JP2011066113A - 疎水化処理装置、疎水化処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の表面の疎水化処理を効率よく行い、基板処理のスループットを向上させる。
【解決手段】疎水化処理９０は、ウェハＷを載置する載置台１２０を有している。載置台１２０の上方には、ウェハＷの表面にＨＭＤＳガスを供給するガス供給口１３０が設けられている。ガス供給口１３０は、ガス供給管１３２を介してＨＭＤＳガスを生成するガス生成装置１３１に接続されている。載置台１２０の斜め上方には、ウェハＷのＨＭＤＳに光を照射して、ウェハＷの表面にＨＭＤＳを密着させる光照射部１６０が設けられている。載置台１２０と光照射部１６０との間には、３５０ｎｍ〜２５００ｎｍの波長の光のみを透過させる光フィルタ１６１が配置されている。
【選択図】図４

Description

本発明は、基板の表面に疎水化処理を行う疎水化処理装置、疎水化処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。

例えば半導体デバイスの製造におけるフォトリソグラフィー処理では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）の表面を疎水化する疎水化処理、疎水化されたウェハ上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、当該レジスト膜に所定のパターンを露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが順次行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成される。

上述した疎水化処理は、ウェハの表面とレジスト膜との密着性を向上させるために行われるものであり、親水性のウェハの表面を疎水性に変化させるために行われる。かかる疎水化処理では、ウェハの表面に疎水化処理剤、例えばＨＭＤＳガス（ヘキサメチルジシラザンガス）を供給し、ウェハの表面とＨＭＤＳを化学反応させている。すなわち、この化学反応によってウェハの表面の水酸基をトリメチルシラノール基に置換して、当該ウェハの表面を疎水化している。また、このウェハの表面とＨＭＤＳとの化学反応を促進させるため、ウェハを加熱しながら疎水化処理が行われている（特許文献１及び特許文献２）。なお、このウェハの加熱は、例えば９０℃で行われる。

特開平５−１０２０２２号公報 特開平５−１７１４４７号公報

上述したようにフォトリソグラフィー処理では、ウェハの疎水化処理後、レジスト塗布処理が行われる。このレジスト塗布処理では、ウェハ上にレジスト膜を適切に形成するため、当該ウェハを所定の温度、例えば２３℃にして処理が行われる。

したがってレジスト塗布処理前にウェハを温度調節する必要があるが、従来の疎水化処理ではウェハを加熱しているため、ウェハの温度調節に時間がかかっていた。このため、疎水化処理でウェハを加熱して化学反応を促進しても、ウェハ処理全体のスループットを向上させるには至らなかった。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板の表面の疎水化処理を効率よく行い、基板処理のスループットを向上させることを目的とする。

前記の目的を達成するため、本発明は、基板の表面に疎水化処理を行う疎水化処理装置であって、基板を載置する載置台と、前記載置台上の基板の表面に疎水化処理剤を供給する処理剤供給部と、前記基板上の疎水化処理剤に光を照射して、前記基板の表面と前記疎水化処理剤との密着性を向上させる光照射部と、を有することを特徴としている。なお、本発明の疎水化処理剤には、気体状の処理剤のみならず、ミスト状や液体状の処理剤も含まれる。

発明者らが調べたところ、基板上の疎水化処理剤に光を照射すると、基板の表面と疎水化処理剤との化学反応が促進され、当該基板の表面と疎水化処理剤との密着性が向上することが分かった。本発明によれば、疎水化処理装置が前記光照射部を有しているので、少なくとも基板の表面に疎水化処理剤を供給中又は当該疎水化処理剤を供給後に、基板上の疎水化処理剤に光を照射することができる。このため、基板の表面に疎水化処理剤を短時間で密着させることができ、基板の疎水化処理を短時間で効率よく行うことができる。しかも、従来のように基板を加熱する必要がないので、疎水化処理後に行われる基板の温度調節の時間を従来より大幅に短縮することができる。したがって、基板処理のスループットを向上させることができる。

前記光の波長は、３５０ｎｍ〜２５００ｎｍであるのが好ましい。

前記疎水化処理装置は、前記波長を有する光のみを透過させる光フィルタを有していてもよい。

また前記疎水化処理装置は、前記載置台上の基板を温度調節する温度調節部を有していてもよい。

前記疎水化処理剤は、ヘキサメチルジシラザンであってもよい。

別な観点による本発明は、基板の表面に疎水化処理を行う疎水化処理方法であって、少なくとも基板の表面に疎水化処理剤を供給中又は当該疎水化処理剤を供給後に、前記基板上の疎水化処理剤に光を照射して、前記基板の表面と前記疎水化処理剤との密着性を向上させることを特徴としている。

前記光の波長は、３５０ｎｍ〜２５００ｎｍであるのが好ましい。

前記光の照射を停止後、基板を移動させずに引き続き基板を温度調節してもよい。

前記疎水化処理剤は、ヘキサメチルジシラザンであってもよい。

また別な観点による本発明によれば、前記疎水化処理方法を疎水化処理装置によって実行させるために、当該疎水化処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。

さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。

本発明によれば、基板の表面の疎水化処理を効率よく行い、基板処理のスループットを向上させることができる。

本実施の形態にかかる疎水化処理装置を備えた塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。 本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの正面図である。 本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの背面図である。 本実施の形態にかかる疎水化処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。 他の実施の形態にかかる疎水化処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。

以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる疎水化処理装置を備えた塗布現像処理システム１の構成の概略を示す平面図である。図２は、塗布現像処理システム１の正面図であり、図３は、塗布現像処理システム１の背面図である。

塗布現像処理システム１は、図１に示すように例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり、カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と、フォトリソグラフィー工程の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を多段に配置している処理ステーション３と、この処理ステーション３に隣接して設けられている露光装置４との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。

カセットステーション２には、カセット載置台６が設けられ、当該カセット載置台６は、複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在になっている。カセットステーション２には、搬送路７上をＸ方向に向かって移動可能なウェハ搬送体８が設けられている。ウェハ搬送体８は、カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）にも移動自在であり、Ｘ方向に配列された各カセットＣ内のウェハＷに対して選択的にアクセスできる。

ウェハ搬送体８は、Ｚ軸周りのθ方向に回転可能であり、後述する処理ステーション３側の第３の処理装置群Ｇ３に属する温度調節装置６０やウェハＷの受け渡しを行うためのトランジション装置６１に対してもアクセスできる。

カセットステーション２に隣接する処理ステーション３は、複数の処理装置が多段に配置された、例えば５つの処理装置群Ｇ１〜Ｇ５を備えている。処理ステーション３のＸ方向負方向（図１中の下方向）側には、カセットステーション２側から第１の処理装置群Ｇ１、第２の処理装置群Ｇ２が順に配置されている。処理ステーション３のＸ方向正方向（図１中の上方向）側には、カセットステーション２側から第３の処理装置群Ｇ３、第４の処理装置群Ｇ４及び第５の処理装置群Ｇ５が順に配置されている。第３の処理装置群Ｇ３と第４の処理装置群Ｇ４の間には、第１の搬送装置Ａ１が設けられており、第１の搬送装置Ａ１の内部には、ウェハＷを支持して搬送する第１の搬送アーム１０が設けられている。第１の搬送アーム１０は、第１の処理装置群Ｇ１、第３の処理装置群Ｇ３及び第４の処理装置群Ｇ４内の各処理装置に選択的にアクセスしてウェハＷを搬送できる。第４の処理装置群Ｇ４と第５の処理装置群Ｇ５の間には、第２の搬送装置Ａ２が設けられており、第２の搬送装置Ａ２の内部には、ウェハＷを支持して搬送する第２の搬送アーム１１が設けられている。第２の搬送アーム１１は、第２の処理装置群Ｇ２、第４の処理装置群Ｇ４及び第５の処理装置群Ｇ５内の各処理装置に選択的にアクセスしてウェハＷを搬送できる。

図２に示すように第１の処理装置群Ｇ１には、ウェハＷに所定の液体を供給して処理を行う液処理装置、例えばウェハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布装置２０、２１、２２、露光処理時の光の反射を防止する反射防止膜を形成するボトムコーティング装置２３、２４が下から順に５段に重ねられている。第２の処理装置群Ｇ２には、液処理装置、例えばウェハＷに現像液を供給して現像処理する現像処理装置３０〜３４が下から順に５段に重ねられている。また、第１の処理装置群Ｇ１及び第２の処理装置群Ｇ２の最下段には、各処理装置群Ｇ１、Ｇ２内の液処理装置に各種処理液を供給するためのケミカル室４０、４１がそれぞれ設けられている。

図３に示すように第３の処理装置群Ｇ３には、温度調節装置６０、トランジション装置６１、精度の高い温度管理下でウェハＷを温度調節する高精度温度調節装置６２、６３及びウェハＷを高温で加熱処理する高温度熱処理装置６４〜６７が下から順に８段に重ねられている。

第４の処理装置群Ｇ４には、レジスト塗布処理後のウェハＷを加熱処理するプリベーキング装置７０〜７３及び現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベーキング装置７４〜７７が下から順に８段に重ねられている。

第５の処理装置群Ｇ５には、ウェハＷを熱処理する複数の熱処理装置、例えば高精度温度調節装置８０〜８２、ポストエクスポージャーベーキング装置８３〜８７が下から順に８段に重ねられている。

図１に示すように第１の搬送装置Ａ１のＸ方向正方向側には、複数の処理装置が配置されており、図３に示すようにウェハＷを疎水化処理するための疎水化処理装置９０、９１、ウェハＷを加熱する加熱装置９２、９３が下から順に４段に重ねられている。図１に示すように第２の搬送装置Ａ２のＸ方向正方向側には、例えばウェハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置９４が配置されている。

インターフェイスステーション５には、図１に示すようにＸ方向に向けて延伸する搬送路１００上を移動するウェハ搬送体１０１と、バッファカセット１０２が設けられている。ウェハ搬送体１０１は、Ｚ方向に移動可能でかつθ方向にも回転可能であり、インターフェイスステーション５に隣接した露光装置４と、バッファカセット１０２及び第５の処理装置群Ｇ５に対してアクセスしてウェハＷを搬送できる。

次に、上述した疎水化処理装置９０、９１の構成について説明する。疎水化処理装置９０は、図４に示すように側面にウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成された処理容器１１０を有している。

処理容器１１０内の底面には、ウェハＷが載置される載置台１２０が設けられている。ウェハＷは、その被処理面が上方を向くように載置台１２０の上面に載置される。載置台１２０内には、ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン１２１が設けられている。昇降ピン１２１は、昇降駆動部１２２により上下動できる。載置台１２０の上面には、当該上面を厚み方向に貫通する貫通孔１２３が形成されおり、昇降ピン１２１は、貫通孔１２３を挿通するようになっている。

処理容器１１０内の天井面であって、載置台１２０の上方には、ウェハＷに疎水化処理剤としてのＨＭＤＳガスを供給するためのガス供給口１３０が形成されている。ガス供給口１３０には、ガス生成装置１３１に連通するガス供給管１３２が接続されている。ガス供給管１３２には、ガス生成装置１３１から供給されるＨＭＤＳガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群１３３が設けられている。なお、本実施の形態では、これらガス供給口１３０、ガス生成装置１３１、ガス供給管１３２、供給機器群１３３で処理剤供給部としてのガス供給部を構成している。

ガス生成装置１３１は、内部に液体状のＨＭＤＳ液が貯留される貯留タンク１４０を有している。貯留タンク１４０の天井面、すなわち貯留タンク１４０の気相部には、上述したガス供給管１３２が接続されている。貯留タンク１４０の側面には、窒素ガス供給源（図示せず）に連通し、貯留タンク１４０内に窒素ガスを供給する窒素ガス供給管１４１が接続されている。ガス生成装置１３１では、窒素ガス供給管１４１から窒素ガスが貯留タンク１４０内に供給されることで、貯留タンク１４０内のＨＭＤＳ液が気化してＨＭＤＳガスが生成される。このＨＭＤＳガスは、前記窒素ガスをキャリアガスとして用いてガス供給管１３２に供給される。

処理容器１１０の底面には、処理容器１１０の内部の雰囲気を排気するための排気口１５０が形成されている。排気口１５０には、排気管１５１が接続されている。なお、排気管１５１には、処理容器１１０の内部の雰囲気を真空引きする排気ポンプ（図示せず）が接続されていてもよい。

処理容器１１０内の天井面には、ウェハＷ上のＨＭＤＳに光を照射する光照射部１６０が設けられている。光照射部１６０は、例えばガス供給口１３０に干渉しない位置であって、載置台１２０の斜め上方から当該載置台１２０上のウェハＷ全面に光を照射する位置に配置されている。なお、光照射部１６０には、例えばメタルハイドランプが用いられる。

載置台１２０と光照射部１６０との間には、所定の波長の光のみを透過させる光フィルタ１６１が配置されている。光フィルタ１６１は、光照射部１６０から照射された全ての光が通過する位置に配置されている。すなわち、ウェハＷには、光フィルタ１６１を通過した所定の波長の光のみが照射されるようになっている。なお、光フィルタ１６１は、光照射部１６０における光の照射面に配置してもよい。

上述した光フィルタ１６１が透過させる光の所定の波長は、例えば３５０ｎｍ〜２５００ｎｍである。発明者らが調べたところ、かかる波長の光をウェハＷ上のＨＭＤＳに所定の時間照射すると、ウェハＷの表面とＨＭＤＳ分子の活性基を強固且つ密に化学結合させることができ、ウェハＷの表面とＨＭＤＳとの密着性が向上することが分かった。すなわち、ウェハＷの表面にＨＭＤＳを短時間で密着させることができることが分かった。また、３５０ｎｍより短い波長の光をＨＭＤＳに照射すると、ＨＭＤＳが破壊されてウェハＷ表面の疎水性が損なわれる場合があることが分かった。さらに、２５００ｎｍより長い波長の光をウェハＷ上のＨＭＤＳに照射すると、ウェハＷが加熱される場合があることが分かった。そこで、光の所定の波長を上述のように３５０ｎｍ〜２５００ｎｍとした。なお、光フィルタ１６１は、３５０ｎｍより短い波長の光を遮断するフィルタと、２５００ｎｍより長い波長の光を遮断するフィルタを重ね合わせて形成してもよい。

なお、疎水化処理装置９１の構成は、上述した疎水化処理装置９０の構成と同様であるので説明を省略する。

以上の塗布現像処理システム１には、図１に示すように制御部２００が設けられている。制御部２００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、疎水化処理装置９０、９１におけるウェハＷの疎水化処理を実行するプログラムが格納されている。またこれに加えて、プログラム格納部には、カセットステーション２、処理ステーション３、露光装置４、インターフェイスステーション５間のウェハＷの搬送や、処理ステーション３における駆動系の動作などを制御して、塗布現像処理システム１におけるウェハ処理を実行するプログラムが格納されている。なお、このプログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部２００にインストールされたものであってもよい。

本実施の形態にかかる塗布現像処理システム１は以上のように構成されている。次に、その塗布現像処理システム１で行われるウェハ処理について説明する。

先ず、ウェハ搬送体８によって、カセット載置台６上のカセットＣ内からウェハＷが一枚取り出され、第３の処理装置群Ｇ３の温度調節装置６０に搬送される。温度調節装置６０に搬送されたウェハＷは、所定温度に温度調節される。その後ウェハＷは、第１の搬送装置Ａ１によってボトムコーティング装置２３に搬送され、ウェハＷ上に反射防止膜が形成される。反射防止膜が形成されたウェハＷは、第１の搬送装置Ａ１によって加熱装置９２、高精度温度調節装置６２に順次搬送され、各装置で所定の処理が施される。その後ウェハＷは、第１の搬送装置Ａ１によって疎水化処理装置９０に搬送される。

疎水化処理装置９０に搬入されたウェハＷは、昇降ピン１２１に受け渡され、載置台１２０に載置される。その後、供給機器群１３３によってガス供給口１３０から載置台１２０上のウェハＷにＨＭＤＳガスが供給される。このＨＭＤＳガスの供給中、光照射部１６０から載置台１２０上のウェハＷに光が照射される。照射された光のうち、３５０ｎｍより短い波長の光と２５００ｎｍより長い波長の光は、光フィルタ１６１によってその進行を遮断される。そして、３５０ｎｍ〜２５００ｎｍの波長の光のみが光フィルタ１６１を透過し、ウェハＷ上のＨＭＤＳに照射される。そして所定時間光を照射すると、ＨＭＤＳがウェハＷの表面と化学反応し、当該ウェハＷの表面にＨＭＤＳが密着する。この化学反応によってウェハＷの表面の水酸基がトリメチルシラノール基に置換され、当該ウェハＷの表面が疎水化される。なお、このウェハＷの疎水化処理中、排気口１５０から処理容器１１０の内部の雰囲気が排気されている。

その後ウェハＷは、第１の搬送装置Ａ１によって高精度温度調節装置６３に搬送され、所定の温度、例えば２３℃に温度調節される。このとき、上記疎水化処理装置９０においてウェハＷは加熱されていないため、極めて短時間でウェハＷを所定の温度に調節することができる。

その後ウェハＷは、第１の搬送装置Ａ１によってレジスト塗布装置２０に搬送され、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。レジスト膜が形成されたウェハＷは、第１の搬送装置Ａ１によってプリベーキング装置７０に搬送され、加熱処理が施される。続いて第２の搬送装置Ａ２によって周辺露光装置９４、高精度温度調節装置８２に順次搬送されて、各装置において所定の処理が施される。その後ウェハＷは、インターフェイスステーション５のウェハ搬送体１０１によって露光装置４に搬送され、ウェハＷ上のレジスト膜に所定のパターンが露光される。露光処理の終了したウェハＷは、ウェハ搬送体１０１によってポストエクスポージャーベーキング装置８３に搬送され、所定の処理が施される。

ポストエクスポージャーベーキング装置８３における熱処理が終了すると、ウェハＷは第２の搬送装置Ａ２によって高精度温度調節装置８１に搬送されて温度調節される。その後ウェハＷは、第２の搬送装置Ａ２によって現像処理装置３０に搬送され、ウェハＷ上に現像処理が施され、レジスト膜にレジストパターンが形成される。その後ウェハＷは、第２の搬送装置Ａ２によってポストベーキング装置７４に搬送され、加熱処理が施された後、第１の搬送装置Ａ１によって高精度温度調節装置６３に搬送され温度調節される。そしてウェハＷは、第１の搬送装置Ａ１によってトランジション装置６１に搬送され、ウェハ搬送体８によってカセットＣに戻されて一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。

以上の実施の形態によれば、疎水化処理装置９０において、ウェハＷ上のＨＭＤＳに光を照射しているので、ウェハＷの表面とＨＭＤＳとの化学反応が促進され、当該ウェハＷの表面とＨＭＤＳとの密着性を向上させることができる。すなわち、ウェハＷの表面にＨＭＤＳを短時間で密着させることができ、ウェハＷの疎水化処理を短時間で効率よく行うことができる。しかも、この疎水化処理においてウェハＷ上のＨＭＤＳに照射する光の波長は２５００ｎｍ以下であるため、ウェハＷが加熱されることはない。このため、疎水化処理後に行われるウェハＷの温度調節を極めて短時間で行うことができる。したがって、塗布現像処理システム１におけるウェハ処理のスループットを向上させることができる。

また、疎水化処理においてウェハＷ上のＨＭＤＳに照射する光の波長は３５０ｎｍ以上であるため、ＨＭＤＳが破壊されることがない。したがって、ウェハＷを適切に疎水化することができる。

さらに、疎水化処理において３５０ｎｍより短い波長の光が光フィルタ１６１に吸収されるので、疎水化処理装置９０の処理容器１１０内にオゾンが発生することを防止することができる。

また、疎水化処理装置９０の光照射部１６０は一度の照射でウェハＷの全面のＨＭＤＳに光を照射することができるので、ウェハＷの疎水化処理を迅速に行うことができる。

以上の実施の形態の疎水化処理装置９０において、図５に示すように載置台１２０上のウェハＷの温度を調節する温度調節部２１０を設けてもよい。温度調節部２１０は、例えば平板状であって、載置台１２０の上面に埋設されている。温度調節部２１０は、例えばペルチェ素子などを内蔵し、ウェハＷを所定の温度に設定できる。なお、疎水化処理装置９０のその他の構成については、前記実施の形態と同様であるので説明を省略する。

かかる場合、疎水化処理装置９０においてウェハＷに疎水化処理を行った後、引き続き疎水化処理装置９０においてウェハＷを所定の温度に温度調節することができる。このため、その後ウェハＷを高精度温度調節装置６３に搬送する必要がなく、レジスト塗布装置２０に直接搬送することができる。したがって、塗布現像処理システム１におけるウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。また、疎水化処理装置９０が高精度温度調節装置におけるウェハＷの温度調節機能を有するので、一部の高精度温度調節装置を省略することができ、塗布現像処理システム１の省スペース化を図ることもできる。なおこの場合、省略した高精度温度調節装置があった場所に、本実施の形態の疎水化処理装置９０を配置してもよい。

以上の実施の形態の疎水化処理装置９０では、光照射部１６０と光フィルタ１６１を載置台１２０上のウェハＷに対して斜め上方に配置していたが、これら光照射部１６０と光フィルタ１６１をウェハＷに対向するように配置してもよい。かかる場合、光照射部１６０と光フィルタ１６１は、ウェハＷの表面全面を覆うように配置される。また、ガス供給口１３０は、光照射部１６０と光フィルタ１６１に干渉しない位置であって、当該ガス供給口１３０からウェハＷに均一にＨＭＤＳガスが供給される位置に配置される。

また、以上の実施の形態の疎水化処理装置９０では、ウェハＷを載置台１２０に載置して当該ウェハＷ上のＨＭＤＳに光を照射していたが、ウェハＷを回転させ、当該回転中のウェハＷ上のＨＭＤＳに光を照射してもよい。

以上の実施の形態の疎水化処理では、ガス供給口１３０からウェハＷへのＨＭＤＳガスの供給中に光照射部１６０からウェハＷ上のＨＭＤＳに光を照射していたが、当該ＨＭＤＳガスの供給後に光照射部１６０からウェハＷのＨＭＤＳに光を照射してもよい。また、ウェハＷへのＨＭＤＳガスの供給中及び供給後の両時に連続して、光照射部１６０からウェハＷのＨＭＤＳに光を照射してもよい。いずれの場合でも、光の照射によってウェハＷの表面とＨＭＤＳの密着性が向上するので、ウェハＷの疎水化処理を短時間で効率よく行うことができる。

以上の実施の形態の疎水化処理では、ウェハＷ上に気化したＨＭＤＳガスを供給していたが、ミスト状や液体状のＨＭＤＳをウェハＷ上に供給してもよい。また、疎水化処理剤としては、ＨＭＤＳに限定されず他の処理剤を用いてもよい。

以上の実施の形態では、処理ステーション３において、第１の搬送装置Ａ１と第２の搬送装置Ａ２によってウェハＷを搬送していたが、いわゆる平流し形式を用いてウェハＷをコロ搬送してもよい。かかる場合、処理ステーション３には、上述した各種処理装置がウェハＷの処理順で配置される。そして、カセットステーション２から搬出されたウェハＷは、コロ搬送によってこれら処理装置に順次搬送される。各処理装置では、搬送中のウェハＷに所定の処理が行われ、一連のフォトリソグラフィー処理が行われる。この場合、各処理装置においてウェハＷの搬送中に所定の処理が行われるので、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。

本発明は、基板の表面に疎水化処理を行う際に有用である。

１ 塗布現像処理システム
９０、９１ 疎水化処理装置
１１０ 処理容器
１２０ 載置台
１３０ ガス供給口
１３１ ガス生成装置
１３２ ガス供給管
１３３ 供給機器群
１６０ 光照射部
１６１ 光フィルタ
２００ 制御部
２１０ 温度調節部
Ｗ ウェハ

Claims (11)

1. 基板の表面に疎水化処理を行う疎水化処理装置であって、
   基板を載置する載置台と、
   前記載置台上の基板の表面に疎水化処理剤を供給する処理剤供給部と、
   前記基板上の疎水化処理剤に光を照射して、前記基板の表面と前記疎水化処理剤との密着性を向上させる光照射部と、を有することを特徴とする、疎水化処理装置。
2. 前記光の波長は、３５０ｎｍ〜２５００ｎｍであることを特徴とする、請求項１に記載の疎水化処理装置。
3. 前記波長を有する光のみを透過させる光フィルタを有することを特徴とする、請求項２に記載の疎水化処理装置。
4. 前記載置台上の基板を温度調節する温度調節部を有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の疎水化処理装置。
5. 前記疎水化処理剤は、ヘキサメチルジシラザンであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の疎水化処理装置。
6. 基板の表面に疎水化処理を行う疎水化処理方法であって、
   少なくとも基板の表面に疎水化処理剤を供給中又は当該疎水化処理剤を供給後に、前記基板上の疎水化処理剤に光を照射して、前記基板の表面と前記疎水化処理剤との密着性を向上させることを特徴とする、疎水化処理方法。
7. 前記光の波長は、３５０ｎｍ〜２５００ｎｍであることを特徴とする、請求項６に記載の疎水化処理方法。
8. 前記光の照射を停止後、基板を移動させずに引き続き基板を温度調節することを特徴とする、請求項６又は７に記載の疎水化処理方法。
9. 前記疎水化処理剤は、ヘキサメチルジシラザンであることを特徴とする、請求項６〜８のいずれかに記載の疎水化処理方法。
10. 請求項６〜９のいずれかに記載の疎水化処理方法を疎水化処理装置によって実行させるために、当該疎水化処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
11. 請求項１０に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。

Images