JP2010045105A - 半導体発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】上面にのみ電極を設けた複数の半導体発光素子を直列接続してなる半導体発光装置において、半導体発光素子の電極に対するボンディングワイヤの接合強度を高めることにより外部応力に対する信頼性を向上させ、且つ半導体発光素子の電極面積の拡大を抑制することにより良好な光取り出し効率を確保することを可能にすることにある。
【解決手段】絶縁基板上に、導体パターンからなる反射パターン１１、給電パターン９及び中継パターン１０を設け、３つの半導体発光素子のうち互いに隣接する２つの半導体発光素子の互いに極性の異なる電極同士を、中継パターン１０を中継点として接続する２本のボンディングワイヤで電気的に接続すると共に、半導体発光素子の電極とボンディングワイヤの接合を全てボールボンド部を介して行うようにした。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体発光装置に関するものであり、詳しくは、直列に接続された複数の半導体発光素子を光源とする半導体発光装置に関する。

上面に一対の電極を設けた複数の半導体発光素子を１つのパッケージ内に配置し、それら半導体発光素子による直列接続回路を構成する場合、引用文献１のように、隣接する半導体発光素子５０の極性の異なる電極同士を順次ボンディングワイヤ５１を介して接続し、半導体発光素子５０間の接続に寄与しないで残った一対の極性の異なる電極の夫々をパッケージ５２に設けられたリード５３にボンディングワイヤ５４を介して接続する方法がある（図１２参照）。
特開２００７−１０３９４０号公報

ところで、特許文献１に引用されたような、半導体発光素子同士の電極をボンディングワイヤを介して直接接続する方法は、パッケージに設けるリードフレームのリードが外部からの給電用の２本のみでよく、リードで占有される部分が少ないためにパッケージの小型化が可能となる。

しかし、半導体発光素子の電極のいずれかにボンディングワイヤの１ｓｔボンドによるボールボンド部が形成され、いずれかに２ｎｄボンドによるステッチボンド部が形成される。そのうち、ステッチボンド部は電極に対するボンディングワイヤの接合力がボールボンド部に比べて極めて弱く、外部応力に対する信頼性が低いものとなってしまう。

また、ステッチボンド用の電極はボールボンド用の電極よりも面積を大きくする必要があり、そのため半導体発光素子の光出射面に対するステッチボンド用電極の面積比が大きくなるため光取り出し効率が低下する。

そこで、本発明は上記問題に鑑みて創案なされたもので、その目的とするところは、上面にのみ電極を設けた複数の半導体発光素子を１つのパッケージ内に配置し、それら半導体発光素子による直列接続回路を構成する半導体発光装置において、半導体発光素子の電極に対するボンディングワイヤの接合強度を高めることにより外部応力に対する信頼性を向上させ、且つ電極面積の拡大を抑制することにより良好な光取り出し効率を確保することを可能にすることにある。

上記課題を解決するために、本発明の請求項１に記載された発明は、
第１の貫通孔を有する第１の絶縁基板と、
前記第１の絶縁基板の下面に前記第１の貫通孔を塞ぐように配設された金属底板と、
前記第１の貫通孔内の前記金属底板上に配置された複数の半導体発光素子とを備え、
前記複数の半導体発光素子が直列接続されてなる半導体発光装置であって、
前記複数の半導体発光素子は、上面に対となる両電極を有し、
前記第一の絶縁基板上に形成され、前記半導体発光素子の電極とボンディングワイヤを介して電気的に接続されて外部からの給電を受ける一対の給電パターンと、
前記第一の絶縁基板上に前記給電パターと分離して形成され、前記複数の半導体発光素子のうち２つの半導体発光素子の互いに極性の異なる電極とボンディングワイヤを介して電気的に接続された中継パターンを有し、
前記半導体発光素子の電極とボンディングワイヤがボールボンド部を介して接合されていることを特徴とするものである。

また、本発明の請求項２に記載された発明は、請求項１において、
前記給電パターンは前記第１の絶縁基板の側面を経由して底面まで延設され、前記中継パターンは前記第１の絶縁基板の端部まで延設されていることを特徴とするものである。

また、本発明の請求項３に記載された発明は、請求項１または２のいずれかにおいて、
前記ボンディングワイヤが前記給電パターンに結線されたステッチボンド部が、前記ボールボンド部より高い位置に形成されることを特徴とするものである。

また、本発明の請求項４に記載された発明は、請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記第１の絶縁基板上面に絶縁性接着層を介して貼り合わされた、前記第１の貫通孔よりも大きい第２の貫通孔を有する第２の絶縁基板を備えることを特徴とするものである。

本発明は、上面に対となる電極を設けた複数の半導体発光素子を１つのパッケージ内に配置し、それら半導体発光素子による直列接続回路を構成する半導体発光装置であって、半導体発光素子の電極とボンディングワイヤを１ｓｔワイヤボンディングによるボールボンド部を介して接合するようにした。

そのため、半導体発光素子の電極に対するボンディングワイヤの接合強度が高められて外部応力に対する信頼性が向上し、且つ電極面積の拡大が抑制されたことにより良好な光取り出し効率を確保することを可能になった。

以下、この発明の好適な実施形態を図１から図１１を参照しながら、詳細に説明する（同一部分については同じ符号を付す）。尚、以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの実施形態に限られるものではない。

本発明は、複数の半導体発光素子を発光源とする半導体発光装置であり、図１はその内部結線図、図２は上面図、図３は図２のＡ−Ａ断面図、図４は図２の部分拡大図である。

半導体発光装置は図１のように、発光源となる３個の半導体発光素子Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３が直列に配置されている。半導体発光素子Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３はいずれも上面に対となる両電極が設けられている。但し、半導体発光素子は必ずしも３個に限られるものではなく、半導体発光装置に求められる明るさ、消費電力、大きさ等の要件に基づいて決定され、複数個の半導体発光素子を配置し且つそれらを直列に内部結線するような半導体発光装置であれば本発明に係る優れた効果を得ることができる。

図２及び図３より、半導体発光装置１は、第１の貫通孔２を有する下部基板３と第２の貫通孔４を有する上部基板５が絶縁性接着層６を介して貼り合わされ、下部基板３の上部基板５と反対側（下面側）に例えば銅箔等の金属箔からなる金属底板７が配設されている。

上部基板５と下部基板３はいずれも絶縁性部材からなり、上部基板５の第２の貫通孔４は下部基板３の第１の貫通孔２よりも大きく形成され、第１の貫通孔２と第２の貫通孔４により金属底板７を底面とする凹部８が形成されている。

下部基板３の上部基板５側（上面側）及び側面側には導体パターンが形成されており、夫々独立した一対の給電パターン９、給電パターン９と独立した中継パターン１０、及び給電パターン９、中継パターン１０と独立した反射パターン１１の一部が凹部８内に露出している。そのうち各給電パターン９は凹部８内から下部基板３の上面を経て、側面側を経て、底面側まで延設されている。下部基板３の側面および底面に配設された給電パターンは、給電端子として機能する。各中継パターン１０は凹部８内から下部基板３の上面を前記給電パターン９が延設されていない側面側の端部まで延設され、反射パターン１１は凹部８内に露出した下部基板上面の給電パターン９及び中継パターン１０以外の領域を占めており、中継パターン１０と同様に凹部８内から前記給電パターン９が延設されていない互いに対向する側面側端部まで延設されている。さらに、図示はしていないが、上部基板５の第２の貫通孔４および下部基板３の第１の貫通孔２の内周面には、給電パターン９と絶縁して設けられた反射面が形成されている。

凹部８の金属底板７上には、夫々光出射面側（上部側）に極性が異なる２つの電極を設けた３個の半導体発光素子Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３が配設され、各半導体発光素子Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３の夫々の電極と凹部８内に露出した給電パターン９及び中継パターン１０がボンディングワイヤ１２を介して電気的に接続されている。

具体的には図４に示すように、ボールボンディング法により半導体発光素子Ｌ２のアノード電極ａと給電パターン９ａがボンディングワイヤ１２ａを介して接合され、半導体発光素子Ｌ２のカソード電極ｃ及び半導体発光素子Ｌ１のアノード電極ａが夫々ボンディングワイヤ１２ｂ、１２ｃを介して中継パターン１０ａに接合され、半導体発光素子Ｌ１のカソード電極ｃ及び半導体発光素子Ｌ３のアノード電極ａが夫々ボンディングワイヤ１２ｄ、１２ｅを介して中継パターン１０ｂに接合され、半導体発光素子Ｌ３のカソード電極ｃがボンディングワイヤ１２ｆを介して給電パターン９ｂに接合されている。

これにより、半導体発光素子Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３による直列接続の内部結線が施されている。この場合、各ボンディングワイヤ１２をワイヤボンディングするにあたって、ボンディングワイヤ１２ａは半導体発光素子Ｌ２のアノード電極ａに１ｓｔボンディングが行われ、給電パターン９ａに２ｎｄボンディングが行われている。ボールボンディング法によれば、先端をトーチにより溶融してＡｕボールの形成されたボンディングワイヤは、半導体発光素子の電極上に超音波等を用いて圧着接続し、給電パターンあるいは中継パターンに導いて圧着接続する。このとき、半導体発光素子上の電極上にボールボンド部が形成され、給電パターンあるいは中継パターン上にステッチボンド部が形成される。その結果、半導体発光素子Ｌ２のアノード電極ａにボールボンド部１３を介してボンディングワイヤ１２ａの一方の端部が接合され、給電パターン９ａにステッチボンド部１４を介してボンディングワイヤ１２ａの他方の端部が接合されている。

以下同様に、ボンディングワイヤ１２ｂは、一方の端部が半導体発光素子Ｌ２のカソード電極ｃに１ｓｔボンディングによるボールボンド部１３を介して接合され、他方の端部が中継パターン１０ａに２ｎｄボンディングによるステッチボンド部１４を介して接合されている。ボンディングワイヤ１２ｃは、一方の端部が半導体発光素子Ｌ１のアノード電極ａに１ｓｔボンディングによるボールボンド部１３を介して接合され、他方の端部が中継パターン１０ａに２ｎｄボンディングによるステッチボンド部１４を介して接合されている。ボンディングワイヤ１２ｄは、一方の端部が半導体発光素子Ｌ１のカソード電極ｃに１ｓｔボンディングによるボールボンド部１３を介して接合され、他方の端部が中継パターン１０ｂに２ｎｄボンディングによるステッチボンド部１４を介して接合されている。ボンディングワイヤ１２ｅは、一方の端部が半導体発光素子Ｌ３のアノード電極ａに１ｓｔボンディングによるボールボンド部１３を介して接合され、他方の端部が中継パターン１０ｂに２ｎｄボンディングによるステッチボンド部１４を介して接合されている。ボンディングワイヤ１２ｆは、一方の端部が半導体発光素子Ｌ３のカソード電極ｃに１ｓｔボンディングによるボールボンド部１３を介して接合され、他方の端部が給電パターン９ｂに２ｎｄボンディングによるステッチボンド部１４を介して接合されている。

このように、半導体発光素子Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３の各電極とボンディングワイヤ１２はいずれもボールボンド部１３を介して接合され、各給電パターン９及び各中継パターン１０とボンディングワイヤ１２はいずれもステッチボンド部１４を介して接合されている。

そのため、半導体発光素子の各電極とボンディングワイヤを接合するボールボンド部の接合強度が、ステッチボンド部を介して接合される場合に比べて極めて高くなり、高い接合信頼性を確保することができる。

なお、ボンディングワイヤのステッチボンド部を介する接合は、基板上の導体パターンに対するよりも半導体発光素子の電極に対する方が強度が弱い。そこで、本発明のように半導体発光素子の電極側にボールボンド部を形成し、基板上の導体パターン側にステッチボンド部を形成することにより、ボンディングワイヤによる半導体発光素子の電極と基板上の導体パターンとの電気的な接続をより確実なものとすることができる。

このように、中継パターンは２つの半導体発光素子の互いに極性の異なる電極同士を電気的に接続するための中継点としてのみ機能し、外部との電気的な繋がりをもたない。つまり、中継点としての働きをもたせるのみのために形成されたものである。そして、中継パターンを設けたことにより半導体発光素子の全ての電極側にボールボンド部を形成することが可能となり、半導体発光素子が直列に接続された内部結線を電気的に信頼性の高いものとすることができるようになる。

なお、中継パターンは上述のような機能を果たすものであればよく、導体パターンを形成したサブマウントを下部基板上に取り付けることによっても形成することができる。

また、半導体発光素子の全ての電極側にボールボンド部を形成することが可能となったことにより、半導体発光素子の光出射面に対する電極の面積比をステッチボンド部を形成する場合よりも小さくすることができる。そのため、半導体発光素子の光出射面の面積を大きく確保することが可能となり光取り出し効率の向上を図ることができる。

凹部内には半導体発光素子及びボンディングワイヤを覆うように封止樹脂が充填され、半導体発光素子を水分、塵埃及びガス等の外部環境から保護し、且つボンディングワイヤを振動及び衝撃等の機械的応力から保護している。また、封止樹脂は半導体発光素子の光出射面とで界面を形成しており、半導体発光素子の発光光を半導体発光素子の光出射面から封止樹脂内に効率良く出射させる機能も有している。

また、図５に示すように下部基板３の厚みｄ２（給電パターン９の厚みを含む）が半導体発光素子Ｌの厚みｄ１よりも厚く形成されている（ｄ２＞ｄ１）。これにより、半導体発光素子Ｌの電極に接合されたボンディングワイヤのボールボンド部の直上部分αを半導体発光素子Ｌの光出射面１５に対して略垂直に立ち上がった状態に架線することができる。この部分は１ｓｔボンディング前のボール形成時に放電の熱によって結晶粒子が粗粒化した再結晶領域となっており、引張り強度や破断強度が弱い部分となっている。また、再結晶領域と通常結晶領域の境界には破断強度が弱い結晶粒界面も形成されている。
具体的には、下部基板３の厚みｄ２を１８０μｍ、半導体発光素子Ｌの厚みｄ１を１００μｍとしている。中継パターンを下部基板３上に設け、下部基板３の厚みｄ２を半導体発光素子Ｌの厚みｄ１よりも厚くすることにより、ボールボンド部よりステッチボンド部を高い位置とすることができる。そして、ボールボンド部よりステッチボンド部を高い位置とすることにより、再結晶領域αへの負荷の少ないボンディングワイヤのループ形状を維持しやすく、ボンディングワイヤの破断強度を高め、信頼性の高い半導体発光装置を提供することができる。
特に、再結晶領域αは、ボールボンド部から約５０〜１５０μｍの範囲で形成されること、半導体発光装置の薄型化のためボンディングワイヤのループ高さが低いことが望まれること、および、下部基板のエッジ接触を避ける必要があることを考慮すると、ステッチボンド部は、ボールボンド部より約４０〜１２０μｍ高い位置に形成されることが好ましい。

ところで、凹部内に充填された封止樹脂１６は、半導体発光素Ｌの発光時の発熱や周囲温度等に起因する温度変化によって膨張・収縮を繰り返す。封止樹脂の膨張・収縮の度合いは封止樹脂１６の厚みが厚い方向、つまり半導体発光素子Ｌの光出射面１５に平行な方向が最も大きい。

そこで、本発明のように、ボンディングワイヤ１２の引張り強度や破断強度が弱い領域を半導体発光素子Ｌの光出射面１５と略垂直に立ち上がった状態に架線することにより、封止樹脂１６の膨張・収縮によりボンディングワイヤ１２に垂直方向から加わる最大応力をボンディングワイヤ１２自身の撓みによって緩和することができ、ボンディングワイヤ１２を細線化や破断などの不具合から保護することができる。

次に、本発明の半導体発光装置の製造方法について図６〜図１１を参照して説明する。まず、図６に示す絶縁基板準備工程において、所定の間隔で所定の大きさの第１の貫通孔２と貫通スリット２０を有する絶縁基板を準備する。この場合、絶縁基板にプレス加工等により第１の貫通孔２及び貫通スリット２０を設けてもよいし、樹脂による基板成形時に第１の貫通孔２及び貫通スリット２０を同時形成してもよい。

次に、図７に示す多数個取り下部基板作製工程において、絶縁基板２１の一方の面及び貫通スリット２０の内面に導体パターン２２を形成して多数個取りの下部基板２３とする。この導体パターン２２は各第１の貫通孔２を囲んで反射パターン１１、中継パターン１０及び一対の給電パターン９となる部分が形成され、それらはいずれも貫通スリット２０内面の導体パターン２２と共に多数個取り下部基板２３の端部２４で一体に繋がっている。これにより、導体パターン２２上全面に亘って電解メッキにより順次Ｃｕメッキ、Ｎｉメッキ層が形成されている。さらに、反射パターン１１、中継パターン１０、給電パターン９における下部基板上面に形成された部分、および、図示しない第１の貫通孔２および第２の貫通孔４の内周面に形成された反射面にはＡｇメッキが施されている。貫通スリット２０の内面に形成された各導体パターン２２は夫々給電パターン９に繋がっており、そのため貫通スリット２０の部分はスルースリットを形成している。
つまり、各中継パターンは、多数個取り下部基板においては電気的に接続された状態で形成され、後のダイシング工程を経て電気的に独立したものとして形成することができる。従って、中継パターンは、下部電極上において、ダイシング工程による切断面となる側面側の端部まで延設している。そして、給電パターンの形成される側面は、下部基板に設けたスルースリットの内周面により構成されるため、中継パターンは、給電パターンの形成されていない側面側の端部まで延設する。

次に、図８に示す多数個取り上部基板貼り合わせ工程において、多数個取り下部基板２３の導体パターンが形成された面に、多数個取り下部基板２３の第１の貫通孔２に対応する位置に前記第１の貫通孔２よりも大きい第２の貫通孔４を有する多数個取り上部基板２５を絶縁性接着層（図示せず）を介して貼り合わせる。それと共に、多数個取り下部基板２３の導体パターンが形成された面の反対側に例えば銅箔等の金属箔からなる金属底板７を配設する。
絶縁性接着層には、ガラス繊維に未硬化の熱硬化性樹脂を含浸したプリプレグ、エポキシ樹脂等からなる接着シート、あるいは、ガラスエポキシ基板の両面に接着シートが配置された多層構造のものを用いるなど、用途や仕様に応じて変更したものを用いることができる。

次に、図９に示す半導体発光素子実装工程において、多数個取り上部基板２５及び多数個取り下部基板２３の各第２の貫通孔４及び第１の貫通孔２で形成される凹部８の底面の金属底板７上に３個の半導体素子Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３を搭載し、半導体発光素子Ｌ２のアノード電極ａをボンディングワイヤ１２ａを介して給電パターン９ａに接合し、半導体発光素子Ｌ２のカソード電極ｃ及び半導体発光素子Ｌ１のアノード電極ａを夫々ボンディングワイヤ１２ｂ、１２ｃを介して中継パターン１０ａに接合し、半導体発光素子Ｌ１のカソード電極ｃ及び半導体発光素子Ｌ３のアノード電極ａを夫々ボンディングワイヤ１２ｄ、１２ｅを介して中継パターン１０ｂに接合し、半導体発光素子Ｌ３のカソード電極ｃをボンディングワイヤを１２ｆを介して給電パターン９ｂに接合する（図４参照）。

このとき、半導体発光素子Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３の各電極とボンディングワイヤ１２はいずれもボールボンド部１３を介して接合され、各給電パターン９ａ、９ｂ及び各中継パターン１０ａ、１０ｂとボンディングワイヤ１２はいずれもステッチボンド部１４を介して接合される。

次に、図１０に示す封止樹脂充填工程において、各凹部８内に封止樹脂１６を充填し、半導体発光素子Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３及びボンディングワイヤ１２を樹脂封止する。

次に、図１１に示すダイシング工程において、半導体発光素子Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３が実装された多数個取り貼り合わせ基板２６を所定の間隔でダイシングして個々の半導体発光装置１に個片化し、半導体発光装置の製造工程が終了する。
ダイシング工程において、下部基板のスルースリット（中央）に沿うダイシングライン２７ａと、直交するダイシングライン２７ｂにより個片化されるため、半導体発光装置１の上部基板の４つの側面はいずれも切断面で構成され、半導体発光装置１の下部基板の４つの側面は、対向する２つの切断面と、該切断面に挟まれたスルースリット内周面で構成される。

ところで、この製造工程からわかるように、ダイシング工程までは多数個取り下部基板を構成する絶縁基板の一方の面及びスリットの内面に形成された導体パターンが全て基板の端部で一体に繋がっている、そのため導体パターン全面に亘って電解メッキを施すことが可能となる。

その後、ダイシング工程による個片化によって一体に繋がった導体パターンが切断、分離され、反射パターン、一対の中継パターン及び一対の給電パターンの夫々が独立した状態となり、各独立したパターンの夫々が半導体発光素子の直列内部結線に寄与するものとなる。

このように、多数個取り下部基板において導体パターンの全てを一体に繋がった状態に形成することで、個片化後の個々の半導体発光装置の信頼性を向上させることが可能となる。

以上、詳細に説明したように、本発明の半導体発光装置は、発光源となる複数の半導体発光素子を直列に接続してなる内部結線を有し、結線を構成するボンディングワイヤと半導体発光素子の電極との接続をすべてボンディングワイヤの１ｓｔボンディングで形成されるボールボンド部を介して行うようにした。そのために、外部との電気的な繋がりを持たない中継パターンを設け、３つの半導体発光素子のうち互いに隣接する２つの半導体発光素子の互いに極性の異なる電極同士を、中継パターンを中継点として接続する２本のボンディングワイヤで電気的に接続するようにした。

その結果、半導体発光素子の各電極とボンディングワイヤの接合強度が、ステッチボンド部を介して接合される場合に比べて極めて高くなり、高い接合信頼性を確保することが可能となった。

また、半導体発光素子の全ての電極側にボールボンド部を形成することが可能となったことにより、半導体発光素子の光出射面に対する電極の面積比をステッチボンド部で接合する場合よりも小さくすることができた。そのため、半導体発光素子の光出射面の面積を大きく確保することが可能となり光取り出し効率の向上を図ることができようになった。

また、半導体発光装置を構成する下部基板の厚みを半導体発光素子の厚みよりも厚く形成し半導体発光素子の電極に接合されたボンディングワイヤのボールボンド部の直上部分を半導体発光素子の光出射面に対して略垂直に立ち上がった状態に架線するようにした。これにより、ボンディングワイヤの１ｓｕボンディング前のボール形成時に放電の熱によって結晶粒子が粗粒化して引張り強度や破断強度が弱くなった部分に加わる封止樹脂の膨張・収縮による垂直方向からの応力を、ボンディングワイヤ自身の撓みによって緩和できるようになった。その結果、ボンディングワイヤを細線化や破断などの不具合から保護することが可能となった。

更に、半導体発光素子を金属箔からなる金属底板上に直接搭載するようにした。その結果、半導体発光素子の点灯時に発生する熱を熱抵抗が低い金属底板内を伝導させて外部に放散させることができ、半導体発光素子の温度上昇を抑制することができるようになった。その結果、半導体発光素子の良好な発光効率を確保すると共に、長寿命化も実現することが可能となった。

本発明の半導体発光装置の内部結線図である。 本発明の半導体発光装置の上面図である。 図２のＡ−Ａ断面図である。 図２の部分拡大図である。 図３の部分拡大図である。 本発明の半導体発光装置の製造工程図の一部である。 同じく、本発明の半導体発光装置の製造工程図の一部である。 同じく、本発明の半導体発光装置の製造工程図の一部である。 同じく、本発明の半導体発光装置の製造工程図の一部である。 同じく、本発明の半導体発光装置の製造工程図の一部である。 同じく、本発明の半導体発光装置の製造工程図の一部である。 従来例の説明図である。

符号の説明

１ 半導体発光装置
２ 第１の貫通孔
３ 下部基板
４ 第２の貫通孔
５ 上部基板
６ 絶縁性接着層
７ 金属底板
８ 凹部
９ 給電パターン
９ａ、９ｂ 給電パターン
１０ 中継パターン
１０ａ、１０ｂ 中継パターン
１１ 反射パターン
１２ ボンディングワイヤ
１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ ボンディングワイヤ
１３ ボールボンド部
１４ ステッチボンド部
１５ 光出射面
１６ 封止樹脂
２０ 貫通スリット
２１ 絶縁基板
２２ 導体パターン
２３ 多数個取り下部基板
２４ 端部
２５ 多数個取り上部基板
２６ 多数個取り貼り合わせ基板
２７ａ、２７ｂ ダイシングライン

Claims (4)

1. 第１の貫通孔を有する第１の絶縁基板と、
   前記第１の絶縁基板の下面に前記第１の貫通孔を塞ぐように配設された金属底板と、
   前記第１の貫通孔内の前記金属底板上に配置された複数の半導体発光素子とを備え、
   前記複数の半導体発光素子が直列接続されてなる半導体発光装置であって、
   前記複数の半導体発光素子は、上面に対となる両電極を有し、
   前記第一の絶縁基板上に形成され、前記半導体発光素子の電極とボンディングワイヤを介して電気的に接続されて外部からの給電を受ける一対の給電パターンと、
   前記第一の絶縁基板上に前記給電パターと分離して形成され、前記複数の半導体発光素子のうち２つの半導体発光素子の互いに極性の異なる電極とボンディングワイヤを介して電気的に接続された中継パターンを有し、
   前記半導体発光素子の電極とボンディングワイヤがボールボンド部を介して接合されていることを特徴とする半導体発光装置。
2. 前記給電パターンは前記第１の絶縁基板の側面を経由して底面まで延設され、前記中継パターンは前記第１の絶縁基板の端部まで延設されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
3. 前記ボンディングワイヤが前記給電パターンに結線されたステッチボンド部が、前記ボールボンド部より高い位置に形成されることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の半導体発光装置。
4. 前記第１の絶縁基板上面に絶縁性接着層を介して貼り合わされた、前記第１の貫通孔よりも大きい第２の貫通孔を有する第２の絶縁基板を備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体発光装置。

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