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JP2011069943A - Display device and electronic equipment - Google Patents

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JP2011069943A
JP2011069943A JP2009220079A JP2009220079A JP2011069943A JP 2011069943 A JP2011069943 A JP 2011069943A JP 2009220079 A JP2009220079 A JP 2009220079A JP 2009220079 A JP2009220079 A JP 2009220079A JP 2011069943 A JP2011069943 A JP 2011069943A
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JP
Japan
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potential
power supply
node
transistor
signal
Prior art date
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Pending
Application number
JP2009220079A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuo Yamamoto
哲郎 山本
Katsuhide Uchino
勝秀 内野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2009220079A priority Critical patent/JP2011069943A/en
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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Abstract

【課題】表示装置の画質を改善させる。
【解決手段】行単位に接続された複数の画素600における閾値補正準備期間が同時に開始される場合において、制御トランジスタ670は、電源線410における初期化電位(Vss)に基づいて第1ノード(ND1)650と電源線410との間を接続する。これにより、第1ノード(ND1)650の電位は低下する。次に、閾値補正準備期間において、走査線(WSL)210は、書込みトランジスタ610に行毎に異なるタイミングでオン電位(Von)を供給する。これにより、書込みトランジスタ610がオン状態となるため、第1ノード(ND1)650の電位が上昇する。この第1ノード(ND1)650の電位の上昇により駆動トランジスタが導通状態になることによって、発光素子の入力端子の電位は行毎に異なるタイミングで低下する。
【選択図】図14
An image quality of a display device is improved.
When a threshold correction preparation period for a plurality of pixels 600 connected in units of rows starts at the same time, a control transistor 670 uses a first node (ND1) based on an initialization potential (Vss) in a power supply line 410. ) Connect between 650 and the power supply line 410. As a result, the potential of the first node (ND1) 650 decreases. Next, in the threshold correction preparation period, the scanning line (WSL) 210 supplies the ON potential (Von) to the writing transistor 610 at a different timing for each row. Accordingly, the write transistor 610 is turned on, so that the potential of the first node (ND1) 650 increases. When the driving transistor is turned on by the increase in the potential of the first node (ND1) 650, the potential of the input terminal of the light-emitting element is decreased at a different timing for each row.
[Selection] Figure 14

Description

本発明は、表示装置に関し、特に発光素子を画素に用いた表示装置、および、その表示装置を備える電子機器に関する。   The present invention relates to a display device, and more particularly to a display device using a light-emitting element as a pixel and an electronic apparatus including the display device.

近年、発光素子として有機EL(Electroluminescence)素子を用いた平面自発光型の表示装置の開発が近年盛んに行われている。この有機EL素子を用いた表示装置においては、画素回路を構成する駆動トランジスタによって有機薄膜に印加する電界の制御を行うが、この駆動トランジスタが有する閾値電圧および移動度には個体ごとにばらつきがある。このため、これらの個体差を補正するための処理が必要となる。   In recent years, development of flat self-luminous display devices using organic EL (Electroluminescence) elements as light emitting elements has been actively conducted in recent years. In the display device using the organic EL element, the electric field applied to the organic thin film is controlled by the driving transistor constituting the pixel circuit. The threshold voltage and mobility of the driving transistor vary from individual to individual. . For this reason, a process for correcting these individual differences is required.

この駆動トランジスタの閾値電圧を補正する機能を備える表示装置として、画素回路を初期化した後に駆動トランジスタに電流を流して駆動トランジスタの閾値電圧を補正する機能を備える表示装置が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。この表示装置は、駆動トランジスタのゲート端子およびソース端子における電位を初期化した後に、ゲート・ソース間の電位差が閾値電圧を反映するまで電流を流すことによって、駆動トランジスタの閾値を補正する。   As a display device having a function of correcting the threshold voltage of the driving transistor, a display device having a function of correcting the threshold voltage of the driving transistor by supplying a current to the driving transistor after initializing the pixel circuit has been proposed (for example, , See Patent Document 1). In this display device, after initializing the potentials at the gate terminal and the source terminal of the driving transistor, the threshold value of the driving transistor is corrected by passing a current until the potential difference between the gate and the source reflects the threshold voltage.

特開2008−33193号公報(図3B)JP 2008-33193 A (FIG. 3B)

上述の従来技術では、画素回路を構成する駆動トランジスタの閾値電圧のばらつきを補正することができる。この場合、電源信号をスイッチングさせるため、電源信号を切り替えるためのドライバが1行ごとに必要となり、表示装置のコストが高くなる。これに対し、複数行ごとに電源信号を切り替える構成にすることによって、ドライバ数を削減することが考えられる。   In the above-described conventional technology, it is possible to correct the variation in the threshold voltage of the drive transistor that constitutes the pixel circuit. In this case, since the power supply signal is switched, a driver for switching the power supply signal is required for each row, which increases the cost of the display device. On the other hand, it is conceivable to reduce the number of drivers by adopting a configuration in which the power supply signal is switched every plural rows.

このような構成においては、有機EL素子のカソード電極が全画素回路によって共有されている。このため、電源信号が切り替わった時における各行の有機EL素子のアノード端子の電位の変動によって、有機EL素子の寄生容量を介して全画素回路が共有しているカソード電極の電位の変動を引き起こす。したがって、このような構成においては、電源信号が切り替わった時に複数行のカソード電極の電位変動が同時に起こることによって、全画素回路が共有している有機EL素子のカソード電極の電位が大きく変動するため、画質が低下してしまう。   In such a configuration, the cathode electrode of the organic EL element is shared by all pixel circuits. For this reason, fluctuations in the potential of the anode terminal of the organic EL elements in each row when the power supply signal is switched cause fluctuations in the potential of the cathode electrode shared by all the pixel circuits via the parasitic capacitance of the organic EL elements. Therefore, in such a configuration, the potential of the cathode electrodes of the organic EL elements shared by all the pixel circuits greatly fluctuates due to the potential fluctuation of the cathode electrodes in a plurality of rows occurring simultaneously when the power supply signal is switched. The image quality will be degraded.

そこで、本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、有機EL素子を用いた表示装置の画質を改善することを目的とする。   Therefore, the present invention has been made in view of such a situation, and an object thereof is to improve the image quality of a display device using an organic EL element.

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その第1の側面は、行単位に配置された複数の画素回路と、上記複数の画素回路が発光するための電源電位よりも低い電位の低電源電位を上記複数の画素回路に供給する電源線と、表示対象となる映像の情報を含む映像信号を上記複数の画素回路に供給するための走査信号を上記複数の画素回路に行毎に供給し、上記低電源電位が供給されているときにおいて上記走査信号の電位を他の行とは異なるタイミングでオン電位に遷移させる走査回路と
を具備し、上記複数の画素回路の各々は、上記映像信号に相当する電圧を保持する保持容量と、上記保持容量に保持された上記電圧に基づいて発光する発光素子と、上記電源線と上記保持容量の一端との間に接続されて、上記電源線に上記低電源電位が供給されているときに導通状態となり上記保持容量の一端の電位を低下させる接続素子と、上記発光素子を発光させるときに上記映像信号を上記保持容量に書き込み、上記電源線に上記低電源電位が供給されているときに上記オン電位に基づいて導通状態になることによって上記保持容量の一端の電位を上昇させる書込みトランジスタと、ゲート端子が上記保持容量の上記一端に接続されて、上記発光素子を発光させるときにゲートソース間電圧に応じて発光素子に電流を供給し、上記書込みトランジスタが上記導通状態になることによってゲート端子の電位を上昇させて上記発光素子の入力端子の電位を低下させる駆動トランジスタとを備える表示装置および電子機器である。これにより、接続素子により保持容量の一端の電位を低下させた後に、行毎に異なるタイミングで保持容量の一端の電位を上昇させて発光素子の入力端子の電位を低下させるという作用をもたらす。
The present invention has been made to solve the above problems, and a first aspect thereof includes a plurality of pixel circuits arranged in a row and a power supply potential for the plurality of pixel circuits to emit light. A power supply line for supplying a low power supply potential of a low potential to the plurality of pixel circuits, and a scanning signal for supplying a video signal including video information to be displayed to the plurality of pixel circuits to the plurality of pixel circuits. Each of the plurality of pixel circuits. The scanning circuit is provided for each row, and when the low power supply potential is supplied, the scanning circuit changes the potential of the scanning signal to the on potential at a timing different from that of the other rows. Is connected between a holding capacitor that holds a voltage corresponding to the video signal, a light emitting element that emits light based on the voltage held in the holding capacitor, and the power line and one end of the holding capacitor. Above the power line A connection element that becomes conductive when a low power supply potential is supplied and lowers the potential of one end of the storage capacitor; and the video signal is written to the storage capacitor when the light emitting element emits light; A writing transistor that raises the potential of one end of the storage capacitor by becoming conductive based on the on-potential when a low power supply potential is supplied; and a gate terminal connected to the one end of the storage capacitor; When the light emitting element emits light, a current is supplied to the light emitting element according to a gate-source voltage, and the writing transistor is turned on to increase the potential of the gate terminal, thereby causing the potential of the input terminal of the light emitting element. A display device and an electronic device including a driving transistor for reducing the resistance. Thus, after the potential at one end of the storage capacitor is lowered by the connecting element, the potential at one end of the storage capacitor is increased at different timings for each row, thereby lowering the potential of the input terminal of the light emitting element.

また、この第1の側面において、複数の画素回路に対して複数の行ごとに同じ上記低電源電位を供給する電源供給回路をさらに具備するようにしてもよい。これにより、同じ電源線を共有する行において、接続素子により保持容量の一端の電位を低下させた後に、行毎に異なるタイミングで保持容量の一端の電位を上昇させて発光素子の入力端子の電位を低下させるという作用をもたらす。   In the first aspect, a power supply circuit that supplies the same low power supply potential to a plurality of pixel circuits for each of a plurality of rows may be further provided. As a result, in a row sharing the same power supply line, after the potential of one end of the storage capacitor is lowered by the connecting element, the potential of one end of the storage capacitor is increased at a different timing for each row to thereby increase the potential of the input terminal of the light emitting element. It brings about the effect of lowering.

また、この第1の側面において、上記接続素子は、ドレイン端子が上記電源線に接続されて、ソース端子が上記保持容量の一端に接続されるトランジスタにより構成されるようにしてもよい。これにより、トランジスタにより保持容量の一端の電位を低下させるという作用をもたらす。この場合において、上記接続素子を構成する上記トランジスタは、当該トランジスタのゲート端子を当該トランジスタの上記ソース端子にダイオード接続するようにしてもよい。これにより、ダイオード接続されたトランジスタにより保持容量の一端の電位を低下させるという作用をもたらす。この場合において、上記接続素子を構成する上記トランジスタを導通状態にする接続制御信号を当該トランジスタのゲート端子に供給する制御回路をさらに具備し、上記接続素子を構成する上記トランジスタは、上記接続制御信号と上記低電源電位とに基づいて上記保持容量の一端の電位を低下させるようにしてもよい。これにより、制御回路から供給される接続制御信号により制御されるトランジスタにより保持容量の一端の電位を低下させるという作用をもたらす。   In the first aspect, the connection element may be configured by a transistor having a drain terminal connected to the power supply line and a source terminal connected to one end of the storage capacitor. This brings about the effect that the potential of one end of the storage capacitor is lowered by the transistor. In this case, the transistor constituting the connection element may be diode-connected to the gate terminal of the transistor to the source terminal of the transistor. As a result, the potential of one end of the storage capacitor is lowered by the diode-connected transistor. In this case, the semiconductor device further includes a control circuit that supplies a connection control signal for turning on the transistor constituting the connection element to the gate terminal of the transistor, and the transistor constituting the connection element includes the connection control signal. And the potential of one end of the storage capacitor may be lowered based on the low power supply potential. This brings about the effect that the potential of one end of the storage capacitor is lowered by the transistor controlled by the connection control signal supplied from the control circuit.

また、この第1の側面において、上記走査回路は、上記発光素子が発光する期間において、上記低電源電位が供給されているときに上記書込みトランジスタを非導通状態にする信号と比べて高い電位の信号を上記書込みトランジスタに供給するようにしてもよい。これにより、発光素子が発光する期間において、低電源電位が供給されているときに書込みトランジスタを非導通状態にする信号と比べて高い電位の信号で書込みトランジスタを非導通状態にさせるという作用をもたらす。   In the first aspect, the scanning circuit has a potential higher than that of a signal that makes the writing transistor non-conductive when the low power supply potential is supplied during a period in which the light emitting element emits light. A signal may be supplied to the write transistor. As a result, during the period in which the light emitting element emits light, the write transistor is brought into a non-conductive state with a signal having a higher potential than the signal for making the write transistor non-conductive when a low power supply potential is supplied. .

本発明によれば、有機EL素子を用いた表示装置の画質を改善することができるという優れた効果を奏し得る。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the outstanding effect that the image quality of the display apparatus using an organic EL element can be improved can be show | played.

本発明の基礎となる表示装置の一構成例を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the example of 1 structure of the display apparatus used as the foundation of this invention. 本発明の基礎となる表示装置100の基本動作の一例に関するタイミングチャートである。It is a timing chart regarding an example of the basic operation of the display apparatus 100 which is the basis of the present invention. 本発明の基礎となる画素600の構成例を模式的に示す回路図である。It is a circuit diagram which shows typically the structural example of the pixel 600 used as the foundation of this invention. 図3の構成における画素600の基本動作の一例に関するタイミングチャートである。4 is a timing chart regarding an example of a basic operation of the pixel 600 in the configuration of FIG. 3. TP8、TP1、TP2の期間にそれぞれ対応する画素600の動作状態を模式的に示す回路図である。It is a circuit diagram showing typically the operation state of pixel 600 corresponding to each period of TP8, TP1, and TP2. TP3乃至TP5の期間にそれぞれ対応する画素600の動作状態を模式的に示す回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram schematically showing an operation state of a pixel 600 corresponding to each period of TP3 to TP5. TP6乃至TP8の期間にそれぞれ対応する画素600の動作状態を模式的に示す回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram schematically showing an operation state of a pixel 600 corresponding to a period from TP6 to TP8. 本発明の基礎となる表示装置における閾値補正準備期間TP3において第2ノード660の電位の急激な低下に従ってカソード電極690の電位が低下する画素600の動作の一例を示すタイミングチャートである。10 is a timing chart showing an example of the operation of the pixel 600 in which the potential of the cathode electrode 690 decreases as the potential of the second node 660 decreases rapidly in the threshold value correction preparation period TP3 in the display device that is the basis of the present invention. カソード電極690の電位の低下が複数の画素600において同時に生じた場合におけるカソード電極690の電位の低下の一例を示すタイミングチャートである。10 is a timing chart showing an example of a potential decrease of the cathode electrode 690 when a decrease in potential of the cathode electrode 690 occurs simultaneously in a plurality of pixels 600. 図3の構成の画素600においてカソード電極690の電位変化が発生する表示装置100の一動作例に関するタイミングチャートである。4 is a timing chart regarding an operation example of the display device 100 in which a potential change of a cathode electrode 690 occurs in the pixel 600 having the configuration of FIG. 3. 図3の構成の画素600におけるカソード電極690の電位の低下により画素600の発光が明るくなる場合における画素600の動作の一例を示すタイミングチャートである。4 is a timing chart showing an example of the operation of the pixel 600 when light emission of the pixel 600 becomes bright due to a decrease in the potential of the cathode electrode 690 in the pixel 600 having the configuration of FIG. 3. 図3の構成の画素600におけるカソード電極690の電位変化により画素600の発光が暗くなる場合における画素600の動作の一例を示すタイミングチャートである。4 is a timing chart showing an example of the operation of the pixel 600 when the light emission of the pixel 600 becomes dark due to the potential change of the cathode electrode 690 in the pixel 600 having the configuration of FIG. 3. 図3の構成の画素600におけるカソード電極690の電位変化が図11および図12において示したように、画素600の動作に影響を与える場合における表示装置100に表示される表示画像に関する図である13 is a diagram related to a display image displayed on the display device 100 when the potential change of the cathode electrode 690 in the pixel 600 having the configuration of FIG. 3 affects the operation of the pixel 600 as illustrated in FIGS. 本発明の第1の実施の形態における画素600の構成例を模式的に示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram schematically illustrating a configuration example of a pixel 600 according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施の形態における画素600の基本動作の一例に関するタイミングチャートである。5 is a timing chart relating to an example of a basic operation of the pixel 600 according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施の形態における閾値補正準備期間TP3−1乃至3−3の期間にそれぞれ対応する画素600の動作状態を模式的に示す回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram schematically showing an operation state of a pixel 600 corresponding to each of threshold correction preparation periods TP3-1 to 3-3 in the first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施の形態における電源線を共有する複数の走査線(WSL)211乃至213の走査信号に起因して発生するカソード電極690の電位変化の一例に関するタイミングチャートである。6 is a timing chart relating to an example of a potential change of the cathode electrode 690 generated due to scanning signals of a plurality of scanning lines (WSL) 211 to 213 sharing a power supply line in the first embodiment of the present invention. 本発明の第2の実施の形態における表示装置100の一構成例を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows one structural example of the display apparatus 100 in the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施の形態における画素600の基本動作の一例に関するタイミングチャートである。It is a timing chart regarding an example of basic operation of pixel 600 in a 2nd embodiment of the present invention. 本発明の第2の実施の形態における閾値補正準備期間TP3−1乃至3−3の期間にそれぞれ対応する画素600の動作状態を模式的に示す回路図である。It is a circuit diagram which shows typically the operation state of the pixel 600 each corresponding to the period of threshold value correction preparation period TP3-1 to 3-3 in the 2nd Embodiment of this invention. 実際の回路における本発明の第1および第2の実施の形態の画素600の発光期間TP8の動作状態を模式的に示す回路図である。It is a circuit diagram which shows typically the operation state of light emission period TP8 of the pixel 600 of the 1st and 2nd embodiment of this invention in an actual circuit. 本発明の第3の実施の形態における画素600の基本動作の一例に関するタイミングチャートである。It is a timing chart regarding an example of basic operation of pixel 600 in a 3rd embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態のテレビジョンセットへの適用例である。This is an application example of the embodiment of the present invention to a television set. 本発明の実施の形態のデジタルスチルカメラへの適用例である。This is an application example of the embodiment of the present invention to a digital still camera. 本発明の実施の形態のノート型パーソナルコンピュータへの適用例である。This is an example of application of the embodiment of the present invention to a notebook personal computer. 本発明の実施の形態の携帯端末装置への適用例である。This is an application example of the embodiment of the present invention to a mobile terminal device. 本発明の実施の形態のビデオカメラへの適用例である。This is an application example of the embodiment of the present invention to a video camera.

以下、本発明を実施するための形態(以下、実施の形態と称する)について説明する。説明は以下の順序により行う。
1.本発明の基礎となる表示装置(表示制御:電源線共用化による表示装置の基本動作の例)
2.第1の実施の形態(表示制御:画素に制御トランジスタを設けた例)
3.第2の実施の形態(表示制御:制御トランジスタを制御する制御補助スキャナを設けた例)
4.第3の実施の形態(表示制御:走査線の走査信号を3値化した例)
5.本発明の適用例(表示制御:電子機器の例)
Hereinafter, modes for carrying out the present invention (hereinafter referred to as embodiments) will be described. The description will be made in the following order.
1. Display device as a basis of the present invention (display control: example of basic operation of display device by sharing power line)
2. First embodiment (display control: an example in which a control transistor is provided in a pixel)
3. Second embodiment (display control: an example in which a control auxiliary scanner for controlling a control transistor is provided)
4). Third embodiment (display control: an example in which a scanning signal of a scanning line is ternarized)
5). Application example of the present invention (display control: example of electronic equipment)

<1.本発明の基礎となる表示装置>
[表示装置の構成例]
図1は、本発明の基礎となる表示装置の一構成例を示す概念図である。
<1. Display device that is the basis of the present invention>
[Configuration example of display device]
FIG. 1 is a conceptual diagram showing a configuration example of a display device that is the basis of the present invention.

表示装置100は、ライトスキャナ(WSCN:Write SCaNner)200と、水平セレクタ(HSEL:Horizontal SELector)300と、電源スキャナ(DSCN:Drive SCaNner)400とを備える。また、この表示装置100は、画素アレイ部500と、タイミング生成部700とを備える。画素アレイ部500は、n×mの二次元マトリックス状に配列された複数の画素600を備える。   The display device 100 includes a write scanner (WSCN: Write SCaNner) 200, a horizontal selector (HSEL: Horizontal SELector) 300, and a power supply scanner (DSCN: Drive SCaNner) 400. The display device 100 includes a pixel array unit 500 and a timing generation unit 700. The pixel array unit 500 includes a plurality of pixels 600 arranged in an n × m two-dimensional matrix.

表示装置100には、画素600と電源スキャナ(DSCN)400との間を接続する電源線(DSL:Drive Scan Line)410が設けられている。また、表示装置100には、画素600とライトスキャナ(WSCN)200との間を接続する走査線(WSL:Write Scan Line)210が設けられている。さらに、表示装置100には、画素600と水平セレクタ(HSEL)300との間を接続するデータ線(DTL:DaTa Line)310が設けられている。   The display device 100 is provided with a power supply line (DSL: Drive Scan Line) 410 that connects between the pixel 600 and a power supply scanner (DSCN) 400. In addition, the display device 100 is provided with a scan line (WSL: Write Scan Line) 210 that connects between the pixel 600 and a write scanner (WSCN) 200. Further, the display device 100 is provided with a data line (DTL: DaTa Line) 310 that connects between the pixel 600 and a horizontal selector (HSEL) 300.

表示装置100には、電源スキャナ(DSCN)200とタイミング生成部700との間を接続するスタートパルス線(SPL:Start Pulse Line)711およびクロックパルス線(CKL:ClocK pulse Line)721がそれぞれ設けられている。また、表示装置100には、水平セレクタ(HSEL)300とタイミング生成部700との間を接続するスタートパルス線(SPL)712、クロックパルス線(CKL)722、および、映像信号線730がそれぞれ設けられている。さらに、表示装置100には、ライトスキャナ(WSCN)400とタイミング生成部700との間を接続するスタートパルス線(SPL)713およびクロックパルス線(CKL)723が設けられている。   The display device 100 is provided with a start pulse line (SPL) 711 and a clock pulse line (CKL: ClocK pulse Line) 721 that connect between the power supply scanner (DSCN) 200 and the timing generator 700. ing. Further, the display device 100 is provided with a start pulse line (SPL) 712, a clock pulse line (CKL) 722, and a video signal line 730 that connect the horizontal selector (HSEL) 300 and the timing generator 700, respectively. It has been. Further, the display device 100 is provided with a start pulse line (SPL) 713 and a clock pulse line (CKL) 723 that connect the write scanner (WSCN) 400 and the timing generator 700.

タイミング生成部700は、画素600において表示する映像信号に基づいて、画素600の発光を開始するためのスタートパルス、および、画素600を発光させるための各信号の同期を取るためのクロックパルスを生成するものである。このタイミング生成部700は、スタートパルス線(SPL)711およびクロックパルス線(CKL)721を介して電源スキャナ(DSCN)200の動作に対するスタートパルスおよびクロックパルスを電源スキャナ(DSCN)200に供給する。   The timing generation unit 700 generates a start pulse for starting the light emission of the pixel 600 and a clock pulse for synchronizing each signal for causing the pixel 600 to emit light based on the video signal displayed on the pixel 600. To do. The timing generator 700 supplies a start pulse and a clock pulse for the operation of the power scanner (DSCN) 200 to the power scanner (DSCN) 200 via a start pulse line (SPL) 711 and a clock pulse line (CKL) 721.

さらに、このタイミング生成部700は、スタートパルス線(SPL)712およびクロックパルス線(CKL)722を介して、水平セレクタ(HSEL)300の動作に対するスタートパルスおよびクロックパルスを水平セレクタ(HSEL)300に供給する。また、タイミング生成部700は、映像信号線730を介して水平セレクタ(HSEL)300に映像信号を供給する。また、このタイミング生成部700は、スタートパルス線(SPL)713およびクロックパルス線(CKL)723を介して、ライトスキャナ(WSCN)400の動作に対するスタートパルスおよびクロックパルスをライトスキャナ(WSCN)400に供給する。   Further, the timing generation unit 700 sends a start pulse and a clock pulse for the operation of the horizontal selector (HSEL) 300 to the horizontal selector (HSEL) 300 via the start pulse line (SPL) 712 and the clock pulse line (CKL) 722. Supply. The timing generation unit 700 supplies a video signal to the horizontal selector (HSEL) 300 via the video signal line 730. In addition, the timing generation unit 700 sends a start pulse and a clock pulse for the operation of the write scanner (WSCN) 400 to the write scanner (WSCN) 400 via the start pulse line (SPL) 713 and the clock pulse line (CKL) 723. Supply.

ライトスキャナ(WSCN)200は、画素600を線順次走査するものである。このライトスキャナ(WSCN)200は、データ線(DTL)310から供給されるデータ信号を画素600に書き込むタイミングを行単位により制御する。このライトスキャナ(WSCN)200は、データ信号を書き込むためのオン電位、データ信号の書き込みを停止させるためのオフ電位を走査信号として生成する。このライトスキャナ(WSCN)200は、スタートパルス線(SPL)711を介して供給されるスタートパルスに基づいて走査信号を生成する。また、ライトスキャナ(WSCN)200は、その生成した走査信号を走査線(WSL)210に供給する。なお、このライトスキャナ(WSCN)200は、特許請求の範囲に記載の走査回路の一例である。   The write scanner (WSCN) 200 scans the pixels 600 line-sequentially. The write scanner (WSCN) 200 controls the timing of writing the data signal supplied from the data line (DTL) 310 to the pixel 600 in units of rows. The write scanner (WSCN) 200 generates an ON potential for writing a data signal and an OFF potential for stopping the writing of the data signal as scanning signals. The write scanner (WSCN) 200 generates a scanning signal based on a start pulse supplied via a start pulse line (SPL) 711. The write scanner (WSCN) 200 supplies the generated scanning signal to the scanning line (WSL) 210. The write scanner (WSCN) 200 is an example of a scanning circuit described in the claims.

このライトスキャナ(WSCN)200は、画素600の各行にそれぞれ対応するドライバ201乃至205を備える。このドライバ201乃至205は、それぞれに対応する各行の画素600に対して、データ線(DTL)310から供給されるデータ信号を書き込むための走査信号を生成する。そして、このドライバ201乃至205は、その生成された走査信号を走査線(WSL)211乃至215にそれぞれ供給する。   The write scanner (WSCN) 200 includes drivers 201 to 205 corresponding to the respective rows of the pixels 600. The drivers 201 to 205 generate scanning signals for writing data signals supplied from the data lines (DTL) 310 to the pixels 600 in the corresponding rows. The drivers 201 to 205 supply the generated scanning signals to the scanning lines (WSL) 211 to 215, respectively.

水平セレクタ(HSEL)300は、映像信号の電位と、画素600を構成する駆動トランジスタの閾値電圧に対する補正(閾値補正)を行うための基準信号の電位と、画素600を消光させるための消光信号の電位(消光電位)とのいずれかを選択するものである。また、水平セレクタ(HSEL)300は、ライトスキャナ(WSCN)200による線順次走査に合わせてデータ信号を切り替える。この水平セレクタ(HSEL)300は、スタートパルス線(SPL)712を介して供給されるスタートパルスに基づいてデータ信号を生成する。また、水平セレクタ(HSEL)300は、その生成したデータ信号をデータ線(DTL)310に供給する。   The horizontal selector (HSEL) 300 includes a potential of a video signal, a potential of a reference signal for performing correction (threshold correction) on a threshold voltage of a driving transistor included in the pixel 600, and a quenching signal for quenching the pixel 600. One of potential (quenching potential) is selected. The horizontal selector (HSEL) 300 switches data signals in accordance with line sequential scanning by the write scanner (WSCN) 200. The horizontal selector (HSEL) 300 generates a data signal based on a start pulse supplied via a start pulse line (SPL) 712. The horizontal selector (HSEL) 300 supplies the generated data signal to the data line (DTL) 310.

電源スキャナ(DSCN)400は、ライトスキャナ(WSCN)200による線順次走査に合わせて電源電位と画素600を初期化するための初期化電位とを切り替えて電源信号として電源線(DSL)210に供給するものである。この電源スキャナ(DSCN)400は、スタートパルス線(SPL)713を介して供給されるスタートパルスに基づいて電源信号を生成する。なお、この電源スキャナ(DSCN)400は、特許請求の範囲に記載の電源供給回路の一例である。   The power supply scanner (DSCN) 400 switches between a power supply potential and an initialization potential for initializing the pixels 600 in accordance with the line sequential scanning by the write scanner (WSCN) 200 and supplies the power supply signal to the power supply line (DSL) 210 as a power supply signal. To do. The power scanner (DSCN) 400 generates a power signal based on a start pulse supplied via a start pulse line (SPL) 713. The power scanner (DSCN) 400 is an example of a power supply circuit described in the claims.

この電源スキャナ(DSCN)400は、複数行(j行)ごとにそれぞれ対応するドライバ401乃至403を備える。このドライバ401乃至403は、それぞれに対応する一定数の行の画素600に対する電源信号を生成する。このドライバ401乃至403は、その生成された電源信号を電源線(DSL)411乃至413にそれぞれ供給する。すなわち、この電源線(DSL)411乃至413は、複数の画素600に対して複数行(j行)ごとに同じ電源電位を供給する。なお、電源線(DSL)411乃至413は、特許請求の範囲に記載の電源線の一例である。   The power supply scanner (DSCN) 400 includes drivers 401 to 403 respectively corresponding to a plurality of rows (j rows). The drivers 401 to 403 generate power supply signals for pixels 600 in a certain number of rows corresponding to the drivers 401 to 403, respectively. The drivers 401 to 403 supply the generated power supply signals to power supply lines (DSL) 411 to 413, respectively. That is, the power supply lines (DSL) 411 to 413 supply the same power supply potential to the plurality of pixels 600 for each of a plurality of rows (j rows). Note that the power supply lines (DSL) 411 to 413 are examples of the power supply lines described in the claims.

画素600は、走査線(WSL)210からの走査信号に基づいて、データ線(DTL)310からの映像信号の電位を保持してその保持した電位に応じて所定の期間発光するものである。なお、この画素600は、特許請求の範囲に記載の画素回路の一例である。   The pixel 600 holds the potential of the video signal from the data line (DTL) 310 based on the scanning signal from the scanning line (WSL) 210 and emits light for a predetermined period according to the held potential. The pixel 600 is an example of a pixel circuit described in the claims.

このように、電源スキャナ(DSCN)400は、複数行の画素600ごとに同じ電源信号を供給することによって、電源スキャナ(DSCN)400のドライバの数を削減することができる。これにより、表示装置100の製造コストを削減することができる。   As described above, the power supply scanner (DSCN) 400 can reduce the number of drivers of the power supply scanner (DSCN) 400 by supplying the same power supply signal to the pixels 600 in a plurality of rows. Thereby, the manufacturing cost of the display apparatus 100 can be reduced.

[表示装置の基本動作の例]
図2は、本発明の基礎となる表示装置100の基本動作の一例に関するタイミングチャートである。ここでは、横軸を共通の時間軸として、電源線(DSL)411および412と、データ線(DTL)310と、走査線(WSL)211乃至214との電位変化が示されている。
[Example of basic operation of display device]
FIG. 2 is a timing chart relating to an example of a basic operation of the display device 100 as the basis of the present invention. Here, potential changes of the power supply lines (DSL) 411 and 412, the data line (DTL) 310, and the scanning lines (WSL) 211 to 214 are shown with the horizontal axis as a common time axis.

データ線(DTL)310の電位変化は、水平セレクタ(HSEL)300により生成されたデータ信号の電位変化である。電源線(DSL)411および412の電位変化は、電源スキャナ(DSCN)400におけるドライバ401および402により生成された電源信号の電位変化である。   The potential change of the data line (DTL) 310 is a potential change of the data signal generated by the horizontal selector (HSEL) 300. A change in potential of the power supply lines (DSL) 411 and 412 is a change in potential of the power supply signal generated by the drivers 401 and 402 in the power supply scanner (DSCN) 400.

走査線(WSL)211乃至214は、ライトスキャナ(WSCN)200におけるドライバ201乃至204によりそれぞれ生成された走査信号の電位変化である。この走査線(WSL)211乃至214には、走査信号として、少なくともオン電位(Von)およびオフ電位(Voff)のいずれか1つの電位が供給される。図2では一例として、この走査線(WSL)211乃至214には、それぞれ3つのパルス221乃至223が供給される。   Scanning lines (WSL) 211 to 214 are potential changes of scanning signals generated by the drivers 201 to 204 in the write scanner (WSCN) 200, respectively. The scanning lines (WSL) 211 to 214 are supplied with at least one of an on potential (Von) and an off potential (Voff) as a scanning signal. In FIG. 2, as an example, three pulses 221 to 223 are supplied to the scanning lines (WSL) 211 to 214, respectively.

1つ目のパルス221は、画素600の発光を消光させるために消光信号の電位(Vers)を画素600に与えるためのパルスである。2つ目のパルス222は、閾値補正のために基準信号の電位(Vofs)を画素600に与えるためのパルスである。3つ目のパルス223は、画素600を構成する駆動トランジスタの移動度に対する補正を行うとともに映像信号(Vsig)を書き込むためのパルスである。また、走査線(WSL2)212には、走査線(WSL1)211を基準として1H(水平走査期間)後にそれぞれのパルスが供給される。また、ここでは図示していないが、走査線(WSL2)212の1行下の走査線には、走査線(WSL2)212を基準として1H後にそれぞれのパルスが供給される。   The first pulse 221 is a pulse for applying the extinction signal potential (Vers) to the pixel 600 in order to extinguish the light emission of the pixel 600. The second pulse 222 is a pulse for applying the potential (Vofs) of the reference signal to the pixel 600 for threshold correction. The third pulse 223 is a pulse for correcting the mobility of the driving transistor constituting the pixel 600 and writing the video signal (Vsig). Further, each pulse is supplied to the scanning line (WSL2) 212 after 1H (horizontal scanning period) with respect to the scanning line (WSL1) 211. Further, although not shown here, each pulse is supplied to the scanning line one row below the scanning line (WSL2) 212 after 1H with reference to the scanning line (WSL2) 212.

この場合、走査線(WSL)211乃至213に接続されている画素600に電源線(DSL)411の電源信号が同時に印加され、走査線(WSL)214に接続されている画素600に電源線(DSLj+1)412の電源信号が印加される。   In this case, the power supply signal of the power supply line (DSL) 411 is simultaneously applied to the pixels 600 connected to the scanning lines (WSL) 211 to 213, and the power supply line (DSL) is connected to the pixels 600 connected to the scanning lines (WSL) 214. DSLj + 1) 412 is applied.

[画素の構成例]
図3は、本発明の基礎となる画素600の構成例を模式的に示す回路図である。画素600は、書込みトランジスタ610と、駆動トランジスタ620と、保持容量630と、発光素子640とを備える。ここでは、書込みトランジスタ610および駆動トランジスタ620がそれぞれnチャンネル型トランジスタである場合を想定する。
[Pixel configuration example]
FIG. 3 is a circuit diagram schematically showing a configuration example of the pixel 600 that is the basis of the present invention. The pixel 600 includes a writing transistor 610, a driving transistor 620, a storage capacitor 630, and a light emitting element 640. Here, it is assumed that the write transistor 610 and the drive transistor 620 are n-channel transistors.

書込みトランジスタ610のゲート端子およびドレイン端子には、それぞれ走査線(WSL)210およびデータ線(DTL)310が接続される。また、書込みトランジスタ610の一端には、保持容量630の一方の電極および駆動トランジスタ620のゲート端子(g)が接続される。ここでは、この接続部位を第1ノード(ND1)650とする。駆動トランジスタ620のドレイン端子(d)には、電源線(DSL)410が接続され、駆動トランジスタ620のソース端子(s)には、保持容量630の他方の電極および発光素子640の入力端子が接続される。ここでは、この接続部位を第2ノード(ND2)660とする。また、発光素子640の出力端子には、カソード電極690が接続される。   A scanning line (WSL) 210 and a data line (DTL) 310 are connected to a gate terminal and a drain terminal of the writing transistor 610, respectively. One end of the writing transistor 610 is connected to one electrode of the storage capacitor 630 and the gate terminal (g) of the driving transistor 620. Here, this connection part is referred to as a first node (ND1) 650. The power supply line (DSL) 410 is connected to the drain terminal (d) of the driving transistor 620, and the other electrode of the storage capacitor 630 and the input terminal of the light emitting element 640 are connected to the source terminal (s) of the driving transistor 620. Is done. Here, this connection part is referred to as a second node (ND2) 660. A cathode electrode 690 is connected to the output terminal of the light emitting element 640.

書込みトランジスタ610は、走査線(WSL)210の走査信号に従って、データ線(DTL)310からのデータ信号を保持容量630に書き込むものである。この書込みトランジスタ610は、発光素子640を発光させるための電圧を保持容量630に加えるために、保持容量630の一方の電極にデータ信号の電位を与える。   The write transistor 610 writes a data signal from the data line (DTL) 310 to the storage capacitor 630 in accordance with the scanning signal of the scanning line (WSL) 210. The writing transistor 610 applies a potential of a data signal to one electrode of the storage capacitor 630 in order to apply a voltage for causing the light emitting element 640 to emit light to the storage capacitor 630.

この書込みトランジスタ610は、保持容量630に対して、閾値補正により基準信号の電位(Vofs)に基づいて閾値電圧を保持させた後に、映像信号に相当する電圧を書き込む。また、この書込みトランジスタ610は、保持容量630の一方の電極に消光信号の電位(Vers)を与える。すなわち、この書込みトランジスタ610は、発光素子640を発光させるための駆動電流の供給を停止させるために、駆動トランジスタ620のゲート端子に消光信号の電位(Vers)を与える。なお、書込みトランジスタ610は、特許請求の範囲に記載の書込みトランジスタの一例である。   The write transistor 610 holds the threshold voltage in the holding capacitor 630 by threshold correction based on the potential (Vofs) of the reference signal, and then writes a voltage corresponding to the video signal. In addition, the writing transistor 610 applies an extinction signal potential (Vers) to one electrode of the storage capacitor 630. That is, the writing transistor 610 applies a quenching signal potential (Vers) to the gate terminal of the driving transistor 620 in order to stop the supply of the driving current for causing the light emitting element 640 to emit light. Note that the write transistor 610 is an example of a write transistor described in the claims.

駆動トランジスタ620は、電源線(DSL)410から電源電位(Vcc)が加えられた状態で、映像信号の電位に応じて保持容量630に保持されている電圧に基づく駆動電流を発光素子640に出力するものである。また、この駆動トランジスタ620は、書込みトランジスタ610により、そのゲート端子に与えられた消光信号の電位(Vers)によって、発光素子640への駆動電流の供給を停止する。なお、駆動トランジスタ620は、特許請求の範囲に記載の駆動トランジスタの一例である。   The drive transistor 620 outputs a drive current based on the voltage held in the holding capacitor 630 to the light emitting element 640 in accordance with the potential of the video signal in a state where the power supply potential (Vcc) is applied from the power supply line (DSL) 410. To do. In addition, the driving transistor 620 stops the supply of the driving current to the light emitting element 640 according to the potential (Vers) of the extinction signal given to the gate terminal by the writing transistor 610. The drive transistor 620 is an example of a drive transistor described in the claims.

保持容量630は、書込みトランジスタ610によって与えられたデータ信号に相当する電圧を保持するものである。この保持容量630は、例えば、書込みトランジスタ610によって書き込まれた映像信号に相当する電圧を保持する。なお、保持容量630は、特許請求の範囲に記載の保持容量の一例である。   The storage capacitor 630 holds a voltage corresponding to the data signal provided by the write transistor 610. For example, the storage capacitor 630 holds a voltage corresponding to the video signal written by the write transistor 610. The storage capacitor 630 is an example of a storage capacitor described in the claims.

発光素子640は、駆動トランジスタ620から供給された駆動電流の大きさに応じて発光するものである。この発光素子640は、例えば、有機EL素子により実現することができる。また、発光素子640は、出力端子がカソード電極690に接続されている。このカソード電極690からは、発光素子の基準電位としてカソード電位(Vcat)が供給されている。このカソード電極690は、表示装置100における全ての画素で共通の線であり、表示装置100にける全ての画素の発光素子640の出力端子に接続されている。なお、発光素子640は、特許請求の範囲に記載の発光素子の一例である。   The light emitting element 640 emits light according to the magnitude of the drive current supplied from the drive transistor 620. The light emitting element 640 can be realized by, for example, an organic EL element. The light emitting element 640 has an output terminal connected to the cathode electrode 690. From the cathode electrode 690, a cathode potential (Vcat) is supplied as a reference potential of the light emitting element. The cathode electrode 690 is a common line for all the pixels in the display device 100, and is connected to the output terminal of the light emitting element 640 of all the pixels in the display device 100. Note that the light-emitting element 640 is an example of a light-emitting element described in the claims.

なお、この例では、書込みトランジスタ610および駆動トランジスタ620がそれぞれnチャンネル型トランジスタである場合を想定したが、この組み合わせに限られるものではない。また、これらのトランジスタは、エンハンスメント型のものでもよく、デプレッション型やデュアルゲート型のものでもよい。   In this example, it is assumed that the write transistor 610 and the drive transistor 620 are n-channel transistors, but the present invention is not limited to this combination. Further, these transistors may be enhancement type transistors, depletion type transistors, or dual gate transistors.

[画素の基本動作の例]
図4は、図3の構成における画素600の基本動作の一例に関するタイミングチャートである。このタイミングチャートには、横軸を共通の時間軸として、走査線(WSL)210、データ線(DTL)310、電源線(DSL)410、第1ノード(ND1)650、第2ノード(ND2)660およびカソード電極690の電位変化が示されている。ここでは、第2ノード(ND2)660の電位変化が点線により示され、それ以外の電位変化が実線により示されている。なお、各期間を示す横軸の長さは模式的なものであり、各期間の時間長の割合を示すものではない。
[Example of basic pixel operation]
FIG. 4 is a timing chart regarding an example of a basic operation of the pixel 600 in the configuration of FIG. In this timing chart, the horizontal axis is a common time axis, the scanning line (WSL) 210, the data line (DTL) 310, the power supply line (DSL) 410, the first node (ND1) 650, the second node (ND2). The potential change of 660 and cathode electrode 690 is shown. Here, the potential change of the second node (ND2) 660 is indicated by a dotted line, and other potential changes are indicated by a solid line. In addition, the length of the horizontal axis indicating each period is a schematic one and does not indicate the ratio of the time length of each period.

このタイミングチャートでは、画素600の動作の遷移をTP1からTP8の期間に便宜的に区切っている。発光期間TP8では、発光素子640は発光状態にある。発光期間TP8の終了直前において、走査線(WSL)210の走査信号はオフ電位(Voff)に、データ線(DTL)310は消光信号の電位(Vers)に設定されている。また、電源線(DSL)410の電源信号は電源電位(Vcc)に設定されている。   In this timing chart, the operation transition of the pixel 600 is divided into periods TP1 to TP8 for convenience. In the light emission period TP8, the light emitting element 640 is in a light emitting state. Immediately before the end of the light emission period TP8, the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 is set to the off potential (Voff), and the data line (DTL) 310 is set to the potential of the quenching signal (Vers). The power signal of the power line (DSL) 410 is set to the power supply potential (Vcc).

この後、線順次走査の新しいフィールドに入り、消光期間TP1では、走査線(WSL)210の走査信号がオフ電位(Voff)からオン電位(Von)に切り替えられる。これにより、第1ノード(ND1)650の電位が消光信号の電位(Vers)まで低下することに伴い、発光素子640への駆動電流の供給が停止される。そして保持容量630によるカップリングの影響を受けることにより第2ノード(ND2)660の電位も発光素子640の閾値電圧とカソード電位の和(Vthel+Vcat)に低下し始める。   Thereafter, a new field of line sequential scanning is entered, and in the extinction period TP1, the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 is switched from the off potential (Voff) to the on potential (Von). Accordingly, the supply of the drive current to the light emitting element 640 is stopped as the potential of the first node (ND1) 650 decreases to the potential (Vers) of the extinction signal. Under the influence of coupling by the storage capacitor 630, the potential of the second node (ND2) 660 also starts to decrease to the sum of the threshold voltage of the light emitting element 640 and the cathode potential (Vthel + Vcat).

次に、消光期間TP2では、走査線(WSL)210の走査信号はオフ電位(Voff)に切り替えられる。そして、第2ノード(ND2)660の電位が発光素子640の閾値電位(Vthel+Vcat)まで低下するため、発光素子640は消光する。このとき、第1ノード(ND1)650の電位も保持容量630からのカップリングの影響を受けて低下する。なお、Vthelは発光素子640の閾値電圧であり、Vcatは図3において示したカソード電極690から供給される電位である。   Next, in the extinction period TP2, the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 is switched to the off potential (Voff). Then, since the potential of the second node (ND2) 660 decreases to the threshold potential (Vthel + Vcat) of the light emitting element 640, the light emitting element 640 is extinguished. At this time, the potential of the first node (ND1) 650 also decreases due to the influence of the coupling from the storage capacitor 630. Vthel is a threshold voltage of the light emitting element 640, and Vcat is a potential supplied from the cathode electrode 690 shown in FIG.

また、閾値補正準備期間TP3において第1ノード(ND1)650の電位が初期化電位(Vss)付近まで低下する。この場合、走査線(WSL)210の走査信号をデータ線(DTL)310の基準信号の電位(Vofs)付近に設定すると、データ線(DTL)310から書込みトランジスタ610を介して第1ノード(ND1)650の方向に電流が漏れ込んでしまう。このため、閾値補正準備期間TP3における第1ノード(ND1)650の電位を考慮して、走査線(WSL)210の走査信号のオフ電位(Voff)は、閾値補正準備期間TP3における第1ノード(ND1)650の電位に比べて低い電位に設定する。   Further, in the threshold correction preparation period TP3, the potential of the first node (ND1) 650 decreases to near the initialization potential (Vss). In this case, when the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 is set near the potential (Vofs) of the reference signal of the data line (DTL) 310, the first node (ND1) is connected from the data line (DTL) 310 via the write transistor 610. ) Current leaks in the direction of 650. Therefore, in consideration of the potential of the first node (ND1) 650 in the threshold correction preparation period TP3, the off-potential (Voff) of the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 is the first node (in the threshold correction preparation period TP3). ND1) A potential lower than that of 650 is set.

続いて、閾値補正準備期間TP3では、電源線(DSL)410の電源信号は電源電位(Vcc)から初期化電位(Vss)に切り替えられる。これにより、駆動トランジスタ620にはソース端子側からドレイン端子側に電流が流れることによって、第2ノード(ND2)660の電位が低下する。この時、第1ノード(ND1)650の電位は「Vss+Vthd」まで低下する。このとき、第2ノード(ND2)660の電位も低下する。すなわち、画素600が初期化される。なお、Vthdは、駆動トランジスタ620のドレイン端子とゲート端子との間の閾値電圧であり、ここではドレイン端子側の閾値電圧という。   Subsequently, in the threshold correction preparation period TP3, the power supply signal of the power supply line (DSL) 410 is switched from the power supply potential (Vcc) to the initialization potential (Vss). Accordingly, a current flows from the source terminal side to the drain terminal side in the driving transistor 620, so that the potential of the second node (ND2) 660 decreases. At this time, the potential of the first node (ND1) 650 decreases to “Vss + Vthd”. At this time, the potential of the second node (ND2) 660 also decreases. That is, the pixel 600 is initialized. Note that Vthd is a threshold voltage between the drain terminal and the gate terminal of the driving transistor 620, and is herein referred to as a threshold voltage on the drain terminal side.

次に、閾値補正待機期間TP4では、電源線(DSL)410の電源信号は初期化電位(Vss)から電源電位(Vcc)に切り替えられる。これにより、駆動トランジスタ620にはソース端子側である保持容量630の他方の電極に電流が流れることによって、第1ノード(ND1)650および第2ノード(ND2)660の電位が上昇する。しかしなから、駆動トランジスタ620のゲートソース間電圧がその閾値電圧以下であることにより、駆動トランジスタ620に流れる電流は非常に小さい。このため、第1ノード(ND1)650および第2ノード(ND2)660の電位上昇は非常に小さくなる。   Next, in the threshold correction standby period TP4, the power signal of the power line (DSL) 410 is switched from the initialization potential (Vss) to the power supply potential (Vcc). Accordingly, a current flows through the driving transistor 620 through the other electrode of the storage capacitor 630 on the source terminal side, and the potentials of the first node (ND1) 650 and the second node (ND2) 660 are increased. However, since the gate-source voltage of the driving transistor 620 is equal to or lower than the threshold voltage, the current flowing through the driving transistor 620 is very small. For this reason, the potential rise of the first node (ND1) 650 and the second node (ND2) 660 is very small.

次に、閾値補正期間TP5では、閾値補正動作が行われる。データ線(DTL)310のデータ信号が基準信号の電位(Vofs)において、走査線(WSL)210の走査信号はオフ電位(Voff)からオン電位(Von)に切り替えられる。これにより、第1ノード(ND1)650と第2ノード(ND2)660との間に駆動トランジスタ620の閾値電圧(Vth)に相当する電圧が加えられる。その後、TP6では、一旦、走査線(WSL)210の走査信号がオフ電位(Voff)に落とされ、データ線(DTL)310のデータ信号が基準信号の電位(Vofs)から映像信号の電位(Vsig)に切り替えられる。   Next, in the threshold correction period TP5, a threshold correction operation is performed. When the data signal of the data line (DTL) 310 is the potential (Vofs) of the reference signal, the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 is switched from the off potential (Voff) to the on potential (Von). Thus, a voltage corresponding to the threshold voltage (Vth) of the driving transistor 620 is applied between the first node (ND1) 650 and the second node (ND2) 660. After that, in TP6, the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 is once dropped to the off potential (Voff), and the data signal of the data line (DTL) 310 is changed from the potential of the reference signal (Vofs) to the potential of the video signal (Vsig). ).

次に、書込み期間/移動度補正期間TP7では、走査線(WSL)210の走査信号がオン電位(Von)に上げられることによって、第1ノード(ND1)650の電位が映像信号の電位(Vsig)まで上昇する。これにより、駆動トランジスタ620から発光素子640の寄生容量641に電流が流れることから、寄生容量641の充電が開始される。これに対して、第2ノード(ND2)660の電位は、TP5において加えられた電位(Vofs−Vth)から移動度補正による上昇量(ΔV)だけ上昇する。すなわち、走査線(WSL)210の走査信号がオン電位(Von)になることによって、保持容量630の一方の電極には映像信号の電位(Vsig)が書き込まれる。それとともに、保持容量630の他方の電極には、TP5において加えられた電位(Vofs−Vth)から移動度補正による上昇量(ΔV)だけ上昇した電位((Vofs−Vth)+ΔV)が加えられる。これにより、保持容量630には、映像信号に相当する電圧として「Vsig−((Vofs−Vth)+ΔV)」の電圧が保持される。   Next, in the writing period / mobility correction period TP7, the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 is raised to the ON potential (Von), whereby the potential of the first node (ND1) 650 is changed to the potential (Vsig) of the video signal. ). As a result, a current flows from the driving transistor 620 to the parasitic capacitance 641 of the light emitting element 640, and charging of the parasitic capacitance 641 is started. On the other hand, the potential of the second node (ND2) 660 increases from the potential (Vofs−Vth) applied at TP5 by an increase amount (ΔV) due to mobility correction. That is, when the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 is turned on (Von), the potential (Vsig) of the video signal is written to one electrode of the storage capacitor 630. At the same time, a potential ((Vofs−Vth) + ΔV) that is increased by the amount of increase (ΔV) by mobility correction from the potential (Vofs−Vth) applied at TP5 is applied to the other electrode of the storage capacitor 630. As a result, the storage capacitor 630 holds a voltage of “Vsig − ((Vofs−Vth) + ΔV)” as a voltage corresponding to the video signal.

この後、発光期間TP8では、走査線(WSL)210の走査信号がオフ電位(Voff)に設定される。これにより、保持容量630に保持された電圧(Vsig−Vofs+Vth−ΔV)に応じた輝度により発光素子640が発光する。この場合、保持容量630に保持された電圧(Vsig−Vofs+Vth−ΔV)は、閾値電圧(Vth)および移動度補正による上昇量(ΔV)によって補正されている。このため、発光素子640の輝度は、駆動トランジスタ620における閾値電圧(Vth)および移動度のばらつきによる影響を受けない。なお、発光期間TP8の途中までの期間では、第1ノード(ND1)650および第2ノード(ND2)660の電位は上昇する。このとき、第1ノード(ND1)650と第2ノード(ND2)660との間の電位差(Vsig−Vofs+Vth−ΔV)は維持される。   Thereafter, in the light emission period TP8, the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 is set to the off potential (Voff). Accordingly, the light emitting element 640 emits light with luminance according to the voltage (Vsig−Vofs + Vth−ΔV) held in the storage capacitor 630. In this case, the voltage (Vsig−Vofs + Vth−ΔV) held in the storage capacitor 630 is corrected by the threshold voltage (Vth) and the amount of increase (ΔV) due to mobility correction. Therefore, the luminance of the light-emitting element 640 is not affected by variations in threshold voltage (Vth) and mobility in the driving transistor 620. Note that the potentials of the first node (ND1) 650 and the second node (ND2) 660 rise during the period up to the middle of the light emission period TP8. At this time, the potential difference (Vsig−Vofs + Vth−ΔV) between the first node (ND1) 650 and the second node (ND2) 660 is maintained.

なお、ここでは、発光素子640における1回の発光に対して閾値補正動作を1回行う例について説明したが、閾値補正動作の回数はこれに限定されるものではなく、2回以上としてもよい。   Although an example in which the threshold correction operation is performed once for one light emission in the light emitting element 640 has been described here, the number of threshold correction operations is not limited to this, and may be two or more. .

[画素の動作状態の詳細]
次に、上述の画素600の動作について以下に図面を参照して詳細に説明する。以下の図面では、図4に示したタイミングチャートにおけるTP1乃至TP8の期間に対応する画素600の動作状態を示す。なお、便宜上、発光素子640の寄生容量641を図示する。また、書込みトランジスタ610をスイッチとして図示し、走査線(WSL)210については省略する。
[Details of pixel operation status]
Next, the operation of the above-described pixel 600 will be described in detail with reference to the drawings. In the following drawings, the operation state of the pixel 600 corresponding to the period from TP1 to TP8 in the timing chart shown in FIG. 4 is shown. For convenience, the parasitic capacitance 641 of the light emitting element 640 is illustrated. Further, the writing transistor 610 is illustrated as a switch, and the scanning line (WSL) 210 is omitted.

図5(a)乃至(c)は、TP8、TP1、TP2の期間にそれぞれ対応する画素600の動作状態を模式的に示す回路図である。発光期間TP8では、図5(a)に示すように、電源線(DSL)410の電源信号は電源電位(Vcc)に設定されており、駆動トランジスタ620は発光素子640に駆動電流(Ids)を供給している。   FIGS. 5A to 5C are circuit diagrams schematically showing the operation state of the pixel 600 corresponding to the periods TP8, TP1, and TP2. In the light emission period TP8, as shown in FIG. 5A, the power supply signal of the power supply line (DSL) 410 is set to the power supply potential (Vcc), and the drive transistor 620 supplies the drive current (Ids) to the light emitting element 640. Supply.

次に、消光期間TP1では、図5(b)に示すように、データ線(DTL)310のデータ信号が消光信号の電位(Vers)のときに、走査線(WSL)210の走査信号がオフ電位(Voff)からオン電位(Von)に遷移する。これにより、書込みトランジスタ610がオン(導通)状態となることから、第1ノード(ND1)650の電位は消光信号の電位(Vers)まで低下する。このとき、発光素子640への駆動電流の供給が停止される。そして、保持容量630を介したカップリングの影響によって第2ノード(ND2)660の電位も低下し、さらに発光素子640の閾値電圧とカソード電位の和(Vthel+Vcat)に低下し始める。   Next, in the extinction period TP1, as shown in FIG. 5B, when the data signal of the data line (DTL) 310 is the potential (Vers) of the extinction signal, the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 is turned off. Transition from the potential (Voff) to the on potential (Von). As a result, the writing transistor 610 is turned on (conductive), so that the potential of the first node (ND1) 650 is lowered to the potential (Vers) of the extinction signal. At this time, the supply of the drive current to the light emitting element 640 is stopped. Then, the potential of the second node (ND2) 660 also decreases due to the influence of the coupling via the storage capacitor 630, and further starts to decrease to the sum (Vthel + Vcat) of the threshold voltage of the light emitting element 640 and the cathode potential.

続いて、消光期間TP2では、図5(c)に示すように、走査線(WSL)210の走査信号がオフ電位(Voff)に遷移することによって、書込みトランジスタ610はオフ(非導通)状態となる。ここでは、第2ノード(ND2)660の電位が発光素子640の閾値電位(Vthel+Vcat)まで低下することにより、発光素子640は消光する。なお、第1ノード(ND1)650の電位も第2ノード(ND2)660の電位低下に倣うように低下する。   Subsequently, in the extinction period TP2, as shown in FIG. 5C, when the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 transitions to an off potential (Voff), the writing transistor 610 is turned off (non-conducting). Become. Here, the light-emitting element 640 is extinguished when the potential of the second node (ND2) 660 decreases to the threshold potential (Vthel + Vcat) of the light-emitting element 640. Note that the potential of the first node (ND1) 650 also decreases to follow the potential decrease of the second node (ND2) 660.

図6(a)乃至(c)は、TP3乃至TP5の期間にそれぞれ対応する画素600の動作状態を模式的に示す回路図である。   6A to 6C are circuit diagrams schematically showing the operation state of the pixel 600 corresponding to the periods TP3 to TP5, respectively.

TP2に続いて、閾値補正準備期間TP3では、図6(a)に示すように、電源線(DSL)410の電源信号が電源電位(Vcc)から初期化電位(Vss)に切り替えられる。これにより、駆動トランジスタ620には電源線(DSL)410の方向に電流が流れるため、第2ノード(ND2)660の電位は低下する。それとともに、第1ノード(ND1)650が浮遊状態にあるため、第2ノード(ND2)660の電位低下に倣うように第1ノード(ND1)650の電位も低下する。このとき、第1ノード(ND1)650の電位と電源線(DSL)410の初期化電位(Vss)との間の電位差が駆動トランジスタ620におけるドレイン端子側の閾値電圧(Vthd)に相当する電圧となるまで第1ノード(ND1)650の電位は低下する。すなわち、第1ノード(ND1)650の電位は「Vss+Vthd」まで低下する。このようにして、画素600は初期化される。   Subsequent to TP2, in the threshold correction preparation period TP3, as shown in FIG. 6A, the power supply signal of the power supply line (DSL) 410 is switched from the power supply potential (Vcc) to the initialization potential (Vss). As a result, a current flows through the driving transistor 620 in the direction of the power supply line (DSL) 410, so that the potential of the second node (ND2) 660 decreases. At the same time, since the first node (ND1) 650 is in a floating state, the potential of the first node (ND1) 650 is also lowered to follow the potential drop of the second node (ND2) 660. At this time, the potential difference between the potential of the first node (ND1) 650 and the initialization potential (Vss) of the power supply line (DSL) 410 is a voltage corresponding to the threshold voltage (Vthd) on the drain terminal side of the driving transistor 620. Until this occurs, the potential of the first node (ND1) 650 decreases. That is, the potential of the first node (ND1) 650 decreases to “Vss + Vthd”. In this way, the pixel 600 is initialized.

次に、閾値補正待機期間TP4では、図6(b)に示すように、電源線(DSL)410の電源信号は初期化電位(Vss)から初期化電位(Vcc)に切り替えられる。これにより、駆動トランジスタ620には保持容量630の他方の電極の方向に微量の電流が流れるため、第1ノード(ND1)650および第2ノード(ND2)660の電位が若干上昇する。   Next, in the threshold correction standby period TP4, as shown in FIG. 6B, the power supply signal of the power supply line (DSL) 410 is switched from the initialization potential (Vss) to the initialization potential (Vcc). As a result, a small amount of current flows through the driving transistor 620 in the direction of the other electrode of the storage capacitor 630, so that the potentials of the first node (ND1) 650 and the second node (ND2) 660 slightly increase.

そして、閾値補正期間TP5では、図6(c)に示すように、データ線(DTL)310のデータ信号が基準信号の電位(Vofs)のときに、走査線(WSL)210の走査信号がオフ電位(Voff)からオン電位(Von)に遷移する。これにより、第1ノード(ND1)650の電位は、基準信号の電位(Vofs)に設定される。この時、駆動トランジスタ620のゲートソース間電圧が閾値電圧よりも大きければ、駆動トランジスタ620から保持容量630の他方の電極に電流が流れることから、第2ノード(ND2)660の電位が上昇する。   In the threshold correction period TP5, as shown in FIG. 6C, when the data signal of the data line (DTL) 310 is the potential (Vofs) of the reference signal, the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 is turned off. Transition from the potential (Voff) to the on potential (Von). Thereby, the potential of the first node (ND1) 650 is set to the potential (Vofs) of the reference signal. At this time, if the gate-source voltage of the driving transistor 620 is larger than the threshold voltage, a current flows from the driving transistor 620 to the other electrode of the storage capacitor 630, so that the potential of the second node (ND2) 660 increases.

そして、第1ノード(ND1)650と第2ノード(ND2)660との間の電位差が駆動トランジスタ620におけるソース端子とゲート端子との間の閾値電圧(Vth)に相当する電位差となる。このとき、第2ノード(ND2)の電位は、駆動トランジスタ620におけるソース端子側の閾値電位(Vofs−Vth)に達する。これにより、基準信号の電位(Vofs)を基準として駆動トランジスタ620の閾値電圧(Vth)に相当する電圧が保持容量630に保持されることによって、閾値補正動作が完了する。なお、ここでは、カソード電極690のカソード電位(Vcat)および基準信号の電位(Vofs)を駆動トランジスタ620からの電流が発光素子640に流れないように設定している。   The potential difference between the first node (ND1) 650 and the second node (ND2) 660 is a potential difference corresponding to the threshold voltage (Vth) between the source terminal and the gate terminal of the driving transistor 620. At this time, the potential of the second node (ND2) reaches the threshold potential (Vofs−Vth) on the source terminal side of the driving transistor 620. As a result, a voltage corresponding to the threshold voltage (Vth) of the drive transistor 620 is held in the holding capacitor 630 with reference to the potential (Vofs) of the reference signal, whereby the threshold correction operation is completed. Here, the cathode potential (Vcat) of the cathode electrode 690 and the potential (Vofs) of the reference signal are set so that current from the driving transistor 620 does not flow to the light emitting element 640.

図7(a)乃至(c)は、TP6乃至TP8の期間にそれぞれ対応する画素600の動作状態を模式的に示す回路図である。   FIGS. 7A to 7C are circuit diagrams schematically showing the operation states of the pixels 600 corresponding to the periods TP6 to TP8, respectively.

TP5に続いて、TP6では、図7(a)に示すように、走査線(WSL)210における走査信号がオン電位(Von)からオフ電位(Voff)に遷移することによって、書込みトランジスタ610がオフ(非導通)状態となる。その後、データ線(DTL)310のデータ信号が基準信号の電位(Vofs)から映像信号の電位(Vsig)に切り替えられる。この場合、データ線(DTL)310においては、データ線(DTL)310に接続された複数の画素600内の書込みトランジスタ610により、映像信号の電位(Vsig)の立ち上がりが緩やかになる。このため、データ線(DTL)310のトランジェント特性を考慮し、データ信号が映像信号の電位(Vsig)に達するまでの間、書込みトランジスタ610をオフ状態にしている。   Following TP5, at TP6, as shown in FIG. 7A, the scanning signal on the scanning line (WSL) 210 transitions from the ON potential (Von) to the OFF potential (Voff), whereby the writing transistor 610 is turned OFF. (Non-conducting) state. Thereafter, the data signal of the data line (DTL) 310 is switched from the potential (Vofs) of the reference signal to the potential (Vsig) of the video signal. In this case, in the data line (DTL) 310, the rise of the potential (Vsig) of the video signal is moderated by the write transistors 610 in the plurality of pixels 600 connected to the data line (DTL) 310. Therefore, in consideration of the transient characteristics of the data line (DTL) 310, the writing transistor 610 is turned off until the data signal reaches the potential (Vsig) of the video signal.

TP6に続いて書込み期間/移動度補正期間TP7では、図7(b)に示すように、走査線(WSL)210の走査信号がオン電位(Von)に遷移することにより、書込みトランジスタ610がオン状態となる。これにより、第1ノード(ND1)650の電位が映像信号の電位(Vsig)に設定される。それとともに、駆動トランジスタ620から保持容量630の他方の電極に電流が流れることにより、第2ノード(ND2)660の電位はTP5において加えられた電位(Vofs−Vth)から「ΔV」だけ上昇する。そして、第1ノード(ND1)650と第2ノード(ND2)660との間の電位差が「Vsig−Vofs+Vth−ΔV」となる。このように、映像信号の電位(Vsig)の書込み、および、移動度補正による上昇量(ΔV)の調整が行われる。   In the writing period / mobility correction period TP7 subsequent to TP6, as shown in FIG. 7B, the writing transistor 610 is turned on when the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 transitions to the ON potential (Von). It becomes a state. As a result, the potential of the first node (ND1) 650 is set to the potential (Vsig) of the video signal. At the same time, a current flows from the driving transistor 620 to the other electrode of the storage capacitor 630, whereby the potential of the second node (ND2) 660 rises by “ΔV” from the potential (Vofs−Vth) applied at TP5. The potential difference between the first node (ND1) 650 and the second node (ND2) 660 is “Vsig−Vofs + Vth−ΔV”. Thus, the writing of the potential (Vsig) of the video signal and the adjustment of the increase amount (ΔV) by the mobility correction are performed.

この動作において、映像信号の電位(Vsig)が大きいほど駆動トランジスタから出力される電流が大きくなるため、移動度補正による上昇量(ΔV)も大きくなる。したがって、輝度レベル(映像信号の電位)に応じた移動度補正を行うことができるようになる。また、画素ごとの映像信号の電位(Vsig)を一定にした場合には、駆動トランジスタの移動度が大きい画素ほど移動度補正による上昇量(ΔV)も大きくなる。例えば、駆動トランジスタの移動度が大きい画素では、移動度が小さい画素に比べて保持容量の他方の電極に流れる電流量が大きくなるため、その分だけ駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧が低くなる。したがって、駆動トランジスタの移動度が大きい画素では、発光期間において発光素子に供給される駆動電流が移動度の小さい画素と同程度の大きさに調整されるようになる。このようにして、画素ごとの駆動トランジスタにおける移動度のばらつきが取り除かれる。   In this operation, the larger the potential (Vsig) of the video signal, the larger the current output from the driving transistor, and the greater the amount of increase (ΔV) due to mobility correction. Therefore, mobility correction according to the luminance level (the potential of the video signal) can be performed. In addition, when the potential (Vsig) of the video signal for each pixel is made constant, the amount of increase (ΔV) due to the mobility correction increases as the mobility of the driving transistor increases. For example, in a pixel where the mobility of the driving transistor is large, the amount of current flowing through the other electrode of the storage capacitor is larger than in a pixel where the mobility is small, and thus the gate-source voltage of the driving transistor is lowered accordingly. Therefore, in a pixel having a high mobility of the driving transistor, the driving current supplied to the light emitting element in the light emission period is adjusted to the same level as that of the pixel having a low mobility. In this way, variation in mobility in the drive transistor for each pixel is removed.

次に、発光期間TP8では、図7(c)に示すように、走査線(WSL)210の走査信号がオフ電位(Voff)に遷移することにより、書込みトランジスタ610がオフ状態となる。これにより、駆動トランジスタ620からの駆動電流(Ids)に応じて第2ノード(ND2)660の電位が上昇するとともに、第1ノード(ND1)650の電位も連動して上昇する。このとき、ブートストラップ動作によって、第1ノード(ND1)650と第2ノード(ND2)660との間の電位差(Vsig−Vofs+Vth−ΔV)は維持される。   Next, in the light emission period TP8, as illustrated in FIG. 7C, the writing signal 610 is turned off by the transition of the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 to the off potential (Voff). As a result, the potential of the second node (ND2) 660 rises according to the drive current (Ids) from the drive transistor 620, and the potential of the first node (ND1) 650 also rises in conjunction with it. At this time, the potential difference (Vsig−Vofs + Vth−ΔV) between the first node (ND1) 650 and the second node (ND2) 660 is maintained by the bootstrap operation.

このように、閾値補正動作により閾値電圧(Vth)に相当する電圧を保持容量630に保持させた後に、保持容量630の他方の電極に移動度補正動作による上昇量(ΔV)が加えられる。これにより、画素600ごとの駆動トランジスタ620における閾値電圧および移動度のばらつきがキャンセルされるため、表示画像に現われるムラなどを防ぐことができる。   Thus, after the voltage corresponding to the threshold voltage (Vth) is held in the storage capacitor 630 by the threshold correction operation, the increase amount (ΔV) due to the mobility correction operation is applied to the other electrode of the storage capacitor 630. Accordingly, variations in threshold voltage and mobility in the drive transistor 620 for each pixel 600 are canceled, so that unevenness that appears in the display image can be prevented.

ここまでの例では、発光素子640の寄生容量641を無視した理想的な状態における動作を想定して説明した。しかしながら、実際の回路では、閾値補正準備期間TP3において画素600における第2ノード(ND2)660の電位が急激に下がる。このことにより、発光素子640の寄生容量641に起因する容量性カップリングの影響によりカソード電極690の電位が低下する。このため、このような表示装置100においては、複数の行の画素600における第2ノード(ND2)660の電位が同時に低下することによって、カソード電極690におけるカソード電位の変動が大きくなることが想定される。次に、カソード電極690から供給される電位が変動する場合における表示装置100の動作について以下に図面を参照して説明する。   In the examples so far, the description has been made assuming an operation in an ideal state in which the parasitic capacitance 641 of the light emitting element 640 is ignored. However, in the actual circuit, the potential of the second node (ND2) 660 in the pixel 600 rapidly decreases in the threshold correction preparation period TP3. Accordingly, the potential of the cathode electrode 690 is lowered due to the influence of capacitive coupling due to the parasitic capacitance 641 of the light emitting element 640. For this reason, in such a display device 100, it is assumed that the potential of the second node (ND2) 660 in the pixels 600 in a plurality of rows decreases at the same time, so that the variation in the cathode potential at the cathode electrode 690 increases. The Next, the operation of the display device 100 when the potential supplied from the cathode electrode 690 varies will be described below with reference to the drawings.

[実際の回路における1つの画素が生成するカソード電極の電位変化の例]
図8は、閾値補正準備期間TP3において第2ノード660の電位の急激な低下に従ってカソード電極690の電位が低下する画素600の動作の一例を示すタイミングチャートである。なお、ここでは、閾値補正準備期間TP3におけるカソード電極690から供給される電位変化以外は、図4において示した画素600の動作における電位変化と同様のものであるため、図4と同符号を付してここでの説明を省略する。また、ここでは、カソード電極690の電位変化は、1つの画素により生成される電位変化であるとして説明する。
[Example of potential change of cathode electrode generated by one pixel in actual circuit]
FIG. 8 is a timing chart showing an example of the operation of the pixel 600 in which the potential of the cathode electrode 690 decreases as the potential of the second node 660 decreases rapidly in the threshold correction preparation period TP3. Note that, here, except for the potential change supplied from the cathode electrode 690 in the threshold correction preparation period TP3, it is the same as the potential change in the operation of the pixel 600 shown in FIG. Therefore, the description here is omitted. Here, the description will be made assuming that the potential change of the cathode electrode 690 is a potential change generated by one pixel.

閾値補正準備期間TP3では、電源線(DSL)410の電源信号は電源電位(Vcc)から初期化電位(Vss)に切り替えられる。これにより、駆動トランジスタ620にはドレイン端子側に電流が流れることによって、第1ノード(ND1)650の電位が「Vss+Vthd」まで低下する。これにより、第2ノード(ND2)660の電位も低下する。   In the threshold correction preparation period TP3, the power supply signal of the power supply line (DSL) 410 is switched from the power supply potential (Vcc) to the initialization potential (Vss). As a result, a current flows through the driving transistor 620 toward the drain terminal, so that the potential of the first node (ND1) 650 decreases to “Vss + Vthd”. As a result, the potential of the second node (ND2) 660 also decreases.

このとき、理想的な状態における画素600のカソード電極690の電位は、図3において示したように、カソード電位(Vcat)が常に供給されているため一定の電位(Vcat)である。しかしながら、実際の回路における画素600のカソード電極690の電位は、発光素子640の寄生容量641に起因する容量性カップリングの影響により第2ノード(ND2)660の電位の低下に従って僅かに低下する。その後、カソード電極に供給されている電位(Vcat)の影響によりカソード電位(Vcat)へ直ぐに戻る。   At this time, the potential of the cathode electrode 690 of the pixel 600 in an ideal state is a constant potential (Vcat) because the cathode potential (Vcat) is always supplied as shown in FIG. However, the potential of the cathode electrode 690 of the pixel 600 in the actual circuit slightly decreases as the potential of the second node (ND2) 660 decreases due to the influence of capacitive coupling caused by the parasitic capacitance 641 of the light emitting element 640. Thereafter, it immediately returns to the cathode potential (Vcat) due to the influence of the potential (Vcat) supplied to the cathode electrode.

このように、実際の回路における画素600のカソード電極690の電位は、第2ノード(ND2)660の電位の急激な変化の影響を受けて僅かに変化する。この画素600におけるカソード電極690の電位の低下は、ごく僅かであるため、カソード電極690を共有している他の画素600に影響を与えることは無い。しかしながら、この電位の低下を引き起こす第2ノード(ND2)660の電位の低下が複数の画素600において同時に生じた場合には、所定の画素600の発光に影響を与えることが考えられる。   Thus, the potential of the cathode electrode 690 of the pixel 600 in the actual circuit slightly changes under the influence of the rapid change in the potential of the second node (ND2) 660. Since the potential drop of the cathode electrode 690 in the pixel 600 is very small, the other pixels 600 sharing the cathode electrode 690 are not affected. However, when the potential decrease of the second node (ND2) 660 causing the potential decrease occurs in the plurality of pixels 600 at the same time, it may be considered that the light emission of the predetermined pixel 600 is affected.

次に、このカソード電極690の電位の低下が、複数の画素600において同時に生じた場合におけるカソード電極690の電位の低下について図面を参照して説明する。   Next, the decrease in the potential of the cathode electrode 690 when the decrease in the potential of the cathode electrode 690 occurs simultaneously in the plurality of pixels 600 will be described with reference to the drawings.

[実際の回路における1つの走査線および同じ電源電位が供給されている複数の走査線が供給されている画素に起因して発生するカソード電極の電位変化の例]
図9は、カソード電極690の電位の低下が複数の画素600において同時に生じた場合におけるカソード電極690の電位の低下の一例を示すタイミングチャートである。図9(a)は、走査線(WSL)211が接続されている複数の画素600における第2ノード(ND2)660の電位低下に起因して発生するカソード電極690の電位変化の一例を示すタイミングチャートである。
[Example of Potential Change of Cathode Electrode Generated due to One Scan Line in Actual Circuit and Pixels Supplyed with Multiple Scan Lines Supplying Same Power Supply Potential]
FIG. 9 is a timing chart illustrating an example of a decrease in the potential of the cathode electrode 690 when a decrease in the potential of the cathode electrode 690 occurs simultaneously in the plurality of pixels 600. FIG. 9A is a timing diagram illustrating an example of a potential change of the cathode electrode 690 caused by a potential drop of the second node (ND2) 660 in the plurality of pixels 600 to which the scanning line (WSL) 211 is connected. It is a chart.

図9(b)は、同じ電源電位が供給されている走査線(WSL)211乃至213が接続されている複数の画素600における第2ノード(ND2)660の電位低下に起因して発生するカソード電極690の電位変化の一例を示すタイミングチャートである。ここでは、横軸を時間軸として、閾値補正準備期間TP3における電源線(DSL)411、走査線(WSL)211およびカソード電極690の信号の電位変化を示している。なお、カソード電極690の電位の低下が発生するときの画素600の動作については、図8において示した画素600の動作と同様のものであるため、ここでの説明を省略する。なお、各期間を示す横軸の長さは、模式的なものであり、各期間の時間長の割合を示すものではない。   FIG. 9B shows a cathode generated due to the potential drop of the second node (ND2) 660 in the plurality of pixels 600 to which the scanning lines (WSL) 211 to 213 to which the same power supply potential is supplied are connected. 6 is a timing chart showing an example of potential change of an electrode 690. Here, the horizontal axis represents the time axis, and the potential change of the signals of the power supply line (DSL) 411, the scanning line (WSL) 211, and the cathode electrode 690 in the threshold correction preparation period TP3 is shown. Note that the operation of the pixel 600 when the potential decrease of the cathode electrode 690 occurs is the same as the operation of the pixel 600 shown in FIG. 8, and thus description thereof is omitted here. In addition, the length of the horizontal axis which shows each period is typical, and does not show the ratio of the time length of each period.

図9(a)には、閾値補正準備期間TP3における走査線(WSL)211が接続された複数の画素600における第2ノード(ND2)660の電位低下に起因して発生したカソード電極690の電位変化が示されている。   FIG. 9A shows the potential of the cathode electrode 690 generated due to the potential drop of the second node (ND2) 660 in the plurality of pixels 600 to which the scanning line (WSL) 211 is connected in the threshold correction preparation period TP3. Changes are shown.

閾値補正準備期間TP3において、画素600におけるカソード電極690の電位は、図8において示したように、画素600の第2ノード(ND2)660の電位の急激な変化の影響を受けて僅かに低下する。走査線(WSL)211は、走査線(WSL)211が接続されている複数の画素600に同じ走査信号を供給する。このため、図8において示したカソード電極690の電位の低下は、走査線(WSL)211が接続されている複数の画素600において同時に起こる。   In the threshold correction preparation period TP3, the potential of the cathode electrode 690 in the pixel 600 slightly decreases under the influence of the rapid change in the potential of the second node (ND2) 660 of the pixel 600 as shown in FIG. . The scanning line (WSL) 211 supplies the same scanning signal to the plurality of pixels 600 to which the scanning line (WSL) 211 is connected. For this reason, the potential drop of the cathode electrode 690 shown in FIG. 8 occurs simultaneously in the plurality of pixels 600 to which the scanning line (WSL) 211 is connected.

すなわち、走査線(WSL)211が供給する走査信号に起因して発生するカソード電極690の電位変化は、走査線(WSL)211が接続されている全ての画素600の電位変化が累積された電位変化となる。これにより、カソード電極690の電位変化は、カソード電極を共有している他の画素600の発光に影響を与えるほど大きくはないが、個々の画素600が生成する電位変化と比べて大きい電位変化となる。   That is, the potential change of the cathode electrode 690 caused by the scanning signal supplied from the scanning line (WSL) 211 is a potential obtained by accumulating the potential changes of all the pixels 600 to which the scanning line (WSL) 211 is connected. It becomes a change. Accordingly, the potential change of the cathode electrode 690 is not so large as to affect the light emission of the other pixels 600 sharing the cathode electrode, but is larger than the potential change generated by each pixel 600. Become.

図9(b)には、走査線(WSL)211乃至213が接続されている複数の画素600に起因して発生するカソード電極690の電位変化が示されている。   FIG. 9B shows potential changes of the cathode electrode 690 caused by the plurality of pixels 600 to which the scanning lines (WSL) 211 to 213 are connected.

この場合、カソード電極690の電位変化は、図9(a)に示した個々の画素600により発生する電位変化と比べて大きく、走査線(WSL)211乃至213毎に発生している。   In this case, the potential change of the cathode electrode 690 is larger than the potential change generated by each pixel 600 shown in FIG. 9A and is generated for each of the scanning lines (WSL) 211 to 213.

図3の構成の画素600においては、複数行(j行)ごとに同じ電源電位が供給されている。このため、電源線を共有する複数の画素600に起因して発生するカソード電極690の電位低下は、全て同時に起こる。これにより、電源線(DSL)411の電源信号が供給されている走査線(WSL)211乃至213で発生するカソード電極690の電位低下は、行毎に発生するカソード電極690の電位の低下が全て累積された電位低下になる。   In the pixel 600 configured as shown in FIG. 3, the same power supply potential is supplied for each of a plurality of rows (j rows). For this reason, the potential drop of the cathode electrode 690 caused by the plurality of pixels 600 sharing the power supply line all occurs simultaneously. Thus, the potential drop of the cathode electrode 690 generated in the scanning lines (WSL) 211 to 213 to which the power supply signal of the power supply line (DSL) 411 is supplied is all reduced by the potential of the cathode electrode 690 generated for each row. The accumulated potential drops.

すなわち、電源線(DSL)411を共有する走査線(WSL)211乃至213の数が多くなるほど、カソード電極690の電位の低下は大きくなる。つまり、同じ電源電位が供給されている走査線(WSL)211乃至213の数をある程度以上に多くすると、カソード電極690の電位変化は、カソード電極を共有している他の画素600の動作に影響を与えるほど大きくなる。   That is, as the number of scanning lines (WSL) 211 to 213 sharing the power supply line (DSL) 411 increases, the potential of the cathode electrode 690 decreases more. That is, when the number of scanning lines (WSL) 211 to 213 to which the same power supply potential is supplied is increased to a certain degree, the potential change of the cathode electrode 690 affects the operation of the other pixels 600 sharing the cathode electrode. The bigger it gets.

次に、図3の構成の画素600において、カソード電極690の電位変化の発生に伴う実際の表示装置100の動作について図面を参照して説明する。   Next, in the pixel 600 having the configuration shown in FIG. 3, an actual operation of the display device 100 accompanying the occurrence of a potential change of the cathode electrode 690 will be described with reference to the drawings.

[実際の回路の表示装置において発生するカソード電極の電位変化の例]
図10は、図3の構成の画素600においてカソード電極690の電位変化が発生する表示装置100の一動作例に関するタイミングチャートである。ここでは、表示装置100は、複数行(j行)ごとに同じ電源電位を供給する5本の電源線(DSL)411乃至415により電源電位が供給されることを想定する。さらに、ここでは、電源線を共有する走査線(WSL)の数は、画素600の動作に影響を与えるカソード電極690の電位変化を発生させる数であると想定する。
[Example of potential change of cathode electrode generated in display device of actual circuit]
FIG. 10 is a timing chart regarding an operation example of the display device 100 in which the potential change of the cathode electrode 690 occurs in the pixel 600 having the configuration of FIG. Here, it is assumed that the display apparatus 100 is supplied with the power supply potential by five power supply lines (DSL) 411 to 415 that supply the same power supply potential for each of a plurality of rows (j rows). Further, here, it is assumed that the number of scanning lines (WSL) sharing the power supply line is a number that causes a potential change of the cathode electrode 690 that affects the operation of the pixel 600.

図3の構成の画素600においては、図9(b)において示したように、電源線(DSL)411乃至413の電源信号の電位が初期化電位(Vss)になると、カソード電極690の電位の低下が発生する。このため、カソード電極690における電位は、閾値補正準備期間TP3において電源線(DSL)411乃至413の電源信号がそれぞれ初期化電位(Vss)となるたびに、大きく低下する。   In the pixel 600 having the configuration shown in FIG. 3, as shown in FIG. 9B, when the potential of the power supply signal of the power supply lines (DSL) 411 to 413 becomes the initialization potential (Vss), the potential of the cathode electrode 690 is reduced. A decrease occurs. For this reason, the potential at the cathode electrode 690 greatly decreases each time the power supply signals of the power supply lines (DSL) 411 to 413 become the initialization potential (Vss) in the threshold correction preparation period TP3.

このように、実際の回路における表示装置100においては、カソード電極690の電位は、一定とならず、変動する。カソード電極690の電位は、電源線(DSL)411乃至413の電源信号がそれぞれ初期化電位(Vss)となるたびに、大きく低下する。すなわち、カソード電極690の電位は、カソード電位(Vcat)から大きく低下した後に、カソード電位(Vcat)に戻ることを一定の周期で繰り返す。このカソード電極690の電位の低下は、画素600の発光に影響を与える場合がある。次に、このカソード電極690の電位低下が画素600の動作に影響を与える場合における画素600の動作について図面を参照して説明する。   Thus, in the display device 100 in an actual circuit, the potential of the cathode electrode 690 is not constant but varies. The potential of the cathode electrode 690 greatly decreases every time the power signal of the power supply lines (DSL) 411 to 413 reaches the initialization potential (Vss). In other words, after the potential of the cathode electrode 690 greatly decreases from the cathode potential (Vcat), it returns to the cathode potential (Vcat) at regular intervals. This decrease in the potential of the cathode electrode 690 may affect the light emission of the pixel 600. Next, the operation of the pixel 600 when the potential drop of the cathode electrode 690 affects the operation of the pixel 600 will be described with reference to the drawings.

[カソード電極の電位変化により画素の発光が明るくなる例]
図11は、図3の構成の画素600におけるカソード電極690の電位の低下により画素600の発光が明るくなる場合における画素600の動作の一例を示すタイミングチャートである。ここでは、横軸を共通の時間軸として、電源線(DSL)410、データ線(DTL)310、走査線(WSL)210、第2ノード(ND2)660、第1ノード(ND1)650、カソード電極690の電位変化を表している。第2ノード(ND2)660および第1ノード(ND1)650については、実際の回路においてカソード電極690の電位変化の影響を受けた場合における電位変化を破線および実線により、この影響を受けない理想的な状態における電位変化を鎖線により示す。なお、各期間を示す横軸の長さは模式的なものであり、各期間の時間長の割合を示すものではない。また、ここでは、期間TP5乃至TP8以外の期間の動作は、図4において示した画素600の動作と同様のものであるため図4と同符号を付してここでの説明を省略する。さらに、ここでは、閾値補正期間TP5における後半のタイミングでカソード電極690の電位の低下の影響を受けた画素600の動作について説明する。
[Example of light emission of pixel due to potential change of cathode electrode]
FIG. 11 is a timing chart showing an example of the operation of the pixel 600 when the light emission of the pixel 600 becomes bright due to a decrease in the potential of the cathode electrode 690 in the pixel 600 configured as shown in FIG. Here, using the horizontal axis as a common time axis, the power supply line (DSL) 410, the data line (DTL) 310, the scanning line (WSL) 210, the second node (ND2) 660, the first node (ND1) 650, the cathode A change in potential of the electrode 690 is shown. With respect to the second node (ND2) 660 and the first node (ND1) 650, the potential change when affected by the potential change of the cathode electrode 690 in an actual circuit is not affected by the broken line and the solid line. A potential change in a simple state is indicated by a chain line. In addition, the length of the horizontal axis indicating each period is a schematic one and does not indicate the ratio of the time length of each period. Here, the operations in the periods other than the periods TP5 to TP8 are the same as the operations of the pixel 600 shown in FIG. 4, and thus the same reference numerals as those in FIG. Further, here, the operation of the pixel 600 affected by the potential drop of the cathode electrode 690 at the latter half of the threshold correction period TP5 will be described.

カソード電極690の電位変化により発光が明るくなる画素600の閾値補正期間TP5では、不正確な閾値電圧補正動作が行われる。この画素600の閾値補正期間TP5では、カソード電極690の電位が低下するまでは図4と同様に書込みトランジスタ610をオン状態にすることで第1ノード(ND1)650および第2ノード(ND2)650の電位は上昇する。しかしながら、閾値補正期間TP5の後半でカソード電極690の電位が低下を開始すると、発光素子640の寄生容量641を介した容量性カップリングにより第2ノード(ND2)660の電位も低下する。このとき、第1ノード(ND1)650の電位は、データ線(DTL)310から基準信号の電位(Vofs)が供給されているため、基準信号の電位(Vofs)のままである。   Incorrect threshold voltage correction operation is performed in the threshold correction period TP5 of the pixel 600 in which light emission is brightened by the potential change of the cathode electrode 690. In the threshold correction period TP5 of the pixel 600, the first transistor (ND1) 650 and the second node (ND2) 650 are turned on by turning on the writing transistor 610 as in FIG. 4 until the potential of the cathode electrode 690 decreases. The potential increases. However, when the potential of the cathode electrode 690 starts to decrease in the latter half of the threshold correction period TP5, the potential of the second node (ND2) 660 also decreases due to capacitive coupling via the parasitic capacitance 641 of the light emitting element 640. At this time, since the potential of the reference signal (Vofs) is supplied from the data line (DTL) 310, the potential of the first node (ND1) 650 remains the potential (Vofs) of the reference signal.

すなわち、第1ノード(ND1)650には、基準信号の電位(Vofs)が印加され、第2ノード(ND2)660には、駆動トランジスタ620におけるソース端子側の閾値電位(Vofs−Vth)より低い電位が印加される。これにより、第1ノード(ND1)650と第2ノード(ND2)660との間の電圧は、理想的な状態における閾値電圧(Vth)より大きい電圧(Vthp)となる。そして、第1ノード(ND1)650と第2ノード(ND2)660との間の電圧が閾値電圧(Vth)より大きい電圧(Vthp)に維持されたまま、閾値補正期間TP5は終了する。   That is, the reference signal potential (Vofs) is applied to the first node (ND1) 650, and the second node (ND2) 660 is lower than the threshold potential (Vofs−Vth) on the source terminal side of the driving transistor 620. A potential is applied. As a result, the voltage between the first node (ND1) 650 and the second node (ND2) 660 becomes a voltage (Vthp) larger than the threshold voltage (Vth) in an ideal state. The threshold correction period TP5 ends while the voltage between the first node (ND1) 650 and the second node (ND2) 660 is maintained at a voltage (Vthp) greater than the threshold voltage (Vth).

その後、期間TP6では、第1ノード(ND1)650の電位および第2ノード(ND2)660の電位の上昇が起こる。この期間TP6では、一旦、走査線(WSL)210に供給される走査信号の電位がオフ電位(Voff)に落とされる。これにより、第1ノード(ND1)650が浮遊状態となる。理想的な状態の画素600においては、第1ノード(ND1)650と第2ノード(ND2)660との間の電圧が閾値電圧(Vth)であるため第1ノード(ND1)650および第2ノード(ND2)660の電位は上昇しない。   After that, in the period TP6, the potential of the first node (ND1) 650 and the potential of the second node (ND2) 660 are increased. In this period TP6, the potential of the scanning signal supplied to the scanning line (WSL) 210 is once dropped to the off potential (Voff). As a result, the first node (ND1) 650 enters a floating state. In the pixel 600 in an ideal state, since the voltage between the first node (ND1) 650 and the second node (ND2) 660 is the threshold voltage (Vth), the first node (ND1) 650 and the second node The potential of (ND2) 660 does not rise.

これに対し、電位変化の影響を受ける画素600においては、第1ノード(ND1)650および第2ノード(ND2)660の電位が上昇する。この電位の上昇は、第1ノード(ND1)650と第2ノード(ND2)660との間の電位差(Vthp)に基づく電位の上昇に加えて、カソード電極690の電位がカソード電位(Vcat)に戻る際の電位の上昇の影響によるものである。そして、第1ノード(ND1)650の電位は、保持容量630を介したカップリング(ブートストラップ動作)により第1ノード(ND1)650と第2ノード(ND2)660との間の電位差(Vthp)を維持したまま上昇する。すなわち、第1ノード(ND1)650および第2ノード(ND2)660は、TP5において加えられていた電位から「ΔVofs」だけ上昇する。これにより、第1ノード(ND1)650の電位は、基準信号の電位(Vofs)に比べて高い電位になり、第2ノード(ND2)660の電位は、駆動トランジスタ620におけるソース端子側の閾値電位(Vofs−Vth)に比べて低い電位となる。   On the other hand, in the pixel 600 affected by the potential change, the potentials of the first node (ND1) 650 and the second node (ND2) 660 rise. This potential increase is caused by the potential of the cathode electrode 690 becoming the cathode potential (Vcat) in addition to the potential increase based on the potential difference (Vthp) between the first node (ND1) 650 and the second node (ND2) 660. This is due to the increase in potential when returning. The potential of the first node (ND1) 650 is the potential difference (Vthp) between the first node (ND1) 650 and the second node (ND2) 660 by coupling (bootstrap operation) via the storage capacitor 630. Ascending while maintaining. That is, the first node (ND1) 650 and the second node (ND2) 660 rise by “ΔVofs” from the potential applied at TP5. Accordingly, the potential of the first node (ND1) 650 becomes higher than the potential (Vofs) of the reference signal, and the potential of the second node (ND2) 660 is the threshold potential on the source terminal side in the driving transistor 620. The potential is lower than (Vofs−Vth).

続いて、書込み期間/移動度補正期間TP7では、走査線(WSL)210の走査信号がオン電位(Von)に上げられることによって、第1ノード(ND1)650の電位が映像信号の電位(Vsig)まで上昇する。そして、第2ノード(ND2)660の電位は、図4において示した書込み期間/移動度補正期間TP7と同様に、TP6において加えられていた電位から上昇する。この場合における移動度補正は、TP6において加えられた第2ノード(ND2)660の電位が駆動トランジスタ620におけるソース端子側の閾値電位(Vofs−Vth)より低い電位であるため、不正確な移動度補正となる。   Subsequently, in the writing period / mobility correction period TP7, the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 is raised to the ON potential (Von), so that the potential of the first node (ND1) 650 becomes the potential of the video signal (Vsig). ). Then, the potential of the second node (ND2) 660 rises from the potential applied in TP6, similarly to the writing period / mobility correction period TP7 shown in FIG. The mobility correction in this case is an inaccurate mobility because the potential of the second node (ND2) 660 applied at TP6 is lower than the threshold potential (Vofs−Vth) on the source terminal side of the driving transistor 620. It becomes correction.

この不正確な移動度補正により、第2ノード(ND2)660の電位は、期間TP6において加えられた電位から不正確な移動度補正による上昇量(ΔVp)だけ上昇する。すなわち、走査線(WSL)210の走査信号がオン電位(Von)になることによって、保持容量630の一方の電極には映像信号の電位(Vsig)が書き込まれる。それとともに、保持容量630の他方の電極には、期間TP6において加えられていた電位から不正確な移動度補正による上昇量(ΔVp)だけ上昇した電位が加えられる。これにより、保持容量630には、理想的な状態において保持される電圧(Vsig−((Vofs−Vth)+ΔV))よりも大きい電圧(Vsig−((Vofs+ΔVofs−Vthp)+ΔVp))が保持される。   Due to this inaccurate mobility correction, the potential of the second node (ND2) 660 increases from the potential applied in the period TP6 by an increase amount (ΔVp) due to inaccurate mobility correction. That is, when the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 is turned on (Von), the potential (Vsig) of the video signal is written to one electrode of the storage capacitor 630. At the same time, a potential that is increased by an increase amount (ΔVp) due to inaccurate mobility correction from the potential applied in the period TP6 is applied to the other electrode of the storage capacitor 630. As a result, the holding capacitor 630 holds a voltage (Vsig − ((Vofs + ΔVofs−Vthp) + ΔVp)) larger than the voltage (Vsig − ((Vofs−Vth) + ΔV)) held in an ideal state. .

この後、発光期間TP8では、走査線(WSL)210の走査信号がオフ電位(Voff)に設定される。これにより、保持容量630に保持された電圧(Vsig−((Vofs+ΔVofs−Vthp)+ΔVp))に応じた輝度により発光素子640が発光する。この保持容量630に保持された電圧(Vsig−((Vofs+ΔVofs−Vthp)+ΔVp))は、理想的な状態の画素600において保持される電圧(Vsig−((Vofs−Vth)+ΔV))よりも大きい。このため、第2ノード(ND2)660の電位は、理想的な状態の画素600における第2ノード(ND2)660の電位よりも大きくなる。このため、閾値補正期間TP5における後半のタイミングでカソード電極690の電位低下の影響を受けた画素600の輝度は、閾値電圧(Vth)および移動度のばらつきを正しく補正した場合における輝度よりも、高い輝度となる。   Thereafter, in the light emission period TP8, the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 is set to the off potential (Voff). Accordingly, the light-emitting element 640 emits light with luminance corresponding to the voltage (Vsig − ((Vofs + ΔVofs−Vthp) + ΔVp)) held in the storage capacitor 630. The voltage (Vsig − ((Vofs + ΔVofs−Vthp) + ΔVp)) held in the holding capacitor 630 is larger than the voltage (Vsig − ((Vofs−Vth) + ΔV)) held in the pixel 600 in an ideal state. . For this reason, the potential of the second node (ND2) 660 is higher than the potential of the second node (ND2) 660 in the pixel 600 in an ideal state. For this reason, the luminance of the pixel 600 affected by the potential drop of the cathode electrode 690 in the latter half of the threshold correction period TP5 is higher than the luminance when the threshold voltage (Vth) and mobility variation are corrected correctly. It becomes brightness.

このように、閾値補正期間TP5における後半のタイミングにおいてカソード電極690の電位低下の影響を受けた場合には、画素600の発光の輝度は、理想的な状態における場合の輝度と比べて高い輝度となり明るくなってしまう。   As described above, when the potential of the cathode electrode 690 is affected by the latter half of the threshold correction period TP5, the luminance of the light emission of the pixel 600 is higher than that in the ideal state. It becomes brighter.

[カソード電極の電位変化により画素の発光が暗くなる例]
図12は、図3の構成の画素600におけるカソード電極690の電位変化により画素600の発光が暗くなる場合における画素600の動作の一例を示すタイミングチャートである。ここでは、第2ノード(ND2)660、第1ノード(ND1)650、カソード電極690の電位変化以外は、図11において示したものと同様であるため詳細な説明を省略する。また、ここでは、閾値補正期間TP5が開始する直前のタイミングでカソード電極690の電位低下の影響を受けた画素600の動作について説明する。
[Example of light emission of pixels darkened due to potential change of cathode electrode]
FIG. 12 is a timing chart showing an example of the operation of the pixel 600 when the light emission of the pixel 600 becomes dark due to the potential change of the cathode electrode 690 in the pixel 600 configured as shown in FIG. Here, since the second node (ND2) 660, the first node (ND1) 650, and the cathode electrode 690 are the same as those shown in FIG. 11 except for potential changes, detailed description thereof is omitted. Here, the operation of the pixel 600 affected by the potential drop of the cathode electrode 690 at the timing immediately before the threshold correction period TP5 starts will be described.

カソード電極690の電位変化により画素600の発光が暗くなる場合において、閾値補正待機期間TP4では、不必要な第2ノード(ND2)660および第1ノード(ND1)650の電位の低下が起こる。カソード電極690の電位が低下するまでは、図4と同様に、第1ノード(ND1)650および第2ノード(ND2)660の電位は、電源線(DSL)410の電源信号の初期化電位(Vss)付近の電位に維持される。   In the case where the light emission of the pixel 600 becomes dark due to the potential change of the cathode electrode 690, unnecessary reduction of the potentials of the second node (ND2) 660 and the first node (ND1) 650 occurs in the threshold correction standby period TP4. Until the potential of the cathode electrode 690 decreases, the potential of the first node (ND1) 650 and the second node (ND2) 660 is the initialization potential of the power supply signal of the power supply line (DSL) 410 (see FIG. 4). Vss) is maintained at a potential in the vicinity.

しかしながら、閾値補正期間TP5が開始する直前でカソード電極690の電位が低下を開始すると、発光素子640の寄生容量641を介した容量性カップリングによって第2ノード(ND2)660の電位も低下する。このとき、第1ノード(ND1)650の電位は、保持容量630を介したカップリングによる第2ノード(ND2)660の電位の低下量に応じて低下する。これにより、第1ノード(ND1)650の電位と第2ノード(ND2)660の電位は、電源線(DSL)410の初期化電位(Vss)付近の電位より低い電位になる。   However, if the potential of the cathode electrode 690 starts to decrease immediately before the threshold correction period TP5 starts, the potential of the second node (ND2) 660 also decreases due to capacitive coupling via the parasitic capacitance 641 of the light emitting element 640. At this time, the potential of the first node (ND 1) 650 decreases according to the amount of decrease in the potential of the second node (ND 2) 660 due to coupling via the storage capacitor 630. Accordingly, the potential of the first node (ND1) 650 and the potential of the second node (ND2) 660 are lower than those near the initialization potential (Vss) of the power supply line (DSL) 410.

続いて、閾値補正期間TP5では、図4と同様に、書込みトランジスタ610をオン状態にすることで第1ノード(ND1)650および第2ノード(ND2)660の電位は上昇する。このとき、第2ノード(ND2)660の電位上昇は、カソード電極690の電位がカソード電位(Vcat)まで戻る際の電位変化の影響も合わせたものである。第2ノード(ND2)660の電位は、この容量性カップリングの影響により上昇することによって、駆動トランジスタ620におけるソース端子側の閾値電位(Vofs−Vth)よりも高い電圧になる。すなわち、第1ノード(ND1)650の電位には、基準信号の電位(Vofs)が印加され、第2ノード(ND2)660には、駆動トランジスタ620におけるソース端子側の閾値電位(Vofs−Vth)より高い電位が印加される。これにより、第1ノード(ND1)650と第2ノード(ND2)660との間の電圧は、理想的な状態における閾値電圧(Vth)より小さい電圧(Vthp)となる。   Subsequently, in the threshold correction period TP5, as in FIG. 4, the potentials of the first node (ND1) 650 and the second node (ND2) 660 are increased by turning on the writing transistor 610. At this time, the increase in the potential of the second node (ND2) 660 also includes the influence of the potential change when the potential of the cathode electrode 690 returns to the cathode potential (Vcat). The potential of the second node (ND2) 660 increases due to the influence of the capacitive coupling, and thus becomes a voltage higher than the threshold potential (Vofs−Vth) on the source terminal side in the driving transistor 620. That is, the potential of the reference signal (Vofs) is applied to the potential of the first node (ND1) 650, and the threshold potential (Vofs−Vth) on the source terminal side of the driving transistor 620 is applied to the second node (ND2) 660. A higher potential is applied. Thereby, the voltage between the first node (ND1) 650 and the second node (ND2) 660 becomes a voltage (Vthp) smaller than the threshold voltage (Vth) in an ideal state.

その後、期間TP6では、第1ノード(ND1)650の電位および第2ノード(ND2)660の電位の上昇が起こる。この期間TP6では、第1ノード(ND1)650と第2ノード(ND2)660との間の電圧は、理想的な状態の画素600における閾値電圧(Vth)より小さい電圧(Vthp)であるため、駆動トランジスタ620には電流はほとんど流れない。このとき、第2ノード(ND2)660の電位は、カソード電極690の電位がカソード電位(Vcat)に戻る際の電位の上昇に基づいて上昇する。   After that, in the period TP6, the potential of the first node (ND1) 650 and the potential of the second node (ND2) 660 are increased. In this period TP6, the voltage between the first node (ND1) 650 and the second node (ND2) 660 is a voltage (Vthp) smaller than the threshold voltage (Vth) in the pixel 600 in an ideal state. Little current flows through the drive transistor 620. At this time, the potential of the second node (ND2) 660 increases based on the increase in potential when the potential of the cathode electrode 690 returns to the cathode potential (Vcat).

また、第1ノード(ND1)650の電位は、保持容量630を介したカップリングにより第1ノード(ND1)650と第2ノード(ND2)660との間の電位差(Vthp)を保持したまま上昇する。すなわち、第1ノード(ND1)650および第2ノード(ND2)660は、閾値補正期間TP5において加えられていた電位から「ΔVofs」だけ上昇する。これにより、第1ノード(ND1)650の電位は、基準信号の電位(Vofs)より高い電位になり、第2ノード(ND2)660の電位は、駆動トランジスタ620におけるソース端子側の閾値電位(Vofs−Vth)より高い電位となる。   Further, the potential of the first node (ND1) 650 rises while holding the potential difference (Vthp) between the first node (ND1) 650 and the second node (ND2) 660 by coupling through the storage capacitor 630. To do. That is, the first node (ND1) 650 and the second node (ND2) 660 rise by “ΔVofs” from the potential applied in the threshold correction period TP5. Accordingly, the potential of the first node (ND1) 650 becomes higher than the potential (Vofs) of the reference signal, and the potential of the second node (ND2) 660 is the threshold potential (Vofs) on the source terminal side of the driving transistor 620. -Vth).

続いて、書込み期間/移動度補正期間TP7では、走査線(WSL)210の走査信号がオン電位(Von)に上げられることによって、第1ノード(ND1)650の電位が映像信号の電位(Vsig)まで上昇する。それとともに、第2ノード(ND2)660の電位は、図4において示した書込み期間/移動度補正期間TP7と同様に、TP6において加えられていた電位から上昇する。   Subsequently, in the writing period / mobility correction period TP7, the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 is raised to the ON potential (Von), so that the potential of the first node (ND1) 650 becomes the potential of the video signal (Vsig). ). At the same time, the potential of the second node (ND2) 660 rises from the potential applied in TP6, similarly to the writing period / mobility correction period TP7 shown in FIG.

この場合における移動度補正は、期間TP6において加えられていた第2ノード(ND2)660の電位が駆動トランジスタ620におけるソース端子側の閾値電位(Vofs−Vth)より高い電位であるため、不正確な移動度補正となる。この不正確な移動度補正により、第2ノード(ND2)660の電位は、期間TP6において加えられていた電位から不正確な移動度補正による上昇量(ΔVp)だけ上昇する。これにより、保持容量630には、理想的な状態において保持される電圧(Vsig−((Vofs−Vth)+ΔV))よりも小さい電圧(Vsig−((Vofs+ΔVofs−Vthp)+ΔVp))が保持される。   The mobility correction in this case is inaccurate because the potential of the second node (ND2) 660 added in the period TP6 is higher than the threshold potential (Vofs−Vth) on the source terminal side of the driving transistor 620. Mobility correction. Due to this inaccurate mobility correction, the potential of the second node (ND2) 660 increases from the potential applied in the period TP6 by an increase amount (ΔVp) due to inaccurate mobility correction. Thus, the holding capacitor 630 holds a voltage (Vsig − ((Vofs + ΔVofs−Vthp) + ΔVp)) smaller than the voltage (Vsig − ((Vofs−Vth) + ΔV)) held in an ideal state. .

この後、発光期間TP8では、走査線(WSL)210の走査信号がオフ電位(Voff)に設定される。これにより、保持容量630に保持された電圧(Vsig−((Vofs+ΔVofs−Vthp)+ΔVp))に応じた輝度により発光素子640が発光する。この保持容量630に保持された電圧(Vsig−((Vofs+ΔVofs−Vthp)+ΔVp))は、理想的な状態の画素600において保持される電圧(Vsig−((Vofs−Vth)+ΔV))よりも小さい。このため、第2ノード(ND2)660の電位は、理想的な状態の画素600における第2ノード(ND2)660の電位よりも小さくなる。これにより、閾値補正期間TP5が開始する直前のタイミングにおいてカソード電極690の電位の低下の影響を受けた画素600の輝度は、閾値電圧(Vth)および移動度のばらつきを正しく補正した場合における輝度よりも、低い輝度になる。   Thereafter, in the light emission period TP8, the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 is set to the off potential (Voff). Accordingly, the light-emitting element 640 emits light with luminance corresponding to the voltage (Vsig − ((Vofs + ΔVofs−Vthp) + ΔVp)) held in the storage capacitor 630. The voltage (Vsig − ((Vofs + ΔVofs−Vthp) + ΔVp)) held in the holding capacitor 630 is smaller than the voltage (Vsig − ((Vofs−Vth) + ΔV)) held in the ideal pixel 600. . Therefore, the potential of the second node (ND2) 660 is smaller than the potential of the second node (ND2) 660 in the pixel 600 in an ideal state. As a result, the luminance of the pixel 600 affected by the decrease in the potential of the cathode electrode 690 at the timing immediately before the threshold correction period TP5 starts is more than the luminance when the variations in threshold voltage (Vth) and mobility are corrected correctly. However, it becomes low brightness.

このように、閾値補正期間TP5が開始する直前のタイミングでカソード電極690の電位低下の影響を受けた画素600の発光の輝度は、理想的な状態における場合の輝度と比べて低い輝度となり暗くなってしまう。   As described above, the luminance of the light emission of the pixel 600 affected by the potential drop of the cathode electrode 690 at the timing immediately before the threshold correction period TP5 starts is lower than the luminance in the ideal state and becomes darker. End up.

次に、カソード電極690の電位変化が図11および図12において示したように画素600の動作に影響を与える場合における表示装置100の表示例について図面を参照して説明する。   Next, a display example of the display device 100 when the potential change of the cathode electrode 690 affects the operation of the pixel 600 as illustrated in FIGS. 11 and 12 will be described with reference to the drawings.

[カソード電極の電位変化の影響を受けた表示装置の表示の例]
図13は、図3の構成の画素600におけるカソード電極690の電位変化が図11および図12において示したように、画素600の動作に影響を与える場合における表示装置100に表示される表示画像に関する図である。ここでは、表示装置100に入力される入力画像は、全てが灰色である画像を想定する。
[Example of display on display device affected by potential change of cathode electrode]
FIG. 13 relates to a display image displayed on the display device 100 when the potential change of the cathode electrode 690 in the pixel 600 having the configuration shown in FIG. 3 affects the operation of the pixel 600 as shown in FIGS. FIG. Here, the input image input to the display device 100 is assumed to be an image that is all gray.

電源線共用領域451乃至455は、同一の電源信号が供給される画素600によって表示されるそれぞれの領域を示す。この電源線共用領域451乃至455では、図11において示した輝度が高くなる画素600については灰色より明るい色により、図12において示した輝度が低くなる画素600については灰色より暗い色により示している。   The power line common areas 451 to 455 indicate respective areas displayed by the pixels 600 to which the same power signal is supplied. In the power line common areas 451 to 455, the pixel 600 having a high luminance shown in FIG. 11 is shown by a lighter color than gray, and the pixel 600 having a low luminance shown in FIG. 12 is shown by a darker color than gray. .

このように、表示装置100に表示される表示画像は、カソード電極690の電位変化の影響によって、電源線共用領域451乃至455の所定の行にスジが入る画像になってしまう。このため、カソード電極690の電位変化を軽減するために改良したものが、次に説明する第1の実施の形態である。   As described above, the display image displayed on the display device 100 is an image in which streaks enter predetermined rows of the power supply line shared regions 451 to 455 due to the influence of the potential change of the cathode electrode 690. For this reason, the first embodiment described below is improved to reduce the potential change of the cathode electrode 690.

<2.第1の実施の形態>
[画素の構成例]
図14は、本発明の第1の実施の形態における画素600の構成例を模式的に示す回路図である。この画素600は、図3に示した画素600の構成に加えて制御トランジスタ670を備えている。ここでは、制御トランジスタ670以外の構成は、図3と同様のものであるため、図3と同符号を付してここでの各部の構成の説明を省略する。
<2. First Embodiment>
[Pixel configuration example]
FIG. 14 is a circuit diagram schematically illustrating a configuration example of the pixel 600 according to the first embodiment of the present invention. The pixel 600 includes a control transistor 670 in addition to the configuration of the pixel 600 shown in FIG. Here, since the configuration other than the control transistor 670 is the same as that in FIG. 3, the same reference numerals as those in FIG.

この構成において、制御トランジスタ670は、そのゲート端子およびソース端子に書込みトランジスタ610のソース端子が接続され、そのドレイン端子に電源線(DSL)410が接続される。   In this configuration, the control transistor 670 has a gate terminal and a source terminal connected to the source terminal of the write transistor 610 and a drain terminal connected to the power supply line (DSL) 410.

制御トランジスタ670は、電源信号の切替えによるカソード電極690における電位低下のタイミングを遅らせるための役割を果たすものである。この制御トランジスタ670は、第1ノード(ND1)650と電源線(DSL)410との間を接続している。さらに、この制御トランジスタ670は、そのゲート端子をそのソース端子にダイオード接続している。そのため、この制御トランジスタ670は、例えば、第1ノード(ND1)650の電位が電源線(DSL)410の電位より高い場合には、第1ノード(ND1)650と電源線(DSL)410とを導通させる。このことによって、制御トランジスタ670は、駆動トランジスタ620のソース端子の電位を低下させる。なお、制御トランジスタ670は、特許請求の範囲に記載の接続素子の一例である。   The control transistor 670 plays a role for delaying the timing of the potential drop at the cathode electrode 690 due to the switching of the power signal. The control transistor 670 connects the first node (ND1) 650 and the power supply line (DSL) 410. Further, the control transistor 670 has its gate terminal diode-connected to its source terminal. Therefore, for example, when the potential of the first node (ND1) 650 is higher than the potential of the power supply line (DSL) 410, the control transistor 670 connects the first node (ND1) 650 and the power supply line (DSL) 410. Conduct. As a result, the control transistor 670 lowers the potential of the source terminal of the drive transistor 620. The control transistor 670 is an example of a connection element described in the claims.

[画素の基本動作の例]
図15は、本発明の第1の実施の形態における画素600の基本動作の一例に関するタイミングチャートである。このタイミングチャートには、横軸を共通の時間軸として、走査線(WSL)210、データ線(DTL)310、電源線(DSL)410、第1ノード(ND1)650、第2ノード(ND2)660およびカソード電極690の電位変化が示されている。ここでは、走査線(WSL)210およびカソード電極690については、第1の実施の形態における電位変化が実線により、従来構成における電位変化が鎖線により示されている。なお、各期間を示す横軸の長さは模式的なものであり、各期間の時間長の割合を示すものではない。また、ここでは、閾値補正準備期間TP3−1乃至3−3以外の期間における画素600の動作は、図8において示した画素600の動作と同様であるため、ここでの説明を省略する。また、この例では、カソード電極690の電位変化は、1つの画素600により生じる電位変化として説明する。
[Example of basic pixel operation]
FIG. 15 is a timing chart regarding an example of a basic operation of the pixel 600 according to the first embodiment of the present invention. In this timing chart, the horizontal axis is a common time axis, the scanning line (WSL) 210, the data line (DTL) 310, the power supply line (DSL) 410, the first node (ND1) 650, the second node (ND2). The potential change of 660 and cathode electrode 690 is shown. Here, regarding the scanning line (WSL) 210 and the cathode electrode 690, the potential change in the first embodiment is indicated by a solid line, and the potential change in the conventional configuration is indicated by a chain line. In addition, the length of the horizontal axis indicating each period is a schematic one and does not indicate the ratio of the time length of each period. Further, here, the operation of the pixel 600 in the period other than the threshold correction preparation periods TP3-1 to 3-3 is the same as the operation of the pixel 600 shown in FIG. In this example, the potential change of the cathode electrode 690 is described as a potential change caused by one pixel 600.

閾値補正準備期間TP3−1では、電源線(DSL)410の電源信号は電源電位(Vcc)から初期化電位(Vss)に切り替えられる。これにより、第1ノード(ND1)650の電位は、制御トランジスタ670を介して第1ノード(ND1)650から電源線(DSL)410に電流が流れることによって、「Vss+Vthc」まで低下する。ここで、Vthcは制御トランジスタ670におけるドレイン側の閾値電圧に相当する電圧である。このとき、第2ノード(ND2)660から駆動トランジスタ620を介して電源線(DSL)410の方向に電流が流れるため、第2ノード(ND2)660の電位は「Vy」まで低下する。なお、閾値補正準備期間TP3−1乃至3−3における電源線(DSL)410の電源信号の初期化電位(Vss)は、特許請求の範囲に記載の低電源電位の一例である。   In the threshold correction preparation period TP3-1, the power supply signal of the power supply line (DSL) 410 is switched from the power supply potential (Vcc) to the initialization potential (Vss). As a result, the potential of the first node (ND1) 650 decreases to “Vss + Vthc” due to a current flowing from the first node (ND1) 650 to the power supply line (DSL) 410 via the control transistor 670. Here, Vthc is a voltage corresponding to the threshold voltage on the drain side in the control transistor 670. At this time, since a current flows from the second node (ND2) 660 to the power supply line (DSL) 410 via the driving transistor 620, the potential of the second node (ND2) 660 decreases to “Vy”. Note that the initialization potential (Vss) of the power supply signal of the power supply line (DSL) 410 in the threshold correction preparation periods TP3-1 to 3-3 is an example of the low power supply potential described in the claims.

次に、閾値補正準備期間の第2ノード電位低下期間TP3−2では、走査線(WSL)210の走査信号はオフ電位(Voff)からオン電位(Von)に切り替えられる。これにより、書込みトランジスタ610が導通状態となるため、第1ノード(ND1)650の電位が「Va」まで上昇する。この時、駆動トランジスタ620のゲートソース間電圧が閾値電圧(Vth)より大きければ、この第1ノード(ND1)650の電位上昇により、第2ノード(ND2)660から電源線(DSL)410の方向に駆動トランジスタ620を介して電流が流れる。これにより、第2ノード(ND2)660の電位は「Vss」まで低下する。すなわち、駆動トランジスタ620のゲート端子の電位の上昇によって、発光素子640の入力端子の電位が「Vss」まで低下する。また、この第2ノード(ND2)660の電位の低下は、発光素子640の寄生容量641を介した容量性カップリングにより、カソード電極690の電位を、カソード電位(Vcat)から僅かに低下させる。   Next, in the second node potential decrease period TP3-2 of the threshold correction preparation period, the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 is switched from the off potential (Voff) to the on potential (Von). As a result, the write transistor 610 becomes conductive, and the potential of the first node (ND1) 650 rises to “Va”. At this time, if the gate-source voltage of the driving transistor 620 is larger than the threshold voltage (Vth), the potential of the first node (ND1) 650 increases, and the direction from the second node (ND2) 660 to the power supply line (DSL) 410 Current flows through the drive transistor 620. As a result, the potential of the second node (ND2) 660 decreases to “Vss”. That is, as the potential of the gate terminal of the driving transistor 620 increases, the potential of the input terminal of the light emitting element 640 decreases to “Vss”. The decrease in the potential of the second node (ND2) 660 slightly decreases the potential of the cathode electrode 690 from the cathode potential (Vcat) by capacitive coupling via the parasitic capacitance 641 of the light emitting element 640.

一方、鎖線で示された従来構成における1つの画素600により生じるカソード電極690の電位変化は、閾値補正準備期間が開始した直後に低下する。なお、この閾値補正準備期間の第2ノード電位低下期間TP3−2における走査線(WSL)210の走査信号のオン電位(Von)は、特許請求の範囲に記載のオン電位の一例である。   On the other hand, the potential change of the cathode electrode 690 caused by one pixel 600 in the conventional configuration indicated by the chain line decreases immediately after the threshold correction preparation period starts. Note that the on potential (Von) of the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 in the second node potential lowering period TP3-2 of the threshold correction preparation period is an example of an on potential described in the claims.

次に、閾値補正準備期間TP3−3では、走査線(WSL)210の走査信号はオン電位(Von)からオフ電位(Voff)に切り替えられる。これにより、第1ノード(ND1)650の電位は、閾値補正準備期間TP3−1と同様にして「Vss+Vthc」まで低下する。このとき、この第1ノード(ND1)650の電位の低下に伴う保持容量630を介したカップリングによって、第2ノード(ND2)660に伝わることによって、第2ノード(ND2)660の電位は「Vss」から僅かに低下する。   Next, in the threshold correction preparation period TP3-3, the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 is switched from the on potential (Von) to the off potential (Voff). As a result, the potential of the first node (ND1) 650 decreases to “Vss + Vthc” in the same manner as the threshold correction preparation period TP3-1. At this time, the potential of the second node (ND2) 660 is transmitted to the second node (ND2) 660 by coupling via the storage capacitor 630 accompanying the decrease in the potential of the first node (ND1) 650, whereby the potential of the second node (ND2) 660 becomes “ Slightly lower than “Vss”.

このように、制御トランジスタ670を備える画素600に閾値補正準備期間の第2ノード電位低下期間TP3−2を設けることによって、カソード電極690の電位が低下するタイミングを第2ノード電位低下期間TP3−2にすることができる。   Thus, by providing the pixel 600 including the control transistor 670 with the second node potential decrease period TP3-2 in the threshold correction preparation period, the timing at which the potential of the cathode electrode 690 decreases is set to the second node potential decrease period TP3-2. Can be.

[画素の動作状態の詳細]
次に、上述の画素600の動作について以下に図面を参照して説明する。以下の図面では、図15に示したタイミングチャートにおける閾値補正準備期間TP3−1乃至3−3に対応する画素600の動作状態を示す。ここでは、閾値補正準備期間TP3−1乃至3−3以外の期間の動作状態は、図5乃至7において示した動作状態と同様のものであるため説明を省略する。なお、便宜上、発光素子640の寄生容量641を図示する。また、書込みトランジスタ610をスイッチとして図示し、走査線(WSL)210については省略する。
[Details of pixel operation status]
Next, the operation of the above-described pixel 600 will be described below with reference to the drawings. In the following drawings, an operation state of the pixel 600 corresponding to the threshold correction preparation periods TP3-1 to 3-3 in the timing chart shown in FIG. 15 is shown. Here, the operation state in the period other than the threshold correction preparation periods TP3-1 to 3-3 is the same as the operation state shown in FIGS. For convenience, the parasitic capacitance 641 of the light emitting element 640 is illustrated. Further, the writing transistor 610 is illustrated as a switch, and the scanning line (WSL) 210 is omitted.

図16(a)乃至(c)は、本発明の第1の実施の形態における閾値補正準備期間TP3−1乃至3−3の期間にそれぞれ対応する画素600の動作状態を模式的に示す回路図である。   FIGS. 16A to 16C are circuit diagrams schematically showing the operation states of the pixels 600 corresponding to the threshold correction preparation periods TP3-1 to 3-3 in the first embodiment of the present invention. It is.

閾値補正準備期間TP3−1では、図16(a)に示すように、電源線(DSL)410の電源信号が電源電位(Vcc)から初期化電位(Vss)に切り替えられる。この期間の開始直後においては、第1ノード(ND1)650の電位は、電源線(DSL)410の電位(Vss)よりも高いため、制御トランジスタ670を介して第1ノード(ND1)650から電源線(DSL)410に電流が流れる。これらにより、第1ノード(ND1)650の電位は低下する。このとき、第1ノード(ND1)650の電位と電源線(DSL)410の初期化電位(Vss)との間の電位差が制御トランジスタ670におけるドレイン側の閾値電圧(Vthc)に相当する電圧となるまで、第1ノード(ND1)650の電位は低下する。すなわち、第1ノード(ND1)650の電位は「Vss+Vthc」まで低下する。   In the threshold correction preparation period TP3-1, as shown in FIG. 16A, the power supply signal of the power supply line (DSL) 410 is switched from the power supply potential (Vcc) to the initialization potential (Vss). Immediately after the start of this period, since the potential of the first node (ND1) 650 is higher than the potential (Vss) of the power supply line (DSL) 410, power is supplied from the first node (ND1) 650 via the control transistor 670. A current flows through the line (DSL) 410. As a result, the potential of the first node (ND1) 650 decreases. At this time, the potential difference between the potential of the first node (ND1) 650 and the initialization potential (Vss) of the power supply line (DSL) 410 becomes a voltage corresponding to the threshold voltage (Vthc) on the drain side of the control transistor 670. Until then, the potential of the first node (ND1) 650 decreases. That is, the potential of the first node (ND1) 650 decreases to “Vss + Vthc”.

また、第2ノード(ND2)660の電位も、電源線(DSL)410の電源信号が初期化電位(Vss)になることによって駆動トランジスタ620を介して電源線(DSL)410の方向に電流が流れるため、低下する。この電流が流れる速度は、第2ノード(ND2)660に付帯する容量の大きさが小さいほど速い。第2ノード(ND2)660に係る容量と第1ノード(ND1)650に係る容量とを比べると、第2ノード(ND2)660には保持容量630よりも大きい発光素子640の寄生容量641が付帯するため、第2ノード(ND2)660の容量の方が大きい。そのため、第2ノード(ND2)660の電位が低下する速度は、第1ノード(ND1)650の電位が低下する速度と比べて遅くなる。   Further, the potential of the second node (ND2) 660 also causes a current to flow in the direction of the power supply line (DSL) 410 through the driving transistor 620 when the power supply signal of the power supply line (DSL) 410 becomes the initialization potential (Vss). It drops because it flows. The speed at which this current flows is higher as the capacity of the second node (ND2) 660 is smaller. Comparing the capacitance associated with the second node (ND2) 660 and the capacitance associated with the first node (ND1) 650, the second node (ND2) 660 is accompanied by a parasitic capacitance 641 of the light emitting element 640 larger than the storage capacitor 630. Therefore, the capacity of the second node (ND2) 660 is larger. Therefore, the speed at which the potential of the second node (ND2) 660 decreases is slower than the speed at which the potential of the first node (ND1) 650 decreases.

また、第1ノード(ND1)650の電位が「Vss+Vthc」まで低下すると、第1ノード(ND1)650の電位と電源線(DSL)410との間の電圧は、駆動トランジスタ620のドレイン端子の閾値電圧「Vthd」付近の電圧になる。これにより、第2ノード(ND2)660の電位は、急激に低下した後に緩やかに低下することによって「Vy」まで低下する。   When the potential of the first node (ND1) 650 decreases to “Vss + Vthc”, the voltage between the potential of the first node (ND1) 650 and the power supply line (DSL) 410 is the threshold value of the drain terminal of the driving transistor 620. It becomes a voltage near the voltage “Vthd”. As a result, the potential of the second node (ND2) 660 decreases to “Vy” by being gradually decreased after being rapidly decreased.

次に、閾値補正準備期間の第2ノード電位低下期間TP3−2では、図16(b)に示すように、走査線(WSL)210の走査信号はオフ電位(Voff)からオン電位(Von)に切り替えられる。これにより、データ線(DTL)310のデータ信号の基準信号(Vofs)が第1ノード(ND1)650に供給される。これにより、第1ノード(ND1)650の電位が上昇するため、第1ノード(ND1)650と電源線(DSL)410との間の電圧が大きくなる。このため、制御トランジスタ670を介してデータ線(DTL)310から電源線(DSL)410に電流が流れる。   Next, in the second node potential decrease period TP3-2 of the threshold correction preparation period, as shown in FIG. 16B, the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 changes from the off potential (Voff) to the on potential (Von). Can be switched to. As a result, the reference signal (Vofs) of the data signal of the data line (DTL) 310 is supplied to the first node (ND1) 650. As a result, the potential of the first node (ND1) 650 increases, so that the voltage between the first node (ND1) 650 and the power supply line (DSL) 410 increases. Therefore, a current flows from the data line (DTL) 310 to the power supply line (DSL) 410 via the control transistor 670.

この場合において、制御トランジスタ670は、電源線(DSL)410と第1ノード(ND1)650との間に接続された抵抗として働く。この制御トランジスタ670の抵抗としての機能により電圧降下が発生するため、第1ノード(ND1)650の電位は、データ線(DTL)310のデータ信号の基準信号(Vofs)の電位よりも低い電位になる。このようにして、第1ノード(ND1)650の電位は、データ線(DTL)310のデータ信号の基準信号(Vofs)の電位よりも低い電位である「Va」まで上昇する。   In this case, the control transistor 670 functions as a resistor connected between the power supply line (DSL) 410 and the first node (ND1) 650. Since the voltage drop occurs due to the function of the resistance of the control transistor 670, the potential of the first node (ND1) 650 is lower than the potential of the reference signal (Vofs) of the data signal of the data line (DTL) 310. Become. In this manner, the potential of the first node (ND1) 650 rises to “Va”, which is a potential lower than the potential of the reference signal (Vofs) of the data signal of the data line (DTL) 310.

また、この第1ノード(ND1)650の電位の上昇により、電源線(DSL)410と第1ノード(ND1)650との間の電圧が駆動トランジスタ620の閾値電圧(Vthd)よりも大きくなる。このため、駆動トランジスタ620が導通状態になり、第2ノード(ND2)660から電源線(DSL)410に電流が流れる。これにより、第2ノード(ND2)660の電位は、「Vy」から電源線(DSL)410の電源信号の初期化電位(Vss)まで低下する。また、この第2ノード(ND2)660の電位の低下は、発光素子640の寄生容量641を介した容量性カップリングにより、カソード電極690の電位を、「Vcat」から僅かに低下させる。   Further, due to the rise in the potential of the first node (ND1) 650, the voltage between the power supply line (DSL) 410 and the first node (ND1) 650 becomes higher than the threshold voltage (Vthd) of the driving transistor 620. For this reason, the driving transistor 620 becomes conductive, and a current flows from the second node (ND2) 660 to the power supply line (DSL) 410. As a result, the potential of the second node (ND2) 660 decreases from “Vy” to the initialization potential (Vss) of the power supply signal of the power supply line (DSL) 410. In addition, the decrease in the potential of the second node (ND2) 660 slightly decreases the potential of the cathode electrode 690 from “Vcat” due to capacitive coupling via the parasitic capacitance 641 of the light emitting element 640.

第2ノード電位低下期間TP3−2に続いて、閾値補正準備期間3−3では、図16(c)に示すように、走査線(WSL)210の走査信号はオン電位(Von)からオフ電位(Voff)に切り替えられる。これにより、第1ノード(ND1)650の電位(Vofs)は、閾値補正準備期間TP3−1と同様にして「Vss+Vthc」まで低下する。このとき、この第1ノード(ND1)650の電位の低下に伴う保持容量630を介したカップリングによって、第2ノード(ND2)660の電位は「Vss」から僅かに低下する。   Following the second node potential drop period TP3-2, in the threshold correction preparation period 3-3, as shown in FIG. 16C, the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 changes from the on potential (Von) to the off potential. (Voff). As a result, the potential (Vofs) of the first node (ND1) 650 decreases to “Vss + Vthc” in the same manner as the threshold correction preparation period TP3-1. At this time, the potential of the second node (ND2) 660 slightly decreases from “Vss” due to the coupling through the storage capacitor 630 accompanying the decrease of the potential of the first node (ND1) 650.

次に、本発明の第1の実施の形態における電源線を共有する複数の走査線の走査信号に起因して発生するカソード電極690の電位変化について図面を参照して説明する。   Next, a potential change of the cathode electrode 690 caused by scanning signals of a plurality of scanning lines sharing the power supply line in the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

[本発明の第1の実施の形態における同じ電源電位が供給されている複数の走査線に起因して発生するカソード電極の電位変化の例]
図17は、本発明の第1の実施の形態における電源線を共有する複数の走査線(WSL)211乃至213の走査信号に起因して発生するカソード電極690の電位変化の一例に関するタイミングチャートである。ここでは、横軸を時間軸として、閾値補正準備期間TP3−1乃至3−3における電源線(DSL)411、走査線(WSL)211およびカソード電極690の信号の電位変化を示している。走査線(WSL)211乃至213およびカソード電極690については、第1の実施の形態における電位変化を実線により、従来構成における電位変化を鎖線により示す。なお、各期間を示す横軸の長さは、模式的なものであり、各期間の時間長の割合を示すものではない。
[Example of potential change of cathode electrode caused by a plurality of scanning lines supplied with the same power supply potential in the first embodiment of the present invention]
FIG. 17 is a timing chart relating to an example of potential change of the cathode electrode 690 generated due to the scanning signals of the plurality of scanning lines (WSL) 211 to 213 sharing the power supply line in the first embodiment of the present invention. is there. Here, the horizontal axis indicates the time axis, and the potential changes in the signals of the power supply line (DSL) 411, the scanning line (WSL) 211, and the cathode electrode 690 in the threshold correction preparation periods TP3-1 to 3-3 are shown. Regarding the scanning lines (WSL) 211 to 213 and the cathode electrode 690, the potential change in the first embodiment is indicated by a solid line, and the potential change in the conventional configuration is indicated by a chain line. In addition, the length of the horizontal axis which shows each period is typical, and does not show the ratio of the time length of each period.

本発明の第1の実施の形態において、走査線(WSL)211乃至213が接続された画素600には、電源線(DSL)411により同じ電源電位が供給されている。この画素600における閾値補正準備期間の第2ノード電位低下期間3−2が開始するタイミングは、走査線(WSL)211乃至213ごとに異なる。このため、カソード電極690の電位が低下するタイミングは、走査線(WSL)211乃至213毎に異なる。これにより、カソード電極690の電位変化は、走査線(WSL)211乃至213の走査信号ごとに分散されるため、画素600の発光に影響を与えない程度の電位変化となる。   In the first embodiment of the present invention, the same power supply potential is supplied by the power supply line (DSL) 411 to the pixels 600 to which the scanning lines (WSL) 211 to 213 are connected. The timing at which the second node potential decrease period 3-2 of the threshold correction preparation period in the pixel 600 starts is different for each of the scanning lines (WSL) 211 to 213. For this reason, the timing at which the potential of the cathode electrode 690 decreases differs for each of the scanning lines (WSL) 211 to 213. As a result, the potential change of the cathode electrode 690 is dispersed for each scanning signal of the scanning lines (WSL) 211 to 213, so that the potential change does not affect the light emission of the pixel 600.

このように、本発明の第1の実施の形態の表示装置100では、カソード電極690の電位が低下するタイミングを走査線毎の第2ノード電位低下期間TP3−2にすることができる。これにより、本発明の第1の実施の形態においては、従来構成に比べて、カソード電極690の電位の変動量を抑制することができるため、画素600の動作に与える影響を軽減することができる。すなわち、本発明の第1の実施の形態の表示装置100は、表示装置の画質を改善させることができる。   As described above, in the display device 100 according to the first embodiment of the present invention, the timing at which the potential of the cathode electrode 690 decreases can be set to the second node potential decrease period TP3-2 for each scanning line. Thereby, in the first embodiment of the present invention, since the amount of fluctuation in the potential of the cathode electrode 690 can be suppressed as compared with the conventional configuration, the influence on the operation of the pixel 600 can be reduced. . That is, the display device 100 according to the first embodiment of the present invention can improve the image quality of the display device.

次に、本発明の第2の実施の形態における表示装置100について図面を参照して説明する。   Next, a display device 100 according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

<3.第2の実施の形態>
[本発明の第2の実施の形態における表示装置の構成例]
図18は、本発明の第2の実施の形態における表示装置100の一構成例を示す概念図である。この表示装置100は、図1に示した表示装置100の構成に加えて制御補助スキャナ800を備えている。さらに、この表示装置100は、制御補助スキャナ800と制御トランジスタ670のゲート端子との間を接続する制御線810が設けられている。また、この表示装置100には、制御補助スキャナ800とタイミング生成部700との間を接続するスタートパルス線(SPL)714およびクロックパルス線(CKL)724が設けられている。ここでは、制御補助スキャナ800、制御線810、および、タイミング生成部700以外の構成は、図1および図14で示したものと同様のものであるため、同一符号を付してここでの説明を省略する。
<3. Second Embodiment>
[Configuration Example of Display Device in Second Embodiment of the Present Invention]
FIG. 18 is a conceptual diagram showing a configuration example of the display device 100 according to the second embodiment of the present invention. The display device 100 includes a control auxiliary scanner 800 in addition to the configuration of the display device 100 shown in FIG. Further, the display device 100 is provided with a control line 810 that connects between the auxiliary control scanner 800 and the gate terminal of the control transistor 670. In addition, the display device 100 is provided with a start pulse line (SPL) 714 and a clock pulse line (CKL) 724 that connect between the auxiliary control scanner 800 and the timing generator 700. Here, the configuration other than the auxiliary control scanner 800, the control line 810, and the timing generation unit 700 is the same as that shown in FIGS. Is omitted.

この構成において、制御線810は、画素600の各行に対してそれぞれ配線され、制御トランジスタ670のゲート端子に接続される。   In this configuration, the control line 810 is wired for each row of the pixels 600 and connected to the gate terminal of the control transistor 670.

タイミング生成部700は、スタートパルス線(SPL)714およびクロックパルス線(CKL)724を介して、制御補助スキャナ800の動作に対するスタートパルスおよびクロックパルスを制御補助スキャナ800に供給する。なお、このタイミング生成部700は、図1において示したタイミング生成部700と同様のものであるため、ここでの詳細な説明を省略する。   The timing generator 700 supplies a start pulse and a clock pulse for the operation of the control auxiliary scanner 800 to the control auxiliary scanner 800 via the start pulse line (SPL) 714 and the clock pulse line (CKL) 724. Note that the timing generation unit 700 is the same as the timing generation unit 700 shown in FIG. 1, and thus detailed description thereof is omitted here.

制御補助スキャナ800は、画素600における制御トランジスタ670をオン状態またはオフ状態に制御するものである。この制御トランジスタ670は、制御トランジスタ670をオン状態にするための制御オン電位、制御トランジスタ670をオフ状態にするための制御オフ電位を制御補助信号として生成する。この制御補助スキャナ800は、スタートパルス線(SPL)714を介して供給されるスタートパルスに基づいて制御補助信号を生成する。この制御補助スキャナ800は、生成した制御補助信号を、制御線810を介して制御トランジスタ670に供給する。なお、この制御補助スキャナ800は、特許請求の範囲に記載の制御回路の一例である。   The auxiliary control scanner 800 controls the control transistor 670 in the pixel 600 to be on or off. The control transistor 670 generates a control on potential for turning on the control transistor 670 and a control off potential for turning off the control transistor 670 as control auxiliary signals. The control auxiliary scanner 800 generates a control auxiliary signal based on a start pulse supplied via a start pulse line (SPL) 714. The auxiliary control scanner 800 supplies the generated auxiliary control signal to the control transistor 670 via the control line 810. The auxiliary control scanner 800 is an example of a control circuit described in the claims.

制御トランジスタ670は、制御補助スキャナ800から制御線810を介して供給される制御補助信号に基づいて、第1ノード(ND1)670と電源線(DSL)410との間の接続を行うものである。この制御トランジスタ670は、制御補助信号として制御オン電位が供給されている場合にはオン状態となり、第1ノード(ND1)670と電源線(DSL)410との間を接続する。なお、この制御トランジスタ670は、特許請求の範囲に記載の接続素子の一例である。   The control transistor 670 performs a connection between the first node (ND1) 670 and the power supply line (DSL) 410 based on a control auxiliary signal supplied from the control auxiliary scanner 800 via the control line 810. . The control transistor 670 is turned on when a control-on potential is supplied as a control auxiliary signal, and connects the first node (ND1) 670 and the power supply line (DSL) 410. The control transistor 670 is an example of a connection element described in the claims.

[本発明の第2の実施の形態における画素の基本動作の例]
図19は、本発明の第2の実施の形態における画素600の基本動作の一例に関するタイミングチャートである。ここでは、図15において示した電位変化に加え、制御線810の電位変化が示されている。なお、第1ノード(ND1)650、第2ノード(ND2)660および制御線810の電位変化以外は、図15において示したものと同様である。また、閾値補正準備期間TP3−1乃至3−3以外の期間の動作は、図8において示した画素600の従来構成における動作と同様のものである。これらのため、ここでは、閾値補正準備期間TP3−1乃至3−3以外の期間の動作については説明を省略する。また、ここでは、カソード電極690の電位変化は、1つの画素が生成する電位変化であるとして説明する。
[Example of Basic Operation of Pixel in Second Embodiment of the Present Invention]
FIG. 19 is a timing chart regarding an example of a basic operation of the pixel 600 according to the second embodiment of the present invention. Here, in addition to the potential change shown in FIG. 15, the potential change of the control line 810 is shown. Note that, except for potential changes of the first node (ND1) 650, the second node (ND2) 660, and the control line 810, they are the same as those shown in FIG. Further, the operation during the period other than the threshold correction preparation periods TP3-1 to 3-3 is the same as the operation in the conventional configuration of the pixel 600 shown in FIG. For these reasons, the description of the operation during periods other than the threshold correction preparation periods TP3-1 to 3-3 is omitted here. Here, the description will be made assuming that the potential change of the cathode electrode 690 is a potential change generated by one pixel.

本発明の第2の実施の形態における閾値補正準備期間TP3−1では、電源線(DSL)410の電源信号は電源電位(Vcc)から初期化電位(Vss)に切り替えられる。この時、第2ノード(ND2)660から電源線(DSL)410に電流が流れ、第2ノード(ND2)660の電位は低下を始める。ここで、発光素子640の寄生容量641が大きければ、第2ノード(ND2)660の電位は緩やかに低下する。また、この第2ノード(ND2)660の電位の低下に伴い、第1ノード(ND1)650も低下を始める。そして、所定のタイミングで、制御線810の制御補助信号の電位が制御オフ電位(Voffc)から制御オン電位(Vonc)に切り替えられる。第1ノード(ND1)650の電位は、書込みトランジスタ610がオフ状態であるため、電源線(DSL)410の電源信号の電位(Vss)まで低下する。この時、駆動トランジスタ620のゲートソース間電圧が駆動トランジスタ620のドレイン端子の閾値電圧(Vthd)よりも小さくなると、第2ノード(ND2)660から電源線(DSL)410に電流がほとんど流れなくなる。このため、最終的に第2ノード(ND2)660の電位は「Vyy」まで低下する。   In the threshold correction preparation period TP3-1 in the second embodiment of the present invention, the power supply signal of the power supply line (DSL) 410 is switched from the power supply potential (Vcc) to the initialization potential (Vss). At this time, current flows from the second node (ND2) 660 to the power supply line (DSL) 410, and the potential of the second node (ND2) 660 starts to decrease. Here, if the parasitic capacitance 641 of the light emitting element 640 is large, the potential of the second node (ND2) 660 gradually decreases. Further, as the potential of the second node (ND2) 660 decreases, the first node (ND1) 650 also starts decreasing. Then, at a predetermined timing, the potential of the control auxiliary signal on the control line 810 is switched from the control off potential (Voffc) to the control on potential (Vonc). The potential of the first node (ND1) 650 is reduced to the potential (Vss) of the power supply signal of the power supply line (DSL) 410 because the writing transistor 610 is in an off state. At this time, when the gate-source voltage of the driving transistor 620 becomes smaller than the threshold voltage (Vthd) of the drain terminal of the driving transistor 620, current hardly flows from the second node (ND2) 660 to the power supply line (DSL) 410. For this reason, the potential of the second node (ND2) 660 is finally lowered to “Vyy”.

そして、第1ノード(ND1)650の電位が「Vss」まで低下した後に、所定のタイミングで、制御線810の制御補助信号の電位が制御オン電位(Vonc)から制御オフ電位(Voffc)に切り替えられる。なお、制御オン電位(Vonc)は、特許請求の範囲に記載の接続制御信号の一例である。   Then, after the potential of the first node (ND1) 650 drops to “Vss”, the potential of the control auxiliary signal on the control line 810 is switched from the control on potential (Vonc) to the control off potential (Voffc) at a predetermined timing. It is done. The control-on potential (Vonc) is an example of a connection control signal described in the claims.

次に、本発明の第2の実施の形態における閾値補正準備期間の第2ノード電位低下期間TP3−2では、走査線(WSL)210の走査信号はオフ電位(Voff)からオン電位(Von)に切り替えられる。これにより、データ線(DTL)310のデータ信号の基準信号(Vofs)が第1ノード(ND1)650に供給される。このとき、制御線810の制御補助信号は制御オフ電位(Voffc)であるため、第1ノード(ND1)650の電流は制御トランジスタ670には流れない。これらにより、第1ノード(ND1)650の電位が「Vofs」まで上昇する。この第1ノード(ND1)650の電位に基づいて、第2ノード(ND2)660から電源線(DSL)410の方向に駆動トランジスタ620を介して電流が流れる。このため、第2ノード(ND2)660の電位は「Vss」まで低下する。   Next, in the second node potential lowering period TP3-2 of the threshold correction preparation period in the second embodiment of the present invention, the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 changes from the off potential (Voff) to the on potential (Von). Can be switched to. As a result, the reference signal (Vofs) of the data signal of the data line (DTL) 310 is supplied to the first node (ND1) 650. At this time, since the control auxiliary signal of the control line 810 is the control off potential (Voffc), the current of the first node (ND1) 650 does not flow to the control transistor 670. As a result, the potential of the first node (ND1) 650 rises to “Vofs”. Based on the potential of the first node (ND 1) 650, a current flows from the second node (ND 2) 660 to the power supply line (DSL) 410 via the drive transistor 620. For this reason, the potential of the second node (ND2) 660 decreases to “Vss”.

また、この第2ノード(ND2)660の電位の低下は、発光素子640の寄生容量641を介した容量性カップリングにより、カソード電極690の電位を、「Vcat」から僅かに低下させる。そして、第2ノード(ND2)660の電位は「Vss」まで低下した後の所定のタイミングで、走査線(WSL)210の走査信号はオフ電位(Voff)からオン電位(Von)に切り替えられる。   In addition, the decrease in the potential of the second node (ND2) 660 slightly decreases the potential of the cathode electrode 690 from “Vcat” due to capacitive coupling via the parasitic capacitance 641 of the light emitting element 640. The scanning signal of the scanning line (WSL) 210 is switched from the off potential (Voff) to the on potential (Von) at a predetermined timing after the potential of the second node (ND2) 660 decreases to “Vss”.

次に、本発明の第2の実施の形態における閾値補正準備期間TP3−3では、制御線810の制御補助信号の電位が、制御オフ電位(Voffc)から制御オン電位(Vonc)に切り替えられる。これにより、第1ノード(ND1)650の電位(Vofs)は、閾値補正準備期間TP3−1と同様にして「Vss」まで低下する。このとき、この第1ノード(ND1)650の電位の低下に伴う保持容量630を介したカップリングによって、第2ノード(ND2)660の電位は「Vss」から僅かに低下する。   Next, in the threshold correction preparation period TP3-3 in the second embodiment of the present invention, the potential of the control auxiliary signal on the control line 810 is switched from the control off potential (Voffc) to the control on potential (Vonc). As a result, the potential (Vofs) of the first node (ND1) 650 decreases to “Vss” in the same manner as in the threshold correction preparation period TP3-1. At this time, the potential of the second node (ND2) 660 slightly decreases from “Vss” due to the coupling through the storage capacitor 630 accompanying the decrease of the potential of the first node (ND1) 650.

このように、本発明の第2の実施の形態にさらに制御補助スキャナ800を備えることによっても、カソード電極690の電位が低下するタイミングを第2ノード電位低下期間TP3−2にすることができる。   As described above, the second node potential lowering period TP3-2 can be set at the timing when the potential of the cathode electrode 690 is lowered by further providing the auxiliary control scanner 800 in the second embodiment of the present invention.

[本発明の第2の実施の形態における画素の動作状態の詳細]
次に、上述の画素600の動作について以下に図面を参照して説明する。以下の図面では、図19に示したタイミングチャートにおける閾値補正準備期間TP3−1乃至3−3に対応する画素600の動作状態を示す。ここでは、閾値補正準備期間TP3−1乃至3−3以外の期間の動作状態は、図5乃至図7において示した動作状態と同様のものであるため説明を省略する。なお、便宜上、発光素子640の寄生容量641を図示する。また、書込みトランジスタ610および制御トランジスタ670をスイッチとして図示し、走査線(WSL)210および制御線810については省略する。
[Details of Operation State of Pixel in Second Embodiment of Present Invention]
Next, the operation of the above-described pixel 600 will be described below with reference to the drawings. In the following drawings, an operation state of the pixel 600 corresponding to the threshold correction preparation periods TP3-1 to 3-3 in the timing chart shown in FIG. 19 is shown. Here, the operation state during the period other than the threshold correction preparation periods TP3-1 to 3-3 is the same as the operation state shown in FIGS. For convenience, the parasitic capacitance 641 of the light emitting element 640 is illustrated. Further, the writing transistor 610 and the control transistor 670 are illustrated as switches, and the scanning line (WSL) 210 and the control line 810 are omitted.

図20(a)乃至(c)は、本発明の第2の実施の形態における閾値補正準備期間TP3−1乃至3−3の期間にそれぞれ対応する画素600の動作状態を模式的に示す回路図である。   FIGS. 20A to 20C are circuit diagrams schematically showing the operation state of the pixel 600 corresponding to the threshold correction preparation periods TP3-1 to 3-3 in the second embodiment of the present invention. It is.

閾値補正準備期間TP3−1では、図20(a)に示すように、電源線(DSL)410の電源信号が電源電位(Vcc)から初期化電位(Vss)に切り替えられる。この時、第2ノード(ND2)660から電源線(DSL)410に電流が流れ、第2ノード(ND2)660の電位は低下を始める。この第2ノード(ND2)660の電位の低下は、発光素子640の寄生容量641が大きければ緩やかに低下するため、第2ノード(ND2)660の電位は緩やかに低下する。また、この第2ノード(ND2)660の電位の緩やかな低下に伴い、第1ノード(ND1)650も低下を始める。そして、所定のタイミングで制御線810の制御補助信号の電位が制御オフ電位(Voffc)から制御オン電位(Vonc)に切り替えられる。これらにより、制御トランジスタ670が導通状態となるため、第1ノード(ND1)650から電源線(DSL)410に電流が流れる。このとき、走査線(WSL)210の走査信号の電位がオフ電位(Voff)であるため、第1ノード(ND1)650にはデータ信号が供給されていない。これらにより、第1ノード(ND1)650の電位は「Vss」まで低下する。すなわち、本発明の第2の実施の形態における制御トランジスタ670は、制御補助信号の制御オン電位(Vonc)と電源信号の初期化電位(Vss)とに基づいて書込みトランジスタ610のソース端子の電位を「Vss」まで低下させる。   In the threshold correction preparation period TP3-1, as shown in FIG. 20A, the power supply signal of the power supply line (DSL) 410 is switched from the power supply potential (Vcc) to the initialization potential (Vss). At this time, current flows from the second node (ND2) 660 to the power supply line (DSL) 410, and the potential of the second node (ND2) 660 starts to decrease. The decrease in the potential of the second node (ND2) 660 is gradually decreased if the parasitic capacitance 641 of the light emitting element 640 is large. Therefore, the potential of the second node (ND2) 660 is gradually decreased. As the potential of the second node (ND2) 660 gradually decreases, the first node (ND1) 650 also starts decreasing. Then, the potential of the control auxiliary signal on the control line 810 is switched from the control off potential (Voffc) to the control on potential (Vonc) at a predetermined timing. As a result, the control transistor 670 becomes conductive, and a current flows from the first node (ND1) 650 to the power supply line (DSL) 410. At this time, since the potential of the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 is the off potential (Voff), the data signal is not supplied to the first node (ND1) 650. As a result, the potential of the first node (ND1) 650 decreases to “Vss”. That is, the control transistor 670 according to the second embodiment of the present invention sets the potential of the source terminal of the write transistor 610 based on the control on potential (Vinc) of the control auxiliary signal and the initialization potential (Vss) of the power supply signal. Reduce to "Vss".

また、第2ノード(ND2)660の電位も、電源線(DSL)410の電源信号が初期化電位(Vss)になることによって駆動トランジスタ620を介して電源線(DSL)410の方向に電流が流れるため、低下する。この電流が流れる速度は、第2ノード(ND2)660に係る容量の大きさが小さいほど速い。第2ノード(ND2)660に係る容量と第1ノード(ND1)650に係る容量とを比べると、第2ノード(ND2)660には保持容量630よりも大きい発光素子640の寄生容量641が係るため、第2ノード(ND2)660の容量の方が大きい。そのため、第2ノード(ND2)660の電位が低下する速度は、第1ノード(ND1)650の電位が低下する速度と比べて遅くなる。   Further, the potential of the second node (ND2) 660 also causes a current to flow in the direction of the power supply line (DSL) 410 through the driving transistor 620 when the power supply signal of the power supply line (DSL) 410 becomes the initialization potential (Vss). It drops because it flows. The speed at which this current flows is faster as the capacity of the second node (ND2) 660 is smaller. Comparing the capacitance of the second node (ND2) 660 with the capacitance of the first node (ND1) 650, the second node (ND2) 660 has a parasitic capacitance 641 of the light emitting element 640 larger than the storage capacitor 630. Therefore, the capacity of the second node (ND2) 660 is larger. Therefore, the speed at which the potential of the second node (ND2) 660 decreases is slower than the speed at which the potential of the first node (ND1) 650 decreases.

また、第1ノード(ND1)650の電位が「Vss」まで低下すると、第1ノード(ND1)650の電位と電源線(DSL)410との間の電圧は、駆動トランジスタ620のドレイン端子の閾値電圧「Vthd」よりも小さい電圧になる。これにより、第2ノード(ND2)660の電位は、急激に低下した後に低下が止まることによって「Vyy」まで低下する。そして、第1ノード(ND1)650の電位が「Vss」まで低下した後に、所定のタイミングで制御線810の制御補助信号の電位が、制御オン電位(Vonc)から制御オフ電位(Voffc)に切り替えられる。   When the potential of the first node (ND1) 650 decreases to “Vss”, the voltage between the potential of the first node (ND1) 650 and the power supply line (DSL) 410 is the threshold value of the drain terminal of the driving transistor 620. The voltage is smaller than the voltage “Vthd”. As a result, the potential of the second node (ND2) 660 decreases to “Vyy” by stopping the decrease after rapidly decreasing. Then, after the potential of the first node (ND1) 650 decreases to “Vss”, the potential of the control auxiliary signal of the control line 810 is switched from the control on potential (Vonc) to the control off potential (Voffc) at a predetermined timing. It is done.

次に、閾値補正準備期間の第2ノード電位低下期間TP3−2では、図20(b)に示すように、走査線(WSL)210の走査信号はオフ電位(Voff)からオン電位(Von)に切り替えられる。これにより、データ線(DTL)310のデータ信号の基準信号(Vofs)が第1ノード(ND1)650に供給される。このとき、制御線810の制御補助信号は制御オフ電位(Voffc)であるため、制御トランジスタ670には電流は流れない。これらにより、第1ノード(ND1)650の電位が「Vofs」まで上昇する。   Next, in the second node potential decrease period TP3-2 of the threshold correction preparation period, as shown in FIG. 20B, the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 changes from the off potential (Voff) to the on potential (Von). Can be switched to. As a result, the reference signal (Vofs) of the data signal of the data line (DTL) 310 is supplied to the first node (ND1) 650. At this time, since the control auxiliary signal of the control line 810 is the control off potential (Voffc), no current flows through the control transistor 670. As a result, the potential of the first node (ND1) 650 rises to “Vofs”.

また、この第1ノード(ND1)650の電位の上昇により、電源線(DSL)410と第1ノード(ND1)650との間の電圧が駆動トランジスタ620の閾値電圧(Vthd)よりも大きくなる。このため、駆動トランジスタ620が導通状態になり、第2ノード(ND2)660から電源線(DSL)410に電流が流れる。これにより、第2ノード(ND2)660の電位は、「Vyy」から電源線(DSL)410の電源信号の初期化電位(Vss)まで低下する。   Further, due to the rise in the potential of the first node (ND1) 650, the voltage between the power supply line (DSL) 410 and the first node (ND1) 650 becomes higher than the threshold voltage (Vthd) of the driving transistor 620. For this reason, the driving transistor 620 becomes conductive, and a current flows from the second node (ND2) 660 to the power supply line (DSL) 410. As a result, the potential of the second node (ND2) 660 decreases from “Vyy” to the initialization potential (Vss) of the power supply signal of the power supply line (DSL) 410.

また、この第2ノード(ND2)660の電位の低下は、発光素子640の寄生容量641を介した容量性カップリングにより、カソード電極690の電位を、「Vcat」から僅かに低下させる。そして、第2ノード(ND2)660の電位は「Vss」まで低下した後の所定のタイミングで、走査線(WSL)210の走査信号はオフ電位(Voff)からオン電位(Von)に切り替えられる。   In addition, the decrease in the potential of the second node (ND2) 660 slightly decreases the potential of the cathode electrode 690 from “Vcat” due to capacitive coupling via the parasitic capacitance 641 of the light emitting element 640. The scanning signal of the scanning line (WSL) 210 is switched from the off potential (Voff) to the on potential (Von) at a predetermined timing after the potential of the second node (ND2) 660 decreases to “Vss”.

第2ノード電位低下期間TP3−2に続いて、閾値補正準備期間3−3では、図20(c)に示すように、制御線810の制御補助信号の電位が、制御オフ電位(Voffc)から制御オン電位(Vonc)に切り替えられる。これにより、第1ノード(ND1)650の電位(Vofs)は、閾値補正準備期間TP3−1と同様にして「Vss」まで低下する。このとき、この第1ノード(ND1)650の電位の低下に伴う保持容量630を介したカップリングによって、第2ノード(ND2)660の電位は「Vss」から僅かに低下する。   Following the second node potential decrease period TP3-2, in the threshold correction preparation period 3-3, as shown in FIG. 20C, the potential of the control auxiliary signal on the control line 810 is changed from the control off potential (Voffc). It is switched to the control ON potential (Vonc). As a result, the potential (Vofs) of the first node (ND1) 650 decreases to “Vss” in the same manner as in the threshold correction preparation period TP3-1. At this time, the potential of the second node (ND2) 660 slightly decreases from “Vss” due to the coupling through the storage capacitor 630 accompanying the decrease of the potential of the first node (ND1) 650.

このように、本発明の第2の実施の形態および本発明の第2の実施の形態の画素600では、カソード電極690の電位が低下するタイミングを第2ノード電位低下期間TP3−2にすることができる。なお、実際の回路におけるこれらの画素600においては、走査線(WSL)210の走査信号のオフ電位(Voff)が発光期間TP8における書込みトランジスタ610のドレイン端子およびソース端子の電位よりも非常に低い。このため、発光期間TP8において書込みトランジスタ610が完全なオフ状態にならないことによって、書込みトランジスタ610のドレイン端子とソース端子との間で電流のリークが発生する。   As described above, in the pixel 600 according to the second embodiment of the present invention and the pixel 600 according to the second embodiment of the present invention, the timing at which the potential of the cathode electrode 690 decreases is set to the second node potential decrease period TP3-2. Can do. Note that in these pixels 600 in an actual circuit, the off potential (Voff) of the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 is much lower than the potential of the drain terminal and the source terminal of the writing transistor 610 in the light emission period TP8. For this reason, current leakage occurs between the drain terminal and the source terminal of the writing transistor 610 because the writing transistor 610 is not completely turned off in the light emission period TP8.

[本発明の第1および第2の実施の形態における発光期間の画素の動作状態の詳細]
図21は、実際の回路における本発明の第1および第2の実施の形態の画素600の発光期間TP8の動作状態を模式的に示す回路図である。ここでは、発光期間TP8における書込みトランジスタ610以外の動作状態は、図5(a)および図7(c)において示した発光期間TP8の動作状態と同様のものであるため説明を省略する。なお、ここでは、走査線(WSL)210の走査信号のオフ電位(Voff)は、閾値補正準備期間TP3−1および3−3において書込みトランジスタ610をオフ状態にするため、この期間の第1ノード(ND1)650の電位より低い電位であるとする。すなわち、走査線(WSL)210の走査信号のオフ電位(Voff)は、閾値補正準備期間TP3−1および3−3において電源信号の初期化電位(Vss)付近の書込みトランジスタ610がオフ状態になる電位であると想定する。
[Details of Operation State of Pixel in Light-Emitting Period in First and Second Embodiments of the Present Invention]
FIG. 21 is a circuit diagram schematically showing an operation state in the light emission period TP8 of the pixel 600 according to the first and second embodiments of the present invention in an actual circuit. Here, the operation states other than the writing transistor 610 in the light emission period TP8 are the same as the operation states in the light emission period TP8 shown in FIGS. Note that, here, the off potential (Voff) of the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 turns off the writing transistor 610 in the threshold correction preparation periods TP3-1 and 3-3, so that the first node in this period (ND1) It is assumed that the potential is lower than 650. That is, the off potential (Voff) of the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 is in the off state of the writing transistor 610 near the initialization potential (Vss) of the power supply signal in the threshold correction preparation periods TP3-1 and 3-3. Assume that it is a potential.

発光期間TP8では、走査線(WSL)210の走査信号がオフ電位(Voff)に遷移することにより、書込みトランジスタ610がオフ状態となる。この場合において、この走査線(WSL)210の走査信号のオフ電位(Voff)は、電源信号の初期化電位(Vss)付近の電位であるため、データ線310のデータ信号の基準信号の電位(Vofs)と比べて非常に低い電位である。   In the light emission period TP8, the writing signal 610 is turned off by the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 being changed to the off potential (Voff). In this case, since the off potential (Voff) of the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 is a potential near the initialization potential (Vss) of the power supply signal, the potential of the reference signal of the data signal of the data line 310 ( Vofs), which is a very low potential.

しかしながら、走査信号のオフ電位(Voff)がデータ信号の基準信号の電位(Vofs)よりも非常に低いために、書込みトランジスタ610がリークを起こしてしまう。このリークにより、第1ノード(ND1)650からデータ線(310)に電流が流れることによって、第1ノード(ND1)650の電位は、徐々に低い電位になる。   However, the writing transistor 610 leaks because the off potential (Voff) of the scanning signal is much lower than the potential (Vofs) of the reference signal of the data signal. Due to this leakage, a current flows from the first node (ND1) 650 to the data line (310), so that the potential of the first node (ND1) 650 gradually becomes lower.

そして、この第1ノード(ND1)650の電位の低下は、保持容量630により第2ノード(ND1)660の電位を低下させる。すなわち、発光期間TP8における書込みトランジスタ610のリークは、第2ノード(ND1)660の電位を低下させることによって、画素600の発光を映像信号に基づく発光よりも暗くする。   The decrease in the potential of the first node (ND1) 650 causes the storage capacitor 630 to decrease the potential of the second node (ND1) 660. That is, the leakage of the writing transistor 610 in the light emission period TP8 makes the light emission of the pixel 600 darker than the light emission based on the video signal by lowering the potential of the second node (ND1) 660.

このように、本発明の第1および第2の実施の形態の画素600では、発光期間TP8における書込みトランジスタ610のリークにより、画素600の発光の輝度が映像信号に基づく発光の輝度よりも暗くなってしまう。この発光期間TP8における書込みトランジスタ610の電流のリークの問題を解決するために改良したのが、次に説明する本発明の第3の実施の形態である。   As described above, in the pixel 600 according to the first and second embodiments of the present invention, the light emission luminance of the pixel 600 becomes darker than the light emission luminance based on the video signal due to the leakage of the writing transistor 610 in the light emission period TP8. End up. In order to solve the problem of current leakage of the write transistor 610 in the light emission period TP8, a third embodiment of the present invention described below is improved.

<4.第3の実施の形態>
[本発明の第3の実施の形態における画素の基本動作の例]
図22は、本発明の第3の実施の形態における画素600の基本動作の一例に関するタイミングチャートである。ここでは、発光期間TP8およびTP6における走査線(WSL)210、第1ノード(ND1)650および第2ノード(ND2)660の電位変化以外は、図15において示した画素600の第2の実施の形態における動作と同様のものである。このため、ここでは、発光期間TP8およびTP6以外の期間の動作については説明を省略する。走査線(WSL)210および第1ノード(ND1)650については、第3の実施の形態における電位変化を実線により、第2の実施の形態における電位変化を鎖線により示す。また、第2ノード(ND2)660については、第3の実施の形態における電位変化を破線により、第2の実施の形態における電位変化を鎖線により示す。
<4. Third Embodiment>
[Example of Basic Operation of Pixel in Third Embodiment of the Present Invention]
FIG. 22 is a timing chart regarding an example of a basic operation of the pixel 600 according to the third embodiment of the present invention. Here, the second embodiment of the pixel 600 shown in FIG. 15 is performed except for the potential change of the scanning line (WSL) 210, the first node (ND1) 650, and the second node (ND2) 660 in the light emission periods TP8 and TP6. The operation is the same as that in the embodiment. For this reason, description of the operation in the periods other than the light emission periods TP8 and TP6 is omitted here. Regarding the scanning line (WSL) 210 and the first node (ND1) 650, the potential change in the third embodiment is indicated by a solid line, and the potential change in the second embodiment is indicated by a chain line. Regarding the second node (ND2) 660, the potential change in the third embodiment is indicated by a broken line, and the potential change in the second embodiment is indicated by a chain line.

なお、ここでは、第3の実施の形態における走査線(WSL)210の走査信号の第2オフ電位(Voff2)は、第2の実施の形態における電源線(DSL)310の電源信号の初期化電位(Vss)と同じ電位であると想定する。また、この第2オフ電位(Voff2)は、第2の実施の形態における走査信号のオフ電位(Voff)と同じ電位であると想定する。さらに、ここでは、この第3の実施の形態における走査線(WSL)210の走査信号の第1オフ電位(Voff1)は、第2の実施の形態におけるデータ線(DTL)310のデータ信号の基準信号の電位(Vofs)と同じ電位であると想定する。   Note that here, the second off potential (Voff2) of the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 in the third embodiment is the initialization of the power supply signal of the power supply line (DSL) 310 in the second embodiment. It is assumed that the potential is the same as the potential (Vss). Further, it is assumed that the second off potential (Voff2) is the same potential as the off potential (Voff) of the scanning signal in the second embodiment. Furthermore, here, the first off potential (Voff1) of the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 in the third embodiment is the reference of the data signal of the data line (DTL) 310 in the second embodiment. It is assumed that the potential is the same as the signal potential (Vofs).

第3の実施の形態における発光期間TP8では、走査線(WSL)210の走査信号が第1オフ電位(Voff1)に設定される。これにより、保持容量630に保持された電圧(Vsig−Vofs+Vth−ΔV)に応じた輝度により発光素子640が発光する。この場合、第1ノード(ND1)650および第2ノード(ND2)660の電位は一定であるため発光期間TP8が終了するまで発光素子640の発光の輝度は変化しない。なお、走査線(WSL)210の走査信号が第1オフ電位(Voff1)は、特許請求の範囲に記載の低電源電位が供給されているときに書込みトランジスタを非道通状態にする信号と比べて高い電位の信号の一例である。   In the light emission period TP8 in the third embodiment, the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 is set to the first off potential (Voff1). Accordingly, the light emitting element 640 emits light with luminance according to the voltage (Vsig−Vofs + Vth−ΔV) held in the storage capacitor 630. In this case, since the potentials of the first node (ND1) 650 and the second node (ND2) 660 are constant, the light emission luminance of the light emitting element 640 does not change until the light emission period TP8 ends. Note that the first off-potential (Voff1) of the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 is higher than the signal that makes the writing transistor non-conductive when the low power supply potential described in the claims is supplied. It is an example of a high potential signal.

一方、鎖線で示した第2の実施の形態における実際の回路の発光期間TP8では、走査線(WSL)210の走査信号がオフ電位(Voff)に設定される。このオフ電位(Voff)は、電源線(DSL)310の電源信号の初期化電位(Vss)付近の電位であるため、書込みトランジスタ610のリークが発生する。このリークにより、発光期間TP8における第1ノード(ND1)650の電位は、徐々に低下する。   On the other hand, in the light emission period TP8 of the actual circuit in the second embodiment indicated by the chain line, the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 is set to the off potential (Voff). Since this off potential (Voff) is a potential near the initialization potential (Vss) of the power supply signal of the power supply line (DSL) 310, the writing transistor 610 leaks. Due to this leakage, the potential of the first node (ND1) 650 in the light emission period TP8 gradually decreases.

そして、この第1ノード(ND1)650の電位の低下による保持容量630を介したカップリングによって第2ノード(ND2)660の電位は低下する。すなわち、第2の実施の形態における実際の回路の発光期間TP8では、発光期間TP8における書込みトランジスタ610のリークによって、画素600の発光が映像信号に基づく発光よりも暗くする。これに対し、本発明の第2の実施の形態における第2の実施例の発光期間TP8では、書込みトランジスタ610のリークは生じないため、画素600は映像信号に基づいて発光することになる。   Then, the potential of the second node (ND2) 660 decreases due to the coupling through the storage capacitor 630 due to the decrease of the potential of the first node (ND1) 650. That is, in the light emission period TP8 of the actual circuit in the second embodiment, the light emission of the pixel 600 becomes darker than the light emission based on the video signal due to the leakage of the writing transistor 610 in the light emission period TP8. On the other hand, in the light emission period TP8 of the second example of the second embodiment of the present invention, the writing transistor 610 does not leak, so the pixel 600 emits light based on the video signal.

これにより、本発明の第3の実施の形態では、カソード電極690の電位変化を緩和すると共に、書込みトランジスタ610のリークを防止することによって、表示装置の画質を改善させることができる。   Thus, in the third embodiment of the present invention, the image quality of the display device can be improved by reducing the potential change of the cathode electrode 690 and preventing the writing transistor 610 from leaking.

なお、第3の実施の形態では、期間TP6においても走査線(WSL)210の走査信号を第1オフ電位(Voff1)に設定する。これにより、閾値補正期間TP5から書込み期間/移動度補正期間TP7に移行する間の第1ノード(ND1)650の電位の低下を防止することができる。   Note that in the third embodiment, the scanning signal of the scanning line (WSL) 210 is also set to the first off potential (Voff1) in the period TP6. Thereby, it is possible to prevent the potential of the first node (ND1) 650 from decreasing during the transition from the threshold correction period TP5 to the writing period / mobility correction period TP7.

このように、本発明の実施の形態によれば、画素600に接続されるカソード電極690の電位が低下するタイミングを第2ノード電位低下期間TP3−2にすることができる。これにより、第2ノード(ND2)660に基づくカソード電極690の電位が低下するタイミングを走査線毎の第2ノード電位低下期間TP3−2にすることができる。このことによって、同じ電源電位が供給されている複数の走査線が接続されている画素600に起因して発生していた画素600の発光に影響を与えるカソード電極690の電位の低下を抑制することができる。すなわち、本発明の実施の形態によれば、表示装置の画質を改善させることができる。   As described above, according to the embodiment of the present invention, the timing at which the potential of the cathode electrode 690 connected to the pixel 600 decreases can be set to the second node potential decrease period TP3-2. Thereby, the timing at which the potential of the cathode electrode 690 based on the second node (ND2) 660 decreases can be set to the second node potential decrease period TP3-2 for each scanning line. This suppresses a decrease in the potential of the cathode electrode 690 that affects the light emission of the pixel 600 that is caused by the pixel 600 to which the plurality of scanning lines to which the same power supply potential is supplied is connected. Can do. That is, according to the embodiment of the present invention, the image quality of the display device can be improved.

なお、ここでは、制御トランジスタ670を備える画素600の例について説明した。しかし、この制御トランジスタ670は、書込みトランジスタ610のソース端子の電位が電源線(DSL)410の電位より高い場合において書込みトランジスタ610のソース端子の電流を電源線(DSL)410に通過させるものなら何でもよい。例えば、制御トランジスタ670の代わりに書込みトランジスタ610の一端と電源線(DSL)410との間に接続されるものとして、ダイオードなどが考えられる。   Here, an example of the pixel 600 including the control transistor 670 has been described. However, this control transistor 670 is anything that allows the current of the source terminal of the write transistor 610 to pass through the power supply line (DSL) 410 when the potential of the source terminal of the write transistor 610 is higher than the potential of the power supply line (DSL) 410. Good. For example, instead of the control transistor 670, a diode or the like can be considered as being connected between one end of the write transistor 610 and the power supply line (DSL) 410.

なお、本発明の第2の実施の形態における表示装置は、フラットパネル形状を有し、様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話、ビデオカメラなどのディスプレイに適用することができる。また、電子機器に入力された映像信号や電子機器内で生成した映像信号を画像または映像として表示するあらゆる分野の電子機器のディスプレイに適用することができる。このような表示装置が適用された電子機器の例を以下に示す。   Note that the display device according to the second embodiment of the present invention has a flat panel shape and is applied to various electronic devices such as digital cameras, notebook personal computers, mobile phones, and video cameras. Can do. Further, the present invention can be applied to a display of an electronic device in any field that displays a video signal input to the electronic device or a video signal generated in the electronic device as an image or a video. Examples of electronic devices to which such a display device is applied are shown below.

<5.本発明の適用例>
[電子機器への適用例]
図23は、本発明の実施の形態のテレビジョンセットへの適用例である。このテレビジョンセットは、本発明の実施の形態が適用されたテレビジョンセットである。このテレビジョンセットは、フロントパネル12、フィルターガラス13等から構成される映像表示画面11を含み、本発明の実施の形態における表示装置をその映像表示画面11に用いることにより作製される。
<5. Application example of the present invention>
[Application example to electronic equipment]
FIG. 23 shows an application example of the embodiment of the present invention to a television set. This television set is a television set to which the embodiment of the present invention is applied. This television set includes a video display screen 11 including a front panel 12, a filter glass 13, and the like, and is manufactured by using the display device according to the embodiment of the present invention for the video display screen 11.

図24は、本発明の実施の形態のデジタルスチルカメラへの適用例である。このデジタルスチルカメラは、本発明の実施の形態が適用されたデジタルスチルカメラである。ここでは、上にデジタルスチルカメラの正面図を示し、下にデジタルスチルカメラの背面図を示す。このデジタルスチルカメラは、撮像レンズ15、表示部16、コントロールスイッチ、メニュースイッチ、シャッター19等を含み、本発明の実施の形態における表示装置をその表示部16に用いることにより作製される。   FIG. 24 shows an application example of the embodiment of the present invention to a digital still camera. This digital still camera is a digital still camera to which the embodiment of the present invention is applied. Here, a front view of the digital still camera is shown above, and a rear view of the digital still camera is shown below. This digital still camera includes an imaging lens 15, a display unit 16, a control switch, a menu switch, a shutter 19 and the like, and is manufactured by using the display device in the embodiment of the present invention for the display unit 16.

図25は、本発明の実施の形態のノート型パーソナルコンピュータへの適用例である。このノート型パーソナルコンピュータは、本発明の実施の形態が適用されたノート型パーソナルコンピュータである。このノート型パーソナルコンピュータは、本体20には文字等を入力するとき操作されるキーボード21を含み、本体カバーには画像を表示する表示部22を含み、本発明の実施の形態における表示装置をその表示部22に用いることにより作製される。   FIG. 25 shows an application example of the embodiment of the present invention to a notebook personal computer. This notebook personal computer is a notebook personal computer to which the embodiment of the present invention is applied. The notebook personal computer includes a keyboard 21 that is operated when inputting characters and the like in the main body 20, and a display unit 22 that displays an image in the main body cover. The display device according to the embodiment of the present invention is the It is manufactured by using it for the display portion 22.

図26は、本発明の実施の形態の携帯端末装置への適用例である。この携帯端末装置は、本発明の実施の形態が適用された携帯端末装置である。ここでは、左側に携帯端末装置の開いた状態を示し、右側に携帯端末装置の閉じた状態を示している。この携帯端末装置は、上側筐体23、下側筐体24、連結部(ここではヒンジ部)25、ディスプレイ26、サブディスプレイ27、ピクチャーライト28、カメラ29等を含む。また、この携帯端末装置は、本発明の実施の形態における表示装置をそのディスプレイ26やサブディスプレイ27に用いることにより作製される。   FIG. 26 shows an application example of the embodiment of the present invention to a mobile terminal device. This portable terminal device is a portable terminal device to which the embodiment of the present invention is applied. Here, the opened state of the portable terminal device is shown on the left side, and the closed state of the portable terminal device is shown on the right side. The portable terminal device includes an upper housing 23, a lower housing 24, a connecting portion (here, a hinge portion) 25, a display 26, a sub display 27, a picture light 28, a camera 29, and the like. The portable terminal device is manufactured by using the display device according to the embodiment of the present invention for the display 26 or the sub display 27.

図27は、本発明の実施の形態のビデオカメラへの適用例である。このビデオカメラは、本発明の実施の形態が適用されたビデオカメラである。このビデオカメラは、本体部30、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ34、撮影時のスタート/ストップスイッチ35、モニター36等を含み、本発明の実施の形態における表示装置をそのモニター36に用いることにより作製される。   FIG. 27 shows an application example of the embodiment of the present invention to a video camera. This video camera is a video camera to which the embodiment of the present invention is applied. This video camera includes a main body 30, a lens 34 for photographing an object on a side facing forward, a start / stop switch 35 at the time of photographing, a monitor 36, and the like. The display device according to the embodiment of the present invention is the monitor 36. It is produced by using.

なお、本発明の実施の形態は本発明を具現化するための一例を示したものであり、上述のように特許請求の範囲における発明特定事項とそれぞれ対応関係を有する。ただし、本発明は実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変形を施すことができる。   The embodiment of the present invention is an example for embodying the present invention, and has a corresponding relationship with the invention-specific matters in the claims as described above. However, the present invention is not limited to the embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

100 表示装置
200 ライトスキャナ
201〜205 ドライバ
210〜215 走査線
300 水平セレクタ
310 データ線
400 電源スキャナ
401〜403 ドライバ
410〜413 電源線
500 画素アレイ部
600 画素
610 書込みトランジスタ
620 駆動トランジスタ
630 保持容量
640 発光素子
641 寄生容量
670 制御トランジスタ
690 カソード電極
700 タイミング生成部
711〜714 スタートパルス線
721〜724 クロックパルス線
730 映像信号線
800 制御補助スキャナ
810 制御線
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Display apparatus 200 Write scanner 201-205 Driver 210-215 Scan line 300 Horizontal selector 310 Data line 400 Power supply scanner 401-403 Driver 410-413 Power supply line 500 Pixel array part 600 Pixel 610 Write transistor 620 Drive transistor 630 Retention capacity 640 Light emission Element 641 Parasitic capacitance 670 Control transistor 690 Cathode electrode 700 Timing generator 711 to 714 Start pulse line 721 to 724 Clock pulse line 730 Video signal line 800 Control auxiliary scanner 810 Control line

Claims (7)

行単位に配置された複数の画素回路と、
前記複数の画素回路が発光するための電源電位よりも低い電位の低電源電位を前記複数の画素回路に供給する電源線と、
表示対象となる映像の情報を含む映像信号を前記複数の画素回路に供給するための走査信号を前記複数の画素回路に行毎に供給し、前記低電源電位が供給されているときにおいて前記走査信号の電位を他の行とは異なるタイミングでオン電位に遷移させる走査回路と
を具備し、
前記複数の画素回路の各々は、
前記映像信号に相当する電圧を保持する保持容量と、
前記保持容量に保持された前記電圧に基づいて発光する発光素子と、
前記電源線と前記保持容量の一端との間に接続されて、前記電源線に前記低電源電位が供給されているときに導通状態となり前記保持容量の一端の電位を低下させる接続素子と、
前記発光素子を発光させるときに前記映像信号を前記保持容量に書き込み、前記電源線に前記低電源電位が供給されているときに前記オン電位に基づいて導通状態になることによって前記保持容量の一端の電位を上昇させる書込みトランジスタと、
ゲート端子が前記保持容量の前記一端に接続されて、前記発光素子を発光させるときにゲートソース間電圧に応じて発光素子に電流を供給し、前記書込みトランジスタが前記導通状態になることによってゲート端子の電位を上昇させて前記発光素子の入力端子の電位を低下させる駆動トランジスタと
を備える表示装置。
A plurality of pixel circuits arranged in rows;
A power supply line that supplies a low power supply potential lower than a power supply potential for light emission of the plurality of pixel circuits to the plurality of pixel circuits;
A scanning signal for supplying a video signal including video information to be displayed to the plurality of pixel circuits is supplied to the plurality of pixel circuits for each row, and the scanning is performed when the low power supply potential is supplied. A scanning circuit that changes the potential of the signal to the on potential at a timing different from that of the other rows,
Each of the plurality of pixel circuits is
A holding capacitor for holding a voltage corresponding to the video signal;
A light emitting element that emits light based on the voltage held in the holding capacitor;
A connection element connected between the power supply line and one end of the storage capacitor, and becomes conductive when the low power supply potential is supplied to the power supply line, and reduces the potential of one end of the storage capacitor;
One end of the storage capacitor is written by writing the video signal to the storage capacitor when the light emitting element emits light, and becomes conductive based on the ON potential when the low power supply potential is supplied to the power supply line. A write transistor that raises the potential of
A gate terminal is connected to the one end of the storage capacitor, and when the light emitting element emits light, current is supplied to the light emitting element in accordance with a gate-source voltage, and the writing transistor becomes the conductive state, whereby the gate terminal And a drive transistor that lowers the potential of the input terminal of the light-emitting element.
複数の画素回路に対して複数の行ごとに同じ前記低電源電位を供給する電源供給回路をさらに具備する請求項1記載の表示装置。   The display device according to claim 1, further comprising a power supply circuit that supplies the same low power supply potential to a plurality of pixel circuits for each of a plurality of rows. 前記接続素子は、ドレイン端子が前記電源線に接続されて、ソース端子が前記保持容量の一端に接続されるトランジスタにより構成される請求項1記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the connection element includes a transistor having a drain terminal connected to the power supply line and a source terminal connected to one end of the storage capacitor. 前記接続素子を構成する前記トランジスタは、当該トランジスタのゲート端子を当該トランジスタの前記ソース端子にダイオード接続する請求項3記載の表示装置。   The display device according to claim 3, wherein the transistor constituting the connection element diode-connects the gate terminal of the transistor to the source terminal of the transistor. 前記接続素子を構成する前記トランジスタを導通状態にする接続制御信号を当該トランジスタのゲート端子に供給する制御回路をさらに具備し、
前記接続素子を構成する前記トランジスタは、前記接続制御信号と前記低電源電位とに基づいて前記保持容量の一端の電位を低下させる
請求項3記載の表示装置。
A control circuit for supplying a connection control signal for turning on the transistor constituting the connection element to the gate terminal of the transistor;
The display device according to claim 3, wherein the transistor constituting the connection element lowers the potential of one end of the storage capacitor based on the connection control signal and the low power supply potential.
前記走査回路は、前記発光素子が発光する期間において、前記低電源電位が供給されているときに前記書込みトランジスタを非導通状態にする信号と比べて高い電位の信号を前記書込みトランジスタに供給する請求項1記載の表示装置。   The scanning circuit supplies a signal having a higher potential to the writing transistor than a signal for turning off the writing transistor when the low power supply potential is supplied during a period in which the light emitting element emits light. Item 4. The display device according to Item 1. 行単位に配置された複数の画素回路と、
前記複数の画素回路が発光するための電源電位よりも低い電位の低電源電位を前記複数の画素回路に供給する電源線と、
表示対象となる映像の情報を含む映像信号を前記複数の画素回路に供給するための走査信号を前記複数の画素回路に行毎に供給し、前記低電源電位が供給されているときにおいて前記走査信号の電位を他の行とは異なるタイミングでオン電位に遷移させる走査回路と
を具備し、
前記複数の画素回路の各々は、
前記映像信号に相当する電圧を保持する保持容量と、
前記保持容量に保持された前記電圧に基づいて発光する発光素子と、
前記電源線と前記保持容量の一端との間に接続されて、前記電源線に前記低電源電位が供給されているときに導通状態となり前記保持容量の一端の電位を低下させる接続素子と、
前記発光素子を発光させるときに前記映像信号を前記保持容量に書き込み、前記電源線に前記低電源電位が供給されているときに前記オン電位に基づいて導通状態になることによって前記保持容量の一端の電位を上昇させる書込みトランジスタと、
ゲート端子が前記保持容量の前記一端に接続されて、前記発光素子を発光させるときにゲートソース間電圧に応じて発光素子に電流を供給し、前記書込みトランジスタが前記導通状態になることによってゲート端子の電位を上昇させて前記発光素子の入力端子の電位を低下させる駆動トランジスタと
を備える電子機器。
A plurality of pixel circuits arranged in rows;
A power supply line that supplies a low power supply potential lower than a power supply potential for light emission of the plurality of pixel circuits to the plurality of pixel circuits;
A scanning signal for supplying a video signal including video information to be displayed to the plurality of pixel circuits is supplied to the plurality of pixel circuits for each row, and the scanning is performed when the low power supply potential is supplied. A scanning circuit that changes the potential of the signal to the on potential at a timing different from that of the other rows,
Each of the plurality of pixel circuits is
A holding capacitor for holding a voltage corresponding to the video signal;
A light emitting element that emits light based on the voltage held in the holding capacitor;
A connection element connected between the power supply line and one end of the storage capacitor, and becomes conductive when the low power supply potential is supplied to the power supply line, and reduces the potential of one end of the storage capacitor;
One end of the storage capacitor is written by writing the video signal to the storage capacitor when the light emitting element emits light, and becomes conductive based on the ON potential when the low power supply potential is supplied to the power supply line. A write transistor that raises the potential of
A gate terminal is connected to the one end of the storage capacitor, and when the light emitting element emits light, current is supplied to the light emitting element in accordance with a gate-source voltage, and the writing transistor becomes the conductive state, whereby the gate terminal An electronic device comprising: a drive transistor that raises the potential of the light emitting element to lower the potential of the input terminal of the light emitting element.
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