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JP2010251551A - Electronic circuit board and power semiconductor module - Google Patents

Electronic circuit board and power semiconductor module Download PDF

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JP2010251551A
JP2010251551A JP2009099955A JP2009099955A JP2010251551A JP 2010251551 A JP2010251551 A JP 2010251551A JP 2009099955 A JP2009099955 A JP 2009099955A JP 2009099955 A JP2009099955 A JP 2009099955A JP 2010251551 A JP2010251551 A JP 2010251551A
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JP
Japan
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power semiconductor
circuit board
electronic circuit
semiconductor element
conductor pattern
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Application number
JP2009099955A
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Japanese (ja)
Inventor
Chiharu Morita
千晴 森田
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Nichicon Corp
Original Assignee
Nichicon Corp
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Publication date
Application filed by Nichicon Corp filed Critical Nichicon Corp
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Abstract

【課題】大電流を通流させることができ、しかも小形かつ安価な電子回路基板およびパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】本発明に係る電子回路基板1Aは、絶縁基板2と、絶縁基板2上の2点間を接続するように形成され、当該2点間で電流を通流させる導電体パターン3aと、導電体パターン3a上に両端がそれぞれ接続され、電流の一部を通流させる少なくとも1つの導電部材(金属ワイヤ)5aとを備えたことを特徴とする。
【選択図】図1
A small and inexpensive electronic circuit board and power semiconductor module capable of passing a large current are provided.
An electronic circuit board according to the present invention includes an insulating substrate and a conductor pattern that is formed so as to connect two points on the insulating substrate, and allows current to flow between the two points. Further, it is characterized in that at least one conductive member (metal wire) 5a is connected to both ends of the conductor pattern 3a and allows a part of the current to flow therethrough.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、通流させる電流量が異なる複数の導電体パターンが形成された電子回路基板およびパワー半導体モジュールに関する。   The present invention relates to an electronic circuit board and a power semiconductor module on which a plurality of conductor patterns having different amounts of current to be passed are formed.

パワー半導体モジュールが有する電子回路基板には、比較的大きな電流を通流させる導電体パターンと、電流がほとんど通流しない導電体パターンが混在している。例えば、図5に示すような電子回路においては、パワー半導体素子10(IGBT等)のコレクタおよびエミッタに接続される配線11、12には大電流が流れるが、ベースに接続される配線13(制御信号ライン)にはほとんど電流が流れない。
したがって、配線11、12に相当する導電体パターンについては、パターン幅を広くするか、または導電体を厚くすることによりインピーダンスを下げる必要がある。一方、配線13に相当する導電体パターンについては、パターン幅を極力細くすることによってパターン占有面積を小さくし、基板の小形化および低コスト化を図ることが好ましい。
The electronic circuit board included in the power semiconductor module includes a conductor pattern through which a relatively large current flows and a conductor pattern through which little current flows. For example, in an electronic circuit as shown in FIG. 5, a large current flows through the wirings 11 and 12 connected to the collector and emitter of the power semiconductor element 10 (IGBT or the like), but the wiring 13 connected to the base (control). Almost no current flows through the signal line.
Therefore, it is necessary to reduce the impedance of the conductor patterns corresponding to the wirings 11 and 12 by increasing the pattern width or increasing the thickness of the conductor. On the other hand, for the conductor pattern corresponding to the wiring 13, it is preferable to reduce the pattern occupation area by reducing the pattern width as much as possible to reduce the size and cost of the substrate.

上記2つの要求を同時に満足させる電子回路基板として、例えば特許文献1に記載のものが知られている。図6に示すように、この電子回路基板20では、通流させる電流量に応じて各導電体パターン21、22の厚みを変化させている。一方、各導電体パターン21、22のパターン幅は、電流量に依存することなくほぼ一定である。   As an electronic circuit board that satisfies the above two requirements at the same time, for example, the one described in Patent Document 1 is known. As shown in FIG. 6, in the electronic circuit board 20, the thickness of each conductor pattern 21, 22 is changed according to the amount of current to be passed. On the other hand, the pattern widths of the conductor patterns 21 and 22 are substantially constant without depending on the amount of current.

特開2001−7456号公報JP 2001-7456 A

しかしながら、この従来の電子回路基板20では、大電流を通流させる導電体パターン22を形成するために、レジストマスクの形成、エッチング等の工程を何度も繰り返す必要があり、生産工程の複雑化やスループットの低下に伴う生産コストの増加が問題となっていた。   However, in this conventional electronic circuit board 20, in order to form the conductor pattern 22 through which a large current flows, it is necessary to repeat the steps of forming a resist mask, etching, etc. many times, which complicates the production process. In addition, an increase in production cost due to a decrease in throughput has been a problem.

そこで、本発明は、大電流を通流させることができ、小形かつ安価な電子回路基板およびパワー半導体モジュールを提供することを課題とする。   Therefore, an object of the present invention is to provide a small and inexpensive electronic circuit board and power semiconductor module that can pass a large current.

上記課題を解決するために、本発明に係る電子回路基板は、絶縁基板と、前記絶縁基板上の2点間を接続するように形成され、当該2点間で電流を通流させる導電体パターンと、前記導電体パターン上に両端がそれぞれ接続され、前記電流の一部を通流させる少なくとも1つの導電部材と、を備えたことを特徴とする。   In order to solve the above-described problems, an electronic circuit board according to the present invention is formed so as to connect an insulating substrate and two points on the insulating substrate, and a conductor pattern that allows current to flow between the two points. And at least one conductive member that is connected to both ends of the conductive pattern and allows a part of the current to flow therethrough.

この構成では、絶縁基板上の2点間の電流の一部が導電体パターンではなく導電部材を通流するので、導電体パターンの幅を細くかつ薄くしても、広くかつ厚くした場合と同等の大電流を通流させることができる。   In this configuration, a part of the current between two points on the insulating substrate flows through the conductive member instead of the conductive pattern, so even if the width of the conductive pattern is narrow and thin, it is equivalent to the case where the width and thickness of the conductive pattern are wide and thick The large current can be passed through.

具体的には、前記導電部材は、金属ワイヤまたは金属板であることが好ましい。   Specifically, the conductive member is preferably a metal wire or a metal plate.

また、上記電子回路基板では、複数の導電部材を、前記電流の通流方向に沿って並列および/または直列に配置することもできる。   In the electronic circuit board, a plurality of conductive members may be arranged in parallel and / or in series along the current flow direction.

複数の導電部材を並列に配置すれば、大電流が通流する2点間のインピーダンスがさらに低減されるので、導電体パターンのパターン幅をさらに細くし、基板を小形化することができる。また、複数の導電部材を直列に配置すれば、導電体パターンの長さが長い場合にもその全域にわたってインピーダンスを低減させることができる。   If a plurality of conductive members are arranged in parallel, the impedance between two points through which a large current flows can be further reduced, so that the pattern width of the conductor pattern can be further reduced and the substrate can be miniaturized. If a plurality of conductive members are arranged in series, impedance can be reduced over the entire region even when the length of the conductor pattern is long.

また、上記課題を解決するために、本発明に係るパワー半導体モジュールの一態様は、請求項1に記載の電子回路基板と、該電子回路基板上に実装されたパワー半導体素子とを備え、電子回路基板は、パワー半導体素子と、該パワー半導体素子と分離して形成された導電体パターンとを電気的に接続する接続用金属ワイヤと、導電部材として、両端がパワー半導体素子に流れ込む流入電流またはパワー半導体素子から流れ出る流出電流を通流させる導電体パターン上に接続され、流入電流または流出電流の一部が通流する補強用金属ワイヤと、を有することを特徴とする。   In order to solve the above-described problem, an aspect of a power semiconductor module according to the present invention includes the electronic circuit board according to claim 1 and a power semiconductor element mounted on the electronic circuit board. The circuit board includes a power semiconductor element, a connecting metal wire for electrically connecting the conductor pattern formed separately from the power semiconductor element, and an inflow current flowing into the power semiconductor element at both ends as a conductive member. And a reinforcing metal wire connected to a conductor pattern through which an outflow current flowing out from the power semiconductor element flows, and through which a part of the inflow current or outflow current flows.

また、上記課題を解決するために、本発明に係るパワー半導体モジュール他の態様は、請求項1に記載の電子回路基板と、該電子回路基板上に実装されたパワー半導体素子とを備え、電子回路基板は、パワー半導体素子と、該パワー半導体素子と分離して形成された導電体パターンとを電気的に接続する接続用金属ワイヤと、導電部材として、パワー半導体素子に流れ込む流入電流またはパワー半導体素子から流れ出る流出電流を通流させる導電体パターン上に配置され、流入電流または流出電流の一部が通流する金属板と、を有することを特徴とする。   In order to solve the above problems, another aspect of the power semiconductor module according to the present invention includes the electronic circuit board according to claim 1 and a power semiconductor element mounted on the electronic circuit board. The circuit board includes a power semiconductor element, a connection metal wire for electrically connecting the conductor pattern formed separately from the power semiconductor element, and an inflow current or power semiconductor flowing into the power semiconductor element as a conductive member And a metal plate that is disposed on a conductor pattern through which an outflow current flowing out from the element flows, and through which a part of the inflow current or outflow current flows.

そして、上記課題を解決するために、本発明に係るパワー半導体モジュールでは、上記の補強用金属ワイヤまたは金属板を、前記電流の通流方向に沿って並列および/または直列に配置することもできる。   And in order to solve the said subject, in the power semiconductor module which concerns on this invention, said reinforcement metal wire or metal plate can also be arrange | positioned in parallel and / or in series along the said current flow direction. .

本発明によれば、大電流を通流させることができ、小形かつ安価な電子回路基板およびパワー半導体モジュールを提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a small and inexpensive electronic circuit board and power semiconductor module through which a large current can be passed.

第1実施形態に係るパワー半導体モジュールの平面図である。It is a top view of the power semiconductor module concerning a 1st embodiment. 第1実施形態に係るパワー半導体モジュールを、図1のX−X方向から見た断面図である。It is sectional drawing which looked at the power semiconductor module which concerns on 1st Embodiment from the XX direction of FIG. 第2実施形態に係るパワー半導体モジュールの平面図である。It is a top view of the power semiconductor module which concerns on 2nd Embodiment. 第2実施形態に係るパワー半導体モジュールを、図3のX−X方向から見た断面図である。It is sectional drawing which looked at the power semiconductor module which concerns on 2nd Embodiment from the XX direction of FIG. パワー半導体モジュールの一例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows an example of a power semiconductor module. 従来の電子回路基板の断面図である。It is sectional drawing of the conventional electronic circuit board. 従来のパワー半導体モジュールの平面図である。It is a top view of the conventional power semiconductor module.

以下、添付図面を参照して、本発明に係る電子回路基板および当該電子回路基板を備えたパワー半導体モジュールの好ましい実施形態について説明する。   Preferred embodiments of an electronic circuit board according to the present invention and a power semiconductor module including the electronic circuit board will be described below with reference to the accompanying drawings.

<第1実施形態>
図1に、本発明の第1実施形態に係るパワー半導体モジュールを示す。パワー半導体モジュールは電子回路基板1Aを備え、電子回路基板1Aは、ガラスエポキシ等からなる絶縁基板2と、その表面上に形成された導電性を有する導電体パターン3a、3b、3cとからなる。このうち、導電体パターン3a上には、ベアチップ半導体部品4が配置されている。各導電体パターン3a、3b、3cの厚みは、各パターンを通流する電流の量に依存することなくほぼ一定である。
<First Embodiment>
FIG. 1 shows a power semiconductor module according to the first embodiment of the present invention. The power semiconductor module includes an electronic circuit board 1A, and the electronic circuit board 1A includes an insulating substrate 2 made of glass epoxy or the like, and conductive patterns 3a, 3b, and 3c having conductivity formed on the surface thereof. Among these, the bare chip semiconductor component 4 is disposed on the conductor pattern 3a. The thickness of each conductor pattern 3a, 3b, 3c is substantially constant without depending on the amount of current flowing through each pattern.

電子回路基板1Aは、図5に示す電子回路の一部分を構成している。すなわち、図1に示すベアチップ半導体部品4は図5に示すパワー半導体素子10に相当する。また、導電体パターン3a、3b、3cは、それぞれパワー半導体素子10のコレクタに接続される配線11、エミッタに接続される配線12、ベースに接続される配線13に相当する。   The electronic circuit board 1A constitutes a part of the electronic circuit shown in FIG. That is, the bare chip semiconductor component 4 shown in FIG. 1 corresponds to the power semiconductor element 10 shown in FIG. The conductor patterns 3a, 3b, and 3c correspond to the wiring 11 connected to the collector of the power semiconductor element 10, the wiring 12 connected to the emitter, and the wiring 13 connected to the base, respectively.

ベアチップ半導体部品4は、裏面側がパワー半導体素子10のコレクタと同電位となっており、半田層8を介して導電体パターン3aに接続されている(図2参照)。ベアチップ半導体部品4と導電体パターン3aの間には、放熱のためのヒートスプレッダが適宜配置される。   The bare chip semiconductor component 4 has the same back surface as the collector of the power semiconductor element 10 and is connected to the conductor pattern 3a via the solder layer 8 (see FIG. 2). A heat spreader for heat radiation is appropriately disposed between the bare chip semiconductor component 4 and the conductor pattern 3a.

ベアチップ半導体部品4の表面には、パワー半導体素子10のエミッタを引き出すためのパッドが設けられており、当該パッドは金属ワイヤ5b(本発明の「接続用金属ワイヤ」に相当)を介してパワー半導体素子10と分離して形成された導電体パターン3bに接続されている。パッドの個数および金属ワイヤ5bの径は、エミッタから流れ出る電流量に応じて決定される。本実施例では、パッドの数を3つとし、金属ワイヤ5bの径をそれぞれ350μm〜500μmとした(図1参照)。   A pad for extracting the emitter of the power semiconductor element 10 is provided on the surface of the bare chip semiconductor component 4, and the pad is connected to the power semiconductor via the metal wire 5 b (corresponding to the “connection metal wire” of the present invention). It is connected to a conductor pattern 3 b formed separately from the element 10. The number of pads and the diameter of the metal wire 5b are determined according to the amount of current flowing out from the emitter. In the present embodiment, the number of pads is three, and the diameters of the metal wires 5b are 350 μm to 500 μm, respectively (see FIG. 1).

また、ベアチップ半導体部品4の表面には、パワー半導体素子10のベースを引き出すためのパッドが設けられており、当該パッドは金属ワイヤ6(本発明の「導電部材」、「接続用金属ワイヤ」に相当)を介してパワー半導体素子10と分離して形成された導電体パターン3cと電気的に接続されている。前記の通り、パワー半導体素子10のベースにはほとんど電流が流れないので、本実施例では、このパッドの数を1つ、金属ワイヤ6の径を125μmとした。なお、金属ワイヤ5b、6としては、金、アルミニウム等の低抵抗の金属線が用いられる。   Further, a pad for pulling out the base of the power semiconductor element 10 is provided on the surface of the bare chip semiconductor component 4, and the pad is connected to the metal wire 6 (“conductive member”, “connecting metal wire” of the present invention). And electrically conductive pattern 3c formed separately from power semiconductor element 10 through a corresponding structure. As described above, since almost no current flows through the base of the power semiconductor element 10, in this embodiment, the number of pads is one and the diameter of the metal wire 6 is 125 μm. As the metal wires 5b and 6, low resistance metal wires such as gold and aluminum are used.

図1および図2に示すように、電子回路基板1Aは、大電流が通流する2点間のインピーダンスを低減するために、両端がそれぞれ導電体パターン3a上に接続された金属ワイヤ5a(本発明の「補強用金属ワイヤ」に相当)を備えている。そして、パワー半導体素子10のコレクタに向かって通流する電流の一部が、導電体パターン3aではなく、金属ワイヤ5aを通流するようになっている。
これにより、導電体パターン3aのパターン幅を広くした場合(例えば、図7参照)、または導電体パターンの厚みを増加させた場合と同程度にまで当該2点間のインピーダンスを低減することができる。さらには、パターンの幅や厚みの変更では電流容量を増加させることにも自ずと限界があるが、本実施形態によれば、パターンの幅や厚みの変更では対応が困難な場合にも、電流容量を飛躍的に高め、対応することができる。
As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the electronic circuit board 1A has a metal wire 5a (in this case, both ends are connected to the conductor pattern 3a in order to reduce the impedance between two points through which a large current flows. Equivalent to the “reinforcing metal wire” of the invention. A part of the current flowing toward the collector of the power semiconductor element 10 flows through the metal wire 5a instead of the conductor pattern 3a.
As a result, the impedance between the two points can be reduced to the same extent as when the pattern width of the conductor pattern 3a is increased (for example, see FIG. 7) or when the thickness of the conductor pattern is increased. . Furthermore, there is a limit to increasing the current capacity by changing the width and thickness of the pattern, but according to the present embodiment, even if it is difficult to respond by changing the width and thickness of the pattern, the current capacity Can be improved dramatically.

具体的には、本実施形態では、導電体パターン3aの表面のうちの少なくとも一部分をレジストで覆わないようにし、その覆われていない部分と金属ワイヤ5aの各端部とをボンディング接続している。図1に示すように、本実施形態では、2本の金属ワイヤ5aを直列接続したものを3組並列に配置している。   Specifically, in this embodiment, at least a part of the surface of the conductor pattern 3a is not covered with a resist, and the uncovered part and each end of the metal wire 5a are bonded and connected. . As shown in FIG. 1, in this embodiment, three sets of two metal wires 5a connected in series are arranged in parallel.

また、本実施形態では、各金属ワイヤ5aの径を、ベアチップ半導体部品4と導電体パターン3bとを接続する3本の金属ワイヤ5bと同様に350μm〜500μmとした。これにより、ベアチップ半導体部品4と導電体パターン3bとを接続する工程(ワイヤボンディング工程)の中で、各金属ワイヤ5aの接続も一緒に行うことができるので、工程増に伴う生産コストの増加を最小限に抑えることができる。   Moreover, in this embodiment, the diameter of each metal wire 5a was 350 micrometers-500 micrometers similarly to the three metal wires 5b which connect the bare chip semiconductor component 4 and the conductor pattern 3b. As a result, the metal wires 5a can be connected together in the process of connecting the bare chip semiconductor component 4 and the conductor pattern 3b (wire bonding process). Can be minimized.

<第2実施形態>
図3に、本発明の第2実施形態に係るパワー半導体モジュールを示す。パワー半導体モジュールは電子回路基板1Bを備える。そして、この電子回路基板1Bでは、第1形態の金属ワイヤ5aの代わりに金属板7を使用し、これにより大電流が通流する2点間のインピーダンスを低減している。
<Second Embodiment>
FIG. 3 shows a power semiconductor module according to the second embodiment of the present invention. The power semiconductor module includes an electronic circuit board 1B. And in this electronic circuit board 1B, the metal plate 7 is used instead of the metal wire 5a of 1st form, and, thereby, the impedance between two points through which a large current flows is reduced.

金属板7としては導電性に優れた銅板が好ましく、その厚みはパワー半導体素子10のベースに流れ込む電流量や、導電体パターン3aの幅、厚み等を勘案して決定される。また、図4に示すように、金属板7は半田層9を介して導電体パターン3aに接続されている。   The metal plate 7 is preferably a copper plate having excellent conductivity, and its thickness is determined in consideration of the amount of current flowing into the base of the power semiconductor element 10, the width and thickness of the conductor pattern 3a, and the like. As shown in FIG. 4, the metal plate 7 is connected to the conductor pattern 3 a through the solder layer 9.

金属板7は、ベアチップ半導体部品4や他の電子部品を実装する既存の工程の中で配置することができる。つまり、金属板7を配置するための新たな工程を設ける必要がないので、生産コストの増加を最小限に抑えることができる。   The metal plate 7 can be disposed in an existing process for mounting the bare chip semiconductor component 4 and other electronic components. That is, since it is not necessary to provide a new process for arranging the metal plate 7, an increase in production cost can be minimized.

結局、第1および第2実施形態に係るパワー半導体モジュールによれば、大電流が通流する2点間のインピーダンスを簡単に低減することができるので、電流量に応じて導電体パターンのパターン幅を広くしたり、導電体パターンを厚くしたりする必要がない。
また、第1および第2実施形態に係るパワー半導体モジュールによれば、既存の工程の中で導電部材(金属ワイヤ5a、金属板7)を設けることができるので、生産コストの増加を最小限に抑えることができる。
After all, according to the power semiconductor modules according to the first and second embodiments, the impedance between two points through which a large current flows can be easily reduced, so the pattern width of the conductor pattern according to the amount of current. There is no need to increase the width of the conductor pattern or increase the thickness of the conductor pattern.
Further, according to the power semiconductor module according to the first and second embodiments, the conductive member (metal wire 5a, metal plate 7) can be provided in the existing process, so that the increase in production cost is minimized. Can be suppressed.

<その他>
以上、本発明に係る電子回路基板およびパワー半導体モジュールの好ましい実施形態について説明したが、本発明の構成はこれらの構成に限定されるものではない。
例えば、上記実施形態では、本発明の「導電部材」をパワー半導体モジュールが有する電子回路基板に用いているが、これに限定されず、比較的大電流が流れる導電体パターンが形成された電子回路基板を備えた装置全般に適用することができる。
また、上記第1実施形態では、並列にする金属ワイヤ5aを3組としたが、電流量に応じて、1組、2組または4組以上にすることもできる。
また、ベアチップ半導体部品4に代えて、樹脂封止されたパッケージ部品を使用することもできる。ただし、この場合は、金属ワイヤを接続する工程が存在しないので、導電部材としては金属板を使用するのが好ましい。
また、上記第1および第2実施形態では、パワー半導体素子10のコレクタに向かって通流する電流(パワー半導体素子に流れ込む流入電流)を通流させる導電体パターン上に導電部材(金属ワイヤまたは金属板)を接続しているが、勿論、パワー半導体素子から流れ出る流出電流を通流させる導電体パターン上に導電部材を接続しても同様の効果が得られる。
<Others>
The preferred embodiments of the electronic circuit board and the power semiconductor module according to the present invention have been described above, but the configuration of the present invention is not limited to these configurations.
For example, in the above-described embodiment, the “conductive member” of the present invention is used for the electronic circuit board included in the power semiconductor module. However, the present invention is not limited to this, and an electronic circuit in which a conductive pattern through which a relatively large current flows is formed. The present invention can be applied to all devices including a substrate.
Moreover, in the said 1st Embodiment, although the metal wire 5a made into parallel was made into 3 sets, according to the amount of electric current, it can also be made into 1 set, 2 sets, or 4 sets or more.
Further, instead of the bare chip semiconductor component 4, a resin-sealed package component can be used. However, in this case, since there is no step of connecting a metal wire, it is preferable to use a metal plate as the conductive member.
In the first and second embodiments, the conductive member (metal wire or metal) is formed on the conductor pattern through which the current (inflow current flowing into the power semiconductor element) flowing toward the collector of the power semiconductor element 10 flows. However, of course, the same effect can be obtained by connecting a conductive member on a conductive pattern through which an outflow current flowing out from the power semiconductor element flows.

1A 電子回路基板
1B 電子回路基板
2 絶縁基板
3a〜c 導電体パターン
4 ベアチップ半導体部品
5a、b 金属ワイヤ
6 金属ワイヤ
7 金属板
8、9 半田層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1A Electronic circuit board 1B Electronic circuit board 2 Insulation board | substrate 3a-c Conductor pattern 4 Bare chip semiconductor component 5a, b Metal wire 6 Metal wire 7 Metal plate 8, 9 Solder layer

Claims (6)

絶縁基板と、
前記絶縁基板上の2点間を接続するように形成され、当該2点間で電流を通流させる導電体パターンと、
前記導電体パターン上に両端がそれぞれ接続され、前記電流の一部を通流させる少なくとも1つの導電部材と、
を備えたことを特徴とする電子回路基板。
An insulating substrate;
A conductor pattern formed so as to connect two points on the insulating substrate, and for passing a current between the two points;
At least one conductive member connected at both ends to the conductive pattern, and passing a part of the current;
An electronic circuit board comprising:
前記導電部材は、金属ワイヤまたは金属板であることを特徴とする請求項1に記載の電子回路基板。   The electronic circuit board according to claim 1, wherein the conductive member is a metal wire or a metal plate. 複数の導電部材が、前記電流の通流方向に沿って並列および/または直列に配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の電子回路基板。   The electronic circuit board according to claim 1, wherein a plurality of conductive members are arranged in parallel and / or in series along the current flow direction. 請求項1に記載の電子回路基板と、
前記電子回路基板上に実装されたパワー半導体素子と
を備え、
前記電子回路基板は、
前記パワー半導体素子と、該パワー半導体素子と分離して形成された導電体パターンとを電気的に接続する接続用金属ワイヤと、
前記導電部材として、両端が前記パワー半導体素子に流れ込む流入電流または前記パワー半導体素子から流れ出る流出電流を通流させる導電体パターン上に接続され、前記流入電流または前記流出電流の一部が通流する補強用金属ワイヤと、
を有することを特徴とするパワー半導体モジュール。
An electronic circuit board according to claim 1,
A power semiconductor element mounted on the electronic circuit board,
The electronic circuit board is
A metal wire for connection for electrically connecting the power semiconductor element and a conductor pattern formed separately from the power semiconductor element;
As the conductive member, both ends are connected to a conductor pattern that allows an inflow current flowing into the power semiconductor element or an outflow current flowing out of the power semiconductor element to flow, and a part of the inflow current or the outflow current flows. A reinforcing metal wire;
A power semiconductor module comprising:
請求項1に記載の電子回路基板と、
前記電子回路基板上に実装されたパワー半導体素子と
を備え、
前記電子回路基板は、
前記パワー半導体素子と、該パワー半導体素子と分離して形成された導電体パターンとを電気的に接続する接続用金属ワイヤと、
前記導電部材として、前記パワー半導体素子に流れ込む流入電流または前記パワー半導体素子から流れ出る流出電流を通流させる導電体パターン上に配置され、前記流入電流または前記流出電流の一部が通流する金属板と、
を有することを特徴とするパワー半導体モジュール。
An electronic circuit board according to claim 1,
A power semiconductor element mounted on the electronic circuit board,
The electronic circuit board is
A metal wire for connection for electrically connecting the power semiconductor element and a conductor pattern formed separately from the power semiconductor element;
As the conductive member, a metal plate is disposed on a conductor pattern through which an inflow current flowing into the power semiconductor element or an outflow current flowing out of the power semiconductor element flows, and a part of the inflow current or the outflow current flows. When,
A power semiconductor module comprising:
前記補強用金属ワイヤまたは前記金属板が、前記電流の通流方向に沿って並列および/または直列に配置されていることを特徴とする請求項4または5に記載のパワー半導体モジュール。   6. The power semiconductor module according to claim 4, wherein the reinforcing metal wires or the metal plates are arranged in parallel and / or in series along a current flow direction. 7.
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