JP2009502032A - 電磁線放射型の光電子構成素子のためのケーシング、電磁線放射型の構成素子及びケーシング又は構成素子を製作するための方法 - Google Patents

Abstract

電磁線放射型の光電子構成素子のためのケーシングを提供する。このケーシングの外側の側面には、少なくとも部分的に遮蔽層が設けられており、この遮蔽層は、電磁線を遮蔽するために適している。これにより、多くの用途に関して不都合な、ケーシングの側方からの電磁線放射を概ね回避しようとするものである。更に、このようなケーシングを備えた電磁線放射型の構成素子及び対応するケーシング又は構成素子を製作するための方法を提供する。

Description

この特許出願は、ここでドイツ連邦共和国特許出願第１０２００５０３４１６６．７号の開示内容を引用することにより、その優先権を請求するものである。

本発明は、作動時に電磁線を放射するのに適した光電子構成素子のためのケーシングに関する。更に本発明は、このようなケーシングを備えた電磁線放射型の構成素子及び前記ケーシング又は構成素子を製作するための方法を含む。

電磁線放射型の光電子構成素子のための、基体を備えたケーシングが公知であり、前記基体は切欠きを規定している。この切欠きの底部は、ルミネセンスダイオードチップを組み込むために規定されている。切欠きの内壁は、リフレクタ状に成形されていてよいので、ルミネセンスダイオードチップから放射された電磁線の一部は、前記内壁を介して所望の放射空間角度に変向され得る。

このようなケーシングのための基体は、多くの場合、プラスチックから成っている。更に、例えば基体が部分的に又は完全にセラミック材料から成っているケーシングも公知である。

電磁線を放射する光電子構成素子は、ますます頻繁にヘッドライト又は投射アプリケーションにおいて使用されている。電磁線を放射するルミネセンスダイオードが使用されるヘッドライトに関する一例が、ＷＯ２００４／０８８２００に記載されている。この刊行物に記載されたヘッドライトエレメントは、例えば投射アプリケーションにも使用可能である。

ヘッドライトアプリケーション又は投射アプリケーションにおいて重要なのは、ルミネセンスダイオードチップから放射される電磁線が、できるだけ高い放射線密度で規定の狭い空間角度に放射されることである。このためには、例えば放射線ビームが投影レンズ等の光学系を介して所望の平面に投射される。このような使用に際しては、用いられる光電子構成素子の放射特性の不規則性が強められ、特に重大になる恐れがある。従って、放射特性に関して特に前記のような用途のために形成された、適当な構成素子に対する要求が存在する。

本発明が解決しようとする課題は、冒頭で述べた形式のケーシングを、技術的に簡単な手段により、得られる放射特性に関して公知のケーシングと比べて改善することにある。当該ケーシングは特に、ヘッドライトアプリケーション／投射アプリケーション用により良く適しているのが望ましい。更に、このようなケーシングを備えた構成素子及びこのようなケーシングを製作するための方法を提供しようとするものである。

少なくとも部分的に遮蔽層の設けられた外側の側面を有する、冒頭で述べた形式のケーシングが提供される。前記遮蔽層は電磁線を遮蔽するために適しており、この場合特に、ケーシングの内部で発生した又は発生されるべき電磁線を外部に対して遮蔽することが規定されている。これにより、このようなケーシングを備えた適当な光電子構成素子において、有利にはケーシングからの電磁線の側方出射が著しく減少されるか、又は完全に防止され得る。

従来の電磁線放射型の構成素子では、プラスチック及び／又はセラミック材料を有するケーシング体はしばしば、電磁線に関して部分的に透過性である。特に、薄いケーシング壁を備えたケーシングの場合は、これらのケーシング壁を、ケーシングの内部で生ぜしめられた電磁線の一部が貫通する。これにより、電磁線は有利な空間角度だけに放射されるのではなく、ケーシングの側方からも放射される。

側方に放射されるこのような電磁線は、多くの用途に関して不都合ではない。それというのも、当該の電磁線は、全体としてケーシングから放射される放射線強度の僅かな部分でしかないからである。但し、側方から放射された電磁線は、特にヘッドライトアプリケーション及び投射アプリケーションでは不都合に作用する恐れがあるということが立証された。このことは例えば、良好に規定された光密度分布及びシャープな明／暗移行部を有する放射線ビームを得ようとするアプリケーションの場合に当てはまる。

ケーシングの外側の側面に遮蔽層を設けるという手段により、このようなケーシングの放射特性を改善するために、技術的に簡単且つ効率的な手段が提供される。ケーシングの外側の側面に遮蔽層を付与することは、有利には基本的に特別なケーシングデザインが要求されることはなく、多くの従来のケーシングにおいて実施可能である。

ケーシングの外側の側面とは、ケーシングを備えた構成素子に関して規定された放射軸線から離反する方向で傾斜された、ケーシングのケーシング体の外面であると理解される。前記放射軸線は、特にチップ組込み平面又はケーシングのケーシング組込み平面に対して垂直に延びており且つ例えば発光ダイオード等のルミネセンスダイオードチップに関して規定された領域を通って延びている。主要延在平面が、放射軸線に対して垂直に延びているか、又は放射軸線に向かって傾斜されている外面は、外側の側面ではない。ケーシングの放射側とは反対の側の裏側の外面も、有利にはやはり「外側の側面」という表現には当たらない。

外側の側面は、部分的に又は完全に平らに形成されていてよい。択一的又は付加的に、外側の側面は凹面又は凸面に湾曲されているか、又は何らかの形式で構造化されているということが可能である。

遮蔽層は特に、電磁線を遮蔽するために適しており、この電磁線は、ルミネセンスダイオードチップから放射される電磁線のスペクトル域を有しており、この場合、ルミネセンスダイオードチップは、ケーシングを備えた構成素子のために規定されている。特に有利には、遮蔽層は電磁線を完全に遮蔽するために適している、つまり、遮蔽層は特に有利には、遮蔽しようとする波長域の電磁線に関して非透過性である。但し、遮蔽層は電磁線に関して部分的に透過性であるということも可能である。例えば、遮蔽層は必ずしも遮蔽されるべきではない波長域の電磁線に関して、又は遮蔽しようとする電磁線に関しても、部分的に透過性であってよい。遮蔽しようとする電磁線は、有利には可視光である。

有利には、遮蔽層は、ケーシングを備えた構成素子のために規定されたルミネセンスダイオードから放射される電磁線の遮蔽しようとする波長域に関して、０．１未満又は０．１の総透過度、特に有利には０．０５未満又は０．０５の総透過度を有している。特に有利には、この総透過度は少なくとも放射線の可視部分に関してほぼ０である。

「遮蔽層」という概念は、本発明ではケーシングの電気的な接続導体又は電気的な導体路には当たらない。むしろ、ケーシングの外側の側面からは、電気的な導体路又は電気的な接続導体が除去されているか、又はケーシングは外側の側面に、場合によっては存在する電気的な接続導体又は電気的な導体路に対して付加的に、少なくとも１つの遮蔽層を有している。

有利な構成では、遮蔽層は電磁線に関して反射性の材料を有している。これにより、外側の側面からの電磁線はケーシング体に反射し戻され、延いては必ずしも有用性が損なわれることにはならない。

付加的又は択一的に、遮蔽層は有利には電磁線に関して吸収性の材料を有している。適当な吸収性材料は、有利には特に廉価であり且つ電磁線を高い効率で遮蔽することができる。特に有利には、吸収性材料は黒色材料を有している、つまり、当該材料の色は人間の目に黒色トーンとして見える。

別の有利な構成では、遮蔽層はラッカを有している。ラッカは、技術的に容易に被着され得る廉価な材料である。

有利には、外側の側面は、セラミック材料を有するケーシング体の外面を有している。付加的又は択一的に、外側の側面は、更に別の有利な構成では少なくとも１つのプラスチックを有するケーシング体の外面を有している。従来の光電子ケーシングのために使用されるプラスチック及びセラミック材料は、例えば可視光等の電磁線に関してしばしば透過性である。従って、このようなケーシングには遮蔽層を設けることが特に有利である。

ケーシングの外側の側面は、特に有利にはケーシングの組込み平面に対して垂直に延びる平面に対して、少なくとも部分的に傾斜している。外側の側面は特に、少なくとも部分的にケーシングの組込み平面から離反するように傾斜されている。このことは、遮蔽層の付与に関して有利であってよい。それというのも、外側の側面の傾斜した部分は、ケーシングの組込み平面に対して垂直には延びていないので、側方のみならず、上方からも接近可能だからである。ケーシングの上面とは、とりわけケーシングの組込み平面とは反対の側の面であると理解される。

特に有利には、外側の側面は前記平面に対して少なくとも部分的に、３０°〜６０°傾斜されている。

有利には、少なくとも１つの外側の側面がほぼ完全に遮蔽層により被覆されている。これに関連した側面とは、ケーシング体の主要面のうちの１つにおける、ケーシング体の上面であると理解される。例えばほぼ正方形又は方形の基本形状を有するケーシング体は、４つの側方主要面を有している。これらの主要面のうちの少なくとも１つの外面が、当該構成ではほぼ完全に遮蔽層により被覆されている。

更に、遮蔽層が有利にはプラスチックを有しているか、又はプラスチックから成るケーシングが提供される。プラスチックは、有利には吸収特性を有しており且つ例えばコーティングの形で付与され得る。

電磁線放射型の光電子構成素子は、ケーシングと、例えばケーシングに組み込まれたルミネセンスダイオードチップの形の、少なくとも１つのルミネセンスダイオードとを有している。

光電子構成素子のためのケーシング又は電磁線放射型構成素子を製作するための方法を提供する。１方法段階は、ケーシング又はケーシングを備えた構成素子の準備を包含している。別の方法段階は、ケーシングの側方に配置された外側の上面の少なくとも一部に、つまり、ケーシングの外側の側面の少なくとも一部に遮蔽層を付与することを包含している。

特に有利には、遮蔽層の付与はタンポン印刷の使用を包含している。このタンポン印刷は、特にプラスチック体の印刷に適した間接的な印刷方法である。タンポン印刷によって、例えば凸面又は凹面に湾曲された平らでない面にも、付与しようとする材料が設けられる。

付加的又は択一的に、遮蔽層の付与は、スクリーン印刷、インクジェット印刷、プラスチックコーティング及び粉末コーティングのうちの少なくとも１つの方法の使用を包含していてよい。

以下に、本発明の実施例を図面につき詳しく説明する。

実施例及び図面において、同一の又は同一作用を有する構成部材には、それぞれ同一符号が付されている。図示の構成部材及び構成部材相互の大きさの比率は、必ずしも縮尺が適合されているわけではない。むしろ、図面の若干の詳細は、より良い理解のために過大に示されている可能性がある。このことは特に、遮蔽層の例示について当てはまる。

図１から図３に示したケーシング２は、キャビティ５０を備えたケーシング体２５を有している。キャビティ５０の開口は、細長い横断面横断面を有しており、この横断面は、例えば丸みを付けられた縁部を備えた方形の形状で形成されている。キャビティ５０は、このキャビティ５０に少なくとも１つのルミネセンスダイオードチップを組み込み且つ導電接続するために設けられている。図１から図３に示したケーシングには、例えば４つ又は５つのルミネセンスダイオードチップが設けられており、これらのルミネセンスダイオードチップはキャビティ５０の底部に、例えば線状配置形式で組み込まれる。

ケーシング体２５は、例えばプラスチック材料を有しているか、又はプラスチック材料から成っている。このためには有利には、例えばポリフタルアミド等の熱可塑性プラスチック又は熱硬化性プラスチックが用いられる。このプラスチック材料には充填剤が添加されていてよい。適当な充填剤は、例えば硫酸バリウム、アナターゼ（これはＴｉＯ_２の変種である）及びポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ、例えばテフロン）であって、これらの充填剤は、最高５０％の体積量が添加されている。更に有利な体積量は、約５％〜１５％の範囲内である。

ケーシング２は、前側に配置されたケーシング体２５の外面２４を有しており、この外面２４は、構成素子に関して規定されたケーシングの主要放射方向に対して垂直に延在している。更に、ケーシング体２５は外側の側面２３を有している。これらの外側の側面２３のうちの１つには、遮蔽層３が設けられている。

図１から図３に示した実施例では、遮蔽層３が外側の１側面を完全に被覆している。但し、この外側の側面２３が遮蔽層３によって部分的にのみ被覆されているということも可能である。例えば、上半分だけに遮蔽層３が設けられていてよい。

遮蔽層３を設けられた外側の側面２３は、ケーシングの組込み平面に対して垂直に延びる平面に対して傾斜している。当該側面は、平らに形成されており且つケーシングの組込み平面に対して垂直な平面に対して所定の角度３１だけ傾けられている（図３参照）。この角度３１は３０°〜６０°、例えば５０°である。

遮蔽層３は、例えば銀等の金属材料を有する、例えば反射性の材料から成っている。遮蔽層を形成するためには、例えば十分に大きな層厚さを有する銀層が、対応する外側の側面２３に付与されている。銀は、大きなスペクトル域で見える光に関して高い反射性を有している。完全な遮蔽を得るためには、銀層は単に少数の単層厚さであってはならない。それというのも、さもなければ当該の銀層は電磁線に関して部分的に透過性であるからである。当該銀層は、例えば１０μｍの厚さを有している。

付加的又は択一的に、遮蔽層３は例えば吸収性の材料を有していてもよい。このためには、例えばやはり金属材料が考慮され、この金属材料は、規定された所定のスペクトル域に関して主に吸収特性を有している。吸収性材料の場合も、ケーシング内で発生される電磁線を概ね遮蔽可能にするためには、当該の吸収性材料が極端に薄い層では被着されないということが重要である。遮蔽層は、遮蔽しようとする波長領域に関して例えば０．０１未満又は０．０１の総透過度を有している。吸収性材料としては、例えばラッカ又はプラスチックも考慮される。

別の実施例では、遮蔽層３は反射層を有しており、この反射層は、対応する外側の側面２３に付与されており且つやはり吸収層上に付与されている。この吸収層は、例えば黒色ラッカ又は黒色プラスチックである。これらは特に、可視電磁線に関して吸収性である。遮蔽層３は択一的に、例えば十分な厚さの黒色ラッカ層又は黒色プラスチック層だけから成っていてもよい。

図４及び図５に示したケーシング２では、上で図１から図３に基づき説明したケーシングとは異なり、外側の１側面２３が部分的にしか遮蔽層３によって被覆されていない。遮蔽層３によって部分的に被覆された外側の側面２３は、第１の部分と第２の部分とを有している。両部分は例えば平らに形成されている。第１の部分は、例えばケーシング２の組込み平面に対して垂直に延びている。第２の部分は、第１の部分に対して例えば５５°だけ傾斜している。この第２の部分は、例えば遮蔽層３により完全に被覆されている。第１の部分は遮蔽層を有していない。択一的に、第１の部分も遮蔽層により被覆されていてよい。

その他の点においては、図４及び図５に示したケーシング２は、上で図１から図３に基づき説明したケーシングと同様に形成されていてよい。同じことは、遮蔽層３の可能な組成、材料及び構成について言える。

図６及び図７に示した構成素子は、支持体２１と、この支持体２１に配置されたフレーム２２とを備えたケーシング２を有している。フレーム２２は、キャビティ５０を仕切る内壁５を有している。溝状に形成されたキャビティ５０には、複数の半導体チップ４が線状配置形式で配置されている。

図６に示した構成素子では、ルミネセンスダイオードチップ４が１直線に沿って配置されている。これとは異なり、図７に示した構成素子におけるルミネセンスダイオードチップ４は、部分的に第１の直線に沿って配置されており且つ部分的に第２の直線に沿って配置されている。この場合、第１及び第２の直線は、互いに例えば１５°の角度を成している。従って、この半導体チップの配置形式は屈曲部を有している。

キャビティ５０の内壁５は、ルミネセンスダイオードチップ４に対して比較的小さな間隔を有している。この間隔は、例えばルミネセンスダイオードチップ４の横方向の縁部長さよりも小であるか、又は該縁部長さと同じである。これに対応して、キャビティ５０の底部は比較的小さな面積を有している。

ルミネセンスダイオードチップ４は、ケーシング２に電気的に組み込まれており、この場合、ルミネセンスダイオードチップ４は互いに直列に接続されている。このためには、キャビティ５０の底部が複数の電気的な内部コンタクト面１２を有しており、この場合、ルミネセンスダイオードチップは、例えばキャビティ５０の底部５４に面した側で、例えばろう接又は導電性接着剤により、対応する内部コンタクト面１２とそれぞれ導電接続されており且つ各コンタクト面１２の一部に載置されている。ルミネセンスダイオードチップ４の内部コンタクト面１２とは反対の側は、例えばボンディングワイヤ４６を介して対応するコンタクト面と導電接続されている。

内部コンタクト面１２のうちの２つは、支持体２１上でこの支持体２１の、フレーム２２に対して横方向にズラされた領域にまで延びており、この領域で当該の２つの内部コンタクト面１２は構成素子の外部コンタクト１４と導電接続されており、これらの外部コンタクト１４を介して構成素子は外部と電気的に接続可能である。

ルミネセンスダイオードチップ４は作動時に、例えば青色又は紫外の波長領域からの電磁線を放射する。

例えば、フレームは酸化アルミニウムを有しているか、又は酸化アルミニウムから成っている。択一的に、フレームが例えば窒化アルミニウム又は液晶ポリマ（ＬＣＰ）等の、低反射性の材料を有しているか、又はこの材料から成っていることも可能である。ＬＣＰをフレーム２２のための材料として使用することは、材料が熱的に支持体２１に適合され得るという利点を有している。支持体２１は材料として、例えば廉価であり且つ高い熱伝導率を備えた窒化アルミニウムを有している。択一的な材料としては、例えばケイ素又は炭化ケイ素が可能である。

図６及び図７に示した構成素子１のケーシング２は、ルミネセンスダイオードチップ４の配置に沿ってキャビティ５０を仕切る内壁を片面に有しており、この場合、この内壁の少なくとも１つの区分がシールド壁５１として形成されている。このようなシールド壁により、望まない空間領域への放射線の放射が抑制され得る。このためには、シールド壁５１はルミネセンスダイオードチップ４の組込み平面に対して、有利にはほぼ８０°以上で且つ１１０°か又は１１０°未満の角度で延びている。特に、当該シールド壁は組込み平面に対してほぼ垂直に延びている。

ルミネセンスダイオードチップ４は、シールド壁５１に対して例えば１００μｍ未満又は１００μｍの間隔５３をあけて配置されている。このように小さな間隔５３では、シールド壁５１の効果的なシールド作用が、該シールド壁５１が比較的低く形成された場合、即ち、シールド壁が小さな高さを有している場合にも達成され得る。更に、当該の小さな間隔を介して、ルミネセンスダイオードチップ４から放射された電磁線の一部が、単位面積当たりの高い放射線強度で以てシールド壁５１に当たり、これにより、不都合な空間角度での放射線の回避と、所望の有利には狭い空間角度での、高い放射線密度を有する電磁線の放射の両方が概ね可能になる。

この特性は特に、規定された空間角度でなるべく明るく照明するのが望ましいヘッドライトにおいて、例えば自動車用ヘッドライトにおいて所望される。自動車用ヘッドライトの場合、例えば一方では走行経路、即ち特に道路をできるだけ明るく照らすのが望ましいのだが、他方では対向車両が幻惑されることは許されないので、上方の空間角度への光の放射は不都合であり、概ね防止されている。このことはまさしく、シールド壁５１を備えた構成素子によって達成され得る。更に、ルミネセンスダイオードチップ４の伸長配置形式は、経路若しくは道路の明るい面状の均等な照明を、道路の全幅を越えて可能にする。

シールド壁５１に対向位置するフレーム２２の外側の側面２３は、図６及び図７に示した構成素子１の場合、それぞれ遮蔽層３を有している。この遮蔽層３は、上で既に説明したように形成されていてよい。当該の遮蔽層３により、不都合な空間角度への放射線放射の防止が概ね実現可能である。

図８に示したケーシング２もやはり、支持体２１及びフレーム２２を有している。ケーシング２は互いに対向位置する２つの側に電気的な外部コンタクト面１４を有しており、これらの外部コンタクト面１４は、それぞれ電気的な内部コンタクト面１２と導電接続されている。当該ケーシング２は、ｎ個のルミネセンスダイオードチップ用に規定されており且つ２*ｎ個の外部コンタクト面１４を有しているので、このようなケーシング２に組み込まれた全てのルミネセンスダイオードチップを、別のルミネセンスダイオードチップとは無関係に制御することが可能である。外部コンタクト面１４、電気的なコンタクト面１２及びこれらのコンタクト面間の導体路は、例えば金属コーティングによって支持体２１に形成されている。適切な金属は、例えば金である。

外部コンタクト面１４が形成されていない側では、ケーシング２の外側の側面２３に、それぞれ遮蔽層３が設けられている。この遮蔽層３は、支持体２１とフレーム２２両方の外側の側面２３を覆って延在している。フレーム及び支持体は、例えば窒化アルミニウム等のセラミック材料を有しているか、又はこのようなセラミック材料から成っている。

図９に示した発光モジュール１５０は、単一の構成素子１を有している。この構成素子１は、有利には多様な形式で用いられ且つ技術的に簡単に組み込まれるような、小さな寸法を有している。

発光モジュール１５０はモジュール支持体１８を有しており、このモジュール支持体１８には２つの孔１７が設けられている。これらの孔１７は、機械的な組込みのため、並びに択一的又は付加的に発光モジュール１５０を熱的に接続するために役立つ。例えば発光モジュール１５０は、前記孔１７にねじ山有り又は無しの１つ又は２つの組込みピンが差し込まれ且つクランプ又はねじにより固定可能である。

図９に示した発光モジュール１５０は対応コネクタ１６０を有しているので、当該の発光モジュール１５０は、対応するコネクタを介して外部と電気的に接触接続可能である。更に発光モジュール１５０は、例えばルミネセンスダイオードチップ４のための過電圧保護手段を有している。このような過電圧保護手段は、例えば少なくとも１つのバリスタ１６１の形で設けられており、このバリスタ１６１は、構成素子１又はルミネセンスダイオードチップ４に対して並列接続されている。

発光モジュール１５０に含まれる構成素子１は、上で図８に基づき説明した構成素子１と同様に構成されている。この構成素子１は、支持体２１、フレーム２２及び４つのルミネセンスダイオードチップ４を有している。フレーム２２の全ての外側の側面を取り囲んで、遮蔽層３が設けられている。これに対して、支持体２１は例えば遮蔽層を有していない。択一的に、発光モジュールは勿論、例えば上で図１から８に基づき説明したようなケーシング２を有する別の構成素子を有していてもよい。

説明したケーシング２及び構成素子１は、特にヘッドライトモジュール用、特に自動車用用途にも使用可能である。同様に、当該ケーシング２及び構成素子１は投射用用途に適していてよい。

構成素子１は、例えば白色光を放射し、このために当該構成素子１は、例えばルミネセンス変換素子を有している。このルミネセンス変換素子は、ルミネセンスダイオードチップ４から放射された第１の波長域の放射線を少なくとも部分的に、第１の波長域とは異なる第２の波長域の放射線に変換する。白色光は、ルミネセンスダイオードチップから放射された放射線が、変換された放射線と混じることによって生ぜしめられるか、又は変換された放射線が、混合されて白色光を生ぜしめる色成分を有していることにより生ぜしめられる。

ルミネセンス変換材料は、少なくとも１つの蛍光物質を有している。このためには、例えば希土類元素（特にＣｅ）がドープされたガーネット等の無機の蛍光物質又はペリレン蛍光物質等の有機の蛍光物質が適している。別の適した蛍光物質は、例えばＷＯ９８／１２７５７に記載されており、この限りにおいてその内容をここで引用する。

ルミネセンスダイオードチップ４は、例えばシリコーンをベースとするシール剤が注がれていてよいか、又は放射線透過性のカバープレートで被覆されていてよく、これにより、ルミネセンスダイオードチップ４は外部の影響から保護されている。

支持体２１、フレーム２２及び支持体２１に付与されたコンタクト面１２，１４を備えたケーシング２の構成に基づき、例えば手間のかかるスルーコンタクトの形成が必要とされない、構成素子１の簡単な製作が可能である。択一的に、例えばルミネセンスダイオードチップ４及び構成素子１のための各コンタクトを取り囲むリードフレームの外装射出成形により、ケーシング体は一体に形成されていてもよい。

リードフレーム４７を備えたこのようなケーシングの一例が図１０に示されている。このケーシングは例えば単一のルミネセンスダイオードチップ４を有しており、このルミネセンスダイオードチップ４は、リードフレーム４７の２つの電気的な接続導体に導電接続されている。リードフレーム４７は、プラスチックを有する射出成形材料又は注型材料によって、ケーシング体と一緒に包囲成形されている。

ケーシング２の全ての外側の側面は遮蔽層３を有しており、この場合、これらの遮蔽層３は例えばリードフレーム部分を覆って延在している。

ルミネセンスダイオードチップ４は、例えば発光ダイオードチップ、有利には薄膜発光ダイオードチップである。

薄膜発光ダイオードチップは、特に以下の特徴に基づき優れている。即ち：
‐放射線発生型のエピタキシ層列の、支持体素子に面した第１の主要面に、反射層が付与又は形成されており、この反射層が、エピタキシ層列において発生された電磁線の少なくとも一部を、前記エピタキシ層列に反射し戻し、
‐エピタキシ層列が、２０μｍ又は２０μｍ未満の範囲内の厚さ、特に１０μｍの範囲の厚さを有しており、
‐エピタキシ層列が、混合構造を有する少なくとも１つの面を備えた、少なくとも１つの半導体層を有しており、前記混合構造が、理想的にはエピタキシャルなエピタキシ層列における光の近似的にエルゴード的な分布を生じさせる、即ち、当該混合構造はできるだけエルゴード的な確率の散乱特性を有している。

薄膜発光ダイオードチップの基本原理は、例えばＩ．Ｓｃｈｎｉｔｚｅｒ ｅｔ ａｌ．， Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６３（１６），１８．Ｏｋｔｏｂｅｒ １９９３，２１７４−２１７６に説明されており、この限りにおいてその開示内容をここで引用する。

薄膜発光ダイオードチップは、ランバート型の表面放射体に近似しているので、構成部材、特にヘッドライトで使用するために特に良好に適している。

上で説明した実施例では、遮蔽層３の少なくとも一部又は遮蔽層３全体が、タンポン印刷により付与されてよい。例示した方法の異なる方法段階は、図１１から図１３に示されている。

タンポン１００には遮蔽材料１０１が設けられている。このためにはタンポンが、例えば遮蔽材料の付与された装置に押し付けられる。このような装置は版又はカットと呼ばれる。タンポン１００は高弾性材料から成っており、この高弾性材料は、例えばゴムを有しているか、又はゴムから成っている。特に適しているのはシリコーンゴムである。

図１１に示したタンポン１００は、例えば黒色インキ等の遮蔽材料１０１で濡らされている。タンポン１００は下方に向かって、ケーシング２の斜めに延びる外側の側面２３に案内される。図１１に矢印で示したタンポン１００の運動方向は、ケーシング２の組込み平面に対して垂直に延びている。つまり、印刷しようとする外側の側面２３は、９０°未満の角度、例えば４５°だけ、タンポン１００がケーシング２へ案内される方向に対して傾斜されている。

タンポン１００がケーシング２に押し付けられると、タンポン１００は変形し且つ印刷しようとする外側の側面２３の傾斜延在部に適合する（図１２参照）。

次いで、タンポン１００はケーシング２から再び離反するように案内され、このこともやはり、図１３に矢印で示されている。印刷しようとする外側の側面２３にタンポンを圧着した際に前記側面と接触する遮蔽材料は、ケーシング２に付着し続け且つ遮蔽層３の少なくとも一部を形成する（図１３参照）。

これらの方法段階は、要求に応じて任意で頻繁に反復され得る。このような方法段階を以て、例えば複数の異なる遮蔽材料を順次ケーシング２の外側の側面に付与することも可能である。勿論、全ての外側の側面をタンポン印刷で以て、１つ又は複数の遮蔽材料１０１で完全に被覆することが可能である。

タンポン印刷に対して択一的又は付加的に、遮蔽層は少なくとも部分的に、スクリーン印刷によって付与されてもよい。このためには、例えばスクリーン又はマスクがケーシングの外側の１側面に付与され、次いで当該のスクリーン又はマスクに遮蔽材料が被着される。この遮蔽材料は、スクリーン印刷に適した粘性を有している。遮蔽材料は、例えば黒色ラッカ又はその他の黒色インキを有していてよい。ドクタにより、スクリーン又はマスクの切欠き内の遮蔽材料が、外側の側面に配分される。

別の択一的又は補足的な方法としては、例えばインクジェット印刷が遮蔽材料の付与に適している。特に、吸収性のインク、例えば黒色インクがインクジェット印刷で付与されてよい。このためには、例えば従来のＣＩＪ印刷機（"Ｃｏｎｔｉｎｏｕｓ Ｉｎｋ Ｊｅｔ"印刷機）が使用される。ＤＯＤ印刷機（"Ｄｒｏｐ ｏｎ ｄｅｍａｎｄ"印刷機）の使用も同様に可能である。

特別な金属層が、上で説明した方法に対して付加的又は択一的に、例えば蒸着、スパッタリング又は接着により付与され得る。

更に、例えばプラスチックコーティングも、遮蔽材料の付与に適している。

金属層もプラスチック層も、付加的又は択一的に、例えば粉末コーティングによって付与され得る。例えば、静電粉末コーティング又は別の粉末コーティングが用いられる。この場合、遮蔽材料は粉末の形で被着される。次いでこの遮蔽材料は加熱され、これにより一体の層を成すように結合され且つ当該遮蔽材料が被着された表面に付着し続ける。

本発明は、実施例に基づく発明の説明により、実施例に限定されるものではない。むしろ本発明は、あらゆる新規の特徴及びこれらの特報のあらゆる組み合わせ、特に請求項に記載の特徴のあらゆる組み合わせを、これらの特徴又は組み合わせ自体が請求項又は実施例に詳細に記載されていないとしても、包括するものである。

第１実施例に基づくケーシングの概略的な斜視図である。 第１実施例に基づくケーシングの概略的な斜視図である。 第１実施例に基づくケーシングの概略的な斜視図である。 第２実施例に基づくケーシングの概略的な斜視図である。 第２実施例に基づくケーシングの概略的な斜視図である。 第１実施例に基づく構成素子及び第３実施例に基づくケーシングの概略的な斜視図である。 第２実施例に基づく構成素子及び第４実施例に基づくケーシングの概略的な斜視図である。 第５実施例に基づくケーシングの概略的な斜視図である。 第３実施例に基づく構成素子及び第６実施例に基づくケーシングを備えた発光モジュールの概略的な斜視図である。 第４実施例に基づく構成素子及び第７実施例に基づくケーシングの概略的な断面図である。 方法の実施例の１方法段階を概略的に示した断面図である。 方法の実施例の１方法段階を概略的に示した断面図である。 方法の実施例の１方法段階を概略的に示した断面図である。

Claims (18)

1. ケーシングの外側の側面に、電磁線を遮蔽するために適した遮蔽層が少なくとも部分的に設けられていることを特徴とする、電磁線放射型の光電子構成素子のためのケーシング。
2. 遮蔽層が、電磁線に関して反射性の材料を有している、請求項１記載のケーシング。
3. 遮蔽層が、電磁線に関して吸収性の材料を有している、請求項１又は２記載のケーシング。
4. 遮蔽層が黒色材料を有している、請求項３記載のケーシング。
5. 遮蔽層がラッカを有している、請求項１から４までのいずれか１項記載のケーシング。
6. 外側の側面が、セラミック材料を有するケーシング体の外面を含んでいる、請求項１から５までのいずれか１項記載のケーシング。
7. 外側の側面が、プラスチックを有するケーシング体の外面を含んでいる、請求項１から６までのいずれか１項記載のケーシング。
8. 外側の側面が、ケーシングの組込み平面に対して垂直に延びる平面に対して、少なくとも部分的に傾斜されている、請求項１から７までのいずれか１項記載のケーシング。
9. 外側の側面が、前記平面に対して少なくとも部分的に３０°〜６０°傾斜されている、請求項８記載のケーシング。
10. 少なくとも１つの外側の側面が、ほぼ完全に遮蔽層により被覆されている、請求項１から９までのいずれか１項記載のケーシング。
11. 遮蔽層がプラスチックを有しているか、又はプラスチックから成っている、請求項１から１０までのいずれか１項記載のケーシング。
12. 請求項１から１１までのいずれか１項記載のケーシングを有していることを特徴とする、少なくとも１つのルミネセンスダイオードを備えた、電磁線放射型の構成素子。
13. ‐ケーシング又はケーシングを備えた構成素子を準備し、
    ‐ケーシングの外側の側面の少なくとも一部に遮蔽層を付与することを特徴とする、電磁線放射型の光電子構成素子のためのケーシング又は電磁線放射型の構成素子を製作するための方法。
14. 遮蔽層の付与が、タンポン印刷の使用を包含している、請求項１３記載の方法。
15. 遮蔽層の付与が、スクリーン印刷の使用を包含している、請求項１３又は１４記載の方法。
16. 遮蔽層の付与が、インクジェット印刷の使用を包含している、請求項１３から１５までのいずれか１項記載の方法。
17. 遮蔽層の付与が、プラスチックコーティングの使用を包含している、請求項１３から１６までのいずれか１項記載の方法。
18. 遮蔽層の付与が、粉末コーティングの使用を包含している、請求光１３から１７までのいずれか１項記載の方法。

Images