[go: up one dir, main page]

JP2010199889A - Condenser microphone - Google Patents

Condenser microphone Download PDF

Info

Publication number
JP2010199889A
JP2010199889A JP2009041395A JP2009041395A JP2010199889A JP 2010199889 A JP2010199889 A JP 2010199889A JP 2009041395 A JP2009041395 A JP 2009041395A JP 2009041395 A JP2009041395 A JP 2009041395A JP 2010199889 A JP2010199889 A JP 2010199889A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit board
back electrode
condenser microphone
contact spring
integrated circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009041395A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Motoaki Ito
元陽 伊藤
Tetsuya Maeda
哲哉 前田
Koichi Sasakura
幸一 笹倉
Kentaro Yonehara
賢太郎 米原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Star Micronics Co Ltd
Original Assignee
Star Micronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Star Micronics Co Ltd filed Critical Star Micronics Co Ltd
Priority to JP2009041395A priority Critical patent/JP2010199889A/en
Publication of JP2010199889A publication Critical patent/JP2010199889A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a condenser microphone capable of improving the reliability on impact, by preventing integrated circuits from being damaged by large impact applied from the outside due to falling, or the like. <P>SOLUTION: A vibrating membrane 30 is disposed opposite to a circuit board 23. A spacer 29 is interposed on a side of the circuit board 23 of the vibrating membrane 30 to dispose a back electrode 31. A contact spring 33, disposed between the circuit board 23 and the back electrode 31, allows the back electrode 31 to elastically abut against the spacer 29 to allow the circuit board 23 to be continuous to the back electrode 31. In this constitution, a contacting member 41 is provided to the circuit board 23 to prevent impact to the integrated circuit 40 of the contact spring 33, based on a displacement to the side of the circuit board 23 of the back electrode 31 caused by the impact applied from the outside to the condenser microphone 21. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

この発明は、バックエレクトレット型のコンデンサマイクロホンに関するものである。   The present invention relates to a back electret condenser microphone.

従来、この種の技術としては、例えば特許文献1に開示されるものがある。特許文献1の構成においては、筐体内に支持された振動膜に対し、スペーサを介して背電極が対向配置されている。背電極は、回路基板と背電極との間に圧縮状態で介在されたコンタクトスプリングにより、振動膜側へ付勢されてスペーサに当接した状態で保持されるとともに回路基板に対して導通されている。そして、エレクトレット化されたフィルムが一体化された背電極としての背電極と、導電層が形成された振動膜とによりコンデンサ部を構成している。このような構成によれば、背電極においてスペーサとの当接部分に加えられる荷重はコンタクトスプリングの付勢力を越えないため、荷重があっても当接部分において誘電体層が潰されることはなく、コンデンサマイクロホンの感度が維持される。   Conventionally, as this type of technology, for example, there is one disclosed in Patent Document 1. In the configuration of Patent Document 1, the back electrode is disposed to face the vibrating membrane supported in the housing via a spacer. The back electrode is urged toward the vibrating membrane by a contact spring interposed in a compressed state between the circuit board and the back electrode, and is held in contact with the spacer and is electrically connected to the circuit board. Yes. And the capacitor | condenser part is comprised with the back electrode as a back electrode with which the electretized film was integrated, and the vibrating membrane in which the conductive layer was formed. According to such a configuration, since the load applied to the contact portion with the spacer in the back electrode does not exceed the biasing force of the contact spring, the dielectric layer is not crushed at the contact portion even if there is a load. The sensitivity of the condenser microphone is maintained.

特開2008−141409号公報JP 2008-141409 A

ところで、上記特許文献1のような構成においては、前述した構成のコンデンサマイクロホンが装備された携帯電話等の機器を硬い床や舗装路面等に落としたときのように、過大な加速度が背電極に瞬時に加わると、つまり、大きな衝撃が加わると、背電極がコンタクトスプリングの付勢力に抗して回路基板側へ変位する場合がある。そして、背電極が回路基板上の集積回路に強圧して、集積回路を破損させる虞がある。   By the way, in the configuration as in Patent Document 1, excessive acceleration is instantaneously applied to the back electrode as when a device such as a mobile phone equipped with the condenser microphone having the above-described configuration is dropped on a hard floor or a paved road surface. If a large impact is applied, the back electrode may be displaced toward the circuit board against the urging force of the contact spring. And there exists a possibility that a back electrode may apply a strong pressure to the integrated circuit on a circuit board, and may damage an integrated circuit.

この発明は、このような従来の技術に存在する問題点に着目してなされたものである。その目的とするところは、落下等により外部から加えられた大きな衝撃による集積回路の破損を防止し、衝撃に対する信頼性を向上できるコンデンサマイクロホンを提供することにある。   The present invention has been made paying attention to such problems existing in the prior art. An object of the present invention is to provide a condenser microphone that can prevent damage to an integrated circuit due to a large impact applied from the outside due to dropping or the like and can improve reliability against the impact.

上記の目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、集積回路が実装された回路基板に対し振動膜を対向配置し、振動膜の回路基板側にスペーサを介在させて背電極を配置し、回路基板と背電極との間に配置したコンタクトスプリングにより、背電極をスペーサに対し弾性的に当接させて回路基板と背電極とを導通させたコンデンサマイクロホンにおいて、前記背電極の前記集積回路への衝突を防止する衝突防止手段を設けたことを特徴とする。   In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, a vibration film is disposed opposite to a circuit board on which an integrated circuit is mounted, and a back electrode is provided by interposing a spacer on the circuit board side of the vibration film. In the condenser microphone in which the circuit board and the back electrode are electrically connected by elastically contacting the back electrode to the spacer by the contact spring disposed between the circuit board and the back electrode, the back electrode A collision prevention means for preventing a collision with the integrated circuit is provided.

請求項2に記載の発明は、前記衝突防止手段は、前記回路基板上に設けられ、前記背電極の回路基板側への一定量以上の変位時に、前記コンタクトスプリング又は背電極に当接して背電極の変位を規制する当接部材であることを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, the collision preventing means is provided on the circuit board, and comes into contact with the contact spring or the back electrode when the back electrode is displaced a certain amount or more toward the circuit board. It is a contact member which regulates the displacement of an electrode.

請求項3に記載の発明は、前記当接部材は、前記背電極又はコンタクトスプリングの衝突を緩衝する弾性材よりなることを特徴とする。
請求項4に記載の発明は、前記当接部材は、前記回路基板上において前記集積回路を周囲から囲む枠体状であることを特徴とする。
The invention according to claim 3 is characterized in that the abutting member is made of an elastic material that cushions the collision of the back electrode or the contact spring.
According to a fourth aspect of the present invention, the contact member has a frame shape surrounding the integrated circuit from the periphery on the circuit board.

請求項5に記載の発明は、前記当接部材は、前記回路基板上に実装されているチップ部品であることを特徴とする。
(作用)
コンデンサマイクロホンに外部から加わった大きな衝撃により、背電極がコンタクトスプリングの変形を伴って回路基板側へ変位したとき、コンタクトスプリング又は背電極の集積回路への強圧が衝突防止手段により防止される。このため、集積回路の破損を防止することができる。
The invention described in claim 5 is characterized in that the contact member is a chip component mounted on the circuit board.
(Function)
When the back electrode is displaced to the circuit board side with deformation of the contact spring due to a large impact applied to the condenser microphone from the outside, strong pressure on the integrated circuit of the contact spring or back electrode is prevented by the collision preventing means. For this reason, damage to the integrated circuit can be prevented.

この発明によれば、落下等により外部から加えられた大きな衝撃による集積回路の破損を防止し、衝撃に対する信頼性を向上できるという効果を発揮する。   According to the present invention, it is possible to prevent damage to the integrated circuit due to a large impact applied from the outside due to dropping or the like and to improve the reliability against the impact.

第1実施形態のコンデンサマイクロホンを示す縦断面図。The longitudinal cross-sectional view which shows the condenser microphone of 1st Embodiment. 同じく分解斜視図。Similarly disassembled perspective view. 回路基板の上面を示す平面図。The top view which shows the upper surface of a circuit board. (a)は回路基板の上面上に形成された導電パターンを示す平面図、(b)はレジストを示す平面図。(A) is a top view which shows the conductive pattern formed on the upper surface of a circuit board, (b) is a top view which shows a resist. 回路基板の裏面上に形成された導電パターンを示す平面図。The top view which shows the conductive pattern formed on the back surface of a circuit board. 筐体基枠の上面を示す平面図。The top view which shows the upper surface of a housing | casing base frame. 集積回路の実装状態を示す断面図。Sectional drawing which shows the mounting state of an integrated circuit. 第2実施形態のコンデンサマイクロホンを示す縦断面図。The longitudinal cross-sectional view which shows the condenser microphone of 2nd Embodiment. 同じく背電極、コンタクトスプリング及び回路基板を示す斜視図。The perspective view which similarly shows a back electrode, a contact spring, and a circuit board. 第3実施形態のコンデンサマイクロホンを示す縦断面図。The longitudinal cross-sectional view which shows the condenser microphone of 3rd Embodiment.

(第1実施形態)
次に、この発明を具体化した第1実施形態について、図1〜図7を参照して説明する。
図1及び図2に示すように、この実施形態のコンデンサマイクロホン21の筐体22は、平板状の回路基板23と、四角枠状の筐体基枠24と、平板状のトップカバー基板25とを積層して、接着シート27A,27Bにより一体に固定した構造となっている。前記回路基板23,筐体基枠24及びトップカバー基板25はエポキシ樹脂等の樹脂製の電気絶縁体により構成されている。この実施形態では、前記部材はガラス布基材エポキシ樹脂にて構成されているが、エポキシ樹脂に限定されるものではない。
(First embodiment)
Next, a first embodiment embodying the present invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIGS. 1 and 2, the housing 22 of the condenser microphone 21 of this embodiment includes a flat circuit board 23, a square frame-shaped housing base frame 24, a flat top cover substrate 25, and the like. Are laminated and fixed integrally by adhesive sheets 27A and 27B. The circuit board 23, the casing base frame 24, and the top cover board 25 are made of an electric insulator made of resin such as epoxy resin. In this embodiment, although the said member is comprised with the glass cloth base material epoxy resin, it is not limited to an epoxy resin.

図4(a)に示すように回路基板23の上面には銅箔よりなる導電パターン23a,23b,23cが形成されている。なお、図4(a)においては、説明の便宜上、導電パターン23a,23b,23cをハッチングで示す。   As shown in FIG. 4A, conductive patterns 23a, 23b, and 23c made of copper foil are formed on the upper surface of the circuit board 23. In FIG. 4A, the conductive patterns 23a, 23b, and 23c are hatched for convenience of explanation.

導電パターン23aは、その第1端部50が回路基板23の上面において、長手方向の一端部寄りに、かつ、短手方向の一側端部寄りに位置するとともに、その第2端部51が回路基板23の上面において中央部寄りに延出されている。そして、導電パターン23aの第1端部50は導通部50aとされている。   The conductive pattern 23a has a first end 50 located on the upper surface of the circuit board 23 near one end in the longitudinal direction and one end on the short side, and a second end 51 thereof. The upper surface of the circuit board 23 extends toward the center. And the 1st end part 50 of the conductive pattern 23a is made into the conduction | electrical_connection part 50a.

ここで、説明の便宜上、図4(a)に示すように、回路基板23の厚み方向に貫通する中心軸Oを想定し、回路基板23の上面において中心軸Oに直交する短手方向の軸をx軸とするとともに、同じく長手方向の軸をy軸とする。そして、回路基板23の上面において、x軸を対称軸とする前記導通部50aとは線対称の領域P1、及び、y軸を対称軸とする導通部50aの線対称の領域P2、並びに、中心軸Oを中心点とした導通部50aの点対称の領域P3は、導電パターンが設けられていない領域(以下、無導電パターン領域という)に含まれている。なお、無導電パターン領域とは、回路基板23の上面において、前記導電パターン23cに囲まれるとともに、導電パターン23a、23bを除外した領域である。導電パターン23bは、この実施形態では、複数(この実施形態では4個)設けられている。   Here, for convenience of explanation, as shown in FIG. 4A, assuming a central axis O penetrating in the thickness direction of the circuit board 23, an axis in the short direction perpendicular to the central axis O on the upper surface of the circuit board 23. Is the x-axis, and similarly the longitudinal axis is the y-axis. Then, on the upper surface of the circuit board 23, a region P1 that is line symmetric with respect to the conductive portion 50a having the x axis as the symmetric axis, a line symmetric region P2 with respect to the conductive portion 50a having the symmetric axis as the y axis, and the center The point-symmetrical region P3 of the conduction part 50a with the axis O as the center point is included in a region where no conductive pattern is provided (hereinafter referred to as a non-conductive pattern region). The non-conductive pattern region is a region on the upper surface of the circuit board 23 that is surrounded by the conductive pattern 23c and excludes the conductive patterns 23a and 23b. In this embodiment, a plurality of conductive patterns 23b (four in this embodiment) are provided.

前記導電パターン23cは、アース用の導電パターンであって、筐体基枠24の枠形状に相対するように枠状に設けられている。導電パターン23a,23bは、部品接続のための導電パターンであって、電源入力用や信号取り出し用となっている。   The conductive pattern 23 c is a ground conductive pattern, and is provided in a frame shape so as to face the frame shape of the housing base frame 24. The conductive patterns 23a and 23b are conductive patterns for connecting components, and are used for power supply input and signal extraction.

又、図3及び図4(b)に示すように、導電パターン23a〜23cの一部の領域、及び、無導電パターン領域において領域P1〜P3を含む面はレジスト52にて覆われている。なお、図3及び図4(b)においては、説明の便宜上、レジスト52をハッチングで示す。   Further, as shown in FIGS. 3 and 4B, a part of the conductive patterns 23 a to 23 c and a surface including the regions P <b> 1 to P <b> 3 in the non-conductive pattern region are covered with a resist 52. 3 and 4B, the resist 52 is hatched for convenience of explanation.

レジスト52は、例えばエポキシ樹脂等の絶縁部材からなるが、この材質に限定されるものではなく、絶縁性の合成樹脂であればよい。又、レジスト52は、その全体に亘って同一の膜厚に形成されるとともに導電パターン23aの導通部50aと同じ厚みとされている。すなわち、領域P1〜P3に位置するレジスト52の部分と、導通部50aとは回路基板23の上面を基準として同じ高さ(すなわち、厚み)となるようにされている。導通部50aとレジスト52の厚みは、通常20μm〜40μm程度に設定されている。なお、この実施形態における導通部50aとレジスト52の厚みは、30μmに設定されている。   The resist 52 is made of an insulating member such as an epoxy resin, but is not limited to this material, and may be any insulating synthetic resin. In addition, the resist 52 is formed to have the same film thickness over the whole and has the same thickness as the conductive portion 50a of the conductive pattern 23a. That is, the portion of the resist 52 located in the regions P1 to P3 and the conductive portion 50a are set to have the same height (that is, thickness) with respect to the upper surface of the circuit board 23. The thickness of the conductive part 50a and the resist 52 is normally set to about 20 μm to 40 μm. In this embodiment, the thickness of the conductive portion 50a and the resist 52 is set to 30 μm.

レジスト52には、導通部50aを露出させる切り欠き52aが形成されるとともに、x軸を対称軸とする切り欠き52aと線対称の位置には無導電パターン領域を露出させる切り欠き52cが形成されている。又、レジスト52において、導電パターン23aの第2端部51、各導電パターン23bの一端部、及び、導電パターン23cの一部に対応した部分には窓52bがそれぞれ設けられ、当該各部分はそれぞれ窓52bを介して露出されている。   The resist 52 is formed with a notch 52a that exposes the conductive portion 50a, and a notch 52c that exposes the non-conductive pattern region at a position symmetrical to the notch 52a with the x axis as a symmetry axis. ing. Further, in the resist 52, windows 52b are respectively provided in portions corresponding to the second end portion 51 of the conductive pattern 23a, one end portion of each conductive pattern 23b, and a part of the conductive pattern 23c. It is exposed through the window 52b.

又、導電パターン23cの枠状の周部は、レジスト52にて覆われていない露出部分とされて筐体基枠24と相対する。
又、図5に示すように回路基板23の下面には銅箔よりなる複数の導電パターン23d,23eが形成されている。なお、図5においては、説明の便宜上、導電パターン23d,23eをハッチングで示す。
The frame-shaped peripheral portion of the conductive pattern 23 c is an exposed portion that is not covered with the resist 52 and is opposed to the housing base frame 24.
As shown in FIG. 5, a plurality of conductive patterns 23d and 23e made of copper foil are formed on the lower surface of the circuit board 23. In FIG. 5, for convenience of explanation, the conductive patterns 23d and 23e are indicated by hatching.

図4(a)及び図5に示すように、回路基板23の外周部には、複数のスルーホール23gが設けられるとともに、同スルーホール23gの内周には図示しない導電層が形成されている。そして、これらのスルーホール23gの導電層を介して、前記導電パターン23cと導電パターン23dとが電気接続されている。導電パターン23dにおいては、その一部がアース端子となる。   As shown in FIGS. 4A and 5, a plurality of through holes 23g are provided in the outer peripheral portion of the circuit board 23, and a conductive layer (not shown) is formed in the inner periphery of the through hole 23g. . The conductive pattern 23c and the conductive pattern 23d are electrically connected via the conductive layer of the through hole 23g. A part of the conductive pattern 23d serves as a ground terminal.

又、回路基板23の中央部には、複数のスルーホール23hが形成され、これらのスルーホール23hの内周には導電層が形成されている。そして、これらのスルーホール23hの導電層を介して、導電パターン23a,23bと導電パターン23eとが電気接続されている。この導電パターン23eは、図示しない信号出力端子や電源入力端子に接続される。   A plurality of through holes 23h are formed in the central portion of the circuit board 23, and a conductive layer is formed on the inner periphery of these through holes 23h. The conductive patterns 23a and 23b and the conductive pattern 23e are electrically connected via the conductive layer of the through holes 23h. The conductive pattern 23e is connected to a signal output terminal and a power input terminal (not shown).

なお、図1に示すように、回路基板23の内部には、銅箔よりなる中間層23fが設けられ、この中間層23fは、導電パターン23cと導電パターン23dとを電気接続する各スルーホール23gに対し電気接続されている。   As shown in FIG. 1, an intermediate layer 23f made of copper foil is provided inside the circuit board 23, and this intermediate layer 23f is connected to each through hole 23g that electrically connects the conductive pattern 23c and the conductive pattern 23d. Are electrically connected.

又、図1及び図2に示すように、回路基板23の上面には、インピーダンス変換回路を構成する特定用途向け集積回路(ASIC:Application Specific Integrated Circuit)40が実装されている。この集積回路40は、導電パターン23aの第2端部51(図3及び図4(a)に図示)と導電パターン23bとに電気接続されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, an application specific integrated circuit (ASIC) 40 constituting an impedance conversion circuit is mounted on the upper surface of the circuit board 23. The integrated circuit 40 is electrically connected to the second end 51 (shown in FIGS. 3 and 4A) of the conductive pattern 23a and the conductive pattern 23b.

この集積回路40は、BGA(Ball Grid Array)又はCSP(Chip Size Package)の構成を有し、図7に示すように、QFP(Quad Flatpack Package)におけるリードに代わる半田ボール42を備えている。一方、回路基板23上の導電パターン23a〜23cの表面にはニッケル−金メッキ層43が形成され、さらにその上には、半田ボール42との良好な機械的及び電気的接続を確保するためのOSP(Organic Solderbility Preservative:有機半田特性保存)コーティング44が施されている。回路基板23の上面に半田付けされた集積回路40は、例えば1液性加熱硬化型のエポキシ樹脂からなるアンダフィル剤を回路基板23の上面との間に充填することにより回路基板23に固定される。従って、BGAやCSPよりなる集積回路40の採用により、コンデンサマイクロホン21の小型化、軽量化、高機能化、高速化が図られている。また、OSPコーティング44の採用により、ニッケル−金メッキ層43に残ったリンを除去できるので、リンによるハンダ付け時の障害が回避される。さらに、アンダフィル剤の採用により、熱的応力や物理的応力に対する回路基板23と集積回路40との接続信頼性が向上している。   The integrated circuit 40 has a configuration of BGA (Ball Grid Array) or CSP (Chip Size Package), and includes solder balls 42 instead of leads in a QFP (Quad Flatpack Package) as shown in FIG. On the other hand, a nickel-gold plating layer 43 is formed on the surfaces of the conductive patterns 23a to 23c on the circuit board 23, and further on this, an OSP for ensuring good mechanical and electrical connection with the solder balls 42 is formed. (Organic Solderbility Preservative: Organic Solderability Preservative) Coating 44 is applied. The integrated circuit 40 soldered to the upper surface of the circuit board 23 is fixed to the circuit board 23 by filling an underfill agent made of, for example, a one-component thermosetting epoxy resin with the upper surface of the circuit board 23. The Therefore, by adopting the integrated circuit 40 made of BGA or CSP, the condenser microphone 21 is reduced in size, weight, function, and speed. Further, the adoption of the OSP coating 44 can remove phosphorus remaining in the nickel-gold plating layer 43, thereby avoiding troubles during soldering with phosphorus. Further, the use of the underfill agent improves the connection reliability between the circuit board 23 and the integrated circuit 40 against thermal stress and physical stress.

さらに、図1及び図2に示すように、回路基板23の上面には、集積回路40を周囲から囲む枠体状に形成された弾性材よりなる当接部材41が設けられている。弾性材としては、ゴム系材料や合成樹脂又は熱可塑性エラストマーが採用されている。この当接部材41の回路基板23上における高さH1は、集積回路40の高さH2と同じに設定されている。この当接部材41は、次のようにして回路基板23の上面に固定される。まず、当接部材41は、回路基板23の上面の所定位置に仮固定される。次に、集積回路40と回路基板23との間の隙間に対するアンダフィル剤の充填とともに当接部材41と回路基板23との間の隙間にもアンダフィル剤が充填される。そして、加熱によるアンダフィル剤の硬化により、当接部材41が回路基板23の上面に固定される。   Further, as shown in FIGS. 1 and 2, a contact member 41 made of an elastic material formed in a frame shape surrounding the integrated circuit 40 from the periphery is provided on the upper surface of the circuit board 23. As the elastic material, a rubber-based material, a synthetic resin, or a thermoplastic elastomer is employed. The height H 1 of the contact member 41 on the circuit board 23 is set to be the same as the height H 2 of the integrated circuit 40. The contact member 41 is fixed to the upper surface of the circuit board 23 as follows. First, the contact member 41 is temporarily fixed at a predetermined position on the upper surface of the circuit board 23. Next, the underfill agent is filled in the gap between the contact member 41 and the circuit board 23 as well as the underfill agent is filled in the gap between the integrated circuit 40 and the circuit board 23. And the contact member 41 is fixed to the upper surface of the circuit board 23 by hardening of the underfill agent by heating.

図1に示すように、筐体基枠24の上下両面及び側壁外側面には、銅箔よりなる連続した導電パターン24a,24b,24cが形成されている。導電パターン24aは、図2に示すように筐体基枠24の上開口部周縁に対して環状に設けられている。又、図示しないが、導電パターン24bは、筐体基枠24の上開口部周縁に対し、導電パターン24aと同様に環状に設けられている。   As shown in FIG. 1, continuous conductive patterns 24 a, 24 b, and 24 c made of copper foil are formed on the upper and lower surfaces and side wall outer surfaces of the housing base frame 24. As shown in FIG. 2, the conductive pattern 24 a is provided in an annular shape with respect to the periphery of the upper opening of the housing base frame 24. Further, although not shown, the conductive pattern 24b is provided in an annular shape with respect to the peripheral edge of the upper opening of the housing base frame 24 in the same manner as the conductive pattern 24a.

導電パターン24cは、筐体基枠24の側壁外側面において、同筐体基枠24の4つのコーナ部Cの外側面を除いた部分に設けられた凹部24iに導電ペーストが塗布されることにより、若しくは、銅箔メッキ等の金属箔メッキを施すことにより形成され、導電パターン24a,24b同士を電気的に接続している。   The conductive pattern 24c is formed by applying a conductive paste to the recess 24i provided on the outer side surface of the side wall of the casing base frame 24 except for the outer side surfaces of the four corner portions C of the casing base frame 24. Alternatively, the conductive patterns 24a and 24b are electrically connected to each other by performing metal foil plating such as copper foil plating.

又、下面側の導電パターン24bは、図1に示すように回路基板23の上面の前記導電パターン23cに対して電気的に接続され、導電パターン23cを介して回路基板23の下面の導電パターン23dに電気的に接続されている。凹部24i内には、エポキシ樹脂等の絶縁性合成樹脂からなる充填部24jが形成されている。   As shown in FIG. 1, the conductive pattern 24b on the lower surface side is electrically connected to the conductive pattern 23c on the upper surface of the circuit board 23, and the conductive pattern 23d on the lower surface of the circuit board 23 is connected via the conductive pattern 23c. Is electrically connected. A filling portion 24j made of an insulating synthetic resin such as an epoxy resin is formed in the recess 24i.

そして、図2及び図6に示すように、筐体基枠24の4つのコーナ部Cには、それぞれ断面円形のスルーホール24kが設けられている。スルーホール24kの内周には、図示しない導電層が形成されるとともに、スルーホール24kの内部には、例えば導電ペーストからなる導電剤が充填されている。   As shown in FIGS. 2 and 6, the four corner portions C of the housing base frame 24 are each provided with a through hole 24 k having a circular cross section. A conductive layer (not shown) is formed on the inner periphery of the through hole 24k, and the through hole 24k is filled with a conductive agent made of, for example, a conductive paste.

図1及び図2に示すように筐体基枠24の下部の開口部周縁は、前記導電パターン23cの外方に配置された四角環状の接着シート27Aにより前記回路基板23に対して一体に接着固定されている。そして、回路基板23上の集積回路40等の電装部品は、この筐体基枠24内に収容配置されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the peripheral edge of the opening at the bottom of the housing base frame 24 is integrally bonded to the circuit board 23 by a rectangular annular adhesive sheet 27A disposed outside the conductive pattern 23c. It is fixed. Electrical components such as the integrated circuit 40 on the circuit board 23 are accommodated in the housing base frame 24.

図1及び図2に示すように前記トップカバー基板25の上下両面には銅箔等よりなる導電パターン25a,25bが形成されている。トップカバー基板25には、外部から音を取り込むための音孔28が形成されている。そして、トップカバー基板25は、筐体基枠24の上部の開口部周縁に対し、前記導電パターン24aの外方に配置された四角環状の接着シート27Bにより接着固定されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, conductive patterns 25 a and 25 b made of copper foil or the like are formed on the upper and lower surfaces of the top cover substrate 25. The top cover substrate 25 is formed with a sound hole 28 for taking in sound from the outside. The top cover substrate 25 is bonded and fixed to the periphery of the opening at the top of the housing base frame 24 by a square annular adhesive sheet 27B disposed outside the conductive pattern 24a.

図1及び図2に示すように、前記筐体基枠24とトップカバー基板25との間には、絶縁性フィルムからなる環状のスペーサ29が挟持固定されている。スペーサ29は、筐体基枠24の導電パターン24aに対して導電性接着剤により接着されている。スペーサ29の上面にはPPS(ポリフェニレンサルファィド)フィルム等の絶縁性合成樹脂薄膜よりなる振動膜30が接着により張設されており、その振動膜30の下面には金蒸着により導電層30aが形成されている。振動膜30の四隅には、その一部を上方へ裏返した折り返し部30bが形成されている。従って、この折り返し部30bにおいては、その上側に導電層30aが配置されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, an annular spacer 29 made of an insulating film is sandwiched and fixed between the housing base frame 24 and the top cover substrate 25. The spacer 29 is bonded to the conductive pattern 24a of the housing base frame 24 with a conductive adhesive. A vibration film 30 made of an insulating synthetic resin thin film such as a PPS (polyphenylene sulfide) film is stretched on the upper surface of the spacer 29 by adhesion, and a conductive layer 30a is formed on the lower surface of the vibration film 30 by gold vapor deposition. Is formed. At the four corners of the vibration film 30, folded portions 30b are formed by partially turning the film upside down. Accordingly, the conductive layer 30a is disposed above the folded portion 30b.

振動膜30及びスペーサ29には図示しないスルーホールが設けられ、導電層30aは、同スルーホールに充填された導電ペースト、及び、スペーサ29と導電パターン24aと間の導電性接着剤を介して導電パターン24aと電気的に接続されている。   A through hole (not shown) is provided in the vibration film 30 and the spacer 29, and the conductive layer 30a is conductive through a conductive paste filled in the through hole and a conductive adhesive between the spacer 29 and the conductive pattern 24a. It is electrically connected to the pattern 24a.

図1に示すように、前記トップカバー基板25には複数のスルーホール36が形成され、それらのスルーホール36の内周面には前記導電パターン25a,25bと連続する導電パターン25cが設けられている。また、スルーホール36内には導電性接着剤37aが充填され、この導電性接着剤37aと前記導電パターン25cとにより導電部37が形成されている。この導電部37は、振動膜30の折り返し部30bの導電層30aと電気接続されている。   As shown in FIG. 1, a plurality of through holes 36 are formed in the top cover substrate 25, and conductive patterns 25 c continuous with the conductive patterns 25 a and 25 b are provided on the inner peripheral surfaces of the through holes 36. Yes. The through hole 36 is filled with a conductive adhesive 37a, and a conductive portion 37 is formed by the conductive adhesive 37a and the conductive pattern 25c. The conductive portion 37 is electrically connected to the conductive layer 30 a of the folded portion 30 b of the vibration film 30.

図1及び図2に示すように、筐体基枠24内において、振動膜30の下面にはスペーサ29を介在させて背電極31が対向配置されている。この背電極31は、ステンレス鋼板からなるプレート本体31aの上面にPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)等のフィルム31bが貼着されて構成されている。そのフィルム31bにはコロナ放電等による分極処理が施されており、この分極処理によりフィルム31bはエレクトレット化されている。すなわち、この実施形態のコンデンサマイクロホン21は、前記背電極31にエレクトレットが設けられたバックエレクトレットタイプとなっている。   As shown in FIGS. 1 and 2, a back electrode 31 is disposed opposite to the lower surface of the vibration membrane 30 with a spacer 29 interposed in the housing base frame 24. The back electrode 31 is configured by attaching a film 31b such as PTFE (polytetrafluoroethylene) to the upper surface of a plate body 31a made of a stainless steel plate. The film 31b is subjected to polarization treatment by corona discharge or the like, and the film 31b is electretized by this polarization treatment. That is, the condenser microphone 21 of this embodiment is a back electret type in which an electret is provided on the back electrode 31.

さらに、前記背電極31は、筐体基枠24の内周形状よりも小さな外周形状となる平面形ほぼ長円状をなすように形成されていて、それらの内外周面間には隙間Kが形成されている。背電極31の中央部には前記振動膜30の振動による空気移動を許容するための貫通孔32が形成されている。この背電極31は、フィルムを貼着したステンレス鋼の板材をフィルム側から打ち抜いて形成される。   Further, the back electrode 31 is formed so as to have a substantially oval shape in a planar shape having an outer peripheral shape smaller than the inner peripheral shape of the housing base frame 24, and a gap K is formed between the inner and outer peripheral surfaces thereof. Is formed. A through-hole 32 for allowing air movement due to vibration of the vibrating membrane 30 is formed in the central portion of the back electrode 31. The back electrode 31 is formed by punching a stainless steel plate with a film attached from the film side.

図1及び図2に示すように、前記筐体基枠24内において、背電極31と回路基板23との間にはコンタクトスプリング33が圧縮状態で介装されている。このコンタクトスプリング33は、背電極31をスペーサ29の下面に対し弾性的に当接させるとともに回路基板23と背電極31とを導通させている。この構成により、振動膜30と背電極31とが所定の間隔を隔てて保持され、それらの間に所定の容量を確保したコンデンサ部が形成されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, a contact spring 33 is interposed between the back electrode 31 and the circuit board 23 in a compressed state in the housing base frame 24. The contact spring 33 elastically abuts the back electrode 31 against the lower surface of the spacer 29 and electrically connects the circuit board 23 and the back electrode 31. With this configuration, the vibrating membrane 30 and the back electrode 31 are held at a predetermined interval, and a capacitor portion that secures a predetermined capacitance is formed between them.

前記コンタクトスプリング33は、ステンレス鋼板の表裏両面に金メッキを施してなる板材を打ち抜き成形することにより全体がほぼ四角枠状に形成され、背電極31の下面に対面する2つの対面部33aと、その各対面部33aの両端から下部両側方に向かって斜めに突出する4つの脚部33bとを備えている。そして、コンタクトスプリング33の下方には空間Sが形成され、この空間S内に、回路基板23上の前記集積回路40等が配置されている。また、コンタクトスプリング33の両対面部33aは、前記当接部材41の上方に位置し、集積回路40の上方には位置していない。   The contact spring 33 is formed into a substantially square frame shape by punching and forming a plate material formed by gold plating on both the front and back surfaces of a stainless steel plate. Four leg portions 33b projecting obliquely from both ends of each facing portion 33a toward both lower sides. A space S is formed below the contact spring 33, and the integrated circuit 40 and the like on the circuit board 23 are disposed in the space S. Further, both facing portions 33 a of the contact spring 33 are located above the contact member 41 and are not located above the integrated circuit 40.

前記コンタクトスプリング33の両対面部33aの上面には背電極31の下面に当接する2つの球面状の接触部34がそれぞれ突出形成されるとともに、各脚部33bの先端下面には球面状の接触部35がそれぞれ突出形成されている。図3に示すように、4つの脚部33bのうち、1つの脚部33bは、その接触部35が回路基板23上の導電パターン23aの導通部50aに対して接触され、別の1つの脚部33bは、その接触部35が回路基板23上の領域P2に接触されている。また、4つの脚部33bのうち、残りの2つの脚部33bは、その接触部35が回路基板23の上面において領域P1,P3上に位置するレジスト52の上面に対して接触されている。すなわち、コンタクトスプリング33により、背電極31のプレート本体31aと、回路基板23の導電パターン23aとが導通されている。   Two spherical contact portions 34 that abut against the lower surface of the back electrode 31 are formed on the upper surface of the opposite surface portions 33a of the contact spring 33, and spherical contact surfaces are formed on the lower surfaces of the tips of the leg portions 33b. Each portion 35 is formed to protrude. As shown in FIG. 3, of the four leg portions 33b, one leg portion 33b has its contact portion 35 in contact with the conduction portion 50a of the conductive pattern 23a on the circuit board 23, and another leg. The contact portion 35 of the portion 33b is in contact with the region P2 on the circuit board 23. Of the four legs 33b, the remaining two legs 33b are in contact with the upper surface of the resist 52 located on the regions P1 and P3 on the upper surface of the circuit board 23. In other words, the plate body 31 a of the back electrode 31 and the conductive pattern 23 a of the circuit board 23 are electrically connected by the contact spring 33.

さて、上記のように構成されたコンデンサマイクロホン21において、音源からの音波がトップカバー基板25の音孔28を介して振動膜30に至ると、その振動膜30は音の周波数、振幅及び波形に応じて振動される。そして、振動膜30の振動に伴って、振動膜30と背電極31との間隔が設定値から変化し、コンデンサ部のインピーダンスが変化する。このインピーダンスの変化が、回路基板23上の集積回路40等により電圧信号に変換されて出力される。   In the condenser microphone 21 configured as described above, when the sound wave from the sound source reaches the vibration film 30 through the sound hole 28 of the top cover substrate 25, the vibration film 30 has a frequency, amplitude and waveform of sound. It is vibrated accordingly. As the vibration film 30 vibrates, the distance between the vibration film 30 and the back electrode 31 changes from the set value, and the impedance of the capacitor portion changes. This change in impedance is converted into a voltage signal by the integrated circuit 40 on the circuit board 23 and outputted.

コンデンサマイクロホン21に対し外部から加えられた衝撃により、図1における上側から下側へ向かう向きの加速度が背電極31に加わると、背電極31は二点鎖線で示すようにコンタクトスプリング33の変形を伴って回路基板23側へ変位する。このとき、背電極31が一定距離だけ変位したところで、コンタクトスプリング33の両対面部33aの下面が当接部材41の上面に当接する。この当接により、コンタクトスプリング33の変形とともに背電極31の変位が当接部材41により規制される。ここで、当接部材41の上面に当接するコンタクトスプリング33の対面部33aの厚さT1と、当接部材41の高さH1とを合わせた寸法は、集積回路40の高さH2よりも大きい。従って、背電極31の集積回路40への衝突は防止される。また、コンタクトスプリング33が当接部材41に当接するときに、弾性材よりなる当接部材41が弾性変形するため、コンタクトスプリング33、さらに背電極31に加わる衝撃は緩衝される。従って、コンデンサマイクロホン21の各部に加わる衝撃は緩和される。   When acceleration from the upper side to the lower side in FIG. 1 is applied to the back electrode 31 due to an impact applied to the condenser microphone 21 from the outside, the back electrode 31 deforms the contact spring 33 as indicated by a two-dot chain line. Along with this, the circuit board 23 is displaced. At this time, when the back electrode 31 is displaced by a certain distance, the lower surfaces of both facing portions 33 a of the contact spring 33 come into contact with the upper surface of the contact member 41. Due to this contact, the displacement of the back electrode 31 is restricted by the contact member 41 along with the deformation of the contact spring 33. Here, the total dimension of the thickness T1 of the facing portion 33a of the contact spring 33 that contacts the upper surface of the contact member 41 and the height H1 of the contact member 41 is larger than the height H2 of the integrated circuit 40. . Therefore, the collision of the back electrode 31 with the integrated circuit 40 is prevented. Further, when the contact spring 33 contacts the contact member 41, the contact member 41 made of an elastic material is elastically deformed, so that the impact applied to the contact spring 33 and the back electrode 31 is buffered. Therefore, the impact applied to each part of the condenser microphone 21 is mitigated.

以上詳述したこの実施形態は、下記の各効果を奏する。
(1)コンデンサマイクロホン21に外部から加わった衝撃によって背電極31が回路基板23側へ変位したときに、背電極31の集積回路40への衝突を、回路基板23上に設けられた当接部材41が防止する。このため、外部からの衝撃による集積回路40の破損を防止することができる。
This embodiment described in detail above has the following effects.
(1) When the back electrode 31 is displaced toward the circuit board 23 due to an impact applied to the condenser microphone 21 from the outside, the contact member provided on the circuit board 23 causes the back electrode 31 to collide with the integrated circuit 40. 41 prevents. For this reason, it is possible to prevent the integrated circuit 40 from being damaged by an external impact.

(2)当接部材41を弾性材より形成したため、コンタクトスプリング33の当接部材41への衝突時に背電極31に加わる衝撃は緩和される。従って、回路基板23と筐体基枠24との間や、筐体基枠24とトップカバー基板25との間の接着部に対する悪影響が抑えられる。   (2) Since the contact member 41 is made of an elastic material, the impact applied to the back electrode 31 when the contact spring 33 collides with the contact member 41 is reduced. Therefore, adverse effects on the bonding portion between the circuit board 23 and the housing base frame 24 and between the housing base frame 24 and the top cover substrate 25 are suppressed.

(第2実施形態)
次に、この発明を具体化した第2実施形態について、図8及び図9を参照して説明する。なお、これ以降の実施形態については、前記第1実施形態と異なる点を中心に説明する。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment embodying the present invention will be described with reference to FIGS. The following embodiments will be described with a focus on differences from the first embodiment.

図8及び図9に示すように、この実施形態における回路基板23の上面には、前記当接部材41に代えて、集積回路40とともにインピーダンス変換回路を構成する一対のチップ部品43が集積回路40の両側に配設されている。この両チップ部品43の高さH3は、集積回路40の高さH1と同じに設定されている。このチップ部品43とは、チップ抵抗やチップコンデンサのことである。このチップ抵抗は、0Ωでもよい。また、携帯電話に使用されるマイクロホンの場合においてチップコンデンサを用いる場合は、携帯電話のキャリア電波に対応したノイズフィルタ用のチップコンデンサを配置して、チップ部品43と兼用させてもよい。前記コンタクトスプリング33の両対面部33aは、両チップ部品43の上方に位置している。   As shown in FIGS. 8 and 9, on the upper surface of the circuit board 23 in this embodiment, a pair of chip components 43 constituting an impedance conversion circuit together with the integrated circuit 40 is provided on the integrated circuit 40 in place of the contact member 41. It is arrange | positioned at both sides. The height H3 of both the chip components 43 is set to be the same as the height H1 of the integrated circuit 40. The chip component 43 is a chip resistor or a chip capacitor. This chip resistance may be 0Ω. In the case of using a chip capacitor in the case of a microphone used in a mobile phone, a chip capacitor for noise filter corresponding to the carrier wave of the mobile phone may be disposed and used also as the chip component 43. Both facing portions 33 a of the contact spring 33 are located above both chip components 43.

さて、コンデンサマイクロホン21に対し外部から加えられた衝撃により、図8に二点鎖線で示すように、背電極31がコンタクトスプリング33の変形を伴って回路基板23側へ変位すると、コンタクトスプリング33の両対面部33aがチップ部品43の上面にそれぞれ当接する。この当接により、コンタクトスプリング33の変形とともに背電極31の回路基板23側への変位が規制される。ここで、チップ部品43の上面に当接するコンタクトスプリング33の対面部33aの厚さT1と、チップ部品43の高さH1とを合わせた寸法は、集積回路40の高さH2よりも大きい。従って、背電極31の集積回路40への衝突は防止される。   When the back electrode 31 is displaced toward the circuit board 23 with deformation of the contact spring 33 as shown by a two-dot chain line in FIG. Both facing portions 33 a abut against the upper surface of the chip component 43. By this contact, deformation of the contact spring 33 and displacement of the back electrode 31 toward the circuit board 23 are restricted. Here, the total dimension of the thickness T1 of the facing portion 33a of the contact spring 33 contacting the upper surface of the chip component 43 and the height H1 of the chip component 43 is larger than the height H2 of the integrated circuit 40. Therefore, the collision of the back electrode 31 with the integrated circuit 40 is prevented.

従って、以上のように構成されたこの実施形態は、前記第1実施形態の(1)に記載の効果を奏する。
(第3実施形態)
次に、この発明を具体化した第3実施形態について、図10を参照して説明する。
Therefore, this embodiment configured as described above has the effect described in (1) of the first embodiment.
(Third embodiment)
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

図10に示すように、この実施形態のコンデンサマイクロホン21は、音孔60aを有する壁部60bが一方に設けられた金属製のケース60内に、振動膜61が張設された支持リング62と、スペーサ63と、円筒状の絶縁ブッシュ64とを上下に収容して構成されている。すなわち、支持リング62と絶縁ブッシュ64との間に、スペーサ63が挟持されている。前記振動膜61の上面には、金やニッケル合金よりなる図示しない蒸着膜が形成されている。絶縁ブッシュ64の内側には、エレクトレット層65が形成された背電極66と、背電極66の下面に当接するコイル形状のコンタクトスプリング67とが配置されている。さらに、ケース60の下面開口部には、インピーダンス変換回路が形成された回路基板68が配置され、この回路基板68は、ケース60の下側周縁部を内方へかしめることにより、絶縁ブッシュ64及びコンタクトスプリング67の下面に当接した状態でケース60内に固定されている。この状態において、コンタクトスプリング67は、背電極66と回路基板68との間に圧縮状態で保持されている。そして、蒸着膜が形成された振動膜61は、ケース60を介して回路基板68上のインピーダンス変換回路に電気的に接続され、背電極66は、コンタクトスプリング67を介してインピーダンス変換回路に電気的に接続されている。この振動膜61と背電極66とによりコンデンサ部が形成されている。   As shown in FIG. 10, the condenser microphone 21 of this embodiment includes a support ring 62 in which a diaphragm 61 is stretched in a metal case 60 provided with a wall 60b having a sound hole 60a on one side. The spacer 63 and the cylindrical insulating bush 64 are vertically accommodated. That is, the spacer 63 is sandwiched between the support ring 62 and the insulating bush 64. A vapor deposition film (not shown) made of gold or nickel alloy is formed on the upper surface of the vibration film 61. Inside the insulating bush 64, a back electrode 66 on which an electret layer 65 is formed, and a coil-shaped contact spring 67 that contacts the lower surface of the back electrode 66 are disposed. Further, a circuit board 68 on which an impedance conversion circuit is formed is disposed in the lower surface opening of the case 60. The circuit board 68 caulks the lower peripheral edge of the case 60 inwardly, thereby insulating bushing 64. The contact spring 67 is fixed in the case 60 in contact with the lower surface thereof. In this state, the contact spring 67 is held in a compressed state between the back electrode 66 and the circuit board 68. The vibration film 61 on which the deposited film is formed is electrically connected to the impedance conversion circuit on the circuit board 68 through the case 60, and the back electrode 66 is electrically connected to the impedance conversion circuit through the contact spring 67. It is connected to the. The vibrating membrane 61 and the back electrode 66 form a capacitor portion.

回路基板68の上面には、インピーダンス変換回路の構成要素である集積回路40が配置されている。また、回路基板68の上面には、集積回路40を周囲から囲む枠体状に形成された弾性材よりなる当接部材69が設けられている。弾性材としては、ゴム系材料や合成樹脂又は熱可塑性エラストマーが採用されている。この当接部材69の高さH4は、集積回路40の高さH2よりも高く設定されている。そして、集積回路40及び当接部材69は、コンタクトスプリング67の内側中央に位置している。   On the upper surface of the circuit board 68, an integrated circuit 40 which is a component of the impedance conversion circuit is disposed. A contact member 69 made of an elastic material formed in a frame shape surrounding the integrated circuit 40 from the periphery is provided on the upper surface of the circuit board 68. As the elastic material, a rubber-based material, a synthetic resin, or a thermoplastic elastomer is employed. The height H4 of the contact member 69 is set to be higher than the height H2 of the integrated circuit 40. The integrated circuit 40 and the contact member 69 are located at the inner center of the contact spring 67.

さて、コンデンサマイクロホン21に対し外部から加えられた衝撃により、図10に二点鎖線で示すように、背電極66がコンタクトスプリング67の変形を伴って回路基板68側へ変位すると、背電極66の下面が当接部材69の上面に当接する。この当接により、コンタクトスプリング67の変形とともに背電極66の回路基板68側への変位が規制される。ここで、当接部材69の高さH4は、集積回路40の高さH2よりも高い。従って、背電極66の集積回路40への衝突は防止される。   When the back electrode 66 is displaced to the circuit board 68 side with deformation of the contact spring 67 as shown by a two-dot chain line in FIG. The lower surface contacts the upper surface of the contact member 69. By this contact, deformation of the contact spring 67 and displacement of the back electrode 66 toward the circuit board 68 are restricted. Here, the height H4 of the contact member 69 is higher than the height H2 of the integrated circuit 40. Therefore, the collision of the back electrode 66 with the integrated circuit 40 is prevented.

従って、以上のように構成されたこの実施形態は、前記第1実施形態の(1)に記載の効果を奏する。
(その他の実施形態)
なお、前記第1実施形態において、枠体状の当接部材41に代えて、図2に二点鎖線で示すように、コンタクトスプリング33の両対面部33aに対面する部分のみからなる当接部材41を設けても
よい。
Therefore, this embodiment configured as described above has the effect described in (1) of the first embodiment.
(Other embodiments)
In the first embodiment, in place of the frame-shaped contact member 41, as shown by a two-dot chain line in FIG. 2, the contact member formed only of a portion facing both facing portions 33a of the contact spring 33. 41 may be provided.

21…コンデンサマイクロホン、23…回路基板、29…スペーサ、30…振動膜、33…コンタクトスプリング、40…集積回路、41…衝突防止手段としての当接部材、43…衝突防止手段としてのチップ部品、61…振動膜、63…スペーサ、66…背電極、67…コンタクトスプリング、68…回路基板、69…衝突防止手段としての当接部材。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 21 ... Condenser microphone, 23 ... Circuit board, 29 ... Spacer, 30 ... Vibration film, 33 ... Contact spring, 40 ... Integrated circuit, 41 ... Contact member as collision prevention means, 43 ... Chip component as collision prevention means, 61 ... vibrating membrane, 63 ... spacer, 66 ... back electrode, 67 ... contact spring, 68 ... circuit board, 69 ... contact member as collision preventing means.

Claims (5)

集積回路が実装された回路基板に対し振動膜を対向配置し、振動膜の回路基板側にスペーサを介在させて背電極を配置し、回路基板と背電極との間に配置したコンタクトスプリングにより、背電極をスペーサに対し弾性的に当接させて回路基板と背電極とを導通させたコンデンサマイクロホンにおいて、
前記背電極の前記集積回路への衝突を防止する衝突防止手段を設けたことを特徴とするコンデンサマイクロホン。
The vibration film is disposed opposite to the circuit board on which the integrated circuit is mounted, the back electrode is disposed with a spacer interposed on the circuit board side of the vibration film, and the contact spring disposed between the circuit board and the back electrode, In the condenser microphone in which the back electrode is elastically brought into contact with the spacer and the circuit board and the back electrode are electrically connected,
A condenser microphone comprising a collision preventing means for preventing the back electrode from colliding with the integrated circuit.
前記衝突防止手段は、前記回路基板上に設けられ、前記背電極の回路基板側への一定量以上の変位時に、前記コンタクトスプリング又は背電極に当接して背電極の変位を規制する当接部材であることを特徴とする請求項1に記載のコンデンサマイクロホン。   The collision preventing means is provided on the circuit board, and abutment member that abuts against the contact spring or the back electrode to regulate the displacement of the back electrode when the back electrode is displaced by a certain amount or more toward the circuit board side. The condenser microphone according to claim 1, wherein: 前記当接部材は、前記背電極又はコンタクトスプリングの衝突を緩衝する弾性材よりなることを特徴とする請求項2に記載のコンデンサマイクロホン。   The condenser microphone according to claim 2, wherein the contact member is made of an elastic material that cushions a collision of the back electrode or the contact spring. 前記当接部材は、前記回路基板上において前記集積回路を周囲から囲む枠体状であることを特徴とする請求項2又は3に記載のコンデンサマイクロホン。   4. The condenser microphone according to claim 2, wherein the contact member has a frame shape surrounding the integrated circuit from the periphery on the circuit board. 前記当接部材は、前記回路基板上に実装されているチップ部品であることを特徴とする請求項2に記載のコンデンサマイクロホン。   The condenser microphone according to claim 2, wherein the contact member is a chip component mounted on the circuit board.
JP2009041395A 2009-02-24 2009-02-24 Condenser microphone Pending JP2010199889A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009041395A JP2010199889A (en) 2009-02-24 2009-02-24 Condenser microphone

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009041395A JP2010199889A (en) 2009-02-24 2009-02-24 Condenser microphone

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010199889A true JP2010199889A (en) 2010-09-09

Family

ID=42824160

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009041395A Pending JP2010199889A (en) 2009-02-24 2009-02-24 Condenser microphone

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010199889A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015204380A (en) * 2014-04-14 2015-11-16 日本メクトロン株式会社 Printed wiring board and printed circuit manufacturing method
CN116996806A (en) * 2023-09-26 2023-11-03 苏州墨觉智能电子有限公司 Bone conduction earphone

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015204380A (en) * 2014-04-14 2015-11-16 日本メクトロン株式会社 Printed wiring board and printed circuit manufacturing method
CN116996806A (en) * 2023-09-26 2023-11-03 苏州墨觉智能电子有限公司 Bone conduction earphone

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102088653B (en) microphone
JP4058642B2 (en) Semiconductor device
JP4947191B2 (en) microphone
US8884712B2 (en) Oscillator
US20090175477A1 (en) Vibration transducer
JP5247461B2 (en) Three-dimensional electronic circuit device
CN111050259B (en) Microphone packaging structure and electronic device
CN101764591B (en) Surface mount crystal oscillator
JPWO2018003283A1 (en) Elastic wave device and electronic component
JP4947238B2 (en) microphone
KR20080017257A (en) Condenser microphone
JP4655017B2 (en) Acoustic sensor
JP2008271424A (en) Acoustic sensor
JP4741385B2 (en) Structure
JP2010199889A (en) Condenser microphone
US20150156575A1 (en) Microphone package and method of manufacturing the same
JP2008141409A (en) Condenser microphone and manufacturing method therefor
CN112911490A (en) Sensor packaging structure, manufacturing method thereof and electronic equipment
JP2008028946A (en) Condenser microphone
JP5540846B2 (en) Piezoelectric oscillator
US12205857B2 (en) Electronic component with metallic cap
JP5049571B2 (en) Capacitor microphone manufacturing method and capacitor microphone
JP2011182017A (en) Module
JP5299492B2 (en) Semiconductor device
JP2012049874A (en) Mounting structure of surface-mounted piezoelectric oscillator

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120208

A072 Dismissal of procedure

Effective date: 20130618

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A073