[go: up one dir, main page]

JP2011031594A - 治具およびその製造方法 - Google Patents

治具およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2011031594A
JP2011031594A JP2009183256A JP2009183256A JP2011031594A JP 2011031594 A JP2011031594 A JP 2011031594A JP 2009183256 A JP2009183256 A JP 2009183256A JP 2009183256 A JP2009183256 A JP 2009183256A JP 2011031594 A JP2011031594 A JP 2011031594A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polymer film
base material
silicon dioxide
film
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009183256A
Other languages
English (en)
Inventor
Kaori Mogi
かおり 茂木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ulvac Inc filed Critical Ulvac Inc
Priority to JP2009183256A priority Critical patent/JP2011031594A/ja
Publication of JP2011031594A publication Critical patent/JP2011031594A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

【課題】基材の表面により強固に高分子膜を密着させた治具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の治具10の製造方法は、基材11と、基材11上に二酸化ケイ素膜12を介して設けられた高分子膜13とを備え、基材11の一方の面11aに、物理蒸着法により二酸化ケイ素膜12を形成する工程Aと、二酸化ケイ素膜12上に、蒸着重合法により高分子膜13を形成する工程Bとを有することを特徴とする。
【選択図】図1

Description

本発明は、基材の表面に形成される高分子膜によって、基材の表面の凹凸の平坦化、基材への断熱性の付与、基材の表面への保護膜の形成、基材の表面の滑り性の向上などを可能とする治具およびその製造方法に関する。
基材の表面の凹凸の平坦化、基材への断熱性の付与、基材の表面への保護膜の形成、基材の表面の滑り性の向上などを目的として、金属などからなる基材の表面に高分子膜を形成することがある。
従来、このような基材の表面への高分子膜の形成方法としては、湿式法、蒸着重合法などが用いられている。湿式法は、適当な溶媒に原料モノマーを溶解し、溶媒中にて原料モノマーを重合させて、その重合体を含む溶媒を基材の表面に塗布して、基材の表面に高分子膜を形成する方法である。また、蒸着重合法は、原料モノマーを蒸発させ、この気化した原料モノマーを、基材を配置した真空処理室内に導入して、基材の表面にて原料モノマーを重合させて、基材の表面に高分子膜を形成する方法である。
このような湿式法や蒸着重合法による高分子膜は、基材への密着力に劣るため、基材の表面処理を行って、密着力を向上する必要がある。
このような表面処理としては、環状分子と、これを串刺し状に包接する直鎖状分子と、この直鎖状分子の両末端に配置された環状分子の脱離を防止する封鎖基とを有し、直鎖状分子および環状分子の少なくとも一方が疎水性を有する親油性ポリロタキサンからなる常温乾燥型溶剤系上塗り塗料用材料を用いて、基体の表面にベースコート塗膜を形成する方法が挙げられる(例えば、特許文献1参照)。
また、プラズマ処理、コロナ放電処理、UV処理および電子線処理から選択された物理的処理が施された基材の表面に、重合性不飽和二重結合を側鎖に有する高分子化合物を接触させ、その後、基材を露光し、その露光により基材表面に発生したラジカルを起点として、重合性不飽和二重結合を側鎖に有する高分子化合物をグラフト重合して、基材に直接結合したグラフトポリマーを生成する基材表面改質方法が開示されている(例えば、特許文献2参照)。
特開2007−099992号公報 特開2005−359133号公報
しかしながら、基材の表面にベースコート塗膜を形成する方法では、そのベースコート塗膜を介した高分子膜の基体の表面への密着力が十分ではなかった。
また、プラズマ処理などの物理的処理を用いる方法では、物理処理によって基材の表面の極性を高めているものの、部分的に極性を十分に高めることができないため、高分子膜の基材の表面への密着力が十分ではなかった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、基材の表面により強固に高分子膜を密着させた治具およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の治具は、基材と、該基材上に二酸化ケイ素膜を介して設けられた高分子膜とを備えてなることを特徴とする。
前記高分子膜は、ポリ尿素、ポリイミド、ポリウレタンのうちすくなくとも1つからなることが好ましい。
本発明の治具の製造方法は、基材と、該基材上に二酸化ケイ素膜を介して設けられた高分子膜とを備えてなる治具の製造方法であって、基材の一方の面に、物理蒸着法により二酸化ケイ素膜を形成する工程Aと、前記二酸化ケイ素膜上に、蒸着重合法により高分子膜を形成する工程Bとを有することを特徴とする。
本発明の治具によれば、基材の一方の面に、二酸化ケイ素膜を介して、高分子膜が設けられているので、高分子膜の基材に対する密着力が強くなる。したがって、二酸化ケイ素膜を介して、基体の一方の面上に、厚みの均一な高分子膜が安定に設けられる。
本発明の治具の製造方法によれば、スパッタ法、電子ビーム蒸着法などの物理蒸着法により、基材上に二酸化ケイ素膜を形成し、さらに、二酸化ケイ素膜上に、蒸着重合法により高分子膜を形成するので、原料モノマーの重合による高分子膜の形成と同時に、二酸化ケイ素膜を形成する二酸化ケイ素の酸素と、高分子膜の官能基との化学結合が進行するので、二酸化ケイ素膜に対する密着性がより高い高分子膜を、厚みが均一でかつ安定に形成することができる。
本発明の治具の一実施形態を示す概略断面図である。 本発明の治具の製造方法の一実施形態を示す概略斜視図である。 本発明の治具の製造方法の一実施形態を示す概略斜視図である。 本発明の実施例において、高分子膜の密着強度の測定方法を説明する概略断面図である。 本発明の比較例において、高分子膜の密着強度の測定方法を説明する概略断面図である。
本発明の治具およびその製造方法の実施の形態について説明する。
なお、この形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
「治具」
図1は、本発明の治具の一実施形態を示す概略断面図である。
この実施形態の治具10は、基材11と、基材11の一方の面11aに設けられた二酸化ケイ素(SiO)膜12と、二酸化ケイ素膜12の基材11と接している面とは反対側の面(以下、「一方の面」という。)12aに設けられた高分子膜13とから概略構成されている。
すなわち、高分子膜13は、二酸化ケイ素膜12を介して、基材11の一方の面11aに設けられている。
基材11としては、ガラス基材、アルミニウム基材、ステンレス基材などが用いられる。
基材11の厚みは、特に限定されず、治具10の用途などに応じて適宜調整される。
二酸化ケイ素(SiO)膜12は、基材11と高分子膜13との密着性を向上するために、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法などの物理蒸着法により形成された膜である。
二酸化ケイ素膜12の厚みは、基材11と高分子膜13との密着性を確保する観点から、100nm〜5μm程度が好ましい。
高分子膜13は、ポリ尿素、ポリイミド、ポリウレタンのうちすくなくとも1つから構成されている。
高分子膜13の厚みは、特に限定されず、治具10の用途などに応じて適宜調整される。
この治具20によれば、基材11の一方の面11aに、二酸化ケイ素膜12を介して、高分子膜13が設けられているので、高分子膜13の基材11に対する密着力が強くなる。したがって、二酸化ケイ素膜12を介して、基体11の一方の面11a上に、厚みの均一な高分子膜13が安定に設けられている。
次に、図1〜図3を参照して、治具10の製造方法を説明する。
まず、図2に示すように、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法などの物理蒸着法により、基材11の一方の面11aに所定の厚みの二酸化ケイ素膜12を形成する(工程A)。
スパッタリング法を用いた二酸化ケイ素膜12の形成方法は、真空中でアルゴン(Ar)不活性ガスを導入し、二酸化ケイ素(SiO)ターゲットにマイナスの電圧を印加してグロー放電を発生させ、アルゴン(Ar)不活性ガスをイオン化し、高速でターゲットの表面にガスイオンを衝突させて激しく叩き、二酸化ケイ素(SiO)の原子や分子を激しく弾き出し、勢いよく基材の表面に付着させて薄膜を形成する方法である。
また、電子ビーム蒸着法を用いた二酸化ケイ素膜12の形成方法は、真空中で高エネルギーの電子ビームを材料である二酸化ケイ素(SiO)に当てて、二酸化ケイ素(SiO)を加熱し蒸気流を生成し、蒸発した二酸化ケイ素(SiO)を基板上に凝縮させて付着させ、薄膜を形成する方法である。
次いで、二酸化ケイ素膜12が設けられた基材11を、真空処理室内に配置し、この真空処理室内に、蒸発させた原料モノマーを導入し、この原料モノマーを二酸化ケイ素膜12上で重合させて高分子膜13を形成するとともに、二酸化ケイ素膜12を形成する二酸化ケイ素の酸素と、高分子膜13の官能基との化学結合が進行することによって、図3に示すように、二酸化ケイ素膜12と高分子膜13を密着させて(工程B)、治具10を得る。
真空処理室内に、蒸発させた原料モノマーを導入し、二酸化ケイ素膜12上で重合させて高分子膜13を形成する蒸着重合法では、目的とする高分子膜13の種類に応じて、原料モノマーが用いられる。
ポリ尿素からなる高分子膜13を形成する場合、原料モノマーとしては、アミンモノマーとイソシアネートモノマーが用いられる。
ポリイミドからなる高分子膜13を形成する場合、原料モノマーとしては、無水ピロメリト酸とビス(4−アミノフェニル)エーテルが用いられる。
ポリウレタンからなる高分子膜13を形成する場合、原料モノマーとしては、1,3−ビス(イソシアナトメチル)シクロヘキサンとトリエチレングリコールが用いられる。
蒸着重合法では、真空処理室内の温度を10℃〜210℃、真空処理室内の圧力を0.01Pa〜1Pa、原料モノマーの温度を20℃〜210℃、成膜時間を1分〜24時間とする。
この治具10の製造方法によれば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法などの物理蒸着法により、基材11上に二酸化ケイ素膜12を形成し、さらに、二酸化ケイ素膜12上に、蒸着重合法により高分子膜13を形成するので、原料モノマーの重合による高分子膜13の形成と同時に、二酸化ケイ素膜12を形成する二酸化ケイ素の酸素と、高分子膜13の官能基との化学結合が進行するので、二酸化ケイ素膜12に対する密着性がより高い高分子膜13を、厚みが均一でかつ安定に形成することができる。
以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
「実施例1」
基材11として、ガラス基材を用いた。
スパッタリング法により、基材11の一方の面11aに二酸化ケイ素膜12を形成した。
次いで、二酸化ケイ素膜12が設けられた基材11を、真空処理室内に配置し、この真空処理室内に、蒸発させた4,4´−ジアミノジシクロヘキシルメタンと1,3−ビス(イソシアナトメチル)シクロヘキサン)を導入し、これらのモノマーを自己組織化単分子膜12上で重合させて、ポリ尿素かなる高分子膜13を形成し、治具10を得た。
蒸着重合法において、真空処理室内の温度を30℃、真空処理室内の圧力を0.3Pa、4,4´−ジアミノジシクロヘキシルメタンの温度を80℃、1,3−ビス(イソシアナトメチル)シクロヘキサン)の温度を70℃、成膜時間を15分とした。
得られた治具10について、高分子膜13の密着力(密着強度)を測定した。
高分子膜13の密着強度を、Quad Group社製のRomulus IV 薄膜強度試験により測定した。
詳細には、まず、治具10の高分子膜13の表面に、直径2.7mmのエポキシ接着剤付きアルミニウム製のスタッドピン(商品名:901106、フォトテクニカ製)21を、クリップで挟んで保持した。
次いで、この状態で、治具10とスタッドピン21を150℃にて1時間加熱することにより、スタッドピン21の高分子膜13と接している面に設けられている樹脂22を溶融させて、高分子膜13の表面にスタッドピン21を固定した。
次いで、クリップを外して、スタッドピン21が固定された治具10を、薄膜強度試験に設置し、スタッドピン21を高分子膜13の表面に対して垂直方向(図4に示す矢印の方向)に引っ張って、高分子膜13が剥離した時の強度を測定した。
結果を表1に示す。
「実施例2」
基材11として、アルミニウム基材を用いた以外は実施例1と同様にして、治具10を作製した。
実施例1と同様にして、得られた治具10について、高分子膜13の密着力(密着強度)を測定した。
結果を表1に示す。
「実施例3」
基材11として、ステンレス基材を用いた以外は実施例1と同様にして、治具10を作製した。
実施例1と同様にして、得られた治具10について、高分子膜13の密着力(密着強度)を測定した。
結果を表1に示す。
「比較例1」
基材11として、ガラス基材を用いて、実施例1と同様にして、蒸着重合法により、基材11の一方の面11aにポリ尿素かなる高分子膜13を形成し、図5に示す試料30を得た。
実施例1と同様にして、得られた試料30について、高分子膜13の密着力(密着強度)を測定した。
結果を表1に示す。
「比較例2」
基材11として、アルミニウム基材を用いて、実施例1と同様にして、蒸着重合法により、基材11の一方の面11aにポリ尿素かなる高分子膜13を形成し、図5に示す試料30を得た。
実施例1と同様にして、得られた試料30について、高分子膜13の密着力(密着強度)を測定した。
結果を表1に示す。
「比較例3」
基材11として、ステンレス基材を用いて、実施例1と同様にして、蒸着重合法により、基材11の一方の面11aにポリ尿素かなる高分子膜13を形成し、図5に示す試料30を得た。
実施例1と同様にして、得られた試料30について、高分子膜13の密着力(密着強度)を測定した。
結果を表1に示す。
Figure 2011031594
表1の結果から、実施例1と比較例1を比較すると、二酸化ケイ素膜12を介して、ガラス基材からなる基材11上に高分子膜13を設けた実施例1は、ガラス基材からなる基材11上に直接、高分子膜13を設けた比較例1よりも密着強度が大きいことが確認された。
同様に、実施例2と比較例2を比較すると、二酸化ケイ素膜12を介して、アルミニウム基材からなる基材11上に高分子膜13を設けた実施例1は、アルミニウム基材からなる基材11上に直接、高分子膜13を設けた比較例1よりも密着強度が大きいことが確認された。
また、実施例3と比較例3を比較すると、二酸化ケイ素膜12を介して、ステンレス基材からなる基材11上に高分子膜13を設けた実施例1は、ステンレス基材からなる基材11上に直接、高分子膜13を設けた比較例1よりも密着強度が大きいことが確認された。
以上の結果から、二酸化ケイ素膜12を介して、基材11上に高分子膜13を設けることにより、基材11に対する高分子膜13の密着力が向上することが分かった。
本発明の治具は、基材に対する高分子膜の密着性に優れるとともに、基材上に形成された高分子膜は厚みが均一でかつ平滑性に優れるので、プラスチック成形用の金型として好適に用いられる。
10・・・治具、11・・・基材、12・・・二酸化ケイ素膜、13・・・高分子膜。

Claims (3)

  1. 基材と、該基材上に二酸化ケイ素膜を介して設けられた高分子膜とを備えてなることを特徴とする治具。
  2. 前記高分子膜は、ポリ尿素、ポリイミド、ポリウレタンのうちすくなくとも1つからなることを特徴とする請求項1に記載の治具。
  3. 基材と、該基材上に二酸化ケイ素膜を介して設けられた高分子膜とを備えてなる治具の製造方法であって、
    基材の一方の面に、物理蒸着法により二酸化ケイ素膜を形成する工程Aと、前記二酸化ケイ素膜上に、蒸着重合法により高分子膜を形成する工程Bとを有することを特徴とする治具の製造方法。
JP2009183256A 2009-08-06 2009-08-06 治具およびその製造方法 Pending JP2011031594A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009183256A JP2011031594A (ja) 2009-08-06 2009-08-06 治具およびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009183256A JP2011031594A (ja) 2009-08-06 2009-08-06 治具およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011031594A true JP2011031594A (ja) 2011-02-17

Family

ID=43761143

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009183256A Pending JP2011031594A (ja) 2009-08-06 2009-08-06 治具およびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2011031594A (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0422623A (ja) * 1990-05-18 1992-01-27 Fujitsu Ltd セラミック基板
JPH09143681A (ja) * 1995-11-14 1997-06-03 Ulvac Japan Ltd 高分子薄膜の形成方法
JPH10289903A (ja) * 1997-04-11 1998-10-27 Ulvac Japan Ltd 低比誘電性絶縁膜及びその形成方法並びに層間絶縁膜
JP2004279687A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Tetsuzo Yoshimura オプトエレクトロニックマイクロシステム、導波路素子、バリアブルウエルオプティカルic、オプトエレクトロニックマイクロ/ナノシステム、
JP2005258376A (ja) * 2004-03-13 2005-09-22 Tetsuzo Yoshimura マイクロ/ナノデバイス・システム、自己組織化光ネットワークおよび分子ナノ複製法
JP2006141285A (ja) * 2004-11-19 2006-06-08 Ulvac Japan Ltd ルアー及びその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0422623A (ja) * 1990-05-18 1992-01-27 Fujitsu Ltd セラミック基板
JPH09143681A (ja) * 1995-11-14 1997-06-03 Ulvac Japan Ltd 高分子薄膜の形成方法
JPH10289903A (ja) * 1997-04-11 1998-10-27 Ulvac Japan Ltd 低比誘電性絶縁膜及びその形成方法並びに層間絶縁膜
JP2004279687A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Tetsuzo Yoshimura オプトエレクトロニックマイクロシステム、導波路素子、バリアブルウエルオプティカルic、オプトエレクトロニックマイクロ/ナノシステム、
JP2005258376A (ja) * 2004-03-13 2005-09-22 Tetsuzo Yoshimura マイクロ/ナノデバイス・システム、自己組織化光ネットワークおよび分子ナノ複製法
JP2006141285A (ja) * 2004-11-19 2006-06-08 Ulvac Japan Ltd ルアー及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3213005B2 (ja) ポリマー、金属またはセラミックの表面改質
CN1310709C (zh) 保护涂料组合物
WO2003072273A8 (en) Methods and apparatus for vacuum thin film deposition
JP2000143850A (ja) 濡れ性の優れた表面を有する弗素系樹脂
CN105001439A (zh) 一种通过表面接枝提高聚合物薄膜表面润湿性能的方法
Deshmukh et al. Surface characterization of polyethylene films modified by gaseous plasma
JP2021076620A (ja) 炭素質膜を含むペリクル及び炭素質膜を含むペリクルの製造方法
US20010045351A1 (en) Plasma polymerization on surface of material
JP3426583B2 (ja) 冷却およびエアコンディショニングにおける使用のための金属表面のプラズマ重合による改良
Friedrich et al. Coating of carbon fibers with adhesion‐promoting thin polymer layers using plasma polymerization or electrospray ionization technique—A comparison
KR100336622B1 (ko) 플라즈마를 이용한 재료 표면에의 고분자 중합막 합성방법 및 그 방법으로 제조된 고분자 재료
JP2011031594A (ja) 治具およびその製造方法
JP2015010280A (ja) ワーク及びその製造方法
JP4124471B2 (ja) 金属表面の処理方法
WO2012133154A1 (ja) フィルム表面処理方法及び装置
JP2006131938A (ja) 超撥水膜の製造方法および製造装置並びにその製品
JP5328473B2 (ja) 治具およびその製造方法
JP2002192651A (ja) 金属被覆成形体及びその製造方法
KR101720895B1 (ko) 나노임프린팅 방법
Shoji et al. Surface modification of plasma polymerized silicon resin films produced at different gas atmospheres
KR20190105548A (ko) 플렉서블 디스플레이용 기판의 표면 처리방법
García‐Luis et al. Synthesis and Characterization of Plasma‐Polymerized HMDSO Films Using an Ion Gun Inverse Magnetron Source
US20170175246A1 (en) Method for production of a composite layer comprising a plastic foil and a layer deposited thereon
TWI750159B (zh) 金屬表面的覆膜形成方法
Dimov et al. Ion beam assisted physical deposition of polyimide

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120423

A977 Report on retrieval

Effective date: 20130206

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130212

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130611