えば、ＡｇＭｇ合金が用いられる。上部電極２１０は、合金あるいは金属等で形成する場合は、透過率を維持するためにきわめて薄く形成される。図３における各層の膜厚は、例えば、反射膜１０８は２００ｎｍ、下部電極１１０は７７ｎｍ、ホール注入層２０１は５０ｎｍ、ホール輸送層２０２は７７ｎｍ、発光層２０３は６０ｎｍ、電子輸送層２０４は１０ｎｍ、電子注入層２０５は０．７ｎｍ、上部電極２１０は５ｎｍ〜１０ｎｍである。このように、有機ＥＬ層２００、上部電極２１０等はきわめて薄く形成されるので、上部電極２１０の上に機械的な圧力が加わると有機ＥＬ層２００等が容易に破壊されてしまう。 For the cathode that is the upper electrode 210, for example, an AgMg alloy is used. When the upper electrode 210 is formed of an alloy or metal, the upper electrode 210 is formed extremely thin in order to maintain the transmittance. The thickness of each layer in FIG. 3 is, for example, 200 nm for the reflective film 108, 77 nm for the lower electrode 110, 50 nm for the hole injection layer 201, 77 nm for the hole transport layer 202, 60 nm for the light emitting layer 203, 10 nm for the electron transport layer 204, The electron injection layer 205 is 0.7 nm, and the upper electrode 210 is 5 nm to 10 nm. As described above, since the organic EL layer 200, the upper electrode 210, and the like are formed extremely thin, when the mechanical pressure is applied to the upper electrode 210, the organic EL layer 200 and the like are easily destroyed.

図２に戻り、上部電極２１０の上には、ピンホール検出層３０と封止膜４０が形成される。封止膜４０は、ＣＶＤ、スパッタリング、印刷等によって、例えばＳｉＮが１μｍ程度コーティングされる。封止膜４０はＳｉＮの他、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、ＳｉＯＮ等の単層膜またはこれらの積層膜、あるいは、これらの無機膜と樹脂を積層した構成を用いることが出来る。この封止膜４０にピンホール４５が存在すると、水分が有機ＥＬ層２００に浸入して有機ＥＬ層２００を劣化させてダークスポット２５を発生させる。したがって、封止膜４０にピンホール４５が存在する製品は出荷検査において、除去されなければならない。 Returning to FIG. 2, the pinhole detection layer 30 and the sealing film 40 are formed on the upper electrode 210. The sealing film 40 is coated with, for example, about 1 μm of SiN by CVD, sputtering, printing, or the like. As the sealing film 40, a single layer film of SiO, SiO ₂ , SiON or the like, or a laminated film thereof, or a structure in which these inorganic films and a resin are laminated can be used in addition to SiN. When the pinhole 45 is present in the sealing film 40, moisture enters the organic EL layer 200 and degrades the organic EL layer 200 to generate the dark spot 25. Therefore, a product in which the pinhole 45 exists in the sealing film 40 must be removed in the shipping inspection.

本発明においては、蒸着で形成したピンホール検出層３０が封止膜４０と上部電極２１０の間に形成されている。封止膜４０にピンホール４５が存在すると、ピンホール４５を通過した水分がピンホール検出層中のアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属と反応し、ピンホール検出層３０が直ちに変色する。したがって、工場の出荷検査時にピンホール４５の有無を検出することが出来、市場不良を防止することが出来る。図２におけるピンホール検出層３０には例えば、アルカリ金属であるＣｓが含有されている。 In the present invention, the pinhole detection layer 30 formed by vapor deposition is formed between the sealing film 40 and the upper electrode 210. When the pinhole 45 is present in the sealing film 40, the water that has passed through the pinhole 45 reacts with the alkali metal or alkaline earth metal in the pinhole detection layer, and the pinhole detection layer 30 is immediately discolored. Therefore, the presence / absence of the pinhole 45 can be detected at the time of factory shipping inspection, and market failure can be prevented. The pinhole detection layer 30 in FIG. 2 contains, for example, Cs that is an alkali metal.

この様子を図４に示す。図４（Ａ）は有機ＥＬ表示装置が完成した時点を示す断面図である。図４（Ａ）において、有機ＥＬ層２００の陰極の上にはピンホール検出層３０が形成され、その上には封止膜４０が形成されている。封止膜４０にはピンホール４５が生じている。そうするとこのピンホール４５を通して空気中の水分が浸入する。水分がピンホール検出層３０に達すると、図４（Ｂ）に示すように、ピンホール検出層３０中のＣｓが水分と反応し、ピンホール検出層３０に変色部分３５が生ずる。変色する箇所３５はピンホール４５の大きさよりも大きくなり、目視可能な大きさになる。したがって、封止膜４０中のピンホール４５の存在を工場の出荷検査において、検出することが出来る。 This is shown in FIG. FIG. 4A is a cross-sectional view showing a point in time when the organic EL display device is completed. 4A, a pinhole detection layer 30 is formed on the cathode of the organic EL layer 200, and a sealing film 40 is formed thereon. A pinhole 45 is formed in the sealing film 40. Then, moisture in the air enters through the pinhole 45. When moisture reaches the pinhole detection layer 30, Cs in the pinhole detection layer 30 reacts with moisture as shown in FIG. 4B, and a discolored portion 35 is generated in the pinhole detection layer 30. The discolored portion 35 is larger than the size of the pinhole 45 and becomes a size that can be visually observed. Therefore, the presence of the pinhole 45 in the sealing film 40 can be detected in the factory shipping inspection.

本発明の特徴は、ピンホール検出層３０を蒸着によって形成することである。蒸着で形成することによって、有機ＥＬ層２００に機械的なダメージを与えることを防止することが出来る。ピンホール検出層３０は蒸着が可能な有機材料にＣｓ等のアルカリ金属、あるいは、アルカリ土類金属をドープしたものが用いられる。有機材料は蒸着可能な材料である必要があるが、有機ＥＬ層２００を形成する材料を用いれば、簡便である。有機ＥＬ層２００は、図３と関連して説明したように、種々の材料が用いられるが、そのいずれの材料であってもよい。有機材料を主体とするピンホール検出層３０の膜厚は、本実施例では、３０ｎｍである。ピンホール検出層３０の膜厚が薄すぎるとピンホール検出感度が下がるので、１０ｎｍ以上は必要である。一方、有機材料のコスト、蒸着時間を考慮すると、ピンホール検出層３０の厚さは５０ｎｍ以下が適当である。 A feature of the present invention is that the pinhole detection layer 30 is formed by vapor deposition. By forming by vapor deposition, it is possible to prevent the organic EL layer 200 from being mechanically damaged. As the pinhole detection layer 30, an organic material that can be deposited is doped with an alkali metal such as Cs or an alkaline earth metal. The organic material needs to be a material that can be vapor-deposited, but it is easy to use a material that forms the organic EL layer 200. Various materials are used for the organic EL layer 200 as described in connection with FIG. 3, and any of these materials may be used. In the present embodiment, the film thickness of the pinhole detection layer 30 mainly composed of an organic material is 30 nm. If the pinhole detection layer 30 is too thin, the pinhole detection sensitivity is lowered, so that 10 nm or more is necessary. On the other hand, considering the cost of the organic material and the deposition time, the thickness of the pinhole detection layer 30 is suitably 50 nm or less.

ピンホール検出層３０にドープされる金属は水分との反応性が高い単体金属の状態でドープされるのが望ましい。本実施例はＣｓを有機材料中に１３ｗｔ％ドープしている。検出感度と安定性を考慮すると、ピンホール検出層３０中のＣｓの量は、１．５ｗｔ％〜６０ｗｔ％が適当である。 The metal doped in the pinhole detection layer 30 is preferably doped in the state of a single metal having high reactivity with moisture. In this embodiment, 13 wt% of Cs is doped in the organic material. Considering detection sensitivity and stability, the amount of Cs in the pinhole detection layer 30 is suitably 1.5 wt% to 60 wt%.

Ｃｓを真空蒸着する場合は、材料にＣｓ_２Ｃｏ_３（炭酸セシウム）などを用い、この蒸気を１０００℃程度に加熱したタングステンフィラメントに接触させる。タングステンフィラメントにより、Ｃｓ_２Ｃｏ_３が還元されてＣｓになり、このＣｓが有機物と共蒸着されてピンホール検出層３０のドーパントとなる。 When Cs is vacuum-deposited, Cs ₂ Co ₃ (cesium carbonate) or the like is used as a material, and this vapor is brought into contact with a tungsten filament heated to about 1000 ° C. By the tungsten filament, Cs ₂ Co ₃ is reduced to Cs, and this Cs is co-deposited with an organic substance and becomes a dopant of the pinhole detection layer 30.

このような構成によって、封止膜４０のピンホール４５を出荷検査時に発見することが出来、市場不良を防止することが出来る。以上の説明は、有機ＥＬ表示装置がトップエミッションの場合について説明したが、本構成はボトムエミッションの場合についても適用することが出来る。ボトムエミッションの場合は、上部電極２１０が反射膜１０８を兼ねるので、トップエミッションの場合よりも厚く形成されるが、それでも、厚さは３０ｎｍ程度なので、有機ＥＬ層２００の機械的な保護としての役割は無い。したがって、上部電極２１０に機械的な圧力が加わることによって有機ＥＬ層２００が破壊されるという問題はトップエミッションの場合と同様だからである。 With such a configuration, the pinhole 45 of the sealing film 40 can be found at the time of shipping inspection, and market defects can be prevented. In the above description, the case where the organic EL display device is top emission has been described. However, this configuration can also be applied to the case of bottom emission. In the case of bottom emission, since the upper electrode 210 also serves as the reflective film 108, it is formed thicker than in the case of top emission. However, since the thickness is still about 30 nm, it serves as a mechanical protection for the organic EL layer 200. There is no. Therefore, the problem that the organic EL layer 200 is destroyed by applying mechanical pressure to the upper electrode 210 is the same as in the case of top emission.

１０…ＴＦＴ回路、２０…有機ＥＬ素子、２５…ダークスポット、３０…ピンホール検出層、３５…変色部分、４０…封止膜、４５…封止膜ピンホール、５０…ＩＣドライバ、６０…フレキシブル配線基板、１００…素子基板、１０１…半導体層、１０２…ゲート絶縁膜、１０３…ゲート電極、１０４…層間絶縁膜、１０５…ＳＤ配線、１０６…無機パッシベーション膜、１０７…有機パッシベーション膜、１０８…反射膜、１０９…バンク、１１０…下部電極、２００…有機ＥＬ層、２０１…ホール注入層、２０２…ホール輸送層、２０３…発光層、２０４…電子輸送層、２０５…電子注入層、２１０…上部電極、１０１１…ソース部、１０１２…ドレイン部、１０１３…ＬＤＤ。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... TFT circuit, 20 ... Organic EL element, 25 ... Dark spot, 30 ... Pinhole detection layer, 35 ... Discolored part, 40 ... Sealing film, 45 ... Sealing film pinhole, 50 ... IC driver, 60 ... Flexible Wiring substrate, 100 ... Element substrate, 101 ... Semiconductor layer, 102 ... Gate insulating film, 103 ... Gate electrode, 104 ... Interlayer insulating film, 105 ... SD wiring, 106 ... Inorganic passivation film, 107 ... Organic passivation film, 108 ... Reflection Membrane 109 109 Bank 110 Lower electrode 200 Organic EL layer 201 Hole injection layer 202 Hole transport layer 203 Light emitting layer 204 Electron transport layer 205 Electron injection layer 210 Upper electrode 1011 ... Source part, 1012 ... Drain part, 1013 ... LDD.

Claims

An organic EL display device having a display region in which pixels having TFTs and organic EL layers sandwiched between a lower electrode and an upper electrode are arranged in a matrix,
On the upper electrode, a pinhole detection layer in which an organic material is doped with an alkali metal or an alkaline earth metal is formed by vapor deposition,
An organic EL display device, wherein a sealing film is formed on the pinhole detection layer.

The organic EL display device according to claim 1, wherein the organic material used for the organic EL layer is used as the organic material constituting the pinhole detection layer.

The organic EL display device according to claim 1, wherein the alkali metal is Cs.

The organic EL display device according to claim 3, wherein the amount of Cs present in the pinhole detection layer is 1.5 wt% to 60 wt%.

The organic EL display device according to claim 1, wherein the pinhole detection layer has a thickness of 10 nm to 50 nm.

The organic material according to claim 1, wherein the sealing film is formed of a single layer film of SiN, SiO, SiO ₂ , or SiON, or a laminated film thereof. EL display device.

6. The organic EL display according to claim 1, wherein the sealing film is formed of a resin laminated film of any one of SiN, SiO, SiO ₂ , and SiON. apparatus.