JP2012060068A - ダイシング・ダイボンドフィルム - Google Patents

Abstract

【課題】 剥離帯電が起こり難く、且つ、接着性、作業性が良好なダイボンドフィルムを有するダイシング・ダイボンドフィルムを提供すること。
提供すること。
【解決手段】 ダイシングフィルム上に熱硬化型ダイボンドフィルムが設けられたダイシング・ダイボンドフィルムであって、熱硬化型ダイボンドフィルムは、導電性粒子を含有しており、熱硬化型ダイボンドフィルムの体積抵抗率が１×１０^−６Ω・ｃｍ以上１×１０^−３Ω・ｃｍ以下であり、且つ、熱硬化型ダイボンドフィルムの熱硬化前における−２０℃での引張貯蔵弾性率が０．１ＧＰａ〜１０ＧＰａであるダイシング・ダイボンドフィルム。
【選択図】 図１

Description

本発明は、ダイシング・ダイボンドフィルムに関する。

従来、半導体装置の製造工程において、ダイシングフィルム上に熱硬化型ダイボンドフィルムが積層されたダイシング・ダイボンドフィルムが用いられている（例えば、特許文献１参照）。このダイシング・ダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造工程においては、まず、ダイシング・ダイボンドフィルムに半導体ウェハが貼り付けられて固定され、その状態でダイシングが行われる。これにより、半導体ウェハは、所定のサイズに個片化され、半導体チップとなる。次に、ダイシング・ダイボンドフィルムに固定された半導体チップをダイシングフィルムから剥離するために、半導体チップのピックアップが行われる。

上記ピックアップ工程において、ダイボンドフィルム付きの半導体チップをダイシングフィルムから剥離すると、ダイボンドフィルムとダイシングフィルムとの間で剥離帯電が発生する。そのため、発生した静電気により半導体チップ上の回路が破壊されてしまうといった問題があった。

そのため、接着性、作業性等の従来のダイボンドフィルムとしての機能を備え、且つ、帯電防止機能をも備えるダイボンドフィルムの開発が切望さていた。

特開２００８−２１８５７１号公報

本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、剥離帯電が起こり難く、且つ、接着性、作業性が良好なダイボンドフィルムを有するダイシング・ダイボンドフィルムを提供することにある。

本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、ダイボンドフィルム上にダイシングフィルムが積層されたダイシング・ダイボンドフィルムについて検討した。その結果、熱硬化型ダイボンドフィルムに導電性粒子を含有させ、前記熱硬化型ダイボンドフィルムの体積抵抗率を１×１０^−６Ω・ｃｍ以上１×１０^−３Ω・ｃｍ以下とし、且つ、前記熱硬化型ダイボンドフィルムの熱硬化前における−２０℃での引張貯蔵弾性率を０．１ＧＰａ〜１０ＧＰａとすることにより、剥離帯電が起こり難く、且つ、ダイボンドフィルムの接着性、作業性が良好となることを見出して、本発明を完成させるに至った。

すなわち、本発明に係るダイシング・ダイボンドフィルムは、ダイシングフィルム上に熱硬化型ダイボンドフィルムが設けられたダイシング・ダイボンドフィルムであって、前記熱硬化型ダイボンドフィルムは、導電性粒子を含有しており、前記熱硬化型ダイボンドフィルムの体積抵抗率が１×１０^−６Ω・ｃｍ以上１×１０^−３Ω・ｃｍ以下であり、且つ、前記熱硬化型ダイボンドフィルムの熱硬化前における−２０℃での引張貯蔵弾性率が０．１ＧＰａ〜１０ＧＰａであることを特徴とする。

前記構成によれば、熱硬化型ダイボンドフィルムの体積抵抗率が１×１０^−３Ω・ｃｍ以下であるため、高い帯電防止効果を発揮することができる。従って、ピックアップ時の剥離帯電により半導体チップが破壊されるのを防止することができるとともに、ダイボンドフィルム付きの半導体チップを被着体に積層した際の帯電を防止することができる。その結果、デバイスとしての信頼性を向上させることが可能となる。
また、前記熱硬化型ダイボンドフィルムの熱硬化前における−２０℃での引張貯蔵弾性率が１０ＧＰａ以下であるため、被着体への接着性、及び、作業性を良好とすることができる。また、上記引張貯蔵弾性率が０．１ＧＰａ以上であり、比較的高い弾性率を有するため、エキスパンド時に応力を伝わり易くすることができる。
なお、本発明における「体積抵抗率」は、ＪＩＳ Ｋ ７１９４に準じ、四探針法によって測定される値である。

また前記構成において、前記導電性粒子は、平均粒子径の異なる２種以上であり、２種以上の前記導電性粒子は、それぞれ平均粒径が０．０１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。前記導電性粒子の平均粒径を０．０１μｍ以上とすることにより、被着体への濡れ性を確保して良好な接着性を発揮させることができる。また、前記導電性粒子の平均粒径を１０μｍ以下とすることにより、導電性粒子の添加による導電性及び熱電導性の向上効果をより良好なものとすることができる。また、熱硬化型ダイボンドフィルムの厚みを薄くすることができ、高積層化することができ、熱硬化型ダイボンドフィルムから導電性粒子が突き出すことによるチップクラックの発生を防止することができる。また、導電性粒子を平均粒径の異なる２種以上とすることにより、充填率を向上させ易くすることができるからである。

また前記構成において、前記導電性粒子の含有量は、前記熱硬化型ダイボンドフィルムの有機成分１００重量部に対し、２０〜９０重量部であることが好ましい。前記導電性粒子の含有量を２０重量部以上とすることにより、導電パスが形成されて体積抵抗率が高くなり、導電機能が低減してしまうことを抑制することかできる。また、前記導電性粒子の含有量を９０重量部以下とすることにより、熱硬化型ダイボンドフィルムの靱性を良好に保ち、熱硬化型ダイボンドフィルムをハンドリングする際に割れや欠けが発生することを防止することができる。

また前記構成において、半導体ウェハにレーザー光を照射して改質領域を形成し、その後、前記半導体ウェハを当該ダイシング・ダイボンドフィルムに貼り付け、当該ダイシング・ダイボンドフィルムに引張張力を加えることにより、前記半導体ウェハを前記改質領域にて破断するとともに、当該ダイシング・ダイボンドフィルムを構成する熱硬化型ダイボンドフィルムを前記改質領域に対応する位置にて破断して、ダイボンドフィルム付きの半導体チップを形成し、得られた前記ダイボンドフィルム付きの半導体チップを前記ダイシングフィルムから剥離し、剥離した前記ダイボンドフィルム付きの半導体チップを、該ダイボンドフィルムを介して被着体に固定する方法に使用されることが好ましい。上記方法は、特に半導体ウェハの厚さが薄い場合にチッピング等の不良が発生することを低減することができる方法である。ここで、熱硬化型ダイボンドフィルムの体積抵抗率が１×１０^−３Ω・ｃｍ以下である。従って、上記方法に使用される場合であっても、高い帯電防止効果を発揮することができる。また、熱硬化型ダイボンドフィルムの熱硬化前における−２０℃での引張貯蔵弾性率が０．１〜１０ＧＰａであるため、半導体ウェハを改質領域にて破断する際にチッピングの発生を防止することができる。また、半導体チップをピックアップする際のチップ飛びや半導体チップの位置ズレを防止することができる。

また前記構成において、半導体ウェハの表面に溝を形成した後、裏面研削を行うことにより前記溝を表出させ、前記溝が表出した前記半導体ウェハの表面に当該ダイシング・ダイボンドフィルムを貼り付け、当該ダイシング・ダイボンドフィルムに引張張力を加えることにより、当該ダイシング・ダイボンドフィルムを構成する前記熱硬化型ダイボンドフィルムを前記溝に対応する位置にて破断して、ダイボンドフィルム付きの半導体チップを形成し、得られた前記ダイボンドフィルム付きの半導体チップを前記ダイシングフィルムから剥離し、剥離した前記ダイボンドフィルム付きの半導体チップを、該ダイボンドフィルムを介して被着体に固定する方法に使用されることが好ましい。上記方法は、特に半導体ウェハの厚さが薄い場合にチッピング等の不良が発生することを低減することができる方法である。ここで、熱硬化型ダイボンドフィルムの体積抵抗率が１×１０^−３Ω・ｃｍ以下である。従って、上記方法に使用される場合であっても、高い帯電防止効果を発揮することができる。また、熱硬化型ダイボンドフィルムの熱硬化前における−２０℃での引張貯蔵弾性率が０．１〜１０ＧＰａであるため、半導体チップをピックアップする際のチップ飛びや半導体チップの位置ズレを防止することができる。

また前記構成において、前記導電性粒子は、ニッケル粒子、銅粒子、銀粒子、アルミニウム粒子、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、金属の表面を金属でメッキした金属粒子、及び、表面が金属被覆された樹脂粒子からなる群より選択される少なくとも１以上のものであることが好ましい。

また前記構成において、前記熱硬化型ダイボンドフィルムは、熱可塑性樹脂としてのアクリル樹脂を含有することが好ましい。

本発明の一実施形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。 本発明の他の実施形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。 本実施形態に係る半導体装置の一製造方法を説明するための断面模式図である。 本実施形態に係る半導体装置の一製造方法を説明するための断面模式図である。 （ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係る半導体装置の一製造方法を説明するための断面模式図である。 本実施形態に係る半導体装置の一製造方法を説明するための断面模式図である。 （ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、本実施形態に係る半導体装置の他の製造方法を説明するための断面模式図である。 本実施形態に係る半導体装置の他の製造方法を説明するための断面模式図である。

（ダイシング・ダイボンドフィルム）
本発明の一実施形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムについて、以下に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。図２は、本発明の他の実施形態に係る他のダイシング・ダイボンドフィルムを示す断面模式図である。

図１に示すように、ダイシング・ダイボンドフィルム１０は、ダイシングフィルム１１上にダイボンドフィルム３が積層された構成を有する。ダイシングフィルム１１は基材１上に粘着し剤層２を積層して構成されており、ダイボンドフィルム３はその粘着剤層２上に設けられている。また本発明は、図２に示すダイシング・ダイボンドフィルム１２のように、ワーク貼り付け部分にのみダイボンドフィルム３’を形成した構成であってもよい。

前記基材１は紫外線透過性を有し、かつダイシング・ダイボンドフィルム１０、１２の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。

また基材１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材１を熱収縮させることにより粘着剤層２とダイボンドフィルム３、３’との接着面積を低下させて、半導体チップ（半導体素子）の回収の容易化を図ることができる。

基材１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。前記基材１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。

基材１の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。

粘着剤層２の形成に用いる粘着剤としては特に制限されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤を用いることができる。前記感圧性粘着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。

前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。

前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。

更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させる為、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。

前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、更に好ましくは４０万〜３００万程度である。

また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、更には０．１〜５重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。

粘着剤層２は放射線硬化型粘着剤により形成することができる。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、図２に示す粘着剤層２のワーク貼り付け部分に対応する部分２ａのみを放射線照射することにより他の部分２ｂとの粘着力の差を設けることができる。

また、図２に示すダイボンドフィルム３’に合わせて放射線硬化型の粘着剤層２を硬化させることにより、粘着力が著しく低下した前記部分２ａを容易に形成できる。硬化し、粘着力の低下した前記部分２ａにダイボンドフィルム３’が貼付けられる為、粘着剤層２の前記部分２ａとダイボンドフィルム３’との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、放射線を照射していない部分は十分な粘着力を有しており、前記部分２ｂを形成する。

前述の通り、図１に示すダイシング・ダイボンドフィルム１０の粘着剤層２に於いて、未硬化の放射線硬化型粘着剤により形成されている前記部分２ｂはダイボンドフィルム３と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。この様に放射線硬化型粘着剤は、チップ状ワーク（半導体チップ等）を基板等の被着体に固着する為のダイボンドフィルム３を、接着・剥離のバランスよく支持することができる。図２に示すダイシング・ダイボンドフィルム１１の粘着剤層２に於いては、前記部分２ｂがウェハリングを固定することができる。

放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。

配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。

また、放射線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の放射線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。

前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。

前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。

これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。

前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。

前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。

また放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。

前記放射線硬化型の粘着剤層２中には、必要に応じて、放射線照射により着色する化合物を含有させることもできる。放射線照射により、着色する化合物を粘着剤層２に含ませることによって、放射線照射された部分のみを着色することができる。即ち、図１に示すワーク貼り付け部分３ａに対応する部分２ａを着色することができる。従って、粘着剤層２に放射線が照射されたか否かが目視により直ちに判明することができ、ワーク貼り付け部分３ａを認識し易く、ワークの貼り合せが容易である。また光センサー等によって半導体素子を検出する際に、その検出精度が高まり、半導体素子のピックアップ時に誤動作が生ずることがない。

放射線照射により着色する化合物は、放射線照射前には無色又は淡色であるが、放射線照射により有色となる化合物である。かかる化合物の好ましい具体例としてはロイコ染料が挙げられる。ロイコ染料としては、慣用のトリフェニルメタン系、フルオラン系、フェノチアジン系、オーラミン系、スピロピラン系のものが好ましく用いられる。具体的には３−［Ｎ−（ｐ−トリルアミノ）］−７−アニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−メチルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−エチルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−ジエチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、クリスタルバイオレットラクトン、４，４’，４”−トリスジメチルアミノトリフエニルメタノール、４，４’，４”−トリスジメチルアミノトリフェニルメタン等が挙げられる。

これらロイコ染料とともに好ましく用いられる顕色剤としては、従来から用いられているフェノールホルマリン樹脂の初期重合体、芳香族カルボン酸誘導体、活性白土等の電子受容体があげられ、更に、色調を変化させる場合は種々公知の発色剤を組合せて用いることもできる。

この様な放射線照射によって着色する化合物は、一旦有機溶媒等に溶解された後に放射線硬化型接着剤中に含ませてもよく、また微粉末状にして当該粘着剤中に含ませてもよい。この化合物の使用割合は、粘着剤層２中に１０重量％以下、好ましくは０．０１〜１０重量％、更に好ましくは０．５〜５重量％であるのが望ましい。該化合物の割合が１０重量％を超えると、粘着剤層２に照射される放射線がこの化合物に吸収されすぎてしまう為、粘着剤層２の前記部分２ａの硬化が不十分となり、十分に粘着力が低下しないことがある。一方、充分に着色させるには、該化合物の割合を０．０１重量％以上とするのが好ましい。

粘着剤層２を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、粘着剤層２に於ける前記部分２ａの粘着力＜その他の部分２ｂの粘着力、となるように粘着剤層２の一部を放射線照射してもよい。

前記粘着剤層２に前記部分２ａを形成する方法としては、支持基材１に放射線硬化型の粘着剤層２を形成した後、前記部分２ａに部分的に放射線を照射し硬化させる方法が挙げられる。部分的な放射線照射は、ワーク貼り付け部分３ａ以外の部分３ｂ等に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に紫外線を照射し硬化させる方法等が挙げられる。放射線硬化型の粘着剤層２の形成は、セパレータ上に設けたものを支持基材１上に転写することにより行うことができる。部分的な放射線硬化はセパレータ上に設けた放射線硬化型の粘着剤層２に行うこともできる。

また、粘着剤層２を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、支持基材１の少なくとも片面の、ワーク貼り付け部分３ａに対応する部分以外の部分の全部又は一部が遮光されたものを用い、これに放射線硬化型の粘着剤層２を形成した後に放射線照射して、ワーク貼り付け部分３ａに対応する部分を硬化させ、粘着力を低下させた前記部分２ａを形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着等で作成することができる。かかる製造方法によれば、効率よく本発明のダイシング・ダイボンドフィルム１０を製造可能である。

尚、放射線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、放射線硬化型の粘着剤層２の表面よりなんらかの方法で酸素（空気）を遮断するのが望ましい。例えば、前記粘着剤層２の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の放射線の照射を行う方法等が挙げられる。

粘着剤層２の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保持の両立性等の点よりは、１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、更には５〜２５μｍが好ましい。

ダイボンドフィルム３、３’中には、導電性粒子が含有されている。前記導電性粒子は、ニッケル粒子、銅粒子、銀粒子、アルミニウム粒子、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、金属の表面を金などの金属でメッキした金属粒子、及び、表面が金属被覆された樹脂粒子からなる群より選択される少なくとも１以上のものであることが好ましい。

前記の金属の表面を金属でメッキした金属粒子としては、特に限定されないが、ニッケル粒子又は銅粒子をコアとして金や銀などの貴金属を被覆させた粒子を用いることができる。また、前記の表面が金属被覆された樹脂粒子としては、特に限定されないが、樹脂、無機化合物などの非導電性粒子にニッケル、金などの金属でメッキを施したものなどを用いることができる。

前記導電性粒子の形状としては、特に限定されず、例えば、フレーク状、針状、フィラメント状、球状、鱗片状のものを使用することができるが、分散性、充填率の向上の点で球状のものが好ましい。

前記導電性粒子の平均粒径は、０．０１μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、０．１μｍ以上１０μｍ以下がより好ましい。前記導電性粒子の平均粒径を０．０１μｍ以上とすることにより、被着体への濡れ性を確保して良好な接着性を発揮させることができ、１０μｍ以下とすることにより、導電性粒子の添加による導電性及び熱電導性の向上効果をより良好なものとすることができるからである。なお、導電性粒子の平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）により求めた値である

また、前記導電性粒子は、平均粒子径の異なる２種以上であることが好ましい。平均粒径の異なる２種以上を用いることにより、充填率を向上させ易くすることができるからである。平均粒径の異なる２種を導電性粒子として含有させる場合、平均粒径が０．０１μｍ以上５μｍ未満の導電性粒子Ａと、平均粒径が１μｍ以上１０μｍ以下の導電性粒子Ｂとを混合した系が好ましい。この場合、上記導電性粒子Ａと、導電性粒子Ｂとの混合比は、重量比で１：９〜４：６であることが好ましい。

前記導電性粒子の含有量は、ダイボンドフィルム３、３’の有機成分１００重量部に対し、２０〜９０重量部であることが好ましく、４０〜９０重量部であることがより好ましい。前記導電性粒子の含有量を２０重量部以上とすることにより、導電パスが形成されて体積抵抗率が高くなり、導電機能が低減してしまうことを抑制することかできる。また、前記導電性粒子の含有量を９０重量部以下とすることにより、熱硬化型ダイボンドフィルムの靱性を良好に保ち、熱硬化型ダイボンドフィルムをハンドリングする際に割れや欠けが発生することを防止することができる。

ここで、ダイボンドフィルム３、３’の体積抵抗率は１×１０^−６Ω・ｃｍ以上１×１０^−３Ω／ｃｍ以下である。上記体積抵抗率は、１×１０^−６Ω・ｃｍ以上１×１０^−５Ω／ｃｍ以下であることが好ましく、１×１０^−６Ω・ｃｍ以上１×１０^−４Ω／ｃｍ以下であることがより好ましい。ダイボンドフィルム３、３’の体積抵抗率が１×１０^−３Ω・ｃｍ以下であるため、高い帯電防止効果を発揮することができる。その結果、ピックアップ時の剥離帯電により半導体チップが破壊されるのを防止し、デバイスとしての信頼性を向上させることが可能となる。

また、ダイボンドフィルム３、３’は、熱硬化前における−２０℃での引張貯蔵弾性率が０．１ＧＰａ〜１０ＧＰａであり、好ましくは１ＧＰａ〜１０ＧＰａ、より好ましくは、４ＧＰａ〜１０ＧＰａである。ダイボンドフィルム３、３’の熱硬化前における−２０℃での引張貯蔵弾性率が１０ＧＰａ以下であるため、被着体への接着性、及び、作業性を良好とすることができる。また、上記引張貯蔵弾性率が０．１ＧＰａ以上であり、比較的高い弾性率を有するため、エキスパンド時に応力が伝わりやすくなり、隣り合う半導体チップを良好に破断することができる。

また、ダイボンドフィルム３、３’は、加熱による熱硬化後の１７５℃での引張貯蔵弾性率が０．０１〜５０ＭＰａ、より好ましくは０．１〜５０ＭＰａの範囲内であることが好ましい。加熱による熱硬化後の１７５℃での引張貯蔵弾性率を０．０１〜５０ＭＰａとすることにより、ワイヤーボンディング工程の際にも、超音波振動や加熱により、ダイボンドフィルム３、３’と被着体との接着面でずり変形が生じることを防止することができる。その結果、ワイヤーボンドの成功率を向上させることができる。尚、ダイボンドフィルム３、３’を熱硬化させる際の加熱条件については、後段にて詳述する。

熱硬化前におけるダイボンドフィルム３、３’の粘着剤層２に対する９０°引き剥がし粘着力は、０．０３〜０．２５Ｎ／２５ｍｍテープ幅が好ましく、０．０４〜０．１５Ｎ／２５ｍｍテープ幅がより好ましい。上記引き剥がし粘着力の測定条件は、引張り速度３００ｍｍ／分、貼り付け温度４０℃、引き剥がし温度２５℃（室温）である。

ダイボンドフィルム３、３’の積層構造は特に限定されず、例えば接着剤層の単層のみからなるものや、コア材料の片面又は両面に接着剤層を形成した多層構造のもの等が挙げられる。前記コア材料としては、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。

前記ダイボンドフィルム３、３’を構成する接着剤組成物としては、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を併用したものが挙げられる。

前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。

前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。

更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。

前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。

前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。

前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体（アクリル共重合体）等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。

また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。

前記熱硬化性樹脂の配合割合としては、所定条件下で加熱した際にダイボンドフィルム３、３’が熱硬化型としての機能を発揮する程度であれば特に限定されないが、５〜６０重量％の範囲内であることが好ましく、１０〜５０重量％の範囲内であることがより好ましい。

本発明のダイボンドフィルム３、３’を予めある程度架橋をさせておく場合には、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくのがよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。

前記架橋剤としては、従来公知のものを採用することができる。特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、前記の重合体１００重量部に対し、通常０．０５〜７重量部とするのが好ましい。架橋剤の量が７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。その一方、０．０５重量部より少ないと、凝集力が不足するので好ましくない。また、この様なポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。

また、ダイボンドフィルム３、３’には、その用途に応じて前記導電性粒子以外のフィラーを適宜配合することができる。前記フィラーの配合は、弾性率の調節等を可能とする。前記フィラーとしては、無機フィラー、及び、有機フィラーが挙げられる。前記無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウィスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカ等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。

尚、ダイボンドフィルム３、３’には、前記導電性粒子、及び、前記フィラー以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。

ダイボンドフィルム３、３’の厚さ（積層体の場合は、総厚）は特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層による固定保持の両立性の観点から、５〜１００μｍが好ましく、より好ましくは５〜６０μｍ、さらに好ましくは５〜３０μｍである。

前記ダイシング・ダイボンドフィルム１０、１２は、基材１や粘着剤層に対しても、その接着時及び剥離時等に於ける静電気の発生やそれによる半導体ウェハ等の帯電で回路が破壊されること等を防止する目的で帯電防止機能を持たせることができる。帯電防止機能の付与は、基材１や粘着剤層２に帯電防止剤や導電性物質の添加する方法、基材１への電荷移動錯体や金属膜等からなる導電層の付設等、適宜な方式で行うことができる。これら方式は半導体ウェハを変質させるおそれのある不純物イオンが発生しにくい方式が好ましい。導電性の付与、熱伝導性の向上等を目的として配合される導電性物質（導電フィラー）としては、銀、アルミニウム、金、銅、ニッケル、導電性合金等の球状、針状、フレーク状の金属粉、アルミナ等の金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。

前記ダイシング・ダイボンドフィルム１０、１２のダイボンドフィルム３、３’は、セパレータにより保護されていることが好ましい（図示せず）。セパレータは、実用に供するまでダイボンドフィルム３、３’を保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、更に、粘着剤層２にダイボンドフィルム３、３’を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイシング・ダイボンドフィルムのダイボンドフィルム３、３’上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。

本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルム１０、１２は、例えば、次の通りにして作製される。
先ず、基材１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。

次に、基材１上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ（必要に応じて加熱架橋させて）、粘着剤層２を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度８０〜１５０℃、乾燥時間０．５〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて粘着剤層２を形成してもよい。その後、基材１上に粘着剤層２をセパレータと共に貼り合わせる。これにより、ダイシングフィルム１１が作製される。

ダイボンドフィルム３、３’は、例えば、次の通りにして作製される。
先ず、ダイシング・ダイボンドフィルム３、３’の形成材料である接着剤組成物溶液を作製する。当該接着剤組成物溶液には、前述の通り、前記接着剤組成物や導電性粒子、その他各種の添加剤等が配合されている。

次に、接着剤組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ、接着剤層を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて接着剤層を形成してもよい。その後、基材セパレータ上に接着剤層をセパレータと共に貼り合わせる。

続いて、ダイシングフィルム１１及び接着剤層からそれぞれセパレータを剥離し、接着剤層と粘着剤層とが貼り合わせ面となる様にして両者を貼り合わせる。貼り合わせは、例えば圧着により行うことができる。このとき、ラミネート温度は特に限定されず、例えば３０〜５０℃が好ましく、３５〜４５℃がより好ましい。また、線圧は特に限定されず、例えば０．１〜２０ｋｇｆ／ｃｍが好ましく、１〜１０ｋｇｆ／ｃｍがより好ましい。次に、接着剤層上の基材セパレータを剥離し、本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムが得られる。

（半導体装置の製造方法）
次に、図３〜図６を参照しながらダイシング・ダイボンドフィルム１２を用いた半導体装置の製造方法について説明する。

図３〜図６は、本実施形態に係る半導体装置の一製造方法を説明するための断面模式図である。まず、図３に示すように、半導体ウェハ４に、レーザー光を照射して分割予定ライン４Ｌ上に改質領域を形成する前処理を施す（前処理工程）。本方法は、半導体ウェハの内部に集光点を合わせ、格子状の分割予定ラインに沿ってレーザー光を照射し、多光子吸収によるアブレーションにより半導体ウェハの内部に改質領域を形成する方法である。半導体ウェハとしては、例えば、厚さ１〜５００μｍのものを使用することができる。レーザー光照射条件としては、以下の条件の範囲内で適宜調整すればよい。
＜レーザー光照射条件＞
（Ａ）レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長 １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積 ３．１４×１０^−８ｃｍ^２
発振形態 Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数 １００ｋＨｚ以下
パルス幅 １μｓ以下
出力 １ｍＪ以下
レーザー光品質 ＴＥＭ００
偏光特性 直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率 １００倍以下
ＮＡ ０．５５
レーザー光波長に対する透過率 １００％以下
（Ｃ）半導体基板が載置される裁置台の移動速度 ２８０ｍｍ／秒以下
なお、レーザー光を照射して分割予定ライン４Ｌ上に改質領域を形成する方法については、特許第３４０８８０５号公報や、特開２００３−３３８５６７号公報に詳述されているので、ここでの詳細な説明は省略することとする。

次に、図４に示すように、ダイシング・ダイボンドフィルム１２のダイボンドフィルム３’上に、前処理を施した半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（マウント工程）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。マウントの際の貼り付け温度は特に限定されないが、４０〜８０℃の範囲内であることが好ましい。半導体ウェハ４の反りを効果的に防止することができるとともに、ダイシング・ダイボンドフィルムの伸縮の影響を低減することができるからである。

次に、ダイシング・ダイボンドフィルム１２に引張張力を加えることによって、半導体ウェハ４とダイボンドフィルム３’とを破断し、半導体チップ５を形成する（エキスパンド工程）。本工程には、例えば、市販のウェハ拡張装置を用いることができる。具体的には、図５（ａ）に示すように、半導体ウェハ４が貼り合わせられたダイシング・ダイボンドフィルム１２の粘着剤層２周辺部にダイシングリング３１を貼り付けた後、ウェハ拡張装置３２に固定する。次に、図５（ｂ）に示すように、突き上げ部３３を上昇させて、ダイシング・ダイボンドフィルム１２に張力をかける。

このとき、エキスパンド速度（突き上げ部が上昇する速度）は、１〜４００ｍｍ／秒であることが好ましく、５０〜４００ｍｍ／秒であることがより好ましい。エキスパンド速度を１ｍｍ／秒以上とすることにより、半導体ウェハ４とダイボンドフィルム３’とを略同時に容易に破断することができるからである。また、エキスパンド速度を４００ｍｍ／秒以下とすることより、ダイシングフィルム１１が破断することを防止することができるからである。

また、エキスパンド量（突き上げ部が上昇した量）は、５〜５０ｍｍであることが好ましく、５〜４０ｍｍであることがより好ましく、５〜３０ｍｍであることが特に好ましい。エキスパンド量を５ｍｍ以上とすることにより、半導体ウェハ４、及び、ダイボンドフィルム３の破断を容易とすることができるからである。また、エキスパンド量を５０ｍｍ以下とすることより、ダイシングフィルム１１が破断することを防止することができるからである。

また、エキスパンド温度は、必要に応じて−５０〜１００℃の間で調整すればよいが、本発明においては、−２０〜３０℃であることが好ましく、−１０〜２５℃であることがより好ましい。なお、ダイボンドフィルムは低温である方が、破断伸びが少なく、破断し易いため、ダイボンドフィルムの破断不良による歩留低下を防ぐ点において、エキスパンド温度は、より低温であることが好ましい。

このように、ダイシング・ダイボンドフィルム１２に引張張力を加えることにより、半導体ウェハ４の改質領域を起点として半導体ウェハ４の厚さ方向に割れを発生させるとともに、半導体ウェハ４と密着するダイボンドフィルム３’を破断させることができ、ダイボンドフィルム３’付きの半導体チップ５を得ることができる。特に、ダイボンドフィルム３’の熱硬化前における−２０℃での引張貯蔵弾性率は、０．１ＧＰａ〜１０ＧＰａであるため、半導体ウェハ４を改質領域にて破断する際にチッピングの発生を防止することができる。

次に、ダイシング・ダイボンドフィルム１２に接着固定された半導体チップ５を剥離する為に、半導体チップ５のピックアップを行う（ピックアップ工程）。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシング・ダイボンドフィルム１２側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。ダイボンドフィルム３’は、熱硬化前における−２０℃での引張貯蔵弾性率が０．１ＧＰａ〜１０ＧＰａであるため、半導体チップ５をピックアップする際のチップ飛びや半導体チップ５の位置ズレを防止することができる。

ピックアップ条件としては、ニードル突き上げ速度５〜１００ｍｍ／秒とすることが好ましく、５〜１０ｍｍ／秒とすることがより好ましい。５ｍｍ／秒以上とすることにより、静電気放電量が多くなるのを防止することができ、１００ｍｍ／秒以下とすることにより、帯電量が多くなるのを防止することができるからである。

ピックアップ時には、ダイシングフィルム１１からダイボンドフィルム３付きの半導体チップ５を剥離するため、剥離帯電が発生する。しかしながら、本実施形態に係るダイシング・ダイボンドフィルム１２であれば、体積抵抗率が１×１０^−３Ω／ｃｍ以下であるため、比較的に剥離帯電が起こり難くなっている。その結果、発生した静電気により半導体チップ５が破壊されるのを防止し、半導体チップ５の信頼性を向上させることが可能となる。

ここでピックアップは、粘着剤層２が紫外線硬化型である為、該粘着剤層２に紫外線を照射した後に行う。これにより、粘着剤層２のダイボンドフィルム３’に対する粘着力が低下し、半導体チップ５の剥離が容易になる。その結果、半導体チップ５を損傷させることなくピックアップが可能となる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、紫外線照射に使用する光源としては、前述のものを使用することができる。

次に、図６に示すように、ピックアップした半導体チップ５を、ダイボンドフィルム３’を介して被着体６に仮固着する（固定工程）。被着体６としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体６は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウェハ等）であってもよい。

前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体素子をマウントし、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。

ダイボンドフィルム３’の仮固着時における２５℃での剪断接着力は、被着体６に対して０．２ＭＰａ以上であることが好ましく、より好ましくは０．２〜１０ＭＰａである。ダイボンドフィルム３の剪断接着力が少なくとも０．２ＭＰａ以上であると、ワイヤーボンディング工程の際に、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、ダイボンドフィルム３と半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形を生じることが少ない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことが少なく、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。また、ダイボンドフィルム３’の仮固着時における１７５℃での剪断接着力は、被着体６に対して０．０１ＭＰａ以上であることが好ましく、より好ましくは０．０１〜５ＭＰａである。

次に、被着体６の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ５上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続するワイヤーボンディングを行う（ワイヤーボンディング工程）。前記ボンディングワイヤー７としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、８０〜２５０℃、好ましくは８０〜２２０℃の範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒〜数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着工ネルギーの併用により行われる。本工程は、ダイボンドフィルム３ａの熱硬化を行うことなく実行することができる。また、本工程の過程でダイボンドフィルム３ａにより半導体チップ５と被着体６とが固着することはない。

次に、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する（封止工程）。本工程は、被着体６に搭載された半導体チップ５やボンディングワイヤー７を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂８としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常１７５℃で６０〜９０秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。これにより、封止樹脂を硬化させると共に、ダイボンドフィルム３を介して半導体チップ５と被着体６とを固着させる。即ち、本発明に於いては、後述する後硬化工程が行われない場合に於いても、本工程に於いてダイボンドフィルム３による固着が可能であり、製造工程数の減少及び半導体装置の製造期間の短縮に寄与することができる。

前記後硬化工程に於いては、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂８を完全に硬化させる。封止工程に於いてダイボンドフィルム３ａが完全に熱硬化していない場合でも、本工程に於いて封止樹脂８と共にダイボンドフィルム３ａの完全な熱硬化が可能となる。本工程に於ける加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば１６５〜１８５℃の範囲内であり、加熱時間は０．５〜８時間程度である。

上述した実施形態では、ダイボンドフィルム３’付き半導体チップ５を被着体６に仮固着した後、ダイボンドフィルム３’を完全に熱硬化させることなくワイヤーボンディング工程を行う場合について説明した。しかしながら、本発明においては、被着体６に、ダイボンドフィルム３’付き半導体チップ５を仮固着時した後、ダイボンドフィルム３’を熱硬化させ、その後、ワイヤーボンディング工程を行う通常のダイボンド工程を行うこととしてもよい。この場合、熱硬化後のダイボンドフィルム３’は、１７５℃において０．０１ＭＰａ以上の剪断接着力を有していることが好ましく、０．０１〜５ＭＰａがより好ましい。熱硬化後の１７５℃における剪断接着力を０．０１ＭＰａ以上にすることにより、ワイヤーボンディング工程の際の超音波振動や加熱に起因して、ダイボンドフィルム３’と半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形が生じるのを防止できるからである。

なお、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、複数の半導体チップを積層して３次元実装をする場合にも好適に用いることができる。このとき、半導体チップ間にダイボンドフィルムとスペーサとを積層させてもよく、スペーサを積層することなく、ダイボンドフィルムのみを半導体チップ間に積層させてもよく、製造条件や用途等に応じて適宜変更可能である。

次に、図７、図８を参照しながらダイシング・ダイボンドフィルム１２を用いた他の半導体装置の製造方法について説明する。

図７、図８は、本実施形態に係る半導体装置の他の製造方法を説明するための断面模式図である。まず、図７（ａ）に示すように、回転ブレード４１にて半導体ウェハ４の表面４Ｆに裏面４Ｒまで達しない溝４Ｓを形成する（溝形成工程）。なお、溝４Ｓの形成時には、半導体ウェハ４は、図示しない支持基材にて支持される。溝４Ｓの深さは、半導体ウェハ４の厚さやエキスパンドの条件に応じて適宜設定可能である。

次に、図７（ｂ）に示すように、表面４Ｆが保護部材４２に当接するように半導体ウェハ４を支持させる。保護部材４２は、中央に開口部を有するリング状のフレーム４３と、フレーム４３の裏面に貼付され、フレーム４３の開口部を塞ぐ保護テープ４４とを有しており、保護テープ４４は、その粘着力により半導体ウェハ４を支持している。

次に、溝４Ｓ形成時に用いた支持基材を剥離する。その後、図７（ｃ）に示すように、研削砥石４５にて裏面研削を行い、裏面４Ｒから溝４Ｓを表出させる（溝表出工程）。次に、溝４Ｓが表出した半導体ウェハ４の表面４Ｆにダイシング・ダイボンドフィルム１２を貼り付ける（貼付工程）。なお、半導体ウェハ４への保護テープ４４や、ダイシング・ダイボンドフィルム１２の貼り付けは、従来公知のテープ貼付装置を用いることができ、裏面研削も、従来公知の研削装置を用いることができる。

次に、図８に示すように、ダイシング・ダイボンドフィルム１２のダイボンドフィルム３’上に、溝４Ｓが表出した半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（マウント工程）。その後、保護シート３４を剥がし、エキスパンド工程を行う。このエキスパンド工程は、レーザー光を照射して分割予定ライン４Ｌ上に改質領域を形成する場合と同様とすればよい。

ダイシング・ダイボンドフィルム１２に引張張力を加えることにより、ダイボンドフィルム３’を溝４Ｓに対応する位置にて破断させることができ、ダイボンドフィルム３’付きの半導体チップ５を得ることができる。
なお、以降の工程は、レーザー光を照射して分割予定ライン４Ｌ上に改質領域を形成する場合と同様であるからここでの説明は省略することとする。

本発明において半導体ウェハのダイシング方法は、上述した実施形態に限定されず、例えば、プレードによりダイシング・ダイボンドフィルム１０まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式を採用してもよい。すなわち、本願発明のダイシング・ダイボンドフィルムは、フルカット方式による半導体装置の製造方法にも使用することができる。

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の要旨をそれらのみに限定する趣旨のものではない。なお、以下において、部とあるのは重量部を意味する。

（実施例１）
下記（ａ）〜（ｇ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（根上工業（株）製，パラクロンＷ−１９７ＣＭ） １００部
（ｂ）エポキシ樹脂１(ＪＥＲ（株）製、エピコート１００４) ２２８部
（ｃ）エポキシ樹脂２(ＪＥＲ（株）製、エピコート８２７) ２０６部
（ｄ）フェノール樹脂(三井化学（株）製、ミレックスＸＬＣ−４Ｌ) ４６６部
（ｅ）球状銅粉１(日本アトマイズ加工（株）製、ＳＦ−Ｃｕ 平均粒子径１０μｍ)
４００部
（ｆ）球状銅粉２(日本アトマイズ加工（株）製、ＳＦ−Ｃｕ 平均粒子径６μｍ)
２６７部
（ｇ）硬化触媒（四国化成(株)製、Ｃ１１−Ｚ） ３部

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ２０μｍのダイボンドフィルムＡを作製した。

（実施例２）
本実施例２に於いては、上記（ｅ）の球状銅粉１と上記（ｆ）の球状銅粉２とを、球状銀粉１(徳力化学研究所(株)製、ＳＦＲ−ＡＧ平均粒子径５μｍ)３６７部と球状銀粉２(福田金属(株)製、AgC-156I平均粒子径３μｍ)３００部とに変更したこと以外は、前記実施例１と同様にして、本実施例に係るダイボンドフィルムＢを作製した。

（実施例３）
本実施例３に於いては、上記（ｅ）の球状銅粉１と上記（ｆ）の球状銅粉２とを、球状銅粉１(福田金属箔粉(株)製、Ｃｕ−ＨＷＱ平均粒子径５μｍ)２５０２部と球状銅粉２(福田金属箔粉(株)製、Ｃｕ−ＨＷＱ平均粒子径１.５μｍ)１５００部に変更したこと以外は、前記実施例１と同様にして、本実施例に係るダイボンドフィルムＣを作製した。

（比較例１）
比較例１に於いては、上記（ｅ）の球状銅粉１を球状銅粉(日本アトマイズ加工(株)製、ＳＦ−Ｃｕ 平均粒子径６μｍ)６６７部に変更し、上記（ｆ）の球状銅粉２を加えなかった以外は、前記実施例１と同様にして、本実施例に係るダイボンドフィルムＤを作製した。

（比較例２）
比較例２に於いては、上記（ｅ）の球状銅粉１の添加量を６１部に変更し、上記（ｆ）の球状銅粉２の添加量を５０部に変更したこと以外は、前記実施例１と同様にして、本実施例に係るダイボンドフィルムＥを作製した。

（比較例３）
比較例３に於いては、上記（ｅ）の球状銅粉１の添加量を５００４部に変更し、上記（ｆ）の球状銅粉２の添加量を４０００部に変更したこと以外は、前記実施例１と同様にして、本実施例に係るダイボンドフィルムＦを作製した。

（体積抵抗率の測定）
ダイボンドフィルムＡ〜Ｆについて、抵抗率計（三菱化学（株）製、Ｌｏｒｅｓｔａ ＭＰ ＭＣＰ−Ｔ３５０）を用いて、ＪＩＳ Ｋ ７１９４に基づいた四探針法による体積抵抗率の測定を行った。その結果を、表１に示す。

（剥離帯電量の測定）
ダイボンドフィルムＡ〜Ｆのそれぞれに、ダイシングフィルムを貼り合わせ、それぞれを、ダイシング・ダイボンドフィルムＡ〜Ｆとした。ダイシングフィルムは、基材（ポリオレフィンフィルム、膜厚１００μｍ）上に粘着剤層（アクリル系粘着剤層、膜厚５μｍ）が積層されたもの（日東電工社製：ＤＵ−４００ＳＥ）を用いた。次に、ダイシング・ダイボンドフィルムＡ〜Ｆに、厚さ７５μｍのシリコンウエハを４０℃の条件下で貼り付け、以下の条件にて５ｍｍ×５ｍｍのサイズになるようにダイシングを行った。続いて、半導体チップをピックアップし、剥離直後のチップ帯電量を帯電量測定装置（ＥＬＥＣＴＲＯ ＳＴＡＴＩＣＶＯＬＴＭＥＴＥＲ ＭＯＤＥＬ５２０、トレック・ジャパン（株）社製）を用いて測定した。具体的には、室温（２５℃）、湿度５０％の雰囲気下にて１０回の測定を行い、その平均値を帯電量とした。測定の結果、帯電量が１．０ｋＶ以下を○、１．０ｋＶを超える場合を×と評価した。測定結果、及び、評価を表１に示す。ピックアップ条件は下記の通りである。

＜ダイシング条件＞
ダイシング装置：ディスコ社製、ＤＦＤ−６３６１
ダイシング速度：５０ｍｍ／秒
ダイシングブレード：
Ｚ１；ディスコ社製「ＮＢＣ−ＺＨ２０３Ｏ−ＳＥ２７ＨＤＤ」
Ｚ２；ディスコ社製「ＮＢＣ−ＺＨ１０３Ｏ−ＳＥ２７ＨＢＢ」
ダイシングブレード回転数：
Ｚ１；４０，０００ｒｐｍ
Ｚ２；４５，０００ｒｐｍ
カット方式：ステップカット
ダイシングテープ切り込み深さ：２０μｍ
チップサイズ：５ｍｍ×５ｍｍ

＜ピックアップ条件＞
ピックアップ装置：株式会社新川社製 ＳＰＡ−３００
ニードル数：５本
ニードル突き上げ速度：１０ｍｍ／秒
エキスバンド：引き落とし量３ｍｍ
ニードル突き上げ量：４００μｍ

（熱硬化前における−２０℃での引張貯蔵弾性率の測定）
ダイボンドフィルムＡ〜Ｆについて、それぞれ厚さ２００μｍ、幅１０ｍｍの短冊状の測定片となる様に切断した。次に、固定粘弾性測定装置（ＲＳＡ−ＩＩＩ、レオメトリックサイエンティフィック社製）を用いて、−５０〜３００℃での引張貯蔵弾性率を周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件下にて測定した。その際の−２０℃における測定値を表１に示す。

（熱硬化後における１７５℃での引張貯蔵弾性率の測定）
ダイボンドフィルムＡ〜Ｆについて、１２０℃の条件下で１時間、加熱処理した。その後、それぞれ厚さ２００μｍ、幅１０ｍｍの短冊状の測定片となる様に切断した。次に、固定粘弾性測定装置（ＲＳＡ−ＩＩＩ、レオメトリックサイエンティフィック社製）を用いて、−５０〜３００℃での引張貯蔵弾性率を周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件下にて測定した。その際の１７５℃における測定値を表１に示す。

（破断の確認）
＜レーザー光を照射して分割予定ライン上に改質領域を形成する工程（工程１）を採用した場合＞
レーザー加工装置として株式会社東京精密製、ＭＬ３００−Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎを用いて半導体ウェハの内部に集光点を合わせ、格子状（１０ｍｍ×１０ｍｍ）の分割予定ラインに沿って半導体ウェハの表面側からレーザー光を照射し、半導体ウェハの内部に改質領域を形成した。半導体ウェハは、シリコンウェハ（厚さ７５μｍ、外径１２インチ）を用いた。また、レーザー光照射条件は、下記のようにして行った。
（Ａ）レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長 １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積 ３．１４×１０^−８ｃｍ^２
発振形態 Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数 １００ｋＨｚ
パルス幅 ３０ｎｓ
出力 ２０μＪ／パルス
レーザー光品質 ＴＥＭ００ ４０
偏光特性 直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率 ５０倍
ＮＡ ０．５５
レーザー光波長に対する透過率 ６０％
（Ｃ）半導体基板が載置される裁置台の移動速度 １００ｍｍ／秒

ダイボンドフィルムＡ〜Ｆのそれぞれに、レーザー光による前処理を行った半導体ウェハを貼り合わせた後、破断試験を行った。破断試験におけるエキスパンド条件は、エキスパンド条件は、室温（２５℃）、エキスパンド速度３００ｍｍ／秒、エキスパンド量３０ｍｍとした。破断試験の結果、破断不良の箇所がなかった場合を○、破断不良の箇所があった場合を×とした。結果を表１に示す。

＜半導体ウェハの表面に溝を形成し、その後、裏面研削を行う工程（工程２）を採用した場合＞
半導体ウェハ（厚さ５００μｍ）にブレードダイシング加工により格子状（１０ｍｍ×１０ｍｍ）の切り込み溝を形成した。切り込み溝の深さは、１００μｍとした。
次に、この半導体ウェハの表面を保護テープにて保護し、厚さが７５μｍとなるまで裏面研削を行い、分割された個々の半導体チップ（１０ｍｍ×１０ｍｍ×７５μｍ）を得た。これをダイボンドフィルムＡ〜Ｆのそれぞれに貼り合わせた後、破断試験を行った。破断試験におけるエキスパンド条件は、室温（２５℃）、エキスパンド速度３００ｍｍ／秒、エキスパンド量３０ｍｍとした。破断試験の結果は、上記工程１の場合と同様、破断不良の箇所がなかった場合を○、破断不良の箇所があった場合を×とした。結果を表１に示す。

（吸湿信頼性）
ダイボンドフィルムＡ〜Ｆをそれぞれ４０℃の条件下で５ｍｍ角の半導体チップに貼り付け、１２０℃、０．１ＭＰａ、１秒の条件下でＢＧＡ（Ｂａｌｌ ｇｒｉｄ ａｒｒａｙ）基板にマウントした。このような試料を、ダイボンドフィルムＡ〜Ｆについてそれぞれ９個作成した。次に、１００℃にて１０時間の熱処理を施し、封止樹脂（ＧＥ−１００、日東電工社製）を用いて封止した。次に、６０℃、８０％ＲＨの雰囲気下で１６８時間放置した。その後、２６０℃以上の温度を３０秒保持するように温度設定したＩＲリフロー炉に通過させ、超音波顕微鏡にて半導体チップとＢＧＡ基板との界面に剥離が発生しているか否かを観察した。観察の結果、剥離が生じた個数が３個以下であれば○、４個以上であれば×として評価した。結果を表１に示す。

１ 基材
２ 粘着剤層
３、３’ ダイボンドフィルム（熱硬化型ダイボンドフィルム）
４ 半導体ウェハ
５ 半導体チップ
６ 被着体
７ ボンディングワイヤー
８ 封止樹脂
１０、１２ ダイシング・ダイボンドフィルム
１１ ダイシングフィルム

Claims (7)

1. ダイシングフィルム上に熱硬化型ダイボンドフィルムが設けられたダイシング・ダイボンドフィルムであって、
   前記熱硬化型ダイボンドフィルムは、導電性粒子を含有しており、
   前記熱硬化型ダイボンドフィルムの体積抵抗率が１×１０^−６Ω・ｃｍ以上１×１０^−３Ω・ｃｍ以下であり、且つ、前記熱硬化型ダイボンドフィルムの熱硬化前における−２０℃での引張貯蔵弾性率が０．１ＧＰａ〜１０ＧＰａであることを特徴とするダイシング・ダイボンドフィルム。
2. 前記導電性粒子は、平均粒子径の異なる２種以上であり、
   ２種以上の前記導電性粒子は、それぞれ平均粒径が０．０１μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
3. 前記導電性粒子の含有量は、前記熱硬化型ダイボンドフィルムの有機成分１００重量部に対し、２０〜９０重量部であることを特徴とする請求項１又は２に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
4. 半導体ウェハにレーザー光を照射して改質領域を形成し、その後、前記半導体ウェハを当該ダイシング・ダイボンドフィルムに貼り付け、当該ダイシング・ダイボンドフィルムに引張張力を加えることにより、前記半導体ウェハを前記改質領域にて破断するとともに、当該ダイシング・ダイボンドフィルムを構成する熱硬化型ダイボンドフィルムを前記改質領域に対応する位置にて破断して、ダイボンドフィルム付きの半導体チップを形成し、得られた前記ダイボンドフィルム付きの半導体チップを前記ダイシングフィルムから剥離し、剥離した前記ダイボンドフィルム付きの半導体チップを、該ダイボンドフィルムを介して被着体に固定する方法に使用されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
5. 半導体ウェハの表面に溝を形成した後、裏面研削を行うことにより前記溝を表出させ、前記溝が表出した前記半導体ウェハの表面に当該ダイシング・ダイボンドフィルムを貼り付け、当該ダイシング・ダイボンドフィルムに引張張力を加えることにより、当該ダイシング・ダイボンドフィルムを構成する前記熱硬化型ダイボンドフィルムを前記溝に対応する位置にて破断して、ダイボンドフィルム付きの半導体チップを形成し、得られた前記ダイボンドフィルム付きの半導体チップを前記ダイシングフィルムから剥離し、剥離した前記ダイボンドフィルム付きの半導体チップを、該ダイボンドフィルムを介して被着体に固定する方法に使用されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
6. 前記導電性粒子は、ニッケル粒子、銅粒子、銀粒子、アルミニウム粒子、金粒子、ステンレス粒子、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、金属の表面を金属でメッキした金属粒子、及び、表面が金属被覆された樹脂粒子からなる群より選択される少なくとも１以上のものであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。
7. 前記熱硬化型ダイボンドフィルムは、熱可塑性樹脂としてのアクリル樹脂を含有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１に記載のダイシング・ダイボンドフィルム。

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