JP2010080971A - Resin sealed semiconductor device and production method thereof - Google Patents
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Abstract
【課題】小型化、薄型化を廉価に達成でき、量産性に適した樹脂封止型半導体装置およびその製造方法の提供する。
【解決手段】リード部１１４をハーフエッチングにて薄肉にしている複数の端子部材１１０と、半導体素子１２０とをボンディングワイヤ１３０で接続し、外部端子部１１２の表裏の面および内部端子部１１１の端子面を、それぞれ、一平面上に揃うようにし、半導体素子１２０をリード部１１４のハーフエッチング面側に配したＬＯＣ構造としたもので、各端子部材１１０のハーフエッチング面側の外部端子部１１２の厚肉部の一面と外側側面とを端子面１１２ａ，１１２ｂとして、封止用樹脂１４０から露出させた。
【選択図】図２Disclosed is a resin-encapsulated semiconductor device that can be reduced in size and thickness at low cost and suitable for mass production, and a method for manufacturing the same.
A plurality of terminal members 110 whose lead portions 114 are thinned by half-etching and a semiconductor element 120 are connected by bonding wires 130, and front and back surfaces of an external terminal portion 112 and terminals of an internal terminal portion 111 are connected. Each of the surfaces of the terminal members 110 has a LOC structure in which the semiconductor element 120 is arranged on the half-etched surface side of the lead portion 114, and the external terminal portions 112 on the half-etched surface side of each terminal member 110 are aligned. One surface and the outer side surface of the thick portion were exposed from the sealing resin 140 as terminal surfaces 112a and 112b.
[Selection] Figure 2
Description
本発明は、エッチング形成した端子部材を用いた、小型、薄型の樹脂封止型半導体装置と、その製造方法に関する。 The present invention relates to a small and thin resin-encapsulated semiconductor device using a terminal member formed by etching, and a method for manufacturing the same.
近年、電子機器の小型化に対応するために、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装することが要求され、それにともなって、半導体部品の小型化、薄型化が進んでおり、更なる薄型化を廉価に達成できるパッケージが求められている。
このような状況のもと、薄型化に対応するものとして、特開平１１−３０７６７５号公報に記載の接続用リードの上面及び下面を露出させた構造の樹脂封止型半導体装置や、特開平１１−２６０９８９号公報に記載の接続用リードの一部を露出して外部端子としている樹脂封止型半導体装置が提案されている。
特開平１１−３０７６７５号や 特開平１１−２６０９８９号公報に記載のものは、ダイパッドを備えた樹脂封止型半導体装置で、特にセンターパッド配列の半導体素子を用いた場合、薄型化は十分なものでない。
In recent years, in order to cope with the downsizing of electronic devices, it has been required to mount semiconductor components mounted on electronic devices with high density, and along with that, semiconductor components have become smaller and thinner. There is a need for a package that can achieve a low profile at a low cost.
Under such circumstances, a resin-encapsulated semiconductor device having a structure in which the upper surface and the lower surface of the connection lead described in JP-A-11-307675 are exposed, as disclosed in JP-A-11-307675. A resin-encapsulated semiconductor device has been proposed in which a part of the connection lead described in Japanese Patent No. 260989 is exposed and used as an external terminal.
The devices described in JP-A-11-307675 and JP-A-11-260989 are resin-encapsulated semiconductor devices provided with a die pad, and particularly when a semiconductor element having a center pad arrangement is used, the thinning is sufficient. Not.
特開平１１−３０７６７５号公報
特開平１１−２６０９８９号公報
JP-A-11-307675
Japanese Patent Laid-Open No. 11-260989
上記のように、近年、半導体部品の小型化、薄型化が進んでおり、更なる薄型化を廉価に達成できるパッケージが求められており、この対応が求められていた。
本発明はこれらに対応するもので、具体的には、半導体部品の更なる小型化、薄型化を廉価に達成でき、量産性に適した、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎｌｅａｄ）パッケージあるいはＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｎｏｎｌｅａｄ）パッケージ構造の半導体装置を提供しようとするものである。
同時に、このような樹脂封止型半導体装置の製造方法の提供しようとするものである。
As described above, in recent years, semiconductor components have been reduced in size and thickness, and a package capable of achieving further reduction in thickness at low cost has been demanded.
The present invention corresponds to these, and specifically, further reduction in size and thickness of semiconductor components can be achieved at low cost, and suitable for mass production, such as a QFN (Quad Flat Nonlead) package or a SON (Small Outline Nonlead). The present invention intends to provide a semiconductor device having a package structure.
At the same time, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing such a resin-encapsulated semiconductor device.
本発明の樹脂封止型半導体装置は、外部回路と接続するための外部端子部と、半導体素子と接続するための内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材を、複数個と、半導体素子１つとを用い、半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、各端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配しており、半導体素子をリード部のハーフエッチング面側に配し、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造としたもので、各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面と外側側面とを端子面として露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることを特徴とするものである。
そして、上記の樹脂封止型半導体装置であって、半導体素子がセンターパッド配列であることを特徴とするものである。
そして、上記いずれかの樹脂封止型半導体装置であって、樹脂封止されて、全体が板状方形であることを特徴とするものである。
The resin-encapsulated semiconductor device of the present invention integrally connects an external terminal portion for connecting to an external circuit and a lead portion including an internal terminal portion for connecting to a semiconductor element as a part thereof. In the terminal member, and using a half-etching method, at least a part of the external terminal portion is made thicker than the processing material from the processing material, and the lead portion is made thin by half-etching. A resin-encapsulated semiconductor device in which a plurality of terminal members and one semiconductor element are used, a predetermined terminal portion of the semiconductor element and an internal terminal portion of the predetermined terminal member are connected by wire bonding, and resin-sealed. Each terminal member is in the same direction, the front and back surfaces of the external terminal portion and the terminal surface of the internal terminal portion are aligned on a single plane, and the external terminal portion is located outside and the internal terminal on the peripheral portion. Each side facing inward, And arranged child member, arranged semiconductor element half-etched surface of the lead portion, LOC (Lead On Chip) obtained by the structure, the thick portion of the external terminal portions of the half-etched surface of each of the terminal members One surface and the outer side surface are exposed as terminal surfaces, and the other surface is resin-sealed with resin in the other.
Then, in the above-described resin sealing type semiconductor device, it is characterized in that the semiconductor element is a center pad arrangement.
Then, in any one of the aforementioned resin-sealed-type semiconductor device, then sealed with a resin, and is characterized in that the whole is a plate-like rectangular.
あるいはまた、本発明の樹脂封止型半導体装置は、外部回路と接続するための外部端子部と、半導体素子と接続するための内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材を、複数個と、半導体素子１つとを用い、半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、各端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配しており、半導体素子をリード部のハーフエッチング面側に配し、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造としたもので、各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面を端子面として、また各端子部材の外側側面を含む側面部を端子部として露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることを特徴とするものであり、半導体素子がセンターパッド配列であることを特徴とするものである。 Alternatively, the resin-encapsulated semiconductor device of the present invention integrally includes an external terminal portion for connection with an external circuit and a lead portion including an internal terminal portion for connection with a semiconductor element as a part thereof. Connected terminal members, and using a half-etching method, at least a part of the external terminal portion is made thicker than the processing material from the processing material, and the lead portion is thinned by half-etching. A resin-sealed type in which a plurality of terminal members and a single semiconductor element are used, a predetermined terminal portion of the semiconductor element and an internal terminal portion of the predetermined terminal member are connected by wire bonding, and resin-sealed A semiconductor device in which each terminal member is oriented in the same direction, the front and back surfaces of the external terminal portion and the terminal surface of the internal terminal portion are aligned on a single plane, and the external terminal portion is located outside the peripheral portion. , Internal terminal side inside Towards, are furnished with each of the terminal members, arranged semiconductor element half-etched surface of the lead portion, LOC (Lead On Chip) obtained by the structure, the external terminals of the half-etched surface of each of the terminal members It is characterized in that one side of the thick part of the part is exposed as a terminal surface, and the side part including the outer side surface of each terminal member is exposed as a terminal part, and the other part is resin-sealed in resin. There, it is characterized in that the semi-conductor element is a center pad arrangement.
また、上記いずれかの樹脂封止型半導体装置であって、外部端子部の外側側面部に切り欠け部を設けていることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの樹脂封止型半導体装置であって、端子部材は、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２％Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの樹脂封止型半導体装置であって、内部端子部の端子面および外部端子部の表裏の端子面に、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた１つの金属めっき層を、接続用のめっき層として設けていることを特徴とするものである。
Also, in any one of the above resin-encapsulated semiconductor devices , a cutout portion is provided on the outer side surface portion of the external terminal portion.
In any of the above resin-encapsulated semiconductor devices , the terminal member is made of Cu, a Cu-based alloy, or a 42% Ni—Fe-based alloy.
Also, in any one of the above resin-encapsulated semiconductor devices , a solder plating layer, a gold plating layer, a silver plating layer, a palladium plating layer, tin on the terminal surface of the internal terminal portion and the front and back terminal surfaces of the external terminal portion One metal plating layer selected from the plating layers is provided as a plating layer for connection.
第１の本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、順に、（ａ）１つの樹脂封止型半導体装置の各端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工にて、端子部材の外部端子部側を支持部で連結した状態で、面付けして形成し、面付け形成された加工シートを得る加工工程と、（ｂ）接続用の表面めっきを施すめっき処理工程と、（ｃ）加工シートを固定した状態で、面付け分だけ、半導体素子を所定の位置に位置決めして、各端子部材のリード部上に搭載する半導体素子搭載工程と、（ｄ）この状態で、各半導体素子について、その端子と端子部材の内部端子部の端子面とをワイヤボンディング接続するワイヤボンディング工程と、（ｅ）面付け形成された加工シートのハーフエッチング面側を覆うように平面状に、モールド用のテープを貼る、平面状に貼る、テープ貼り工程と、（ｆ）モールド用のテープ側は、テープに添わせ、反対側はキャビティを設けるように、表裏をモールド固定用の平板にて囲み、加工シート全体について、一括してモールドを行う、一括モールド工程と、（ｇ）表裏のモールド固定用の平板、テープを除去し、切断用のテープを貼り、該切断用のテープとは反対側からダイシングソーにて切断して、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る個片化工程と、を行うことを特徴とするものである。
A method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to a first aspect of the present invention is the method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to any one of
第２の本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、請求項４ないし５のいずれか１項に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、順に、（ａ１）１つの樹脂封止型半導体装置の各端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工にて、端子部材の外部端子部側を支持部で連結した状態で、面付けして形成し、面付け形成された加工シートを得る加工工程と、（ｂ１）接続用の表面めっきを施すめっき処理工程と、（ｃ１）加工シートを固定した状態で、面付け分だけ、半導体素子を所定の位置に位置決めして、各端子部材のリード部上に搭載する半導体素子搭載工程と、（ｄ１）この状態で、各半導体素子について、その端子と端子部材の内部端子部の端子面とをワイヤボンディング接続するワイヤボンディング工程と、（ｅ１）面付け形成された加工シートのハーフエッチング面側を覆うように平面状に、モールド用のテープを貼る、平面状に貼る、テープ貼り工程と、（ｆ１）モールド用のテープ側は、テープに添わせ、モールド固定用の平板にて固定し、反対側には、所定の面付け数をまかなう所定の型を設け、前記モールド固定用の平板と前記型間を樹脂で埋めるモールドを行う、モールド工程と、（ｇ１）モールド固定用の平板、テープを除去し、切断用のテープを貼り、該切断用のテープとは反対側からダイシングソーにて切断して、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る個片化工程と、を行うことを特徴とするものである。
A method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to a second aspect of the present invention is the method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to any one of
（作用）
本発明の樹脂封止型半導体装置は、このような構成にすることにより、半導体部品の更なる小型化、薄型化を廉価に達成でき、量産性に適したＱＦＮパッケージあるいはＳＯＮパッケージ構造の半導体装置の提供を可能にしている。
即ち、ハーフエッチング法にて作製され、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材と、半導体素子とを用い、具体的には、端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配しており、おり、半導体素子をリード部のハーフエッチング面側に配し、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造としたもので、各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面と外側側面とを端子面として露出させ、あるいは、各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面を端子面として、また各端子部材の外側側面を含む側面部を端子部として露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることにより、これを達成している。
また、ワイヤボンディング接続をとっていることにより、接続作業性を良いものとし、且つ、接続信頼性を良いものとしている。
また、後述する、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法により、面付け状態で作製でき、量産性の良い構造といえる。
特に、樹脂封止されて、全体が板状方形で、各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面と外側側面とを端子面として露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されている場合には、樹脂封止工程（モールド工程）において、特別な型を設ける必要はなく、一括モールドが簡単に行え、量産性、設備の面からも好ましい構造と言える。
また、特に、ＬＯＣ構造で、半導体素子をセンターパッド配列とすることにより、より一層の薄型化を達成できるものとしている。
尚、外部端子部の外側側面部に切り欠け部を設けていることにより、個片化の際の切断を容易なものとしている。
端子部材としては、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２％Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなるものが挙げられる。
また、内部端子部の端子面および外部端子部の表裏の端子面に、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた１つの金属めっき層を、接続用のめっき層としていることにより、ワイヤボンディング接続を信頼性良いものとしている。
(Function)
By adopting such a configuration, the resin-encapsulated semiconductor device of the present invention can achieve further miniaturization and thinning of semiconductor components at low cost, and is a semiconductor device having a QFN package or SON package structure suitable for mass production. It is possible to provide.
That is, it is manufactured by a half-etching method, and at least a part of the external terminal part is made thicker than the processing material, and the lead part including the internal terminal part as a part thereof is integrally connected. Using the terminal member and the semiconductor element, specifically, with the terminal member in the same direction, the front and back surfaces of the external terminal portion and the terminal surface of the internal terminal portion are aligned on one plane, respectively, Each terminal member is arranged with the external terminal portion facing outward and the internal terminal portion side facing inward, and the semiconductor element is disposed on the half-etched surface side of the lead portion. LOC (Lead On Chip) since the structure ash, the one surface and the outer side surface of the thick portion of the external terminal portions of the half-etched surface of the pin member is exposed as a terminal surface, or the external terminal portions of the half-etched surface of each of the terminal members One side of the thick part of the terminal surface To and by being resin-sealed side portion including an outer side surface is exposed as a terminal unit, and the addition to this in the resin of each of the terminal members have achieved this.
In addition, since wire bonding connection is employed, the connection workability is improved and the connection reliability is improved.
Further, it can be said that the structure can be manufactured in an imposition state by a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device of the present invention, which will be described later, and has a high mass productivity.
In particular, it is resin-sealed and is entirely plate-shaped square, and exposes one side and the outer side surface of the thick portion of the external terminal portion on the half-etched surface side of each terminal member as the terminal surface, and the others are in the resin. In the case of resin sealing, it is not necessary to provide a special mold in the resin sealing step (molding step), and batch molding can be easily performed, which can be said to be a preferable structure from the viewpoint of mass productivity and equipment.
In particular, with a LOC structure, it is possible to achieve a further reduction in thickness by arranging the semiconductor element as a center pad arrangement.
In addition, the cut | disconnection in the case of individualization is made easy by providing the notch part in the outer side surface part of an external terminal part.
Examples of the terminal member include those made of Cu, a Cu-based alloy, and a 42% Ni—Fe-based alloy.
In addition, one metal plating layer selected from a solder plating layer, a gold plating layer, a silver plating layer, a palladium plating layer, and a tin plating layer is connected to the terminal surface of the internal terminal portion and the front and back terminal surfaces of the external terminal portion. Therefore, the wire bonding connection is made reliable.
第１の本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、このような構成にすることにより、請求項１ないし３の発明の薄型の樹脂封止型半導体装置を、量産性良く製造できるものとしている。
また、第２の本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、このような構成にすることにより、請求項４ないし６の発明の薄型の樹脂封止型半導体装置を、量産性良く製造できるものとしている。
The manufacturing method of the resin-encapsulated semiconductor device according to the first aspect of the present invention can manufacture the thin resin-encapsulated semiconductor device according to any one of
Further, the manufacturing method of the resin-encapsulated semiconductor device according to the second aspect of the present invention makes it possible to manufacture the thin resin-encapsulated semiconductor device according to any one of
本発明は、上記のように、更なる薄型化を廉価に達成でき、且つ、量産性に適した構造の樹脂封止型半導体装置の提供を可能とした。
特に、センタパッド配列の半導体素子を用いたＱＦＮパッケージあるいはＳＯＮパッケージ構造の樹脂封止型半導体装置の薄型化を達成できるものとした。
同時に、このような薄型の樹脂封止型半導体装置の製造方法の提供を可能とした。
As described above, the present invention makes it possible to provide a resin-encapsulated semiconductor device having a structure that can achieve further thinning at low cost and is suitable for mass production.
In particular, a thin resin-sealed semiconductor device having a QFN package or SON package structure using a semiconductor element with a center pad arrangement can be achieved.
At the same time, it is possible to provide a method for manufacturing such a thin resin-encapsulated semiconductor device.
本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
図１（ａ）は本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第１例の断面図で、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ１側から透視してみた図で、図２（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例の断面図で、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ１側から透視してみた図で、図３（ａ）は本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第２例の断面図で、図３（ｂ）は図３（ａ）のＣ１側から透視してみた図で、図４（ａ）は本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第３例の断面図で、図４（ｂ）は図４（ａ）のＤ１側から透視してみた図で、図５（ａ）、図５（ｂ）、図５（ｃ）はそれぞれ、本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第１例、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例、本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第２例の変形例の断面図で、
図６（ａ）は本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第４例の断面図で、図６（ｂ）は図６（ａ）のＥ１側から透視してみた図で、図７（ａ）は本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第５例の断面図で、図７（ｂ）は図７（ａ）のＦ１側から透視してみた図で、図８（ａ）、図８（ｂ）はそれぞれ本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第４例、第５例の変形例の断面図で、図９は本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の製造方法の１例の製造工程の一部を示した工程断面図で、図１０は図９に続く工程を示した工程断面図で、図１１はダイシングソーによる切断状態を示した図である。
尚、図１（ａ）は図１（ｂ）のＡ１−Ａ２側から見た図で、図２（ａ）は図２（ｂ）のＢ１−Ｂ２側から見た図で、図３（ａ）は図３（ｂ）のＣ１−Ｃ２側から見た図で、図４（ａ）は図４（ｂ）のＤ１−Ｄ２側から見た図で、図６（ａ）は図６（ｂ）のＥ１−Ｅ２側から見た図で、図７（ａ）は図７（ｂ）のＦ１−Ｆ２側から見た図である。
また、図１０（ｉ）における両方向矢印は、ダイシングソーの昇降方向を示している。 図１〜図１１中、１１０は端子部材、１１１は内部端子部、１１２は外部端子部、１１２ａ、１１２ｂは端子面、１１３は連結部、１１４はリード部、１１４ａはハーフエッチング面、１１５は凹部（グルーブとも言う）、１１６は切り欠け部、１２０、１２０Ａは半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）、１２０ａは端子面、１２１は端子、１２５、１２５Ａは半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）、１２５ａは端子面、１２６は端子、１３０、１３５、１３５Ａはボンディングワイヤ、１４０は封止用樹脂、２１０は端子部材、２１１は内部端子部、２１２は外部端子部、２１２ａ、２１２ｂは端子面、、２１４はリード部、２１４ａはハーフエッチング面、２１５は凹部（グルーブとも言う）、２１６は切り欠け部、２２０は半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）、２２０ａは端子面、２２１は端子、２２５は半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）、２２５ａは端子面、２２６は端子、２３０、２３５はボンディングワイヤ、２４０は封止用樹脂、
３１０は加工用素材、３１０Ａは加工シート、３２０はレジスト、３２５は開口、３３０は端子部材、３３１は内部端子部、３３２は外部端子部、３３４は凹部、３３４Ａは切り欠け部、３３５は凹部（グルーブとも言う）、３３６は支持部（連結部とも言う）、３３７はリード部、３３７ａはハーフエッチング面、３４０は半導体素子、３４１は端子部、３５０はボンディングワイヤ、３６０は（モールド用の）テープ、３６５は（切断用の）テープ、３７１、３７２はモールド固定用の平板、３８０は封止用樹脂、４０１は単位の樹脂封止型半導体装置、４１０Ａは加工シート、４１５は枠部、４１６は治具孔、４１７は長孔部、４８５は切断ラインである。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
In the first example cross-sectional view of FIG. 1 (a) a resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention, a diagram viewed as projected from A1 side in FIG. 1 (b) FIGS. 1 (a), 2 ( FIG. 3A is a cross-sectional view of the first example of the embodiment of the resin-encapsulated semiconductor device of the present invention, and FIG. 2B is a perspective view seen from the B1 side of FIG. (a) is a cross-sectional view of a second example of the resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention, a diagram viewed as projected from C1 side in FIG. 3 (b) FIG. 3 (a), FIGS. 4 (a) It is a sectional view of a third example of the resin-sealed semiconductor device according to the present invention, a diagram viewed as projected from D1 side in FIG. 4 (b) FIG. 4 (a), the FIG. 5 (a), 5 (b), the first example of FIG. 5 (c) respectively, the resin-sealed semiconductor device according to the present invention, the first example of the embodiment of the resin encapsulated semiconductor device of the present invention, according to the present invention the second example of the resin-encapsulated semiconductor device In cross-sectional view of Katachirei,
In the fourth example cross-sectional view of FIG. 6 (a) a resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention, a diagram viewed as projected from E1 side of FIG. 6 (b) FIGS. 6 (a), 7 ( in the fifth example cross-sectional view of a) the resin encapsulated semiconductor device according to the present invention, a diagram viewed as projected from F1 side of FIG. 7 (b) FIGS. 7 (a), 8 (a) , fourth example of a resin-sealed semiconductor device according to FIG. 8 (b) present invention, respectively, a sectional view of a modification of the fifth example, the manufacturing method of FIG. 9 is resin-sealed semiconductor device according to the present invention FIG. 10 is a process cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of FIG. 9, FIG. 10 is a process cross-sectional view showing a process following FIG. 9, and FIG. 11 is a view showing a cutting state by a dicing saw.
1A is a view as seen from the A1-A2 side of FIG. 1B, FIG. 2A is a view as seen from the B1-B2 side of FIG. 2B, and FIG. ) Is a view from the C1-C2 side in FIG. 3B, FIG. 4A is a view from the D1-D2 side in FIG. 4B, and FIG. 6A is a view from FIG. ) In FIG. 7A is a view from the E1-E2 side, and FIG. 7A is a view from the F1-F2 side in FIG. 7B.
Moreover, the double-directional arrow in FIG. 10 (i) has shown the raising / lowering direction of the dicing saw. 1 to 11, 110 is a terminal member, 111 is an internal terminal portion, 112 is an external terminal portion, 112a and 112b are terminal surfaces, 113 is a connecting portion, 114 is a lead portion, 114a is a half-etched surface, and 115 is a concave portion. (Also referred to as a groove), 116 is a notch portion, 120 and 120A are semiconductor elements (also referred to as semiconductor chips or simply chips), 120a is a terminal surface, 121 is a terminal, and 125 and 125A are semiconductor elements (semiconductor chips or simply chips). 125a is a terminal surface, 126 is a terminal, 130, 135, and 135A are bonding wires, 140 is a sealing resin, 210 is a terminal member, 211 is an internal terminal portion, 212 is an external terminal portion, and 212a and 212b are terminals. Surface, 214 is a lead portion, 214a is a half-etched surface, 215 is a recess (also referred to as a groove), 2 6 is a notch, 220 is a semiconductor element (also referred to as a semiconductor chip or simply a chip), 220a is a terminal surface, 221 is a terminal, 225 is a semiconductor element (also referred to as a semiconductor chip or simply a chip), 225a is a terminal surface, and 226 is a terminal surface.
310 is a processing material, 310A is a processing sheet, 320 is a resist, 325 is an opening, 330 is a terminal member, 331 is an internal terminal portion, 332 is an external terminal portion, 334 is a recess portion, 334A is a notch portion, and 335 is a recess portion ( 336 is a lead portion, 337a is a half-etched surface, 340 is a semiconductor element, 341 is a terminal portion, 350 is a bonding wire, 360 is a tape (for molding) 365 is a tape (for cutting), 371 and 372 are flat plates for mold fixing, 380 is a sealing resin, 401 is a resin-sealed semiconductor device of a unit, 410A is a processed sheet, 415 is a frame portion, 416 is Jig holes, 417 are elongated holes, and 485 is a cutting line.
はじめに、本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第１例を図１に基づいて説明する。 第１例は、外部回路と接続するための外部端子部１１２と、半導体素子と接続するための内部端子部１１１をその一部として含むリード部１１４とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材（図示していない）から、外部端子部１１２の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部１１４をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材１１０を、複数個と、センターパッド配列の半導体素子１２０とを用い、半導体素子１２０の所定の端子部１２１と所定の端子部材の内部端子部１１１とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した平板状方形の樹脂封止型半導体装置である。
そして、各端子部材１１０を同じ向きにし、外部端子部１１２の表裏の面およびリード部１１４のエッチング面１１４ａが、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部１１２を外側、内部端子部１１１を内側に向けて、各端子部材１１０を配しており、内部端子部１１１の端子面をエッチング面１１４ａとして、且つ、リード部１１４のハーフエッチング面１１４ａでない側の面を半導体素子の端子面１２０ａに載せるＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造のもので、各端子部材１１０のハーフエッチング面１１４ａ側の外部端子部の厚肉部の一面と外側側面とを、それぞれ端子面１１２ａ，１１２ｂとして露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されている。
First, a first example of a resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention will be described with reference to FIG. The first example is a terminal member formed by integrally connecting an
Then, each
本例は、端子部材１１０の加工用素材（図示していない）の一面側が、露出するようにして樹脂封止していることにより、薄型化が達成できる。
また、半導体素子自体の厚さの薄化に対応しても、薄型化が達成できる。
本例では、加工用素材の厚さと半導体素子の総厚により、その厚さは決まる。
また、本例においては、ワイヤボンディング接続をとっていることにより、接続作業性を良いものとし、且つ、接続信頼性を良いものとしている。
また、本例は、後述する、（図９、図１０に示す）本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の製造方法により、面付け状態で作製できる、量産性に適した構造といえる。
また、本例は、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態でモールドが簡単に行える構造で、設備の面からも好ましい構造と言える。
In this example, since the one surface side of the processing material (not shown) of the
Further, even if the thickness of the semiconductor element itself is reduced, the thickness can be reduced.
In this example, the thickness is determined by the thickness of the processing material and the total thickness of the semiconductor elements.
Moreover, in this example, the wire bonding connection is used, so that the connection workability is good and the connection reliability is good.
Also, this example will be described later, (Figure 9, shown in FIG. 10) by the production method of the resin-sealed semiconductor device according to the present invention, can be prepared by the imposition state, it can be said that suitable for mass production structure.
In addition, this example does not require a special cavity in the resin sealing process (molding process), and it has a flat structure and can be easily molded with both sides held down. From this aspect, it can be said that the structure is preferable.
端子部材１１０は、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２％Ｎｉ−Ｆｅ系合金等が挙げられるが、通常は、導電性等から、Ｃｕ、Ｃｕ系合金が用いられる。
第１の例においては、外部端子部１１２の外側側面の端子面１１２ｂは切断部で、それ以外の表面には、接続用のめっき層が設けられている。
接続用のめっき層としては、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた１つの金属めっき層が用いられる。
封止用樹脂１４０としては、通常、エポキシ系のものが用いられるが、これに限定はされない。
The
In the first example, the terminal surface 112b on the outer side surface of the
As the plating layer for connection, one metal plating layer selected from a solder plating layer, a gold plating layer, a silver plating layer, a palladium plating layer, and a tin plating layer is used.
As the sealing
次に、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例を図２に基づいて説明する。
第１の例の樹脂封止型半導体装置も、図１に示す本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第１例と同様に、外部回路と接続するための外部端子部１１２と、半導体素子と接続するための内部端子部１１１をその一部として含むリード部１１４とを、一体的に連結してなる同じ形状の端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材（図示していない）から、外部端子部１１２の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材１１０を、複数個と、センターパッド配列の半導体素子１２０とを用い、半導体素子１２０の所定の端子部１２１と所定の端子部材の内部端子部１１１とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した平板状方形の樹脂封止型半導体装置であり、各端子部材１１０を同じ向きにし、外部端子部１１２の表裏の面およびリード部１１４のエッチング面１１４ａが、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配している。
第１の例は、図１に示す本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第１例とは異なり、内部端子部１１１の端子面をリード部のエッチング面１１４ａと対向する面に設け、且つ、リード部１１４のハーフエッチング面１１４ａ側の面を半導体素子１２０の端子面１２０ａに載せるＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）構造のものである。
そして、第１例と同様に、各端子部材１１０のハーフエッチング面１１４ａ側の外部端子部の厚肉部の一面と外側側面とを、それぞれ端子面１１２ａ，１１２ｂとして露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されている。
第１の例も端子部材１１０の加工用素材（図示していない）の一面側が、露出するようにして樹脂封止していることにより、薄型化が達成できる。
半導体素子は加工用素材から端子部材のハーフエッチングの深さよりも薄いものが用いられる。
例えば、端子部材１１０の加工用素材の板厚を０. ２ｍｍ厚とした場合、０. １ｍｍ〜０. ０２５ｍｍ厚の半導体素子を用いることにより、薄型化が達成できる。
また、本例においても、ワイヤボンディング接続をとっていることにより、接続作業性を良いものとし、且つ、接続信頼性を良いものとしている。
また、本例も、半導体素子へのリード部の搭載向きが第１例とは異なるが、基本的には、ほぼ同じように面付け状態で作製でき、量産性に適した構造と言える。
また、図１に示す本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第１例と同様に、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態でモールドが簡単に行える構造で、設備の面からも好ましい構造と言える。
各部については図１に示す本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第１例と同じものが用いられる。
Next, a first example of an embodiment of the resin-encapsulated semiconductor device of the present invention will be described with reference to FIG.
Resin-sealed semiconductor device of the first embodiment, as in the first example of the resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention shown in FIG. 1, the external
The first example is different from the first example of the resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention shown in FIG. 1, provided the terminal surfaces of the internal terminal portion 111 on the etched surface 114a which faces the lead portion, and The lead 114 has a LOC (Lead On Chip) structure in which the surface on the half-etched surface 114 a side of the lead portion 114 is placed on the terminal surface 120 a of the
Then, similarly to the first example , one surface and the outer side surface of the thick portion of the external terminal portion on the half-etched surface 114a side of each
In the first example as well, the one side of the processing material (not shown) of the
As the semiconductor element, a material thinner than the half etching depth of the terminal member is used.
For example, when the thickness of the processing material of the
Also in this example, the wire bonding connection is used, so that the connection workability is good and the connection reliability is good.
Although this example is different from the first example in the mounting direction of the lead portion to the semiconductor element, it can be basically manufactured in the same imposition state and can be said to be a structure suitable for mass production.
Further, as in the first example of the resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention shown in FIG. 1, in the resin-encapsulation process (molding process), it is not necessary to provide a cavity in a special shape, and a flat plate-like shape It can be said that it is a preferable structure from the viewpoint of equipment because it can be easily molded with both sides held down.
The same parts as those in the first example of the resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention shown in FIG .
次に、本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第２例を図３に基づいて説明する。
第２例の樹脂封止型半導体装置は、図１に示す本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第１例において、半導体素子１２０の端子面１２０ａ側でない裏面に、その対向する２辺に沿いパッドが配置されたペリフェラルパッド配列の半導体装置１２５をその裏面側で積層して、半導体素子１２０とは反対側でリード部１１４とワイヤボンディング接続したものである。
第２例も端子部材１１０の加工用素材（図示していない）の一面側が、第１の例と同様、露出するようにして樹脂封止していることにより、半導体素子を１つのパッケージ内に重ね搭載するタイプのものにおいて、薄型化が達成できる。
半導体素子を２個用いるが基本的には図１に示す本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第１例と同様にして、面付けで作製することができる、量産性に適した構造で、また、第１例と同様に、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態でモールドが簡単に行える構造で、設備の面からも好ましい構造と言える。
各部については図１に示す本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第１例と同じものが用いられる。
Next, a second example of the embodiment of the resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention will be described with reference to FIG.
The resin-encapsulated semiconductor device of the second example is the same as the first example of the resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention shown in FIG. A semiconductor device 125 having a peripheral pad arrangement in which alongside pads are arranged is stacked on the back side thereof, and connected to the lead portion 114 on the opposite side to the
Also in the second example , one surface side of the processing material (not shown) of the
Although two semiconductor elements are used, it is basically a structure suitable for mass production that can be fabricated by imposition as in the first example of the resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention shown in FIG. Also, as in the first example , in the resin sealing process (molding process), it is not necessary to provide a cavity in a special shape, and the mold can be easily performed with a flat plate and both sides thereof being suppressed. It can be said that the structure is preferable from the viewpoint of equipment.
The same parts as those in the first example of the resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention shown in FIG .
次に、本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第３例を図４に基づいて説明する。
第３例の樹脂封止型半導体装置は、図３に示す本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第２例において、半導体素子１２０を同じセンタパッド配列の半導体素子１２０Ａに代え、且つ、その対向する２辺に沿いパッドが配置されたペリフェラルパッド配列の半導体装置１２５を、その４辺に沿いパッドが配置されたペリフェラルパッド配列の半導体装置１２５Ａに代えて用い、更に、端子部材１１０を周辺４辺に沿い配設したものである。
半導体素子１２５Ａの端子１２６の端子部材との接続は、リード部１１４の、半導体素子１２０の接続の場合とは反対側の面で行なっている。
第３例も端子部材１１０の加工用素材（図示していない）の一面側が、図１に示す本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第１例と同様、露出するようにして樹脂封止していることにより、薄型化が達成できる。
本例も、半導体素子を２個用いるが基本的には第１例と同様にして、面付けで作製することができ、量産性に適した構造で、また、第１例と同様に、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態でモールドが簡単に行える構造で、設備の面からも好ましい構造と言える。
各部については図１に示す本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第１例と同じものが用いられる。
Next, a third example of the resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention will be described with reference to FIG.
The resin-encapsulated semiconductor device of the third example is the same as the second example of the resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention shown in FIG. 3, except that the
The connection of the terminal 126 of the semiconductor element 125A to the terminal member is performed on the surface of the lead 114 opposite to the connection of the
In the third example, the resin material is sealed so that one surface side of the processing material (not shown) of the
Although this example also uses two semiconductor elements, it can be fabricated by imposition basically in the same manner as in the first example , and has a structure suitable for mass production. Also, as in the first example , a resin is used. In the sealing process (molding process), it is not necessary to provide a cavity in a special shape, and it is a flat structure that can be easily molded with both sides held down. I can say that.
The same parts as those in the first example of the resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention shown in FIG .
図１に示す本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第１例、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例、本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第２例の変形例としては、樹脂のモールド領域がこれらとは若干異なり、各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面を端子面として、また各端子部材の外側側面を含む側面部を端子部として露出させている形態の、それぞれ、図５（ａ）、図５（ｂ）、図５（ｃ）に示すものが挙げられる。
勿論、本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第３例の変形例として、同様の形態を採るものを挙げることができる。
The first example of the resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention shown in FIG. 1, a first example of the embodiment of the resin encapsulated semiconductor device of the present invention, the resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention As a modification of the two examples , the resin mold region is slightly different from these, and one side of the thick portion of the external terminal portion on the half-etched surface side of each terminal member is used as the terminal surface, and the outer side surface of each terminal member is used. Examples are shown in FIGS. 5 (a), 5 (b), and 5 (c), respectively, in which the side surface portions that are included are exposed as terminal portions.
Of course, as a modification of the third example of the resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention, one adopting the same form can be cited.
次に、本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第４例を図６に基づいて説明する。
第４例の樹脂封止型半導体装置は、図１に示す本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第１例と同じ端子部材２１０を、複数個と、その４辺に沿いパッドが配置されたペリフェラルパッド配列の半導体装置２２０とを用い、半導体素子２２０の所定の端子部２２１と所定の端子部材の内部端子部２１１とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した平板状方形の樹脂封止型半導体装置である。
そして、各端子部材２１０を同じ向きにし、外部端子部２１２の表裏の面およびリード部２１４のエッチング面２１４ａが、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部２１２を外側、内部端子部２１１側を内側に向けて、各端子部材を配しており、内部端子部２１１の端子面をリード部のエッチング面２１４ａと対向する面に設け、且つ、半導体素子２２０をその端子面２２０ａでない裏面の周辺にて、各端子部材のリード部２１４に搭載した、ＣＯＬ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｌｅａｄ）構造としたものである。
そして、図１に示す本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第１例と同様に、各端子部材２１０のハーフエッチング面２１４ａ側の外部端子部の厚肉部の一面と外側側面とを、それぞれ端子面２１２ａ，２１２ｂとして露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されている。
半導体素子２２０以外の各部については、第１例と同じものが適用でき、その作製も、面付け作製ができる量産性に適した構造のもので、樹脂モールドに際しては、第１の例の場合と同様、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態でモールドが簡単に行える構造で、設備の面からも好ましい構造と言える。
各部については図１に示す本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第１例と同じものが用いられる。
Next, a fourth example of the resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention will be described with reference to FIG.
The resin-encapsulated semiconductor device of the fourth example includes a plurality of
Then, the
Then, as in the first example of the resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention shown in FIG. 1, one surface and the outer side surface of the thick portion of the external terminal portion on the half-etched surface 214a side of each
For each part other than the
The same parts as those in the first example of the resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention shown in FIG .
次に、本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第５例を図７に基づいて説明する。
第５例の樹脂封止型半導体装置は、第４例において、半導体素子２２０の端子面２２０ａ上に、その４辺に沿いパッドが配置されたペリフェラルパッド配列の半導体装置２２５をその裏面側で積層して、半導体素子２２０とは同じ側でリード部１１４とワイヤボンディング接続したものである。
第５例も端子部材２１０の加工用素材（図示していない）の一面側が、第１の例と同様、露出するようにして樹脂封止していることにより、半導体素子を１つのパッケージ内に重ね搭載するタイプのものにおいて、薄型化が達成できる。
本例も、半導体素子を２個用いるが基本的には図１に示す本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第１例と同様にして、面付けで作製することができ、量産性に適した構造で、また、第１例と同様に、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態でモールドが簡単に行える構造で、設備の面からも好ましい構造と言える。
各部については図１に示す本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第１例と同じものが用いられる。
Next, a fifth example of the resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention will be described with reference to FIG.
Fifth example resin-encapsulated semiconductor device, Oite the fourth example, on the terminal surface 220a of the
In the fifth example as well, the one side of the processing material (not shown) of the
Although this example also uses two semiconductor elements, it can be fabricated by imposition in the same manner as the first example of the resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention shown in FIG. In the resin sealing process (molding process), it is not necessary to provide a special cavity in the resin sealing process (molding process) as in the first example. It can be said that this is a structure that can be easily performed and is also preferable from the viewpoint of equipment.
The same parts as those in the first example of the resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention shown in FIG .
本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第４例、第５例の変形例としては、樹脂のモールド領域がこれらとは若干異なり、各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面を端子面として、また各端子部材の外側側面を含む側面部を端子部として露出させている形態の、それぞれ、図８（ａ）、図８（ｂ）に示すものが挙げられる。 As a modification of the fourth and fifth examples of the resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention , the resin mold region is slightly different from the above, and the thickness of the external terminal portion on the half-etched surface side of each terminal member 8 (a) and 8 (b), respectively, in which one side of each part is exposed as a terminal surface and a side part including the outer side surface of each terminal member is exposed as a terminal part.
次いで、本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第１例の樹脂封止型半導体装置の製造方法の１例を図９、図１０に基づいて説明する。
尚、これを以って、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施の形態の１例の説明に代える。
先ず、加工用素材３１０の両面に所定形状にレジスト３２０を配設し（図９（ａ））、１つの樹脂封止型半導体装置の端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、この配置状態に、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工法にて、両面からエッチングを行い、端子部材３３０を、支持部３３６にて連結した状態で、面付けして形成する。（図９（ｂ））
これにより、１つの樹脂封止型半導体装置の端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、これが支持部３３５にて連結され面付けされた、加工シート３１０Ａを得る。
加工用素材３１０としては、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２合金（Ｎｉ４２％−Ｆｅ合金）等が用いられ、エッチング液としては、塩化第二鉄溶液が用いられる。
また、レジスト３２０としては、耐エッチング性のもので、所望の解像性を有し、処理性の良いものであれば特に限定はされない。
次いで、レジスト３２０を除去（図９（ｃ））後、洗浄処理等を施し、全面に接続用の表面めっきを施した（図示していない）後、面付け形成され、表面めっきが施された加工シート３１０Ａのハーフエッチング面３３７ａ側ではない側に、面付け分の数だけ、半導体素子３４０を所定の位置に位置決めして、端子部材３３０のリード部３３７に載せる。（図９（ｄ））
次いで、この状態で、各半導体素子３４０について、その端子３４１と端子部材３３０の内部端子部（図１の１１１に相当）のハーフエッチング面である端子面とをワイヤボンディング接続する。（図９（ｅ））
次いで、モールド用のテープ３６０を、加工シート３１０Ａのハーフエッチング面３３７ａ側を覆うように、平面状に貼る。（図９（ｆ））
次いで、表裏をモールド固定用の平板３７１、３７２にて挟み、加工シート３１０Ａ全体について、一括してモールドを行う。（図１０（ｇ））
尚、加工シート３１０Ａの端子部材３３０を支持する支持部３３５は、通りぬけ孔等を設けたもので、モールドの際、各面付け間モールド用の樹脂が通りぬけできるような形状になっている。
このようにして、図１に示す第１例の樹脂封止型半導体装置は製造することができる。
Next, an example of a method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device of the first example of the resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention will be described with reference to FIGS.
In addition, it replaces with description of one example of embodiment of the manufacturing method of the resin sealing type | mold semiconductor device of this invention by this.
First, resists 320 are arranged in a predetermined shape on both surfaces of the processing material 310 (FIG. 9A), and the arrangement of the terminal members corresponding to the arrangement of the terminal members of one resin-encapsulated semiconductor device is one unit. In this arrangement state, etching is performed from both sides by an etching method using a half etching technique, and the
As a result, a processed sheet 310A is obtained in which the arrangement of the terminal member corresponding to the arrangement of the terminal member of one resin-encapsulated semiconductor device is taken as one unit, and this is connected and faced by the support portion 335.
As the processing material 310, Cu, Cu-based alloy, 42 alloy (Ni42% -Fe alloy) or the like is used, and ferric chloride solution is used as the etching solution.
The resist 320 is not particularly limited as long as it has etching resistance, has a desired resolution, and has good processability.
Next, after removing the resist 320 (FIG. 9 (c)), a cleaning process or the like was performed, and surface plating for connection was performed on the entire surface (not shown), and then imposition was formed and surface plating was performed. The
Next, in this state, for each
Next, a mold tape 360 is applied in a flat shape so as to cover the half-etched surface 337a side of the processed sheet 310A. (Fig. 9 (f))
Next, the front and back are sandwiched between flat plates 371 and 372 for fixing the mold, and the entire processed sheet 310A is molded collectively. (Fig. 10 (g))
Note that the support portion 335 that supports the
In this way, the resin-encapsulated semiconductor device of the first example shown in FIG. 1 can be manufactured.
次いで、表裏のモールド固定用の平板３７１、３７２を除去し、更にテープ３６０を除去し（図１０（ｈ））、切断用のテープ３６５を貼り（図１０（ｉ））、該切断用のテープ３６５とは反対側からダイシングソー（図示していない）にて切断して、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る。（図１０（ｊ））
ダイシングソー（図示していない）による切断状態は、例えば、図１１（ａ）や、図１１（ｂ）のようになる。
尚、図１１において、単位の樹脂封止型半導体装置４０１は、切断ライン４８５にて互いに分けられた各領域であり、ここでは、説明を分かり易くするため図示していないが、図１０の支持部３３５を凹部３３４で切断する。
加工シート３１０Ａは、フレームとも呼ばれる。
また、この切断面が、作製される樹脂封止型半導体装置の外部端子の外側側面となる。
尚、切り欠け部３３４Ａの切断された面でない面には接続用のめっきが配設されておりこの部分は接続用に利用し易い。
このようにして、図１に示す第１の例の樹脂封止型半導体装置は製造することができる。
Next, the front and back mold fixing flat plates 371 and 372 are removed, the tape 360 is further removed (FIG. 10 (h)), a cutting tape 365 is attached (FIG. 10 (i)), and the cutting tape is removed. By cutting with a dicing saw (not shown) from the side opposite to 365, the resin-encapsulated semiconductor devices are obtained as individual pieces. (Fig. 10 (j))
The cutting state by a dicing saw (not shown) is, for example, as shown in FIG. 11 (a) or FIG. 11 (b).
In FIG. 11, the unit resin-encapsulated semiconductor device 401 is a region separated from each other by a cutting line 485, which is not shown here for the sake of easy understanding. The part 335 is cut at the
The processed sheet 310A is also called a frame.
Further, this cut surface becomes the outer side surface of the external terminal of the resin-encapsulated semiconductor device to be manufactured.
Note that a plating for connection is provided on the surface of the cutout portion 334A that is not the cut surface, and this portion is easily used for connection.
In this way, the resin-encapsulated semiconductor device of the first example shown in FIG. 1 can be manufactured.
本発明の樹脂封止型半導体装置の第１の例、第２例〜第５の例の製造は、半導体素子と端子部材のリード部との位置関係は異なる、あるいは、半導体素子を積層する工程やワイヤボンディング工程が余分にあっても、大筋は、上記図１に示す本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第１例の製造と同様にして行うことができる。 The manufacturing of the first example , the second example to the fifth example of the resin-encapsulated semiconductor device of the present invention is different in the positional relationship between the semiconductor element and the lead portion of the terminal member, or the process of stacking the semiconductor elements Even if there is an extra wire bonding step, it can be performed in the same manner as in the manufacture of the first example of the resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention shown in FIG.
図５に示す、本発明に関わる樹脂封止型半導体装置第１例、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例、本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第２例の変形例や、図８に示す本発明に関わる樹脂封止型半導体装置の第４例、第５例のように、各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面を端子面として、また各端子部材の外側側面を含む側面部を端子部として露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂のモールドしている形態のものの、樹脂モールドは、図９〜図１０に示す製造方法のように面付け状態で半導体素子を搭載し、更にワイヤボンディング接続を行った後、露出させる外部端子部の端子面は、上記製造法方と同様、平板で抑え、反対側に、所定の型を用いて所定のキャビティーを形成して、分割方式により、繰り返し行う。
例えば、図１１（ａ）に示す、１６個分の型を用い、領域Ｇ毎に繰り返して行う。
FIG. 5 shows a first example of a resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention, a first example of an embodiment of a resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention, and a first example of a resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention. As in the fourth modification and the fifth example of the resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention shown in FIG. 8 in the two modified examples, the thick portion of the external terminal portion on the half-etched surface side of each terminal member Resin molds in a form in which one surface is exposed as a terminal surface and a side surface portion including the outer side surface of each terminal member is exposed as a terminal portion, and the other is in resin, and the resin mold is shown in FIGS. After mounting the semiconductor element in the imposition state as in the manufacturing method shown in FIG. 5 and further performing wire bonding connection, the terminal surface of the external terminal portion to be exposed is suppressed by a flat plate, as in the above manufacturing method, on the opposite side. Divide by forming a predetermined cavity using a predetermined mold The formula is repeated.
For example, the process is repeated for each region G using 16 molds shown in FIG.
１１０ 端子部材
１１１ 内部端子部
１１２ 外部端子部
１１２ａ、１１２ｂ 端子面
１１３ 連結部
１１４ リード部
１１４ａ ハーフエッチング面
１１５ 凹部（グルーブとも言う）
１１６ 切り欠け部
１２０、１２０Ａ 半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）
１２０ａ 端子面
１２１ 端子
１２５、１２５Ａ 半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）
１２５ａ 端子面
１２６ 端子
１３０、１３５、１３５Ａ ボンディングワイヤ
１４０ 封止用樹脂
２１０ 端子部材
２１１ 内部端子部
２１２ 外部端子部
２１２ａ、２１２ｂ 端子面
２１４ リード部
２１４ａ ハーフエッチング面
２１５ 凹部（グルーブとも言う）
２１６ 切り欠け部
２２０ 半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）
２２０ａ 端子面
２２１ 端子
２２５ 半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）
２２５ａ 端子面
２２６ 端子
２３０、２３５ ボンディングワイヤ
２４０ 封止用樹脂
３１０ 加工用素材
３１０Ａ 加工シート
３２０ レジスト
３２５ 開口
３３０ 端子部材
３３１ 内部端子部
３３２ 外部端子部
３３４ 凹部
３３４Ａ 切り欠け部
３３５ 凹部（グルーブとも言う）
３３６ 支持部（連結部とも言う）
３３７ リード部
３３７ａ ハーフエッチング面
３４０ 半導体素子
３４１ 端子部
３５０ ボンディングワイヤ
３６０ （モールド用の）テープ
３６５ （切断用の）テープ
３７１、３７２ モールド固定用の平板
３８０ 封止用樹脂
４０１ 単位の樹脂封止型半導体装置
４１０Ａ 加工シート
４１５ 枠部
４１６ 治具孔
４１７ 長孔部
４８５ 切断ライン
110 Terminal member 111 Internal
120a terminal surface 121 terminal 125, 125A semiconductor element (also referred to as a semiconductor chip or simply a chip)
125a terminal surface 126 terminal 130, 135,
220a Terminal surface 221 Terminal 225 Semiconductor element (also referred to as a semiconductor chip or simply a chip)
225a Terminal surface 226
336 Supporting part (also called connecting part)
337 Lead part 337a Half-etched
Claims (10)
各端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の厚肉部の一面を端子面として、また各端子部材の外側側面を含む側面部を端子部として露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 A terminal member formed by integrally connecting an external terminal portion for connection to an external circuit and a lead portion including an internal terminal portion for connection to a semiconductor element as a part thereof, and a half-etching method The semiconductor element 1 includes a plurality of terminal members in which at least part of the external terminal portion is made thicker than the processing material and the lead portion is thinned by half etching. A resin-encapsulated semiconductor device in which a predetermined terminal portion of a semiconductor element and an internal terminal portion of a predetermined terminal member are connected by wire bonding, and each resin is sealed in the same direction, The front and back surfaces of the external terminal portion and the terminal surface of the internal terminal portion are aligned on a single plane, and each terminal member is arranged on the periphery, with the external terminal portion facing outward and the internal terminal portion facing inward. It is arranged, semiconductor element Placed in a half-etched surface of the lead portion, which has a LOC (Lead On Chip) structure,
One surface of the thickened portion of the external terminal portion on the half-etched surface side of each terminal member is exposed as a terminal surface, and the side surface portion including the outer side surface of each terminal member is exposed as a terminal portion. A resin-encapsulated semiconductor device characterized by being stopped.
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