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JP2010511208A - Information processing apparatus and nonvolatile semiconductor memory drive - Google Patents

Information processing apparatus and nonvolatile semiconductor memory drive Download PDF

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JP2010511208A
JP2010511208A JP2009503774A JP2009503774A JP2010511208A JP 2010511208 A JP2010511208 A JP 2010511208A JP 2009503774 A JP2009503774 A JP 2009503774A JP 2009503774 A JP2009503774 A JP 2009503774A JP 2010511208 A JP2010511208 A JP 2010511208A
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semiconductor memory
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logical block
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剛彦 蔵重
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Toshiba Corp
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Abstract

情報処理装置は、情報処理装置本体と、前記情報処理装置本体内に収容される不揮発性半導体メモリドライブとを含む。不揮発性半導体メモリドライブは、不揮発性半導体メモリと、論理ブロックアドレスそれぞれと前記不揮発性半導体メモリの物理アドレスそれぞれとの対応関係を示すアドレス管理テーブルと、制御部とを含む。制御部は、前記情報処理装置本体からのリード要求の受信に応答して前記アドレス管理テーブルを参照し、前記リード要求に含まれる論理ブロックアドレスに対応する物理アドレスが前記アドレス管理テーブルに格納されていない場合、所定値のデータを前記情報処理装置本体に出力する。  The information processing apparatus includes an information processing apparatus main body and a nonvolatile semiconductor memory drive accommodated in the information processing apparatus main body. The non-volatile semiconductor memory drive includes a non-volatile semiconductor memory, an address management table indicating a correspondence relationship between each logical block address and each physical address of the non-volatile semiconductor memory, and a control unit. The control unit refers to the address management table in response to reception of the read request from the information processing apparatus main body, and a physical address corresponding to the logical block address included in the read request is stored in the address management table. If not, data of a predetermined value is output to the information processing apparatus main body.

Description

本発明は、情報処理装置及び不揮発性半導体メモリドライブに関する。   The present invention relates to an information processing apparatus and a nonvolatile semiconductor memory drive.

不揮発性半導体メモリを管理する装置としては、例えば、特許文献1に開示されたメモリ管理装置が知られている。   As an apparatus for managing a nonvolatile semiconductor memory, for example, a memory management apparatus disclosed in Patent Document 1 is known.

このメモリ管理装置は、ホストから消去要求のなされた記憶単位に対してホストから読み出し要求があった場合に、ホストに対して初期値を返す。   This memory management device returns an initial value to the host when there is a read request from the host for a storage unit for which an erase request has been made by the host.

すなわち、この不揮発性半導体メモリ管理装置は、論理物理アドレス変換テーブルを有する不揮発性半導体メモリと、ホストからのデータの消去要求に対し論理物理アドレス変換テーブルを参照して、消去要求によって指定された論理ブロックに対応付けられた物理ブロックアドレスを仮想消去領域として記憶する制御部とを有している。ホストから仮想消去領域に含まれるデータの読み出し要求があった場合、制御部は、初期値をホストに応答する。このため、不揮発性半導体メモリ上のデータを実際に消去することなく、ホストに対してデータが消去されたかのように認識されることができるので、データの消去にかかる処理時間を短縮できる。   That is, the nonvolatile semiconductor memory management device refers to a nonvolatile semiconductor memory having a logical-physical address conversion table and a logical address designated by the erase request by referring to the logical-physical address conversion table in response to a data erase request from the host. And a controller that stores a physical block address associated with the block as a virtual erase area. When there is a read request for data included in the virtual erase area from the host, the control unit responds to the host with an initial value. For this reason, it is possible to recognize the data as if it was erased by the host without actually erasing the data on the nonvolatile semiconductor memory, so that the processing time required for erasing the data can be shortened.

特開2006−79543号公報JP 2006-79543 A

しかし、このメモリ管理装置においては、各記憶単位に初期値データが書き込まれていない不揮発性半導体メモリを出荷時に初期化処理するために、すべてのデータを消去する工程(すべての物理ブロックアドレスを仮想消去領域として記憶する工程)を行うことが必要となり、製造工程の増加が招かれる。   However, in this memory management device, in order to initialize a nonvolatile semiconductor memory in which initial value data is not written in each storage unit at the time of shipment, all data is erased (all physical block addresses are virtualized). It is necessary to perform a process of storing as an erasing area, resulting in an increase in manufacturing process.

本発明の目的は、製造時に初期化処理の工程を省略することができる情報処理装置および不揮発性半導体メモリドライブを提供することにある。   An object of the present invention is to provide an information processing apparatus and a nonvolatile semiconductor memory drive that can omit the initialization process at the time of manufacture.

本発明の一態様によれば、情報処理装置本体と、前記情報処理装置本体内に収容される不揮発性半導体メモリドライブであって、不揮発性半導体メモリと、論理ブロックアドレスそれぞれと前記不揮発性半導体メモリの物理アドレスそれぞれとの対応関係を示すアドレス管理テーブルと、前記情報処理装置本体からのリード要求の受信に応答して前記アドレス管理テーブルを参照し、前記リード要求に含まれる論理ブロックアドレスに対応する物理アドレスが前記アドレス管理テーブルに格納されていない場合、所定値のデータを前記情報処理装置本体に出力する制御手段とを含む不揮発性半導体メモリドライブとを具備する情報処理装置が提供される。   According to one aspect of the present invention, an information processing apparatus main body and a non-volatile semiconductor memory drive housed in the information processing apparatus main body, the non-volatile semiconductor memory, each of logical block addresses, and the non-volatile semiconductor memory An address management table indicating a correspondence relationship with each physical address and a reference to the address management table in response to reception of a read request from the information processing apparatus main body, and corresponding to a logical block address included in the read request When a physical address is not stored in the address management table, an information processing apparatus is provided that includes a non-volatile semiconductor memory drive including control means for outputting data of a predetermined value to the information processing apparatus body.

この情報処理装置によれば、対応する物理アドレスが格納されていない論理ブロックアドレスを指定する読み出し要求があった場合、所定値のデータが情報処理装置本体に対しして出力されるため、製造時に初期化処理の工程を省略できる。   According to this information processing apparatus, when there is a read request for designating a logical block address in which the corresponding physical address is not stored, data of a predetermined value is output to the information processing apparatus body. The initialization process can be omitted.

図1は、本発明の一実施形態に係る情報処理装置の外観を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an appearance of an information processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 図2は、同実施形態に係る情報処理装置の概略構成を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram illustrating a schematic configuration of the information processing apparatus according to the embodiment. 図3は、同実施形態に係る情報処理装置で用いられるSSDの概略構成を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing a schematic configuration of the SSD used in the information processing apparatus according to the embodiment. 図4は、同実施形態に係る情報処理装置で用いられるSSDの記憶容量及び記憶領域を示す概略図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing the storage capacity and storage area of the SSD used in the information processing apparatus according to the embodiment. 図5は、同実施形態に係る情報処理装置で用いられるフラッシュアドレス変換テーブルの構成例を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration example of a flash address conversion table used in the information processing apparatus according to the embodiment. 図6は、同実施形態に係る情報処理装置で用いられるSSDの動作を示すフローチャートである。FIG. 6 is a flowchart showing the operation of the SSD used in the information processing apparatus according to the embodiment.

以下、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

<情報処理装置の構成>
図1は、本発明の一実施形態に係る情報処理装置の外観を示す斜視図である。
<Configuration of information processing apparatus>
FIG. 1 is a perspective view showing an appearance of an information processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

この情報処理装置1は、情報処理装置本体2と、情報処理装置本体2に取り付けられた表示ユニット3とから構成されている。   The information processing apparatus 1 includes an information processing apparatus main body 2 and a display unit 3 attached to the information processing apparatus main body 2.

本体2は、箱状の筐体4を有し、その筐体4は、上壁4a、周壁4b及び下壁(図示せず)を備える。筐体4の上壁4aは、情報処理装置1を操作するユーザに近い側から順にフロント部40、中央部41及びバック部42を有する。下壁は、この情報処理装置1が置かれる設置面に対向する。周壁4bは、前壁4ba、後壁4bb及び左右の側壁4bc,4bdを有する。   The main body 2 has a box-shaped housing 4, and the housing 4 includes an upper wall 4 a, a peripheral wall 4 b, and a lower wall (not shown). The upper wall 4a of the housing 4 includes a front part 40, a central part 41, and a back part 42 in order from the side closer to the user who operates the information processing apparatus 1. The lower wall faces the installation surface on which the information processing apparatus 1 is placed. The peripheral wall 4b has a front wall 4ba, a rear wall 4bb, and left and right side walls 4bc, 4bd.

フロント部40は、ポインティングデバイスであるタッチパッド20と、パームレスト21と、情報処理装置1の各部の動作に連動して点灯するLED22とを備える。   The front unit 40 includes a touch pad 20 that is a pointing device, a palm rest 21, and an LED 22 that lights up in conjunction with the operation of each unit of the information processing apparatus 1.

中央部41は、文字情報等を入力可能なキーボード23aが取り付けられるキーボード載置部23を備える。   The central portion 41 includes a keyboard placement portion 23 to which a keyboard 23a capable of inputting character information and the like is attached.

バック部42は、着脱可能に取り付けられたバッテリパック24を備えている。バッテリパック24の右側には、情報処理装置1の電源を投入するための電源スイッチ25が設けられている。バッテリパック24の左右には、表示ユニット3を回転可能に支持する一対のヒンジ部26a、26bが設けられている。   The back part 42 includes a battery pack 24 that is detachably attached. On the right side of the battery pack 24, a power switch 25 for turning on the information processing apparatus 1 is provided. A pair of hinge portions 26 a and 26 b that rotatably support the display unit 3 are provided on the left and right sides of the battery pack 24.

筐体4の左の側壁4bcには、筐体4内から外部に対して風Wを排出する排出口29が設けられている。また、右の側壁4bdには、例えば、DVD等の光記憶媒体にデータを読み書き可能なODD(光ディスクドライブ)27と、各種のカードが出し入されるカードスロット28とが配置されている。   A discharge port 29 for discharging the wind W from the inside of the housing 4 to the outside is provided in the left side wall 4bc of the housing 4. In addition, on the right side wall 4bd, for example, an ODD (optical disk drive) 27 that can read and write data from and on an optical storage medium such as a DVD, and a card slot 28 in which various cards are inserted and removed are arranged.

筐体4は、周壁4bの一部及び上壁4aを含む筐体カバーと、周壁4bの一部及び下壁を含む筐体ベースとにより形成されている。筐体カバーは、筐体ベースに対して着脱自在に組み合わされ、筐体ベースとの間に収容空間を形成する。この収容空間には、不揮発性半導体メモリドライブとして機能するSSD(ソリッドステートドライブ)10が収容される。なお、SSD10の詳細は後述する。   The casing 4 is formed by a casing cover including a part of the peripheral wall 4b and the upper wall 4a, and a casing base including a part of the peripheral wall 4b and the lower wall. The housing cover is detachably combined with the housing base to form an accommodation space with the housing base. In this accommodation space, an SSD (solid state drive) 10 that functions as a nonvolatile semiconductor memory drive is accommodated. Details of the SSD 10 will be described later.

表示ユニット3は、開口部30aを有するディスプレイハウジング30と、表示画面31aに画像を表示可能なLCD等からなる表示装置31とを備える。表示装置31はディスプレイハウジング30に収容され、表示画面31aは開口部30aを通じてディスプレイハウジング30の外部に露出している。   The display unit 3 includes a display housing 30 having an opening 30a and a display device 31 including an LCD or the like that can display an image on a display screen 31a. The display device 31 is accommodated in the display housing 30, and the display screen 31a is exposed to the outside of the display housing 30 through the opening 30a.

筐体4内には、上述のSSD10、バッテリパック24、ODD27及びカードスロット28の他に、図示しないメイン回路基板、拡張モジュール及びファン等が収容されている。   In the housing 4, in addition to the SSD 10, the battery pack 24, the ODD 27, and the card slot 28, a main circuit board, an expansion module, a fan, and the like (not shown) are accommodated.

図2は、本発明の一実施形態に係る情報処理装置の概略構成を示すブロック図である。   FIG. 2 is a block diagram showing a schematic configuration of the information processing apparatus according to the embodiment of the present invention.

この情報処理装置1は、図2に示すように、上述のSSD10、拡張モジュール12、ファン13、タッチパッド20、LED22、キーボード23a、電源スイッチ25、ODD27、カードスロット28及び表示装置31の他に、EC(組み込みコントローラ)111と、BIOS(Basic Input Output System)112aを格納するフラッシュメモリ112と、サウスブリッジ113と、ノースブリッジ114と、CPU(中央処理装置)115と、GPU(Graphic Processing Unit)116と、メインメモリ117とを備えている。   As shown in FIG. 2, the information processing apparatus 1 includes the SSD 10, the expansion module 12, the fan 13, the touch pad 20, the LED 22, the keyboard 23a, the power switch 25, the ODD 27, the card slot 28, and the display device 31. , EC (Embedded Controller) 111, Flash Memory 112 for storing BIOS (Basic Input Output System) 112a, South Bridge 113, North Bridge 114, CPU (Central Processing Unit) 115, GPU (Graphic Processing Unit) 116 and a main memory 117.

EC(組み込みコントローラ)111は各部を制御する組込システムである。ノースブリッジ114は、CPU115、GPU116、メインメモリ117及び各種バスそれぞれとの間の接続を制御するLSIである。CPU115は各種信号を演算処理するプロセッサであり、SSD10からメインメモリ117にロードされるオペレーティングシステムおよび各種アプリケーションプログラムを実行する。GPU116は映像信号を演算処理して表示制御を実行する表示コントローラである。   An EC (embedded controller) 111 is an embedded system that controls each unit. The north bridge 114 is an LSI that controls connections among the CPU 115, the GPU 116, the main memory 117, and various buses. The CPU 115 is a processor that performs arithmetic processing on various signals, and executes an operating system and various application programs loaded from the SSD 10 to the main memory 117. The GPU 116 is a display controller that performs display control by processing video signals.

拡張モジュール12は、拡張回路基板と、この拡張回路基板に設けられたカードソケットと、このカードソケットに挿入された拡張モジュール基板とを備える。カードソケットは、例えば、Mini−PCI等の規格に対応している。拡張モジュール基板の例としては、3G(第3世代)モジュール、テレビチューナー、GPSモジュール、及びWimax(登録商標)モジュール等が挙げられる。   The extension module 12 includes an extension circuit board, a card socket provided on the extension circuit board, and an extension module board inserted into the card socket. The card socket corresponds to a standard such as Mini-PCI, for example. Examples of the extension module substrate include a 3G (third generation) module, a television tuner, a GPS module, and a Wimax (registered trademark) module.

ファン13は、筐体4内を送風に基づいて冷却する冷却部であり、筐体4内の空気を排出口29を介して風Wとして外部に排出する。   The fan 13 is a cooling unit that cools the inside of the housing 4 based on the blown air, and discharges the air in the housing 4 to the outside as the wind W through the discharge port 29.

なお、EC111、フラッシュメモリ112、サウスブリッジ113、ノースブリッジ114、CPU115、GPU116及びメインメモリ117は、メイン回路基板に実装された電子部品である。   The EC 111, the flash memory 112, the south bridge 113, the north bridge 114, the CPU 115, the GPU 116, and the main memory 117 are electronic components mounted on the main circuit board.

SSD10は、ハードディスクドライブとは異なり、磁気ディスクやヘッド等の駆動機構を持たないが、不揮発性半導体メモリであるNANDメモリの記憶領域に、OS(オペレーティングシステム)等のプログラムと、ユーザやソフトウエアに基づいて作成されたデータとを、読み書き可能に長期的に保存でき、情報処理装置1の起動ドライブとして動作することのできるドライブである。   Unlike the hard disk drive, the SSD 10 does not have a drive mechanism such as a magnetic disk or a head. However, the SSD 10 has a storage area of a NAND memory which is a nonvolatile semiconductor memory, a program such as an OS (operating system), and a user and software. It is a drive that can store data created based on it in a readable and writable manner for a long time and can operate as a startup drive of the information processing apparatus 1.

図3は、本実施形態で用いられるSSDの概略構成を示すブロック図である。   FIG. 3 is a block diagram showing a schematic configuration of the SSD used in the present embodiment.

メモリコントローラとして機能する制御部103は、温度センサ101、コネクタ102、8つのNANDメモリ104A〜104H、DRAM105、及び電源回路106にそれぞれ接続されている。また、制御部103は、コネクタ102を介してホスト装置8に接続され、また必要に応じて外部装置9に接続される。   The control unit 103 that functions as a memory controller is connected to the temperature sensor 101, the connector 102, the eight NAND memories 104A to 104H, the DRAM 105, and the power supply circuit 106, respectively. The control unit 103 is connected to the host device 8 through the connector 102, and is connected to the external device 9 as necessary.

電源7は、バッテリパック24又は図示しないACアダプタであり、例えば、DC3.3Vの電力がコネクタ102を介して電源回路106に供給される。また、電源7は、情報処理装置1全体に対して電力を供給する。   The power source 7 is a battery pack 24 or an AC adapter (not shown). For example, power of DC 3.3V is supplied to the power circuit 106 via the connector 102. The power source 7 supplies power to the entire information processing apparatus 1.

ホスト装置8は、本実施の形態では情報処理装置1であり、メイン回路基板に実装されたサウスブリッジ113と制御部103との間が接続されている。サウスブリッジ113と制御部103との間は、例えば、シリアルATA等の規格に基づいてデータの送受信が行われる。また、ホスト装置8は、後述する図5においてはSSD10の製造時に接続される機器である。   The host apparatus 8 is the information processing apparatus 1 in the present embodiment, and the south bridge 113 mounted on the main circuit board and the control unit 103 are connected. Data transmission / reception is performed between the south bridge 113 and the control unit 103 based on a standard such as serial ATA. The host device 8 is a device that is connected when the SSD 10 is manufactured in FIG.

外部装置9は、情報処理装置1とは異なる他の情報処理装置である。外部装置9は、情報処理装置1から取り外されたSSD10に対して、例えば、RS−232C等の規格に基づいて制御部103に接続され、NANDメモリ104A〜104Hに記憶されたデータを読み出す機能を有する。   The external device 9 is another information processing device different from the information processing device 1. The external device 9 is connected to the control unit 103 based on a standard such as RS-232C, for example, with respect to the SSD 10 removed from the information processing device 1, and has a function of reading data stored in the NAND memories 104A to 104H. Have.

SSDが実装される基板は、例えば、1.8インチタイプ又は2.5インチタイプのHDD(ハードディスクドライブ)と同等の外形サイズを有する。なお、本実施の形態では、1.8インチタイプと同等である。   The board on which the SSD is mounted has an outer size equivalent to, for example, a 1.8 inch type or 2.5 inch type HDD (hard disk drive). In this embodiment, it is equivalent to the 1.8 inch type.

温度センサ101は、基板上において、ともに熱源となる制御部103とNANDメモリ104A〜104Hとの間に設けられている。本実施の形態においては、温度センサ101は、制御部103とNANDメモリ104A〜104Hによって囲まれるように基板の中央付近に設けられ、その位置における温度を測定する。温度センサ101により測定された測定温度は、温度情報として制御部103に送られる。なお、本実施の形態では、半導体のPN接合部の電圧が温度により変化する特性を利用した半導体温度センサを用いたが、例えば、サーミスタ等の他の方式による温度センサを用いてもよい。   On the substrate, the temperature sensor 101 is provided between the control unit 103 serving as a heat source and the NAND memories 104A to 104H. In the present embodiment, temperature sensor 101 is provided near the center of the substrate so as to be surrounded by control unit 103 and NAND memories 104A to 104H, and measures the temperature at that position. The measured temperature measured by the temperature sensor 101 is sent to the control unit 103 as temperature information. In this embodiment, the semiconductor temperature sensor using the characteristic that the voltage at the PN junction of the semiconductor changes with temperature is used. However, for example, a temperature sensor using another method such as a thermistor may be used.

上記の位置に設けられた温度センサ101による測定温度は、SSD10が動作中の場合は、例えば、50℃〜60℃であり、基板の他の領域に比較して10℃程度高い。   When the SSD 10 is operating, the temperature measured by the temperature sensor 101 provided at the above position is, for example, 50 ° C. to 60 ° C., which is about 10 ° C. higher than other regions of the substrate.

制御部103は、NANDメモリ104A〜104Hに対する動作を制御する。具体的には、制御部103は、ホスト装置8からの要求(リード要求、ライト要求、等)に応じて、NANDメモリ104A〜104Hに対するデータの読み書きを制御する。データの転送速度は、例えば、データ読み出し時で100MB/Sec、書き込み時で40MB/Secである。   The control unit 103 controls operations on the NAND memories 104A to 104H. Specifically, the control unit 103 controls reading / writing of data from / to the NAND memories 104 </ b> A to 104 </ b> H in response to a request (read request, write request, etc.) from the host device 8. The data transfer rate is, for example, 100 MB / Sec when reading data, and 40 MB / Sec when writing.

制御部103は、温度センサ101から温度情報を一定の周期で取得し、温度情報が示す測定温度が予め設定された規定値を超えているとき、ホスト装置8に対するレスポンスを低下させる。レスポンスを低下させる動作は、SSD10が有する処理能力の一部を制限する動作である。レスポンスを低下させる動作としては、例えば、NANDメモリ104A〜104Hから読み出したデータをホスト装置8に転送する際の転送速度の低下や、制御部103とNANDメモリメモリ104A〜104Hとの間の転送速度の低下等が挙げられる。   The control unit 103 acquires temperature information from the temperature sensor 101 at a constant cycle, and reduces the response to the host device 8 when the measured temperature indicated by the temperature information exceeds a preset specified value. The operation for reducing the response is an operation for limiting a part of the processing capability of the SSD 10. As an operation for reducing the response, for example, a decrease in transfer speed when data read from the NAND memories 104A to 104H is transferred to the host device 8, or a transfer speed between the control unit 103 and the NAND memory memories 104A to 104H. Decrease, etc.

また、制御部103は、測定温度が規定値を超えているとき、その旨を示す情報として警告信号をホスト装置8に出力する。なお、制御部103は、警告信号の代わりに温度情報自体をホスト装置8に出力してもよい。   Further, when the measured temperature exceeds the specified value, the control unit 103 outputs a warning signal to the host device 8 as information indicating that. The control unit 103 may output the temperature information itself to the host device 8 instead of the warning signal.

また、制御部103は、その取得した温度情報をその取得した取得日時とともにNANDメモリ104A〜104Hの所定のアドレスに書き込む。   In addition, the control unit 103 writes the acquired temperature information together with the acquired acquisition date and time at predetermined addresses in the NAND memories 104A to 104H.

NANDメモリ104A〜104Hの各々は、例えば記憶容量が16GBの不揮発性半導体メモリである。NANDメモリ104A〜104Hの各々は、例えば、1つのメモリセルに2ビットを記録可能なMLC(マルチレベルセル)−NANDメモリ(多値NANDメモリ)から構成されている。MLC−NANDメモリは、SLC(シングルレベルセル)−NANDメモリに比較して書き換え可能回数は少ないが、SLC(シングルレベルセル)−NANDメモリよりも記憶容量の大容量化は容易であるという特徴を有している。   Each of the NAND memories 104A to 104H is, for example, a nonvolatile semiconductor memory having a storage capacity of 16 GB. Each of the NAND memories 104A to 104H is composed of, for example, an MLC (multilevel cell) -NAND memory (multilevel NAND memory) capable of recording 2 bits in one memory cell. The MLC-NAND memory has a smaller number of rewritable times than an SLC (single level cell) -NAND memory, but has a feature that it is easier to increase the storage capacity than an SLC (single level cell) -NAND memory. Have.

また、NANDメモリ104A〜104Hは、それらが設置された環境温度によりデータを保持可能な期間が変動する特性を有する。   Further, the NAND memories 104A to 104H have a characteristic that a period in which data can be held varies depending on an environmental temperature in which the NAND memories 104A to 104H are installed.

NANDメモリ104A〜104Hは、制御部103の制御により書き込まれたデータを記憶するとともに、温度情報及びその取得日時を温度履歴として記憶する。   The NAND memories 104 </ b> A to 104 </ b> H store data written under the control of the control unit 103, and store temperature information and acquisition date / time as a temperature history.

DRAM105は、制御部103の制御によりNANDメモリ104A〜104Hに対するデータの読出し、書込みが行われる際に一時的にデータが格納されるバッファである。このDRAM105は、ホスト装置8として機能する情報処理装置本体2からのライトデータを一時的に格納するライトキャッシュとして機能する。   The DRAM 105 is a buffer in which data is temporarily stored when data is read from and written to the NAND memories 104A to 104H under the control of the control unit 103. The DRAM 105 functions as a write cache that temporarily stores write data from the information processing apparatus main body 2 that functions as the host device 8.

コネクタ102は、シリアルATA等の規格に基づいた形状を有する。なお、制御部103及び電源回路106は、別々のコネクタによりホスト装置8及び電源7にそれぞれ接続されていてもよい。   The connector 102 has a shape based on a standard such as serial ATA. Note that the control unit 103 and the power supply circuit 106 may be connected to the host device 8 and the power supply 7 by separate connectors, respectively.

電源回路106は、電源7から供給されたDC3.3Vを、例えば、DC1.8V、1.2V等に変換するとともに、それら3種類の電圧をSSD10の各部の駆動電圧に合わせて各部に供給する。   The power supply circuit 106 converts DC 3.3V supplied from the power supply 7 into, for example, DC 1.8V, 1.2V, and the like, and supplies these three types of voltages to each unit according to the drive voltage of each unit of the SSD 10. .

図4は、本実施形態で用いられるSSD10の記憶容量及び記憶領域を示す概略図である。   FIG. 4 is a schematic diagram showing the storage capacity and storage area of the SSD 10 used in this embodiment.

SSD10の制御部103は、図4に示す、7種類の記憶容量104a〜104gを管理する。   The control unit 103 of the SSD 10 manages seven types of storage capacities 104a to 104g shown in FIG.

記憶容量104aと104bとの間の記憶領域には、SSD10を動作させるための管理データ107aと、論理ブロックアドレスLBAをNANDメモリ104A〜104Hの記憶単位であるセクタに対応する物理アドレス(フラッシュアドレス)に変換するためのフラッシュアドレス変換テーブル108aが格納される。このフラッシュアドレス変換テーブル108aは、論理ブロックアドレスLBAそれぞれとNANDメモリ104A〜104Hの物理アドレスそれぞれとの対応関係を示すアドレス管理テーブルである。制御部103は、このフラッシュアドレス変換テーブル108aを用いて、NANDメモリ104A〜104Hに対するデータのライトおよびリードを制御する。制御部103は、ホスト装置8からのリード要求(リードコマンド)の受信に応答して、フラッシュアドレス変換テーブル108aを参照する。リード要求に含まれる論理ブロックアドレスLBAに対応する物理アドレスがフラッシュアドレス変換テーブル108aに格納されている場合、制御部103は、この物理アドレスを用いてNANDメモリ104A〜104Hに対するリードアクセスを実行し、物理アドレスによって指定されるNANDメモリ104A〜104H内の所定の記憶場所(セクタ)からデータをリードする。一方、論理ブロックアドレスLBAに対応する物理アドレスがフラッシュアドレス変換テーブル108aに格納されていない場合、つまりリード要求に含まれる論理ブロックアドレスLBAに対応する論理/物理アドレス変換情報がフラッシュアドレス変換テーブル108aに格納されていない場合、制御部103は、所定値のデータを、論理ブロックアドレスLBAに対応するリードデータとしてホスト装置8に出力する。   In the storage area between the storage capacities 104a and 104b, the management data 107a for operating the SSD 10 and the logical block address LBA are physical addresses (flash addresses) corresponding to sectors which are storage units of the NAND memories 104A to 104H. A flash address conversion table 108a for conversion into the above is stored. The flash address conversion table 108a is an address management table showing the correspondence between each logical block address LBA and each physical address of the NAND memories 104A to 104H. The control unit 103 controls writing and reading of data with respect to the NAND memories 104A to 104H using the flash address conversion table 108a. The control unit 103 refers to the flash address conversion table 108a in response to receiving a read request (read command) from the host device 8. When the physical address corresponding to the logical block address LBA included in the read request is stored in the flash address conversion table 108a, the control unit 103 executes read access to the NAND memories 104A to 104H using the physical address, Data is read from a predetermined storage location (sector) in the NAND memories 104A to 104H designated by the physical address. On the other hand, when the physical address corresponding to the logical block address LBA is not stored in the flash address conversion table 108a, that is, the logical / physical address conversion information corresponding to the logical block address LBA included in the read request is stored in the flash address conversion table 108a. If not stored, the control unit 103 outputs data of a predetermined value to the host device 8 as read data corresponding to the logical block address LBA.

通常、SSD10の出荷時には、SSD10の全ての記憶領域または一部の記憶領域にゼロデータ(00h)を書き込んでおくことが必要とされる。これは、ホストからのリード要求に応答して、初期値(例えば、00h)をSSD10からホストに返すことができるようにするためである。NANDメモリにおいては、イレーズ状態の記憶場所からはオール“1”のデータ(FFh)がリードされる。したがって、SSD10の出荷時には、全ての記憶領域または一部の記憶領域にゼロデータ(00h)を書き込むことが必要となる。   Normally, when the SSD 10 is shipped, it is necessary to write zero data (00h) in all or some of the storage areas of the SSD 10. This is because an initial value (for example, 00h) can be returned from the SSD 10 to the host in response to a read request from the host. In the NAND memory, all “1” data (FFh) is read from the erased storage location. Therefore, when the SSD 10 is shipped, it is necessary to write zero data (00h) in all or a part of the storage areas.

本実施形態では、フラッシュアドレス変換テーブル108aに論理/物理アドレス変換情報が格納されていないLBAに対するリードアクセスがホストから要求された場合には、上述したように、制御部103は、所定値の初期データ、例えば、ゼロデータ(00h)を、リードデータとしてホスト装置8に返すことが出来る。したがって、SSD10の出荷時には、例えば、フラッシュアドレス変換テーブル108aを初期化して各LBAに対応する物理アドレスがフラッシュアドレス変換テーブル108aに格納されていない状態に設定する処理を実行するだけで、所定値の初期データ、例えば、ゼロデータ(00h)を、リードデータとしてホスト装置8に返すことが出来る。よって、例えば、所定論理アドレス範囲内に属するLBAそれぞれに対応する物理アドレス、または全論理アドレス範囲内に属するLBAそれぞれに対応する物理アドレスをフラッシュアドレス変換テーブル108aからクリアすることにより、SSD10の全ての記憶領域または一部の記憶領域に初期データ、つまりゼロデータ(00h)を書き込むという工程を省略することが出来る。この結果、製造工程の簡略化を実現できる。また、実際にNANDメモリをリードアクセスすることなく、ホスト装置8に所定値の初期データ(例えば、ゼロデータ(00h))を即座に返すことが出来るので、リード動作性能の向上を図ることができる。   In the present embodiment, when the host requests read access to an LBA for which the logical / physical address conversion information is not stored in the flash address conversion table 108a, the control unit 103 sets the initial value of the predetermined value as described above. Data, for example, zero data (00h) can be returned to the host device 8 as read data. Therefore, when the SSD 10 is shipped, for example, by simply executing the process of initializing the flash address conversion table 108a and setting the physical address corresponding to each LBA not stored in the flash address conversion table 108a. Initial data, for example, zero data (00h) can be returned to the host device 8 as read data. Therefore, for example, by clearing the physical address corresponding to each LBA belonging to the predetermined logical address range or the physical address corresponding to each LBA belonging to the entire logical address range from the flash address conversion table 108a, The step of writing initial data, that is, zero data (00h) to the storage area or a part of the storage area can be omitted. As a result, the manufacturing process can be simplified. Further, since the initial data (for example, zero data (00h)) of a predetermined value can be immediately returned to the host device 8 without actually performing read access to the NAND memory, the read operation performance can be improved. .

なお、フラッシュアドレス変換テーブル108aの各エントリにLBAと物理アドレスとが格納されている場合には、フラッシュアドレス変換テーブル108aの初期化処理では、LBAと物理アドレスとの双方をクリアしてもよい。また、フラッシュアドレス変換テーブル108aは、LBA毎に、当該論理ブロックアドレスに対する物理アドレスに対するデータの書き込みの有無を示すフラグ情報を保持し得る。この場合、フラッシュアドレス変換テーブル108aの初期化処理では、制御部103は、各LBAに対応するフラグ情報を、書き込み無を示す値にセットすればよい。制御部103は、ホスト装置8からのリードコマンドに含まれるLBAに対応するフラグ情報が書き込み無を示す場合、当該リード要求に含まれるLBAに対応する物理アドレスがフラッシュアドレス変換テーブル108aに格納されていないと判定し、所定値の初期データをホスト装置8に出力する。   If an LBA and a physical address are stored in each entry of the flash address conversion table 108a, both the LBA and the physical address may be cleared in the initialization process of the flash address conversion table 108a. Further, the flash address conversion table 108a can hold flag information indicating whether data is written to a physical address corresponding to the logical block address for each LBA. In this case, in the initialization process of the flash address conversion table 108a, the control unit 103 may set flag information corresponding to each LBA to a value indicating no writing. When the flag information corresponding to the LBA included in the read command from the host device 8 indicates no writing, the control unit 103 stores the physical address corresponding to the LBA included in the read request in the flash address conversion table 108a. It is determined that there is not, and initial data of a predetermined value is output to the host device 8.

記憶容量104bと104cとの間の記憶領域には、上述した温度情報等の統計情報であるメモリ検査履歴情報としてのS.M.A.R.T.(Self-Monitoring Analysis and Reporting Technology)ログデータ107bが格納される。   In the storage area between the storage capacities 104b and 104c, S.P. as memory inspection history information, which is statistical information such as the temperature information described above, is stored. M.M. A. R. T.A. (Self-Monitoring Analysis and Reporting Technology) Log data 107b is stored.

記憶容量104cと104dとの間の記憶領域には、例えば、記憶容量2MBの未使用の記憶領域が設定される。これは、LBAの最小記憶単位が8セクタであり、4kBに相当する記憶単位(大きな記憶単位は1MB)であるのに対して、実際のデータの最小記録単位は当然1セクタであるため、1MB以上の記憶容量の空き記憶領域を設けることで、S.M.A.R.Tログデータ107bと、記憶容量104d以下に記録されるデータとをそれぞれ独立して扱うためである。   For example, an unused storage area having a storage capacity of 2 MB is set in the storage area between the storage capacities 104c and 104d. This is because the minimum storage unit of LBA is 8 sectors and is a storage unit corresponding to 4 kB (a large storage unit is 1 MB), but the actual minimum recording unit of data is naturally 1 sector, so 1 MB By providing an empty storage area with the above storage capacity, S.I. M.M. A. R. This is because the T log data 107b and the data recorded below the storage capacity 104d are handled independently.

記憶容量104dと104eとの間の記憶領域は、未使用であり特別な場合を除いて記憶容量104dと104eは同値である。   The storage areas between the storage capacities 104d and 104e are unused and the storage capacities 104d and 104e have the same value except in special cases.

記憶容量104eと104fとの間の記憶領域は、OEMに使用される記憶領域であり、上述したようにOEMの要求で決定される固有情報が書き込まれる。   The storage area between the storage capacities 104e and 104f is a storage area used for the OEM, and the unique information determined by the OEM request is written as described above.

記憶容量104fと104gとの間の記憶領域は、OEM又はユーザーに使用される記憶領域であり、OEM又はユーザーの設定により情報が書き込まれる。   A storage area between the storage capacities 104f and 104g is a storage area used by the OEM or the user, and information is written according to settings of the OEM or the user.

記憶容量104gの記憶領域は、ユーザーに使用される記憶領域であり、ユーザーの設定により情報が書き込まれる。   The storage area of the storage capacity 104g is a storage area used by the user, and information is written according to user settings.

図5は、本実施形態で用いられるフラッシュアドレス変換テーブルの構成例を示している。   FIG. 5 shows a configuration example of a flash address conversion table used in this embodiment.

フラッシュアドレス変換テーブル108aは、上述したようにLBAとフラッシュアドレスとを対応付けるテーブルである。このフラッシュアドレス変換テーブル108aにおいては、例えば、各LBAに対応付けられたフラッシュアドレスに対してデータ(例えば上述の所定値の初期データのような有効データ)の書き込みが行われたかどうかを示す“書込”フラグフィールドが設けられており、この“書込”フラグフィールドには制御部103によって“有”又は“無”が記述される。ここで、“有”は、対応するLBAに対応するフラッシュアドレスに対して書き込みが有ったことを示し、“無”は書き込み無しを示す。“書込”フラグフィールドの値は、書き込み動作が実行されると、“無”から“有”へと変更される。また、SSD10が初期化処理されることで、例えば、全ての“書込”フラグフィールドの値は“無”に変更される。   The flash address conversion table 108a is a table that associates LBAs with flash addresses as described above. In this flash address conversion table 108a, for example, a “write” indicating whether or not data (for example, valid data such as initial data having a predetermined value described above) has been written to the flash address associated with each LBA. The “write” flag field is described by the control unit 103 as “present” or “not present”. Here, “present” indicates that writing has been performed on the flash address corresponding to the corresponding LBA, and “none” indicates no writing. The value of the “write” flag field is changed from “none” to “present” when the write operation is executed. Further, by initializing the SSD 10, for example, the values of all “write” flag fields are changed to “none”.

<動作>
以下に、本実施形態の情報処理装置1の動作を各図を参照しつつ説明する。
<Operation>
Below, operation | movement of the information processing apparatus 1 of this embodiment is demonstrated, referring each figure.

図6は、本実施形態で用いられるSSD10の動作を示すフローチャートである。   FIG. 6 is a flowchart showing the operation of the SSD 10 used in this embodiment.

制御部103は、ホスト装置8からのリード要求(リードコマンド)を受信すると(ステップS1のYes)、フラッシュアドレス変換テーブル108aを参照する(ステップS11)。   When receiving a read request (read command) from the host device 8 (Yes in step S1), the control unit 103 refers to the flash address conversion table 108a (step S11).

制御部103は、リード要求に含まれるLBAに対応する「書込」フラグフィールドが“有”を示す場合(ステップS12のYES)、リード要求に含まれるLBAに対応するフラッシュアドレスをフラッシュアドレス変換テーブル108aから取得し、この取得したフラッシュアドレスを用いてNANDメモリ104A〜104Hに対するリードアクセスを実行する(ステップS13)。ステップS13では、フラッシュアドレスによって指定されるNANDメモリ104A〜104H内のある記憶場所(セクタ)に格納されているデータがリードされる。そして、制御部103は、NANDメモリ104A〜104からリードされたデータをホスト装置8に送出する(ステップS14)。   When the “write” flag field corresponding to the LBA included in the read request indicates “present” (YES in step S12), the control unit 103 sets the flash address corresponding to the LBA included in the read request to the flash address conversion table. 108a and read access to the NAND memories 104A to 104H is executed using the acquired flash address (step S13). In step S13, data stored in a certain storage location (sector) in the NAND memories 104A to 104H designated by the flash address is read. Then, the control unit 103 sends the data read from the NAND memories 104A to 104 to the host device 8 (step S14).

一方、リード要求に含まれるLBAに対応する“書込”フラグフィールドが“無”を示す場合、またはリード要求に含まれるLBAに対応するフラッシュアドレスがフラッシュアドレス変換テーブル108aに格納されていなかった場合には(ステップS12のNO)、制御部103は、初期値としてゼロデータを作成する(ステップS15)。次に、制御部103は、ゼロデータをリードデータとしてホスト装置8に送出する(ステップS14)。   On the other hand, when the “write” flag field corresponding to the LBA included in the read request indicates “none”, or the flash address corresponding to the LBA included in the read request is not stored in the flash address conversion table 108a. (NO in step S12), the control unit 103 creates zero data as an initial value (step S15). Next, the control unit 103 sends zero data as read data to the host device 8 (step S14).

以上のように、本実施形態によれば、書き込みのないフラッシュアドレスに対応したLBAに対してホスト装置8から読み出し要求があった場合、初期値であるゼロデータをホスト装置8に対して転送して応答するため、製造時に初期化処理の工程が不要となる。   As described above, according to the present embodiment, when there is a read request from the host device 8 to an LBA corresponding to a flash address without writing, zero data that is an initial value is transferred to the host device 8. Therefore, there is no need for an initialization process at the time of manufacturing.

また、書き込みのないフラッシュアドレスに対して読み出しを実行しないため、書き込みの有無に関わらずすべてのフラッシュアドレスに対して読み出しを実行する場合に比べてSSD10の読み出し性能が向上する。   Further, since reading is not executed for a flash address without writing, the reading performance of the SSD 10 is improved as compared with the case where reading is executed for all flash addresses regardless of whether or not writing is performed.

なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素からいくつかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the scope of the invention in the implementation stage. In addition, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, constituent elements over different embodiments may be appropriately combined.

Claims (7)

情報処理装置本体と、
前記情報処理装置本体内に収容される不揮発性半導体メモリドライブであって、不揮発性半導体メモリと、論理ブロックアドレスそれぞれと前記不揮発性半導体メモリの物理アドレスそれぞれとの対応関係を示すアドレス管理テーブルと、前記情報処理装置本体からのリード要求の受信に応答して前記アドレス管理テーブルを参照し、前記リード要求に含まれる論理ブロックアドレスに対応する物理アドレスが前記アドレス管理テーブルに格納されていない場合、所定値のデータを前記情報処理装置本体に出力する制御手段とを含む不揮発性半導体メモリドライブとを具備する情報処理装置。
An information processing apparatus main body;
A non-volatile semiconductor memory drive housed in the information processing apparatus body, the non-volatile semiconductor memory, an address management table indicating a correspondence relationship between each logical block address and each physical address of the non-volatile semiconductor memory, In response to reception of a read request from the information processing apparatus body, the address management table is referenced, and a physical address corresponding to a logical block address included in the read request is not stored in the address management table. An information processing apparatus comprising: a nonvolatile semiconductor memory drive including control means for outputting value data to the information processing apparatus main body.
前記制御手段は、前記リード要求に含まれる論理ブロックアドレスに対応する物理アドレスが前記アドレス管理テーブルに格納されている場合、前記物理アドレスを用いて前記不揮発性半導体メモリをリードアクセスする請求項1に記載の情報処理装置。   2. The control unit according to claim 1, wherein, when a physical address corresponding to a logical block address included in the read request is stored in the address management table, the control unit performs read access to the nonvolatile semiconductor memory using the physical address. The information processing apparatus described. 前記アドレス管理テーブルは論理ブロックアドレス毎に当該論理ブロックアドレスに対する物理アドレスに対するデータの書き込みの有無を示すフラグ情報を保持しており、前記制御手段は、前記リード要求に含まれる論理ブロックアドレスに対応するフラグ情報が書き込み無を示す場合、前記リード要求に含まれる論理ブロックアドレスに対応する物理アドレスが前記アドレス管理テーブルに格納されていないと判定し、前記所定値のデータを前記情報処理装置本体に出力する請求項1に記載の情報処理装置。   The address management table holds flag information indicating whether or not data is written to a physical address corresponding to the logical block address for each logical block address, and the control unit corresponds to the logical block address included in the read request. When the flag information indicates no writing, it is determined that the physical address corresponding to the logical block address included in the read request is not stored in the address management table, and the predetermined value data is output to the information processing apparatus main body The information processing apparatus according to claim 1. 前記所定値のデータはゼロデータである請求項1に記載の情報処理装置。   The information processing apparatus according to claim 1, wherein the predetermined value data is zero data. 情報処理装置の外部記憶装置として使用される不揮発性半導体メモリドライブであって、
不揮発性半導体メモリと、
論理ブロックアドレスそれぞれと前記不揮発性半導体メモリの物理アドレスそれぞれとの対応関係を示すアドレス管理テーブルと、
前記情報処理装置からのリード要求の受信に応答して前記アドレス管理テーブルを参照し、前記リード要求に含まれる論理ブロックアドレスに対応する物理アドレスが前記アドレス管理テーブルに格納されていない場合、所定値のデータを前記情報処理装置本体に出力する制御手段とを具備する不揮発性半導体メモリドライブ。
A non-volatile semiconductor memory drive used as an external storage device of an information processing device,
Non-volatile semiconductor memory;
An address management table showing a correspondence relationship between each logical block address and each physical address of the nonvolatile semiconductor memory;
Reference is made to the address management table in response to reception of a read request from the information processing apparatus, and a predetermined value is set when a physical address corresponding to a logical block address included in the read request is not stored in the address management table A non-volatile semiconductor memory drive comprising control means for outputting the data of the data to the information processing apparatus main body.
前記制御手段は、前記リード要求に含まれる論理ブロックアドレスに対応する物理アドレスが前記アドレス管理テーブルに格納されている場合、前記物理アドレスを用いて前記不揮発性半導体メモリをリードアクセスする請求項5に記載の不揮発性半導体メモリドライブ。   6. The control unit according to claim 5, wherein when the physical address corresponding to the logical block address included in the read request is stored in the address management table, the control unit performs read access to the nonvolatile semiconductor memory using the physical address. The nonvolatile semiconductor memory drive described. 前記アドレス管理テーブルは論理ブロックアドレス毎に当該論理ブロックアドレスに対する物理アドレスに対するデータの書き込みの有無を示すフラグ情報を保持しており、前記制御手段は、前記リード要求に含まれる論理ブロックアドレスに対応するフラグ情報が書き込み無を示す場合、前記リード要求に含まれる論理ブロックアドレスに対応する物理アドレスが前記アドレス管理テーブルに格納されていないと判定し、前記所定値のデータを前記情報処理装置に出力する請求項5に記載の不揮発性半導体メモリドライブ。   The address management table holds flag information indicating whether or not data is written to a physical address corresponding to the logical block address for each logical block address, and the control unit corresponds to the logical block address included in the read request. When the flag information indicates no writing, it is determined that the physical address corresponding to the logical block address included in the read request is not stored in the address management table, and the predetermined value data is output to the information processing apparatus. The non-volatile semiconductor memory drive according to claim 5.
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