JP2011159998A - 化学的機械的研磨組成物 - Google Patents
化学的機械的研磨組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011159998A JP2011159998A JP2011095184A JP2011095184A JP2011159998A JP 2011159998 A JP2011159998 A JP 2011159998A JP 2011095184 A JP2011095184 A JP 2011095184A JP 2011095184 A JP2011095184 A JP 2011095184A JP 2011159998 A JP2011159998 A JP 2011159998A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing composition
- acid
- present
- polishing
- total weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H10P52/403—
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明は、(a)シリカ粒子、(b)研磨組成物の全重量に対し、約5×10-3から約10ミリモル/kgの、カルシウム、ストロンチウム、バリウムおよびそれらの混合物からなる群から選択される少なくとも1種のアルカリ土類金属、(c)約0.1から約15wt%の酸化剤、および(d)水を含んでなる液体キャリア、を含んでなる化学的機械的研磨組成物を提供する。本発明はまた、酸化剤を随意に含み、約5×10-3から約10ミリモル/kgの、カルシウム、ストロンチウムおよびそれらの混合物からなる群から選択される少なくとも1種のアルカリ土類金属を含む研磨組成物を提供する。本発明はさらに、上述の研磨組成物を用いて基板を研磨する方法を提供する。
【選択図】なし
Description
この例は、本発明の研磨組成物により示される研磨速度の上昇を示している。タンタルを含んでなる類似の基板を、7種の異なる研磨組成物で研磨した(研磨組成物1A、1B、1C、1D、1E、1Fおよび1G)。研磨組成物1A(本発明)は、研磨組成物の全重量に対し、キログラムあたり約0.50ミリモル(ミリモル/kg)(およそ20ppm)のカルシウム(塩化カルシウムとして)を含んでいた。研磨組成物1B(比較例)は測定可能な量の金属イオンを含んでいなかった。研磨組成物1C(比較例)は、約7.41ミリモル/kg(およそ200ppm)のアルミニウム(硫酸アルミニウム18水和物として)を含んでいた。研磨組成物1D(比較例)は、約0.82ミリモル/kg(およそ20ppm)のマグネシウム(酢酸マグネシウム水和物として)を含んでいた。研磨組成物1E(比較例)は、約1.04ミリモル/kg(およそ50ppm)のチタン(三塩化チタンとして)を含んでいた。研磨組成物1F(比較例)は、約0.33ミリモル/kg(およそ30ppm)のジルコニウム(硫酸ジルコニウム水和物として)を含んでいた。研磨組成物1G(比較例)は、約0.54ミリモル/kg(およそ30ppm)の鉄(硫酸鉄として)を含んでいた。上記の研磨組成物のそれぞれは、約6wt%のヒュームドシリカ、約3wt%の過酸化水素、約0.3wt%の酢酸および約0.2wt%のベンゾトリアゾールも含んでおり、酸化剤の添加前のpHは約10であった。タンタル除去速度の値(分あたりのÅ)を各研磨組成物に対して測定した。結果を表1にまとめて示す。
この例は、本発明の研磨組成物により示される研磨速度の上昇を示す。タンタルを含んでなる類似の基板を、6種の異なる研磨組成物(研磨組成物2A、2B、2C、2D、2Eおよび2F)で研磨した。研磨組成物2A(比較例)は、測定可能な量のカルシウム、ストロンチウムまたはバリウムイオンを含んでいなかった。研磨組成物2B−2E(本発明)は、研磨組成物の全重量に対し、それぞれキログラムあたり0.125、0.249、0.499、1.247および2.494ミリモル(ミリモル/kg)のカルシウム(塩化カルシウムとして)を含んでいた。上記の研磨組成物のそれぞれは、約6wt%のヒュームドシリカ、約3wt%の過酸化水素、約0.3wt%の酢酸および約0.2wt%のベンゾトリアゾールも含んでおり、酸化剤の添加前のpHは約10であった。タンタル除去速度の値(分あたりのÅ)を各研磨組成物に対して測定し、同時に研磨後の各基板の面内不均一性(WIWNU)も測定した。結果を表2にまとめて示す。
この例は、本発明の研磨組成物により示される研磨速度の上昇を示す。タンタルを含んでなる類似の基板を、3種の異なる研磨組成物(研磨組成物3A、3Bおよび3C)で研磨した。研磨組成物3Aおよび3B(比較例)は、測定可能な量のカルシウム、ストロンチウムまたはバリウムイオンを含んでいなかった。研磨組成物3C(本発明)は、研磨組成物の全重量に対し、キログラムあたり1.0ミリモル(ミリモル/kg)のカルシウム(塩化カルシウムとして)を含んでいた。研磨組成物3Bおよび3Cは、約0.3wt%の酢酸をさらに含んでいた。上記の研磨組成物のそれぞれは、約6wt%のヒュームドシリカ、約3wt%の過酸化水素および約0.2wt%のベンゾトリアゾールも含んでおり、酸化剤の添加前のpHは約10であった。タンタル除去速度の値(分あたりのÅ)を各研磨組成物に対して測定し、同時に研磨後の各基板の面内不均一性(WIWNU)も測定した。結果を表3にまとめて示す。
この例は、本発明の研磨組成物により示される研磨速度の上昇を表している。タンタルを含んでなる類似の基板を、6種の異なる研磨組成物(研磨組成物4A、4B、4C、4D、4Eおよび4F)により研磨した。研磨組成物4A(比較例)は、測定可能な量のカルシウム、ストロンチウムまたはバリウムイオンを含まなかった。研磨組成物4B、4Cおよび4D(本発明)は、それぞれ、研磨組成物の全重量に対し、キログラムあたり1.0ミリモル(ミリモル/kg)のカルシウム(塩化カルシウムとして)を含んでいた。研磨組成物4E(本発明)は、研磨組成物の全重量に対し、0.46ミリモル/kgのストロンチウム(塩化ストロンチウムとして)を含んでいた。研磨組成物4F(本発明)は、研磨組成物の全重量に対し、0.29ミリモル/kgのバリウム(水酸化バリウムとして)を含んでいた。研磨組成物4Aおよび4Bは、それぞれ、約6wt%の市販のヒュームドシリカ(Aerosil(登録商標)90ヒュームドシリカ、Degussa AG)を含み、研磨組成物4C−4Fは、それぞれ、約6wt%の異なる市販のヒュームドシリカ(Cab−O−Sil(登録商標)L−90ヒュームドシリカ、Cabot Corporation)を含んでいた。研磨組成物4Dは、非イオン界面活性剤(Igepal(登録商標)CO−890、BASF Corporation)をさらに含んでいた。上記の研磨組成物のそれぞれは、約3wt%の過酸化水素、約0.3wt%の酢酸および約0.1wt%のベンゾトリアゾールも含んでいた。酸化剤の添加前に、研磨組成物のそれぞれは、約10のpHを示したが、研磨組成物4Cは約9のpHを示した。タンタル除去速度の値(分あたりのÅ)を研磨組成物のそれぞれに対し測定し、研磨後の各基板の面内不均一性(WIWNU)も測定した。結果を表4にまとめて示す。
この例は、コロイダルシリカ研磨剤を含むスラリー中の本発明の研磨組成物により示される研磨速度の上昇を表す。タンタルを含んでなる類似の基板を、18種の異なる研磨組成物(研磨組成物1A−1T)を用いて研磨した。研磨組成物1A、1C、1E、1G、1J、1L、1N、1Qおよび1S(本発明)は、研磨組成物の全重量に対し、キログラムあたり約0.50ミリモル(ミリモル/kg)(およそ20ppm)の添加されたカルシウム(塩化カルシウムとして)を含んでいた。研磨組成物1B、1D、1F、1H、1K、1M、1P、1Rおよび1T(比較例)は添加されたカルシウムイオンを含んでいなかった。上記の研磨組成物のそれぞれは、約6wt%のコロイダルシリカ、約3wt%の過酸化水素および約0.3wt%の酢酸も含んでおり、酸化剤添加前のpHは約10であった。組成物1Aおよび1Bに存在するシリカ粒子は、およそ2.6nmの平均粒径を有していた。組成物1Cおよび1Dに存在するシリカ粒子は、およそ4nmの平均粒径を有していた。組成物1Eおよび1Fに存在するシリカ粒子は、およそ8.8nmの平均粒径を有していた。組成物1Gおよび1Hに存在するシリカ粒子は、およそ15nmの平均粒径を有していた。組成物1Jおよび1Kに存在するシリカ粒子は、およそ21nmの平均粒径を有していた。組成物1Lおよび1Mに存在するシリカ粒子は、およそ25nmの平均粒径を有していた。組成物1Nおよび1Pに存在するシリカ粒子は、およそ50nmの平均粒径を有していた。組成物1Qおよび1Rに存在するシリカ粒子は、およそ80nmの平均粒径を有していた。組成物1Sおよび1Tに存在するシリカ粒子は、およそ113nmの平均粒径を有していた。タンタル除去速度の値(分あたりのÅ)を各研磨組成物に対して測定した。結果を表5にまとめて示す。
この例は、コロイダルシリカ研磨剤を含むスラリー中の本発明の研磨組成物により示される研磨速度の上昇を表している。タンタルを含んでなる類似の基板を、6種の異なる研磨組成物(研磨組成物2A、2B、2C、2D、2Eおよび2F)により研磨した。研磨組成物2A(比較例)は、測定可能な量のカルシウム、ストロンチウムまたはバリウムイオンを含まなかった。研磨組成物2B−2E(本発明)は、研磨組成物の全重量に対し、それぞれ、キログラムあたり0.125、0.25、0.50、0.75および1.25ミリモル(ミリモル/kg)のカルシウム(塩化カルシウムとして)を含んでいた。上記の研磨組成物のそれぞれは、約6wt%のコロイダルシリカ、約3wt%の過酸化水素および約0.3wt%の酢酸も含んでおり、酸化剤添加前のpHは約10であった。タンタル除去速度の値(分あたりのÅ)を各研磨組成物に対して測定した。結果を表6にまとめて示す。
Claims (92)
- (a)シリカ粒子、
(b)研磨組成物の全重量に対し、約5×10-3から約10ミリモル/kgの、カルシウム、ストロンチウム、バリウムおよびそれらの混合物からなる群から選択される少なくとも1種のアルカリ土類金属、
(c)約0.1から約15wt%の酸化剤、および
(d)水を含んでなる液体キャリア、
を含み、約7から約13のpHを有する、化学的機械的研磨組成物。 - pHが約8から約11である、請求項1に記載の研磨組成物。
- 前記シリカ粒子が、研磨組成物の全重量に対し、約1から約10wt%の量で研磨組成物中に存在する、請求項2に記載の研磨組成物。
- 前記酸化剤が無機または有機の過化合物である、請求項3に記載の研磨組成物。
- 前記酸化剤が、研磨組成物の全重量に対し、約0.5から約8wt%の量で研磨組成物中に存在する、請求項4に記載の研磨組成物。
- 前記酸化剤が、研磨組成物の全重量に対し、約1から約5wt%の量で研磨組成物中に存在する、請求項5に記載の研磨組成物。
- 前記研磨組成物が、硝酸、リン酸、硫酸、それらの塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される無機酸をさらに含んでなる、請求項4に記載の研磨組成物。
- 前記研磨組成物が、シュウ酸、リンゴ酸、マロン酸、酒石酸、酢酸、乳酸、プロピオン酸、フタル酸、安息香酸、クエン酸、コハク酸、それらの塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される有機酸をさらに含んでなる、請求項4に記載の研磨組成物。
- 前記研磨組成物が、1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、ベンゾチアゾールおよびそれらの混合物からなる群から選択される腐食防止剤をさらに含んでなる、請求項8に記載の研磨組成物。
- 前記研磨組成物が、錯化剤またはキレート剤をさらに含んでなる、請求項9に記載の研磨組成物。
- 前記アルカリ土類金属が、約5×10-3から約7.5ミリモル/kgの濃度で研磨組成物中に存在する、請求項1に記載の研磨組成物。
- 前記アルカリ土類金属が、約5×10-3から約5ミリモル/kgの濃度で研磨組成物中に存在する、請求項11に記載の研磨組成物。
- 前記アルカリ土類金属が、約5×10-3から約3ミリモル/kgの濃度で研磨組成物中に存在する、請求項12に記載の研磨組成物。
- 前記シリカ粒子が、研磨組成物の全重量に対し、約0.1から約20wt%の量で研磨組成物中に存在する、請求項1に記載の研磨組成物。
- 前記シリカ粒子が、研磨組成物の全重量に対し、約1から約10wt%の量で研磨組成物中に存在する、請求項14に記載の研磨組成物。
- 前記酸化剤が無機または有機の過化合物である、請求項1に記載の研磨組成物。
- 前記酸化剤が、研磨組成物の全重量に対し、約0.5から約8wt%の量で研磨組成物中に存在する、請求項1に記載の研磨組成物。
- 前記酸化剤が、研磨組成物の全重量に対し、約1から約5wt%の量で研磨組成物中に存在する、請求項17に記載の研磨組成物。
- 前記研磨組成物が酸をさらに含んでなり、前記酸が、硝酸、リン酸、硫酸、それらの塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される無機酸である、請求項1に記載の研磨組成物。
- 前記研磨組成物が酸をさらに含んでなり、前記酸が、シュウ酸、リンゴ酸、マロン酸、酒石酸、酢酸、乳酸、プロピオン酸、フタル酸、安息香酸、クエン酸、コハク酸、それらの塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される有機酸である、請求項1に記載の研磨組成物。
- (a)シリカ粒子、
(b)研磨組成物の全重量に対し、約5×10-3から約10ミリモル/kgの、カルシウム、ストロンチウムおよびそれらの混合物からなる群から選択される少なくとも1種のアルカリ土類金属、および
(c)水を含んでなる液体キャリア、
を含み、約7から約13のpHを有する、化学的機械的研磨組成物。 - pHが約8から約11である、請求項21に記載の研磨組成物。
- 前記シリカ粒子が、研磨組成物の全重量に対し、約1から約10wt%の量で研磨組成物中に存在する、請求項22に記載の研磨組成物。
- 前記研磨組成物が酸化剤をさらに含んでなる、請求項23に記載の研磨組成物。
- 前記酸化剤が無機または有機の過化合物である、請求項24に記載の研磨組成物。
- 前記酸化剤が、研磨組成物の全重量に対し、約0.5から約8wt%の量で研磨組成物中に存在する、請求項25に記載の研磨組成物。
- 前記酸化剤が、研磨組成物の全重量に対し、約1から約5wt%の量で研磨組成物中に存在する、請求項26に記載の研磨組成物。
- 前記研磨組成物が、硝酸、リン酸、硫酸、それらの塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される無機酸をさらに含んでなる、請求項25に記載の研磨組成物。
- 前記研磨組成物が、シュウ酸、リンゴ酸、マロン酸、酒石酸、酢酸、乳酸、プロピオン酸、フタル酸、安息香酸、クエン酸、コハク酸、それらの塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される有機酸をさらに含んでなる、請求項25に記載の研磨組成物。
- 前記研磨組成物が、1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、ベンゾチアゾールおよびそれらの混合物からなる群から選択される腐食防止剤をさらに含んでなる、請求項29に記載の研磨組成物。
- 前記研磨組成物が、錯化剤またはキレート剤をさらに含んでなる、請求項30に記載の研磨組成物。
- 前記アルカリ土類金属が、約5×10-3から約7.5ミリモル/kgの濃度で研磨組成物中に存在する、請求項21に記載の研磨組成物。
- 前記アルカリ土類金属が、約5×10-3から約5ミリモル/kgの濃度で研磨組成物中に存在する、請求項32に記載の研磨組成物。
- 前記アルカリ土類金属が、約5×10-3から約3ミリモル/kgの濃度で研磨組成物中に存在する、請求項33に記載の研磨組成物。
- 前記シリカ粒子が、研磨組成物の全重量に対し、約0.1から約20wt%の量で研磨組成物中に存在する、請求項21に記載の研磨組成物。
- 前記シリカ粒子が、研磨組成物の全重量に対し、約1から約10wt%の量で研磨組成物中に存在する、請求項35に記載の研磨組成物。
- 前記研磨組成物が酸化剤をさらに含んでなる、請求項21に記載の研磨組成物。
- 前記酸化剤が無機または有機の過化合物である、請求項37に記載の研磨組成物。
- 前記酸化剤が、研磨組成物の全重量に対し、約0.5から約8wt%の量で研磨組成物中に存在する、請求項37に記載の研磨組成物。
- 前記酸化剤が、研磨組成物の全重量に対し、約1から約5wt%の量で研磨組成物中に存在する、請求項39に記載の研磨組成物。
- 前記研磨組成物が酸をさらに含んでなり、前記酸が、硝酸、リン酸、硫酸、それらの塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される無機酸である、請求項21に記載の研磨組成物。
- 前記研磨組成物が酸をさらに含んでなり、前記酸が、シュウ酸、リンゴ酸、マロン酸、酒石酸、酢酸、乳酸、プロピオン酸、フタル酸、安息香酸、クエン酸、コハク酸、それらの塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される有機酸である、請求項21に記載の研磨組成物。
- 基板を研磨する方法であって:
(a)基板を提供する工程、
(b)次の(i)〜(iv)、すなわち、
(i)シリカ粒子、
(ii)研磨組成物の全重量に対し、約5×10-3から約10ミリモル/kgの、カルシウム、バリウム、ストロンチウムおよびそれらの混合物からなる群から選択される少なくとも1種のアルカリ土類金属、
(iii)約0.1から約15wt%の酸化剤、および
(iv)水を含んでなる液体キャリア、を含み、約7から約13のpHを有する化学的機械的研磨組成物を提供する工程、
(c)前記化学的機械的研磨組成物を、基板の少なくとも一部分に塗布する工程、および
(d)前記研磨組成物により基板の少なくとも一部分を摩滅させ、基板を研磨する工程、
を含んでなる基板研磨方法。 - 前記基板がタンタルまたは窒化タンタルを含んでなり、前記タンタルまたは窒化タンタルの少なくとも一部分を前記研磨組成物により摩滅させて基板を研磨する、請求項43に記載の方法。
- 前記研磨組成物のpHが約8から約11である、請求項44に記載の方法。
- 前記シリカ粒子が、研磨組成物の全重量に対し、約1から約10wt%の量で研磨組成物中に存在する、請求項45に記載の方法。
- 前記酸化剤が無機または有機の過化合物である、請求項46に記載の方法。
- 前記酸化剤が、研磨組成物の全重量に対し、約0.5から約8wt%の量で研磨組成物中に存在する、請求項47に記載の方法。
- 前記酸化剤が、研磨組成物の全重量に対し、約1から約5wt%の量で研磨組成物中に存在する、請求項48に記載の方法。
- 前記研磨組成物が、硝酸、リン酸、硫酸、それらの塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される無機酸をさらに含んでなる、請求項47に記載の方法。
- 前記研磨組成物が、シュウ酸、リンゴ酸、マロン酸、酒石酸、酢酸、乳酸、プロピオン酸、フタル酸、安息香酸、クエン酸、コハク酸、それらの塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される有機酸をさらに含んでなる、請求項47に記載の方法。
- 前記研磨組成物が、1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、ベンゾチアゾールおよびそれらの混合物からなる群から選択される腐食防止剤をさらに含んでなる、請求項51に記載の方法。
- 前記研磨組成物が、錯化剤またはキレート剤をさらに含んでなる、請求項52に記載の方法。
- 前記アルカリ土類金属が、約5×10-3から約7.5ミリモル/kgの濃度で研磨組成物中に存在する、請求項43に記載の方法。
- 前記アルカリ土類金属が、約5×10-3から約5ミリモル/kgの濃度で研磨組成物中に存在する、請求項54に記載の方法。
- 前記アルカリ土類金属が、約5×10-3から約3ミリモル/kgの濃度で研磨組成物中に存在する、請求項55に記載の方法。
- 前記シリカ粒子が、研磨組成物の全重量に対し、約0.1から約20wt%の量で研磨組成物中に存在する、請求項43に記載の方法。
- 前記シリカ粒子が、研磨組成物の全重量に対し、約1から約10wt%の量で研磨組成物中に存在する、請求項57に記載の方法。
- 前記酸化剤が無機または有機の過化合物である、請求項43に記載の方法。
- 前記酸化剤が、研磨組成物の全重量に対し、約0.5から約8wt%の量で研磨組成物中に存在する、請求項43に記載の方法。
- 前記酸化剤が、研磨組成物の全重量に対し、約1から約5wt%の量で研磨組成物中に存在する、請求項60に記載の方法。
- 前記研磨組成物が酸をさらに含んでなり、前記酸が、硝酸、リン酸、硫酸、それらの塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される無機酸である、請求項43に記載の方法。
- 前記研磨組成物が酸をさらに含んでなり、前記酸が、シュウ酸、リンゴ酸、マロン酸、酒石酸、酢酸、乳酸、プロピオン酸、フタル酸、安息香酸、クエン酸、コハク酸、それらの塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される有機酸である、請求項43に記載の方法。
- 基板を研磨する方法であって、
(a)基板を提供する工程、
(b)次の(i)〜(iii)、すなわち、
(i)シリカ粒子、
(ii)研磨組成物の全重量に対し、約5×10-3から約10ミリモル/kgの、カルシウム、ストロンチウムおよびそれらの混合物からなる群から選択される少なくとも1種のアルカリ土類金属、および
(iii)水を含んでなる液体キャリア、
を含んでなり、約7から約13のpHを有する化学的機械的研磨組成物を提供する工程、
(c)前記化学的機械的研磨組成物を、基板の少なくとも一部分に塗布する工程、および
(d)前記研磨組成物により基板の少なくとも一部分を摩滅させて基板を研磨する工程、
を含んでなる基板研磨方法。 - 前記基板がタンタルまたは窒化タンタルを含んでなり、前記タンタルまたは窒化タンタルの少なくとも一部分を研磨組成物により摩滅させて基板を研磨する、請求項64に記載の方法。
- 前記研磨組成物のpHが約8から約11である、請求項65に記載の方法。
- 前記シリカ粒子が、研磨組成物の全重量に対し、約1から約10wt%の量で研磨組成物中に存在する、請求項66に記載の方法。
- 前記研磨組成物が酸化剤をさらに含んでなる、請求項67に記載の方法。
- 前記酸化剤が無機または有機の過化合物である、請求項68に記載の方法。
- 前記酸化剤が、研磨組成物の全重量に対し、約0.5から約8wt%の量で研磨組成物中に存在する、請求項69に記載の方法。
- 前記酸化剤が、研磨組成物の全重量に対し、約1から約5wt%の量で研磨組成物中に存在する、請求項70に記載の方法。
- 前記研磨組成物が、硝酸、リン酸、硫酸、それらの塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される無機酸をさらに含んでなる、請求項69に記載の方法。
- 前記研磨組成物が、シュウ酸、リンゴ酸、マロン酸、酒石酸、酢酸、乳酸、プロピオン酸、フタル酸、安息香酸、クエン酸、コハク酸、それらの塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される有機酸をさらに含んでなる、請求項69に記載の方法。
- 前記研磨組成物が、1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、ベンゾチアゾールおよびそれらの混合物からなる群から選択される腐食防止剤をさらに含んでなる、請求項73に記載の方法。
- 前記研磨組成物が、錯化剤またはキレート剤をさらに含んでなる、請求項74に記載の方法。
- 前記アルカリ土類金属が、約5×10-3から約7.5ミリモル/kgの濃度で研磨組成物中に存在する、請求項64に記載の方法。
- 前記アルカリ土類金属が、約5×10-3から約5ミリモル/kgの濃度で研磨組成物中に存在する、請求項76に記載の方法。
- 前記アルカリ土類金属が、約5×10-3から約3ミリモル/kgの濃度で研磨組成物中に存在する、請求項77に記載の方法。
- 前記シリカ粒子が、研磨組成物の全重量に対し、約0.1から約20wt%の量で研磨組成物中に存在する、請求項64に記載の方法。
- 前記シリカ粒子が、研磨組成物の全重量に対し、約1から約10wt%の量で研磨組成物中に存在する、請求項79に記載の方法。
- 前記研磨組成物が酸化剤をさらに含んでなる、請求項64に記載の方法。
- 前記酸化剤が無機または有機の過化合物である、請求項81に記載の方法。
- 前記酸化剤が、研磨組成物の全重量に対し、約0.5から約8wt%の量で研磨組成物中に存在する、請求項81に記載の方法。
- 前記酸化剤が、研磨組成物の全重量に対し、約1から約5wt%の量で研磨組成物中に存在する、請求項83に記載の方法。
- 前記研磨組成物が酸をさらに含んでなり、前記酸が、硝酸、リン酸、硫酸、それらの塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される無機酸である、請求項64に記載の方法。
- 前記研磨組成物が酸をさらに含んでなり、前記酸が、シュウ酸、リンゴ酸、マロン酸、酒石酸、酢酸、乳酸、プロピオン酸、フタル酸、安息香酸、クエン酸、コハク酸、それらの塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される有機酸である、請求項64に記載の方法。
- 前記シリカ粒子がヒュームドシリカである、請求項1に記載の研磨組成物。
- 前記シリカ粒子がコロイダルシリカである、請求項1に記載の研磨組成物。
- 前記シリカ粒子がヒュームドシリカである、請求項21に記載の研磨組成物。
- 前記シリカ粒子がコロイダルシリカである、請求項21に記載の研磨組成物。
- 前記シリカ粒子がヒュームドシリカである、請求項43に記載の研磨組成物。
- 前記シリカ粒子がコロイダルシリカである、請求項64に記載の研磨組成物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/660,379 US7485241B2 (en) | 2003-09-11 | 2003-09-11 | Chemical-mechanical polishing composition and method for using the same |
| US10/660,379 | 2003-09-11 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006526345A Division JP4805826B2 (ja) | 2003-09-11 | 2004-09-10 | 化学的機械的研磨組成物およびその使用方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011159998A true JP2011159998A (ja) | 2011-08-18 |
| JP5449248B2 JP5449248B2 (ja) | 2014-03-19 |
Family
ID=34273651
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006526345A Expired - Fee Related JP4805826B2 (ja) | 2003-09-11 | 2004-09-10 | 化学的機械的研磨組成物およびその使用方法 |
| JP2011095184A Expired - Lifetime JP5449248B2 (ja) | 2003-09-11 | 2011-04-21 | 化学的機械的研磨組成物 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006526345A Expired - Fee Related JP4805826B2 (ja) | 2003-09-11 | 2004-09-10 | 化学的機械的研磨組成物およびその使用方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7485241B2 (ja) |
| EP (1) | EP1685202B1 (ja) |
| JP (2) | JP4805826B2 (ja) |
| KR (1) | KR100741630B1 (ja) |
| CN (1) | CN1849378B (ja) |
| TW (1) | TWI296283B (ja) |
| WO (1) | WO2005026277A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014034379A1 (ja) * | 2012-08-30 | 2014-03-06 | 日立化成株式会社 | 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法 |
| WO2017212874A1 (ja) * | 2016-06-06 | 2017-12-14 | 富士フイルム株式会社 | 研磨液、化学的機械的研磨方法 |
| WO2018174008A1 (ja) | 2017-03-23 | 2018-09-27 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7485241B2 (en) * | 2003-09-11 | 2009-02-03 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical-mechanical polishing composition and method for using the same |
| JP2006135072A (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-25 | Fujimi Inc | 研磨方法 |
| US20060207890A1 (en) * | 2005-03-15 | 2006-09-21 | Norbert Staud | Electrochemical etching |
| US20070039926A1 (en) * | 2005-08-17 | 2007-02-22 | Cabot Microelectronics Corporation | Abrasive-free polishing system |
| US7803203B2 (en) | 2005-09-26 | 2010-09-28 | Cabot Microelectronics Corporation | Compositions and methods for CMP of semiconductor materials |
| US20070117497A1 (en) * | 2005-11-22 | 2007-05-24 | Cabot Microelectronics Corporation | Friction reducing aid for CMP |
| DE102006008689B4 (de) * | 2006-02-24 | 2012-01-26 | Lanxess Deutschland Gmbh | Poliermittel und dessen Verwendung |
| JP2008036783A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Sony Corp | 研磨方法および研磨装置 |
| KR100814416B1 (ko) * | 2006-09-28 | 2008-03-18 | 삼성전자주식회사 | 고 평탄화 슬러리 조성물 및 이를 이용한 화학 기계적 연마방법 |
| US20080105652A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP of copper/ruthenium/tantalum substrates |
| US9343330B2 (en) * | 2006-12-06 | 2016-05-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Compositions for polishing aluminum/copper and titanium in damascene structures |
| US20090061630A1 (en) * | 2007-08-30 | 2009-03-05 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Method for Chemical Mechanical Planarization of A Metal-containing Substrate |
| US8425797B2 (en) * | 2008-03-21 | 2013-04-23 | Cabot Microelectronics Corporation | Compositions for polishing aluminum/copper and titanium in damascene structures |
| US8506661B2 (en) * | 2008-10-24 | 2013-08-13 | Air Products & Chemicals, Inc. | Polishing slurry for copper films |
| WO2012123839A1 (en) * | 2011-03-11 | 2012-09-20 | Basf Se | Method for forming through-base wafer vias |
| US20140011362A1 (en) * | 2012-07-06 | 2014-01-09 | Basf Se | Chemical mechanical polishing (cmp) composition comprising a non-ionic surfactant and an aromatic compound comprising at least one acid group |
| US9604339B2 (en) | 2012-10-29 | 2017-03-28 | Wayne O. Duescher | Vacuum-grooved membrane wafer polishing workholder |
| US8845394B2 (en) | 2012-10-29 | 2014-09-30 | Wayne O. Duescher | Bellows driven air floatation abrading workholder |
| US9233452B2 (en) | 2012-10-29 | 2016-01-12 | Wayne O. Duescher | Vacuum-grooved membrane abrasive polishing wafer workholder |
| US9039488B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-05-26 | Wayne O. Duescher | Pin driven flexible chamber abrading workholder |
| US9199354B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-12-01 | Wayne O. Duescher | Flexible diaphragm post-type floating and rigid abrading workholder |
| US8998678B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-04-07 | Wayne O. Duescher | Spider arm driven flexible chamber abrading workholder |
| US9011207B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-04-21 | Wayne O. Duescher | Flexible diaphragm combination floating and rigid abrading workholder |
| US8998677B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-04-07 | Wayne O. Duescher | Bellows driven floatation-type abrading workholder |
| RU2669598C2 (ru) * | 2013-07-11 | 2018-10-12 | Басф Се | Композиция для химико-механической полировки (cmp), содержащая бензотриазольные производные в качестве ингибиторов коррозии |
| US9633831B2 (en) | 2013-08-26 | 2017-04-25 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing composition for polishing a sapphire surface and methods of using same |
| EP3169737B1 (en) * | 2014-07-15 | 2018-10-10 | Basf Se | A chemical mechanical polishing (cmp) composition |
| US10926378B2 (en) | 2017-07-08 | 2021-02-23 | Wayne O. Duescher | Abrasive coated disk islands using magnetic font sheet |
| CN111587279B (zh) * | 2018-01-11 | 2022-04-19 | 福吉米株式会社 | 研磨用组合物 |
| US11691241B1 (en) * | 2019-08-05 | 2023-07-04 | Keltech Engineering, Inc. | Abrasive lapping head with floating and rigid workpiece carrier |
| WO2021200149A1 (ja) * | 2020-03-30 | 2021-10-07 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物および研磨方法 |
| US11180679B1 (en) * | 2020-05-27 | 2021-11-23 | Skc Solmics Co., Ltd. | Composition for semiconductor processing and method for polishing substrate using the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1180708A (ja) * | 1997-09-09 | 1999-03-26 | Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk | 研磨用組成物 |
| JP2001115146A (ja) * | 1999-10-18 | 2001-04-24 | Tokuyama Corp | バリア膜用研磨剤 |
| JP2002198331A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Jsr Corp | 研磨方法 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2538855A1 (de) * | 1975-09-01 | 1977-03-10 | Wacker Chemitronic | Verfahren zur herstellung von schleierfreien halbleiteroberflaechen, insbesondere schleierfreien oberflaechen von (111)-orientiertem galliumarsenid |
| KR970042941A (ko) * | 1995-12-29 | 1997-07-26 | 베일리 웨인 피 | 기계적 화학적 폴리싱 공정을 위한 폴리싱 합성물 |
| US5769689A (en) * | 1996-02-28 | 1998-06-23 | Rodel, Inc. | Compositions and methods for polishing silica, silicates, and silicon nitride |
| JPH1180707A (ja) * | 1997-09-09 | 1999-03-26 | Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk | 研磨用組成物および研磨方法 |
| JP3810588B2 (ja) * | 1998-06-22 | 2006-08-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| US6447563B1 (en) * | 1998-10-23 | 2002-09-10 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Chemical mechanical polishing slurry system having an activator solution |
| US6083840A (en) * | 1998-11-25 | 2000-07-04 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Slurry compositions and method for the chemical-mechanical polishing of copper and copper alloys |
| JP2001187876A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Nec Corp | 化学的機械的研磨用スラリー |
| KR100504359B1 (ko) * | 2000-02-04 | 2005-07-28 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | Lsi 디바이스 연마용 조성물 및 lsi 디바이스의제조 방법 |
| US6468913B1 (en) * | 2000-07-08 | 2002-10-22 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Ready-to-use stable chemical-mechanical polishing slurries |
| JP2002231666A (ja) | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Fujimi Inc | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
| US6726534B1 (en) * | 2001-03-01 | 2004-04-27 | Cabot Microelectronics Corporation | Preequilibrium polishing method and system |
| US7232514B2 (en) * | 2001-03-14 | 2007-06-19 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
| US20030104770A1 (en) * | 2001-04-30 | 2003-06-05 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Chemical mechanical polishing slurry composition for polishing conductive and non-conductive layers on semiconductor wafers |
| JP3804009B2 (ja) * | 2001-10-01 | 2006-08-02 | 触媒化成工業株式会社 | 研磨用シリカ粒子分散液、その製造方法および研磨材 |
| US6841480B2 (en) * | 2002-02-04 | 2005-01-11 | Infineon Technologies Ag | Polyelectrolyte dispensing polishing pad, production thereof and method of polishing a substrate |
| US7485241B2 (en) * | 2003-09-11 | 2009-02-03 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical-mechanical polishing composition and method for using the same |
-
2003
- 2003-09-11 US US10/660,379 patent/US7485241B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-09-10 US US10/568,727 patent/US7754098B2/en active Active
- 2004-09-10 CN CN2004800257937A patent/CN1849378B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-09-10 WO PCT/US2004/029710 patent/WO2005026277A1/en not_active Ceased
- 2004-09-10 JP JP2006526345A patent/JP4805826B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-09-10 TW TW093127535A patent/TWI296283B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-09-10 KR KR1020067004950A patent/KR100741630B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2004-09-10 EP EP04783793.5A patent/EP1685202B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2011
- 2011-04-21 JP JP2011095184A patent/JP5449248B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1180708A (ja) * | 1997-09-09 | 1999-03-26 | Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk | 研磨用組成物 |
| JP2001115146A (ja) * | 1999-10-18 | 2001-04-24 | Tokuyama Corp | バリア膜用研磨剤 |
| JP2002198331A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Jsr Corp | 研磨方法 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014034379A1 (ja) * | 2012-08-30 | 2014-03-06 | 日立化成株式会社 | 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法 |
| WO2017212874A1 (ja) * | 2016-06-06 | 2017-12-14 | 富士フイルム株式会社 | 研磨液、化学的機械的研磨方法 |
| KR20190005918A (ko) | 2016-06-06 | 2019-01-16 | 후지필름 가부시키가이샤 | 연마액, 화학적 기계적 연마 방법 |
| JPWO2017212874A1 (ja) * | 2016-06-06 | 2019-05-16 | 富士フイルム株式会社 | 研磨液、化学的機械的研磨方法 |
| KR20210104161A (ko) | 2016-06-06 | 2021-08-24 | 후지필름 가부시키가이샤 | 연마액, 화학적 기계적 연마 방법 |
| WO2018174008A1 (ja) | 2017-03-23 | 2018-09-27 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| EP3919576A1 (en) | 2017-03-23 | 2021-12-08 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| US11319460B2 (en) | 2017-03-23 | 2022-05-03 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| US12146077B2 (en) | 2017-03-23 | 2024-11-19 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20050056368A1 (en) | 2005-03-17 |
| JP5449248B2 (ja) | 2014-03-19 |
| US7485241B2 (en) | 2009-02-03 |
| US7754098B2 (en) | 2010-07-13 |
| KR100741630B1 (ko) | 2007-07-23 |
| TW200513524A (en) | 2005-04-16 |
| TWI296283B (en) | 2008-05-01 |
| EP1685202A1 (en) | 2006-08-02 |
| EP1685202B1 (en) | 2019-06-12 |
| CN1849378A (zh) | 2006-10-18 |
| KR20060087552A (ko) | 2006-08-02 |
| CN1849378B (zh) | 2012-05-16 |
| JP2007520050A (ja) | 2007-07-19 |
| US20080057832A1 (en) | 2008-03-06 |
| WO2005026277A1 (en) | 2005-03-24 |
| JP4805826B2 (ja) | 2011-11-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5449248B2 (ja) | 化学的機械的研磨組成物 | |
| US7998335B2 (en) | Controlled electrochemical polishing method | |
| JP5472049B2 (ja) | 化学機械研磨用研磨剤 | |
| US8101093B2 (en) | Chemical-mechanical polishing composition and method for using the same | |
| US20050194563A1 (en) | Bicine/tricine containing composition and method for chemical-mechanical planarization | |
| US20080227296A1 (en) | Slurry compositions, methods of preparing slurry compositions, and methods of polishing an object using slurry compositions | |
| US20050079803A1 (en) | Chemical-mechanical planarization composition having PVNO and associated method for use | |
| KR20020068050A (ko) | 화학 기계적 연마 방법 | |
| IL182537A (en) | Metal ion-containing cmp composition and method for using the same | |
| JP3780767B2 (ja) | 金属用研磨液及び基板の研磨方法 | |
| US20050159085A1 (en) | Method of chemically mechanically polishing substrates | |
| JP4231950B2 (ja) | 金属膜用研磨剤 | |
| JP2006191132A (ja) | 化学機械研磨用研磨剤及び基板の研磨法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110523 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110523 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130123 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130129 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130425 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130501 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131203 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131224 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5449248 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |