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JP2010004026A5 - - Google Patents

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Claims (14)

  1. 電変換素子電流に応じ第1のダイオード素子の一方の端子第1の電圧を出力する光電変換回路と、
    抗素子電流に応じ第2のダイオード素子の一方の端子第2の電圧を出力する基準電圧生成回路と、
    前記第1の電圧に応じた第1の信号と前記第2の電圧に応じた第2の信号との差分に応じた第3の信号を出力する演算回路と、
    前記第3の号に応じた第3の電流を出力する出力回路と、を有することを特徴とする光電変換装置。
  2. 電変換素子電流に応じ第1のダイオード素子の一方の端子第1の電圧を出力する光電変換回路と、
    抗素子電流に応じ第2のダイオード素子の一方の端子第2の電圧を出力する基準電圧生成回路と、
    前記第1の電圧に応じた第1の信号が反転入力端子に入力され、前記第2の電圧に応じた第2の信号が非反転入力端子に入力され、第3の信号を出力するオペアンプを有する演算回路と、
    前記第3の号に応じた第3の電流を出力する出力回路と、を有することを特徴とする光電変換装置。
  3. 電変換素子電流に応じ第1のダイオード素子の一方の端子第1の電圧を出力する光電変換回路と、
    抗素子電流に応じ第2のダイオード素子の一方の端子第2の電圧を出力する基準電圧生成回路と、
    前記第1の電圧に応じた第1の信号が反転入力端子に入力され、前記第2の電圧に応じた第2の信号が非反転入力端子に入力され、第3の信号を出力するオペアンプを有する演算回路と、
    出力回路と、を有し、
    前記出力回路は、
    カレントミラー回路
    ゲートに前記第3の信号が入力され、第1端子が前記カレントミラー回路に電気的に接続され、第2端子が前記オペアンプの前記反転入力端子に電気的に接続されたnチャネル型トランジスタと、
    ゲートに前記第3の信号が入力され、第1端子が前記オペアンプの前記反転入力端子に電気的に接続され、第2端子が前記低電源電位を供給する配線に電気的に接続されたpチャネル型トランジスタと、を有することを特徴とする光電変換装置。
  4. 電変換素子電流に応じ第1のダイオード素子の一方の端子第1の電圧を出力する光電変換回路と、
    抗素子電流に応じ第2のダイオード素子の一方の端子第2の電圧を出力する基準電圧生成回路と、
    前記第1の電圧を増幅する第1の増幅回路と、
    前記第2の電圧を増幅する第2の増幅回路と、
    第1の信号が反転入力端子に入力され、第2の信号が非反転入力端子に入力され、第3の信号を出力するオペアンプを有する演算回路と、
    出力回路と、を有し、
    前記第1の信号は、前記第1の電圧が前記第1の増幅回路により増幅された電圧に応じた信号であり、
    前記第2の信号は、前記第2の電圧が前記第2の増幅回路により増幅された電圧に応じた信号であり、
    前記出力回路は、
    カレントミラー回路と、
    ゲートに前記第3の信号が入力され、第1端子が前記カレントミラー回路に電気的に接続され、第2端子が前記オペアンプの前記反転入力端子に電気的に接続されたnチャネル型トランジスタと、
    ゲートに前記第3の信号が入力され、第1端子が前記オペアンプの前記反転入力端子に電気的に接続され、第2端子が前記低電源電位を供給する配線に電気的に接続されたpチャネル型トランジスタと、を有することを特徴とする光電変換装置。
  5. 請求項4において、
    前記第1の増幅回路及び前記第2の増幅回路は、ソースフォロワ回路で構成されることを特徴とする光電変換装置。
  6. 請求項1乃至請求項のいずれか一において、
    前記第1のダイオード素子の他方の端子及び前記第2のダイオード素子の他方の端子は、高電源電位を供給する配線に電気的に接続されていることを特徴とする光電変換装置。
  7. 請求項1乃至請求項のいずれか一において、
    前記抵抗素子は、前記光電変換素子が検出できる照度以上の光が照射される際の電流を流す抵抗値を有するものであることを特徴とする光電変換装置。
  8. 光電変換回路と、基準電圧生成回路と、演算回路と、出力回路と、を有し、
    前記光電変換回路は、
    第1の端子が第1の配線と電気的に接続された光電変換素子と、
    第1の端子が前記第1の配線と電気的に接続された第1のダイオード素子と、
    第1の端子が第2の配線と電気的に接続され、第2の端子が前記光電変換素子の第2の端子と電気的に接続され、ゲートが前記光電変換素子の第2の端子と電気的に接続された第1のトランジスタと、
    第1の端子が前記第2の配線と電気的に接続され、第2の端子が前記第1のダイオード素子の第2の端子と電気的に接続され、ゲートが前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続された第2のトランジスタと、を有し、
    前記基準電圧生成回路は、
    第1の端子が前記第1の配線と電気的に接続された第1の抵抗素子と、
    第1の端子が前記第1の配線と電気的に接続された第2のダイオード素子と、
    第1の端子が前記第2の配線と電気的に接続され、第2の端子が前記第1の抵抗素子の第2の端子と電気的に接続され、ゲートが前記第1の抵抗素子の第2の端子と電気的に接続された第3のトランジスタと、
    第1の端子が前記第2の配線と電気的に接続され、第2の端子が前記第2のダイオード素子の第2の端子と電気的に接続され、ゲートが前記第3のトランジスタのゲートと電気的に接続された第4のトランジスタと、を有し、
    前記演算回路は、前記第1のダイオード素子の第2の端子の電圧に応じた第1の信号と前記第2のダイオード素子の第2の端子の電圧に応じた第2の信号との差分に応じた第3の信号を出力する機能を有し、
    前記出力回路は、前記第3の信号に応じた電流を出力する機能を有することを特徴とする光電変換装置。
  9. 光電変換回路と、基準電圧生成回路と、演算回路と、出力回路と、を有し、
    前記光電変換回路は、
    第1の端子が第1の配線と電気的に接続された光電変換素子と、
    第1の端子が前記第1の配線と電気的に接続された第1のダイオード素子と、
    第1の端子が第2の配線と電気的に接続され、第2の端子が前記光電変換素子の第2の端子と電気的に接続され、ゲートが前記光電変換素子の第2の端子と電気的に接続された第1のトランジスタと、
    第1の端子が前記第2の配線と電気的に接続され、第2の端子が前記第1のダイオード素子の第2の端子と電気的に接続され、ゲートが前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続された第2のトランジスタと、を有し、
    前記基準電圧生成回路は、
    第1の端子が前記第1の配線と電気的に接続された第1の抵抗素子と、
    第1の端子が前記第1の配線と電気的に接続された第2のダイオード素子と、
    第1の端子が前記第2の配線と電気的に接続され、第2の端子が前記第1の抵抗素子の第2の端子と電気的に接続され、ゲートが前記第1の抵抗素子の第2の端子と電気的に接続された第3のトランジスタと、
    第1の端子が前記第2の配線と電気的に接続され、第2の端子が前記第2のダイオード素子の第2の端子と電気的に接続され、ゲートが前記第3のトランジスタのゲートと電気的に接続された第4のトランジスタと、を有し、
    前記演算回路は、
    非反転入力端子が前記第2のダイオード素子の第2の端子と電気的に接続されたオペアンプと、
    第1の端子が前記第1のダイオード素子の第2の端子と電気的に接続され、第2の端子が前記オペアンプの反転入力端子と電気的に接続された第2の抵抗素子と、を有し、
    前記出力回路は、前記オペアンプの出力信号に応じた電流を出力する機能を有することを特徴とする光電変換装置。
  10. 光電変換回路と、基準電圧生成回路と、演算回路と、出力回路と、を有し、
    前記光電変換回路は、
    第1の端子が第1の配線と電気的に接続された光電変換素子と、
    第1の端子が前記第1の配線と電気的に接続された第1のダイオード素子と、
    第1の端子が第2の配線と電気的に接続され、第2の端子が前記光電変換素子の第2の端子と電気的に接続され、ゲートが前記光電変換素子の第2の端子と電気的に接続された第1のトランジスタと、
    第1の端子が前記第2の配線と電気的に接続され、第2の端子が前記第1のダイオード素子の第2の端子と電気的に接続され、ゲートが前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続された第2のトランジスタと、を有し、
    前記基準電圧生成回路は、
    第1の端子が前記第1の配線と電気的に接続された第1の抵抗素子と、
    第1の端子が前記第1の配線と電気的に接続された第2のダイオード素子と、
    第1の端子が前記第2の配線と電気的に接続され、第2の端子が前記第1の抵抗素子の第2の端子と電気的に接続され、ゲートが前記第1の抵抗素子の第2の端子と電気的に接続された第3のトランジスタと、
    第1の端子が前記第2の配線と電気的に接続され、第2の端子が前記第2のダイオード素子の第2の端子と電気的に接続され、ゲートが前記第3のトランジスタのゲートと電気的に接続された第4のトランジスタと、を有し、
    前記演算回路は、
    非反転入力端子が前記第2のダイオード素子の第2の端子と電気的に接続されたオペアンプと、
    第1の端子が前記第1のダイオード素子の第2の端子と電気的に接続され、第2の端子が前記オペアンプの反転入力端子と電気的に接続された第2の抵抗素子と、を有し、
    前記出力回路は、
    第1の端子が前記第2の配線と電気的に接続され、第2の端子が前記オペアンプの反転入力端子と電気的に接続され、ゲートが前記オペアンプの出力端子と電気的に接続された第5のトランジスタと、
    第1の端子が前記オペアンプの反転入力端子と電気的に接続され、ゲートが前記オペアンプの出力端子と電気的に接続された第6のトランジスタと、
    第1の端子が前記第1の配線と電気的に接続され、第2の端子が前記第6のトランジスタの第2の端子と電気的に接続され、ゲートが前記第6のトランジスタの第2の端子と電気的に接続された第7のトランジスタと、
    第1の端子が前記第1の配線と電気的に接続され、ゲートが前記第7のトランジスタのゲートと電気的に接続された第8のトランジスタと、
    第1の端子が前記第2の配線と電気的に接続され、第2の端子が前記第8のトランジスタの第2の端子と電気的に接続された第3の抵抗素子と、を有することを特徴とする光電変換装置。
  11. 請求項1乃至請求項10のいずれか一において、
    前記光電変換素子は、フォトダイオードであることを特徴とする光電変換装置。
  12. 請求項1乃至請求項11のいずれか一において、
    前記第1のダイオード素子及び前記第2のダイオード素子はPIN型のダイオード素子であることを特徴とする光電変換装置。
  13. 請求項1乃至請求項12のいずれか一において、
    第1のダイオード素子及び第2のダイオード素子は隣接して設けられることを特徴とする光電変換装置。
  14. 請求項1乃至請求項1のいずれか一に記載の光電変換装置を具備することを特徴とする電子機器。
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