JP2010059110A - フラーレン誘導体並びにその溶液、及びその膜 - Google Patents
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Abstract
Description
R1は1以上3以下の水酸基を含み、且つ水酸基以外の置換基を有していてもよい炭素数6〜18の芳香族性を有する炭化水素基を表し、
aは1以上15以下のR1の平均付加数を表し、
bは1以上15以下のH(水素原子)の平均付加数を表し、
丸で示される構造はフラーレン骨格を表す。)
[1−1.フラーレン誘導体の構造]
(フラーレン骨格)
本発明のフラーレン誘導体は、式(1)で表される。
なお、本明細書では、炭素数i(ここでiは任意の自然数を表わす。)のフラーレン骨格を適宜、一般式「Ci」で表わす。
式(I)において、R1は1以上3以下の水酸基を含み、且つ水酸基以外の置換基を有していてもよい炭素数6以上、18以下の芳香族性を有する炭化水素基を表す。このR1はフラーレン骨格に結合している。R1内でのフラーレン骨格との結合位置は、特に制限がなく、用いる原料の反応性によって好ましい結合位置を各々決めることができる。例えば、R1導入のための原料として2,6−ジメチルフェノールを用いた場合は、水酸基のパラ位の位置でフラーレン骨格と結合するもの等とすることができる。
芳香族性を有する炭化水素基の具体的な例としては、フェニル基;ビニルフェニル基、ジビニルフェニル基、トリビニルフェニル基等のビニルフェニル基;ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、ビフェニレニル基、as−インダセニル基、s−インダセニル基、アセナフチレニル基、フルオレニル基、フェナレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオラセニル基、アセフェナンチレニル基、アセアンチレニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、テトラセニル基等の縮合多環炭化水素基が挙げられる。
水酸基は、上記芳香族性を有する炭化水素基のいずれの位置に結合していてもよく、通常、結合位置は原料等に応じて適宜決定される。
また、置換基である有機基は、直鎖であってもよく、分岐を有していてもよい。また、該有機基は鎖状であっても環状であってもよい。さらに、該有機基は飽和結合のみを有していても良く、不飽和結合を有していてもよい。
式(I)において、水素原子(即ち水素基もしくはヒドロ基)Hはフラーレン骨格に結合している。この際、水素原子がフラーレンと結合する位置は限定されず、任意である。
本発明のフラーレン誘導体は、エステル溶媒に可溶、即ち、エステル溶媒に対する溶解性が高い。
なお、本明細書において、フラーレン誘導体が「エステル溶媒に可溶」であるとは、フラーレン誘導体をエステル溶媒に混合し、超音波照射を10分かけた後、目視で沈殿物や不溶分が検出されないことを意味する。具体的には、25℃、常圧(通常は1気圧)下において、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテル−2−アセテート(即ち、PGMEA)又は乳酸エチルの何れかのエステル溶媒に対して、エステル溶媒の単位体積(1mL)あたり、フラーレン誘導体が通常10mg以上、好ましくは50mg以上、より好ましくは100mg以上溶解する場合には、そのフラーレン誘導体はエステル溶媒に対して可溶、即ち、エステル溶媒に対する溶解性が高いと判断する。
なお、エステル溶媒は、何れか1種のみを用いてもよく、2種類以上を任意の組み合わせ及び比率で併用しても構わない。
なお、本明細書において、フラーレン誘導体が「アルカリ溶媒に可溶」であるとは、フラーレン誘導体をアルカリ溶媒に混合し、超音波照射を10分かけた後、目視で沈殿物や不溶分が検出されないことを意味する。具体的には、25℃、常圧下において、水酸化ナトリウム水溶液に対して、水酸化ナトリウム水溶液の単位体積(1mL)あたり、フラーレン誘導体が通常50mg以上、好ましくは100mg以上、より好ましくは200mg以上溶解する場合には、そのフラーレン誘導体はアルカリ溶媒に対して可溶、即ち、アルカリ溶媒に対する溶解性が高いと判断する。
なお、これらのアルカリ溶媒は、何れか1種のみを用いてもよく、2種類以上を任意の組み合わせ及び比率で併用しても構わない。
で上記芳香族性を有する炭化水素基が結合しているためであり、通常の有機物では熱分解が始まる温度においても、分解することなく安定に存在することができる。そのため、通常の有機物では分解して用いることができない耐熱性を要する用途に関しても、本発明のフラーレン誘導体を好適に用いることができる。
本発明のフラーレン誘導体を製造する方法には制限は無く、任意の方法により製造することができる。
フラーレンとしては、上記[1.フラーレン誘導体]の欄でフラーレン骨格の例として挙げた各種のフラーレンを用いることができる。なお、フラーレンは何れか1種のみを使用してもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
本例の製造方法では、反応系に少なくても1種の金属ハロゲン化物を存在させる。金属ハロゲン化物の種類は反応が進行すれば制限はないが、長周期型周期表の第8族、第13族、及び第15族に属する金属から選択される金属ハロゲン化物であることが好ましく、なかでも反応性の観点から、第13族金属のハロゲン化物が好ましく、アルミニウムのハロゲン化物が特に好ましい。
なお、反応系に存在する金属ハロゲン化物としては、何れか1種のみを単独で使用してもよく、二種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
本例の製造方法では、反応系に置換基ならびに水酸基を有する、炭素数6〜18の、少なくとも1つの水素基を含む、芳香族性を有する炭化水素化合物(即ち、原料炭化水素化合物)を存在させる。原料炭化水素化合物の種類は、製造しようとするフラーレン誘導体の構造に応じて適切なものを任意に選択すればよい。
なお、反応系に存在させる原料炭化水素化合物としては、何れか1種類のみを使用しても良く、2種類以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
また、メチルナフトール、エチルナフトール、プロピルナフトール、ブチルナフトール、イソプロピルナフトール、tert−ブチルナフトール等のアルキルナフトール類;シクロヘキシルナフトール、ノルボニルナフトール、アダマンチルナフトール等の環状アルキルナフトール類;フェニルナフトール、ナフチルナフトール等のアリールナフトール類;メトキシナフトール、エトキシナフトール等のアルコキシナフトール類;フェノキシナフトール等のアリーロキシナフトール類;フルオロナフトール、クロロナフトール、ブロモナフトール、ヨードナフトール等のハロゲノナフトール類;メチルジヒドロキシナフタレン等のアルキルジヒドロキシナフタレン等が挙げられる。
本例の製造方法では、製造コストの観点から、直接原料炭化水素化合物とフラーレンとを反応させることが好ましいが、上記反応の進行が著しく阻害される場合や進行しない場合は、原料炭化水素化合物を塩化アルミニウム等の金属ハロゲン化物に耐性のある保護基(例えばメチル基)等で保護した原料(即ち、保護化した原料炭化水素化合物)を用いればよい。
また、置換基を有していない原料炭化水素化合物は、反応性の観点から通常この保護化した原料炭化水素化合物を用いることが好ましい。
なお、反応系に存在させる保護化した原料炭化水素化合物としては、何れか1種類のみを使用しても良く、2種類以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
本例の製造方法では、例えば原料炭化水素化合物並びに保護化した原料炭化水素化合物が常温で固体状態の場合等においては、反応溶媒を使用してもよい。反応溶媒を使用する場合、上述のフラーレン、金属ハロゲン化物、及び原料炭化水素化合物又は保護化した原料炭化水素化合物を好適に溶解及び/又は分散させることが可能な溶媒であれば、その種類は任意である。
なお、反応溶媒は、何れか1種のみを使用してもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
なお、2種以上の反応溶媒を併用する場合には、それらの合計量が上記範囲を満たすようにすることが望ましい。
なお、本例の製造方法では少なくても、上述のフラーレン、金属ハロゲン化物及び原料炭化水素化合物又は保護化した原料炭化水素化合物を反応させることができれば良い。したがって、原料炭化水素化合物又は保護化した原料炭化水素化合物が反応温度、圧力において液体であれば、原料炭化水素化合物又は保護化した原料炭化水素化合物を反応溶媒として用いることができる。
上述のフラーレン、金属ハロゲン化物及び原料炭化水素化合物又は保護化した原料炭化水素化合物、並びに、必要に応じて用いられる反応溶媒等を混合する順序や反応条件は、本発明のフラーレン誘導体が製造できる限り任意である。また、反応系には、反応の進行を阻害しない限り上述したもの以外の成分を含有させても良い。
反応時間も制限されないが、原料炭化水素化合物又は保護化した原料炭化水素化合物を混合した後、通常5分以上、好ましくは2時間以上、また通常5日以内、好ましくは24時間以内、さらに好ましくは12時間以内にわたって反応させることが好ましい。
これらの脱保護剤の使用量は前記の保護基を脱離させることができる限り任意であるが、対応する保護基(メチル基)に対する割合で、通常1倍モル以上、好ましくは1.2倍モル以上、より好ましくは1.4倍モル以上、また、通常10倍モル以下、好ましくは5倍モル以下、より好ましくは3倍モル以下とすることが望ましい。脱保護剤の使用量が多過ぎると、製造コストの点で不利となる場合があり、脱保護剤の使用量が少な過ぎると、反応が完結しない場合がある。なお、脱保護剤を2種以上併用する場合、それらの合計量が上記範囲を満たすようにすることが望ましい。
ただし、その温度条件は、脱保護反応の種類によって大きく異なるが、通常0℃以上、好ましくは15℃以上、また、通常180℃以下、好ましくは120℃以下とすることが望ましい。
また、反応時間は、通常30分以上、好ましくは2時間以上、また、通常数十時間以下、好ましくは10時間以下とすることが望ましい。
本発明のフラーレン誘導体は、公知の任意の実施形態で、任意の用途に用いることができる。なかでも、本発明のフラーレン誘導体は、溶媒に溶解してフラーレン誘導体溶液(以下、適宜「本発明の溶液」と言う。)として用いたり、本発明のフラーレン誘導体を含むフラーレン誘導体膜(以下、適宜「本発明の膜」と言う。)として用いたりすることが好ましい。
本発明のフラーレン誘導体は、適切な溶媒に溶解させてフラーレン誘導体溶液とすることにより、様々な用途に用いることができる。
本発明の溶液における溶媒の種類は任意であるが、溶媒として有機溶媒を用いることが好ましい。有機溶媒として任意の有機溶媒を用いることができるが、中でも、本発明のフラーレン誘導体は水酸基を有し、エステル溶媒等の極性有機溶媒に対して高い溶解性を示すので、極性を有する有機溶媒(極性有機溶媒)を使用することが好ましい。なお、溶媒は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を任意の比率及び組み合わせで用いてもよい。
中でも、工業的な用途で用いられることが多い観点から、本発明の溶液における溶媒として、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン等のケトン、エステル溶媒を用いることが好ましく、特に、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテル−2−アセテート(PGMEA)、乳酸エチル等のエステル溶媒を用いることが好ましい。
本発明のフラーレン誘導体は、エステル溶媒に高溶解性を示すため、通常は、本発明の溶液を塗布し、溶媒を除去(例えば加熱乾燥等)することでフラーレン誘導体膜を製造することができる。この際用いる溶液には、フラーレン誘導体、溶媒のほか、本発明のフラーレン誘導体が有する優れた物性を大幅に損ねるものでなければ、他の任意の化合物が含有されていてもよい。なお、その他の成分は1種類のみを含有していてもよく、2種類以上を任意の組み合わせ及び比率で含有していてもよい。
また、本発明のフラーレン誘導体膜は、同一組成であってもよく、異なる組成を有する構成膜が2層以上積層された多層膜であってもよい。
本発明のフラーレン誘導体、本発明の溶液、及び本発明の膜は、前述した用途に用いることができる。以下に、いくつかの用途の例に関してより具体的に説明するが、本発明のフラーレン誘導体の機能が発揮できる用途に関しては、以下の記載に限定されるものではない。
従来、フォトレジストは、被膜形成成分として(メタ)アクリル系、ポリヒドロキシスチレン系またはノボラック系の樹脂等の樹脂成分と、露光により酸を発生する酸発生剤、感光剤等とを組み合わせた組成物が広く用いられている。本発明のフラーレン誘導体は、通常、フォトレジストに使用される溶媒への溶解度が高いことにより、特殊な溶媒を用いることなく、より高濃度でフォトレジストに複合化が可能である。また、フラーレン誘導体単独でもレジスト膜を形成することが可能である。なお、フォトレジストの露光源としては、従来開発されているKrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザーに加えて、EUV(極端紫外光)やEB(電子ビーム)なども適応が可能である。
半導体製造等の分野では、例えば500μm以下の微細パターンを生産効率良く形成する方法としてナノインプリント法が検討されている。ナノインプリント法とは、微細パターンを有するモールドのパターンを転写層に転写する微細パターンの形成方法である。
近年、コンピュータの中央処理装置(CPU)用回路基盤には、樹脂薄膜を層間絶縁膜とする高密度かつ微細な多層配線に適した樹脂薄膜配線が適用されるようになってきた。将来のより高速な処理能力を有するコンピュータを実現するには、高密度かつ繊細な多層配線を活かし、かつ信号の高速伝播に適した低誘電率絶縁材料の開発が求められている。本発明のフラーレン誘導体は、通常、上記用途に使用される溶媒への溶解度が高いことより、特殊な溶媒を用いることなく、より高濃度で他の材料と複合化することが可能である。また、フラーレン誘導体単独で成膜することも可能である。この際、本発明のフラーレン誘導体は、フラーレン構造が本質的に有する高抵抗、低誘電率の性質を保持しており、複合化して用いる際にはフィラーとしての機械的強度の向上効果を有することができ、これにより、従来無かった優れた性能の低誘電率の層間絶縁膜の実現が可能となる。
有機太陽電池は、シリコン系の無機太陽電池と比較して、優位な点が多数あるものの、エネルギー変換効率が低く、実用レベルに十分には達していないことが多い。この点を克服するためのものとして、最近、電子供与体である導電性高分子と、電子受容体であるフラーレン並びにフラーレン誘導体とを混合した活性層を有するバルクヘテロ接合型有機太陽電池が提案されている。このバルクヘテロ接合型有機太陽電池では、導電性高分子とフラーレン誘導体それぞれとが分子レベルで混じり合い、その結果非常に大きな界面を作り出すことに成功し、変換効率の大幅な向上が実現されている。
光センサー、整流素子等への応用が期待できる電界効果トランジスタの有機材料として、フラーレン及びフラーレン誘導体を使用することが研究されている。一般的に、フラーレン及びフラーレン誘導体を半導体に用いて電界効果トランジスタを作製した場合、当該電界効果トランジスタはn型のトランジスタとして機能することが知られている。
本発明のフラーレン誘導体を出発原料として、上記式(I)におけるR1中の水酸基に特定の有機基(保護基)を導入する工程を経て、新たな機能を有するフラーレン誘導体を製造することができる。以下、その有機基の導入方法に関して代表例を記すが、以下の例に限定されるものではない。
(1)本発明のフラーレン誘導体をエステル化剤と反応させて、エステル化する。
(2)本発明のフラーレン誘導体をカーボネート化剤と反応させて、カーボネート化する。
(3)本発明のフラーレン誘導体をエーテル化剤と反応させて、エーテル化する。
(4)本発明のフラーレン誘導体をウレタン化剤と反応させて、ウレタン化する
(フラーレン:C60; R1:C6H4OH; H:H; 平均付加数(a,b)=8.0の製造)
フラーレンC60(3.0g、4.17mmol)と三塩化アルミニウム(無水)(5.55g、41.7mmol)とを加え、脱気したODCB(75mL)及びアニソール(9.00mL、83.4mmol)を加え、25℃で12時間攪拌した。そこにイオン交換水150mLを加え反応を停止した後、酢酸エチル及びトルエンを加え、分液漏斗にて抽出した。有機層をイオン交換水で2回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させた後、濾過を行なった。
溶液を濃縮しメタノール(600mL)で晶析を行ない、50℃真空乾燥を3時間行なうことで、C60(C6H4OMe)8.0H8.0(フラーレン:C60; R1:C6H4OMe; H:H; 平均付加数(a,b)=8.0の生成物)を茶色固体の生成物として7.13g得た。
カラムサイズ:150mm×4.6mmφ
溶離液:トルエン/メタノール=2/8
検出器:UV290nm
[1H−NMR(DMSO−d6,400MHz)]
9.8〜9.0ppm(br,OH)、7.8〜6.0ppm(br,Ph)、5.0〜3.8ppm(br,C60−H)が1:4:1の積分比で観測されたことより、フラーレン骨格に、ヒドロキシフェニル基と水素が付加した構造であることが確認された。
(フラーレン:C60; R1:CH3−C6H3OH; H:H; 平均付加数(a,b)=7.9の製造)
フラーレンC60(3.0g、4.17mmol)と三塩化アルミニウム(無水)(5.55g、41.7mmol)とを加え、脱気したODCB(75mL)、及びオルトクレゾール(9.00g、83.4mmol)を加え、25℃で16時間攪拌した。そこにイオン交換水150mLを加え反応を停止した後、酢酸エチルを加え、分液漏斗にて抽出した。有機層をイオン交換水で2回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させた後、濾過を行った。その後、溶液を濃縮しヘキサン(600mL)で晶析を行なった。また、残留溶媒であるODCBを効果的に除去するため、再度酢酸エチル(80mL)に溶解させ、ヘキサン(300mL)で晶析を行い、120℃真空乾燥を4時間行なうことで、C60(CH3−C6H3OH)7.9H7.9(フラーレン:C60; R1:CH3−C6H3OH; H:H; 平均付加数(a,b)=7.9の生成物)をオレンジ色固体の生成物として5.43g得た(収率82.7%)。
[1H−NMR(DMSO−d6,400MHz)]
9.7〜9.0ppm(br,OH)、7.7〜6.0ppm(br,Ph)、5.0〜3.8ppm(br,C60−H)、2.3〜1.6ppm(br,Me)が1:3:1:3の積分比で観測されたことより、フラーレン骨格に、メチルヒドロキシフェニル基と水素が付加した構造であることが確認された。
結果を下記表1に示す。
(フラーレン:C60; R1:(CH3)2−C6H2OH; H:H; 平均付加数(a,b)=8.0の製造)
フラーレンC60(3.0g、4.17mmol)と三塩化アルミニウム(無水)(5.55g、41.7mmol)とを加え、脱気したODCB(75mL)、及び2,6−ジメチルフェノール(10.17g、83.4mmol)を加え、25℃で16時間攪拌した。そこにイオン交換水150mLを加え反応を停止した後、酢酸エチルを加え、分液漏斗にて抽出した。有機層をイオン交換水で2回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させた後、濾過を行った。その後、溶液を濃縮しヘキサン(600mL)で晶析を行った。また、残留溶媒であるODCBを効果的に除去するため、再度酢酸エチル(80mL)に溶解させ、ヘキサン(300mL)で晶析を行い、120℃真空乾燥を4時間行なうことで、C60[(CH3)2−C6H2OH)]8.0H8.0(フラーレン:C60; R1:(CH3)2−C6H2OH; H:H; 平均付加数(a,b)=8.0の生成物)をオレンジ色固体の生成物として6.59gを得た(収率93.2%)。
[1H−NMR(DMSO−d6,400MHz)]
8.5〜8.0ppm(br,OH)、7.8〜6.2ppm(br,Ph)、5.0〜3.8ppm(br,C60−H)、2.3〜1.6ppm(br,Me)が1:2:1:6の積分比で観測されたことより、フラーレン骨格にジメチルヒドロキシフェニル基と水素が付加した構造であることが確認された。
結果を下記表1に示す。
(フラーレン:C60; R1:C6H11−C6H3OH; H:H; 平均付加数(a,b)=6.7の製造)
フラーレンC60(1.0g、1.39mmol)と三塩化アルミニウム(無水)(1.85g、13.9mmol)とを加え、脱気したODCB(25mL)、及び2−シクロヘキシルフェノール(4.89g、27.7mmol)を加え、25℃で18時間攪拌した。そこにイオン交換水100mLを加え反応を停止した後、酢酸エチルを加え、分液漏斗にて抽出した。有機層をイオン交換水で2回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させた後、濾過を行った。その後、溶液を濃縮しヘキサン(300mL)で晶析を行った。また、残留溶媒であるODCBを効果的に除去するため、再度酢酸エチル(40mL)に溶解させ、ヘキサン(150mL)で晶析を行い、120℃真空乾燥を4時間行なうことで、C60(C6H11−C6H3OH)6.7H6.7(フラーレン:C60; R1:C6H11−C6H3OH; H:H; 平均付加数(a,b)=6.7の生成物)を黄土色固体の生成物として2.19g得た(収率82.6%)。
[1H−NMR(DMSO−d6,400MHz)]
9.5〜8.8ppm(br,OH)、7.5〜6.0ppm(br,Ph)、5.0〜3.8ppm(br,C60−H)、3.0〜2.5ppm(br,CyH−H)、2.0〜1.5ppm(br,CyH−H)、1.5〜1.0ppm(br,CyH−H)が1:3:1:1:5:5の積分比で観測されたことより、フラーレン骨格にシクロヘキシルヒドロキシフェニル基と水素が付加した構造であることが確認された。
結果を下記表1に示す。
(フラーレン:C60; R1:Ph−C6H3OH; H:H; 平均付加数(a,b)=6.1の製造)
フラーレンC60(1.0g、1.39mmol)と三塩化アルミニウム(無水)(1.85g、13.9mmol)とを加え、脱気したODCB(25mL)、及び2−フェニルフェノール(4.72g、27.7mmol)を加え、25℃で16時間攪拌した。そこにイオン交換水100mLを加え反応を停止した後、酢酸エチルを加え、分液漏斗にて抽出した。有機層をイオン交換水で2回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させた後、濾過を行った。その後、溶液を濃縮しヘキサン(300mL)で晶析を行なった。また、残留溶媒であるODCBを効果的に除去するため、再度酢酸エチル(40mL)に溶解させ、ヘキサン(150mL)で晶析を行い、120℃真空乾燥を4時間行なうことで、C60(Ph−C6H3OH)6.1H6.1(フラーレン:C60; R1:Ph−C6H3OH; H:H; 平均付加数(a,b)=6.1の生成物)をオレンジ色固体の生成物として2.44g得た(収率99.9%)。
[1H−NMR(DMSO−d6,400MHz)]
9.8〜9.3ppm(br,OH)、7.8〜6.5ppm(br,Ph)、5.5〜3.8ppm(br,C60−H)が1:8:1の積分比で観測されたことより、フラーレン骨格にフェニルヒドロキシフェニル基と水素が付加した構造であることが確認された。
結果を下記表1に示す。
(フラーレン:C60; R1:Br−C6H3OH; H:H; 平均付加数(a,b)=4.3の製造)
フラーレンC60(1.0g、1.39mmol)と三塩化アルミニウム(無水)(1.85g、13.9mmol)とを加え、脱気したODCB(25mL)、及びオルトブロモフェノール(4.80g、27.7mmol)を加え、25℃で16時間攪拌した。そこにイオン交換水100mLを加え反応を停止した後、酢酸エチルを加え、分液漏斗にて抽出した。有機層をイオン交換水で2回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させた後、濾過を行った。溶液を濃縮しヘキサン(300mL)で晶析を行なった。また、残留溶媒であるODCBを効果的に除去するため、再度酢酸エチル(40mL)に懸濁させ、ヘキサン(150mL)で晶析を行い、120℃真空乾燥を4時間行なうことで、C60(Br−C6H3OH)4.3H4.3(フラーレン:C60; R1:Br−C6H3OH; H:H; 平均付加数(a,b)=4.3の生成物)をオレンジ色固体の生成物として0.98g得た(収率48.2%)。
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9.0〜8.3ppm(br,OH)、7.9〜6.7ppm(br,Ph)、5.2〜3.8ppm(br,C60−H)が1:3:1の積分比で観測されたことより、フラーレン骨格にブロモヒドロキシフェニル基と水素が付加した構造であることが確認された。
結果を下記表1に示す。
(フラーレン:C60; R1:CH3−C6H2−(OH)2; H:H; 平均付加数(a,b)=4.0の製造)
フラーレンC60(1.0g、1.39mmol)と三塩化アルミニウム(無水)(1.85g、13.9mmol)とを加え、脱気したODCB(25mL)、及び2,6−ジヒドロキシトルエン(3.45g、27.7mmol)を加え、25℃で20時間攪拌した。そこにイオン交換水100mLを加え反応を停止した後、酢酸エチルを加え、分液漏斗にて抽出した。有機層をイオン交換水で2回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させた後、濾過を行った。その後、溶液を濃縮しヘキサン(300mL)で晶析を行なった。また、残留溶媒であるODCBを効果的に除去するため、再度酢酸エチル(40mL)に溶解させ、ヘキサン(150mL)で晶析を行い、100℃真空乾燥を4時間行なうことで、C60[CH3−C6H2−(OH)2]4.0H4.0(フラーレン:C60; R1:CH3−C6H2−(OH)2; H:H; 平均付加数(a,b)=4.0の生成物)をオレンジ色固体の生成物として0.98g得た(収率58.0%)。
[1H−NMR(DMSO−d6,400MHz)]
9.6〜8.4ppm(br,OH)、7.4〜6.0ppm(br,Ph)、5.2〜3.5ppm(br,C60−H)、2.4〜1.6ppm(br,Me)が2:2:1:3の積分比で観測されたことより、フラーレン骨格にジヒドロキシメチルフェニル基と水素が付加した構造であることが確認された。
結果を下記表1に示す。
(フラーレン:C60; R1:C10H6OH; H:H; 平均付加数(a,b)=6.1の製造)
フラーレンC60(1.0g、1.39mmol)と三塩化アルミニウム(無水)(1.85g、13.9mmol)とを加え、脱気したODCB(25mL)、及び2−メトキシナフタレン(4.39g、27.7mmol)を加え、25℃で20時間攪拌した。そこにイオン交換水100mLを加え反応を停止した後、酢酸エチル及びトルエンを加え、分液漏斗にて抽出した。有機層をイオン交換水で2回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させた後、濾過を行った。その後、溶液を濃縮しメタノール(300mL)で晶析を行ない、50℃真空乾燥を3時間行なうことで、C60(C10H6OMe)6.1H6.1(フラーレン:C60; R1:C10H6OMe; H:H; 平均付加数(a,b)=6.1の生成物)をオレンジ固体の生成物として2.82g得た。
[1H−NMR(DMSO−d6,400MHz)]
9.9〜9.3ppm(br,OH)、8.6〜6.4ppm(br,Np)、5.4〜3.8ppm(br,C60−H)が1:6:1の積分比で観測されたことより、フラーレン骨格にヒドロキシナフチル基と水素が付加した構造であることが確認された。
結果を下記表1に示す。
(フラーレン:C60; R1:Br−C10H5OH; H:H; 平均付加数(a,b)=3.6の製造)
フラーレンC60(1.0g、1.39mmol)と三塩化アルミニウム(無水)(1.85g、13.9mmol)とを加え、脱気したODCB(25mL)、及び1−ブロモ−2−ナフトール(6.19g、27.7mmol)を加え、25℃で25時間攪拌した。そこにイオン交換水100mLを加え反応を停止した後、酢酸エチルを加え、分液漏斗にて抽出した。有機層をイオン交換水で2回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させた後、濾過を行った。その後、溶液を濃縮しヘキサン(300mL)で晶析を行なった。また、残留溶媒であるODCBを効果的に除去するため、再度酢酸エチル(40mL)に懸濁させ、ヘキサン(150mL)で晶析を行い、120℃真空乾燥を4時間行なうことで、C60(Br−C10H5OH)3.6H3.6(フラーレン:C60; R1:Br−C10H5OH; H:H; 平均付加数(a,b)=3.6の生成物)をオレンジ色固体の生成物として0.36g得た(収率17.0%)。
[1H−NMR(DMSO−d6,400MHz)]
9.7〜8.8ppm(br,OH)、8.1〜6.6ppm(br,Np)、5.2〜3.8ppm(br,C60−H)が1:5:1の積分比で観測されたことより、フラーレン骨格にブロモヒドロキシナフチル基と水素が付加した構造であることが確認された。
結果を下記表1に示す。
(フラーレン:NM; R1:(CH3)2−C6H2OH; H:H; 平均付加数(a,b)=7.4の製造)
フラーレンNM(10.0g)と三塩化アルミニウム(無水)(18.50g、138.5mmol)とを加え、脱気したODCB(250mL)、及び2,6−ジメチルフェノール(34.20g、280mmol)を加え、30℃で29時間攪拌した。そこにイオン交換水200mLを加え反応を停止した後、酢酸エチルを加え、分液漏斗にて抽出した。有機層をイオン交換水で2回洗浄、1%重曹水で洗浄後、さらにイオン交換水で2回洗浄した。その後、溶液を濃縮しヘキサン(2500mL)で晶析を行った。また、残留溶媒であるODCBを効果的に除去するため、再度酢酸エチル(90mL)に溶解させ、ヘキサン(2500mL)で晶析を行い、150℃真空乾燥を12時間行なうことで、NM[(CH3)2−C6H2OH)]7.4H7.4(フラーレン:C60; R1:(CH3)2−C6H2OH; H:H; 平均付加数(a,b)=7.4の生成物)を茶色個体の生成物として20.5gを得た(収率95.4%)。
[1H−NMR(DMSO−d6,400MHz)]
8.8〜8.0ppm(br,OH)、7.8〜6.1ppm(br,Ph)、5.0〜3.5ppm(br,NM−H)、2.4〜1.6ppm(br,Me)が1:2:1:6の積分比で観測されたことより、フラーレン骨格にジメチルヒドロキシフェニル基と水素が付加した構造であることが確認された。
結果を下記表1に示す。
(フラーレン:C60; R1:C6H11−C6H4; H:H; 平均付加数(a,b)=5.5の製造)
フラーレンC60(1.0g、1.39mmol)と三塩化アルミニウム(無水)(1.85g、13.9mmol)とを加え、脱気したODCB(25mL)、及びシクロヘキシルベンゼン(4.45g、27.7mmol)を加え、25℃で18時間攪拌した。そこにイオン交換水100mLを加え反応を停止した後、酢酸エチル及びトルエンを加え、分液漏斗にて抽出した。有機層をイオン交換水で2回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させた後、濾過を行なった。溶液を濃縮しメタノール(300mL)で晶析を行なった。また、残留溶媒であるODCBを効果的に除去するため、再度酢酸エチル(40mL)に懸濁させ、ヘキサン(150mL)で晶析を行い、120℃真空乾燥を4時間行なうことで、C60(C6H11−C6H4)5.5H5.5(フラーレン:C60; R1:C6H11−C6H4; H:H; 平均付加数(a,b)=5.5の生成物)を茶色固体の生成物として0.65g得た(収率29.2%)。
[1H−NMR(CDCl3,400MHz)]
8.0〜6.5ppm(br,Ph)、4.5〜3.3ppm(br,C60−H)、2.8〜2.5ppm(br,CyH−H)、2.0〜1.7ppm(br,CyH−H)、1.6〜1.2ppm(br,CyH−H)が4:1:1:5:5の積分比で観測されたことより、フラーレン骨格にシクロヘキシルフェニル基と水素が付加した構造であることが確認された。
結果を下記表1に示す。
[実施例11]
実施例2で得られたフラーレン誘導体を用いて、以下の手順でレジスト組成物を調製した。
(i)実施例2で得られたフラーレン誘導体をPGME(プロピレングリコールモノメチルエーテル)に対して3.03重量%(レジスト液全体で3.0重量%)となるように添加し、スターラーにて攪拌した。
(ii)そのフラーレン誘導体溶液に、トリフェニルスルフォニウム塩ノナフレート(みどり化学製TPS−109)及びメラミン系架橋剤としてサイメル300(日本サイテック製)を、それぞれフラーレン誘導体に対して20重量%並びに10重量%添加し、スターラーにて一晩攪拌した。
(iii)攪拌後、孔直径0.2μmのフィルターでろ過し、ネガレジスト組成物を得た。
ネガレジスト調製に使用するフラーレン誘導体として、実施例3で得られたものを使用する以外は、実施例11と同様にレジスト組成物を調製した。
(フラーレン誘導体の合成)
[C60{β−(6−OH−C10H6)}5(−CH3)の製造]
臭化銅(I)ジメチルスルフィド錯体(9.72g、47.3mmol)のTHF懸濁液(84mL)を5℃まで冷却した後、2−ブロモ−6−メトキシナフタレンから合成したグリニャール試薬の6−OCH3−C10H6MgBr/THF溶液(1mol/L;51mL)を加え、25℃まで昇温した。そこにC60(3.0g、4.17mmol)のODCB溶液(135mL)を加え、2時間攪拌した。ここに、MeI(3mL、48mmol)を加えさらに8時間攪拌した。反応液を濾過し、THFを除去した後、トルエンで希釈し、シリカカラムクロマトグラフィー(展開液:トルエン及び酢酸エチル)を行った。溶液を濃縮し、メタノール(500mL)で晶析を行い、50℃で真空乾燥を行うことで、C60{β−(6−OCH3−C10H6)}5(−CH3)をオレンジ色固体(6.87g、4.52mmol、収率108.5%)の生成物として得た。生成物の中には溶媒としてODCBが11重量%含有されていた。
カラムサイズ:150mm×4.6mmφ
溶離液:トルエン/メタノール=2/8
検出器:UV290nm
[1H−NMR(DMSO−d6,400MHz)]
9.85ppm(s,OH,1H)、9.84ppm(s,OH,1H)、9.81ppm(s,OH,1H)、9.76ppm(s,OH,1H)、9.70ppm(s,OH,1H)、8.2〜8.4ppm(m,Np,4H)、7.8〜8.0ppm(m,Np,8H)、7.6〜7.7ppm(m,Np,4H)、7.54ppm(d,Np,1H)、7.24〜7.35ppm(m,Np,2H)、7.0〜7.2ppm(m,Np,9H)、6.90ppm(m,Np,2H)、1.62ppm(s,C60Me,3H)
以下の手順でレジスト膜を形成し、そのEB感度を評価した。
(1)実施例11、12及び比較例2で調製したレジスト組成物を、それぞれSi基板上に厚さ100nmとなるように回転塗布し(塗布工程)、110℃で90秒間、加熱処理を行った(加熱工程)。
(2)EB露光装置:JBX−6000FS(日本電子製)を用い、加速電圧50kVで露光を行い、露光時間を調製して露光量を変化させた(露光工程)。
(3)現像液として、アルカリ現像液のMF622(シプレイ製)を純水で1:1に希釈した溶液を用い、30秒間浸漬した(現像工程)。その後、リンス液として純水を用い、これに30秒間浸漬して現像液をすすぎ落とした(洗浄工程)。
(4)パターン形成後、パターンとSi基板との段差を測定した。測定された段差が一定値になった最低露光量をフラーレン誘導体ネガレジストのEB感度とした。
Claims (14)
- 前記式(I)中の各R1に含まれる水酸基の数が1つである
ことを特徴とする、請求項1記載のフラーレン誘導体。 - 前記式(I)中の各R1が、1以上2以下の置換基を有する
ことを特徴とする、請求項1又は請求項2に記載のフラーレン誘導体。 - 前記式(I)中の各R1に含まれる置換基が、炭素数1以上20以下の有機基、及び/又はハロゲン原子である
ことを有することを特徴とする、請求項1〜3の何れか1項に記載のフラーレン誘導体。 - 前記式(I)中の各R1に含まれる水酸基と置換基との位置関係が、芳香族性を有する炭化水素基中において、オルト位である
ことを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載のフラーレン誘導体。 - 前記式(I)中の各R1における芳香族性を有する炭化水素基が、フェニル基である
ことを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載のフラーレン誘導体。 - 前記式(I)中の各R1における芳香族性を有する炭化水素基が、ナフチル基である
ことを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載のフラーレン誘導体。 - 前記式(I)中の、aが4以上12以下である
ことを特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載のフラーレン誘導体。 - 前記式(I)中のフラーレン骨格が、フラーレンC60である
ことを特徴とする請求項1〜8の何れか1項に記載のフラーレン誘導体。 - 前記式(I)中のフラーレン骨格が、フラーレンC70である
ことを特徴とする請求項1〜8の何れか1項に記載のフラーレン誘導体。 - 前記式(I)中のフラーレン骨格が、フラーレンC60及び/又はフラーレンC70であるフラーレン誘導体と、前記式(I)中のフラーレン骨格が、フラーレンC60及びフラーレンC70以外のフラーレンであるフラーレン誘導体とを含む
ことを特徴とする請求項9又は10に記載のフラーレン誘導体。 - 請求項1〜11の何れか一項に記載のフラーレン誘導体が溶媒に溶解してなる
ことを特徴とする、フラーレン誘導体溶液。 - 該溶媒が、エステル溶媒である
ことを特徴とする、請求項12に記載のフラーレン誘導体溶液。 - 請求項1〜11の何れか一項に記載のフラーレン誘導体を含む
ことを特徴とする、フラーレン誘導体膜。
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