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JP2012078274A - Magnetic detection device and manufacturing method thereof - Google Patents

Magnetic detection device and manufacturing method thereof Download PDF

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JP2012078274A
JP2012078274A JP2010225506A JP2010225506A JP2012078274A JP 2012078274 A JP2012078274 A JP 2012078274A JP 2010225506 A JP2010225506 A JP 2010225506A JP 2010225506 A JP2010225506 A JP 2010225506A JP 2012078274 A JP2012078274 A JP 2012078274A
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JP
Japan
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permanent magnet
magnetic detection
lead frame
magnetic
magnetic flux
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Pending
Application number
JP2010225506A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenji Chikuan
憲治 竹菴
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Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve manufacturing efficiency of a rotation sensor.SOLUTION: Magnetoresistive elements 51 are respectively mounted on a plurality of lead frames 30 of a member 70 in which the plurality of lead frames 30 are supported by a supporting member 71. For each of the lead frames 30, the magnetoresistive element 51 and the lead frame 30 are disposed in a space of a permanent magnet 20 having a U-shaped cross section. The permanent magnet 20, the lead frame 30, and the magnetoresistive element 51 are covered by mold resin for each of the lead frames 30. Then, the plurality of lead frames 30 are respectively separated from the supporting member 71 to obtain a plurality of rotation sensors.

Description

本発明は、磁気検出装置およびその製造方法に関し、磁気検出装置として例えば歯車の回転を検出する回転センサに用いて好適なるものである。   The present invention relates to a magnetic detection device and a method for manufacturing the same, and is suitable as a magnetic detection device, for example, for a rotation sensor that detects rotation of a gear.

従来、この種のセンサにおいて、筒状に形成されて軸方向一方側をN極とし、軸方向他方側をS極とする中空円筒状の永久磁石と、この永久磁石から発生する磁束のうち永久磁石の内側を通る磁束と外側を通る磁束との接合点である磁束零点(磁束0点)付近に配置されている磁気抵抗素子とを備えたものがある(例えば、特許文献1参照)。   Conventionally, in this type of sensor, a hollow cylindrical permanent magnet that is formed in a cylindrical shape and has one axial side as an N pole and the other axial side as an S pole, and permanent magnetic flux generated from the permanent magnet. Some include a magnetoresistive element arranged near the magnetic flux zero point (magnetic flux 0 point), which is a junction point between the magnetic flux passing through the inside of the magnet and the magnetic flux passing through the outside (see, for example, Patent Document 1).

このものにおいては、センサの軸方向一方側に配置されて磁性体からなる平歯車が回転して平歯車の谷部がセンサから遠ざかり平歯車の山部がセンサに近づいたとき、或いは平歯車の山部がセンサから遠ざかり平歯車の谷部がセンサに近づいたとき、磁束密度の分布が変化して零磁束点が移動し、磁気抵抗素子により検出される磁束密度が変化することを利用して、平歯車の回転を検出するようにしている。   In this case, when the spur gear made of a magnetic material arranged on one side in the axial direction of the sensor rotates and the spur gear trough moves away from the sensor and the spur gear crest approaches the sensor, or the spur gear Using the fact that when the peak part moves away from the sensor and the valley part of the spur gear approaches the sensor, the distribution of the magnetic flux density changes, the zero magnetic flux point moves, and the magnetic flux density detected by the magnetoresistive element changes. The rotation of the spur gear is detected.

特開昭54−138457号公報JP 54-138457 A

本発明者は、特許文献1において、複数の電気配線を構成するリードフレーム上に磁気抵抗素子を搭載して、この磁気抵抗素子とともにリードフレームを永久磁石の中空部内に入れてセンサを構成することを検討した。   In the patent document 1, the inventor mounts a magnetoresistive element on a lead frame constituting a plurality of electric wirings, and configures the sensor by putting the lead frame into a hollow portion of a permanent magnet together with the magnetoresistive element. It was investigated.

この検討によれば、複数のセンサを製造するために複数のリードフレームが支持部材により支持されている部材(図6参照)を用いた場合に、この部材からリードフレームを1ピース分カット後、この1ピース分のリードフレームにテープを貼り付けてリードフレームが複数の電気配線に分解しないようにしたものを永久磁石の中空部内に入れる必要がある。このため、センサを製造する上で手間がかかり、製造効率が低いという問題があった。   According to this study, when a member (see FIG. 6) in which a plurality of lead frames are supported by a support member is used to manufacture a plurality of sensors, the lead frame is cut by one piece from this member, It is necessary to put in the hollow part of the permanent magnet a tape that is attached to the lead frame for one piece so that the lead frame is not disassembled into a plurality of electric wires. For this reason, there is a problem in that it takes time and effort to manufacture the sensor and the manufacturing efficiency is low.

本発明は上記点に鑑みて、製造効率を向上するようにした磁気検出装置の製造方法、および磁気検出装置を提供することを目的とする。   In view of the above points, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a magnetic detection device and a magnetic detection device that improve manufacturing efficiency.

上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、N極とS極とを結ぶ第1の方向とこの第1の方向に直交する第2の方向とに広がる第1の内壁面(22a、23a)と、前記第1、第2の方向に対して直交する第3の方向に空所(24)を介して対向する第2の内壁面(22a、23a)とを少なくとも有する永久磁石(20)の空所(24)内に配置され、被検出対象(80)の運動によって生じる磁界の変化を検出する磁気検出素子(51)を有し、
前記空所(24)が前記第2の方向に解放されている磁気検出装置の製造方法であって、
複数のリードフレーム(30)と、前記複数のリードフレームを一括して支持する支持部材(71)とを有するリード部材を用意し、前記リード部材のうち前記複数のリードフレーム(30)に対して前記磁気検出素子(51)をそれぞれ搭載する素子搭載工程(S100)と、
前記リードフレーム(30)毎に、前記リードフレームに搭載された前記磁気検出素子(51)を前記永久磁石(20)の空所(24)内に、前記空所が解放された前記第2の方向から収容する収容工程(S130)と、
前記リードフレーム(30)毎に、前記永久磁石(20)、前記リードフレーム(30)、および前記磁気検出素子(51)をモールド樹脂によって封止するモールド工程(S150)と、
前記支持部材(71)から前記複数のリードフレーム(30)をそれぞれ分離して複数の磁気検出装置を得る分離工程(S160)と、を備えることを特徴とする。
In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, a first inner wall surface (in a first direction connecting the N pole and the S pole and a second direction orthogonal to the first direction) 22a, 23a) and a permanent magnet having at least a second inner wall surface (22a, 23a) facing a third direction orthogonal to the first and second directions via a space (24) A magnetic detection element (51) which is disposed in the void (24) of (20) and detects a change in the magnetic field caused by the movement of the detection target (80);
A method of manufacturing a magnetic sensing device in which the void (24) is released in the second direction,
A lead member having a plurality of lead frames (30) and a support member (71) for collectively supporting the plurality of lead frames is prepared, and the lead members out of the lead members (30) are prepared. An element mounting step (S100) for mounting each of the magnetic detection elements (51);
For each lead frame (30), the magnetic detection element (51) mounted on the lead frame is placed in the space (24) of the permanent magnet (20), and the second space where the space is released. A housing step (S130) for housing from the direction;
For each lead frame (30), a molding step (S150) for sealing the permanent magnet (20), the lead frame (30), and the magnetic detection element (51) with a molding resin;
Separating the plurality of lead frames (30) from the support member (71) to obtain a plurality of magnetic detection devices (S160).

この発明によれば、空所(24)が第2の方向に解放されている。このため、第2の工程(S130)において、複数のリードフレーム(30)が支持部材(71)により支持された状態で、リードフレーム毎に磁気検出素子(51)およびリードフレームを永久磁石の空所(24)内に第2の方向から配置することができる。このため、第2の工程(S130)において、複数のリードフレーム(30)を支持部材(71)により支持してなる部材からリードフレームを1ピース分カットする必要が無くなる。これに伴い、1ピース分のリードフレームにテープを貼り付けてリードフレームが複数の電気配線に分解しないようにする必要もない。このため、センサを製造する上で手間を省くことができる。よって、磁気検出装置の製造効率を向上することができる。   According to the invention, the void (24) is released in the second direction. For this reason, in the second step (S130), in a state where the plurality of lead frames (30) are supported by the support member (71), the magnetic detection element (51) and the lead frame are emptied of permanent magnets for each lead frame. It can be arranged in the location (24) from the second direction. For this reason, in the second step (S130), it is not necessary to cut one piece of the lead frame from a member formed by supporting the plurality of lead frames (30) by the support member (71). Accordingly, it is not necessary to attach the tape to the lead frame for one piece so that the lead frame is not disassembled into a plurality of electric wires. For this reason, labor can be saved in manufacturing the sensor. Therefore, the manufacturing efficiency of the magnetic detection device can be improved.

請求項2に記載の発明では、前記永久磁石は、前記第1の内壁面(22a)を有して前記第1の方向に伸びるように形成されている第1の側部(22)と、前記第2の内壁面(23a)を有して前記第1の方向に伸びるように形成されている第2の側部(23)と、前記第1、第2の側部(22、23)の間を接続する接続部(21)とを備え、
前記第2の工程(S130)では、前記リードフレーム(30)毎に前記磁気検出素子(51)および前記リードフレーム(30)を前記永久磁石(20)の空所(24)内に前記第2の方向から配置して前記リードフレーム(30)を前記接続部(21)上に配置することを特徴とする。
In the invention according to claim 2, the permanent magnet has the first inner wall surface (22 a) and has a first side portion (22) formed to extend in the first direction; A second side portion (23) having the second inner wall surface (23a) and extending in the first direction; and the first and second side portions (22, 23). And a connecting portion (21) for connecting between the two,
In the second step (S130), the magnetic detection element (51) and the lead frame (30) are placed in the space (24) of the permanent magnet (20) for each lead frame (30). The lead frame (30) is arranged on the connecting portion (21) in such a manner as to be arranged from the direction.

これにより、リードフレームを接続部(21)上に配置することにより、リードフレームにおける第2の方向の位置を決めることができる。   Thereby, the position of the second direction in the lead frame can be determined by arranging the lead frame on the connecting portion (21).

請求項3に記載の発明では、前記接続部(21)は、前記第1、第2の側部(22、23)の間を前記第1の方向に亘って接続するように形成されていることを特徴とする。   In the invention according to claim 3, the connecting portion (21) is formed so as to connect the first and second side portions (22, 23) across the first direction. It is characterized by that.

請求項4に記載の発明では、前記接続部(21)は、前記第1、第2の側部(22、23)の間で前記第3の方向に伸びるように形成されていることを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, the connecting portion (21) is formed to extend in the third direction between the first and second side portions (22, 23). And

請求項5に記載の発明では、前記支持部材(71)は、前記複数のリードフレーム(30)に対して前記第1の方向から支持するものであることを特徴とする請求項3または4に記載の磁気検出装置の製造方法。   The invention according to claim 5 is characterized in that the support member (71) supports the plurality of lead frames (30) from the first direction. The manufacturing method of the magnetic detection apparatus of description.

請求項6に記載の発明では、請求項1に記載の永久磁石は、第1、第2の永久磁石(22A、23A)とから構成されており、
前記第1、第2の永久磁石のうち一方の永久磁石が、前記第1、第2の内壁面(22a、23a)のうち一方の内壁面を構成し、他方の永久磁石が他方の内壁面を構成することを特徴とする。
In invention of Claim 6, the permanent magnet of Claim 1 is comprised from the 1st, 2nd permanent magnet (22A, 23A),
One of the first and second permanent magnets constitutes one inner wall surface of the first and second inner wall surfaces (22a, 23a), and the other permanent magnet is the other inner wall surface. It is characterized by comprising.

請求項7に記載の発明では、前記磁気検出素子(51)は、前記永久磁石(20)から発生する磁束のうち前記空所(24)内を通る磁束と前記空所(24)の外側を通る磁束とが接合される磁束零部位或いはその近傍に配置されることを特徴とする。   In the invention according to claim 7, the magnetic detection element (51) includes a magnetic flux generated from the permanent magnet (20) passing through the space (24) and outside the space (24). It is characterized by being arranged at or near the magnetic flux zero part where the passing magnetic flux is joined.

請求項8に記載の発明では、前記磁気検出素子は、前記永久磁石における前記第3の方向の中心線と前記磁束零部位とが交差する部位に配置されていることを特徴とする。   The invention according to claim 8 is characterized in that the magnetic detection element is disposed at a portion where the center line of the third direction of the permanent magnet intersects the zero magnetic flux portion.

請求項9に記載の発明では、第1の方向とこの第1の方向に直交する第2の方向とに広がる第1の内壁面(22a、23a)と、前記第1の内壁面に対して前記第1、第2の方向に対して直交する第3の方向に空所(24)を介して対向する第2の内壁面(22a、23a)とを少なくとも有する永久磁石(20)であって、前記第1の方向の一方側がN極であり、他方側がS極であり、前記空所が前記第2の方向に解放されている前記永久磁石(20)と、
前記空所(24)内に配置されたリードフレーム(30)と、
前記空所(24)内において前記リードフレーム(30)上に搭載され、前記永久磁石(20)から発生する磁束のうち前記空所(24)内を通る磁束と前記空所(24)の外側を通る磁束とが接合される磁束零部位或いはその近傍に配置され、被検出対象の運動によって生じる磁界の変化を検出する磁気検出素子(51)と、
前記永久磁石(20)、前記リードフレーム(30)、および前記磁気検出素子(51)を保護するために、前記永久磁石(20)、前記リードフレーム(30)、および前記磁気検出素子(51)を覆う被覆部材(10)と、を備えることを特徴とする。
In the invention according to claim 9, with respect to the first inner wall surface (22a, 23a) extending in the first direction and the second direction orthogonal to the first direction, and the first inner wall surface A permanent magnet (20) having at least a second inner wall surface (22a, 23a) facing through a space (24) in a third direction orthogonal to the first and second directions. The permanent magnet (20), wherein one side of the first direction is an N pole, the other side is an S pole, and the void is released in the second direction;
A lead frame (30) disposed in the void (24);
The magnetic flux mounted on the lead frame (30) in the void (24) and passing through the void (24) out of the magnetic flux generated from the permanent magnet (20) and the outside of the void (24). A magnetic detecting element (51) for detecting a change in a magnetic field caused by a motion of a detection target, disposed at or near a magnetic flux zero portion where a magnetic flux passing through
In order to protect the permanent magnet (20), the lead frame (30), and the magnetic detection element (51), the permanent magnet (20), the lead frame (30), and the magnetic detection element (51) The covering member (10) which covers is characterized by the above-mentioned.

請求項10に記載の発明では、前記永久磁石は、前記第1の内壁面(22a)を有して前記第1の方向に伸びるように形成されている第1の側部(22)と、前記第2の内壁面(23a)を有して前記第1の方向に伸びるように形成されている第2の側部(23)と、前記第1、第2の側部(22、23)の間を接続する接続部(21)とを備えことを特徴とする。   In the invention described in claim 10, the permanent magnet has the first inner wall surface (22a) and has a first side portion (22) formed to extend in the first direction; A second side portion (23) having the second inner wall surface (23a) and extending in the first direction; and the first and second side portions (22, 23). And a connection part (21) for connecting the two.

請求項11に記載の発明では、前記接続部(21)は、前記第1、第2の側部(22、23)の間を前記第1の方向に亘って接続するように形成されていることを特徴とする。   In the invention according to claim 11, the connecting portion (21) is formed so as to connect the first and second side portions (22, 23) in the first direction. It is characterized by that.

請求項12に記載の発明では、前記接続部(21)は、前記リードフレーム(30)に対して前記第2の方向の位置決めを行うことを特徴とする。   The invention according to claim 12 is characterized in that the connecting portion (21) performs positioning in the second direction with respect to the lead frame (30).

請求項13に記載の発明では、前記接続部(21)は、前記第1、第2の側部(22、23)の間で前記第3の方向に伸びるように形成されていることを特徴とする。   The invention according to claim 13 is characterized in that the connecting portion (21) is formed to extend in the third direction between the first and second side portions (22, 23). And

請求項14に記載の発明では、請求項1に記載の永久磁石は、第1、第2の永久磁石とから構成されており、
前記第1、第2の永久磁石のうち一方の永久磁石が、前記第1、第2の内壁面(22a、23a)のうち一方の内壁面を構成し、他方の永久磁石が他方の内壁面を構成することを特徴とする。
In invention of Claim 14, the permanent magnet of Claim 1 is comprised from the 1st, 2nd permanent magnet,
One of the first and second permanent magnets constitutes one inner wall surface of the first and second inner wall surfaces (22a, 23a), and the other permanent magnet is the other inner wall surface. It is characterized by comprising.

請求項15に記載の発明では、前記磁束零部位は、前記空所(24)内を通る磁束が生じる第1の領域と前記空所(24)の外側を通る磁束が生じる第2の領域との間の境界であることを特徴とする。   In the invention according to claim 15, the zero magnetic flux portion includes a first region where a magnetic flux passing through the void (24) is generated and a second region where a magnetic flux passing outside the void (24) is generated. It is the boundary between.

請求項16に記載の発明では、前記磁気検出素子は、前記永久磁石における前記第3の方向の中心線と前記磁束零部位とが交差する部位に配置されていることを特徴とする。   The invention according to claim 16 is characterized in that the magnetic detection element is arranged at a portion where the center line of the third direction of the permanent magnet intersects the zero magnetic flux portion.

なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in this column and the claim shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.

本発明の一実施形態における回転センサの上面図および正面図である。It is the upper side figure and front view of a rotation sensor in one embodiment of the present invention. 図1の回転センサのうち板状被覆部材を除いた状態における上面図および正面図である。It is the top view and front view in the state which excluded the plate-shaped coating | coated member among the rotation sensors of FIG. 図2の永久磁石単体の上面図および正面図である。FIG. 3 is a top view and a front view of the permanent magnet alone in FIG. 2. 図2の永久磁石に対する磁気抵抗素子の位置を模式的示す上面図および正面図である。It is the top view and front view which show typically the position of the magnetoresistive element with respect to the permanent magnet of FIG. 図1の回転センサの組立工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the assembly process of the rotation sensor of FIG. 図5の組立工程で用いる部材で複数のリードフレームから構成されているものを示す図である。It is a figure which shows what is comprised from the some lead frame by the member used by the assembly process of FIG. 図5の組立工程の内容を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the content of the assembly process of FIG. 図5の組立工程の内容を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the content of the assembly process of FIG. 図5の組立工程の内容を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the content of the assembly process of FIG. 図1の回転センサによる平歯車の回転の検出を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the detection of rotation of the spur gear by the rotation sensor of FIG. 図1の磁気抵抗素子の感度と検出磁束密度との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the sensitivity of the magnetoresistive element of FIG. 1, and a detected magnetic flux density. 図1の回転センサを用いて平歯車の回転を検出するための回転検出回路100の電気回路構成を示す図である。It is a figure which shows the electric circuit structure of the rotation detection circuit 100 for detecting rotation of a spur gear using the rotation sensor of FIG. 本発明の一実施形態の第1の変形例の永久磁石の上面図および正面図である。It is the top view and front view of the permanent magnet of the 1st modification of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の第2の変形例の永久磁石の上面図および正面図である。It is the upper side figure and front view of the permanent magnet of the 2nd modification of one Embodiment of this invention.

以下、図1、図2、図3を参照して本発明の磁気検出装置が適用された回転センサ1の一実施形態について説明する。図1(a)は回転センサ1の上面図、図1(b)は回転センサ1の正面図である。   Hereinafter, an embodiment of the rotation sensor 1 to which the magnetic detection device of the present invention is applied will be described with reference to FIGS. 1, 2, and 3. FIG. 1A is a top view of the rotation sensor 1, and FIG. 1B is a front view of the rotation sensor 1.

本実施形態の回転センサ1は、平歯車の回転を検出するためのセンサである。具体的には、回転センサ1は、モールドICを構成するものであって、図1(a)、(b)に示すように、長方形の板状被覆部材10と、この板状被覆部材10から突出するように形成されている端子11、12、13、14とから構成されている。   The rotation sensor 1 of this embodiment is a sensor for detecting the rotation of a spur gear. Specifically, the rotation sensor 1 constitutes a mold IC. As shown in FIGS. 1A and 1B, the rotation sensor 1 includes a rectangular plate-shaped covering member 10 and the plate-shaped covering member 10. It is comprised from the terminal 11, 12, 13, 14 formed so that it may protrude.

図2(a)、(b)に回転センサ1のうち板状被覆部材10を除いたものを示す。図2(a)は図1(a)に対応する上面図、図2(b)は図1(b)に対応する正面図である。   2A and 2B show the rotation sensor 1 excluding the plate-like covering member 10. 2A is a top view corresponding to FIG. 1A, and FIG. 2B is a front view corresponding to FIG.

回転センサ1は、永久磁石20、リードフレーム30、コンデンサ40、41、およびMR素子チップ50とから構成されている。   The rotation sensor 1 includes a permanent magnet 20, a lead frame 30, capacitors 40 and 41, and an MR element chip 50.

図3(a)、(b)は永久磁石20の単体を示すもので、図3(a)は上面図、図3(b)の正面図である。   3 (a) and 3 (b) show a single unit of the permanent magnet 20, FIG. 3 (a) is a top view, and FIG. 3 (b) is a front view.

永久磁石20は、図3(a)、(b)に示すように、断面U字状に形成されたもので、板状底部21と、側部22、23とから構成されている。側部22、23は、角柱状に形成されて、底部21の上面21aからそれぞれ突出するように形成されている。すなわち、永久磁石20は、側部22、23の間を第1の方向に亘って板状底部(接続部)21により接続した形状になっている。   As shown in FIGS. 3A and 3B, the permanent magnet 20 is formed in a U-shaped cross section, and includes a plate-shaped bottom portion 21 and side portions 22 and 23. The side parts 22 and 23 are formed in a prismatic shape, and are formed so as to protrude from the upper surface 21a of the bottom part 21, respectively. That is, the permanent magnet 20 has a shape in which the side portions 22 and 23 are connected by the plate-shaped bottom portion (connecting portion) 21 in the first direction.

側部22、23は、それぞれ、第1の方向に伸びるように形成されている。側部22は、板状底部21の上面21aに対して直交するように形成されている内壁面22aを有している。側部23は、板状底部21の上面21aに対して直交するように形成されている内壁面23aを有している。内壁面22a、23aは、それぞれ、第1、第2の方向にそれぞれ広がるように形成されている。第2の方向は、第1の方向に直交する方向である。   The side portions 22 and 23 are each formed to extend in the first direction. The side portion 22 has an inner wall surface 22 a formed so as to be orthogonal to the upper surface 21 a of the plate-like bottom portion 21. The side portion 23 has an inner wall surface 23 a formed so as to be orthogonal to the upper surface 21 a of the plate-like bottom portion 21. The inner wall surfaces 22a and 23a are formed so as to spread in the first and second directions, respectively. The second direction is a direction orthogonal to the first direction.

内壁面22aは、内壁面23aに対して第3の方向に配置され、内壁面22a、23aは、第1の方向(図3(b)参照)に亘って空所24を介して対向している。第3の方向は、第1、第2の方向とのそれぞれに直交する方向である。このことにより、内壁面22a、23aは、空所24から第2の方向(図3(a)参照)に開口する開口部を構成している。すなわち、永久磁石20の空所24は、第2の方向に解放されている。   The inner wall surface 22a is arranged in the third direction with respect to the inner wall surface 23a, and the inner wall surfaces 22a and 23a are opposed to each other through the space 24 in the first direction (see FIG. 3B). Yes. The third direction is a direction orthogonal to each of the first and second directions. Thus, the inner wall surfaces 22a and 23a constitute an opening that opens from the space 24 in the second direction (see FIG. 3A). That is, the void 24 of the permanent magnet 20 is released in the second direction.

側部22のうち第1の方向の一方側(図3(b)中上側)は、第1の方向に亘って内壁面23a側に突出する突出部22bが形成されている。側部23のうち第1の方向の一方側(図3(b)中上側)は、第1の方向に亘って内壁面22a側に突出する突出部23bが形成されている。突出部22b、23bは、後述する零磁束部位となる位置を第1の方向の一方側(図3(b)中上側)に移動させるために設けられたものである。   One side of the side portion 22 in the first direction (upper side in FIG. 3B) is formed with a protruding portion 22b that protrudes toward the inner wall surface 23a in the first direction. One side of the side portion 23 in the first direction (upper side in FIG. 3B) is formed with a protruding portion 23b that protrudes toward the inner wall surface 22a in the first direction. The protrusions 22b and 23b are provided to move a position to be a zero magnetic flux portion to be described later to one side in the first direction (upper side in FIG. 3B).

本実施形態の永久磁石20では、第1の方向の一方側(図3中上側)をN極とし、第1の方向の他方側(図3中下側)をS極とするものである。   In the permanent magnet 20 of this embodiment, one side in the first direction (upper side in FIG. 3) is an N pole, and the other side in the first direction (lower side in FIG. 3) is an S pole.

図2のリードフレーム30は、金属製薄板部材から構成されるもので、永久磁石20の内壁面22a、23aの間に配置されている。リードフレーム30は、電気配線31、32、33、34、および四角形の支持部材35から構成されている。支持部材35は、側部22の突出部22bと側部23の突出部23bとの間に配置されている。電気配線31、32、33、34は、支持部材35に対して第1の方向の他方側(図2中下側)に配置されている。電気配線31、32、33、34のうち第1の方向の他方側は、永久磁石20の空所24から第1の方向の他方側に突出している。電気配線31、32、33、34のうち第1の方向の他方側(図3中下側)は、上述した端子11、12、13、14を構成している。コンデンサ40、41は、リードフレーム30に接続されて、それぞれ、フィルタ回路を構成している。MR素子チップ50は、リードフレーム30の支持部材35上に搭載されている。   The lead frame 30 in FIG. 2 is composed of a thin metal plate member, and is disposed between the inner wall surfaces 22 a and 23 a of the permanent magnet 20. The lead frame 30 is composed of electrical wires 31, 32, 33, 34 and a rectangular support member 35. The support member 35 is disposed between the protruding portion 22 b of the side portion 22 and the protruding portion 23 b of the side portion 23. The electrical wires 31, 32, 33, and 34 are arranged on the other side (lower side in FIG. 2) in the first direction with respect to the support member 35. The other side in the first direction among the electrical wirings 31, 32, 33, 34 protrudes from the space 24 of the permanent magnet 20 to the other side in the first direction. The other side (the lower side in FIG. 3) in the first direction among the electrical wirings 31, 32, 33, and 34 constitutes the terminals 11, 12, 13, and 14 described above. Capacitors 40 and 41 are connected to the lead frame 30 to form a filter circuit. The MR element chip 50 is mounted on the support member 35 of the lead frame 30.

MR素子チップ50は、磁気抵抗素子51をシリコン基板(図示省略)上に配置してなるセンサチップである。シリコン基板における磁気抵抗素子51の位置は予め決められている。つまり、MR素子チップ50のうち磁気抵抗素子51の位置は予め決められている。磁気抵抗素子51は、磁界を検出する磁気検出素子を構成するもので、磁束密度が大きくなるほど抵抗値が大きくなり、磁束密度が小さくなるほど抵抗値が小さくなるMR素子である。   The MR element chip 50 is a sensor chip in which a magnetoresistive element 51 is disposed on a silicon substrate (not shown). The position of the magnetoresistive element 51 on the silicon substrate is determined in advance. That is, the position of the magnetoresistive element 51 in the MR element chip 50 is determined in advance. The magnetoresistive element 51 constitutes a magnetic detection element that detects a magnetic field, and is an MR element that increases in resistance value as the magnetic flux density increases and decreases in resistance value as the magnetic flux density decreases.

磁気抵抗素子51は、図4に示すように、永久磁石20の空所24内に位置する。図4は、永久磁石20に対する磁気抵抗素子51の位置を模式的に示すもので、永久磁石20および磁気抵抗素子51以外の部材を省略している。   As shown in FIG. 4, the magnetoresistive element 51 is located in the void 24 of the permanent magnet 20. FIG. 4 schematically shows the position of the magnetoresistive element 51 with respect to the permanent magnet 20, and members other than the permanent magnet 20 and the magnetoresistive element 51 are omitted.

磁気抵抗素子51は、永久磁石20の第3の方向の中央部で、かつオープンフラックスの状態で磁束零点となる位置に配置されている。図において磁気抵抗素子51が永久磁石20の第3の方向の中心線Sに重なっている。図中の太い線Hは、オープンフラックスの状態で磁束零点となる部位を示している。オープンフラックスの状態とは、永久磁石20の周囲に磁性体が存在しなく、永久磁石20単独で永久磁石20から発生する磁束が測定される状態のことである。磁束零点とは、永久磁石20から発生する磁束のうち空所24の外側を通る磁束Aと空所24内を通る磁束Bとが接合される部位である。つまり、磁束零点とは、磁束Aが生じる第1の領域と磁束Bが生じる第2の領域との間の境界である。本実施形態のMR素子チップ50とリードフレーム30との間は、図2に示すように、複数本の金属線60で接続されている。本実施形態では、6本の金属線60が用いられている。   The magnetoresistive element 51 is disposed at the center of the permanent magnet 20 in the third direction and at the position where the magnetic flux is zero in the open flux state. In the figure, the magnetoresistive element 51 overlaps the center line S of the permanent magnet 20 in the third direction. A thick line H in the figure indicates a portion that becomes a magnetic flux zero in an open flux state. The state of the open flux is a state in which there is no magnetic body around the permanent magnet 20 and the magnetic flux generated from the permanent magnet 20 is measured by the permanent magnet 20 alone. The magnetic flux zero point is a portion where magnetic flux A passing outside the void 24 and magnetic flux B passing inside the void 24 of the magnetic flux generated from the permanent magnet 20 are joined. That is, the magnetic flux zero point is a boundary between the first region where the magnetic flux A is generated and the second region where the magnetic flux B is generated. The MR element chip 50 and the lead frame 30 of this embodiment are connected by a plurality of metal wires 60 as shown in FIG. In the present embodiment, six metal wires 60 are used.

次に、本実施形態の回転センサ1の組立工程の説明として、複数の回転センサ1を組み立てる具体例について説明する。図5は回転センサ1の組立工程を示すフローチャートである。   Next, a specific example of assembling a plurality of rotation sensors 1 will be described as an explanation of the assembly process of the rotation sensor 1 of the present embodiment. FIG. 5 is a flowchart showing an assembly process of the rotation sensor 1.

まず、永久磁石20、コンデンサ40、41、およびMR素子チップ50をそれぞれ複数ずつ用意する。   First, a plurality of permanent magnets 20, capacitors 40 and 41, and MR element chips 50 are prepared.

次に、図5のステップS100の工程(素子搭載工程)において、図6に示すように、複数のリードフレーム30が支持部材71により支持されて構成されている部材70を用意する。部材70は、複数のリードフレーム30を一括で支持する支持部材71を有するリード部材70である。図6中の部材70は、一列に並べられた3個のリードフレーム30がそれぞれタイバー72a、72b、72c、72d、72eを介して支持部材71により支持されている。支持部材71は、帯状部材71a、71bから構成されている。帯状部材71aは3個のリードフレーム30を第1の方向の一方側(図6中上側)から支持し、帯状部材71bは3個のリードフレーム30を第1の方向の他方側(図6中下側)から支持している。   Next, in the process of step S100 in FIG. 5 (element mounting process), as shown in FIG. 6, a member 70 in which a plurality of lead frames 30 are supported by a support member 71 is prepared. The member 70 is a lead member 70 having a support member 71 that collectively supports a plurality of lead frames 30. In the member 70 in FIG. 6, three lead frames 30 arranged in a row are supported by a support member 71 via tie bars 72a, 72b, 72c, 72d, and 72e, respectively. The support member 71 is composed of strip members 71a and 71b. The strip member 71a supports the three lead frames 30 from one side in the first direction (upper side in FIG. 6), and the strip member 71b supports the three lead frames 30 in the other side in the first direction (in FIG. 6). Support from the bottom.

さらに、複数のリードフレーム30に対してMR素子チップ50(図中チップと記す)およびコンデンサ40、41をリードフレーム30毎にマウントする。すなわち、リードフレーム30毎にリードフレーム30に対してMR素子チップ50およびコンデンサ40、41を搭載する。このとき、リードフレーム30に対して、コンデンサ40、41、MR素子チップ50を導電性接着剤により接着する。その後、次のステップS110の工程において、導電性接着剤を硬化して、リードフレーム30に対してコンデンサ40、41、MR素子チップ50を固定する。   Further, MR element chips 50 (referred to as chips in the figure) and capacitors 40 and 41 are mounted for each lead frame 30 on a plurality of lead frames 30. That is, the MR element chip 50 and the capacitors 40 and 41 are mounted on the lead frame 30 for each lead frame 30. At this time, the capacitors 40 and 41 and the MR element chip 50 are bonded to the lead frame 30 with a conductive adhesive. Thereafter, in the next step S <b> 110, the conductive adhesive is cured, and the capacitors 40 and 41 and the MR element chip 50 are fixed to the lead frame 30.

次のステップS120の工程において、ワイヤボンディングによりMR素子チップ50とリードフレーム30との間を接合する。図7では、MR素子チップ50とリードフレーム30との間が6本の金属線60で接合されている例を示している。   In the next step S120, the MR element chip 50 and the lead frame 30 are joined by wire bonding. FIG. 7 shows an example in which the MR element chip 50 and the lead frame 30 are joined by six metal wires 60.

次のステップS130の工程(収容工程)において、リードフレーム30毎にリードフレーム30を永久磁石20に対してマウントする。具体的には、リードフレーム30毎に永久磁石20の空所24内にリードフレーム30を第2の方向から入れて永久磁石20の底部21の上面21a(図2(a)参照)上にリードフレーム30を配置する(図8参照)。つまり、リードフレーム30毎に、リードフレーム30に搭載されたMR素子チップ50を、永久磁石20の空所24内に、この空所24が解放された第2の方向から収容する。このとき、上面21aと反対側にMR素子チップ50、およびコンデンサ40、41が位置するようにリードフレーム30を配置する。   In the next step S <b> 130 (accommodating step), the lead frame 30 is mounted on the permanent magnet 20 for each lead frame 30. Specifically, the lead frame 30 is inserted into the space 24 of the permanent magnet 20 for each lead frame 30 from the second direction, and the lead is placed on the upper surface 21a of the bottom 21 of the permanent magnet 20 (see FIG. 2A). The frame 30 is disposed (see FIG. 8). That is, for each lead frame 30, the MR element chip 50 mounted on the lead frame 30 is accommodated in the space 24 of the permanent magnet 20 from the second direction in which the space 24 is released. At this time, the lead frame 30 is arranged so that the MR element chip 50 and the capacitors 40 and 41 are located on the side opposite to the upper surface 21a.

ここで、リードフレーム30に対する永久磁石20の位置をリードフレーム30毎に調整することにより、永久磁石20に対する磁気抵抗素子51の位置を所定位置に設定する。所定位置は、上述のように、永久磁石20の第2の方向の中央部で、かつオープンフラックスの状態で磁束零点となる位置である。そして、リードフレーム30毎に永久磁石20の上面21aに対してリードフレーム30を接着剤により接着する。次のステップS140の工程において、接着剤を硬化する。   Here, the position of the magnetoresistive element 51 with respect to the permanent magnet 20 is set to a predetermined position by adjusting the position of the permanent magnet 20 with respect to the lead frame 30 for each lead frame 30. As described above, the predetermined position is a position that is the central portion of the permanent magnet 20 in the second direction and is the magnetic flux zero point in an open flux state. Then, the lead frame 30 is bonded to the upper surface 21a of the permanent magnet 20 for each lead frame 30 with an adhesive. In the next step S140, the adhesive is cured.

次のステップS150の工程(モールド工程)において、リードフレーム30毎にエポキシ樹脂を用いてモールド成形により板状被覆部材10を成形する(図9参照)。つまり、リードフレーム30毎に、リードフレーム30、永久磁石20、および磁気抵抗素子51をエポキシ樹脂(モールド樹脂)により封止することになる。
次のステップS160の工程(分離工程)において、リードフレーム30毎にタイバー72a、72b、72c、72d、72eをカットする。このことにより、支持部材71から複数のリードフレーム30が切り離されて、複数の回転センサ1が成形されることになる。つまり、支持部材71から複数のリードフレーム30を分離して複数の回転センサ1を得ることになる。
In the process of the next step S150 (molding process), the plate-shaped covering member 10 is molded by molding using an epoxy resin for each lead frame 30 (see FIG. 9). That is, for each lead frame 30, the lead frame 30, the permanent magnet 20, and the magnetoresistive element 51 are sealed with epoxy resin (mold resin).
In the next step S160 (separation step), the tie bars 72a, 72b, 72c, 72d, 72e are cut for each lead frame 30. As a result, the plurality of lead frames 30 are separated from the support member 71, and the plurality of rotation sensors 1 are formed. That is, the plurality of lead frames 30 are separated from the support member 71 to obtain the plurality of rotation sensors 1.

次に、本実施形態の回転センサ1の作動として、磁性体からなる平歯車の回転を回転センサ1により検出する具体例について図10を用いて説明する。図10(a)、(c)は、回転センサ1に対して第1の方向一方側(図中上側)に検出対象としての平歯車80を配置した具体例を示している。図10(a)は平歯車80の谷部81(凹部)が回転センサ1に対向している状態を示している。   Next, as an operation of the rotation sensor 1 of the present embodiment, a specific example in which the rotation sensor 1 detects the rotation of the spur gear made of a magnetic material will be described with reference to FIG. FIGS. 10A and 10C show specific examples in which a spur gear 80 as a detection target is arranged on one side in the first direction (upper side in the drawing) with respect to the rotation sensor 1. FIG. 10A shows a state where the valley 81 (concave portion) of the spur gear 80 faces the rotation sensor 1.

図10(b)は図10(a)中の回転センサ1中のX部分(具体的には磁気抵抗素子51の周辺領域)の磁束密度(磁力)の分布を示すグラフであって、図中符号Kは磁気抵抗素子51の位置を示している。図10(b)中の上側端部(矢印D参照)が永久磁石20第1の方向一方側の端部25(図3参照)に対応し、図10(b)中の左右方向は図10(a)中の第2の方向に対応し、図10(b)中の上下方向は図10(a)、(c)中の第1の方向に対応している。   FIG. 10B is a graph showing the distribution of magnetic flux density (magnetic force) in the X portion (specifically, the peripheral region of the magnetoresistive element 51) in the rotation sensor 1 in FIG. Reference symbol K indicates the position of the magnetoresistive element 51. The upper end portion (see arrow D) in FIG. 10B corresponds to the end portion 25 (see FIG. 3) on one side in the first direction of the permanent magnet 20, and the left-right direction in FIG. Corresponding to the second direction in (a), the vertical direction in FIG. 10 (b) corresponds to the first direction in FIG. 10 (a), (c).

平歯車80の谷部81が回転センサ1に対向している場合において、谷部81の深さ(図10中符号h参照)が十分大きいときには、回転センサ1中のX部分の磁束密度(磁力)の分布は、回転センサ1に対して第1の方向一方側に平歯車80が存在しない状態とほぼ同様の状態になる。つまり、平歯車80の谷部81が回転センサ1に対向している場合には、上述のオープンフラックスの状態と同様、磁束零点となる位置(図中太い線F参照)と磁気抵抗素子51とが重なることになる。このことにより、磁気抵抗素子51で検出される磁束密度(磁力)は零となり、磁気抵抗素子51の抵抗値は零となる。これに伴い、磁気抵抗素子51の感度は、零(図11中G参照)となる。磁気抵抗素子51の感度は、磁気抵抗素子51の抵抗値の最大値を100%としたときの当該抵抗値の最大値に対する磁気抵抗素子51の実際の抵抗値が占める割合(={(磁気抵抗素子51の実際の抵抗値)/(磁気抵抗素子51の抵抗値の最大値)}×100)である。図11中の符号Rは、縦軸を磁気抵抗素子51の感度とし、横軸を磁気抵抗素子51の磁束密度(磁力)とするグラフである。   When the valley 81 of the spur gear 80 faces the rotation sensor 1 and the depth of the valley 81 (see symbol h in FIG. 10) is sufficiently large, the magnetic flux density (magnetic force) of the X portion in the rotation sensor 1 ) Distribution is substantially the same as the state in which the spur gear 80 does not exist on one side in the first direction with respect to the rotation sensor 1. That is, when the valley portion 81 of the spur gear 80 faces the rotation sensor 1, the position where the magnetic flux is zero (see the thick line F in the figure), the magnetoresistive element 51, and the open flux state as described above. Will overlap. As a result, the magnetic flux density (magnetic force) detected by the magnetoresistive element 51 becomes zero, and the resistance value of the magnetoresistive element 51 becomes zero. Accordingly, the sensitivity of the magnetoresistive element 51 becomes zero (see G in FIG. 11). The sensitivity of the magnetoresistive element 51 is the ratio of the actual resistance value of the magnetoresistive element 51 to the maximum resistance value when the maximum resistance value of the magnetoresistive element 51 is 100% (= {(magnetoresistance Actual resistance value of element 51) / (maximum resistance value of magnetoresistive element 51)} × 100). 11 is a graph in which the vertical axis represents the sensitivity of the magnetoresistive element 51 and the horizontal axis represents the magnetic flux density (magnetic force) of the magnetoresistive element 51.

次に、平歯車80が回転して、図10(c)に示すように、平歯車80の山部82が回転センサ1に対向している場合には、回転センサ1中のX部分の磁束密度(磁力)の分布は、図10(d)に示すようになる。この場合、磁束零点となる位置(図中太い線F参照)が磁気抵抗素子51の位置(図10(d)中の符号K参照)より第1の方向他方側(図示下側)に移動する。このため、磁気抵抗素子51で検出される磁束密度(磁力)は上昇して、磁気抵抗素子51の抵抗値は最大値にほぼ等しい値になる。これに伴い、磁気抵抗素子51の感度は、約100%(図11中H参照)となる。   Next, when the spur gear 80 rotates and the peak portion 82 of the spur gear 80 faces the rotation sensor 1 as shown in FIG. The distribution of density (magnetic force) is as shown in FIG. In this case, the position where the magnetic flux is zero (see the thick line F in the figure) moves from the position of the magnetoresistive element 51 (see the symbol K in FIG. 10D) to the other side in the first direction (the bottom in the figure). . For this reason, the magnetic flux density (magnetic force) detected by the magnetoresistive element 51 increases, and the resistance value of the magnetoresistive element 51 becomes a value substantially equal to the maximum value. Accordingly, the sensitivity of the magnetoresistive element 51 is about 100% (see H in FIG. 11).

このように平歯車80が回転して谷部81と山部82とが交互に回転センサ1に対向することにより、磁気抵抗素子51の抵抗値は最大値と零とを交互に繰り返すことになる。このため、このような磁気抵抗素子51の抵抗値の変化を検出することにより、平歯車80の回転方向に依存することなく、平歯車80の回転を検出することができる。   As the spur gear 80 rotates in this way and the valley portions 81 and the mountain portions 82 alternately face the rotation sensor 1, the resistance value of the magnetoresistive element 51 alternately repeats the maximum value and zero. . Therefore, by detecting such a change in the resistance value of the magnetoresistive element 51, the rotation of the spur gear 80 can be detected without depending on the rotation direction of the spur gear 80.

なお、図10(b)、(d)中の符号a、b、c、dは磁束が空所24の内側に向く領域であり、符号e、fは磁束が空所24の外側側に向く領域である。符号aは磁束密度が60mT〜80mTの領域、符号bは磁束密度が40mT〜60mTの領域、符号cは磁束密度が20mT〜40mTの領域、符号dは磁束密度が00mT〜20mTの領域、符号eは磁束密度が20mT〜00mTの領域、符号fは磁束密度が40mT〜20mTの領域である。   10B and 10D, reference numerals a, b, c, and d are regions in which the magnetic flux is directed to the inside of the void 24, and reference numerals e and f are directed to the outer side of the void 24. It is an area. Symbol a is a region where the magnetic flux density is 60 mT to 80 mT, symbol b is a region where the magnetic flux density is 40 mT to 60 mT, symbol c is a region where the magnetic flux density is 20 mT to 40 mT, symbol d is a region where the magnetic flux density is 00 mT to 20 mT, symbol e Is a region where the magnetic flux density is 20 mT to 00 mT, and symbol f is a region where the magnetic flux density is 40 mT to 20 mT.

次に、本実施形態の回転センサ1を用いた平歯車80の回転検出回路100について説明する。図12は回転検出回路100の電気回路構成を示す図である。   Next, the rotation detection circuit 100 for the spur gear 80 using the rotation sensor 1 of the present embodiment will be described. FIG. 12 is a diagram illustrating an electric circuit configuration of the rotation detection circuit 100.

回転検出回路100は、回転センサ1(図12中抵抗素子の記号で示す)以外に、コンパレータ90および抵抗素子91、92、93を備える。   The rotation detection circuit 100 includes a comparator 90 and resistance elements 91, 92, and 93 in addition to the rotation sensor 1 (indicated by a resistance element symbol in FIG. 12).

回転センサ1と抵抗素子91とは、電源装置94とグランドとの間で直列接続されている。回転センサ1と抵抗素子91との共通接続点がコンパレータ90の反転入力端子(−)に接続されている。これにより、電源装置94の出力電圧を回転センサ1の抵抗値と抵抗素子91の抵抗値とにより分圧された電圧値V−がコンパレータ90の反転入力端子(−)に与えられる。   The rotation sensor 1 and the resistance element 91 are connected in series between the power supply device 94 and the ground. A common connection point between the rotation sensor 1 and the resistance element 91 is connected to the inverting input terminal (−) of the comparator 90. As a result, a voltage value V− obtained by dividing the output voltage of the power supply device 94 by the resistance value of the rotation sensor 1 and the resistance value of the resistance element 91 is applied to the inverting input terminal (−) of the comparator 90.

抵抗素子92と抵抗素子93とは電源装置94とグランドとの間で直列接続されている。抵抗素子92と抵抗素子93との共通接続点がコンパレータ90の非反転入力端子(+)に接続されている。これにより、電源装置94の出力電圧を抵抗素子92の抵抗値と抵抗素子93の抵抗値とにより分圧された電圧値V+がコンパレータ90の非反転入力端子(+)に与えられる。   The resistance element 92 and the resistance element 93 are connected in series between the power supply device 94 and the ground. A common connection point between the resistance element 92 and the resistance element 93 is connected to the non-inverting input terminal (+) of the comparator 90. As a result, a voltage value V + obtained by dividing the output voltage of the power supply device 94 by the resistance value of the resistance element 92 and the resistance value of the resistance element 93 is applied to the non-inverting input terminal (+) of the comparator 90.

このように構成された回転検出回路100において、平歯車80の谷部81が回転センサ1に対向している場合には、磁気抵抗素子51の抵抗値は零となる。このため、コンパレータ90の反転入力端子(−)には、電源装置94の出力電圧と同一の電圧値が電圧値V−として与えられる。このため、反転入力端子(−)に入力される電圧値V−が非反転入力端子(+)に入力される電圧値V+よりも大きくなる。これにより、コンパレータ90の出力信号の信号レベルは、ローレベルとなる。   In the rotation detection circuit 100 configured as described above, when the valley portion 81 of the spur gear 80 faces the rotation sensor 1, the resistance value of the magnetoresistive element 51 becomes zero. For this reason, the same voltage value as the output voltage of the power supply device 94 is given to the inverting input terminal (−) of the comparator 90 as the voltage value V−. For this reason, the voltage value V− input to the inverting input terminal (−) becomes larger than the voltage value V + input to the non-inverting input terminal (+). Thereby, the signal level of the output signal of the comparator 90 becomes a low level.

次に、平歯車80が回転して平歯車80の山部82が回転センサ1に対向した場合には、磁気抵抗素子51の抵抗値が上昇して、コンパレータ90の反転入力端子(−)に入力される電圧値V−は低下する。このため、反転入力端子(−)に入力される電圧値V−が非反転入力端子(+)に入力される電圧値V+よりも小さくなる。これにより、コンパレータ90の出力信号の信号レベルは、ハイレベルとなる。   Next, when the spur gear 80 rotates and the peak portion 82 of the spur gear 80 faces the rotation sensor 1, the resistance value of the magnetoresistive element 51 rises and is applied to the inverting input terminal (−) of the comparator 90. The input voltage value V− decreases. For this reason, the voltage value V− input to the inverting input terminal (−) is smaller than the voltage value V + input to the non-inverting input terminal (+). As a result, the signal level of the output signal of the comparator 90 becomes a high level.

このように平歯車80が回転して谷部81と山部82とが交互に回転センサ1に対向することにより、コンパレータ90の出力信号の信号レベルは、ローレベルとハイレベルとを交互に繰り返すことになる。このため、コンパレータ90の出力信号の信号レベルを検出することにより、平歯車80の回転を検出することができる。   As the spur gear 80 rotates in this manner and the valley portions 81 and the mountain portions 82 alternately face the rotation sensor 1, the signal level of the output signal of the comparator 90 alternately repeats a low level and a high level. It will be. Therefore, the rotation of the spur gear 80 can be detected by detecting the signal level of the output signal of the comparator 90.

以上説明した本実施形態によれば、永久磁石20は、第1、第2の方向に広がるように形成されている内壁面22a、23aを有し、内壁面22aは、内壁面23aに対して、第1、第2の方向に直交する第3の方向に配置されており、内壁面22a、23aは、第1の方向に亘って空所24を介して互いに対向している。永久磁石20は、その空所24が第2の方向に開口するように形成されている。このため、ステップS130の工程において、図6の部材70において複数のリードフレーム30が支持部材71により支持された状態で、リードフレーム30毎にMR素子チップ50およびリードフレーム30を永久磁石20の空所24内に第2の方向から収納することができる。したがって、リードフレーム30を永久磁石20の空所24内に収納する際に、複数のリードフレーム30を部材70からリードフレーム30を1ピース分カットする必要が無くなる。これに伴い、1ピース分のリードフレーム30にテープを貼り付けてリードフレーム30が分解しないようにする必要もなくなる。このため、回転センサ1を製造する上で手間を省くことができる。よって、回転センサ1の製造効率を向上することができる。   According to this embodiment described above, the permanent magnet 20 has the inner wall surfaces 22a and 23a formed so as to spread in the first and second directions, and the inner wall surface 22a is in relation to the inner wall surface 23a. The inner wall surfaces 22a and 23a are opposed to each other through the space 24 in the first direction. The permanent magnet 20 is formed such that the space 24 opens in the second direction. Therefore, in the step S130, the MR element chip 50 and the lead frame 30 are emptied of the permanent magnet 20 for each lead frame 30 in a state where the plurality of lead frames 30 are supported by the support member 71 in the member 70 of FIG. It can be stored in the place 24 from the second direction. Therefore, when the lead frame 30 is stored in the space 24 of the permanent magnet 20, it is not necessary to cut the lead frame 30 from the member 70 by one piece. Accordingly, it is not necessary to attach the tape to the lead frame 30 for one piece so that the lead frame 30 is not disassembled. For this reason, labor can be saved in manufacturing the rotation sensor 1. Therefore, the manufacturing efficiency of the rotation sensor 1 can be improved.

本実施形態では、磁気抵抗素子51は、第3の方向の中央部で、かつオープンフラックスの状態で磁束零点となる位置に配置されている。このため、平歯車80の谷部81が回転センサ1に対向している場合には磁気抵抗素子51の感度は零となる。平歯車80の山部82が回転センサ1に対向している場合には、磁気抵抗素子51の抵抗値は、約最大値となる。   In the present embodiment, the magnetoresistive element 51 is disposed at the center portion in the third direction and at the position where the magnetic flux is zero in the open flux state. For this reason, when the valley portion 81 of the spur gear 80 faces the rotation sensor 1, the sensitivity of the magnetoresistive element 51 becomes zero. When the crest 82 of the spur gear 80 faces the rotation sensor 1, the resistance value of the magnetoresistive element 51 is about the maximum value.

ここで、磁気抵抗素子51を、永久磁石20の空所24内において、オープンフラックスの状態で磁束零点となる位置で、かつ第3の方向の端部(例えば突出部23b側)に配置した場合には、平歯車80の山部82が回転センサ1に対向しているときに磁気抵抗素子51で検出される磁束強度が本実施形態の場合に比べて小さな値となり、磁気抵抗素子51の抵抗値は最大値より遙かに小さな値となる。   Here, when the magnetoresistive element 51 is disposed in the space 24 of the permanent magnet 20 at a position where the magnetic flux is zero in an open flux state and at the end in the third direction (for example, on the protruding portion 23b side). The magnetic flux intensity detected by the magnetoresistive element 51 when the peak portion 82 of the spur gear 80 faces the rotation sensor 1 is smaller than that in the present embodiment, and the resistance of the magnetoresistive element 51 is reduced. The value is much smaller than the maximum value.

これに対して、本実施形態では、上述の如く、平歯車80の山部82が回転センサ1に対向している場合には、磁気抵抗素子51の感度は、約最大値となる。このため、平歯車80の谷部81が回転センサ1に対向している場合と平歯車80の山部82が回転センサ1に対向している場合とで、磁気抵抗素子51の抵抗値の変化が大きくなる。これにより、平歯車80の回転を磁気抵抗素子51の抵抗値の変化により容易に検出することができる。   On the other hand, in the present embodiment, as described above, when the crest portion 82 of the spur gear 80 faces the rotation sensor 1, the sensitivity of the magnetoresistive element 51 is about the maximum value. For this reason, a change in the resistance value of the magnetoresistive element 51 between the case where the valley portion 81 of the spur gear 80 faces the rotation sensor 1 and the case where the peak portion 82 of the spur gear 80 faces the rotation sensor 1. Becomes larger. Thereby, the rotation of the spur gear 80 can be easily detected by the change in the resistance value of the magnetoresistive element 51.

本実施形態では、永久磁石20はその空所24が第2の方向に開口するように形成されている。このため、永久磁石20の空所24内にリードフレーム30を第3の方向から嵌め込んで、作業者は、第2の方向から視認しながら、永久磁石20に対するリードフレーム30の位置をリードフレーム30毎に調整することにより、永久磁石20に対するMR素子チップ50の位置を予め決められた位置にリードフレーム30毎に設定する。このため、永久磁石20に対する磁気抵抗素子51の位置を容易に決めることができる。   In the present embodiment, the permanent magnet 20 is formed such that the void 24 opens in the second direction. For this reason, the lead frame 30 is fitted into the space 24 of the permanent magnet 20 from the third direction, and the operator visually recognizes the position of the lead frame 30 with respect to the permanent magnet 20 while visually recognizing from the second direction. By adjusting every 30, the position of the MR element chip 50 with respect to the permanent magnet 20 is set for each lead frame 30 at a predetermined position. For this reason, the position of the magnetoresistive element 51 with respect to the permanent magnet 20 can be easily determined.

本実施形態では、永久磁石20としてその空所24が第2の方向に開口するように形成されているものを用いている。   In the present embodiment, the permanent magnet 20 is formed such that the void 24 is opened in the second direction.

ここで、筒状の永久磁石の中空生内にリードフレームを嵌め込んで回転センサを構成した場合には、永久磁石に対するリードフレームの位置を決めるために、位置決め用筒部材を用いることが考えられる。位置決め用筒部材は、その中空部に永久磁石を嵌め込むことにより位置決め用筒部材が永久磁石に対するリードフレームの位置を決めるものである。   Here, when a lead frame is fitted into a hollow hollow of a cylindrical permanent magnet to constitute a rotation sensor, it is conceivable to use a positioning cylinder member to determine the position of the lead frame with respect to the permanent magnet. . In the positioning cylinder member, the positioning cylinder member determines the position of the lead frame with respect to the permanent magnet by fitting the permanent magnet into the hollow portion.

本実施形態では、永久磁石20としてその空所24が第2の方向に開口するように形成されているものを用いている。このため、永久磁石20の空所24内にリードフレーム30を第3の方向から入れて永久磁石20の底部21の上面21a上にリードフレーム30を配置した状態で永久磁石20に対する磁気抵抗素子51の位置を決めることができる。このため、永久磁石に対するリードフレームの位置を決めるために、位置決め用筒部材を用いる必要がない。   In the present embodiment, the permanent magnet 20 is formed such that the void 24 is opened in the second direction. Therefore, the magnetoresistive element 51 with respect to the permanent magnet 20 in a state where the lead frame 30 is placed in the void 24 of the permanent magnet 20 from the third direction and the lead frame 30 is disposed on the upper surface 21a of the bottom 21 of the permanent magnet 20. Can be determined. For this reason, it is not necessary to use a positioning cylinder member in order to determine the position of the lead frame with respect to the permanent magnet.

本実施形態では、ステップS130の工程において、リードフレーム30毎に永久磁石20の空所24内にリードフレーム30を第2の方向から入れて永久磁石20の底部21の上面21a上にリードフレーム30を配置する。このため、永久磁石20に対するリードフレーム30の第2の方向の位置決めを行うことができる。これにより、永久磁石20に対する磁気抵抗素子51の第2の方向の位置決めを行うことができる。   In the present embodiment, in the step S130, the lead frame 30 is inserted into the space 24 of the permanent magnet 20 for each lead frame 30 from the second direction, and the lead frame 30 is placed on the upper surface 21a of the bottom 21 of the permanent magnet 20. Place. For this reason, the lead frame 30 can be positioned in the second direction with respect to the permanent magnet 20. Thereby, the positioning of the magnetoresistive element 51 with respect to the permanent magnet 20 in the second direction can be performed.

(他の実施形態)
上記実施形態では、永久磁石20として、側部22、23の間を板状底部21により接続した断面U字状のものを用いた例について説明したが、これに代えて、永久磁石20として図13(a)、(b)に示す形状のものを用いてもよい。図13(a)、(b)の永久磁石20では、側部22、23の間を接続する底部21が第2の方向に伸びる長板状に形成されて、永久磁石20は第2の方向から視てH字状に形成されている。あるいは、図13(a)、(b)の永久磁石20において底部21をなくして、図13(a)、(b)の側部22、23をそれぞれ独立した第1、第2の永久磁石としてもよい(図14(a)、(b)参照)。図14(a)、(b)では、第1、第2の永久磁石を22A、23Aとしている。この場合、リードフレームに対して第1、第2の永久磁石を固定するには、接着テープ等が用いられる。なお、これらの実施形態においても、図5に示す組立工程によって回転センサが組み立てられる。
(Other embodiments)
In the above-described embodiment, the example in which the U-shaped cross section in which the side portions 22 and 23 are connected by the plate-shaped bottom portion 21 is used as the permanent magnet 20 has been described. You may use the shape shown to 13 (a) and (b). In the permanent magnet 20 shown in FIGS. 13A and 13B, the bottom portion 21 connecting the side portions 22 and 23 is formed in a long plate shape extending in the second direction, and the permanent magnet 20 has the second direction. As seen from above, it is formed in an H shape. Alternatively, the bottom portion 21 is eliminated from the permanent magnets 20 shown in FIGS. 13A and 13B, and the side portions 22 and 23 shown in FIGS. 13A and 13B are used as independent first and second permanent magnets, respectively. It is also possible (see FIGS. 14A and 14B). 14A and 14B, the first and second permanent magnets are 22A and 23A. In this case, an adhesive tape or the like is used to fix the first and second permanent magnets to the lead frame. In these embodiments as well, the rotation sensor is assembled by the assembly process shown in FIG.

なお、図13(a)は、永久磁石20の上面図、図13(b)は永久磁石20の正面図である。図14(a)は第1、第2の永久磁石22A、23Aの上面図であり、図14(b)第1、第2の永久磁石22A、23Aの正面図である。   FIG. 13A is a top view of the permanent magnet 20, and FIG. 13B is a front view of the permanent magnet 20. 14A is a top view of the first and second permanent magnets 22A and 23A, and FIG. 14B is a front view of the first and second permanent magnets 22A and 23A.

上記実施形態では、磁気抵抗素子51を、オープンフラックスの状態で磁束零点となる位置に配置した例について説明したが、これに限らず、オープンフラックスの状態において磁束零点となる位置の近傍に磁気抵抗素子51を配置してもよい。   In the above-described embodiment, the example in which the magnetoresistive element 51 is arranged at a position where the magnetic flux is zero in the state of the open flux has been described. The element 51 may be disposed.

上記実施形態では、磁気抵抗素子51を、永久磁石20の第2の方向の中央部に配置した例について説明したが、これに限らず、平歯車80の谷部81が回転センサ1に対向している場合と平歯車80の山部82が回転センサ1に対向している場合とで、磁気抵抗素子51により検出される磁束密度に変化が生じるのであれば、永久磁石20の第2の方向の中央部以外の部位に配置してもよい。   In the above-described embodiment, the example in which the magnetoresistive element 51 is disposed at the center portion in the second direction of the permanent magnet 20 has been described. If the change in the magnetic flux density detected by the magnetoresistive element 51 occurs when the peak portion 82 of the spur gear 80 faces the rotation sensor 1, the second direction of the permanent magnet 20 You may arrange | position in parts other than the center part.

上記実施形態では、永久磁石20のN極側に磁気抵抗素子51を配置した例を示したが、これに限らず、永久磁石20のS極側に磁気抵抗素子51を配置してもよい。   In the above embodiment, the example in which the magnetoresistive element 51 is arranged on the N pole side of the permanent magnet 20 has been described. However, the present invention is not limited thereto, and the magnetoresistive element 51 may be arranged on the S pole side of the permanent magnet 20.

上記実施形態では、磁気検出素子として、磁気抵抗素子を用いた例を示したが、これに限らず、ホール素子を用いてもよい。   In the above embodiment, an example in which a magnetoresistive element is used as the magnetic detection element has been described.

上記実施形態では、本発明に係る回転センサ1が回転運動する平歯車の回転を検出する例について説明したが、これに限らず、本発明に係る回転センサ1が直線的に移動する歯車(直線歯車)の移動を検出するようにしてもよい。   In the above-described embodiment, the example in which the rotation sensor 1 according to the present invention detects the rotation of the spur gear that rotationally moves has been described. However, the present invention is not limited to this, and the rotation sensor 1 according to the present invention moves linearly (linear The movement of the gears may be detected.

上記実施形態では、側部22に突出部22bを形成し、かつ側部23に突出部23bを形成した例について説明し他が、これに限らず、側部22、23に突出部22b、23bを形成しなくてもよい。   In the above embodiment, an example in which the protruding portion 22b is formed on the side portion 22 and the protruding portion 23b is formed on the side portion 23 will be described, but the present invention is not limited thereto, and the protruding portions 22b and 23b are not limited to this. May not be formed.

なお、上記した実施形態の製造方法は、以下のような表現によっても言い表すことができる。例えば、
N極とS極とを結ぶA方向(すなわち、第1の方向)に亘って空所24を介して互いに対向する第1、第2の内壁面22a、23aを有する永久磁石20の空所24内に配置されて被検出対象80の運動によって生じる磁界の変化を検出する磁気検出素子51を有する磁気検出装置の製造方法であって、
永久磁石20は、空所24が第1、第2の内壁面を結ぶB方向(すなわち、第3の方向)と前記A方向とに対してそれぞれ直交するC方向(すなわち、第2の方向)に開口するように形成されており、
複数のリードフレーム30を支持部材71により支持してなる部材70の複数のリードフレーム30に対して磁気検出素子51をそれぞれ搭載する第1の工程(S100)と、
リードフレーム30毎に磁気検出素子51およびリードフレーム30を永久磁石20の空所24内にC方向から配置する第2の工程(S130)と、
永久磁石20、リードフレーム30、および磁気検出素子51をリードフレーム30毎にモールド樹脂によって覆う第3の工程(S140)と、
支持部材71から複数のリードフレーム30をそれぞれ分離して複数の磁気検出装置を得る第4の工程(S160)と、を備える磁気検出装置の製造方法と表現することができる。
In addition, the manufacturing method of above-described embodiment can be expressed also by the following expressions. For example,
The void 24 of the permanent magnet 20 having the first and second inner wall surfaces 22a, 23a facing each other through the void 24 over the A direction (that is, the first direction) connecting the N pole and the S pole. A method of manufacturing a magnetic detection device having a magnetic detection element 51 that is disposed within and detects a change in a magnetic field caused by the movement of a detection target 80,
The permanent magnet 20 has a C direction (that is, a second direction) perpendicular to the B direction (that is, the third direction) and the A direction in which the space 24 connects the first and second inner wall surfaces. Is formed to open,
A first step (S100) of mounting the magnetic detection elements 51 on the plurality of lead frames 30 of the member 70 formed by supporting the plurality of lead frames 30 by the support member 71;
A second step (S130) of arranging the magnetic detection element 51 and the lead frame 30 in the space 24 of the permanent magnet 20 from the C direction for each lead frame 30;
A third step (S140) of covering the permanent magnet 20, the lead frame 30, and the magnetic detection element 51 with a mold resin for each lead frame 30;
And a fourth step (S160) of obtaining a plurality of magnetic detection devices by separating the plurality of lead frames 30 from the support member 71, respectively.

また、他の表現として、
第1の方向に亘って空所24を介して互いに対向するように配置されA方向(すなわち、第1の方向)の一方側をN極とし、前記A方向の他方側をS極とする第1、第2の永久磁石22A、23Aの間の空所24内に配置されて被検出対象80の運動によって生じる磁界の変化を検出する磁気検出素子51を有する磁気検出装置の製造方法であって、
複数のリードフレーム30を支持部材71により支持してなる部材70の複数のリードフレーム30に対して磁気検出素子51をそれぞれ搭載する第1の工程(S100)と、
リードフレーム30毎に磁気検出素子51およびリードフレーム30を第1、第2の永久磁石22A、23Aの間の空所24内に配置する第2の工程(S130)と、
第1、第2の永久磁石22A、23A、リードフレーム30、および磁気検出素子51をリードフレーム30毎にモールド樹脂によって覆う第3の工程(S140)と、
支持部材71から複数のリードフレーム30をそれぞれ分離して複数の磁気検出装置を得る第4の工程(S160)と、を備えることを特徴とする磁気検出装置の製造方法と言い表すことができる。
As another expression,
Arranged so as to face each other through the void 24 across the first direction, one side in the A direction (that is, the first direction) is the N pole, and the other side in the A direction is the S pole. A method of manufacturing a magnetic detection device having a magnetic detection element 51 that is disposed in a space 24 between first and second permanent magnets 22A and 23A and detects a change in a magnetic field caused by the movement of a detection target 80. ,
A first step (S100) of mounting the magnetic detection elements 51 on the plurality of lead frames 30 of the member 70 formed by supporting the plurality of lead frames 30 by the support member 71;
A second step (S130) of disposing the magnetic detection element 51 and the lead frame 30 in the space 24 between the first and second permanent magnets 22A and 23A for each lead frame 30;
A third step (S140) of covering the first and second permanent magnets 22A, 23A, the lead frame 30, and the magnetic detection element 51 with a mold resin for each lead frame 30;
And a fourth step (S160) of obtaining a plurality of magnetic detection devices by separating the plurality of lead frames 30 from the support member 71, respectively.

なお、本発明は、上記した実施形態に限らず、特許請求の範囲に記載した範囲内で種々に変更が可能である。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made within the scope described in the claims.

1 回転センサ
10 板状被覆部材
11、12、13、14 端子
20 永久磁石
21 底部
22、23 側部
22a、23a 内壁面
30 リードフレーム
40、41 コンデンサ
50 MR素子チップ
51 磁気抵抗素子
60 金属線
70 部材
71 枠部材
72a、72b、72e タイバー
72d、72e タイバー
80 平歯車
81 谷部
82 山部
90 コンパレータ
91、92、93 抵抗素子
94 電源装置
100 回転検出回路
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Rotation sensor 10 Plate-shaped coating | coated member 11, 12, 13, 14 Terminal 20 Permanent magnet 21 Bottom part 22, 23 Side part 22a, 23a Inner wall surface 30 Lead frame 40, 41 Capacitor 50 MR element chip 51 Magnetoresistive element 60 Metal wire 70 Member 71 Frame member 72a, 72b, 72e Tie bar 72d, 72e Tie bar 80 Spur gear 81 Valley part 82 Mountain part 90 Comparator 91, 92, 93 Resistance element 94 Power supply device 100 Rotation detection circuit

Claims (16)

N極とS極とを結ぶ第1の方向とこの第1の方向に直交する第2の方向とに広がる第1の内壁面(22a、23a)と、前記第1、第2の方向に対して直交する第3の方向に空所(24)を介して対向する第2の内壁面(22a、23a)とを少なくとも有する永久磁石(20)の空所(24)内に配置され、被検出対象(80)の運動によって生じる磁界の変化を検出する磁気検出素子(51)を有し、
前記空所(24)が前記第2の方向に解放されている磁気検出装置の製造方法であって、
複数のリードフレーム(30)と、前記複数のリードフレームを一括して支持する支持部材(71)とを有するリード部材を用意し、前記リード部材のうち前記複数のリードフレーム(30)に対して前記磁気検出素子(51)をそれぞれ搭載する素子搭載工程(S100)と、
前記リードフレーム(30)毎に、前記リードフレームに搭載された前記磁気検出素子(51)を前記永久磁石(20)の空所(24)内に、前記空所が解放された前記第2の方向から収容する収容工程(S130)と、
前記リードフレーム(30)毎に、前記永久磁石(20)、前記リードフレーム(30)、および前記磁気検出素子(51)をモールド樹脂によって封止するモールド工程(S150)と、
前記支持部材(71)から前記複数のリードフレーム(30)をそれぞれ分離して複数の磁気検出装置を得る分離工程(S160)と、を備えることを特徴とする磁気検出装置の製造方法。
A first inner wall surface (22a, 23a) extending in a first direction connecting the N pole and the S pole and a second direction orthogonal to the first direction, and the first and second directions. Are disposed in the void (24) of the permanent magnet (20) having at least the second inner wall surface (22a, 23a) facing each other through the void (24) in a third direction orthogonal to each other. A magnetic detection element (51) for detecting a change in the magnetic field caused by the movement of the object (80);
A method of manufacturing a magnetic sensing device in which the void (24) is released in the second direction,
A lead member having a plurality of lead frames (30) and a support member (71) for collectively supporting the plurality of lead frames is prepared, and the lead members out of the lead members (30) are prepared. An element mounting step (S100) for mounting each of the magnetic detection elements (51);
For each lead frame (30), the magnetic detection element (51) mounted on the lead frame is placed in the space (24) of the permanent magnet (20), and the second space where the space is released. A housing step (S130) for housing from the direction;
For each lead frame (30), a molding step (S150) for sealing the permanent magnet (20), the lead frame (30), and the magnetic detection element (51) with a molding resin;
A separation step (S160) of separating the plurality of lead frames (30) from the support member (71) to obtain a plurality of magnetic detection devices, respectively.
前記永久磁石は、前記第1の内壁面(22a)を有して前記第1の方向に伸びるように形成されている第1の側部(22)と、前記第2の内壁面(23a)を有して前記第1の方向に伸びるように形成されている第2の側部(23)と、前記第1、第2の側部(22、23)の間を接続する接続部(21)とを備え、
前記収容工程(S130)では、前記リードフレーム(30)毎に前記磁気検出素子(51)および前記リードフレーム(30)を前記永久磁石(20)の空所(24)内に前記第2の方向から配置して前記リードフレーム(30)を前記接続部(21)上に配置することを特徴とする請求項1に記載の磁気検出装置の製造方法。
The permanent magnet has the first inner wall surface (22a) and a first side portion (22) formed to extend in the first direction, and the second inner wall surface (23a). And a connecting portion (21) connecting between the second side portion (23) formed to extend in the first direction and the first and second side portions (22, 23). )
In the accommodating step (S130), the magnetic detection element (51) and the lead frame (30) are placed in the space (24) of the permanent magnet (20) in the second direction for each lead frame (30). The method for manufacturing a magnetic detection device according to claim 1, wherein the lead frame (30) is arranged on the connection portion (21).
前記接続部(21)は、前記第1、第2の側部(22、23)の間を前記第1の方向に亘って接続するように形成されていることを特徴とする請求項2に記載の磁気検出装置の製造方法。   The said connection part (21) is formed so that it may connect between the said 1st, 2nd side parts (22, 23) over the said 1st direction. The manufacturing method of the magnetic detection apparatus of description. 前記接続部(21)は、前記第1、第2の側部(22、23)の間で前記第3の方向に伸びるように形成されていることを特徴とする請求項2に記載の磁気検出装置の製造方法。   The magnetism according to claim 2, wherein the connecting portion (21) is formed to extend in the third direction between the first and second side portions (22, 23). A method for manufacturing a detection device. 前記支持部材(71)は、前記複数のリードフレーム(30)に対して前記第1の方向から支持するものであることを特徴とする請求項3または4に記載の磁気検出装置の製造方法。   The method of manufacturing a magnetic detection device according to claim 3 or 4, wherein the support member (71) supports the plurality of lead frames (30) from the first direction. 請求項1に記載の永久磁石は、第1、第2の永久磁石(22A、23A)とから構成されており、
前記第1、第2の永久磁石のうち一方の永久磁石が、前記第1、第2の内壁面(22a、23a)のうち一方の内壁面を構成し、他方の永久磁石が他方の内壁面を構成することを特徴とする請求項1に記載の磁気検出装置の製造方法。
The permanent magnet according to claim 1 is composed of first and second permanent magnets (22A, 23A),
One of the first and second permanent magnets constitutes one inner wall surface of the first and second inner wall surfaces (22a, 23a), and the other permanent magnet is the other inner wall surface. The method of manufacturing a magnetic detection device according to claim 1, wherein:
前記磁気検出素子(51)は、前記永久磁石(20)から発生する磁束のうち前記空所(24)内を通る磁束と前記空所(24)の外側を通る磁束とが接合される磁束零部位或いはその近傍に配置されることを特徴とする請求項1ないし6のうちいずれか1つに記載の磁気検出装置の製造方法。   The magnetic detection element (51) has a magnetic flux zero where a magnetic flux passing through the space (24) and a magnetic flux passing outside the space (24) are joined out of the magnetic flux generated from the permanent magnet (20). The method of manufacturing a magnetic detection device according to claim 1, wherein the magnetic detection device is arranged at or near a site. 前記磁気検出素子は、前記永久磁石における前記第3の方向の中心線と前記磁束零部位とが交差する部位に配置されていることを特徴とする請求項7に記載の磁気検出装置の製造方法。   The method of manufacturing a magnetic detection device according to claim 7, wherein the magnetic detection element is disposed at a portion where the center line of the third direction of the permanent magnet intersects the zero magnetic flux portion. . 第1の方向とこの第1の方向に直交する第2の方向とに広がる第1の内壁面(22a、23a)と、前記第1の内壁面に対して前記第1、第2の方向に対して直交する第3の方向に空所(24)を介して対向する第2の内壁面(22a、23a)とを少なくとも有する永久磁石(20)であって、前記第1の方向の一方側がN極であり、他方側がS極であり、前記空所が前記第2の方向に解放されている前記永久磁石(20)と、
前記空所(24)内に配置されたリードフレーム(30)と、
前記空所(24)内において前記リードフレーム(30)上に搭載され、前記永久磁石(20)から発生する磁束のうち前記空所(24)内を通る磁束と前記空所(24)の外側を通る磁束とが接合される磁束零部位或いはその近傍に配置され、被検出対象の運動によって生じる磁界の変化を検出する磁気検出素子(51)と、
前記永久磁石(20)、前記リードフレーム(30)、および前記磁気検出素子(51)を保護するために、前記永久磁石(20)、前記リードフレーム(30)、および前記磁気検出素子(51)を覆う被覆部材(10)と、を備えることを特徴とする磁気検出装置。
A first inner wall surface (22a, 23a) extending in a first direction and a second direction orthogonal to the first direction, and in the first and second directions with respect to the first inner wall surface A permanent magnet (20) having at least a second inner wall surface (22a, 23a) facing through a void (24) in a third direction orthogonal to the first direction, wherein one side of the first direction is The permanent magnet (20), which is an N pole, the other side is an S pole, and the void is released in the second direction;
A lead frame (30) disposed in the void (24);
The magnetic flux mounted on the lead frame (30) in the void (24) and passing through the void (24) out of the magnetic flux generated from the permanent magnet (20) and the outside of the void (24). A magnetic detecting element (51) for detecting a change in a magnetic field caused by a motion of a detection target, disposed at or near a magnetic flux zero portion where a magnetic flux passing through
In order to protect the permanent magnet (20), the lead frame (30), and the magnetic detection element (51), the permanent magnet (20), the lead frame (30), and the magnetic detection element (51) And a covering member (10) covering the magnetic detection device.
前記永久磁石は、前記第1の内壁面(22a)を有して前記第1の方向に伸びるように形成されている第1の側部(22)と、前記第2の内壁面(23a)を有して前記第1の方向に伸びるように形成されている第2の側部(23)と、前記第1、第2の側部(22、23)の間を接続する接続部(21)とを備えことを特徴とする請求項9に記載の磁気検出装置。   The permanent magnet has the first inner wall surface (22a) and a first side portion (22) formed to extend in the first direction, and the second inner wall surface (23a). And a connecting portion (21) connecting between the second side portion (23) formed to extend in the first direction and the first and second side portions (22, 23). The magnetic detection device according to claim 9, further comprising: 前記接続部(21)は、前記第1、第2の側部(22、23)の間を前記第1の方向に亘って接続するように形成されていることを特徴とする請求項10に記載の磁気検出装置。   The said connection part (21) is formed so that it may connect between the said 1st, 2nd side parts (22, 23) over the said 1st direction. The magnetic detection apparatus as described. 前記接続部(21)は、前記リードフレーム(30)に対して前記第2の方向の位置決めを行うことを特徴とする請求項11に記載の磁気検出装置。   The magnetic detection device according to claim 11, wherein the connecting portion (21) performs positioning in the second direction with respect to the lead frame (30). 前記接続部(21)は、前記第1、第2の側部(22、23)の間で前記第3の方向に伸びるように形成されていることを特徴とする請求項10に記載の磁気検出装置。   11. The magnetism according to claim 10, wherein the connecting portion (21) is formed to extend in the third direction between the first and second side portions (22, 23). Detection device. 請求項9に記載の永久磁石は、第1、第2の永久磁石とから構成されており、
前記第1、第2の永久磁石のうち一方の永久磁石が、前記第1、第2の内壁面(22a、23a)のうち一方の内壁面を構成し、他方の永久磁石が他方の内壁面を構成することを特徴とする請求項9に記載の磁気検出装置。
The permanent magnet according to claim 9 is composed of first and second permanent magnets,
One of the first and second permanent magnets constitutes one inner wall surface of the first and second inner wall surfaces (22a, 23a), and the other permanent magnet is the other inner wall surface. The magnetic detection device according to claim 9, comprising:
前記磁束零部位は、前記空所(24)内を通る磁束が生じる第1の領域と前記空所(24)の外側を通る磁束が生じる第2の領域との間の境界であることを特徴とする請求項9ないし14のうちいずれか1つに記載の磁気検出装置。   The zero magnetic flux region is a boundary between a first region where a magnetic flux passing through the void (24) is generated and a second region where a magnetic flux passing outside the void (24) is generated. The magnetic detection device according to any one of claims 9 to 14. 前記磁気検出素子は、前記永久磁石における前記第3の方向の中心線と前記磁束零部位とが交差する部位に配置されていることを特徴とする請求項9ないし15のうちいずれか1つに記載の磁気検出装置。   16. The magnetic detection element according to claim 9, wherein the magnetic detection element is disposed at a portion where a center line in the third direction of the permanent magnet intersects the magnetic flux zero portion. The magnetic detection apparatus as described.
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JP2021042963A (en) * 2019-09-06 2021-03-18 株式会社デンソー Production method of physical quantity sensor

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