JP2010199318A - 配線基板及びそれを備えた実装構造体 - Google Patents

Abstract

【課題】配線基板における電力供給線や信号線などの配線部の接続信頼性を向上させる。
【解決手段】本発明の一実施形態にかかる配線基板３は、ランド部７０と、ランド部７０の側部に接続された直線部７２を具備するライン部７１と、を有する導電層７と、ランド部７０上で導電層７に接続された導体８と、を備える。ランド部７０と導体８との接続部８０の平面形状は、直線部７２の幅方向に沿った長手方向を有する縦長形状である。ランド部７０と導体８との接続部８０の平面形状は、少なくとも一部が、直線部７２をランド部７０に向けて延出させてなる仮想領域Ｒａ内に位置する。本発明の一実施形態にかかる実装構造体１は、配線基板３に搭載された電子部品２を備える。
【選択図】図３

Description

本発明は、電子機器（たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器及びその周辺機器）等に使用される配線基板及び実装構造体に関するものである。

従来、電子機器における実装構造体としては、配線基板に電子部品を実装したものが使用されている。

図９に示したように、配線基板９としては、絶縁層９０を介して厚み方向に離間した複数の導電層９１の間を、平面方向に離間した複数のビア導体９２によって電気的に接続したものがある。導電層９１及びビア導体９２は、配線基板９において、電力供給線及び信号線を構成している。

ここで、１つの導電層９１（表層に位置する導電層９１′以外）に着目した場合、導電層９１には上面９３及び下面９４のそれぞれにビア導体９２が接続されている。電流は、一例において、図中に矢印で示したようにビア導体９２（厚み方向）、導電層９１（平面方向）及びビア導体９２（厚み方向）の順に流れる。この際、電流は導体領域において最短距離を流れるため、ビア導体９２と導電層９１との接続部では、一部分９５（図中で円で囲った部分）に電流が集中して電流密度に偏りが生じる。そのため、電流が集中する部分においては、電子と金属原子との衝突により、ビア導体９２に含まれる金属原子が移動することがある。この現象は、エレクトロマイグレーションと称されものであるが、エレクトロマイグレーションの発生によってビア導体９２と導電層９１との接続部の一部分９５（電流が集中する部分）における金属密度が低下する。その結果、ビア導体９２と導電層９１との接続部においてクラックが生じ、配線基板９の信頼性が低下することがある。

エレクトロマイグレーションは、主として電力供給線において生じるが、今後、信号線が微細化されていった場合には、信号線においても生じる可能性が高まってくる。

一方、表層に位置する導電層９１′に着目した場合、導電層９１′に１つのビア導体９２′が接続されている。この場合においても、導電層９１′に接続されたビア導体９２′と導電層９１との接続部分では、一部分９５′においてエレクトロマイグレーションが生じ、配線基板９に対する電子部品９６の接続信頼性が低下することがある。

特開平８−１１６１７４号公報

本発明は、配線基板における電力供給線や信号線などの配線部の接続信頼性を向上させることを課題としている。

本発明の一実施形態にかかる配線基板は、ランド部と、該ランド部の側部に接続された直線部を具備するライン部と、を有する導電層と、前記ランド部上で前記導電層に接続された導体と、を備える。前記ランド部と前記導体との接続部の平面形状は、前記直線部の幅方向に沿った長手方向を有する縦長形状である。前記ランド部と前記導体との接続部の平面形状は、少なくとも一部が、前記直線部を前記ランド部に向けて延出させてなる仮想領域内に位置する。

本発明の一実施形態にかかる実装構造体は、前記配線基板に搭載された電子部品を備える。前記電子部品は、前記導電層及び前記導体と電気的に接続されている。

前記導電層のランド部と前記導体との接続部の平面形状は、前記ライン部の直線部の幅方向に沿った長手方向を有する縦長形状であり、少なくとも一部が、前記直線部を前記ランド部に向けて延出させてなる仮想領域内に位置する。そのため、前記ランド部と前記導体との接続部における電流を分散させることにより、前記配線基板において、前記ランド部と前記導体との間の接続信頼性を向上させることが可能となる。

本発明の一実施形態に係る実装構造体の断面図である。 図１に示した実装構造体の要部（実線で囲んだ領域）を拡大して示した断面図である。 ビア導体及び導電層を示す部分斜視図である。 導電層の平面図である。 図３のV−V線に沿う断面図である。 図６（ａ）から図６（ｅ）は、導電層の他の例を示す平面図である。 図７（ａ）から図７（ｄ）は、電流密度の演算対象となるビア導体と導電層との接続部を説明するための平面図及び電流密度のシミュレーション結果を示すグラフである。 シミュレーション時の電流の経路を説明するためのものであり、図７（ｄ）に示した例の断面図である。 従来の実装構造体の一例における要部を示す断面図である。

以下に、本発明の一実施形態に係る配線基板及び実装構造体について、図面に基づいて詳細に説明する。

図１に示した実装構造体１は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置又はその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体１は、電子部品２及び配線基板３を含んでいる。

電子部品２は、たとえばＩＣ又はＬＳＩ等の半導体素子であり、配線基板３に半田等の導電バンプ４を介してフリップチップ実装されている。電子部品２は、母材が、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等の半導体材料により形成されている。電子部品２としては、例えば厚みが０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下のものを使用することができる。

配線基板３は、コア基板５及び一対の配線層６を含んでいる。

コア基板５は、配線基板３の強度を維持しつつ一対の配線層６間の導通を図るものであり、厚み寸法が例えば０．３ｍｍ以上１．５ｍｍ以下に形成されている。このコア基板５は、絶縁基体５０、スルーホール５１、スルーホール導体５２、及び絶縁体５３を含んでいる。

絶縁基体５０は、コア基板５の主要部をなすものである。この絶縁基体５０は、たとえば強化基材に熱硬化性樹脂を含浸させた複数のシートを積層し、熱硬化性樹脂を、例えば熱プレスによって硬化させることによって作製することができる。

強化基材は、例えばガラス繊維又は樹脂繊維を平織りしたものを使用することができる。樹脂繊維としては、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂又は全芳香族ポリアミド樹脂により形成されたものを使用することができる。

熱硬化性樹脂としては、たとえばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂又はシアネート樹脂を使用することができる。

絶縁基体５０は、強化基材を用いずに低熱膨張樹脂から作製することもできる。この場合の絶縁基体５０は、低熱膨張樹脂のみから作製してもよいし、低熱膨張樹脂から成る複数のシートを、接着性樹脂を介して積層することによって作製してもよい。

絶縁基体５０のための低熱膨張樹脂としては、例えばポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂又は液晶ポリマー樹脂等を用いることができる。なかでもポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂を使用することが望ましい。ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂は、熱膨張率が−５ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下と小さい。このような低熱膨張樹脂を使用すれば、コア基板５自体の熱膨張を抑制することができる。なお、熱膨張率は、ＩＳＯ１１３５９‐２：１９９９に準ずる。

スルーホール５１は、スルーホール導体５２が形成される部分であり、コア基板５を厚み方向（Ｚ方向）に貫通している。スルーホール５１は、例えば直径が０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下の円柱状に形成されている。このようなスルーホール５１は、従来周知のドリル加工などによって形成することができる。

スルーホール導体５２は、コア基板５の上下の配線層６を電気的に接続するものであり、スルーホール５１の内面に沿って形成されている。このスルーホール導体５２は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロムの導電材料から成る。スルーホール導体５２は、スルーホール５１の内面に対して電解めっき等を行うことによって形成することができる。

絶縁体５３は、スルーホール導体５２によって囲まれる残存空間を埋めるためのものである。この絶縁体５３は、残存空間に樹脂材料を充填した後に樹脂材料を固化させることにより形成することができる。絶縁体５３のための樹脂材料としては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂を使用することができる。コア基板５に絶縁体５３を形成することによって、絶縁体５３の直上直下に後述するビア導体８を形成することができる。そのため、スルーホール導体５２から引き回す配線の距離を短くすることができるため、配線基板３の小型化を実現することができる。

一対の配線層６は、コア基板５の両面に積層されたものであり、複数の絶縁層６０、複数の導電層７、及び複数のビア導体８を含んでいる。導電層７及びビア導体８は、互いに電気的に接続されており、配線部を構成している。この配線部は、電力供給用配線または信号用配線を含んでいる。

絶縁層６０は、配線層６において、配線部以外の部分の絶縁性を確保するためのものであり、貫通孔６１を有している。貫通孔６１は、ビア導体８が形成される部分である。この貫通孔６１は、例えばＹＡＧレーザー装置、ＣＯ_２レーザー装置又はエキシマレーザー装置を用いて、絶縁層６０に対して垂直にレーザー光を照射することによって形成することができる。レーザー光の出力は、例えば１．０×１０^−３Ｊ以上５．０×１０^−１Ｊ以下のエネルギーに設定される。レーザー光の照射時間は、例えば１．０×１０^−３秒以上１．０秒以下とされる。このような手法によれば、レーザー光が絶縁層６０の上面から垂直に照射されることから、上部よりも下部が幅狭な貫通孔６１が形成される。

貫通孔６１の形成後は、貫通孔６１の内面に付着した焼き残りを除去するためのデスミア処理を行なってもよい。このデスミア処理は、例えばプラズマ処理あるいはエッチング処理により行なうことができる。プラズマ処理は、例えばアルゴンガス又は酸素ガス雰囲気下において、マイクロ波を用いて処理することにより行なうことができる。エッチング処理は、エッチング液を用いたウエットエッチングを採用することができる。エッチング液としては、例えば蒸留水１リットルに対して、過マンガン酸２０ｇ以上４０ｇ以下、水酸化ナトリウム３５ｇ以上４５ｇ以下を加えた過マンガン酸水溶液を用いることができる。エッチング液は、３０℃以上４０℃以下に温めた状態で使用するのが好ましく、その場合のエッチング時間は、例えば２分以上４分以下とされる。

絶縁層６０は、電子部品２と熱膨張率が近い材料により形成するのが好ましく、乾燥後の厚みが例えば１μｍ以上１５μｍ以下となるように形成されている。絶縁層６０は、例えば熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂により形成され、その熱膨張率は、例えば１５ｐｐｍ／℃以上８０ｐｐｍ／℃以下に設定される。

絶縁層６０のための熱硬化性樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、シリコン樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂を使用することができる。

絶縁層６０のための熱可塑性樹脂は、電子部品２との熱膨張率が近いことに加えて、半田リフロー時の加熱に耐える耐熱性を有する必要がある。そのため、絶縁層６０のための熱可塑性樹脂は、軟化温度が２００℃以上であることが望ましく、例えばポリエーテルケトン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂又はポリフェニレンエーテル樹脂等を使用することができる。

絶縁層６０は、フィラーを含有していても構わない。絶縁層６０にフィラーを含有させることによって、絶縁層６０の硬化前の粘度を調整することができるため、絶縁層６０の厚み寸法の精度を向上させることが可能となる。フィラーとしては、例えば直径が０．０５μｍ以上６μｍ以下の球状のものを使用することができる。フィラーを形成するための材料としては、熱膨張率が−５ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下のもの、例えば酸化珪素（シリカ）、炭化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム又は水酸化アルミニウムを用いることができる。

複数の導電層７は、後述するビア導体８とともに配線部を構成するものであり、図２に示したように厚み方向に互いに分離されている。この導電層７は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の金属材料からなり、ランド部７０及びライン部７１を含んでいる。

図２及び図３に示したように、ランド部７０は、それぞれ異なるビア導体８が接続される部分であり、平面方向に互いに離間して配置されている。これらのランド部７０の平面形状は、該接続部８０の平面形状よりも大きい。このため、ビア導体８を形成する際に、ランド部７０とビア導体８との位置合わせ精度を高め、導電層７とビア導体８との接続部分の接続信頼性を向上させることができる。

図３及び図４に示したように、ライン部７１は、ランド部７０の側部に接続される直線部７２を具備しており、２つのランド部７０を相互に接続するものである。

このような導電層７は、従来周知の成膜法によって導体膜を形成した後にパターンニングすることによって所望の形状に形成される。成膜法としては、例えば蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法を採用することができる。パターニングは、例えばフォトリソグラフィ法により行なうことができる。

図２に示したように、ビア導体８は、厚み方向に離間した導電層７同士を相互に接続するものであり、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロムの導電材料により柱状に形成されている。ビア導体８は、上面が下面よりも大きなテーパ状に形成されており、上述のようにランド部７０において導電層７に接続されている。

図２に示したように、絶縁層６０の最上層に形成されたビア導体８′は、外部接続用端子として機能するものであり、電子部品２のパッド２０とバンプ４を介して接続される部分である。

このようなビア導体８は、無電界めっき等によって貫通孔６１の表面にめっき膜を被着させることにより形成することができる。

図３及び図４に示したように、本実施形態の実装構造体１によれば、配線基板３において、ランド部７０とビア導体８との接続部８０の平面形状は、直線部７２の幅方向（Ｙ方向）に沿った長手方向を有する縦長形状であり、少なくとも一部が、直線部７２をランド部７０に向けて延出させてなる仮想領域Ｒａ内に位置する。このように、接続部８０の平面形状が前記幅方向に伸長されることにより、直線部７２、仮想領域Ｒａ及びビア導体８を流れる電流が、ランド部７０とビア導体８との接続部８０において、前記長手方向に沿って分散され、エレクトロマイグレーションの発生を抑制することができる。その結果、接続部８０におけるクラックの発生を抑制することが可能となるため、配線基板３において、導電層７とビア導体８との接続部分の接続信頼性を向上させることが可能となる。また、接続部８０の平面形状は、前記幅方向よりも仮想領域Ｒａの延出方向（Ｘ方向）の長さが短く形成されることにより、前記延出方向において、導電層７を縮小させることができる。その結果、配線基板３において、配線の微細化が可能となる。

接続部８０の平面形状は、直線部７２の幅方向に沿った１対の第１長辺８１、８２を有し、該１対の第１長辺８１、８２のうち、直線部７２に近い第１長辺８１が、直線部７２に向かって突出する複数の凸部８３を有する。この構成では、電流が各凸部８３それぞれに分散されるため、接続部８０における電流をより分散させることができる。なお、隣接する凸部８３同士の間は、凹部８４が形成される。

接続部８０の平面形状は、凹部８４が、凸部８３よりも仮想領域Ｒａの中央の近くに位置する。この構成では、従来において電流の集中しやすかった前記中央を避けて凸部８３が形成されているため、接続部８０における電流をより分散させることができる。

図４及び図５に示したように、ランド部７０は、ビア導体８との接続部８０に対応した第１領域Ｒｂが導電層７の厚み方向（Ｚ方向）に窪んでなる窪み部７３を有し、窪み部７３は、凹部８４に対応した第２領域Ｒｃの深さが、他の第３領域Ｒｄよりも大きくなるように設定されており、ビア導体８の一部が、窪み部７３内に充填されている。この構成では、凹部８４に対応した第２領域Ｒｃにおいて、ビア導体８の一部がランド部７０に向かって突出していることにより、ランド部７０とビア導体８との接着性を高め、導電層７とビア導体８との接続信頼性をより向上させることができる。なお、凹部８４に対応した第２領域Ｒｃの深さは、他の第３領域Ｒｄの深さの１．５倍以上２倍以下に設定されていることが望ましい。

図４及び図５に示したように、本実施形態の実装構造体１によれば、配線基板３において、ビア導体８は、ランド部７０との接続部８０の平面形状が、直線部７２の幅方向に２つの円を一部が重なるように配置した形状である。

このようなビア導体８は、例えば、ＹＡＧレーザー装置又はＣＯ_２レーザー装置を用いて、絶縁層６０に対して、直線部７２の幅方向に沿った一部が重なる２箇所にレーザー光を照射して、ランド部７０が露出した貫通孔６１を形成し、該貫通孔６１にめっき膜を被着させることにより形成される。ここで、貫通孔６１を形成する際、レーザー光の照射により、ランド部７０に窪み部７３が形成される。さらに、レーザー光の照射領域の一部が重なるように、レーザー光を２箇所に対して照射するため、重畳領域である第２領域Ｒｃがその他の領域である第３領域Ｒｄより深く形成される。また、第２領域Ｒｃは、第３領域Ｒｄよりもレーザー光が長時間照射されるため、絶縁層６０由来の樹脂の残滓が良好に除去される。その結果、樹脂の残滓の少ない第２領域Ｒｃにめっき膜を被着させることにより、ランド部７０とビア導体８との接着性を高めることができる。

接続部８０の平面形状は、仮想領域Ｒａ内に含まれる。すなわち、接続部８０の平面形状の全てが、仮想領域Ｒａ内に位置する。この構成では、接続部８０における電流を、接続部８０の長手方向全体により分散させることができる。

仮想領域Ｒａの幅方向における両端は、ランド部７０の両端に接する。この構成では、導電層７の幅の増大を抑制しつつ、接続部８０における電流を、接続部８０の長手方向全体により分散させることができる。

接続部８０の平面形状である縦長形状は、横方向（Ｘ方向）の大きさが、縦方向（Ｙ方向）の大きさの２０％以上５０％以下に設定されていることが望ましい。

なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。

例えば、ランド部の平面形状は円形状であるとは限らず、ビア導体との接続部の平面形状と相似の形状でもよい。

また、ランド部の窪み部は、凹部に対応した領域の深さが他の領域よりも大きく設定されているとは限らず、窪み部全体が同じ深さに設定されていてもよい。

また、ビア導体とランド部との接続部の平面形状は、直線部の幅方向に２つの円を一部が重なるように配置した形状とは限らず、図６（ａ）から図６（ｄ）に示した形態であってもよい。

また、ライン部は、２つのランド部間に渡って直線状とは限らず、少なくともランド部の側部に接続される直線部を有していればよい。

また、ライン部の幅は、ランド部の幅と等しいとは限らず、図６（ｅ）に示した形態であってもよい。

ここで、図６（ａ）から図６（ｅ）に示した形態について説明する。

図６（ａ）から図６（ｄ）に示した接続部８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃ、８０Ｄは、平面形状が先に説明した配線基板３における接続部８０（図１から図５参照）とは異なっている。

図６（ａ）に示した接続部８０Ａの平面形状は、直線部７２Ａの幅方向に３つの円を一部が重なるように配置した形状となっている。このような接続部８０Ａでは、長手方向の長さを容易に長くすることが可能となる。その結果、接続部８０Ａにおける電流をより分散させることができる。このような形状の接続部８０Ａは、例えば、ＹＡＧレーザー装置又はＣＯ_２レーザー装置を用いて、絶縁層に対して直線部７２Ａの幅方向に沿った一部が重なる３箇所にレーザー光を照射して貫通孔を形成し、該貫通孔にめっき膜を被着させることにより、形成することができる。

図６（ｂ）に示した接続部８０Ｂの平面形状は、直線部７２Ｂの幅方向に沿った長辺を有する長方形状となっている。このような接続部８０Ｂでは、直線部７２Ｂに近い第１長辺８１Ｂが、長手方向に平行な直線である。その結果、第１第１長辺８１Ｂ内で電流をより均等に分散させることができ、接続部８０Ｂにおける電流をより分散させることができる。なお、長方形状の角部は、丸みを帯びていることが望ましい。その結果、角部における熱応力の集中を分散させることができ、導電層とビア導体との接続信頼性をより向上させることができる。

図６（ｃ）に示した接続部８０Ｃの平面形状は、直線部７２Ｃの幅方向に沿った一対の第１長辺８１Ｃ、８２Ｃを有する四角形状であり、直線部７２Ｃに近い第１長辺８１Ｃが、直線部７２Ｃから遠い第２長辺８２Ｃよりも長く形成されている。このような接続部８０Ｃでは、第１長辺８１Ｃで電流をより分散させるとともに、ランド部７０Ｃの長辺８５Ｃ側を小さく形成することができる。なお、四角形状の角部は、丸みを帯びており、曲率半径が２μｍ以上１０μｍ以下に設定されていることが望ましい。

図６（ｄ）に示した接続部８０Ｄの平面形状は、直線部７２Ｄの幅方向に沿った長径を有する楕円形状となっている。

図６（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示した接続部８０Ｂ、８０Ｃ、８０Ｄは、例えば、エキシマレーザー装置を用いて、絶縁層に所望の形状の貫通孔を形成し、貫通孔にめっき膜を被着させることにより、形成することができる。また、図６（ｄ）に示した接続部８０Ｄは、ＹＡＧレーザー装置又はＣＯ_２レーザー装置又を用いて、アパーチャにより形状が楕円形状に調整されたレーザー光を照射することにより、容易に形成することができる。

図６（ｅ）に示したライン部７１Ｅは、先に説明した配線基板３におけるライン部７１（図１から図５参照）とは異なっている。

図６（ｅ）に示した直線部７２Ｅを含むライン部７１Ｅは、その幅がランド部７０Ｅの幅より小さい形状となっている。このようなライン部７１Ｅでは、配線の微細化が可能となる。なお、図６（ｅ）に示した仮想領域Ｒａは、直線部７２Ｅの長手方向に平行であって直線部７２Ｅの両端部に接する仮想直線Ｌａ、Ｌｂにより囲まれた領域である。

本実施例では、ビア導体とランド部との接続部の形状が該接続部の電流密度に与える影響を検討した。

電流密度は、図７（ａ）から図７（ｄ）に示した形態の接続部８０Ａ′、８０Ｂ′、８０Ｃ′、８０Ｄ′について、それぞれシミュレーションにより演算した。

図７（ａ）に示したビア導体８Ａ′は、ランド部７０Ａ′との接続部８０Ａ′の平面形状を、直線部７２Ａ′の幅方向に２つの円を一部が重なるように配置した形状に形成したものである。接続部８０Ａ′の平面形状は、直線部７２の幅方向に沿った長さが８８μｍであり、前記円の直径が４８μｍである。また、導電層７Ａ′は、ランド部７０Ａ′の直径及び直線部７２Ａ′の幅が、１２０μｍである。

図７（ｂ）に示したビア導体８Ｂ′は、ランド部７０Ｂ′との接続部８０Ｂ′の平面形状を、直線部７２の幅方向に沿った第１長辺８１Ｂ′を有する長方形状に形成したものである。接続部８０Ｂ′の平面形状は、第１長辺８１Ｂ′が８８μｍであり、短辺が４８μｍである。また、導電層７Ｂ′における各部の寸法は、図７（ａ）に示した導電層７Ａ′と同様である。

図７（ｃ）に示したビア導体８Ｃ′は、ランド部７０Ｃ′との接続部８０Ｃ′の平面形状を、直線部７２の幅方向に沿った長径を有する楕円形状に形成したものである。接続部８０Ｃ′の平面形状は、長径が８８μｍであり、短径が４８μｍである。また、導電層７Ｃ′における各部の寸法は、図７（ａ）に示した導電層７Ａ′と同様である。

図７（ｄ）に示したビア導体８Ｄ′は、ランド部７０Ｄ′との接続部８０Ｄ′の平面形状を、円形状に形成したものである。接続部８０Ｄ′の平面形状は、直径が４８μｍである。また、導電層７Ｂ′における各部の寸法は、図７（Ｄ）に示した導電層７Ｄ′と同様である。このビア導体８Ｄ′は、従来のビア導体に相当するものである。

電流密度は、図８に示したように、ランド部７０Ｄ′から他のランド部７０Ｄ′に向けて１Ａの直流電流を流した仮定して、ビア導体８Ｄ′の底部と導電層７Ｄ′のランド部７０Ｄ′との接続部８０Ｄ′の平面形状における周縁のものとして演算した。なお、接続部８０Ａ′、８０Ｂ′、８０Ｃ′についても接続部８０Ｄ′と同様に演算した。電流密度の演算は、「Ａｎｓｏｆｔ Ｑ３Ｄ Ｅｘｔｒａｃｔｏｒ」という市販のソフトを用いて行い、その結果については図７（ａ）から図７（ｄ）に示した。これらの図においては、接続部８０Ａ′、８０Ｂ′、８０Ｃ′、８０Ｄ′の周縁における基準点Ｐからの長さＬをそれぞれ横軸として電流密度の演算結果を縦軸として示した。

図７（ａ）から図７（ｄ）に示したように、図７（ａ）から図７（ｃ）に示した形態のビア導体８Ａ′、８Ｂ′、８Ｃ′（接続部の平面形状が直線部の幅方向に沿った長手方向を有する形態）では、比較的に広範囲にわたって電流密度の高い部分が広がっている。これに対して、図７（ｄ）に示した形態のビア導体８Ｄ′（接続部の平面形状が円形状である従来の形態）では、基準点Ｐの反対側の近傍に電流が集中している。

また、図７（ａ）から図７（ｃ）に示した形態のビア導体８Ａ′、８Ｂ′、８Ｃ′に関して演算された電流密度の最大値は、図７（ｄ）に示した形態のビア導体８Ｄ′に関して演算された電流密度よりも小さくなった。

このように、ビア導体とランド部との接続部の平面形状が直線部の幅方向に沿った長手方向を有する形態では、ランド部とビア導体との接続部において、一箇所に電流が集中することを抑制することができる。

また、図７（ａ）に示したように、ビア導体８Ａ′（接続部の平面形状が直線部の幅方向に２つの円を一部が重なるように配置した形状である形態）では、電流密度の高い部分が２つに分離しており、図７（ａ）に示した形態のビア導体８Ａ′に関して演算された電流密度の最大値は、図７（ｃ）に示した形態のビア導体８Ｃ′（接続部の平面形状が直線部の幅方向に沿った長径を有する楕円形状である形態）に関して演算された電流密度よりもさらに小さくなった。

これは、図７（ａ）においては、接続部８０Ａ′の平面形状は長手方向における両端それぞれに凸部８３Ａ′が形成されていることから、接続部８０Ａ′における電流を各凸部８３Ａ′それぞれに分散させることができるためである。

また、図７（ｂ）に示したように、ビア導体８Ｂ′（接続部の平面形状が直線部の幅方向に沿った長辺を有する長方形状である形態）では、電流密度の高い部分において、電流の集中する箇所が一定の範囲に分散されており、図７（ｂ）に示した形態のビア導体８Ｂ′に関して演算された電流密度の最大値は、図７（ｃ）に示した形態のビア導体８Ｃ′に関して演算された電流密度よりもさらに小さくなった。

これは、図７（ｂ）においては、接続部８０Ｂ′の平面形状は第１長辺８１Ｂ′が長手方向に平行な直線であることから、接続部８０Ｂ′における電流を第１長辺８１Ｂ′により均一に分散させることができるためである。

１ 実装構造体
２ 電子部品
２０ パッド
３ 配線基板
４ 導電バンプ
５ コア基板
５０ 絶縁基体
５１ スルーホール
５２ スルーホール導体
５３ 絶縁体
６ 配線層
６０ 絶縁層
６１ 貫通孔
７ 導電層
７０ ランド部
７１ ライン部
７２ 直線部
７３ 窪み部
８ ビア導体
８０ 接続部
８１ 第１長辺
８２ 第２長辺
８３ 凸部
８４ 凹部
８５ 突出部
Ｒａ 仮想領域
Ｒｂ 第１領域
Ｒｃ 第２領域
Ｒｄ 第３領域

Claims (7)

1. ランド部と、該ランド部の側部に接続された直線部を具備するライン部と、を有する導電層と、
   前記ランド部上で前記導電層に接続された導体と、
   を備え、
   前記ランド部と前記導体との接続部の平面形状は、前記直線部の幅方向に沿った長手方向を有する縦長形状であり、少なくとも一部が、前記直線部を前記ランド部に向けて延出させてなる仮想領域内に位置することを特徴とする配線基板。
2. 請求項１に記載の配線基板において、
   前記ランド部と前記導体との接続部の平面形状は、前記直線部の幅方向に沿った１対の長辺を有し、該１対の長辺のうち、前記直線部に近い長辺が、前記直線部に向かって突出する複数の凸部を有することを特徴とする配線基板。
3. 請求項２に記載の配線基板において、
   前記ランド部と前記導体との接続部の平面形状は、前記直線部に近い長辺が、隣接する前記凸部同士の間に凹部を有することを特徴とする配線基板。
4. 請求項３に記載の配線基板において、
   前記ランド部と前記導体との接続部の平面形状は、前記凹部が、前記凸部よりも前記仮想領域の中央の近くに位置することを特徴とする配線基板。
5. 請求項３に記載の配線基板において、
   前記ランド部は、前記導体との接続部に対応した領域が前記導電層の厚み方向に窪んでなる窪み部を有し、
   前記窪み部は、前記凹部に対応した領域の深さが、他の領域よりも大きくなるように設定されており、
   前記導体の一部が、前記窪み部内に充填されていることを特徴とする配線基板。
6. 請求項１に記載の配線基板において、
   前記ランド部と前記導体との接続部の平面形状は、前記仮想領域内に含まれることを特徴とする配線基板。
7. 請求項１に記載の配線基板と、
   前記配線基板に搭載され、前記導電層及び前記導体に電気的に接続された電子部品と、
   を備えたことを特徴とする実装構造体。
   

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