JP2011233554A - Ｒ−ｔ−ｂ系焼結磁石の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】焼結磁石体の表層領域において重希土類元素ＲＨが主相粒内部に拡散することを抑制し、Ｂ_rを実質的に低下させずにＨ_cJを向上させたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を提供する。
【解決手段】本発明のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法は、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石体２、及び重希土類元素ＲＨを含有するＲＨ拡散源４の両方を加熱することにより、ＲＨ拡散源４から焼結磁石体２に対する重希土類元素ＲＨの供給を行い、同時に重希土類元素ＲＨを焼結磁石体２の内部に拡散させるＲＨ供給工程（Ａ）と、焼結磁石体２の加熱状態を維持したまま、ＲＨ拡散源４から焼結磁石体２への重希土類元素ＲＨの供給を中断し維持するＲＨ拡散工程（Ｂ）とを含み、工程（Ａ）及び工程（Ｂ）を２回以上繰り返す。
【選択図】図１

Description

本発明は、Ｒ₂Ｔ₁₄Ｂ型化合物を主相として有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法に関する。

Ｒ₂Ｔ₁₄Ｂ型化合物を主相とするＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石（ＲはＹを含む希土類元素の少なくとも１種、ＴはＦｅまたはＦｅとＣｏ）は、永久磁石の中で最も高性能な磁石として知られており、ハードディスクドライブのボイスコイルモータや、ハイブリッド自動車用モータ等の各種モータや家電製品等に使用されている。

Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、主相であるＲ₂Ｔ₁₄Ｂ相中の希土類元素Ｒに含まれる軽希土類元素ＲＬ（ＮｄおよびＰｒの少なくとも１種）の一部を重希土類元素ＲＨ（Ｄｙ、Ｔｂの少なくとも１種）に置換すると固有保磁力Ｈ_cJ（以下、単に「Ｈ_cJ」という）が向上することが知られている。高いＨ_cJを得るためには、重希土類元素ＲＨを多く添加する必要があった。しかし、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石において、軽希土類元素ＲＬを重希土類元素ＲＨで置換すると、保磁力が向上する一方、残留磁束密度Ｂ_r（以下、単に「Ｂ_r」という）が低下してしまう。そのため、より少ない重希土類元素ＲＨの使用で、Ｂ_rを低下させず、Ｈ_cJを向上させることが求められている。また、重希土類元素ＲＨは軽希土類元素ＲＬに比べ希少であるため、その使用量の削減が望まれている。

Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石のＨ_cJ向上手段として、焼結磁石の段階で重希土類元素ＲＨを含む金属、合金、化合物等を磁石表面に被着後、熱処理、拡散させることによって、Ｂ_rをそれほど低下させずにＨ_cJを回復または向上させる手法が検討されている（特許文献１、特許文献２、及び特許文献３）。

特許文献１は、Ｔｉ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ａｇのうち少なくとも１種を１．０原子％〜５０．０原子％含有し、残部Ｒ´（Ｒ´はＣｅ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂのうち少なくとも１種）からなる合金薄膜層を焼結磁石体の被研削加工面に形成することを開示している。

特許文献２は、小型磁石の最表面に露出している結晶粒子の半径に相当する深さ以上に金属元素Ｒ（このＲは、Ｙ及びＮｄ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｔｂから選ばれる希土類元素の１種又は２種以上）を拡散させ、それによって加工変質損傷部を改質して（ＢＨ）ｍａｘを向上させることを開示している。

特許文献３は、厚さ２ｍｍ以下の磁石の表面に希土類元素を主体とする化学気相成長膜を形成し、磁石特性を回復させることを開示している。

また、特許文献４は、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系微小焼結磁石や粉末の保磁力を回復するための希土類元素の収着法を開示している。この方法では、収着金属（Ｙｂ、Ｅｕ、Ｓｍなどの沸点が比較的低い希土類金属）をＲ−Ｆｅ−Ｂ系微小焼結磁石や粉末と混合した後、攪拌しながら真空中で均一に加熱するための熱処理が行われる。この熱処理により、希土類金属が磁石表面に被着するとともに、内部に拡散する。また特許文献４には、沸点の高い希土類金属（例えばＤｙ）を収着させる実施形態も記載されている。

一方、特許文献４に開示されている従来技術では、Ｄｙなどの希土類金属を充分に気化する温度に加熱し、成膜を行っているため、磁石中の拡散速度よりも成膜速度の方が圧倒的に高く、磁石表面上に厚いＤｙ膜が形成される。その結果、磁石表層領域（表面から数十μｍの深さまでの領域）では、Ｄｙ膜と焼結磁石体との界面におけるＤｙ濃度の大きな濃度差を駆動力として、Ｄｙが主相中にも拡散することを避けられず、Ｂ_rが低下してしまう。また、Ｄｙを含む高沸点希土類金属を対象とした実施形態においては、高周波によって収着原料と磁石の双方を加熱するため、希土類金属のみを充分な温度に加熱し磁石を磁石特性に影響を及ぼさない程度の低温に保持することは容易ではなく、磁石は、誘導加熱されにくい粉末の状態か極微小なものに限られてしまう。

また、特許文献４の方法では、成膜処理時に装置内部の磁石以外の部分（例えば真空チャンバーの内壁）にも多量に希土類金属が堆積するため、貴重資源である重希土類元素の省資源化に反することになる。

更に、Ｙｂなどの低沸点の希土類金属を対象とした実施形態においては、確かに個々のＲ−Ｆｅ−Ｂ系微小磁石のＨ_cJは回復するが、拡散熱処理時にＲ−Ｆｅ−Ｂ系磁石と収着金属が融着したり、処理後お互いを分離することが困難である。また、焼結磁石体表面に未反応の収着金属の残存が事実上避けられない。希土類金属は本来非常に活性で酸化しやすいため、実用環境において未反応収着金属が腐食の起点になりやすく好ましくない。また、混合攪拌するための回転と真空熱処理を同時に行う必要があるため、耐熱性、圧力（気密度）を維持しながら回転機構を組み込んだ特別な装置が必要になり、量産製造時に設備投資や品質安定製造の観点で課題がある。また、収着原料に粉末を使用した場合は安全性の問題（発火や人体への有害性）や作製工程に手間がかかりコストアップ要因となる。

これらの問題を解決するため、本出願人は、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石体と、重希土類元素ＲＨ（Ｄｙ、Ｈｏ、及びＴｂからなる群から選択された少なくとも１種）を含有するバルク体とを対向させて配置し、これらを加熱することにより、バルク体から重希土類元素ＲＨを焼結磁石体の表面に供給しつつ、重希土類元素ＲＨを焼結磁石体の内部に拡散させる技術（蒸着拡散法）を開示した（特許文献５）。この技術は、重希土類元素を焼結磁石体の表面に連続的に供給しつつ、その内部に拡散させることを特徴としている。蒸着拡散法によれば、焼結磁石体の表面に重希土類元素ＲＨからなる膜は生成されないため、Ｂ_rの低下を抑制しながら、Ｈ_cJを向上させることができる。蒸着拡散の後、焼結磁石体の内部へ重希土類元素をさらに拡散させることを目的として、追加熱処理を施すこともある。

特開昭６２−１９２５６６号公報 特開２００４−３０４０３８号公報 特開２００５−２８５８５９号公報 特開２００４−２９６９７３号公報 国際公開第２００７／１０２３９１号

しかし、上記の蒸着拡散法によっても、焼結磁石体の表層領域では重希土類元素ＲＨの主相粒内部への拡散量が多めとなって、僅かとはいえどもＢ_rが低下する問題があった。Ｂ_rが低下した場合は、焼結磁石体の表層領域を薄く研削すれば、Ｂ_rを回復させることも可能である。しかし、この方法は、生産工程の増加を招くとともに、焼結磁石体表面に拡散した重希土類元素ＲＨを無駄にすることになる。よって、焼結磁石体の表層領域であってもＢ_rの低下を抑制しながら、Ｈ_cJを向上させる方法が強く求められている。

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、焼結磁石体の表層領域においても重希土類元素ＲＨが主相粒内部に拡散することを抑制し、Ｂ_rを実質的に低下させずにＨ_cJを向上させたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を提供することにある。

本発明のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法は、軽希土類元素ＲＬ（Ｎｄ及びＰｒの少なくとも１種）を含有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石体、及び重希土類元素ＲＨ（Ｄｙ及びＴｂの少なくとも１種）を含有するＲＨ拡散源の両方を加熱することにより、前記ＲＨ拡散源から前記Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石体へ重希土類元素ＲＨの供給を行い、同時に、重希土類元素ＲＨをＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石体の内部に拡散させるＲＨ供給工程（Ａ）と、前記Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石体の加熱状態を維持したまま、前記ＲＨ拡散源から前記Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石体への重希土類元素ＲＨの供給を中断し、その状態を維持するＲＨ拡散工程（Ｂ）とを含み、前記工程（Ａ）及び工程（Ｂ）を交互に２回以上繰り返す。

好ましい実施形態において、前記工程（Ａ）及び工程（Ｂ）は、前記Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石体の温度を７００℃以上１０００℃未満の範囲に保持した状態で交互に繰り返す。

好ましい実施形態において、前記工程（Ａ）及び前記工程（Ｂ）は、同一処理室内における前記ＲＨ拡散源及び前記Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石体に対して行い、前記工程（Ａ）は、前記処理室内の圧力を１×１０^-5Ｐａ〜１Ｐａの範囲に調整する工程を含み、前記工程（Ｂ）は、前記処理室内の圧力を前記工程（Ａ）の圧力より高くかつ重希土類元素ＲＨの処理温度における飽和蒸気圧以上の値に調整する工程を含む。

本発明では、重希土類元素ＲＨの供給と拡散を複数回繰り返すことにより、焼結磁石体の表層領域においても重希土類元素ＲＨの主相粒内部への拡散量を抑制することができる。その結果、Ｂ_rを実質的に低下させず、Ｈ_cJを向上させたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を提供することができる。

また、本発明では、焼結磁石体の表層領域において重希土類元素ＲＨが主相粒内部に拡散することを抑制することができるので、焼結磁石体の表層領域におけるＢ_rが低下した部分を研削する必要がなく、生産工程の短縮を図ることができる。あるいは、研削が必要であっても極めて少ない量で済むため、生産工程の増加をほとんど招くことがない。

本発明によるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法における、ＲＨ拡散源と焼結磁石体との配置関係の一例を模式的に示す図である。 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ、重希土類元素ＲＨとしてＤｙの拡散を行うときの制御工程の例を示すグラフである。 実施例の磁石特性評価用サンプルの切り出し位置を示す図である。 実施例１の研削前後における保磁力Ｈ_cJのサイクル数依存性を示すグラフである。 実施例１の研削前後における残留磁束密度Ｂ_rのサイクル数依存性を示すグラフである。 １サイクルのサンプルのＥＰＭＡによるＤｙのマッピングを示す図である。 ６サイクルのサンプルのＥＰＭＡによるＤｙのマッピングを示す図である。 実施例２の研削前後におけるＨ_cJのサイクル数依存性を示すグラフである。 実施例２の研削前後におけるＢ_rのサイクル数依存性を示すグラフである。 実施例３の研削前後におけるＨ_cJのサイクル数依存性を示すグラフである。 実施例３の研削前後におけるＢ_rのサイクル数依存性を示すグラフである。 実施例４の研削前後におけるＨ_cJのサイクル数依存性を示すグラフである。 実施例４の研削前後におけるＢ_rのサイクル数依存性を示すグラフである。 実施例５の研削前後におけるＨ_cJのサイクル数依存性を示すグラフである。 実施例５の研削前後におけるＢ_rのサイクル数依存性を示すグラフである。 実施例６の研削前後におけるＨ_cJのサイクル数依存性を示すグラフである。 実施例６の研削前後におけるＢ_rのサイクル数依存性を示すグラフである。 本発明によるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法における、ＲＨ拡散源と焼結磁石体との配置関係の一例を模式的に示す図である。

本発明によるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法では、軽希土類元素ＲＬ（ＮｄおよびＰｒの少なくとも１種）を含有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石体、及び重希土類元素ＲＨ（ＤｙおよびＴｂのうち少なくとも１種）を含有するＲＨ拡散源の両方を加熱することにより、ＲＨ拡散源からＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石体に対する重希土類元素ＲＨの供給を行い、同時に重希土類元素ＲＨをＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石体の内部に拡散させる工程（Ａ）を行う。次に、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石体の加熱状態を維持したまま、ＲＨ拡散源からＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石体への重希土類元素ＲＨの供給を中断し、その状態を維持する工程（Ｂ）を行う。本発明の第１の特徴点は、これらの工程（Ａ）、（Ｂ）を１サイクルとして、このサイクルを２回以上繰り返すことにある。

上記の工程（Ａ）では、ＲＨ拡散源、及び焼結磁石体を好ましくは７００℃以上１０００℃未満に加熱することにより、ＲＨ拡散源から気化（昇華）して焼結磁石体の表面に飛来した重希土類元素ＲＨを速やかに焼結磁石体内部に拡散させることができる。７００℃以上１０００℃未満の温度範囲は、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石における粒界拡散が活発に生じる温度でもある。このため、焼結磁石体表層における粒内への拡散よりも優先的に焼結磁石体内部への粒界拡散を促進させることが可能になる。工程（Ａ）では重希土類元素ＲＨの焼結磁石体への供給のみを意味するものではなく、この工程中に焼結磁石体内部への拡散も起こる。

なお、本願では、ＲＨ拡散源から重希土類元素ＲＨを焼結磁石体表面に供給しつつ、重希土類元素ＲＨを焼結磁石体の表面から内部に拡散させることを「ＲＨ供給工程」と称し、重希土類元素ＲＨとしてＤｙを用いる場合は「Ｄｙ供給工程」と称する。

上記の工程（Ｂ）では、重希土類元素ＲＨを焼結磁石体に供給することを抑制または中断した状態で焼結磁石体を加熱した状態に保持するため、工程（Ａ）にて焼結磁石体に供給された重希土類元素ＲＨを無駄なく焼結磁石体の内部に拡散する。この拡散は、主として粒界拡散によって進行する。以下、工程Ｂを「ＲＨ拡散工程」と称する。ここでＲＨ拡散工程では、拡散を主に行う工程であり、必ずしも重希土類元素ＲＨの供給を完全に停止する必要は無い。なお、重希土類元素ＲＨとしてＤｙを用いる場合は「Ｄｙ拡散工程」と称する。

特許文献１から４に示される従来技術では、重希土類元素ＲＨの膜（ＲＨ膜）を焼結磁石体の表面に形成した後、熱処理により焼結磁石体の内部に拡散させており、ＲＨ膜と接する領域で主相結晶粒内への拡散が顕著に進行し、Ｂ_rが低下してしまう。これに対し、本発明の工程（Ａ）（ＲＨ供給工程）では、焼結磁石体表面に飛来した重希土類元素ＲＨが、粒界拡散によって速やかに焼結磁石体内部に浸透していく。また、１回のＲＨ供給工程を相対的に短い時間で中断し、引き続いて工程（Ｂ）（ＲＨ拡散工程）を行うため、焼結磁石体の表面に供給した重希土類元素ＲＨを焼結磁石体の内部にスムーズに拡散させることができる。このため、焼結磁石体の表層領域において、主相結晶粒内への拡散よりも優先的に粒界拡散が生じ、ＲＨ拡散工程後の焼結磁石体のままでもＢ_rの低下を抑制し、Ｈ_cJを効果的に向上させることが可能となる。

なお、特許文献５に記載された技術では、上記の工程（Ａ）（ＲＨ供給工程）によって焼結磁石体への重希土類元素ＲＨを供給するとき、１回の工程で必要な重希土類元素ＲＨのすべてを供給する方法が記載されている。そして、必要に応じてＲＨバルク体（ＲＨ拡散源）への略同程度の追加熱処理を行うことにより、焼結磁石体に供給した重希土類元素ＲＨを焼結磁石体内部へ更に拡散させる方法が記載されている。この追加熱処理は、本願発明における工程（Ｂ）（ＲＨ拡散工程）に対応する。このように、特許文献５に記載の技術では、上記のＲＨ供給工程およびＲＨ拡散工程を、それぞれ、１回のみ行うことが記載されている。本発明が、特許文献５に記載の従来技術と大きく異なる点は、ＲＨ供給工程及びＲＨ拡散工程のサイクルを２回以上に繰り返すことにある。言い換えると、１回のＲＨ供給工程では、最終的に供給すべき重希土類元素ＲＨ総量の一部を供給することになる。必要な重希土類元素ＲＨ総量の供給を複数回に分けて行い、かつＲＨ拡散工程をそれぞれの後に実行することにより、焼結磁石体の表層領域でも主相粒内部まで重希土類元素ＲＨが拡散することを避けることが可能になる。その結果多くの重希土類元素ＲＨを焼結磁石体内部に供給・拡散することができる。

重希土類元素ＲＨとしては、Ｄｙ、Ｔｂが選択し得る。ＲＨ供給工程のしやすさ、コスト等を考慮すると、Ｄｙが最も好ましい。ただし、Ｔｂを用いる場合は高温、高真空を必要とする。 本発明では、重希土類元素ＲＨを含有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石体を用いても構わない。 工程（Ａ）（ＲＨ供給工程）から工程（Ｂ）（ＲＨ拡散工程）への切替えは、例えば、以下の方法で実現することが可能である。

（１）処理室内の雰囲気圧力を調整する。

（２）ＲＨ拡散源と焼結磁石体との距離を変化させる。

（３）処理室内において、ＲＨ拡散源と焼結磁石体との間にシャッターを配置し、このシャッターの開閉を制御する。

（４）重希土類元素ＲＨの供給を行うためにＲＨ拡散源が配置された拡散処理室と、ＲＨ拡散源が配置されていない熱処理室とが連結された連続炉を使用し、拡散処理室と熱処理室との間で焼結磁石体を移動させる。

（実施形態）
以下、本発明の好ましい実施形態を説明する。

図１は、処理室内における焼結磁石体２とＲＨ拡散源４との配置例を示している。図１に示す例では、焼結磁石体２とＲＨ拡散源４とが所定間隔をあけて対向配置されている。ＲＨ拡散源４は、例えばＭｏなどの高融点金属材料からなる支持治具８及び支柱９によって保持されている。焼結磁石体２及びＲＨ拡散源４を保持する構成は、上記の例に限定されず、任意である。

焼結磁石体２とＲＨ拡散源４の間隔は少なくとも供給工程において０．１ｍｍ〜３００ｍｍ、例えば１０ｍｍ程度になるように設定され得る。焼結磁石体２とＲＨ拡散源４の配置関係は上下でも左右でも、また互いが相対的に移動するような配置であってもよい。

支持治具８は、好適にはＭｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗまたはこれらの合金から形成され、５０％以上の開口率を有するように開口部が設けられている。

不図示の加熱装置で処理室を加熱することにより、処理室の温度を上昇させる。このとき、処理室の温度を、好ましくは７００℃以上１０００℃未満、さらに好ましくは８５０℃以上９５０℃以下の範囲に調整する。この温度領域では、重希土類金属ＲＨの蒸気圧は僅かであるが、温度と圧力を適正な範囲に調節することで、ＲＨ拡散源４から気化した重希土類金属ＲＨを焼結磁石体２の表面に供給するとともに、その内部に拡散させることができる。この温度範囲は、重希土類金属ＲＨが焼結磁石体２の粒界相を伝って内部へ拡散する好ましい温度領域でもある。

本実施形態におけるＲＨ供給工程では、焼結磁石体２の温度をＲＨ拡散源４の温度と同じにすることが好ましい。ここで焼結磁石体２の温度がＲＨ拡散源４の温度と同じとは、両者の温度差が２０℃以内にあることを意味するものとする。具体的には、ＲＨ拡散源４の温度を７００℃以上１０００℃未満の範囲内に設定し、かつ、焼結磁石体２の温度を７００℃以上１０００℃未満の範囲内に設定することが好ましい。

ＲＨ拡散源４から重希土類金属ＲＨを焼結磁石体２に供給する工程を例えば高温で長時間続けると、焼結磁石体２の表層付近における粒内への拡散が生じやすくなる。本実施形態では、焼結磁石体２へ重希土類金属ＲＨを供給する工程と、焼結磁石体２の内部に重希土類金属ＲＨを熱拡散させる工程とを複数のサイクルに分けて行うため、焼結磁石体２の表層領域に位置する主相粒内に重希土類金属ＲＨを拡散させることなく効率的に焼結磁石体２の内部にまで重希土類金属ＲＨを拡散させることが可能になる。

重希土類金属ＲＨを焼結磁石体２に供給する工程（ＲＨ供給工程）を行うとき、処理室内は不活性雰囲気であることが好ましい。本明細書における「不活性雰囲気」とは、真空、または不活性ガスで満たされた状態を含むものとする。また、「不活性ガス」は、例えばアルゴン（Ａｒ）などの希ガスであるが、ＲＨ拡散源４及び焼結磁石体２との間で化学的に反応しないガスであれば、「不活性ガス」に含まれ得る。不活性ガスの圧力は、大気圧よりも低い値を示すように減圧される。処理室内の雰囲気圧力が大気圧に近いと、ＲＨ拡散源４から重希土類元素ＲＨが焼結磁石体２の表面に供給されにくくなる。このため、処理室内の雰囲気圧力は１０^-5Ｐａ〜１Ｐａにすることが好ましい。なお、これら圧力は処理温度に応じ、適宜選定することができる。

本発明の好ましい実施形態において、焼結磁石体２の表面への重希土類元素ＲＨの供給を比較的短い時間で中断し、ＲＨ拡散工程を実施する。中断する方法としては、処理室内部の雰囲気圧力を重希土類元素ＲＨの蒸気圧よりも高いレベルに上昇させる。ＲＨ拡散工程での圧力はＲＨ拡散工程時の圧力がＲＨ供給工程での圧力よりも高い圧力でかつ１０^-1Ｐａ〜１０³Ｐａにすることが好ましい。

このように高い雰囲気圧力のもとでは、ＲＨ拡散源４から焼結磁石体２への重希土類金属ＲＨの供給が抑制され、重希土類金属ＲＨの供給が実質的に中断される。そのような圧力で処理室の温度を拡散温度範囲に維持することで、焼結磁石体２に供給された重希土類元素ＲＨが、粒界を伝って焼結磁石体２の内部に向かって更に拡散する。

図２は、重希土類元素ＲＨとしてＤｙを用いた場合の制御工程を示すグラフである。図２（ａ）は、Ｄｙ供給工程（３時間）とＤｙ拡散工程（６時間）を１サイクルだけ行う従来例を示している。Ｄｙ供給工程では、雰囲気圧力をＤｙ飽和蒸気圧よりも低い圧力（例えば０．０１Ｐａ）に制御し、Ｄｙ拡散工程でＤｙ飽和蒸気圧よりも高い圧力（例えば５００Ｐａ）に制御する。温度は、Ｄｙ供給工程及びＤｙ拡散工程のいずれでも、例えば９００℃に保持される。これに対して、図２（ｂ）は、Ｄｙ供給工程（１時間）とＤｙ拡散工程（２時間）を３サイクル繰り返す本発明の例を示し、図２（ｃ）は、Ｄｙ供給工程（０．５時間）とＤｙ拡散工程（１時間）とを６サイクル繰り返す本発明の例を示している。この例では、サイクル数が増えても、Ｄｙ供給工程の合計の時間は３時間であり、Ｄｙ拡散工程の合計の時間は６時間である。図２（ｂ）及び図２（ｃ）の例でも、温度は一定（例えば９００℃）に保持したまま、雰囲気圧力の制御を繰り返すことにより、Ｄｙの供給を断続的に繰り返している。

図２（ｂ）及び図２（ｃ）の例では、図２（ａ）の従来例と対比するため、Ｄｙ供給工程の合計時間及びＤｙ拡散工程の合計時間を、それぞれ、３時間及び６時間に設定しているが、本発明は、このような例に限定されない。サイクル毎にＤｙ供給工程時間及び／またはＤｙ拡散工程時間を変化させても良い。また、各工程の合計時間も、供給すべきＤｙ量や焼結磁石体の形状及び大きさに応じて適宜異なる長さに設定され得る。また、温度も常に一定に保持される必要は無い。例えば、６サイクルの処理工程を繰り返す場合、最初の３サイクルは９００℃、次の３サイクルは、８５０℃に保持されても良い。

図２の例では、雰囲気圧力の調整によってＲＨ供給工程とＲＨ拡散工程を切り換えているが、前述したように、本発明はこのような例に限定されない。ＲＨ拡散源と焼結磁石体との間隔を変化させてもよいし、シャッターの開閉を利用してもよい。シャッターの開閉を利用する場合、サイクル数を増加させることが容易である。

なお、ＲＨ拡散工程では、必ずしも重希土類元素ＲＨの供給を完全に停止する必要は無い。ＲＨ拡散工程では、重希土類元素ＲＨの供給が充分に抑制されていれば、本発明の効果を得ることが可能である。例えば上述したＲＨ拡散源と焼結磁石体との間隔を変化させる場合、ＲＨ拡散源から焼結磁石体までの距離が拡大しても、供給を完全にゼロにするのは難しいが本発明の目的とする効果が得られる。

ＲＨ供給工程と、その後に行うＲＨ拡散工程は、必ずしも同じ温度で行う必要がなく、７００℃以上１０００℃未満の範囲にあることが好ましい。ＲＨ供給工程における雰囲気圧力は、１０^-5Ｐａ〜１Ｐａにあることが好ましく、後に行うＲＨ拡散工程で雰囲気圧力を調整する場合には、ＲＨ供給工程より高く、かつ重希土類元素ＲＨの飽和蒸気圧以上にあること、具体的には１０^-1Ｐａ〜１０³Ｐａにするのが好ましい。ＲＨ供給工程とＲＨ拡散工程の合計時間は、好ましくは１時間から２４時間、さらに好ましくは２時間から１２時間である。さらに必要に応じて熱処理（４００℃から７００℃）を行なってもよい。

焼結磁石体の表面は重希土類元素ＲＨが拡散浸透しやすいように、事前に酸洗浄やブラスト処理等の活性化処理を行ってもよい。また、焼結磁石体の表面は、例えば焼結工程後や切断加工が完了した後の酸化が進んだ状態にあってもよい。

ＲＨ拡散源の形状・大きさは特に限定されず、板状であってもよいし、不定形であってもよい。ＲＨ拡散源は少なくとも１種の重希土類元素ＲＨを含む金属または合金から形成されていることが好ましい。

ＲＨ拡散源は、元素Ｘ（Ｎｄ、Ｐｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｇ、及びＩｎからなる群から選択された少なくとも１種）を含有していてもよい。

本発明によれば、例えば厚さ３ｍｍ以上の焼結磁石体に対しても、僅かな量の重希土類元素ＲＨを用いてＢ_rを低下させず、Ｈ_cJを高めることができるため、高性能磁石を提供することができる。このような高性能磁石は、超小型・高出力モータの実現に大きく寄与する。本発明の効果は、厚さが１０ｍｍ以下の焼結磁石体において特に顕著に発現する。

本発明においては、焼結磁石体の表面全体から重希土類元素ＲＨを拡散させても良いし、焼結磁石体表面の一部分から重希土類元素ＲＨを拡散させても良い。そのためには例えば、焼結磁石体のうち重希土類元素ＲＨを拡散させたくない部分をマスキングする等して、上記の方法と同様の方法で処理すればよい。このような方法によれば、部分的にＨ_cJが向上した磁石を得ることができる。

以下、本発明によるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を製造する方法の好ましい実施形態を説明する。

［原料合金］
まず、２５質量％以上４０質量％以下の希土類元素Ｒと、０．６質量％〜１．６質量％のＢ（硼素）と、残部Ｆｅ及び不可避的不純物とを含有する合金を用意する。Ｂの一部はＣ（炭素）によって置換されていてもよいし、Ｆｅの一部（Ｆｅの５０原子％以下）は、Ｃｏによって置換されていてもよい。この合金は、種々の目的により、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｂ、およびＢｉからなる群から選択された少なくとも１種の添加元素Ｍを０．０１〜１．０質量％程度含有していてもよい。なお、希土類元素Ｒの一部として重希土類元素ＲＨを含んでいても良い。

上記の合金は、溶湯を例えばストリップキャスト法によって急冷して好適に作製され得る。以下、ストリップキャスト法による急冷凝固原料合金の作製を説明する。

まず、上記組成を有する合金をアルゴン雰囲気中において高周波溶解によって溶融し、合金の溶湯を形成する。次に、この溶湯を１３５０℃程度に保持した後、単ロール法によって急冷し、例えば厚さ約０．３ｍｍのフレーク状合金を得る。こうして作製したフレーク状の原料合金を、次の水素粉砕前に例えば１〜１０ｍｍの大きさに粉砕する。なお、ストリップキャスト法による原料合金の製造方法は、例えば、米国特許第５、３８３、９７８号明細書に開示されている。

［粗粉砕工程］
上記のフレーク状の原料合金を水素炉の内部へ収容する。次に、水素炉の内部で水素粉砕処理を行う。水素粉砕処理で得られた後の粗粉砕粉を水素炉から取り出す際、粗粉砕粉が大気と接触しないように、不活性雰囲気下で取り出し動作を実行することが好ましい。そうすれば、粗粉砕粉が酸化・発熱することが防止され、焼結磁石の磁石特性の低下が抑制できるからである。

水素粉砕処理によって、フレーク状原料合金は０．１ｍｍ〜数ｍｍ程度の大きさに粉砕される。水素粉砕処理後、脆化した原料合金をより細かく解砕するとともに冷却することが好ましい。

［微粉砕工程］
次に、粗粉砕粉に対してジェットミル粉砕装置を用いて微粉砕を行う。本実施形態で使用するジェットミル粉砕装置にはサイクロン分級機が接続されている。ジェットミル粉砕装置は、粗粉砕工程で粗く粉砕された粗粉砕粉の供給を受け、粉砕機内で粉砕する。粉砕機内で粉砕された粉末はサイクロン分級機を経て回収タンクに集められる。こうして、０．１〜２０μｍ程度（典型的にはＦ．Ｓ．Ｓ．Ｓ粒度で３〜５μｍ）の微粉砕粉を得ることができる。このような微粉砕に用いる粉砕装置は、ジェットミルに限定されず、アトライタやボールミルであってもよい。微粉砕前にステアリン酸亜鉛などの潤滑剤を粉砕助剤として用いてもよい。

［プレス成形］
本実施形態では、上記方法で作製された微粉砕粉に対し、例えば潤滑剤を０．３質量％添加・混合する。次に、上述の方法で作製した微粉砕粉を公知のプレス装置を用いて配向磁界中で成形し、成形体を作製する。印加する磁界の強度は、例えば０．８〜１．２ＭＡ／ｍである。また、成形圧力は、成形体密度が例えば４〜４．５ｇ／ｃｍ³程度になるように設定される。

［焼結工程］
上記の成形体に対して、１０００℃から１２００℃の温度で焼結する。雰囲気は真空でもよいし、減圧アルゴン雰囲気で行ってもよい。また、昇温途中で真空から水素ガスを導入してもよい。焼結工程の後、熱処理（４００℃〜１０００℃）や、寸法調整のための研削を行っても良い。

［ＲＨ供給工程、ＲＨ拡散工程］
こうして作製された焼結磁石体に重希土類元素ＲＨを拡散させる。具体的には、図１に示すように処理室内にＲＨ拡散源と焼結磁石体とを配置する。そして、処理室内を７００℃以上１０００℃未満に加熱し、例えば図２（ｂ）及び図２（ｃ）に示すように雰囲気圧力を制御してＲＨ供給工程とＲＨ拡散工程とを２サイクル以上繰り返す。さらに必要に応じて熱処理（４００℃から７００℃）を行なってもよい。

実用上、焼結磁石には表面処理を施すことが好ましい。表面処理は公知の表面処理でよく、例えばＡｌ蒸着や電気Ｎｉめっきや樹脂塗装などの表面処理を行うことができる。表面処理を行う前にはサンドブラスト処理、バレル処理、エッチング処理、機械研削等公知の前処理を行ってもよい。また、寸法調整のための研削を行っても良い。このような工程を経ても、Ｈ_cJ向上効果はほとんど変わらない。寸法調整のための研削量は、例えば１〜３００μｍである。

［実施例１］
まず、ストリップキャスト法により厚さ０．２〜０．３ｍｍの原料合金を作製した。

次に、この原料合金を容器内に充填し、水素処理装置内に収容した。そして、水素処理装置内を圧力２００ｋＰａの水素ガス雰囲気で満たすことにより、室温で原料合金に水素吸蔵させた後、放出させた。このような水素処理を行うことにより、原料合金を脆化し、大きさ約０．１５〜０．２ｍｍの粉末を作製した。

上記の水素処理により作製した粗粉砕粉に対し粉砕助剤として０．０４ｗｔ％のステアリン酸亜鉛を添加し混合した後、ジェットミル装置による粉砕を行うことにより、粉末粒度が約３μｍ（Ｆ．Ｓ．Ｓ．Ｓ）の微粉砕粉を作製した。

こうして作製した微粉砕粉をプレス装置により成形し、成形体を作製した。具体的には、印加磁界中で粉末粒子を磁界配向した状態で圧縮し、プレス成形を行った。その後、真空炉により１０２０℃で４時間の焼結工程を行った。こうして、焼結体ブロックを作製した後、この焼結体ブロックを機械加工することにより、厚さ（配向方向）５．４ｍｍ×縦１４ｍｍ×横２３ｍｍの焼結磁石体を得た。この焼結磁石体の組成を分析した結果、Ｎｄ：１９．８、Ｐｒ：５．７、Ｄｙ：４．３、Ｂ：０．９３、Ｃｏ：２．０、Ｃｕ：０．１、Ａｌ：０．１５、Ｇａ：０．０８、Ｏ：０．１９、Ｎ：０．０３、Ｃ：０．１、残部：Ｆｅ（質量％）であった。

この焼結磁石体を図１に示す処理容器内に配置した。ＲＨ拡散源には、純度９９．９％のＤｙを用いた。焼結磁石体とＲＨ拡散源との間隔は約１０ｍｍに設定した。支持治具はＭｏ製で、開口率は５０％である。

次に、処理容器を加熱し、ＲＨ供給工程（Ｄｙ供給工程）とＲＨ拡散工程（Ｄｙ拡散工程）とを行った。処理条件は、以下の表１に示す通りである。

サンプル１と２は本発明の実施例である。サンプル１では、Ｄｙ供給工程（１時間）とＤｙ拡散工程（２時間）を３サイクルに分けて行った（図２（ｂ））。Ｄｙ供給工程では雰囲気圧力を０．０１Ｐａに制御し、Ｄｙ拡散工程では雰囲気圧力を５００Ｐａに制御された。温度は、Ｄｙ供給工程及びＤｙ拡散工程のいずれでも、９００℃に保持した。サンプル２では、Ｄｙ供給工程（０．５時間）とＤｙ拡散工程（１時間）とを６サイクル繰り返した（図２（ｃ））。

一方、サンプル３は比較例であり、Ｄｙ供給工程（３時間）とＤｙ拡散工程（６時間）を１サイクルのみ行った（図２（ａ））。

その後、熱処理（４８０℃で４時間、１００Ｐａ）を行った。

次に、図３に示すように、厚さ５．４ｍｍ×縦１４ｍｍ×横２３ｍｍの焼結磁石から厚さ５．４ｍｍ×縦５．０ｍｍ×横５．０ｍｍの大きさに切り出し、Ｂ−Ｈトレーサで磁石特性を測定した。

図４は、研削前後におけるＨ_cJのサイクル数依存性を示すグラフであり、図５は、研削前後におけるＢ_rのサイクル数依存性を示すグラフである。ここで研削前とはＤｙ供給工程とＤｙ拡散工程後に焼結磁石体の厚み方向の加工を行っていない状態（厚さ５．４ｍｍ）を意味し、研削後とはＤｙ供給工程とＤｙ拡散工程後にＤｙ供給面（Ｄｙ拡散源との対向面）およびＲＨ拡散源支持部材との接触面をそれぞれ０．１ｍｍ研削した状態（厚さ５．２ｍｍ）を意味する。図４、５では研削前の特性値を□で記し、研削後の特性値を○で示している。また、これらのグラフには、参考としてＤｙ供給工程とＤｙ拡散工程を行っていないサンプルで熱履歴だけを同じくしたときの焼結磁石体の特性値を「ＲＨ拡散前」として破線で記載している。

測定した磁石特性の数値は表２に示す。表２中、ＲＨ拡散前１の磁石特性の数値はＲＨ供給工程、拡散工程を行わず、９００℃で９時間の熱処理と４８０℃で４時間、１００Ｐａの熱処理をした焼結磁石体をＢ−Ｈトレーサで測定した磁石特性の値を示す。また、ΔＢ_rはＲＨ供給工程、拡散工程後の焼結磁石から測定したＢ_rの値からＲＨ拡散前のＢ_rの値を除いた数値を示している。

表２および図４より、Ｈ_cJはサイクル数にはほとんど依存していない。一方、表２および図５よりＢ_rは、サイクル数が３回および６回の本発明のサンプル１および２が、研削前でも０．０１ＴのＢ_rの低下で済んでおり、ＲＨ拡散前に近いＢ_rが得られているのに対し、サイクル数が１回の比較例のサンプル３は、ＲＨ拡散前に比べてＢ_rが０．０２Ｔ低下していることがわかる。また、研削後、本発明のサンプル１および２は、ＲＨ拡散前とほぼ同じＢ_rまで回復するが、比較例のサンプル３はＢ_rがＲＨ拡散前と同じレベルにまでは回復されない。回復の差に起因するのは、重希土類元素ＲＨが濃縮した主相外殻部の厚みの差によるものと考えられる。

以上のことから明らかなように、サイクル数が２回以上になると、ＲＨ供給面における粒内への拡散が抑制され、Ｂ_rの低下が抑制できることがわかる。

サンプル２と３について、ＥＰＭＡ（島津製作所製ＥＰＭＡ−１６１０）により、磁石内部へのＤｙの拡散状況を観察した結果を図６と図７にそれぞれ示す。図６（ａ）、図７（ａ）は磁石表面からおよそ１５０μｍの深さまでのＤｙの拡散状況を観察したものであり、図６（ｂ）、図７（ｂ）は図６（ａ）、図７（ａ）の磁石表面近傍をさらに拡大しＤｙの拡散状況を観察したものである。明るさはＤｙの濃度を反映している。図６と図７とを比較することにより、６サイクル繰り返したサンプル２では、１サイクルのみのサンプル３に比べて粒内への拡散が抑制されていることがわかる。

［実施例２］
図１８のようにＲＨ拡散源を焼結磁石体の上下に配置した以外は、サンプル４は実施例１のサンプル１、サンプル５は実施例１のサンプル２、そしてサンプル６は実施例１のサンプル３とそれぞれ同条件にてＲＨ供給工程とＲＨ拡散工程とを行った。ＲＨ拡散源を焼結磁石体の上下に配置したことによりＤｙ供給量は倍増した。得られたサンプル４、５、６の磁石特性を実施例１と同条件で測定した。測定結果を表３、図８及び図９に示す。表３は測定した磁石特性の数値を示す表であり、図８は研削前後におけるＨ_cJのサイクル数依存性を示すグラフであり、図９は研削前後におけるＢ_rのサイクル数依存性を示すグラフである。

表３中、ＲＨ拡散前２の磁石特性の数値はＲＨ供給工程、拡散工程を行わず、９００℃×９時間の熱処理と４８０℃で４時間、１００Ｐａの熱処理をした後の焼結磁石体をＢ−Ｈトレーサで測定した磁石特性の値を示す。図８、９では研削前の特性値を□で記し、研削後の特性値を○で示している。表３、図８及び図９より、焼結磁石体の両面からＲＨ供給工程、ＲＨ拡散工程を施しても、実施例１と同様にサイクル数を２回以上繰り返すことにより、Ｈ_cJを大きく向上しつつＢ_rの低下が抑制できることがわかる。

［実施例３］
表４に示す条件以外は、実施例１と同じ条件でＲＨ供給工程およびＲＨ拡散工程を行った。

サンプル７は本発明の実施例、サンプル８は比較例である。得られたサンプルの磁石特性を実施例１と同条件で測定した。測定結果を表５、図１０及び図１１に示す。表５は測定した磁石特性の数値を示す表であり、図１０は研削前後におけるＨ_cJのサイクル数依存性を示すグラフであり、図１１は研削前後におけるＢ_rのサイクル数依存性を示すグラフである。

表５中、ＲＨ拡散前３の磁石特性の数値はＲＨ供給工程、拡散工程を行わず、９５０℃×４．５時間の熱処理と４８０℃で４時間、１００Ｐａの熱処理をした後の焼結磁石体をＢ−Ｈトレーサで測定した磁石特性の値を示す。図１０、１１では研削前の特性値を□で記し、研削後の特性値を○で示している。表５、図１０及び図１１より、ＲＨ供給工程、ＲＨ拡散工程の処理温度、処理時間を変えても、実施例１と同様の効果が得られることがわかる。サイクル数が６回の本発明のサンプル７は、研削前でもＲＨ拡散前とほぼ同じＢ_rが得られることがわかる。

［実施例４］
図１８のようにＲＨ拡散源を焼結磁石体の上下に配置した以外は、サンプル９は実施例３のサンプル７、サンプル１０は実施例３のサンプル８とそれぞれ同条件にてＲＨ供給工程とＲＨ拡散工程とを行った。得られたサンプル９、１０の磁石特性を実施例１と同条件で測定した。測定結果を表６、図１２及び図１３に示す。表６は測定した磁石特性の数値を示す表であり、図１２は研削前後におけるＨ_cJのサイクル数依存性を示すグラフであり、図１３は研削前後におけるＢ_rのサイクル数依存性を示すグラフである。

表６中、ＲＨ拡散前４の磁石特性の数値はＲＨ供給工程、拡散工程を行わず、９５０℃×４．５時間の熱処理と４８０℃で４時間、１００Ｐａの熱処理をした後の焼結磁石体をＢ−Ｈトレーサで測定した磁石特性の値を示す。図１２、１３では研削前の特性値を□で記し、研削後の特性値を○で示している。表６、図１２及び図１３より、ＲＨ供給工程、ＲＨ拡散工程の処理温度、処理時間を変え、さらに、焼結磁石体の両面からＲＨ供給工程、ＲＨ拡散工程を施しても、実施例１と同様の効果が得られることがわかる。サイクル数が６回の本発明のサンプル９は、研削前でもＲＨ拡散前とほぼ同じＢ_rが得られることがわかる。

［実施例５］
Ｎｄ：２１．０、Ｐｒ：５．８、Ｄｙ：４．１、Ｂ：０．９９、Ｃｏ：０．９、Ｃｕ：０．１、Ａｌ：０．１５、Ｇａ：０．１、Ｏ：０．５、Ｎ：０．０１、Ｃ：０．０６、残部：Ｆｅ（質量％）の組成を有する焼結磁石体を用いて、表７に示す条件およびＲＨ拡散工程後の熱処理条件（４５０℃で４時間、１００Ｐａ）以外は実施例２と同条件でＲＨ供給工程、ＲＨ拡散工程を行った。

サンプル１１、および１２は本発明の実施例、サンプル１３は比較例である。得られたサンプルの磁石特性を実施例１と同条件で測定した。測定結果を表８、図１４及び図１５に示す。表８は測定した磁石特性の数値を示す表であり、図１４は研削前後におけるＨ_cJのサイクル数依存性を示すグラフであり、図１５は研削前後におけるＢ_rのサイクル数依存性を示すグラフである。

表８中、ＲＨ拡散前５の磁石特性の数値はＲＨ供給工程、拡散工程を行わず、９００℃×９時間の熱処理と４５０℃で４時間、１００Ｐａの熱処理をした後の焼結磁石体をＢ−Ｈトレーサで測定した磁石特性の値を示す。図１４、１５では研削前の特性値を□で記し、研削後の特性値を○で示している。表８、図１４及び図１５より、焼結磁石体の組成を変えても、Ｈ_cJ、Ｂ_rともに実施例２と同様な効果を得られることがわかる。

［実施例６］
Ｎｄ：３０．５、Ｐｒ：０．１、Ｄｙ：０．０２、Ｂ：０．９５、Ｃｏ：０．９、Ｃｕ：０．１、Ａｌ：０．１０、Ｇａ：０．０８、Ｏ：０．４、Ｎ：０．０１、Ｃ：０．０７、残部：Ｆｅ（質量％）の組成を有する焼結磁石体を用いて、表９に示す条件以外は実施例２と同条件でＲＨ供給工程、ＲＨ拡散工程を行った。

サンプル１４、および１５は本発明の実施例、サンプル１６は比較例である。得られたサンプルの磁石特性を実施例１と同条件で測定した。測定結果を表１０、図１６及び図１７に示す。表１０は測定した磁石特性の数値を示す表であり、図１６は研削前後におけるＨ_cJのサイクル数依存性を示すグラフであり、図１７は研削前後におけるＢ_rのサイクル数依存性を示すグラフである。

表１０中、ＲＨ拡散前６の磁石特性の数値はＲＨ供給工程、拡散工程を行わず、９００℃×９時間の熱処理と４８０℃で４時間、１００Ｐａの熱処理をした後の焼結磁石体をＢ−Ｈトレーサで測定した磁石特性の値を示す。図１６、１７では研削前の特性値を□で記し、研削後の特性値を○で示している。表１０、図１６及び図１７より、Ｄｙをほとんど含まないＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を用いた場合でも、Ｈ_cJ、Ｂ_rともに実施例２とほぼ同様な効果を得ることができる。研削前では、サイクル数が１回のサンプル１６に比べ、サイクル数が３回、および６回のサンプル１４、および１５の方が高いＢ_rが得られていることがわかる。

本発明によれば、焼結磁石体の表層領域においても重希土類元素ＲＨが主相粒内部に拡散することを抑制することができるため、Ｂ_rを実質的に低下させず、Ｈ_cJを向上させたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を提供することができる。また、焼結磁石表層領域の残留磁束密度Ｂ_rが低下した部分を研削する必要がなく、生産工程の短縮を図ることができる。あるいは、研削が必要であっても極めて少ない量で済むため、生産工程の増加をほとんど招くことがない。

２ 焼結磁石体
４ ＲＨ拡散源
８ 支持治具
９ 支柱

Claims (3)

1. 軽希土類元素ＲＬ（Ｎｄ及びＰｒの少なくとも１種）を含有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石体、及び重希土類元素ＲＨ（Ｄｙ、Ｔｂの少なくとも１種）を含有するＲＨ拡散源の両方を加熱することにより、前記ＲＨ拡散源から前記Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石体に対する重希土類元素ＲＨの供給を行い、同時に、重希土類元素ＲＨをＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石体の内部に拡散させるＲＨ供給工程（Ａ）と、
   前記Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石体の加熱状態を維持したまま、前記ＲＨ拡散源から前記Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石体への重希土類元素ＲＨの供給を中断し維持するＲＨ拡散工程（Ｂ）と、
   を含み、
   前記工程（Ａ）及び前記工程（Ｂ）を交互に２回以上繰り返す、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法。
2. 前記工程（Ａ）及び前記工程（Ｂ）は、前記Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石体の温度を７００℃以上１０００℃未満の範囲に保持した状態で繰り返す、請求項１に記載のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法。
3. 前記工程（Ａ）及び前記工程（Ｂ）は、同一処理室内における前記ＲＨ拡散源及び前記Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石体に対して行い、
   前記工程（Ａ）は、前記処理室内の圧力を１×１０^-5Ｐａ〜１Ｐａの範囲に調整する工程を含み、
   前記工程（Ｂ）は、前記処理室内の圧力を前記工程（Ａ）の圧力より高くかつ重希土類元素ＲＨの飽和蒸気圧以上の値に調整する工程を含む、請求項１または２に記載のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法。