[go: up one dir, main page]

JP2010010568A - Circuit device - Google Patents

Circuit device Download PDF

Info

Publication number
JP2010010568A
JP2010010568A JP2008170575A JP2008170575A JP2010010568A JP 2010010568 A JP2010010568 A JP 2010010568A JP 2008170575 A JP2008170575 A JP 2008170575A JP 2008170575 A JP2008170575 A JP 2008170575A JP 2010010568 A JP2010010568 A JP 2010010568A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit board
circuit
sealing resin
hybrid integrated
case material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008170575A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takahito Yanagida
隆仁 柳田
Ken Nagashima
健 永嶋
Yuki Inagaki
裕紀 稲垣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
System Solutions Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd, Sanyo Semiconductor Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP2008170575A priority Critical patent/JP2010010568A/en
Publication of JP2010010568A publication Critical patent/JP2010010568A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H10W72/884

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】ビス止めの押圧力が作用する状況でも、封止部材と基板との剥離が防止される回路装置を提供する。
【解決手段】混成集積回路装置10は、導電パターン22および半導体素子24から成る混成集積回路が上面に組み込まれた回路基板18と、額縁状の形状を有して回路基板18に当接することで混成集積回路が封止される領域を形成するケース材12と、ケース材12に囲まれる領域に充填されて混成集積回路を封止する封止樹脂16とを有する構成となっている。更に、混成集積回路装置10では、回路基板18の上面の一部が封止樹脂16により被覆されず、この部分の回路基板18を貫通する貫通孔34を設けている。更に本発明では、ビス止め時の回路基板18とケース材12との分離を防止するために、回路基板18の端部とケース材12とを嵌合させる構造を採用している。
【選択図】図2
Provided is a circuit device in which peeling between a sealing member and a substrate is prevented even in a situation where a pressing force of a screw stopper acts.
A hybrid integrated circuit device 10 has a circuit board 18 in which a hybrid integrated circuit composed of a conductive pattern 22 and a semiconductor element 24 is incorporated on an upper surface thereof, and has a frame shape and abuts on the circuit board 18. The structure includes a case material 12 that forms a region where the hybrid integrated circuit is sealed, and a sealing resin 16 that fills the region surrounded by the case material 12 and seals the hybrid integrated circuit. Further, in the hybrid integrated circuit device 10, a part of the upper surface of the circuit board 18 is not covered with the sealing resin 16, and a through hole 34 that penetrates the circuit board 18 in this part is provided. Furthermore, the present invention employs a structure in which the end of the circuit board 18 and the case material 12 are fitted to prevent separation of the circuit board 18 and the case material 12 at the time of screwing.
[Selection] Figure 2

Description

本発明は回路装置に関し、特に、回路基板の上面に構築された混成集積回路が封止部材により封止される回路装置に関する。   The present invention relates to a circuit device, and more particularly to a circuit device in which a hybrid integrated circuit built on an upper surface of a circuit board is sealed with a sealing member.

図11を参照して、従来から用いられている混成集積回路装置の構成を説明する。図11(A)はケース材111を用いて封止される構成の混成集積回路装置100の断面であり、図11(B)はトランスファーモールドにより樹脂封止された混成集積回路装置100Aを示す斜視図である。   With reference to FIG. 11, the configuration of a conventional hybrid integrated circuit device will be described. 11A is a cross-sectional view of the hybrid integrated circuit device 100 configured to be sealed using the case material 111, and FIG. 11B is a perspective view illustrating the hybrid integrated circuit device 100A sealed with a resin by transfer molding. FIG.

図11(A)を参照して、先ず、矩形の基板101の表面には、絶縁層102を介して導電パターン103が形成され、この導電パターン103の所望の箇所に回路素子が固着されて、所定の混成集積回路が形成される。ここでは、回路素子として半導体素子105Aおよびチップ素子105Bが、導電パターン103に接続されている。リード104は、基板101の周辺部に形成された導電パターン103から成るパッド109に接続され、外部端子として機能している。封止樹脂108は、基板101の表面に形成された電気回路を封止する機能を有する。   Referring to FIG. 11A, first, a conductive pattern 103 is formed on the surface of a rectangular substrate 101 via an insulating layer 102, and circuit elements are fixed to desired portions of the conductive pattern 103. A predetermined hybrid integrated circuit is formed. Here, the semiconductor element 105 </ b> A and the chip element 105 </ b> B are connected to the conductive pattern 103 as circuit elements. The lead 104 is connected to a pad 109 made of a conductive pattern 103 formed in the peripheral portion of the substrate 101 and functions as an external terminal. The sealing resin 108 has a function of sealing an electric circuit formed on the surface of the substrate 101.

ケース材111は、略額縁形状を有して基板101の側面に当接している。更に、基板101の上面に封止する空間を確保するために、ケース材111の上端部は、基板101の上面よりも上方に位置している。そして、基板101の上方にてケース材111により囲まれる空間には封止樹脂108が充填され、この封止樹脂108により半導体素子等の回路素子が封止されている。この構成により、基板101が比較的大きいものであっても、ケース材111等により囲まれる空間に封止樹脂108を充填させることで、基板101の上面を組み込まれた回路素子等を樹脂封止することができる。   The case material 111 has a substantially frame shape and is in contact with the side surface of the substrate 101. Furthermore, the upper end portion of the case material 111 is positioned above the upper surface of the substrate 101 in order to ensure a space for sealing on the upper surface of the substrate 101. A space surrounded by the case material 111 above the substrate 101 is filled with a sealing resin 108, and circuit elements such as semiconductor elements are sealed with the sealing resin 108. With this configuration, even if the substrate 101 is relatively large, the sealing element 108 is filled with the sealing resin 108 in the space surrounded by the case material 111 and the like, so that the circuit element or the like in which the upper surface of the substrate 101 is incorporated is sealed with resin. can do.

図11(B)に示す混成集積回路装置100Aの概略的な構成は、上記した混成集積回路装置100において、ケース材111を取り除いたものと同様であり、ここでは、トランスファーモールドにより封止樹脂108が形成されている。具体的には、モールド金型を用いた射出成形により、基板101の上面および側面が被覆されるように封止樹脂108が形成されている。   The schematic configuration of the hybrid integrated circuit device 100A shown in FIG. 11B is the same as that of the hybrid integrated circuit device 100 in which the case material 111 is removed. Here, the sealing resin 108 is formed by transfer molding. Is formed. Specifically, the sealing resin 108 is formed so as to cover the upper surface and side surfaces of the substrate 101 by injection molding using a mold.

更に、封止樹脂108の周辺部を部分的に窪ませることにより固定部112が形成されており、混成集積回路装置100Aの下面をヒートシンク等に当接させるときは、固定部112にビス止めが施される。また同様に、図11(A)に示す混成集積回路装置100でも、ケース材111の周辺部に設けた段差部分をビス止めに使用する場合もある。
特開2007−036014号公報
Further, the fixing portion 112 is formed by partially denting the peripheral portion of the sealing resin 108. When the lower surface of the hybrid integrated circuit device 100A is brought into contact with a heat sink or the like, the fixing portion 112 is screwed. Applied. Similarly, in the hybrid integrated circuit device 100 shown in FIG. 11A, the stepped portion provided in the peripheral portion of the case material 111 may be used for screwing.
JP 2007-036014 A

しかしながら、上記した構成の混成集積回路装置100Aでは、固定部112によるビス止めが不十分である問題があった。具体的には、固定部112にビス止めを行うことにより、一時的に混成集積回路装置100Aの下面をヒートシンク等に接触させることは可能である。しかしながら、固定部112を構成する絶縁性樹脂が経時劣化により変形すると、固定部112とビスとの間に隙間が発生し、ビス止めによる固定が不十分となる場合がある。この様になると、混成集積回路装置100Aがヒートシンクから離間してしまい、ヒートシンクによる放熱作用が機能しない恐れがある。   However, in the hybrid integrated circuit device 100A having the above-described configuration, there has been a problem that screw fixing by the fixing portion 112 is insufficient. Specifically, by fixing the fixing portion 112 with screws, it is possible to temporarily bring the lower surface of the hybrid integrated circuit device 100A into contact with a heat sink or the like. However, if the insulating resin constituting the fixing portion 112 is deformed due to deterioration with time, a gap may be generated between the fixing portion 112 and the screw, and fixing by screwing may be insufficient. In such a case, the hybrid integrated circuit device 100A may be separated from the heat sink, and the heat dissipation action by the heat sink may not function.

また、図11(A)に示す基板101の一部分を封止樹脂108により被覆せずに露出させ、この露出する部分の基板101に、ビス止めを行う固定方法も考えられる。この様にすれば、アルミニウム等の金属から成る基板101の経時劣化による変形は殆ど無いので、ビス止めによる押圧力の低下が抑制される。   Further, a fixing method may be considered in which a part of the substrate 101 shown in FIG. 11A is exposed without being covered with the sealing resin 108, and the exposed portion of the substrate 101 is screwed. In this way, since the substrate 101 made of metal such as aluminum is hardly deformed due to deterioration over time, a decrease in pressing force due to screwing is suppressed.

しかしながら、ビスをきつくしめると、基板の反りと実装基板面の平坦性の関係により、ケース材101または封止樹脂108と、回路基板101とが剥離してしまう恐れがある。これは実装基板側が常に静止状態であれば良いが、振動が加えられたり、温度により反ったりすると、回路基板と封止樹脂の界面には、剥離作用が働き、この様な剥離が発生する。そのため、混成集積回路装置100の耐湿性が低下する。   However, if the screws are tightened, the case material 101 or the sealing resin 108 and the circuit board 101 may be peeled off due to the relationship between the warpage of the board and the flatness of the mounting board surface. This may be as long as the mounting substrate side is always stationary. However, when vibration is applied or warps due to temperature, a peeling action acts on the interface between the circuit board and the sealing resin, and such peeling occurs. Therefore, the moisture resistance of the hybrid integrated circuit device 100 decreases.

本発明はこの様な問題を鑑みてなされ、本発明の主たる目的は、ビス止めの押圧力が回路基板に作用する状況でも、封止部材と基板との剥離が防止される回路装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of such problems, and a main object of the present invention is to provide a circuit device in which peeling between a sealing member and a substrate is prevented even in a situation where a pressing force of a screw stopper acts on the circuit substrate. There is.

本発明は、回路基板と、前記回路基板の上面に形成された導電パターンおよび回路素子から成る混成集積回路と、前記混成集積回路が封止されるように前記回路基板の少なくとも上面を被覆する封止部材と、を有する回路装置において、前記封止部材は、前記回路基板の側辺に当接する額縁状のケース材と、前記ケース材により囲まれる領域に充填された封止樹脂から成り、前記回路基板の外周部を前記ケース材の内部側壁に設けられた凹部に嵌合させることを特徴とする。   The present invention relates to a circuit board, a hybrid integrated circuit comprising conductive patterns and circuit elements formed on the upper surface of the circuit board, and a seal that covers at least the upper surface of the circuit board so that the hybrid integrated circuit is sealed. In the circuit device having a stop member, the sealing member is composed of a frame-shaped case material that contacts the side of the circuit board, and a sealing resin filled in a region surrounded by the case material, The outer peripheral portion of the circuit board is fitted into a recess provided on the inner side wall of the case material.

本発明は、回路基板と、前記回路基板の上面に形成された導電パターンおよび回路素子から成る混成集積回路と、前記混成集積回路が封止されるように前記回路基板の少なくとも上面を被覆する封止部材と、を有する回路装置において、前記封止部材は、前記回路基板の上面および側面を被覆すると共に、射出成形により成形された封止樹脂であり、前記回路基板の外周部を前記封止樹脂に嵌合させることを特徴とする。   The present invention relates to a circuit board, a hybrid integrated circuit comprising conductive patterns and circuit elements formed on the upper surface of the circuit board, and a seal that covers at least the upper surface of the circuit board so that the hybrid integrated circuit is sealed. The sealing member is a sealing resin that covers the upper surface and the side surface of the circuit board and is molded by injection molding, and seals the outer periphery of the circuit board. It is made to fit in resin.

本発明は、回路基板の上面に形成された導電パターンおよび回路素子から成る混成集積回路と、前記混成集積回路が封止されるように前記回路基板の少なくとも上面を被覆する封止樹脂と、を有する回路装置において、前記封止樹脂により被覆される領域の前記回路基板に、上面よりも下面の方が開口径が大きい開口部を設け、前記開口部に前記封止樹脂を充填させることを特徴とする。   The present invention includes a hybrid integrated circuit comprising a conductive pattern and circuit elements formed on an upper surface of a circuit board, and a sealing resin that covers at least the upper surface of the circuit board so that the hybrid integrated circuit is sealed. In the circuit device having, the circuit board in the region covered with the sealing resin is provided with an opening having a larger opening diameter on the lower surface than on the upper surface, and the opening is filled with the sealing resin. And

本発明によれば、固定用のビスが通される貫通孔を回路基板に設け、この回路基板の周辺部をケース材等の封止部材と嵌合させている。この様にすることで、ビスの押圧力が回路基板に作用することにより、ケース材を回路基板から分離させる応力が作用しても、両者の密着強度が高いので、ケース材の回路基板からの分離が防止されている。   According to the present invention, a through hole through which a fixing screw is passed is provided in the circuit board, and the peripheral portion of the circuit board is fitted with a sealing member such as a case material. By doing in this way, even if the stress that separates the case material from the circuit board acts due to the pressing force of the screw acting on the circuit board, the adhesion strength between the two is high, so the case material from the circuit board Separation is prevented.

<第1の実施の形態>
図1を参照して、回路装置の一例として混成集積回路装置10の構造を説明する。図1(A)は混成集積回路装置10を斜め上方から見た斜視図である。図1(B)は図1(A)のB−B’線に於ける断面図であり、図1(C)は図1(A)のC−C’線に於ける断面図である。
<First Embodiment>
With reference to FIG. 1, a structure of a hybrid integrated circuit device 10 will be described as an example of a circuit device. FIG. 1A is a perspective view of the hybrid integrated circuit device 10 as viewed obliquely from above. 1B is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG. 1A, and FIG. 1C is a cross-sectional view taken along line CC ′ of FIG.

図1の各図を参照して、混成集積回路装置10は、導電パターン22および半導体素子24等(回路素子)から成る混成集積回路が上面に組み込まれた回路基板18と、額縁状の形状を有して回路基板18に当接することで混成集積回路が封止される領域を形成するケース材12と、ケース材12に囲まれる領域に充填されて混成集積回路を封止する封止樹脂16と、導電パターン22から成るパッド13に固着されて外部(ここでは基板に対して垂直方向)に延在するリード14とを有する構成となっている。更に、混成集積回路装置10では、回路基板18の上面の一部が封止樹脂16により被覆されず、この部分の回路基板18を貫通する貫通孔34を設けている。   Referring to each drawing of FIG. 1, a hybrid integrated circuit device 10 includes a circuit board 18 in which a hybrid integrated circuit composed of a conductive pattern 22 and a semiconductor element 24 or the like (circuit element) is incorporated on the upper surface, and a frame shape A case material 12 that forms a region where the hybrid integrated circuit is sealed by contacting the circuit board 18 and a sealing resin 16 that fills the region surrounded by the case material 12 and seals the hybrid integrated circuit And a lead 14 fixed to the pad 13 made of the conductive pattern 22 and extending to the outside (here, perpendicular to the substrate). Further, in the hybrid integrated circuit device 10, a part of the upper surface of the circuit board 18 is not covered with the sealing resin 16, and a through hole 34 that penetrates the circuit board 18 in this part is provided.

回路基板18は、アルミニウム(Al)や銅(Cu)等を主材料とする金属基板である。回路基板18の具体的な大きさは、例えば、縦×横=61mm×88mm程度である。また、回路基板18の厚みは、例えば1.5mmまたは2.0mm程度である。回路基板18としてアルミニウムより成る基板を採用した場合は、回路基板18の両主面は陽極酸化膜により被覆されても良い。ここで、樹脂材料や、セラミックに代表される無機材料等の絶縁材料から回路基板18が構成されても良い。   The circuit board 18 is a metal board whose main material is aluminum (Al), copper (Cu), or the like. The specific size of the circuit board 18 is, for example, about vertical × horizontal = 61 mm × 88 mm. The thickness of the circuit board 18 is, for example, about 1.5 mm or 2.0 mm. When a substrate made of aluminum is employed as the circuit board 18, both main surfaces of the circuit board 18 may be covered with an anodized film. Here, the circuit board 18 may be made of an insulating material such as a resin material or an inorganic material typified by ceramic.

絶縁層20は、回路基板18の上面全域を覆うように形成されている。絶縁層20は、AL等のフィラーが例えば60重量%〜80重量%程度に高充填されたエポキシ樹脂等から成る。フィラーが混入されることにより、絶縁層20の熱抵抗が低減されるので、内蔵される回路素子から発生した熱を、絶縁層20および回路基板18を経由して良好に外部に放出することができる。絶縁層20の具体的な厚みは、例えば50μm程度である。また、図1(B)では、回路基板18の上面のみが絶縁層20により被覆されているが、回路基板18の下面も絶縁層20により被覆されても良い。このようにすることで、回路基板18の裏面を外部に露出させても、回路基板18の裏面を外部と絶縁させることができる。また回路基板18は、一枚で構成されているが、間に絶縁層を介して複数枚積層させても良い。 The insulating layer 20 is formed so as to cover the entire upper surface of the circuit board 18. The insulating layer 20 is made of an epoxy resin or the like in which a filler such as AL 2 O 3 is highly filled to about 60 wt% to 80 wt%, for example. Since the thermal resistance of the insulating layer 20 is reduced by mixing the filler, the heat generated from the built-in circuit element can be released to the outside through the insulating layer 20 and the circuit board 18. it can. The specific thickness of the insulating layer 20 is, for example, about 50 μm. In FIG. 1B, only the upper surface of the circuit board 18 is covered with the insulating layer 20, but the lower surface of the circuit board 18 may also be covered with the insulating layer 20. By doing in this way, even if the back surface of the circuit board 18 is exposed outside, the back surface of the circuit board 18 can be insulated from the outside. Further, although the circuit board 18 is composed of one sheet, a plurality of circuit boards 18 may be laminated via an insulating layer therebetween.

導電パターン22は銅等の金属から成り、所定の電気回路が形成されるように絶縁層20の表面に形成される。また、リード14が固着される部分に、導電パターン22からなるパッドが設けられる。更に、半導体素子24の周囲にも多数個のパッドが形成され、このパッドと半導体素子24とは金属細線38により接続される。ここでは単層の導電パターン22が図示されているが、絶縁層を介して積層された多層の導電パターン22が回路基板18の上面に形成されても良い。   The conductive pattern 22 is made of a metal such as copper, and is formed on the surface of the insulating layer 20 so as to form a predetermined electric circuit. Further, a pad made of a conductive pattern 22 is provided at a portion to which the lead 14 is fixed. Further, a large number of pads are formed around the semiconductor element 24, and the pads and the semiconductor element 24 are connected by a thin metal wire 38. Although a single-layer conductive pattern 22 is shown here, a multilayer conductive pattern 22 laminated via an insulating layer may be formed on the upper surface of the circuit board 18.

導電パターン22に電気的に接続される回路素子としては、能動素子や受動素子を全般的に採用することができる。具体的には、トランジスタ、LSIチップ、ダイオード、チップ抵抗、チップコンデンサ、インダクタンス、サーミスタ、発振器などを回路素子として採用することができる。更にまた、樹脂封止型のパッケージ等も、回路素子として導電パターン22に固着することができる。図1(B)を参照すると、回路基板18の上面には、回路素子として半導体素子24およびチップ素子26が配置されている。半導体素子24は導電パターン22に固着され、上面の電極は金属細線38を経由して導電パターン22に接続されている。チップ素子26は、両端の電極が半田等の固着材を介して導電パターン22に接続されている。ここで、発熱量の多いパワー素子が半導体素子24として採用された場合は、導電パターン22の上面に固着された金属片から成るヒートシンクの上面に半導体素子24が載置されても良い。このことにより、半導体素子24から発生する熱を効率的にヒートシンクおよび回路基板18を経由して外部に放出させることができる。ここで発明のポイントはケース材にあり、素子の実装形態は、限定されない。   As a circuit element electrically connected to the conductive pattern 22, an active element or a passive element can be generally adopted. Specifically, transistors, LSI chips, diodes, chip resistors, chip capacitors, inductances, thermistors, oscillators, and the like can be employed as circuit elements. Furthermore, a resin-sealed package or the like can be fixed to the conductive pattern 22 as a circuit element. Referring to FIG. 1B, a semiconductor element 24 and a chip element 26 are arranged on the upper surface of the circuit board 18 as circuit elements. The semiconductor element 24 is fixed to the conductive pattern 22, and the electrode on the upper surface is connected to the conductive pattern 22 via a thin metal wire 38. The chip element 26 has electrodes at both ends connected to the conductive pattern 22 via a fixing material such as solder. Here, when a power element that generates a large amount of heat is used as the semiconductor element 24, the semiconductor element 24 may be placed on the upper surface of a heat sink made of a metal piece fixed to the upper surface of the conductive pattern 22. Thus, the heat generated from the semiconductor element 24 can be efficiently released to the outside via the heat sink and the circuit board 18. Here, the point of the invention lies in the case material, and the device mounting form is not limited.

封止樹脂16は、回路基板18に構築された混成集積回路を封止する機能を有し、具体的には、回路基板18の上面に形成された導電パターン22、半導体素子24等の回路素子、リード14の接合箇所が封止されるように、回路基板18の上面に封止樹脂16が形成されている。また、封止樹脂16は、ケース材12により囲まれる回路基板18の上方の空間に充填されている。封止樹脂16の材料としては、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂が採用される。更に、封止樹脂16には、熱伝導性の向上等を目的として、酸化シリコン等のフィラーが例えば10重量%〜20重量%程度混入されても良い。   The sealing resin 16 has a function of sealing the hybrid integrated circuit built on the circuit board 18, and specifically, circuit elements such as a conductive pattern 22 and a semiconductor element 24 formed on the upper surface of the circuit board 18. The sealing resin 16 is formed on the upper surface of the circuit board 18 so that the joint portion of the lead 14 is sealed. The sealing resin 16 is filled in a space above the circuit board 18 surrounded by the case material 12. As the material of the sealing resin 16, a thermosetting resin or a thermoplastic resin is employed. Further, for example, about 10 wt% to 20 wt% of a filler such as silicon oxide may be mixed into the sealing resin 16 for the purpose of improving thermal conductivity.

また、本実施の形態では、回路基板18の上面は全面的に封止樹脂16により被覆されているのではなく、一部は上面が外部に露出している。図1(A)を参照すると、ケース材12の内部側壁部12E、12Fにより囲まれる領域は封止樹脂16が充填されず、回路基板18の上面が露出している状態となっている。この部分の回路基板18は、ビス止めの為の領域として使用され、この詳細は図1(C)を参照して詳述する。   In the present embodiment, the upper surface of the circuit board 18 is not entirely covered with the sealing resin 16, but a part of the upper surface is exposed to the outside. Referring to FIG. 1A, the region surrounded by the inner side wall portions 12E and 12F of the case material 12 is not filled with the sealing resin 16 and the upper surface of the circuit board 18 is exposed. This portion of the circuit board 18 is used as an area for screwing, and details thereof will be described in detail with reference to FIG.

リード14は、回路基板18の対向する側辺に沿って設けられており、混成集積回路装置10の入出力端子として機能している。これらのリード14は、銅(Cu)、アルミニウム(Al)またはFe−Niの合金等などを主成分とした金属から成る。図では、各リード14は上方に引き出されているが、リード14は途中で直角に曲折されて側方に引き出されても良い。   The leads 14 are provided along opposite sides of the circuit board 18 and function as input / output terminals of the hybrid integrated circuit device 10. These leads 14 are made of a metal whose main component is copper (Cu), aluminum (Al), an Fe—Ni alloy, or the like. In the drawing, each lead 14 is drawn upward, but the lead 14 may be bent at a right angle in the middle and drawn to the side.

図1(A)を参照して、額縁状の形状を呈するケース材12は、回路基板18の4つの側辺に対応して、4つの側壁部を有する。具体的には、第1側壁部12A、第2側壁部12B、第3側壁部12Cおよび第4側壁部12Dから主にケース材12は構成されている。紙面上における各側壁部の位置を説明すると、第1側壁部12Aは奥側に位置し、第2側壁部12Bは手前側に位置し、第3側壁部12Cは左側に位置し、第4側壁部12Dは右側に位置する。更に、第2側壁部12Bから連続して内側に内部側壁部12Fが形成されており、第1側壁部12Aから連続して内側に内部側壁部12Eが形成されている。これら内部側壁部12Eは、ケース材と同じ厚み、または若干薄くリング状に形成され、ケース材と一体でなる。ケース材12の更なる詳細は、図3を参照して後述する。   Referring to FIG. 1A, case material 12 having a frame shape has four side walls corresponding to the four sides of circuit board 18. Specifically, the case material 12 is mainly composed of the first side wall portion 12A, the second side wall portion 12B, the third side wall portion 12C, and the fourth side wall portion 12D. The position of each side wall on the paper surface will be described. The first side wall 12A is located on the back side, the second side wall 12B is located on the front side, the third side wall 12C is located on the left side, and the fourth side wall The part 12D is located on the right side. Further, an inner side wall portion 12F is formed on the inner side continuously from the second side wall portion 12B, and an inner side wall portion 12E is formed on the inner side continuously from the first side wall portion 12A. These inner side wall portions 12E are formed in a ring shape having the same thickness as or slightly thinner than the case material, and are integrated with the case material. Further details of the case material 12 will be described later with reference to FIG.

ここで、ケース材12は、各側壁部の内壁が回路基板18の側面に当接している。そして、ケース材12に回路基板18と嵌合させると、ケース材12の下面と回路基板18の下面とは、少なくとも中央部分が同一平面上に位置する。なお、ケース材12は、エポキシ樹脂等の樹脂材料を射出成形して形成されたものである。   Here, in the case material 12, the inner wall of each side wall is in contact with the side surface of the circuit board 18. When the case material 12 is fitted to the circuit board 18, at least the central portion of the lower surface of the case material 12 and the lower surface of the circuit board 18 are located on the same plane. The case material 12 is formed by injection molding a resin material such as an epoxy resin.

図1(C)を参照して、本実施形態では、回路基板18の周辺部の下面に段差加工を施して段差部30が設けられており、ケース材12の側壁部は、この段差部30に嵌合する構成と成っている。具体的には、パンチング加工、ダイシング加工またはエッチング加工により、回路基板18の周辺部を下面から部分的に除去することで、回路基板18の周辺部に段差部(切欠部)30を設けている。そして、ケース材の側壁部内側には、段差部30の形状に即した凹部32が下端付近に設けられる。従って、第2側壁部12Bを回路基板18の段差部30に填め込むことにより、第2側壁部12Bの下面と回路基板18の下面とは、同一平面上に位置している。この段差部30は、回路基板18の対向する2つの側面に沿って設けられても良いし、4つの全ての側辺に設けられても良い。即ち、回路基板18の段差部30は、図1(A)を参照して、ケース材12の第1側壁部12Aおよび第2側壁部12Bに接触する回路基板18の側辺に沿って設けられても良いし、4つの全ての側辺に設けられても良い。回路基板18をケース材12に嵌合するためには、回路基板をケース材12よりも若干大きくし、ケース材の柔軟性を利用して、押し込むと填め込まれる。また、回路基板18を容易にケース材12に嵌合させるには、ケース材12の内側のサイズを若干広くし、凹部32の上端部分だけ若干厚く突出部が延在されれば、簡単に嵌合させることが出来る。   With reference to FIG. 1C, in this embodiment, a stepped portion 30 is provided by performing step processing on the lower surface of the peripheral portion of the circuit board 18, and the side wall portion of the case material 12 is formed of the stepped portion 30. It is configured to fit in. Specifically, the step portion (notch portion) 30 is provided in the peripheral portion of the circuit board 18 by partially removing the peripheral portion of the circuit board 18 from the lower surface by punching, dicing, or etching. . And the recessed part 32 according to the shape of the level | step-difference part 30 is provided in the side wall part inner side of case material near a lower end. Therefore, by fitting the second side wall portion 12B into the stepped portion 30 of the circuit board 18, the lower surface of the second side wall portion 12B and the lower surface of the circuit board 18 are located on the same plane. The step portion 30 may be provided along two opposing side surfaces of the circuit board 18 or may be provided on all four sides. That is, the step portion 30 of the circuit board 18 is provided along the side of the circuit board 18 that contacts the first side wall portion 12A and the second side wall portion 12B of the case material 12 with reference to FIG. It may be provided on all four sides. In order to fit the circuit board 18 to the case material 12, the circuit board is made slightly larger than the case material 12 and is inserted by being pushed in using the flexibility of the case material. Further, in order to easily fit the circuit board 18 into the case material 12, the size of the inside of the case material 12 is slightly widened and only the upper end portion of the concave portion 32 is slightly thickened so that the protrusion is extended easily. Can be combined.

この様に回路基板18の周辺部に設けた段差部30にケース材12の側壁部を嵌合させることにより、ケース材の凹部32底面に回路基板18の段差部30が当接されるため、ケース材12が回路基板18から剥離することが防止される。具体的には、混成集積回路装置10にヒートシンクを実装する際には、回路基板18に設けた貫通孔34に上方からビス42を挿入して押圧することにより、両者が固着される。この際、回路基板18にはビスによる押圧力が作用する一方、ケース材12および封止樹脂16には、凹部32底面に段差部30の裏面が当接する方向で力が働き、剥離する方向での力が作用しない状態となる。
このことから、ビス42により混成集積回路装置10がビス止めされると、ビス42の押圧力により、回路基板18をケース材12から引きはがす応力が発生し、この応力が大きいと両者が分離してしまう恐れがある。また、混成集積回路装置10は、封止樹脂16が硬化する際の硬化収縮により、装置全体が下側に凸となるように湾曲しているので、ビス42の押圧力によりこの湾曲形状を平坦に矯正したら、上記した応力は更に大きいものとなる。
この分離を防止するために、本実施形態では、回路基板18の周辺部に設けた段差部30をケース材の側壁部に嵌合させ、凹部32底部と段差部30裏面を当接させている。このようにすることで、ビス42を固くしめても、ケース材12の周辺が回路基板18に填め込まれることにより、両者の分離が抑制される。
By fitting the side wall portion of the case material 12 to the step portion 30 provided in the peripheral portion of the circuit board 18 in this way, the step portion 30 of the circuit board 18 is brought into contact with the bottom surface of the concave portion 32 of the case material. The case material 12 is prevented from peeling from the circuit board 18. Specifically, when the heat sink is mounted on the hybrid integrated circuit device 10, the screws 42 are inserted and pressed into the through holes 34 provided in the circuit board 18 from above to fix them together. At this time, a pressing force by a screw acts on the circuit board 18, while a force acts on the case material 12 and the sealing resin 16 in a direction in which the back surface of the stepped portion 30 contacts the bottom surface of the recess 32, and in a peeling direction. It will be in the state where no power acts.
For this reason, when the hybrid integrated circuit device 10 is screwed with the screw 42, a stress is generated by which the circuit board 18 is peeled from the case material 12 due to the pressing force of the screw 42. There is a risk that. Further, the hybrid integrated circuit device 10 is curved so that the entire device is convex downward due to curing shrinkage when the sealing resin 16 is cured, so that the curved shape is flattened by the pressing force of the screw 42. If corrected to above, the stress described above becomes even greater.
In order to prevent this separation, in this embodiment, the stepped portion 30 provided in the peripheral portion of the circuit board 18 is fitted to the side wall portion of the case material, and the bottom of the recessed portion 32 and the back surface of the stepped portion 30 are brought into contact with each other. . By doing in this way, even if the screw 42 is hardened, the periphery of the case material 12 is fitted into the circuit board 18, and thus separation of both is suppressed.

図2を参照して、ケース材の側壁部を回路基板18に嵌合させる他の構成を説明する。図2(A)および図2(B)はこの構成を示す断面図である。   With reference to FIG. 2, another configuration for fitting the side wall portion of the case material to the circuit board 18 will be described. 2A and 2B are cross-sectional views showing this configuration.

図2(A)を参照して、ここでは、回路基板18の周辺部には上記したような段差部は設けられずに、回路基板18の裏面は全面的に平坦面と成っている。そして、ケース材12の第2側壁部12Bには、回路基板18の厚みに即した形状の凹部32が設けられており、この凹部32に回路基板18を当接させることで、第2側壁部12Bの下端の部分が回路基板18を下面から支持する構成となる。   Referring to FIG. 2A, here, the peripheral portion of the circuit board 18 is not provided with the stepped portion as described above, and the back surface of the circuit board 18 is entirely flat. The second side wall portion 12B of the case material 12 is provided with a concave portion 32 having a shape corresponding to the thickness of the circuit board 18. By bringing the circuit board 18 into contact with the concave portion 32, the second side wall portion is formed. The lower end portion of 12B supports the circuit board 18 from the lower surface.

図2(B)を参照すると、封止樹脂16に被覆される領域の回路基板18に開口部36を設け、この開口部36に封止樹脂16を充填させることにより、封止樹脂16と回路基板18との密着強度を向上させている。開口部36は、封止樹脂16が形成される領域の回路基板18を貫通して設けられており、上面の開口形D1よりも下面側の開口径D2の方が大きい構成となっている。ここでは、開口部36は、途中に段差部が設けられた円柱状の形状を呈しているが、開口部36の側面は上方から下方に向かって裾広がりな傾斜面でも良い。ここで、開口部36は、貫通孔34の付近に複数設けられても良い。更には、図2(A)または図1(C)に示されたケース材12と回路基板18とが嵌合する構成と、図2(B)に示された構成は、組みあわせて採用されても良い。   Referring to FIG. 2B, an opening 36 is provided in the circuit board 18 in a region covered with the sealing resin 16, and the sealing resin 16 and the circuit are filled by filling the opening 36 with the sealing resin 16. The adhesion strength with the substrate 18 is improved. The opening 36 is provided through the circuit board 18 in the region where the sealing resin 16 is formed, and the opening diameter D2 on the lower surface side is larger than the opening shape D1 on the upper surface. Here, although the opening part 36 is exhibiting the column-shaped shape in which the level | step-difference part was provided in the middle, the side surface of the opening part 36 may be an inclined surface which flares from upper direction to the downward direction. Here, a plurality of openings 36 may be provided in the vicinity of the through hole 34. Furthermore, the configuration in which the case material 12 and the circuit board 18 shown in FIG. 2A or 1C are fitted and the configuration shown in FIG. 2B are used in combination. May be.

図3に本形態の混成集積回路装置10に用いられるケース材12の形状を説明する。ここでは、図1(A)に示す状態の混成集積回路装置10を構成するケース材12を、下方から見た場合の斜視図を示している。この図を参照して、ケース材12は、4つの側壁部(第1側壁部12A、第2側壁部12B、第3側壁部12C、第4側壁部12D)から成り、第1側壁部12Aおよび第2側壁部12Bから内側に内部側壁部12E、12Fが設けられている。図1(C)に示したような凹部32は各側壁部に設けられる。また、内部側壁部12E、12Fの下端は回路基板18の上面に接触する(図1参照)。この様な構成のケース材12は、モールド金型を用いた射出成形により形成されている。   FIG. 3 illustrates the shape of the case material 12 used in the hybrid integrated circuit device 10 of the present embodiment. Here, a perspective view when the case material 12 constituting the hybrid integrated circuit device 10 in the state shown in FIG. 1A is viewed from below is shown. Referring to this figure, case material 12 includes four side wall portions (first side wall portion 12A, second side wall portion 12B, third side wall portion 12C, and fourth side wall portion 12D). Inner side wall portions 12E and 12F are provided on the inner side from the second side wall portion 12B. A recess 32 as shown in FIG. 1C is provided on each side wall. Further, the lower ends of the inner side wall portions 12E and 12F are in contact with the upper surface of the circuit board 18 (see FIG. 1). The case material 12 having such a configuration is formed by injection molding using a mold.

次に、図4から図6を参照して、図1(A)に示した構成の混成集積回路装置10の製造方法を説明する。   Next, a method for manufacturing the hybrid integrated circuit device 10 having the configuration shown in FIG. 1A will be described with reference to FIGS.

図4を参照して、最初に、所定の混成集積回路を回路基板18の上面に組み込む。先ず、アルミニウム等の金属から成る回路基板18の上面は、フィラーが混入された樹脂から成る絶縁層20により被覆されており、この絶縁層20の上面に所定形状の導電パターン22が形成されている。そして、導電パターン22の所定の箇所に、回路素子として半導体素子24およびチップ素子26が固着されている。また、回路基板18の周辺部には導電パターン22から成るパッドが形成され、このパッドにはリード14が固着されている。更に、回路基板18の周辺部を裏面側から部分的に除去することで、段差部30が設けられている。この段差部30の形成方法としては、パンチング、ダイシングまたはエッチングが考えられる。   Referring to FIG. 4, first, a predetermined hybrid integrated circuit is incorporated on the upper surface of circuit board 18. First, the upper surface of the circuit board 18 made of a metal such as aluminum is covered with an insulating layer 20 made of a resin mixed with a filler, and a conductive pattern 22 having a predetermined shape is formed on the upper surface of the insulating layer 20. . A semiconductor element 24 and a chip element 26 are fixed as predetermined circuit elements at predetermined locations of the conductive pattern 22. Further, a pad made of a conductive pattern 22 is formed in the peripheral portion of the circuit board 18, and the lead 14 is fixed to this pad. Further, the step portion 30 is provided by partially removing the peripheral portion of the circuit board 18 from the back surface side. As a method for forming the stepped portion 30, punching, dicing or etching can be considered.

図5を参照して、次に、ケース材12を回路基板18に填め込む。図5(A)はこの工程を示す断面図であり、図5(B)はケース材12の構成を示す平面図である。   Next, referring to FIG. 5, the case material 12 is fitted into the circuit board 18. FIG. 5A is a cross-sectional view showing this process, and FIG. 5B is a plan view showing the configuration of the case material 12.

図5(A)を参照して、ケース材12を回路基板18に組み込む。ここでは、回路基板18の周辺部には段差加工した段差部30が設けられている。そして、ケース材12の側壁部(第1側壁部12Aおよび第2側壁部12B)には、回路基板18の段差部30に即した形状の凹部32が設けられている。従って、回路基板18の段差部30がケース材12の凹部32に嵌合することにより、両者の接続構造は強固なものとなっている。更に、ケース材12と回路基板18とが接触する部分には、接着剤が塗布される。   With reference to FIG. 5A, the case material 12 is incorporated into the circuit board 18. Here, a stepped portion 30 is provided in the peripheral portion of the circuit board 18. The side wall portions (the first side wall portion 12 </ b> A and the second side wall portion 12 </ b> B) of the case material 12 are provided with concave portions 32 having a shape corresponding to the stepped portion 30 of the circuit board 18. Accordingly, the stepped portion 30 of the circuit board 18 is fitted into the concave portion 32 of the case material 12, so that the connection structure between the two is strong. Further, an adhesive is applied to a portion where the case material 12 and the circuit board 18 are in contact with each other.

図5(B)を参照して、回路基板18の段差部30と嵌合する凹部32はケース材12の4つの側壁部(第1側壁部12A、第2側壁部12B、第3側壁部12Cおよび第4側壁部12D)に形成される。更には、対向する2つの側壁部のみ(第1側壁部12Aと第2側壁部または第3側壁部12Cと第4側壁部12D)に、凹部32が設けられても良い。また、本工程では、ケース材12に設けた内部側壁部12E、12Fの下部が、回路基板18の上面に当接し、この内部側壁部により囲まれる領域は、次工程にて封止樹脂が形成されない。   With reference to FIG. 5 (B), the recessed part 32 fitted with the level | step-difference part 30 of the circuit board 18 is four side wall parts (1st side wall part 12A, 2nd side wall part 12B, and 3rd side wall part 12C) of the case material 12. FIG. And the fourth side wall portion 12D). Furthermore, the recessed part 32 may be provided only in two opposing side wall parts (the first side wall part 12A and the second side wall part or the third side wall part 12C and the fourth side wall part 12D). In this step, the lower portions of the inner side wall portions 12E and 12F provided in the case material 12 are in contact with the upper surface of the circuit board 18, and the region surrounded by the inner side wall portion is formed by the sealing resin in the next step. Not.

図6を参照して、次に、ケース材12に囲まれる空間に封止樹脂16を充填させて、回路基板18の上面に形成された混成集積回路を樹脂封止する。図6(A)および図6(B)は本工程を示す断面図である。   Next, referring to FIG. 6, the space surrounded by the case material 12 is filled with a sealing resin 16, and the hybrid integrated circuit formed on the upper surface of the circuit board 18 is resin-sealed. 6A and 6B are cross-sectional views showing this step.

図6(A)を参照して、本工程では、液状又は半固形状の封止樹脂16をケース材12により囲まれる領域に供給する。封止樹脂16は、ノズル40の先端部から回路基板18の上面に供給されている。封止樹脂16により、回路基板18の上面に形成された導電パターン22、半導体素子24、チップ素子、金属細線およびリード14の接続部分が被覆される。また、封止樹脂16は、粒子状のフィラーが混入された熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂から成る。封止樹脂16の充填が終了した後は、必要に応じて加熱硬化を行う。   With reference to FIG. 6A, in this step, liquid or semi-solid sealing resin 16 is supplied to a region surrounded by case material 12. The sealing resin 16 is supplied from the tip of the nozzle 40 to the upper surface of the circuit board 18. The sealing resin 16 covers the conductive pattern 22, the semiconductor element 24, the chip element, the fine metal wire, and the connection portion of the lead 14 formed on the upper surface of the circuit board 18. The sealing resin 16 is made of a thermosetting resin or a thermoplastic resin mixed with a particulate filler. After the filling of the sealing resin 16 is completed, heat curing is performed as necessary.

図6(B)を参照して、ビス止めの為の貫通孔34が設けられた部分の回路基板は、ケース材12の内部側壁部12Fにより囲まれている。従って、回路基板18の上面に液状の封止樹脂16を供給しても、内部側壁部12Fにより囲まれている貫通孔34の周辺部の回路基板18上面は、封止樹脂16により被覆されない。   With reference to FIG. 6 (B), the portion of the circuit board in which the through hole 34 for screwing is provided is surrounded by the inner side wall portion 12 </ b> F of the case material 12. Therefore, even if the liquid sealing resin 16 is supplied to the upper surface of the circuit board 18, the upper surface of the circuit board 18 around the through hole 34 surrounded by the inner sidewall portion 12 </ b> F is not covered with the sealing resin 16.

図7を参照して、次に、混成集積回路装置10の裏面をヒートシンク44に当接させる。図7(A)は本工程を示す断面図であり、図7(B)は拡大された断面図である。   Next, referring to FIG. 7, the back surface of the hybrid integrated circuit device 10 is brought into contact with the heat sink 44. FIG. 7A is a cross-sectional view showing this step, and FIG. 7B is an enlarged cross-sectional view.

図7(A)および図7(B)を参照して、本工程では、混成集積回路装置10の貫通孔34およびヒートシンク44の孔部46に、ビス42を通してネジ止めすることで、混成集積回路装置10の裏面をヒートシンク44の上面に接触させている。   Referring to FIGS. 7A and 7B, in this step, the hybrid integrated circuit is formed by screwing the through hole 34 of the hybrid integrated circuit device 10 and the hole 46 of the heat sink 44 through screws 42. The rear surface of the apparatus 10 is in contact with the upper surface of the heat sink 44.

ヒートシンク44は、銅やアルミニウム等の金属から成る。従って、回路基板18が露出する混成集積回路装置10の裏面をヒートシンク44の上面に接触させると、混成集積回路装置に内蔵された回路素子から発生した熱を、回路基板18およびヒートシンク44を経由して、良好に外部に放出させることができる。   The heat sink 44 is made of a metal such as copper or aluminum. Therefore, when the back surface of the hybrid integrated circuit device 10 from which the circuit board 18 is exposed is brought into contact with the upper surface of the heat sink 44, the heat generated from the circuit elements incorporated in the hybrid integrated circuit device passes through the circuit board 18 and the heat sink 44. And can be released to the outside satisfactorily.

ここで、混成集積回路装置10は、全体的に下側に凸となるように湾曲した形状となっている。この様に混成集積回路装置10が湾曲する原因は、回路基板18の上面を被覆する封止樹脂16が硬化する際に収縮するからである。従って、混成集積回路装置10の両端部付近に設けたビス42により回路基板18を押圧して、混成集積回路装置10の形状を平坦に矯正することで、混成集積回路装置10の裏面とヒートシンク44の上面に密着させている。   Here, the hybrid integrated circuit device 10 has a curved shape so as to protrude downward as a whole. The reason why the hybrid integrated circuit device 10 bends in this manner is that it shrinks when the sealing resin 16 covering the upper surface of the circuit board 18 is cured. Accordingly, the back surface of the hybrid integrated circuit device 10 and the heat sink 44 are corrected by pressing the circuit board 18 with the screws 42 provided near both ends of the hybrid integrated circuit device 10 and correcting the shape of the hybrid integrated circuit device 10 to be flat. It is in close contact with the top surface of.

図7(B)を参照して、上記のようにビス42の押圧力により回路基板18の湾曲を平坦に矯正すると、湾曲した状態の封止樹脂16およびケース材12と回路基板18とを分離させる応力が作用する。両者の分離を防止するために本実施形態では、回路基板18の周辺部に段差部30を設け、この段差部30を第2側壁部12Bと嵌合させている。この様にすることで、ビス42による大きな押圧力が回路基板18に作用したとしても、この押圧力に起因して回路基板18がケース材12から分離することが防止される。   Referring to FIG. 7B, when the curvature of the circuit board 18 is corrected to be flat by the pressing force of the screw 42 as described above, the sealing resin 16 and the case material 12 and the circuit board 18 in a curved state are separated. The stress to act acts. In the present embodiment, in order to prevent the separation between the two, a stepped portion 30 is provided in the peripheral portion of the circuit board 18, and the stepped portion 30 is fitted to the second side wall portion 12B. By doing so, even if a large pressing force by the screw 42 acts on the circuit board 18, the circuit board 18 is prevented from being separated from the case material 12 due to the pressing force.

更に本工程では、金属材料である回路基板18に対してビス42の押圧力を加えているので、長時間が経過しても回路基板18が変形することは殆ど無く、ビス42による押圧力が変化しない。従って、長期間に渡り、回路基板18の下面をヒートシンク44の上面に当接した状態に維持できる。   Further, in this process, since the pressing force of the screw 42 is applied to the circuit board 18 which is a metal material, the circuit board 18 is hardly deformed even after a long time has passed, and the pressing force by the screw 42 is reduced. It does not change. Accordingly, the lower surface of the circuit board 18 can be maintained in contact with the upper surface of the heat sink 44 for a long period of time.

<第2の実施の形態>
本実施の形態では、図8から図10を参照して、封止部材として射出成形により形成された封止樹脂16が採用された混成集積回路装置10Aの構造を説明する。本実施形態の混成集積回路装置10Aの他の構成は、上記した混成集積回路装置10と基本的には同様であり、封止部材の構成が異なる。
<Second Embodiment>
In the present embodiment, the structure of a hybrid integrated circuit device 10A in which a sealing resin 16 formed by injection molding as a sealing member is employed will be described with reference to FIGS. Other configurations of the hybrid integrated circuit device 10A of the present embodiment are basically the same as those of the hybrid integrated circuit device 10 described above, and the configuration of the sealing member is different.

図8(A)は混成集積回路装置10Aの斜視図であり、図8(B)は図8(A)のX−X’線に於ける断面図である。これらの図を参照して、回路基板18の上面および側面は封止樹脂16により被覆されており、封止樹脂16の側面から多数のリード14が外部に導出されている。   8A is a perspective view of the hybrid integrated circuit device 10A, and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along line X-X ′ of FIG. 8A. Referring to these drawings, the upper surface and side surfaces of circuit board 18 are covered with sealing resin 16, and a large number of leads 14 are led out from the side surfaces of sealing resin 16.

図8(B)を参照して、回路基板18にはビス止めの為の貫通孔34が形成されており、この貫通孔34の周辺部の回路基板18の上面は封止樹脂16により被覆されずに外部に露出して露出領域48を構成している。ここでは、回路基板18の長手方向の両端部付近に貫通孔34が形成されている。そして、回路基板18の周辺部には段差部30が形成されており、この段差部30も封止樹脂16により被覆されている。段差部30に回り込むように封止樹脂16が形成されることで、回路基板18と封止樹脂16との密着強度が強固となり、回路基板18と封止樹脂16との分離が抑制されている。   Referring to FIG. 8B, a through hole 34 for screwing is formed in the circuit board 18, and the upper surface of the circuit board 18 around the through hole 34 is covered with the sealing resin 16. Without being exposed to the outside, an exposed region 48 is formed. Here, through holes 34 are formed in the vicinity of both ends in the longitudinal direction of the circuit board 18. A step portion 30 is formed in the peripheral portion of the circuit board 18, and the step portion 30 is also covered with the sealing resin 16. By forming the sealing resin 16 so as to wrap around the stepped portion 30, the adhesion strength between the circuit board 18 and the sealing resin 16 is strengthened, and separation between the circuit board 18 and the sealing resin 16 is suppressed. .

図9を参照して、封止樹脂16と回路基板18とを嵌合させる他の構造を説明する。   With reference to FIG. 9, another structure for fitting the sealing resin 16 and the circuit board 18 will be described.

図9(A)を参照すると、回路基板18の側面が、外側に向かって突出する2つの側面から構成されている。この様にすると、回路基板18の傾斜面が封止樹脂16と嵌合するので、両者の密着強度が向上される。また、この回路基板18の側面はダイシングによる研削加工により形成される粗面であるので、この粗面である傾斜面に封止樹脂16が密着することにより、両者の分離が防止されている。   Referring to FIG. 9A, the side surface of the circuit board 18 is composed of two side surfaces protruding outward. In this way, the inclined surface of the circuit board 18 is fitted with the sealing resin 16, so that the adhesion strength between the two is improved. Further, since the side surface of the circuit board 18 is a rough surface formed by grinding by dicing, the sealing resin 16 is brought into close contact with the inclined surface which is the rough surface, thereby preventing the separation of both.

図9(B)を参照すると、封止樹脂16により被覆される領域の回路基板18を貫通して開口部36が設けられ、この開口部36に封止樹脂16が充填されている。開口部36の詳細は、第1の実施の形態にて上記したとおりであり、開口部36の上部の開口径は下部よりも狭くなっている。この様にすることで、開口部36に充填された封止樹脂16と回路基板18との間にアンカー効果が発生して、両者の密着強度が向上される。更に、この図9(B)に示す開口部36の構成は、図8や図9に示す他の構成を組みあわせて採用されても良い。   Referring to FIG. 9B, an opening 36 is provided through the circuit board 18 in a region covered with the sealing resin 16, and the opening 36 is filled with the sealing resin 16. The details of the opening 36 are as described above in the first embodiment, and the opening diameter of the upper portion of the opening 36 is narrower than that of the lower portion. By doing in this way, the anchor effect generate | occur | produces between the sealing resin 16 with which the opening part 36 was filled, and the circuit board 18, and both adhesive strength is improved. Furthermore, the configuration of the opening 36 shown in FIG. 9B may be combined with other configurations shown in FIG. 8 and FIG.

図9(C)を参照して、回路基板18の裏面は全面的に平坦面とされており、封止樹脂16の一部分を回路基板18の裏面に回り込ませている。この様な構成によっても、封止樹脂16と回路基板18との密着強度が向上されて、両者の分離が防止される。   With reference to FIG. 9C, the back surface of the circuit board 18 is entirely flat, and a part of the sealing resin 16 wraps around the back surface of the circuit board 18. Also with such a configuration, the adhesion strength between the sealing resin 16 and the circuit board 18 is improved, and separation of both is prevented.

図10の断面図を参照して、上記した構成の混成集積回路装置10を樹脂封止する方法を説明する。   A method for resin-sealing the hybrid integrated circuit device 10 having the above-described configuration will be described with reference to the cross-sectional view of FIG.

本実施形態では、モールド金型を使用した射出成形によりインジェクションモールドまたはトランスファーモールドを行い、封止樹脂を形成している。ここでは、上金型54および下金型56から成る金型52を使用してトランスファーモールドにより回路基板18を封止している。具体的には、下金型56に回路基板18を載置した後に、上金型54と下金型56とを当接させることで、金型のキャビティの内部に回路基板18を収納させる。次に、金型52に設けたゲートから封止樹脂を注入して回路基板18の上面および側面を樹脂封止する。更に、本工程では、貫通孔34の周辺部の回路基板18の上面(図8に示す露出領域48)が、封止樹脂に被覆されずに露出するように、当接部58が設けられている。この当接部58は、上金型54の内壁を部分的に下方に突出させた部位であり、下面は貫通孔34の周辺部の回路基板18の上面に当接している。この様に当接部58の下面が回路基板18の上面に接触することで、貫通孔34の周辺部の回路基板18の上面が露出した状態で本工程の樹脂封止が行われる。また、本工程では、回路基板18の周辺部に設けた段差部30にも封止樹脂が回り込み、回路基板18の周辺部に封止樹脂が嵌合する構造が実現されている。   In the present embodiment, the sealing resin is formed by performing injection molding or transfer molding by injection molding using a mold. Here, the circuit board 18 is sealed by transfer molding using a mold 52 including an upper mold 54 and a lower mold 56. Specifically, after placing the circuit board 18 on the lower mold 56, the upper mold 54 and the lower mold 56 are brought into contact with each other, whereby the circuit board 18 is accommodated in the cavity of the mold. Next, sealing resin is injected from the gate provided in the mold 52 to seal the upper surface and side surfaces of the circuit board 18 with resin. Further, in this step, a contact portion 58 is provided so that the upper surface (exposed region 48 shown in FIG. 8) of the circuit board 18 around the through hole 34 is exposed without being covered with the sealing resin. Yes. The abutting portion 58 is a portion in which the inner wall of the upper mold 54 is partially protruded downward, and the lower surface is in contact with the upper surface of the circuit board 18 in the peripheral portion of the through hole 34. In this way, the lower surface of the contact portion 58 is in contact with the upper surface of the circuit board 18, so that the resin sealing in this step is performed in a state where the upper surface of the circuit board 18 around the through hole 34 is exposed. Further, in this step, a structure is realized in which the sealing resin wraps around the stepped portion 30 provided in the peripheral portion of the circuit board 18 and the sealing resin is fitted in the peripheral portion of the circuit board 18.

本発明の回路装置を示す図であり、(A)は斜視図であり、(B)は断面図であり、(C)は断面図である。It is a figure which shows the circuit apparatus of this invention, (A) is a perspective view, (B) is sectional drawing, (C) is sectional drawing. 本発明の回路装置を示す図であり、(A)および(B)は断面図である。It is a figure which shows the circuit apparatus of this invention, (A) and (B) are sectional drawings. 本発明の回路装置を示す図であり、ケース材の構成を示す斜視図である。It is a figure which shows the circuit apparatus of this invention, and is a perspective view which shows the structure of a case material. 本発明の回路装置の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the circuit apparatus of this invention. 本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、(A)は断面図であり、(B)は平面図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the circuit apparatus of this invention, (A) is sectional drawing, (B) is a top view. 本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、(A)および(B)は断面図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the circuit apparatus of this invention, (A) And (B) is sectional drawing. 本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、(A)および(B)は断面図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the circuit apparatus of this invention, (A) And (B) is sectional drawing. 本発明の回路装置を示す図であり、(A)は斜視図であり、(B)は断面図である。It is a figure which shows the circuit apparatus of this invention, (A) is a perspective view, (B) is sectional drawing. 本発明の回路装置を示す図であり、(A)−(C)は断面図である。It is a figure which shows the circuit apparatus of this invention, and (A)-(C) is sectional drawing. 本発明の回路装置の製造方法を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing method of the circuit apparatus of this invention. 従来の混成集積回路装置を示す図であり、(A)は断面図であり、(B)は斜視図である。It is a figure which shows the conventional hybrid integrated circuit device, (A) is sectional drawing, (B) is a perspective view.

符号の説明Explanation of symbols

10、10A 混成集積回路装置
12 ケース材
12A 第1側壁部
12B 第2側壁部
12C 第3側壁部
12D 第4側壁部
12E 内部側壁部
12F 内部側壁部
14 リード
16 封止樹脂
18 回路基板
20 絶縁層
22 導電パターン
24 半導体素子
26 チップ素子
28 金属細線
30 段差部
32 凹部
34 貫通孔
36 開口部
38 金属細線
40 ノズル
42 ビス
44 ヒートシンク
46 孔部
48 露出領域
50 被覆領域
52 金型
54 上金型
56 下金型
58 当接部

10, 10A Hybrid integrated circuit device 12 Case material 12A First side wall portion 12B Second side wall portion 12C Third side wall portion 12D Fourth side wall portion 12E Internal side wall portion 12F Internal side wall portion 14 Lead 16 Sealing resin 18 Circuit board 20 Insulating layer 22 Conductive pattern 24 Semiconductor element 26 Chip element 28 Metal thin wire 30 Stepped portion 32 Recessed portion 34 Through hole 36 Opening portion 38 Metal thin wire 40 Nozzle 42 Screw 44 Heat sink 46 Hole portion 48 Exposed region 50 Covered region 52 Mold 54 Upper die 56 Lower Mold 58 contact part

Claims (8)

回路基板と、
前記回路基板の上面に形成された導電パターンおよび回路素子から成る混成集積回路と、
前記混成集積回路が封止されるように前記回路基板の少なくとも上面を被覆する封止部材と、を有する回路装置において、
前記封止部材は、前記回路基板の側辺に当接する額縁状のケース材と、前記ケース材により囲まれる領域に充填された封止樹脂から成り、
前記回路基板の外周部を前記ケース材の内部側壁に設けられた凹部に嵌合させることを特徴とする回路装置。
A circuit board;
A hybrid integrated circuit comprising a conductive pattern and circuit elements formed on the upper surface of the circuit board;
In a circuit device having a sealing member that covers at least an upper surface of the circuit board so that the hybrid integrated circuit is sealed,
The sealing member is composed of a frame-shaped case material that contacts the side of the circuit board, and a sealing resin filled in a region surrounded by the case material,
A circuit device, wherein an outer peripheral portion of the circuit board is fitted into a recess provided in an inner side wall of the case material.
前記回路基板の周辺部に下面から窪ませた段差部を設け、
前記段差部の裏面を前記ケース材の凹部に嵌合させることを特徴とする請求項1記載の回路装置。
Provide a stepped portion recessed from the lower surface in the periphery of the circuit board,
The circuit device according to claim 1, wherein a back surface of the stepped portion is fitted into a concave portion of the case material.
前記ケース材の前記凹部を、平坦面である前記回路基板の下面に当接させることを特徴とする請求項1または請求項2記載の回路装置。   3. The circuit device according to claim 1, wherein the concave portion of the case material is brought into contact with a lower surface of the circuit board which is a flat surface. 回路基板と、
前記回路基板の上面に形成された導電パターンおよび回路素子から成る混成集積回路と、
前記混成集積回路が封止されるように前記回路基板の少なくとも上面を被覆する封止部材と、を有する回路装置において、
前記封止部材は、前記回路基板の上面および側面を被覆すると共に、射出成形により成形された封止樹脂であり、
前記回路基板の外周部を前記封止樹脂に嵌合させることを特徴とする回路装置。
A circuit board;
A hybrid integrated circuit comprising a conductive pattern and circuit elements formed on the upper surface of the circuit board;
In a circuit device having a sealing member that covers at least an upper surface of the circuit board so that the hybrid integrated circuit is sealed,
The sealing member is a sealing resin formed by injection molding while covering the upper surface and the side surface of the circuit board.
A circuit device, wherein an outer peripheral portion of the circuit board is fitted into the sealing resin.
前記回路基板の周辺部に下面から窪ませた段差部を設け、
前記段差部に前記封止樹脂を嵌合させることを特徴とする請求項4記載の回路装置。
Provide a stepped portion recessed from the lower surface in the periphery of the circuit board,
The circuit device according to claim 4, wherein the sealing resin is fitted into the stepped portion.
前記封止樹脂の一部を、平坦面である前記回路基板の下面に当接させることを特徴とする請求項4記載の回路装置。   The circuit device according to claim 4, wherein a part of the sealing resin is brought into contact with a lower surface of the circuit board which is a flat surface. 前記封止樹脂により被覆される領域の前記回路基板に、上面よりも下面の方が開口径が大きい開口部を設け、
前記開口部に前記封止樹脂を充填させることを特徴とする請求項1から請求項6の何れかに記載の回路装置。
The circuit board in the region covered with the sealing resin is provided with an opening having a larger opening diameter on the lower surface than on the upper surface,
The circuit device according to claim 1, wherein the opening resin is filled with the sealing resin.
回路基板の上面に形成された導電パターンおよび回路素子から成る混成集積回路と、
前記混成集積回路が封止されるように前記回路基板の少なくとも上面を被覆する封止樹脂と、を有する回路装置において、
前記封止樹脂により被覆される領域の前記回路基板に、上面よりも下面の方が開口径が大きい開口部を設け、
前記開口部に前記封止樹脂を充填させることを特徴とする回路装置。
A hybrid integrated circuit comprising a conductive pattern and circuit elements formed on an upper surface of a circuit board;
In a circuit device having a sealing resin that covers at least an upper surface of the circuit board so that the hybrid integrated circuit is sealed,
The circuit board in the region covered with the sealing resin is provided with an opening having a larger opening diameter on the lower surface than on the upper surface,
A circuit device, wherein the opening is filled with the sealing resin.
JP2008170575A 2008-06-30 2008-06-30 Circuit device Pending JP2010010568A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008170575A JP2010010568A (en) 2008-06-30 2008-06-30 Circuit device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008170575A JP2010010568A (en) 2008-06-30 2008-06-30 Circuit device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010010568A true JP2010010568A (en) 2010-01-14

Family

ID=41590669

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008170575A Pending JP2010010568A (en) 2008-06-30 2008-06-30 Circuit device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010010568A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012134052A (en) * 2010-12-22 2012-07-12 Kasuga Electric Works Ltd Electrode substrate unit for charging device or static eliminator
WO2015182284A1 (en) * 2014-05-30 2015-12-03 富士電機株式会社 Semiconductor device
JP2022076164A (en) * 2020-11-09 2022-05-19 富士電機株式会社 Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2023085765A (en) * 2021-12-09 2023-06-21 富士電機株式会社 Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012134052A (en) * 2010-12-22 2012-07-12 Kasuga Electric Works Ltd Electrode substrate unit for charging device or static eliminator
WO2015182284A1 (en) * 2014-05-30 2015-12-03 富士電機株式会社 Semiconductor device
CN105814682A (en) * 2014-05-30 2016-07-27 富士电机株式会社 Semiconductor device
JPWO2015182284A1 (en) * 2014-05-30 2017-04-20 富士電機株式会社 Semiconductor device
US10192806B2 (en) 2014-05-30 2019-01-29 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device
JP2022076164A (en) * 2020-11-09 2022-05-19 富士電機株式会社 Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP7543854B2 (en) 2020-11-09 2024-09-03 富士電機株式会社 Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2023085765A (en) * 2021-12-09 2023-06-21 富士電機株式会社 Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US12489031B2 (en) 2021-12-09 2025-12-02 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5339800B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
EP3226292B1 (en) Lead frame, semiconductor device, method for manufacturing lead frame, and method for manufacturing semiconductor device
US8203848B2 (en) Circuit device and method of manufacturing the same
JP5096094B2 (en) Circuit equipment
JP6266168B2 (en) Semiconductor device
JP5285347B2 (en) Circuit equipment
JP6345342B2 (en) Semiconductor device
JP4254527B2 (en) Semiconductor device
JP2020038914A (en) Semiconductor device
JP4967701B2 (en) Power semiconductor device
JP2020098885A (en) Semiconductor device
JP4549171B2 (en) Hybrid integrated circuit device
JP4334335B2 (en) Method for manufacturing hybrid integrated circuit device
JP2018082113A (en) Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP2010010568A (en) Circuit device
US20080073763A1 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2005191147A (en) Method for manufacturing hybrid integrated circuit device
JP2010245468A (en) Mold package mounting structure and mounting method
JP5381175B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
JP2008187144A (en) Circuit device and manufacturing method thereof
JP7591377B2 (en) Semiconductor parts
JP2010010569A (en) Circuit device and method of manufacturing the same
JP5112972B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2007036013A (en) Circuit device and its manufacturing method
KR20190085587A (en) High thermal conductivity semiconductor package

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20110602