JP2011114333A - 多用途利用の蓄電器 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- -1 radical nitride Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 29
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 21
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 239000000446 fuel Substances 0.000 abstract description 7
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 abstract 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 7
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052987 metal hydride Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 description 2
- OJIJEKBXJYRIBZ-UHFFFAOYSA-N cadmium nickel Chemical compound [Ni].[Cd] OJIJEKBXJYRIBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021523 barium zirconate Inorganic materials 0.000 description 1
- DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(oxo)zirconium Chemical compound [Ba+2].[O-][Zr]([O-])=O DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
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Abstract
【課題】電気(EV)自動車およびハイブリッド自動車のエコカーまたは太陽電池や燃料電池等に設ける多用途利用の蓄電器を提供する。
【解決手段】誘電体として、アモルファスシリコンに、シフター(shifter)およびディプレッサー(depressor)作用を付与するため、チタン酸バリウムおよびチタン酸ストロンチウム等の添加物を添加し、極薄鋼電極板には、ラジカル酸化膜またはラジカル窒化膜の絶縁膜を設けた構成の蓄電器とする。
【選択図】図1
【解決手段】誘電体として、アモルファスシリコンに、シフター(shifter)およびディプレッサー(depressor)作用を付与するため、チタン酸バリウムおよびチタン酸ストロンチウム等の添加物を添加し、極薄鋼電極板には、ラジカル酸化膜またはラジカル窒化膜の絶縁膜を設けた構成の蓄電器とする。
【選択図】図1
Description
電気(EV)自動車およびハイブリッド自動車のエコカーまたは太陽電池や燃料電池等に設ける蓄電器であり、二次電池および半導体素子を設けた構成に関する多用途利用の蓄電器である。
イオン液体採用の電気二重層キャパシタ。
電気二重層キャパシタは、炭素を主成分とする電極と電解質から構成される電気を貯蔵するデバイス、電気エネルギーは電極表面に形成されるイオンの吸着層に蓄えられる。具体例として、日清紡(株)が新規のDEME系イオン液体を開発し、パワー密度とエネルギー密度を世界最高レベルで両立させた大型の電気二重層キャパシタN’CAP[日本無線(株)商品名]の電解液として採用されている。
電気二重層キャパシタは、炭素を主成分とする電極と電解質から構成される電気を貯蔵するデバイス、電気エネルギーは電極表面に形成されるイオンの吸着層に蓄えられる。具体例として、日清紡(株)が新規のDEME系イオン液体を開発し、パワー密度とエネルギー密度を世界最高レベルで両立させた大型の電気二重層キャパシタN’CAP[日本無線(株)商品名]の電解液として採用されている。
ポリアセン系キャパシタ。
ポリアセニック系有機半導体PASはフェノール樹脂の特殊な熱縮合反応によって得られる導電性高分子である。PASを正負両極に用いたポリアセンキャパシタは高容量で、そのアモルファス構造に多くのイオンを蓄えることができるため、従来の電気二重層コンデンサと比較すると大きな容量を有している。コイン型PASキャパシタは携帯電話、デジタルカメラに代表されるモバイル機器のリアルタイムクロックのバックアップ電源として世界中で広く採用されている。
ポリアセニック系有機半導体PASはフェノール樹脂の特殊な熱縮合反応によって得られる導電性高分子である。PASを正負両極に用いたポリアセンキャパシタは高容量で、そのアモルファス構造に多くのイオンを蓄えることができるため、従来の電気二重層コンデンサと比較すると大きな容量を有している。コイン型PASキャパシタは携帯電話、デジタルカメラに代表されるモバイル機器のリアルタイムクロックのバックアップ電源として世界中で広く採用されている。
各種二次電池。
二次電池には鉛蓄電池、ニッカド電池、ニッケル水素電池、リチウムイオンポリマー電池、リチウムイオン電池等があり、太陽電池と組み合わせた蓄電池としてはニッケルカドミウム電池や鉛蓄電池等がある。ハイブリッド車や電気自動車向け電池には、ニッケル水素電池やリチウムイオン電池およびリチウムイオンポリマー電池等である。
二次電池には鉛蓄電池、ニッカド電池、ニッケル水素電池、リチウムイオンポリマー電池、リチウムイオン電池等があり、太陽電池と組み合わせた蓄電池としてはニッケルカドミウム電池や鉛蓄電池等がある。ハイブリッド車や電気自動車向け電池には、ニッケル水素電池やリチウムイオン電池およびリチウムイオンポリマー電池等である。
ハイブリッド車などには現在ニッケル水素電池が搭載されているのであり、電気自動車(EV)には高出力のリチウムイオン電池が必要とされる。中小型車クラスでは従来のEV専用電池と関連システムの製造コストが1台当たり300万円程度とみられる。海外では米ベンチャーのテスラ・モーターズ(カリフォルニア州)がデジタル家電用電池を搭載したEV「テスラ・ロードスター」を2008年3月から量産している。パナソニックはデジタル家電や電動工具に使われる円筒型の小さな電池の技術を応用し、同電池を数千個積むことでEV専用電池並みの出力を確保。これらの電池を細かく制御する技術の開発を進めて、EV1台当たりの電池製造コストを従来型の3分の1程度に引き下げることを目指す。としている。
現在、電気自動車にリチウムイオン電池を搭載した場合、1回の充電で走れる距離は中型車で100km、小型車で150kmとされ、一度の給油で500km超を走るガソリン車に劣る。プロジェクトでは電池1kg当たりにためられる電力を現行の3倍に高める技術を開発し、走行距離を伸ばす。経済産業省所管の新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は、京大に研究拠点のプロジェクトを設置し、参加企業などから50人以上が常駐して各社が必要な共通の基盤技術を開発する。
韓国の電気自動車(EV)ベンチャー、CT&Tは日本で2人乗りの電気自動車を発売、最高時速70kmのEV車。電池は鉛電池とリチウムポリマー電池の2種類。家庭用電源で充電でき、1回のフル充電での走行距離は70〜120kmである。
電気自動車(EV)の専用電池(リチウムイオン電池)での走行距離は100km〜150kmであり、製造コストは1台当たり300万円程度である。EV車の走行距離を伸ばし、製造コストの引き下げ、軽量化等の蓄電器を開発するものであり、電気自動車(EV)およびハイブリッド車のエコカーまたは太陽電池や燃料電池等に設ける多用途利用の蓄電器を開発しようとするものである。
1・極薄鋼電極板に銅板等を設けた正極2および負極4の電極板に、アモルファスシリコン3を設けて、電極板および誘電体を渦巻き状に巻き上げて円筒型または多角筒型に設けた蓄電器。
2・極薄鋼電極板に銅板等を設け、角波状に設けた正極10および負極12の電極板を交互に設けて、アモルファスシリコン11の誘電体を設けた積層型の蓄電器。
3・アモルファスシリコンにチタン酸バリウムおよびチタン酸ストロンチウム等を設け、シフターやディプレッサー作用を設けた比誘電率の高い添加物をアモルファスシリコンに設け、極薄鋼電極板に設けた蓄電器。
4・極薄鋼電極板にラジカル酸化膜またはラジカル窒化膜の絶縁膜を設け、誘電体となるアモルファスシリコン等を設けた蓄電器。
5・蓄電器の一定な電流の持続に二次電池を設け、電流増幅作用および制御等に半導体素子と二次電池を設けた蓄電器。
6・蓄電器および二次電池の過充電を防ぐため、半導体素子を設ける。
2・極薄鋼電極板に銅板等を設け、角波状に設けた正極10および負極12の電極板を交互に設けて、アモルファスシリコン11の誘電体を設けた積層型の蓄電器。
3・アモルファスシリコンにチタン酸バリウムおよびチタン酸ストロンチウム等を設け、シフターやディプレッサー作用を設けた比誘電率の高い添加物をアモルファスシリコンに設け、極薄鋼電極板に設けた蓄電器。
4・極薄鋼電極板にラジカル酸化膜またはラジカル窒化膜の絶縁膜を設け、誘電体となるアモルファスシリコン等を設けた蓄電器。
5・蓄電器の一定な電流の持続に二次電池を設け、電流増幅作用および制御等に半導体素子と二次電池を設けた蓄電器。
6・蓄電器および二次電池の過充電を防ぐため、半導体素子を設ける。
正極2および負極4となる極薄鋼電極板の厚さを0.01mm〜0.05mm程度の銅板等を設けた電極板に、アモルファスシリコンを設けるのである。この誘電体となるアモルファスシリコン3膜の厚さは1μm程度であり、蓄電器の電極板および誘電体を渦巻き状に設けて実効表面積を大きくし、電極間隔を1μm程度に設けた、静電容量を大きく設けた円筒型または多角筒型の蓄電器である。
角波状等に設けた正極10および負極12の極薄鋼電極板の厚さは、0.01mm〜0.05mm程度の銅板等を交互に設けた電極板に、1μm程度のアモルファスシリコン11を設けるのである。電極板を角波状等に設けて実効表面積および強度を大きくし、電極間隔を1μm程度の積層に設けた静電容量を大きく設けた積層型蓄電器である。
角波状等に設けた正極10および負極12の極薄鋼電極板の厚さは、0.01mm〜0.05mm程度の銅板等を交互に設けた電極板に、1μm程度のアモルファスシリコン11を設けるのである。電極板を角波状等に設けて実効表面積および強度を大きくし、電極間隔を1μm程度の積層に設けた静電容量を大きく設けた積層型蓄電器である。
アモルファスシリコンに比誘電率の高いチタン酸バリウム等を設け、静電容量が大きい誘電体を設けるのである。チタン酸バリウムにチタン酸ストロンチウム等の混ぜ物を設け、シフターやディプレッサー作用を設けた添加物を設けて常温で高い誘電率のアモルファスシリコン膜を設けた蓄電器であり、極薄鋼電極板の銅板等にラジカル酸化膜またはラジカル窒化膜の絶縁膜を設けて、誘電体の絶縁耐力を大きく設けた蓄電器である。
電気容量をもった蓄電器の一定な持続電流には、二次電池との併用であり、電流増幅作用や制御等に半導体素子を設けるのである。この蓄電器の持続電流および半導体素子に流す電流には、二次電池の電流を用いるのであり、蓄電器と半導体素子および二次電池を設けた構成である。
蓄電器および二次電池の充電に半導体素子を設け、半導体素子の制御により蓄電器および二次電池の過充電を防ぐのである。また、太陽電池や燃料電池の蓄電も同様である。
請求項1の実施例について説明する。
円筒型または多角筒型の蓄電器は、正極2および負極4の極薄鋼電極板にアモルファスシリコン3を設けて渦巻き状に巻き上げた構成の蓄電器。
円筒型または多角筒型(図1の参考図参照)の蓄電器は、上方に開口部を有する円筒型または多角筒型の金属外装缶1と正極2および負極4となる極薄鋼電極板にアモルファスシリコン3を設けて渦巻き状に巻き上げるのであり、負極4の電極板は金属外装缶1負極端子に設け、正極2の電極板は正極端子6を設けた金属軸5に設けるのである。下部絶縁板9および上部絶縁板8を設けた金属外装缶1上方の開口部は封口蓋および絶縁パッキン7を設けて封口するのである。
円筒型または多角筒型の蓄電器は、正極2および負極4の極薄鋼電極板にアモルファスシリコン3を設けて渦巻き状に巻き上げた構成の蓄電器。
円筒型または多角筒型(図1の参考図参照)の蓄電器は、上方に開口部を有する円筒型または多角筒型の金属外装缶1と正極2および負極4となる極薄鋼電極板にアモルファスシリコン3を設けて渦巻き状に巻き上げるのであり、負極4の電極板は金属外装缶1負極端子に設け、正極2の電極板は正極端子6を設けた金属軸5に設けるのである。下部絶縁板9および上部絶縁板8を設けた金属外装缶1上方の開口部は封口蓋および絶縁パッキン7を設けて封口するのである。
真空に保たれた反応室内に高純度のシリコンを含んだガスを導入し、放電により高いエネルギーを加えることによって原料ガスを分解し、分解されてできた高純度のシリコンは、200℃〜300℃に加熱された極薄鋼電極の基板上に堆積され、アモルファスシリコン膜が形成される。アモルファスシリコン3膜が形成された極薄鋼電極の正極2および負極4の電極板を、渦巻き状に巻き上げるのである。
この高純度のシリコンを含んだガスの製造は、アモルファスシリコン太陽電池の製造方法である。一般的な特徴としては以下のような点がある。▲1▼製造に必要な温度が300℃でよい。▲2▼アモルファスシリコン3膜の厚さが1μm以下でよい。▲3▼ガス反応であるため大面積化が容易等である。
この高純度のシリコンを含んだガスの製造は、アモルファスシリコン太陽電池の製造方法である。一般的な特徴としては以下のような点がある。▲1▼製造に必要な温度が300℃でよい。▲2▼アモルファスシリコン3膜の厚さが1μm以下でよい。▲3▼ガス反応であるため大面積化が容易等である。
極薄鋼電極板には銅板等を設けるのであり、厚さは0.01mm/0.03mm/0.05mm程度の銅板等を用いた正極2および負極4の電極板であり、厚さ1μm程度の高純度アモルファスシリコン3膜を設けるのである。アモルファスシリコン3膜を設けた正極2の電極板は正極端子6を設けた金属軸5に設けるのであり、アモルファスシリコン3膜を設けた負極4の電極板は金属外装缶1負極端子に設けた蓄電器である。
請求項2の実施例について説明する。
積層型蓄電器は、角波状等に設けた正極10および負極12の極薄鋼電極板を交互に設けて、アモルファスシリコン11を設けた積層構成の蓄電器。
積層型(図2および図3の参考図参照)蓄電器は、正極10および負極12の極薄鋼電極板を角波状等に設け、アモルファスシリコン11を設けるのであり、電極板は交互に設けるのである。正極10は正極端子16を設けた正極集電板14に設け、負極12は負極端子17を設けた負極集電板15に設けて外装13で被うのである。この積層型蓄電器の極薄鋼電極板を角波状等に設けるのは、電極板やアモルファスシリコン膜の表面積および強度を大きく設けるのであり、多くの静電容量を設けた積層構成である。また銅板等を設けた極薄鋼電極板の厚さおよび高純度のアモルファスシリコン膜の厚さについては、実施例1に記述と同様であり省略する。
積層型蓄電器は、角波状等に設けた正極10および負極12の極薄鋼電極板を交互に設けて、アモルファスシリコン11を設けた積層構成の蓄電器。
積層型(図2および図3の参考図参照)蓄電器は、正極10および負極12の極薄鋼電極板を角波状等に設け、アモルファスシリコン11を設けるのであり、電極板は交互に設けるのである。正極10は正極端子16を設けた正極集電板14に設け、負極12は負極端子17を設けた負極集電板15に設けて外装13で被うのである。この積層型蓄電器の極薄鋼電極板を角波状等に設けるのは、電極板やアモルファスシリコン膜の表面積および強度を大きく設けるのであり、多くの静電容量を設けた積層構成である。また銅板等を設けた極薄鋼電極板の厚さおよび高純度のアモルファスシリコン膜の厚さについては、実施例1に記述と同様であり省略する。
請求項3の実施例について説明する。
誘電体となるアモルファスシリコンに、シフター(shifter)およびディプレッサー(depressor)作用を設けた比誘電率の高い添加物を設けた蓄電器。
アモルファスシリコンに比誘電率の高いチタン酸バリウムおよびチタン酸ストロンチウム等を混ぜ、温度移動のシフターおよび特性のピークをおさえるディプレッサーを設けるのである。
真空に保たれた反応室内に高純度のシリコンを含んだガス、原料ガスを導入し、放電により高いエネルギーを加えることによって原料ガスを分解し、分解されてできたシリコンは、200℃〜300℃に加熱され、極薄鋼電極板の銅板等の基板上に堆積するのである。この際、原料ガスにチタン酸バリウムおよびチタン酸ストロンチウム等の添加物を混ぜ、誘電率がきわめて大きいアモルファスシリコン膜が形成されるのである。添加物であるチタン酸バリウムに、シフター作用(温度移動)のチタン酸ストロンチウムやジルコン酸バリウムおよびディプレッサー作用(ピークを抑える)のチタン酸マグネシウムやチタン酸カルシウムなどを少し混ぜ、常温で高い誘電率の誘電体を設けるのである。この誘電体と電極板を渦巻き状に設けた円筒型または多角筒型の蓄電器であり、電極板を交互の積層に設けた積層型蓄電器である。
誘電体となるアモルファスシリコンに、シフター(shifter)およびディプレッサー(depressor)作用を設けた比誘電率の高い添加物を設けた蓄電器。
アモルファスシリコンに比誘電率の高いチタン酸バリウムおよびチタン酸ストロンチウム等を混ぜ、温度移動のシフターおよび特性のピークをおさえるディプレッサーを設けるのである。
真空に保たれた反応室内に高純度のシリコンを含んだガス、原料ガスを導入し、放電により高いエネルギーを加えることによって原料ガスを分解し、分解されてできたシリコンは、200℃〜300℃に加熱され、極薄鋼電極板の銅板等の基板上に堆積するのである。この際、原料ガスにチタン酸バリウムおよびチタン酸ストロンチウム等の添加物を混ぜ、誘電率がきわめて大きいアモルファスシリコン膜が形成されるのである。添加物であるチタン酸バリウムに、シフター作用(温度移動)のチタン酸ストロンチウムやジルコン酸バリウムおよびディプレッサー作用(ピークを抑える)のチタン酸マグネシウムやチタン酸カルシウムなどを少し混ぜ、常温で高い誘電率の誘電体を設けるのである。この誘電体と電極板を渦巻き状に設けた円筒型または多角筒型の蓄電器であり、電極板を交互の積層に設けた積層型蓄電器である。
請求項4の実施例について説明する。
極薄鋼電極板にラジカル酸化膜またはラジカル窒化膜の絶縁膜を設け、誘電体となるアモルファスシリコン等を設けた蓄電器。
銅板等の極薄鋼電極板にラジカル酸化膜またはラジカル窒化膜を設けて、誘電体となるアモルファスシリコン膜の絶縁耐力を大きく設けた構成である。酸化絶縁膜または窒化絶縁膜は、ラジカル酸化やラジカル窒化であり、400〜600℃程度の温度で行われる絶縁膜である。絶縁膜の厚さは7nm以下への薄膜化の可能性が確認されたマイクロ波励起高密度プラズマ装置による。この酸化絶縁膜や窒化絶縁膜を極薄鋼電極板に設けて、アモルファスシリコンの絶縁耐力を大きく設けた構成である。チタン酸バリウム等の添加物を設けた比誘電率の高いアモルファスシリコンである。添加物を設けたアモルファスシリコンを、ラジカル酸化または窒化の絶縁膜を設けた極薄鋼電極板に設けるのであり、絶縁耐力を大きく設けた静電容量が大きい蓄電器である。
極薄鋼電極板にラジカル酸化膜またはラジカル窒化膜の絶縁膜を設け、誘電体となるアモルファスシリコン等を設けた蓄電器。
銅板等の極薄鋼電極板にラジカル酸化膜またはラジカル窒化膜を設けて、誘電体となるアモルファスシリコン膜の絶縁耐力を大きく設けた構成である。酸化絶縁膜または窒化絶縁膜は、ラジカル酸化やラジカル窒化であり、400〜600℃程度の温度で行われる絶縁膜である。絶縁膜の厚さは7nm以下への薄膜化の可能性が確認されたマイクロ波励起高密度プラズマ装置による。この酸化絶縁膜や窒化絶縁膜を極薄鋼電極板に設けて、アモルファスシリコンの絶縁耐力を大きく設けた構成である。チタン酸バリウム等の添加物を設けた比誘電率の高いアモルファスシリコンである。添加物を設けたアモルファスシリコンを、ラジカル酸化または窒化の絶縁膜を設けた極薄鋼電極板に設けるのであり、絶縁耐力を大きく設けた静電容量が大きい蓄電器である。
請求項5の実施例について説明する。
蓄電器において、蓄電器の一定な電流の持続および電流増幅作用等の制御に、半導体素子と二次電池を設けた構成の蓄電器。
電気容量の大きい導体系をコンデンサーと呼び、蓄電器ともいう。電気容量をうるための装置。電気容量をもったコンデンサーに電圧を加えると電荷が蓄積される。直流の場合には電荷は蓄積されるが電流が流れない。コンデンサーの正極と負極の両極をつなぐと、電荷は流れて移動する。このとき電荷が流れて電流になる。この電流は時間とともに激しく変化し、短い時間だけ続くのである。しかし二次電池を使えば持続し、時間的に一定な電流を流すことができるのである。正極と負極の間に二次電池に無理にならないくらいの電流を流すと、持続電流が流れるのである。したがって、蓄電器の一定な電流の持続に二次電池を設けるのである。
蓄電器において、蓄電器の一定な電流の持続および電流増幅作用等の制御に、半導体素子と二次電池を設けた構成の蓄電器。
電気容量の大きい導体系をコンデンサーと呼び、蓄電器ともいう。電気容量をうるための装置。電気容量をもったコンデンサーに電圧を加えると電荷が蓄積される。直流の場合には電荷は蓄積されるが電流が流れない。コンデンサーの正極と負極の両極をつなぐと、電荷は流れて移動する。このとき電荷が流れて電流になる。この電流は時間とともに激しく変化し、短い時間だけ続くのである。しかし二次電池を使えば持続し、時間的に一定な電流を流すことができるのである。正極と負極の間に二次電池に無理にならないくらいの電流を流すと、持続電流が流れるのである。したがって、蓄電器の一定な電流の持続に二次電池を設けるのである。
電流増幅作用のNPN型トランジスタ、N型半導体にはコレクタ(C)、P型半導体にはベース(B)、N型半導体にはエミッタ(E)の名称を設け、コレクタ(C)とエミッタ(E)間は反対方向のダイオードが接続されているため、直流電圧をかけても電流は流れないのであるが、ベース(B)に小さい別の電圧をかけると、コレクタ(C)とエミッタ(E)間には50〜200倍位の電流が流れる。このベース(B)に用いる電流に二次電池を設けた増幅作用である。この電流増幅作用の記述は基本構成であり、現在ではIC・LSI・超LSI・ジョセフソン素子・ガリウムひ素などの素子技術である。したがって、電流増幅作用および制御等に半導体素子を設けるのである。
多用途利用の蓄電器は二次電池と併用に設けるのであり、電流増幅作用の半導体素子にも二次電池を要するのである。蓄電器および二次電池と半導体素子はシステム構成で設けるのが効率向上であり、高効率である。この高効率のシステム構成を電気(EV)自動車およびハイブリッド自動車に設けて、走行距離を伸ばすのである。
請求項6の実施例について説明する。
蓄電器および二次電池の充電において、過充電を防ぐ制御に半導体素子を設けた構成の蓄電器と二次電池。
蓄電池および二次電池の充電には過充電を防ぐのが重要である。過充電を防ぐ制御に半導体素子を設けるのであり、充電時の電源が半導体素子の作動電源である。蓄電器および二次電池の充電には半導体素子の作動および制御により、過充電を防ぐのである。また太陽電池や燃料電池等の蓄電も同様である。
蓄電器および二次電池の充電において、過充電を防ぐ制御に半導体素子を設けた構成の蓄電器と二次電池。
蓄電池および二次電池の充電には過充電を防ぐのが重要である。過充電を防ぐ制御に半導体素子を設けるのであり、充電時の電源が半導体素子の作動電源である。蓄電器および二次電池の充電には半導体素子の作動および制御により、過充電を防ぐのである。また太陽電池や燃料電池等の蓄電も同様である。
本出願の参考文献。
1・〈重点解説〉最先端化学技術のエッセンス
編著者 先端化学技術研究 発行所 株式会社工業調査会。
2.世界をリードする半導体共同研究プロジェクト −日本半導体産業復活のために− 編 者 垂井康夫 発行所 株式会社工業調査会。
3・入門エレクトロニクス 不思議な石ころ 電子セラミックス
著 者 泉 弘志 発行所 株式会社誠文堂新光社。
4・電気のことがわかる事典
編 者 HOME ELECA 発行所 株式会社西東社。
5・サイエンスシリーズ 太陽電池博士による 太陽電池もの知り博士になる本 著 者 桑野幸徳 発行所 株式会社パワー社。
6・世界大百科事典 電気 発行所 平凡社。
7・世界大百科事典 コンデンサー 発行所 平凡社。
8・世界代百科事典 チタン酸バリウム 発行所 平凡社。
9・オール日本で次世代蓄電池 2009年 6月11日 新聞掲載、
10・パソコンの電池・車の動力に転用 2009年 9月30日 新聞掲載、
11・韓国VB低価格の電気自動車発売 2009年10月23日 新聞掲載、
新聞掲載文一部抜粋 日本経済新聞。
1・〈重点解説〉最先端化学技術のエッセンス
編著者 先端化学技術研究 発行所 株式会社工業調査会。
2.世界をリードする半導体共同研究プロジェクト −日本半導体産業復活のために− 編 者 垂井康夫 発行所 株式会社工業調査会。
3・入門エレクトロニクス 不思議な石ころ 電子セラミックス
著 者 泉 弘志 発行所 株式会社誠文堂新光社。
4・電気のことがわかる事典
編 者 HOME ELECA 発行所 株式会社西東社。
5・サイエンスシリーズ 太陽電池博士による 太陽電池もの知り博士になる本 著 者 桑野幸徳 発行所 株式会社パワー社。
6・世界大百科事典 電気 発行所 平凡社。
7・世界大百科事典 コンデンサー 発行所 平凡社。
8・世界代百科事典 チタン酸バリウム 発行所 平凡社。
9・オール日本で次世代蓄電池 2009年 6月11日 新聞掲載、
10・パソコンの電池・車の動力に転用 2009年 9月30日 新聞掲載、
11・韓国VB低価格の電気自動車発売 2009年10月23日 新聞掲載、
新聞掲載文一部抜粋 日本経済新聞。
極薄鋼(厚さ0.01〜0.05mm程度)に銅板等の電極板を設け、誘電体にはアモルファスシリコン(厚さ1μm程度)を設けた渦巻き状または積層に設けた蓄電器は、静電容量の効率向上であり、より多くの静電容量を設けるために誘電体のアモルファスシリコンにチタン酸バリウム等の添加物を設けた高効率の静電容量を設けた蓄電器である。この蓄電器を太陽電池および燃料電池等の蓄電に設けるのであり、大きな静電容量を設けた蓄電器の一定な電流の持続には二次電池との併用で設けるのである。
大きな静電容量を設けた蓄電器および半導体素子と二次電池をシステムで設けて、電気自動車等に搭載するのである。搭載には蓄電器の持続電流および半導体素子の少量の電流に二次電池を設けるのであり、主体の蓄電器および二次電池と半導体素子をシステム構成で設けるのである。
EV車への搭載重量の軽量化および蓄電器の低価格化、半導体素子を設けた効率化や二次電池の少量化であり、電気(EV)自動車等の走行距離の延長である。
現在、一回のフル充電での電気自動車の走行距離は100〜150km程度であり、蓄電器を設けたシステム構成では300kmを目指し、ガソリン車並みの走行距離が目標である。また、ハイブリッド自動車も同様である。
EV車への搭載重量の軽量化および蓄電器の低価格化、半導体素子を設けた効率化や二次電池の少量化であり、電気(EV)自動車等の走行距離の延長である。
現在、一回のフル充電での電気自動車の走行距離は100〜150km程度であり、蓄電器を設けたシステム構成では300kmを目指し、ガソリン車並みの走行距離が目標である。また、ハイブリッド自動車も同様である。
半導体素子を設けた制御により、蓄電器および二次電池の充電における過充電を防ぐのであり、太陽電池や燃料電池等からの蓄電も同じである。
1 金属外装缶・負極端子
2 正極
3 アモルファスシリコン
4 負極
5 金属軸
6 正極端子
7 絶縁パッキン
8 上部絶縁板
9 下部絶縁板
10 正極
11 アモルファスシリコン
12 負極
13 外装
14 正極集電板
15 負極集電板
16 正極端子
17 負極端子
2 正極
3 アモルファスシリコン
4 負極
5 金属軸
6 正極端子
7 絶縁パッキン
8 上部絶縁板
9 下部絶縁板
10 正極
11 アモルファスシリコン
12 負極
13 外装
14 正極集電板
15 負極集電板
16 正極端子
17 負極端子
Claims (6)
- 円筒型または多角筒型の蓄電器は、正極2および負極4の極薄鋼電極板にアモルファスシリコン3を設け、渦巻き状に巻き上げた構成の多用途利用の蓄電器。
- 積層型蓄電器は、角波状等に設けた正極10および負極12の極薄鋼電極板を交互に設けて、アモルファスシリコン11を設けた積層構成の多用途利用の蓄電器。
- 誘電体となるアモルファスシリコンに、シフター(shifter)およびディプレッサー(depressor)作用を設けた比誘電率の高い添加物を設けた多用途利用の蓄電器。
- 極薄鋼電極板にラジカル酸化膜またはラジカル窒化膜の絶縁膜を設け、誘電体となるアモルファスシリコン等を設けた多用途利用の蓄電器。
- 蓄電器において、蓄電器の一定な電流の持続および電流増幅作用と制御等に、半導体素子と二次電池を設けた多用途利用の蓄電器。
- 蓄電器および二次電池の充電において、過充電を防ぐ制御に半導体素子を設けた多用途利用の蓄電器。
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|---|---|---|---|
| JP2009283408A JP2011114333A (ja) | 2009-11-24 | 2009-11-24 | 多用途利用の蓄電器 |
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| JP2009283408A JP2011114333A (ja) | 2009-11-24 | 2009-11-24 | 多用途利用の蓄電器 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2009
- 2009-11-24 JP JP2009283408A patent/JP2011114333A/ja active Pending
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