JP2010010368A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】 本発明の目的は、貫通電極を有する半導体素子と、他の半導体素子とを好適に接合することが可能な半導体装置を提供するものである。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、基板と、前記基板の少なくとも一方の面側に設けられた第１半導体素子と、厚さ方向に貫通する導体部を有する第２半導体素子と、を有する半導体装置であって、前記第１半導体素子と前記第２半導体素子とが、突起電極を介して電気的に接続されており、前記第１半導体素子と、前記第２半導体素子との間には、架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物の硬化物で構成される第１接着層が配置されてなることを特徴とする。
【選択図】 図１
【解決手段】 本発明の半導体装置は、基板と、前記基板の少なくとも一方の面側に設けられた第１半導体素子と、厚さ方向に貫通する導体部を有する第２半導体素子と、を有する半導体装置であって、前記第１半導体素子と前記第２半導体素子とが、突起電極を介して電気的に接続されており、前記第１半導体素子と、前記第２半導体素子との間には、架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物の硬化物で構成される第１接着層が配置されてなることを特徴とする。
【選択図】 図１
Description
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの大容量高密度化が進んでいる。これらの半導体装置の製造方法としては、ケイ素、ガリウム、ヒ素などからなる半導体用ウエハに粘着シート（ダイシングシート）を貼着し、ダイシングにより個々の半導体素子に切断分離（個片化）した後、エキスパンディング、個片化した半導体素子のピックアップを行い、次いで、半導体素子を金属リードフレーム、テープ基板および有機硬質基板等にダイボンディングする半導体装置の組立工程へ移送される。
一方、半導体装置の軽薄短小化の技術革新は目覚しいものがあり、様々なパッケージ構造が提唱され、製品化されている。近年では、従来のリードフレーム接合に代わり、半導体素子と回路基板とを、半導体素子の回路面に直接形成された突起電極を介して接合するエリア実装方式が主流になりつつある。また、半導体素子を立体的に重ねたスタックドパッケージと呼ばれる方式も主流になってきている。複数の半導体素子を平面状でなく立体状に配置すると、パッケージを小さくできる。さらに、半導体素子の間でやり取りする情報を増やせることから、全体的な性能向上につながる。
半導体素子を立体的に積層する手法としては、半導体素子の間をワイヤー・ボンディングで接続するマルチ・チップ・パッケージ（ＭＣＰ：Ｍｕｌｔｉ―Ｃｈｉｐ Ｐａｃｋａｇｅ）という技術がある。これに対し、貫通電極（ＴＳＶ：Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ）は、半導体素子に穴を開けて金属を満たし、半導体素子間の接続を行う。この手法では、接続用のワイヤーが不要となるため、半導体素子同士の間隔を狭められるため、今後主流になっていくと考えられる。
半導体素子を立体的に積層する手法としては、半導体素子の間をワイヤー・ボンディングで接続するマルチ・チップ・パッケージ（ＭＣＰ：Ｍｕｌｔｉ―Ｃｈｉｐ Ｐａｃｋａｇｅ）という技術がある。これに対し、貫通電極（ＴＳＶ：Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ）は、半導体素子に穴を開けて金属を満たし、半導体素子間の接続を行う。この手法では、接続用のワイヤーが不要となるため、半導体素子同士の間隔を狭められるため、今後主流になっていくと考えられる。
この貫通電極においては、接合部分の補強や信頼性向上等を目的として、半導体素子と回路基板の間隙を樹脂組成物で封止することが一般的である。
樹脂封止方法としては、一般にキャピラリーアンダーフィル方式が挙げられる。この方法は、半導体素子の一辺または複数面に液状封止樹脂組成物を塗布し毛細管現象を利用して樹脂組成物を回路基板と半導体素子の間隙に流れ込ませることによって行う（特許文献１参照）。
しかし、キャビラリーアンダーフィル方式では、フラックスを用いて半導体素子と貫通電極を接合させる工程およびフラックス洗浄工程が必要になるため、工程が長くなりかつ洗浄廃液の処理問題等環境管理を厳しくしなければならない。また、封止を毛細管現象で行うため封止時間が長くなり、生産性に問題があった。
特開２００７−２１７７０８号公報
本発明の目的は、貫通電極を有する半導体素子と、他の半導体素子とを好適に接合することが可能な半導体装置を提供するものである。
また、本発明の目的は、貫通電極を有する半導体素子と、他の半導体素子とを生産性良く接合する半導体装置の製造方法を提供することにある。
また、本発明の目的は、貫通電極を有する半導体素子と、他の半導体素子とを生産性良く接合する半導体装置の製造方法を提供することにある。
このような目的は、下記（１）〜（７）に記載の本発明により達成される。
（１）基板と、前記基板の少なくとも一方の面側に設けられた第１半導体素子と、厚さ方向に貫通する導体部を有する第２半導体素子と、を有する半導体装置であって、前記第１半導体素子と前記第２半導体素子とが、突起電極を介して電気的に接続されており、前記第１半導体素子と、前記第２半導体素子との間には、架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物の硬化物で構成される第１接着層が配置されてなることを特徴とする半導体装置。
（２）前記基板と前記第１半導体素子とが、突起電極を介して電気的に接続されており、かつ前記基板と前記第１半導体素子との間には、架橋反応可能な樹脂と、フラックス活性を有する化合物とを含む樹脂組成物の硬化物で構成される第２接着層が配置されているものである上記（１）に記載の半導体装置。
（３）前記樹脂組成物は、さらにフィルム形成樹脂を含むものである上記（１）または（２）に記載の半導体装置。
（４）前記フラックス活性を有する化合物は、カルボキシル基およびフェノール性水酸基の少なくとも一方を有する化合物である上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の半導体装置。
（５）前記フラックス活性を有する化合物は、前記架橋反応可能な樹脂の硬化剤として作用することができるものである上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の半導体装置。
（６）厚さ方向に貫通する複数の導体部を有する半導体ウエハの一方の面に、架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物で構成される層およびダイシングシート層を配置する工程と、前記半導体用ウエハを個片化して、厚さ方向に貫通する導体部を有する第２半導体素子を得る工程と、前記第２半導体素子を架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物で構成される層を有した状態で、ダイシングシート層からピックアップする工程と、前記ピックアップした第２半導体素子を、基板の一方の面側に搭載された第１半導体素子の他方の面側に搭載する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（７）前記第１半導体素子と、前記基板とが、架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物の硬化物で構成される第２接着層で、あらかじめ接合されているものである上記（６）に記載の半導体装置の製造方法。
（１）基板と、前記基板の少なくとも一方の面側に設けられた第１半導体素子と、厚さ方向に貫通する導体部を有する第２半導体素子と、を有する半導体装置であって、前記第１半導体素子と前記第２半導体素子とが、突起電極を介して電気的に接続されており、前記第１半導体素子と、前記第２半導体素子との間には、架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物の硬化物で構成される第１接着層が配置されてなることを特徴とする半導体装置。
（２）前記基板と前記第１半導体素子とが、突起電極を介して電気的に接続されており、かつ前記基板と前記第１半導体素子との間には、架橋反応可能な樹脂と、フラックス活性を有する化合物とを含む樹脂組成物の硬化物で構成される第２接着層が配置されているものである上記（１）に記載の半導体装置。
（３）前記樹脂組成物は、さらにフィルム形成樹脂を含むものである上記（１）または（２）に記載の半導体装置。
（４）前記フラックス活性を有する化合物は、カルボキシル基およびフェノール性水酸基の少なくとも一方を有する化合物である上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の半導体装置。
（５）前記フラックス活性を有する化合物は、前記架橋反応可能な樹脂の硬化剤として作用することができるものである上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の半導体装置。
（６）厚さ方向に貫通する複数の導体部を有する半導体ウエハの一方の面に、架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物で構成される層およびダイシングシート層を配置する工程と、前記半導体用ウエハを個片化して、厚さ方向に貫通する導体部を有する第２半導体素子を得る工程と、前記第２半導体素子を架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物で構成される層を有した状態で、ダイシングシート層からピックアップする工程と、前記ピックアップした第２半導体素子を、基板の一方の面側に搭載された第１半導体素子の他方の面側に搭載する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（７）前記第１半導体素子と、前記基板とが、架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物の硬化物で構成される第２接着層で、あらかじめ接合されているものである上記（６）に記載の半導体装置の製造方法。
本発明によれば、貫通電極を有する半導体素子と、他の半導体素子とを好適に接合することが可能な半導体装置を得ることができる。
また、本発明によれば、貫通電極を有する半導体素子と、他の半導体素子とを生産性良く接合する半導体装置の製造方法を得ることができる。
また、本発明によれば、貫通電極を有する半導体素子と、他の半導体素子とを生産性良く接合する半導体装置の製造方法を得ることができる。
以下、本発明の半導体装置およびその製造方法について説明する。
本発明の半導体装置は、基板と、前記基板の少なくとも一方の面側に設けられた第１半導体素子と、厚さ方向に貫通する導体部を有する第２半導体素子と、を有する半導体装置であって、前記第１半導体素子と前記第２半導体素子とが、突起電極を介して電気的に接続されており、前記第１半導体素子と、前記第２半導体素子との間には、架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物の硬化物で構成される第１接着層が配置されてなることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、厚さ方向に貫通する複数の導体部を有する半導体ウエハの一方の面に、架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物で構成される層およびダイシングシート層を配置する工程と、前記半導体用ウエハを個片化して、厚さ方向に貫通する導体部を有する第２半導体素子を得る工程と、前記第２半導体素子を架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物で構成される層を有した状態で、ダイシングシート層からピックアップする工程と、前記ピックアップした第２半導体素子を、基板の一方の面側に搭載された第１半導体素子の他方の面側に搭載する工程とを有することを特徴とする。
本発明の半導体装置は、基板と、前記基板の少なくとも一方の面側に設けられた第１半導体素子と、厚さ方向に貫通する導体部を有する第２半導体素子と、を有する半導体装置であって、前記第１半導体素子と前記第２半導体素子とが、突起電極を介して電気的に接続されており、前記第１半導体素子と、前記第２半導体素子との間には、架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物の硬化物で構成される第１接着層が配置されてなることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、厚さ方向に貫通する複数の導体部を有する半導体ウエハの一方の面に、架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物で構成される層およびダイシングシート層を配置する工程と、前記半導体用ウエハを個片化して、厚さ方向に貫通する導体部を有する第２半導体素子を得る工程と、前記第２半導体素子を架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物で構成される層を有した状態で、ダイシングシート層からピックアップする工程と、前記ピックアップした第２半導体素子を、基板の一方の面側に搭載された第１半導体素子の他方の面側に搭載する工程とを有することを特徴とする。
まず、半導体装置について、図１に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の半導体装置の一例を示す断面図である。
図１に示すように、半導体装置１００は、基板１０と、基板１０の上側（図１中の上側）に搭載されている第１半導体素子１と、第１半導体素子の上側（図１中の上側）に搭載されている第２半導体素子２と、を有している。
基板１０の上側の面には、図示しない回路パターンが形成されており、電極パッドが配置されている。
第１半導体素子１と基板１０とは、半田バンプ１１を介して電気的に接続されている。第１半導体素子１と、基板１０との間には、半田バンプ１１の周囲を保護するように架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物の硬化物で構成される第２接着層１２が配置されている。
図１は、本発明の半導体装置の一例を示す断面図である。
図１に示すように、半導体装置１００は、基板１０と、基板１０の上側（図１中の上側）に搭載されている第１半導体素子１と、第１半導体素子の上側（図１中の上側）に搭載されている第２半導体素子２と、を有している。
基板１０の上側の面には、図示しない回路パターンが形成されており、電極パッドが配置されている。
第１半導体素子１と基板１０とは、半田バンプ１１を介して電気的に接続されている。第１半導体素子１と、基板１０との間には、半田バンプ１１の周囲を保護するように架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物の硬化物で構成される第２接着層１２が配置されている。
第１半導体素子１には、その厚さ方向に貫通する導体部１３が形成されており、第１半導体素子１の機能面１４と、裏面との間での電気信号をやり取りすることが可能となっている。これにより、ボンディングワイヤを用いる必要が無くなり半導体装置を薄くすることができる。さらに、ボンディングワイヤを用いる場合に比べて、電気信号の伝達距離を短くすることができるので応答速度を向上することもできる。
また、第１半導体素子１と第２半導体素子２とも、半田バンプ２１を介して電気的に接続されている。第１半導体素子１と第２半導体素子２との間には、半田バンプ２１の周囲を保護するように架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物の硬化物で構成される第１接着層２２が配置されている。
第２半導体素子２には、その厚さ方向に貫通する導体部２３が形成されており、第２半導体素子２の機能面２４と、裏面との間で電気信号のやり取りすることが可能となっている。これにより、ボンディングワイヤを用いる必要が無くなり半導体装置を薄くすることができる。さらに、ボンディングワイヤを用いる場合に比べて、電気信号の伝達距離を短くすることができるので応答速度を向上することもできる。
以下、各構成について説明する。
基板１０としては、例えばセラミック基板または有機基板等を用いることができる。セラミック基板としては、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板等を用いることができる。有機基板としては、ポリイミドフィルムを基板として用いたポリイミドフィルム基板、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させたＦＲ−４基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂を含浸させたＢＴ基板等を用いることができる。
基板１０としては、例えばセラミック基板または有機基板等を用いることができる。セラミック基板としては、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板等を用いることができる。有機基板としては、ポリイミドフィルムを基板として用いたポリイミドフィルム基板、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させたＦＲ−４基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂を含浸させたＢＴ基板等を用いることができる。
第１半導体素子としては、例えばメモリ、ロジック、プロセッサー等が使用され、大きさは１〜２０ｍｍ角程度のものを好適に使用できる。
第１半導体素子と基板１０とを接続している半田バンプ１１のサイズは、特に限定されないが、１０〜６００μｍが好ましく、特に３０〜２００μｍが好ましい。
また、半田バンプ１１の周囲を保護する架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物の硬化物で構成される第２接着層１２の樹脂組成物としては、例えば下記のものが挙げられる。
また、半田バンプ１１の周囲を保護する第２接着層１２としては、いわゆるアンダーフィル材を用いることもできる。例えば、エポキシ系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、マレイミド系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂等を１種または複数種混合したものに、硬化剤や無機充填材、各種カップリング剤などを添加して液状のアンダーフィル材を得ることができる。
このアンダーフィル材を半導体素子の一辺または複数面に塗布し、毛細管現象を利用して樹脂組成物を回路基板と半導体素子の間隙に流れ込ませ硬化し、樹脂硬化物を形成し電極を保護する。
このアンダーフィル材を半導体素子の一辺または複数面に塗布し、毛細管現象を利用して樹脂組成物を回路基板と半導体素子の間隙に流れ込ませ硬化し、樹脂硬化物を形成し電極を保護する。
なお、第２接着層１２として、いわゆるアンダーフィル材を用いた場合について説明したが、これに限定されず、後述するような架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物の硬化物で構成されるようなものを用いても良い。
第２半導体素子２としては、例えばメモリ、ロジック、プロセッサー等が使用され、大きさは第１半導体素子と同程度の大きさ、１〜２０ｍｍ角程度のものを好適に使用できる。
第２半導体素子２と第１半導体素子１とを接続している半田バンプ２１のサイズは、特に限定されないが、１０〜３００μｍが好ましく、特に２０〜１００μｍが好ましい。
また、半田バンプ２１の周囲を保護する架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物の硬化物で構成される第１接着層２２の樹脂組成物としては、例えば下記のものが挙げられる。
前記架橋反応可能な樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂等のいわゆる熱硬化性樹脂に分類されるものに加え、カルボキシル基、エポキシ基等の官能基を有する熱可塑性樹脂等も本発明の架橋反応可能な樹脂として挙げることができる。これらの中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れるエポキシ樹脂が好適に用いられる。
前記架橋反応可能な樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂等のいわゆる熱硬化性樹脂に分類されるものに加え、カルボキシル基、エポキシ基等の官能基を有する熱可塑性樹脂等も本発明の架橋反応可能な樹脂として挙げることができる。これらの中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れるエポキシ樹脂が好適に用いられる。
前記エポキシ樹脂としては、室温で固形のエポキシ樹脂および室温で液状のエポキシ樹脂のいずれを用いても良い。また、室温で固形のエポキシ樹脂と、室温で液状のエポキシ樹脂とを併用しても良い。これにより、第１接着層２２の溶融挙動の設計自由度を、さらに高めることができる。
前記室温で固形のエポキシ樹脂としては、特に限定されるものではなく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、３官能エポキシ樹脂、４官能エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂等が挙げられる。さらに具体的には、前記室温で固形のエポキシ樹脂は、室温で固形の３官能エポキシ樹脂とクレゾールノボラック型エポキシ樹脂とを含むことが好ましい。これにより、半導体装置１００の耐湿信頼性を向上することができる。
前記室温で液状のエポキシ樹脂としては、特に限定されるものではなく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ核水添型エポキシ樹脂、4−ｔ−ブチルカテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。
前記架橋反応可能な樹脂の含有量は、前記樹脂組成物全体の２５重量％以上、７５重量％以下であることが好ましく、特に４５重量％以上、７０重量％以下であることが好ましい。含有量が前記範囲内であると、良好な硬化性が得られると共に、良好な溶融挙動の設計が可能となる。
前記フラックス活性を有する化合物は、加熱等によって金属酸化膜を取り除く効果を有しているものであれば特に限定されない。例えば活性ロジン、カルボキル基を有する有機化合物等の有機酸、アミン、フェノール、アルコール、アジン等の自らフラックス活性を持っていたり、フラックス活性を助長したりする作用を有する化合物でも良い。
このフラックス活性を有する化合物として、より具体的には分子中にカルボキシル基および／またはフェノール性水酸基を少なくとも１つ以上有する化合物が挙げられ、これは液状であっても固体であっても構わない。
このフラックス活性を有する化合物として、より具体的には分子中にカルボキシル基および／またはフェノール性水酸基を少なくとも１つ以上有する化合物が挙げられ、これは液状であっても固体であっても構わない。
前記カルボキシル基を含有する化合物としては、例えば脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。フェノール性水酸基を有するフラックス化合物としては、例えばフェノール類が挙げられる。
前記脂肪族酸無水物としては、例えば無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物等が挙げられる。
前記脂環式酸無水物としては、例えばメチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等が挙げられる。
前記芳香族酸無水物としては、例えば無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリストリメリテート等が挙げられる。
前記脂肪族カルボン酸としては、例えば下記式（１）で示される化合物等が挙げられる。
前記式（１）で示される化合物は、フラックス活性、接着時のアウトガスおよび第１接着層２２の硬化後の弾性率やガラス転移温度のバランスから、前記式（１）中のｎが、３以上、１０以下であることが好ましく、特に４以上、８以下であることが好ましい。ｎを前記下限値以上とすることにより、硬化後の弾性率の増加を抑制し、被接着物との接着性を向上させることができる。また、ｎを前記上限値以下とすることにより、弾性率の低下を抑制し、接続信頼性をさらに向上させることができる。
前記式（１）で示される化合物として、例えばｎ＝３のグルタル酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）３−ＣＯＯＨ）、ｎ＝４のアジピン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）4−ＣＯＯＨ）、ｎ＝５のピメリン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）５−ＣＯＯＨ）、ｎ＝８のセバシン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）8−ＣＯＯＨ）およびｎ＝１０のＨＯＯＣ−（ＣＨ2）10−ＣＯＯＨ−等が挙げられる。
他の脂肪族カルボン酸としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ピバル酸カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、フマル酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸等が挙げられる。
他の脂肪族カルボン酸としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ピバル酸カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、フマル酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸等が挙げられる。
前記芳香族カルボン酸としては、例えば安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ヘミメリット酸、トリメリット酸、トリメシン酸、メロファン酸、プレートニ酸、ピロメリット酸、メリット酸、トリイル酸、キシリル酸、ヘメリト酸、メシチレン酸、プレーニチル酸、トルイル酸、ケイ皮酸、サリチル酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、浸食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体；フェノールフタリン；ジフェノール酸等が挙げられる。
前記フェノール性水酸基を有する化合物としては、例えばフェノール、ｏ−クレゾール、２，６−キシレノール、ｐ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、２，４−キシレノール、２，５キシレノール、ｍ−エチルフェノール、２，３−キシレノール、メジトール、３，５−キシレノール、ｐ−ターシャリブチルフェノール、カテコール、ｐ−ターシャリアミルフェノール、レゾルシノール、ｐ−オクチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＦ、ビフェノール、ジアリルビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＡ、トリスフェノール、テトラキスフェノール等のフェノール性水酸基を含有するモノマー類、フェノールノボラック樹脂、ｏ−クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＦノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等が挙げられる。
また、このようなフラックス活性を有する化合物は、エポキシ樹脂のような架橋反応可能な樹脂との反応で３次元的に取り込まれるようなフラックス活性を有する硬化剤であることが好ましい。これにより、フラックス活性後の洗浄工程を省略することに加えて、信頼性をより向上できる。
このフラックス活性を有する硬化剤としては、例えば１分子中にエポキシ樹脂等の架橋反応可能な樹脂に付加することができる少なくとも２個のフェノール性水酸基と、金属酸化膜に対してフラックス作用を示す、芳香族に直接結合したカルボキシル基を一分子中に少なくとも１個有する化合物が挙げられる。具体的には、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体；１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，７−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体；フェノールフタリン；およびジフェノール酸等が挙げられる。
これらのフラックス活性を有する化合物は、単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
このフラックス活性を有する硬化剤としては、例えば１分子中にエポキシ樹脂等の架橋反応可能な樹脂に付加することができる少なくとも２個のフェノール性水酸基と、金属酸化膜に対してフラックス作用を示す、芳香族に直接結合したカルボキシル基を一分子中に少なくとも１個有する化合物が挙げられる。具体的には、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体；１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，７−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体；フェノールフタリン；およびジフェノール酸等が挙げられる。
これらのフラックス活性を有する化合物は、単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
前記フラックス活性を有する化合物の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の１重量％以上、３０重量％以下であることが好ましく、特に５重量％以上、２５重量％以下であることが好ましい。含有量が前記下限値未満であるとフラックス活性の効果が不十分となる場合があり、前記上限値を超えると架橋反応可能な樹脂と未反応のフラックス活性を有する化合物が残留する場合があり、マイグレーションの原因となる場合がある。また、含有量が前記範囲内であると、銅箔表面の酸化膜を還元し強度の大きい良好な接合が得られる。
前記樹脂組成物は、特に限定されないが、硬化剤を含んでも良い。
前記硬化剤としては、例えばフェノール類、アミン類、チオール類が挙げられる。架橋反応可能な樹脂としてエポキシ樹脂が用いられる場合、このエポキシ樹脂との良好な反応性、硬化時の低寸法変化および硬化後の適切な物性（例えば、耐熱性、耐湿性等）が得られるという点で、フェノール類が好適に用いられる。
前記硬化剤としては、例えばフェノール類、アミン類、チオール類が挙げられる。架橋反応可能な樹脂としてエポキシ樹脂が用いられる場合、このエポキシ樹脂との良好な反応性、硬化時の低寸法変化および硬化後の適切な物性（例えば、耐熱性、耐湿性等）が得られるという点で、フェノール類が好適に用いられる。
前記フェノール類としては、特に限定されるものではないが、第２接着剤２の硬化後の物性を考えた場合、２官能以上が好ましい。たとえば、ビスフェノールＡ、テトラメチルビスフェノールＡ、ジアリルビスフェノールＡ、ビフェノール、ビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＦ、トリスフェノール、テトラキスフェノール、フェノールノボラック類、クレゾールノボラック類等が挙げられるが、溶融粘度、エポキシ樹脂との反応性および硬化後の物性を考えた場合、フェノールノボラック類およびクレゾールノボラック類を好適に用いることができる。
前記硬化剤としてフェノールノボラック類が用いられる場合、その含有量は、特に限定されないが、前記架橋反応可能な樹脂を確実に硬化させる観点では、前記樹脂組成物全体の５重量％以上が好ましく、特に１０重量％以上が好ましい。また、エポキシ樹脂と未反応のフェノールノボラック類が残留していると、マイグレーションの原因となる。したがって、残渣として残らないようにするためには、前記含有量は前記樹脂組成物全体の３０重量％以下が好ましく、特に２５重量％以下が好ましい。
架橋反応可能な樹脂がエポキシ樹脂である場合、フェノールノボラック樹脂の含有量は、エポキシ樹脂に対する当量比で規定してもよい。具体的には、エポキシ樹脂に対するフェノールノボラック類の当量比は、０．５以上、１．２以下が好ましく、特に０．６以上、１．１以下が好ましく、最も０．７以上０．９８以下が好ましい。前記エポキシ樹脂に対するフェノールノボラック樹脂の当量比を前記下限値以上とすることで、硬化後の耐熱性、耐湿性を確保することができ、この当量比を上限値以下とすることで、硬化後のエポキシ樹脂と未反応の残留フェノールノボラック樹脂の量を低減することができ、耐マイグレーション性が良好となる。
他の硬化剤としては、例えばイミダゾール化合物、リン化合物等を挙げることができる。
前記イミダゾール化合物としては、特に限定されないが、融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物を使用することが好ましい。これにより、第１接着層２２の硬化と、フラックス機能との両立を図ることが容易となる。すなわち、イミダゾール化合物の融点が低すぎると、半田バンプの酸化膜が除去され、半田バンプと電極が金属接合する前に接着テープが硬化してしまい、接続が不安定になったり、接着テープの保存性が低下したりする場合を抑制することができる。
融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物としては、例えば２−フェニルヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４−メチルヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール等が挙げられる。なお、イミダゾール化合物の融点の上限に特に制限はなく、例えば第１接着層２２の接着温度に応じて適宜設定することができる。
前記イミダゾール化合物としては、特に限定されないが、融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物を使用することが好ましい。これにより、第１接着層２２の硬化と、フラックス機能との両立を図ることが容易となる。すなわち、イミダゾール化合物の融点が低すぎると、半田バンプの酸化膜が除去され、半田バンプと電極が金属接合する前に接着テープが硬化してしまい、接続が不安定になったり、接着テープの保存性が低下したりする場合を抑制することができる。
融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物としては、例えば２−フェニルヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４−メチルヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール等が挙げられる。なお、イミダゾール化合物の融点の上限に特に制限はなく、例えば第１接着層２２の接着温度に応じて適宜設定することができる。
前記硬化剤としてイミダゾール化合物が使用される場合、その含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の０．００５重量％以上、１０重量％以下が好ましく、特に０．０１重量％以上、５重量％以下が好ましい。イミダゾール化合物の含有量を前記下限値以上とすることにより、架橋反応可能な樹脂の硬化触媒としての機能をさらに効果的に発揮させて、第１接着層２２の硬化性を向上させることができる。また、イミダゾール化合物の配合比を前記上限値以下とすることにより、半田が溶融する温度において樹脂の溶融粘度が高すぎず、良好な半田接合構造が得られる。また、第１接着層２２の保存性をさらに向上させることができる。
前記リン化合物としては、例えばトリフェニルホスフィン；テトラ置換ホスホニウムと多官能フェノール化合物との分子性化合物；テトラ置換ホスホニウムとプロトン供与体とトリアルコキシシラン化合物との分子性化合物等が挙げられる。これらの中でも、第２接着剤２の速硬化性、半導体素子のアルミパッドへの腐食性、さらには第１接着層２２の保存性により優れる、テトラ置換ホスホニウムと多官能フェノール化合物との分子性化合物、およびテトラ置換ホスホニウムとプロトン供与体とトリアルコキシシラン化合物との分子性化合物が特に好ましい。
前記樹脂組成物は、特に限定されないが、前記架橋反応可能な樹脂と異なるフィルム形成性樹脂を含んでも良い。
前記フィルム形成性樹脂としては、例えばフェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン、ポリプロピレン、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン、アクリルゴム等を用いることができる。これらは、単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
前記フィルム形成性樹脂としては、例えばフェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン、ポリプロピレン、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン、アクリルゴム等を用いることができる。これらは、単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
フィルム形成性樹脂として、フェノキシ樹脂が用いられる場合、その数平均分子量が５，０００〜１５，０００であるフェノキシ樹脂が好ましい。このようなフェノキシ樹脂を用いることにより、硬化前の接着テープの流動性を抑制し、層間厚みを均一にすることができる。フェノキシ樹脂の骨格は、ビスフェノールＡタイプ、ビスフェノールＦタイプ、ビフェニル骨格タイプなどが挙げられるが、これらに限定されない。好ましくは、飽和吸水率が１％以下であるフェノキシ樹脂が、接合時やはんだ実装時の高温下においても発泡や剥離などの発生を抑えることができるため、好ましい。
また、上記フィルム形成性樹脂として、接着性や他の樹脂との相溶性を向上させる目的で、ニトリル基、エポキシ基、水酸基、カルボキシル基を有する樹脂を用いてもよく、このような樹脂として、たとえばアクリルゴムを用いることができる。
フィルム形成性樹脂として、アクリルゴムが用いられる場合、フィルム状の接着テープを作製する際の成膜安定性を向上させることができる。また、接着テープの弾性率を低下させ、被接着物と接着テープ間の残留応力を低減することができるため、被接着物に対する密着性を向上させることができる。
フィルム形成性樹脂として、アクリルゴムが用いられる場合、フィルム状の接着テープを作製する際の成膜安定性を向上させることができる。また、接着テープの弾性率を低下させ、被接着物と接着テープ間の残留応力を低減することができるため、被接着物に対する密着性を向上させることができる。
アクリルゴムは、エポキシ基、水酸基、カルボキシル基、またはニトリル基等を有するモノマー単位を含む（メタ）アクリル酸エステル共重合体であることが好ましい。これにより、半導体素子の裏面、および半導体素子上のコート材等の被着体への密着性をより向上することができる。このような（メタ）アクリル酸エステル共重合体に用いるモノマーとしては、例えば、グリシジル基を有するグリシジル（メタ）クリレート、水酸基を有する（メタ）クリレート、カルボキシル基を有する（メタ）クリレート、ニトリル基を有する（メタ）アクリロニトリル等が挙げられる。
これらの中でも、特にグリシジル基またはカルボキシル基を有するモノマー単位を含む（メタ）アクリル酸エステル共重合体を用いることが好ましい。これにより、樹脂組成物の硬化がさらに促進され、さらに、被着体に対する接着性を向上することができる。
カルボキシル基を有するモノマー単位を含む（メタ）アクリル酸エステル共重合体を用いる場合、カルボキシル基を有するモノマー単位の、共重合体中の含有量は、より被着体に対する接着性を向上させる観点では、例えば（メタ）アクリル酸エステル共重合体全体の０．５重量％以上、好ましくは１重量％以上である。また、カルボキシル基を有するモノマー単位の含有量は、接着フィルムの保存性をより一層向上させる観点では、たとえば（メタ）アクリル酸エステル共重合体全体の１０重量％以下、好ましくは５重量％以下である。
（メタ）アクリル酸エステル共重合体の重量平均分子量は、たとえば１，０００以上、１００万以下であり、３，０００以上、９０万以下とすることが好ましい。上記範囲とすることにより、樹脂組成物の成膜性をさらに向上させることができるとともに接着時の流動性を確保することが可能となる。
（メタ）アクリル酸エステル共重合体の重量平均分子量は、例えばゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定することができ、測定条件例としては、例えば東ソー（株）製、高速ＧＰＣ ＳＣ−８０２０装置で、カラムはＴＳＫ−ＧＥＬ ＧＭＨＸＬ−Ｌ、温度４０℃、溶媒テトラヒドロフランを用いることができる。
（メタ）アクリル酸エステル共重合体のガラス転移温度は、第２接着層２２の粘着が強くなりすぎることを抑制して作業性をさらに向上させる観点では、例えば０℃以上、好ましくは５℃以上である。また、（メタ）アクリル酸エステル共重合体のガラス転移温度は、低温での接着性をさらに向上させる観点では、たとえば３０℃以下、好ましくは２０℃以下である。
（メタ）アクリル酸エステル共重合体のガラス転移温度は、例えば、熱機械特性分析装置(セイコーインスツル（株）製、ＴＭＡ／ＳＳ６１００)を用いて、一定荷重（１０ｍＮ）で−６５℃から昇温速度５℃／分で温度を上昇させながら引っ張った際の変極点より測定することができる。
フィルム形成性樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の５重量％以上、５０重量％以下とすることが好ましい。フィルム形成性樹脂が上記範囲内で配合される場合、成膜性の低下が抑制されるとともに、第１接着層２２が硬化した後の弾性率の増加が抑制されるため、被接着物との密着性をさらに向上させることができる。また、上記範囲内とすることにより、第１接着層２２の溶融粘度の増加が抑制される。
また、耐熱性や、寸法安定性、耐湿性等の特性が特に要求される場合には、さらに無機充填剤を含有することが好ましい。このような無機充填剤としては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、溶融シリカ（溶融球状シリカ、溶融破砕シリカ）、結晶シリカ等の粉末等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素等の窒化物等を挙げることができる。これらの無機充填剤は単独でも混合して使用しても良い。これらの中でも溶融シリカ、結晶シリカ等のシリカ粉末が好ましく、特に球状溶融シリカが好ましい。
無機充填剤を樹脂組成物に含めることにより、樹脂組成物を硬化させた後の耐熱性、耐湿性、強度等を向上させることができ、また第１接着層２２の保護フィルムに対する剥離性を向上させることができる。なお、無機充填剤の形状は、特に限定されないが、真球状であることが好ましく、これにより、特に異方性のない第１接着層２２として好適な樹脂組成物を提供することができる。
また、無機充填剤の平均粒径は、特に限定されないが、０．５μｍ以下が好ましく、特に０．０１〜０．５μｍが好ましく、最も０．０１〜０．３μｍが好ましい。この平均粒子径が小さくなりすぎると無機充填剤が凝集しやすくなった結果、強度が低下する場合があり、一方で大きくなりすぎると第１接着層２２の透明度が低下し、半導体素子表面の位置合わせマークの認識が難しくなり、半導体素子と基板の位置合わせが困難となる場合がある。
ここで、無機充填剤の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の１０〜６０重量％が好ましく、とくに２０〜５０重量％が好ましい。無機充填剤の含有量が小さくなりすぎると耐熱性、耐湿性、強度等を向上させる効果が低下する場合があり、一方で大きくなりすぎると透明性が低下したり、第１接着層２２のタック性が低下したりする場合がある。
また、前記樹脂組成物は、シランカップリング剤をさらに含んでもよい。シランカップリング剤を含む構成とすることにより、第１接着層２２の被接着物への密着性をさらに高めることができる。シランカップリング剤としては、エポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤等が挙げられる。これらは単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。シランカップリング剤の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の０．０１〜５重量％とすることが好ましい。
前記樹脂組成物は、上記以外の成分を含んでいてもよい。例えば、樹脂の相溶性、安定性、作業性等の各種特性向上のため、各種添加剤を適宜添加してもよい。
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第１接着層２２は、上述したような樹脂組成物の硬化物で構成されている。これにより、電極を保護し接続信頼性を向上することができるものである。
次に、半導体装置の製造方法について説明する。
図２は、本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す模式図である。
まず、架橋可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物で構成される層およびダイシングシート層で構成される積層体を製造する。
図２（ａ）に示すように、支持基材５に架橋反応可能な化合物およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物を塗布、乾燥し、樹脂層１２’を得る。次に、樹脂層１２’と、支持基材５１と粘着層６とで構成されるダイシングシート層の粘着層６とが隣接するように、ラミネーター等でラミネートして積層体７を得る（図２（ｂ））。
この積層体７から支持基材５を剥離して樹脂層１２’と、厚さ方向に貫通する複数の導体部８１を有する半導体ウエハ８の一方の面（図２中の上側の面）とが、隣接するように積層する（図２（ｃ））。
ここで、支持基材５１は、特に限定されるものではなく、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、塩化ビニル、エチレンーメタクリル酸共重合体などの樹脂フィルムおよびこれら樹脂の架橋フィルム、さらにこれら樹脂表面にシリコーン樹脂等を塗布して剥離処理したフィルムを挙げることができる。
図２は、本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す模式図である。
まず、架橋可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物で構成される層およびダイシングシート層で構成される積層体を製造する。
図２（ａ）に示すように、支持基材５に架橋反応可能な化合物およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物を塗布、乾燥し、樹脂層１２’を得る。次に、樹脂層１２’と、支持基材５１と粘着層６とで構成されるダイシングシート層の粘着層６とが隣接するように、ラミネーター等でラミネートして積層体７を得る（図２（ｂ））。
この積層体７から支持基材５を剥離して樹脂層１２’と、厚さ方向に貫通する複数の導体部８１を有する半導体ウエハ８の一方の面（図２中の上側の面）とが、隣接するように積層する（図２（ｃ））。
ここで、支持基材５１は、特に限定されるものではなく、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、塩化ビニル、エチレンーメタクリル酸共重合体などの樹脂フィルムおよびこれら樹脂の架橋フィルム、さらにこれら樹脂表面にシリコーン樹脂等を塗布して剥離処理したフィルムを挙げることができる。
次に、この積層体７の支持基材５１がダイサーテーブルの上面と接するようにダイサーテーブルに設置する（不図示）。次に、半導体ウエハ８の周囲にウエハリングを設置して、半導体ウエハ８を固定する。そして、ブレードで半導体ウエハ８を切断して、半導体ウエハ８を個片化して、樹脂層１２’を有し、厚さ方向に貫通する導体部を有する半導体素子を得る。
次に、支持基材５１をエキスパンド装置で伸ばして、個片化した樹脂層１２’を有する半導体素子同士を一定の間隔に開き、その後にピックアップして、半導体素子が搭載された基板の、該半導体素子の上に搭載する。そして、樹脂層１２’部を加熱、硬化させて接着層として、半導体素子が２つ積層された半導体装置を得る。
本発明では、上述のようなフラックス活性を有する樹脂層１２’を用いているので、半導体素子同士の半田接続に際して、フラックス処理が不要となるものである。また、耐リフロー性にも優れているものである。
本発明では、上述のようなフラックス活性を有する樹脂層１２’を用いているので、半導体素子同士の半田接続に際して、フラックス処理が不要となるものである。また、耐リフロー性にも優れているものである。
なお、上述の実施形態では、半導体素子が２つ積層されているものについて説明したが、３つ、４つと複数個積層されているものでも構わない。
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１）
１．樹脂層の製造
架橋反応可能な樹脂としてエポキシ樹脂（ＮＣ６０００（エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）４７．００重量％、フィルム形成性樹脂としてアクリル酸エステル共重合体（アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−アクリル酸−アクリル酸ヒドロキシエチル共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−７０８−６、重量平均分子量：５００，０００）１９．５１重量％とアクリル樹脂（アクリル酸−スチレン共重合体、重量平均分子量：５，５００、ＵＣ−３９００、東亜合成（株）製）９．７５重量％、硬化剤として固形フェノール樹脂（ＰＲ−５３６４７、水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト（株）製）１０．２６重量％、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２Ｐ４ＭＨＺ、四国化成工業（株）製）０．０８重量％、フラックス化合物としてフェノールフタリン１２．８８重量％、カップリング剤としてプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ３０３、信越化学工業（株）製）０．５２重量％をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解して樹脂固形分４０％の樹脂ワニスを得た。
コンマコーターを用いて上述の樹脂ワニスを、離型フィルムであるポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ３８μｍ）に塗布した後、９０℃、５分間乾燥して、厚さ３５μｍの樹脂層を得た。
１．樹脂層の製造
架橋反応可能な樹脂としてエポキシ樹脂（ＮＣ６０００（エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）４７．００重量％、フィルム形成性樹脂としてアクリル酸エステル共重合体（アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−アクリル酸−アクリル酸ヒドロキシエチル共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−７０８−６、重量平均分子量：５００，０００）１９．５１重量％とアクリル樹脂（アクリル酸−スチレン共重合体、重量平均分子量：５，５００、ＵＣ−３９００、東亜合成（株）製）９．７５重量％、硬化剤として固形フェノール樹脂（ＰＲ−５３６４７、水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト（株）製）１０．２６重量％、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２Ｐ４ＭＨＺ、四国化成工業（株）製）０．０８重量％、フラックス化合物としてフェノールフタリン１２．８８重量％、カップリング剤としてプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ３０３、信越化学工業（株）製）０．５２重量％をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解して樹脂固形分４０％の樹脂ワニスを得た。
コンマコーターを用いて上述の樹脂ワニスを、離型フィルムであるポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ３８μｍ）に塗布した後、９０℃、５分間乾燥して、厚さ３５μｍの樹脂層を得た。
２．ダイシングシート層の製造
クリアテックＣＴ−Ｈ７１７（クラレ製）を、押し出し機で、厚み１００μｍのフィルムを形成し、表面をコロナ処理して、基材フィルムを得た。
次に、アクリル酸２−エチルヘキシル５０重量部、アクリル酸ブチル１０重量部、酢酸ビニル３７重量部、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル３重量部とを共重合して得られた重量平均分子量５００，０００の共重合体を剥離処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルム（粘着層のカバーフィルムに相当）に乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗工し、８０℃で５分間乾燥し、粘着剤層を得た。その後、この粘着剤層を上述した基材フィルムのコロナ処理面にラミネートして基材フィルムおよび粘着剤層を得た（ダイシングシート層）。
クリアテックＣＴ−Ｈ７１７（クラレ製）を、押し出し機で、厚み１００μｍのフィルムを形成し、表面をコロナ処理して、基材フィルムを得た。
次に、アクリル酸２−エチルヘキシル５０重量部、アクリル酸ブチル１０重量部、酢酸ビニル３７重量部、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル３重量部とを共重合して得られた重量平均分子量５００，０００の共重合体を剥離処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルム（粘着層のカバーフィルムに相当）に乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗工し、８０℃で５分間乾燥し、粘着剤層を得た。その後、この粘着剤層を上述した基材フィルムのコロナ処理面にラミネートして基材フィルムおよび粘着剤層を得た（ダイシングシート層）。
（３）積層体の製造
離型フィルム付きの樹脂層の樹脂層のみ（ウエハと接合される部分のみ残す）をハーフカットし、ダイシングシート層からカバーフィルムを剥離して、樹脂層とが接合するように貼り付け、ラミネートした。これにより、基材フィルム、粘着剤層、樹脂層、カバーフィルムとがこの順に構成されてなる積層体を得た。
離型フィルム付きの樹脂層の樹脂層のみ（ウエハと接合される部分のみ残す）をハーフカットし、ダイシングシート層からカバーフィルムを剥離して、樹脂層とが接合するように貼り付け、ラミネートした。これにより、基材フィルム、粘着剤層、樹脂層、カバーフィルムとがこの順に構成されてなる積層体を得た。
（４）第２半導体素子の製造
この積層体のカバーフィルムを剥離して、樹脂層面を半導体ウエハ（８インチ、１００μｍ）の裏面に、温度１１０℃、圧力０．３ＭＰａで貼り付けし、樹脂層を有する半導体ウエハを得た。次に、この半導体ウエハを、ダイシングソーを用いて、スピンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／ｓｅｃで７ｍｍ×７ｍｍ角の半導体素子（電極数４８０、ポスト径３０μｍ,高さ２０μｍ、ピッチ５０μｍ、錫銀半田高さ１０μｍ）のサイズにダイシング（切断）した。そして、樹脂層の裏面から突上げし、ダイシングシートの粘着層および樹脂層間で剥離し、樹脂層が接着した第２半導体素子を得た。
この積層体のカバーフィルムを剥離して、樹脂層面を半導体ウエハ（８インチ、１００μｍ）の裏面に、温度１１０℃、圧力０．３ＭＰａで貼り付けし、樹脂層を有する半導体ウエハを得た。次に、この半導体ウエハを、ダイシングソーを用いて、スピンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／ｓｅｃで７ｍｍ×７ｍｍ角の半導体素子（電極数４８０、ポスト径３０μｍ,高さ２０μｍ、ピッチ５０μｍ、錫銀半田高さ１０μｍ）のサイズにダイシング（切断）した。そして、樹脂層の裏面から突上げし、ダイシングシートの粘着層および樹脂層間で剥離し、樹脂層が接着した第２半導体素子を得た。
３．半導体装置の製造
予め、第１半導体素子（サイズ７ｍｍ×７ｍｍ、厚さ１００μｍ、電極数４８０、ポスト径３０μｍ,高さ２０μｍ、ピッチ５０μｍ、錫銀半田高さ１０μｍ）がソルダーレジスト（太陽インキ製造社製：ＰＳＲ４０００ ＡＵＳ３０８）をコーティングしたＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂基板（０．８ｍｍｔ）に、接合されているものに、上述の樹脂層を有する第２半導体素子を、樹脂層と、第１半導体素子とが隣接するようにフリップチップボンダーを用いて位置合わせを行った後に、２５０℃１０ｓｅｃ圧着させて搭載した。そして、１８０℃×６０分間加熱することにより樹脂層を硬化して接着層とし、半導体素子が２つ積層された半導体装置を得た。
予め、第１半導体素子（サイズ７ｍｍ×７ｍｍ、厚さ１００μｍ、電極数４８０、ポスト径３０μｍ,高さ２０μｍ、ピッチ５０μｍ、錫銀半田高さ１０μｍ）がソルダーレジスト（太陽インキ製造社製：ＰＳＲ４０００ ＡＵＳ３０８）をコーティングしたＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂基板（０．８ｍｍｔ）に、接合されているものに、上述の樹脂層を有する第２半導体素子を、樹脂層と、第１半導体素子とが隣接するようにフリップチップボンダーを用いて位置合わせを行った後に、２５０℃１０ｓｅｃ圧着させて搭載した。そして、１８０℃×６０分間加熱することにより樹脂層を硬化して接着層とし、半導体素子が２つ積層された半導体装置を得た。
（実施例２）
樹脂層として、以下のものを用いた以外は実施例１と同様にした。
フィルム形成性樹脂を、アクリル樹脂（アクリル酸−スチレン共重合体、重量平均分子量：５，５００、ＵＣ−３９００、東亜合成（株）製）を用いずに、アクリル酸エステル共重合体（アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−アクリル酸−アクリル酸ヒドロキシエチル共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−７０８−６、重量平均分子量：５００，０００）２９．２６重量％とした。
樹脂層として、以下のものを用いた以外は実施例１と同様にした。
フィルム形成性樹脂を、アクリル樹脂（アクリル酸−スチレン共重合体、重量平均分子量：５，５００、ＵＣ−３９００、東亜合成（株）製）を用いずに、アクリル酸エステル共重合体（アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−アクリル酸−アクリル酸ヒドロキシエチル共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−７０８−６、重量平均分子量：５００，０００）２９．２６重量％とした。
（実施例３）
樹脂層として、以下のものを用いた以外は実施例１と同様にした。
架橋反応可能な樹脂を、エポキシ樹脂（ＮＣ６０００（エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）３７．６０重量％、フィルム形成性樹脂としてアクリル酸エステル共重合体（アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−アクリル酸−アクリル酸ヒドロキシエチル共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−７０８−６、重量平均分子量：５００，０００）１５．６０重量％とアクリル樹脂（アクリル酸−スチレン共重合体、重量平均分子量：５，５００、ＵＣ−３９００、東亜合成（株）製）７．８０重量％、硬化剤として固形フェノール樹脂（ＰＲ−５３６４７、水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト（株）製）８．２１重量％、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２Ｐ４ＭＨＺ、四国化成工業（株）製）０．０７重量％、フラックス化合物としてフェノールフタリン１０．３重量％、カップリング剤としてプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ３０３、信越化学工業（株）製）０．４２重量％をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解し、さらにシリカ（クオートロンＳＰ−０３Ｂ 扶桑化学工業（株）、平均粒径０．０２ｕｍシリカ）を加え分散した。
樹脂層として、以下のものを用いた以外は実施例１と同様にした。
架橋反応可能な樹脂を、エポキシ樹脂（ＮＣ６０００（エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）３７．６０重量％、フィルム形成性樹脂としてアクリル酸エステル共重合体（アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−アクリル酸−アクリル酸ヒドロキシエチル共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−７０８−６、重量平均分子量：５００，０００）１５．６０重量％とアクリル樹脂（アクリル酸−スチレン共重合体、重量平均分子量：５，５００、ＵＣ−３９００、東亜合成（株）製）７．８０重量％、硬化剤として固形フェノール樹脂（ＰＲ−５３６４７、水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト（株）製）８．２１重量％、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２Ｐ４ＭＨＺ、四国化成工業（株）製）０．０７重量％、フラックス化合物としてフェノールフタリン１０．３重量％、カップリング剤としてプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ３０３、信越化学工業（株）製）０．４２重量％をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解し、さらにシリカ（クオートロンＳＰ−０３Ｂ 扶桑化学工業（株）、平均粒径０．０２ｕｍシリカ）を加え分散した。
（実施例４）
樹脂層として、以下のものを用いた以外は実施例１と同様にした。
架橋反応可能な樹脂を、エポキシ樹脂（エポキシ当量１８０ｇ／ｅｑ、エピクロン８４０Ｓ、大日本インキ化学工業（株））６２．５重量％、フィルム形成性樹脂としてフェノキシ樹脂（ＹＬ−６９５４、ジャパンエポキシレジン（株）製）２５．００重量％、硬化剤として固形フェノール樹脂（ＰＲ−５３６４７、水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト（株）製）３１．３０重量％、硬化促進剤としてリン系化合物（テトラフェニルフォスフィン/フェニルトリメトキシシラン/２，３−ジヒドロキシナフタレンの分子化合物）０．５０重量％、フラックス化合物としてセバシン酸５．７０重量％をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解し、固形分４０％の樹脂ワニスを得た。
樹脂層として、以下のものを用いた以外は実施例１と同様にした。
架橋反応可能な樹脂を、エポキシ樹脂（エポキシ当量１８０ｇ／ｅｑ、エピクロン８４０Ｓ、大日本インキ化学工業（株））６２．５重量％、フィルム形成性樹脂としてフェノキシ樹脂（ＹＬ−６９５４、ジャパンエポキシレジン（株）製）２５．００重量％、硬化剤として固形フェノール樹脂（ＰＲ−５３６４７、水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト（株）製）３１．３０重量％、硬化促進剤としてリン系化合物（テトラフェニルフォスフィン/フェニルトリメトキシシラン/２，３−ジヒドロキシナフタレンの分子化合物）０．５０重量％、フラックス化合物としてセバシン酸５．７０重量％をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解し、固形分４０％の樹脂ワニスを得た。
（比較例１）
半導体ウエハを、ダイシングソーを用いて、スピンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／ｓｅｃで７ｍｍ×７ｍｍ角の半導体素子のサイズにダイシング（切断）し、第１半導体素子を得た。次に、この半導体素子の裏面（機能素子面の反対面）にフラックスを塗布し、ソルダーレジスト（太陽インキ製造社製：ＰＳＲ４０００ ＡＵＳ３０８）をコーティングしたＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂基板（０．８ｍｍｔ）に、フリップチップボンダーを用いて位置合わせを行った後に、２５０℃、１０ｓｅｃ圧着させてフリップチップパッケージを得た。次に、余分なフラックスを、フラックス洗浄液を用いて洗浄した。その後、半導体素子と基板の間に液状封止樹脂（住友ベークライト社製、品番ＣＲＰ−４１５２Ｄ１）を流し込み、１５０℃、２時間で硬化を行い、半導体装置を得た。次に、別の半導体ウエハを、ダイシングソーを用いて、スピンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／ｓｅｃで５ｍｍ×５ｍｍ角の半導体素子（電極数４８０、ポスト径３０μｍ,高さ２０μｍ、ピッチ５０μｍ、錫銀半田高さ１０μｍ）のサイズにダイシング（切断）して、第２半導体素子を得た。この第２半導体素子の裏面（機能素子面の反対面）にフラックスを塗布し、第１半導体素子に、フリップチップボンダーを用いて位置合わせを行った後に、２５０℃、１０ｓｅｃ圧着させてフリップチップパッケージを得た。次に余分なフラックスを、フラックス洗浄液を用いて洗浄した。その後、第１半導体素子と第２半導体素子との間に液状封止樹脂（住友ベークライト社製社製、品番ＣＲＰ−４１２０Ｂ２）を流し込み、１５０℃、２時間で硬化を行い、半導体装置を得た。
半導体ウエハを、ダイシングソーを用いて、スピンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／ｓｅｃで７ｍｍ×７ｍｍ角の半導体素子のサイズにダイシング（切断）し、第１半導体素子を得た。次に、この半導体素子の裏面（機能素子面の反対面）にフラックスを塗布し、ソルダーレジスト（太陽インキ製造社製：ＰＳＲ４０００ ＡＵＳ３０８）をコーティングしたＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂基板（０．８ｍｍｔ）に、フリップチップボンダーを用いて位置合わせを行った後に、２５０℃、１０ｓｅｃ圧着させてフリップチップパッケージを得た。次に、余分なフラックスを、フラックス洗浄液を用いて洗浄した。その後、半導体素子と基板の間に液状封止樹脂（住友ベークライト社製、品番ＣＲＰ−４１５２Ｄ１）を流し込み、１５０℃、２時間で硬化を行い、半導体装置を得た。次に、別の半導体ウエハを、ダイシングソーを用いて、スピンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／ｓｅｃで５ｍｍ×５ｍｍ角の半導体素子（電極数４８０、ポスト径３０μｍ,高さ２０μｍ、ピッチ５０μｍ、錫銀半田高さ１０μｍ）のサイズにダイシング（切断）して、第２半導体素子を得た。この第２半導体素子の裏面（機能素子面の反対面）にフラックスを塗布し、第１半導体素子に、フリップチップボンダーを用いて位置合わせを行った後に、２５０℃、１０ｓｅｃ圧着させてフリップチップパッケージを得た。次に余分なフラックスを、フラックス洗浄液を用いて洗浄した。その後、第１半導体素子と第２半導体素子との間に液状封止樹脂（住友ベークライト社製社製、品番ＣＲＰ−４１２０Ｂ２）を流し込み、１５０℃、２時間で硬化を行い、半導体装置を得た。
各実施例および比較例で得られた半導体装置について、以下の評価を行った。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を表１に示す。
１．接続信頼性
接続信頼性は、得られた半導体装置をヒートサイクル試験後に導通がとれるかどうかで評価した。
具体的には、半導体素子、基板間の接続抵抗を、デジタルマルデジタルマルチメータにより測定した。測定は半導体装置を作製後と、−６５℃で１時間および１５０℃で１時間の温度サイクル１，０００サイクル後の両方を測定した。各符号は、以下の通りである。
◎：２０／２０個の半導体装置で導通が取れた。
○：１８〜１９／２０個の半導体装置で導通が取れた。
△：１６〜１７／２０の半導体装置で導通が取れた。
×：１６以下／２０の半導体装置で導通が取れた。
接続信頼性は、得られた半導体装置をヒートサイクル試験後に導通がとれるかどうかで評価した。
具体的には、半導体素子、基板間の接続抵抗を、デジタルマルデジタルマルチメータにより測定した。測定は半導体装置を作製後と、−６５℃で１時間および１５０℃で１時間の温度サイクル１，０００サイクル後の両方を測定した。各符号は、以下の通りである。
◎：２０／２０個の半導体装置で導通が取れた。
○：１８〜１９／２０個の半導体装置で導通が取れた。
△：１６〜１７／２０の半導体装置で導通が取れた。
×：１６以下／２０の半導体装置で導通が取れた。
２．耐リフロー性
耐リフロー性は、得られた半導体装置を８５℃／８５％ＲＨ／１６８時間吸湿処理をした後、２６０℃のＩＲリフローを３回行い走査型超音波探傷機（ＳＡＴ）で評価した。
各符号は、以下の通りである。
◎：クラックが、全く無かった。
○：クラック発生数が、２個以下であった。
△：クラック発生数が、３個以上、５個以下であった。
×：クラック発生数が、６個以上であった。
耐リフロー性は、得られた半導体装置を８５℃／８５％ＲＨ／１６８時間吸湿処理をした後、２６０℃のＩＲリフローを３回行い走査型超音波探傷機（ＳＡＴ）で評価した。
各符号は、以下の通りである。
◎：クラックが、全く無かった。
○：クラック発生数が、２個以下であった。
△：クラック発生数が、３個以上、５個以下であった。
×：クラック発生数が、６個以上であった。
３．生産性
比較例１の生産工数を基準（１００）として、他の実施例および比較例の生産性を比較した。各符号は、以下の通りである。なお、表中の−は、評価できなかったことを示す。
◎：比較例３の生産工数を基準（１００）として、生産工数が４０以上、６０未満であった。
○：比較例３の生産工数を基準（１００）として、生産工数が６０以上、８０未満であった。
△：比較例３の生産工数を基準（１００）として、生産工数が８０以上、１００未満であった。
×：比較例３の生産工数を基準（１００）として、生産工数が１００以上であった。
比較例１の生産工数を基準（１００）として、他の実施例および比較例の生産性を比較した。各符号は、以下の通りである。なお、表中の−は、評価できなかったことを示す。
◎：比較例３の生産工数を基準（１００）として、生産工数が４０以上、６０未満であった。
○：比較例３の生産工数を基準（１００）として、生産工数が６０以上、８０未満であった。
△：比較例３の生産工数を基準（１００）として、生産工数が８０以上、１００未満であった。
×：比較例３の生産工数を基準（１００）として、生産工数が１００以上であった。
表１から明らかなように、実施例１〜４は、接続信頼性に優れており、貫通電極を有する半導体素子と、他の半導体素子とを好適に接合できることが示唆された。
また、実施例１〜４は、生産性にも優れていることが示された。
また、比較例１のような半導体素子と基板の間に液状封止樹脂を流し込む方法では、上述したような狭ピッチ間に流し込むことが困難であり、充填性が不十分となり、信頼性が低下すること示された。
また、実施例１〜４は、生産性にも優れていることが示された。
また、比較例１のような半導体素子と基板の間に液状封止樹脂を流し込む方法では、上述したような狭ピッチ間に流し込むことが困難であり、充填性が不十分となり、信頼性が低下すること示された。
１ 第１半導体素子
１０ 基板
１１ 半田バンプ
１２ 第２接着層
１２’ 樹脂層
１３ 導体部
１４ 機能面
２ 第２半導体素子
２１ 半田バンプ
２２ 第１接着層
２３ 導体部
２４ 機能面
５ 支持基材
５１ 支持基材
６ 粘着層
７ 積層体
８ 半導体ウエハ
８１ 導体部
１００ 半導体装置
１０ 基板
１１ 半田バンプ
１２ 第２接着層
１２’ 樹脂層
１３ 導体部
１４ 機能面
２ 第２半導体素子
２１ 半田バンプ
２２ 第１接着層
２３ 導体部
２４ 機能面
５ 支持基材
５１ 支持基材
６ 粘着層
７ 積層体
８ 半導体ウエハ
８１ 導体部
１００ 半導体装置
Claims (7)
- 基板と、前記基板の少なくとも一方の面側に設けられた第１半導体素子と、厚さ方向に貫通する導体部を有する第２半導体素子と、を有する半導体装置であって、
前記第１半導体素子と前記第２半導体素子とが、突起電極を介して電気的に接続されており、
前記第１半導体素子と、前記第２半導体素子との間には、架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物の硬化物で構成される第１接着層が配置されてなることを特徴とする半導体装置。 - 前記基板と前記第１半導体素子とが、突起電極を介して電気的に接続されており、かつ前記基板と前記第１半導体素子との間には、架橋反応可能な樹脂と、フラックス活性を有する化合物とを含む樹脂組成物の硬化物で構成される第２接着層が配置されているものである請求項１に記載の半導体装置。
- 前記樹脂組成物は、さらにフィルム形成樹脂を含むものである請求項１または２に記載の半導体装置。
- 前記フラックス活性を有する化合物は、カルボキシル基およびフェノール性水酸基の少なくとも一方を有する化合物である請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記フラックス活性を有する化合物は、前記架橋反応可能な樹脂の硬化剤として作用することができるものである請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
- 厚さ方向に貫通する複数の導体部を有する半導体ウエハの一方の面に、架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物で構成される層およびダイシングシート層を配置する工程と、
前記半導体用ウエハを個片化して、厚さ方向に貫通する導体部を有する第２半導体素子を得る工程と、
前記第２半導体素子を架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物で構成される層を有した状態で、ダイシングシート層からピックアップする工程と、
前記ピックアップした第２半導体素子を、基板の一方の面側に搭載された第１半導体素子の他方の面側に搭載する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第１半導体素子と、前記基板とが、架橋反応可能な樹脂およびフラックス活性を有する化合物を含む樹脂組成物の硬化物で構成される第２接着層で、あらかじめ接合されているものである請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
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