JP2011077388A

JP2011077388A - Method of manufacturing solid-state imaging element

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Publication number: JP2011077388A
Application number: JP2009228653A
Authority: JP
Inventors: Koichi Tazoe; 浩一田添
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2009-09-30
Filing date: 2009-09-30
Publication date: 2011-04-14

Abstract

【課題】固体撮像素子の光電変換部を取り囲む分離領域を効率的に形成する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板において光電変換部を取り囲む分離領域を有する固体撮像素子の製造方法が提供される。この製造方法は、半導体基板の上に、光電変換部を覆う島状の遮蔽部を有するイオン注入マスクを形成するマスク形成工程と、少なくとも遮蔽部の傾斜した側面を通じて半導体基板にイオンを注入することによって分離領域を形成するイオン注入工程とを含み、側面は、遮蔽部の上方に向かって遮蔽部の面積が小さくなるように形成されることを特徴とする。
【選択図】図１An object of the present invention is to provide a technique for efficiently forming a separation region surrounding a photoelectric conversion unit of a solid-state imaging device.
A method of manufacturing a solid-state imaging device having a separation region surrounding a photoelectric conversion portion in a semiconductor substrate is provided. In this manufacturing method, a mask forming step for forming an ion implantation mask having an island-shaped shielding portion covering a photoelectric conversion portion on a semiconductor substrate, and ions are implanted into the semiconductor substrate through at least an inclined side surface of the shielding portion. And the ion implantation step of forming an isolation region by the step, wherein the side surface is formed so that the area of the shielding portion becomes smaller toward the upper side of the shielding portion.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は固体撮像素子の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a solid-state imaging device.

近年、高画質かつ高速な固体撮像素子としてＣＭＯＳ型の固体撮像素子の進歩が著しい。市場からの高解像化の要求に応えるために、ＣＭＯＳ型の固体撮像素子の画素間隔は縮小される傾向にある。画素間隔が小さくなると、一つの画素から隣接する画素へ電荷が混入しやすくなる。これに対して、特許文献１には、隣接する画素間に深い不純物層を設けることで、電荷に対するポテンシャルバリアを形成する技術が記載されている。 In recent years, CMOS solid-state image sensors have made remarkable progress as high-quality and high-speed solid-state image sensors. In order to meet the demand for higher resolution from the market, the pixel interval of a CMOS type solid-state imaging device tends to be reduced. When the pixel interval is reduced, charges are easily mixed from one pixel to an adjacent pixel. On the other hand, Patent Document 1 describes a technique for forming a potential barrier against electric charges by providing a deep impurity layer between adjacent pixels.

特開２００６−２４９０７号公報JP 2006-24907 A

一般に、不純物層を形成するために、半導体基板に対してイオンが注入される。注入されたイオンによる不純物原子の分布範囲は、イオンを注入する際の加速エネルギーによって決まるため、１回のイオン注入工程では加速エネルギーに応じた一定の深さの領域にしかイオンを注入できない。したがって、特許文献１に記載された技術では、基板の表面から深い位置まで続く領域に連続的な不純物層を形成するためには、加速エネルギーの設定を変更してイオンを複数回注入する必要がある。そのため、イオン注入工程の回数が増加し、製造コストが増加するという問題があった。本発明は、固体撮像素子の光電変換部を取り囲む分離領域を効率的に形成する技術を提供することを目的とする。 In general, ions are implanted into a semiconductor substrate to form an impurity layer. Since the distribution range of the impurity atoms by the implanted ions is determined by the acceleration energy at the time of ion implantation, ions can be implanted only into a region having a certain depth according to the acceleration energy in one ion implantation step. Therefore, in the technique described in Patent Document 1, in order to form a continuous impurity layer in a region extending from the surface of the substrate to a deep position, it is necessary to change the setting of the acceleration energy and to implant ions a plurality of times. is there. Therefore, there has been a problem that the number of ion implantation steps increases and the manufacturing cost increases. An object of this invention is to provide the technique which forms efficiently the isolation | separation area | region surrounding the photoelectric conversion part of a solid-state image sensor.

本発明は、半導体基板において光電変換部を取り囲む分離領域を有する固体撮像素子の製造方法に係り、該方法は、半導体基板の上に、前記光電変換部を覆う島状の遮蔽部を有するイオン注入マスクを形成するマスク形成工程と、少なくとも前記遮蔽部の傾斜した側面を通じて前記半導体基板にイオンを注入することによって前記分離領域を形成するイオン注入工程とを含む。ここで、前記側面は、前記遮蔽部の上方に向かって前記遮蔽部の面積が小さくなるように形成される。 The present invention relates to a method of manufacturing a solid-state imaging device having a separation region surrounding a photoelectric conversion unit in a semiconductor substrate, and the method includes ion implantation having an island-shaped shielding unit covering the photoelectric conversion unit on the semiconductor substrate. A mask forming step of forming a mask, and an ion implantation step of forming the isolation region by implanting ions into the semiconductor substrate through at least the inclined side surface of the shielding portion. Here, the side surface is formed so that the area of the shielding portion becomes smaller toward the upper side of the shielding portion.

本発明によれば、固体撮像素子の光電変換部を取り囲む分離領域を効率的に形成する技術が提供される。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the technique which forms efficiently the isolation | separation area | region surrounding the photoelectric conversion part of a solid-state image sensor is provided.

第１の実施形態の固体撮像素子の製造方法の一例を説明する断面模式図。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a method for manufacturing the solid-state imaging element according to the first embodiment. 第２の実施形態の固体撮像素子の製造方法の一例を説明する断面模式図。Sectional schematic diagram explaining an example of the manufacturing method of the solid-state image sensor of 2nd Embodiment. 実施形態の撮像装置の概略構成を示す図。1 is a diagram illustrating a schematic configuration of an imaging apparatus according to an embodiment.

以下、本発明の実施形態を添付の図面を参照しつつ説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

〔第１の実施形態〕
図１を用いて本実施形態による固体撮像素子の製造方法を説明する。図１（ａ）は本実施形態の製造方法の初期段階における構造体１００を示す。図１（ａ）に示す構造体１００を形成するために、Ｎ型（第１の導電型）の半導体基板に、Ｐ型半導体を形成するためのイオン（例えば、ホウ素）を複数回注入する。それにより、半導体基板の表面から深さ方向に連続的な濃度分布でＰ型（第１の導電型とは反対の第２の導電型）のウェル領域１０２が形成される。ここで、半導体基板の表面とウェル領域１０２の表面とが一致しうる。例えば、注入するイオンの最大加速エネルギーを２〜３ＭｅＶの範囲から選択し、ドーズ量を１〜１０^１３／ｃｍ^２の範囲から選択することができる。また、注入するイオンの最小加速エネルギーを２００〜３００ｋｅＶの範囲から選択し、ドーズ量を１０^１１／ｃｍ^２程度とすることができる。この設定では、半導体基板の表面から３μｍ程度の深さまでイオンが注入され、ウェル領域１０２の下にＮ型の半導体領域１０１が残る。 [First Embodiment]
The manufacturing method of the solid-state imaging device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1A shows the structure 100 in the initial stage of the manufacturing method of the present embodiment. In order to form the structure 100 shown in FIG. 1A, ions (for example, boron) for forming a P-type semiconductor are implanted a plurality of times into an N-type (first conductivity type) semiconductor substrate. Thus, a P-type (second conductivity type opposite to the first conductivity type) well region 102 is formed with a continuous concentration distribution in the depth direction from the surface of the semiconductor substrate. Here, the surface of the semiconductor substrate may coincide with the surface of the well region 102. For example, the maximum acceleration energy of ions to be implanted can be selected from the range of ² to 3 MeV, and the dose can be selected from the range of 1 to 10 ¹³ / cm ² . Further, the minimum acceleration energy of ions to be implanted can be selected from the range of 200 to 300 keV, and the dose can be set to about 10 ¹¹ / cm ² . In this setting, ions are implanted from the surface of the semiconductor substrate to a depth of about 3 μm, and the N-type semiconductor region 101 remains under the well region 102.

続いて、ウェル領域１０２の表面に、素子分離用のＬＯＣＯＳ酸化膜１０３を形成する。ＬＯＣＯＳ酸化膜１０３は光電変換部１０４を取り囲むように形成される。ＬＯＣＯＳ酸化膜１０３によって、光電変換部１０４は他の素子（例えば、同一画素内のトランジスタや隣接画素内の光電変換部から分離される。 Subsequently, a LOCOS oxide film 103 for element isolation is formed on the surface of the well region 102. The LOCOS oxide film 103 is formed so as to surround the photoelectric conversion unit 104. The LOCOS oxide film 103 separates the photoelectric conversion unit 104 from other elements (for example, transistors in the same pixel and photoelectric conversion units in adjacent pixels).

図１（ｂ）は、ウェル領域１０２の表面に対して側面が垂直に立った遮蔽部を有するレジストパターン１１１が形成された構造体１１０を示す。図１（ｂ）に示す構造体１１０を形成するために、まず、図１（ａ）に示した構造体１００にレジスト材料を塗布する。レジスト材料として例えば東京応化工業株式会社製ＴＨＭＲ−ｉＰ５７００ＨＰを使用し、４．０μｍの膜厚になるようにレジスト材料を塗布する。続いて、構造体１００に塗布されたレジスト材料をフォトリゾグラフィ工程によってパターニングして、レジストパターン１１１を形成する。レジストパターン１１１は島状の複数の遮蔽部を有し、それぞれの遮蔽部は光電変換部１０４を覆う位置に形成される。パターニングにより形成される遮蔽部の側面はウェル領域１０２の表面に対して垂直となる。遮蔽部同士の間隔ｄ１が０．８μｍとなるように露光パラメータを調整する。 FIG. 1B shows a structure 110 on which a resist pattern 111 having a shielding portion whose side faces are perpendicular to the surface of the well region 102 is formed. In order to form the structure 110 shown in FIG. 1B, first, a resist material is applied to the structure 100 shown in FIG. As the resist material, for example, THMR-iP5700HP manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. is used, and the resist material is applied so as to have a thickness of 4.0 μm. Subsequently, the resist material applied to the structure 100 is patterned by a photolithography process to form a resist pattern 111. The resist pattern 111 has a plurality of island-shaped shielding portions, and each shielding portion is formed at a position covering the photoelectric conversion portion 104. The side surface of the shielding part formed by patterning is perpendicular to the surface of the well region 102. The exposure parameters are adjusted so that the distance d1 between the shielding parts is 0.8 μm.

図１（ｃ）は、側面が傾斜した遮蔽部を有するイオン注入マスク１２１が形成された構造体１２０を示す。図１（ｃ）に示す構造体１２０を形成するために、図１（ｂ）に示した構造体１１０に熱処理を施す。例えば、構造体１１０に１８０℃で１２０秒の熱処理を施してリフローさせる。このように、熱処理が施されたレジストパターン１１１をイオン注入マスク１２１とよぶ。このマスク形成工程により、熱処理が施されたそれぞれの遮蔽部は変形する。その結果、それぞれの遮蔽部の側面１２２は、遮蔽部の上方に向かうほど遮蔽部の断面積が小さくなるように傾斜する。言い換えると、それぞれの遮蔽部の側面１２２は、側面１２２とウェル領域１０２の露出部の表面とのなす角１２３が９０度より大きくなるように傾斜する。例えば、遮蔽部の上部における間隔ｄ２、遮蔽部の下部における間隔ｄ３、および遮蔽部の高さｄ４の値がそれぞれ、１．２μｍ、０．４μｍ、および３．５μｍとなるように熱処理の際のパラメータを設定する。 FIG. 1C shows a structure 120 on which an ion implantation mask 121 having a shielding portion whose side surface is inclined is formed. In order to form the structure body 120 shown in FIG. 1C, the structure body 110 shown in FIG. 1B is subjected to heat treatment. For example, the structure 110 is subjected to a heat treatment at 180 ° C. for 120 seconds to be reflowed. The resist pattern 111 that has been heat-treated in this manner is called an ion implantation mask 121. By this mask formation process, each of the shield portions subjected to the heat treatment is deformed. As a result, the side surface 122 of each shielding part inclines so that the cross-sectional area of a shielding part may become so small that it goes above a shielding part. In other words, the side surfaces 122 of the respective shielding portions are inclined so that an angle 123 formed by the side surfaces 122 and the surface of the exposed portion of the well region 102 is greater than 90 degrees. For example, the distance d2 at the upper part of the shielding part, the distance d3 at the lower part of the shielding part, and the height d4 of the shielding part are 1.2 μm, 0.4 μm, and 3.5 μm, respectively. Set the parameters.

図１（ｄ）は、光電変換部１０４よりも高い濃度のＰ型の分離領域１３１が形成された構造体１３０を示す。図１（ｄ）に示す構造体１３０を形成するために、図１（ｃ）に示した構造体１２０にイオン（例えばホウ素）を注入する。イオン注入マスク１２１における遮蔽部間の開口部１３２を通して注入されたイオンは、設定された深さまで注入される。一方、側面１２２を通して注入されたイオンは、イオン注入マスク１２１の残膜厚に応じた深さまで注入される。すなわち、残膜厚と、ウェル領域１０２の表面からイオンが到達する位置までの距離との合計は、イオンの注入位置に関わらず、ほぼ一定となる。イオンが到達可能な距離よりも残膜厚が厚い位置で注入されたイオンは遮蔽部内にとどまる。したがって、光電変換部１０４に対してイオンが注入されることはない。イオン注入マスク１２１は傾斜した側面１２２を有するため、図１（ｄ）に示すように、同一の設定でイオンを１回注入するだけで、ウェル領域１０２の表面から、設定された位置まで続く深い分離領域１３１が形成される。図１（ｄ）に示す例では、側面１２２と開口部１３２との両方を通じて構造体１２０にイオンが注入される。しかし、側面１２２のみを通じて構造体１２０にイオンを注入して分離領域１３１を形成してもよい。これは、例えば、開口部１３２にマスク処理を別途に施してからイオンを注入することによって実現される。 FIG. 1D shows a structure 130 in which a P-type isolation region 131 having a higher concentration than the photoelectric conversion unit 104 is formed. In order to form the structure 130 shown in FIG. 1D, ions (for example, boron) are implanted into the structure 120 shown in FIG. Ions implanted through the opening 132 between the shielding portions in the ion implantation mask 121 are implanted to a set depth. On the other hand, ions implanted through the side surface 122 are implanted to a depth corresponding to the remaining film thickness of the ion implantation mask 121. That is, the total of the remaining film thickness and the distance from the surface of the well region 102 to the position where ions reach reaches almost constant regardless of the ion implantation position. Ions implanted at a position where the remaining film thickness is thicker than the distance that the ions can reach remain in the shielding portion. Therefore, ions are not implanted into the photoelectric conversion unit 104. Since the ion implantation mask 121 has the inclined side surface 122, as shown in FIG. 1D, the ion implantation mask 121 has a deep structure extending from the surface of the well region 102 to the set position by just implanting ions once with the same setting. An isolation region 131 is formed. In the example illustrated in FIG. 1D, ions are implanted into the structure 120 through both the side surface 122 and the opening 132. However, the isolation region 131 may be formed by implanting ions into the structure 120 only through the side surface 122. This is realized, for example, by performing ion masking on the opening 132 and then implanting ions.

画素領域内のＭＯＳトランジスタの閾値電圧変動を抑制するために、ウェル領域１０２の表面から分離領域１３１の下端までの深さは０．８μｍ以上であることが望ましい。そのためには、ホウ素をドーパントとして約３５０ＫｅＶ以上の加速エネルギーでイオンを注入するのが望ましい。例えば、加速エネルギーを約２．０ＭｅＶ、ドーズ量を４×１０^１３／ｃｍ^２とし、ウェル領域１０２の表面に垂直な方向からホウ素を注入する。 In order to suppress the threshold voltage fluctuation of the MOS transistor in the pixel region, the depth from the surface of the well region 102 to the lower end of the isolation region 131 is preferably 0.8 μm or more. For this purpose, it is desirable to implant ions with an acceleration energy of about 350 KeV or more using boron as a dopant. For example, the acceleration energy is about 2.0 MeV, the dose is 4 × 10 ¹³ / cm ^2, and boron is implanted from the direction perpendicular to the surface of the well region 102.

図１（ｅ）は、フォトダイオード等が形成された構造体１４０を示す。まず、図１（ｄ）に示した構造体１３０からイオン注入マスク１２１を剥離する。続いて、ポリシリコン電極及びゲート酸化膜１４１、フォトダイオードのＮ型領域１４２、フォトダイオードを埋め込むための浅いＰ型領域１４３、およびＭＯＳトランジスタのソースドレインとなるＮ型領域１４４を形成する。 FIG. 1E shows a structure 140 in which a photodiode or the like is formed. First, the ion implantation mask 121 is peeled from the structure 130 shown in FIG. Subsequently, a polysilicon electrode and gate oxide film 141, an N-type region 142 of the photodiode, a shallow P-type region 143 for embedding the photodiode, and an N-type region 144 serving as the source and drain of the MOS transistor are formed.

以上のように、本実施形態によれば、イオンを１回だけ注入することによって、光電変換部であるフォトダイオードを取り囲む分離領域を形成することが可能となる。その結果、従来に比べて、このような分離領域を有する固体撮像素子の製造コストを低減することが出来る。 As described above, according to the present embodiment, it is possible to form the isolation region surrounding the photodiode as the photoelectric conversion unit by implanting ions only once. As a result, it is possible to reduce the manufacturing cost of the solid-state imaging device having such a separation region as compared with the conventional case.

〔第２の実施形態〕
図２を用いて本実施形態による固体撮像素子の製造方法を説明する。第１の実施形態と同様の要素は同一の参照番号を付して説明を省略する。図２（ａ）は本実施形態の製造方法の初期段階における構造体２００を示す。構造体２００は、表面から近い順に、Ｎ型領域２０３、Ｐ型領域２０２、およびＮ型領域２０１が形成されている。Ｐ型領域２０２は、例えば、加速エネルギーを約２〜３ＭｅＶ、ドーズ量を１０^１３／ｃｍ^２程度とした条件でＮ型の半導体基板にイオンを注入することで形成される。この場合に、注入されるイオンの深さは３〜４μｍ程度、３σは０．６μｍ程度であるため、半導体基板の表面からＰ型領域２０２の上面までに注入されたイオンがとどまることはない。この結果、Ｎ型領域９０３はＮ型領域９０１と同等の不純物濃度になる。 [Second Embodiment]
The manufacturing method of the solid-state imaging device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. Elements similar to those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. FIG. 2A shows the structure 200 in the initial stage of the manufacturing method of this embodiment. In the structure 200, an N-type region 203, a P-type region 202, and an N-type region 201 are formed in order from the surface. The P-type region 202 is formed, for example, by implanting ions into an N-type semiconductor substrate under conditions where the acceleration energy is about 2 to 3 MeV and the dose amount is about 10 ¹³ / cm ² . In this case, since the depth of implanted ions is about 3 to 4 μm and 3σ is about 0.6 μm, ions implanted from the surface of the semiconductor substrate to the upper surface of the P-type region 202 do not stay. As a result, the N-type region 903 has an impurity concentration equivalent to that of the N-type region 901.

図２（ａ）に示した構造体２００に対して第１の実施形態と同様の手順を施すことによって、図２（ｂ）に示す構造体２１０が形成される。この場合も、半導体基板において光電変換部を取り囲むＰ型の深い分離領域１３１が形成される。 A structure 210 shown in FIG. 2B is formed by performing the same procedure as in the first embodiment on the structure 200 shown in FIG. Also in this case, a P-type deep isolation region 131 surrounding the photoelectric conversion portion is formed in the semiconductor substrate.

〔その他の実施形態〕
図３は、本発明の好適な実施形態の撮像装置（カメラ）の概略構成を示す図である。撮像装置３００は、上記の実施形態の固体撮像素子に代表される固体撮像装置３０４を備える。 [Other Embodiments]
FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration of an imaging apparatus (camera) according to a preferred embodiment of the present invention. The imaging device 300 includes a solid-state imaging device 304 typified by the solid-state imaging device of the above embodiment.

被写体の光学像は、レンズ３０２によって固体撮像装置３０４の撮像面に結像する。レンズ３０２の外側には、レンズ３０２のプロテクト機能とメインスイッチを兼ねるバリア３０１が設けられうる。レンズ３０２には、それから出射される光の光量を調節するための絞り３０３が設けられうる。固体撮像装置３０４から複数チャンネルで出力される撮像信号は、撮像信号処理回路３０５によって各種の補正、クランプ等の処理が施される。撮像信号処理回路３０５から複数チャンネルで出力される撮像信号は、Ａ／Ｄ変換器３０６でアナログ−ディジタル変換される。Ａ／Ｄ変換器３０６から出力される画像データは、信号処理部３０７によって各種の補正、データ圧縮などがなされる。固体撮像装置３０４、撮像信号処理回路３０５、Ａ／Ｄ変換器３０６及び信号処理部３０７は、タイミング発生部３０８が発生するタイミング信号にしたがって動作する。 An optical image of the subject is formed on the imaging surface of the solid-state imaging device 304 by the lens 302. On the outside of the lens 302, a barrier 301 serving both as a protection function of the lens 302 and a main switch can be provided. The lens 302 can be provided with a diaphragm 303 for adjusting the amount of light emitted therefrom. The imaging signal output from the solid-state imaging device 304 through a plurality of channels is subjected to various corrections, clamping, and other processing by the imaging signal processing circuit 305. Imaging signals output from the imaging signal processing circuit 305 in a plurality of channels are analog-digital converted by an A / D converter 306. The image data output from the A / D converter 306 is subjected to various corrections, data compression, and the like by the signal processing unit 307. The solid-state imaging device 304, the imaging signal processing circuit 305, the A / D converter 306, and the signal processing unit 307 operate according to the timing signal generated by the timing generation unit 308.

ブロック３０５〜３０８は、固体撮像装置３０４と同一チップ上に形成されてもよい。撮像装置３００の各ブロックは、全体制御・演算部３０９によって制御される。撮像装置３００は、その他、画像データを一時的に記憶するためのメモリ部３１０、記録媒体への画像の記録又は読み出しのための記録媒体制御インターフェース（Ｉ／Ｆ）部３１１を備える。記録媒体３１２は、半導体メモリ等を含んで構成され、着脱が可能である。撮像装置３００は、外部コンピュータ等と通信するための外部インターフェース（Ｉ／Ｆ）部３１３を備えてもよい。 The blocks 305 to 308 may be formed on the same chip as the solid-state imaging device 304. Each block of the imaging apparatus 300 is controlled by the overall control / arithmetic unit 309. In addition, the imaging apparatus 300 includes a memory unit 310 for temporarily storing image data and a recording medium control interface (I / F) unit 311 for recording or reading an image on a recording medium. The recording medium 312 includes a semiconductor memory or the like and can be attached and detached. The imaging apparatus 300 may include an external interface (I / F) unit 313 for communicating with an external computer or the like.

次に、図３に示す撮像装置３００の動作について説明する。バリア３０１のオープンに応じて、メイン電源、コントロール系の電源、Ａ／Ｄ変換器３０６等の撮像系回路の電源が順にオンする。その後、露光量を制御するために、全体制御・演算部３０９が絞り３０３を開放にする。固体撮像装置３０４から出力された信号は、撮像信号処理回路３０５をスルーしてＡ／Ｄ変換器３０６へ提供される。Ａ／Ｄ変換器３０６は、その信号をＡ／Ｄ変換して信号処理部３０７に出力する。信号処理部３０７は、そのデータを処理して全体制御・演算部３０９に提供し、全体制御・演算部３０９において露出量を決定する演算を行う。全体制御・演算部３０９は、決定した露出量に基づいて絞り３０３を制御する。 Next, the operation of the imaging apparatus 300 illustrated in FIG. 3 will be described. In accordance with the opening of the barrier 301, the main power supply, the control system power supply, and the power supply of the imaging system circuit such as the A / D converter 306 are sequentially turned on. Thereafter, the overall control / arithmetic unit 309 opens the aperture 303 in order to control the exposure amount. The signal output from the solid-state imaging device 304 is provided to the A / D converter 306 through the imaging signal processing circuit 305. The A / D converter 306 performs A / D conversion on the signal and outputs the signal to the signal processing unit 307. The signal processing unit 307 processes the data and provides it to the overall control / arithmetic unit 309, and the overall control / arithmetic unit 309 performs an operation for determining the exposure amount. The overall control / calculation unit 309 controls the diaphragm 303 based on the determined exposure amount.

次に、全体制御・演算部３０９は、固体撮像装置３０４から出力され信号処理部３０７で処理された信号にから高周波成分を取り出して、高周波成分に基づいて被写体までの距離を演算する。その後、レンズ３０２を駆動して、合焦か否かを判断する。合焦していないと判断したときは、再びレンズ３０２を駆動し、距離を演算する。 Next, the overall control / calculation unit 309 extracts a high frequency component from the signal output from the solid-state imaging device 304 and processed by the signal processing unit 307, and calculates the distance to the subject based on the high frequency component. Thereafter, the lens 302 is driven to determine whether or not it is in focus. When it is determined that the subject is not in focus, the lens 302 is driven again to calculate the distance.

そして、合焦が確認された後に本露光が始まる。露光が終了すると、固体撮像装置３０４から出力された撮像信号は、撮像信号処理回路３０５において補正等がされ、Ａ／Ｄ変換器３０６でＡ／Ｄ変換され、信号処理部３０７で処理される。信号処理部３０７で処理された画像データは、全体制御・演算部３０９によりメモリ部３１０に蓄積される。 Then, after the in-focus state is confirmed, the main exposure starts. When the exposure is completed, the imaging signal output from the solid-state imaging device 304 is corrected in the imaging signal processing circuit 305, A / D converted by the A / D converter 306, and processed by the signal processing unit 307. The image data processed by the signal processing unit 307 is accumulated in the memory unit 310 by the overall control / calculation unit 309.

その後、メモリ部３１０に蓄積された画像データは、全体制御・演算部３０９の制御により記録媒体制御Ｉ／Ｆ部３１１を介して記録媒体３１２に記録される。また、画像データは、外部Ｉ／Ｆ部３１３を通してコンピュータ等に提供されて処理されうる。 Thereafter, the image data stored in the memory unit 310 is recorded on the recording medium 312 via the recording medium control I / F unit 311 under the control of the overall control / calculation unit 309. The image data can be provided to a computer or the like through the external I / F unit 313 and processed.

Claims

A method for manufacturing a solid-state imaging device having a separation region surrounding a photoelectric conversion unit in a semiconductor substrate,
A mask forming step of forming an ion implantation mask having an island-shaped shielding portion covering the photoelectric conversion portion on the semiconductor substrate;
An ion implantation step of forming the isolation region by implanting ions into the semiconductor substrate through at least the inclined side surface of the shielding part,
The manufacturing method according to claim 1, wherein the side surface is formed so that an area of the shielding portion decreases toward the upper side of the shielding portion.

2. The manufacturing method according to claim 1, wherein, in the ion implantation step, ions are implanted into the semiconductor substrate through the opening between the island-shaped shielding portions in the ion implantation mask together with the inclined side surface.

The mask forming step includes
Applying a resist material on the semiconductor substrate;
Patterning the applied resist material;
3. The method according to claim 1, further comprising: forming the ion implantation mask by performing a heat treatment on the patterned resist material. 4.

The depth from the surface of the said semiconductor substrate to the lower end of the said isolation | separation area | region is 0.8 micrometer or more, The manufacturing method of any one of Claim 1 thru | or 3 characterized by the above-mentioned.

The semiconductor substrate has a semiconductor region of a first conductivity type and a semiconductor region of a second conductivity type opposite to the first conductivity type located thereon,
The photoelectric conversion unit is included in the semiconductor region of the second conductivity type,
5. The isolation region according to claim 1, wherein the isolation region is a region having a higher concentration than the photoelectric conversion unit, which is formed so as to surround the photoelectric conversion unit in the semiconductor region of the second conductivity type. The manufacturing method of any one of Claims 1.