JP2010243888A

JP2010243888A - 光学素子及びその製造方法

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Publication number: JP2010243888A
Application number: JP2009093900A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Hirayama; 博士平山; Hironori Takahashi; 弘典高橋
Original assignee: Konica Minolta Opto Inc
Current assignee: Konica Minolta Opto Inc
Priority date: 2009-04-08
Filing date: 2009-04-08
Publication date: 2010-10-28

Abstract

【課題】樹脂表面と隣接層との密着性を向上させ、表面形状の変化と樹脂内部の白濁とを防止又は抑制する。
【解決手段】対物レンズ３７は波長３８０〜４２０ｎｍのレーザ光を用いた光学装置に用いられる光学素子である。対物レンズ３７は、樹脂材料を成形した樹脂成形部５０と、樹脂成形部５０の表面５２に形成されたヒンダードアミン系耐光安定剤を含有する隣接層６０と、を備え、８５℃，ＲＨ５０％の環境下に１６８時間放置された場合に、樹脂成形部５０の光学有効範囲に対する隣接層６０の密着面積が６０％以上である。
【選択図】図１

Description

本発明は光学素子及びその製造方法に関する。

近年、光ピックアップ装置等の光学装置においては、従来の波長が７８０ｎｍ前後の光源を用いたＣＤや、波長６５０ｎｍ前後の光源を用いたＤＶＤよりも更に記録密度を高め、記録容量を向上させるため、波長３８０〜４２０ｎｍのレーザ光が用いられたブルーレイディスク（以下、ＢＤと記載する場合もある）に対応した光学装置が開発されている。

一方、そのような光学装置に用いられる対物レンズやコリメータレンズといった光学素子は、製造にコストがかかるガラスレンズよりも、安易且つ低コストで製造可能な樹脂レンズにより製造されることが望まれている。
しかしながら、波長３８０〜４２０ｎｍのレーザ光源が用いられた光学装置においては、従来よりもレーザ光源が短波長化されたことにより、照射レーザによる樹脂の劣化が無視できなくなっており、光学素子用の樹脂（レンズの樹脂成形部）に各種の耐光安定剤を混合することで、樹脂の光劣化を防止する技術が検討されている。

当該耐光安定剤のなかでも、上記の短波長レーザによる耐光劣化の抑制に優れた効果を示すものとしてヒンダードアミン系耐光安定剤（ＨＡＬＳ）が用いられる。
しかしながら、近年の更なる研究により、光学素子の照射レーザによる劣化はレンズの樹脂成形部の表面で顕著に発生することが判明している。また、表面の劣化を抑制するために、樹脂に多量の添加剤を混合した場合には、成形時に樹脂から添加剤が析出することでレンズ性能を悪化させる場合があった。
そのような問題に対し、樹脂成形部の表面に酸化防止剤からなる層を形成することで表面の局所的な樹脂劣化を低減させる技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００５−２５９３０２号公報

しかしながら、特許文献１に記載のように、酸化防止剤の膜を表面に形成した場合は、通常の環境下では表面の樹脂劣化は効果的に抑制できるものの、光学素子が使用環境において、高温・高湿環境下に放置すると、酸化防止剤膜の膜浮き（酸化防止剤膜が樹脂表面から剥離する現象）が樹脂表面で生じてしまうことが分かった。
また、酸化防止剤膜が浮いてしまった光学素子に対し、レーザ光を照射すると、酸化防止剤膜が樹脂表面で十分に機能しないため、樹脂表面で形状変化が起こったり樹脂内部で白濁が起こったりする場合があることが判明した。
さらに、光ピックアップ装置等の光学装置に用いられる光学素子としては、表面反射による光量のロスや散乱光による影響を低減させるため高い光透過率、すなわち低反射性が求められる為、表面に無機酸化物からなる反射防止膜が設けられる場合が多いが、耐光安定剤を加えた上記の隣接層に膜浮きが発生することで、その上に設けられた反射防止膜も剥がれたり、歪みが生じて光学装置の読取り誤差の原因となる場合があった。

したがって、本発明の主な目的は、樹脂表面とＨＡＬＳ剤を含有する隣接層との密着性を向上させ、表面形状の変化と樹脂内部の白濁とを防止又は抑制することができる光学素子及びその製造方法を提供することにある。

本発明の一態様によれば、
波長３８０〜４２０ｎｍのレーザ光を用いた光学装置に用いられる光学素子において、
樹脂材料を成形した樹脂成形部と、
前記樹脂成形部の表面に形成されヒンダードアミン系耐光安定剤を含有する隣接層と、
を備え、
８５℃，ＲＨ５０％の環境下に１６８時間放置された場合に、前記樹脂成形部の光学有効範囲に対する前記隣接層の密着面積が６０％以上であることを特徴とする光学素子が提供される。

本発明の他の態様によれば、前記光学素子の製造方法において、
樹脂とヒンダードアミン系耐光安定剤とを含む材料を成形して樹脂成形部を形成する工程と、
前記樹脂成形部を熱アニール処理する工程と、
前記樹脂成形部の表面に対し、ヒンダードアミン系耐光安定剤を含有する隣接層を形成する工程と、
を備えることを特徴とする光学素子の製造方法が提供される。

本発明の他の態様によれば、前記光学素子の製造方法において、
樹脂材料を成形して樹脂成形部を形成する工程と、
前記樹脂成形部の表面を活性化する工程と、
前記樹脂成形部の表面に対し、ヒンダードアミン系耐光安定剤を含有する隣接層を形成する工程と、
を備えることを特徴とする光学素子の製造方法が提供される。

前記樹脂成形部の表面を活性化する工程においては、前記樹脂成形部の表面の純水接触角が３０°以下になるまで、前記樹脂成形部の表面を活性化することが更に好ましい形態である。
また、前記樹脂成形部の表面を活性化する工程としては、前記樹脂成形部の表面に対し紫外線を照射する方法、前記樹脂成形部の表面に対しイオンビームを照射する方法、前記樹脂成形部の表面に対しプラズマを照射する方法等が好ましい方法として挙げられる。

また、本発明の他の態様によれば、前記光学素子の製造方法において、
樹脂材料を成形して樹脂成形部を形成する工程と、
前記樹脂成形部の表面にＳｉＯ_２膜を島状に形成する工程と、
前記樹脂成形部の表面に対し、ヒンダードアミン系耐光安定剤を含有する隣接層を形成する工程と、
を備えることを特徴とする光学素子の製造方法が提供される。

本発明によれば、樹脂成形部表面と隣接層との密着性が向上し、樹脂成形部の表面形状の変化と樹脂内部の白濁とを防止又は抑制することができる。

本発明の好ましい実施形態で使用される光ピックアップ装置の概略構成を示す図面である。図１の変形例を示す図面である。

以下、図面を参照しながら本発明の好ましい実施形態について説明する。

［第１の実施形態］
図１に示す通り、光ピックアップ装置３０には、半導体レーザ発振器３２が具備されている。半導体レーザ発振器３２は、ＢＤ（Blu-ray Disc）用として波長３８０〜４２０ｎｍの特定波長（例えば４０５ｎｍ）のブルーレーザ光（青紫色レーザ）を出射するようになっている。光ピックアップ装置３０は光学装置の一例であり、半導体レーザ発振器３２は光源の一例である。

半導体レーザ発振器３２から出射されるブルーレーザ光の光軸上には、半導体レーザ発振器３２から離間する方向に向かって、コリメータ３３、ビームスプリッタ３４、１／４波長板３５、絞り３６、対物レンズ３７が順次配設されている。

ビームスプリッタ３４と近接した位置であって、上述した青紫色光の光軸と直交する方向には、２組のレンズからなるセンサーレンズ群３８、センサー３９が順次配設されている。

対物レンズ３７は、高密度な光ディスクＤ（ＢＤ用光ディスク）に対向した位置に配置されており、半導体レーザ発振器３２から出射されたブルーレーザ光を光ディスクＤの一面上に集光するようになっている。対物レンズ３７は光学素子の一例であり、像側開口数ＮＡが０．７以上となっている。対物レンズ３７の周縁部にはフランジ部が形成されており、当該フランジ部に２次元アクチュエータ４０が装着されている。２次元アクチュエータ４０の動作により、対物レンズ３７は光軸上を移動自在となっている。

図１中拡大図に示す通り、対物レンズ３７は主には樹脂成形部５０で構成されており、対物レンズ３７の表面３７ａには隣接層６０，反射防止膜７０がそれぞれ形成されている。
本実施形態では、対物レンズ３７の表面３７ａの反対面（表面３７ｂ）にも隣接層６０，反射防止膜７０が形成されてもよい。

本実施形態では、対物レンズ３７を８５℃，ＲＨ５０％の環境下に１６８時間放置した場合に、樹脂成形部５０の光学有効範囲に対する隣接層６０の密着面積（密着率）は６０％以上であり、好ましくは８０％以上であり、更に好ましくは略１００％となっている。

樹脂成形部５０は主には、レーザ光への耐光性の観点から脂環式構造を有する重合体からなる樹脂で構成されていることが好ましい。
また、樹脂からの析出（ブリードアウトとも言う）が発生しない範囲でヒンダードアミン系耐光安定剤（ＨＡＬＳ）が含有されていることが好ましい。

脂環式構造を有する重合体からなる樹脂としては、例えば、下記の樹脂１，２を好適に使用することができ、具体的には日本ゼオン製ＺＥＯＮＥＸ、三井化学製ＡＰＥＬ、ＪＳＲ製アートン、ＴＯＰＡＳＡＤＶＡＮＣＥＤＰＯＬＹＭＥＲＳＧｍｂｈ製ＴＯＰＡＳなどが好適に用いられる。

［樹脂１］
樹脂材料１は、重量平均分子量（Ｍｗ）が１，０００〜１，０００，０００である重合体全繰り返し単位中に、下記式（１）で表される脂環式構造を有する繰り返し単位（ａ）と、下記式（２）及び／又は下記式（３）で表される鎖状構造の繰り返し単位（ｂ）とを、合計含有量が９０重量％以上になるように含有し、さらに繰り返し単位（ｂ）の含有量が１重量％以上１０重量％未満であり、繰り返し単位（ａ）の連鎖が下記関係式（Ｚ）を満たす脂環式炭化水素系共重合体を含有することが好ましい。
Ａ≦０．３×Ｂ … （Ｚ）
関係式（Ｚ）中、Ａ＝（脂環式構造を有する繰り返し単位の連鎖の重量平均分子量）であり、Ｂ＝（脂環式炭化水素系共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）×（脂環式構造を有する繰り返し単位数／脂環式炭化水素系共重合体を構成する全繰り返し単位数）である。

式（１）、式（２）及び式（３）中のＲ１〜Ｒ１３は、それぞれ独立に、水素原子、鎖状炭化水素基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、シアノ基、アミド基、イミド基、シリル基、及び極性基（ハロゲン原子、アルコキシ基、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、シアノ基、アミド基、イミド基、又はシリル基）で置換された鎖状炭化水素基等を表す。その中でも水素原子又は炭素原子数１〜６個の鎖状炭化水素基の場合が、耐熱性、低吸水性に優れるので好ましい。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子を挙げることができる。極性基で置換された鎖状炭化水素基としては、例えば炭素原子数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６のハロゲン化アルキル基が挙げられる。鎖状炭化水素基としては、例えば炭素原子数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６のアルキル基；炭素原子数２〜２０、好ましくは２〜１０、より好ましくは２〜６のアルケニル基が挙げられる。

式（１）中のＸは脂環式炭化水素基を表し、それを構成する炭素数は、通常４個〜２０個、好ましくは４個〜１０個、より好ましくは５個〜７個である。脂環式構造を構成する炭素数をこの範囲にすることで複屈折を低減することができる。また脂環式構造は単環構造に限らず、例えばノルボルナン環やジシクロヘキサン環などの多環構造のものでもよい。

脂環式炭化水素基は、炭素−炭素不飽和結合を有してもよいが、その含有量は、全炭素−炭素結合の１０％以下、好ましくは５％以下、より好ましくは３％以下である。脂環式炭化水素基の炭素−炭素不飽和結合をこの範囲とすることで、透明性、耐熱性が向上する。また、脂環式炭化水素基を構成する炭素には、水素原子、炭化水素基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、シアノ基、アミド基、イミド基、シリル基、及び極性基（ハロゲン原子、アルコキシ基、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、シアノ基、アミド基、イミド基、又はシリル基）で置換された鎖状炭化水素基等が結合していてもよく、中でも水素原子又は炭素原子数１〜６個の鎖状炭化水素基が耐熱性、低吸水性の点で好ましい。

また、式（３）中の「………」は、主鎖中の炭素−炭素飽和、又は炭素−炭素不飽和結合を示すが、透明性、耐熱性を強く要求される場合、不飽和結合の含有率は、主鎖を構成する全炭素−炭素間結合の、通常１０％以下、好ましくは５％以下、より好ましくは３％以下である。

式（１）で表される繰り返し単位の中でも、下記式（４）で表される繰り返し単位が、耐熱性、低吸水性の点で優れている。

式（２）で表される繰り返し単位の中でも、下記式（５）で表される繰り返し単位が、耐熱性、低吸水性の点で優れている。

式（３）で表される繰り返し単位の中でも、下記式（６）で表される繰り返し単位が、耐熱性、低吸水性の点で優れている。

式（４）、式（５）及び式（６）中の、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、Ｒｅ、Ｒｆ、Ｒｇ、Ｒｈ、Ｒｉ、Ｒｊ、Ｒｋ、Ｒｌ、Ｒｍ、Ｒｎはそれぞれ独立に水素原子または低級鎖状炭化水素基を示し、水素原子または炭素数１〜６の低級アルキル基が、耐熱性、低吸水性の点で優れている。

式（２）及び式（３）で表される鎖状構造の繰り返し単位の中では、式（３）で表される鎖状構造の繰り返し単位の方が、得られる炭化水素系重合体の強度特性に優れている。

本発明においては、炭化水素共重合体中の、式（１）で表される脂環式構造を有する繰り返し単位（ａ）と、式（２）及び／又は式（３）で表される鎖状構造の繰り返し単位（ｂ）との合計含有量は、重量基準で、通常９０％以上、好ましくは９５％以上、より好ましくは９７％以上である。合計含有量を上記範囲にすることで、低複屈折性、耐熱性、低吸水性、機械強度が高度にバランスされる。

脂環式炭化水素系共重合体における鎖状構造の繰り返し単位（ｂ）の含有量は使用目的に応じて適宜選択されるが、通常、重量基準で１％以上１０％未満、好ましくは１％以上８％以下、より好ましくは２％以上６％以下の範囲である。繰り返し単位（ｂ）の含有量が上記範囲にあると、低複屈折性、耐熱性、低吸水性が高度にバランスされる。

また、繰り返し単位（ａ）の連鎖長は、脂環式炭化水素系共重合体の分子鎖長に対して十分に短く、具体的には、Ａ＝（脂環式構造を有する繰り返し単位連鎖の重量平均分子量）、Ｂ＝（脂環式炭化水素系共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）×（脂環式構造を有する繰り返し単位数／脂環式炭化水素系共重合体を構成する全繰り返し単位数））とした時、ＡがＢの３０％以下であり、好ましくは２０％以下、より好ましくは１５％以下、特に好ましくは１０％以下の範囲である。Ａがこの範囲外では、低複屈折性に劣る。

次に、上記「脂環式構造を有する重合体」の製造方法については、従来公知の方法で製造可能である。

例えば、脂環式炭化水素系共重合体の製造方法は、（１）芳香族ビニル系化合物と共重合可能なその他のモノマーとを共重合し、主鎖及び芳香環の炭素−炭素不飽和結合を水素化する方法、（２）脂環式ビニル系化合物と共重合可能なその他のモノマーとを共重合し、必要に応じて水素化する方法等が挙げられる。

［樹脂２］
樹脂２は、α−オレフィンと、下記一般式（I）または（II）で表される環状オレフィンの共重合体からなる樹脂である。

…式（I）

式（I）中、ｎは０または１であり、ｍは０または正の整数であり、ｋは０または１であり、Ｒ¹乃至Ｒ¹⁸ならびにＲ^a及びＲ^bはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子または炭化水素基を表す。

…式（II）

式（II）中、ｐ及びｑはそれぞれ独立に、０または正の整数であり、ｒ及びｓはそれぞれ独立に、０、１または２を表し、Ｒ²¹乃至Ｒ³⁹はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表す。

［一般式（I）及び（II）で表される環状オレフィン］
上記一般式（I）において、ｎは０または１であり、ｍは０または正の整数であり、ｋは０または１である。なお、ｋが１の場合には、ｋを用いて表される環は６員環となり、ｋが０の場合にはこの環は５員環となる。

Ｒ¹〜Ｒ¹⁸ならびにＲ^a及びＲ^bは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子または炭化水素基である。ここで、ハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子である。

また、炭化水素基としては、通常、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のハロゲン化アルキル基、炭素原子数３〜１５のシクロアルキル基または芳香族炭化水素基が挙げられる。より具体的には、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、アミル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基及びオクタデシル基などが挙げられる。これらアルキル基はハロゲン原子で置換されていてもよい。

シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基が挙げられ、芳香族炭化水素基としてはフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。さらに上記一般式（I）において、Ｒ¹⁵とＲ¹⁶とが、Ｒ¹⁷とＲ¹⁸とが、Ｒ¹⁵とＲ¹⁷とが、Ｒ¹⁶とＲ¹⁸とが、Ｒ¹⁵とＲ¹⁸とが、あるいはＲ¹⁶とＲ¹⁷とがそれぞれ結合して（互いに共同して）、単環または多環の基を形成していてもよく、しかもこのようにして形成された単環または多環が二重結合を有していてもよい。ここで形成される単環または多環としては、具体的に以下のようなものが挙げられる。

なお、上記例示した単環または多環において、１または２の番号を付した炭素原子は、前記一般式（I）においてそれぞれＲ¹⁵（Ｒ¹⁶）またはＲ¹⁷（Ｒ¹⁸）結合している炭素原子を表す。

また、Ｒ¹⁵とＲ¹⁶とで、またはＲ¹⁷とＲ¹⁸とでアルキリデン基を形成していてもよい。このようなアルキリデン基は、通常は炭素原子数２〜２０のアルキリデン基であり、このようなアルキリデン基の具体的な例としては、エチリデン基、プロピリデン基及びイソプロピリデン基が挙げられる。

一般式（II）において、ｐ及びｑはそれぞれ独立に、０または正の整数であり、ｒ及びｓはそれぞれ独立に、０、１または２である。また、Ｒ²¹〜Ｒ³⁹はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基またはアルコキシ基である。

ここでハロゲン原子は、上記一般式（I）中のハロゲン原子と同じである。また炭化水素基としては、通常、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜１５のシクロアルキル基または芳香族炭化水素基が挙げられる。より具体的には、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、アミル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基及びオクタデシル基などが挙げられる。これらアルキル基はハロゲン原子で置換されていてもよい。

シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基が挙げられ、芳香族炭化水素基としては、アリール基、アラルキル基などが挙げられ、具体的には、フェニル基、トリル基、ナフチル基、ベンジル基、フェニルエチル基などが挙げられる。

アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などが挙げられる。ここで、Ｒ²⁹及びＲ³⁰が結合している炭素原子と、Ｒ³³が結合している炭素原子またはＲ³¹が結合している炭素原子とは、直接あるいは炭素原子数１〜３のアルキレン基を介して結合していてもよい。すなわち、上記二個の炭素原子がアルキレン基を介して結合している場合には、Ｒ²⁹とＲ³³とが、または、Ｒ³⁰とＲ³¹とが互いに共同して、メチレン基（−ＣＨ₂−）、エチレン基（−ＣＨ₂ＣＨ₂−）またはプロピレン基（−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂−）の内のいずれかのアルキレン基を形成している。

さらに、ｒ＝ｓ＝０のとき、Ｒ³⁵とＲ³²またはＲ³⁵とＲ³⁹とは互いに結合して単環または多環の芳香族環を形成していてもよい。具体的には、ｒ＝ｓ＝０のとき、Ｒ³⁵とＲ³²とにより形成される以下のような芳香族環が挙げられる。

ここで、ｑは、一般式（II）におけるｑと同義である。

本発明に係る一般式（I）または（II）で表される環状オレフィンとしては、具体的には、ビシクロ−２−ヘプテン誘導体（ビシクロヘプト−２−エン誘導体）、トリシクロ−３−デセン誘導体、トリシクロ−３−ウンデセン誘導体、テトラシクロ−３−ドデセン誘導体、ペンタシクロ−４−ペンタデセン誘導体、ペンタシクロペンタデカジエン誘導体、ペンタシクロ−３−ペンタデセン誘導体、ペンタシクロ−３−ヘキサデセン誘導体、ペンタシクロ−４−ヘキサデセン誘導体、ヘキサシクロ−４−ヘプタデセン誘導体、ヘプタシクロ−５−エイコセン誘導体、ヘプタシクロ−４−エイコセン誘導体、ヘプタシクロ−５−ヘンエイコセン誘導体、オクタシクロ−５−ドコセン誘導体、ノナシクロ−５−ペンタコセン誘導体、ノナシクロ−６−ヘキサコセン誘導体、シクロペンタジエン−アセナフチレン付加物、１，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレン誘導体、１，４−メタノ−１，４，４ａ，５，１０，１０ａ−ヘキサヒドロアントラセン誘導体などが挙げられる。

以下に、本発明に係る一般式（I）または（II）で表される環状オレフィンのより具体的な例を示すが、本発明ではこれら例示する化合物にのみ限定されるものではない。

《ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン誘導体》
１）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
２）６−メチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
３）５，６−ジメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
４）１−メチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
５）６−エチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
６）６−ｎ−ブチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
７）６−イソブチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
８）７−メチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、等

《テトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン誘導体》
９）テトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
１０）８−メチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
１１）８−エチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
１２）８−プロピルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
１３）８−ブチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
１４）８−イソブチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
１５）８−ヘキシルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
１６）８−シクロヘキシルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
１７）８−ステアリルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
１８）５，１０−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
１９）２，１０−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
２０）８，９−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
２１）８−エチル−９−メチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
２２）１１，１２−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
２３）２，７，９−トリメチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
２４）９−エチル−２，７−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
２５）９−イソブチル−２，７−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
２６）９，１１，１２−トリメチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
２７）９−エチル−１１，１２−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
２８）９−イソブチルー１１，１２−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
２９）５，８，９，１０−テトラメチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
３０）８−エチリデンテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
３１）８−エチリデン−９−メチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
３２）８−エチリデン−９−エチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
３３）８−エチリデン−９−イソプロピルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
３４）８−エチリデン−９−ブチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
３５）８−ｎ−プロピリデンテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
３６）８−ｎ−プロピリデン−９−メチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
３７）８−ｎ−プロピリデン−９−エチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
３８）８−ｎ−プロピリデン−９−イソプロピルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
３９）８−ｎ−プロピリデン−９−ブチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
４０）８−イソプロピリデンテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
４１）８−イソプロピリデン−９−メチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
４２）８−イソプロピリデン−９−エチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
４３）８−イソプロピリデン−９−イソプロピルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
４４）８−イソプロピリデン−９−ブチルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
４５）８−クロロテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
４６）８−ブロモテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
４７）８−フルオロテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン
４８）８，９−ジクロロテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセン、等

《ヘキサシクロ［６．６．１．１^3,6．１^10,13．０^2,7．０^9,14］−４−ヘプタデセン
誘導体》
４９）ヘキサシクロ［６．６．１．１^3,6．１^10,13．０^2,7．０^9,14］−４−ヘプタデ
セン
５０）１２−メチルヘキサシクロ［６．６．１．１^3,6．１^10,13．０^2,7．０^9,14］−
４−ヘプタデセン
５１）１２−エチルヘキサシクロ［６．６．１．１^3,6．１^10,13．０^2,7．０^9,14］−４−ヘプタデセン
５２）１２−イソブチルヘキサシクロ［６．６．１．１^3,6．１^10,13．０^2,7．０^9,14
］−４−ヘプタデセン
５３）１，６，１０−トリメチル−１２−イソブチルヘキサシクロ［６．６．１．１^3,6．１^10,13．０^2,7．０^9,14］−４−ヘプタデセン、等

《オクタシクロ［８．８．０．１^2,9．１^4,7．１^11,18．１^13,16．０^3,8．０^12,17］−５−ドコセン誘導体》
５４）オクタシクロ［８．８．０．１^2,9．１^4,7．１^11,18．１^13,16．０^3,8．０^12,17］−５−ドコセン
５５）１５−メチルオクタシクロ［８．８．０．１^2,9．１^4,7．１^11,18．１^13,16．０^3,8．０^12,17］−５−ドコセン
５６）１５−エチルオクタシクロ［８．８．０．１^2,9．１^4,7．１^11,18．１^13,16．０^3,8．０^12,17］−５−ドコセン、等

《ペンタシクロ［６．６．１．１^3,6．０^2,7．０^9,14］−４−ヘキサデセン誘導体》
５７）ペンタシクロ［６．６．１．１^3,6．０^2,7．０^9,14］−４−ヘキサデセン
５８）１，３−ジメチルペンタシクロ［６．６．１．１^3,6．０^2,7．０^9,14］−４−ヘキサデセン
５９）１，６−ジメチルペンタシクロ［６．６．１．１^3,6．０^2,7．０^9,14］−４−ヘキサデセン
６０）１５，１６−ジメチルペンタシクロ［６．６．１．１^3,6．０^2,7．０^9,14］−４−ヘキサデセン、等

《ヘプタシクロ−５−エイコセン誘導体あるいはヘプタシクロ−５−ヘンエイコセン誘導体》
６１）ヘプタシクロ［８．７．０．１^2,9．１^4,7．１^11,17．０^3,8．０^12,16］−５−
エイコセン
６２）ヘプタシクロ［８．８．０．１^2,9．１^4,7．１^11,18．０^3,8．０^12,17］−５−
ヘンエイコセン、等

《トリシクロ［４．３．０．１^2,5］−３−デセン誘導体》
６３）トリシクロ［４．３．０．１^2,5］−３−デセン
６４）２−メチルトリシクロ［４．３．０．１^2,5］−３−デセン
６５）５−メチルトリシクロ［４．３．０．１^2,5］−３−デセン、等

《トリシクロ［４．４．０．１^2,5］−３−ウンデセン誘導体》
６６）トリシクロ［４．４．０．１^2,5］−３−ウンデセン
６７）１０−メチルトリシクロ［４．４．０．１^2,5］−３−ウンデセン、等
《ペンタシクロ［６．５．１．１^3,6．０^2,7．０^9,13］−４−ペンタデセン誘導体》
６８）ペンタシクロ［６．５．１．１^3,6．０^2,7．０^9,13］−４−ペンタデセン
６９）１，３−ジメチルペンタシクロ［６．５．１．１^3,6．０^2,7．０^9,13］−４−ペンタデセン
７０）１，６−ジメチルペンタシクロ［６．５．１．１^3,6．０^2,7．０^9,13］−４−ペンタデセン
７１）１４，１５−ジメチルペンタシクロ［６．５．１．１^3,6．０^2,7．０^9,13］−４−ペンタデセン、等

《ジエン化合物》
７２）ペンタシクロ［６．５．１．１^3,6．０^2,7．０^9,13］−４、１０−ペンタデカジエン、等

《ペンタシクロ［７．４．０．１^2,6．１^9,12．０^8,13］−３−ペンタデセン誘導体》
７３）ペンタシクロ［７．４．０．１^2,6．１^9,12．０^8,13］−３−ペンタデセン
７４）メチル置換ペンタシクロ［７．４．０．１^2,6．１^9,12．０^8,13］−３−ペンタ
デセン、等

《ヘプタシクロ［８．７．０．１^3,6．１^10,17．１^12,15．０^2,7．０^11,16］−４−エイコセン誘導体》
７５）ヘプタシクロ［８．７．０．１^3,6．１^10,17．１^12,15．０^2,7．０^11,16］−４
−エイコセン
７６）ジメチル置換ヘプタシクロ［８．７．０．１^3,6．１^10,17．１^12,15．０^2,7．０^11,16］−４−エイコセン、等

《ノナシクロ［１０．９．１．１^4,7．１^13,20．１^15,18．０^3,8．０^2,10．０^12,21．
０^14,19］−５−ペンタコセン誘導体》
７７）ノナシクロ［１０．９．１．１^4,7．１^13,20．１^15,18．０^3,8．０^2,10．０^12,21．０^14,19］−５−ペンタコセン
７８）トリメチル置換ノナシクロ［１０．９．１．１^4,7．１^13,20．１^15,18．０^3,8．０^2,10．０^12,21．０^14,19］−５−ペンタコセン、等

《ペンタシクロ［８．４．０．１^2,5．１^9,12．０^8,13］−３−ヘキサデセン誘導体》
７９）ペンタシクロ［８．４．０．１^2,5．１^9,12．０^8,13］−３−ヘキサデセン
８０）１１−メチル−ペンタシクロ［８．４．０．１^2,5．１^9,12．０^8,13］−３−ヘキサデセン
８１）１１−エチル−ペンタシクロ［８．４．０．１^2,5．１^9,12．０^8,13］−３−ヘキサデセン
８２）１０，１１−ジメチル−ペンタシクロ［８．４．０．１^2,5．１^9,12．０^8,13］
−３−ヘキサデセン、等

《ヘプタシクロ［８．８．０．１^4,7．１^11,18．１^13,16．０^3,8．０^12,17］−５−ヘ
ンエイコセン誘導体》
８３）ヘプタシクロ［８．８．０．１^4,7．１^11,18．１^13,16．０^3,8．０^12,17］−５
−ヘンエイコセン
８４）１５−メチル−ヘプタシクロ［８．８．０．１^4,7．１^11,18．１^13,16．０^3,8．０^12,17］−５−ヘンエイコセン
８５）トリメチル−ヘプタシクロ［８．８．０．１^4,7．１^11,18．１^13,16．０^3,8．０^12,17］−５−ヘンエイコセン、等

《ノナシクロ［１０．１０．１．１^5,8．１^14,21．１^16,19．０^2,11．０^4,9．０^13,22
．０^15,20］−５−ヘキサコセン誘導体》
８６）ノナシクロ［１０．１０．１．１^5,8．１^14,21．１^16,19．０^2,11．０^4,9．０^13,22．０^15,20］−５−ヘキサコセン、等

《その他》
８７）５−フェニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
８８）５−メチル−５−フェニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
８９）５−ベンジル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９０）５−トリル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９１）５−（エチルフェニル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９２）５−（イソプロピルフェニル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９３）５−（ビフェニル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９４）５−（β−ナフチル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９５）５−（α−ナフチル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９６）５−（アントラセニル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９７）５，６−ジフェニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９８）シクロペンタジエン−アセナフチレン付加物
９９）１，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレン
１００）１，４−メタノ−１，４，４ａ，５，１０，１０ａ−ヘキサヒドロアントラセン
１０１）８−フェニル−テトラシクロ［４．４．０．０^3,5．１^7,10］−３−ドデセン
１０２）８−メチル−８−フェニル−テトラシクロ［４．４．０．０^3,5．１^7,10］−
３−ドデセン
１０３）８−ベンジル−テトラシクロ［４．４．０．０^3,5．１^7,10］−３−ドデセン
１０４）８−トリル−テトラシクロ［４．４．０．０^3,5．１^7,10］−３−ドデセン
１０５）８−（エチルフェニル）−テトラシクロ［４．４．０．０^3,5．１^7,10］−３−ドデセン
１０６）８−（イソプロピルフェニル）−テトラシクロ［４．４．０．０^3,5．１^7,10］−３−ドデセン
１０７）８，９−ジフェニル−テトラシクロ［４．４．０．０^3,5．１^7,10］−３−ドデセン
１０８）８−（ビフェニル）−テトラシクロ［４．４．０．０^3,5．１^7,10］−３−ドデセン
１０９）８−（β−ナフチル）−テトラシクロ［４．４．０．０^3,5．１^7,10］−３−ドデセン
１１０）８−（α−ナフチル）−テトラシクロ［４．４．０．０^3,5．１^7,10］−３−ドデセン
１１１）８−（アントラセニル）−テトラシクロ［４．４．０．０^3,5．１^7,10］−３−ドデセン
１１２）（シクロペンタジエン−アセナフチレン付加物）に、シクロペンタジエンを更に付加した化合物
１１３）１１，１２−ベンゾ−ペンタシクロ［６．５．１．１^3,6．０^2,7．０^9,13］−４−ペンタデセン
１１４）１１，１２−ベンゾ−ペンタシクロ［６．５．１．１^3,6．０^2,7．０^9,13］−４−ヘキサデセン
１１５）１１−フェニル−ヘキサシクロ［６．６．１．１^3,6．１^10,13．０^2,7．０^9,14］−４−ヘプタデセン
１１６）１４，１５−ベンゾ−ヘプタシクロ［８．７．０．１^2,9．１^4,7．１^11,17．
０^3,8．０^12,16］−５−エイコセン

［α−オレフィン］
共重合体を構成するα−オレフィンとしては、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセン、１−オクタデセン、１−エイコセンなどの直鎖状α−オレフィン；４−メチル−１−ペンテン、３−メチル−１−ペンテン、３−メチル−１−ブテンなどの分岐状α−オレフィンなどが挙げられる。好ましくは、炭素原子数が２〜２０のα−オレフィンが好ましい。このような直鎖状または分岐状のα−オレフィンは置換基で置換されていても良く、また１種単独、或いは２種以上組合わせて用いることができる。

置換基としては、種々のものが挙げられ特に制限はないが、代表的なものとしてアルキル、アリール、アニリノ、アシルアミノ、スルホンアミド、アルキルチオ、アリールチオ、アルケニル、シクロアルキル、シクロアルケニル、アルキニル、複素環、アルコキシ、アリールオキシ、複素環オキシ、シロキシ、アミノ、アルキルアミノ、イミド、ウレイド、スルファモイルアミノ、アルコキシカルボニルアミノ、アリールオキシカルボニルアミノ、アルコキシカルボニル、アリールオキシカルボニル、複素環チオ、チオウレイド、ヒドロキシル及びメルカプトの各基、並びにスピロ化合物残基、有橋炭化水素化合物残基、スルホニル、スルフィニル、スルホニルオキシ、スルファモイル、ホスホリル、カルバモイル、アシル、アシルオキシ、オキシカルボニル、カルボキシル、シアノ、ニトロ、ハロゲン置換アルコキシ、ハロゲン置換アリールオキシ、ピロリル、テトラゾリル等の各基及びハロゲン原子等が挙げられる。

上記アルキル基としては炭素数１〜３２のものが好ましく、直鎖でも分岐でもよい。アリール基としては、フェニル基が好ましい。

アシルアミノ基としては、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基；スルホンアミド基としては、アルキルスルホニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基；アルキルチオ基、アリールチオ基におけるアルキル成分、アリール成分は上記のアルキル基、アリール基が挙げられる。

アルケニル基としては炭素数２〜２３のもの、シクロアルキル基としては炭素数３〜１２、特に５〜７のものが好ましく、アルケニル基は直鎖でも分岐でもよい。シクロアルケニル基としては炭素数３〜１２、特に５〜７のものが好ましい。

ウレイド基としては、アルキルウレイド基、アリールウレイド基；スルファモイルアミノ基としてはアルキルスルファモイルアミノ基、アリールスルファモイルアミノ基；複素環基としては５〜７員のものが好ましく、具体的には２−フリル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリル等；飽和複素環としては５〜７員のものが好ましく、具体的にはテトラヒドロピラニル、テトラヒドロチオピラニル等；複素環オキシ基としては５〜７員の複素環を有するものが好ましく、例えば、３，４，５，６−テトラヒドロピラニル−２−オキシ、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ等；複素環チオ基としては５〜７員の複素環チオ基が好ましく、例えば２−ピリジルチオ、２−ベンゾチアゾリルチオ、２，４−ジフェノキシ−１，３，５−トリアゾール−６−チオ等；シロキシ基としてはトリメチルシロキシ、トリエチルシロキシ、ジメチルブチルシロキシ等；イミド基としては琥珀酸イミド、３−ヘプタデシル琥珀酸イミド、フタルイミド、グルタルイミド等；スピロ化合物残基としてはスピロ［３．３］ヘプタン−１−イル等；有橋炭化水素化合物残基としてはビシクロ［２．２．１］ヘプタン−１−イル、トリシクロ［３．３．１．１３．７］デカン−１−イル、７，７−ジメチル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−１−イル等が挙げられる。

スルホニル基としては、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、ハロゲン置換アルキルスルホニル基、ハロゲン置換アリールスルホニル基等；スルフィニル基としては、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基等；スルホニルオキシ基としては、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基等；スルファモイル基としては、Ｎ，Ｎ−ジアルキルスルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールスルファモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールスルファモイル等；ホスホリル基としては、アルコキシホスホリル基、アリールオキシホスホリル基、アルキルホスホリル基、アリールホスホリル基等；カルバモイル基としては、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールカルバモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールカルバモイル基等；アシル基としては、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基等；アシルオキシ基としては、アルキルカルボニルオキシ基等；オキシカルボニル基としては、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基等；ハロゲン置換アルコキシ基としてはα−ハロゲン置換アルコキシ基等；ハロゲン置換アリールオキシ基としては、テトラフルオロアリールオキシ基、ペンタフルオロアリールオキシ基等；ピロリル基としては１−ピロリル等；テトラゾリル基としては１−テトラゾリル等の各基が挙げられる。

上記置換基の他に、トリフルオロメチル、ヘプタフルオロ−ｉ−プロピル、ノニルフルオロ−ｔ−ブチル等の各基や、テトラフルオロアリール基、ペンタフルオロアリール基なども好ましく用いられる。更に、これらの置換基は、他の置換基で置換されてもよい。

また、共重合体中の非環状モノマー含有量は、成型性の観点から２０質量％以上であることが好ましく、２５％以上で９０％以下であることがより好ましく、３０％以上で８５％以下であることがさらに好ましい。

［樹脂中に混合されるヒンダードアミン系耐光安定剤（ＨＡＬＳ）］
本発明においては、樹脂成形部５０にＨＡＬＳ剤を含有させてもよい。樹脂成形部５０に含有されるＨＡＬＳとしては、ＴＨＦを溶媒として用いたＧＰＣにより測定したポリスチレン換算のＭｎが１０００〜１００００であるものが好ましく、２０００〜５０００であるものがより好ましく、２８００〜３８００であるものが特に好ましい。
Ｍｎが小さすぎると、該ＨＡＬＳをブロック共重合体に加熱溶融混練して配合する際に、揮発のため所定量を配合できなかったり、射出成形等の加熱溶融成形時に発泡やシルバーストリークが生じるなど加工安定性が低下する。また、ランプを点灯させた状態でレンズを長時間使用する場合に、レンズから揮発性成分がガスとなって発生する。
逆にＭｎが大き過ぎると、ブロック共重合体への分散性が低下して、レンズの透明性が低下し、耐光性改良の効果が低減する。したがって、本発明においては、ＨＡＬＳのＭｎを上記範囲とすることにより加工安定性、低ガス発生性、透明性に優れたレンズが得られる。

このようなＨＡＬＳの具体例としては、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’’−テトラキス−〔４，６−ビス−｛ブチル−（Ｎ−メチル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−イル）アミノ｝−トリアジン−２−イル〕−４，７−ジアザデカン−１，１０−ジアミン、ジブチルアミンと１，３，５−トリアジンとＮ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）ブチルアミンとの重縮合物、ポリ〔｛（１，１，３，３−テトラメチルブチル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジイル｝{（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ}ヘキサメチレン{（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ}〕、１，６−ヘキサンジアミン−Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）とモルフォリン−２，４，６−トリクロロ−１，３，５−トリアジンとの重縮合物、ポリ〔（６−モルフォリノ−ｓ−トリアジン−２，４−ジイル）（２，２，６，６，−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ〕−ヘキサメチレン〔（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ〕〕などの、ピペリジン環がトリアジン骨格を介して複数結合した高分子量ＨＡＬＳ；コハク酸ジメチルと４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジンエタノールとの重合物、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸と１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジノールと３，９−ビス（２−ヒドロキシ−１，１−ジメチルエチル）−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５，５］ウンデカンとの混合エステル化物などの、ピペリジン環がエステル結合を介して結合した高分子量ＨＡＬＳなどが挙げられる。

これらの中でも、ジブチルアミンと１，３，５−トリアジンとＮ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）ブチルアミンとの重縮合物、ポリ〔｛（１，１，３，３−テトラメチルブチル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジイル｝{（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ}ヘキサメチレン{（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ}〕、コハク酸ジメチルと４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジンエタノールとの重合物などのＭｎが２，０００〜５，０００のものが好ましい。

本発明に係るブロック共重合体に対するＨＡＬＳの配合量は、重合体１００重量部に対して、好ましくは０．０１〜２０重量部、より好ましくは０．０２〜１５重量部、特に好ましくは０．０５〜１０重量部である。
添加量が少なすぎると耐光性の改良効果が十分に得られず、屋外で長時間使用する場合等に着色が生じる場合がある。
一方、ＨＡＬＳの配合量が多すぎると、その一部がガスとなって発生したり、ブロック共重合体への分散性が低下して、レンズの透明性が低下する。

隣接層６０はヒンダードアミン系耐光安定剤を含有する層（ＨＡＬＳ膜）であり、樹脂成形部５０上に反射防止膜７０が設けられる場合においては、樹脂成形部５０と反射防止膜７０との間に設けられる層となる。

隣接層６０を構成するヒンダードアミン系耐光安定剤としては、以下に示すように低分子量のもの（Ｃ）、あるいは高分子量のもの（Ｄ）を単独で使用してもよく、また併用してもよい。
低分子量ヒンダードアミン系光安定剤（Ｃ）は、分子量が１０００以下、好ましくは９００以下のものであって、例えば４−アセトキシー２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−ステアロイルオキシー２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−アクリロイルオキシー２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−ベンゾイルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−シクロヘキサノイルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（ｏ−クロロベンゾイルオキシ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（フェノキシアセトキシ）−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、１，３，８−トリアザ−７，７，９，９−テトラメチル−２，４−ジオキソ−３−ｎオクチル−スピロ［４，５］デカン、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）テレフタレート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケート、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）ベンゼン−１，３，５−トリカルボキシレート、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−２−アセトキシプロパン−１，２，３−トリカルボキシレート、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−２−ヒドロキシプロパン−１，２，３−トリカルボキシレート、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）トリアジン−２，４，６−トリカルボキシレート、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジン）ホスファイト、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）ブタン−１，２，３−トリカルボキシレート、テトラキス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）プロパン−１，１，２，３−テトラカルボキシレート、テトラキス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）ブタン−１，２，３，４−テトラカルボキシレートなどを挙げることができる。より具体的には、サノールＬＳ７７０、チヌビン１４４、アデカスタブＬＡ−５７、アデカスタブＬＡ−６２、アデカスタブＬＡ−６７、グッドライトＵＶ−３０３４などの商品名で市販されているものを使用することができる。

高分子量ヒンダードアミン系光安定剤（Ｄ）は、分子量が１０００を越え、好ましくは１２００〜５０００程度のものであって、下記式で示される高分子型ヒンダードアミンを挙げることができる。

隣接層６０を構成するヒンダードアミン系耐光安定剤として、以下の表の各欄に掲げる化学物質を用いることができる（参考、「高分子の光安定化技術」（大澤善次郎著、株式会社シーエムシー出版発行））。

反射防止膜７０は公知の反射防止膜であり、単層構造を有してもよいし複数層構造を有してもよい。
反射防止膜７０は単層構造であっても反射防止機能を十分に発揮するが、２層以上の層から構成される複数層構造のほうが反射防止効果を高めることができる。

ＨＡＬＳを含有する隣接層６０の屈折率はおおよそ樹脂成形部５０と等しくなる為、反射防止機能を持たせることは困難である。
樹脂成形部５０の屈折率がｎ＝１．５〜１．６程度と仮定すれば、隣接層６０の有無に関わらず、樹脂成形部５０の表面５２の反射率はおおよそ４％から５％程度である。したがって、隣接層６０の上に反射防止膜７０を蒸着等により形成することで反射率を下げることが可能である。
このとき、隣接層６０と反射防止膜７０の最下層との密着性を考慮して、高分子との相性のよいＳｉＯ_２膜を最初に形成することが望ましい。
例えば、波長４０５ｎｍのブルー光に対応可能な対物レンズ３７であるならば、好ましくはＥＢ蒸着法によりＳｉＯ_２（１５ｎｍ）／ＺｒＯ_２（２０ｎｍ）／ＳｉＯ_２（１０３ｎｍ）の３層構造の反射防止膜７０を形成し、これにより対物レンズ３７の反射率を０．５％以下に抑えることが可能である。

なお、反射防止膜７０は必須の構成ではなく、これに代えて別の機能膜が設けられてもよいし、反射防止膜７０を含む機能膜自体なくてもよい。

続いて、対物レンズ３７の製造方法の一例について説明する。

始めに、上記樹脂とヒンダードアミン系耐光安定剤（ＨＡＬＳ）とを含む構成材料を、一定条件下で金型に対し射出成形し、所定形状を有する樹脂成形部５０を形成する。

その後、樹脂成形部５０を一定温度で一定時間アニールし（例えば９０℃で２４時間加熱し）、樹脂成形部５０中のＨＡＬＳを樹脂成形部５０の表面５２にブリードアウトさせる。
この場合、ブリードアウトさせるＨＡＬＳの量は、光学素子としての機能に影響が与えない範囲とする必要があり、ごく微量をブリードアウトさせることが好ましい。

その後、樹脂成形部５０の表面５２に対し、抵抗加熱蒸着法により隣接層６０を形成し、その後にＥＢ蒸着法により反射防止膜７０を形成する。

続いて、光ピックアップ装置３０の動作について説明する。

光ディスクＤへの情報の記録動作時や光ディスクＤに記録された情報の再生動作時に、半導体レーザ発振器３２からブルーレーザ光が出射される。出射されたブルーレーザ光は、コリメータ３３を透過して無限平行光にコリメートされた後、ビームスプリッタ３４を透過して、１／４波長板３５を透過する。さらに、当該ブルーレーザ光は絞り３６及び対物レンズ３７を透過した後、光ディスクＤの保護基板Ｄ_１を介して情報記録面Ｄ_２に集光スポットを形成する。

集光スポットを形成したブルーレーザ光は、光ディスクＤの情報記録面Ｄ_２で情報ビットによって変調され、情報記録面Ｄ_２によって反射される。そして、この反射光は、対物レンズ３７及び絞り３６を順次透過した後、１／４波長板３５によって偏光方向が変更され、ビームスプリッタ３４で反射する。その後、当該反射光は、センサーレンズ群３８を透過して非点収差が与えられ、センサー３９で受光されて、最終的には、センサー３９によって光電変換されることによって電気的な信号となる。

以後、このような動作が繰り返し行われ、光ディスクＤに対する情報の記録動作や、光ディスクＤに記録された情報の再生動作が完了する。

以上の本実施形態によれば、対物レンズ３７の製造工程において樹脂成形部５０に対し熱アニールの処理を実行して樹脂成形部５０中のＨＡＬＳを表面５２にブリードアウトさせた後に、隣接層６０を設けることで、樹脂成形部５０と隣接層６０との間の密着性を高め、８０℃、ＲＨ５０％の環境下に１６８時間放置された場合であっても樹脂成形部５０の光学有効範囲に対する隣接層６０の密着面積が６０％以上保たれることが可能とされている。
すなわち、ブリードアウトしたＨＡＬＳと隣接層６０のＨＡＬＳとが結合してアンカー効果を発揮すると考えられ、その結果樹脂成形部５０の表面５２と隣接層６０との密着性が向上していると考えられる。
そのため、樹脂成形部５０の表面形状の変化と樹脂内部の白濁とを防止又は抑制することができる（下記実施例参照）。

［第２の実施形態］
第２の実施形態は下記の点で第１の実施形態と異なっており、それ以外は第１の実施形態と同様となっている。

対物レンズ３７の樹脂成形部５０には、ＨＡＬＳが含有されてもよいし、されなくてもよい。

対物レンズ３７の製造方法において、樹脂成形部５０の熱アニールの処理に代えて、樹脂成形部５０の表面５２を活性化する処理を行う。
「活性化」とは、原子や分子が光・熱などのエネルギーを得て高いエネルギー状態になることをいう。本実施形態において樹脂成形部５０の表面５２が活性化されるとは、表面５２に付着している有機物などを光・熱などの高いエネルギーを照射することで分解、除去し、そのことによって、表面５２にＯＨ基の結合手が生成され、さらに表面５２の高分子主鎖を切断してラジカルを生成したり、表面５２にヒドロキシル基（−ＯＨ）、カルボキシル基（−ＣＨＯ）、アルデヒド基（−ＣＨＯ）などの反応性の高い官能基を置換又は生成したりして、化学反応を起こし易い状態になることをいう。また、飛行時間型二次イオン質量分析装置（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）を使用すれば、表面５２の構成元素や化学構造に関する情報を得ることができるため、官能基が生成されたことを確認できる。

活性化の手法としては、樹脂成形部５０の表面５２に対して紫外線，プラズマ，イオンビームを照射することが挙げられる。

活性化するための照射条件は、樹脂材料すなわち高分子の種類、成形方法、添加剤の種類などにより異なる。また、各照射方法のなかでも、照射パラメータは多数存在するため、基板材料の種類などに応じて照射条件を変えて活性化を行う。

以下、紫外線照射、イオンビーム照射及びプラズマ照射について詳しく説明する。

［紫外線照射］
紫外線照射によって樹脂成形部５０の表面５２を活性化させる場合、波長が１７０ｎｍ〜１８０ｎｍの紫外線を樹脂成形部５０の表面５２に照射して活性化させることが好ましい。
例えば、ウシオ電機株式会社製のエキシマ光照射ユニット（形式ＵＥＲ２０−１７２Ｃ）を使用し、波長が１７２ｎｍ、放射強度が１０ｍＷ／ｃｍ^２の条件で、エキシマ光照射を行い、樹脂成形部５０の表面５２を活性化する。
樹脂成形部５０の表面５２にエキシマ光を照射することで、表面５２の微量な有機物を分解、除去し、表面５２の高分子主鎖のＣ−Ｃ結合、Ｃ＝Ｃ結合を切断してラジカルを生成、さらには、高分子側鎖にヒドロキシル基（−ＯＨ）、カルボキシル基（−ＣＨＯ）、アルデヒド基（−ＣＨＯ）などの反応性の高い官能基を置換又は生成して樹脂成形部５０の表面５２を活性化させる。
また、エキシマ光が空間に存在する酸素に直接作用することで、励起酸素原子、オゾンなどの活性酸素種を高濃度に発生させ、微量の有機物を分解、除去、側鎖の官能基の置換又は生成を行い、同様に樹脂成形部５０の表面５２を活性化させる。

例えば、波長が１７２ｎｍのエキシマ光の光エネルギーは１６６．６ｋｃａｌ／ｍｏｌであり、ほとんどの分子結合エネルギーよりも高いため、樹脂成形部５０の表面５２の活性化には有効である。

本発明者が行った実験では、２００ｍＪ／ｃｍ^２〜２０００ｍＪ／ｃｍ^２の強度が望ましいことが確認された。
２００ｍＪ／ｃｍ^２未満の強度では、接触角の改善が不十分であり、２０００ｍＪ／ｃｍ^２より高い強度で照射すると、樹脂成形部５０が黄変してしまうことが分かった。
ただし、樹脂の種類で適切な照射強度の範囲にばらつきがあり、成形された樹脂で適宜純水接触角を測定する、表面５２を分析するなどして、照射条件を調整する必要がある。

［イオンビーム照射］
イオンビームの照射によって樹脂成形部５０の表面５２を活性化させる場合、例えば、株式会社オプトラン製のＲＦイオンソース（形式ＯＩＳ−ｔｗｏ）を使用し、酸素ガス流量が５０ｓｃｃｍ、アルゴンガス流量が８ｓｃｃｍ、ビーム電圧が５００Ｖ、ビーム電流が４００ｍＡ、真空度が１．５×１０^−２Ｐａの条件で、樹脂成形部５０の表面５２に対しイオンビームを照射し、樹脂成形部５０の表面５２を活性化する。
樹脂成形部５０の表面５２に酸素イオン、アルゴンイオンを照射することで、表面５２の微量な有機物を分解、除去し、表面５２の高分子主鎖のＣ−Ｃ結合、Ｃ＝Ｃ結合を切断してラジカルを生成、さらには高分子側鎖にヒドロキシル基（−ＯＨ）、カルボキシル基（−ＣＨＯ）、アルデヒド基（−ＣＨＯ）などの反応性の高い官能基を置換又は生成して樹脂成形部５０の表面５２を活性化させる。

本発明者が行った実験では、３００ｍＪ／ｃｍ^２〜３０００ｍＪ／ｃｍ^２の強度が望ましいことが確認された。
３００ｍＪ／ｃｍ^２未満の強度では、接触角の改善が不十分であり、３０００ｍＪ／ｃｍ^２より高い強度で照射すると、樹脂成形部５０が反ってしまうことが分かった。
ただし、樹脂の種類で適切な照射強度の範囲にバラツキがあり、成形された樹脂で適宜純水接触角を測定する、表面５２を分析するなどして、照射条件を調整する必要がある。

［プラズマ照射］
プラズマ照射によって樹脂成形部５０の表面５２を活性化させる場合、例えば、サムコ株式会社製のプラズマドライクリーナー（形式ＰＣ−１０００）を使用し、酸素ガス流量が２００ｓｃｃｍ、ＲＦ出力が４００Ｗ、真空度が５０Ｐａの条件で、樹脂成形部５０の表面５２に対しプラズマを照射し、樹脂成形部５０の表面５２を活性化する。
樹脂成形部５０の表面５２にプラズマを照射することで、表面５２の微量な有機物を分解、除去し、表面５２の高分子主鎖のＣ−Ｃ結合、Ｃ＝Ｃ結合を切断してラジカルを生成、さらには高分子側鎖にヒドロキシル基（−ＯＨ）、カルボキシル基（−ＣＨＯ）、アルデヒド基（−ＣＨＯ）などの反応性の高い官能基を置換又は生成して樹脂成形部５０の表面５２を活性化させる。プラズマ中には、ガス、電子、励起種、イオン、ラジカルが存在し、それらが樹脂成形部５０の表面５２に作用することで表面５２を活性化させる。

本発明者が行った実験では、３０Ｊ／ｃｍ^２〜３００Ｊ／ｃｍ^２の強度が望ましいことが確認された。上述したエキシマ光やイオンビームと比較して出力が著しく高いが、樹脂成形部５０に照射したエネルギーのみを測定することが困難であり、投入した電力を単純に装置の照射面積で除算して算出した値だからである。ほとんどのエネルギーは、ガスの分解に利用されたと考えられる。
３０Ｊ／ｃｍ^２未満の強度では、接触角の改善が不十分であり、３００Ｊ／ｃｍ^２より高い強度で照射すると、樹脂成形部５０が反ってしまうことが分かった。
ただし、樹脂の種類で適切な照射強度の範囲にバラツキがあり、成形された樹脂で適宜純水接触角を測定する、表面５２を分析するなどして、照射条件を調整する必要がある。

ここで、上記活性化は、樹脂成形部５０の表面５２の純水接触角が３０°以下、好ましくは１５°以下になるまで行う。
純水接触角が３０°以下になるまで活性化することで、隣接層６０の密着性を改善することができ、１５°以下になるまで活性化することで、更に密着性を改善できるからである。

液滴面と固体面が接する点で、液滴面に接線を引いて固体面との間の角度をθとするとき、角度θをその液体のその固体上への接触角という。接触角が大きいときは、固体表面をぬらしにくくなり、小さいときは固体表面をぬらしやすくなる。ぬれは、固体表面に吸着されていた気体が液体にとってかわる現象であり、接触角を測定することで固体の表面自由エネルギーを求めることができる。

接触角が、０°＜θ≦１８０°の範囲にあるとき、
Ｗａ＝γｓ＋γｌ−γｓｌ＝γｌ・（１＋ｃｏｓθ）の式が成立する。
ただし、
Ｗａ：付着の仕事
γｓ：固体の表面自由エネルギー
γｓｌ：固体と液体の界面の自由エネルギー
γｌ：液体の表面自由エネルギー
である。

すなわち、接触角θが小さくなったとき、固体の表面自由エネルギーγｓは大きくなり、固体表面が親水性を示すとともに、表面が活性化されたといえる。

本発明者は、純水接触角の値と、樹脂成形部５０と隣接層６０との密着性を検討した結果、樹脂成形部５０の表面５２における純水接触角θが３０°以下であれば、樹脂成形部５０の表面５２が十分に活性化され、隣接層６０の密着性を改善することができることを見出した。さらに、純水接触角θが１５°以下であれば、更に密着性を改善することができることを見出した。

また、本実施形態では、樹脂成形部５０の表面５２に付着又は析出している離型剤や、ごみなどの有機物を除去するまで、樹脂成形部５０の表面５２を活性化する。
離型剤は、成形品を成形型から取り出すときの粘着を防止し、作業操作を容易にするために用いられ、流動パラフィン、高級脂肪酸、低分子ポリエチレン、シリコーン油などが主に用いられる。これら離型剤は金型の内面に塗布するか、成形材料の中に予め混合しておく。いずれの場合も、成形品の表面にごくわずかであるが、離型剤が付着又は析出しており、これらを除去すれば、樹脂成形部５０の表面５２に対する隣接層６０の密着性を更に向上させることができることが分かった。そこで、樹脂成形部５０の表面５２に付着又は析出している離型剤や、ごみなどの有機物を除去するまで、樹脂成形部５０の表面５２を活性化することが好ましい。

エキシマ光を樹脂成形部５０の表面５２に照射することで、上述した活性酸素種が有機物の主成分である炭素に作用し、二酸化炭素などに酸化分解・揮発させることが可能であるため、樹脂成形部５０の表面５２に付着又は析出している離型剤などの有機物を除去することができる。

また、イオンビームを樹脂成形部５０の表面５２に照射することで、加速されたイオンの衝撃で有機物を直接除去することが可能である。
なお、樹脂成形部５０にダメージを与えないように、イオンビームの運度エネルギーを適宜調整すれば良い。

さらに、プラズマを樹脂成形部５０の表面５２に照射した場合も同様に活性酸素種が発生するため、エキシマ光と同様の効果を奏することができる。
また、プラズマにバイアスを印加すれば、加速されたイオンの衝撃で有機物を直接除去することも可能である。

以上の本実施形態では、対物レンズ３７の製造工程において樹脂成形部５０の表面５２に対し紫外線，イオンビーム，プラズマのいずれかを照射して表面５２を活性化し（表面５２を改質し）、樹脂成形部５０の光学有効範囲に対する隣接層６０の密着面積を６０％以上としている。
そのため、樹脂成形部５０の表面５２と隣接層６０との密着性が向上し、樹脂成形部５０の表面形状の変化と樹脂内部の白濁とを防止又は抑制することができる（下記実施例参照）。

［第３の実施形態］
第３の実施形態は下記の点で第１の実施形態と異なっており、それ以外は第１の実施形態と同様となっている。

図２に示す通り、樹脂成形部５０の表面５２にはＳｉＯ_２膜８０が複数個所にわたり島状に形成されている。
島状のＳｉＯ_２膜８０は蒸着の初期段階でみられる構造を有しており、樹脂成形部５０の表面５２のすべてを覆ってはいない。
各島のＳｉＯ_２膜８０の大きさは５〜１０ｎｍ程度である。

なお、本実施形態でも、８５℃、ＲＨ５０％下に１６８時間放置された際の樹脂成形部５０の光学有効範囲に対する隣接層６０の密着面積が６０％以上であることに変わりはないが、当該密着面積は、詳しくはＳｉＯ_２膜８０（の表面）とそこから露出する樹脂成形部５０の表面５２とを足し合わせた面に対する隣接層６０の密着面積を意味する。

本実施形態においては、対物レンズ３７の製造方法において、樹脂成形部５０に対し公知の蒸着法によりＳｉＯ_２膜８０を島状に形成する処理を行う。

ＳｉＯ_２膜８０の島状構造は以下のようにして形成される。
蒸着源を出発した原子は樹脂成形部５０に衝突し、その大部分は樹脂成形部５０の表面５２近傍にとどまる。当該原子は、その場所に付着するのではなく、熱エネルギーを樹脂成形部５０に与えながら動き回り、原子集団を作りながら表面５２のより捕獲され易い場所、例えば表面５２の微小な凹み、角、段などに捕獲され、核を形成する。この核はつぎつぎと飛来する原子や隣の核と合体し、５〜１０ｎｍ程度の大きさになると安定核、すなわち島状構造を形成する。
このような島状構造は膜材料の原子間の凝集力が、基板材料と膜材料との結合力よりも大きい場合に見られる。

なお、蒸着法に代えてスパッタリング法により、樹脂成形部５０の表面５２に対しＳｉＯ_２膜８０を島状に形成してもよい。
島状構造は、蒸着法では島が大きく密度が疎になり、スパッタ法では島が小さく密度は密になる。

以上の本実施形態によれば、対物レンズの製造工程において樹脂成形部５０の表面５２に対し島状のＳｉＯ_２膜８０を形成することで、隣接層６０との密着性を高め、８５℃、ＲＨ５０％の環境下に１６８時間放置された場合の樹脂成形部５０の光学有効範囲に対する隣接層６０の密着面積を６０％以上としている。
すなわち、ＳｉＯ_２は一般に種々の材料との密着性に優れるから、島状のＳｉＯ_２膜８０が樹脂成形部５０と隣接層６０とのアンカー又はバインダとなって、樹脂成形部５０の表面５２と隣接層６０との密着性が向上している。
そのため、樹脂成形部５０の表面形状の変化と樹脂内部の白濁とを防止又は抑制することができる（下記実施例参照）。

なお、第１〜第３の実施形態では、対物レンズ３７（樹脂成形部５０）に隣接層６０，反射防止膜７０を形成した例を開示したが、このような構成は対物レンズ以外のコリメータ３３，ビームスプリッタ３４を含む公知の樹脂製光学レンズにも適用することができる。

（１）サンプルの作製
サンプル１〜１２の作製にあたり下記樹脂材料１，２（ペレット）のいずれかを選択した。

［樹脂材料１］
上記の脂環式構造を有する重合体からなる樹脂（樹脂１）の一種である日本ゼオン社製ＺＥＯＮＥＸ３４０Ｒ１００部に対し、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン・ブロック共重合体（クラレ社製、セプトン２００２）０．１部、および酸化防止剤としてテトラキス−〔メチレン−３−（３’，５’−ジ−第三−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕メタン（チバスペシャリティ・ケミカルズ社製、イルガノックス１０１０）０．１部、およびベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤として、２−（２’−ヒドロキシ−５’−メチル−フェニル）ベンゾトリアゾール（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製、ＴＩＮＵＶＩＮＰ）を０．１部、さらにヒンダードアミン系耐光安定剤（ＨＡＬＳ）として、ジブチルアミンと１，３，５−トリアジン・Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−１，６−ヘキサメチレンジアミンとＮ−（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）ブチルアミンとの重縮合物〔ＨＡＬＳ（Ａ）、Ｍｎ＝３，０００〕０．１部をそれぞれ添加し、２軸混練機（東芝機械社製、ＴＥＭ−３５Ｂ、スクリュー径３７ｍｍ、Ｌ／Ｄ＝３２、スクリュー回転数１５０ｒｐｍ、樹脂温度２４０℃、フィードレート１０ｋｇ／時間）で混練し、ストランド状に押し出した。これを水冷してペレタイザーで切断してペレット化し、これを「樹脂材料１」とした。

［樹脂材料２（三井化学製ＡＰＥＬ）］
上記の脂環式構造を有する重合体からなる樹脂（樹脂２）の一種である環状オレフィン系重合体として三井化学製ＡＰＥＬ（テトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］−３−ドデセンとエチレンの共重合体）を用い、これにＨＡＬＳとしてビス−［２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジニル］セバシエートを１．０質量％添加し、これを約２２０℃で混練し、押し出し機でペレット化してこれを「樹脂材料２」とした。

（１．１）サンプル１
樹脂材料１を射出成形してピックアップレンズ（樹脂成形部）を作製した。
その後、樹脂成形部の表面に抵抗加熱蒸着法で膜厚１０ｎｍのＨＡＬＳ膜を形成し、これを「サンプル１」とした。

（１．２）サンプル２
サンプル１において樹脂材料１を樹脂材料２に変更した以外はサンプル１と同様の手法で「サンプル２」を作製した。

（１．３）サンプル３
樹脂材料１を射出成形してピックアップレンズ（樹脂成形部）を作製した。
その後、樹脂成形部を９０℃の環境下に２４時間放置し（熱アニールし）、樹脂成形部の表面に微量のＨＡＬＳをブリードアウトさせた。
その後、樹脂成形部の表面に抵抗加熱蒸着法で膜厚１０ｎｍのＨＡＬＳ膜を形成し、これを「サンプル３」とした。
（１．４）サンプル４
サンプル３において樹脂材料１を樹脂材料２に変更した。
それ以外はサンプル３と同様の手法で「サンプル４」を作製した。

（１．５）サンプル５
樹脂材料１においてＨＡＬＳを添加しなかった。
それ以外は、樹脂材料１と同様の組成の樹脂材料を射出成形してピックアップレンズ（樹脂成形部）を作製した。
その後、樹脂成形部の表面に対し、紫外線としてエキシマ光（波長１７２ｎｍ，放射強度１０ｍＷ／ｃｍ^２）を６０秒間照射した。エキシマ光の照射には、ウシオ電機株式会社製エキシマ光照射ユニット（形式ＵＥＲ２０−１７２Ｃ）を使用した。
その後、樹脂成形部の表面に抵抗加熱蒸着法で膜厚１０ｎｍのＨＡＬＳ膜を形成し、これを「サンプル５」とした。
（１．６）サンプル６
樹脂材料１を樹脂材料２に変更し、その樹脂材料２においてＨＡＬＳを添加しなかった。
それ以外はサンプル５と同様の手法で「サンプル６」を作製した。

（１．７）サンプル７
樹脂材料１においてＨＡＬＳを添加しなかった。
それ以外は、樹脂材料１と同様の組成の樹脂材料を射出成形してピックアップレンズ（樹脂成形部）を作製した。
その後、樹脂成形部の表面に対し、イオンビーム（酸素ガス流量５０ｓｃｃｍ，アルゴンガス流量８ｓｃｃｍ，ビーム電圧５００Ｖ，ビーム電流４００ｍＡ，真空度１．５×１０^−２Ｐａの条件）を６０秒間照射した。イオンビームの照射には、オプトラン製のＲＦイオンソース（形式ＯＩＳ−ｔｗｏ）を使用した。
その後、樹脂成形部の表面に抵抗加熱蒸着法で膜厚１０ｎｍのＨＡＬＳ膜を形成し、これを「サンプル７」とした。
（１．８）サンプル８
樹脂材料１を樹脂材料２に変更し、その樹脂材料２においてＨＡＬＳを添加しなかった。
それ以外はサンプル７と同様の手法で「サンプル８」を作製した。

（１．９）サンプル９
樹脂材料１においてＨＡＬＳを添加しなかった。
それ以外は、樹脂材料１と同様の組成の樹脂材料を射出成形してピックアップレンズ（樹脂成形部）を作製した。
その後、樹脂成形部の表面に対し、プラズマ（酸素ガス流量が２００ｓｃｃｍ、ＲＦ出力が４００Ｗ、真空度が５０Ｐａの条件）を６０秒間照射した。プラズマの照射には、サムコ株式会社製プラズマドライクリーナー（形式ＰＣ−１０００）を使用した。
その後、樹脂成形部の表面に抵抗加熱蒸着法で膜厚１０ｎｍのＨＡＬＳ膜を形成し、これを「サンプル９」とした。
（１．１０）サンプル１０
樹脂材料１を樹脂材料２に変更し、その樹脂材料２においてＨＡＬＳを添加しなかった。
それ以外はサンプル９と同様の手法で「サンプル１０」を作製した。

（１．１１）サンプル１１
樹脂材料１においてＨＡＬＳを添加しなかった。
それ以外は、樹脂材料１と同様の組成の樹脂材料を射出成形してピックアップレンズ（樹脂成形部）を作製した。
その後、樹脂成形部の表面に対し、ＳｉＯ_２を分子レベルで島状に蒸着して島状構造のＳｉＯ_２膜を形成した。島状構造とは、蒸着の初期にみられる構造（現象）である。ＳｉＯ_２膜の各島は大きさが５〜１０ｎｍ程度で、樹脂成形部の表面すべてを覆ってはいなかった。
その後、樹脂成形部の表面に抵抗加熱蒸着法で膜厚１０ｎｍのＨＡＬＳ膜を形成し、これを「サンプル１１」とした。
（１．１２）サンプル１２
樹脂材料１を樹脂材料２に変更し、その樹脂材料２においてＨＡＬＳを添加しなかった。
それ以外はサンプル１１と同様の手法で「サンプル１２」を作製した。

（２）サンプルの評価
（２．１）密着率の測定
各サンプルを８５℃，ＲＨ５０％の恒温槽に１６８時間放置し、各サンプルの光学有効範囲におけるＨＡＬＳ膜の密着面積（密着率，％）を測定した。
測定にはオリンパス製の光学顕微鏡（形式ＢＸ−５１）を使用し、光学倍率４０倍または１００倍で観察し、干渉縞が発生している、または明らかに膜が抜けている部分の面積について、ＣＣＤカメラで撮像した後、画像処理で計算して密着率を求めた。
干渉縞が発生している状態は一般的には「膜浮き」と呼ばれる。逆に干渉縞が発生していなければ、膜は密着していると判断した。その測定結果を表２に示す。

（２．２）形状変化の有無の観察
８５℃，ＲＨ５０％の環境下において、各サンプルに対し、波長４０５ｎｍのレーザ（照射密度１００ｍＷ／ｃｍ２）を１６８時間照射し、レーザ照射前後での各サンプルの波面収差の変化量を干渉計で測定し、その測定結果から形状変化の有無を評価した。その評価結果を表２に示す。
表２中、波面収差の変化量が２０ｍλより大きい場合を「×」と、２０ｍλ以内であれば「○」と、１０ｍλ以内であれば「◎」と、している。

（２．３）樹脂白濁の有無の観察
８５℃，ＲＨ５０％の環境下において、各サンプルに対し、波長４０５ｎｍのレーザ（照射密度１００ｍＷ／ｃｍ^２）を１６８時間照射し、レーザ照射後の各サンプルを実体顕微鏡で観察し、樹脂が白濁しているか否かを観察した。その観察結果を表２に示す。
表２中、白濁が認められた場合を「×」と、白濁が認められない場合を「○」としている。

（３）評価結果とその考察
（３．１）サンプル１，２
８５℃，ＲＨ５０％の恒温槽に１６８時間放置した後において、光学有効範囲の全体にわたりＨＡＬＳ膜の膜浮きが発生していた。
他方、レーザを１６８時間照射した後においては、レンズ性能の指標である波面収差が２０ｍλより大きく変化しており、実用に供することができないことが分かった。これはレーザ照射部分にＨＡＬＳ膜が残っておらず、樹脂成形部の表面（ＨＡＬＳ膜との界面）が酸化劣化したためと考えられる。
さらに、実体顕微鏡で観察したところ、樹脂成形部に白濁が発生しており、樹脂内部でも何らかの劣化が発生したと予想される。

（３．２）サンプル３，４
８５℃，ＲＨ５０％の恒温槽に１６８時間放置した後において、光学有効範囲に対するＨＡＬＳ膜の密着面積は７０％であり、サンプル１，２より密着性は改善された。これは、樹脂成形部の表面にブリードアウトしたＨＡＬＳと新たに形成したＨＡＬＳ膜とが結合してアンカー効果を発揮し、結果として樹脂成形部の表面とＨＡＬＳ膜との密着性が向上したためと考えられる。
他方、レーザを１６８時間照射した後においては、レンズ性能の指標である波面収差の変化は２０ｍλよりも小さく、実用に耐えうると判断した。これは、レーザ照射部分にＨＡＬＳ膜が７０％程度残っており、樹脂成形部の表面（ＨＡＬＳ膜との界面）の酸化劣化を防止できたためと考えられる。
さらに、実体顕微鏡で観察したところ、樹脂成形部に白濁は見られなかった。樹脂成形部の表面からの酸化劣化をＨＡＬＳ膜で防ぐことができたためと考えられる。

（３．３）サンプル５，６
８５℃，ＲＨ５０％の恒温槽に１６８時間放置した後において、光学有効範囲においてＨＡＬＳ膜の膜浮きは発生していなかった。樹脂成形部の表面の離型剤や有機物のゴミを除去できること、また樹脂成形部のごく薄い数ｎｍ程度の表面のみを活性化することで、ＨＡＬＳ膜の密着性を高めることができたためと考えられる。
なお、サンプル３，４では、大気中でエキシマ光照射を行って活性化した後、真空中でＨＡＬＳ膜を蒸着しているが、真空中で上記活性化を行った後、同一真空槽内でＨＡＬＳ膜を形成すれば、大気中の有機物や水分の付着を防ぐことができるため、より強固にＨＡＬＳ膜を密着させられることが分かった。

他方、レーザを１６８時間照射した後においては、レンズ性能の指標である波面収差の変化は１０ｍλよりも小さく、実用上何ら問題ないと判断した。これは、レーザ照射部分にＨＡＬＳ膜がすべて残っており、樹脂成形部の表面（ＨＡＬＳ膜との界面）の酸化劣化を防止できたためと考えられる。
さらに、実体顕微鏡で観察したところ、樹脂成形部に白濁は見られなかった。樹脂成形部の表面からの酸化劣化をＨＡＬＳ膜で防ぐことができたためと考えられる。

（３．４）サンプル７，８
８５℃，ＲＨ５０％の恒温槽に１６８時間放置した後において、光学有効範囲においてＨＡＬＳ膜の膜浮きは発生していなかった。樹脂成形部の表面の離型剤や有機物のゴミを除去できること、また樹脂成形部のごく薄い数ｎｍ程度の表面のみを活性化することで、ＨＡＬＳ膜の密着性を高めることができたためと考えられる。
なお、サンプル７，８では、真空中でイオンビーム照射を行って活性化した後、一旦大気中に取り出し、再び真空中でＨＡＬＳ膜を蒸着しているが、真空中で上記活性化を行った後、同一真空槽内でＨＡＬＳ膜を形成すれば、大気中の有機物や水分の付着を防ぐことができるため、より強固にＨＡＬＳ膜を密着させられることが分かった。

（３．５）サンプル９，１０
８５℃，ＲＨ５０％の恒温槽に１６８時間放置した後において、光学有効範囲においてＨＡＬＳ膜の膜浮きは発生していなかった。樹脂成形部の表面の離型剤や有機物のゴミを除去できること、また樹脂成形部のごく薄い数ｎｍ程度の表面のみを活性化することで、ＨＡＬＳ膜の密着性を高めることができたためと考えられる。
なお、サンプル９，１０では、真空中でプラズマ照射を行って活性化した後、一旦大気中に取り出し、再び真空中でＨＡＬＳ膜を蒸着しているが、真空中で上記活性化を行った後、同一真空槽内でＨＡＬＳ膜を形成すれば、大気中の有機物や水分の付着を防ぐことができるため、より強固にＨＡＬＳ膜を密着させられることが分かった。

（３．６）サンプル１１，１２
８５℃，ＲＨ５０％の恒温槽に１６８時間放置した後において、光学有効範囲においてＨＡＬＳ膜の膜浮きは発生していなかった。一般にＳｉＯ_２はさまざまな物質との密着性に優れるため、島状構造のＳｉＯ_２が樹脂成形部とＨＡＬＳ膜との間のバインダーとなって、密着性が向上したためと考えられる。

（４）まとめ
上記の通り、サンプル１，２とサンプル３〜１２とを比較すると、サンプル３〜１２では樹脂成形部の形状変化や樹脂の白濁は防止又は抑制されており、樹脂成形部に対し一定の処理（熱アニール，紫外線照射，イオンビーム照射，プラズマ照射，島状のＳｉＯ_２形成）を施して、樹脂成形部に対する隣接層の密着面積を向上する（６０％以上とする）ことが、樹脂成形部の形状変化や樹脂の白濁を防止又は抑制する上で有用であることがわかる。

３０光ピックアップ装置
３２半導体レーザ発振器
３３コリメータ
３４ビームスプリッタ
３５１／４波長板
３６絞り
３７対物レンズ
３７ａ，３７ｂ表面
３８センサーレンズ群
３９センサー
４０２次元アクチュエータ
５０樹脂成形部
５２表面
６０隣接層
７０反射防止膜
８０ＳｉＯ_２膜
Ｄ光ディスク
Ｄ_１保護基板
Ｄ_２情報記録面

Claims

波長３８０〜４２０ｎｍのレーザ光を用いた光学装置に用いられる光学素子において、
樹脂とヒンダードアミン系耐光安定剤とを含む材料を成形した樹脂成形部と、
前記樹脂成形部の表面に形成された隣接層であってヒンダードアミン系耐光安定剤により形成された隣接層と、
を備え、
８５℃，ＲＨ５０％の環境下に１６８時間放置された場合に、前記樹脂成形部の光学有効範囲に対する前記隣接層の密着面積が６０％以上であることを特徴とする光学素子。
請求項１に記載の光学素子において、
前記樹脂成形部の光学有効範囲に対する前記隣接層の密着面積が１００％であることを特徴とする光学素子。
請求項１又は２に記載の光学素子において、
前記樹脂成形部と前記隣接層との間にＳｉＯ_２膜が島状に形成されていることを特徴とする光学素子。
請求項１〜３の何れか１項に記載の光学素子の製造方法において、
樹脂とヒンダードアミン系耐光安定剤とを含む材料を成形して樹脂成形部を形成する工程と、
前記樹脂成形部を熱アニール処理する工程と、
前記樹脂成形部の表面に対し、ヒンダードアミン系耐光安定剤を含有する隣接層を形成する工程と、
を備えることを特徴とする光学素子の製造方法。
請求項１〜３の何れか１項に記載の光学素子の製造方法において、
樹脂材料を成形して樹脂成形部を形成する工程と、
前記樹脂成形部の表面を活性化する工程と、
前記樹脂成形部の表面に対し、ヒンダードアミン系耐光安定剤を含有する隣接層を形成する工程と、
を備えることを特徴とする光学素子の製造方法。
請求項５に記載の光学素子の製造方法において、
前記樹脂成形部の表面を活性化する工程では、前記樹脂成形部の表面の純水接触角が３０°以下になるまで、前記樹脂成形部の表面を活性化することを特徴とする光学素子の製造方法。
請求項５又は６に記載の光学素子の製造方法において、
前記樹脂成形部の表面を活性化する工程では、前記樹脂成形部の表面に対し紫外線を照射することを特徴とする光学素子の製造方法。
請求項５又は６に記載の光学素子の製造方法において、
前記樹脂成形部の表面を活性化する工程では、前記樹脂成形部の表面に対しイオンビームを照射することを特徴とする光学素子の製造方法。
請求項５又は６に記載の光学素子の製造方法において、
前記樹脂成形部の表面を活性化する工程では、前記樹脂成形部の表面に対しプラズマを照射することを特徴とする光学素子の製造方法。
請求項１〜３の何れか１項に記載の光学素子の製造方法において、
樹脂材料を成形して樹脂成形部を形成する工程と、
前記樹脂成形部の表面にＳｉＯ_２膜を島状に形成する工程と、
前記樹脂成形部の表面に対し、ヒンダードアミン系耐光安定剤を含有する隣接層を形成する工程と、
を備えることを特徴とする光学素子の製造方法。