JP2010199888A - Condenser microphone - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、バックエレクトレット型のコンデンサマイクロホンに関するものである。 The present invention relates to a back electret condenser microphone.
従来、この種の技術としては、例えば特許文献1に開示されるものがある。特許文献1の構成においては、筐体内に支持された振動膜に対し、スペーサを介して背電極が対向配置されている。背電極は、回路基板と背電極との間に圧縮状態で介在されたコンタクトスプリングにより、振動膜側へ付勢されてスペーサに当接した状態で保持されるとともに回路基板に対して導通されている。そして、エレクトレット化されたフィルムが一体化された背電極としての背電極と、導電層が形成された振動膜とによりコンデンサ部を構成している。このような構成によれば、背電極においてスペーサとの当接部分に加えられる荷重はコンタクトスプリングの付勢力を越えないため、当接部分において誘電体層が潰されることはなく、コンデンサマイクロホンの感度が向上する。 Conventionally, as this type of technology, for example, there is one disclosed in Patent Document 1. In the configuration of Patent Document 1, the back electrode is disposed to face the vibrating membrane supported in the housing via a spacer. The back electrode is urged toward the vibrating membrane by a contact spring interposed in a compressed state between the circuit board and the back electrode, and is held in contact with the spacer and is electrically connected to the circuit board. Yes. And the capacitor | condenser part is comprised with the back electrode as a back electrode with which the electretized film was integrated, and the vibrating membrane in which the conductive layer was formed. According to such a configuration, the load applied to the contact portion with the spacer in the back electrode does not exceed the biasing force of the contact spring, so that the dielectric layer is not crushed at the contact portion, and the sensitivity of the condenser microphone is reduced. Will improve.
ところで、上記特許文献1のような構成においては、前述した構成のコンデンサマイクロホンが装備された携帯電話等の機器を硬い床や舗装路面等に落としたときのように、過大な加速度が背電極に瞬時に加わると、つまり大きな衝撃が加わると、背電極がコンタクトスプリングの付勢力に抗して回路基板側へ変位する場合がある。そして、背電極が回路基板側へ大きく変位してコンタクトスプリングに塑性変形を起こさせる虞がある。このような場合には、コンタクトスプリングから背電極に付与される付勢力が設定値から減少し、この結果、背電極と振動膜との間隔が設定値から拡がったり、背電極と回路基板とのコンタクトスプリングを介した導通が不良となったりすることが生じる可能性がある。 By the way, in the configuration as in Patent Document 1, excessive acceleration is instantaneously applied to the back electrode as when a device such as a mobile phone equipped with the condenser microphone having the above-described configuration is dropped on a hard floor or a paved road surface. If a large impact is applied, the back electrode may be displaced toward the circuit board against the biasing force of the contact spring. Then, the back electrode may be greatly displaced toward the circuit board side, causing plastic deformation of the contact spring. In such a case, the urging force applied to the back electrode from the contact spring decreases from the set value, and as a result, the distance between the back electrode and the vibration membrane increases from the set value, or the back electrode and the circuit board There is a possibility that conduction through the contact spring may be poor.
この発明は、このような従来の技術に存在する問題点に着目してなされたものである。その目的とするところは、落下等により外部から加えられた大きな衝撃によるコンタクトスプリングの塑性変形を防止し、衝撃に対する信頼性を向上できるコンデンサマイクロホンを提供することにある。 The present invention has been made paying attention to such problems existing in the prior art. An object of the present invention is to provide a condenser microphone that can prevent plastic deformation of a contact spring due to a large impact applied from the outside due to dropping or the like, and can improve reliability against the impact.
上記の目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、回路基板に対し振動膜を対向配置し、振動膜の回路基板側にスペーサを介在させて背電極を配置し、回路基板と背電極との間に配置したコンタクトスプリングにより、背電極をスペーサに対し弾性的に当接させて回路基板と背電極とを導通させたコンデンサマイクロホンにおいて、前記背電極の回路基板側への一定量以上の変位を制限する変位制限手段が設けられていることを特徴とする。 In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, a vibration film is disposed opposite to a circuit board, a back electrode is disposed with a spacer interposed on the circuit board side of the vibration film, and the circuit board and In a condenser microphone in which the back electrode is elastically brought into contact with the spacer by the contact spring disposed between the back electrode and the circuit board and the back electrode are electrically connected, a certain amount of the back electrode to the circuit board side is determined. Displacement limiting means for limiting the above displacement is provided.
請求項2に記載の発明は、前記回路基板と前記スペーサとの間に介在され、前記背電極が収容される開口部を有する筐体基枠を備え、前記変位制限手段は、前記背電極の外周縁部に対面するように前記筐体基枠の内周側に形成され、前記背電極の回路基板側への変位時に同外周縁部が当接する当接部であることを特徴とする。 The invention according to claim 2 includes a housing base frame that is interposed between the circuit board and the spacer and has an opening that accommodates the back electrode, and the displacement limiting means includes the back electrode. The contact portion is formed on the inner peripheral side of the housing base frame so as to face the outer peripheral edge portion, and is a contact portion with which the outer peripheral edge portion contacts when the back electrode is displaced toward the circuit board.
請求項3に記載の発明は、前記当接部において前記背電極の外周縁部に対面する面上には、同背電極との衝突を緩衝する層状弾性部が設けられていることを特徴とする。
請求項4に記載の発明は、前記筐体基枠は、前記回路基板に接合される第1基枠体と、この第1基枠体に一体化されるとともに前記背電極を収容した状態で前記スペーサに接合される第2基枠体とにより構成され、前記当接部は、前記第1基枠体の内周縁部により構成されていることを特徴とする。
The invention described in claim 3 is characterized in that a layered elastic portion for buffering a collision with the back electrode is provided on a surface of the contact portion facing the outer peripheral edge of the back electrode. To do.
According to a fourth aspect of the present invention, the housing base frame is integrated with the first base frame body to be joined to the circuit board, and the back electrode is accommodated in the first base frame body. It is comprised by the 2nd base frame joined to the said spacer, The said contact part is comprised by the inner peripheral part of the said 1st base frame, It is characterized by the above-mentioned.
請求項5に記載の発明は、前記変位制限手段は、前記コンタクトスプリングから前記回路基板側へ延出され、前記背電極の回路基板側への変位時に回路基板に当接して背電極の一定量以上の変位を制限する当接片であることを特徴とする。 According to a fifth aspect of the present invention, the displacement limiting means extends from the contact spring to the circuit board side, contacts the circuit board when the back electrode is displaced to the circuit board side, and determines a certain amount of the back electrode. It is a contact piece which restrict | limits the above displacement, It is characterized by the above-mentioned.
請求項6に記載の発明は、前記コンタクトスプリングは、金属板材から打ち抜き形成されたものであって、前記当接片は、コンタクトスプリングに一体形成されていることを特徴とする。 The invention according to claim 6 is characterized in that the contact spring is formed by punching from a metal plate, and the contact piece is integrally formed with the contact spring.
請求項7に記載の発明は、前記変位制限手段は、前記背電極の外周縁部から前記回路基板側へ延出され、同背電極の回路基板側への変位時に回路基板に当接して背電極の一定量以上の変位を制限する当接部であることを特徴とする。 According to a seventh aspect of the present invention, the displacement limiting means extends from the outer peripheral edge of the back electrode to the circuit board side, and abuts against the circuit board when the back electrode is displaced to the circuit board side. It is a contact part which restrict | limits the displacement more than fixed amount of an electrode, It is characterized by the above-mentioned.
(作用)
コンデンサマイクロホンに外部から加わった大きな衝撃により、背電極がコンタクトスプリングの変形を伴って回路基板側へ変位したとき、その変位が変位制限手段により制限される。このため、背電極の変位によるコンタクトスプリングの過度の変形が規制され、その塑性変形が防止される。この結果、背電極と振動膜との間の間隔の設定値からの拡大や、コンタクトスプリングを介した背電極と回路基板との間の導通の不良化が防止される。
(Function)
When the back electrode is displaced to the circuit board side with deformation of the contact spring due to a large impact applied to the condenser microphone from the outside, the displacement is limited by the displacement limiting means. For this reason, excessive deformation of the contact spring due to displacement of the back electrode is restricted, and plastic deformation is prevented. As a result, enlargement of the distance between the back electrode and the diaphragm from the set value and poor conduction between the back electrode and the circuit board via the contact spring are prevented.
この発明によれば、落下等により外部から加えられた大きな衝撃によるコンタクトスプリングの塑性変形を防止し、衝撃に対する信頼性を向上できるという効果を奏する。 According to the present invention, it is possible to prevent plastic deformation of the contact spring due to a large impact applied from the outside due to dropping or the like, and to improve the reliability against the impact.
(第1実施形態)
次に、この発明を具体化した第1実施形態について、図1〜図6を参照して説明する。
図1及び図2に示すように、この実施形態のコンデンサマイクロホン21の筐体22は、平板状の回路基板23と、四角枠状の筐体基枠24と、平板状のトップカバー基板25とを積層して、接着シート27A,27Bにより一体に固定した構造となっている。前記回路基板23,筐体基枠24及びトップカバー基板25はエポキシ樹脂等の樹脂製の電気絶縁体により構成されている。この実施形態では、前記部材はガラス布基材エポキシ樹脂にて構成されているが、エポキシ樹脂に限定されるものではない。
(First embodiment)
Next, a first embodiment embodying the present invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIGS. 1 and 2, the
図4(a)に示すように回路基板23の上面には銅箔よりなる導電パターン23a,23b,23cが形成されている。なお、図4(a)においては、説明の便宜上、導電パターン23a,23b,23cをハッチングで示す。
As shown in FIG. 4A,
導電パターン23aは、その第1端部50が回路基板23の上面において、長手方向の一端部寄りに、かつ、短手方向の一側端部寄りに位置するとともに、その第2端部51が回路基板23の上面において中央部寄りに延出されている。そして、導電パターン23aの第1端部50は導通部50aとされている。
The
ここで、説明の便宜上、図4(a)に示すように、回路基板23の厚み方向に貫通する中心軸Oを想定し、回路基板23の上面において中心軸Oに直交する短手方向の軸をx軸とし、同じく長手方向の軸をy軸とする。そして、回路基板23の上面において、x軸を対称軸とする前記導通部50aとは線対称の領域P1、及び、y軸を対称軸とする導通部50aの線対称の領域P2、並びに、中心軸Oを中心点とした導通部50aの点対称の領域P3は、導電パターンが設けられていない領域(以下、無導電パターン領域という)に含まれている。なお、無導電パターン領域とは、回路基板23の上面において、前記導電パターン23cに囲まれるとともに、導電パターン23a、23bを除外した領域である。導電パターン23bは、この実施形態では、複数(この実施形態では4個)設けられている。
Here, for convenience of explanation, as shown in FIG. 4A, assuming a central axis O penetrating in the thickness direction of the
前記導電パターン23cは、アース用の導電パターンであって、筐体基枠24の枠形状に相対するように枠状に設けられている。導電パターン23a,23bは、部品接続のための導電パターンであって、電源入力用や信号取り出し用となっている。
The
又、図3及び図4(b)に示すように、導電パターン23a〜23cの一部の領域、及び、無導電パターン領域において領域P1〜P3を含む面はレジスト52にて覆われている。なお、図3及び図4(b)においては、説明の便宜上、レジスト52をハッチングで示す。
Further, as shown in FIGS. 3 and 4B, a part of the
レジスト52は、例えばエポキシ樹脂等の絶縁部材からなるが、この材質に限定されるものではなく、絶縁性の合成樹脂であればよい。又、レジスト52は、その全体に亘って同一の膜厚に形成されるとともに導電パターン23aの導通部50aと同じ厚みとされている。すなわち、領域P1〜P3に位置するレジスト52の部分と、導通部50aとは回路基板23の上面を基準として同じ高さ(すなわち、厚み)となるようにされている。導通部50aとレジスト52の厚みは、通常20μm〜40μm程度に設定されている。なお、この実施形態における導通部50aとレジスト52の厚みは、30μmに設定されている。
The resist 52 is made of an insulating member such as an epoxy resin, but is not limited to this material, and may be any insulating synthetic resin. In addition, the resist 52 is formed to have the same film thickness over the whole and has the same thickness as the
レジスト52には、導通部50aを露出させる切り欠き52aが形成されるとともに、x軸を対称軸とする切り欠き52aと線対称の位置には無導電パターン領域を露出させる切り欠き52cが形成されている。又、レジスト52において、導電パターン23aの第2端部51、各導電パターン23bの一端部、及び、導電パターン23cの一部に対応した部分には窓52bがそれぞれ設けられ、当該各部分はそれぞれ窓52bを介して露出されている。
The resist 52 is formed with a
又、導電パターン23cの枠状の周部は、レジスト52にて覆われていない露出部分とされて筐体基枠24と相対する。
又、図5に示すように回路基板23の下面には銅箔よりなる複数の導電パターン23d,23eが形成されている。なお、図5においては、説明の便宜上、導電パターン23d,23eをハッチングで示す。
The frame-shaped peripheral portion of the
As shown in FIG. 5, a plurality of
図4(a)及び図5に示すように、回路基板23の外周部には、複数のスルーホール23gが設けられるとともに、同スルーホール23gの内周には図示しない導電層が形成されている。そして、これらのスルーホール23gの導電層を介して、前記導電パターン23cと導電パターン23dとが電気接続されている。導電パターン23dにおいては、その一部がアース端子となる。
As shown in FIGS. 4A and 5, a plurality of through holes 23g are provided in the outer peripheral portion of the
又、回路基板23の中央部には、複数のスルーホール23hが形成され、これらのスルーホール23hの内周には導電層が形成されている。そして、これらのスルーホール23hの導電層を介して、導電パターン23a,23bと導電パターン23eとが電気接続されている。この導電パターン23eは、図示しない信号出力端子や電源入力端子に接続される。
A plurality of through
なお、図1に示すように、回路基板23の内部には、銅箔よりなる中間層23fが設けられ、この中間層23fは、導電パターン23cと導電パターン23dとを電気接続する各スルーホール23gに対し電気接続されている。
As shown in FIG. 1, an
又、回路基板23の上面には、電界効果トランジスタ26等よりなるインピーダンス変換素子が実装されている。インピーダンス変換素子は、導電パターン23aの第2端部51と、導電パターン23bのうちのいくつかに電気接続されている。
On the upper surface of the
図1及び図2に示すように、前記筐体基枠24は、回路基板23側に配置される第1基枠体40と、第1基枠体40よりも大きな開口部を有するとともにトップカバー基板25側に配置される第2基枠体41とを積層して一体化することにより形成されている。そして、筐体基枠24の内周側全体に、第1基枠体40の内周縁部により変位制限手段としての段差状の当接部42が形成されている。この当接部42の上面42aには、例えばフォトレジストやソルダレジストに使用されるレジスト材やポリジメチルシロキサンよりなる層状弾性部43が形成されている。この層状弾性部43は、例えばスクリーン印刷により形成される。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
図1に示すように、筐体基枠24の上下両面及び側壁外側面には、銅箔よりなる連続した導電パターン24a,24b,24cが形成されている。導電パターン24aは、図2に示すように筐体基枠24の上開口部周縁に対して環状に設けられている。又、図示しないが、導電パターン24bは、筐体基枠24の上開口部周縁に対し、導電パターン24aと同様に環状に設けられている。
As shown in FIG. 1, continuous
導電パターン24cは、筐体基枠24の側壁外側面において、同筐体基枠24の4つのコーナ部Cの外側面を除いた部分に設けられた凹部24iに導電ペーストが塗布されることにより、若しくは、銅箔メッキ等の金属箔メッキを施すことにより形成され、導電パターン24a,24b同士を電気的に接続している。
The
又、下面側の導電パターン24bは、図1に示すように回路基板23の上面の前記導電パターン23cに対して電気的に接続され、導電パターン23cを介して回路基板23の下面の導電パターン23dに電気的に接続されている。凹部24i内には、エポキシ樹脂等の絶縁性合成樹脂からなる充填部24jが形成されている。
As shown in FIG. 1, the
そして、図2及び図6に示すように、筐体基枠24の4つのコーナ部Cには、それぞれ断面円形のスルーホール24kが設けられている。スルーホール24kの内周には、図示しない導電層が形成されるとともに、スルーホール24kの内部には、例えば導電ペーストからなる導電剤が充填されている。
As shown in FIGS. 2 and 6, the four corner portions C of the
図1及び図2に示すように筐体基枠24の下部の開口部周縁は、前記導電パターン23cの外方に配置された四角環状の接着シート27Aにより前記回路基板23に対して一体に接着固定されている。そして、回路基板23上の電界効果トランジスタ26等の電装部品は、この筐体基枠24内に収容配置されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the peripheral edge of the opening at the bottom of the
図1及び図2に示すように前記トップカバー基板25の上下両面には銅箔等よりなる導電パターン25a,25bが形成されている。トップカバー基板25には、外部から音を取り込むための音孔28が形成されている。そして、トップカバー基板25は、筐体基枠24の上部の開口部周縁に対し、前記導電パターン24aの外方に配置された四角環状の接着シート27Bにより接着固定されている。
As shown in FIGS. 1 and 2,
図1及び図2に示すように、前記筐体基枠24とトップカバー基板25との間には、絶縁性フィルムからなる環状のスペーサ29が挟持固定されている。スペーサ29は、筐体基枠24の導電パターン24aに対して導電性接着剤により接着されている。スペーサ29の上面にはPPS(ポリフェニレンサルファィド)フィルム等の絶縁性合成樹脂薄膜よりなる振動膜30が接着により張設されており、その振動膜30の下面には金蒸着により導電層30aが形成されている。振動膜30の四隅には、その一部を上方へ裏返した折り返し部30bが形成されている。従って、この折り返し部30bにおいては、その上側に導電層30aが配置されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, an
振動膜30及びスペーサ29には図示しないスルーホールが設けられ、導電層30aは、同スルーホールに充填された導電ペースト、及び、スペーサ29と導電パターン24aと間の導電性接着剤を介して導電パターン24aと電気的に接続されている。
A through hole (not shown) is provided in the
図1に示すように、前記トップカバー基板25には複数のスルーホール36が形成され、それらのスルーホール36の内周面には前記導電パターン25a,25bと連続する導電パターン25cが設けられている。また、スルーホール36内には導電性接着剤37aが充填され、この導電性接着剤37aと前記導電パターン25cとにより導電部37が形成されている。この導電部37は、振動膜30の折り返し部30bの導電層30aと電気接続されている。
As shown in FIG. 1, a plurality of through
図1及び図2に示すように、筐体基枠24の第1基枠体40内において、振動膜30の下面にはスペーサ29を介在させて背電極31が対向配置されている。この背電極31は、ステンレス鋼板からなるプレート本体31aの上面にPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)等のフィルム31bが貼着されて構成されている。そのフィルム31bにはコロナ放電等による分極処理が施されており、この分極処理によりフィルム31bはエレクトレット化されている。すなわち、この実施形態のコンデンサマイクロホン21は、前記背電極31にエレクトレットが設けられたバックエレクトレットタイプとなっている。
As shown in FIGS. 1 and 2, in the first
さらに、前記背電極31は、第1基枠体40の内周形状よりも小さな外周形状となる平面形ほぼ長円状をなすように形成されていて、それらの内外周面間には隙間が形成されている。背電極31の中央部には前記振動膜30の振動による空気移動を許容するための貫通孔32が形成されている。この背電極31は、フィルムを貼着したステンレス鋼の板材をフィルム側から打ち抜いて形成される。また、背電極31は、その外周縁部が、前記第1基枠体40における当接部42の層状弾性部43の上面に対面するようになっており、背電極31が回路基板23側へ一定量以上変位したときには、同外周縁部が層状弾性部43を介して当接部42の上面に当接するようになっている。
Further, the
図1及び図2に示すように、前記筐体基枠24内において、背電極31と回路基板23との間にはコンタクトスプリング33が圧縮状態で介装されている。このコンタクトスプリング33は、背電極31をスペーサ29の下面に対し弾性的に当接させるとともに回路基板23と背電極31とを導通させている。この構成により、振動膜30と背電極31とが所定の間隔を隔てて保持され、それらの間に所定の容量を確保したコンデンサ部が形成されている。この構成において、背電極31の外周部下面は、前記筐体基枠24における当接部42上の層状弾性部43の上面に対し、隙間Lを隔てて対面している。
As shown in FIGS. 1 and 2, a
前記コンタクトスプリング33は、金属板としてのステンレス鋼板の表裏両面に金メッキを施してなる金属板材を打ち抜き成形することにより形成され、ほぼ四角環状の枠部33aと、その枠部33aの四隅から下部両側方に向かって斜めに突出する4つの脚部33bとを備えている。そして、枠部33aの下方における脚部33b間には空間Sが形成され、この空間S内に、回路基板23上の前記電界効果トランジスタ26が配置されている。
The
前記コンタクトスプリング33の枠部33aの上面には背電極31の下面に当接する4つの球面状の接触部34が突出形成されるとともに、各脚部33bの先端下面には4つの球面と状の接触部35が突出形成されている。図3に示すように、4つの脚部33bのうち、1つの脚部33bは、その接触部35が回路基板23上の導電パターン23aの導通部50aに対して接触され、別の1つの脚部33bは、その接触部35が回路基板23上の領域P2に接触されている。また、4つの脚部33bのうち、残りの2つの脚部33bは、その接触部35が、回路基板23の上面において領域P1,P3上に位置するレジスト52の上面に対して接触されている。すなわち、コンタクトスプリング33により、背電極31のプレート本体31aと、回路基板23の導電パターン23aとが導通されている。
Four
さて、上記のように構成されたコンデンサマイクロホン21において、音源からの音波がトップカバー基板25の音孔28を介して振動膜30に至ると、その振動膜30は音の周波数、振幅及び波形に応じて振動される。そして、振動膜30の振動に伴って、振動膜30と背電極31との間隔が設定値から変化し、コンデンサ部のインピーダンスが変化する。このインピーダンスの変化が、回路基板23上のインピーダンス変換素子により電圧信号に変換されて出力される。
In the
コンデンサマイクロホン21に対し外部から加えられた衝撃により、図1における上側から下側へ向かう向きの加速度が背電極31に加わると、背電極31は二点鎖線で示すようにコンタクトスプリング33の変形を伴って回路基板23側へ変位する。このとき、背電極31は、一定量以上変位したところで、その外周縁部下面が筐体基枠24の当接部42上の層状弾性部43に当接し、この当接により回路基板23側への変位が規制される。このため、背電極31の変位に基づくコンタクトスプリング33の過度の変形が防止される。また、背電極31が当接部42の上面に当接するとき、この上面に形成された層状弾性部43の弾性変形により、背電極31に加わる衝撃が緩和される。
When acceleration from the upper side to the lower side in FIG. 1 is applied to the
以上詳述したこの実施形態は、下記の各効果を奏する。
(1)コンデンサマイクロホン21に外部から加わった衝撃による背電極31の回路基板23側への一定量以上の変位を制限する変位制限手段としての当接部42を筐体基枠24に設けた。このため、背電極31の変位によるコンタクトスプリング33の過度の変形が規制され、その塑性変形が防止される。従って、背電極31に対するコンタクトスプリング33の付勢力の減少が防止される。この結果、背電極31と振動膜30との間隔が設定値から拡大したり、コンタクトスプリング33を介した背電極31と回路基板23との間の導通の不良化が生じたりすることを防止できる。ゆえに、外部から加えられた衝撃に対するコンデンサマイクロホン21の信頼性が向上する。
This embodiment described in detail above has the following effects.
(1) The
(2)背電極31の外周縁部に対面するように筐体基枠24の内周側全体に形成した当接部42により、背電極31の変位を制限するようにした。従って、背電極31の変位を、その外周縁部全体に対する当接部42の当接により制限するため、背電極31に加わった加速度の向きが、背電極31の中心軸線に対して傾斜していたとしても、背電極31の変位を適切に制限することができる。ゆえに、コンデンサマイクロホン21の信頼性が一層向上する。
(2) The displacement of the
(3)当接部42の上面には、背電極31の衝突を緩衝する層状弾性部43を設けた。従って、コンデンサマイクロホン21に加わった過大な衝撃により、背電極31が大きな加速度で当接部42に衝突しても、フィルム31b及び背電極31に加わる衝撃は吸収される。このため、背電極31とフィルム31bとが剥離したり、あるいは背電極31が変形したり、さらにはフィルム31bが損傷したりすることがなく、これにより、エレクトレットの誘電状態が弱くなることは防止される。
(3) On the upper surface of the
(第2実施形態)
次に、この発明を具体化した第2実施形態について、図7及び図8を参照して説明する。なお、これ以降の実施形態については、前記第1実施形態と異なる点を中心に説明する。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The following embodiments will be described with a focus on differences from the first embodiment.
図7及び図8に示すように、この実施形態において、前記筐体基枠24は、第1実施形態とは異なり、当接部42は設けられず、単一の部材により形成されている。
一方、コンタクトスプリング33には、枠部33aの両側辺から下方へ延出する変位制限手段としての一対の当接部33cが一体形成されている。この当接部33cは、コンタクトスプリング33の回路基板23側への圧縮変形時に、回路基板23の導電パターン23c上に当接してコンタクトスプリング33のそれ以上の変形を制限するようになっている。
As shown in FIGS. 7 and 8, in this embodiment, unlike the first embodiment, the
On the other hand, the
さて、コンデンサマイクロホン21に対し外部から加えられた衝撃により、図7に二点鎖線で示すように、背電極31がコンタクトスプリング33の変形を伴って回路基板23側へ一定量以上変位すると、コンタクトスプリング33の両当接部33cが回路基板23の上面に当接する。この結果、コンタクトスプリング33のそれ以上の変形が規制されて背電極31の変位が制限されるため、背電極31の変位に基づくコンタクトスプリング33の過度の変形が防止される。
When the
従って、この実施形態は、前記第1実施形態の(1)の効果を奏する。
(第3実施形態)
次に、この発明を具体化した第3実施形態について、図9及び図10を参照して説明する。
Therefore, this embodiment has the effect (1) of the first embodiment.
(Third embodiment)
Next, a third embodiment embodying the present invention will be described with reference to FIGS.
図9及び図10に示すように、この実施形態において、前記背電極31は、その外周縁部全体が下方へ延出されて変位制限手段としての当接部31cとされている。この当接部31cは、背電極31の回路基板23側への変位時に、回路基板23のレジスト52上に当接してそれ以上の変位を制限するようになっている。
As shown in FIGS. 9 and 10, in this embodiment, the entire outer peripheral edge portion of the
さて、コンデンサマイクロホン21に対し外部から加えられた衝撃により、図9に示すように、背電極31がコンタクトスプリング33の変形を伴って回路基板23側へ一定量以上変位すると、背電極31の当接部31cが回路基板23の上面に当接し、背電極31のそれ以上の変位が制限される。このため、背電極31の変位に基づくコンタクトスプリング33の過度の変形は防止される。また、背電極31の当接部31cがレジスト52上に衝突するため、レジスト52の弾性変形により背電極31に加わる衝撃が緩和される。
If the
従って、この実施形態は、前記第1実施形態の(1),(3)の効果を奏する。
(他の実施形態)
なお、前記実施形態は、次のように変更して具体化することも可能である。
Therefore, this embodiment has the effects (1) and (3) of the first embodiment.
(Other embodiments)
In addition, the said embodiment can also be changed and actualized as follows.
・第1実施形態において、当接部42(すなわち第1基枠体40)の高さを高くしたり、層状弾性部43の厚さを厚くしたりすることにより、当接部42の上面42aに形成した層状弾性部43の上面と、背電極31の外周部下面との間に隙間Lを設けない構成とすること。
In the first embodiment, the
・第1実施形態において、第1基枠体40と第2基枠体41よりなるとともに当接部42を有する筐体基枠24を単一の部材により構成すること。
・第1実施形態において、図2に二点鎖線で示すように、第1基枠体40の当接部42を、第1基枠体40の内周側における互いに離間した複数の位置に形成することにより、互いに独立した複数から構成すること。
In the first embodiment, the
In the first embodiment, as shown by a two-dot chain line in FIG. 2, the
・第3実施形態において、図10に二点鎖線で示すように、背電極31の外周縁部から下方へ延出する当接部31cを、背電極31の外周における互いに離間した複数の位置に形成することにより、互いに独立した複数から構成すること。
-In 3rd Embodiment, as shown with a dashed-two dotted line in FIG. 10, the
・第1及び第3実施形態において、板ばねからなるコンタクトスプリング33に代えて、電界効果トランジスタ26を内包するように回路基板23と背電極31との間に介在される1つのコイルスプリングからなるコンタクトスプリングを採用すること。
In the first and third embodiments, instead of the
・この発明を、筐体基枠24とトップカバー基板25とが一体化された構成のコンデンサマイクロホンに具体化すること。
The present invention is embodied in a condenser microphone having a configuration in which the
21…コンデンサマイクロホン、23…回路基板、24…筐体基枠、29…スペーサ、30…振動膜、31…背電極、31c…変位制限手段としての当接部、33…コンタクトスプリング、33c…変位制限手段としての当接片、40…第1基枠体、41…第2基枠体、42…変位制限手段としての当接部、43…層状弾性部。
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記背電極の回路基板側への一定量以上の変位を制限する変位制限手段が設けられていることを特徴とするコンデンサマイクロホン。 A diaphragm is placed opposite the circuit board, a back electrode is placed with a spacer interposed on the circuit board side of the diaphragm, and the back electrode is placed against the spacer by a contact spring placed between the circuit board and the back electrode. In a condenser microphone that is elastically brought into contact with the circuit board and the back electrode,
A condenser microphone is provided, wherein displacement limiting means for limiting a certain amount of displacement of the back electrode toward the circuit board is provided.
前記変位制限手段は、前記背電極の外周縁部に対面するように前記筐体基枠の内周側に形成され、前記背電極の回路基板側への変位時に同外周縁部が当接する当接部であることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサマイクロホン。 A housing base frame interposed between the circuit board and the spacer and having an opening for accommodating the back electrode;
The displacement limiting means is formed on the inner peripheral side of the housing base frame so as to face the outer peripheral edge of the back electrode, and the outer peripheral edge abuts when the back electrode is displaced toward the circuit board. The condenser microphone according to claim 1, wherein the condenser microphone is a contact portion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009041394A JP2010199888A (en) | 2009-02-24 | 2009-02-24 | Condenser microphone |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009041394A JP2010199888A (en) | 2009-02-24 | 2009-02-24 | Condenser microphone |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010199888A true JP2010199888A (en) | 2010-09-09 |
Family
ID=42824159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009041394A Pending JP2010199888A (en) | 2009-02-24 | 2009-02-24 | Condenser microphone |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2010199888A (en) |
-
2009
- 2009-02-24 JP JP2009041394A patent/JP2010199888A/en active Pending
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