JP2010258200A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】安価で生産効率の高いパワー用樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子１と、前記半導体素子１に接続された少なくとも２つのリード２と、前記半導体素子１を覆う樹脂パッケージ９とを具備し、前記リード２の一部が前記樹脂パッケージから露出された半導体装置であって、前記リードは第１の面を前記半導体素子に接続される一方で前記第１の面に相対向する第２の面が前記パッケージの主面上に露呈せしめられており、前記リードは前記パッケージの主面に隣接する少なくともひとつの面から外方に伸張する伸長部を具備している。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置およびその製造方法にかかり、特にパワー用半導体装置に関するものである。

従来、パワー用半導体装置としては、上面、底面、ならびに上面と底面の両方に直交する複数の平坦側面をもつモールドパッケージ１０９の内部に金属フレームが埋め込まれ、このモールドパッケージの側面及び底面に、複数の端子１０１，１０２が導出されたものが提案されている(特許文献１)。

この特許文献１に記載された半導体装置では、図８に構造図を示すように、リードフレーム上に、搭載されて、モールド樹脂成型された多数の半導体装置を個片に分割する際、モールド樹脂より露出するリードフレームの金属バリ量を低減する為に、半導体チップの裏面側（パッケージの底面側）の向きにあるリードの厚みをあらかじめ薄くすることで解決している。

米国特許６４８，３１８０公報 Ｆｉｇ.１、Ｆｉｇ．３

しかしながら、前記特許文献１に示す構成では、以下の課題を有していた。
半導体装置の個片化の為に、ダイシングブレードを用いて、モールド成型されたエポキシ樹脂と金属からなるリードフレームを同時に切断していた。この時、金属からなるリードフレームの切断面の金属バリ量は確かに低減されたが、逆にヒゲ状のエポキシ樹脂からなるバリがしばしば発生し外観形状不良となって、生産上の課題を有していた。

又、プリント基板への実装は、パッケージ底面の中央の端子（１０１）とパッケージの周囲に位置する長方形状の端子（１０２）を接点として、実装時にはんだを介して半導体装置を固着される。
その際、はんだを介してプリント基板に固着されている検査手法としては、通常、Ｘ線検査をしているが、このＸ線検査装置は、非常に高価な設備である為、設備コストが高価となって検査コストが高騰するという課題を有していた。

そこで本発明は、前記従来の課題を解決するもので、プリント基板などの配線基板上への実装に際し、目視で実装状態を検査することができ、安価で生産効率の高いパワー用樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とする。

本発明の半導体装置は、リード（アウターリード）がモールド樹脂の底面および側面から露出している。
また望ましくは、側面から露出した領域のアウターリードの厚みは、モールド成型されたエポキシ樹脂内部の前記モール度樹脂側面近傍におけるリードの厚みに対して薄くなっている。
又、チップの表面電極と対をなすリードとの接続は、アルミニウムを主とする矩形のリボン状からなり、おのおの超音波を用いて接続されている事を特徴とする。
である。

すなわち本発明の半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子に接続された少なくとも２つのリードと、前記半導体素子を覆う樹脂パッケージとを具備し、前記リードの一部が前記樹脂パッケージから露出された半導体装置であって、前記リードは第１の面を前記半導体素子に接続される一方で前記第１の面に相対向する第２の面が前記パッケージの主面上に露呈せしめられており、前記リードは前記パッケージの主面に隣接する少なくともひとつの面から外方に伸張する伸長部を具備したことを特徴とする。
この構成によれば、アウターリードが、樹脂パッケージの底面だけでなく側端からも露出しているため、プリント基板への実装に際し、プリント基板への固着状況を目視で検査することができる。従来は、Ｘ線検査設備を必要としており、検査コストがアップするという問題があったが、上記構成によればこの問題を解決することができる。

また本発明は、上記半導体装置において、前記リードが、前記樹脂パッケージ内で、厚み方向にくぼみを有するものを含む。
この構成により、リードの樹脂パッケージからの抜けを防止することができる。また、切断部分でリードフレームの肉厚を薄くすることもでき、半導体装置の個片化に際し、リードフレームの切断面の金属バリ量は確かに低減され、かつ、樹脂パッケージを切断する必要がないため、ヒゲ状の樹脂バリの発生もなく、外観が良好で生産性の高い半導体装置を提供することが可能となる。

また本発明は、上記半導体装置において、前記リードは、前記樹脂パッケージ内で、前記第１の面と第２の面上で異なる領域にくぼみを有するものを含む。
この構成により、強度の低下を招くことなく、リードの樹脂パッケージからの抜けをより効率よく防止することができる。

また本発明は、上記半導体装置において、前記リードの前記伸長部は前記パッケージの前記主面に隣接する２つの面から外方に突出しているものを含む。
この構成により、アウターリードが樹脂パッケージの側端から２方に露出しているため、プリント基板への実装に際し、プリント基板への固着状況を２方から効率よく目視で検査することができる。

また本発明は、上記半導体装置において、前記リードの前記伸長部は前記パッケージの前記主面に隣接する３つの面から外方に突出しているものを含む。
この構成により、アウターリードが樹脂パッケージの側端から３方に露出しているため、プリント基板への実装に際し、プリント基板への固着状況を３方からさらに効率よく目視で検査することができる。

また本発明は、上記半導体装置において、前記リードのうちの１つの前記第１の面に前記半導体素子の第１の端子が接続するように前記半導体素子が搭載されており、前記リードの他の１つの前記第１の面と、前記半導体素子の第２の端子とが接続導体を介して電気的に接続されたものを含む。

また本発明は、上記半導体装置において、前記接続導体はリボン状の導体であり、前記リードおよび前記半導体素子の前記第２の端子と超音波接続されたものを含む。
この構成により、パワー用半導体装置にも有効である。

また本発明は、上記半導体装置において、前記接続導体はワイヤ状導体であるものを含む。

また本発明は、上記半導体装置において、前記リードおよび前記半導体素子の前記第２の端子は超音波接続されたものを含む。
この構成により、より効率よく実装を行うことが可能となる。

また本発明は、上記半導体装置において、前記リードおよび前記半導体素子の前記第２の端子ははんだを介して電気的に接続されたものを含む。

また本発明は、１ユニットに第１および第２のリードを有し、各ユニットが連続形成されたリードフレームを用意する工程と、前記リードフレームの第２のリードに半導体素子を搭載する工程と、樹脂モールドを行う工程と、個別の半導体装置に分割する工程とを具備し、前記半導体素子と、前記半導体素子に接続された少なくとも２つのリードと、前記半導体素子を覆う樹脂パッケージとを具備し、前記リードの一部が前記樹脂パッケージから露出され、前記リードが、第１の面を前記半導体素子に接続される一方で前記第１の面に相対向する第２の面を前記パッケージの主面上に露呈せしめられており、前記リードは前記パッケージの主面に隣接する少なくともひとつの面から外方に伸張する伸長部を具備したことを特徴とする。
この構成により、切断部分でリードフレームの肉厚が薄くなっているため、半導体装置の個片化に際し、リードフレームの切断面の金属バリ量は確かに低減され、かつ、樹脂パッケージを切断する必要がないため、ヒゲ状の樹脂バリの発生もなく、外観が良好で生産性の高い半導体装置を提供することが可能となる。又、アウターリードが樹脂パッケージの側端から露出しているため、プリント基板への実装に際し、プリント基板への固着状況を目視で検査することができる。

また本発明は、上記半導体装置の製造方法において、前記樹脂モールドを行う工程が、複数の半導体素子に対して一括モールドする工程であり、前記分割する工程は、第１のダイシングソーで樹脂パッケージのみを分離する第１の分割工程と、前記第１のダイシングソーよりも幅狭の第２のダイシングソーでリードフレームを分割する第２の分割工程とを含むものを含む。
この構成により、より効率よくダイシングを行うことが可能となる。

また本発明は、上記半導体装置の製造方法において、前記樹脂モールドを行う工程は、各半導体素子に対して個別にモールドする工程であり、前記分割する工程は、リードフレームを分割する工程であるものを含む。
この構成により、ダイシング工程において、リードフレームのみを分断すればよいため、効率よいダイシングが可能となる。

また本発明は、上記半導体装置の製造方法において、前記リードフレームを用意する工程が、条材をパンチングすることで凹凸を形成する工程を含む。
この構成により、ダイシング用のパンチを調整するだけで、効率よいダイシングが可能となる。

以上説明してきたように、本発明の構成によれば、下記効果を得ることができる。
個片分割は、リードフレームのみを切断し、樹脂成型されたエポキシ樹脂などの樹脂パッケージは切断しないため樹脂バリの発生がなく、樹脂の長さ寸法であるパッケージの長さ寸法も均一化をはかることができるので外観品質が向上する。

又、ダイシングブレードのライフサイクルが長くなり生産効率が良くなる。またダイシングブレードの使用量も減るのでいずれもコスト削減に寄与出来る。

又、プリント基板との実装において、モールド樹脂から露出したアウターリードとパッケージ底面とは同一面上であるから、モールド樹脂から露出したアウターリードには、実装時に使用するはんだのフィレットが形成される。
従って、はんだ付けの状態は、高価なＸ線外観検査装置ではなく、安価な光学的外観検査装置で前記フィレット形状を観測出来るので、結果として設備費用が安価となり原価上有効である。

又、チップの表面電極と対をなすリードとの接続は、リボン形状の接続導体を使用することで、ボンディングワイヤ以上の広い断面積を確保できる。従ってこの領域部のオン抵抗が下がるなどの他、ジュール熱の低減をはかることができる結果、前記接続導体が溶断されて断線するなどの不良を回避出来る。またこの構成は、チップの相対向する２つの主面にアノードおよびカソード電極を設けて形成された縦型のパワー半導体装置に大きな効果がある

又、チップの表面電極と対をなすリードとの接続は、アルミニウムを主とする矩形のリボン状からなり、おのおの超音波を用いて接着されている。その為に、２４０℃程度の環境変化にも問題は発生しない。又、Ｐｂ（鉛）を主成分としたはんだも使用する事なく接続できるので、製品環境面でも効果をはかることができる。

本発明の実施の形態１における樹脂封止型パワー半導体装置の構造図 本発明の実施の形態１の裏面側（プリント基板搭載側）から見た全体図 本発明の実施の形態１における樹脂封止型パワー半導体装置の製造フロー図 本発明の実施の形態２の半導体装置の裏面側（プリント基板搭載側）から見た全体図 本発明の実施の形態３の半導体装置の裏面側（プリント基板搭載側）から見た全体図 本発明の実施の形態４の半導体装置の断面説明図 本発明の実施の形態４の半導体装置の変形例を示す断面説明図 従来の半導体装置の構造図

以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の実施の形態１における樹脂封止型パワー半導体装置の断面構造を示す説明図、図２はプリント基板上への実装面側からみたこの半導体装置の斜視図である。図３（ａ）乃至（ｆ）はこの半導体装置の製造工程図である。

この樹脂封止型パワー半導体装置は、半導体素子としてのパワー半導体チップ１と、この半導体チップ１に接続された２つのリード２（２ａ、２ｂ）と、半導体チップ１を覆うエポキシ樹脂からなる樹脂パッケージ９とを具備し、リード２の一部が樹脂パッケージ９から露出された半導体装置であって、これらリード２は第１の面２Ｒを前記半導体素子に接続される一方で前記第１の面２Ｒに相対向する第２の面２Ｓが前記パッケージの主面上に露呈せしめられており、リード２は樹脂パッケージ９の主面に隣接する少なくともひとつの面すなわち側面から外方に伸張する伸長部を具備したことを特徴とする。そしてこのリード２が、樹脂パッケージ９内で、厚み方向にくぼみＲを有する。またこのリード２は、樹脂パッケージ９内で、第１の面と第２の面上で異なる領域にくぼみＲを有している。

図１において、１はパワーダイオードからなる縦型のパワー半導体チップ、２はチップ裏面電極（図示なし）をダイボンドされた金属リード、３は、縦型のパワー半導体チップを搭載するためのダイパット、４は樹脂内部に位置する前記金属リードの側面、５はアウターリードの表面、６はアウターリードの断面、７は前記パワーダイオードからなるパワー半導体チップの表面電極ともう一方の対をなすリボン形状からなるアルミニウムを主成分とした接続導体である。８は、アルミニウムを主とするリボン状の接続導体を超音波接合された接合面である。９は、樹脂モールドによって形成されたエポキシ樹脂からなる樹脂パッケージである。

かかる構成によれば、プリント基板への実装後、つまり半導体チップの動作時の発熱は、ダイパット下部のリードの厚みを厚くすることができ、放熱板としての熱抵抗が低減され放熱特性が良好となるので、縦型のパワーダイオードなどのパワー半導体装置に最適である。

又、リードが樹脂パッケージの底面だけでなく側方にも導出されているため、アウターリードとプリント基板のランド間はフィレット（はんだの吸いあがり）が得られ、これを観察する事でプリント基板への実装検査が可能となる。この検査は目視検査あるいは光学的検査で可能である為、安価な検査装置が可能であり、検査コストとして有用である。

又、リードフレームを分割して個別のパワー半導体装置としている。かかる構成によれば分割する領域のリード（アウターリード）の厚みはダイパット直下よりも薄い構成である。これによりリードフレームの金属バリの発生を抑制できる。

又、前記樹脂内部でリード表面が肉薄部分を構成し、段差を構成するようにしたことにより、リードフレーム分割時やプリント基板搭載時の熱の応力等の引っ張りを抑制あるいは阻止、緩和を行うことが出来る。これにより機械的強度は向上される。

又、エポキシ樹脂の長さ（パッケージの長さ方向の寸法）の寸法精度は、トランスファーモールドの金型寸法により決まる。よって、特許文献１に示した従来例のようなダイシングブレードの厚みのばらつきに比べて非常に影響は小さい。

又、半導体チップの表面電極と、対をなすリードとの接続は、スプールに巻かれたアルミニウムを主とするリボン状導体を用いて表面電極と対のリードとをそれぞれ別々のタイミングで超音波法を用いて接続後引張って切断した構造である。よって、細いワイヤに比べて段面積が広く、又薄くできるので、背が低く、且つ大電流印加も可能なパワー半導体装置を実現することができる。尚、鉛（Ｐｂ）を含んだ高温はんだでないため、環境面でもすぐれた構成である。

図３は、本発明の実施の形態１の製造フローを示す図である。以下順に説明する。
図３（a）は、あらかじめ用意されたリードフレームの断面図である。
チップを搭載する領域部の厚みが厚くなるように、リードフレーム１００のチップ搭載面側の表面は、外装部すなわちアウターリードとなる領域とエポキシ樹脂からなる樹脂パッケージ９内側近傍をエッチングまたはパンチング法（プレス法）により薄くする。
一方、チップ搭載面の逆方向、即ちプリント基板実装面側の面は、対を成す向かい合うリード間の向きに前記と同様エッチングまたはパンチング法（プレス法）により形成する。

図３（ｂ）に示すように、ダイパットにチップを搭載する、ここでは、半導体チップ１としてパワーダイオードチップを搭載する。本実施例ではパワーダイオードとしたがバイポーラトランジスタやＭＯＳＦＥＴ等縦型のパワー用のディスクリート半導体、ＬＳＩなどを適用可能である。

図３（ｃ）に示すように、半導体チップ１の表面電極と、対をなすリードとの接続であって、スプールに巻かれたアルミニウムを主とする導体で形成されたリボン状導体７を用いて超音波ボンディングを行う。この超音波ボンディングは、表面電極とリード２（２ｂ）との超音波印加のタイミングは同時であっても別々のタイミングであってもよい。

図３（ｄ）に示すように、トランスファーモールド法によりエポキシ樹脂を成型する。

図３（ｅ）に示すように、リードフレームの所定の領域にダイシングブレードをあて、ダイシングを行うことで、個片への分割を行う。このとき、ダイシングブレードはリード裏面から表面側の向きに回転することで、バリを低減し、プリント基板上でバリに起因するショートが発生するのを防止することができる。
なお前記実施例においては、ダイシングブレードによる分割法としたがパンチング法による分割であってもよい。

但し、いずれも、裏面（プリント基板実装側の面）から表面（チップの表面側）の向きであるものとする。これは、逆方向であるとフレームのバリのかえりが発生した場合これによりリード２に浮きが生じ、プリント基板上への実装に際し、ボイドが発生し易いという品質課題を抑制する為である。
また、上記かえりをエッチングにより除去する必要もなくなるといった利点もある。

図３（ｆ）は個片分割された半導体装置を示す構造断面図である。
なお、アウターリード部には、プリント基板との接続を容易とする為にメッキ法により金属層が形成されるが図示していない。

なお、前記実施の形態では、リボン状導体を接続導体として用いたボンディングについて説明したが、ワイヤボンディングまたはダイレクトボンディングであってもよい。

以上のように、本実施の形態の半導体装置によれば、前述した特許文献１の半導体装置の有していた以下の課題を解決することができる。
１）半導体装置の個片化の為に、ダイシングブレードを用いて、モールド成型されたエポキシ樹脂と金属からなるリードフレームを同時に切断していた。この時、金属からなるリードフレームの切断面の金属バリ量は確かに低減されたが、逆にヒゲ状のエポキシ樹脂からなるバリがしばしば発生し外観形状不良となって、生産上の課題を有していた。

２）又、モールド成型されたエポキシ樹脂をダイシングブレードで切断していた為に、ダイシングブレードの“めづまり”の要因となって、ダイシングブレードのライフ管理が課題となっていた。

３）又、モールド成型されたエポキシ樹脂と金属からなるリードフレームとを『同時』にダイシングブレードを高速回転させて切断しているため、ダイシングブレードの磨耗は激しくなりその結果、ダイシングブレードの交換頻度は増える。この事は、ダイシングブレードのライフ管理等の生産上の課題および交換用ダイシングブレードが増える事によるダイシング工程が中断し交換時間が新たに必要であり、あるいは新たなるダイシングブレードが必要となるなどコストアップとなっていた。

４）又、モールド成型されたエポキシ樹脂と金属からなるリードフレームを同時にダイシングブレードを高速回転させて切断しているため、ダイシングブレードの磨耗は激しく、その結果、ダイシングブレードの厚みは通常より薄くなる傾向を示す。その結果、リードフレームから個片に分割される際、ダイシングブレードが新品である時は、ダイシングブレードの厚みは厚い為、個片分割後のエポキシ樹脂の寸法、即ちパッケージの長さは狭くなる。

５）逆に、ダイシングブレードで切断する事で個片分割するがこの回数が多いと、ダイシングブレードの幅が狭くなり、その結果上記パッケージの長さは長くなるという事となる。即ち、前記パッケージの長さは、ダイシングブレードの厚みに支配される結果、パッケージの長さ寸法規格を遵守させる為には、ダイシングブレードの厚み管理はより頻繁に実施する必要があると言う生産上の課題を有していた。

６）又、プリント基板への実装状態の検査手法としては、通常、Ｘ線検査をしているが、このＸ線検査装置は、非常に高価な設備である為、設備コストが高価となって検査コストアップという課題を有していた。

７）又、半導体チップの表面電極とリードとの間には細いボンディングワイヤを用いて電気的に接続されているが、小電流の印加時は、細いワイヤでも問題がないが、大電流を印加するパワー半導体においては、ワイヤの抵抗成分は高くなり、最悪、ワイヤがジュール熱にて切断され、結果として永久断線になってしまう等の課題を有していた。

（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態について説明する。
図４は本発明の実施の形態２の半導体装置を示す断面図である。
本実施の形態２の半導体装置では、リード２（２ａ，２ｂ）のアウターリード２ｏの伸長部は樹脂パッケージ９の主面に隣接する２つの面から外方に突出している。他は前記実施の形態１と同様であるためここでは説明を省略する。
この構成により、アウターリードが樹脂パッケージの側端から２方に露出しているため、プリント基板への実装に際し、プリント基板への固着状況を２方から効率よく目視で検査することができる。また、リード面積が増大し、接続性が向上する。

（実施の形態３）
次に、本発明の実施の形態について説明する。
図５は本発明の実施の形態３の半導体装置を示す断面図である。
本実施の形態３の半導体装置ではリード２（２ａ，２ｂ）のアウターリード２ｏの伸長部は樹脂パッケージ９の前記主面に隣接する３つの面から外方に突出しているものを含む。
この構成により、アウターリードが樹脂パッケージの側端から３方に露出しているため、プリント基板への実装に際し、プリント基板への固着状況を３方からさらに効率よく目視で検査することができる。また、リード面積がさらに増大し、接続性が向上する。

（実施の形態４）
次に、本発明の実施の形態について説明する。
図６は本発明の実施の形態４の半導体装置を示す断面図である。
前記実施の形態では２端子素子について説明したが、本実施の形態では、半導体集積回路チップ１０を構成する多端子素子（たとえば２４ピン）について説明する。
ここではリードフレームのリード２ａ、２ｂのうちアウターリード２ｏに接続するインナーリード２ｉの先端近傍に肉薄の接続片を形成し、この接続片によりダイレクトボンディングを形成したことを特徴とする。１８は半導体集積回路チップ１０上に形成されたバンプである。このようにインナーリード２ｉの先端近傍に肉薄の接続片を形成しているため、ボンディングを確実にすることができるうえ、肉薄の接続片を形成したことにより、段差が形成され、この段差に樹脂が入り込み、抜けを防止することができる。

また、前記実施の形態４の変形例として、半導体集積回路チップの裏面を樹脂パッケージから露呈させ、放熱性を高めるとともに、薄型化をはかるようにしてもよい。
この場合、樹脂パッケージを薄くしても本発明によれば、樹脂の抜けが防止されるため、信頼性を確保することができる。

なお、前記実施の形態では、インナーリードの先端はコイニングやエッチングにより肉薄の接続片を構成するようにしたが、さらに微細なパターンを必要とする場合には、少なくともインナーリード部をフィルムキャリア上に形成した配線パターンで構成し、リードに貼着するようにしてもよい。

なお、樹脂モールドを行う工程は、個別モールドにより行ったが、複数の半導体素子に対して一括モールドするようにしてもよい。この場合は、まず、第１のダイシングソーで樹脂パッケージのみを分離し、こののち第１のダイシングソーよりも幅狭の第２のダイシングソーでリードフレームを分割する。

以上説明してきたように、本発明の半導体装置は、電源回路で用いられるパワー用の縦型ディスクリート半導体に適している。

1 パワー半導体チップ
２（２ａ、２ｂ） リード
２Ｒ 第１の面
２Ｓ 第２の面
２ｉ インナーリード
２ｏ アウターリード
３ ダイパット
４ 樹脂の内部にあるリードの側面
５ アウターリードの表面
６ アウターリードの側面
７ アルミリボン
８ 超音波接合面
９ エポキシ樹脂（樹脂パッケージ）
Ｒ くぼみ

Claims (14)

1. 半導体素子と、前記半導体素子に接続された少なくとも２つのリードと、前記半導体素子を覆う樹脂パッケージとを具備し、前記リードの一部が前記樹脂パッケージから露出された半導体装置であって、
   前記リードは第１の面を前記半導体素子に接続される一方で前記第１の面に相対向する第２の面が前記パッケージの主面上に露呈せしめられており、
   前記リードは前記パッケージの主面に隣接する少なくともひとつの面から外方に伸張する伸長部を具備した半導体装置。
2. 請求項１に記載の半導体装置であって、
   前記リードは、前記樹脂パッケージ内で、厚み方向にくぼみを有する半導体装置。
3. 請求項１に記載の半導体装置であって、
   前記リードは、前記樹脂パッケージ内で、前記第１の面と第２の面上で異なる領域にくぼみを有する半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置であって、
   前記リードの前記伸長部は前記パッケージの前記主面に隣接する２つの面から外方に突出している半導体装置。
5. 請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置であって、
   前記リードの前記伸長部は前記パッケージの前記主面に隣接する３つの面から外方に突出している半導体装置。
6. 請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置であって、
   前記リードのうちの１つの前記第１の面に前記半導体素子の第１の端子が接続するように前記半導体素子が搭載されており、
   前記リードの他の１つの前記第１の面と、前記半導体素子の第２の端子とが接続導体を介して電気的に接続された半導体装置。
7. 請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置であって、
   前記接続導体はリボン状の導体であり、
   前記リードおよび前記半導体素子の前記第２の端子と超音波接続された半導体装置。
8. 請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置であって、
   前記接続導体はワイヤ状導体である半導体装置。
9. 請求項７または８に記載の半導体装置であって、
   前記リードおよび前記半導体素子の前記第２の端子は超音波接続された半導体装置。
10. 請求項７または８に記載の半導体装置であって、
    前記リードおよび前記半導体素子の前記第２の端子ははんだを介して電気的に接続された半導体装置。
11. １ユニットに第１および第２のリードを有し、各ユニットが連続形成されたリードフレームを用意する工程と、
    前記リードフレームの第２のリードに半導体素子を搭載する工程と、
    樹脂モールドを行う工程と、
    個別の半導体装置に分割する工程とを具備し、
    前記半導体素子と、前記半導体素子に接続された少なくとも２つのリードと、前記半導体素子を覆う樹脂パッケージとを具備し、前記リードの一部が前記樹脂パッケージから露出され、
    前記リードが、第１の面を前記半導体素子に接続される一方で前記第１の面に相対向する第２の面を前記パッケージの主面上に露呈せしめられており、
    前記リードは前記パッケージの主面に隣接する少なくともひとつの面から外方に伸張する伸長部を具備した半導体装置の製造方法。
12. 請求項１１に記載の半導体装置の製造方法であって、
    前記樹脂モールドを行う工程は、
    複数の半導体素子に対して一括モールドする工程であり、
    前記分割する工程は、
    第１のダイシングソーで樹脂パッケージのみを分離する第１の分割工程と、
    前記第１のダイシングソーよりも幅狭の第２のダイシングソーでリードフレームを分割する第２の分割工程とを含む半導体装置の製造方法。
13. 請求項１１に記載の半導体装置の製造方法であって、
    前記樹脂モールドを行う工程は、
    各半導体素子に対して個別にモールドする工程であり、
    前記分割する工程は、
    リードフレームを分割する工程である半導体装置の製造方法。
14. 請求項１１乃至１３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
    前記リードフレームを用意する工程は、
    条材をパンチングすることで凹凸を形成する工程を含む半導体装置の製造方法。

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