JP2010034260A - 配線基板及びその製造方法、並びに実装構造体 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、電気的信頼性の優れた配線基板及びその製造方法、並びに実装構造体を提供することを目的とする。
【解決手段】同種の樹脂材料からなる一層の絶縁層７と、絶縁層７に埋設されており、上部よりも下部が幅狭な第１導体部１０ａと、第１導体部１０ａの直下に形成され、第１導体部１０ａと接続されるとともに、下端幅が第１導体部１０ａの幅よりも幅広な第２導体部１０ｂとから成るビア導体１０を備えたことを特徴とする配線基板。
【選択図】図２

Description

本発明は、各種オーディオビジュアル機器や家電機器、通信機器、コンピュータ機器又はその周辺機器などの電子機器に使用される配線基板に関するものである。

従来より、ＩＣ（Integrated Circuit）又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等の半導体素子を実装することが可能な配線基板が知られている。

近年では、電子機器の小型化を目的として、配線基板の表裏により微細な配線層を形成したビルドアップ配線基板が普及している。（下記特許文献１参照）。かかる特許文献１に記載の技術では、上下位置の異なる配線層同士を接続するために、配線層同士の間にビア導体を介して配線層同士を接続している。しかしながら、かかるビア導体は、一端から他端に向けて幅狭となっており、幅狭となったビア導体の端部と配線層との接触面積が小さく、両者が剥離する虞がある。
特開２００７−２９４７０８号公報

本発明は、電気的信頼性の優れた配線基板及びその製造方法、並びに実装構造体を提供することを目的とする。

本発明の一実施形態に係る配線基板は、同種の樹脂材料からなる一層の絶縁層と、前記絶縁層に埋設されており、上部よりも下部が幅狭な第１導体部と、前記第１導体部の直下に形成され、前記第１導体部と接続されるとともに、下端幅が前記第１導体部の幅よりも幅広な第２導体部とから成るビア導体、を備えている。

また、本発明の一実施形態に係る配線基板は、前記第２導体部は、上部から下部に向けて幅広に形成されている。

また、本発明の一実施形態に係る配線基板は、前記第２導体部の下端幅は、前記絶縁層の上面の高さ位置における前記第１導体部の幅よりも幅広である。

また、本発明の一実施形態に係る配線基板は、前記第２導体部の側面は、湾曲している。

また、本発明の一実施形態に係る実装構造体は、前記配線基板と、前記配線基板にフリップチップ実装される半導体素子とを備えている。

また、本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法は、絶縁層及び導電層を積層した基板を準備する工程と、前記基板を減圧雰囲気中に設け、前記絶縁層の表面を押圧する圧力を小さくし前記絶縁層の熱分解温度を下げる工程と、前記導電層の直上に位置する前記絶縁層の一部に対し減圧雰囲気中にてレーザー光を照射し、前記絶縁層に前記導電層の一部を露出する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に露出する前記導電層の一部と接するビア導体を形成する工程と、を備えている。

また、本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法は、前記貫通孔を形成した後であって、前記ビア導体を形成する前に、前記貫通孔内における前記導電層と接する前記絶縁層の下端をエッチングして、前記導電層の露出する領域を広くする工程と、を備えている。

また、本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法は、前記貫通孔に露出する前記導電層の一部の表面に沿ってエッチング液を流入させ、前記貫通孔における前記導電層と接する前記絶縁層の下端をエッチングする。

また、本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法は、前記レーザー光はｆθレンズを通過して、前記絶縁層の上面に対して垂直に入射して、前記導電層の直上に位置する前記絶縁層の一部を取り除く。

また、本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法は、前記減圧雰囲気とは、０．８×１０^５Ｐａ以下の気圧である。

また、本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法は、前記導電層の直上に位置する前記絶縁層の一部に照射するレーザー光は、０．２μＪ以上３００μＪ以下の出力である。

本発明は、電気的信頼性の優れた配線基板及びその製造方法、並びに実装構造体を提供することができる。

以下に、本発明の一実施形態に係る配線基板を含む実装構造体を図面に基づいて詳細に説明する。図１は、実装構造体の平面図であって、図２は、実装構造体の断面図である。図３は、絶縁層に埋設されたビア導体の拡大断面図である。

実装構造体１は、配線基板２と、配線基板２に半田から成るバンプ３を介してフリップチップ実装された、ＩＣ又はＬＳＩ等の半導体素子４と、を含んで構成されている。

配線基板２は、コア基板５と、コア基板５の一主面及び他主面に交互に積層される導電層６と、絶縁層７と、を含んで構成されている。かかるコア基板５は、例えばガラス繊維、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂等を縦横に織り込んだ基材に、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂又はシアネート樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させて固化することによって作製される。

また、コア基板５は基材を用いずに低熱膨張樹脂から作製することもできる。低熱膨張樹脂としては、例えばポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂又は液晶ポリマー樹脂等を用いることができる。なかでもポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂を使用することが望ましい。ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂は、熱膨張率が−５ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下と小さい。このような低熱膨張樹脂を使用することによって、コア基板５自体の熱膨張を抑制することができる。その結果、コア基板５を半導体素子４の熱膨張に近づけることができ、両者の熱膨張の差が小さいため、コア基板５が熱膨張を起こしても、両者の接続を良好に維持することができる。なお、熱膨張率は、ＪＩＳＫ７１９７に準ずる。

コア基板５には、上下方向に貫通するスルーホールＳと、スルーホールＳの内壁面に沿って形成されるスルーホール導体８と、スルーホール導体８によって囲まれる領域に充填される絶縁体９が形成されている。スルーホール導体８は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料から成る。また、絶縁体９は、スルーホールＳによって囲まれる残存空間を埋めるためのものである。絶縁体９は、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂から成る。絶縁体９がスルーホールＳによって囲まれる残存空間を埋めることによって、絶縁体９の直上直下に後述するビア導体１０を形成することができ、スルーホール導体８から導電層６まで引き回す配線の距離を短くすることができ、配線基板２の小型化を実現することができる。また、配線の距離を短くすることによって、配線抵抗を小さくすることができ、消費電力を低減することができる。

導電層６及び絶縁層７について説明する。導電層６は、所定の電気信号を伝達する機能を備えたライン状の信号線路６ａと、実装素子４を共通の電位、例えばアース電位にする機能を備えた平板状のグランド層６ｂとを含んでいる。また、信号線路６ａは、グランド層６ｂに対して、絶縁層７を介して対向するように配置されている。また、導電層６は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の金属材料からなる。

絶縁層７は、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂等が使用される。かかる熱硬化性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、シリコン樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂等を使用することができる。熱可塑性樹脂としては、半田リフロー時の加熱に耐える耐熱性を有する必要があることから、構成する材料の軟化温度が２００℃以上であることが望ましく、例えば、液晶ポリマーを使用することができる。なお、絶縁層７は、乾燥後の厚みが例えば１μｍ以上１５μｍ以下となるように設定されている。

また、絶縁層７には、多数のフィラーが含有されていても構わない。絶縁層７にフィラーが含有されていることによって、絶縁層７の硬化前の粘度を調整することができ、絶縁層７の厚み寸法を所望の値に近づけることができる。フィラーは球状であって、フィラーの径は例えば０．０５μｍ以上６μｍ以下に設定されており、フィラーの熱膨張率は例えば−５ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下である。なお、フィラーは、例えば酸化珪素（シリカ）、炭化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム又は水酸化アルミニウム等から成る。

図３に示すように、絶縁層７には貫通孔Ｐが形成されており、貫通孔Ｐ内にビア導体１０が形成されている。ビア導体１０は、上下位置の異なる導電層６同士を電気的に接続することができる。ビア導体１０は、上部よりも下部が幅狭な第１導体部１０ａと、第１導体部１０ａの直下に形成され、第１導体部１０ａと接続されるとともに、下端幅が第１導体部１０ａよりも幅広な第２導体部１０ｂとから成る。なお、ビア導体１０は、例えば、銅、銀、金、白金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料から成る。

第１導体部１０ａは、上部から下部に向けて漸次幅狭になるように形成されている。また、第２導体部１０ｂは、上部から下部に向けて幅広に形成されている。そして、第１導体部１０ａと第２導体部１０ｂとの接続箇所が、ビア導体１０において最も幅狭となるように形成されている。そして、ビア導体１０は絶縁層７に埋設されているため、ビア導体１０に対して上下方向に外力が加わり、ビア導体１０が上下方向に移動しようとした場合、第１導体部１０ａと第２導体部１０ｂとの接続箇所の周囲を被覆する絶縁層７からビア導体１０に対して応力が加わり、ビア導体１０が上下方向に移動するのを抑制することができ、ビア導体１０と導電層６との接続を良好に維持することが出来る。

第２導体部１０ｂは、上部から下部に向けて幅広になるように形成されている。そのため、第２導体部１０ｂと導電層６との接触面積を大きくすることができ、ビア導体１０を導電層６から剥離しにくくすることが出来る。また、第２導体部１０ｂの側面は湾曲して形成されており、絶縁層７とグランド層６ｂとの間の隙間に、第２導体部１０ｂの一部が進入して形成されることで、ビア導体１０とグランド層６ｂとの接続を強固にし、熱サイクルにより両者の接続箇所にクラックが入ることを防止し、電気的信頼性を向上させることができる。

ビア導体１０は、ビア導体１０の上端と下端が幅広に形成されているため、ビア導体１０の上端及び下端の導電層６との接触面積を大きくすることができ、上下位置の異なる導電層６同士とビア導体１０との接着力を大きくすることができる。その結果、ビア導体１０を導電層６から剥離しにくくすることができる。

なお、半導体素子４は、絶縁層７の熱膨張率と近似する材料が使用され、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等を用いることができる。なお、半導体素子４の厚み寸法は、例えば０．１ｍｍから１ｍｍのものを使用することができる。

上述した実施形態に係る配線基板を含む実装構造体によれば、ビア導体の上端及び下端を幅広に形成して、導電層との接触面積を大きくし、ビア導体と導電層との接着力を大きくすることが出来る。その結果、電気的信頼性の優れた配線基板及び実装構造体を提供することが出来る。

次に、上述した実装構造体の製造方法について、図４から図１０を用いて説明する。まず、パリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂から成る基材にポリイミドから成る熱硬化性樹脂を含浸させたシートを複数枚準備し、それらのシートを積層する。そして、積層した積層シートを熱プレスして硬化させてコア基板５を作製することができる。なお、コア基板５の厚みは、例えば０．３ｍｍ以上１．５ｍｍ以下に設定されている。

そして、コア基板５に対して、従来周知のドリル加工を用いて、上下方向を貫通するスルーホールＳを形成する。スルーホールＳは、複数形成され、直径が例えば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下に設定されている。次に、無電界めっき法を用いて、コア基板５の表面にメッキを被着させ、スルーホールＳの内周面にスルーホール導体８を形成する。さらに、スルーホール導体８によって囲まれる領域に、例えば印刷法を用いて、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂等を充填して、絶縁体９を形成する。そして、絶縁体９の直上及び直下を被覆するように、従来周知の蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用いて、絶縁体９の直上及び直下に導電層６を構成する材料を被着させる。さらに、コア基板５の主面に被着しているメッキに対してパターニングを行い、図４（Ａ）に示すように、コア基板５の主面上にグランド層６ｂを形成する。

次に、図４（Ｂ）に示すように、グランド層６ｂ上に、ポリイミド樹脂等を被着させる。そして、例えば加熱プレス機を用いて、加熱・加圧することで、グランド層６ｂ上に絶縁層７を形成する。このようにして、絶縁層７及び導電層６を積層した基板を準備することができる。

次に、準備した基板を減圧雰囲気中に設ける。ここで、基板を減圧雰囲気中に設けることが可能な減圧容器は、レーザー装置Ｌとしてのレーザー光発振機構、レーザー光調質機構及びレーザー光照射位置調整機構を備えている。

レーザー光発振機構は、炭酸ガス等のガス又はＹＡＧ等の固体を発振源として、レーザー光を発振する機構を有している。また、レーザー光調質機構は、発振したレーザー光のエネルギー分布を調整し、レーザー光を細く絞り、レーザー光の波長を変換する機構を有している。また、レーザー光照射位置地要請機構は、ガルバノミラーにより、レーザー光の方向を任意に変更し、所定の位置に照射する機構を有している。

減圧容器には、レーザー光を容器内に導入する窓としてｆθレンズが取り付けられている。ｆθレンズの内側には、配線基板等の被照射物から、レーザー光が照射されることで飛散した飛散物が、ｆθレンズに付着することを防止する機構を有する。この防止機構は透明な樹脂フィルムでｆθレンズをカバーし、定期的に樹脂フィルムを巻き取って新規な樹脂フィルムを出してｆθレンズをカバーする。また、減圧容器内には、配線基板等の被照射物を移動させるためのＸＹテーブルが備えられている。ＸＹテーブルは、配線基板等の被照射物における所定の部分にレーザー光を照射するため、ガルバノミラーと同期して移動する。

このような減圧容器内に基板を配置する。そして、減圧容器内の圧力を０．８×１０^５Ｐａ以下に設定し、基板を減圧雰囲気中に設ける。なお、減圧容器内の圧力は、０．５×１０^５Ｐａ程度でレーザー加工の効果が顕著になり、圧力が低い程、レーザー加工の効果が認められるが、１×１０^２Ｐａ以下では、ＸＹテーブル等の可動部に損傷が発生しやすくなる傾向にある。そのため、容器内の圧力は、０．５×１０^４Ｐａ以上０．５×１０^５Ｐａ以下が適している。

そして、図５に示すように、減圧雰囲気の状態を維持したまま、導電層６の直上に位置する絶縁層７の一部に対してレーザー装置Ｌからレーザー光を照射し、絶縁層７の一部を取り除いて導電層６の一部を露出させる。レーザー光は、ガルバノミラーＭに反射させて、ｆθレンズを介して、基板上に照射される。ガルバノミラーＭは、レーザー光を位置精度良く、基板上に照射させるための機能を有している。ガルバノミラーＭの反射面は、ステップモーター等の駆動機構によって、レーザー光の反射角度を微調整することができる。また、ｆθレンズは、ガルバノミラーＭによって反射されたレーザー光を、基板の表面に対して垂直に入射させる機能を有している。ｆθレンズを介してレーザー光を基板に照射することによって、内壁面が略垂直の貫通孔Ｐｘを形成することができる。なお、図７（Ｂ）に示すように、貫通孔Ｐｘを基板の厚み方向に断面視した場合、貫通孔Ｐｘの内壁面の傾斜角度ＡＮは８０°以上１００°以下に設定されている。

また、レーザー光の出力は、１パルスあたり０．０１μＪ以上３００μＪ以下に設定されている。さらに、レーザー光の出力は、１パルスあたり１００μＪ以下であって、０．２μＪ以上１０μＪ以下であることが好ましい。

また、１秒間に照射されるレーザー光の１パルスあたりの出力を集積して得られるレーザー光の集積出力は、５０Ｗ以下であって、０．１Ｗ以上１０Ｗ以下が好ましい。このように、減圧雰囲気中であるため、レーザー光の出力が小さくても、樹脂材料から成る絶縁層７の熱分解温度を低減させることができ、絶縁層７の一部を十分に除去することができる。そして、導電層６を露出させて貫通孔Ｐｘを形成することができる。

そして、図６に示すように、絶縁層７の別の箇所を除去して、別途導電層６を露出させるために、ガルバノミラーＭの角度を微調整して、レーザー装置Ｌからレーザー光を照射する。その結果、絶縁層７の一部を除去して、別途貫通孔Ｐｘを形成し導電層６を露出させることができる。その結果、過マンガン酸等の薬品で残存する樹脂を溶解除去する工程が削減でき、これらの薬品によってコア基板５が汚染されることを防止できる。このようにして、図７（Ａ）に示すように、絶縁層７に内壁面が略垂直の貫通孔Ｐｘを複数個形成することができる。なお、貫通孔Ｐｘは、図７（Ｂ）に示すように、内壁面が傾斜して上部よりも下部が幅狭な孔となる。

絶縁層７を構成する樹脂材料は、レーザー熱により分解蒸発するが、減圧容器内に基板を配置することで、基板を大気圧中である減圧容器外に配置された場合に比較して、樹脂材料の分解蒸発温度が低下する。仮に、減圧容器外にて、基板にレーザー光を照射すると、レーザー光の照射により加熱された樹脂がコールタール状の炭化物となり、導電層６の表面に堆積することである。この堆積物はエッチングが困難なため、絶縁層７の下端はエッチングされにくくなる。本実施形態のように、減圧雰囲気に基板を配置して、レーザー光の照射により樹脂が加熱されると分解蒸発が速やかに進みコールタール状の炭化物が生じない。また、レーザー光による絶縁層７の穴あけが進み、導電層６の表面にレーザー光が達すると、レーザー熱により導電層６が加熱される。導電層６の熱が導電層６と接する絶縁層７の下面に伝導すると、導電層６との接触部分の樹脂は、減圧雰囲気中では比較的低い温度で分解蒸発が起こるため、導電層６と絶縁層７の界面部分で分解蒸発が起こる。この部分に分解蒸発が起こることで、絶縁層７の下端でエッチングが進む。

次に、減圧容器から基板を取り出す。そして、図８（Ａ）に示すように、貫通孔Ｐｘを形成した後であって、ビア導体１０を形成する前に、貫通孔Ｐｘに対して、例えば、過マンガン酸、水酸化ナトリウム又はそれらの混合溶液、或いはそれらの加熱水溶液を流して、貫通孔Ｐｘ内における導電層６と接する絶縁層７の下端をエッチングして、導電層６の露出する領域を広くする。ここで、図８（Ｂ）に示すように、導電層６の露出する領域が広くなる理由について説明する。

予め、減圧雰囲気中にて、レーザー熱により導電層６と絶縁層７との接続箇所を多くエッチングしておく。そして、平面視して貫通孔Ｐｘの中心において、貫通孔Ｐｘの上方から下方に向けてエッチング液を流す。エッチング液は、露出する導電層６の中心付近に当り、露出する導電層６の表面に沿ってエッチング液が流れて、貫通孔Ｐｘの内壁面と衝突する。大気圧中でなく減圧雰囲気中にてレーザー光を照射したことにより、貫通孔Ｐｘの傾斜確度ＡＮを９０°に近づけることができ、導電層６の表面に沿って流れるエッチング液が、貫通孔Ｐｘの内壁面の下方に強く当てることができる。そのため、絶縁層７のエッチングされる箇所の多くが、貫通孔Ｐｘにおける導電層６と接する絶縁層７の下部に集中する。また、貫通孔Ｐｘの中心にエッチング液を流すことによって、導電層６に当たるエッチング液が略均等に分散して、導電層６の表面に沿って貫通孔Ｐｘの内壁面に位置する絶縁層７に衝突する。そのため、絶縁層７のエッチングされる箇所は、貫通孔Ｐｘの内壁面における下部の周囲に沿って略均一にエッチングされる。その結果、貫通孔Ｐｘの内壁面をエッチングした貫通孔Ｐを形成することができる。なお、エッチング液の流入は、微細なノズルを用いてもよい。ノズルを用いることによって、エッチング液の流入させる箇所をより正確に調整することができ、効果的に貫通孔Ｐｘの中心付近にエッチング液を当てることができる。

さらに、図９（Ａ）に示すように、貫通孔Ｐに、従来周知のめっき処理を施し、導電材料を充填することによってビア導体１０を形成する。また、ビア導体１０を形成するとともに、絶縁層７上にメッキを形成することができる。

ビア導体１０は、図９（Ｂ）に示すように、貫通孔Ｐ内に導電材料が充填されて形成される。貫通孔Ｐ内における絶縁層７と導電層６との隙間にまで、ビア導体１０の一部が入り込む。その結果、ビア導体１０の下端の絶縁層７と導電層６との隙間に入り込んだ一部が、絶縁層７に対してアンカー効果を奏し、絶縁層７から抜けにくくすることができ、ビア導体１０と導電層６との電気的接続を良好に維持することができる。また、露出していた導電層６との接触面積を大きくすることができ、ビア導体１０を導電層６との接着力を強くすることができ、ビア導体１０と導電層６との間の電気的信頼性を向上させることができる。

次に、図１０（Ａ）に示すように、メッキの表面にレジストを塗布し、露光現像を行った後、メッキをエッチング処理して信号線路６ａを形成する。このようにして、端子部１２上に導電層としての信号線路６ａを形成することができる。

上述した方法を用いて、コア基板５の下面側にも絶縁層７及び導電層６の積層工程を繰り返すことで、図１０（Ｂ）に示すように、多層基板の配線基板を作製することができる。そして、配線基板２に対してバンプ３を介して半導体素子４をフリップチップ実装することによって、実装構造体１を作製することができる。

上述した実施形態においては、導電層６を露出させるのに、導電層６が破壊されないような低い出力のレーザー光を用いて、絶縁層７の一部を除去することができる。そのため、導電層６の電気的信頼性を良好に維持することができる。また、絶縁層７が分解蒸発しやすい減圧雰囲気中にて、絶縁層７を構成する樹脂を効率良くエッチングすることで、ビア導体１０の下端と導電層６との接触面積を大きくすることができ、導電層６とビア導体１０との接続を強固にし、機械的信頼性を向上させることができる。

なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。

本発明の一実施形態に係る実装構造体の平面図である。 本発明の一実施形態に係る実装構造体の断面図である。 本発明の一実施形態に係る実装構造体のビア導体の拡大断面図である。 図４（Ａ）、図４（Ｂ）は、本発明の一実施形態に係る実装構造体の製造工程を説明する断面図である。 図５は、本発明の一実施形態に係る実装構造体の製造工程を説明する断面図である。 図６は、本発明の一実施形態に係る実装構造体の製造工程を説明する断面図である。 図７（Ａ）、図７（Ｂ）は、本発明の一実施形態に係る実装構造体の製造工程を説明する断面図である。 図８（Ａ）、図８（Ｂ）は、本発明の一実施形態に係る実装構造体の製造工程を説明する断面図である。 図９（Ａ）、図９（Ｂ）は、本発明の一実施形態に係る実装構造体の製造工程を説明する断面図である。 図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）は、本発明の一実施形態に係る実装構造体の製造工程を説明する断面図である。

符号の説明

１ 実装構造体
２ 配線基板
３ バンプ
４ 半導体素子
５ コア基板
６ 導電層
６ａ 信号線路
６ｂ グランド層
７ 絶縁層
８ スルーホール導体
９ 絶縁体
１０ ビア導体
１０ａ 第１導体部
１０ｂ 第２導体部
Ｓ スルーホール
Ｐ 貫通孔
ＡＮ 傾斜確度

Claims (11)

1. 同種の樹脂材料からなる一層の絶縁層と、
   前記絶縁層に埋設されており、上部よりも下部が幅狭な第１導体部と、前記第１導体部の直下に形成され、前記第１導体部と接続されるとともに、下端幅が前記第１導体部の幅よりも幅広な第２導体部とから成るビア導体、
   を備えたことを特徴とする配線基板。
2. 請求項１に記載の配線基板において、
   前記第２導体部は、上部から下部に向けて幅広に形成されていることを特徴とする配線基板。
3. 請求項１に記載の配線基板において、
   前記第２導体部の下端幅は、前記絶縁層の上面の高さ位置における前記第１導体部の幅よりも幅広であることを特徴とする配線基板。
4. 請求項２に記載の配線基板において、
   前記第２導体部の側面は、湾曲していることを特徴とする配線基板。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の配線基板と、前記配線基板にフリップチップ実装される半導体素子とを備えたことを特徴とする実装構造体。
6. 絶縁層及び導電層を積層した基板を準備する工程と、
   前記基板を減圧雰囲気中に設け、前記絶縁層の表面を押圧する圧力を小さくし前記絶縁層の熱分解温度を下げる工程と、
   前記導電層の直上に位置する前記絶縁層の一部に対し減圧雰囲気中にてレーザー光を照射し、前記絶縁層に前記導電層の一部を露出する貫通孔を形成する工程と、
   前記貫通孔に露出する前記導電層の一部と接するビア導体を形成する工程と、
   を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
7. 請求項６に記載の配線基板の製造方法において、
   前記貫通孔を形成した後であって、前記ビア導体を形成する前に、
   前記貫通孔内における前記導電層と接する前記絶縁層の下端をエッチングして、前記導電層の露出する領域を広くする工程と、
   を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
8. 請求項７に記載の配線基板の製造方法において、
   前記貫通孔に露出する前記導電層の一部の表面に沿ってエッチング液を流入させ、前記貫通孔における前記導電層と接する前記絶縁層の下端をエッチングすることを特徴とする配線基板の製造方法。
9. 請求項６に記載の配線基板の製造方法において、
   前記レーザー光はｆθレンズを通過して、前記絶縁層の上面に対して垂直に入射して、前記導電層の直上に位置する前記絶縁層の一部を取り除くことを特徴とする配線基板の製造方法。
10. 請求項６に記載の配線基板の製造方法において、
    前記減圧雰囲気とは、０．８×１０^５Ｐａ以下の気圧であることを特徴とする配線基板の製造方法。
11. 請求項６に記載の配線基板の製造方法において、
    前記導電層の直上に位置する前記絶縁層の一部に照射するレーザー光は、０．２μＪ以上３００μＪ以下の出力であることを特徴とする配線基板の製造方法。

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