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JP2010040799A - Substrate processing system - Google Patents

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JP2010040799A
JP2010040799A JP2008202581A JP2008202581A JP2010040799A JP 2010040799 A JP2010040799 A JP 2010040799A JP 2008202581 A JP2008202581 A JP 2008202581A JP 2008202581 A JP2008202581 A JP 2008202581A JP 2010040799 A JP2010040799 A JP 2010040799A
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JP
Japan
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substrate processing
screen
pod
substrate
displayed
Prior art date
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Pending
Application number
JP2008202581A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takashi Isono
崇 磯野
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Kokusai Denki Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority to JP2008202581A priority Critical patent/JP2010040799A/en
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing system that easily not only recognizes a correlation between an enlarged display and whole but also determines what part of the enlarged display is displayed. <P>SOLUTION: In the substrate processing system including a substrate processing device for processing the substrate and a group control unit for controlling a plurality of substrate processing devices, the group control unit includes an operating means having an operation screen for displaying substrate processing data predetermined and prepared when processing the substrate, and a control means for executing a predetermined displaying program. The control means allows the substrate processing data to be graphed and displayed on an operation screen. When the enlarged display designation is received by the operation screen, a screen whose predetermined scope is enlarged is displayed on the operation screen like the graphed screen by executing a screen display program for enlarging and displaying the substrate processing data. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体製造装置及び、それら半導体製造装置とネットワーク経由で接続する群管理装置で構成される基板処理システムに係り、半導体製造の過程や履歴における温度や圧力、ガス流量などの変化や、装置の稼働状況、装置毎の比較など様々な情報を、装置本体又はケーブル、無線、ネットワークなどを介して表示することができる群管理装置を備えた基板処理システムに関するものである。   The present invention relates to a semiconductor processing apparatus and a substrate processing system including a group management apparatus connected to the semiconductor manufacturing apparatus via a network, and changes in temperature, pressure, gas flow rate, etc. in the process and history of semiconductor manufacturing, The present invention relates to a substrate processing system provided with a group management apparatus capable of displaying various information such as an operation status of an apparatus and comparison between apparatuses via an apparatus main body or a cable, wireless, network, or the like.

従来、基板処理装置の一種である半導体製造装置及びこれら半導体製造装置を管理する群管理装置で構成される基板処理システムでは、半導体製造の過程や履歴における温度や圧力、ガス流量などの変化や、装置の稼働状況、装置毎の比較など様々な情報をグラフ表示してきたが情報量が大量であるため、詳細を見るために拡大表示が必須となっている。   Conventionally, in a substrate processing system comprising a semiconductor manufacturing apparatus which is a kind of substrate processing apparatus and a group management apparatus for managing these semiconductor manufacturing apparatuses, changes in temperature, pressure, gas flow rate, etc. in the process and history of semiconductor manufacturing, Various information such as the operation status of the apparatus and comparison for each apparatus has been displayed in a graph. However, since the amount of information is large, an enlarged display is indispensable to see details.

しかし、拡大表示を行うと詳細は良く解るが全体とのバランスが掴み難いためにグラフ上の変化が何を意味するか解り難くなったり、図4に示すように、スライダ等を使って拡大表示位置を変更してデータの無い場所を一旦表示するとどちらに表示位置を移動すればよいか解らなくなったりすることが多く、一旦縮小表示を行ってから再度拡大するという無駄が生じていた。大量のデータを解析する場合に至っては、その繰り返しによる手間で解析作業そのものの信頼性も揺るがしかねない状況も考えられる。同様に画像診断でも拡大を行うと、全体のどの場所を表示しているか解らなくなり上記グラフと同じ無駄が生じる。また、取扱説明書などのテキストを表示する場合も同様である。   However, when the enlarged display is performed, the details are well understood but the balance with the whole is difficult to grasp, so it is difficult to understand what the change on the graph means, and as shown in FIG. In many cases, once the location where there is no data is displayed by changing the position, it is difficult to know where to move the display position, and there is a waste of enlarging again after performing reduced display. When analyzing a large amount of data, there may be a situation where the reliability of the analysis work itself may be shaken due to the time and effort required to repeat the analysis. Similarly, if enlargement is performed in the image diagnosis, it is impossible to know which part of the whole is displayed, and the same waste as the above graph is generated. The same applies to the case where text such as an instruction manual is displayed.

本発明の目的は、従来技術のグラフ、画像、テキスト等の拡大表示における現在の表示位置と全体との相互関係の解り難さや、一旦データが存在する領域から外れるとどちらに移動すればよいか解らなくなるという問題を解決し、拡大表示と全体との相関関係を容易に認識できるようにし、その拡大表示が何処を表示しているのかを容易に判断できる基板処理システムを提供することにある。   The purpose of the present invention is that it is difficult to understand the relationship between the current display position and the whole in the enlarged display of graphs, images, texts, etc. of the prior art, and which one should be moved once it is out of the area where the data exists An object of the present invention is to provide a substrate processing system that solves the problem of being unclear, makes it easy to recognize the correlation between the enlarged display and the entire display, and can easily determine where the enlarged display is displayed.

本発明の第1の特徴とするところは、基板を処理する基板処理装置と、複数の基板処理装置を管理する群管理装置とで構成される基板処理システムであって、前記群管理装置は、基板処理の際に設定又は生成された基板処理データを表示するための操作画面を備えた操作手段と、所定の表示プログラムを実行する制御手段とを備え、前記制御手段は、前記基板処理データをグラフ化して前記操作画面に表示し、該操作画面で拡大表示指定を受けつけると、前記基板処理データを拡大表示するための画面表示プログラムを実行することにより前記指定された範囲を拡大した画面を前記グラフ化した画面と同様に前記操作画面上に表示することにある。   A first feature of the present invention is a substrate processing system including a substrate processing apparatus that processes a substrate and a group management apparatus that manages a plurality of substrate processing apparatuses, wherein the group management apparatus includes: An operation unit having an operation screen for displaying substrate processing data set or generated during substrate processing; and a control unit that executes a predetermined display program, wherein the control unit stores the substrate processing data. When a graph is displayed and displayed on the operation screen and an enlarged display designation is received on the operation screen, a screen in which the designated range is enlarged by executing a screen display program for enlarging the substrate processing data is displayed. It is to be displayed on the operation screen in the same manner as the graphed screen.

半導体製造装置及び、これら半導体製造装置を管理する群管理装置で構成される基板処理システムにおいて、大量のデータをグラフ表示する際、詳細部分に拡大しても、拡大表示している場所が解るので、複数箇所を見たい場合でも拡大と縮小を繰り返す必要が無くなる。同様に拡大表示中にデータの無いエリアへ行ったとしても、上下左右どちらへ移動すればデータが表示できるか解るので、探し回った挙句に全体表示に戻り再度拡大してゆくという手間が無くなる。   In a substrate processing system composed of a semiconductor manufacturing apparatus and a group management apparatus that manages these semiconductor manufacturing apparatuses, when displaying a large amount of data in a graph, even if it is enlarged to a detailed part, the location of the enlarged display can be understood. This eliminates the need to repeat enlargement and reduction even when it is desired to view a plurality of locations. Similarly, even if an area without data is displayed during enlarged display, it is understood whether the data can be displayed by moving up, down, left, or right, so that there is no need to return to the full display and expand again.

以下に、本発明の一実施形態に係る基板処理システムの構成、及び動作について、図を用いて説明する。まず、図1を用いて、本発明の一実施形態に係る基板処理システムの構成について説明する。   Hereinafter, the configuration and operation of a substrate processing system according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. First, the configuration of a substrate processing system according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

図1に示すとおり、基板処理システムは、基板に処理を行う少なくとも一台以上の基板処理装置10と、基板処理装置10に接続される群管理装置20とを備える。尚、基板処理装置10と群管理装置20との接続は、通信ケーブル等による直接接続であっても良いし、構内回線を介したネットワーク接続でも良いし、インターネットや専用線網などの広域回線を介したネットワーク接続であっても良い。また、基板処理装置10は、基板を処理するための基板処理系100と、基板処理系100に接続された基板処理装置用コントローラ240と、基板処理装置用コントローラ240に接続された操作端末241を備え、群管理装置20は、ネットワーク等を解して基板処理装置10に接続される群管理装置コントローラ21と、群管理装置コントローラ21に接続され、ユーザ(保守員)が群管理装置を操作する際に用いる入出力装置である操作端末22とを備える。   As shown in FIG. 1, the substrate processing system includes at least one substrate processing apparatus 10 that processes a substrate, and a group management apparatus 20 connected to the substrate processing apparatus 10. The connection between the substrate processing apparatus 10 and the group management apparatus 20 may be a direct connection using a communication cable, a network connection via a local line, or a wide area line such as the Internet or a dedicated line network. Network connection may be used. The substrate processing apparatus 10 includes a substrate processing system 100 for processing a substrate, a substrate processing apparatus controller 240 connected to the substrate processing system 100, and an operation terminal 241 connected to the substrate processing apparatus controller 240. The group management apparatus 20 is connected to the group management apparatus controller 21 connected to the substrate processing apparatus 10 through a network and the like, and is connected to the group management apparatus controller 21 so that a user (maintenance staff) operates the group management apparatus. And an operation terminal 22 which is an input / output device used at the time.

本発明を実施するための最良の形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置(IC)の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。尚、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やCVD処理などを行なう縦型の装置(以下、単に処理装置という)を適用した場合について述べる。   In the best mode for carrying out the present invention, as an example, the substrate processing apparatus is configured as a semiconductor manufacturing apparatus that performs processing steps in a method of manufacturing a semiconductor device (IC). In the following description, a case where a vertical apparatus (hereinafter simply referred to as a processing apparatus) that performs oxidation, diffusion processing, CVD processing, or the like is applied to the substrate as the substrate processing apparatus will be described.

図2および図3に示されているように、シリコン等からなるウエハ(基板)200を収納したウエハキャリアとしてフープ(基板収容器。以下ポッドという。)110が使用されている本発明の基板処理系100は、筐体111を備えている。筐体111の正面壁111aの正面前方部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口103が開設され、この正面メンテナンス口103を開閉する正面メンテナンス扉104、104がそれぞれ建て付けられている。筐体111の正面壁111aにはポッド搬入搬出口(基板収容器搬入搬出口)112が筐体111の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口112はフロントシャッタ(基板収容器搬入搬出口開閉機構)113によって開閉されるようになっている。ポッド搬入搬出口112の正面前方側にはロードポート(基板収容器受渡し台)114が設置されており、ロードポート114はポッド110を載置されて位置合わせするように構成されている。ポッド110はロードポート114上に工程内搬送装置(図示せず)によって搬入され、かつまた、ロードポート114上から搬出されるようになっている。   As shown in FIGS. 2 and 3, the substrate processing according to the present invention uses a hoop (substrate container; hereinafter referred to as a pod) 110 as a wafer carrier containing a wafer (substrate) 200 made of silicon or the like. The system 100 includes a housing 111. A front maintenance port 103 as an opening provided for maintenance is opened at the front front portion of the front wall 111a of the casing 111, and front maintenance doors 104 and 104 for opening and closing the front maintenance port 103 are respectively built. It is attached. A pod loading / unloading port (substrate container loading / unloading port) 112 is opened on the front wall 111a of the casing 111 so as to communicate between the inside and the outside of the casing 111. The pod loading / unloading port 112 has a front shutter (substrate container loading / unloading port). The loading / unloading opening / closing mechanism 113 is opened and closed. A load port (substrate container delivery table) 114 is installed in front of the front side of the pod loading / unloading port 112, and the load port 114 is configured so that the pod 110 is placed and aligned. The pod 110 is carried onto the load port 114 by an in-process carrying device (not shown), and is also carried out from the load port 114.

筐体111内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚(基板収容器載置棚)105が設置されており、回転式ポッド棚105は複数個のポッド110を保管するように構成されている。すなわち、回転式ポッド棚105は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱116と、支柱116に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板(基板収容器載置台)117とを備えており、複数枚の棚板117はポッド110を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。筐体111内におけるロードポート114と回転式ポッド棚105との間には、ポッド搬送装置(基板収容器搬送装置)118が設置されており、ポッド搬送装置118は、ポッド110を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ(基板収容器昇降機構)118aと搬送機構としてのポッド搬送機構(基板収容器搬送機構)118bとで構成されており、ポッド搬送装置118はポッドエレベータ118aとポッド搬送機構118bとの連続動作により、ロードポート114、回転式ポッド棚105、ポッドオープナ(基板収容器蓋体開閉機構)121との間で、ポッド110を搬送するように構成されている。   A rotary pod shelf (substrate container mounting shelf) 105 is installed at an upper portion of the casing 111 in a substantially central portion in the front-rear direction. The rotary pod shelf 105 stores a plurality of pods 110. It is configured. In other words, the rotary pod shelf 105 is vertically arranged and intermittently rotated in a horizontal plane, and a plurality of shelf boards (supported by a substrate container) that are radially supported by the support 116 at each of the upper, middle, and lower positions. And a plurality of shelf plates 117 are configured to hold the pods 110 in a state where a plurality of pods 110 are respectively placed. A pod transfer device (substrate container transfer device) 118 is installed between the load port 114 and the rotary pod shelf 105 in the housing 111, and the pod transfer device 118 moves up and down while holding the pod 110. A pod elevator (substrate container lifting mechanism) 118a and a pod transfer mechanism (substrate container transfer mechanism) 118b as a transfer mechanism are configured. The pod transfer device 118 includes a pod elevator 118a and a pod transfer mechanism 118b. The pod 110 is transported between the load port 114, the rotary pod shelf 105, and the pod opener (substrate container lid opening / closing mechanism) 121 by continuous operation.

筐体111内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体119が後端にわたって構築されている。サブ筐体119の正面壁119aにはウエハ200をサブ筐体119内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口(基板搬入搬出口)120が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口120、120には一対のポッドオープナ121、121がそれぞれ設置されている。 ポッドオープナ121はポッド110を載置する載置台122、122と、ポッド110のキャップ(蓋体)を着脱するキャップ着脱機構(蓋体着脱機構)123、123とを備えている。ポッドオープナ121は載置台122に載置されたポッド110のキャップをキャップ着脱機構123によって着脱することにより、ポッド110のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。   A sub-housing 119 is constructed across the rear end of the lower portion of the housing 111 at a substantially central portion in the front-rear direction. A pair of wafer loading / unloading ports (substrate loading / unloading ports) 120 for loading / unloading the wafer 200 into / from the sub-casing 119 are arranged on the front wall 119a of the sub-casing 119 in two vertical stages. A pair of pod openers 121 and 121 are installed at the wafer loading / unloading ports 120 and 120 at the upper and lower stages, respectively. The pod opener 121 includes mounting bases 122 and 122 on which the pod 110 is placed, and cap attaching / detaching mechanisms (lid attaching / detaching mechanisms) 123 and 123 for attaching and detaching caps (lids) of the pod 110. The pod opener 121 is configured to open and close the wafer loading / unloading port of the pod 110 by attaching / detaching the cap of the pod 110 placed on the placing table 122 by the cap attaching / detaching mechanism 123.

サブ筐体119はポッド搬送装置118や回転式ポッド棚105の設置空間から流体的に隔絶された移載室124を構成している。移載室124の前側領域にはウエハ移載機構(基板移載機構)125が設置されており、ウエハ移載機構125は、ウエハ200を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置(基板移載装置)125aおよびウエハ移載装置125aを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ(基板移載装置昇降機構)125bとで構成されている。これら、ウエハ移載装置エレベータ125bおよびウエハ移載装置125aの連続動作により、ウエハ移載装置125aのツイーザ(基板保持体)125cをウエハ200の載置部として、ボート(基板保持具)217に対してウエハ200を装填(チャージング)および脱装(ディスチャージング)するように構成されている。   The sub-housing 119 constitutes a transfer chamber 124 that is fluidly isolated from the installation space of the pod transfer device 118 and the rotary pod shelf 105. A wafer transfer mechanism (substrate transfer mechanism) 125 is installed in the front region of the transfer chamber 124, and the wafer transfer mechanism 125 rotates the wafer 200 in the horizontal direction or can move the wafer 200 in the horizontal direction. Substrate transfer device) 125a and wafer transfer device elevator (substrate transfer device lifting mechanism) 125b for raising and lowering wafer transfer device 125a. By the continuous operation of the wafer transfer device elevator 125b and the wafer transfer device 125a, the tweezer (substrate holder) 125c of the wafer transfer device 125a is used as a placement portion for the wafer 200 with respect to the boat (substrate holder) 217. The wafer 200 is loaded (charged) and unloaded (discharged).

移載室124の後側領域には、ボート217を収容して待機させる待機部126が構成されている。待機部126の上方には、処理炉202が設けられている。処理炉202の下端部は、炉口シャッタ(炉口開閉機構)147により開閉されるように構成されている。   In the rear region of the transfer chamber 124, a standby unit 126 that houses and waits for the boat 217 is configured. A processing furnace 202 is provided above the standby unit 126. The lower end portion of the processing furnace 202 is configured to be opened and closed by a furnace port shutter (furnace port opening / closing mechanism) 147.

図2に示されているように移載室124のウエハ移載装置エレベータ125b側と反対側である右側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア133を供給するよう供給フアンおよび防塵フィルタで構成されたクリーンユニット134が設置されており、ウエハ移載装置125aとクリーンユニット134との間には、ウエハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置135が設置されている。
クリーンユニット134から吹き出されたクリーンエア133は、ノッチ合わせ装置135およびウエハ移載装置125aに流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体111の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット134の吸い込み側である一次側(供給側)にまで循環され、再びクリーンユニット134によって、移載室124内に吹き出されるように構成されている。
As shown in FIG. 2, the supply chamber 124 is supplied with a clean atmosphere 133 or an inert gas supplied to the right end of the transfer chamber 124 opposite to the wafer transfer device elevator 125b. A clean unit 134 composed of a fan and a dustproof filter is installed, and a notch aligner as a substrate aligner for aligning the circumferential position of the wafer between the wafer transfer device 125a and the clean unit 134. 135 is installed.
The clean air 133 blown out from the clean unit 134 is circulated through the notch aligning device 135 and the wafer transfer device 125a and then sucked in by a duct (not shown) to be exhausted to the outside of the casing 111 or clean. The unit 134 is circulated to the primary side (supply side) which is the suction side, and is again blown into the transfer chamber 124 by the clean unit 134.

図2に示されているように、耐圧筐体111右側端部とサブ筐体119の待機部126右端部との間にはボート217を昇降させるためのボートエレベータ(基板保持具昇降機構)115が設置されている。ボートエレベータ115に連結された連結具としてのアーム128には蓋体としてのシールキャップ219が水平に据え付けられており、シールキャップ219はボート217を垂直に支持し、処理炉202の下端部を閉塞可能なように構成されている。
ボート217は複数本の保持部材を備えており、複数枚(例えば、50枚〜125枚程度)のウエハ200をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
As shown in FIG. 2, a boat elevator (substrate holder lifting mechanism) 115 for raising and lowering the boat 217 between the right end of the pressure-resistant casing 111 and the right end of the standby section 126 of the sub casing 119. Is installed. A seal cap 219 serving as a lid is horizontally installed on an arm 128 serving as a connector connected to the boat elevator 115, and the seal cap 219 supports the boat 217 vertically and closes the lower end of the processing furnace 202. It is configured as possible.
The boat 217 includes a plurality of holding members so that a plurality of (for example, about 50 to 125) wafers 200 are horizontally held in a state where their centers are aligned in the vertical direction. It is configured.

次に、本発明の基板処理系100の動作について説明する。
図2および図3に示されているように、ポッド110がロードポート114に供給されると、ポッド搬入搬出口112がフロントシャッタ113によって開放され、ロードポート114の上のポッド110はポッド搬送装置118によって筐体111の内部へポッド搬入搬出口112から搬入される。搬入されたポッド110は回転式ポッド棚105の指定された棚板117へポッド搬送装置118によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板117から一方のポッドオープナ121に搬送されて載置台122に移載されるか、もしくは直接ポッドオープナ121に搬送されて載置台122に移載される。この際、ポッドオープナ121のウエハ搬入搬出口120はキャップ着脱機構123によって閉じられており、移載室124にはクリーンエア133が流通され、充満されている。例えば、移載室124にはクリーンエア133として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が20ppm以下と、筐体111の内部(大気雰囲気)の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
Next, the operation of the substrate processing system 100 of the present invention will be described.
As shown in FIGS. 2 and 3, when the pod 110 is supplied to the load port 114, the pod loading / unloading port 112 is opened by the front shutter 113, and the pod 110 above the load port 114 is connected to the pod transfer device. 118 is carried into the housing 111 from the pod loading / unloading port 112. The loaded pod 110 is automatically transported and delivered by the pod transport device 118 to the designated shelf 117 of the rotary pod shelf 105, temporarily stored, and then one pod opener from the shelf 117. It is conveyed to 121 and transferred to the mounting table 122, or directly transferred to the pod opener 121 and transferred to the mounting table 122. At this time, the wafer loading / unloading port 120 of the pod opener 121 is closed by the cap attaching / detaching mechanism 123, and the transfer chamber 124 is filled with clean air 133. For example, the transfer chamber 124 is filled with nitrogen gas as clean air 133, so that the oxygen concentration is set to 20 ppm or less, which is much lower than the oxygen concentration inside the casing 111 (atmosphere).

載置台122に載置されたポッド110はその開口側端面がサブ筐体119の正面壁119aにおけるウエハ搬入搬出口120の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構123によって取り外され、ポッド110のウエハ出し入れ口が開放される。ポッド110がポッドオープナ121によって開放されると、ウエハ200はポッド110からウエハ移載装置125aのツイーザ125cによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ノッチ合わせ装置135にてウエハを整合した後、移載室124の後方にある待機部126へ搬入され、ボート217に装填(ウエハチャージング)される。ボート217にウエハ200を受け渡したウエハ移載装置125aはポッド110に戻り、次のウエハ110をボート217に装填する。   The pod 110 mounted on the mounting table 122 is pressed against the opening edge of the wafer loading / unloading port 120 on the front wall 119a of the sub-housing 119, and the cap is removed by the cap attaching / detaching mechanism 123. The wafer loading / unloading port of the pod 110 is opened. When the pod 110 is opened by the pod opener 121, the wafer 200 is picked up from the pod 110 by the tweezer 125c of the wafer transfer device 125a through the wafer loading / unloading port, aligned with the notch alignment device 135, and then transferred to the transfer chamber 124. Is loaded into the standby unit 126 at the back of the vehicle and loaded into the boat 217 (wafer charging). The wafer transfer device 125 a that has delivered the wafer 200 to the boat 217 returns to the pod 110 and loads the next wafer 110 into the boat 217.

この一方(上段または下段)のポッドオープナ121におけるウエハ移載装置125によるウエハのボート217への装填作業中に、他方(下段または上段)のポッドオープナ121には回転式ポッド棚105ないしロードポート114から別のポッド110がポッド搬送装置118によって搬送され、ポッドオープナ121によるポッド110の開放作業が同時進行される。   During the loading operation of the wafer into the boat 217 by the wafer transfer device 125 in the one (upper or lower) pod opener 121, the other (lower or upper) pod opener 121 has a rotary pod shelf 105 or load port 114. The other pod 110 is transported by the pod transport device 118, and the opening operation of the pod 110 by the pod opener 121 proceeds simultaneously.

予め指定された枚数のウエハ200がボート217に装填されると、炉口シャッタ147によって閉じられていた処理炉202の下端部が炉口シャッタ147によって開放される。続いて、ウェハ200を保持したボート217はシールキャップ219がボートエレベータ115によって上昇されることにより、処理炉202内へ搬入(ローディング)されて行く。   When a predetermined number of wafers 200 are loaded into the boat 217, the lower end of the processing furnace 202 closed by the furnace port shutter 147 is opened by the furnace port shutter 147. Subsequently, the boat 217 holding the wafers 200 is loaded into the processing furnace 202 when the seal cap 219 is lifted by the boat elevator 115.

ローディング後は、処理炉202にてウエハ200に任意の処理が実施される。処理後は、ノッチ合わせ装置135でのウエハの整合工程を除き、概上述の逆の手順で、ウエハ200およびポッド110は筐体111の外部へ払出される。   After loading, arbitrary processing is performed on the wafer 200 in the processing furnace 202. After the processing, the wafer 200 and the pod 110 are discharged to the outside of the casing 111 in the reverse order of the above-described procedure except for the wafer alignment process in the notch aligner 135.

次に本発明の実施形態について詳述する。本発明では従来の問題点を解決するために拡大表示を行う際、図5に示すように同一画面中に同時、又は交互に切替えながら全体表示も行う。この全体表示の上に目立つ色の線又は塗り潰しなどによって枠を表示し、拡大表示している位置と範囲を判りやすく示す。   Next, an embodiment of the present invention will be described in detail. In the present invention, when the enlarged display is performed to solve the conventional problems, the entire display is also performed while switching simultaneously or alternately on the same screen as shown in FIG. A frame is displayed by a conspicuous color line or painting on the entire display, and the position and range of the enlarged display are easily shown.

X軸が時間、Y軸が温度を示すグラフ表示する場合を例に説明する。拡大表示の開始位置と終了位置の時間から、全体表示時の開始位置(X0,Y0)と終了位置(X1,Y1)の時間データ(X0,X1)を元に全体表示上の拡大表示位置の開始位置(x0, y0)と終了位置(x1,y1)を求める。   A case where the graph is displayed with the X axis indicating time and the Y axis indicating temperature will be described as an example. Based on the time of the start position and end position of the enlarged display, based on the time data (X0, X1) of the start position (X0, Y0) and end position (X1, Y1) of the entire display, The start position (x0, y0) and the end position (x1, y1) are obtained.

図6を用いて、本実施の形態における画面表示プログラムについて詳述する。図6は、全体表示のX軸の時間データが0時〜24時の合計24時間を表示するグラフである。図6に示すように、グラフ全体を表示する画面上の任意の2点を指定する。その際、前記開始位置は、画面に触れた位置であり、前記終了位置は、画面から離れた位置である。拡大表示の時間データが15時〜18時の3時間を表示する場合、X0=100、X1=500とするとx0,x1はそれぞれ以下のように求まる。
x0=X0+((X1−X0)×15÷24)=100+((500-100)×15÷24)=350
x1=X0+((X1−X0)×18÷24)=100+((500-100)×18÷24)=400
The screen display program in the present embodiment will be described in detail using FIG. FIG. 6 is a graph showing a total of 24 hours when the time data of the X axis of the entire display is from 0:00 to 24:00. As shown in FIG. 6, two arbitrary points on the screen displaying the entire graph are designated. At this time, the start position is a position touched on the screen, and the end position is a position away from the screen. When the time data of the enlarged display is displayed for 3 hours from 15:00 to 18:00, when X0 = 100 and X1 = 500, x0 and x1 are obtained as follows.
x0 = X0 + ((X1−X0) × 15 ÷ 24) = 100 + ((500-100) × 15 ÷ 24) = 350
x1 = X0 + ((X1−X0) × 18 ÷ 24) = 100 + ((500-100) × 18 ÷ 24) = 400

同様に全体表示のY軸の温度データ(Y0,Y1)が、0℃〜500℃の合計500℃を表示するグラフである。拡大表示の時間データが250℃〜350℃の100℃を表示する場合Y0=100、Y1=400とすると、左上が描画の開始位置だとするとy0、y1はそれぞれ以下にように求まる。
y0=Y0+((Y1−Y0)×(1−350÷500))=100+((400-100)×(1-350÷500)=190
y1=Y0+((Y1−Y0)×(1−250÷500))=100+((400-100)×(1-250÷500)=250
Similarly, the Y-axis temperature data (Y0, Y1) of the entire display is a graph displaying a total of 500 ° C. from 0 ° C. to 500 ° C. When the enlarged display time data is 100 ° C. from 250 ° C. to 350 ° C. When Y0 = 100 and Y1 = 400, if the upper left is the drawing start position, y0 and y1 are obtained as follows.
y0 = Y0 + ((Y1−Y0) × (1−350 ÷ 500)) = 100 + ((400-100) × (1-350 ÷ 500) = 190
y1 = Y0 + ((Y1−Y0) × (1−250 ÷ 500)) = 100 + ((400-100) × (1-250 ÷ 500) = 250

すなわちこの例の場合は、全体のグラフを開始位置(100、100)から終了位置(500,400)の範囲で描画し、その上に拡大表示を表す開始位置(350,190)から終了位置(400,250)の矩形を描画することで、全体に占める拡大表示の描画範囲を示すことが出来る。拡大位置が変更されるたびに旧矩形の削除、又は全体再表示と新矩形の描画を繰り返す。   That is, in this example, the entire graph is drawn in the range from the start position (100, 100) to the end position (500, 400), and then the start position (350, 190) representing the enlarged display is displayed on the graph. 400, 250) can draw the enlarged display drawing range in the whole. Each time the enlargement position is changed, the deletion of the old rectangle, or the entire redisplay and the drawing of the new rectangle are repeated.

このように本実施の形態における画面表示プログラムは、グラフ全体を表示する全体画面の開始位置と終了位置のデータを予め取得しておき、該全体画面上で拡大画面の表示指定により実行される。該画面表示プログラムは、拡大画面表示指定があれば、その開始位置、終了位置のデータを取得し、予め取得しておいた全体画面の開始位置、終了位置のデータを用いて、指定された描画範囲を算出し、前記全体画面上に前記描画範囲を表示させると共に、その描画範囲を拡大し、個別に拡大画面として表示させることにより、全体画面と拡大画面とを同一画面上に表示させる。   As described above, the screen display program according to the present embodiment is executed by acquiring the data of the start position and end position of the entire screen for displaying the entire graph in advance and specifying the display of the enlarged screen on the entire screen. If there is an enlarged screen display designation, the screen display program acquires the data of the start position and end position, and uses the data of the start position and end position of the entire screen acquired in advance to specify the drawing The range is calculated, the drawing range is displayed on the entire screen, and the drawing range is enlarged and individually displayed as an enlarged screen, so that the entire screen and the enlarged screen are displayed on the same screen.

次に、本発明の実施形態における画面表示プログラムを上述した基板処理系100の動作における温度データに適用した場合について詳述する。   Next, the case where the screen display program in the embodiment of the present invention is applied to the temperature data in the operation of the substrate processing system 100 described above will be described in detail.


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は、基板処理装置10で行われる成膜処理の一例である。
1217839198685_1
の左側にフローチャートを示し、右側に炉内の温度変化の概略図を示したものである。温度変化の概略図に付されている記号はフローチャートの中の同一処理が行われていることを示す。

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Is an example of a film forming process performed in the substrate processing apparatus 10.
1217839198685_1
A flowchart is shown on the left side of FIG. 1, and a schematic diagram of temperature changes in the furnace is shown on the right side. A symbol attached to the schematic diagram of the temperature change indicates that the same processing in the flowchart is performed.

ステップS101は、炉内の温度を比較的低い温度T0に維持及び安定させる処理である。ステップS101では、ボート217はまだ炉内へ投入されていない。ステップS102は、ウエハ200を保持しているボート217を炉内へ投入する処理である。ウエハ200の温度はこの時点で炉内の温度T0より低いために、ボート217を炉内へ投入した結果、炉内の温度は一時的にT0より低い温度になる。しかし、温度コントローラによる適切な制御方法と電力制御部による電力供給手段によって、炉内はある程度の時間を経て再びT0に安定する。 Step S101 is to maintain and stabilize the processing temperature of the furnace at a relatively low temperature T 0. In step S101, the boat 217 has not yet been put into the furnace. Step S102 is a process of throwing the boat 217 holding the wafers 200 into the furnace. Since the temperature of the wafer 200 is lower than the temperature T 0 in the furnace at this time, as a result of putting the boat 217 into the furnace, the temperature in the furnace temporarily becomes lower than T 0 . However, the furnace is stabilized again at T 0 after a certain period of time by an appropriate control method using the temperature controller and power supply means using the power controller.

ステップS103は、T0から成膜処理を施すための温度T1まで徐々に炉内の温度を上昇させる処理である。ステップS104はウエハ200に成膜処理を施すために炉内の温度をT1に維持および安定させる処理である。ステップS105は、T1から再びT0まで徐々に炉内の温度を下降させる処理である。ステップS106は成膜処理が施されたウエハ200を保持しているボート217を炉内から引き出す処理である。成膜処理すべきウエハ200が残っている場合は、再びステップS101へ戻り、ステップS101と同時にボート217に保持されている成膜処理済みのウエハ200を未処理のものと交換した後、同じ手順を繰り返すようになっている。 Step S103 is a process of gradually increasing the temperature in the furnace from T 0 to the temperature T 1 for performing the film forming process. Step S104 is a process for maintaining and stabilizing the temperature in the furnace at T 1 in order to perform the film forming process on the wafer 200. Step S105 is a process of gradually lowering the temperature in the furnace from T 1 to T 0 again. Step S106 is a process of pulling out the boat 217 holding the wafer 200 on which the film formation process has been performed from the furnace. If the wafer 200 to be deposited remains, the process returns to step S101 again, and the same procedure is performed after replacing the deposited wafer 200 held in the boat 217 simultaneously with step S101 with an unprocessed one. Is to repeat.

図9は、本発明の実施形態を基板処理装置10の温度データに適用した具体例を示す。   FIG. 9 shows a specific example in which the embodiment of the present invention is applied to temperature data of the substrate processing apparatus 10.

図9(A)のようにボード217を炉内に挿入した場合の温度変化の詳細が表示されるので、炉内の温度変化の様子がわかる。図9(A)によれば全体画面では温度安定しているようであるが、実際にはオーバーシュートが発生していることがわかる。従い、次の成膜処理が終了して、後の工程で異常が発生した場合、その異常発生の要因の一つであることが推測される。   Since the details of the temperature change when the board 217 is inserted into the furnace are displayed as shown in FIG. 9A, the state of the temperature change in the furnace can be understood. FIG. 9A shows that the temperature is stable on the entire screen, but it can be seen that overshoot actually occurs. Therefore, when the next film formation process is completed and an abnormality occurs in a later process, it is estimated that this is one of the causes of the abnormality.

尚、本発明の実施形態においては、グラフ図に関して記載してきたが、本発明は、特に、グラフに限定されず、例えば、図7に示すように画像やテキストに関しても同様に適用することができる。   Although the embodiment of the present invention has been described with reference to the graph, the present invention is not particularly limited to the graph, and can be similarly applied to images and text as shown in FIG. 7, for example. .

本発明の実施形態に係る基板処理システムの概略構成図1 is a schematic configuration diagram of a substrate processing system according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係る基板処理装置を示す平面透視図Plane perspective view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention 本発明の実施形態に係る基板処理装置を示す側面透視図Side perspective view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention 従来技術における拡大表示を示す図Diagram showing enlarged display in the prior art 本発明の実施形態に係る拡大表示を示す図The figure which shows the enlarged display which concerns on embodiment of this invention 本発明の実施形態における画面表示プログラムを説明する図The figure explaining the screen display program in embodiment of this invention 本発明における他の実施例を示す図The figure which shows the other Example in this invention. 本発明に係る基板処理装置の温度変化の概略を示す図The figure which shows the outline of the temperature change of the substrate processing apparatus which concerns on this invention 本発明の実施形態に係る画面表示プログラムを基板処理装置の温度御データに適用した図The figure which applied the screen display program which concerns on embodiment of this invention to the temperature control data of a substrate processing apparatus

符号の説明Explanation of symbols

1 基板処理システム
10 基板処理装置
20 群管理装置
21 群管理装置コントローラ
22 操作端末(操作部)
100 基板処理系
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing system 10 Substrate processing apparatus 20 Group management apparatus 21 Group management apparatus controller 22 Operation terminal (operation part)
100 Substrate processing system

Claims (1)

基板を処理する基板処理装置と、複数の基板処理装置を管理する群管理装置とで構成される基板処理システムであって、
前記群管理装置は、基板処理の際に設定又は生成された基板処理データを表示するための操作画面を備えた操作手段と、所定の表示プログラムを実行する制御手段とを備え、前記制御手段は、前記基板処理データをグラフ化して前記操作画面に表示し、該操作画面で拡大表示指定を受けつけると、前記基板処理データを拡大表示するための画面表示プログラムを実行することにより前記指定された範囲を拡大した画面を前記グラフ化した画面と同様に前記操作画面上に表示することを特徴とする基板処理システム。
A substrate processing system comprising a substrate processing apparatus for processing a substrate and a group management apparatus for managing a plurality of substrate processing apparatuses,
The group management apparatus includes an operation unit including an operation screen for displaying substrate processing data set or generated during substrate processing, and a control unit that executes a predetermined display program. The substrate processing data is graphed and displayed on the operation screen. When the enlarged display designation is received on the operation screen, the designated range is executed by executing a screen display program for enlarged display of the substrate processing data. A substrate processing system, wherein an enlarged screen is displayed on the operation screen in the same manner as the graphed screen.
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