[go: up one dir, main page]

CN102132629A - 有机电致发光元件及其制备方法 - Google Patents

有机电致发光元件及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102132629A
CN102132629A CN2009801334505A CN200980133450A CN102132629A CN 102132629 A CN102132629 A CN 102132629A CN 2009801334505 A CN2009801334505 A CN 2009801334505A CN 200980133450 A CN200980133450 A CN 200980133450A CN 102132629 A CN102132629 A CN 102132629A
Authority
CN
China
Prior art keywords
derivatives
layer
light
organic
atmosphere
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2009801334505A
Other languages
English (en)
Inventor
岩崎正刚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co Ltd filed Critical Sumitomo Chemical Co Ltd
Publication of CN102132629A publication Critical patent/CN102132629A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/114—Poly-phenylenevinylene; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明要解决的问题是延长有机EL元件的辉度半衰期。用于解决该问题的手段是一种用于制备有机电致发光元件的方法，所述有机电致发光元件包括首先形成的第一电极，稍后形成的第二电极和在所述第一电极和所述第二电极之间形成的发光层，所述方法包括下列步骤：对位于下方的层的表面涂敷含有发光有机材料的溶液，以形成涂敷膜；将所述涂敷膜在惰性气体气氛中或在真空气氛中煅烧以形成发光层；将所形成的发光层的周围环境保持在惰性气体气氛中或真空气氛中；和在惰性气体气氛中或在真空气氛中形成位于所述发光层上的层。

Description

有机电致发光元件及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光元件，用于制备其的方法，面状光源，照明装置和显示装置。
背景技术
有机电致发光(以下，有时称为“有机EL”)元件通过包括阳极、阴极和含有发光有机材料的有机发光层而构成。当对有机EL元件施加电压时，从阳极注入空穴并且从阴极注入电子，然后注入的空穴和电子在发光层中再结合，从而有机EL元件发光。
有机EL元件具有的优点在于，它们的制备步骤简单并且它们可以容易地提供大的面积，原因在于有机层如发光层可以通过涂敷方法形成。具体地，有机发光层可以通过下列方法形成：涂敷含有发光有机材料的有机溶液以形成膜，然后将形成的涂敷膜煅烧。例如，对于常规有机EL元件，通过下列方法形成有机发光层：在氮气气氛中进行涂敷膜的煅烧，并且在转移到真空沉积机以后，形成阴极(参见例如，专利文件1)。
专利文件1：日本专利公布出版物2005-259720
发明内容
本发明要解决的问题
然而，常规有机EL元件不一定具有足有的发光持续时间。
于是，本发明的目的是延长有机EL元件的发光持续时间，特别是辉度半衰期。
解决问题的手段
本发明提供一种用于制备有机电致发光元件的方法，所述有机电致发光元件包括首先形成的第一电极，稍后形成的第二电极和在所述第一电极和所述第二电极之间形成的发光层，所述方法包括下列步骤：
对位于下方的层的表面涂敷含有发光有机材料的溶液，以形成涂敷膜；
将所述涂敷膜在惰性气体气氛中或在真空气氛中煅烧以形成发光层；
将所形成的发光层的周围环境保持在惰性气体气氛中或在真空气氛中；和
在惰性气体气氛中或在真空气氛中形成位于所述发光层上的层。
在一个实施方案中，涂敷含有发光有机材料的溶液以形成涂敷膜的步骤在惰性气体气氛中进行。
在一个实施方案中，煅烧所述涂敷膜以形成发光层的步骤在真空气氛中进行。
在一个实施方案中，还包括下列步骤：在形成位于发光层上的层以后、在形成第二电极以前，在将包括位于发光层上的层的要形成的层的周围环境保持在惰性气体气氛中或真空气氛中的同时，在惰性气体气氛中或在真空气氛中形成层。
在一个实施方案中，位于上述有机发光层上的层为第二电极。
在一个实施方案中，上述发光有机材料包含发光大分子化合物。
在一个实施方案中，所述发光大分子化合物为选自由下列组成的组中的至少一种类型：聚对亚苯基亚乙烯基(polyparaphenylene vinylene)衍生物，聚噻吩衍生物，聚对亚苯基衍生物，聚硅烷衍生物，聚乙炔衍生物，聚芴衍生物和聚乙烯基咔唑衍生物。
在一个实施方案中，所述发光大分子化合物为选自由下列组成的组中的至少一种类型：作为发射蓝光的材料的聚乙烯基咔唑衍生物，聚对亚苯基衍生物和聚芴衍生物；作为发射绿光的材料的聚对亚苯基亚乙烯基衍生物和聚芴衍生物；作为发射红光的材料的聚对亚苯基亚乙烯基衍生物，聚噻吩衍生物和聚芴衍生物。
在一个实施方案中，在涂敷含有发光有机材料的溶液以形成涂敷膜的步骤之前，作为形成位于发光层下方的层的方法，还包括下列步骤：
将含有功能有机材料的溶液涂敷到位于下方的层的表面上，以形成涂敷膜；和
将所述涂敷膜在惰性气体气氛中或在真空气氛中煅烧，以形成功能层。
在一个实施方案中，还包括下列步骤：将所形成的功能层的周围环境保持在惰性气体气氛中或真空气氛中。
在一个实施方案中，第一电极为阳极，第二电极为阴极，并且上述功能有机材料含有空穴输送大分子化合物。
在一个实施方案中，上述空穴输送大分子化合物是选自由下列组成的组中的至少一种类型：聚乙烯基咔唑或其衍生物，聚硅烷或其衍生物，在其侧链或主链中具有芳族胺化合物基团的聚硅氧烷衍生物，聚苯胺或其衍生物，聚噻吩或其衍生物，聚芳胺或其衍生物，聚(对亚苯基亚乙烯基)或其衍生物，和聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物。
而且，本发明提供一种通过以上所述用于制备有机电致发光元件的方法中的任一种制备的有机电致发光元件。
而且，本发明提供各自包括上述有机电致发光元件的面状光源，显示装置或照明装置。
发明效果
根据本发明，获得了具有长的辉度半衰期的有机EL元件。而且，通过配备具有长的元件寿命的有机EL元件，获得了在寿命特性方面良好的面状光源，照明装置和显示装置。
实施本发明的最佳方式
有机EL元件通常具有：第一电极，所述第一电极安置在基板上并且首先形成；第二电极，所述第二电极稍后形成；和有机发光层，所述有机发光层在第一电极和第二电极之间形成。第一电极是阳极和阴极中的一个，第二电极是阳极和阴极中的另一个，并且当在基板2上形成有机EL元件时，第一电极通常是比第二电极更接近基板2布置的。
图1是示意性显示作为本发明一个实施方案的有机EL元件的结构的截面图。在此有机EL元件中，第一电极为阳极3，第二电极为阴极7，并且有机发光层6安置在阳极3和阴极7之间。如以下所述，根据需要在阳极3和有机发光层6之间和/或在有机发光层6和阴极7之间安置规定的层。在此实施方案中，在阳极3和有机发光层6之间安置空穴注入层4和空穴输送层5。即，以下列方式构造此实施方案的有机EL元件1：将阳极3，空穴注入层4，空穴输送层5，有机发光层6和阴极7从基板2以此顺序层压。
在本说明书中，在基板2的厚度方向上的一侧(图1中的上侧)可以称为上侧或上部，而在基板2的厚度方向上的另一侧(图1中的下侧)可以称为下侧或下部。即，在形成有机EL元件的多个层的位置关系中，将较早形成的层表达为下部，而将稍后形成的层表达为上部。
有机EL元件1通过在基板2上逐个层压阳极3，空穴注入层4，空穴输送层5，有机发光层6和阴极7而制备。以下，通过采取图1中所示的有机EL元件作为实例描述用于制备有机EL元件1的方法。
首先，制备基板2。接着，在基板2上形成阳极3。可以制备其上已经形成有阳极3的基板2。接着，在阳极3上逐个层压空穴注入层4和空穴输送层5。以下描述基板2，阳极3，空穴注入层4和空穴输送层5的材料等的细节。
接着，形成有机发光层6。
<涂敷步骤>
通过使用含有用于形成有机发光层6的材料如发光有机材料的涂敷液的涂敷方法在空穴输送层5上形成涂敷膜。具体地，将上述涂敷液涂敷到空穴输送层5的表面上，从而形成涂敷膜。其中形成涂敷膜的气氛可以是空气或含有惰性气体的气氛，并且考虑到增加有机EL元件的寿命，优选含有惰性气体的气氛。惰性气体的实例包括氦气，氩气，氮气和它们的混合气体，并且考虑到元件制备的容易性和增加寿命，在它们中优选氮气。将这种惰性气体引入到其中形成有机EL元件的设备中。惰性气体在气氛中以体积比计的浓度通常为99％以上，并且优选为99.5％以上。
<煅烧步骤>
接着，将在涂敷步骤中形成的涂敷膜在含有惰性气体的气氛或真空气氛中煅烧。考虑到增加有机EL元件的寿命，优选在真空气氛中煅烧涂敷膜。
当在真空气氛中进行煅烧时，真空度通常为10000Pa以下，优选100Pa以下，更优选10Pa以下，再更优选0.1Pa以下，并且特别优选0.001Pa以下。
由于特别在真空气氛中以这样的方式通过煅烧进行涂敷膜的溶剂残留物、水分和氧的移除，可以得到具有长的元件寿命的有机EL元件。
当在含有惰性气体的气氛中进行煅烧时，惰性气体的实例包括氦气，氩气，氮气和它们的混合气体，并且考虑到元件制备的容易性和增加寿命，在它们中优选氮气。将这种惰性气体引入到其中形成有机EL元件的设备中。惰性气体在气氛中以体积比计的浓度通常为99％以上，并且优选为99.5％以上。通过此煅烧步骤移除涂敷膜中含有的溶剂，从而形成有机发光层6。
考虑到元件的发光特征和寿命特征，优选在50℃至250℃范围内的温度进行煅烧。根据涂敷膜的组分适当地选择煅烧时间，例如，煅烧时间通常为约5分钟至约2小时。
在此实施方案中，在形成有机发光层6以后，在有机发光层6上形成阴极7。从完成涂敷膜的煅烧时至完成阴极7的形成，使用含有惰性气体的气氛或真空气氛作为要使用的气氛。具体地，将所形成的有机发光层6的周围环境保持在惰性气体气氛或真空气氛中，然后在惰性气体气氛或真空气氛中形成阴极7。
考虑到延长有机EL元件的寿命，从完成涂敷层的煅烧至完成阴极7的形成要使用的气氛优选为真空气氛。
当从完成涂敷层的煅烧至完成阴极7的形成要使用的气氛由真空气氛构成时，真空度通常为10000Pa以下，优选100Pa以下，更优选10Pa以下，再更优选0.1Pa以下，并且特别优选0.001Pa以下。
当从完成涂敷层的煅烧至完成阴极7的形成要使用的气氛由含有惰性气体的气氛构成时，惰性气体的实例包括氦气，氩气，氮气和它们的混合气体，并且考虑到元件制备的容易性和增加寿命，在它们中优选氮气。将这种惰性气体引入到其中形成有机EL元件的设备中。惰性气体在气氛中以体积比计的浓度通常为99％以上，并且优选为99.5％以上。
在常规技术中，由于认为煅烧的有机发光层6是稳定的，因而不认为元件的寿命通过有机发光层6暴露于空气而缩短。因此，例如，在通过真空沉积形成阴极7的情况下，当将其上已经形成有有机发光层6的基板转移到真空沉积机时，有机发光层6暴露于空气。然而，本发明人已经发现，元件的寿命在有机发光层6暴露于空气的情况下缩短。因此，在此实施方案中，将含有惰性气体的气氛或真空气氛用作用于从完成涂敷膜的煅烧时至完成阴极7形成的气氛，从而在没有将有机发光层6暴露于空气的情况下形成阴极7，因而实现了有机EL元件的寿命增加。
如上所述，通过在自经由煅烧步骤形成有机发光层6以后保持真空气氛或惰性气体气氛的同时形成阴极7，可以获得具有长的元件寿命的有机EL元件1。
尽管以下描述用于形成空穴注入层4和空穴输送层5的方法，但是在通过涂敷方法形成所述层中的每一层的情况下，优选在与其中形成有机发光层6的气氛相同的气氛中形成所述层中的每一层。具体地，通过在与其中形成有机发光层6的气氛相同的气氛中形成有机发光层6的下一层(在此实施方案中，空穴输送层5)，可以得到已经从其完全移除了涂敷膜的溶剂残余物、水分和氧的空穴输送层5，并且可以减小有机发光层的下一层随着时间带给有机发光层6的不利作用，因此，可以获得具有长的元件寿命的有机EL元件。而且，在此情况下，从在阳极3上形成规定层(在此实施方案中，空穴注入层4)至形成阴极7，优选使用真空气氛或惰性气体气氛作为要使用的气氛，并且这使得可以获得具有长的元件寿命的有机EL元件。
尽管在此实施方案中形成有机发光层6和阴极7，使得它们彼此接触，但是在另一个实施方案中，可以在有机发光层和阴极之间安置功能层，例如电子注入层，电子输送层和空穴阻挡层。在这样的实施方案中，将所形成的有机发光层的周围环境保持在惰性气体气氛或真空气氛中，然后在惰性气体气氛或真空气氛中形成位于有机发光层上的层。因而，通过在不将有机发光层等暴露于空气的情况下形成阴极，可以制备具有长的元件寿命的有机EL元件。
然后，可以在保持要形成的层(包括位于发光层上的层)的周围环境处于惰性气体气氛或真空气氛中的同时，在惰性气体气氛中或真空气氛中进行层的形成，直至形成第二电极。
有机EL元件不限于图1中所示的此实施方案的元件构造，并且可以具有各种元件构造。以下，更详细地描述可以应用本发明的有机EL元件的元件构造以及每一个构成要素。
如上所述，功能层可以根据需要安置在有机发光层和阳极之间以及有机发光层和阴极之间。功能层是指不直接参与发光并且具有改进元件特性如电荷注入和输送的功能的层。例如，空穴注入层，空穴输送层，空穴阻挡层，电子注入层，电子输送层和电子阻挡层对应于功能层。
要在阴极和发光层之间安置的层的实例包括电子注入层，电子输送层，空穴阻挡层等。当在阴极和发光层之间安置两个功能层时，与阴极接触的层称为电子注入层，而除该电子注入层以外的层可以称为电子输送层。电子注入层是具有改进来自阴极的电子注入效率的功能的层。电子输送层是具有改进来自阴极、电子注入层或更靠近阴极的电子输送层的电子注入的功能的层。空穴阻挡层是具有阻挡空穴输送的功能的层。当电子注入层和/或电子输送层具有阻挡空穴输送的功能时，这些层还可以起到空穴阻挡层的作用。
例如，通过制备仅允许空穴电流通过的元件，可以确认，空穴阻挡层具有阻挡空穴输送的功能。例如，通过制备不具有空穴阻挡层并且仅允许空穴电流流动的元件和具有其中已经将空穴阻挡层插入到前述元件中的构造的元件，并且检测具有空穴阻挡层的元件的电流值减小，可以确认，空穴阻挡层表现出阻挡空穴输送的功能。
要在阳极和发光层之间安置的层的实例包括空穴注入层，空穴输送层和电子阻挡层。当在阳极和发光层之间安置两个功能层时，与阳极接触的层可以称为空穴注入层，而除该空穴注入层以外的层可以称为空穴输送层。
空穴注入层是具有改进来自阳极的空穴注入效率的功能的层。空穴输送层是具有改进来自阳极、空穴注入层或更靠近阳极的空穴输送层的空穴注入的功能的层。电子阻挡层是具有阻挡电子输送的功能的层。当空穴注入层和/或空穴输送层具有阻挡电子输送的功能时，这些层还可以起到电子阻挡层的作用。
例如，通过制备仅允许电子电流通过的元件，可以确认，电子阻挡层具有阻挡电子输送的功能。例如，通过制备不具有电子阻挡层并且仅允许电子电流流动的元件，以及具有其中已经将电子阻挡层插入到前述元件中的构造的元件，并且检测具有电子阻挡层的元件的电流值减小，可以确认，电子阻挡层表现出阻挡电子输送的功能。
有机EL元件可以具有的元件构造的实例提供如下：
a)阳极/发光层/阴极
b)阳极/空穴注入层/发光层/阴极
c)阳极/空穴注入层/发光层/电子注入层/阴极
d)阳极/空穴注入层/发光层/电子输送层/阴极
e)阳极/空穴注入层/发光层/电子输送层/电子注入层/阴极
f)阳极/空穴输送层/发光层/阴极
g)阳极/空穴输送层/发光层/电子注入层/阴极
h)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极
i)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/电子注入层/阴极
j)阳极/空穴注入层/空穴输送层/发光层/阴极
k)阳极/空穴注入层/空穴输送层/发光层/电子注入层/阴极
l)阳极/空穴注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极
m)阳极/空穴注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/电子注入层/阴极
n)阳极/发光层/电子注入层/阴极
o)阳极/发光层/电子输送层/阴极
p)阳极/发光层/电子输送层/电子注入层/阴极
(在本文中，符号“/”是指夹住符号“/”的层彼此紧邻层压，并且这适用于以下内容)。
有机EL元件可以具有两个以上的发光层。当在a)至p)中提供的各个构造中将被阳极和阴极夹在中间的所有层(在仅一个层的情况下，是指该层)共同地由“重复单元A”表示时，具有两个发光层的有机EL元件可以具有在以下q)中给出的元件构造：
q)阳极/(重复单元A)/电荷产生层/(重复单元A)/阴极。
如果“(重复单元A)/电荷产生层”由“重复单元B”表示，则具有三个以上发光层的有机EL元件可以特别地具有在下列r)中表示的元件构造：
r)阳极/(重复单元B)x/(重复单元A)/阴极。
在本文中，符号“x”表示2以上的整数，并且符号“(重复单元B)x”表示其中(重复单元B)已经被以“x”层形式层压的构造。电荷产生层是其中通过施加电场而产生空穴和电子的层。电荷产生层的实例包括由氧化钒，氧化锡铟(缩写为ITO)，氧化钼等制成的薄膜。
为了取出在此实施方案的有机EL元件内产生的光，将相对于发光层安置在要取出光的侧面上的元件的所有层都配置成透明的。关于透明程度，介于在要取出光的侧面上的有机EL元件的最外表面和发光层之间的可见光透射率优选为40％以上。在需要发射在紫外区域或红外区域中的光的有机EL元件的情况下，优选表现出40％以上的在该区域中的透光率的元件。
此实施方案的有机EL元件还可以邻接电极安置有厚度为2nm以下的绝缘层，以改进对电极的粘附性或改进来自电极的电荷注入性质。为了改进粘附性或防止在界面混合的目的，可以在上述层之间插入薄缓冲层。
通过考虑发光效率和元件寿命可以适当地确定要层压的层的顺序，层的数量和每一个层的厚度。
接着，更具体地描述构成有机EL元件的各个层的材料和形成方法。
<基板>
适当地使用在制备有机EL元件的步骤期间没有变化的基板，并且使用例如玻璃，塑料，大分子膜，硅基板和它们的层压体。作为基板，可以使用可商购的产品。基板还可以通过已知方法制备。表现出半透明性的基板用于从有机EL元件的基板取出光的所谓的底部发射型有机EL元件，而在顶部发射型有机EL元件中，基板可以是透明的或不透明的。
<阳极>
关于阳极，在有机EL元件具有通过阳极从发光层取出光的这种构造的情况下，使用表现出光透过性的透明电极。可以将导电性高的金属氧化物、金属硫化物、金属等的薄膜用作这种电极，并且适当地使用透光率高的材料。具体地，使用由下列各项组成的膜：氧化铟，氧化锌，氧化锡，ITO，氧化锌铟(缩写为IZO)，金，铂，银，铜等，并且在这些中，适当地使用由ITO、IZO或氧化锡组成的薄膜。用于制备阳极的方法的实例包括真空沉积法，溅射法，离子镀敷法和镀敷法。而且，还可以将聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等的有机透明导电膜用作阳极。
对于阳极，还可以使用反射光的材料，并且优选功函为3.0eV以上的金属，金属氧化物和金属硫化物作为该材料。
阳极的厚度可以通过考虑光透过性和导电性而适当地确定，并且阳极的厚度例如为10nm至10μm，优选20nm至1μm，并且更优选50nm至500nm。
<空穴注入层>
构成空穴注入层的空穴注入材料的实例包括氧化物如氧化钒，氧化钼，氧化钌和氧化铝，基于苯胺，基于星爆(starburst)型胺，基于酞菁，无定形碳，聚苯胺，和聚噻吩衍生物。
用于空穴注入层的成膜的方法的实例包括从含有空穴注入材料的溶液成膜，并且考虑到延长寿命，优选在与形成上述有机发光层的气氛相同的气氛中成膜。对要用于从溶液成膜的溶剂没有具体限制，只要所述溶剂是溶解空穴注入材料的溶剂即可，并且其实例包括氯基溶剂，例如氯仿，二氯甲烷和二氯乙烷；醚基溶剂，例如四氢呋喃；芳族烃基溶剂，例如甲苯和二甲苯；酮基溶剂，例如丙酮和甲基乙基酮；酯基溶剂，例如乙酸乙酯，乙酸丁酯和乙基溶纤剂乙酸酯；醇基溶剂，例如异丙醇；和水，并且还可以使用它们的混合物。
从溶液成膜的方法的实例包括涂敷法，例如旋涂法，流延法，喷嘴涂布法，微凹版印刷涂布法，凹版印刷涂布法，棒涂法，辊涂法，线棒(wire bar)涂布法，浸涂法，喷涂法，丝网印刷法，柔性版印刷法，胶版印刷法，和喷墨印刷法。
关于空穴注入层的厚度，其最佳值取决于要使用的材料而变化，并且适当地确定厚度，使得驱动电压和发光效率可以变为适度值，并且需要不形成针孔的厚度。如果厚度过大，则元件的驱动电压变高，因而不是优选的。因此，空穴注入层的厚度为例如1nm至1μm，优选2nm至500nm，并且更优选5nm至200nm。
<空穴输送层>
构成空穴输送层的材料(空穴输送材料)优选含有大分子化合物，因为它在溶剂中的溶解度良好并且容易通过涂敷方法形成空穴输送层。
构成空穴输送层的空穴输送材料的实例包括聚乙烯基咔唑或其衍生物，聚硅烷或其衍生物，在它们的侧链或主链中具有芳族胺的聚硅氧烷衍生物，吡唑啉衍生物，芳胺衍生物，均二苯代乙烯衍生物，三苯基二胺衍生物，聚苯胺或其衍生物，聚噻吩或其衍生物，聚芳胺或其衍生物，聚吡咯或其衍生物，聚(对亚苯基亚乙烯基)或其衍生物，或聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物。
在这些中，大分子空穴输送材料如聚乙烯基咔唑或其衍生物，聚硅烷或其衍生物，在它们的侧链或主链中具有芳族胺化合物基团的聚硅氧烷衍生物，聚苯胺或其衍生物，聚噻吩或其衍生物，聚芳胺或其衍生物，聚(对亚苯基亚乙烯基)或其衍生物，或聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物优选作为空穴输送材料，并且更优选聚乙烯基咔唑或其衍生物，聚硅烷或其衍生物，和在它们的侧链或主链中具有芳族胺的聚硅氧烷衍生物。在低分子空穴输送材料的情况下，优选通过将该材料分散在大分子粘合剂中而使用。
用于空穴输送层的成膜的方法的实例包括但不特别限于：在低分子空穴输送材料的情况下，从含有大分子粘合剂和空穴输送材料的混合液成膜；和在大分子空穴输送材料的情况下，从含有空穴输送材料的溶液成膜。
用于从溶液成膜的溶剂不受特别限制，只要所述溶剂是溶解空穴输送材料的溶剂即可，并且其实例包括氯基溶剂，例如氯仿，二氯甲烷和二氯乙烷；醚基溶剂，例如四氢呋喃；芳族烃基溶剂，例如甲苯和二甲苯；酮基溶剂，例如丙酮和甲基乙基酮；酯基溶剂，例如乙酸乙酯，乙酸丁酯和乙基溶纤剂乙酸酯；并且还可以使用它们的混合物。
从溶液成膜的方法的实例包括与用于空穴注入层成膜的上述方法的那些涂敷方法相同的涂敷方法，并且考虑到延长寿命，优选在与形成上述有机发光层的气氛相同的气氛中成膜。
作为要混合的大分子粘合剂，优选不过分抑制电荷输送的粘合剂，并且优选使用表现出对可见光的弱吸收的粘合剂，并且其实例包括聚碳酸酯，聚丙烯酸酯，聚丙烯酸甲酯，聚甲基丙烯酸甲酯，聚苯乙烯，聚氯乙烯和聚硅氧烷。
关于空穴输送层的厚度，其最佳值取决于要使用的材料而变化，并且适当地确定厚度，使得驱动电压和发光效率可以变为适度值，并且需要不形成针孔的厚度。如果厚度过大，则元件的驱动电压变高，因而不是优选的。因此，空穴输送层的厚度为例如1nm至1μm，优选2nm至500nm，并且更优选5nm至200nm。
<发光层>
发光层通常主要由发射荧光和/或磷光的有机物质，或辅助所述有机物质的有机物质和掺杂剂形成。添加掺杂剂以例如改进发光效率或改变发光波长。有机物质可以是低分子化合物或大分子化合物，并且发光层优选含有聚苯乙烯当量数均分子量为103至108的大分子化合物。构成发光层的发光材料的实例包括下列染料基材料，金属配合物基材料，大分子基材料和掺杂剂材料。
形成发光层的材料(发光材料)优选含有大分子化合物，因为它在溶剂中的溶解度良好并且容易通过涂敷方法形成发光层。
(染料基材料)
染料基材料的实例包括环戊胺(cyclopendamine)衍生物，四苯基丁二烯衍生物化合物，三苯胺衍生物，二唑衍生物，吡唑并喹啉衍生物，二苯乙烯基苯衍生物，二苯乙烯基亚芳基(distyrylarylene)衍生物，吡咯衍生物，噻吩环化合物，吡啶环化合物，紫环酮(perinone)衍生物，苝衍生物，低聚噻吩(oligothiophene)衍生物，trifumanylamine衍生物，二唑二聚体，吡唑啉二聚体，喹吖啶酮衍生物和香豆素衍生物。
(金属配合物基材料)
金属配合物基材料的实例包括具有Al，Zn，Be等或稀土金属如Tb，Eu和Dy作为中心金属以及二唑结构，噻二唑结构，苯基吡啶(pheylpyridine)结构，苯基苯并吡唑(pheylbenzoimidazole)结构，喹啉结构等作为配体的金属配合物，并且其实例包括具有来自三重激发态发光的金属配合物，例如铱配合物和铂配合物，铝羟基喹啉(alumiquinolinol)配合物，苯并羟基喹啉合铍(benzoquinolinol beryllium)配合物，苯并
Figure BPA00001320462900132
唑合锌(benzooxazolyl zinc)配合物，苯并噻唑合锌配合物，偶氮甲基合锌配合物，卟啉合锌配合物和铕配合物。
(大分子基材料)
大分子基材料的实例包括聚对亚苯基亚乙烯基衍生物，聚噻吩衍生物，聚对亚苯基衍生物，聚硅烷衍生物，聚乙炔衍生物，聚芴衍生物，聚乙烯基咔唑衍生物，和通过聚合上述染料基材料或金属配合物基发光材料制备的产物。
在上述发光材料中，发射蓝光的材料的实例包括二苯乙烯基亚芳基(distyrylarylene)衍生物，
Figure BPA00001320462900133
二唑衍生物，和它们的聚合物，聚乙烯基咔唑衍生物，聚对亚苯基衍生物和聚芴衍生物。特别地，优选作为大分子材料的聚乙烯基咔唑衍生物，聚对亚苯基衍生物和聚芴衍生物。
发射绿光的材料的实例包括喹吖啶酮衍生物，香豆素衍生物，和它们的聚合物，聚对亚苯基亚乙烯基衍生物和聚芴衍生物。特别地，优选作为大分子材料的聚对亚苯基亚乙烯基衍生物和聚芴衍生物。
发射红光的材料的实例包括香豆素衍生物，噻吩环化合物，和它们的聚合物，聚对亚苯基亚乙烯基衍生物，聚噻吩衍生物和聚芴衍生物。特别地，优选作为大分子材料的聚对亚苯基亚乙烯基衍生物，聚噻吩衍生物和聚芴衍生物。
(掺杂剂材料)
掺杂剂材料的实例包括苝衍生物，香豆素衍生物，红荧烯衍生物，喹吖啶酮衍生物，squarium衍生物，卟啉衍生物，基于苯乙烯基的衍生物，并四苯衍生物，吡唑啉酮衍生物，十环烯和吩
Figure BPA00001320462900141
嗪酮。这样的发光层的厚度通常为约2nm至200nm。
关于用于发光层成膜的方法，所述层是通过从含有如上所述的发光材料的溶液成膜而形成的。要用于从溶液成膜的溶剂的实例包括与如上所述用于从溶液进行空穴输送层成膜的那些溶剂相同的溶剂。
用于涂敷含有发光材料的溶液的方法的实例包括涂布法，例如旋涂法，流延法，微凹版印刷涂布法，凹版印刷涂布法，棒涂法，辊涂法，线棒涂布法，浸涂法，狭缝涂布法，毛细管涂布法，喷涂法和喷嘴涂布法；和涂敷方法，例如凹版印刷法，丝网印刷法，柔性版印刷法，胶版印刷法，反转印刷法和喷墨印刷法。由于容易进行图案形成或多色涂敷，优选印刷方法，例如凹版印刷法，丝网印刷法，柔性版印刷法，胶版印刷法，反转印刷法和喷墨印刷法。
<电子输送层>
可以将已知材料用作构成电子输送层的电子输送材料，并且其实例包括
Figure BPA00001320462900142
二唑衍生物，蒽醌二甲烷(anthraquinodimethane)或其衍生物，苯醌或其衍生物，萘醌或其衍生物，蒽醌或其衍生物，四氰基蒽醌二甲烷(tetracyanoanthraquinodimethane)或其衍生物，芴酮衍生物，二苯基二氰基乙烯或其衍生物，二苯酚合苯醌(diphenoquinone)衍生物，或8-羟基喹啉或其衍生物的金属配合物，聚喹啉或其衍生物，聚喹喔啉或其衍生物和聚芴或其衍生物。
在这些中，作为电子输送材料，优选
Figure BPA00001320462900143
二唑衍生物，苯醌或其衍生物，蒽醌或其衍生物，或8-羟基喹啉或其衍生物的金属配合物，聚喹啉或其衍生物，聚喹喔啉或其衍生物和聚芴或其衍生物，并且更优选2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-
Figure BPA00001320462900144
二唑，苯醌，蒽醌，三(8-羟基喹啉)合铝和聚喹啉。
用于形成电子输送层的方法的实例包括但不特别限于：在低分子电子输送材料的情况下，从粉末的真空气相沉积法或从溶液或熔融状态的成膜；和在大分子电子输送材料的情况下，从溶液或熔融状态的成膜。当从溶液或熔融状态成膜时，可以一起使用大分子粘合剂。用于从溶液形成电子输送层的方法的实例包括与如上所述从溶液进行空穴输送层成膜的那些方法相同的成膜方法，并且优选在与形成上述有机发光层的气氛相同的气氛中形成膜。
关于电子输送层的厚度，其最佳值取决于要使用的材料而变化，并且适当地确定厚度，使得驱动电压和发光效率可以变为适度值，并且需要不形成针孔的厚度。如果厚度过大，则元件的驱动电压变高，因而不是优选的。因此，电子输送层的厚度为例如1nm至1μm，优选2nm至500nm，并且更优选5nm至200nm。
<电子注入层>
根据发光层的种类，适当地选择最佳材料作为构成电子注入层的材料，并且其实例包括碱金属，碱土金属，含有一种以上的碱金属和碱土金属的合金，以及碱金属或碱土金属的氧化物，卤化物和碳酸盐，或这些物质的混合物。碱金属和碱金属的氧化物，卤化物和碳酸盐的实例包括锂，钠，钾，铷，铯，氧化锂，氟化锂，氧化钠，氟化钠，氧化钾，氟化钾，氧化铷，氟化铷，氧化铯，氟化铯和碳酸锂。碱土金属和碱土金属的氧化物，卤化物和碳酸盐的实例包括镁，钙，钡，锶，氧化镁，氟化镁，氧化钙，氟化钙，氧化钡，氟化钡，氧化锶，氟化锶和碳酸镁。电子注入层可以由其中将两个以上的层层压的层叠体，并且其实例包括LiF/Ca。电子注入层通过真空沉积法，溅射法，印刷法等形成。
电子注入层的厚度优选为约1nm至约1μm。
<阴极>
阴极的材料优选为具有小的功函，容易将电子注入到发光层中，并且具有高的导电性的材料。对于其中从阳极侧取出光的这种有机EL元件，阴极的材料优选为可见光反射率高的材料，以在阴极上将来自发光层的光朝向阳极侧反射。对于阴极，可以使用例如碱金属，碱土金属，过渡金属，和周期表的第13族的金属。作为阴极的材料，使用金属如锂，钠，钾，铷，铯，铍，镁，钙，锶，钡，铝，钪，钒，锌，钇，铟，铈，钐，铕，铽和镱，两种以上上述金属的合金，一种以上上述金属和一种以上选自金，银，铂，铜，锰，钛，钴，镍，钨和锡的金属的合金，或石墨或石墨层间化合物等。合金的实例包括镁-银合金，镁-铟合金，镁-铝合金，铟-银合金，锂-铝合金，锂-镁合金，锂-铟合金和钙-铝合金。由导电金属氧化物，导电有机物质等组成的透明导电电极可以用作阴极。具体地，导电金属氧化物的实例包括氧化铟，氧化锌，氧化锡，ITO和IZO，并且导电有机物质的实例包括聚苯胺或其衍生物和聚噻吩或其衍生物。阴极可以由其中层压两个以上的层的层叠制品组成。而且，电子注入层也可以用作阴极。
通过考虑导电性和耐久性而适当地确定阴极的厚度，并且其例如为10nm至10μm，优选20nm至1μm，并且更优选50nm至500nm。
用于制备阴极的方法的实例包括真空沉积法，溅射法和通过其将金属薄膜通过热压缩结合的层压法。
<绝缘层>
绝缘层的材料的实例包括金属氟化物，金属氧化物和有机绝缘材料。其中已经安置有厚度为2nm以下的绝缘层的有机EL元件的实例包括：其中已经邻接阴极安置有厚度为2nm以下的绝缘层的有机EL元件，和其中已经邻接阳极安置有厚度为2nm以下的绝缘层的有机EL元件。
尽管在以上实施方案中已经描述了其中第一电极为阳极并且第二电极为阴极的构造，另一个实施方案可以是具有下列构造的有机EL元件，其中第一电极为阴极并且第二电极为阳极。第二电极(阳极)迟于第一电极(阴极)形成。因此，在于基板上安置有机EL元件的情况下，例如，在上述a)至r)的层构造的情况下，各个层从阴极侧逐个形成在基板上。甚至在具有这种构造的有机EL元件中，可以通过下列方法获得具有长元件寿命的有机EL元件：使用含有惰性气体的气氛或真空气氛作为要在将有机发光层的涂敷膜煅烧以形成有机发光层以后、直至形成第二电极(阳极)时使用的气氛。
通过安装上述有机EL元件，可以得到要用作弯曲或平面照明装置(light device)如扫描仪的光源的面状光源，和显示装置。由于通过如上所述的本发明的制备方法的有机EL元件的制备可以获得有机EL元件，因此可以获得具有良好寿命特性的照明装置，面状光源和显示装置。
包含有机EL元件的显示装置的实例包括有源矩阵显示装置，无源矩阵显示装置，段式(segment)显示装置，点阵显示装置和液晶显示装置。有机EL元件被用作构成有源矩阵显示装置和无源矩阵显示装置中的单独像素的发光元件，作为构成段式显示装置中的单独节段的发光元件，和作为点阵显示装置和液晶显示装置中的背光。
实施例
以下将参考实施例更详细地描述本发明，但是本发明不限于这些实施例。
实施例1
制备具有下列构造的有机EL元件。
“玻璃基板/ITO(150nm)/Baytron P(65nm)/大分子化合物1(20nm)/大分子化合物2(65nm)/Ba(5nm)/Al(80nm)”
首先，通过向其上已经通过溅射法形成有150nm厚的ITO膜(阳极)的玻璃基板上，通过旋涂法涂敷聚(3，4)亚乙基二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(由Starck Ltd生产；Baytron P)的悬浮液，形成65nm厚的涂敷膜，并且再通过在电热板上在200℃将涂敷膜干燥10分钟，得到空穴注入层。空穴注入层的形成在大气(areal)气氛中进行。
接着，通过将大分子化合物1溶解在二甲苯中，制备二甲苯溶液1。将大分子化合物1在该二甲苯溶液1中的浓度调节到0.8重量％。接着，在大气气氛中将二甲苯溶液1通过旋涂法涂敷到基板上，从而形成用于空穴输送层的20nm厚的涂敷膜，并且另外，通过在氧浓度和水分浓度各自控制到以体积比计为10ppm以下的氮气气氛中，将涂敷膜保持在180℃历时60分钟，对该膜进行煅烧，从而得到空穴输送层。使得在形成空穴输送层的步骤中的气氛压力为大气压。
接着，通过将大分子化合物2溶解在二甲苯中，制备二甲苯溶液2。将大分子化合物2在该二甲苯溶液2中的浓度调节到1.3重量％。在大气气氛中将二甲苯溶液2通过旋涂法涂敷到基板上，从而形成用于发光层的65nm厚的涂敷膜。而且，通过在5.0×10-4Pa以下的真空中，将涂敷膜保持在130℃历时60分钟，将涂敷膜煅烧，从而得到发光层。
接着，将其在氮气气氛中留置10分钟。随后，将压力减小到1.0×10-4Pa以下，然后在此真空气氛中气相沉积约5nm的钡和约80nm的铝作为阴极。在气相沉积以后，通过使用玻璃基板进行密封，从而制备有机EL元件。
当在恒定电流、在8,000cd/m2的初始辉度驱动所制备的有机EL元件时，直至辉度变为初始辉度的50％所花费的时间(即，寿命)为90小时。
比较例1
在比较例1中，以与实施例1中相同的方式形成有机EL元件，与实施例1的不同之处在于，在形成发光层之后并且直至气相沉积阴极时的基板的气氛。具体地，在实施例1中，煅烧涂敷膜以产生发光层，然后将其在氮气气氛中留置10分钟，然后在真空气氛中形成阴极，然而在比较例1中，煅烧涂敷膜以产生发光层，然后将具有发光层的基板暴露于大气气氛历时10分钟，然后在真空气氛中形成阴极。
当在恒定电流、在8,000cd/m2的初始辉度驱动所制备的有机EL元件时，直至辉度变为初始辉度的50％所花费的时间(即，寿命)为59小时。
实施例2
制备具有下列构造的有机EL元件。
“玻璃基板/ITO(150nm)/Baytron P(65nm)/大分子化合物1(20nm)/大分子化合物2(65nm)/Ba(5nm)/Al(80nm)”
首先，通过向其上已经通过溅射法形成有150nm厚的ITO膜(阳极)的玻璃基板上，通过旋涂法涂敷聚(3，4)亚乙基二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(由Starck Ltd生产；Baytron P)的悬浮液，形成65nm厚的涂敷膜，并且再通过在电热板上在200℃将涂敷膜干燥10分钟，得到空穴注入层。空穴注入层的形成在大气气氛中进行。
接着，以与实施例1中相同的方式制备二甲苯溶液1。通过在氧浓度和水分浓度各自控制到以体积比计为10ppm以下的氮气气氛中，将二甲苯溶液1通过旋涂法涂敷到基板上，从而形成用于空穴输送层的20nm厚的涂敷膜。
而且，通过在氧浓度和水分浓度各自控制到以体积比计为10ppm以下的氮气气氛中，将涂敷膜保持在180℃历时60分钟，对该膜进行煅烧，从而得到空穴输送层。使得在形成空穴输送层的步骤中的气氛压力为大气压。
接着，以与实施例1中相同的方式制备二甲苯溶液2。在得到空穴输送层以后，在氧浓度和水分浓度各自控制到以体积比计为10ppm以下的氮气气氛中、在不将所述层暴露于大气气氛的情况下，将二甲苯溶液2通过旋涂法涂敷到基板上，从而形成用于发光层的65nm厚的涂敷膜。而且，通过在5.0×10-4Pa以下的真空中，将涂敷膜保持在130℃历时60分钟对膜进行煅烧，得到发光层。
接着，将具有发光层的基板在氮气气氛中留置10分钟，并且将压力减小到1.0×10-4Pa以下，然后气相沉积约5nm的钡和随后的约80nm的铝作为阴极。在气相沉积以后，通过使用玻璃基板进行密封，从而制备有机电致发光元件。
当在恒定电流、在8,000cd/m2的初始辉度驱动所制备的有机EL元件时，直至辉度变为初始辉度的50％所花费的时间(即，寿命)为130小时。
比较例2
在比较例2中，以与实施例2中相同的方式形成有机EL元件，与实施例2的不同之处在于，在形成发光层之后并且直至气相沉积阴极时的基板的气氛。具体地，在实施例2中，煅烧涂敷膜以产生发光层，然后将其在氮气气氛中留置10分钟，然后在真空气氛中形成阴极，然而在比较例2中，煅烧涂敷膜以产生发光层，然后将具有发光层的基板暴露于大气气氛历时10分钟，然后形成阴极。
当在恒定电流、在8,000cd/m2的初始辉度驱动所制备的有机EL元件时，直至辉度变为初始辉度的50％所花费的时间(即，寿命)为100小时。
实施例3
制备具有下列构造的有机EL元件。在实施例3中，与实施例1和2不同，发光层的煅烧没有在真空气氛中进行，而是在氮气气氛中进行。
“玻璃基板/ITO(150nm)/Baytron P(65nm)/大分子化合物1(20nm)/大分子化合物2(65nm)/Ba(5nm)/Al(80nm)”
首先，通过向其上已经通过溅射法形成有150nm厚的ITO膜(阳极)的玻璃基板上，通过旋涂法涂敷聚(3，4)亚乙基二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(由Starck Ltd生产；Baytron P)的悬浮液，形成65nm厚的涂敷膜，并且再通过在电热板上在200℃将涂敷膜干燥10分钟，得到空穴注入层。空穴注入层的形成在大气气氛中进行。
接着，以与实施例1中相同的方式制备二甲苯溶液1。在大气气氛中将二甲苯溶液1通过旋涂法涂敷到基板上，从而形成用于空穴输送层的20nm厚的涂敷膜。随后，通过在氧浓度和水分浓度各自控制到以体积比计为10ppm以下的氮气气氛中，将涂敷膜保持在180℃历时60分钟，对该膜进行煅烧，从而得到空穴输送层。
接着，以与实施例1中相同的方式制备二甲苯溶液2。在大气气氛中将二甲苯溶液2通过旋涂法涂敷到基板上，从而形成用于发光层的65nm厚的涂敷膜。而且，通过在氧浓度和水分浓度各自控制到以体积比计为10ppm以下的氮气气氛中，将涂敷膜保持在130℃历时10分钟将膜煅烧，从而得到发光层。使得形成空穴输送层和发光层的步骤中的气氛压力为大气压。
在煅烧涂敷膜以后，在不暴露于大气气氛的情况下将压力降低到1.0×10-4Pa以下，然后气相沉积约5nm的钡和随后的约80nm的铝作为阴极。在气相沉积以后，通过使用玻璃基板进行密封，从而制备有机电致发光元件。
当在恒定电流、在8,000cd/m2的初始辉度驱动所制备的有机EL元件时，直至辉度变为初始辉度的50％所花费的时间(即，寿命)为60小时。
实施例4
制备具有下列构造的有机EL元件。在实施例4中，与实施例1和2不同，发光层的煅烧没有在真空气氛中进行，而是在氮气气氛中进行。
“玻璃基板/ITO(150nm)/Baytron P(65nm)/大分子化合物1(20nm)/大分子化合物2(65nm)/Ba(5nm)/Al(80nm)”
首先，通过向其上已经通过溅射法形成有150nm厚的ITO膜(阳极)的玻璃基板上，通过旋涂法涂敷聚(3，4)亚乙基二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(由Starck Ltd生产；Baytron P)的悬浮液，形成65nm厚的涂敷膜，并且再通过在电热板上在200℃将涂敷膜干燥10分钟，得到空穴注入层。空穴注入层的形成在大气气氛中进行。
接着，以与实施例1中相同的方式制备二甲苯溶液1。通过在氧浓度和水分浓度各自控制到以体积比计为10ppm以下的氮气气氛中，将二甲苯溶液1通过旋涂法涂敷到基板上，从而形成用于空穴输送层的20nm厚的涂敷膜。
而且，通过在氧浓度和水分浓度各自控制到以体积比计为10ppm以下的氮气气氛中，将涂敷膜保持在180℃历时60分钟，对该膜进行煅烧，从而得到空穴输送层。使得形成空穴输送层的步骤中的气氛压力为大气压。
接着，以与实施例1中相同的方式制备二甲苯溶液2。在氧浓度和水分浓度各自控制到以体积比计为10ppm以下的氮气气氛中，将二甲苯溶液2通过旋涂法涂敷到基板上，从而形成用于发光层的65nm厚的涂敷膜。而且，通过在氧浓度和水分浓度各自控制到以体积比计为10ppm以下的氮气气氛中，将涂敷膜在130℃加热10分钟对膜进行煅烧，从而得到发光层。
在煅烧涂敷膜以后，在不暴露于大气气氛的情况下将压力降低到1.0×10-4Pa以下，然后气相沉积约5nm的钡和随后的约80nm的铝作为阴极。在气相沉积以后，通过使用玻璃基板进行密封，从而制备有机电致发光元件。
当在恒定电流、在8,000cd/m2的初始辉度驱动所制备的有机EL元件时，直至辉度变为初始辉度的50％所花费的时间(即，寿命)为100小时。
基于以上结果确认的是，元件寿命通过下列方法得以改善：保持在10Pa以下的真空中，形成发光层，然后在不将具有发光层的基板暴露于大气气氛的情况下，在保持真空气氛或惰性气体气氛的同时，形成阴极。
即使使用例如以下所述的大分子化合物3代替上述大分子化合物1，并且使用Lumation BP361(由Sumation Ltd生产)代替大分子化合物2，以与实施例1和2中相同的方式制备有机EL元件，也可以得到各自具有与实施例1和2的有机EL元件类似的长元件寿命的有机EL元件。
(大分子化合物3)
包含由下列结构式表示的两种重复单元的大分子化合物3合成如下。
[化学式1]
在惰性气氛中，将2，7-双(1，3，2-二氧杂硼杂环戊烷-2-基)-9，9-二辛基芴(5.20g)，双(4-溴苯基)-(4-仲丁基苯基)-胺(0.14g)，乙酸钯(2.2mg)，三(2-甲基苯基)膦(15.1mg)，Aliquat336(0.91g，由Aldrich生产)和甲苯(70ml)混合并加热到105℃。向此反应溶液中逐滴加入2M Na2CO3水溶液(19ml)，随后回流4小时。在反应以后，加入苯基硼酸(121mg)，随后回流另外的3小时。随后，加入二乙基二硫代氨基甲酸钠水溶液，随后在80℃搅拌4小时。在冷却以后，将生成物用水(60ml)洗涤3次，用3％乙酸水溶液(60ml)洗涤3次，用水(60ml)洗涤3次，并且通过使其通过氧化铝柱和硅胶柱而纯化。将得到的甲苯溶液逐滴加入到甲醇(3L)中，随后搅拌3小时，然后将得到的固体通过过滤收集并干燥。得到的大分子化合物3的收率为5.25g。
大分子化合物3具有1.2×105的聚苯乙烯当量数均分子量和2.6×104的聚苯乙烯当量重均分子量。
附图简述
[图1]示意性显示作为本发明的一个实施方案的有机EL元件的结构的截面图。
附图标记描述
1...有机EL元件，
2...基板，
3...阳极，
4...空穴注入层，
5...空穴输送层，
6...有机发光层，
7...阴极。

Claims (14)

1.一种用于制备有机电致发光元件的方法，所述有机电致发光元件包括首先形成的第一电极，稍后形成的第二电极和在所述第一电极和所述第二电极之间形成的发光层，所述方法包括下列步骤：
对位于下方的层的表面涂敷含有发光有机材料的溶液，以形成涂敷膜；
将所述涂敷膜在惰性气体气氛中或在真空气氛中煅烧以形成发光层；
将所形成的发光层的周围环境保持在惰性气体气氛中或真空气氛中；和
在惰性气体气氛中或在真空气氛中形成位于所述发光层上的层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中涂敷含有发光有机材料的溶液以形成涂敷膜的步骤在惰性气体气氛中进行。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中煅烧所述涂敷膜以形成发光层的步骤在真空气氛中进行。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，所述方法还包括下列步骤：在形成位于所述发光层上的层以后、在形成所述第二电极以前，在将包括位于发光层上的层的要形成的层的周围环境保持在惰性气体气氛中或真空气氛中的同时，在惰性气体气氛中或在真空气氛中形成层。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中位于所述发光层上的层为第二电极。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述发光有机材料包含发光大分子化合物。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述发光大分子化合物为选自由下列组成的组中的至少一种：聚对亚苯基亚乙烯基衍生物，聚噻吩衍生物，聚对亚苯基衍生物，聚硅烷衍生物，聚乙炔衍生物，聚芴衍生物和聚乙烯基咔唑衍生物。
8.根据权利要求6所述的方法，其中所述发光大分子化合物为选自由下列组成的组中的至少一种：作为发射蓝光的材料的聚乙烯基咔唑衍生物，聚对亚苯基衍生物和聚芴衍生物；作为发射绿光的材料的聚对亚苯基亚乙烯基衍生物和聚芴衍生物；作为发射红光的材料的聚对亚苯基亚乙烯基衍生物，聚噻吩衍生物和聚芴衍生物。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，所述方法在涂敷含有发光有机材料的溶液以形成涂敷膜的步骤之前，作为形成位于所述发光层下方的层的方法，还包括下列步骤：
将含有功能有机材料的溶液涂敷到位于下方的层的表面上，以形成涂敷膜；和
将所述涂敷膜在惰性气体气氛中或在真空气氛中煅烧，以形成功能层。
10.根据权利要求9所述的方法，所述方法还包括下列步骤：将所形成的功能层的周围环境保持在惰性气体气氛中或真空气氛中。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，并且所述功能有机材料含有空穴输送大分子化合物。
12.根据权利要求11所述的方法，其中上述空穴输送大分子化合物是选自由下列组成的组中的至少一种：聚乙烯基咔唑或其衍生物，聚硅烷或其衍生物，在其侧链或主链中具有芳族胺化合物基团的聚硅氧烷衍生物，聚苯胺或其衍生物，聚噻吩或其衍生物，聚芳胺或其衍生物，聚(对亚苯基亚乙烯基)或其衍生物，和聚(2，5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物。
13.一种有机电致发光元件，所述有机电致发光元件通过根据权利要求1至12中任一项所述的用于制备有机电致发光元件的方法制备。
14.一种面状光源、一种显示装置或一种照明装置，所述面状光源、显示装置或照明装置各自包括根据权利要求13所述的有机电致发光元件。
CN2009801334505A 2008-08-27 2009-08-14 有机电致发光元件及其制备方法 Pending CN102132629A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008-217828 2008-08-27
JP2008217828A JP2010055864A (ja) 2008-08-27 2008-08-27 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
PCT/JP2009/064332 WO2010024136A1 (ja) 2008-08-27 2009-08-14 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102132629A true CN102132629A (zh) 2011-07-20

Family

ID=41721305

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009801334505A Pending CN102132629A (zh) 2008-08-27 2009-08-14 有机电致发光元件及其制备方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9136491B2 (zh)
EP (1) EP2323464A4 (zh)
JP (1) JP2010055864A (zh)
KR (1) KR20110053974A (zh)
CN (1) CN102132629A (zh)
TW (1) TW201014008A (zh)
WO (1) WO2010024136A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112802972A (zh) * 2020-12-31 2021-05-14 湖南鼎一致远科技发展有限公司 一种聚碳酸酯基材的电致发光器件及制备方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5330263B2 (ja) * 2007-12-07 2013-10-30 株式会社東芝 蛍光体およびそれを用いたｌｅｄ発光装置
JP5786693B2 (ja) * 2011-01-14 2015-09-30 株式会社デンソー 空調装置
KR102285887B1 (ko) * 2014-11-19 2021-08-04 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN113999558B (zh) * 2020-07-28 2022-06-07 台湾扬昕股份有限公司 量子点组合物、色彩转换膜及背光模块

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003173871A (ja) * 2001-12-04 2003-06-20 Miwa Seisakusho:Kk 有機電界発光素子の製造装置
CN1691845A (zh) * 1999-07-23 2005-11-02 株式会社半导体能源研究所 制造电致发光显示装置的方法和形成薄膜的装置
JP2005322436A (ja) * 2004-05-06 2005-11-17 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子の製造方法及び装置、並びに有機ｅｌ素子
CN1825565A (zh) * 1999-06-04 2006-08-30 株式会社半导体能源研究所 制造发光器件的方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3856504B2 (ja) 1996-02-21 2006-12-13 独立行政法人理化学研究所 紫外領域エレクトロルミネッセンス素子、レーザ発光素子及びその製造方法
JP2001052864A (ja) * 1999-06-04 2001-02-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置の作製方法
JP4425438B2 (ja) * 1999-07-23 2010-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置の作製方法
JP4718731B2 (ja) * 2000-09-11 2011-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 電子装置
US20020034930A1 (en) * 2000-09-11 2002-03-21 Shunpei Yamazaki Electronic device and method of usage thereof
JP3628997B2 (ja) * 2000-11-27 2005-03-16 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP4086059B2 (ja) 2000-11-27 2008-05-14 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
US6610554B2 (en) 2001-04-18 2003-08-26 Hyung Se Kim Method of fabricating organic electroluminescent display
JP2002313567A (ja) * 2001-04-18 2002-10-25 Sony Corp 有機電界発光素子及びその製造方法
JP2003137932A (ja) 2001-11-01 2003-05-14 Nichia Chem Ind Ltd 芳香族環を側鎖に有するポリアセチレンおよびそれを用いた有機電界発光素子
TWI262739B (en) 2002-03-18 2006-09-21 Kin Hyung Se Method of fabricating organic electroluminescent display
TWI277617B (en) * 2002-03-26 2007-04-01 Sumitomo Chemical Co Metal complexes and organic electro luminescence elements
JP4683846B2 (ja) 2003-03-31 2011-05-18 三洋電機株式会社 有機電界発光素子およびその製造方法
JP2004355913A (ja) 2003-05-28 2004-12-16 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
KR100738219B1 (ko) * 2003-12-23 2007-07-12 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자용 중간층 형성 물질 및 이를 이용한유기 전계 발광 소자
JP2005310639A (ja) * 2004-04-23 2005-11-04 Canon Inc 有機ｅｌ素子の製造方法
JP2005313114A (ja) * 2004-04-30 2005-11-10 Seiko Epson Corp 液滴吐出装置、液滴吐出方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器
WO2006070713A1 (ja) * 2004-12-28 2006-07-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5575353B2 (ja) * 2005-11-30 2014-08-20 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP4984560B2 (ja) * 2006-02-10 2012-07-25 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
EP1876658A3 (en) 2006-07-04 2014-06-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
JP4870502B2 (ja) * 2006-09-15 2012-02-08 株式会社ヒラノテクシード 有機ｅｌシート製造装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1825565A (zh) * 1999-06-04 2006-08-30 株式会社半导体能源研究所 制造发光器件的方法
CN1691845A (zh) * 1999-07-23 2005-11-02 株式会社半导体能源研究所 制造电致发光显示装置的方法和形成薄膜的装置
JP2003173871A (ja) * 2001-12-04 2003-06-20 Miwa Seisakusho:Kk 有機電界発光素子の製造装置
JP2005322436A (ja) * 2004-05-06 2005-11-17 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子の製造方法及び装置、並びに有機ｅｌ素子

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112802972A (zh) * 2020-12-31 2021-05-14 湖南鼎一致远科技发展有限公司 一种聚碳酸酯基材的电致发光器件及制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010055864A (ja) 2010-03-11
KR20110053974A (ko) 2011-05-24
US9136491B2 (en) 2015-09-15
US20110186833A1 (en) 2011-08-04
WO2010024136A1 (ja) 2010-03-04
EP2323464A4 (en) 2011-10-12
TW201014008A (en) 2010-04-01
EP2323464A1 (en) 2011-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2184794B1 (en) Organic electroluminescent device containing metal-doped molybdenum oxide layer and method for manufacturing the same
WO2009122876A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
WO2012029936A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
US9136491B2 (en) Organic electroluminescent element and method for producing the same
JP5320755B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法、面状光源、照明装置ならびに表示装置
JP2011181498A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法及び製造装置
JP6079936B1 (ja) 有機ｅｌ素子の製造方法
CN101981725B (zh) 有机电致发光元件及其制造方法
JP2009246126A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP5314395B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP5174577B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法、照明装置、面状光源、表示装置
JP5276870B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2009044102A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び製造方法
WO2016204059A1 (ja) 有機ｅｌ素子の製造方法
JP6061057B1 (ja) 有機ｅｌ素子の製造方法
JP5446472B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2010027539A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP6821960B2 (ja) 有機ｅｌ素子の製造方法
JP2011014251A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2017004950A (ja) 有機ｅｌ素子の製造方法
JP2017004952A (ja) 有機ｅｌ素子の製造方法
JP2017004953A (ja) 有機ｅｌ素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20110720