JP2010055864A - 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の電極と、該第1の電極よりも後に形成される第2の電極と、第1および第2の電極間に設けられる有機発光層とを備える有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、有機発光層を形成する材料を含む塗布液を用いる塗布法により塗布膜を形成する塗布工程と、不活性ガスを含有する雰囲気または真空雰囲気において前記塗布膜を焼成する焼成工程と、前記第2の電極を形成する第2の電極形成工程とを含み、前記塗布膜を焼成した後、前記第2の電極形成工程が終わるまでの雰囲気を、不活性ガスを含有する雰囲気または真空雰囲気に保つことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【選択図】図1
Description
有機発光層を形成する材料を含む塗布液を用いる塗布法により塗布膜を形成する塗布工程と、
不活性ガスを含有する雰囲気または真空雰囲気において前記塗布膜を焼成する焼成工程と、
前記第2の電極を形成する第2の電極形成工程とを含み、
前記塗布膜を焼成した後、前記第2の電極形成工程が終わるまでの雰囲気を、不活性ガスを含有する雰囲気または真空雰囲気とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
また本発明は、前記焼成工程では、真空雰囲気において前記塗布膜を焼成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
また本発明は、前記塗布工程では、不活性ガスを含有する雰囲気において塗布膜を形成する、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
また本発明は、前記第2の電極形成工程では、前記有機発光層の表面上に第2の電極を形成する、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
また本発明は、前記焼成工程では、10Pa以下の真空雰囲気で前記塗布膜を焼成する、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
また本発明は、前記有機発光層を形成する材料が、高分子化合物を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
また本発明は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法によって製造された有機エレクトロルミネッセンス素子である。
また本発明は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を備える面状光源である。
また本発明は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を備える表示装置である。
また本発明は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を備える照明装置である。
<塗布工程>
有機発光層6を形成する材料を含む塗布液を用いる塗布法により塗布膜を形成する。具体的には正孔輸送層5の表面上に前記塗布液を塗布し、塗布膜を形成する。塗布膜を形成する際の雰囲気は、大気中でも、不活性ガスを含む雰囲気でもよく、有機EL素子の長寿命化の観点からは、不活性ガスを含む雰囲気が好ましい。不活性ガスとしては、ヘリウムガス、アルゴンガス、窒素ガス、およびこれらの混合ガスなどを挙げることができ、これらのなかでも素子作製の容易さ、および長寿命化の観点からは、窒素ガスが好ましい。これらの不活性ガスは、有機EL素子が形成される装置内に導入される。雰囲気中の不活性ガスの濃度は、体積比で通常99%以上であり、好ましくは、99.5%以上である。
<焼成工程>
次に不活性ガスを含有する雰囲気または真空雰囲気において塗布工程において形成した塗布膜を焼成する。有機EL素子の長寿命化の観点からは、真空雰囲気において焼成することが好ましい。
真空雰囲気において焼成を行う場合、真空度としては、通常10000Pa以下であり、100Pa以下が好ましく、さらに10Pa以下が好ましく、さらに0.1Pa以下が好ましく、特に0.001Pa以下が好ましい。
が好ましい。
電子ブロック層が電子の輸送を堰き止める機能を有することは、例えば、例えば電子電流のみを流す素子を作製することによって確認することができる。例えば電子ブロック層を備えず、電子電流のみを流す素子と、該素子に電子ブロック層を挿入した構成の素子とを作製し、電子ブロック層を備える素子の電流値の減少で、電子ブロック層が電子の輸送を堰き止める機能を示すことを確認できる。
a)陽極/発光層/陰極
b)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
c)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
d)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/陰極
e)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
f)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
g)陽極/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
h)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
i)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
j)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
k)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
l)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
m)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
n)陽極/発光層/電子注入層/陰極
o)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
p)陽極/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(ここで、記号「/」は、記号「/」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。)
有機EL素子は、2層以上の発光層を有していてもよい。a)〜p)に示す各構成において、陽極と陰極とに挟持される全層(1層のみの場合は、該層)を「繰り返し単位A」とすると、2層の発光層を有する有機EL素子としては、以下のq)に示す素子構成を挙げることができる。
q)陽極/(繰り返し単位A)/電荷発生層/(繰り返し単位A)/陰極
また「(繰り返し単位A)/電荷発生層」を「繰り返し単位B」とすると、3層以上の発光層を有する有機EL素子としては、具体的には、以下のr)に示す素子構成を挙げることができる。
r)陽極/(繰り返し単位B)x/(繰り返し単位A)/陰極
ここで、記号「x」は2以上の整数を表し、「(繰り返し単位B)x」は、(繰り返し単位B)を「x」段積層した構成を表す。電荷発生層とは電界を印加することにより、正孔と電子とが発生する層である。電荷発生層としては、例えば酸化バナジウム、インジウムスズ酸化物(Indium Tin Oxide:略称ITO)、酸化モリブデンなどから成る薄膜を挙げることができる。
基板は、有機EL素子を製造する工程において変化しないものが好適に用いられ、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、およびシリコン基板、並びにこれらを積層したものなどが用いられる。前記基板としては、市販のものが使用可能である。また公知の方法により基板を製造することもできる。なお基板から光を取出すいわゆるボトムエミッション型の有機EL素子では、基板は透光性を示すものが用いられるが、トップエミッション型の有機EL素子では、基板は透明でも不透明でもよい。
陽極は、陽極を通して発光層からの光を取出す構成の有機EL素子の場合、光透過性を示す透明電極が用いられる。このような電極としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物および金属などの薄膜を用いることができ、光透過率の高いものが好適に用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide:略称IZO)、金、白金、銀、および銅などから成る薄膜が用いられ、これらの中でもITO、IZO、または酸化スズから成る薄膜が好適に用いられる。陽極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法などを挙げることができる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
正孔注入層を構成する正孔注入材料としては、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、および酸化アルミニウムなどの酸化物や、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、アモルファスカーボン、ポリアニリン、およびポリチオフェン誘導体などを挙げることができる。
正孔輸送層を構成する正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)若しくはその誘導体、又はポリ(2,5−チエニレンビニレン)若しくはその誘導体などを挙げることができる。
発光層は、通常、主として蛍光及び/又はりん光を発光する有機物、または該有機物とこれを補助するドーパントとから形成される。ドーパントは、例えば発光効率の向上や、発光波長を変化させるために加えられる。なお、有機物は、低分子化合物でも高分子化合物でもよく、発光層は、ポリスチレン換算の数平均分子量が、103〜108である高分子化合物を含むことが好ましい。発光層を構成する発光材料としては、例えば以下の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料、ドーパント材料を挙げることができる。
発光層を形成する材料(発光材料)としては、溶媒に対する溶解性がよく、塗布法にて発光層を形成することが容易であることから、高分子化合物を含むことが好ましい。
(色素系材料)
色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体などを挙げることができる。
(金属錯体系材料)
金属錯体系材料としては、例えば中心金属に、Al、Zn、Beなど、またはTb、Eu、Dyなどの希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを有する金属錯体を挙げることができ、例えばイリジウム錯体、白金錯体などの三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体などを挙げることができる。
(高分子系材料)
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素系材料や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどを挙げることができる。
(ドーパント材料)
ドーパント材料としては、例えばペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどを挙げることができる。なお、このような発光層の厚さは、通常約2nm〜200nmである。
電子輸送層を構成する電子輸送材料としては、公知のものを使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は8−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などを挙げることができる。
電子注入層を構成する材料としては、発光層の種類に応じて最適な材料が適宜選択され、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属およびアルカリ土類金属のうちの1種類以上含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物、またはこれらの物質の混合物などを挙げることができる。アルカリ金属、アルカリ金属の酸化物、ハロゲン化物、および炭酸化物の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウムなどを挙げることができる。また、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウムなどを挙げることができる。電子注入層は、2層以上を積層した積層体で構成されてもよく、例えばLiF/Caなどを挙げることができる。電子注入層は、蒸着法、スパッタリング法、印刷法などにより形成される。電子注入層の膜厚としては、1nm〜1μm程度が好ましい。
陰極の材料としては、仕事関数が小さく、発光層への電子注入が容易で、電気伝導度の高い材料が好ましい。また陽極側から光を取出す有機EL素子では、発光層からの光を陰極で陽極側に反射するために、陰極の材料としては可視光反射率の高い材料が好ましい。陰極には、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属および周期表13族金属などを用いることができる。陰極の材料としては、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、前記金属のうちの2種以上の合金、前記金属のうちの1種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの1種以上との合金、またはグラファイト若しくはグラファイト層間化合物などが用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などを挙げることができる。また、陰極としては導電性金属酸化物および導電性有機物などから成る透明導電性電極を用いることができる。具体的には、導電性金属酸化物として酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、およびIZOを挙げることができ、導電性有機物としてポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などを挙げることができる。なお、陰極は、2層以上を積層した積層体で構成されていてもよい。なお、電子注入層が陰極として用いられる場合もある。
絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料などを挙げることができる。膜厚2nm以下の絶縁層を設けた有機EL素子としては、陰極に隣接して膜厚2nm以下の絶縁層を設けたもの、陽極に隣接して膜厚2nm以下の絶縁層を設けたものを挙げることができる。
(実施例1)
以下の構成の有機EL素子を作製した。
「ガラス基板/ITO(150nm)/Baytron P(65nm)/高分子化合物1(20nm)/高分子化合物2(65nm)/Ba(5nm)/Al(80nm)」
まずスパッタ法により厚みが150nmのITO膜(陽極)が形成されたガラス基板に、ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(スタルク社製;Baytron P)の懸濁液をスピンコート法により塗布し、厚みが65nmの塗布膜を成膜し、さらにホットプレート上で200℃、10分間乾燥することによって正孔注入層を得た。なお正孔注入層の形成は大気雰囲気中においておこなった。
比較例1では、発光層を形成した後、陰極を蒸着するまでの基板の雰囲気を実施例1とは異ならしたこと以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を形成した。具体的には、実施例1では、塗布膜を焼成し、発光層を得た後、窒素雰囲気中で10分間放置し、次に真空雰囲気で陰極を形成したが、比較例1では、塗布膜を焼成し、発光層を得た後、発光層が形成された基板を大気雰囲気に10分間曝した後に、真空雰囲気で陰極を形成した。
作製した有機EL素子を初期輝度8,000cd/m2で定電流駆動した際に、輝度が初期輝度の50%となるまでの時間(寿命)は、59時間であった。
(実施例2)
以下の構成の有機EL素子を作製した。
「ガラス基板/ITO(150nm)/Baytron P(65nm)/高分子化合物1(20nm)/高分子化合物2(65nm)/Ba(5nm)/Al(80nm)」
まずスパッタ法により厚みが150nmのITO膜(陽極)が形成されたガラス基板に、ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(スタルク社製;Baytron P)の懸濁液をスピンコート法により塗布し、厚みが65nmの塗布膜を成膜し、さらにホットプレート上で200℃、10分間乾燥することによって正孔注入層を得た。なお正孔注入層の形成は大気雰囲気中においておこなった。
(比較例2)
比較例2では、発光層を形成した後、陰極を蒸着するまでの基板の雰囲気を実施例2とは異ならしたこと以外は、実施例2と同様にして有機EL素子を形成した。具体的には、実施例2では、塗布膜を焼成し、発光層を得た後、窒素雰囲気中で10分間放置し、次に真空雰囲気で陰極を形成したが、比較例2では、塗布膜を焼成し、発光層を得た後、発光層が形成された基板を大気雰囲気に10分間曝した後に、真空雰囲気で陰極を形成した。
(実施例3)
以下の構成の有機EL素子を作製した。実施例3では、実施例1、2とは異なり、発光層の焼成を真空雰囲気ではなく窒素雰囲気において行った。
「ガラス基板/ITO(150nm)/Baytron P(65nm)/高分子化合物1(20nm)/高分子化合物2(65nm)/Ba(5nm)/Al(80nm)」
まずスパッタ法により厚みが150nmのITO膜(陽極)が形成されたガラス基板に、ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(スタルク社製;Baytron P)の懸濁液をスピンコート法により塗布し、厚みが65nmの塗布膜を成膜し、さらにホットプレート上で200℃、10分間乾燥することによって正孔注入層を得た。なお正孔注入層の形成は大気雰囲気中においておこなった。
(実施例4)
以下の構成の有機EL素子を作製した。実施例4では、実施例1、2とは異なり、発光層の焼成を真空雰囲気ではなく窒素雰囲気において行った。
「ガラス基板/ITO(150nm)/Baytron P(65nm)/高分子化合物1(20nm)/高分子化合物2(65nm)/Ba(5nm)/Al(80nm)」
まずスパッタ法により厚みが150nmのITO膜(陽極)が形成されたガラス基板に、ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(スタルク社製;Baytron P)の懸濁液をスピンコート法により塗布し、厚みが65nmの塗布膜を成膜し、さらにホットプレート上で200℃、10分間乾燥することによって正孔注入層を得た。なお正孔注入層の形成は大気雰囲気中においておこなった。
下記構造式で表される2つの繰り返し単位を含む高分子化合物3を以下のようにして合成した。
不活性雰囲気下、2,7−ビス(1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)−9,9−ジオクチルフルオレン(5.20g)、ビス(4−ブロモフェニル)−(4−セカンダリブチルフェニル)−アミン(0.14g)、酢酸パラジウム(2.2mg)、トリ(2−メチルフェニル)ホスフィン(15.1mg)、Aliquat336(0.91g,アルドリッチ製)、トルエン(70ml)を混合し、105℃に加熱した。この反応溶液に2M Na2CO3水溶液(19ml)を滴下し、4時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸(121mg)を加え、さらに3時間還流させた。次いでジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え80℃で4時間撹拌した。冷却後、水(60ml)で3回、3%酢酸水溶液(60ml)で3回、水(60ml)で3回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール(3L)に滴下し、3時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物3の収量は5.25gであった。
2 基板
3 陽極
4 正孔注入層
5 正孔輸送層
6 発光層
7 陰極
Claims (10)
- 第1の電極と、該第1の電極よりも後に形成される第2の電極と、第1および第2の電極間に設けられる有機発光層とを備える有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
有機発光層を形成する材料を含む塗布液を用いる塗布法により塗布膜を形成する塗布工程と、
不活性ガスを含有する雰囲気または真空雰囲気において前記塗布膜を焼成する焼成工程と、
前記第2の電極を形成する第2の電極形成工程とを含み、
前記塗布膜を焼成した後、前記第2の電極形成工程が終わるまでの雰囲気を、不活性ガスを含有する雰囲気または真空雰囲気とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記焼成工程では、真空雰囲気において前記塗布膜を焼成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記塗布工程では、不活性ガスを含有する雰囲気において塗布膜を形成する、請求項1または2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記第2の電極形成工程では、前記有機発光層の表面上に第2の電極を形成する、請求項1〜3のいずれか1つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記焼成工程では、10Pa以下の真空雰囲気で前記塗布膜を焼成する、請求項1〜4のいずれか1つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記有機発光層を形成する材料が、高分子化合物を含む、請求項1〜5のいずれか1つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 請求項1〜6のいずれか1つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法によって製造された有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項7記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える面状光源。
- 請求項7記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える表示装置。
- 請求項7記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える照明装置。
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