JP2010021246A

JP2010021246A - Semiconductor device tab tape carrier

Info

Publication number: JP2010021246A
Application number: JP2008178883A
Authority: JP
Inventors: Shuichi Nakazawa; 周一仲沢
Original assignee: Hitachi Cable Ltd
Current assignee: Hitachi Cable Ltd
Priority date: 2008-07-09
Filing date: 2008-07-09
Publication date: 2010-01-28
Anticipated expiration: 2028-07-09
Also published as: JP5152506B2

Abstract

【課題】さらに薄い銅箔のような金属箔を用いて形成してなる接続用ランド部における、接合不良の問題を解決して、確実なワイヤボンディングを行うことを可能とした半導体装置用ＴＡＢテープキャリアを提供する。
【解決手段】絶縁性フィルム基板１上に接着剤層２を介して張り合わされた導体箔からなる配線パターン３および当該配線パターン３に連なる接続用ランド部４が形成され、半導体素子６が実装され、当該半導体素子６のボンディングパッド７と前記接続用ランド部４とにボンディングワイヤ８が加熱および押圧力の印加によって接合される半導体装置用ＴＡＢテープキャリアであって、前記接続用ランド部４の直下に、前記接着剤層２と前記絶縁性フィルム基板１とを貫通する裏打支柱用孔９を設け、当該裏打支柱用孔９内に、前記接着剤層２とは異なった材質の充填材を当該充填材の上面が前記接続用ランド部４の下面と接するように充填してなるランド裏打支柱部１０を備えている。
【選択図】図１PROBLEM TO BE SOLVED: To solve a problem of bonding failure in a connection land portion formed by using a metal foil such as a thin copper foil, and to perform reliable wire bonding, a TAB tape for a semiconductor device. Provide a career.
A wiring pattern 3 made of a conductive foil laminated on an insulating film substrate 1 via an adhesive layer 2 and a connection land portion 4 connected to the wiring pattern 3 are formed, and a semiconductor element 6 is mounted. A TAB tape carrier for a semiconductor device in which a bonding wire 8 is bonded to the bonding pad 7 of the semiconductor element 6 and the connection land portion 4 by heating and application of a pressing force, directly below the connection land portion 4. A backing strut hole 9 penetrating the adhesive layer 2 and the insulating film substrate 1 is provided, and a filler of a material different from that of the adhesive layer 2 is provided in the backing strut hole 9. A land backing strut portion 10 is provided that is filled so that the upper surface of the filler is in contact with the lower surface of the connecting land portion 4.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、半導体素子が実装され、その半導体素子のボンディングパッドにボンディングワイヤを介して接続されるように設定された接続用ランド部を有する半導体装置用ＴＡＢテープキャリアに関する。 The present invention relates to a TAB tape carrier for a semiconductor device on which a semiconductor element is mounted and which has a connection land portion set so as to be connected to a bonding pad of the semiconductor element via a bonding wire.

従来、この種の半導体装置用ＴＡＢテープキャリアは、図２に一例を示すような構造を有している。
例えばポリイミドフィルムのような薄手の絶縁体フィルムからなる絶縁性フィルム基板１０１の片面上に接着剤層１０２を設け、その上に銅箔のような導体箔を貼り付けて、例えばエッチング法（フォトファブリケーション法）などによりパターン加工を施すことで、配線パターン１０３およびその延長にある接続用ランド部（リード電極、あるいはボンディング用端子等とも呼ばれる）１０４が形成されている。配線パターン１０３および接続用ランド部１０４の表面には、ニッケルめっきや金めっき等が施される場合も多い（いずれも図示省略）。 Conventionally, this type of TAB tape carrier for semiconductor devices has a structure as shown in FIG.
For example, an adhesive layer 102 is provided on one surface of an insulating film substrate 101 made of a thin insulating film such as a polyimide film, and a conductive foil such as a copper foil is attached thereon, and an etching method (photofabrication, for example) is applied. The wiring pattern 103 and connection land portions (also referred to as lead electrodes or bonding terminals) 104 extending therethrough are formed by performing pattern processing by the application method. In many cases, nickel plating, gold plating, or the like is applied to the surfaces of the wiring pattern 103 and the connecting land portion 104 (both not shown).

そして、所定の実装位置に、チップ用接着剤１０５を介して、例えばＩＣチップのような半導体素子１０６が接着される。半導体素子１０６には、ボンディングパッド１０７が設けられている。
半導体素子１０６のボンディングパッド１０７には、金ワイヤのようなボンディングワイヤ１０８の一端が接合される。そしてそのボンディングワイヤ１０８の他端は、接続用ランド部１０４に接合される。このボンディングプロセスは一般に、いわゆるキャピラリを備えたボンディング装置を用いて行われる。 Then, a semiconductor element 106 such as an IC chip is bonded to a predetermined mounting position via a chip adhesive 105. A bonding pad 107 is provided on the semiconductor element 106.
One end of a bonding wire 108 such as a gold wire is bonded to the bonding pad 107 of the semiconductor element 106. The other end of the bonding wire 108 is bonded to the connection land 104. This bonding process is generally performed using a bonding apparatus having a so-called capillary.

さらに具体的なボンディングプロセスの主要な流れは、いわゆる正方向の場合、まず第１ボンディングとして、例えばボールボンディング方式により先端を溶融させてボール状にしたボンディングワイヤ１０８の一端を、超音波加振やその他の加熱方法によって加熱しながら半導体素子１０６のボンディングパッド１０７の表面に押し当てるようにして接合を行う。続いて、ボンディングワイヤ１０８を繰り出しつつキャピラリを所定の経路を通って半導体装置用ＴＡＢテープキャリアの接続用ランド部１０４の位置へと移動させて行く。そして、第２ボンディングとして、キャピラリの先に露出している部分のボンディングワイヤ１０８を、超音波加振やその他の加熱方法等によって加熱することで溶融させながら接続用ランド部１０４の表面に押し当てて、適度に潰れたような状態となるように、いわゆるスティッチボンディングおよびテールボンディングを行う。その第２ボンディングを行った後、その位置からキャピラリを引き離すと共にボンディングワイヤ１０８をテールボンディングの部分から切り離して、次なる第１および第２ボンディングへと移行する。 In the case of a so-called positive direction, the main flow of a more specific bonding process is as follows. First, as the first bonding, for example, one end of a bonding wire 108 whose tip is melted by a ball bonding method into a ball shape is subjected to ultrasonic vibration or Bonding is performed by pressing against the surface of the bonding pad 107 of the semiconductor element 106 while heating by another heating method. Subsequently, the capillary is moved to the position of the connection land portion 104 of the TAB tape carrier for the semiconductor device through a predetermined path while feeding the bonding wire 108. Then, as the second bonding, the bonding wire 108 exposed at the tip of the capillary is pressed against the surface of the connecting land 104 while being melted by heating by ultrasonic vibration or other heating methods. Thus, so-called stitch bonding and tail bonding are performed so as to be in a state of being properly crushed. After performing the second bonding, the capillary is pulled away from the position, and the bonding wire 108 is separated from the tail bonding portion, and the process proceeds to the next first and second bonding.

ところで、近年、半導体実装パッケージ全体のさらなる薄型化を達成するため、あるいは配線パターンや接続用ランド部のさらなるファイン化を達成するために、それら配線パターンや接続用ランド部の形成基材として、さらに薄い銅箔のような金属箔（導体箔）を用いることが要請されるようになってきている（以上、特許文献１、２参照）。 By the way, in recent years, in order to achieve further thinning of the entire semiconductor mounting package, or to achieve further refinement of the wiring pattern and the connecting land portion, as a substrate for forming the wiring pattern and connecting land portion, There is a growing demand to use a metal foil (conductor foil) such as a thin copper foil (see Patent Documents 1 and 2 above).

特開平７−９９２６２号公報JP-A-7-99262 特開２００６−１５６４３６号公報JP 2006-156436 A

しかしながら、従来の技術では、上記のようにさらに薄い金属箔を用いた場合、ボンディング対象の半導体装置用ＴＡＢテープキャリアおよびボンディングワイヤに対して十分に適合した条件設定で、加熱やキャピラリの動作を行っているにも関わらず、ボンディングワイヤ１０８と接続用ランド部１０４との接合強度の低下や、実質的な接合が全くできないといった接合不良が多発するという問題があった。しかも、このような問題の発生要因自体についても従来は解明されておらず、従ってまた斯様な問題に対する改善策も従来は提案されていなかった。 However, in the conventional technology, when a thinner metal foil is used as described above, heating and operation of the capillary are performed under condition settings that are sufficiently adapted to the TAB tape carrier and bonding wire for the semiconductor device to be bonded. In spite of this, there has been a problem that joint failures frequently occur such that the bonding strength between the bonding wire 108 and the connecting land portion 104 is lowered, and substantial bonding cannot be performed at all. Moreover, the cause of the problem itself has not been elucidated in the past, and accordingly, no improvement measures for such a problem have been proposed in the past.

本発明は、このような問題に鑑みて成されたもので、その目的は、さらに薄い銅箔のような金属箔を用いて形成してなる接続用ランド部における、接合不良の問題を解決して、確実なワイヤボンディングを行うことを可能とした半導体装置用ＴＡＢテープキャリアを提供することにある。 The present invention has been made in view of such problems, and its object is to solve the problem of poor bonding in a connecting land formed using a metal foil such as a thin copper foil. Another object of the present invention is to provide a TAB tape carrier for a semiconductor device that enables reliable wire bonding.

本発明の半導体装置用ＴＡＢテープキャリアは、絶縁性フィルム基板と、前記絶縁性フィルム基板の少なくとも片面上に設けられた接着剤層と、前記接着剤層の上に設けられた導体箔からなる配線パターンおよび当該配線パターンに連なる接続用ランド部とを有する半導体装置用ＴＡＢテープキャリアであって、前記接続用ランド部の直下に、前記接着剤層と前記絶縁性フィルム基板とを貫通する裏打支柱用孔を設け、当該裏打支柱用孔内に、前記接着剤層の硬度よりも高い硬度を有する材質の充填材を当該充填材の上面が前記接続用ランド部の下面と接するように充填してなるランド裏打支柱部を備えたことを特徴としている。 A TAB tape carrier for a semiconductor device according to the present invention is a wiring comprising an insulating film substrate, an adhesive layer provided on at least one surface of the insulating film substrate, and a conductive foil provided on the adhesive layer. A TAB tape carrier for a semiconductor device having a pattern and a connection land portion connected to the wiring pattern, for a backing strut penetrating the adhesive layer and the insulating film substrate immediately below the connection land portion A hole is provided, and a filling material having a hardness higher than the hardness of the adhesive layer is filled in the backing strut hole so that the upper surface of the filler is in contact with the lower surface of the connecting land portion. It is characterized by a land-lined support post.

本発明によれば、接続用ランド部の直下に、接着剤層と絶縁性フィルム基板とを貫通する裏打支柱用孔を設け、その裏打支柱用孔内に接着剤層とは異なった材質の充填材を充填してなるランド裏打支柱部を設けることで、接続用ランド部の直下には接着剤層を存在させないようにすると共に、接続用ランド部をランド裏打支柱部によって、あたかも裏打ちして力学的に支持するようにしたので、ボンディングワイヤを接続用ランド部に接合する際の加熱や押圧力が印加された際に、従来のような接着剤層が溶融または軟化して十分な押圧力や加熱が接続用ランド部に伝わらなくなることに起因したボンディングワイヤの接合不良の発生が解消されて、確実なワイヤボンディングを行うことが可能となる。 According to the present invention, the backing strut hole penetrating the adhesive layer and the insulating film substrate is provided immediately below the connecting land portion, and the backing strut hole is filled with a material different from the adhesive layer. By providing a land backing strut filled with material, the adhesive layer does not exist directly under the connecting land, and the connection land is backed by the land backing strut as if When the heating or pressing force when bonding the bonding wire to the connecting land portion is applied, the conventional adhesive layer melts or softens so that sufficient pressing force or Occurrence of bonding failure of the bonding wire due to heating not being transmitted to the connection land portion is eliminated, and reliable wire bonding can be performed.

以下、本発明の実施の形態に係る半導体装置用ＴＡＢテープキャリアについて、図面を参照して説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置用ＴＡＢテープキャリアの主要部の構成を示す図である。 Hereinafter, a TAB tape carrier for a semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a main part of a TAB tape carrier for a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

この半導体装置用ＴＡＢテープキャリアでは、絶縁性フィルム基板１の片面上に、接着剤層２を介して、配線パターン３および接続用ランド部４が形成されている。そして、所定の実装位置に、チップ用接着剤５を介して半導体素子６が実装され、その半導体素子６のボンディングパッド７と接続用ランド部４とにボンディングワイヤ８が加熱および押圧力の印加によって接合されて、ボンディングワイヤ８を介して半導体素子６のボンディングパッド７と接続用ランド部４とが電気的に接続されるように設定されている。 In this TAB tape carrier for a semiconductor device, a wiring pattern 3 and a connection land portion 4 are formed on one surface of an insulating film substrate 1 with an adhesive layer 2 interposed therebetween. Then, the semiconductor element 6 is mounted at a predetermined mounting position via the chip adhesive 5, and the bonding wire 8 is applied to the bonding pad 7 and the connection land portion 4 of the semiconductor element 6 by applying heat and pressing force. The bonding pads 7 of the semiconductor element 6 and the connection land portions 4 are set to be electrically connected via the bonding wires 8.

さらに詳細には、絶縁性フィルム基板１は、例えばポリイミドフィルムのような薄手の絶縁体フィルムからなるもので、その片面上には接着剤層２が設けられている。
絶縁性フィルム基板１の上には、接着剤層２を介して、極めて薄い銅箔のような導体箔
が貼り付けられ、その導体箔に例えばエッチング法などによってパターン加工を施して、配線パターン３およびそれに連なる接続用ランド部４が形成されている。この配線パターン３および接続用ランド部４の形成基材である銅箔などの導体箔としては、近年の半導体実装パッケージ全体におけるさらなる薄型化を達成するため、あるいは配線パターン３や接続用ランド部４のさらなるファイン化を達成するために、益々薄いものが用いられる傾向にある。この配線パターン３および接続用ランド部４の表面には、ニッケルめっきや金めっき等を施すようにすることも可能である（それらめっき層については図示省略）。 More specifically, the insulating film substrate 1 is made of a thin insulating film such as a polyimide film, for example, and an adhesive layer 2 is provided on one surface thereof.
On the insulating film substrate 1, a conductor foil such as an extremely thin copper foil is attached via an adhesive layer 2, and pattern processing is performed on the conductor foil by, for example, an etching method to form a wiring pattern 3. And the connection land part 4 connected to it is formed. As a conductive foil such as a copper foil which is a base material for forming the wiring pattern 3 and the connection land 4, the wiring pattern 3 and the connection land 4 can be used to achieve further thinning of the entire semiconductor mounting package in recent years. In order to achieve further refinement, thinner ones tend to be used. Nickel plating, gold plating, or the like can be applied to the surfaces of the wiring pattern 3 and the connection land portion 4 (the plating layers are not shown).

チップ用接着剤５は、ＩＣチップのような半導体素子６をいわゆるダイボンディングするためのもので、このチップ用接着剤５の上に、半導体素子６が接着される。
半導体素子６には、ボンディングパッド７が設けられており、そのボンディングパッド７には、金ワイヤのようなボンディングワイヤ８の一端が接合される。そしてそのボンディングワイヤ８の他端は、接続用ランド部４に接合される。このワイヤボンディングプロセス自体については、一般的なキャピラリを備えたボンディング装置を用いて、いわゆるボールボンディング方式やウェッジボンディング方式などの一般的なものを用いることが可能である。 The chip adhesive 5 is used for so-called die bonding of a semiconductor element 6 such as an IC chip, and the semiconductor element 6 is bonded onto the chip adhesive 5.
The semiconductor element 6 is provided with a bonding pad 7, and one end of a bonding wire 8 such as a gold wire is bonded to the bonding pad 7. The other end of the bonding wire 8 is joined to the connecting land 4. About this wire bonding process itself, it is possible to use general things, such as what is called a ball bonding system and a wedge bonding system, using the bonding apparatus provided with the common capillary.

そして、接続用ランド部４の直下には、所定の直径を有して接着剤層２および絶縁性フィルム基板１を貫通する裏打支柱用孔９が設けられている。そして、その裏打支柱用孔９内に、接着剤層２とは異なった材質であって上記のワイヤボンディングプロセスにて加熱および押圧力が印加された状態での硬度が接着剤層２よりも高い材質からなる充填材を、その上面が接続用ランド部４の下面と接するように充填することで、ランド裏打支柱部１０が形成されている。 Under the connecting land portion 4, there is provided a supporting column hole 9 having a predetermined diameter and penetrating the adhesive layer 2 and the insulating film substrate 1. And, in the backing strut hole 9, the material is different from the adhesive layer 2 and has a higher hardness than the adhesive layer 2 in a state where heating and pressing force are applied in the wire bonding process. The land backing strut portion 10 is formed by filling a filler made of a material so that the upper surface thereof is in contact with the lower surface of the connecting land portion 4.

そのランド裏打支柱部１０の形成材料である充填材は、さらに具体的には、例えばめっき銅（電解めっき銅または無電解めっき銅）からなるものとすることが可能である。
または、電解めっきによって、ニッケルを裏打支柱用孔９内に充填してなるもの、もしくは銅やニッケル以外の金属でも上記のようなワイヤボンディングプロセスにおける加熱および押圧力が印加された状態での硬度が接着剤層２よりも高い材質の金属を充填してなるものとすることが可能である。
または、無電解めっきによって、ニッケルを充填してなるもの、もしくは銅およびニッケル以外の金属でも上記のようなワイヤボンディングプロセスにおける加熱および押圧力が印加された状態での硬度が接着剤層２よりも高い材質の金属を充填してなるものとすることが可能である。
もしくは、裏打支柱用孔９内に、例えばスクリーン印刷法のような印刷法によって、上記のようなワイヤボンディングプロセスにおける加熱および押圧力が印加された状態での硬度が接着剤層２よりも高い材質の硬樹脂を充填してなるものとしてもよい。
あるいは、裏打支柱用孔９内に、例えばその裏打支柱用孔９の内径と同等ないし若干大きめの直径を有する微細銅線のような金属材料を機械的に打ち込んで充填してなるものとすることなども可能である。 More specifically, the filler which is a material for forming the land backing strut portion 10 can be made of, for example, plated copper (electroplated copper or electroless plated copper).
Alternatively, the hardness in the state in which heating and pressing force in the wire bonding process as described above is applied even in the case where nickel is filled in the back support hole 9 by electrolytic plating, or in a metal other than copper or nickel. It is possible to fill a metal having a material higher than that of the adhesive layer 2.
Alternatively, the hardness in the state in which heating and pressing force in the wire bonding process as described above is applied to a metal filled with nickel by electroless plating, or a metal other than copper and nickel is higher than that of the adhesive layer 2 It is possible to fill a high-quality metal.
Alternatively, a material having a hardness higher than that of the adhesive layer 2 in the state where the heating and pressing force in the wire bonding process as described above is applied in the backing column hole 9 by a printing method such as a screen printing method. It is good also as what is filled with this hard resin.
Alternatively, a metal material such as a fine copper wire having a diameter equal to or slightly larger than the inner diameter of the backing strut hole 9 is mechanically driven and filled into the backing strut hole 9. Etc. are also possible.

ここで、裏打支柱用孔９は、絶縁性フィルム基板１を貫通しないで、あたかもブラインドビア穴のように絶縁性フィルム基板１の厚さ方向の途中で止めた構造にすると、この裏打支柱用孔９内にランド裏打支柱部１０を形成するための充填材を充填する際に、気泡が残留するなどして、その充填材の確実な充填が妨げられてしまう虞が高い。このため、裏打支柱用孔９は、接着剤層２を貫通することは勿論のこと、絶縁性フィルム基板１を表裏貫通するように設けることが望ましいのである。 Here, the backing strut hole 9 does not penetrate the insulating film substrate 1 and is structured such that it is stopped halfway in the thickness direction of the insulating film substrate 1 like a blind via hole. When filling the filler for forming the land backing strut portion 10 in 9, there is a high possibility that bubbles will remain and prevent reliable filling of the filler. For this reason, it is desirable to provide the backing strut hole 9 so as to penetrate the insulating film substrate 1 as well as the adhesive layer 2.

次に、本発明の実施の形態に係る半導体装置用ＴＡＢテープキャリアにおける、特にランド裏打支柱部１０の作用について説明する。 Next, the operation of the land backing strut 10 in particular in the TAB tape carrier for a semiconductor device according to the embodiment of the present invention will be described.

接続用ランド部４の表面にボンディングワイヤ８を接合するプロセスでは、超音波振動やその他の手段による加熱、もしくはそれら両方によって、ボンディングワイヤ８や接続用ランド部４が加熱され、またそれと共に、キャピラリによって所定の押圧力でボンディングワイヤ８が接続用ランド部４の表面に押し当てられて、それらボンディングワイヤ８と接続用ランド部４とが接合される。 In the process of bonding the bonding wire 8 to the surface of the connection land 4, the bonding wire 8 and the connection land 4 are heated by ultrasonic vibration and / or heating by other means. Thus, the bonding wire 8 is pressed against the surface of the connecting land portion 4 with a predetermined pressing force, and the bonding wire 8 and the connecting land portion 4 are joined.

ところが、従来の技術では、この接合の際に印加される熱や押圧力に因って、接続用ランド部４の直下およびその周辺の接着剤層２が軟化して、粘性流体のような状態となる傾向にある。しかも、接続用ランド部４の形成基材である銅箔は、さらに薄型化される傾向にあるので、熱が接着剤層２へとさらに伝わり易くなり、かつその接続用ランド部４自体の材料力学的な曲げ剛性等もさらに弱くなる傾向にある。 However, in the conventional technique, the adhesive layer 2 immediately below and around the connection land portion 4 is softened due to heat and pressing force applied at the time of joining, and the state is like a viscous fluid. It tends to be. Moreover, since the copper foil which is the base material for forming the connection land portion 4 tends to be further thinned, the heat is more easily transferred to the adhesive layer 2 and the material of the connection land portion 4 itself. The mechanical bending stiffness and the like tend to be further weakened.

そうすると、たとえボンディングワイヤ８を確実な接合を得るのに十分な温度にまで加熱すると共に十分な押圧力で接続用ランド部４の表面に押し付けたとしても、接続用ランド部４の直下およびその周辺の接着剤層２が流動あるいは伸縮変形してしまうので、接続用ランド部４は、ボンディングワイヤ８を押し付けられても、下方へと（絶縁性フィルム基板１の方へと）撓んで、あたかもボンディングワイヤ８の押し付けから逃げたような状態、あるいは軟化した接着剤層２に因ってボンディングワイヤ８の押圧力が吸収・分散されたような状態となり、実質的には、その接続用ランド部４の表面に対してボンディングワイヤ８を十分な押圧力で押し付けたことにはならなくなる。その結果、十分な接合を達成できなくなったり、甚だしくは有効な接合が全くできなくなるといった、ワイヤボンディング上の不具合が生じる。 Then, even if the bonding wire 8 is heated to a temperature sufficient to obtain a reliable bond and pressed against the surface of the connection land portion 4 with a sufficient pressing force, it is directly below and around the connection land portion 4. Therefore, even if the bonding wire 8 is pressed, the connecting land portion 4 is bent downward (toward the insulating film substrate 1) as if it were bonded. A state in which the wire 8 has escaped from pressing or a state in which the pressing force of the bonding wire 8 has been absorbed and dispersed due to the softened adhesive layer 2 is substantially obtained. The bonding wire 8 is not pressed against the surface with a sufficient pressing force. As a result, there is a problem in wire bonding such that sufficient bonding cannot be achieved or extremely effective bonding cannot be performed at all.

本発明者は、このような不具合発生のメカニズムに因って従来の接合不良が発生するという知見を、従来技術に係る薄い銅箔を用いたＴＡＢテープキャリアに対する種々の考察や実地的プロセス検証等によって得た。そして、このような知見に基づいて、本発明を成すに至ったのであった。 The present inventor has found that the conventional bonding failure occurs due to such a failure occurrence mechanism, various considerations and practical process verification for a TAB tape carrier using a thin copper foil according to the prior art, etc. Obtained by. And based on such knowledge, it came to make this invention.

すなわち、本発明の実施の形態に係る半導体装置用ＴＡＢテープキャリアでは、接続用ランド部４の直下に、接着剤層２と絶縁性フィルム基板１とを貫通する裏打支柱用孔９を設け、その裏打支柱用孔９内に接着剤層２とは異なった材質、より望ましくはワイヤボンディングプロセスにて加熱および押圧力が印加された状態での硬度が接着剤層２のそれよりも高い材質からなる充填材を充填してなるランド裏打支柱部１０を設けることにより、接続用ランド部４の直下には、ボンディングワイヤ８の押圧力を逃がす（あるいは吸収・分散させてしまう）要因となっていた接着剤層２を存在させないようにすると共に、接続用ランド部４をその下面（裏面）からランド裏打支柱部１０によって力学的に支持（裏打ち）するようにしている。
これにより、ボンディングワイヤ８を接続用ランド部４に接合するプロセスで加熱や押圧力が接続用ランド部４の表面に印加された際に、その接続用ランド部４の下面をランド裏打支柱部１０によって裏打ちすることで力学的に支持して、ボンディングワイヤ８を確実に接続用ランド部４の表面に押し付けることができる。
その結果、本発明の実施の形態に係る半導体装置用ＴＡＢテープキャリアによれば、従来技術の場合のような接着剤層２が溶融または軟化して十分な押圧力や加熱が接続用ランド部４に伝わらなくなることに起因したボンディングワイヤ８の接合不良の発生を解消して、接続用ランド部４の表面にボンディングワイヤ８を確実に接合することが可能となる。
また延いては、ボンディングワイヤ８の接合不良の発生の虞なく、さらに薄い導体箔を用いて、実装パッケージのさらなる小型化や配線パターン３等のさらなるファイン化を実現することが可能となる。 That is, in the TAB tape carrier for a semiconductor device according to the embodiment of the present invention, a backing column hole 9 penetrating the adhesive layer 2 and the insulating film substrate 1 is provided immediately below the connection land portion 4. The backing strut hole 9 is made of a material different from that of the adhesive layer 2, and more preferably a material having a hardness higher than that of the adhesive layer 2 in a state where heating and pressing force are applied in the wire bonding process. By providing the land-backed strut portion 10 filled with the filler, the bonding that has caused the pressing force of the bonding wire 8 to be released (or absorbed / dispersed) immediately below the connecting land portion 4. The agent layer 2 is not present, and the connecting land portion 4 is dynamically supported (backed) from the lower surface (back surface) by the land-backed strut portion 10.
Thus, when heating or pressing force is applied to the surface of the connecting land 4 in the process of bonding the bonding wire 8 to the connecting land 4, the lower surface of the connecting land 4 is placed on the land backing strut 10. The bonding wire 8 can be reliably pressed against the surface of the connecting land portion 4 by supporting it dynamically.
As a result, according to the TAB tape carrier for a semiconductor device according to the embodiment of the present invention, the adhesive layer 2 is melted or softened as in the case of the prior art, and sufficient pressing force or heating is applied to the connection land portion 4. It is possible to eliminate the occurrence of bonding failure of the bonding wire 8 due to the fact that the bonding wire 8 is not transmitted to the surface of the connection land portion 4 and to reliably bond the bonding wire 8 to the surface.
In addition, further reduction in the size of the mounting package and further refinement of the wiring pattern 3 and the like can be realized by using a thinner conductive foil without causing a bonding failure of the bonding wire 8.

なお、上記の実施の形態では、主にランド裏打支柱部１０の作用をできるだけ明確に理解し易く説明するために、半導体素子６が実装された状態を図示し、またそれに則した説明を行ったが、本発明の実施の形態に係る半導体装置用ＴＡＢテープキャリアは、半導体素子６が未実装の構成であってもよいことは勿論である。むしろ、ＴＡＢテープキャリアあるいはＴＡＢキャリアテープとは、半導体素子６が未実装の状態であることのほうが一般的であることなどを考慮すると、半導体素子６が実装された状態にあるか未実装の状態にあるかといったことについては、本発明の実施の形態に係る半導体装置用ＴＡＢテープキャリアでは、副次的な事項であると言える。 In the above-described embodiment, the state in which the semiconductor element 6 is mounted is shown and explained according to it in order to mainly explain the action of the land backing strut part 10 as clearly as possible. However, it goes without saying that the semiconductor device TAB tape carrier according to the embodiment of the present invention may have a configuration in which the semiconductor element 6 is not mounted. Rather, the TAB tape carrier or the TAB carrier tape is a state in which the semiconductor element 6 is mounted or not mounted, considering that the semiconductor element 6 is generally not mounted. In the TAB tape carrier for a semiconductor device according to the embodiment of the present invention, it can be said that this is a secondary matter.

また、上記の実施の形態では、絶縁性フィルム基板１の片面上にのみ導体箔からなる配線パターン３等が設けられた構造について説明したが、その他にも、いわゆる２メタルＴＡＢテープキャリアと呼ばれるような、絶縁性フィルム基板１の表裏両面に導体箔を有する構造のＴＡＢテープキャリア等（図示省略）にも、本発明は適用可能である。但し、その場合には、ランド裏打支柱部１０を設けたことに起因して表裏両面の導体箔同士に電気的短絡不良等が生じたりすることのないように、ランド裏打支柱部１０を絶縁性材料からなるものとすること、またはランド裏打支柱部１０の長さ（深さ）を絶縁性フィルム基板１の裏面（図１では下面）には届かないような長さとすることなどが望ましい。 In the above-described embodiment, the structure in which the wiring pattern 3 made of the conductive foil is provided only on one surface of the insulating film substrate 1 has been described. However, other than that, it is called a so-called two-metal TAB tape carrier. The present invention can also be applied to a TAB tape carrier or the like (not shown) having a conductive foil on both front and back surfaces of the insulating film substrate 1. However, in that case, the land-backed strut portion 10 is insulated so that an electrical short circuit failure or the like does not occur between the conductive foils on the front and back surfaces due to the provision of the land-backed strut portion 10. It is desirable that the material is made of a material, or that the length (depth) of the land backing column 10 is not long enough to reach the back surface (lower surface in FIG. 1) of the insulating film substrate 1.

本発明の実施の形態に係る半導体装置用ＴＡＢテープキャリアの主要部の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the principal part of the TAB tape carrier for semiconductor devices which concerns on embodiment of this invention. ワイヤボンディング方式を用いてなる従来の半導体装置用ＴＡＢテープキャリアの主要部の構成の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a structure of the principal part of the TAB tape carrier for the conventional semiconductor devices which uses a wire bonding system.

Explanation of symbols

１絶縁性フィルム基板
２接着剤層
３配線パターン
４接続用ランド部
５チップ用接着剤
６半導体素子
７ボンディングパッド
８ボンディングワイヤ
９裏打支柱用孔
１０ランド裏打支柱部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating film board | substrate 2 Adhesive layer 3 Wiring pattern 4 Connection land part 5 Chip adhesive 6 Semiconductor element 7 Bonding pad 8 Bonding wire 9 Backing strut hole 10 Land backing strut part

Claims

An insulating film substrate, an adhesive layer provided on at least one surface of the insulating film substrate, a wiring pattern comprising a conductive foil provided on the adhesive layer, and a connecting land portion connected to the wiring pattern A TAB tape carrier for semiconductor devices having
A backing strut hole penetrating the adhesive layer and the insulating film substrate is provided immediately below the connecting land portion, and the hardness of the backing strut hole is higher than the hardness of the adhesive layer. A TAB tape carrier for a semiconductor device, comprising a land backing strut portion formed by filling a filler of a material such that an upper surface of the filler is in contact with a lower surface of the connecting land portion.

The TAB tape carrier for a semiconductor device according to claim 1,
A TAB tape carrier for a semiconductor device, wherein the filler is made of plated copper.

The TAB tape carrier for a semiconductor device according to claim 1,
A TAB tape for a semiconductor device, wherein the filler is formed by filling nickel in the backing column hole by electrolytic plating, or by filling a metal other than copper and nickel. Career.

The TAB tape carrier for a semiconductor device according to claim 1,
A TAB for a semiconductor device, wherein the filler is formed by filling nickel in the backing column hole by electroless plating, or by filling a metal other than copper and nickel. Tape carrier.

The TAB tape carrier for a semiconductor device according to claim 1,
A TAB tape carrier for a semiconductor device, wherein the filler is formed by filling a hard resin by printing in the backing column hole.

The TAB tape carrier for a semiconductor device according to claim 1,
A TAB tape carrier for a semiconductor device, wherein the filler is formed by mechanically filling a metal material into the backing strut hole.