JP2009301444A - Element layout wiring apparatus, manufacturing method of semiconductor integrated circuit, element layout wiring method, control program, and recording medium - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体集積回路の設計の早い段階で遅延改善を行うことができ、しかも、回路素子間の配線の自己発熱による温度上昇を考慮して回路素子間の配線の正確な抵抗値を求めることができ、これにより配線に対するリピータ挿入による遅延削減を効果的に行う。
【解決手段】素子配置配線装置100において、半導体集積回路の各配線の平均温度を考慮して該各配線での信号遅延時間を導出する信号遅延時間導出手段101と、該各配線での平均温度を考慮した信号遅延時間に基づいて、該配線に該配線での信号遅延時間が低減されるよう挿入されるリピータセルの最適サイズおよび最適個数を決定するリピータ最適値決定手段100aとを備え、半導体集積回路の基本レイアウトを、該リピータセルの挿入が必要な配線に、該決定されたサイズのリピータが該決定された個数だけ挿入されたレイアウトに変更する。
【選択図】図1Delay improvement can be performed at an early stage of designing a semiconductor integrated circuit, and an accurate resistance value of wiring between circuit elements can be obtained in consideration of a temperature rise due to self-heating of wiring between circuit elements. As a result, the delay can be effectively reduced by inserting a repeater for the wiring.
In an element placement and routing apparatus, a signal delay time deriving means for deriving a signal delay time in each wiring in consideration of an average temperature of each wiring of a semiconductor integrated circuit, and an average temperature in each wiring Repeater optimum value determining means 100a for determining the optimum size and the optimum number of repeater cells to be inserted in the wiring so as to reduce the signal delay time in the wiring based on the signal delay time considering the The basic layout of the integrated circuit is changed to a layout in which the determined number of repeaters are inserted into the wiring that requires the insertion of the repeater cells.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、素子配置配線装置、半導体集積回路の製造方法、素子配置配線方法、制御プログラム、および記録媒体に関し、特に、標準素子の自動配置配線を用いたLSI(大規模半導体集積回路)の設計方法において、回路素子間を接続する比較的長い信号配線での信号遅延が削減されるよう該配線にリピータを挿入する際に、ジュール熱による配線温度の上昇に伴う、配線抵抗の増加に起因する回路素子間の配線での遅延時間変動を考慮してリピータセルの挿入を行う技術に関する。 The present invention relates to an element placement and routing apparatus, a semiconductor integrated circuit manufacturing method, an element placement and routing method, a control program, and a recording medium, and in particular, an LSI (large-scale semiconductor integrated circuit) design using automatic placement and routing of standard elements. In the method, when a repeater is inserted into the wiring so as to reduce a signal delay in a relatively long signal wiring connecting circuit elements, the wiring resistance increases due to an increase in wiring temperature due to Joule heat. The present invention relates to a technique for inserting a repeater cell in consideration of a delay time variation in wiring between circuit elements.
従来から標準素子(標準セル)の自動配置配線方法を用いてLSIを設計する方法があるが、半導体集積回路の高集積化に伴って、デザインルールの縮小化による配線での信号遅延、電流密度の増加による配線での発熱などが問題となってきており、このような問題に対する対策が必要となっている。 Conventionally, there is a method of designing an LSI using an automatic placement and routing method of standard elements (standard cells). However, with the high integration of semiconductor integrated circuits, signal delay and current density in wiring due to the reduction of design rules. Heat generation in wiring due to an increase in the number of wires has become a problem, and countermeasures against such a problem are necessary.
(1)リピータ挿入による配線遅延削減
一般に、ゲート間の遅延、つまり一つのゲートのファンイン(出力端)から該一つのゲートに続く他のゲートのファンイン(入力端)までの遅延量(遅延時間)Tdは、以下の式(1)のように表すことができる。ここで、ゲートはインバータ回路などの機能ブロックであり、1以上の標準セルを用いて構成されるものである。
(1) Wiring delay reduction by inserting repeater Generally, delay between gates, that is, delay amount from one fan's fan-in (output end) to fan-in (input end) of another gate following that one gate (delay) Time) Td can be expressed as the following equation (1). Here, the gate is a functional block such as an inverter circuit, and is configured using one or more standard cells.
Td = Tgate + Twire …(1)
ここで、Tgateは、配線負荷によらないゲート遅延と配線負荷に関するゲート遅延、及び、前段の鈍りに依存する遅延の和である。ここで、配線負荷によらないゲート遅延は、ゲート固有の信号遅延量であり、配線負荷に関するゲート遅延は、ゲートを回路内に挿入することにより生ずるゲート内での信号遅延量であり、また、Twireは、配線固有の信号遅延量である配線遅延量を表す。
Td = Tgate + Twire (1)
Here, Tgate is the sum of the gate delay that does not depend on the wiring load, the gate delay related to the wiring load, and the delay that depends on the bluntness of the previous stage. Here, the gate delay that does not depend on the wiring load is a signal delay amount inherent to the gate, the gate delay relating to the wiring load is a signal delay amount in the gate caused by inserting the gate into the circuit, and Twire represents a wiring delay amount that is a signal delay amount unique to the wiring.
半導体集積回路のデザインルールの縮小化に伴い、式(1)で示す遅延では、配線遅延(Twire)の占める割合がゲート遅延(Tgate)よりも大きくなってきている。その結果、LSIチップ(半導体集積回路チップ)の配置配線設計において配線遅延を考慮することが必須の課題となっている。これは、トランジスタデバイスの微細化に伴って、ゲート遅延が小さくなるのに対し、配線抵抗が大きくなってきたからである。 As the design rule of the semiconductor integrated circuit is reduced, in the delay represented by the expression (1), the proportion of the wiring delay (Twire) is larger than the gate delay (Tgate). As a result, it is an indispensable problem to consider wiring delay in the layout wiring design of an LSI chip (semiconductor integrated circuit chip). This is because, as the transistor device is miniaturized, the gate delay is reduced while the wiring resistance is increased.
高速な半導体集積回路を設計するには、式(1)の各項の値を小さくすることが必要である。特に、前述したとおり、配線遅延(Twire)が支配的となっていることから、式(1)における配線遅延(Twire)を削減することが高速化の必須課題であるといえる。 In order to design a high-speed semiconductor integrated circuit, it is necessary to reduce the value of each term in Equation (1). In particular, since the wiring delay (Twire) is dominant as described above, it can be said that reduction of the wiring delay (Twire) in the equation (1) is an essential issue for speeding up.
この課題に対し、機能ブロック同士を接続するブロック間配線など、配線が比較的長い場合、リピータセル(遅延調整セル:バッファセル)を配線の途中部分に挿入して総遅延時間を削減する方法がよく知られている。 To solve this problem, there is a method to reduce the total delay time by inserting a repeater cell (delay adjustment cell: buffer cell) in the middle of the wiring when the wiring is relatively long, such as inter-block wiring connecting functional blocks. well known.
例えば、図10に示すように、機能ブロック(出力側ゲート)11と機能ブロック(入力側ゲート)12とが配線10により接続されている場合、機能ブロック11に属する駆動セルが配線10全体を駆動する程の能力を持たない場合には、機能ブロック間に形成される配線10にリピータセルを挿入することで、この駆動力を補うリピータセルにより配線10の分割が行われる。
For example, as shown in FIG. 10, when the functional block (output side gate) 11 and the functional block (input side gate) 12 are connected by the
従来のリピータ挿入には、配線の信号遅延時間を解析的に求めて配線を等間隔に分割する方法(非特許文献1)や、遅延解析ツールが仮想的にリピータを配線に挿入して遅延制約値を満たすか否かを回路シミュレーション等により試行錯誤的に見積もる方法などが採られてきた。 Conventional repeater insertion includes a method in which the signal delay time of the wiring is analytically obtained to divide the wiring into equal intervals (Non-Patent Document 1), or a delay analysis tool virtually inserts a repeater into the wiring to limit the delay. A method of estimating whether or not the value is satisfied by trial and error by circuit simulation or the like has been adopted.
図3は、前者の信号遅延時間を解析的に求めて配線を等間隔に分割する方法を説明するための図であり、図10に示す配線10に対してリピータセル(以下、単にリピータともいう。)を複数挿入した状態を示している。
FIG. 3 is a diagram for explaining the former method of analytically obtaining the signal delay time and dividing the wiring into equal intervals. The repeater cell (hereinafter simply referred to as a repeater) is used for the
この手法は、図3に示すように、配線長Lの信号配線にk個の同じサイズ(つまり同じ駆動能力)のリピータRp1〜Rpkを等間隔に挿入し、全体の遅延時間を、均等に分割した各配線での遅延時間のk倍であるとして求める手法である。このような非特許文献1に開示の手法を用いると、図3の初段のリピータRp1の入力端Vinから最終段のリピータRpkの出力端Voutまでの信号遅延時間Tpdは、次の式(2)で表される。
In this method, as shown in FIG. 3, k repeaters Rp1 to Rpk having the same size (that is, the same driving capability) are inserted into a signal wiring having a wiring length L at equal intervals, and the entire delay time is evenly divided. This is a method for obtaining the delay time k times as long as each wiring. When such a technique disclosed in
本手法を用いると、自動レイアウトの配置が完了した後の概略配線段階で、解析式(式(2))を用いて遅延を見積もりながらリピータ挿入による遅延改善を行うため、設計の早い段階で遅延改善を行うことができるという利点がある。 If this method is used, the delay is improved by repeater insertion while estimating the delay using the analytical expression (Equation (2)) at the rough wiring stage after the automatic layout is completed. There is an advantage that improvement can be made.
一方、後者のリピータ挿入手法は、対象とする配線上にリピータや遅延素子を仮想的に挿入して回路シミュレーション等により遅延時間を計算し、それが遅延制約を満たすようになるまで試行錯誤を繰返すものである。この手法は、レイアウトが完了した最終段階でリピータ挿入を行うため、遅延の改善が必要な場合に再度レイアウトを修正する必要があるため、隣接する素子の配置や配線のレイアウトにまで影響を及ぼしてしまう恐れがある。しかも、回路シミュレーションを行うことによる多大な処理時間がかかるという欠点がある。 On the other hand, in the latter repeater insertion method, a repeater or delay element is virtually inserted on the target wiring, a delay time is calculated by circuit simulation or the like, and trial and error are repeated until the delay constraint is satisfied. Is. Since this method inserts repeaters at the final stage of layout completion, it is necessary to correct the layout again when delay improvement is required, which affects the placement of adjacent elements and the layout of wiring. There is a risk. Moreover, there is a drawback that it takes a lot of processing time due to circuit simulation.
(2)LSI配線の自己発熱問題
半導体加工技術の進歩によるLSIの高集積化・高速化とともに、LSIの電力密度の増加に伴う発熱問題が深刻になってきている。特に配線においては、配線に電流が流れることによって発生するジュール熱による配線の温度上昇、即ち、自己発熱の問題が深刻である。配線の温度が上昇すると、エレクトロマイグレーションによる信頼性の低下や、配線抵抗の増大により回路動作速度の低下が性能劣化を招く。ここで、配線抵抗rと温度Tの関係は、一般に以下の式で近似される。
(2) Self-heating problem of LSI wiring Along with higher integration and higher speed of LSI due to advances in semiconductor processing technology, the heat generation problem accompanying an increase in power density of LSI has become serious. In particular, in the wiring, the temperature rise of the wiring due to Joule heat generated by the current flowing through the wiring, that is, the problem of self-heating is serious. When the temperature of the wiring rises, the reliability deteriorates due to electromigration, and the circuit operating speed decreases due to the increase in wiring resistance, leading to performance deterioration. Here, the relationship between the wiring resistance r and the temperature T is generally approximated by the following equation.
r = r0(1+β(T−T0)) …(5)
ただし、Tは解析する温度(発熱状態での温度)、T0は参照温度(環境温度)、r0は温度がT0のときの抵抗値、βは配線の温度係数である。ここで、温度係数βは、現在の半導体製造で使われているCu配線の場合、およそ0.003である。この場合、式(5)から、配線の温度が100℃上昇した場合の抵抗の変化率は30%となる。即ち、配線の自己発熱により配線の温度が上昇すると、配線抵抗が増大し、回路動作速度の低下が性能劣化を招くことは避けられない。非特許文献2によると、50nmテクノロジ以降の微細プロセスを用いて製造されたLSI内の配線の温度上昇は最大300℃から700℃になる、との予測がなされており、配線の自己発熱は今後ますます深刻な問題である。
r = r 0 (1 + β (T−T 0 )) (5)
Where T is a temperature to be analyzed (temperature in a heat generation state), T 0 is a reference temperature (environment temperature), r 0 is a resistance value when the temperature is T 0 , and β is a temperature coefficient of the wiring. Here, the temperature coefficient β is approximately 0.003 in the case of Cu wiring currently used in semiconductor manufacturing. In this case, from equation (5), the rate of change in resistance when the temperature of the wiring rises by 100 ° C. is 30%. In other words, when the temperature of the wiring rises due to the self-heating of the wiring, it is inevitable that the wiring resistance increases and the reduction in the circuit operation speed causes performance deterioration. According to Non-Patent
このような状況のもと、LSIを設計する際に、上記に示した熱を考慮した設計を行うことが重要視されている。LSIの熱解析は、市販のCADソフトや数値シミュレーションソフト、あるいは数式処理ソフトを用いて行うことができる。ここで、熱解析の手法を簡単に示す。一般に、LSI内の3次元物体の熱分布は、エネルギー保存則の原理から導かれる熱伝導方程式(式(6))を解くことによって求めることができる。 Under such circumstances, when designing an LSI, it is important to perform the design considering the heat described above. The thermal analysis of LSI can be performed using commercially available CAD software, numerical simulation software, or mathematical expression processing software. Here, a method of thermal analysis is briefly shown. In general, the heat distribution of a three-dimensional object in an LSI can be obtained by solving a heat conduction equation (equation (6)) derived from the principle of energy conservation law.
cρ∂T/∂t = k∂2T/∂x2 + k∂2T/∂y2
+ k∂2T/∂z2 + q … (6)
ただし、tは時刻、Tは温度である。また、単位時間・単位体積あたりの内部発熱をq(x,y,z,t)、物質の比熱をc、密度をρ、熱伝導率をkで表す。
cρ∂T / ∂t = k∂ 2 T / ∂x 2 + k∂ 2 T / ∂y 2
+ K∂ 2 T / ∂ z 2 + q (6)
However, t is time and T is temperature. In addition, the internal heat generation per unit time / unit volume is represented by q (x, y, z, t), the specific heat of the substance is represented by c, the density is represented by ρ, and the thermal conductivity is represented by k.
LSIの熱解析は定常状態での解析が一般的である。発熱が定常状態の場合、過渡的な温度変化はなくなるため、式(6)の左辺が0となる。そこで、式(6)の左辺を0で置き換えた熱伝導方程式をコントロールボリュームの考え方を用いて離散化し、各コントロールボリュームを抵抗で結ぶことにより熱回路抵抗網を作ることができる。こうしてできた熱回路抵抗網に発熱源を設定し熱拡散解析モデルとしてモデル化し、数値解析を行うことにより熱分布が得られる。なお、コントロールボリュームを用いた数値解析の考え方は公知であり、ここでは説明を省略する。 LSI thermal analysis is generally performed in a steady state. When the heat generation is in a steady state, there is no transitional temperature change, so the left side of Equation (6) is zero. Therefore, a thermal circuit resistance network can be created by discretizing the heat conduction equation in which the left side of equation (6) is replaced with 0 using the concept of control volumes and connecting the control volumes with resistors. A heat distribution is obtained by setting a heat source in the thermal circuit resistor network thus formed, modeling it as a thermal diffusion analysis model, and performing numerical analysis. Note that the concept of numerical analysis using a control volume is well known, and a description thereof is omitted here.
今、熱解析の一例として、配線で消費される電流によって生じる熱を発熱源とした場合の配線の熱分布を考える。簡単のために、図6に示すような構造を持つ配線の熱分布を考える。図6に示す配線10は、配線幅がw、配線厚さがtm、配線長がL、基板1からの配線高さがtoxである配線であり、その両端が、基板1に接続コンタクト10aによって接続されている。このとき、配線の長さ方向の熱分布は、1次元で考えることができる(式(7))。
Now, as an example of thermal analysis, let us consider the heat distribution of wiring when heat generated by current consumed by the wiring is used as a heat source. For the sake of simplicity, consider the heat distribution of a wiring having a structure as shown in FIG. A
cρ∂T/∂t = k∂2T/∂x2 + q … (7)
非特許文献3に従うと、配線内部の熱発生量、絶縁膜中の熱拡散による放熱量から定常状態での1次元熱拡散方程式を導くことができる。ただし、導出に必要な配線の電気抵抗率、配線の熱伝導率、配線の電気抵抗の温度係数、絶縁膜の熱伝導率は、物質固有の値である。また、配線のRMS(Root mean square)電流IrmsについてはLSIの動作に依存するものであり、消費電力シミュレーション等によって見積もられる値である。このようにして求めた配線10での熱分布を図7に示す。ここで、基板の表面温度は均一と仮定し、該温度をTref(=T0)とする。図7に示す熱分布の横軸は、配線の長さ方向の位置x(um)、縦軸は配線の温度T(℃)を表している。図7からわかるように、定常状態における配線の温度は均一ではなく、長さ方向に対して不均一であり、配線の中央付近で温度が最大(以下、△Tmax)となり、絶縁膜中の熱拡散により基板と接続されている両端に向かって温度が低くなる。
According to
以上説明したように、LSI内の配線は自己発熱によって温度上昇が生じ、その結果、抵抗が変化する。遅延を改善するためのリピータ挿入を行う場合には、配線の温度変化を考慮する必要がある。 As described above, the temperature in the LSI wiring increases due to self-heating, and as a result, the resistance changes. When a repeater is inserted to improve the delay, it is necessary to consider the temperature change of the wiring.
しかしながら、前述した第1の手法によるリピータセル挿入方法によると、上記で示したような配線の自己発熱による配線と基板との温度差を考慮していない。配線の温度が上昇すると、式(5)で示したように配線抵抗の抵抗値が大きくなる。従来の第1の手法によるリピータ挿入では、配線の自己発熱による抵抗増加を考慮しないことにより配線遅延が過小に見積もられ、その結果、本来リピータ挿入による改善が可能な配線であっても、もはやリピータの挿入は不要とされ、あるいは、最適なサイズのリピータを決定することができず、それ以上の遅延改善が不可能と判断されてしまう可能性があった。 However, according to the repeater cell insertion method according to the first method described above, the temperature difference between the wiring and the substrate due to the self-heating of the wiring as described above is not taken into consideration. When the temperature of the wiring rises, the resistance value of the wiring resistance increases as shown by the equation (5). In the conventional repeater insertion according to the first method, the wiring delay is underestimated by not considering the increase in resistance due to the self-heating of the wiring. As a result, even if the wiring can be improved by the repeater insertion, it is no longer necessary. Repeater insertion is unnecessary, or an optimally sized repeater cannot be determined, and it may be determined that further delay improvement is impossible.
また、先述した第2の手法、つまり、遅延解析ツールが仮想的にリピータを挿入して遅延制約値を満たすか否かを回路シミュレーション等により試行錯誤的に見積もる方法では、回路規模が大きくなると、遅延解析に多くの処理時間を要するという問題がある。つまり、あらゆるパスの遅延制約を見ながらリピータ挿入を繰返し行うのは現実的でない処理時間を要することになる。また、レイアウトが完了した段階での見積もりであるため、開発の早い段階での修正に比べ、修正にかかる時間がかかり開発期間の劣化を招く。 Further, in the second method described above, that is, in a method in which the delay analysis tool virtually inserts a repeater and estimates whether or not the delay constraint value is satisfied by trial and error by circuit simulation or the like, when the circuit scale increases, There is a problem that a large amount of processing time is required for delay analysis. That is, it is not practical to repeat the repeater insertion while looking at the delay constraint of every path. In addition, since the estimation is made at the stage when the layout is completed, it takes time for the modification and the development period is deteriorated as compared with the modification at the early stage of development.
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、設計の早い段階で遅延改善を行うことができ、しかも、回路素子間の配線の自己発熱による温度上昇を考慮して回路素子間の配線の正確な抵抗値を求めることができ、これによりリピータ挿入による遅延削減を効果的に行うことができる素子配置配線装置および素子配置配線方法、並びに、該素子配置配線装置を用いて半導体集積回路を製造する方法、該素子配置配線方法をコンピュータに実行させるための制御プログラム、および該制御プログラムが格納された記憶媒体を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, can improve the delay at an early stage of design, and considers a temperature rise due to self-heating of wiring between circuit elements. Using the element arrangement and wiring apparatus, the element arrangement and wiring apparatus, the element arrangement and wiring method, and the element arrangement and wiring apparatus that can effectively reduce the delay by inserting the repeater It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit, a control program for causing a computer to execute the element placement and routing method, and a storage medium storing the control program.
本発明に係る素子配置配線装置は、半導体集積回路を構成する複数の回路素子のレイアウトおよび該回路素子間に位置する配線のレイアウトを作成する素子配置配線装置であって、該半導体集積回路の基本レイアウトを示す回路情報および該半導体集積回路における熱分布を示す熱分布情報から各配線の平均温度を求め、該各配線の平均温度を考慮した温度依存抵抗による該各配線での信号遅延時間を導出する信号遅延時間導出手段と、該各配線の平均温度を考慮した信号遅延時間に基づいて、該配線に該配線での信号遅延時間が低減されるよう挿入されるリピータセルのサイズおよび個数を決定するリピータ最適値決定手段と、該回路情報に基づいて作成された該半導体集積回路の基本レイアウトを、該リピータセルの挿入が必要な配線に、該決定されたサイズのリピータセルが該決定された個数だけ挿入されたレイアウトに変更するリピータ配置手段とを備えたものであり、そのことにより上記目的が達成される。 An element placement and routing apparatus according to the present invention is an element placement and routing apparatus for creating a layout of a plurality of circuit elements constituting a semiconductor integrated circuit and a layout of wirings positioned between the circuit elements. The average temperature of each wiring is obtained from the circuit information indicating the layout and the heat distribution information indicating the heat distribution in the semiconductor integrated circuit, and the signal delay time in each wiring is derived by the temperature dependent resistance considering the average temperature of each wiring. And determining the size and number of repeater cells to be inserted in the wiring so that the signal delay time in the wiring is reduced, based on the signal delay time deriving means to be performed and the signal delay time in consideration of the average temperature of each wiring A repeater optimum value determining means, and a basic layout of the semiconductor integrated circuit created based on the circuit information for wiring that requires insertion of the repeater cell. It is those repeater cell size as the decision has a repeater arrangement means for changing only inserted layout number determined the above-described object can be achieved.
本発明は、上記素子配置配線装置において、前記半導体集積回路の熱分布解析により求めた、前記各配線の自己発熱による熱分布情報を格納する熱分布情報格納部と、該熱分布情報格納部に格納されている熱分布情報から該各配線の平均温度を算出する平均温度算出部と、該算出された各配線の平均温度を格納する平均温度格納部とを有することが好ましい。 The present invention provides a heat distribution information storage unit for storing heat distribution information by self-heating of each wiring obtained by heat distribution analysis of the semiconductor integrated circuit, and a heat distribution information storage unit in the element placement and wiring apparatus. It is preferable to have an average temperature calculation unit that calculates the average temperature of each wiring from the stored heat distribution information, and an average temperature storage unit that stores the calculated average temperature of each wiring.
本発明は、上記素子配置配線装置において、前記半導体集積回路の基本レイアウトにおける配線である概略配線に関する情報を格納する概略配線情報格納部を備え、該概略配線情報格納部は、該概略配線の配線長を、該概略配線を特定する信号ネット名と該概略配線の配線長とを対応付けた対応表として格納していることが好ましい。 The present invention provides the above-described element placement and routing apparatus, further comprising a schematic wiring information storage unit that stores information related to a schematic wiring that is a wiring in the basic layout of the semiconductor integrated circuit, and the schematic wiring information storage unit includes a wiring for the schematic wiring. It is preferable that the length is stored as a correspondence table in which the signal net name for specifying the schematic wiring is associated with the wiring length of the schematic wiring.
本発明は、上記素子配置配線装置において、前記回路素子間の配線での信号遅延に影響を与える遅延パラメータを格納する遅延パラメータ格納部を備え、前記信号遅延時間導出手段は、前記遅延パラメータ格納部に格納されている遅延パラメータに基づいて、該配線での温度依存抵抗に応じた該配線での信号遅延時間を導出することが好ましい。 The element placement and routing apparatus includes a delay parameter storage unit that stores a delay parameter that affects a signal delay in wiring between the circuit elements, and the signal delay time deriving unit includes the delay parameter storage unit. It is preferable to derive the signal delay time in the wiring corresponding to the temperature-dependent resistance in the wiring based on the delay parameter stored in.
本発明は、上記素子配置配線装置において、前記遅延パラメータ格納部は、前記配線を構成する配線材料に固有の単位長あたりの抵抗を前記遅延パラメータとして格納した抵抗格納部を有することが好ましい。 According to the present invention, in the element placement and routing apparatus, the delay parameter storage unit preferably includes a resistance storage unit that stores a resistance per unit length specific to a wiring material constituting the wiring as the delay parameter.
本発明は、上記素子配置配線装置において、前記遅延パラメータ格納部は、前記配線を構成する配線材料に固有の単位長あたりの容量を前記遅延パラメータとして格納した容量格納部を有することが好ましい。 In the element placement and routing apparatus according to the present invention, it is preferable that the delay parameter storage unit includes a capacity storage unit that stores a capacity per unit length specific to a wiring material constituting the wiring as the delay parameter.
本発明は、上記素子配置配線装置において、前記遅延パラメータ格納部は、前記配線を構成する配線材料に固有の抵抗の温度係数を、前記遅延パラメータとして格納した温度係数格納部を有することが好ましい。 In the element placement and routing apparatus according to the present invention, it is preferable that the delay parameter storage unit includes a temperature coefficient storage unit that stores a temperature coefficient of resistance specific to a wiring material constituting the wiring as the delay parameter.
本発明は、上記素子配置配線装置において、前記遅延パラメータ格納部は、前記半導体集積回路を構成するすべての回路素子の入力容量を、前記遅延パラメータとして格納した素子入力容量格納部を有することが好ましい。 In the element placement and routing apparatus according to the present invention, it is preferable that the delay parameter storage unit includes an element input capacitance storage unit that stores input capacitances of all circuit elements constituting the semiconductor integrated circuit as the delay parameters. .
本発明は、上記素子配置配線装置において、前記遅延パラメータ格納部は、前記半導体集積回路を構成するすべての回路素子の出力抵抗を、前記遅延パラメータとして格納した素子出力抵抗格納部を有することが好ましい。 In the element placement and routing apparatus according to the present invention, the delay parameter storage unit preferably includes an element output resistance storage unit that stores output resistances of all circuit elements constituting the semiconductor integrated circuit as the delay parameter. .
本発明は、上記素子配置配線装置において、前記半導体集積回路における、前記回路素子間に位置するすべての配線に対して設定された信号遅延時間制約を格納する遅延制約格納部を備えたことが好ましい。 In the element placement and routing apparatus according to the present invention, it is preferable that the device includes a delay constraint storage unit that stores signal delay time constraints set for all wirings positioned between the circuit elements in the semiconductor integrated circuit. .
本発明は、上記素子配置配線装置において、前記信号遅延時間導出手段は、前記平均温度格納部に格納されている各配線の平均温度に基づいて、該各配線の温度依存性を考慮した遅延計算を行って、該各配線での信号遅延時間を算出する温度依存遅延計算部と、該温度依存遅延計算部により算出された各配線での信号遅延時間を格納する温度依存遅延格納部とを有することが好ましい。 In the element placement and routing apparatus according to the present invention, the signal delay time deriving unit is configured to calculate the delay in consideration of the temperature dependence of each wiring based on the average temperature of each wiring stored in the average temperature storage unit. And a temperature-dependent delay calculation unit that calculates a signal delay time in each wiring, and a temperature-dependent delay storage unit that stores the signal delay time in each wiring calculated by the temperature-dependent delay calculation unit It is preferable.
本発明は、上記素子配置配線装置において、前記リピータ最適値決定手段は、前記各配線の平均温度を参照して該配線の温度依存性を考慮して、該配線に挿入すべきリピータセルの最適なサイズおよび最適な個数を決定するリピータ最適値決定部と、該リピータ最適値決定手段により求めた最適なサイズおよび最適な個数を格納するリピータ最適値格納部とを有することが好ましい。 According to the present invention, in the element placement and routing apparatus, the optimum repeater value determining means refers to an average temperature of each wiring, considers temperature dependence of the wiring, and determines an optimum repeater cell to be inserted into the wiring. It is preferable to have a repeater optimum value determining unit for determining a proper size and optimum number, and a repeater optimum value storing unit for storing the optimum size and optimum number obtained by the repeater optimum value determining means.
本発明は、上記素子配置配線装置において、前記リピータ配置手段は、前記リピータ最適値格納部に格納したリピータセルの最適なサイズおよび個数に基づいて、該最適なサイズを有するリピータセルを該最適な個数分、前記配線に挿入することが好ましい。 According to the present invention, in the element placement and routing apparatus, the repeater placement means selects the repeater cell having the optimum size based on the optimum size and number of repeater cells stored in the repeater optimum value storage unit. It is preferable to insert the same number of wires into the wiring.
本発明に係る半導体集積回路の製造方法は、回路情報に基づいて得られたマスクパターンを用いて半導体集積回路を製造する方法であって、該回路情報は、上述した素子配置配線装置により作成された、該半導体集積回路の回路素子および配線のレイアウトを示すものであり、そのことにより上記目的が達成される。 A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit according to the present invention is a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit using a mask pattern obtained based on circuit information, and the circuit information is created by the above-described element placement and wiring apparatus. In addition, the layout of the circuit elements and wirings of the semiconductor integrated circuit is shown, whereby the above object is achieved.
本発明に係る素子配置配線方法は、半導体集積回路を構成する複数の回路素子のレイアウト、および該前段回路素子と後段の回路素子とを接続する配線のレイアウトを作成する素子配置配線方法であって、該配線での信号遅延時間が低減されるようリピータセルを挿入するリピータセル挿入ステップを含み、該リピータセル挿入ステップは、該配線に電流が流れることによって発生するジュール熱による該配線の温度上昇を考慮して、該半導体集積回路における複数の配線の各々の信号遅延時間を導出するステップと、該各配線の信号遅延時間に基づいて、遅延時間の制約違反を起こしている配線である制約違反ネットを抽出するステップと、該制約違反ネットに対して挿入すべきリピータセルの最適なレイアウトを決定するステップと、該決定したリピータセルの最適なレイアウトに基づいて、該リピータセルを該制約違反ネットに挿入するステップとを含むものであり、そのことにより上記目的が達成される。 An element arrangement and wiring method according to the present invention is an element arrangement and wiring method for creating a layout of a plurality of circuit elements constituting a semiconductor integrated circuit and a wiring layout for connecting the preceding stage circuit element and the subsequent stage circuit element. A repeater cell insertion step of inserting a repeater cell so that a signal delay time in the wiring is reduced, and the repeater cell insertion step includes a rise in temperature of the wiring due to Joule heat generated by current flowing in the wiring In consideration of the above, the step of deriving the signal delay time of each of the plurality of wirings in the semiconductor integrated circuit, and the constraint violation that is the wiring causing the delay time constraint violation based on the signal delay time of each wiring Extracting a net; determining an optimal layout of repeater cells to be inserted for the constraint violating net; and Boss was based on the optimal layout of the repeater cell, which comprises the step of inserting the repeater cell in 該制 about violation net, the objects can be achieved.
本発明は、上記素子配置配線方法において、前記信号遅延時間を導出するステップは、前記半導体集積回路の熱分布解析により求めた、前記配線の自己発熱による熱分布情報から、該配線の平均温度を求める平均温度算出ステップと、該求められた平均温度を平均温度格納部に格納するステップとを含み、該平均温度格納部に格納されている各配線の平均温度に基づいて、該配線での温度依存抵抗に応じた信号遅延時間を導出するものであることが好ましい。 According to the present invention, in the element placement and routing method, the step of deriving the signal delay time includes calculating an average temperature of the wiring based on heat distribution information by self-heating of the wiring obtained by a heat distribution analysis of the semiconductor integrated circuit. An average temperature calculation step to be obtained, and a step of storing the obtained average temperature in the average temperature storage unit, and the temperature in the wiring based on the average temperature of each wiring stored in the average temperature storage unit It is preferable to derive a signal delay time corresponding to the dependency resistance.
本発明は、上記素子配置配線方法において、前記前段回路素子と後段の回路素子とを接続する配線は、前記半導体集積回路の基本レイアウトに複数の概略配線として含まれるものであり、前記各概略配線の配線長は、該各概略配線を特定する信号ネット名と該各概略配線の配線長とを対応付けた対応表として概略配線情報格納部に格納されていることが好ましい。 According to the present invention, in the element arrangement and wiring method, the wiring for connecting the preceding circuit element and the subsequent circuit element is included in the basic layout of the semiconductor integrated circuit as a plurality of schematic wirings. Are preferably stored in the schematic wiring information storage unit as a correspondence table in which the signal net name for specifying each schematic wiring and the wiring length of each schematic wiring are associated with each other.
本発明は、上記素子配置配線方法において、前記配線を構成する配線材料に固有の単位長あたりの抵抗は、抵抗格納部に格納されていることが好ましい。 In the element placement and wiring method according to the present invention, it is preferable that the resistance per unit length unique to the wiring material constituting the wiring is stored in the resistance storage section.
本発明は、上記素子配置配線方法において、前記配線を構成する配線材料に固有の単位長あたりの容量は、容量格納部に格納されていることが好ましい。 In the element placement and routing method according to the present invention, it is preferable that the capacity per unit length unique to the wiring material constituting the wiring is stored in a capacity storage unit.
本発明は、上記素子配置配線方法において、前記半導体集積回路を構成するすべての回路素子の入力容量は、素子入力容量格納部に格納されていることが好ましい。 In the element placement and routing method according to the present invention, it is preferable that input capacitances of all circuit elements constituting the semiconductor integrated circuit are stored in an element input capacitance storage unit.
本発明は、上記素子配置配線方法において、前記半導体集積回路を構成するすべての回路素子の出力抵抗は、素子出力抵抗格納部に格納されていることが好ましい。 In the element placement and routing method according to the present invention, it is preferable that output resistances of all circuit elements constituting the semiconductor integrated circuit are stored in an element output resistance storage unit.
本発明は、上記素子配置配線方法において、前記半導体集積回路における、前記回路素子間に位置するすべての配線に対して設定された信号遅延時間制約は、遅延制約格納部に格納されていることが好ましい。 According to the present invention, in the element placement and routing method, signal delay time constraints set for all wirings located between the circuit elements in the semiconductor integrated circuit are stored in a delay constraint storage unit. preferable.
本発明は、上記素子配置配線方法において、前記信号遅延時間を導出するステップは、前記平均温度格納部に格納されている各配線の平均温度に基づいて、該各配線の温度依存性を考慮した遅延計算を行って、該各配線での信号遅延時間を算出するステップと、該算出された該各配線での信号遅延時間を温度依存遅延格納部に格納するステップとを含むことが好ましい。 In the element placement and routing method according to the present invention, the step of deriving the signal delay time considers the temperature dependence of each wiring based on the average temperature of each wiring stored in the average temperature storage unit. It is preferable to include a step of performing a delay calculation to calculate a signal delay time in each wiring, and a step of storing the calculated signal delay time in each wiring in a temperature-dependent delay storage unit.
本発明は、上記素子配置配線方法において、前記リピータセルの最適なサイズ及び最適な個数を決定するステップでは、前記制約違反ネットの平均温度を参照して該制約違反ネットの温度依存性を考慮して、該制約違反ネットに挿入すべきリピータセルの最適なサイズおよび個数が決定され、該決定されたリピータセルの最適なサイズおよび最適な個数はリピータ最適値格納部に格納されることが好ましい。 According to the present invention, in the element placement and routing method, in the step of determining the optimum size and the optimum number of the repeater cells, the temperature dependence of the constraint violation net is considered with reference to the average temperature of the constraint violation net. Thus, it is preferable that the optimum size and number of repeater cells to be inserted into the constraint violation net are determined, and the determined optimum size and number of repeater cells are stored in the optimum repeater value storage unit.
本発明は、上記素子配置配線方法において、前記リピータ配置ステップでは、最適なサイズのリピータが最適な個数分だけ前記制約違反ネットに挿入されることが好ましい。 In the element placement and routing method according to the present invention, it is preferable that, in the repeater placement step, an optimum number of repeaters are inserted into the constraint violation net in an optimum number.
本発明は、上記素子配置配線方法において、前記半導体集積回路を構成する複数の回路素子のレイアウトおよび前段および後段の回路素子間の配線のレイアウトとして、自動レイアウト処理により該配線が遅延時間の制約を満たすよう、該配線の抵抗の温度依存性を考慮せずにリピータセルが挿入された基本レイアウトを作成する自動レイアウトステップを、前記リピータセル挿入ステップの前段階のステップとして含み、該リピータセル挿入ステップは、該基本レイアウトにおける配線の自己発熱による温度分布を考慮した遅延時間の検証を行う遅延検証ステップを含み、該遅延検証の結果に応じて、該基本レイアウトにおける制約違反ネットに対してリピータセルの挿入を行うものであることが好ましい。 According to the present invention, in the element placement and routing method, the layout of the plurality of circuit elements constituting the semiconductor integrated circuit and the layout of the wiring between the circuit elements in the preceding stage and the succeeding stage are subjected to constraints on delay time by automatic layout processing. An automatic layout step for creating a basic layout in which repeater cells are inserted without considering the temperature dependence of the resistance of the wiring so as to satisfy, as a step before the repeater cell insertion step, the repeater cell insertion step Includes a delay verification step for verifying a delay time in consideration of the temperature distribution due to the self-heating of the wiring in the basic layout, and according to the result of the delay verification, the repeater cell of the repeater cell with respect to the constraint violation net in the basic layout. It is preferable to perform insertion.
本発明は、上記素子配置配線方法において、前記リピータセル挿入ステップは、該基本レイアウトにおける配線の自己発熱による温度分布から該配線の平均温度を求めるステップを含み、前記遅延検証ステップでは、該配線の平均温度に基づいて該配線の遅延時間の検証を行うことが好ましい。 In the element placement and routing method according to the present invention, the repeater cell insertion step includes a step of obtaining an average temperature of the wiring from a temperature distribution due to the self-heating of the wiring in the basic layout, and the delay verification step It is preferable to verify the delay time of the wiring based on the average temperature.
本発明は、上記素子配置配線方法において、前記リピータセル挿入ステップは、前記制約違反ネットに対してリピータセルを挿入した場合に遅延改善が可能か否かを判定する遅延改善判定ステップを含み、該遅延改善が可能である場合のみ、該制約違反ネットに対してリピータセルを挿入するステップであることが好ましい。 In the element placement and routing method according to the present invention, the repeater cell insertion step includes a delay improvement determination step of determining whether or not delay improvement is possible when a repeater cell is inserted into the constraint violation net, It is preferable that a repeater cell is inserted into the constraint violation net only when delay improvement is possible.
本発明に係る制御プログラムは、上述した素子配置配線方法の各ステップをコンピュータに実行させるための処理手順が記述されたものであり、そのことにより上記目的が達成される。 The control program according to the present invention describes a processing procedure for causing a computer to execute each step of the element placement and routing method described above, and thereby the above-described object is achieved.
本発明に係る記録媒体は、上述した制御プログラムが格納されたものであり、そのことにより上記目的が達成される。 The recording medium according to the present invention stores the above-described control program, thereby achieving the above object.
以下、本発明の作用について説明する。 The operation of the present invention will be described below.
本発明においては、素子配置配線装置において、半導体集積回路の各配線の平均温度を考慮して該各配線での信号遅延時間を導出する信号遅延時間導出手段と、該各配線での平均温度を考慮した信号遅延時間に基づいて、該配線に該配線での信号遅延時間が低減されるよう挿入されるリピータセルの最適サイズおよび最適個数を決定するリピータ最適値決定手段とを備え、半導体集積回路の基本レイアウトを、該リピータセルの挿入が必要な配線に、該決定されたサイズのリピータが該決定された個数だけ挿入されたレイアウトに変更するので、設計の早い段階で遅延改善を行うことができ、しかも、回路素子間の配線の自己発熱による温度上昇を考慮して回路素子間の配線の正確な抵抗値を求めることができる。これにより、該配線のリピータ挿入による遅延削減を行う場合、この抵抗値を用いて回路の遅延を見積もることにより、配線に挿入されるリピータの最適なサイズと最適な挿入個数とを決めることができ、リピータ挿入による遅延削減を効果的に行うことができる。 In the present invention, in the element placement and routing apparatus, the signal delay time deriving means for deriving the signal delay time in each wiring in consideration of the average temperature of each wiring in the semiconductor integrated circuit, and the average temperature in each wiring A repeater optimum value determining means for determining an optimum size and optimum number of repeater cells to be inserted in the wiring so as to reduce the signal delay time in the wiring based on the considered signal delay time, and a semiconductor integrated circuit The basic layout is changed to a layout in which the determined number of repeaters are inserted into the wiring that requires the insertion of the repeater cell, so that delay improvement can be performed at an early stage of design. In addition, an accurate resistance value of the wiring between the circuit elements can be obtained in consideration of a temperature rise due to self-heating of the wiring between the circuit elements. This makes it possible to determine the optimum size and the optimum number of repeaters to be inserted into the wiring by estimating the circuit delay using this resistance value when the delay is reduced by the repeater insertion of the wiring. Therefore, it is possible to effectively reduce delay by inserting repeaters.
また、本発明においては、上記半導体集積回路における、上記回路素子間に位置するすべての配線に対して設定された信号遅延時間制約を格納する遅延制約格納部を備え、該遅延制約格納部に格納されている信号遅延時間制約に基づいて、配線の温度分布による抵抗分布を考慮して算出した信号遅延時間が制約違反を起こしている配線を制約違反ネットとして抽出するので、違反ネットの抽出を確実に行うことができる。 In the present invention, the semiconductor integrated circuit further includes a delay constraint storage unit that stores signal delay time constraints set for all the wirings positioned between the circuit elements, and stores the delay constraint storage unit in the delay constraint storage unit. Based on the specified signal delay time constraint, the wire with the signal delay time calculated considering the resistance distribution due to the temperature distribution of the wire is extracted as a constraint violation net, so the violation net can be extracted reliably. Can be done.
例えば、前記違反ネット抽出手段は、前記遅延制約格納部に格納されている前記配線の信号遅延時間制約と、導出された配線の信号遅延時間との対比という簡単な処理で、前記違反ネットを抽出することができる。 For example, the violation net extracting unit extracts the violation net by a simple process of comparing the signal delay time constraint of the wiring stored in the delay constraint storage unit with the signal delay time of the derived wiring. can do.
また、この発明においては、制約違反ネットに対するリピータセルの挿入により遅延改善が可能であるか否かを判定する遅延改善判定部を備えたので、この判定結果に応じてリピータセルのサイズや挿入個数を決定する演算が行われる。このため、リピータセルの挿入により遅延改善が得られない配線に対するリピータセルの挿入といった無駄な処理を回避することができる。 In the present invention, the delay improvement determination unit for determining whether or not the delay improvement is possible by inserting the repeater cell with respect to the constraint violation net is provided. Therefore, the size of the repeater cell and the number of insertions are determined according to the determination result. An operation to determine is performed. For this reason, it is possible to avoid useless processing such as insertion of a repeater cell for a wiring for which delay improvement cannot be obtained by insertion of a repeater cell.
以上のように、本発明によれば、半導体集積回路の基本レイアウトを示す回路情報および該半導体集積回路における熱分布を示す熱分布情報から各配線の平均温度を求め、該各配線の平均温度を考慮した温度依存抵抗による該各配線での信号遅延時間を導出する信号遅延時間導出手段と、該各配線の平均温度を考慮した信号遅延時間に基づいて、該配線に該配線での信号遅延時間が低減されるよう挿入されるリピータセルのサイズおよび個数を決定するリピータ最適値決定手段と、該回路情報に基づいて作成された該半導体集積回路の基本レイアウトを、該リピータセルの挿入が必要な配線に、該決定されたサイズのリピータセルが該決定された個数だけ挿入されたレイアウトに変更するリピータ配置手段とを備えたので、設計の早い段階で遅延改善を行うことができ、しかも、回路素子間の配線の自己発熱による温度上昇を考慮して回路素子間の配線の正確な抵抗値を求めることができ、これによりリピータ挿入による遅延削減を効果的に行うことができる。 As described above, according to the present invention, the average temperature of each wiring is obtained from the circuit information indicating the basic layout of the semiconductor integrated circuit and the heat distribution information indicating the heat distribution in the semiconductor integrated circuit, and the average temperature of each wiring is determined. A signal delay time deriving means for deriving a signal delay time in each wiring due to the temperature-dependent resistance considered, and a signal delay time in the wiring based on the signal delay time considering the average temperature of each wiring It is necessary to insert the repeater cell into a repeater optimum value determining means for determining the size and number of repeater cells to be inserted so as to reduce the basic layout of the semiconductor integrated circuit created based on the circuit information. Repeater placement means for changing the layout to a layout in which the determined number of repeater cells are inserted in the wiring is provided at an early stage of design. In addition, it is possible to obtain an accurate resistance value of wiring between circuit elements in consideration of a temperature rise due to self-heating of the wiring between circuit elements, thereby reducing delay by inserting a repeater. Can be done automatically.
まず、本発明の基本原理として、配線の自己発熱による温度変化を考慮したリピータ挿入方法について説明する。 First, as a basic principle of the present invention, a repeater insertion method in consideration of a temperature change due to self-heating of wiring will be described.
一般に、図14に示すような、ドライバ抵抗(出力抵抗)R0、配線抵抗Rint、配線容量Cint、レシーバ入力容量CLからなる回路の配線遅延モデルを考えた場合、回路の入力端Vinから出力端Voutまでの遅延Dは、公知の桜井の式を用いて以下のように表すことができる。 In general, when considering a wiring delay model of a circuit including a driver resistance (output resistance) R 0 , a wiring resistance R int , a wiring capacity C int , and a receiver input capacity CL as shown in FIG. The delay D to the output terminal Vout can be expressed as follows using the well-known Sakurai equation.
なお、この桜井の式は、文献『T.Sakurai,Approximation of wiring delay in MOSFET LSI,IEEE Journal of Solid−State Circuits,vol. SC−18,pp.418−426,Aug. 1983.』に開示されている。 Note that Sakurai's formula can be found in the document “T. Sakurai, Application of Wiring Delay in MOSFET LSI, IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. SC-18, pp. 418-426, Aug. 1983. Is disclosed.
D = 0.4RintCint
+ 0.7(R0Cint + R0CL + RintCL) … (8)
前述の式(5)で表されるような配線の温度変化による抵抗変化がある場合、上記の式(8)のRintを、配線の温度を考慮した抵抗値R’intで置き換えることにより、配線の温度を考慮した信号遅延時間D’(式(9))を得ることができる。
D = 0.4R int C int
+ 0.7 (R 0 C int + R 0 CL + R int CL) (8)
If there is a resistance change due to temperature change of the wiring as represented by the aforementioned formula (5), the R int of formula (8), by replacing in considering the temperature of the wiring resistance value R 'int, A signal delay time D ′ (equation (9)) in consideration of the temperature of the wiring can be obtained.
D’ = 0.4R’intCint
+ 0.7(R0Cint + R0CL + R’intCL) … (9)
今、図7で示されるような1次元温度分布を持つ配線の平均の温度を求める。図8は図7における温度分布に平均温度Taveを追加して示している。ここで、平均の温度とは、熱解析の結果得られた温度分布に対し、該分布の面積を配線長Lで割ることにより求められるものである。即ち、配線の温度分布をT(x)とすると、平均温度Tavgは次式(10)で示される。
D ′ = 0.4R ′ int C int
+ 0.7 (R 0 C int + R 0 CL + R ′ int CL) (9)
Now, the average temperature of the wiring having a one-dimensional temperature distribution as shown in FIG. 7 is obtained. FIG. 8 shows an average temperature T ave added to the temperature distribution in FIG. Here, the average temperature is obtained by dividing the area of the temperature distribution obtained as a result of the thermal analysis by the wiring length L. That is, assuming that the temperature distribution of the wiring is T (x), the average temperature T avg is expressed by the following equation (10).
このようにして得られた配線の平均温度Tavgを式(5)のTにあてはめると、温度を考慮した抵抗素子の抵抗を求めることができる。温度を考慮した配線抵抗をR’intとすると、R’intは次式(11)で表される。 When the average temperature T avg of the wiring thus obtained is applied to T in Expression (5), the resistance of the resistance element in consideration of the temperature can be obtained. If the wiring resistance considering the temperature is R ′ int , R ′ int is expressed by the following equation (11).
R’int = Rint(1+β(Tavg−T0)) (11)
そして、式(2)のRintを式(11)のR’intで置き換えることにより、配線の温度を考慮した信号遅延時間が求まる。
R ′ int = R int (1 + β (T avg −T0)) (11)
Then, by replacing R int of formula (2) with R 'int of formula (11), the signal delay time is determined in consideration of the temperature of the wiring.
以上のことから、配線の自己発熱を考慮した最適なリピータ挿入による信号遅延時間の改善を図るためには、温度に依存した抵抗の変化を考慮することが必要であることがわかる。 From the above, it can be seen that in order to improve the signal delay time by the optimum repeater insertion in consideration of the self-heating of the wiring, it is necessary to consider the change in resistance depending on the temperature.
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態1による素子配置配線装置の機能ブロックを示す図である。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a diagram showing functional blocks of an element placement and routing apparatus according to
この実施形態1の素子配置配線装置100は、半導体集積回路を構成する複数の回路素子および該回路素子間に位置する配線のレイアウトを作成するものである。
The element placement and
すなわち、本実施形態の素子配置配線装置100は、あらかじめ半導体集積回路の熱解析により得られた熱分布情報を格納する熱分布情報格納部132と、該熱分布情報から各配線の平均温度を算出する平均温度算出手段104と、自動配置配線処理により得られた半導体集積回路の基本レイアウトを示す回路情報として、該基本レイアウトにおける配線(概略配線)の情報を格納する概略配線情報格納部131と、該概略配線情報格納部131に格納されている概略配線後の配線情報と各配線の平均温度とに基づいて各配線での温度依存遅延時間を導出する信号遅延時間導出部101と、各配線での温度依存遅延時間に基づいて遅延時間制約に違反した配線(違反ネット)を抽出して格納する違反ネット抽出手段102と、該違反ネットに対して挿入すべきリピータの最適サイズおよび最適個数を決定するリピータ最適値決定手段103とを有している。
That is, the element placement and
ここで、該概略配線情報格納部131には、該概略配線の配線長が、該概略配線を特定する信号ネット名と該概略配線の配線長とを対応付けた対応表として格納されている。上記概略配線情報格納部131に格納されている配線長情報は、半導体集積回路の機能実現のための概略配線を行った後の、回路素子相互間の配線長などの配線情報であり、この配線情報は、各配線の温度を考慮せずにリピータセルを挿入した配線の情報である。
Here, in the schematic wiring
また、上記熱分布情報格納部132には、あらかじめ消費電力シミュレーションによって求めておいた配線の消費電流値を発熱源として与え、熱解析シミュレーションを行うことにより求めた熱分布情報が格納されている。ここで、熱分布情報とは、レイアウト上の座標と当該座標での温度を示すものである。また、熱分布情報格納部132は、配線生成後のレイアウトに対して、あらかじめ消費電力シミュレーションによって求めておいた配線の消費電流値を発熱源として与え、市販のCADソフト等を用いて熱解析を行うことにより求めた温度分布情報を、配線の位置の関数として格納する温度分布格納部11(図12参照)を含んでいる。
Further, the heat distribution
また、上記平均温度算出手段104は、図12に示すように、上記温度分布格納部11に格納されている各配線の温度分布と、概略配線情報格納部131の配線長データ表から取り出した配線長を用いて、前述の式(10)で示した算出方法を用いて、配線の平均温度を算出する平均温度算出部13と、該算出した配線の平均温度を格納する平均温度格納部111とを有している。
Further, as shown in FIG. 12, the average
さらに、この素子配置配線装置100は、該半導体集積回路の基本レイアウトを示す回路情報および該半導体集積回路における熱分布を示す熱分布情報から、各配線の平均温度を求め、該各配線での平均温度を考慮した温度依存抵抗による該各配線での信号遅延時間を導出する信号遅延時間導出手段101に加えて、該各配線での平均温度を考慮した信号遅延時間に基づいて、該配線に該配線での信号遅延時間が低減されるよう挿入されるリピータセルの最適サイズおよび最適個数を決定するリピータ最適値決定手段100aと、該回路情報に基づいて作成された該半導体集積回路の基本レイアウトを、該リピータセルの挿入が必要な配線に、該決定されたサイズのリピータが該決定された個数だけ挿入されたレイアウトに変更するリピータ挿入部121とを備えている。
Further, the element placement and
また、上記素子配置配線装置100は、上記回路素子間の配線での信号遅延に影響を与える遅延パラメータを格納する遅延パラメータ格納部100bと、前記半導体集積回路における、前記回路素子間に位置するすべての配線に対して設定された信号遅延時間制約を格納する遅延制約格納部122とを備えている。
The element placement and
また、上記信号遅延時間導出手段101は、上記概略配線情報格納部131に格納されている配線長情報、および上記平均温度格納部111に格納されている各配線の平均温度に基づいて、上記配線での温度依存抵抗に応じた該配線での信号遅延時間を導出する温度依存遅延計算部112と、導出された該配線での信号遅延時間を示す遅延時間情報を格納する温度依存遅延格納部113とを有している。
Further, the signal delay time deriving means 101 is configured to perform the wiring based on the wiring length information stored in the general wiring
また、上記遅延パラメータ格納部100bは、上記回路素子間の配線での信号遅延に影響を与える遅延パラメータを格納するものであり、上記温度依存遅延計算部112は、上記遅延パラメータ格納部100bに格納されている遅延パラメータに基づいて、該配線での温度依存抵抗に応じた該配線での信号遅延時間を導出するものである。
The delay
この遅延パラメータ格納部100bは、具体的には、上記配線を構成する配線材料に固有の、予め与えられた単位長あたりの抵抗および容量を、上記遅延パラメータとして格納した抵抗容量格納部(単位長あたりの配線抵抗・容量格納部)114と、上記配線を構成する配線材料に固有の、予め与えられた抵抗の温度係数を、各配線材料毎に上記遅延パラメータとして格納した温度係数格納部115と、上記半導体集積回路を構成するすべての回路素子(セル)の、予め与えられた入力容量および出力抵抗を、上記遅延パラメータとして格納した素子情報格納部(セルの入力容量と出力抵抗情報格納部)116とを有している。
Specifically, the delay
さらに、付け加えると、単位長あたりの配線抵抗・容量の格納部114には、市販の3次元フィールドソルバーや2次元LPE(Layout Parameter Extraction)ツール(寄生回路成分抽出ツール)等を用いて求めておいた、配線材料ごとの単位長あたりの配線抵抗・容量の値が格納されている。上記配線抵抗の温度係数格納部115には、配線の材料ごとに半導体製造上の固有の値である、温度変化に対する抵抗変化の係数が格納されている。
In addition, the wiring resistance /
図5に抵抗の温度依存性を示す。図5のρ0は温度T0のときの抵抗で、T0をリファレンスの温度(環境温度)と呼ぶことにし、温度T0のときの抵抗ρ0は既知であるとする。このとき、温度変化に対する配線抵抗変化を線形で近似することができることは一般によく知られている。即ち、図5に記載しているように、抵抗の温度依存性は式(15)で表すことができる。ただし、T’は解析する温度、T0はリファレンスの温度、ρ0は温度がT0のときの抵抗値、βは配線の温度係数である。 FIG. 5 shows the temperature dependence of resistance. In [rho 0 is the resistance at the temperature T 0 of FIG. 5, the T 0 to be referred to as reference temperature (environmental temperature), resistance [rho 0 at the temperature T 0 is assumed to be known. At this time, it is generally well known that the wiring resistance change with respect to the temperature change can be approximated linearly. That is, as described in FIG. 5, the temperature dependence of resistance can be expressed by Expression (15). Where T ′ is the temperature to be analyzed, T 0 is the reference temperature, ρ 0 is the resistance value when the temperature is T 0 , and β is the temperature coefficient of the wiring.
r= ρ0(1+β(T’−T0))
= ρ0(1+βT) …(15)
ただし、Tは温度変化量である。また、リファレンスの温度T0は環境温度であり、例えば基板表面の温度である。
r = ρ 0 (1 + β (T′−T 0 ))
= Ρ 0 (1 + βT) (15)
However, T is a temperature change amount. The reference temperature T 0 is the environmental temperature, for example, the temperature of the substrate surface.
また、セルの入力容量と出力抵抗の格納部116には、図14で示すように、半導体集積回路で用いる全機能セル(リピータセル以外のセル)に関する入力容量CL及び出力抵抗R0と、図15に示す挿入するリピータセル11および12に関する入力容量CL及び出力抵抗R0とが格納されている。
In addition, as shown in FIG. 14, the
さらに、上記リピータ最適値決定手段100aは、上記遅延制約格納部122に格納されている信号遅延時間制約に基づいて、上記計算部112で計算した信号遅延時間が制約違反を起こしている配線(制約違反ネット)を抽出する違反ネット抽出手段102と、該抽出した制約違反ネットに挿入するリピータの最適なサイズと最適な個数とを決定するリピータの最適値決定部119とを有している。
Further, the repeater optimum
ここで、上記違反ネット抽出手段102は、上記遅延制約格納部122に格納されている配線の信号遅延時間制約と、上記温度依存遅延格納部113に格納されている、導出された配線の信号遅延時間との対比に基づいて、上記違反ネットを抽出する違反ネット抽出部117と、該抽出した違反ネットを特定する情報を格納する違反ネット格納部118と、制約違反ネットに対してリピータセルを挿入した場合に遅延改善が可能か否かを判定する遅延改善判定部118aとを有している。上記リピータの最適値決定部119は、図13に示すように、制約違反ネットに挿入するリピータの最適な個数を算出するリピータの最適個数算出部21と、制約違反ネットに挿入するリピータの最適なサイズを算出するリピータの最適サイズ算出部22とを有し、該遅延改善が可能である場合のみ、各算出部21および22によるサイズおよび個数の算出を行い、リピータの最適値格納部120にこれらの算出したサイズおよび個数を格納するものである。また上記リピータ挿入部121は、該リピータの最適値決定部119およびリピータの最適値格納部120とともに、リピータ挿入装置103を構成している。
Here, the violation
図2(a)は、図1に示す素子配置配線装置の要部ハード構成例を示すブロック図である。 FIG. 2A is a block diagram illustrating a hardware configuration example of a main part of the element placement and routing apparatus illustrated in FIG.
本実施形態の素子配置配線装置100は、図2(a)に示すように、コンピュータシステムで構成されており、各種入力指令を可能とするキーボードやマウス、画面入力装置などの操作入力部2と、各種入力指令に応じて表示画面上に、初期画面、選択誘導画面および処理結果画面などの各種画像を表示可能とする表示部3と、全体的な制御を行う制御手段としてのCPU(中央演算処理装置)110aと、CPU110aの起動時にワークメモリとして働く一時記憶手段としてのRAM4と、CPU110aを動作させるための制御プログラムおよびこれに用いる各種データなどが記録されたコンピュータ読み取り可能な可読記録媒体(記憶手段)としてのROM5と、素子配置配線処理における各種データを記憶すると共にこれを参照可能とするためのデータベース6とを有している。
As shown in FIG. 2A, the element placement and
CPU110aは、操作入力部2からの入力指令の他、ROM5内からRAM4内に読み出された制御プログラムおよびこれに用いる各種データに基づいて、前述した温度依存遅延計算部101、違反ネット抽出部102、遅延改善判定部102aおよびリピータの最適値決定部103の機能をそれぞれ実行するものである。
In addition to the input command from the
ROM5は、ハードディスク、光ディスク、磁気ディスクおよびICメモリなどの可読記録媒体(記憶手段)で構成されている。この制御プログラムおよびこれに用いる各種データは、携帯自在な光ディスク、磁気ディスクおよびICメモリなどからROM5にダウンロードされてもよいし、コンピュータのハードディスクからROM5にダウンロードされてもよいし、無線または有線、インターネットなどを介してROM5にダウンロードされてもよい。
The
このような図2(a)に示すハードウエア構成を有する素子配置配線装置100は、図1に示す素子配置配線装置100の機能をコンピュータに実行させるための処理手順が記述された制御プログラムをコンピュータ読み取り可能な可読記憶媒体に格納して、コンピュータ(CPU110a)により自動的に以下の素子配置配線処理を行うものである。
The element placement and
RAM4やデータベース6は、CPU110aによる素子配置配線処理中に中間データとして生成される各種データを、その都度格納すると共に、必要に応じてこれらを参照可能としている。なお、データベース6はRAM4と一体で同じ記憶手段として構成されていてもよい。
The
次に動作について説明する。 Next, the operation will be described.
図2(b)は、上記実施形態1の素子配置配線装置100の動作フローを示す図である。ここでは、半導体集積回路の温度を考慮した最適なリピータ挿入処理について説明する。
FIG. 2B is a diagram showing an operation flow of the element placement and
本実施形態の素子配置配線装置100は、半導体集積回路の概略配線を含む基本レイアウトを作成し(ステップS1)、該作成した基本レイアウトに含まれる概略配線を示す情報(概略配線情報)を概略配線情報格納部131に格納する。ただし、該概略配線情報は半導体集積回路の基本機能に基づいて予め作成して、概略配線情報格納部131に格納したものでもよい。ここでは、この基本レイアウトは、ゲート間を接続する配線に、該配線の温度を考慮しないリピータ挿入処理を施して得られたものである。また、配線情報格納部131には、概略配線生成後の配線の材質と配線長情報(配線長データ)が格納されている。この配線長データは、信号配線名とその配線長の対応表として格納されている。
The element placement and
次に、素子配置配線装置100では、平均温度算出部13が、概略配線後のレイアウトに対して、全信号配線の平均温度を計算して、これを平均温度格納部111に格納する。
Next, in the element placement and
配線の平均温度を求める方法を図12を用いて示す。図12の温度分布格納部11にはあらかじめ消費電力シミュレーションによって求めておいた配線の消費電流値を発熱源として与え、市販のCADソフト等を用いて熱解析を行うことにより求めた温度分布情報が格納されている。そして、平均温度算出部13は、温度分布格納部111に格納されている温度分布情報と概略配線情報格納部131に格納されている配線長情報とから温度分布情報および当該配線長を取り出し、前述した式(10)を用いて配線の平均温度Taveを算出する。平均温度算出部13で得られた平均温度は、図12および図1に示す平均温度格納部111に格納される。
A method for obtaining the average temperature of the wiring will be described with reference to FIG. In the temperature
続いて、素子配置配線装置100では、全信号ネットの温度依存信号遅延時間が計算される。
Subsequently, in the element placement and
つまり、温度依存遅延計算部112は、上記算出した各配線の平均温度を用いて、前述の式(9)で表される温度依存遅延計算を行い(ステップS2)、該得られた遅延量を温度依存遅延格納部113に格納する(ステップS3)。このとき、温度依存遅延計算に必要な、単位長あたりの配線抵抗・容量と、配線の温度依存係数、および、セルの入力容量と出力抵抗の値は、各々図1に示す格納部114、115、116から取得する。
That is, the temperature-dependent
具体的には、上記温度依存遅延計算部112で、全ネットに対し温度を考慮した遅延計算を、前述した式(8)及び式(9)を用いて行う。式(8)及び式(9)において、配線抵抗Rint、Cintは、格納部114に格納されている単位長あたりの配線容量c0および参照温度における配線抵抗ρ0に概略配線情報格納部131から参照した配線長Lを掛け合わせて算出する。また、配線抵抗の温度係数は格納部115を、ドライバセルの出力抵抗R0とレシーバセルの入力容量CLは、格納部116を、そして、配線の自己発熱による温度変化から求めた平均温度T(x)は、格納部111を各々参照する。
Specifically, the temperature-dependent
このようにして求めた、全ネットの温度を考慮した遅延を、温度依存遅延格納部113に格納しておく。
The delay determined in consideration of the temperatures of all nets is stored in the temperature-dependent
次に、素子配置配線装置100では、遅延制約に違反しているネット(違反ネット)が抽出される。
Next, the element placement and
つまり、違反ネット抽出部117は、上記算出した各配線での遅延量を、遅延違反制約部122に格納されている遅延制約と比較し、違反しているネットを取り出して(ステップS4)、その違反ネットを特定する情報を違反ネット格納部118に格納する(図1の117)、該違反ネットを格納する(ステップS5)。
That is, the violation
その後、遅延改善判定部118aは、違反ネット格納部118に格納されている違反ネットを特定する情報に基づいて、違反ネットに対してリピータを挿入することにより遅延改善が可能であるか否かの判定を行う(ステップS6)。
Thereafter, the delay
その後、リピータ挿入装置103では、遅延改善判定部118aで遅延改善が可能であると判定されたときのみ、上記抽出した違反ネットに対して最適なリピータを挿入する処理を行う(ステップS7およびS8)。
Thereafter, the
つまり、リピータ最適値決定部119は、違反ネット格納部118に格納されている違反ネットに対し、前述の式(12)で表されるリピータ挿入後の温度依存遅延計算を行い、式(13)、(14)で表される方程式を解くことにより、リピータの最適値を算出する。具体的には、リピータの最適個数計算部21が違反ネットに挿入すべきリピータの最適な個数を算出し、リピータの最適サイズ計算部22が違反ネットに挿入すべきリピータの最適なサイズを算出し(ステップS7)、それぞれ最適個数および最適サイズをリピータの最適値格納部120に格納する。
That is, the repeater optimum
その後、リピータ挿入部121は、上記違反ネットに対して、決定された最適なサイズを有するリピータを、決定された最適な個数だけ、挿入する(ステップS8)。
Thereafter, the
例えば、図14の配線遅延を削減するため、図3に示すように電流駆動能力がhのリピータを配線上に均等にk個挿入し配線分割することを考える。ここで、電流駆動能力hは最小サイズのリピータの駆動能力に対する比率を示す。このようにして得られたリピータの最適個数kおよびサイズhはリピータの最適値格納部120に格納される。そして、リピータ挿入部121は、格納部120に格納されたリピータの最適個数および最適サイズを取り出し、これらの最適値に基づいてレイアウト上に当該リピータを均等に配置する。
For example, in order to reduce the wiring delay of FIG. 14, consider that k repeaters having a current driving capability of h are equally inserted on the wiring and divided as shown in FIG. Here, the current driving capability h indicates a ratio to the driving capability of the repeater having the minimum size. The optimum number k and size h of repeaters thus obtained are stored in the optimum
以上のステップにより、配線の自己発熱による配線抵抗の温度上昇を考慮したリピータ挿入による最適な遅延改善を図ることができる。 Through the above steps, it is possible to achieve an optimum delay improvement by inserting a repeater in consideration of the temperature rise of the wiring resistance due to the self-heating of the wiring.
以上のように、本発明にかかる、配線の自己発熱によって生じる温度変化を考慮した最素子配置配線装置100によれば、次の効果を期待できる。
As described above, according to the most element
標準セルの自動配置配線を用いたLSI設計において、あらかじめ求めておいた配線の自己発熱によって生じる熱分布情報(つまり座標と温度との対応を示す情報)、別途求めておいた配線材料ごとの単位長あたりの配線抵抗・容量の値、温度変化に対する配線抵抗変化の係数、及びセルの入力容量と出力抵抗を参照することにより、配線の自己発熱によって生じる温度上昇を考慮した遅延計算を行うことができる。 In LSI design using automatic placement and routing of standard cells, heat distribution information (that is, information indicating the correspondence between coordinates and temperature) that has been obtained in advance, and units for each wiring material that have been obtained separately By referring to the wiring resistance / capacitance value per length, the coefficient of the wiring resistance change with respect to the temperature change, and the input capacitance and output resistance of the cell, it is possible to calculate the delay considering the temperature rise caused by the wiring self-heating. it can.
また、本発明によれば、配線の自己発熱によって生じる温度上昇を考慮した遅延計算の結果、制約違反のあるネットに対して、温度を考慮して最適なリピータの挿入個数およびそのサイズを決定することにより、遅延削減効果を最適にすることができる。 Further, according to the present invention, as a result of delay calculation in consideration of the temperature rise caused by the self-heating of the wiring, the optimum number of repeaters to be inserted and its size are determined in consideration of the temperature with respect to a net having a constraint violation. As a result, the delay reduction effect can be optimized.
本発明の効果の精度の改善を表す例を以下に示す。標準セルの自動配置配線を用いて設計したレイアウトデータに対し、該レイアウトデータに含まれる回路構成として、図16に示すようなインバータ素子で構成されるドライバセルとレシーバセル、およびそれらを接続する長さLの配線を考える。 An example showing the improvement of the accuracy of the effect of the present invention is shown below. For layout data designed using automatic placement and routing of standard cells, as a circuit configuration included in the layout data, a driver cell and a receiver cell constituted by inverter elements as shown in FIG. Consider a wiring of length L.
図9の実線は、熱解析シミュレーションの結果得られた図16の配線部分10の1次元の熱分布を表している。即ち、図9のX軸(横軸)は配線長さLを有する配線における位置であり、Y軸(縦軸)は温度T(℃)である。
The solid line in FIG. 9 represents the one-dimensional heat distribution of the
図9に示すように、本例では、配線の熱分布T(x)が配線長Lの配線における位置xに対する指数関数(T(x)=a・exp(x))となっている。なお、ここで、aは係数である。また、図9の破線は、実線で示す温度分布から求めた平均の温度である。 As shown in FIG. 9, in this example, the heat distribution T (x) of the wiring is an exponential function (T (x) = a · exp (x)) with respect to the position x in the wiring having the wiring length L. Here, a is a coefficient. Moreover, the broken line of FIG. 9 is the average temperature calculated | required from the temperature distribution shown as a continuous line.
図11は、図16に示す配線10上に、本手法による図9の温度分布で示される配線の自己発熱による温度上昇を考慮した場合のリピータの個数(kopt)、それらのリピータのサイズ(hopt)および遅延削減率を、従来手法による温度を考慮しない場合のリピータの個数(korg)、それらのリピータのサイズ(horg)および遅延削減効果と比較して示したものである。
FIG. 11 shows the number of repeaters (k opt ) and the size of the repeaters (k opt ) when considering the temperature rise due to self-heating of the wiring shown in the temperature distribution of FIG. 9 on the
本例では、従来手法による遅延削減効果が33.4%であるのに対し、本発明の手法により遅延削減効果が40.1%となり、配線の自己発熱による温度上昇を考慮した本発明の手法と配線の自己発熱による温度上昇考慮しない従来手法とでは、遅延削減を最適にするリピータのサイズおよび挿入個数に違いがあり、本発明の手法によれば、従来手法に比べてより効果的に遅延削減を実現することができる。 In this example, the delay reduction effect by the conventional method is 33.4%, whereas the delay reduction effect by the method of the present invention is 40.1%, and the method of the present invention considering the temperature rise due to the self-heating of the wiring. And the conventional method that does not take into account the temperature rise due to the self-heating of the wiring, there is a difference in the size and the number of inserted repeaters that optimize the delay reduction. According to the method of the present invention, the delay is more effective than the conventional method. Reduction can be realized.
このように本実施形態1による素子配置配線装置100では、半導体集積回路の各配線の平均温度を考慮して該各配線での信号遅延時間を導出する信号遅延時間導出手段101と、該各配線での平均温度を考慮した信号遅延時間に基づいて、該配線に該配線での信号遅延時間が低減されるよう挿入されるリピータセルの最適サイズおよび最適個数を決定するリピータ最適値決定手段100aとを備え、半導体集積回路の基本レイアウトを、該リピータセルの挿入が必要な配線に、該決定されたサイズのリピータが該決定された個数だけ挿入されたレイアウトに変更するので、半導体集積回路の設計の早い段階で遅延改善を行うことができ、しかも、回路素子間の配線の自己発熱による温度上昇を考慮して回路素子間の配線の正確な抵抗値を求めることができ、これにより配線に対するリピータ挿入による遅延削減を効果的に行うことができる。
As described above, in the element placement and
また、本実施形態では、上記半導体集積回路における、上記回路素子間に位置するすべての配線に対して設定された信号遅延時間制約を格納する遅延制約格納部122を備え、該遅延制約格納部に格納されている信号遅延時間制約に基づいて、配線の温度分布による抵抗分布を考慮して算出した信号遅延時間が制約違反を起こしている配線を検証して制約違反ネットとして抽出するので、違反ネットの抽出を確実に行うことができる。
In the present embodiment, the semiconductor integrated circuit further includes a delay
例えば、前記違反ネット抽出手段102は、前記遅延制約格納部に格納されている前記配線の信号遅延時間制約と、導出された配線の信号遅延時間との対比という簡単な検証処理で、前記違反ネットを抽出することができる。
For example, the violation
また、本実施形態1では、制約違反ネットに対するリピータセルの挿入により遅延改善が可能であるか否かを判定する遅延改善判定部118aを備えたので、この判定結果に応じてリピータセルのサイズや挿入個数を決定する演算が行われる。このため、リピータセルの挿入による遅延改善が得られない配線に対してリピータセルを挿入するといった無駄な処理を回避することができる。
Further, in the first embodiment, the delay
以上のように、本発明の好ましい実施形態を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。 As mentioned above, although this invention has been illustrated using preferable embodiment of this invention, this invention should not be limited and limited to this embodiment. It is understood that the scope of the present invention should be construed only by the claims. It is understood that those skilled in the art can implement an equivalent range from the description of specific preferred embodiments of the present invention based on the description of the present invention and common general technical knowledge. It is understood that the documents cited in the present specification should be incorporated by reference into the present specification in the same manner as the content itself is specifically described in the present specification.
本発明は、素子配置配線装置および素子配置配線方法、並びに、該素子配置配線装置を用いて半導体集積回路を製造する方法、該素子配置配線方法をコンピュータに実行させるための制御プログラム、および該制御プログラムが格納された記憶媒体の分野において、半導体集積回路の自動配置配線方法を用いた設計の早い段階で遅延改善を行うことができ、しかも、回路素子間の配線の自己発熱による温度上昇を考慮して回路素子間の配線の正確な抵抗値を求めることができ、これによりリピータ挿入による遅延削減を効果的に行うことができ、自動配置配線方法を用いてLSIを設計する技術において有用なものである。 The present invention relates to an element placement and routing apparatus, an element placement and routing method, a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit using the element placement and routing apparatus, a control program for causing a computer to execute the element placement and routing method, and the control In the field of storage media in which programs are stored, delay can be improved at an early stage of design using an automatic placement and routing method for semiconductor integrated circuits, and temperature rise due to self-heating of wiring between circuit elements is taken into account. Therefore, it is possible to obtain an accurate resistance value of wiring between circuit elements, which can effectively reduce delay by inserting a repeater, and is useful in a technique for designing an LSI using an automatic placement and routing method. It is.
11 温度分布格納部
13 平均温度計算部
21 リピータの最適個数算出部
22 リピータの最適サイズ算出部
100 素子配置配線装置
100a リピータ最適値決定手段
100b 遅延パラメータ格納部
101 温度依存遅延計算手段
102 遅延制約違反ネット抽出手段
102a 遅延改善判定部
103 リピータ最適値決定手段
104 平均温度算出手段
111 平均温度格納部
111a 平均温度計算部
112 温度依存遅延計算部
113 温度依存遅延格納部
114 単位長あたりの配線抵抗・容量格納部
115 配線の材質毎の抵抗の温度係数格納部
116 セルの入力容量および出力抵抗格納部
117 遅延制約違反ネット抽出部
118 遅延制約違反ネット格納部
118a 遅延改善判定部
119 リピータの最適値決定装置
120 リピータの最適値格納部
121 リピータ挿入部
122 遅延制約格納部
131 概略配線情報格納部
132 熱分布情報格納部
DESCRIPTION OF
Claims (30)
該半導体集積回路の基本レイアウトを示す回路情報および該半導体集積回路における熱分布を示す熱分布情報から各配線の平均温度を求め、該各配線の平均温度を考慮した温度依存抵抗による該各配線での信号遅延時間を導出する信号遅延時間導出手段と、
該各配線の平均温度を考慮した信号遅延時間に基づいて、該配線に該配線での信号遅延時間が低減されるよう挿入されるリピータセルのサイズおよび個数を決定するリピータ最適値決定手段と、
該回路情報に基づいて作成された該半導体集積回路の基本レイアウトを、該リピータセルの挿入が必要な配線に、該決定されたサイズのリピータセルが該決定された個数だけ挿入されたレイアウトに変更するリピータ配置手段とを備えた素子配置配線装置。 An element placement and routing apparatus for creating a layout of a plurality of circuit elements constituting a semiconductor integrated circuit and a layout of wirings located between the circuit elements,
An average temperature of each wiring is obtained from circuit information indicating a basic layout of the semiconductor integrated circuit and heat distribution information indicating heat distribution in the semiconductor integrated circuit, and each wiring by a temperature-dependent resistance considering the average temperature of each wiring. Signal delay time deriving means for deriving the signal delay time of
Repeater optimum value determining means for determining the size and number of repeater cells inserted into the wiring so as to reduce the signal delay time in the wiring based on the signal delay time considering the average temperature of each wiring;
The basic layout of the semiconductor integrated circuit created based on the circuit information is changed to a layout in which the determined number of repeater cells are inserted into the wiring that requires the insertion of the repeater cells. An element placement and routing device comprising: repeater placement means for performing
前記半導体集積回路の熱分布解析により求めた、前記各配線の自己発熱による熱分布情報を格納する熱分布情報格納部と、
該熱分布情報格納部に格納されている熱分布情報から該各配線の平均温度を算出する平均温度算出部と、
該算出された各配線の平均温度を格納する平均温度格納部とを有する素子配置配線装置。 In the element arrangement wiring device according to claim 1,
A heat distribution information storage unit for storing heat distribution information obtained by self-heating of each wiring obtained by heat distribution analysis of the semiconductor integrated circuit;
An average temperature calculation unit for calculating an average temperature of each wiring from the heat distribution information stored in the heat distribution information storage unit;
An element placement and routing apparatus having an average temperature storage unit for storing the calculated average temperature of each wiring.
前記半導体集積回路の基本レイアウトにおける配線である概略配線に関する情報を格納する概略配線情報格納部を備え、
該概略配線情報格納部は、該概略配線の配線長を、該概略配線を特定する信号ネット名と該概略配線の配線長とを対応付けた対応表として格納している素子配置配線装置。 In the element arrangement wiring device according to claim 1,
A schematic wiring information storage unit that stores information about a schematic wiring that is a wiring in a basic layout of the semiconductor integrated circuit;
The schematic wiring information storage unit stores a wiring length of the schematic wiring as a correspondence table in which a signal net name for specifying the schematic wiring and a wiring length of the schematic wiring are associated with each other.
前記回路素子間の配線での信号遅延に影響を与える遅延パラメータを格納する遅延パラメータ格納部を備え、
前記信号遅延時間導出手段は、
前記遅延パラメータ格納部に格納されている遅延パラメータに基づいて、該配線での温度依存抵抗に応じた該配線での信号遅延時間を導出する素子配置配線装置。 In the element arrangement wiring device according to claim 1,
A delay parameter storage unit that stores a delay parameter that affects a signal delay in wiring between the circuit elements;
The signal delay time deriving means includes:
An element placement and routing apparatus that derives a signal delay time in the wiring according to a temperature-dependent resistance in the wiring based on a delay parameter stored in the delay parameter storage unit.
前記遅延パラメータ格納部は、前記配線を構成する配線材料に固有の単位長あたりの抵抗を前記遅延パラメータとして格納した抵抗格納部を有する素子配置配線装置。 In the element arrangement wiring device according to claim 4,
The delay parameter storage unit is an element placement and routing apparatus including a resistance storage unit that stores, as the delay parameter, a resistance per unit length unique to a wiring material constituting the wiring.
前記遅延パラメータ格納部は、前記配線を構成する配線材料に固有の単位長あたりの容量を前記遅延パラメータとして格納した容量格納部を有する素子配置配線装置。 In the element arrangement wiring device according to claim 4,
The element placement and routing apparatus, wherein the delay parameter storage unit includes a capacitance storage unit that stores, as the delay parameter, a capacity per unit length unique to a wiring material constituting the wiring.
前記遅延パラメータ格納部は、前記配線を構成する配線材料に固有の抵抗の温度係数を、前記遅延パラメータとして格納した温度係数格納部を有する素子配置配線装置。 In the element arrangement wiring device according to claim 4,
The element placement and routing apparatus, wherein the delay parameter storage unit includes a temperature coefficient storage unit that stores, as the delay parameter, a temperature coefficient of resistance specific to a wiring material constituting the wiring.
前記遅延パラメータ格納部は、前記半導体集積回路を構成するすべての回路素子の入力容量を、前記遅延パラメータとして格納した素子入力容量格納部を有する素子配置配線装置。 In the element arrangement wiring device according to claim 4,
The element placement and routing apparatus, wherein the delay parameter storage unit includes an element input capacitance storage unit that stores input capacitances of all circuit elements constituting the semiconductor integrated circuit as the delay parameter.
前記遅延パラメータ格納部は、前記半導体集積回路を構成するすべての回路素子の出力抵抗を、前記遅延パラメータとして格納した素子出力抵抗格納部を有する素子配置配線装置。 In the element arrangement wiring device according to claim 4,
The element placement and routing apparatus, wherein the delay parameter storage unit includes an element output resistance storage unit that stores output resistances of all circuit elements constituting the semiconductor integrated circuit as the delay parameter.
前記半導体集積回路における、前記回路素子間に位置するすべての配線に対して設定された信号遅延時間制約を格納する遅延制約格納部を備えた素子配置配線装置。 In the element arrangement wiring device according to claim 2,
An element placement and routing apparatus including a delay constraint storage unit that stores signal delay time constraints set for all wirings positioned between the circuit elements in the semiconductor integrated circuit.
前記信号遅延時間導出手段は、
前記平均温度格納部に格納されている各配線の平均温度に基づいて、該各配線の温度依存性を考慮した遅延計算を行って、該各配線での信号遅延時間を算出する温度依存遅延計算部と、
該温度依存遅延計算部により算出された各配線での信号遅延時間を格納する温度依存遅延格納部とを有する素子配置配線装置。 In the element arrangement wiring device according to claim 10,
The signal delay time deriving means includes:
Based on the average temperature of each wiring stored in the average temperature storage unit, a delay calculation considering the temperature dependence of each wiring is performed to calculate a signal delay time in each wiring. And
A device placement and routing apparatus comprising: a temperature-dependent delay storage unit that stores a signal delay time in each wiring calculated by the temperature-dependent delay calculation unit.
前記リピータ最適値決定手段は、
前記各配線の平均温度を参照して該配線の温度依存性を考慮して、該配線に挿入すべきリピータセルの最適なサイズおよび最適な個数を決定するリピータ最適値決定部と、
該リピータ最適値決定手段により求めた最適なサイズおよび最適な個数を格納するリピータ最適値格納部とを有する素子配置配線装置。 In the element arrangement wiring device according to claim 11,
The repeater optimum value determining means includes:
A repeater optimum value determining unit for determining the optimum size and the optimum number of repeater cells to be inserted into the wiring in consideration of the temperature dependence of the wiring with reference to the average temperature of each wiring;
An element placement and routing apparatus having a repeater optimum value storage unit for storing an optimum size and optimum number obtained by the repeater optimum value determining means.
前記リピータ配置手段は、前記リピータ最適値格納部に格納したリピータセルの最適なサイズおよび個数に基づいて、該最適なサイズを有するリピータセルを該最適な個数分、前記配線に挿入する素子配置配線装置。 In the element arrangement wiring device according to claim 12,
The repeater placing means inserts the optimum number of repeater cells having the optimum size into the wire based on the optimum size and number of repeater cells stored in the optimum repeater value storage unit. apparatus.
該回路情報は、請求項1〜13のいずれかに記載の素子配置配線装置により作成された、該半導体集積回路の回路素子および配線のレイアウトを示すものである半導体集積回路の製造方法。 A method of manufacturing a semiconductor integrated circuit using a mask pattern obtained based on circuit information,
A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit, wherein the circuit information indicates a layout of circuit elements and wiring of the semiconductor integrated circuit created by the element placement and wiring apparatus according to claim 1.
該配線での信号遅延時間が低減されるようリピータセルを挿入するリピータセル挿入ステップを含み、
該リピータセル挿入ステップは、
該配線に電流が流れることによって発生するジュール熱による該配線の温度上昇を考慮して、該半導体集積回路における複数の配線の各々の信号遅延時間を導出するステップと、
該各配線の信号遅延時間に基づいて、遅延時間の制約違反を起こしている配線である制約違反ネットを抽出するステップと、
該制約違反ネットに対して挿入すべきリピータセルの最適なレイアウトを決定するステップと、
該決定したリピータセルの最適なレイアウトに基づいて、該リピータセルを該制約違反ネットに挿入するステップとを含む素子配置配線方法。 An element arrangement and wiring method for creating a layout of a plurality of circuit elements constituting a semiconductor integrated circuit and a layout of wiring for connecting the preceding stage circuit element and a subsequent stage circuit element,
Including a repeater cell insertion step of inserting a repeater cell so that a signal delay time in the wiring is reduced;
The repeater cell insertion step includes:
Deriving the signal delay time of each of the plurality of wirings in the semiconductor integrated circuit in consideration of the temperature rise of the wiring due to Joule heat generated by current flowing through the wirings;
Extracting a constraint violation net that is a wiring causing a violation of the delay time constraint based on the signal delay time of each wiring;
Determining an optimal layout of repeater cells to be inserted for the constraint violation net;
Inserting the repeater cell into the constraint violation net based on the determined optimum layout of the repeater cell.
前記信号遅延時間を導出するステップは、
前記半導体集積回路の熱分布解析により求めた、前記配線の自己発熱による熱分布情報から、該配線の平均温度を求める平均温度算出ステップと、
該求められた平均温度を平均温度格納部に格納するステップとを含み、
該平均温度格納部に格納されている各配線の平均温度に基づいて、該配線での温度依存抵抗に応じた信号遅延時間を導出するものである素子配置配線方法。 In the element placement and wiring method according to claim 15,
Deriving the signal delay time includes:
An average temperature calculating step for obtaining an average temperature of the wiring from heat distribution information by self-heating of the wiring, which is obtained by heat distribution analysis of the semiconductor integrated circuit;
Storing the determined average temperature in an average temperature storage unit,
An element placement and wiring method for deriving a signal delay time corresponding to a temperature-dependent resistance in each wiring based on an average temperature of each wiring stored in the average temperature storage unit.
前記前段回路素子と後段の回路素子とを接続する配線は、前記半導体集積回路の基本レイアウトに複数の概略配線として含まれるものであり、
前記各概略配線の配線長は、該各概略配線を特定する信号ネット名と該各概略配線の配線長とを対応付けた対応表として概略配線情報格納部に格納されている素子配置配線方法。 In the element placement and wiring method according to claim 15,
The wiring connecting the preceding stage circuit element and the subsequent stage circuit element is included as a plurality of schematic wirings in the basic layout of the semiconductor integrated circuit,
The element arrangement and wiring method in which the wiring length of each schematic wiring is stored in the schematic wiring information storage unit as a correspondence table in which a signal net name for specifying each schematic wiring and a wiring length of each schematic wiring are associated with each other.
前記配線を構成する配線材料に固有の単位長あたりの抵抗は、抵抗格納部に格納されている素子配置配線方法。 In the element placement and wiring method according to claim 15,
The element placement and wiring method in which the resistance per unit length inherent to the wiring material constituting the wiring is stored in the resistance storage section.
前記配線を構成する配線材料に固有の単位長あたりの容量は、容量格納部に格納されている素子配置配線方法。 In the element placement and wiring method according to claim 15,
The element placement and wiring method in which the capacity per unit length inherent to the wiring material constituting the wiring is stored in a capacity storage unit.
前記半導体集積回路を構成するすべての回路素子の入力容量は、素子入力容量格納部に格納されている素子配置配線方法。 In the element placement and wiring method according to claim 15,
An element placement and routing method in which input capacitances of all circuit elements constituting the semiconductor integrated circuit are stored in an element input capacitance storage unit.
前記半導体集積回路を構成するすべての回路素子の出力抵抗は、素子出力抵抗格納部に格納されている素子配置配線方法。 In the element placement and wiring method according to claim 15,
An element placement and routing method in which output resistances of all circuit elements constituting the semiconductor integrated circuit are stored in an element output resistance storage unit.
前記半導体集積回路における、前記回路素子間に位置するすべての配線に対して設定された信号遅延時間制約は、遅延制約格納部に格納されている素子配置配線方法。 In the element placement and wiring method according to claim 15,
In the semiconductor integrated circuit, an element placement and routing method in which signal delay time constraints set for all wirings located between the circuit elements are stored in a delay constraint storage unit.
前記信号遅延時間を導出するステップは、
前記平均温度格納部に格納されている各配線の平均温度に基づいて、該各配線の温度依存性を考慮した遅延計算を行って、該各配線での信号遅延時間を算出するステップと、
該算出された該各配線での信号遅延時間を温度依存遅延格納部に格納するステップとを含む素子配置配線方法。 The element placement and wiring method according to claim 16,
Deriving the signal delay time includes:
Based on the average temperature of each wiring stored in the average temperature storage unit, performing a delay calculation considering the temperature dependency of each wiring, calculating a signal delay time in each wiring;
And storing the calculated signal delay time in each wiring in a temperature-dependent delay storage unit.
前記リピータセルの最適なサイズ及び最適な個数を決定するステップでは、
前記制約違反ネットの平均温度を参照して該制約違反ネットの温度依存性を考慮して、該制約違反ネットに挿入すべきリピータセルの最適なサイズおよび個数が決定され、
該決定されたリピータセルの最適なサイズおよび最適な個数はリピータ最適値格納部に格納される素子配置配線方法。 In the element placement and wiring method according to claim 15,
In the step of determining the optimum size and the optimum number of the repeater cells,
The optimum size and number of repeater cells to be inserted into the constraint violation net are determined by referring to the average temperature of the constraint violation net and considering the temperature dependence of the constraint violation net.
The element placement and routing method in which the optimum size and optimum number of the determined repeater cells are stored in the optimum repeater value storage unit.
前記リピータ配置ステップでは、最適なサイズのリピータが最適な個数分だけ前記制約違反ネットに挿入される素子配置配線方法。 In the element arrangement wiring method according to claim 24,
In the repeater placement step, an element placement and routing method wherein an optimum number of repeaters are inserted into the constraint violation net.
前記半導体集積回路を構成する複数の回路素子のレイアウトおよび前段および後段の回路素子間の配線のレイアウトとして、自動レイアウト処理により該配線が遅延時間の制約を満たすよう、該配線の抵抗の温度依存性を考慮せずにリピータセルが挿入された基本レイアウトを作成する自動レイアウトステップを、前記リピータセル挿入ステップの前段階のステップとして含み、
該リピータセル挿入ステップは、
該基本レイアウトにおける配線の自己発熱による温度分布を考慮した遅延時間の検証を行う遅延検証ステップを含み、
該遅延検証の結果に応じて、該基本レイアウトにおける制約違反ネットに対してリピータセルの挿入を行うものである素子配置配線方法。 In the element placement and wiring method according to claim 15,
As a layout of a plurality of circuit elements constituting the semiconductor integrated circuit and a layout of a wiring between circuit elements at the preceding stage and the succeeding stage, the temperature dependence of the resistance of the wiring so that the wiring satisfies the constraint of delay time by an automatic layout process Including an automatic layout step of creating a basic layout in which repeater cells are inserted without taking into account the steps as a step before the repeater cell insertion step,
The repeater cell insertion step includes:
A delay verification step for verifying a delay time in consideration of a temperature distribution due to self-heating of the wiring in the basic layout,
An element placement and routing method for inserting a repeater cell into a constraint violation net in the basic layout in accordance with a result of the delay verification.
前記リピータセル挿入ステップは、
該基本レイアウトにおける配線の自己発熱による温度分布から該配線の平均温度を求めるステップを含み、
前記遅延検証ステップでは、該配線の平均温度に基づいて該配線の遅延時間の検証を行う素子配置配線方法。 In the element placement and wiring method according to claim 26,
The repeater cell insertion step includes:
Obtaining an average temperature of the wiring from a temperature distribution due to self-heating of the wiring in the basic layout,
In the delay verification step, an element placement and wiring method for verifying a delay time of the wiring based on an average temperature of the wiring.
前記リピータセル挿入ステップは、
前記制約違反ネットに対してリピータセルを挿入した場合に遅延改善が可能か否かを判定する遅延改善判定ステップを含み、
該遅延改善が可能である場合のみ、該制約違反ネットに対してリピータセルを挿入するステップである素子配置配線方法。 In the element placement and wiring method according to claim 27,
The repeater cell insertion step includes:
A delay improvement determining step of determining whether or not delay improvement is possible when a repeater cell is inserted for the constraint violation net;
An element placement and routing method which is a step of inserting a repeater cell into the constraint violation net only when the delay can be improved.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2008157275A Withdrawn JP2009301444A (en) | 2008-06-16 | 2008-06-16 | Element layout wiring apparatus, manufacturing method of semiconductor integrated circuit, element layout wiring method, control program, and recording medium |
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