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JP2010015656A - Address decoder check circuit and its check method - Google Patents

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JP2010015656A
JP2010015656A JP2008176222A JP2008176222A JP2010015656A JP 2010015656 A JP2010015656 A JP 2010015656A JP 2008176222 A JP2008176222 A JP 2008176222A JP 2008176222 A JP2008176222 A JP 2008176222A JP 2010015656 A JP2010015656 A JP 2010015656A
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JP
Japan
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address
address decoder
inspection
logic signal
negative logic
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Application number
JP2008176222A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshinori Yunozawa
義則 湯野沢
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Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an address decoder check circuit and its check method capable of making a detailed check with less check steps without preparing expected values for the test memory data. <P>SOLUTION: An address decoder check circuit for checking the functions of a plurality of address decoders includes: a multiplexer to select and output a negative logic signal of the address signal and a negative logic signal set up independently of the negative logic signal when checking for a part of the plurality of address decoders; a first switching element to cut off the connection between the output terminals and the power source terminals of each address decoder when checking; a common wiring connected to each of the output terminals of the plurality of address decoders through the relay wiring; and a second switching element provided on this relay wiring to electrically connect each output terminal and the common wiring when testing. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、メモリセルを選択するために入力されるアドレス信号をデコードした結果を出力する複数のアドレスデコーダを検査するアドレスデコーダの検査回路、及びその検査方法に関するものである。   The present invention relates to an inspection circuit for an address decoder that inspects a plurality of address decoders that output a result of decoding an address signal input to select a memory cell, and an inspection method thereof.

先ず、NOR型アドレスデコーダを説明する。例えば3ビットNOR型アドレスデコーダは、接地端子と出力端子との間で互いに並列に配置される3つのNチャネル型MOSトランジスタと、電源端子と出力端子との間で直列に配置される3つのPチャネル型MOSトランジスタとを有し、それぞれのゲート電極に入力端子が接続されている。アドレス信号によって、3つのNチャネル型MOSトランジスタのいずれか一つが駆動されると、接地端子と出力端子が接続され、出力端子が接地電位となる。これに対し、3つのPチャネル型MOSトランジスタの全てが駆動されると、電源端子と出力端子が接続され、出力端子が電源電位となる。   First, the NOR type address decoder will be described. For example, a 3-bit NOR type address decoder includes three N-channel MOS transistors arranged in parallel between a ground terminal and an output terminal, and three Ps arranged in series between a power supply terminal and an output terminal. Each of the gate electrodes is connected to an input terminal. When any one of the three N-channel MOS transistors is driven by the address signal, the ground terminal and the output terminal are connected, and the output terminal becomes the ground potential. On the other hand, when all of the three P-channel MOS transistors are driven, the power supply terminal and the output terminal are connected, and the output terminal becomes the power supply potential.

8個の上記した3ビットNOR型アドレスデコーダによって構成されたデコーダ回路の場合、NOR型アドレスデコーダそれぞれの入力端子に、アドレス信号における3つの正論理信号(入力信号)と、それらがNOTゲートによって反転された3つの負論理信号とが適宜接続されるようになっている。したがって、1つの正論理信号のアドレスパターンが入力されると、一意的に負論理信号が決定され、1つのアドレスデコーダのみが選択される。   In the case of a decoder circuit composed of the above-described three-bit NOR type address decoders, three positive logic signals (input signals) in the address signal are inverted at each input terminal of the NOR type address decoder by a NOT gate. These three negative logic signals are appropriately connected. Therefore, when an address pattern of one positive logic signal is input, a negative logic signal is uniquely determined, and only one address decoder is selected.

これに対し、特許文献1に開示されているアドレスデコーダの検査回路は、検査時(テスト時)に、上記した負論理信号とは独立に設定される負論理信号を選択して出力するマルチプレクサを備えている。直接入力を行うアドレス信号(マルチプレクサを介さない信号)の全てを正論理信号群とし、テスト時に独立に設定される負論理信号の全てを負論理信号群とすると、テスト時において、正論理信号群及び負論理信号群の内いずれか1ビットだけを「1」にセットする(例えば正論理信号群を[000]とし、負論理信号群を[001]とする)ことで、複数のアドレスデコーダを多重選択している(特許文献1の図2(a)参照)。上記した多重選択を行う多重選択ステップを実行した後、1ビットを「1」にセットしなかった方の信号群の内いずれか1ビットだけを「1」にセットする(例えば正論理信号群を[001]とする)ことで多重選択されたアドレスデコーダが非選択になることを確認する全非選択ステップを実行する(特許文献1の図2(b)参照)。このように、多重選択されたアドレスデコーダにおける1つのNチャネル型MOSトランジスタが正常にONしたか否か(非選択状態となったか否か)を、メモリデータによって確認することで、Nチャネル型MOSトランジスタの検査を行う。   On the other hand, the inspection circuit of the address decoder disclosed in Patent Document 1 includes a multiplexer that selects and outputs a negative logic signal that is set independently of the negative logic signal at the time of inspection (at the time of test). I have. If all the address signals (signals that do not pass through the multiplexer) that are directly input are positive logic signal groups and all the negative logic signals that are set independently at the time of testing are negative logic signal groups, the positive logic signal group at the time of testing. And only one bit of the negative logic signal group is set to “1” (for example, the positive logic signal group is set to [000] and the negative logic signal group is set to [001]). Multiple selection is performed (see FIG. 2A of Patent Document 1). After executing the above-described multiple selection step for performing multiple selection, only one bit of the signal group that has not been set to “1” is set to “1” (for example, the positive logic signal group is [001]), a non-selection step is performed to confirm that the multiple-selected address decoder is not selected (see FIG. 2B of Patent Document 1). In this way, by confirming whether one N-channel MOS transistor in the multi-selected address decoder is normally turned on (whether it is in a non-selected state) or not, it is possible to check the N-channel MOS transistor. Inspect the transistor.

その後は、上記した多重選択ステップと全非選択ステップとを交互に実行し、全非選択ステップにおいて「1」をセットするビットを順次変化(例えば、正論理信号群を、[001]から[010]に変化)させて、前記信号群(例えば、正論理信号群)の全てのビットについて当該ステップを実行する。これにより、上記した多重選択ステップで選択されたアドレスデコーダにおけるNチャネル型MOSトランジスタ全ての検査を行う。次に、上記した多重選択ステップにおいていずれか1ビットを「1」にセットした信号群(例えば、負論理信号群)と、上記した全非選択ステップにおいていずれか1ビットを「1」にセットした信号群(例えば、正論理信号群)とを互いに入れ替えることで、上記した多重選択ステップにおいて選択されなかった残りのアドレスデコーダを選択し、多重選択ステップと全非選択ステップを同様に実行することで、全てのアドレスデコーダにおけるNチャネル型MOSトランジスタの検査を終了する。
特開2007―193877号公報
Thereafter, the multiple selection step and the all non-selection step described above are executed alternately, and the bit for setting “1” in the all non-selection step is sequentially changed (for example, the positive logic signal group is changed from [001] to [010]. And the corresponding step is executed for all bits of the signal group (for example, positive logic signal group). As a result, all the N-channel MOS transistors in the address decoder selected in the multiple selection step are inspected. Next, a signal group (for example, a negative logic signal group) in which any one bit is set to “1” in the multiple selection step described above, and any one bit is set to “1” in all the non-selection steps described above. By exchanging signal groups (for example, positive logic signal groups) with each other, the remaining address decoders not selected in the multiple selection step described above are selected, and the multiple selection step and all non-selection steps are executed in the same manner. The inspection of the N channel type MOS transistors in all the address decoders is completed.
JP 2007-193877 A

ところで、特許文献1に示されるアドレスデコーダの検査方法では、選択されたアドレスデコーダにおける1つのNチャネル型MOSトランジスタを検査するために、多重選択ステップと、全非選択ステップの2つのステップを実行しなければならず、検査ステップが多くなることが懸念される。例えば、上記した8個の3ビットNOR型アドレスデコーダによって構成されたデコーダ回路の場合、最短で12通りの検査ステップを要する。   By the way, in the address decoder inspection method disclosed in Patent Document 1, in order to inspect one N-channel MOS transistor in the selected address decoder, two steps of a multiple selection step and an all non-selection step are executed. There is a concern that there will be many inspection steps. For example, in the case of a decoder circuit composed of the above-mentioned eight 3-bit NOR type address decoders, twelve inspection steps are required at the shortest.

また、多重選択されたアドレスデコーダのNチャネル型MOSトランジスタが正常にONしたか否か(非選択状態となったか否か)を、各出力信号ではなく、多重選択されたメモリデータによって確認しているので、アドレスデコーダの選択によっては、メモリデータが重複する虞がある。そのため、テスト時に、多重選択されたアドレスデコーダの出力信号によって検出されることが期待されるテスト用のメモリデータの期待値を予め用意しておかなくてはならなく、手間を要することが懸念される。   Also, whether or not the N-channel MOS transistor of the multi-selected address decoder is normally turned on (whether or not it is in a non-selected state) is confirmed not by the output signals but by the multi-selected memory data. Therefore, depending on the selection of the address decoder, the memory data may be duplicated. For this reason, it is necessary to prepare the expected value of the test memory data that is expected to be detected by the output signal of the multiple-selected address decoder at the time of the test, and there is a concern that it takes time and effort. The

さらには、例えばソース側の端子と接地端子との接触抵抗が高かったり、ソース若しくはドレイン側の端子に接続される配線に傷があったり、ゲート電極に十分な電圧が印加されずオン抵抗が高い、等の場合(所謂、ハイインピーダンス状態の場合)、出力される出力信号の強弱ではなく、メモリデータの2つの値(0か1)によって検査を行っているので、良品判定を行う場合に、アドレスデコーダに内在する不良を検出することが困難であるという問題もある。   Furthermore, for example, the contact resistance between the source side terminal and the ground terminal is high, the wiring connected to the source or drain side terminal is damaged, or a sufficient voltage is not applied to the gate electrode, resulting in high on-resistance. In the case of the so-called high impedance state, since the inspection is performed not based on the strength of the output signal to be output, but based on the two values (0 or 1) of the memory data, There is also a problem that it is difficult to detect defects inherent in the address decoder.

そこで、本発明は上記問題点に鑑み、検査ステップがより少なく、テスト用のメモリデータの期待値を設ける必要がなく、且つ検査を詳細に行うことができるアドレスデコーダの検査回路及びその検査方法を提供することを目的とする。   Therefore, in view of the above problems, the present invention provides an inspection circuit for an address decoder and an inspection method thereof that can have a smaller number of inspection steps, do not need to provide an expected value of memory data for testing, and can perform inspection in detail. The purpose is to provide.

上記した目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、メモリセルを選択するために入力されるアドレス信号をデコードした結果を出力する複数のアドレスデコーダの機能を検査するアドレスデコーダの検査回路であって、複数のアドレスデコーダの一部に対して、アドレス信号の負論理信号と、検査時に、負論理信号とは独立に設定される負論理信号と、を選択して出力するマルチプレクサと、検査時に、各アドレスデコーダの出力端子と電源端子との電気的な接続を遮断する第1スイッチング素子と、複数のアドレスデコーダの出力端子のそれぞれと、中継配線を介して接続された共通配線と、中継配線のそれぞれに設けられ、検査時に各出力端子と共通配線とを電気的に接続する第2スイッチング素子と、を備えることを特徴とする。   In order to achieve the above object, an invention according to claim 1 is directed to an address decoder test for testing a function of a plurality of address decoders for outputting a result obtained by decoding an address signal inputted to select a memory cell. A multiplexer that selectively outputs a negative logic signal of an address signal and a negative logic signal that is set independently of the negative logic signal at the time of inspection to a part of a plurality of address decoders; A first switching element that cuts off an electrical connection between an output terminal of each address decoder and a power supply terminal at the time of inspection; a common wiring connected to each of the output terminals of the plurality of address decoders via a relay wiring; And a second switching element that is provided in each of the relay wirings and electrically connects each output terminal and the common wiring at the time of inspection. .

このように、本発明のアドレスデコーダの検査回路(以下、単に検査回路と示す)は、n(nは2以上の自然数)ビットアドレスをデコードするための複数のアドレスデコーダの一部に対して、アドレス信号の負論理信号と、検査時(テスト時)に負論理信号とは独立に設定される負論理信号と、を選択して出力するマルチプレクサを備えている。したがって、テスト時に、マルチプレクサを介して独自に設定される負論理信号をアドレスデコーダに入力することにより、複数のアドレスデコーダを選択する多重選択を行うことができる。   As described above, the inspection circuit of the address decoder according to the present invention (hereinafter simply referred to as the inspection circuit) has a part of a plurality of address decoders for decoding n (n is a natural number of 2 or more) bit addresses. A multiplexer is provided that selects and outputs a negative logic signal of the address signal and a negative logic signal that is set independently of the negative logic signal at the time of inspection (test). Therefore, at the time of a test, multiple selections for selecting a plurality of address decoders can be performed by inputting a negative logic signal uniquely set via the multiplexer to the address decoder.

また、検査回路は、複数のアドレスデコーダの出力端子のそれぞれと、中継配線を介して接続された共通配線を有している。これにより、複数のアドレスデコーダから出力される出力信号が共通配線に流れるようになっている。すなわち、共通配線を流れる出力信号の電流値を検出することで、アドレスデコーダの検査を行うことができる構成となっている。   The inspection circuit has a common wiring connected to each of the output terminals of the plurality of address decoders via a relay wiring. As a result, output signals output from a plurality of address decoders flow through the common wiring. In other words, the address decoder can be inspected by detecting the current value of the output signal flowing through the common wiring.

また、検査回路は、テスト時に、アドレスデコーダにおける出力端子と電源端子との接続を遮断する第1スイッチング素子を有している。これにより、テスト時に、多重選択されたアドレスデコーダ(アドレスデコーダがNOR型の場合、アドレス信号のビットの全てに「0」が入力されたアドレスデコーダ)から出力信号が出力されることが抑制され、多重選択されなかったアドレスデコーダ(アドレスデコーダがNOR型の場合、アドレス信号のビットのいずれかに「1」が入力されたアドレスデコーダ)からのみ出力信号が共通配線に出力されるようになる。したがって、共通配線に出力された出力信号の電流値を検出することで、多重選択されなかったアドレスデコーダの検査を行うことができる。このように、アドレスデコーダの検査を、従来のようにメモリデータによって検査を行わないので、従来に比べてより少ない検査ステップでアドレスデコーダの検査を行うことができる。   The inspection circuit also includes a first switching element that cuts off the connection between the output terminal and the power supply terminal in the address decoder during the test. This suppresses the output signal from being output from the multiple-selected address decoder (when the address decoder is a NOR type, an address decoder in which “0” is input to all the bits of the address signal) during the test, The output signal is output to the common line only from the address decoder that is not selected multiple (if the address decoder is a NOR type, an address decoder in which “1” is input to one of the bits of the address signal). Therefore, by detecting the current value of the output signal output to the common wiring, it is possible to inspect the address decoder that has not been multiple-selected. In this manner, since the address decoder is not inspected with the memory data as in the conventional case, the address decoder can be inspected with fewer inspection steps than in the prior art.

また、アドレスデコーダの検査を、出力信号という連続値(アナログ値)によって行うので、従来のようなメモリデータの2つの値(デジタル値)によって検査を行う方法に比べて、アドレスデコーダの検査を詳細に行うことができる。また、出力信号によって検査を行っているので、予め、多重選択によって出力が期待されるテスト用のメモリデータの期待値を用意しなくとも良い。   In addition, since the address decoder is inspected by a continuous value (analog value) called an output signal, the address decoder is inspected in more detail than the conventional method of inspecting by two values (digital values) of memory data. Can be done. In addition, since the inspection is performed using the output signal, it is not necessary to prepare in advance the expected value of the test memory data that is expected to be output by multiple selection.

また、検査回路は、中継配線のそれぞれに設けられ、テスト信号に基づいて各出力端子と共通配線とを電気的に接続する第2スイッチング素子を有している。すなわち、通常動作(メモリセルにデコードした結果を出力する)時に、各出力端子と共通配線との電気的な接続を、第2スイッチング素子によって遮断することができる。これにより、通常動作時に、1つの選択されたアドレスデコーダから出力された出力信号が、中継配線と共通配線を介して、他のアドレスデコーダの出力端子と接続されているメモリセルに出力される等の不具合の発生が抑制される。   The inspection circuit includes a second switching element that is provided in each of the relay wirings and electrically connects each output terminal and the common wiring based on the test signal. That is, during the normal operation (outputting the decoded result to the memory cell), the electrical connection between each output terminal and the common wiring can be interrupted by the second switching element. As a result, during normal operation, an output signal output from one selected address decoder is output to a memory cell connected to an output terminal of another address decoder via the relay wiring and the common wiring. The occurrence of defects is suppressed.

請求項2に記載のように、独立に設定される負理信号を書き込んでマルチプレクサに出力するためのレジスタを備える構成が好ましい。これによれば、独立に設定される負論理信号を与えるための外部接続用端子を設けなくとも良い。   According to a second aspect of the present invention, there is preferably provided a register for writing an independently set truth signal and outputting it to the multiplexer. According to this, it is not necessary to provide an external connection terminal for giving an independently set negative logic signal.

請求項3に記載のように、共通配線に、外部電源と接続するための外部接続用端子が接続されている構成を採用することもできる。これによれば、検査回路内に設けられた電源電圧よりも高い電圧をアドレスデコーダに印加することができる。これにより、共通配線に出力される出力信号の電流値を大きくし、検出精度を向上させることができる。   According to a third aspect of the present invention, a configuration in which an external connection terminal for connection to an external power source is connected to the common wiring can be employed. According to this, a voltage higher than the power supply voltage provided in the inspection circuit can be applied to the address decoder. Thereby, the current value of the output signal output to the common wiring can be increased, and the detection accuracy can be improved.

請求項4に記載のように、共通配線に流れる電流の電流値に基づいて、アドレスデコーダの検査を行う検査部を備える構成を採用することができる。これによれば、アドレスデコーダの検査回路内で検査を行うことができる。これにより、外部電源と接続するための外部接続用端子を設けなくとも良い。   According to a fourth aspect of the present invention, it is possible to employ a configuration including an inspection unit that inspects the address decoder based on the current value of the current flowing through the common wiring. According to this, the inspection can be performed in the inspection circuit of the address decoder. Thereby, it is not necessary to provide an external connection terminal for connection to an external power source.

請求項5に記載の発明は、請求項1〜4いずれかに記載のアドレスデコーダの検査回路を使用して、アドレスデコーダを検査する方法であって、アドレスデコーダがNOR型の場合、直接入力を行うアドレス信号の全てを正論理信号群とし、検査時に、独立に設定される負論理信号の全てを負論理信号群とすると、正論理信号群及び負論理信号群の内いずれか1ビットだけを「1」にセットすることでアドレスデコーダを多重選択し、共通配線に流れる電流の値に基づいて検査を行う多重選択ステップを実行し、多重選択ステップにおいて、「1」をセットするビットを順次変化させて、信号群の全てのビットについて当該多重選択ステップを実行することを特徴としている。   A fifth aspect of the present invention is a method for inspecting an address decoder using the address decoder inspection circuit according to any one of the first to fourth aspects, wherein when the address decoder is a NOR type, direct input is performed. If all address signals to be performed are positive logic signal groups and all negative logic signals set independently at the time of inspection are negative logic signal groups, only one bit of the positive logic signal group and the negative logic signal group is used. By setting to “1”, the address decoder is selected multiple times, and a multiple selection step is performed in which an inspection is performed based on the value of the current flowing in the common wiring. In the multiple selection step, the bits for setting “1” are sequentially changed. Thus, the multiple selection step is executed for all the bits of the signal group.

このように本発明によれば、共通配線に流れる電流の値に基づいて検査を行うので、従来のように、多重選択ステップを実行した後に、全非選択ステップを実行することでメモリデータの値を検出して検査を行うのではなく、多重選択ステップのみで検査を行うことができる。これにより、半分の検査ステップで検査を行うことができる。すなわち、正論理信号群と負論理信号群の合計ビット数と同数の検査ステップで検査を行うことができる。   As described above, according to the present invention, since the inspection is performed based on the value of the current flowing in the common wiring, the value of the memory data can be obtained by executing the all non-selection step after executing the multiple selection step as in the prior art. The inspection can be performed only by the multiple selection step, instead of performing the inspection by detecting. Thereby, it can test | inspect in a half inspection step. That is, the inspection can be performed by the same number of inspection steps as the total number of bits of the positive logic signal group and the negative logic signal group.

例えば、8個の3ビットNOR型アドレスデコーダで構成されるデコーダ回路の場合、正論理信号群と負論理信号群の合計ビット数は6なので、最短で6通りの検査ステップで検査を行うことができる。   For example, in the case of a decoder circuit composed of eight 3-bit NOR type address decoders, the total number of bits of the positive logic signal group and the negative logic signal group is 6, so that the inspection can be performed in a minimum of 6 inspection steps. it can.

以上のようにして、上記したアドレスデコーダの検査回路及びその検査方法は、検査ステップがより少なく、テスト用のメモリデータの期待値を設ける必要がなく、且つ検査を詳細に行うことができるアドレスデコーダの検査回路及びその検査方法となっている。   As described above, the address decoder inspection circuit and the inspection method described above have fewer inspection steps, do not require the expected value of the memory data for testing, and can perform the inspection in detail. This is an inspection circuit and an inspection method thereof.

なお、請求項6に記載の発明の作用効果は、請求項5に記載の発明の作用効果と同様であるので、その記載を省略する。   In addition, since the effect of the invention of Claim 6 is the same as the effect of the invention of Claim 5, the description is abbreviate | omitted.

以下、本発明を、ROMなどのメモリにおいてメモリセルを選択する3ビットNOR型アドレスデコーダに適用した場合の実施形態を図に基づいて説明する。また、以下においては、電圧が高い状態(Hiレベル)の信号を「1」、電圧が低い状態(Lowレベル)の信号を「0」とみなす正論理によって記述する。
(第1実施形態)
図1は、検査時における、第1実施形態に係るアドレスデコーダの検査回路を示す回路図である。図2は、アドレスデコーダを構成しているNORゲートの構成を示す回路図である。図3は、デコーダの多重選択が行われる作用を説明する図である。図4は、テスト用のアドレスパターンを示す図である。なお、図1においては、便宜上、電源端子23を省略している。
Hereinafter, an embodiment in which the present invention is applied to a 3-bit NOR type address decoder for selecting a memory cell in a memory such as a ROM will be described with reference to the drawings. Further, in the following description, a signal with a high voltage (Hi level) is described as positive logic, and a signal with a low voltage (Low level) is considered as “0”.
(First embodiment)
FIG. 1 is a circuit diagram showing an inspection circuit of the address decoder according to the first embodiment at the time of inspection. FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of a NOR gate constituting the address decoder. FIG. 3 is a diagram for explaining an operation in which multiple selection of the decoder is performed. FIG. 4 is a diagram showing a test address pattern. In FIG. 1, the power supply terminal 23 is omitted for convenience.

アドレスデコーダの検査回路100(以下、単に検査回路100と示す)は、図1に示すように、アドレスデコーダ10〜17(NOR000〜NOR111)と、入力信号[A0〜A2](正論理信号)を反転し、反転信号[A0N〜A2N](負論理信号)をアドレスデコーダ11〜17(NOR001〜NOR111)に出力するNOTゲート40〜42と、反転信号[A0N〜A2N]と該反転信号[A0N〜A2N]とは独立に設定される独立反転信号[B0N〜B2N] (負論理信号)とを選択するマルチプレクサ50〜52と、独立反転信号[B0N〜B2N]をマルチプレクサ50〜52に出力するレジスタ53と、アドレスデコーダ10〜17の各出力端子18と接続される中継配線60〜67と、該中継配線60〜67それぞれに設けられた第2スイッチング素子70〜77と、テスト信号(TEST)を反転し、反転テスト信号(TESTN)を第2スイッチング素子70〜77に出力するNOTゲート80と、中継配線60〜67を介してアドレスデコーダ10〜17の各出力端子18と接続される共通配線90と、を有している。   As shown in FIG. 1, an address decoder test circuit 100 (hereinafter simply referred to as test circuit 100) receives address decoders 10 to 17 (NOR000 to NOR111) and input signals [A0 to A2] (positive logic signals). Inverted and outputs inverted signals [A0N to A2N] (negative logic signals) to address decoders 11 to 17 (NOR001 to NOR111), inverted signals [A0N to A2N], and inverted signals [A0N to Multiplexers 50 to 52 that select independent inverted signals [B0N to B2N] (negative logic signals) set independently of A2N], and a register 53 that outputs independent inverted signals [B0N to B2N] to the multiplexers 50 to 52 Relay lines 60 to 67 connected to the output terminals 18 of the address decoders 10 to 17 and the relay lines 60 to 67, respectively. The second switching elements 70 to 77 and the NOT gate 80 that inverts the test signal (TEST) and outputs the inverted test signal (TESTN) to the second switching elements 70 to 77 and the relay wirings 60 to 67. And a common line 90 connected to each output terminal 18 of the address decoders 10 to 17.

アドレスデコーダ10〜17は、図2に示すように、出力端子18と接地端子19との間で互いに並列に配置される3つのNチャネル型MOSトランジスタ20〜22と、出力端子18と電源端子23との間で直列に配置される3つのPチャネル型MOSトランジスタ24〜26とを有し、対応するゲート電極にアドレス信号を入力する入力端子27〜29が接続されている。第1入力端子27は、トランジスタ20,24のゲート電極と接続されており、該ゲート電極にアドレス信号A0,A0N,B0Nのいずれかが入力されるようになっている。第2入力端子28は、トランジスタ21,25のゲート電極と接続されており、アドレス信号A1,A1N,B1Nのいずれかが入力されるようになっている。そして、第3入力端子29は、トランジスタ22,26のゲート電極と接続されており、アドレス信号A2,A2N,B2Nのいずれかが入力されるようになっている。   As shown in FIG. 2, the address decoders 10 to 17 include three N-channel MOS transistors 20 to 22 arranged in parallel with each other between the output terminal 18 and the ground terminal 19, the output terminal 18, and the power supply terminal 23. And three P-channel MOS transistors 24 to 26 arranged in series with each other, and input terminals 27 to 29 for inputting an address signal are connected to corresponding gate electrodes. The first input terminal 27 is connected to the gate electrodes of the transistors 20 and 24, and any one of address signals A0, A0N, and B0N is input to the gate electrodes. The second input terminal 28 is connected to the gate electrodes of the transistors 21 and 25, and any one of the address signals A1, A1N, and B1N is input thereto. The third input terminal 29 is connected to the gate electrodes of the transistors 22 and 26 so that any one of the address signals A2, A2N, and B2N is input.

入力端子27〜29から入力されるアドレス信号に1つでもHiレベルの信号「1」がある場合、3つのNチャネル型MOSトランジスタ20〜22のいずれか一つが駆動され、接地端子19と出力端子18が接続され、出力端子18が接地電位となる。これにより、信号「0」が出力される。これに対し、通常動作時(テスト信号(TEST)がLowレベル)であり、入力端子27〜29から入力されるアドレス信号の全てがLowレベルの信号「0」である場合、3つのPチャネル型MOSトランジスタ24〜26の全てが駆動され、電源端子23と出力端子18が接続され、出力端子18が電源電位となる。これにより、信号「1」が出力される。   When even one of the address signals input from the input terminals 27 to 29 has a Hi level signal “1”, any one of the three N-channel MOS transistors 20 to 22 is driven, and the ground terminal 19 and the output terminal 18 is connected, and the output terminal 18 becomes the ground potential. As a result, a signal “0” is output. On the other hand, when the normal operation (test signal (TEST) is at the low level) and all of the address signals input from the input terminals 27 to 29 are the low level signal “0”, the three P-channel types are used. All of the MOS transistors 24 to 26 are driven, the power supply terminal 23 and the output terminal 18 are connected, and the output terminal 18 becomes the power supply potential. As a result, the signal “1” is output.

本実施形態に係るアドレスデコーダ10〜17には、電源端子23から最も遠い位置に配置されたPチャネル型MOSトランジスタ24と、電源端子23と出力端子18とを接続する接続点30との間に、電源端子23と出力端子18との接続を制御する第1スイッチング素子31が設けられている。本実施形態に係る第1スイッチング素子31は、Pチャネル型のMOSトランジスタであり、そのゲート電極にテスト配線32が接続されている。該ゲート電極には、テスト時に、テスト配線32を介してHiレベルのテスト信号(TEST)が入力される。これにより、テスト時に第1スイッチング素子31がオフし、電源端子23と出力端子18との接続が遮断され、信号「1」が出力されないようになっている。なお、上記例では、第1スイッチング素子31がPチャネル型MOSトランジスタ24と接続点30との間に配置される例を示した。しかしながら、第1スイッチング素子31の配置位置としては、電源端子23と出力端子18との接続を制御し、且つ出力端子18と接地端子19との接続を妨げない配置位置であれば上記例に限定されない。例えば、電源端子23に最も近い位置に配置されたPチャネル型MOSトランジスタ26と電源端子23との間に第1スイッチング素子31が配置される構成としても良い。これによっても、電源端子23と出力端子18との接続を制御することができる。   The address decoders 10 to 17 according to the present embodiment include a P-channel MOS transistor 24 disposed farthest from the power supply terminal 23 and a connection point 30 that connects the power supply terminal 23 and the output terminal 18. A first switching element 31 that controls connection between the power supply terminal 23 and the output terminal 18 is provided. The first switching element 31 according to the present embodiment is a P-channel MOS transistor, and a test wiring 32 is connected to the gate electrode thereof. A high-level test signal (TEST) is input to the gate electrode via the test wiring 32 during testing. As a result, the first switching element 31 is turned off during the test, the connection between the power supply terminal 23 and the output terminal 18 is cut off, and the signal “1” is not output. In the above example, the first switching element 31 is disposed between the P-channel MOS transistor 24 and the connection point 30. However, the arrangement position of the first switching element 31 is limited to the above example as long as the arrangement position controls the connection between the power supply terminal 23 and the output terminal 18 and does not hinder the connection between the output terminal 18 and the ground terminal 19. Not. For example, the first switching element 31 may be disposed between the P-channel MOS transistor 26 disposed closest to the power supply terminal 23 and the power supply terminal 23. Also by this, the connection between the power supply terminal 23 and the output terminal 18 can be controlled.

NOTゲート40〜42は、入力信号[A0〜A2](正論理信号)を反転し、反転信号[A0N〜A2N](負論理信号)をアドレスデコーダ11〜17(NOR001〜NOR111)に出力するものである。アドレスデコーダ10(NOR000)には、入力信号[A0〜A2]しか入力されない。1つの入力信号[A0〜A2](例えば[001])がNOTゲート40〜42に入力されると、反転信号[A0N〜A2N](例えば[110])が一意的に決定される。これにより、通常動作時においては、1つのアドレスデコーダ(例えば、アドレスデコーダ14(NOR100))のみが選択される。このように、NOTゲート40〜42とアドレスデコーダ10〜17によって、入力されるアドレス信号(入力信号)をデコードした結果を出力するデコーダ回路が構成される。   NOT gates 40 to 42 invert input signals [A0 to A2] (positive logic signals) and output inverted signals [A0N to A2N] (negative logic signals) to address decoders 11 to 17 (NOR001 to NOR111). It is. Only the input signals [A0 to A2] are input to the address decoder 10 (NOR000). When one input signal [A0 to A2] (for example, [001]) is input to the NOT gates 40 to 42, the inverted signal [A0N to A2N] (for example, [110]) is uniquely determined. Thereby, only one address decoder (for example, address decoder 14 (NOR100)) is selected during normal operation. Thus, the NOT gates 40 to 42 and the address decoders 10 to 17 constitute a decoder circuit that outputs the result of decoding the input address signal (input signal).

マルチプレクサ50〜52は、NOTゲート40〜42から出力される反転信号[A0N〜A2N]と、テスト時に、該反転信号[A0N〜A2N]とは独立に設定される独立反転信号[B0N〜B2N](負論理信号)とを選択するものである。図1に示すように、マルチプレクサ50〜52それぞれには、NOTゲート40〜42から出力された反転信号[A0N〜A2N]と、テスト信号(TEST)と、レジスタ53から出力された独立反転信号[B0N〜B2N]とが入力されるようになっている。テスト信号(TEST)がインアクティブ(Lowレベル)の場合、マルチプレクサ50〜52は、NOTゲート40〜42から出力される反転信号[A0N〜A2N]をアドレスデコーダ11〜17に出力し、テスト信号(TEST)がアクティブ(Hiレベル)の場合、レジスタ53から出力される独立反転信号[B0N〜B2N]を対応するアドレスデコーダ11〜17に出力する。このように、テスト信号(TEST)がアクティブの場合に、独立反転信号[B0N〜B2N]を選択し、該信号をアドレスデコーダ11〜17に出力することで、複数のアドレスデコーダを選択することが可能な構成となっている。なお、レジスタ53は、独立反転信号[B0N〜B2N]を一時的に記憶するものであり、テスト信号(TEST)がアクティブの場合、書き込みが可能となっている。   The multiplexers 50 to 52 include the inverted signals [A0N to A2N] output from the NOT gates 40 to 42 and the independent inverted signals [B0N to B2N] set independently of the inverted signals [A0N to A2N] during the test. (Negative logic signal) is selected. As shown in FIG. 1, each of the multiplexers 50 to 52 includes an inverted signal [A0N to A2N] output from the NOT gates 40 to 42, a test signal (TEST), and an independent inverted signal [ B0N to B2N] are input. When the test signal (TEST) is inactive (Low level), the multiplexers 50 to 52 output the inversion signals [A0N to A2N] output from the NOT gates 40 to 42 to the address decoders 11 to 17, respectively. When TEST) is active (Hi level), the independent inversion signals [B0N to B2N] output from the register 53 are output to the corresponding address decoders 11 to 17. As described above, when the test signal (TEST) is active, the independent inversion signals [B0N to B2N] are selected, and the plurality of address decoders can be selected by outputting the signals to the address decoders 11 to 17. It has a possible configuration. The register 53 temporarily stores the independent inversion signal [B0N to B2N], and can be written when the test signal (TEST) is active.

中継配線60〜67は、アドレスデコーダ10〜17の各出力端子18と共通配線90とを電気的に接続(中継)するものである。中継配線60〜67それぞれの途中には、出力端子18と共通配線90との接続を制御する第2スイッチング素子70〜77が設けられており、その一端が出力端子18と接続され、他端が共通配線90と接続されている。本実施形態に係る第2スイッチング素子70〜77は、Pチャネル型のMOSトランジスタであり、そのゲート電極に、テスト信号(TEST)がNOTゲート80によって反転された反転テスト信号(TESTN)が入力されるようになっている。これにより、テスト時に、第2スイッチング素子70〜77のゲート電極にLowレベルの反転テスト信号(TESTN)が印加され、第2スイッチング素子70〜77がオンし、出力端子18と共通配線90とが接続されるようになっている。なお、上記例では、第2スイッチング素子70〜77がPチャネル型のMOSトランジスタである例を示した。しかしながら、第2スイッチング素子70〜77としては、Nチャネル型のMOSトランジスタを採用することもできる。この場合、NOTゲート80を設けなくとも良い。   The relay wirings 60 to 67 electrically connect (relay) the output terminals 18 of the address decoders 10 to 17 and the common wiring 90. In the middle of each of the relay wirings 60 to 67, second switching elements 70 to 77 for controlling the connection between the output terminal 18 and the common wiring 90 are provided, one end of which is connected to the output terminal 18 and the other end is connected. The common wiring 90 is connected. The second switching elements 70 to 77 according to the present embodiment are P-channel MOS transistors, and an inverted test signal (TESTN) obtained by inverting the test signal (TEST) by the NOT gate 80 is input to the gate electrode thereof. It has become so. Thereby, a low level inversion test signal (TESTN) is applied to the gate electrodes of the second switching elements 70 to 77 during the test, the second switching elements 70 to 77 are turned on, and the output terminal 18 and the common wiring 90 are connected. Connected. In the above example, the second switching elements 70 to 77 are P-channel MOS transistors. However, as the second switching elements 70 to 77, N-channel type MOS transistors can be employed. In this case, the NOT gate 80 may not be provided.

共通配線90は、テスト時に、中継配線60〜67を介して、複数のアドレスデコーダ10〜17の各出力端子18と接続される。本実施形態においては、共通配線90に外部接続用端子91が設けられており、該外部接続用端子91を介して、共通配線90と外部電源110とが接続されるようになっている。したがって、外部電源110により、共通配線90に内部電源電圧よりも高い電圧を印加するようにすることで、共通配線90に流れる電流の値を大きくし、検出精度を向上させることができる。本実施形態では、外部接続用端子91にテスターを当てることで、共通配線90を流れる電流を検出し、検出された電流値と予め測定された規定の電流値(アドレスデコーダが正常に動作した場合に共通配線90で検出されることが期待される電流値)とを比較することで、検査を行うようにしている。なお、上記例では、テスターを外部接続用端子91に当てることで検査を行う例を示した。しかしながら、検査回路100内に検査部(図示略)を設けることで、検査を行うようにしても良い。これにより、検査回路100内で検査を行うことができるので、外部接続用端子を設けなくとも良い。上記した検査部としては、例えば抵抗やコンパレータ等から構成されるものを採用することができる。コンパレータを用いた場合、ファンクション判定を行うことができる。   The common wiring 90 is connected to the output terminals 18 of the plurality of address decoders 10 to 17 via the relay wirings 60 to 67 during the test. In the present embodiment, an external connection terminal 91 is provided in the common wiring 90, and the common wiring 90 and the external power supply 110 are connected via the external connection terminal 91. Therefore, by applying a voltage higher than the internal power supply voltage to the common wiring 90 by the external power supply 110, the value of the current flowing through the common wiring 90 can be increased and the detection accuracy can be improved. In this embodiment, by applying a tester to the external connection terminal 91, the current flowing through the common wiring 90 is detected, and the detected current value and a predetermined current value measured in advance (when the address decoder operates normally) Are compared with the current value expected to be detected by the common wiring 90). In the above example, the example in which the test is performed by applying the tester to the external connection terminal 91 is shown. However, the inspection may be performed by providing an inspection unit (not shown) in the inspection circuit 100. As a result, the inspection can be performed in the inspection circuit 100, so that it is not necessary to provide an external connection terminal. As the above-described inspection unit, for example, a unit composed of a resistor, a comparator, or the like can be adopted. When a comparator is used, function determination can be performed.

次に、テスト信号(TEST)がインアクティブ(Lowレベル)の場合、すなわち、通常動作における検査回路100の動作を説明する。テスト信号(TEST)がインアクティブの場合、マルチプレクサ50〜52は、NOTゲート40〜42から出力される反転信号[A0N〜A2N]を選択する。したがって、入力信号[A0〜A2]と反転信号[A0N〜A2N]がアドレスデコーダ10〜17(NOR000〜NOR111)に適宜入力され、1つのアドレスデコーダのみが選択される。この場合、第1スイッチング素子31はオン状態となるので、選択されたアドレスデコーダの出力端子18と電源端子23が接続され、出力端子18は電源電位となる。これにより、信号「1」がメモリセル(図示略)に出力される。また、テスト信号がLowレベルなので、NOTゲート80によって反転された反転テスト信号(TESTN)はHiレベルとなり、第2スイッチング素子70〜77はオフ状態となる。これにより、出力端子18と共通配線90との接続が遮断され、選択されたアドレスデコーダの出力端子から、中継配線と共通配線90を介して、他の選択されなかったアドレスデコーダと接続されているメモリセルに、信号「1」が出力される等の不具合が生じないようになっている。   Next, the operation of the inspection circuit 100 in the case where the test signal (TEST) is inactive (Low level), that is, in the normal operation will be described. When the test signal (TEST) is inactive, the multiplexers 50 to 52 select the inverted signals [A0N to A2N] output from the NOT gates 40 to 42. Accordingly, the input signals [A0 to A2] and the inverted signals [A0N to A2N] are appropriately input to the address decoders 10 to 17 (NOR000 to NOR111), and only one address decoder is selected. In this case, since the first switching element 31 is turned on, the output terminal 18 of the selected address decoder and the power supply terminal 23 are connected, and the output terminal 18 becomes the power supply potential. As a result, the signal “1” is output to the memory cell (not shown). Further, since the test signal is at the low level, the inverted test signal (TESTN) inverted by the NOT gate 80 becomes the Hi level, and the second switching elements 70 to 77 are turned off. As a result, the connection between the output terminal 18 and the common line 90 is cut off, and the output terminal of the selected address decoder is connected to another unselected address decoder via the relay line and the common line 90. Problems such as the output of the signal “1” to the memory cell are prevented.

次に、テスト信号(TEST)がアクティブ(Hiレベル)の場合、すなわち、テスト時における検査回路100の動作を説明する。テスト信号がアクティブの場合、マルチプレクサ50〜52は、レジスタ53から出力される独立反転信号[B0N〜B2N]を選択する。したがって、入力信号[A0〜A2]と独立反転信号[B0N〜B2N]がアドレスデコーダ10〜17(NOR000〜NOR111)に適宜入力され、複数のアドレスデコーダを多重選択することができるようになっている。   Next, the operation of the inspection circuit 100 when the test signal (TEST) is active (Hi level), that is, during the test will be described. When the test signal is active, the multiplexers 50 to 52 select the independent inverted signals [B0N to B2N] output from the register 53. Accordingly, the input signals [A0 to A2] and the independent inversion signals [B0N to B2N] are appropriately input to the address decoders 10 to 17 (NOR000 to NOR111), so that a plurality of address decoders can be selected. .

例えば、図3に示すような入力信号[A0〜A2]と独立反転信号[B0N〜B2N]の組み合わせであるアドレスパターン[A0〜B2N]=[100000]をアドレスデコーダ10〜17に入力することで、アドレスデコーダを多重選択することができる。図3の太枠で囲まれた部分が、アドレスデコーダ10〜17(NOR000〜NOR111)それぞれに入力されるアドレス信号を示している。上記したアドレスパターンを入力した場合、アドレスデコーダ11,13,15,17(NOR001,NOR011,NOR101,NOR111)にアドレス信号[000]が入力され、これらを一度に選択する多重選択(4重選択)が実行される。通常のデコーダ回路であれば、多重選択されたアドレスデコーダ11,13,15,17におけるPチャネル型MOSトランジスタ24〜26の全てがオン状態となるので、出力端子18と電源端子23が接続され、出力信号「1」が出力される。しかしながら、本実施形態に係るアドレスデコーダ10〜17はPチャネル型MOSトランジスタである第1スイッチング素子31を有している。第1スイッチング素子31のゲート電極にHiレベルのテスト信号(TEST)が入力されると、第1スイッチング素子31はオフ状態となり、アドレスデコーダ10〜17の出力端子18と電源端子23との接続が遮断される。したがって、選択されたアドレスデコーダ11,13,15,17の出力端子18は電源電位とはならならず、信号「1」は出力されない。また、アドレス信号[000]が入力されているので、Nチャネル型MOSトランジスタ20〜22はオンせず、出力端子18と接地端子19は接続されない。すなわち、出力端子18は接地電位とはならず、信号「0」も出力されない。したがって、多重選択されたアドレスデコーダ11,13,15,17から出力信号は出力されず、これらの出力端子18から共通配線90に流れる電流は、ほぼゼロとなる。これに対し、アドレス信号A0に「1」が入力され、他のアドレス信号に「0」が入力されるアドレスデコーダ10,12,14,16(NOR00,NOR010,NOR100,NOR110)は、アドレス信号A0が入力されるそれぞれのNチャネル型MOSトランジスタ20が正常にオンした場合、非選択状態となる。すなわち、Nチャネル型MOSトランジスタ20が正常にオンした場合、出力端子18と接地端子19が接続され、出力端子18が接地電位となる。これにより、信号「0」がメモリセル(図示略)に出力される。   For example, by inputting an address pattern [A0 to B2N] = [100000], which is a combination of the input signal [A0 to A2] and the independent inverted signal [B0N to B2N] as shown in FIG. Multiple address decoders can be selected. A portion surrounded by a thick frame in FIG. 3 indicates an address signal input to each of the address decoders 10 to 17 (NOR000 to NOR111). When the above address pattern is input, the address signal [000] is input to the address decoders 11, 13, 15, and 17 (NOR001, NOR011, NOR101, and NOR111), and multiple selection (four-fold selection) for selecting them at once. Is executed. In the case of a normal decoder circuit, all of the P-channel MOS transistors 24-26 in the multiple-selected address decoders 11, 13, 15, 17 are turned on, so that the output terminal 18 and the power supply terminal 23 are connected. An output signal “1” is output. However, the address decoders 10 to 17 according to the present embodiment have the first switching element 31 that is a P-channel MOS transistor. When a Hi level test signal (TEST) is input to the gate electrode of the first switching element 31, the first switching element 31 is turned off, and the connection between the output terminal 18 of the address decoders 10 to 17 and the power supply terminal 23 is established. Blocked. Therefore, the output terminal 18 of the selected address decoder 11, 13, 15, 17 does not become the power supply potential, and the signal “1” is not output. Since the address signal [000] is input, the N-channel MOS transistors 20 to 22 are not turned on, and the output terminal 18 and the ground terminal 19 are not connected. That is, the output terminal 18 does not become the ground potential, and the signal “0” is not output. Therefore, no output signal is output from the multiple-selected address decoders 11, 13, 15, and 17, and the current flowing from these output terminals 18 to the common wiring 90 is almost zero. On the other hand, address decoders 10, 12, 14, 16 (NOR00, NOR010, NOR100, NOR110) in which “1” is input to address signal A0 and “0” is input to other address signals are address signal A0. When each N-channel MOS transistor 20 to which is inputted normally is turned on, it is in a non-selected state. That is, when the N-channel MOS transistor 20 is normally turned on, the output terminal 18 and the ground terminal 19 are connected, and the output terminal 18 becomes the ground potential. As a result, the signal “0” is output to the memory cell (not shown).

第2スイッチング素子70〜77のゲート電極には、NOTゲート80によって反転されたLowレベルの反転テスト信号(TESTN)が入力され、これにより、第2スイッチング素子70〜77がオンし、各アドレスデコーダ10〜17の出力端子18と共通配線90とが電気的に接続されている。したがって、各アドレスデコーダ10〜17の出力信号が、共通配線90に流れ込むようになっている。共通配線90には、外部接続用端子91を介して、外部電源110が接続されているので、アドレスデコーダ10,12,14,16の各Nチャネル型MOSトランジスタ20には、外部電源110の電位と接地電位との差である外部電源電圧に基づく電圧(第2スイッチング素子と配線抵抗によって電圧降下された電圧)が印加される。各Nチャネル型MOSトランジスタ20が正常にオンした場合、Nチャネル型MOSトランジスタ20のオン抵抗と、外部電源電圧に基づく電圧によって決定される出力信号iが各アドレスデコーダ10,12,14,16の出力端子18から出力される。これらの出力信号iは、各共通配線60,62,64,66及び第2スイッチング素子70,72,74,76を介して共通配線90に出力される。すなわち、共通配線90に4つの出力信号iの総和である電流4i(以下、共通配線90に出力される出力信号の総和を、総和電流と示す)が出力されるようになっている。しかしながら、例えば、アドレスデコーダ10のNチャネル型MOSトランジスタ20にオープン不良が生じていたり、Nチャネル型MOSトランジスタ20の端子に接続される配線に断線が生じている場合、アドレスデコーダ10から出力信号iは出力されず、共通配線90に、3つのアドレスデコーダ12,14,16から出力される出力信号iの総和である総和電流3iが出力されることとなる。このように、Nチャネル型MOSトランジスタ20に不具合が生じていると、各Nチャネル型MOSトランジスタ20が正常にオンした場合に検出されることが期待される総和電流と検査時に検出される総和電流の電流値が異なるので、これらを比較することで、Nチャネル型MOSトランジスタ20に不具合が生じているか否かを判別することができる。なお、上記例では、1つのNチャネル型MOSトランジスタから出力される出力信号の寄与が全くない場合を示した。しかしながら、例えばNチャネル型MOSトランジスタが、ハイインピーダンス状態であっても、出力信号(総和電流)の電流値によって検査を行っているので、ハイインピーダンス状態を判別することもできる。これにより、良品判定を行うことができる。また、上記したように、出力信号の電流値によって検査を行っているので、従来のように、予め、多重選択によって出力が期待されるテスト用のメモリデータの期待値を用意しなくとも良い。   A low level inversion test signal (TESTN) inverted by the NOT gate 80 is inputted to the gate electrodes of the second switching elements 70 to 77, whereby the second switching elements 70 to 77 are turned on, and each address decoder is turned on. 10 to 17 output terminals 18 and the common wiring 90 are electrically connected. Therefore, the output signals of the address decoders 10 to 17 flow into the common wiring 90. Since the external power supply 110 is connected to the common wiring 90 via the external connection terminal 91, the potential of the external power supply 110 is connected to each N-channel MOS transistor 20 of the address decoder 10, 12, 14, 16. And a voltage based on the external power supply voltage (voltage dropped by the second switching element and the wiring resistance), which is the difference between the voltage and the ground potential, is applied. When each N-channel MOS transistor 20 is normally turned on, the output signal i determined by the on-resistance of the N-channel MOS transistor 20 and the voltage based on the external power supply voltage is supplied to each address decoder 10, 12, 14, 16 Output from the output terminal 18. These output signals i are output to the common wiring 90 via the common wirings 60, 62, 64, 66 and the second switching elements 70, 72, 74, 76. That is, a current 4i that is a sum of four output signals i (hereinafter, a sum of output signals output to the common wiring 90 is referred to as a total current) is output to the common wiring 90. However, for example, when an open failure occurs in the N-channel MOS transistor 20 of the address decoder 10 or when a wire connected to the terminal of the N-channel MOS transistor 20 is disconnected, the output signal i from the address decoder 10 Is not output, and a total current 3 i that is the sum of the output signals i output from the three address decoders 12, 14, and 16 is output to the common wiring 90. As described above, when a malfunction occurs in the N-channel MOS transistor 20, the total current that is expected to be detected when each N-channel MOS transistor 20 is normally turned on, and the total current that is detected at the time of inspection. Therefore, by comparing these values, it can be determined whether or not the N-channel MOS transistor 20 has a problem. In the above example, the case where there is no contribution of the output signal output from one N-channel MOS transistor is shown. However, for example, even when the N-channel MOS transistor is in a high impedance state, the high impedance state can be determined because the inspection is performed based on the current value of the output signal (total current). Thereby, non-defective product determination can be performed. Further, as described above, since the inspection is performed based on the current value of the output signal, it is not necessary to prepare the expected value of the test memory data that is expected to be output by the multiple selection in advance as in the prior art.

以上、1つのアドレスパターンを入力することで、4つの(半分の)アドレスデコーダにおける1つのNチャネル型MOSトランジスタの検査を行う原理を説明した。以下、アドレスパターンにおける信号「1」を入力するアドレス信号のビットを順次変化させることで、全てのアドレスデコーダ10〜17(NOR000〜NOR111)におけるNチャネル型MOSトランジスタ20〜22の検査を行う方法を概説する。全てのアドレスパターンを示した図を、図4に示す。   The principle of testing one N-channel MOS transistor in four (half) address decoders by inputting one address pattern has been described. Hereinafter, a method of inspecting the N-channel MOS transistors 20 to 22 in all the address decoders 10 to 17 (NOR000 to NOR111) by sequentially changing the bits of the address signal for inputting the signal “1” in the address pattern. Outline. A diagram showing all the address patterns is shown in FIG.

先ず、図4の(1)に示すように、アドレスパターン[A0〜B2N]=[100000]を入力することで、アドレスデコーダ10,12,14,16(NOR000,NOR010,NOR100,NOR110)のNチャネル型MOSトランジスタ20の検査を実行する。これは、上記した検査方法である。この時検出された総和電流の電流値が、検出されることが期待される電流値4iと等しい場合、各Nチャネル型MOSトランジスタ20が正常にONした事を示し、ハイインピーダンス状態でないことを示している。以上が、1回の多重選択ステップである。   First, as shown in (1) of FIG. 4, by inputting an address pattern [A0 to B2N] = [100000], N of the address decoders 10, 12, 14, 16 (NOR000, NOR010, NOR100, NOR110) The channel type MOS transistor 20 is inspected. This is the inspection method described above. If the current value of the total current detected at this time is equal to the current value 4i that is expected to be detected, it indicates that each N-channel MOS transistor 20 has been turned on normally and that it is not in a high impedance state. ing. The above is one multiple selection step.

次に、図4の(2)に示すように、「1」を入力するビットがA0からA1に変化したアドレスパターン[A0〜B2N]=[010000]を入力することで、アドレスデコーダ10,11,14,15(NOR000,NOR001,NOR100,NOR101)のNチャネル型MOSトランジスタ21の検査を実行する。この時検出された総和電流の電流値が、検出されることが期待される電流値4iと等しい場合、各Nチャネル型MOSトランジスタ21が正常にONした事を示し、ハイインピーダンス状態でないことを示している。   Next, as shown in (2) of FIG. 4, by inputting an address pattern [A0 to B2N] = [010000] in which the bit for inputting “1” is changed from A0 to A1, the address decoders 10, 11 14, 15 (NOR000, NOR001, NOR100, NOR101) N-channel MOS transistors 21 are inspected. When the current value of the total current detected at this time is equal to the current value 4i expected to be detected, it indicates that each N-channel MOS transistor 21 is normally turned on, indicating that it is not in a high impedance state. ing.

次に、図4の(3)に示すように、「1」を入力するビットがA1からA2に変化したアドレスパターン[A0〜B2N]=[001000]を入力することで、アドレスデコーダ10,11,12,13(NOR000,NOR001,NOR010,NOR011)のNチャネル型MOSトランジスタ22の検査を実行する。この時検出された総和電流の電流値が、検出されることが期待される電流値4iと等しい場合、各Nチャネル型MOSトランジスタ22が正常にONした事を示し、ハイインピーダンス状態でないことを示している。   Next, as shown in (3) of FIG. 4, by inputting an address pattern [A0 to B2N] = [001000] in which the bit for inputting “1” is changed from A1 to A2, the address decoders 10, 11 , 12, 13 (NOR000, NOR001, NOR010, NOR011), the N-channel MOS transistor 22 is inspected. If the current value of the total current detected at this time is equal to the current value 4i expected to be detected, it indicates that each N-channel MOS transistor 22 is normally turned on, indicating that it is not in a high impedance state. ing.

次に、図4の(4)に示すように、「1」を入力するビットがA2からB0Nに変化したアドレスパターン[A0〜B2N]=[000100]を入力することで、アドレスデコーダ11,13,15,17(NOR001,NOR011,NOR101,NOR111)のNチャネル型MOSトランジスタ20の検査を実行する。この時検出された総和電流の電流値が、検出されることが期待される電流値4iと等しい場合、各Nチャネル型MOSトランジスタ20が正常にONした事を示し、ハイインピーダンス状態でないことを示している。   Next, as shown in (4) of FIG. 4, by inputting an address pattern [A0-B2N] = [000100] in which the bit for inputting “1” is changed from A2 to B0N, the address decoders 11, 13 , 15, 17 (NOR001, NOR011, NOR101, NOR111) are inspected. If the current value of the total current detected at this time is equal to the current value 4i that is expected to be detected, it indicates that each N-channel MOS transistor 20 has been turned on normally and that it is not in a high impedance state. ing.

次に、図4の(5)に示すように、「1」を入力するビットがB0NからB1Nに変化したアドレスパターン[A0〜B2N]=[000010]を入力することで、アドレスデコーダ12,13,16,17(NOR010,NOR011,NOR110,NOR111)のNチャネル型MOSトランジスタ21の検査を実行する。この時検出された総和電流の電流値が、検出されることが期待される電流値4iと等しい場合、各Nチャネル型MOSトランジスタ21が正常にONした事を示し、ハイインピーダンス状態でないことを示している。   Next, as shown in (5) of FIG. 4, by inputting an address pattern [A0-B2N] = [000010] in which the bit for inputting “1” is changed from B0N to B1N, the address decoders 12, 13 , 16, 17 (NOR010, NOR011, NOR110, NOR111) N-channel MOS transistors 21 are inspected. When the current value of the total current detected at this time is equal to the current value 4i expected to be detected, it indicates that each N-channel MOS transistor 21 is normally turned on, indicating that it is not in a high impedance state. ing.

最後に、図4の(6)に示すように、「1」を入力するビットがB1NからB2Nに変化したアドレスパターン[A0〜B2N]=[000001]を入力することで、アドレスデコーダ14,15,16,17(NOR100,NOR101,NOR110,NOR111)のNチャネル型MOSトランジスタ22の検査を実行する。この時検出された総和電流の電流値が、検出されることが期待される電流値4iと等しい場合、各Nチャネル型MOSトランジスタ22が正常にONした事を示し、ハイインピーダンス状態でないことを示している。   Finally, as shown in (6) of FIG. 4, by inputting an address pattern [A0 to B2N] = [000001] in which the bit for inputting “1” is changed from B1N to B2N, address decoders 14 and 15 16, 17 (NOR100, NOR101, NOR110, NOR111) N-channel MOS transistors 22 are inspected. If the current value of the total current detected at this time is equal to the current value 4i expected to be detected, it indicates that each N-channel MOS transistor 22 is normally turned on, indicating that it is not in a high impedance state. ing.

以上、6回の多重選択ステップによって、全てのアドレスデコーダ10〜17(NOR000〜NOR111)におけるNチャネル型MOSトランジスタ20〜22の検査を終了する。このように、3ビットアドレスデコーダの場合、必要な検査ステップは6通り(アドレスパターンのビット数と同じ)となり、従来の12通りと比較して、半分の検査ステップでテストを行うことができる。   As described above, the inspection of the N channel type MOS transistors 20 to 22 in all the address decoders 10 to 17 (NOR000 to NOR111) is completed by the multiple selection step of six times. Thus, in the case of a 3-bit address decoder, the required inspection steps are six (same as the number of bits of the address pattern), and the test can be performed in half the inspection steps as compared with the conventional twelve.

このように、本実施形態で示した検査回路100及びその検査方法は、検査ステップがより少なく、テスト用のメモリデータの期待値を設ける必要がなく、且つ検査を詳細に行うことができる検査回路及びその検査方法となっている。   As described above, the inspection circuit 100 and the inspection method shown in the present embodiment have fewer inspection steps, do not need to provide the expected value of the memory data for testing, and can perform the inspection in detail. And its inspection method.

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。   The preferred embodiments of the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

本実施形態では、本発明をNOR型のアドレスデコーダに適用した例を示した。しかしながら、本発明は上記例に限定されず、NAND型のアドレスデコーダにも適用することができる。この場合、アドレスパターンにおけるいずれか1ビット(例えばA0)に「0」を入力し、他のビットを「1」に入力することで多重選択ステップを実行し、アドレスパターンにおける信号「0」を入力するビットを順次変化させることで、本実施形態で示した検査と全く同様の検査を行うことができる。   In the present embodiment, an example in which the present invention is applied to a NOR type address decoder is shown. However, the present invention is not limited to the above example, and can be applied to a NAND type address decoder. In this case, “0” is input to any one bit (for example, A0) in the address pattern, and the multiple selection step is executed by inputting the other bits to “1”, and the signal “0” in the address pattern is input. By sequentially changing the bits to be performed, it is possible to perform the same inspection as the inspection shown in the present embodiment.

本実施形態では、本発明を3ビットアドレスデコーダに適用した例を示した。しかしながら、上記例に限定されず、3ビット以外のアドレスデコーダに適用することも可能である。nビットアドレスデコーダの場合、アドレスパターンのビット数は2nとなるので、最短で2n通りの検査ステップで検査を行うことができる。   In this embodiment, an example in which the present invention is applied to a 3-bit address decoder is shown. However, the present invention is not limited to the above example, and can be applied to an address decoder other than 3 bits. In the case of an n-bit address decoder, the number of bits of the address pattern is 2n, so that the inspection can be performed in the shortest 2n inspection steps.

本実施形態では、検出された総和電流の電流値と、検出されることが期待される電流値とを比較することで、検査を行う例を示した。しかしながら、検査方法は、上記例に限定されない。例えば、上記した3ビットアドレスデコーダの場合、全部で6通りの検査ステップを実行するので、6つの総和電流の電流値を得ることができる。これら6つの総和電流の電流値に基づいて、検査を行っても良い。これにより、製造工程で生じる製造ばらつきなどのノイズを除去することができる。また、検出されることが期待される電流値を予め用意しなくとも良い。   In the present embodiment, an example is shown in which the inspection is performed by comparing the detected current value of the total current with the current value expected to be detected. However, the inspection method is not limited to the above example. For example, in the case of the above-described 3-bit address decoder, since six kinds of inspection steps are executed in total, it is possible to obtain six total current values. An inspection may be performed based on the current values of these six total currents. As a result, noise such as manufacturing variation generated in the manufacturing process can be removed. Further, it is not necessary to prepare in advance a current value expected to be detected.

検査時における、第1実施形態に係るアドレスデコーダの検査回路を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing an inspection circuit of the address decoder according to the first embodiment at the time of inspection. アドレスデコーダを構成しているNORゲートの回路構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the circuit structure of the NOR gate which comprises the address decoder. デコーダの多重選択が行われる作用を説明する図である。It is a figure explaining the effect | action with which multiple selection of a decoder is performed. テスト用のアドレスパターンを示す図である。It is a figure which shows the address pattern for a test.

符号の説明Explanation of symbols

10〜17・・・アドレスデコーダ
31・・・第1スイッチング素子31
50〜52・・・マルチプレクサ
60〜67・・・中継配線
70〜77・・・第2スイッチング素子
90・・・共通配線
100・・・アドレスデコーダの検査回路
110・・・外部電源
10 to 17 Address decoder 31 First switching element 31
50 to 52, multiplexers 60 to 67, relay wiring 70 to 77, second switching element 90, common wiring 100, address decoder inspection circuit 110, external power source

Claims (6)

メモリセルを選択するために入力されるアドレス信号をデコードした結果を出力する複数のアドレスデコーダの機能を検査するアドレスデコーダの検査回路であって、
複数の前記アドレスデコーダの一部に対して、前記アドレス信号の負論理信号と、検査時に、前記負論理信号とは独立に設定される負論理信号と、を選択して出力するマルチプレクサと、
検査時に、各アドレスデコーダの出力端子と電源端子との電気的な接続を遮断する第1スイッチング素子と、
複数の前記アドレスデコーダの出力端子のそれぞれと、中継配線を介して接続された共通配線と、
前記中継配線のそれぞれに設けられ、検査時に各出力端子と前記共通配線とを電気的に接続する第2スイッチング素子と、を備えることを特徴とするアドレスデコーダの検査回路。
A test circuit for an address decoder that tests the functions of a plurality of address decoders that outputs a result obtained by decoding an address signal input to select a memory cell,
A multiplexer that selects and outputs a negative logic signal of the address signal and a negative logic signal that is set independently of the negative logic signal at the time of inspection for a part of the plurality of address decoders;
A first switching element that cuts off an electrical connection between an output terminal and a power supply terminal of each address decoder at the time of inspection;
A common line connected to each of the output terminals of the plurality of address decoders via a relay line;
An inspection circuit for an address decoder, comprising: a second switching element provided in each of the relay wirings and electrically connecting each output terminal and the common wiring at the time of inspection.
前記独立に設定される負論理信号を書き込んで前記マルチプレクサに出力するためのレジスタを備えることを特徴とする請求項1に記載のアドレスデコーダの検査回路。   2. The address decoder inspection circuit according to claim 1, further comprising a register for writing the negative logic signal set independently and outputting the negative logic signal to the multiplexer. 前記共通配線に、外部電源と接続するための外部接続用端子が設けられていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のアドレスデコーダの検査回路。   3. The inspection circuit for an address decoder according to claim 1, wherein an external connection terminal for connecting to an external power source is provided in the common wiring. 前記共通配線に流れる電流の電流値に基づいて、前記アドレスデコーダの検査を行う検査部を備えることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のアドレスデコーダの検査回路。   3. The address decoder inspection circuit according to claim 1, further comprising: an inspection unit configured to inspect the address decoder based on a current value of a current flowing through the common wiring. 請求項1〜4いずれかに記載のアドレスデコーダの検査回路を使用して、アドレスデコーダを検査する方法であって、
前記アドレスデコーダがNOR型の場合、
直接入力を行うアドレス信号の全てを正論理信号群とし、検査時に、独立に設定される負論理信号の全てを負論理信号群とすると、
前記正論理信号群及び前記負論理信号群の内いずれか1ビットだけを「1」にセットすることで前記アドレスデコーダを多重選択し、前記共通配線に流れる電流の値に基づいて検査を行う多重選択ステップを実行し、
前記多重選択ステップにおいて、「1」をセットするビットを順次変化させて、前記信号群の全てのビットについて当該多重選択ステップを実行することを特徴とするアドレスデコーダの検査方法。
A method for inspecting an address decoder using the address decoder inspection circuit according to claim 1, comprising:
When the address decoder is NOR type,
If all address signals that are directly input are positive logic signal groups, and all negative logic signals that are set independently at the time of inspection are negative logic signal groups,
Multiplexing is performed by selecting only one of the positive logic signal group and the negative logic signal group to “1” to multiple-select the address decoder and inspect based on the value of the current flowing through the common wiring. Perform the selection step,
In the multiple selection step, the bit for setting “1” is sequentially changed, and the multiple selection step is executed for all the bits of the signal group.
請求項1〜4いずれかに記載のアドレスデコーダの検査回路を使用して、アドレスデコーダを検査する方法であって、
前記アドレスデコーダがNAND型の場合、
直接入力を行うアドレス信号の全てを正論理信号群とし、検査時に、独立に設定される負論理信号の全てを負論理信号群とすると、
前記正論理信号群及び前記負論理信号群の内いずれか1ビットだけを「0」にセットすることで前記アドレスデコーダを多重選択し、前記共通配線に流れる電流の値に基づいて検査を行う多重選択ステップを実行し、
前記多重選択ステップにおいて、「0」をセットするビットを順次変化させて、前記信号群の全てのビットについて当該多重選択ステップを実行することを特徴とするアドレスデコーダの検査方法。
A method for inspecting an address decoder using the address decoder inspection circuit according to claim 1, comprising:
When the address decoder is a NAND type,
If all address signals that are directly input are positive logic signal groups, and all negative logic signals that are set independently at the time of inspection are negative logic signal groups,
Multiplexing is performed by selecting only one of the positive logic signal group and the negative logic signal group to “0”, thereby selecting the address decoder in multiple, and performing inspection based on the value of the current flowing in the common wiring. Perform the selection step,
In the multiple selection step, the bit for setting “0” is sequentially changed, and the multiple selection step is executed for all the bits of the signal group.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN110794247A (en) * 2019-08-08 2020-02-14 天生桥二级水力发电有限公司天生桥水力发电总厂 Automatic device inspection platform

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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