JP2012064918A - 基板搬送装置、基板搬送方法及びその基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の周縁部に切欠きがある基板をフォークにより保持し、搬送するときに、基板位置のずれ量を精度よく検出でき、そのずれ量を容易に補正できるとともに、フォークの状態を同時に確認して補正できる基板搬送装置を提供する。
【解決手段】
基台と、基台から進退自在に設けられ、基板Ｗを保持する保持部３Ａと、保持部３Ａが基板Ｗを保持した状態で後退しているときに、保持部３Ａが保持している基板Ｗの周縁部の位置を、それぞれ異なる位置で検出する４個以上の検出部５と、検出部５が周縁部の位置を検出した検出値に基づいて、検出部５のいずれかが基板Ｗの周縁部の切欠きが設けられた部分ＷＮを検出したか否かを判定し、一の検出部５が切欠きが設けられた部分ＷＮを検出したと判定したときに、一の検出部５以外の３個の検出部５の検出値に基づいて、次の処理ユニットに搬送するときに処理ユニットの基板Ｗの受渡し位置に補正する、制御部とを有する。
【選択図】図７

Description

本発明は、基板を搬送する基板搬送装置、基板搬送方法及びその基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体に関する。

半導体デバイスやＬＣＤ（Liquid Crystal Display）基板の製造プロセスにおいては、装置内に基板（以下「ウェハ」ともいう。）に対して処理を行う処理モジュールを複数個設け、これら処理モジュールに基板搬送装置により基板を順次搬送することによって、所定の処理が行われている。基板搬送装置は、例えば、基板を保持するフォークが基台に沿って進退自在に設けられると共に、基板が鉛直軸周りに回転自在、昇降自在に構成されている。

このような基板搬送装置には、処理モジュールからフォークが受け取った基板が位置ずれしているか否かを確認するためのセンサが設けられているものがある（例えば特許文献１、２参照）。

特許文献１には、基板を搬送ロボットのアーム（フォーク）で保持し搬送を行う機構を有した半導体製造装置において、装置内の複数のユニットで発生する基板の位置ずれ量をアーム（フォーク）の保持状態で検出することが開示されている。特許文献１には、ユニット相互間の基板の搬送量の補正により基板の位置ずれ量を補正する手段を有することが記載されている。また、基板の位置ずれの検出のため、基板の周縁部の位置を複数箇所で測定することが記載されている。

一方、特許文献２には、基板を搬送する基板搬送機構において、搬送アーム部と、ピック部（フォーク）と、基板位置検出センサ部と、中心位置演算部と、ずれ量演算部と、アーム制御部とを備えたことを特徴とする基板搬送機構が開示されている。特許文献２に開示される例では、基板位置検出センサ部は、ピック部（フォーク）に設けられており、基板を保持した時の基板の位置を検出するものである。中心位置演算部は、基板位置検出センサ部の出力に基づいて基板の中心位置を求めるものである。ずれ量演算部は、求められた中心位置と予め定められた基準位置とのずれ量を求めるものである。アーム制御部は、ピック部（フォーク）に保持されている基板を搬送目標位置に移載する際に、ずれ量を相殺するように搬送アーム部を制御するものである。

特開平８−３１９０５号公報 特開２００６−３５１８８４号公報

ところが、上記した基板を搬送する基板搬送装置及び基板搬送方法においては、次のような問題がある。

特許文献１に開示される例では、センサが２個しか設けられておらず、ウェハの位置ずれが水平面内で二次元方向にずれた場合には、ずれ量を精度よく検出することができない。一方、特許文献２に開示される例では、センサが３個設けられているため、水平面内で二次元方向にずれた場合にも、ずれ量を検出することができる。

ところが、半導体基板等の基板（ウェハ）においては、ウェハの周縁部の一部分に、ウェハを位置決めするための切欠きが設けられていることがある。特許文献２に開示される例では、ウェハの周縁部の位置を３個のセンサにより検出するが、１個のセンサが、切欠きが設けられた部分を検出した場合でも、検出した部分を、切欠きが設けられていない部分として認識する。そのため、１個のセンサが、切欠きが設けられた部分を検出した場合には、ウェハのずれ量を正しく検出することができない。

また、ウェハの周縁部の水平位置を位置決めできるように、フォークに、ウェハの周囲を囲むようにガイドを設け、ガイドの内側を傾斜させ、ウェハをフォークの所定位置に落とし込む落とし込み機構を有するフォークがある。しかし、レジスト膜等の塗布膜が塗布処理されたウェハを所定位置に落とし込む際に、ウェハの外周に塗布されている塗布膜がガイドと接触して剥がれ、パーティクルを発生させるおそれがある。

このような落とし込み機構に代え、例えば真空吸着によりウェハを保持し、ウェハの水平位置を位置決めするフォークが用いられることがある。しかし、真空吸着によりウェハを保持するフォークでは、落とし込み機構がないため、水平面内におけるウェハの位置ずれが発生しやすいという問題がある。また、そのような場合には、何らかの原因によりフォーク又は基板に異常が発生する場合も考えられる。更に、センサに異常が発生する場合も考えられる。

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、基板の周縁部に切欠きがある基板をフォークにより保持し、搬送するときに、基板位置のずれ量を精度よく検出でき、そのずれ量を容易に補正できるとともに、フォーク、基板又はセンサの状態を同時に確認して補正できる基板搬送装置及び基板搬送方法を提供する。

上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。

本発明の一実施例によれば、基台と、前記基台から進退自在に設けられ、基板を保持する保持部と、前記保持部が基板を保持した状態で後退しているときに、前記保持部が保持している前記基板の周縁部の位置を、それぞれ異なる位置で検出する４個以上の検出部と、前記検出部が前記周縁部の位置を検出した検出値に基づいて、前記検出部のいずれかが前記基板の周縁部であって切欠きが設けられた部分を検出したか否かを判定し、一の検出部が前記切欠きが設けられた部分を検出したと判定したときに、前記一の検出部以外の３個の検出部の前記検出値に基づいて、次の処理ユニットに搬送するときに前記処理ユニットの基板の受渡し位置に補正する、制御部とを有する、基板搬送装置が提供される。

また、本発明の他の一実施例によれば、基台と、前記基台から進退自在に設けられ、基板を保持する保持部と、前記保持部が基板を保持した状態で後退しているときに、前記保持部が保持している前記基板の周縁部の位置を、それぞれ異なる位置で検出する３個の検出部と、前記検出部が前記周縁部の位置を検出した検出値に基づいて、前記検出部のいずれかが前記基板の周縁部であって切欠きが設けられた部分を検出したか否かを判定し、一の検出部が前記切欠きが設けられた部分を検出したと判定したときに、前記切欠きが設けられた部分が前記検出部に検出されないように前記保持部を前記検出部に対して移動させ、移動した前記保持部が保持している前記基板の周縁部の位置を前記検出部により再び検出した再検出値に基づいて、次の処理ユニットの基板の受渡し位置に補正する、制御部とを有する、基板搬送装置が提供される。

また、本発明の他の一実施例によれば、基台と、前記基台から進退自在に設けられ、基板を保持する保持部と、前記保持部が基板を保持した状態で後退しているときに、前記保持部が保持している前記基板の周縁部の位置を、それぞれ異なる位置で検出する４個以上の検出部とを有する、基板搬送装置における基板搬送方法であって、前記検出部が前記周縁部の位置を検出した検出値に基づいて、前記検出部のいずれかが前記基板の周縁部であって切欠きが設けられた部分を検出したか否かを判定する判定工程を有し、一の検出部が前記切欠きが設けられた部分を検出したと判定したときに、前記一の検出部以外の３個の検出部の前記検出値に基づいて、次の処理ユニットに搬送するときに前記処理ユニットの基板の受渡し位置に補正する、基板搬送方法が提供される。

また、本発明の他の一実施例によれば、基台と、前記基台から進退自在に設けられ、基板を保持する保持部と、前記保持部が基板を保持した状態で後退しているときに、前記保持部が保持している前記基板の周縁部の位置を、それぞれ異なる位置で検出する３個の検出部とを有する、基板搬送装置における基板搬送方法であって、前記検出部が前記周縁部の位置を検出した検出値に基づいて、前記検出部のいずれかが前記基板の周縁部であって切欠きが設けられた部分を検出したか否かを判定する判定工程を有し、一の検出部が前記切欠きが設けられた部分を検出したと判定したときに、前記切欠きが設けられた部分が前記検出部に検出されないように前記保持部を前記検出部に対して移動させ、移動した前記保持部が保持している前記基板の周縁部の位置を前記検出部により再び検出した再検出値に基づいて、次の処理ユニットの基板の受渡し位置に補正する、基板搬送方法が提供される。

本発明によれば、基板を搬送する基板搬送装置及び基板搬送方法において、基板の周縁部に切欠きがある基板をフォークにより保持し、搬送するときに、基板位置のずれ量を精度よく検出でき、そのずれ量を容易に補正できるとともに、フォーク、基板又はセンサの状態を同時に確認して補正できる。

第１の実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す平面図である。 第１の実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す概略斜視図である。 第１の実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す側面図である。 第３のブロックの構成を示す斜視図である。 第１の実施の形態に係る搬送アームを示す斜視図である。 第１の実施の形態に係る搬送アームを示す平面図及び側面図である。 第１の実施の形態に係る搬送アームのフォークを拡大して示す平面図である。 検出部及び制御部の構成を示すブロック図である。 制御部を第３のブロックにおける搬送アーム及び加熱モジュールとともに示す構成図である。 基板搬送方法における各工程の手順を示すフローチャートである。 ウェハを受け渡す際の加熱モジュールと搬送アームの状態を示す図である。 リニアイメージセンサの画素番号と受光量との関係を模式的に示すグラフである。 ４個の検出部のいずれもウェハの切欠部を検出していないと判定される場合における、リニアイメージセンサ及びウェハを示す平面図である。 ４個の検出部のいずれかがウェハの切欠部を検出したと判定される場合における、リニアイメージセンサ及びウェハを示す平面図である。 フォーク曲がりの異常の判定について説明するための図であり、リニアイメージセンサの画素番号と受光量との関係を模式的に示すグラフである。 ウェハの異常について説明するための図であり、ウェハを保持しているフォークを拡大して示す平面図（その１）である。 ウェハの異常の判定について説明するための図であり、リニアイメージセンサの画素番号と受光量との関係を模式的に示すグラフ（その１）である。 ウェハの異常について説明するための図であり、ウェハを保持しているフォークを拡大して示す平面図（その２）である。 ウェハの異常の判定について説明するための図であり、リニアイメージセンサの画素番号と受光量との関係を模式的に示すグラフ（その２）である。 光源の異常の判定について説明するための図であり、リニアイメージセンサの画素番号と受光量との関係を模式的に示すグラフである。 リニアイメージセンサの異常の判定について説明するための図であり、リニアイメージセンサの画素番号と受光量との関係を模式的に示すグラフ（その１）である。 リニアイメージセンサの異常の判定について説明するための図であり、リニアイメージセンサの画素番号と受光量との関係を模式的に示すグラフ（その２）である。 基板搬送方法における各工程の手順を示すフローチャートである。 切欠部がリニアイメージセンサのいずれにも重なっていないときの、ウェハを保持しているフォークを拡大して示す平面図である。 切欠部がリニアイメージセンサのいずれかに重なっているときの、ウェハを保持しているフォークを拡大して示す平面図である。 基板搬送方法における各工程の手順を示すフローチャートである。 基板搬送方法における各工程の手順を示すフローチャートである。

以下、本発明に係る基板搬送装置を備えた基板処理装置を、塗布現像装置に適用した場合を例にして説明する。
（第１の実施の形態）
先ず、図１から図４を参照し、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置である、塗布現像装置に露光装置を接続したレジストパターン形成装置について、図面を参照しながら簡単に説明する。

図１は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す平面図である。図２は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す概略斜視図である。図３は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す側面図である。図４は、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３の構成を示す斜視図である。

レジストパターン形成装置は、図１及び図２に示すように、キャリアブロックＳ１、処理ブロックＳ２、インターフェイスブロックＳ３を有する。また、レジストパターン形成装置のインターフェイスブロックＳ３側に、露光装置Ｓ４が設けられている。処理ブロックＳ２は、キャリアブロックＳ１に隣接するように設けられている。インターフェイスブロックＳ３は、処理ブロックＳ２のキャリアブロックＳ１側と反対側に、処理ブロックＳ２に隣接するように設けられている。露光装置Ｓ４は、インターフェイスブロックＳ３の処理ブロックＳ２側と反対側に、インターフェイスブロックＳ３に隣接するように設けられている。

キャリアブロックＳ１は、キャリア２０、載置台２１及び受け渡し手段Ｃを有する。キャリア２０は、載置台２１上に載置されている。受け渡し手段Ｃは、キャリア２０からウェハＷを取り出し、処理ブロックＳ２に受け渡すとともに、処理ブロックＳ２において処理された処理済みのウェハＷを受け取り、キャリア２０に戻すためのものである。

処理ブロックＳ２は、図１及び図２に示すように、棚ユニットＵ１、棚ユニットＵ２、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４を有する。第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１は、現像処理を行うためのものである。第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２は、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うためのものである。第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３は、レジスト液の塗布処理を行うためのものである。第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４は、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うためのものである。

棚ユニットＵ１は、各種のモジュールが積層されて構成されている。棚ユニットＵ１は、図３に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールＴＲＳ１、ＴＲＳ１、ＣＰＬ１１、ＣＰＬ２、ＢＦ２、ＣＰＬ３、ＢＦ３、ＣＰＬ４、ＴＲＳ４を有する。また、図１に示すように、棚ユニットＵ１の近傍には、昇降自在な受け渡しアームＤが設けられている。棚ユニットＵ１の各処理モジュール同士の間では、受け渡しアームＤによりウェハＷが搬送される。

棚ユニットＵ２は、各種の処理モジュールが積層されて構成されている。棚ユニットＵ２は、図３に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールＴＲＳ６、ＴＲＳ６、ＣＰＬ１２を有する。

なお、図３において、ＣＰＬが付されている受け渡しモジュールは、温調用の冷却モジュールを兼ねており、ＢＦが付されている受け渡しモジュールは、複数枚のウェハＷを載置可能なバッファモジュールを兼ねている。

第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１は、図１及び図３に示すように、現像モジュール２２、搬送アームＡ１及びシャトルアームＥを有する。現像モジュール２２は、１つの第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１内に、上下２段に積層されている。搬送アームＡ１は、２段の現像モジュール２２にウェハＷを搬送するためのものである。すなわち、搬送アームＡ１は、２段の現像モジュール２２にウェハＷを搬送する搬送アームが共通化されているものである。シャトルアームＥは、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ１１から棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＣＰＬ１２にウェハＷを直接搬送するためのものである。

第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、及び第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４は、各々塗布モジュール、加熱・冷却系の処理モジュール群、及び搬送アームＡ２、Ａ３、Ａ４を有する。処理モジュール群は、塗布モジュールにおいて行われる処理の前処理及び後処理を行うためのものである。搬送アームＡ２、Ａ３、Ａ４は、塗布モジュールと処理モジュール群との間に設けられており、塗布モジュール及び処理モジュール群の各処理モジュールの間でウェハＷの受け渡しを行う。

第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２から第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４の各ブロックは、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２及び第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４における薬液が反射防止膜用の薬液であり、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３における薬液がレジスト液であることを除き、同様の構成を有する。

なお、搬送アームＡ１〜Ａ４は、本発明における基板搬送装置に相当するものであり、搬送アームＡ１〜Ａ４の構成については、後述する。

なお、受け渡し手段Ｃ、受け渡しアームＤ、及び後述するインターフェイスアームＦも、本発明における基板搬送装置に相当するものである。以下では、基板搬送装置として、搬送アームＡ１〜Ａ４、受け渡し手段Ｃ、受け渡しアームＤ、及び後述するインターフェイスアームＦを代表し、搬送アームＡ１〜Ａ４について説明するものとする。

なお、図１に示すように、搬送アームＡ１には、後述する検出部５を支持する支持部材５３が設けられている。また、図１に示すように、受け渡し手段Ｃ、受け渡しアームＤ、及び後述するインターフェイスアームＦにも、後述する検出部５を支持する支持部材５３が設けられていてもよい。

ここで、図４を参照し、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、及び第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４を代表し、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３の構成を説明する。

第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３は、塗布モジュール２３、棚ユニットＵ３及び搬送アームＡ３を有する。棚ユニットＵ３は、加熱モジュール、冷却モジュール等の熱処理モジュール群を構成するように積層された、複数の処理モジュールを有する。棚ユニットＵ３は、塗布モジュール２３と対向するように配列されている。搬送アームＡ３は、塗布モジュール２３と棚ユニットＵ３との間に設けられている。図４中２４は、各処理モジュールと搬送アームＡ３との間でウェハＷの受け渡しを行うための搬送口である。

インターフェイスブロックＳ３は、図１に示すように、インターフェイスアームＦを有する。インターフェイスアームＦは、処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ２の近傍に設けられている。棚ユニットＵ２の各処理モジュール同士の間及び露光装置Ｓ４との間では、インターフェイスアームＦによりウェハＷが搬送される。

キャリアブロックＳ１からのウェハＷは、棚ユニットＵ１の一つの受け渡しモジュール、例えば第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２に対応する受け渡しモジュールＣＰＬ２に、受け渡し手段Ｃにより、順次搬送される。受け渡しモジュールＣＰＬ２に搬送されたウェハＷは、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２の搬送アームＡ２に受け渡され、搬送アームＡ２を介して各処理モジュール（塗布モジュール及び加熱・冷却系の処理モジュール群の各処理モジュール）に搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハＷに反射防止膜が形成される。

反射防止膜が形成されたウェハＷは、搬送アームＡ２、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＢＦ２、受け渡しアームＤ、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ３を介し、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３の搬送アームＡ３に受け渡される。そして、ウェハＷは、搬送アームＡ３を介して各処理モジュール（塗布モジュール及び加熱・冷却系の処理モジュール群の各処理モジュール）に搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハＷにレジスト膜が形成される。

レジスト膜が形成されたウェハＷは、搬送アームＡ３を介し、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＢＦ３に受け渡される。

なお、レジスト膜が形成されたウェハＷは、第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４において更に反射防止膜が形成される場合もある。この場合は、ウェハＷは受け渡しモジュールＣＰＬ４を介し、第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４の搬送アームＡ４に受け渡され、搬送アームＡ４を介して各処理モジュール（塗布モジュール及び加熱・冷却系の処理モジュール群の各処理モジュール）に搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハＷに反射防止膜が形成される。そして、反射防止膜が形成されたウェハＷは、搬送アームＡ４を介し、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ４に受け渡される。

レジスト膜が形成されたウェハＷ又はレジスト膜の上に更に反射防止膜が形成されたウェハＷは、受け渡しアームＤ、受け渡しモジュールＢＦ３、ＴＲＳ４を介して受け渡しモジュールＣＰＬ１１に受け渡される。受け渡しモジュールＣＰＬ１１に受け渡されたウェハＷは、シャトルアームＥにより棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＣＰＬ１２に直接搬送された後、インターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＦに受け渡される。

インターフェイスアームＦに受け渡されたウェハＷは、露光装置Ｓ４に搬送され、所定の露光処理が行われる。所定の露光処理が行われたウェハＷは、インターフェイスアームＦを介し、棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ６に載置され、処理ブロックＳ２に戻される。処理ブロックＳ２に戻されたウェハＷは、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１において現像処理が行われる。現像処理が行われたウェハＷは、搬送アームＡ１、棚ユニットＵ１のいずれかの受け渡しモジュール、受け渡し手段Ｃを介し、キャリア２０に戻される。

次に、図４から図６を参照し、本発明における基板搬送装置である搬送アームＡ１〜Ａ４について説明する。搬送アームＡ１〜Ａ４は同様に構成されているので、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３に設けられた搬送アームＡ３を代表して説明する。図５は、搬送アームＡ３を示す斜視図である。図６（ａ）及び図６（ｂ）は、搬送アームＡ３を示す平面図及び側面図である。

図４から図６に示すように、搬送アームＡ３は、２枚のフォーク３（３Ａ、３Ｂ）、基台３１、回転機構３２、進退機構３３Ａ、３３Ｂ、昇降台３４、検出部５（５Ａ〜５Ｄ）、及び制御部６を有する。なお、制御部６については、後述する図８及び図９を用いて説明する。

２枚のフォーク３Ａ、３Ｂは、上下に重なるように設けられている。基台３１は、回転機構３２により、鉛直軸周りに回転自在に設けられている。また、フォーク３Ａ、３Ｂは、各々、その基端側がそれぞれ進退機構３３Ａ、３３Ｂに支持されており、進退機構３３Ａ、３３Ｂにより、基台３１から進退自在に設けられている。

なお、フォーク３（３Ａ、３Ｂ）は、本発明における保持部に相当する。また、本実施の形態は、２枚のフォーク３Ａ、３Ｂは、上下に重なるように設けられている例に限定されるものではなく、２枚のフォーク３Ａ、３Ｂが水平方向に並んで設けられていてもよい。また、フォーク３は、１枚のみであってもよく、あるいは、３枚以上が上下に重なるように、又は水平方向に並んで設けられていてもよい。

進退機構３３Ａ、３３Ｂは、基台３１内部に設けられた駆動機構である、後述する図９に示すモータＭに、タイミングベルト等の伝達機構を用いて連結されており、基台３１から進退自在に設けられたフォーク３Ａ、３Ｂを進退駆動する。伝達機構としては、ボールネジ機構やタイミングベルトを用いた機構等、周知の構成を用いることができる。

なお、後述する図９には、基台３１の下方側に進退機構３３Ａの駆動機構３３を図示している。進退機構３３Ａは、基台３１内部に設けられた駆動機構３３をモータＭにより回転させることによって、フォーク３Ａ、３Ｂを基台３１から進退駆動するように構成されている。モータＭは、エンコーダ３８に接続されている。図９中３９はエンコーダ３８のパルス数をカウントするカウンタである。

昇降台３４は、図４に示すように、回転機構３２の下方側に設けられている。昇降台３４は、上下方向（図４中Ｚ軸方向）に直線状に延びる図示しないＺ軸ガイドレールに沿って、昇降機構により昇降自在に設けられている。昇降機構としては、ボールネジ機構やタイミングベルトを用いた機構等、周知の構成を用いることができる。この例ではＺ軸ガイドレール及び昇降機構は夫々カバー体３５により覆われており、例えば上部側において接続されて一体となっている。またカバー体３５は、Ｙ軸方向に直線状に伸びるＹ軸ガイドレール３６に沿って摺動移動するように構成されている。

次に、図５から図８を参照し、フォーク３、検出部５について説明する。図７は、フォーク３Ａを拡大して示す平面図である。図７では、図示を容易にするため、フォーク３Ａに対し、保持爪４（４Ａ〜４Ｄ）を少し拡大して示している。図８は、検出部５及び制御部６の構成を示すブロック図である。図８における制御部６は、後述する図９及び図１１を用いて説明する制御部６と同一である。

図５から図７に示すように、フォーク３Ａ、３Ｂは、円弧状に形成され、搬送するウェハＷの周囲を囲むように設けられている。また、フォーク３Ａ、３Ｂには、各々保持爪４が形成されている。保持爪４は、フォーク３Ａ、３Ｂの内縁から各々内側に突出するとともに、内縁に沿って互いに間隔を隔てて設けられており、ウェハＷの周縁部が載置されることによってウェハＷを保持するものである。保持爪４は、３個以上が設けられる。図５及び図６に示す例では、ウェハＷの周縁部の４箇所を保持するために、４個の保持爪４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄが設けられている。

図５から図７に示すように、保持爪４Ａ〜４Ｄの各々には、真空吸着部４１Ａ〜４１Ｄが設けられている。真空吸着部４１Ａ〜４１Ｄは、保持爪４Ａ〜４ＤにウェハＷの周縁部が載置されたときに、ウェハＷの周縁部を真空吸着することによって、ウェハＷを保持爪４Ａ〜４Ｄに保持するものである。また、図７に示すように、真空吸着部４１Ａ〜４１Ｄは、保持爪４Ａ〜４Ｄに設けられた吸着孔４２Ａ〜４２Ｄを有する。吸着孔４２Ａ〜４２Ｄは、図６（ａ）に示すように、フォーク３Ａ、３Ｂの内部、上面又は下面に形成された真空配管４３Ａ、４３Ｂと連通しており、真空配管４３Ａ、４３Ｂを介し、図示しない真空排気部に接続されている。このような構成を有することにより、真空吸着部４１Ａ〜４１Ｄは、ウェハＷを真空吸着することができる。

本実施の形態に係るフォーク３Ａ、３Ｂは、真空吸着部４１Ａ〜４１ＤによりウェハＷを保持爪４Ａ〜４Ｄに保持する。従って、ウェハＷの周縁部の水平位置を位置決めできるように、フォーク３Ａ、３Ｂに、ウェハＷの周囲を囲むようにガイドを設け、ガイドの内側を傾斜させ、ウェハＷをフォーク３Ａ、３Ｂの所定位置に落とし込む落とし込み機構を有する必要がない。よって、レジスト膜等の塗布膜が塗布処理されたウェハＷを載置する際に、ウェハＷの外周に塗布されている塗布膜がガイドと接触して剥がれ、パーティクルを発生させるおそれはない。

なお、後述するように、本実施の形態では、ウェハＷ位置のずれ量を精度よく検出でき、そのずれ量を容易に補正できるため、フォーク３Ａ、３Ｂは、落とし込み機構に代えて単に載置する構造を有するものであればよく、必ずしも真空吸着部を有する必要はない。

検出部５（５Ａ〜５Ｄ）は、図５から図７に示すように、４個設けられている。検出部５（５Ａ〜５Ｄ）は、それぞれのフォーク３Ａ、３ＢがウェハＷを保持した状態で後退しているときに、フォーク３Ａ、３Ｂが保持しているウェハＷの周縁部の位置を、それぞれ異なる位置で検出するためのものである。検出部５（５Ａ〜５Ｄ）は、フォーク３Ａ、３Ｂが後退したときにフォーク３Ａ、３Ｂに保持されているウェハＷの周縁部と平面視において重なるように設けられている。また、４個の検出部５Ａ〜５Ｄは、平面視において、フォーク３Ａ、３Ｂが後退したときにフォーク３Ａ、３Ｂに保持されているウェハＷの外周に沿って互いに間隔を隔てて設けられている。

検出部５（５Ａ〜５Ｄ）は、一対の光源５１（５１Ａ〜５１Ｄ）と、複数の受光素子が配列してなる受光部５２とにより構成されている。また、受光部５２として、例えばリニアイメージセンサ５２（５２Ａ〜５２Ｄ）を用いることができる。光源５１（５１Ａ〜５１Ｄ）とリニアイメージセンサ５２（５２Ａ〜５２Ｄ）とは、後退しているフォーク３Ａ、３Ｂが保持しているウェハＷのいずれをも上下から挟むように設けられている。検出部５Ａ〜５Ｄは、フォーク３Ａ、３Ｂのいずれか１枚がウェハＷを保持した状態で後退しているときに、フォーク３Ａ、３Ｂのいずれかが保持しているウェハＷの周縁部の位置を検出するためのものである。

具体的には、光源５１（５１Ａ〜５１Ｄ）とリニアイメージセンサ５２（５２Ａ〜５２Ｄ）とは、一方が２枚のフォーク３Ａ、３Ｂの下方に設けられ、他方が２枚のフォーク３Ａ、３Ｂの上方に設けられる。光源５１（５１Ａ〜５１Ｄ）又はリニアイメージセンサ５２（５２Ａ〜５２Ｄ）のいずれか一方が２枚のフォーク３Ａ、３Ｂの下方に設けられる場合には、基台３１に取り付けられていてもよく、下側のフォーク３Ｂの基台３１側に取り付けられていてもよい。一方、光源５１（５１Ａ〜５１Ｄ）又はリニアイメージセンサ５２（５２Ａ〜５２Ｄ）のいずれか他方が２枚のフォーク３Ａ、３Ｂの上方に設けられる場合には、基台３１に取り付けられていてもよく、上側のフォーク３Ａの基台３１側と反対側に取り付けられていてもよい。

図５及び図６に示す例では、光源５１が基台３１に取り付けられており、リニアイメージセンサ５２が、支持部材５３を介して基台３１に取り付けられている例を示す。

上記した構成を有することにより、２枚のフォーク３Ａ、３Ｂの各々に保持されているウェハＷの周縁部のある位置を検出するのに、光源５１及びリニアイメージセンサ５２のいずれをもフォーク３Ａ、３Ｂごとに設ける必要がない。従って、用いる光源５１及びリニアイメージセンサ５２の数を少なくすることができる。

ただし、２枚のフォーク３Ａ、３Ｂに検出部５が４つ設けられているような構成にすることも可能である。フォーク３Ａ、３Ｂごとに検出部５が４つ設けられる場合には、検出部５を構成する一対の光源５１とリニアイメージセンサ５２は、後退しているフォーク３Ａ、３Ｂが保持しているウェハＷのいずれかを上下から挟むように設けられたものであればよい。

また、検出部５を４個（５Ａ〜５Ｄ）設けることにより、後述するように、周縁部にノッチ（切欠部）ＷＮを有するウェハＷを保持し、搬送する場合にも、ウェハＷの位置のずれ量を精度よく検出でき、そのずれ量を容易に補正できる。なお、検出部５は、４個以上設けられていてもよい。

光源５１として、以下では、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）を用いた例を説明するが、具体的には、複数のＬＥＤを直線状に配列させた光源、又は単一のＬＥＤの発光側に直線状に導光材料を設け直線状の光源としたものを用いることができる。また、リニアイメージセンサ５２として、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）ラインセンサ、ファイバーラインセンサ、光電センサ等各種のリニアイメージセンサを用いることができる。すなわち、リニアイメージセンサよりなる受光部５２の受光素子として、ＣＣＤ、光電センサ等の各種の受光素子を用いることができる。以下では、これら各種のリニアイメージセンサを代表し、ＣＣＤラインセンサを用いる例について説明する。

図８に示すように、検出部５Ａは、ＬＥＤ５１、ＣＣＤラインセンサ５２に加え、ＣＣＤラインセンサ制御部５４、デジタルアナログコンバータ（ＤＡＣ）５５、アナログデジタルコンバータ（ＡＤＣ）５６を有する。また、図８では図示を省略するが、検出部５Ｂ、５Ｃ、５Ｄも、検出部５Ａと同様の構成を有する。

ＣＣＤラインセンサ制御部５４は、図示しないクロックからのクロック信号に基づいてＣＣＤラインセンサ５２の各ＣＣＤ素子の動作タイミングをずらし、電荷移動させるためのものであり、タイミングジェネレータである。また、ＣＣＤラインセンサ制御部５４は、ＬＥＤ５１の電流制御も行う。ＤＡＣ５５は、ＣＣＤラインセンサ制御部５４からのデジタル制御信号を、ＬＥＤ５１に入力するために、アナログ変換するためのものである。ＡＤＣ５６は、ＣＣＤラインセンサ５２からの検出信号であるアナログ出力信号を、検出部５Ａ〜５Ｄから出力するために、デジタル変換するためのものである。

検出部５から出力された検出信号（検出値）は、制御部６に入力される。制御部６は、アンプ５７を介し、進退機構３３Ａ、３３Ｂに設けられたＸ軸駆動用のモータＭ１、Ｍ２、基台３１に設けられたＹ軸駆動用のモータＭ３、昇降台３４に設けられたＺ軸駆動用のモータＭ４、回転機構３２に設けられた回転駆動用のモータＭ５の計５軸駆動用のモータＭ１〜Ｍ５を制御する。

以上のような構成により、ＣＣＤラインセンサ制御部５４からの制御信号が、ＤＡＣ５５によりアナログ変換され、アナログ変換された制御信号がＬＥＤ５１に入力されることによって、ＬＥＤ５１は直線状に光を発光する。ＬＥＤ５１から発光された光は、ＣＣＤラインセンサ５２において受光される。光を受光したＣＣＤラインセンサ５２は、ＣＣＤラインセンサ制御部５４からの制御信号のタイミングに基づいて、センサ内で電荷移動させられることによって受光量に応じた信号を出力する。ＣＣＤラインセンサ５２から出力された検出信号（検出値）は、ＡＤＣ５６によりデジタル変換された後、制御部６内の演算処理部６１に入力される。

演算処理部６１での処理を含め、制御部６内では、検出値に基づいて、ウェハＷの周縁部の位置を計測し、ウェハＷの中心位置を算出し、ウェハＷの半径を算出し、４個の検出部５Ａ〜５ＤのいずれもウェハＷの切欠部ＷＮを検出していないか否かの判定を行う。そして、４個の検出部５Ａ〜５Ｄの１個が切欠部ＷＮを検出したと判定したときに、それ以外の３個の検出部５の検出値に基づいて、フォーク３Ａ、３Ｂの位置を補正する。

次に、図９を参照し、搬送アームと処理モジュールとの間のウェハＷの受け渡しを制御する制御部６について説明する。

なお、以下では、基板搬送方法の説明も含め、搬送アームがウェハＷを受け渡す処理モジュールとして、加熱モジュール７を例示して説明する。加熱モジュール７は、前述した図３及び図４を用いて説明したように、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４のそれぞれにおいて、棚ユニットＵ３に組み込まれている。

図９は、制御部６を第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３における搬送アームＡ３及び加熱モジュール７とともに示す構成図である。

図９に示すように、加熱モジュール７は、処理容器７１、熱板７２、突き上げピン７３、昇降機構７４を有する。加熱モジュール７は、ウェハＷに対して熱処理を行うものである。処理容器７１内には、熱板７２が設けられている。熱板７２には、突き上げピン７３が設けられている。昇降機構７４は突き上げピン７３を昇降するためのものである。また、図９中７０は、ウェハＷの搬送口である。

制御部６は、演算処理部６１、記憶部６２、表示部６３、及びアラーム発生部６４を有する。

演算処理部６１は、例えばメモリ、ＣＰＵ（Central Processing Unit）を有するデータ処理部であるコンピュータである。演算処理部６１は、記憶部６２に記録されたプログラムを読み取り、そのプログラムに含まれる命令（コマンド）に従って、レジストパターン形成装置の各部に制御信号を送り、レジストパターン形成処理に含まれる各種の基板処理を実行する。また、演算処理部６１は、記憶部６２に記録されたプログラムを読み取り、そのプログラムに含まれる命令（コマンド）に従って、搬送アームＡ３の各モータＭ１〜Ｍ５に制御信号を送り、ウェハＷの受け渡し及び搬送を実行する。

記憶部６２は、演算処理部６１に、各種の処理を実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体である。記録媒体として、例えば、フレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、光磁気（Magnetoptical；ＭＯ）ディスク等を用いることができる。

表示部６３は、例えばコンピュータの画面よりなる。表示部６３では、各種の基板処理の選択や、各基板処理におけるパラメータの入力操作を行うことができる。

アラーム発生部６４は、搬送アームＡ３を含め、レジストパターン形成装置の各部に異常が発生したときに、アラームを発生させる。

また、前述したように、演算処理部６１は、搬送アームＡ３の進退機構３３Ａ、３３Ｂ、基台３１、昇降台３４、回転機構３２に設けられたモータＭ１〜Ｍ５、エンコーダ３８やカウンタ３９等に対して所定の制御信号を送り、制御するように構成されている。そして、記憶部６２には、本実施の形態に係る基板搬送方法を実行するためのプログラムが含まれている。

次に、図９から図１４を参照し、搬送アームＡ３のフォーク３Ａが加熱モジュール７からウェハＷを受け取る際の工程を例示し、本実施の形態に係る基板搬送方法について説明する。図１０は、基板搬送方法における各工程の手順を示すフローチャートである。図１１は、ウェハＷを受け渡す際の加熱モジュール７と搬送アームＡ３の状態を示す図である。図１２は、リニアイメージセンサの画素番号と受光量との関係を模式的に示すグラフである。図１３は、４個の検出部５のいずれもウェハＷの切欠部を検出していないと判定される場合における、リニアイメージセンサ５２Ａ〜５２Ｄ及びウェハＷを示す平面図である。図１４は、４個の検出部５のいずれかがウェハＷの切欠部ＷＮを検出したと判定される場合における、リニアイメージセンサ５２Ａ〜５２Ｄ及びウェハＷを示す平面図である。

図１０に示すように、基板搬送方法は、受け取り工程（ステップＳ１１）、後退工程（ステップＳ１２）、検出工程（ステップＳ１３）、中心位置算出工程（ステップＳ１４）、判定工程（ステップＳ１５）、選択工程（ステップＳ１６又はステップＳ１６´）、ずれ量計算工程（ステップＳ１７）、及び搬送工程（ステップＳ１８）を有する。

受け取り工程（ステップＳ１１）では、図１１（ａ）に示すように、ウェハＷを保持した突き上げピン７３を突き上げ、突き上げピン７３によりウェハＷを熱板７２の上方位置まで上昇させる。次に、図１１（ｂ）に示すように、ウェハＷの下方側に、フォーク３ＡをＸ軸に沿ってホームポジションから前進させる。そして、図１１（ｃ）に示すように、フォーク３Ａを上昇させ、ウェハＷを下方側から掬い上げるようにして、保持爪４Ａ〜４Ｄに保持することによって、加熱モジュール７の熱板７２からウェハＷを受け取る。

次に、後退工程（ステップＳ１２）では、図１１（ｄ）に示すように、ウェハＷをフォーク３Ａに保持した状態で、突き上げピン７３を下降させる。そして、図１１（ｅ）に示すように、フォーク３ＡをＸ軸に沿って加熱モジュール７からホームポジションまで後退させる。

次に、検出工程（ステップＳ１３）では、図１１（ｅ）に示すように、ウェハＷを保持している状態でフォーク３Ａが後退しているときに、制御部６が、リニアイメージセンサ５２の検出値に基づいて、ウェハＷの周縁部の位置を計測する。

後退工程（ステップＳ１２）の後、ウェハＷを保持している状態でフォーク３Ａが後退しているときに、フォーク３Ａの下方に設けられている光源５１により下方から上方に向けて光を発光する。発光した光をフォーク３Ａの上方に設けられているリニアイメージセンサ５２により受光する。受光したリニアイメージセンサ５２が、ウェハＷの径方向に沿ってＣＣＤが直線状に配列されてなるＣＣＤラインセンサであるときは、各画素である各ＣＣＤの検出値に基づいて、受光した画素と受光しない画素との境界の位置を決定することができる。そして、決定した境界の位置に基づいて、ウェハＷの周縁部の位置を計測することができる。

図１２に示すように、光源５１により発光した光を受光していない画素の検出値（以下「受光量」という。）を第１の値ｎ１とし、光源５１により発光した光を受光している画素の受光量を第２の値ｎ２とする。このとき、ウェハＷの周縁部の位置を、各画素の受光量が第１の値ｎ１と第２の値との間で変化する位置Ｅとして検出することができる。受光量を８ビットのデータとして処理するときは、第１の値ｎ１を例えば０とし、第２の値ｎ２を例えば２５５以下の所定の値とすることができる。また、図１２では、図１５を用いて後述するように、光源５１により発光した光がフォーク３Ａ、３Ｂにより遮られる基準位置の画素数を９００としている。

なお、前述したように、光源５１として、ＬＥＤに代え、各種の光源を用いることができ、リニアイメージセンサ５２の受光素子として、ＣＣＤに代え、各種の受光素子を用いることができる。

図１３に示すように、４個のリニアイメージセンサ５２Ａ〜５２Ｄの延在する方向とＹ軸とのなす角をθ１、θ２、θ３、θ４とする。

フォーク３Ａに保持されているウェハＷがずれていないときの位置を基準位置（本発明における所定位置）として、図１３に示すように、基準位置におけるリニアイメージセンサ５２上のウェハＷの周縁部の位置を、それぞれａ点、ｂ点、ｃ点、ｄ点とする。また、フォーク３Ａに保持されているウェハＷがずれているときの位置をずれ位置とし、ずれ位置におけるリニアイメージセンサ５２上のウェハＷの周縁部の位置を、それぞれａ´点、ｂ´点、ｃ´点、ｄ´点とする。

各リニアイメージセンサ５２における、ａ点、ｂ点、ｃ点、ｄ点とａ´点、ｂ´点、ｃ´点、ｄ´点との距離をΔａ、Δｂ、Δｃ、Δｄとする。このとき、Δａ、Δｂ、Δｃ、Δｄは、
Δａ［mm］＝{(ａ'点の画素数)−(ａ点の画素数)}×画素間隔［mm］ （１）
Δｂ［mm］＝{(ｂ'点の画素数)−(ｂ点の画素数)}×画素間隔［mm］ （２）
Δｃ［mm］＝{(ｃ'点の画素数)−(ｃ点の画素数)}×画素間隔［mm］ （３）
Δｄ［mm］＝{(ｄ'点の画素数)−(ｄ点の画素数)}×画素間隔［mm］ （４）
なお、ａ点の画素数とは、リニアイメージセンサ５２のウェハＷの中心側における始点からａ点までにおける画素の数を意味する。

すると、ａ点〜ｄ点、ａ´点〜ｄ´点の座標は、次のように表される。

ａ点 (Ｘ１，Ｙ１)＝(Ｘ−Ｒsinθ１，Ｙ−Ｒcosθ１) （５）
ａ'点 (Ｘ１'，Ｙ１')＝(Ｘ１−Δａsinθ１，Ｙ１−Δａcosθ１）
＝(Ｘ−(Ｒ＋Δａ)sinθ１，Ｙ−(Ｒ＋Δａ)cosθ１) （６）
ｂ点 (Ｘ２，Ｙ２)＝(Ｘ−Ｒsinθ２，Ｙ＋Ｒcosθ２) （７）
ｂ'点 (Ｘ２'，Ｙ２')＝(Ｘ２−Δｂsinθ２，Ｙ２＋Δｂcosθ２）
＝(Ｘ−(Ｒ＋Δｂ)sinθ２，Ｙ＋(Ｒ＋Δｂ)cosθ２) （８）
ｃ点 (Ｘ３，Ｙ３)＝(Ｘ＋Ｒsinθ３，Ｙ＋Ｒcosθ３) （９）
ｃ'点 (Ｘ３'，Ｙ３')＝(Ｘ３＋Δｃsinθ３，Ｙ３＋Δｃcosθ３）
＝(Ｘ＋(Ｒ＋Δｃ)sinθ３，Ｙ＋(Ｒ＋Δｃ)cosθ３) （１０）
ｄ点 (Ｘ４，Ｙ４)＝(Ｘ＋Ｒsinθ４，Ｙ−Ｒcosθ４) （１１）
ｄ'点 (Ｘ４'，Ｙ４')＝(Ｘ４＋Δｄsinθ４，Ｙ４−Δｄcosθ４）
＝(Ｘ＋(Ｒ＋Δｄ)sinθ４，Ｙ−(Ｒ＋Δｄ)cosθ４) （１２）
従って、式（６）、式（８）、式（１０）、式（１２）により、ａ´点（Ｘ１´，Ｙ１´）、ｂ´点（Ｘ２´，Ｙ２´）、ｃ´点（Ｘ３´，Ｙ３´）、ｄ´点（Ｘ４´，Ｙ４´）の座標を求めることができる。

次に、中心位置算出工程（ステップＳ１４）では、ａ´点、ｂ´点、ｃ´点、ｄ´点のうちいずれか３点からずれ位置におけるウェハＷの中心位置ｏ´の座標（Ｘ´、Ｙ´）を算出する。

例えば、ａ´点（Ｘ１´，Ｙ１´）、ｂ´点（Ｘ２´，Ｙ２´）、ｃ´点（Ｘ３´，Ｙ３´）の３点からずれ位置における中心位置ｏ´の座標（Ｘ´、Ｙ´）を算出する式は、下記式（１３）

及び下記式（１４）

に示される。

また、半径Ｒ´は、中心位置ｏ´の座標（Ｘ´，Ｙ´）とａ´点（Ｘ１´，Ｙ１´）、ｂ´点（Ｘ２´，Ｙ２´）、ｃ´点（Ｘ３´，Ｙ３´）の各座標より、下記式（１５）

により求められる。

また、中心位置算出工程（ステップＳ１４）では、次の判定工程（ステップＳ１５）を行うため、ａ´点、ｂ´点、ｃ´点、ｄ´点のうち、前述した３点（ａ´点、ｂ´点、ｃ´点）と異なる３点の組み合わせ、例えば（ａ´点、ｂ´点、ｄ´点）、（ａ´点、ｃ´点、ｄ´点）、（ｂ´点、ｃ´点、ｄ´点）を抽出し、その３点に対応して、中心位置ｏ´の座標（Ｘ´、Ｙ´）及び、半径Ｒ´を算出しておく。

次に、判定工程（ステップＳ１５）では、４個のリニアイメージセンサ５２Ａ〜５２ＤのいずれかがウェハＷの周縁部であって切欠きが設けられた部分（切欠部）ＷＮを検出したか否かを判定する。

中心位置算出工程（ステップＳ１４）により、ａ´点、ｂ´点、ｃ´点、ｄ´点のうち、いずれかの３点の組み合わせに対応して算出した中心位置ｏ´の座標（Ｘ´、Ｙ´）及び、半径Ｒ´について、判定を行う。

まず、いずれかの３点の組み合わせに対応する半径Ｒ´が、ウェハＷの既知の半径であるＲと略等しいかを判定する。

図１３に示すように、ウェハＷのノッチ（切欠部）ＷＮが、平面視において、ａ´点、ｂ´点、ｃ´点、ｄ´点のいずれの近傍にもないときは、ａ´点、ｂ´点、ｃ´点、ｄ´点のうち、いずれの３点の組み合わせに対応して算出した半径Ｒ´も半径Ｒと略等しくなる。このときは、４個のリニアイメージセンサ５２Ａ〜５２ＤのいずれもウェハＷの切欠部ＷＮを検出していないと判定される。

このときは、次の選択工程（ステップＳ１６）において、４個のリニアイメージセンサ５２Ａ〜５２Ｄのうち、いずれの３個のリニアイメージセンサ５２の検出値を選択してもよい。

一方、図１４に示すように、ウェハＷのノッチ（切欠部）ＷＮが、平面視において、ａ´点、ｂ´点、ｃ´点、ｄ´点のいずれかの近傍にあるときは、その近傍にある点を除いた３点の組み合わせに対応して算出した半径Ｒ´は半径Ｒと略等しくなる。しかし、その近傍にある点を含む３点の組み合わせに対応して算出した半径Ｒ´は、半径Ｒと異なる。このときは、４個のリニアイメージセンサ５２Ａ〜５２ＤのいずれかがウェハＷの切欠部を検出したと判定される。図１４に示す例では、ウェハＷのノッチ（切欠部）ＷＮが平面視においてｂ´点の近傍にある。

このときは、次の選択工程（ステップＳ１６´）において、４個のリニアイメージセンサ５２Ａ〜５２Ｄのうち、ウェハＷの切欠部ＷＮを検出したリニアイメージセンサ５２以外の３個のリニアイメージセンサ５２の検出値を選択する。図１４に示す例では、３個のリニアイメージセンサ５２Ａ、５２Ｃ、５２Ｄの検出値を選択する。

次に、ずれ量計算工程（ステップＳ１７）では、算出した中心位置ｏ´の座標（Ｘ´、Ｙ´）と、基準位置ｏにおけるウェハＷの座標ｏ（Ｘ、Ｙ）との間のずれ量（ΔＸ、ΔＹ）を求める。

ウェハＷの切欠部ＷＮを検出したリニアイメージセンサ（図１４に示す例では、５２Ｂ）以外のリニアイメージセンサ（図１４に示す例では、５２Ａ、５２Ｃ、５２Ｄ）の検出値に基づいて、ずれ量（ΔＸ、ΔＹ）を算出する。

ずれ量（ΔＸ，ΔＹ）は、
ΔＸ［mm］＝Ｘ´−Ｘ （１６）
ΔＹ［mm］＝Ｙ´−Ｙ （１７）
により算出する。

次に、搬送工程（ステップＳ１８）では、ずれ量計算工程（ステップＳ１７）で計算したずれ量（ΔＸ、ΔＹ）により、次の処理モジュールに搬送する時に、ずれ量分フォークの搬送量を補正して搬送先のユニットの必要な位置（受渡し位置）に置くようにウェハＷを搬送する。搬送工程（ステップＳ１８）では、算出した中心位置ｏ´が基準位置ｏになるように、次の処理モジュールの基板の受渡し位置に補正する。そして、搬送工程（ステップＳ１８）の後、次の処理モジュールの基板保持部にウェハＷを受け渡す。

なお、次の処理モジュールは、本発明における次の処理ユニットに相当する。

本実施の形態では、判定工程（ステップＳ１５）を行うことにより、周縁部に切欠部ＷＮがあるウェハＷを保持し、搬送する場合にも、ウェハＷの位置のずれ量を精度よく検出でき、そのずれ量を容易に補正できる。更に、ウェハＷを所定の位置に落とし込む構造を有していないフォークにより搬送する場合にも、ウェハＷの位置のずれ量を精度よく検出でき、そのずれ量を容易に補正できる。

なお、次の処理モジュールに搬送した後、検出工程（ステップＳ１３）、中心位置算出工程（ステップＳ１４）及びずれ量計算工程（ステップＳ１７）を再度行ってもよい。これにより、最初にずれ量を検出した後、次の処理モジュールに搬送する間に発生したずれ量をも検出することができる。

また、本実施の形態では、リニアイメージセンサ５２の各画素の受光量である検出値を用いて、各種の異常の検知が可能である。以下では、フォーク曲がりの異常、ウェハＷの異常、光源５１の異常及びリニアイメージセンサ５２の異常の検知方法を説明する。

始めに、図１５を参照し、フォーク曲がりの異常の検知方法について説明する。図１５は、フォーク曲がりの異常の判定について説明するための図であり、リニアイメージセンサの画素番号と受光量との関係を模式的に示すグラフである。

検出部５をフォーク３Ａ、３Ｂと別体で設けているときは、光源５１から発光された光がフォーク３Ａ、３Ｂにより一部遮光される。従って、一部遮光された光がリニアイメージセンサ５２に受光されるときに検出される検出値を予め保存しておく。そして、フォーク３Ａ、３Ｂが後退しているときのリニアイメージセンサ５２の検出値に基づいて、定期的にフォーク３Ａ、３Ｂの形状を監視することができる。この場合、検出部５を、フォーク３Ａ、３Ｂが後退しているときに、フォーク３Ａ、３Ｂの位置を、それぞれ異なる位置で検出することもできるように構成しておく。

具体的には、図１５のように、予め定められたフォーク３Ａ、３Ｂの基準位置を、リニアイメージセンサ５２の受光量が変化する点における画素数として保存（記憶）しておく。このフォーク３Ａ、３Ｂの基準位置とは、フォーク３Ａ、３Ｂの形状が正常な状態で、フォークが後退した位置（ホームポジション）にあるときに、フォーク３Ａ、３Ｂの形状を検出した位置をいう。例えば、フォーク３Ａ、３Ｂの基準位置の画素数を９００とする。そして、例えば、フォーク３Ａ、３Ｂが、搬送アームＡ３の他の部分又は他の処理モジュールの一部と干渉し、曲がった場合には、画素数が７００程度まで変化する。この画素数の変化により、フォーク曲がりの異常を判定することができる。

画素数の変化より、フォーク曲がりが数ｍｍ程度であってそのままウェハＷの搬送が継続できると判定された場合には、上記搬送工程（ステップＳ１８）と同様にウェハＷを搬送し、搬送終了後に、制御部６のアラーム発生部６４によりアラームを発生させる。しかし、画素数の変化が大きく、フォーク曲がりが異常と判定された場合には、ウェハＷの搬送を中止し、アラームを発生させる。

すなわち、制御部６は、フォーク３Ａ、３Ｂの基準位置と、フォーク３Ａ、３ＢがウェハＷを受け取り後退したときの位置とを比較して、フォーク３Ａ、３Ｂの形状の異常を判定するものである。

このように構成することで、フォークの曲がりが僅かな場合であれば処理を継続することができるので、装置の稼働率を高めることができる。また、毎回ウェハの中心を算出すると共に、フォーク曲がりの異常を判定することができるので、フォークの破損を即座に把握することができる。

次に、図１６から図１９を参照し、ウェハＷの異常の検知方法について説明する。図１６及び図１８は、ウェハＷの異常について説明するための図であり、ウェハＷを保持しているフォーク３Ａを拡大して示す平面図である。図１６及び図１８では、図示を容易にするために、保持爪４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄ及び切欠部ＷＮの図示を省略している。図１７及び図１９は、ウェハＷの異常の判定について説明するための図であり、リニアイメージセンサ５２の画素番号と受光量との関係を模式的に示すグラフである。

前述したように、ウェハＷの周縁部の位置を、各画素の受光量が第１の値ｎ１と第２の値ｎ２との間で変化する位置として検出することができる。従って、各画素の受光量に基づいて、ウェハＷの保持状態に異常が発生したことを検知できる。

例えば、図１６に示すように、フォーク３Ａに保持されているウェハＷが、基準位置ＳＰになく、フォーク３Ａからはみ出しているときを考える。そして、円で囲まれた領域Ｉにおいて、ウェハＷが平面視でリニアイメージセンサ５２Ｃと全く重なっていないものとする。このとき、リニアイメージセンサ５２Ｃでは、図１７の破線で示すように、フォーク３Ａに遮られていない領域において、全ての画素の受光量が、第２の値ｎ２となり、いずれの画素の受光量も第１の値ｎ１とはならない。従って、いずれかのリニアイメージセンサ５２のフォーク３Ａに遮られていない領域において、全ての画素の受光量が、第２の値ｎ２であり、ウェハＷの周縁部の位置Ｅを検出しないとき、制御部６は、ウェハＷがフォーク３Ａからはみ出していると判定することができる。

また、例えば、図１８に示すように、フォーク３Ａに保持されているウェハＷが、基準位置ＳＰになく、割れているときを考える。そして、円で囲まれた領域IIにおいて、割れたウェハＷ１がウェハＷとフォーク３Ａとの間にあるものとする。このとき、リニアイメージセンサ５２Ｂでは、図１９に示すように、各画素の受光量が、例えば位置Ｅ１で第１の値ｎ１から第２の値ｎ２に変化するとともに、位置Ｅ２でも第１の値ｎ１から第２の値ｎ２に変化する。従って、リニアイメージセンサ５２Ｂは、互いに異なる２つの位置Ｅ１、Ｅ２を、複数の周縁部の位置（ウェハエッジ）として検出する。すると、それぞれのリニアイメージセンサ５２の検出値に基づいて算出されるウェハＷの半径Ｒは一致しないか、又は、真の値より大きくずれることがある。このようなとき、制御部６は、ウェハＷが割れていると判定することができる。

周縁部の位置の変化より、ウェハＷがフォーク３Ａからはみ出していると判定された場合、又は、ウェハＷが割れていると判定された場合には、ウェハＷの搬送を中止し、制御部６のアラーム発生部６４によりアラームを発生させる。

すなわち、制御部６は、フォーク３Ａ、３ＢがウェハＷを受け取り後退したときの検出値に基づいて、ウェハＷのフォーク３Ａ、３Ｂからのはみ出しの有無又はウェハＷの割れの有無を判定するものである。これにより、毎回ウェハの中心を算出すると共に、ウェハＷの異常を判定することができるので、ウェハＷのはみ出し又は破損を即座に把握することができる。

次に、図２０を参照し、光源５１の異常の検知方法について説明する。図２０は、光源５１の異常の判定について説明するための図であり、リニアイメージセンサ５２の画素番号と受光量との関係を模式的に示すグラフである。

光源５１に異常が発生したときは、光源５１により発光した光がフォーク３Ａに保持されているウェハＷに通常遮られない位置に配置されている画素により、光の光量を検出し、検出した検出値に基づいて、光源５１の異常を検知することができる。

例えば、ＬＥＤよりなる光源５１に異常が発生したときを考える。ＬＥＤに発生する異常としては、ＬＥＤの消灯、ＬＥＤの光量の低下、ＬＥＤに備えられたレンズの汚れ、あるいは、制御部６とＬＥＤとの間のいずれかのケーブルの断線等が例示される。

このとき、図２０に示すように、光源５１により発光した光がフォーク３Ａに保持されているウェハＷに通常遮られない位置に配置されている画素の受光量が、本来検出されるはずの第２の値ｎ２から変化する。従って、ウェハＷに通常遮られない位置に配置されている画素の受光量が、第２の値ｎ２と異なる値であるとき、制御部６は、光源５１に異常が発生していると判定することができる。

検出値の変化より、例えばＬＥＤの光量の低下が少量であってそのままウェハの搬送が継続できると判定された場合には、上記搬送工程（ステップＳ１８）と同様にウェハＷを搬送し、搬送終了後に、制御部６のアラーム発生部６４によりアラームを発生させる。しかし、例えばＬＥＤの光量の低下が大きく、光源５１に異常が発生していると判定された場合には、ウェハＷの搬送を中止し、アラームを発生させる。

すなわち、制御部６は、光源５１により発光した光がフォーク３Ａに保持されているウェハＷに通常遮られない位置に配置されている受光素子の検出値に基づいて、光源５１の異常を検知するものである。

これにより、光源の異常の程度が僅かな場合であれば処理を継続することができるので、装置の稼働率を高めることができる。また、毎回ウェハの中心を算出すると共に、光源の異常を判定することができるので、光源の不具合を即座に把握することができる。

次に、図２１及び図２２を参照し、リニアイメージセンサ５２の異常の検知方法について説明する。図２１及び図２２は、リニアイメージセンサ５２の異常の判定について説明するための図であり、リニアイメージセンサ５２の画素番号と受光量との関係を模式的に示すグラフである。

フォーク３ＡがウェハＷを保持していないときに、リニアイメージセンサ５２により、光源５１により発光した光の光量を検出し、検出した検出値に基づいて、リニアイメージセンサ５２の異常を検知することができる。

フォーク曲がりの検知方法と同様に、光源５１から発光された光がリニアイメージセンサ５２に受光されるときに検出される検出値を、基準値として予め保存しておく。そして、基準値に基づいて、リニアイメージセンサ５２の異常を検知することができる。

例えば、リニアイメージセンサ５２に異常が発生したときを考える。リニアイメージセンサ５２に発生する異常としては、各ＣＣＤの欠陥、制御部６とリニアイメージセンサとの間のいずれかのケーブルの断線等が例示される。

このとき、図２１に示すように、フォーク３Ａに遮られておらず、かつ、光源５１により発光した光がフォーク３Ａに保持されているウェハＷに遮られない位置に配置されている画素の受光量が、本来検出されるはずの第２の値ｎ２にならず、変化することがある。例えば、異常の発生したＣＣＤが全く光を検出できないとき、異常の発生したＣＣＤよりなる画素は、例えば第１の値ｎ１等の、第２の値ｎ２と異なる値を検出する。従って、フォーク３ＡがウェハＷを保持していないときに、第２の値ｎ２でない検出値を有する画素があるとき、制御部６は、リニアイメージセンサ５２に異常が発生していると判定することができる。

あるいは、領域ＡＲにある画素に異常が発生したときを考える。このとき、図２２に示すように、領域ＡＲにある画素の検出値が第１の値ｎ１になるため、検出値が第１の値ｎ１と第２の値ｎ２との間で変化する位置Ｅが、リニアイメージセンサ５２に異常が発生していないときの位置Ｅ０からずれる。すなわち、検出されるウェハＷの周縁部の位置が、画素に異常が発生していないときの位置からずれる。従って、リニアイメージセンサ５２に異常が発生していないときのウェハＷの周縁部の位置Ｅ０を予め記憶しており、記憶したウェハＷの周縁部の位置Ｅ０と、検出したウェハＷの周縁部の位置Ｅとが異なるとき、制御部６は、リニアイメージセンサ５２に異常が発生していると判定することができる。

検出値の変化より、例えば欠陥が発生している画素数の数が少なくそのままウェハＷの搬送が継続できると判定された場合には、上記搬送工程（ステップＳ１８）と同様にウェハＷを搬送し、搬送終了後に、制御部６のアラーム発生部６４によりアラームを発生させる。しかし、例えば欠陥が発生している画素数の数が多く、リニアイメージセンサ５２に異常が発生していると判定された場合には、ウェハＷの搬送を中止し、アラームを発生させる。

すなわち、制御部６は、リニアイメージセンサ５２に異常が発生していないときの検出値である基準値と、フォーク３Ａ、３ＢがウェハＷを受け取り後退したときの検出値とを比較して、リニアイメージセンサ５２の異常を検知するものである。

これにより、リニアイメージセンサの異常の程度が僅かな場合であれば処理を継続することができるので、装置の稼働率を高めることができる。また、毎回ウェハの中心を算出すると共に、リニアイメージセンサの異常を判定することができるので、リニアイメージセンサの不具合を即座に把握することができる。

なお、本実施の形態における検出部として、リニアイメージセンサに代え、カメラを用い、カメラの画像に基づいてウェハＷの位置を検出してもよい。カメラを用いる場合には、ウェハＷの周縁部の４点の位置情報が得られればよい。従って、必ずしも４台のカメラを用いる必要はなく、１台のカメラを用いて４点の位置情報を得るのでもよい。１台のカメラを用いる場合には、例えば、２本のフォーク３Ａ、３Ｂの上方に位置するように、支持部材を介して基台３１に取り付けることができる。

カメラを用いる場合にも、本実施の形態においてリニアイメージセンサ５２を用いる例として説明したように、ウェハＷを保持している状態でフォーク３Ａ、３Ｂが後退しているときに、カメラにより画像を撮影する。そして、撮影した画像を画像処理することによって、ウェハＷの周縁部の４点における位置情報を求める。次に、４点における位置情報に基づいて、４点のうちいずれかがウェハＷの切欠部ＷＮを検出したか否かを判定し、４点のうちいずれかがウェハＷの切欠部ＷＮを検出したと判定したときに、その１点以外の３点における位置情報に基づいて、フォーク３Ａ、３Ｂの位置を補正する。
（第２の実施の形態）
次に、図２３から図２５を参照し、本発明の第２の実施の形態に係る基板処理方法について説明する。

本実施の形態に係る基板処理方法は、いずれかの検出部がウェハのノッチ（切欠部）を検出したときに、フォークを検出部に対して相対移動させる点で、第１の実施の形態に係る基板処理方法と相違する。

本実施の形態に係る基板処理方法も、第１の実施の形態で説明した基板処理方法と同一であり、塗布現像装置に露光装置を接続したレジストパターン形成装置によるものである。従って、基板処理装置についての説明は省略する。

以下では、第１の実施の形態と同様に、基板処理装置が、４つの検出部５を有する例について説明する。ただし、本実施の形態では、検出部５は、少なくとも３つあればよい。従って、４つの検出部５のうち、いずれか１つがなくてもよい。

図２３は、基板搬送方法における各工程の手順を示すフローチャートである。なお、本実施の形態に係る基板搬送方法についても、搬送アームＡ３のフォーク３Ａが加熱モジュール７からウェハＷを受け取る際の工程を例示することができる。そして、ウェハＷを受け渡す際の加熱モジュール７と搬送アームＡ３の状態は、図１１に示すものと同一である。

受け取り工程（ステップＳ２１）、後退工程（ステップＳ２２）、検出工程（ステップＳ２３）及び中心位置算出工程（ステップＳ２４）は、それぞれ第１の実施の形態における受け取り工程（ステップＳ１１）、後退工程（ステップＳ１２）、検出工程（ステップＳ１３）及び中心位置算出工程（ステップＳ１４）と同様にすることができる。

次に、判定工程（ステップＳ２５）では、４個のリニアイメージセンサ５２Ａ〜５２ＤのいずれかがウェハＷの周縁部であって切欠きが設けられた部分（切欠部）ＷＮを検出したか否かを判定する。

まず、ウェハＷの切欠部ＷＮが、平面視において、リニアイメージセンサ５２Ａ〜５２Ｄのいずれにも重なっていないときを考える。

図２４は、切欠部ＷＮがリニアイメージセンサ５２Ａ〜５２Ｄのいずれにも重なっていないときの、ウェハＷを保持しているフォーク３Ａを拡大して示す平面図である。図２４では、説明を容易にするために、ウェハＷが基準位置に保持されており、ウェハＷの中心が、平面視において、フォーク３Ａの中心と重なっていると仮定する。また、図２４に示すように、リニアイメージセンサ５２上のウェハＷの周縁部の位置を、ａ´点、ｂ´点、ｃ´点、ｄ´点とする。

また、前述した式（１５）により、リニアイメージセンサ５２Ｄ、５２Ａ、５２Ｂの組み合わせ、すなわちｄ´点、ａ´点、ｂ´点の組み合わせに対応して算出した半径Ｒ１´を、ウェハＷ中心からリニアイメージセンサ５２Ａに向かう矢印を付した直線Ｌ１を用いて模式的に示す。また、リニアイメージセンサ５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃの組み合わせ、すなわちａ´点、ｂ´点、ｃ´点の組み合わせに対応して算出した半径Ｒ２´を、ウェハＷ中心からリニアイメージセンサ５２Ｂに向かう矢印を付した直線Ｌ２を用いて模式的に示す。また、リニアイメージセンサ５２Ｂ、５２Ｃ、５２Ｄの組み合わせ、すなわちｂ´点、ｃ´点、ｄ´点の組み合わせに対応して算出した半径Ｒ３´を、ウェハＷ中心からリニアイメージセンサ５２Ｃに向かう矢印を付した直線Ｌ３を用いて模式的に示す。また、リニアイメージセンサ５２Ｃ、５２Ｄ、５２Ａの組み合わせ、すなわちｃ´点、ｄ´点、ａ´点の組み合わせに対応して算出した半径Ｒ４´を、ウェハＷ中心からリニアイメージセンサ５２Ｄに向かう矢印を付した直線Ｌ４を用いて模式的に示す。

すると、半径Ｒ１´、Ｒ２´、Ｒ３´、Ｒ４´のいずれも半径Ｒに等しくなる。そして、判定工程（ステップＳ２５）では、４個のリニアイメージセンサ５２Ａ〜５２ＤのいずれもウェハＷの切欠部ＷＮを検出していないと判定される。

判定工程（ステップＳ２５）で４個のリニアイメージセンサ５２Ａ〜５２ＤのいずれもウェハＷの切欠部ＷＮを検出していないと判定したときは、ずれ量計算工程（ステップＳ２６）、モジュール間移動工程（ステップＳ２７）及び再ずれ量計算工程（ステップＳ２８）を行う。

ずれ量計算工程（ステップＳ２６）では、第１の実施の形態におけるずれ量計算工程（ステップＳ１７）と同様に、算出した中心位置ｏ´の座標（Ｘ´、Ｙ´）と、基準位置ｏにおけるウェハＷの座標ｏ（Ｘ、Ｙ）との間のずれ量（ΔＸ、ΔＹ）を、式（１６）及び式（１７）により求める。次いで、モジュール間移動工程（ステップＳ２７）では、ウェハＷをフォーク３Ａに保持した状態で、搬送アームＡ３を前の処理モジュールから次の処理モジュールへ移動させる。再ずれ量計算工程（ステップＳ２８）は、ずれ量計算工程（ステップＳ２６）と同様にして行うことができる。なお、判定工程（ステップＳ２５）で４個のリニアイメージセンサ５２Ａ〜５２ＤのいずれもウェハＷの切欠部ＷＮを検出していないと判定したときは、再ずれ量計算工程（ステップＳ２８）を省略してもよい。

一方、ウェハＷの切欠部ＷＮが、平面視において、リニアイメージセンサ５２Ａ〜５２Ｄのいずれかに重なっているときを考える。

図２５は、切欠部ＷＮがリニアイメージセンサ５２Ａ〜５２Ｄのいずれかに重なっているときの、ウェハＷを保持しているフォーク３Ａを拡大して示す平面図である。図２５では、説明を容易にするために、ウェハＷが基準位置に保持されており、ウェハＷの中心が、平面視において、フォーク３Ａの中心と重なっていると仮定する。また、図２５に示すように、リニアイメージセンサ５２上のウェハＷの周縁部の位置を、ａ´点、ｂ´点、ｃ´点、ｄ´点とする。

そして、図２５に示すように、ｂ´点に切欠部が重なっているものと仮定する。

また、前述した式（１５）により、リニアイメージセンサ５２Ｄ、５２Ａ、５２Ｂの組み合わせ、すなわちｄ´点、ａ´点、ｂ´点の組み合わせに対応して算出した半径Ｒ１´を、ウェハＷ中心近傍からリニアイメージセンサ５２Ａに向かう矢印を付した直線Ｌ１を用いて模式的に示す。また、リニアイメージセンサ５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃの組み合わせ、すなわちａ´点、ｂ´点、ｃ´点の組み合わせに対応して算出した半径Ｒ２´を、ウェハＷ中心近傍からリニアイメージセンサ５２Ｂに向かう矢印を付した直線Ｌ２を用いて模式的に示す。また、リニアイメージセンサ５２Ｂ、５２Ｃ、５２Ｄの組み合わせ、すなわちｂ´点、ｃ´点、ｄ´点の組み合わせに対応して算出した半径Ｒ３´を、ウェハＷ中心近傍からリニアイメージセンサ５２Ｃに向かう矢印を付した直線Ｌ３を用いて模式的に示す。また、リニアイメージセンサ５２Ｃ、５２Ｄ、５２Ａの組み合わせ、すなわちｃ´点、ｄ´点、ａ´点の組み合わせに対応して算出した半径Ｒ４´を、ウェハＷ中心近傍からリニアイメージセンサ５２Ｄに向かう矢印を付した直線Ｌ４を用いて模式的に示す。

すると、半径Ｒ２´とＲ４´は、半径Ｒに等しくなり、半径Ｒ１´とＲ３´は、半径Ｒより若干短くなる。そして、判定工程（ステップＳ２５）では、４個のリニアイメージセンサ５２Ａ〜５２ＤのいずれかがウェハＷの切欠部ＷＮを検出していると判定される。

一方、半径Ｒ２´は、本来は、半径Ｒと異なるはずである。しかし、実際には、半径Ｒ２´は、半径Ｒと略等しくなることがある。半径Ｒ２´が半径Ｒに略等しくなるのは、ウェハＷの切欠部ＷＮがｄ´点に重なった場合のａ´点、ｂ´点、ｃ´点の組み合わせに対応して算出した半径が同じになるためと考えられる。そのため、判定工程（ステップＳ２５）において、４個のリニアイメージセンサ５２Ａ〜５２ＤのいずれかがウェハＷの切欠部ＷＮを検出していることは判定できるものの、切欠部ＷＮがｂ´点に位置しているのかｄ´点に位置しているのか、判定が困難になる場合がある。

このようなときは、ずれ量計算工程（ステップＳ２９）から再ずれ量計算工程（ステップＳ３４）を行う。

ずれ量計算工程（ステップＳ２９）は、ずれ量計算工程（ステップＳ２６）と同様にすることができる。次いで、モジュール間移動工程（ステップＳ３０）では、ウェハＷをフォーク３Ａに保持した状態で、搬送アームＡ３を前の処理モジュールから次の処理モジュールへ移動させる。

ノッチ回避工程（ステップＳ３１）では、切欠部ＷＮがリニアイメージセンサ５２Ａ〜５２Ｄに検出されないように、フォーク３Ａをリニアイメージセンサ５２Ａ〜５２Ｄに対して相対移動させる。具体的には、フォーク３Ａを少し前方に移動させ、リニアイメージセンサ５２Ａ〜５２ＤにウェハＷの切欠部ＷＮを回避させる。

ノッチ回避工程（ステップＳ３１）でフォーク３Ａを前方に移動させる移動距離は、切欠部ＷＮがリニアイメージセンサ５２に検出されないような所定距離以上であることが好ましい。切欠部ＷＮの形状を、ウェハＷの径方向に沿った切り欠き深さを例えば１ｍｍとし、ウェハＷの周方向に沿った切り欠き長さを例えば３ｍｍとするＶ字形状を有するものとするとき、所定距離を例えば４ｍｍとすることができる。

その後、再検出工程（ステップＳ３２）から再ずれ量計算工程（ステップＳ３４）を行って、ウェハＷのずれ量を補正することができる。再検出工程（ステップＳ３２）、再中心位置算出工程（ステップＳ３３）及び再ずれ量計算工程（ステップＳ３４）は、検出工程（ステップＳ２３）、中心位置算出工程（ステップＳ２４）及びずれ量計算工程（ステップＳ２６）のそれぞれと同様にして行うことができる。

しかし、ノッチ回避工程（ステップＳ３１）で、切欠部ＷＮがリニアイメージセンサ５２Ａ〜５２Ｄに検出されないようにフォーク３Ａを相対移動させているため、切欠部ＷＮはリニアイメージセンサ５２Ａ〜５２Ｄのいずれとも重なっていない。従って、再検出工程（ステップＳ３２）から再ずれ量計算工程（ステップＳ３４）では、リニアイメージセンサ５２Ａ〜５２Ｄのいずれの３つを用いてもウェハＷの位置のずれ量（ΔＸ、ΔＹ）を精度よく検出することができる。

次に、搬送工程（ステップＳ３５）では、再ずれ量計算工程（ステップＳ２８又はステップＳ３４）で計算したずれ量（ΔＸ、ΔＹ）により、次の処理モジュールの基板保持部に搬送する時に、ずれ量分フォークの搬送量を補正して搬送先のユニットの必要な位置（受渡し位置）に置くようにウェハＷを搬送する。搬送工程（ステップＳ３５）では、算出した中心位置ｏ´が基準位置ｏになるように、次の処理モジュールの基板の受渡し位置に補正する。

搬送工程（ステップＳ３５）では、ずれ量計算工程（ステップＳ２６又はステップＳ２９）で計算したずれ量は使用しないことが好ましい。ずれ量計算工程（ステップＳ２６又はステップＳ２９）の後、再ずれ量計算工程（ステップＳ２８又はステップＳ３４）の前に、モジュール間移動工程（ステップＳ２７又はステップＳ３０）において搬送ずれが発生しているおそれがあるからである。ただし、ずれ量計算工程（ステップＳ２６又はステップＳ２９）で計算したずれ量と、再ずれ量計算工程（ステップＳ２８又はステップＳ３４）で計算したずれ量とが等しい場合には、ずれ量計算工程（ステップＳ２６又はステップＳ２９）で計算したずれ量を用いてもよい。

そして、搬送工程（ステップＳ３５）の後、次の処理モジュールの基板保持部にウェハＷが受け渡された状態で、基板搬送を終了する。

本実施の形態では、判定工程（ステップＳ２５）及びノッチ回避工程（ステップＳ３１）を行うことにより、周縁部に切欠部ＷＮがあるウェハＷを保持し、搬送する場合にも、ウェハＷの位置のずれ量を精度よく検出でき、そのずれ量を容易に補正できる。更に、ウェハＷを所定の位置に落とし込む構造を有していないフォークにより搬送する場合にも、ウェハＷの位置のずれ量を精度よく検出でき、そのずれ量を容易に補正できる。

また、本実施の形態では、ノッチ回避工程（ステップＳ３１）を行うため、検出部５が４つなくてもよく、３つであってもよい。

更に、本実施の形態でも、第１の実施の形態と同様に、フォーク曲がりの異常、ウェハの異常、光源の異常及びリニアイメージセンサの異常を検出することができる。そして、異常の程度によって、搬送終了後にアラームを発生させるか、又は、搬送を中止してアラームを発生させることができる。
（第２の実施の形態の第１の変形例）
次に、図２６を参照し、本発明の第２の実施の形態の第１の変形例に係る基板処理方法について説明する。

本変形例に係る基板処理方法は、いずれかの検出部がウェハのノッチ（切欠部）を検出したときに、ウェハを次のモジュールに移動するモジュール移動工程の間に、フォークを検出部に対して相対移動させる点で、第２の実施の形態に係る基板処理方法と相違する。

本変形例に係る基板処理方法も、第１の実施の形態で説明した基板処理方法と同一であり、塗布現像装置に露光装置を接続したレジストパターン形成装置によるものである。従って、基板処理装置についての説明は省略する。

また、本変形例でも、第２の実施の形態と同様に、検出部５は、少なくとも３つあればよい。従って、４つの検出部５のうち、いずれか１つがなくてもよい。

図２６は、基板搬送方法における各工程の手順を示すフローチャートである。なお、本変形例に係る基板搬送方法についても、搬送アームＡ３のフォーク３Ａが加熱モジュール７からウェハＷを受け取る際の工程を例示することができる。そして、ウェハＷを受け渡す際の加熱モジュール７と搬送アームＡ３の状態は、図１１に示すものと同一である。

受け取り工程（ステップＳ４１）、後退工程（ステップＳ４２）、検出工程（ステップＳ４３）、中心位置算出工程（ステップＳ４４）、判定工程（ステップＳ４５）、ずれ量計算工程（ステップＳ４６）、モジュール間移動工程（ステップＳ４７）及び再ずれ量計算工程（ステップＳ４８）は、それぞれ第２の実施の形態における受け取り工程（ステップＳ２１）、後退工程（ステップＳ２２）、検出工程（ステップＳ２３）、中心位置算出工程（ステップＳ２４）、判定工程（ステップＳ２５）、ずれ量計算工程（ステップＳ２６）、モジュール間移動工程（ステップＳ２７）及び再ずれ量計算工程（ステップＳ２８）と同様にすることができる。

本変形例では、判定工程（ステップＳ４５）で４個のリニアイメージセンサ５２Ａ〜５２ＤのいずれかがウェハＷの切欠部ＷＮを検出していると判定したときは、ずれ量計算工程（ステップＳ４９）を行った後、モジュール間移動工程＋ノッチ回避工程（ステップＳ５０）を行う。ずれ量計算工程（ステップＳ４９）は、ずれ量計算工程（ステップＳ４６）と同様にすることができる。

モジュール間移動工程＋ノッチ回避工程（ステップＳ５０）では、ウェハＷをフォーク３Ａに保持した状態で、搬送アームＡ３を前の処理モジュールから次の処理モジュールへ移動させる。その際、切欠部ＷＮがリニアイメージセンサ５２Ａ〜５２Ｄに検出されないように、フォーク３Ａをリニアイメージセンサ５２Ａ〜５２Ｄに対して相対移動させる。そして、モジュール間移動工程＋ノッチ回避工程（ステップＳ５０）の後、再検出工程（ステップＳ５１）から再ずれ量計算工程（ステップＳ５３）を行う。再検出工程（ステップＳ５１）、再中心位置算出工程（ステップＳ５２）、及び再ずれ量計算工程（ステップＳ５３）は、検出工程（ステップＳ４３）、中心位置算出工程（ステップＳ４４）、及びずれ量計算工程（ステップＳ４６）のそれぞれと同様にして行うことができる。

しかし、モジュール間移動工程＋ノッチ回避工程（ステップＳ５０）で、切欠部ＷＮがリニアイメージセンサ５２Ａ〜５２Ｄに検出されないようにフォーク３Ａを相対移動させているため、切欠部ＷＮはリニアイメージセンサ５２Ａ〜５２Ｄのいずれとも重なっていない。従って、再検出工程（ステップＳ５１）から再ずれ量計算工程（ステップＳ５３）では、リニアイメージセンサ５２Ａ〜５２Ｄのいずれの３つを用いてもウェハＷの位置のずれ量（ΔＸ、ΔＹ）を精度よく検出することができる。

次に、搬送工程（ステップＳ５４）では、算出した中心位置ｏ´が基準位置ｏになるように、次の処理モジュールの基板の受渡し位置に補正する。

搬送工程（ステップＳ５４）では、ずれ量計算工程（ステップＳ４６又はステップＳ４９）で計算したずれ量は使用しないことが好ましい。ずれ量計算工程（ステップＳ４６又はステップＳ４９）の後、再ずれ量計算工程（ステップＳ４８又はステップＳ５３）の前に、モジュール間移動工程（ステップＳ４７）又はモジュール間移動工程＋ノッチ回避工程（ステップＳ５０）において搬送ずれが発生しているおそれがあるからである。ただし、ずれ量計算工程（ステップＳ４６又はステップＳ４９）で計算したずれ量と、再ずれ量計算工程（ステップＳ４８又はステップＳ５３）で計算したずれ量とが等しい場合には、ずれ量計算工程（ステップＳ４６又はステップＳ４９）で計算したずれ量を用いてもよい。

そして、搬送工程（ステップＳ５４）の後、次の処理モジュールの基板保持部にウェハＷが受け渡された状態で、基板搬送を終了する。

本変形例では、判定工程（ステップＳ４５）及びモジュール間移動工程＋ノッチ回避工程（ステップＳ５０）を行うことにより、周縁部に切欠部ＷＮがあるウェハＷを保持し、搬送する場合にも、ウェハＷの位置のずれ量を精度よく検出でき、そのずれ量を容易に補正できる。更に、ウェハＷを所定の位置に落とし込む構造を有していないフォークにより搬送する場合にも、ウェハＷの位置のずれ量を精度よく検出でき、そのずれ量を容易に補正できる。

また、本変形例では、モジュール間移動工程＋ノッチ回避工程（ステップＳ５０）においてノッチ回避を行うため、検出部５が４つなくてもよく、３つであってもよい。

更に、本変形例でも、第１の実施の形態と同様に、フォーク曲がりの異常、ウェハの異常、光源の異常及びリニアイメージセンサの異常を検出することができる。そして、異常の程度によって、搬送終了後にアラームを発生させるか、又は、搬送を中止してアラームを発生させることができる。
（第２の実施の形態の第２の変形例）
次に、図２７を参照し、本発明の第２の実施の形態の第２の変形例に係る基板処理方法について説明する。

本変形例に係る基板処理方法は、ウェハを次のモジュールに搬送した後、更にずれ量を検出する点で、第２の実施の形態に係る基板処理方法と相違する。

本変形例に係る基板処理方法も、第１の実施の形態で説明した基板処理方法と同一であり、塗布現像装置に露光装置を接続したレジストパターン形成装置によるものである。従って、基板処理装置についての説明は省略する。

また、本変形例でも、第２の実施の形態と同様に、検出部５は、少なくとも３つあればよい。従って、４つの検出部５のうち、いずれか１つがなくてもよい。

図２７は、基板搬送方法における各工程の手順を示すフローチャートである。なお、本変形例に係る基板搬送方法についても、搬送アームＡ３のフォーク３Ａが加熱モジュール７からウェハＷを受け取る際の工程を例示することができる。そして、ウェハＷを受け渡す際の加熱モジュール７と搬送アームＡ３の状態は、図１１に示すものと同一である。

受け取り工程（ステップＳ６１）、後退工程（ステップＳ６２）、検出工程（ステップＳ６３）、中心位置算出工程（ステップＳ６４）、判定工程（ステップＳ６５）、ずれ量計算工程（ステップＳ６６）、ノッチ回避工程（ステップＳ６７）、第２検出工程（ステップＳ６８）、第２中心位置算出工程（ステップＳ６９）、第２ずれ量計算工程（ステップＳ７０）、及びモジュール間移動工程（ステップＳ７１）は、それぞれ第２の実施の形態における受け取り工程（ステップＳ２１）、後退工程（ステップＳ２２）、検出工程（ステップＳ２３）、中心位置算出工程（ステップＳ２４）、判定工程（ステップＳ２５）、ずれ量計算工程（ステップＳ２６）、ノッチ回避工程（ステップＳ３１）、再検出工程（ステップＳ３２）、再中心位置算出工程（ステップＳ３３）、再ずれ量計算工程（ステップＳ３４）、及びモジュール間移動工程（ステップＳ２７又はステップＳ３０）と同様にすることができる。

本変形例では、モジュール間移動工程（ステップＳ７１）の後、第３検出工程（ステップＳ７２）、第３中心位置算出工程（ステップＳ７３）、第３ずれ量計算工程（ステップＳ７４）及び搬送工程（ステップＳ７５）を行う。第３検出工程（ステップＳ７２）、第３中心位置算出工程（ステップＳ７３）、及び第３ずれ量計算工程（ステップＳ７４）は、それぞれ検出工程（ステップＳ６３）、中心位置算出工程（ステップＳ６４）、及びずれ量計算工程（ステップＳ６６）と同様にすることができる。これにより、ずれ量計算工程（ステップＳ６６）又は第２ずれ量計算工程（ステップＳ７０）において最初にずれ量を検出した後、次の処理モジュールに搬送する間に発生したずれ量をも検出することができる。

次に、搬送工程（ステップＳ７５）では、第３ずれ量計算工程（ステップＳ７４）の後、算出した中心位置ｏ´が基準位置ｏになるように、次の処理モジュールの基板の受渡し位置に補正する。

搬送工程（ステップＳ７５）では、ずれ量計算工程（ステップＳ６６）で計算したずれ量は使用しないことが好ましい。ずれ量計算工程（ステップＳ６６）の後、第３ずれ量計算工程（ステップＳ７４）の前に、モジュール間移動工程（ステップＳ７１）において搬送ずれが発生しているおそれがあるからである。ただし、ずれ量計算工程（ステップＳ６６）で計算したずれ量と、第３ずれ量計算工程（ステップＳ７４）で計算したずれ量とが等しい場合には、ずれ量計算工程（ステップＳ６６）で計算したずれ量を用いてもよい。

そして、搬送工程（ステップＳ７５）の後、次の処理モジュールの基板保持部にウェハＷが受け渡された状態で、基板搬送を終了する。

本変形例では、判定工程（ステップＳ６５）及びノッチ回避工程（ステップＳ６７）を行うことにより、周縁部に切欠部ＷＮがあるウェハＷを保持し、搬送する場合にも、ウェハＷの位置のずれ量を精度よく検出でき、そのずれ量を容易に補正できる。更に、ウェハＷを所定の位置に落とし込む構造を有していないフォークにより搬送する場合にも、ウェハＷの位置のずれ量を精度よく検出でき、そのずれ量を容易に補正できる。

また、本変形例では、ノッチ回避工程（ステップＳ６７）を行うため、検出部５が４つなくてもよく、３つであってもよい。

更に、本変形例でも、第１の実施の形態と同様に、フォーク曲がりの異常、ウェハの異常、光源の異常及びリニアイメージセンサの異常を検出することができる。そして、異常の程度によって、搬送終了後にアラームを発生させるか、又は、搬送を中止してアラームを発生させることができる。

以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

３、３Ａ、３Ｂ フォーク（保持部）
３１ 基台
４１Ａ〜４１Ｄ 真空吸着部
５、５Ａ〜５Ｄ 検出部
５１、５１Ａ〜５１Ｄ 光源
５２、５２Ａ〜５２Ｄ リニアイメージセンサ
６ 制御部

Claims (23)

1. 基台と、
   前記基台から進退自在に設けられ、基板を保持する保持部と、
   前記保持部が基板を保持した状態で後退しているときに、前記保持部が保持している前記基板の周縁部の位置を、それぞれ異なる位置で検出する４個以上の検出部と、
   前記検出部が前記周縁部の位置を検出した検出値に基づいて、前記検出部のいずれかが前記基板の周縁部であって切欠きが設けられた部分を検出したか否かを判定し、一の検出部が前記切欠きが設けられた部分を検出したと判定したときに、前記一の検出部以外の３個の検出部の前記検出値に基づいて、次の処理ユニットに搬送するときに前記処理ユニットの基板の受渡し位置に補正する、制御部と
   を有する、基板搬送装置。
2. 基台と、
   前記基台から進退自在に設けられ、基板を保持する保持部と、
   前記保持部が基板を保持した状態で後退しているときに、前記保持部が保持している前記基板の周縁部の位置を、それぞれ異なる位置で検出する３個の検出部と、
   前記検出部が前記周縁部の位置を検出した検出値に基づいて、前記検出部のいずれかが前記基板の周縁部であって切欠きが設けられた部分を検出したか否かを判定し、一の検出部が前記切欠きが設けられた部分を検出したと判定したときに、前記切欠きが設けられた部分が前記検出部に検出されないように前記保持部を前記検出部に対して移動させ、移動した前記保持部が保持している前記基板の周縁部の位置を前記検出部により再び検出した再検出値に基づいて、次の処理ユニットの基板の受渡し位置に補正する、制御部と
   を有する、基板搬送装置。
3. 前記制御部は、前記検出部が検出した前記周縁部の位置に基づいて、前記基板の中心位置を算出し、算出した前記中心位置が所定位置になるように制御することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板搬送装置。
4. 前記制御部は、前記保持部の基準位置と、前記保持部が基板を受け取り後退したときの位置とを比較して、前記保持部の形状の異常を判定することを特徴とする、請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板搬送装置。
5. 前記保持部は、上下に重なるように複数個設けられており、
   前記検出部は、前記保持部のいずれか１個が基板を保持した状態で後退しているときに、前記保持部が保持している前記基板の周縁部の位置を検出するものである、請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板搬送装置。
6. 前記検出部の各々は、後退している前記保持部が保持している基板のいずれをも上下から挟むように設けられた、一対の、光源と、複数の受光素子が配列してなる受光部とにより構成されるものである、請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板搬送装置。
7. 前記制御部は、前記光源により発光した光が前記保持部に保持されている基板に通常遮られない位置に配置されている前記受光素子により、前記光の光量を検出し、検出した検出値に基づいて、前記光源の異常を検知するものである、請求項６に記載の基板搬送装置。
8. 前記制御部は、前記保持部が基板を保持していないときに、前記受光素子により、前記光源により発光した光の光量を検出し、検出した検出値に基づいて、前記受光素子の異常を検知するものである、請求項６又は請求項７に記載の基板搬送装置。
9. 前記受光部は、リニアイメージセンサである、請求項６から請求項８のいずれかに記載の基板搬送装置。
10. 前記制御部は、一の前記検出部が、互いに異なる２つの前記周縁部の位置を検出したときに、前記基板が割れていると判定するものである、請求項１から請求項９のいずれかに記載の基板搬送装置。
11. 前記保持部は、前記基板を真空吸着する真空吸着部を備え、前記真空吸着部により前記基板を真空吸着することによって前記基板を保持するものである、請求項１から請求項１０のいずれかに記載の基板搬送装置。
12. 基台と、前記基台から進退自在に設けられ、基板を保持する保持部と、前記保持部が基板を保持した状態で後退しているときに、前記保持部が保持している前記基板の周縁部の位置を、それぞれ異なる位置で検出する４個以上の検出部とを有する、基板搬送装置における基板搬送方法であって、
    前記検出部が前記周縁部の位置を検出した検出値に基づいて、前記検出部のいずれかが前記基板の周縁部であって切欠きが設けられた部分を検出したか否かを判定する判定工程を有し、
    一の検出部が前記切欠きが設けられた部分を検出したと判定したときに、前記一の検出部以外の３個の検出部の前記検出値に基づいて、次の処理ユニットに搬送するときに前記処理ユニットの基板の受渡し位置に補正する、基板搬送方法。
13. 基台と、前記基台から進退自在に設けられ、基板を保持する保持部と、前記保持部が基板を保持した状態で後退しているときに、前記保持部が保持している前記基板の周縁部の位置を、それぞれ異なる位置で検出する３個の検出部とを有する、基板搬送装置における基板搬送方法であって、
    前記検出部が前記周縁部の位置を検出した検出値に基づいて、前記検出部のいずれかが前記基板の周縁部であって切欠きが設けられた部分を検出したか否かを判定する判定工程を有し、
    一の検出部が前記切欠きが設けられた部分を検出したと判定したときに、前記切欠きが設けられた部分が前記検出部に検出されないように前記保持部を前記検出部に対して移動させ、移動した前記保持部が保持している前記基板の周縁部の位置を前記検出部により再び検出した再検出値に基づいて、次の処理ユニットの基板の受渡し位置に補正する、基板搬送方法。
14. 前記検出部が検出した前記周縁部の位置に基づいて、前記基板の中心位置を算出し、算出した前記中心位置が所定位置になるように制御することを特徴とする請求項１２又は請求項１３に記載の基板搬送方法。
15. 前記保持部の基準位置と、前記保持部が基板を受け取り後退したときの位置とを比較して、前記保持部の形状の異常を判定することを特徴とする、請求項１２から請求項１４のいずれかに記載の基板搬送方法。
16. 前記保持部は、上下に重なるように複数個設けられており、
    前記検出部は、前記保持部のいずれか１個が基板を保持した状態で後退しているときに、前記保持部が保持している前記基板の周縁部の位置を検出するものである、請求項１２から請求項１５のいずれかに記載の基板搬送方法。
17. 前記検出部の各々は、後退している前記保持部が保持している基板のいずれをも上下から挟むように設けられた、一対の、光源と、複数の受光素子が配列してなる受光部とにより構成されるものである、請求項１２から請求項１６のいずれかに記載の基板搬送方法。
18. 前記光源により発光した光が前記保持部に保持されている基板に通常遮られない位置に配置されている前記受光素子により、前記光の光量を検出し、検出した検出値に基づいて、前記光源の異常を検知する、請求項１７に記載の基板搬送方法。
19. 前記保持部が基板を保持していないときに、前記受光素子により、前記光源により発光した光の光量を検出し、検出した検出値に基づいて、前記受光素子の異常を検知する、請求項１７又は請求項１８に記載の基板搬送方法。
20. 前記受光部は、リニアイメージセンサである、請求項１７から請求項１９のいずれかに記載の基板搬送方法。
21. 一の前記検出部が、互いに異なる２つの前記周縁部の位置を検出したときに、前記基板が割れていると判定する、請求項１２から請求項２０のいずれかに記載の基板搬送方法。
22. 前記保持部は、前記基板を真空吸着する真空吸着部を備え、前記真空吸着部により前記基板を真空吸着することによって前記基板を保持するものである、請求項１２から請求項２１のいずれかに記載の基板搬送方法。
23. コンピュータに請求項１２から請求項２２のいずれかに記載の基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。

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