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JP2009239184A - Multilayer printed wiring board - Google Patents

Multilayer printed wiring board Download PDF

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JP2009239184A
JP2009239184A JP2008086327A JP2008086327A JP2009239184A JP 2009239184 A JP2009239184 A JP 2009239184A JP 2008086327 A JP2008086327 A JP 2008086327A JP 2008086327 A JP2008086327 A JP 2008086327A JP 2009239184 A JP2009239184 A JP 2009239184A
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Japan
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thickness
layer
plating
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wiring board
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JP2008086327A
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Japanese (ja)
Inventor
Nobuo Takagi
総夫 高城
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Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-density multilayer printed wiring board which can achieve compatibility between a via filling performance or getting through performance to the inside of a via hole and interlayer insulation reliability along with a finer wiring pattern and a via of a decreased diameter. <P>SOLUTION: In the multilayer printed wiring board having inner layer circuits, a via receiving land to be connected with an upper layer and a wiring circuit are provided on at least one of the inner layer circuits. The inner layer circuits satisfy a relationship, Tr>Tv>Tl, when the via receiving land has a thickness of Tv, the wiring circuit has a thickness of Tl, and an interlayer insulating resin laminated on the inner circuit has a thickness of Tr. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は高密度多層印刷配線板に関する。 The present invention relates to a high density multilayer printed wiring board.

近年電子機器の高機能化、小型・薄型化に伴い、電子部品の高密度実装化が急速に進展しつつある。これらを受けて印刷配線板においては配線の高密度化、小型化、薄型化および高信頼が要求されている。印刷配線板の回路形成方法としては、サブトラクティブ法およびセミアディティブ法の2つがあるが、近年の配線高密度化に伴い、特に微細な回路を有する印刷配線板においては、形成に有利なセミアディティブ法が主流となりつつある。 In recent years, with the increase in functionality, miniaturization and thinning of electronic devices, high-density mounting of electronic components is rapidly progressing. In response to these demands, printed wiring boards are required to have higher wiring density, smaller size, thinner thickness, and higher reliability. There are two methods for forming a circuit of a printed wiring board, a subtractive method and a semi-additive method. With the recent increase in wiring density, particularly in a printed wiring board having a fine circuit, a semi-additive method is advantageous. Law is becoming mainstream.

セミアディティブ工法による多層印刷配線板の製造方法について説明する。まずは表裏2層のみあるいはその内装に1層以上配線回路が積層形成されている印刷配線基板であって、且つ層間の電気的接続がなされている2層あるいは多層コア基板を公知の方法を用いて準備する。このコア基板平面上に層間絶縁樹脂層を形成する。形成した絶縁樹脂下層に位置し、コア基板の回路内に形成されているビア受けランド上にUVあるいは炭酸ガスレーザーを照射し、ビア受けランド表面までの貫通加工することによって、絶縁樹脂層に層間導通用ブラインドビアホールを形成する。続いて樹脂酸化剤を含むアルカリ性熱溶液に浸漬することによって、ビア孔内に付着したレーザー加工残渣の除去(デスミア処理)と、絶縁樹脂表面に積層用樹脂あるいは化学銅めっきとの密着性向上を目的とした粗化処理を行う。粗化された樹脂上に化学銅めっき用触媒を付与する工程を経て、絶縁樹脂平面部とビア孔内に厚さ0.1〜3μm程度の化学銅めっき層を形成した後に、ドライフィルムレジストを熱ラミネートする。続いて所望のマスクパターンを用いてドライフィルムレジスト層を露光、現像処理することにより、導体回路と逆のドライフィルムレジストパターンを形成する。更に化学銅めっき層を給電層、レジストパターンを型として電解銅めっきを行うことによって、配線回路およびビア受けランド部と前記層間接続用ビアおよびビアランドを形成する。続いてレジストを剥離し、不要な化学銅めっき層をエッチング除去するフラッシュエッチングを行い回路形成する。これら工程を複数回繰り返し積層するビルトアップ工法を用いて多層印刷配線板を製造する。 The manufacturing method of the multilayer printed wiring board by a semi-additive construction method is demonstrated. First, a printed wiring board in which only two layers on the front and back sides or one or more layers of wiring circuits are formed on the interior of the printed wiring board, and a two-layer or multi-layer core board in which electrical connection between layers is made using a known method is used. prepare. An interlayer insulating resin layer is formed on the core substrate plane. By irradiating the via receiving land formed in the core substrate circuit with the UV or carbon dioxide gas laser and penetrating the via receiving land surface, the interlayer is formed between the insulating resin layers. Conductive blind via holes are formed. Subsequent immersion in an alkaline hot solution containing a resin oxidant removes the laser processing residue adhering to the via hole (desmear treatment) and improves the adhesion between the insulating resin surface and the laminating resin or chemical copper plating. The intended roughening treatment is performed. After a step of applying a catalyst for chemical copper plating on the roughened resin, after forming a chemical copper plating layer having a thickness of about 0.1 to 3 μm in the insulating resin flat portion and the via hole, a dry film resist is formed. Heat laminate. Subsequently, the dry film resist layer is exposed and developed using a desired mask pattern to form a dry film resist pattern opposite to the conductor circuit. Further, electrolytic copper plating is performed using a chemical copper plating layer as a power feeding layer and a resist pattern as a mold, thereby forming a wiring circuit and via receiving land, and the interlayer connection via and via land. Subsequently, the resist is peeled off, and flash etching is performed to remove an unnecessary chemical copper plating layer, thereby forming a circuit. A multilayer printed wiring board is manufactured by using a built-up method in which these steps are repeatedly laminated several times.

印刷配線板の小型化には、配線幅および配線間隔の狭小化と層間接続のためのビアおよびビア受けランドの小径化もさることながら、ビア構造も重要なファクターである。ビア孔内に電解銅めっきが充填されたフィルドビア構造の場合、ビア直上にさらにビアを形成すること(ビアオンビア)や、基板最外層であれば、ビア直上に実装パッドを設けること(ビアオンパッド)が可能となる。すなわちフィルドビア構造では、同法線上に積み上げるスタックドビアによる複数層間接続および、実装パッドと一体形成が可能となるために、上下層間導通の引き回しの自由度が増し、省スペース化に非常に有効な手段となっている。一方ビア内部に電解めっき銅が充填されておらず、ビア底面と側壁に沿って導体層が形成されているコンフォーマルビア構造においては、ビアスタックが困難で、スタックしたとしても十分な層間接続信頼性を確保することが難しい。したがって下層ビア位置を回避した場所に新たに導体回路を引き回した後、ビア受けランドを設けてさらに積層、ビア形成する作業を繰り返し行わなくてはならず(スタッカードビア)、省スペース化には限界があった。よってフィルドビア構造の層間接続が、印刷配線板の高密度化、小型化、層間接続信頼性等大きなメリットを有する。 In order to reduce the size of the printed wiring board, the via structure is an important factor as well as the narrowing of the wiring width and wiring interval and the diameter of vias and via receiving lands for interlayer connection. In the case of a filled via structure in which electrolytic copper plating is filled in the via hole, it is possible to further form a via immediately above the via (via on via), or to provide a mounting pad directly on the via (via on pad) if it is the outermost layer of the substrate. It becomes. In other words, in the filled via structure, it is possible to connect multiple layers by stacked vias stacked on the same normal line and to form a mounting pad, so that the degree of freedom in routing the upper and lower interlayers increases, which is a very effective means for space saving. It has become. On the other hand, in a conformal via structure in which the inside of the via is not filled with electrolytically plated copper and a conductor layer is formed along the bottom and side walls of the via, it is difficult to stack vias, and even if stacked, reliable interlayer connection reliability It is difficult to ensure sex. Therefore, after the conductor circuit is newly routed in a place that avoids the position of the lower via, the via receiving land must be provided, and further lamination and via formation must be repeated (stacked via). There was a limit. Therefore, the interlayer connection of the filled via structure has great merits such as higher density, smaller size, and interlayer connection reliability of the printed wiring board.

フィルドビアめっきは、基板平面部分の銅めっき析出を抑制し、ビア孔内への銅析出を促進する機能を有するフィルドビアめっき浴によって達成される。フィルドビアめっき浴は硫酸銅、硫酸、塩素イオンと有機添加剤であるポリマー、ブライトナー、レベラーの成分を含有する。レベラーはめっき中では基板平坦部分へ多く吸着しビア孔内への吸着量は少なく、且つめっき皮膜析出を抑制する作用を有すると言われている。レベラーは一般的には有機色素であり4級アンモニウム化合物から選ばれ、カチオン性を有することから電析量の多くなる電流密度集中するところに優先的に吸着し、均一電着性(レベリング作用)を発現する効果がある。ブライトナーは一般には含硫黄有機化合物から選ばれるもので、めっき析出を促進する働きがある。ブライトナーの基板平坦部への吸着は、レベラー、ポリマーの優先吸着により阻害されるため、基板平坦部でのめっき析出促進効果は抑制される。その一方で、ビア孔内部では比較的大きい分子量であるレベラー、ポリマー成分の吸着量は少なく、比較的低分子であるブライトナーは孔内部へ拡散しやすいために、ビア孔内部に拡散、吸着してめっき析出を促進する。ビア孔内にめっきが析出するにつれて更に凹部の表面積が小さくなってくるので、吸着したブライトナーがビア凹部に濃縮・集中し、さらに促進されることによって、ビアフィリングが行われる。ポリマーは一般的にポリエチレングリコール等水溶性ポリマーから選ばれるものであって、レベラーと同様に高分子量であることから、基板表面部への優先吸着によるめっき皮膜の電析を抑制する作用を有する。以上の成分の効果を利用してビアフィリング性と均一電着性を両立するフィルドビアめっき浴に関する数多くの発明がなされてきている。 Filled via plating is achieved by a filled via plating bath that has a function of suppressing copper plating deposition on the plane portion of the substrate and promoting copper deposition into the via hole. The filled via plating bath contains copper sulfate, sulfuric acid, chloride ions and organic additives such as polymer, brightener and leveler. It is said that the leveler is mostly adsorbed on the flat part of the substrate during plating, the adsorbed amount in the via hole is small, and has an action of suppressing the plating film deposition. The leveler is generally an organic dye and is selected from quaternary ammonium compounds. Since it has a cationic property, it preferentially adsorbs at a location where the current density where the amount of electrodeposition increases increases, and it has a uniform electrodeposition (leveling action). Is effective. The brightener is generally selected from sulfur-containing organic compounds and has a function of promoting plating deposition. Since the adsorption of Brightner to the substrate flat portion is hindered by the preferential adsorption of the leveler and the polymer, the effect of promoting plating deposition on the substrate flat portion is suppressed. On the other hand, the leveler with a relatively large molecular weight inside the via hole and the adsorption amount of the polymer component are small, and the brightener which is a relatively low molecule easily diffuses into the hole, so it diffuses and adsorbs inside the via hole. To promote plating deposition. As plating deposits in the via holes, the surface area of the recesses further decreases, so that the adsorbed brightener concentrates and concentrates in the via recesses, and is further promoted to perform via filling. The polymer is generally selected from water-soluble polymers such as polyethylene glycol and has a high molecular weight like the leveler, and therefore has an action of suppressing electrodeposition of the plating film due to preferential adsorption on the substrate surface. Numerous inventions relating to filled via plating baths that make use of the effects of the above components to achieve both via filling and uniform electrodeposition have been made.

フィルドビア構造を有する高密度多層印刷配線板のセミアディティブ工法による製造の場合、電解めっき工程では、基板平面上に形成される配線回路部および上層からのビア受けランド部と、基板平面より下層にある絶縁樹脂層を貫通し下層のビア受けランド上に達するビアホールおよびその直上に形成するビアランド部とを1回のフィルドビアめっきで一括形成する。すなわちフィルドビアおよび直上のビアランド形成部分の必要めっき厚は、基板平坦部分の配線およびビア受けランド部よりも貫通樹脂の厚み分だけ厚くなることから、十分なビアフィリング性が必要不可欠となっている。 In the case of manufacturing a high-density multilayer printed wiring board having a filled via structure by the semi-additive method, in the electrolytic plating process, the wiring circuit portion formed on the substrate plane and the via receiving land portion from the upper layer are located below the substrate plane. A via hole that penetrates the insulating resin layer and reaches the lower via receiving land and a via land portion formed immediately above the via hole are collectively formed by one filled via plating. That is, the required plating thickness of the filled via and the via land formation portion immediately above is thicker than the wiring and via receiving land portion of the substrate flat portion by the thickness of the penetrating resin, and therefore, sufficient via filling properties are indispensable.

下記特許文献1〜5にフィルドビアめっき液組成である有機系添加剤を検討することにより、ビアフィリング性の向上と均一電着性の両立を行う発明は数多く検討されている。しかしながら、必然的に十分なフィリングを完了するためには、電解めっき量を確保しなくてはなら無かった。そのため電解めっき量が多くなることで、めっき厚のばらつきが増大する。特に多層配線板の製造基板サイズである500×600mmの大型ワークにおいては均一電着性が未だ十分とは言えず、特に30μmピッチ以下の微細な配線を形成する場合、この問題は顕著となる。さらにレベラー成分は比較的大きい分子量を有していることから、めっき液から基板表面への物質移動が抑制作用に影響する。よって浴内で液流速が速く液供給が多い所ほど吸着抑制作用が強いこととなる。すなわち均一電着性は液流動によっても変わってしまうことも否めない。さらには、フィルドビアめっきの有機系添加剤の抑制作用を有するポリマー、レベラーと促進作用を有するブライトナーの配合比をフィリング性向上方向に最適化する場合、ワーク面内の均一電着性が低下する傾向にあり、トレードオフの関係があった。 In Patent Documents 1 to 5 below, many inventions for improving both the via filling property and the uniform electrodeposition property by examining an organic additive having a filled via plating solution composition have been studied. However, in order to inevitably complete the filling, it was necessary to secure the amount of electrolytic plating. Therefore, the variation in the plating thickness increases as the amount of electrolytic plating increases. In particular, in a large workpiece having a size of 500 × 600 mm, which is the manufacturing substrate size of a multilayer wiring board, it cannot be said that the throwing power is still sufficient, and this problem becomes remarkable particularly when a fine wiring having a pitch of 30 μm or less is formed. Furthermore, since the leveler component has a relatively large molecular weight, the mass transfer from the plating solution to the substrate surface affects the suppressing action. Accordingly, the higher the liquid flow rate in the bath and the more liquid supply, the stronger the adsorption suppressing action. That is, it cannot be denied that the throwing power is changed by the liquid flow. Furthermore, when the blending ratio of the polymer with the inhibitory action of the organic additive of filled via plating, the brighter with the promoting action and the leveler is optimized in the direction of improving the filling property, the uniform electrodeposition property in the work surface is lowered. There was a trend and there was a trade-off relationship.

特開2000−297395JP 2000-297395 A 特開2002−249891JP 2002-249891 特開2004−346381JP 2004-346381 特開2006−249478JP 2006-249478 A 特開2007−107074JP2007-107074

以上の理由により、フィルドビアめっき工程においてビアフィリングと直上のビアランド形成、さらには基板平面上の配線回路及び上層からのビア受けランド部の形成をフィルドビアめっきにより一括で行おうとする場合、基板上に形成される導体回路のめっき高さばらつきが大きくならざるを得なかった。そのため実生産においてはビアフィリング性とビアランド形成が完了するめっき条件、そのときの配線厚仕上がりとめっき厚はらつき範囲を考慮して、型となるドライフィルムレジスト厚を決定する必要があり、基板面内でオーバーめっきにならないよう十分な厚さのドライフィルムレジストを選定することでマージンして取っていた。この理由によってドライフィルムレジストの厚みを容易に薄くすることを困難にしていた。さらにコンフォーマルビアの場合、小径化等によってビアアスペクトが高くなる場合は孔内への銅つきまわり性が低下するため、ある一定以上のビア内導体厚を維持しようとすると、基板平面部の配線回路部およびビア受けランド部のめっきが厚くなり、且つばらつきが増大する結果を招く。 Due to the above reasons, via filling via plating and via land formation directly above, and wiring circuit on the substrate plane and via receiving land from the upper layer are formed on the substrate when filling via plating is performed at once. As a result, the variation in the plating height of the conductor circuit was inevitably increased. Therefore, in actual production, it is necessary to determine the dry film resist thickness to be the mold in consideration of the via filling properties and the plating conditions for completing the via land formation, the wiring thickness finish at that time, and the plating thickness variation range. In order to avoid overplating, a dry film resist having a sufficient thickness was selected so that a margin was taken. For this reason, it has been difficult to easily reduce the thickness of the dry film resist. Furthermore, in the case of conformal vias, if the via aspect becomes high due to a reduction in diameter, etc., the copper coverage in the hole will decrease, so if you try to maintain a certain thickness of via conductor in the via, As a result, the plating of the circuit portion and the via receiving land portion becomes thick and the variation increases.

セミアディティブ工法における配線の微細化は、型となるレジストの解像度と細線密着性でほぼ決定する。さらにレジストの解像度と細線密着性はドライフィルムレジストの厚みに大きく依存し、ドライフィルムレジストが薄ければ薄いほど解像度および細線密着性は向上する。従来のセミアディティブ工法における配線形成では、ビアフィリング性あるいはコンフォーマルビアめっきの孔内の着きまわり性確保によって生じるめっき厚ばらつきに対応すべく、ドライフィルムレジストの厚さを厚く設定せざるを得なかったために、厚いドライフィルムレジストを使用せざるを得ず、配線微細化の障害となっていた。特に配線ピッチ30μm以下、更には20μmピッチ以下の微細配線形成は困難を極めている。 The miniaturization of wiring in the semi-additive method is almost determined by the resolution and fine line adhesion of the resist as a mold. Furthermore, the resolution and fine line adhesion of the resist greatly depend on the thickness of the dry film resist, and the thinner the dry film resist, the better the resolution and fine line adhesion. In wiring formation in the conventional semi-additive method, the thickness of the dry film resist must be set to cope with the plating thickness variation caused by ensuring the via fillability or the wearability within the hole of conformal via plating. Therefore, a thick dry film resist has to be used, which has been an obstacle to miniaturization of wiring. In particular, it is extremely difficult to form fine wiring with a wiring pitch of 30 μm or less, and further 20 μm or less.

多層印刷配線板の小型化にはビア構造およびビア径、ビアランド径、および下層のビア受けランド径を小さくする必要がある。ビア小径化を実現する技術的課題としては、レーザー加工性もさることながら、デスミア性、ビアフィリング性、コンフォーマルビアめっきの場合は孔内着きまわり性、層間接続信頼性、層間絶縁性の確保が挙げられる。レーザー加工は一般的に加工深度が高くなる程加工難易度が増大する。形状は樹脂表面で開口径が大きく、底面部、下層ビア受けランド表面では径が小さくなるテーパー形状となる。層間接続信頼性はビア接地面積を広く取るほど向上するので、絶縁樹脂厚は薄いほど有利となる。またデスミア処理によって加工残渣を除去し、下層のビア受けランド銅表面を十分に清浄化し、ビアめっきの密着性を確保することも同様に重要である。ビア孔内のデスミア処理は、ビアアスペクト比が高くなるほど薬液が進入しにくく、処理されづらくなる。よってデスミア処理は層間絶縁樹脂層が薄ければ薄いほど有利である。 In order to reduce the size of the multilayer printed wiring board, it is necessary to reduce the via structure, the via diameter, the via land diameter, and the lower via receiving land diameter. Technical issues to achieve via diameter reduction include laser processing, as well as desmearing, via filling, and conformal via plating, ensuring in-hole wearability, interlayer connection reliability, and interlayer insulation. Is mentioned. In laser processing, the processing difficulty generally increases as the processing depth increases. The shape is a taper shape having a large opening diameter on the resin surface and a small diameter on the bottom surface and the surface of the lower via receiving land. Interlayer connection reliability improves as the via grounding area increases, so the thinner the insulating resin thickness, the more advantageous. It is equally important to remove processing residues by desmearing, sufficiently clean the underlying via receiving land copper surface, and ensure adhesion of via plating. In the desmear treatment in the via hole, the higher the via aspect ratio, the harder the chemical solution enters and the harder the treatment. Therefore, the desmear treatment is more advantageous as the interlayer insulating resin layer is thinner.

ビアフィリング性あるいは孔内の着きまわり性については、樹脂厚を一定にしたままビア小径化を行う場合、ビアアスペクト比が増加することとなる。ビアアスペクト増加により、孔底部へのブライトナー、銅イオン供給が滞る方向になるためビアフィリング難易度は増加する傾向にあり、ビア内部にボイドやシームといった埋め込み不良を引き起こし、多層印刷配線板の電気信頼性は低下する。ビアフィリング性はビアを小径化した場合、絶縁樹脂も同様に薄くする方が一般的に有利となる。コンフォーマルビア孔内への着きまわり性も同様ビアアスペクトが増加すると、銅イオン供給が不足するので低下する傾向にある。 Regarding the via filling property or the wearability within the hole, the via aspect ratio increases when the via diameter is reduced while the resin thickness is kept constant. As the via aspect increases, the brightener and copper ion supply to the bottom of the hole tends to stagnate, so the degree of difficulty in via filling tends to increase, causing embedding defects such as voids and seams inside the via, and Reliability is reduced. As for via filling properties, when the diameter of the via is reduced, it is generally advantageous to make the insulating resin thin as well. Similarly, as the via aspect increases, the wearability within the conformal via hole tends to decrease due to insufficient supply of copper ions.

以上より、レーザー加工性、デスミア性、層間接続信頼性、ビアフィリング性あるいはビア孔内への着きまわり性は、積層する絶縁樹脂厚が薄いほど有利となる一方で、層間絶縁信頼性は、樹脂厚みが厚ければ厚いほどマイグレーションに対するマージンが広くなるので、一定以上の層間絶縁樹脂厚を確保する必要がある。すなわち、ビア小径化による多層印刷配線板の回路微細化による小型化にはこれら2つの問題を両立する技術が必要不可欠となる。本発明は、これらの問題を解決する高密度多層印刷配線板を提供することを課題とする。 From the above, the laser processability, desmear property, interlayer connection reliability, via filling property, or reachability inside the via hole are more advantageous as the laminated insulating resin thickness is thinner, while the interlayer insulation reliability The thicker the thickness, the wider the margin for migration. Therefore, it is necessary to ensure a certain thickness of interlayer insulating resin. That is, a technology that can satisfy these two problems is indispensable for miniaturization of a multilayer printed wiring board by miniaturization of a via by reducing the diameter of the via. An object of the present invention is to provide a high-density multilayer printed wiring board that solves these problems.

本発明者は上述した課題に対して鋭意研究を重ねてきた結果、本発明に至った。すなわち内層回路を少なくとも有する多層印刷配線板において、少なくとも1層の内層回路上には上層と層間接続するビアのビア受けランドと、同―層上に配線回路が設けられており、前記ビア受けランドの厚みをTv、配線回路の厚みをTl、前記内装回路上に積層される層間絶縁樹脂厚をTrとすると、Tr>Tv>Tlとなる内層回路を有することを特徴とする多層印刷配線板とするものである。
さらには、前記ビア受けランドは、配線回路と略同一の厚みの第一層と、該第一層上の第二層とを有することを特徴とする多層印刷配線板とするものである。
さらには、前記第二層は金属めっき層であることを特徴とする多層印刷配線板とするものである。
As a result of intensive studies on the above-mentioned problems, the present inventors have reached the present invention. That is, in a multilayer printed wiring board having at least an inner layer circuit, a via receiving land for a via connecting to an upper layer is provided on at least one inner layer circuit, and a wiring circuit is provided on the same layer. A multilayer printed wiring board having an inner circuit where Tr>Tv> Tl, where Tv is the thickness of the wiring circuit, Tl is the thickness of the wiring circuit, and Tr is the thickness of the interlayer insulating resin laminated on the internal circuit, To do.
Further, the via receiving land has a first layer having a thickness substantially the same as that of the wiring circuit and a second layer on the first layer, and is a multilayer printed wiring board.
Further, the second layer is a metal plating layer, and is a multilayer printed wiring board.

さらに、多層印刷配線板の製造方法として、少なくとも1層の内層回路上には上層と層間接続するビアのビア受けランドと、配線回路とが設けられた多層印刷配線板の製造方法であって、前記内層回路の製造工程には絶縁樹脂上に配線回路及びビア受けランド第一層を形成する工程と、電解めっきにより選択的に前記ビア受けランド第一層上にビア受けランド第二層を形成する工程とを有することを特徴とする多層印刷配線板の製造方法である。 Furthermore, as a method for producing a multilayer printed wiring board, there is provided a via receiving land for vias connected to the upper layer on at least one inner layer circuit, and a method for producing a multilayer printed wiring board provided with a wiring circuit, In the manufacturing process of the inner layer circuit, a wiring circuit and a via receiving land first layer are formed on an insulating resin, and a via receiving land second layer is selectively formed on the first via receiving land by electrolytic plating. A process for producing a multilayer printed wiring board.

本発明による多層印刷配線板においては、内層回路上に設けられた上層との層間導通を図るビア受けランドの厚みを、同内層回路上に形成された配線回路の厚みよりも厚く設定し、上層に積層する層間絶縁樹脂厚以下に設定することにある。層間導通用ビア受けランドをその他回路よりも厚く設定し、さらに回路上に層間絶縁樹脂を積層し、ビアホールを形成した場合、ビアホールの深さ/開口幅とのアスペクト比を大幅に低減することが可能となる。ビアを小径化した場合であっても、電解めっき時のビアフィリング性、コンフォーマルビアめっきの場合ではビア孔内への着きまわり性低下を招くことが無く、ビア小径化をしない場合であってもビアフィリング性および孔内着きまわり性が改善されることになる。よってフィルドビア直上のビアランド形成は、ビアフィリング性が向上するので従来工法よりも早く仕上がる。コンフォーマルビアの場合では、孔内のめっき着きまわり性が改善するので同様に早く仕上がることになる。然るに従来技術においてはビアフィリング性あるいは孔内への着きまわり性を確保する十分な電解めっき量で行っていたが、本発明によるところ電解銅めっき量を低減することが可能となる。電解めっきはめっき量増大に従い、配線高さバラツキが増大するので、本発明によれば電解めっきばらつきは大幅に低減することができる。 In the multilayer printed wiring board according to the present invention, the thickness of the via receiving land for achieving interlayer conduction with the upper layer provided on the inner layer circuit is set to be thicker than the thickness of the wiring circuit formed on the inner layer circuit. The thickness is set to be equal to or less than the thickness of the interlayer insulating resin laminated. If the via receiving land for interlayer conduction is set thicker than other circuits, and the interlayer insulating resin is laminated on the circuit to form a via hole, the aspect ratio of the via hole depth / opening width can be greatly reduced. It becomes possible. Even when the diameter of the via is reduced, the via filling property during electrolytic plating, and the case of conformal via plating do not lead to a decrease in the wearability in the via hole, and the via diameter is not reduced. As a result, the via filling property and the in-hole wearability are improved. Therefore, the via land formation immediately above the filled via is finished faster than the conventional method because the via filling property is improved. In the case of conformal vias, the finish of plating in the hole is improved, so that the finish is similarly quick. However, in the prior art, a sufficient amount of electrolytic plating was ensured to ensure via filling properties or reachability in the holes. However, according to the present invention, the amount of electrolytic copper plating can be reduced. Since electrolytic plating increases the wiring height variation as the plating amount increases, according to the present invention, variations in electrolytic plating can be greatly reduced.

従来技術ではビアフィリング性、孔内着きまわり性と電解銅めっき厚ばらつきを考慮してドライフィルムレジスト厚を厚く設定せざるを得なかったが、本発明によると、ビアフィリング性、孔内着きまわり性向上による電解銅めっき量の低減と、電解銅めっき厚ばらつきの改善が可能となるので、ドライフィルムレジスト厚を薄く設定することができる。従来工法では40μmピッチ配線であれば25〜30μm厚のドライフィフィルムレジストを使用しなくてはならなかったが、本発明による方法によると20μm以下のドライフィルムを使用することができるようになる。更にレジストの解像度と細線密着性が著しく向上することから、30μmピッチ以下の微細な配線層を有する多層印刷配線板の製造が可能となる。 In the prior art, the thickness of the dry film resist had to be set in consideration of the via filling properties, the hole wearability and the electrolytic copper plating thickness variation, but according to the present invention, the via filling properties, the hole wearability were increased. Therefore, it is possible to reduce the amount of electrolytic copper plating and improve the variation in electrolytic copper plating thickness, so that the dry film resist thickness can be set thin. In the conventional method, a dry film resist having a thickness of 25 to 30 μm has to be used for a wiring having a pitch of 40 μm. However, according to the method of the present invention, a dry film of 20 μm or less can be used. Furthermore, since the resolution and fine line adhesion of the resist are remarkably improved, it becomes possible to produce a multilayer printed wiring board having a fine wiring layer with a pitch of 30 μm or less.

本発明による多層印刷配線板においては、ビアのアスペクト比を低減することができるので、レーザー加工性が向上し生産性が上がり、レーザー加工後の下層ビア受けランド部銅表面上に付着するレーザー加工残渣を除去するデスミア処理も十分に清浄に処理する行うことが可能となる。すなわち層間接続信頼性の高い多層印刷配線板が製造可能となる。従来技術よる方法では、ビアアスペクト比が高いために、デスミア処理を十分に行わなくてはならず、過度なデスミア処理によってビア部および基板平面部分の樹脂溶解量増大を招く。過度なデスミア処理は樹脂表面の密着に有効な微細な凹凸までも溶解してしまうことによる配線密着性の低下、ビア部分を過度に溶解することによる小径化の阻害、樹脂表面への親水性官能基化が進むことによる電気的信頼性の低下をきたす。よって本発明による多層印刷配線板ではこれらを回避することが可能となる。この効果はフィルドビアに限ったものではなく、コンフォーマルビアにも適応できる。 In the multilayer printed wiring board according to the present invention, since the aspect ratio of the via can be reduced, the laser processing is improved and the productivity is improved, and the laser processing that adheres to the lower via receiving land portion copper surface after the laser processing The desmear process for removing the residue can be performed sufficiently cleanly. That is, a multilayer printed wiring board with high interlayer connection reliability can be manufactured. In the method according to the prior art, since the via aspect ratio is high, the desmear process must be sufficiently performed, and an excessive desmear process causes an increase in the resin dissolution amount in the via part and the substrate plane part. Excessive desmear treatment degrades wiring adhesion by dissolving even fine irregularities effective for adhesion of the resin surface, inhibition of diameter reduction by excessively dissolving the via part, hydrophilic function to the resin surface The electrical reliability is lowered due to the progress of the basicization. Therefore, the multilayer printed wiring board according to the present invention can avoid these problems. This effect is not limited to filled vias, but can also be applied to conformal vias.

さらにレーザー加工する層間絶縁樹脂厚が薄く設定できるため、小径ビア化が容易に行われるようになり配線高密度化による多層印刷配線板の小型化も容易となる。この効果はフィルドビアのみならずコンフォーマルビアにも言及することができる。 Further, since the thickness of the interlayer insulating resin to be laser processed can be set thin, it is easy to reduce the via diameter, and the multilayer printed wiring board can be easily downsized by increasing the wiring density. This effect can be mentioned not only for filled vias but also conformal vias.

ビアアスペクト比を低減するには、単に積層する層間絶縁樹脂厚を薄くすることが考えられるが、層間絶縁樹脂厚の低下は、層間絶縁信頼性の低下を招く結果となる。よって本発明による多層印刷配線板では、従来通りの絶縁樹脂厚を確保しつつ、ビアアスペクト比のみを低減することができるので絶縁信頼性の低下を招くことはない。この効果はフィルドビアのみならずコンフォーマルビアにも言及することができる。 In order to reduce the via aspect ratio, it is conceivable to simply reduce the thickness of the interlayer insulating resin to be laminated. However, a decrease in the interlayer insulating resin thickness results in a decrease in interlayer insulating reliability. Therefore, in the multilayer printed wiring board according to the present invention, it is possible to reduce only the via aspect ratio while securing the conventional insulating resin thickness, so that the insulation reliability is not lowered. This effect can be mentioned not only for filled vias but also conformal vias.

以上より、本発明により、微細回路および小径ビアを形成することが可能となり、印刷配線板の小径ビア化、微細配線化による配線回路微細化による高密度化、小型化が容易かつ信頼性の高い多層印刷配線板を提供できるようになる。 As described above, according to the present invention, it is possible to form a fine circuit and a small-diameter via, and it is easy and highly reliable because the printed wiring board has a small-diameter via, a high-density by miniaturization of the wiring circuit by fine wiring, and a small size. A multilayer printed wiring board can be provided.

本発明の多層印刷配線板の一例を図1(A)に示す。
本発明の多層印刷配線板は、少なくとも1層の内層回路を有し、内層回路上には上層と層間接続するビア151と、この下層のビア終端で電気的に接続されたビア受けランド111と、配線回路154とが設けられている。このビア受けランドの厚みをTv、配線回路の厚みをTl、前記内装回路上に積層される層間絶縁樹脂厚をTrとすると、本発明はTr>Tv>Tlなる関係を満たす内層回路を有することを特徴とするものである。図1(A)では、2層の内層回路を有する多層印刷配線板の例を持って説明したが、このような内層回路の構成を繰り返すことにより、どの内層回路においても本発明を適用することができる。
An example of the multilayer printed wiring board of the present invention is shown in FIG.
The multilayer printed wiring board of the present invention has at least one inner layer circuit, and on the inner layer circuit, a via 151 connected to the upper layer and an via receiving land 111 electrically connected at the via end of the lower layer, The wiring circuit 154 is provided. When the via receiving land has a thickness Tv, the wiring circuit has a thickness Tl, and the thickness of the interlayer insulating resin laminated on the interior circuit is Tr, the present invention has an inner layer circuit that satisfies the relationship Tr>Tv> Tl. It is characterized by. Although FIG. 1A has been described with an example of a multilayer printed wiring board having two inner layer circuits, the present invention can be applied to any inner layer circuit by repeating such an inner layer circuit configuration. Can do.

図1(B)は、ビア151及びビア受けランド111の周辺を部分的に抜き出して拡大した本発明の多層印刷配線板の説明図である。本発明の一の様態においては、ビア受けランドは配線回路と略同一の厚みの第一層111aと、この第一層上の第二層11bとを有する。例えば後述する本発明の多層印刷配線板の製造方法の例で示すように、配線回路と、ビア受けランドの第一層が同一の工程で形成されているのであれば、略同一の厚みを有すると見なすことができる。また、第二層を金属めっき層とすることで、ビア受けランドの厚みを容易に制御し、所望のビア受けランド厚みを有する多層印刷配線板とすることができる。 FIG. 1B is an explanatory diagram of a multilayer printed wiring board according to the present invention in which the periphery of the via 151 and the via receiving land 111 is partially extracted and enlarged. In one embodiment of the present invention, the via receiving land includes a first layer 111a having a thickness substantially the same as that of the wiring circuit, and a second layer 11b on the first layer. For example, as shown in an example of a method for manufacturing a multilayer printed wiring board of the present invention described later, if the wiring circuit and the first layer of the via receiving land are formed in the same process, they have substantially the same thickness. Then it can be considered. Further, by using the metal plating layer as the second layer, the thickness of the via receiving land can be easily controlled, and a multilayer printed wiring board having a desired via receiving land thickness can be obtained.

本発明の多層印刷配線板の製造方法の一例を図2及び図3の各工程に基づいて説明する。本発明はコンフォーマルビアめっきの多層印刷配線板でも適応可能であり、本発明の範囲にあるが、ここではフィルドビアめっきによる層間導通を例として説明する。先ずはコア基板を準備するが、コア基板の作成方法は公知の方法を用いて作成する。コア基板の作成方法の一例を示すが、本発明の方法では記載した方法に限らず、他の方法を用いて作成しても良い。先ずは銅張両面板あるいは内層回路が形成され、基板両表層全面に銅箔が積層された銅張積層板に、ドリルによる貫通加工を施してスルーホールを形成する。スルーホール内をアルカリ性過マンガン酸溶液によってデスミア処理を行い、パラジウム等の化学銅めっき触媒をスルーホール内壁および基板表面に付与する。化学銅めっきおよび電解銅めっきによるパネルめっきによって基板表裏層の層間導通を行う。さらに場合によってはスルーホール孔内に穴埋め樹脂を印刷し、蓋めっきを実施しても良い。さらに物理研磨あるいは化学研磨を施し、アルカリ溶解性のエッチングレジストを形成する。所望の配線パターンが描画されたフォトマスクを用いて表裏のアライメント露光の上、現像処理してレジストパターンを形成した後に、エッチング処理を行い、レジストを剥離して、上層からのビア受けランド111(第一層111a)および配線回路112および層間導通用スルーホール113を有するコア基板を作成する(図2(A))。その後に、コア基板上のビア受けランド部分111に後述する本発明の方法を適応し、ビア受けランド部分111のみを選択的に他回路高さよりも高く形成する(図2(A−2))。あるいはコア基板へ本発明による方法を実施せずに上層のビルドアップ層より実施しても本発明の範疇にある。 An example of a method for producing a multilayer printed wiring board according to the present invention will be described based on the steps shown in FIGS. The present invention can also be applied to a multilayer printed wiring board of conformal via plating and is within the scope of the present invention. Here, interlayer conduction by filled via plating will be described as an example. First, a core substrate is prepared, and the core substrate is created using a known method. An example of a method for creating a core substrate is shown, but the method of the present invention is not limited to the method described, and other methods may be used. First, a copper-clad double-sided board or an inner layer circuit is formed, and a through-hole is formed by drilling a copper-clad laminate in which copper foil is laminated on the entire surface of both substrates. The inside of the through hole is desmeared with an alkaline permanganate solution, and a chemical copper plating catalyst such as palladium is applied to the inner wall of the through hole and the substrate surface. Interlayer conduction between the front and back layers of the substrate is performed by panel plating using chemical copper plating and electrolytic copper plating. Further, depending on the case, a filling resin may be printed in the through-hole hole and the lid plating may be performed. Further, physical polishing or chemical polishing is performed to form an alkali-soluble etching resist. A photomask on which a desired wiring pattern is drawn is used to perform front-and-back alignment exposure and development processing to form a resist pattern, and then etching processing is performed to remove the resist, and via receiving lands 111 ( A core substrate having the first layer 111a), the wiring circuit 112, and the interlayer conduction through-hole 113 is formed (FIG. 2A). Thereafter, the method of the present invention to be described later is applied to the via receiving land portion 111 on the core substrate, and only the via receiving land portion 111 is selectively formed to be higher than the other circuit height (FIG. 2 (A-2)). . Or it is in the category of this invention even if it implements from the upper buildup layer, without implementing the method by this invention to a core board | substrate.

次に図1(B)に示すように、コア基板上に層間絶縁樹脂121を熱圧着にて形成し、熱硬化処理を行う。積層する樹脂はガラスクロスの含まない市販のビルドアップ樹脂であってもよく、あるいはガラスクロスを含むプリプレグと銅箔とを同時積層して作成してもよく、何れの公知の方法によっても可能である。プリプレグと銅箔を積層する場合、銅箔をエッチアウトして樹脂層のみ残してもよく、銅箔を0.3〜3μm程度まで薄化してセミアディティブ用のシード層として利用しても良い。コア基板上に層間絶縁樹脂の形成に続いてUVあるいは炭酸ガスレーサーにより、コア基板表面上に形成されたビア受けランド上にブラインドビアホール122を形成し、デスミアと樹脂上に形成する化学銅めっき層との密着性を確保するための粗化処理123を基板表面とビアホール側面の層間絶縁樹脂部に施す。 Next, as shown in FIG. 1B, an interlayer insulating resin 121 is formed on the core substrate by thermocompression, and a thermosetting process is performed. The resin to be laminated may be a commercially available build-up resin that does not contain glass cloth, or may be prepared by simultaneously laminating a prepreg containing glass cloth and copper foil, and can be formed by any known method. is there. When the prepreg and the copper foil are laminated, the copper foil may be etched out to leave only the resin layer, or the copper foil may be thinned to about 0.3 to 3 μm and used as a semi-additive seed layer. Following formation of the interlayer insulating resin on the core substrate, a blind via hole 122 is formed on the via receiving land formed on the core substrate surface by UV or carbon dioxide gas racer, and a chemical copper plating layer formed on the desmear and the resin Is applied to the interlayer insulating resin portion on the substrate surface and the side surface of the via hole.

ビア径であるが、本発明によればビアを形成する部分のみ層間絶縁樹脂厚が他部分と比較すると薄くなっているので、ビアアスペクトを低減することが可能となっている。よってビア加工の小径化が容易に実現可能となっている。本発明によればビア加工径は5μm以上200μm以下であることが望ましい。5μm以下である場合、ビアフィリングは不可能ではないが、下層のビア受けランドとの接地面積を十分に確保できない可能性がある。200μm以上である場合、本発明による小径化の十分な効果が得られない。より好ましくは10μm以上150μm以下であることが望ましい。更に好ましくは20μm以上100μm以下であることが望ましい。続いて図2(C)に示すように化学銅めっき触媒付与を行い、化学銅めっき層131をビアホール内壁および層間絶縁樹脂上に形成する。 Although it is a via diameter, according to the present invention, the thickness of the interlayer insulating resin is reduced only in the portion where the via is formed as compared with the other portions, so that the via aspect can be reduced. Therefore, it is possible to easily reduce the diameter of via processing. According to the present invention, the via processing diameter is desirably 5 μm or more and 200 μm or less. If it is 5 μm or less, via filling is not impossible, but there is a possibility that a sufficient ground contact area with the lower via receiving land cannot be secured. When the thickness is 200 μm or more, the sufficient effect of reducing the diameter according to the present invention cannot be obtained. More preferably, it is 10 μm or more and 150 μm or less. More preferably, it is 20 μm or more and 100 μm or less. Subsequently, as shown in FIG. 2C, a chemical copper plating catalyst is applied, and a chemical copper plating layer 131 is formed on the inner wall of the via hole and the interlayer insulating resin.

続いて図2(D)に示すように基板表面にドライフィルムレジストを熱ラミネートし、第一のレジスト層を設け、さらに所望の配線パターンを露光・現像処理することによって配線パターンと逆のレジストパターン141を形成する。本発明で使用する第一のドライフィルムレジストの厚さであるが、上記載の通り、従来使用していたものよりも薄いものを用いることが可能となる。従来の方法であれば40μmの配線ピッチであれば、30μm厚前後のドライフィルムレジストを使用する必要があったが、本発明では同ピッチであれば25μm以下のものでも対応可能である。40μmピッチ以下の配線である場合、より好ましくは20μm以下5μm以上のものであることが望ましい。5μm以下である場合、形成する配線回路高さは5μm以下になるので、配線断面積が低下してしまい導体回路の電気的信頼性が不十分となる。25μmより厚い場合では本発明によるレジスト厚低減による配線の高密度化の効果が得られなくなる。より好ましくは20μm以下、10μm以上であることが望ましい。 Subsequently, as shown in FIG. 2 (D), a dry film resist is thermally laminated on the substrate surface, a first resist layer is provided, and a desired wiring pattern is exposed and developed to thereby reverse the resist pattern to the wiring pattern. 141 is formed. Although it is the thickness of the 1st dry film resist used by this invention, it becomes possible to use a thing thinner than what was used conventionally as above-mentioned. In the conventional method, if the wiring pitch is 40 μm, it is necessary to use a dry film resist having a thickness of about 30 μm. However, in the present invention, even a pitch of 25 μm or less can be handled with the same pitch. When the wiring has a pitch of 40 μm or less, it is more preferable that the wiring is 20 μm or less and 5 μm or more. If it is 5 μm or less, the height of the wiring circuit to be formed is 5 μm or less, so that the cross-sectional area of the wiring is reduced and the electrical reliability of the conductor circuit becomes insufficient. When the thickness is larger than 25 μm, the effect of increasing the wiring density by reducing the resist thickness according to the present invention cannot be obtained. More preferably, it is 20 μm or less and 10 μm or more.

次に図2(E)に示すように電解銅めっきによる配線形成とフィルドビアめっきを一括で行い、ビア151およびその直上のランド152、ビア受けランド153および配線回路154を形成する。本発明による電解銅めっき条件であるが、基板平面部に形成された配線回路部分あるいは上層との層間接続用のビア受けランド部の電解めっき厚を形成したレジストパターン厚の95%から30%以内であることが望ましい。95%以上である場合、基板内のめっき厚ばらつきによって、レジスト上平坦部よりも厚くめっきが析出するオーバーめっきになってしまい、後の剥離工程でレジスト剥離が不可能となる。50%以下である場合、十分な配線断面積が得られず、導体回路の電気的信頼が不十分となる。より好ましくはレジスト厚の90%以下、60%以上であることが望ましい。本発明の電解めっき浴は公知のフィルドビア浴を使用することができる。場合によってはフィルド浴およびその他のめっき浴を併用しても本発明の範囲内にある。コア基板上導体回路のビア受けランド部が本発明によるところの、配線回路高さ以上積層樹脂厚以下である場合、ビアのアスペクトが低減されることによってビアフィルが加速することでビアフィルとその直上のビアランドの形成がおよび絶縁樹脂表面に形成される配線回路部分とビア受けパッド部分との形成が同等厚程度に仕上がる。この時点でめっき浴より基板を取り出し、水洗乾燥を行う。 Next, as shown in FIG. 2E, wiring formation by electrolytic copper plating and filled via plating are performed at once to form a via 151, a land 152 immediately above the via 151, a via receiving land 153, and a wiring circuit 154. The electrolytic copper plating conditions according to the present invention are within 95% to 30% of the resist pattern thickness in which the electrolytic plating thickness of the via receiving land portion for interlayer connection with the wiring circuit portion or the upper layer formed on the substrate flat portion is formed. It is desirable that If it is 95% or more, the plating thickness variation in the substrate results in overplating in which the plating is deposited thicker than the flat portion on the resist, and the resist cannot be stripped in a subsequent stripping step. When it is 50% or less, a sufficient wiring cross-sectional area cannot be obtained, and the electrical reliability of the conductor circuit becomes insufficient. More preferably, it is 90% or less and 60% or more of the resist thickness. As the electrolytic plating bath of the present invention, a known filled via bath can be used. In some cases, it is within the scope of the present invention to use a filled bath and other plating baths in combination. When the via receiving land portion of the conductor circuit on the core substrate is not less than the wiring circuit height and the laminated resin thickness according to the present invention, the via fill is accelerated by reducing the aspect of the via, and the via fill and immediately above it. The formation of the via land and the formation of the wiring circuit portion formed on the surface of the insulating resin and the via receiving pad portion are finished to the same thickness. At this point, the substrate is taken out of the plating bath, washed with water and dried.

パターンめっき後に水洗乾燥がなされた上基板全面に第二のアルカリ可溶性感光性めっきレジスト層を形成する。めっきレジストとしてはネガ型液状レジスト、ポジ型液状レジスト、ドライフィルムレジストから選ぶことができる。液状レジストであれば、カーテンコート、スリットコート、スクリーン印刷、ダイコート、スプレー塗装、静電塗装法の何れかの塗布方法により基板上全面にレジスト層を形成することができる。ドライフィルムレジストであれば、ラミネート法によって形成することができる。液状レジストの塗布はスピンコートでもできなくは無いが、基板上に回路パターンの凹凸があり、凹部分に液状レジストが停留し、更に回転の遠心力によってスピンコート中に順次流れ出ることにより、回転中心部を起点として放射状の膜厚ムラが発生してしまう為好ましくない。 A second alkali-soluble photosensitive plating resist layer is formed on the entire upper substrate that has been washed and dried after pattern plating. The plating resist can be selected from a negative liquid resist, a positive liquid resist, and a dry film resist. If it is a liquid resist, a resist layer can be formed on the entire surface of the substrate by any one of curtain coating, slit coating, screen printing, die coating, spray coating, and electrostatic coating. If it is a dry film resist, it can be formed by a laminating method. The liquid resist can be applied by spin coating, but the circuit pattern is uneven on the substrate, the liquid resist stays in the concave portion, and further flows out into the spin coat sequentially by the centrifugal force of rotation. This is not preferable because radial film thickness unevenness occurs starting from the portion.

さらに上基板全面に塗布するわけではないが、第二のめっきレジストの形成方法として電着レジストを用いて電解銅めっき部分のみにレジスト皮膜を形成してもよい。本発明による第二のレジストとして電着レジストを用いた場合、電気伝導性のある配線パターン部分のみに第二のレジスト皮膜が形成されることになる。ここで使用する電着レジストであるが、ポジ型電着レジスト、ネガ型電着レジストが挙げられる。より好ましくは酸性めっき液に対する耐性の高いアニオン電着レジストであることが望ましい。 Furthermore, although not applied to the entire upper substrate, a resist film may be formed only on the electrolytic copper plating portion by using an electrodeposition resist as a second plating resist formation method. When an electrodeposition resist is used as the second resist according to the present invention, the second resist film is formed only on the electrically conductive wiring pattern portion. Examples of the electrodeposition resist used here include a positive electrodeposition resist and a negative electrodeposition resist. More preferably, it is an anion electrodeposition resist having high resistance to acidic plating solution.

形成する第二のレジスト厚みは5μm以上50μm以下であることが望ましい。第二のレジストを塗布した後に露光現像処理により、ビア受けランド部分を選択的に露出し、再度電解めっきによってビア受けランド部分の銅厚を高くするが、5μm以下である場合は本発明によるビア受けランドを積層する絶縁樹脂厚み近くまで高くすることが不可能であるばかりではなく、めっき厚ばらつきによってオーバーめっきになる部分が増えてしまう。50μm以上である場合、レジスト厚が厚すぎてビア受けランド分部を鮮明に解像できなくなる可能性がある。より好ましくは10μm以上40μm以下であることが望ましい。 The thickness of the second resist to be formed is desirably 5 μm or more and 50 μm or less. After the application of the second resist, the via receiving land portion is selectively exposed by exposure and development, and the copper thickness of the via receiving land portion is increased again by electrolytic plating. When the thickness is 5 μm or less, the via according to the present invention is used. Not only is it impossible to increase the thickness of the insulating resin to the thickness of the insulating resin on which the receiving lands are laminated, but the number of overplating portions increases due to variations in plating thickness. If the thickness is 50 μm or more, the resist thickness is too thick and the via receiving land portion may not be clearly resolved. More preferably, it is 10 μm or more and 40 μm or less.

第二のめっきレジスト層が形成された基板に対して、上層との層間導通を行う為のビア受けランド部をマスクパターンを用いて露光現像し、図2(F)に示す通りに、選択的にビア受けランド部161銅表面を露出する。さらに電解めっきによって、ビア受けランド部の銅高さを同配線層よりも高いビア受けランド部を形成する。このときのめっき液はフィルドビアめっき液であっても、その他電解銅めっき浴を使用してもよい、場合によっては異種金属めっきを行ってもよい。最後にレジスト剥離を行い、フラッシュエッチングによって化学銅めっき層を溶解除去することで、図2(G)に示す本発明によるビア受けランド部111の厚みが同層回路部分よりも厚い内層配線層を形成する。銅回路表面をCZ処理等の粗化処理を施すことによって、上層に形成する層間絶縁樹脂の密着性を向上する処理を行う。以上の内層配線回路作成工程を複数回繰り返すことにより、本発明の多層印刷配線板を作成する。本発明の多層印刷配線板の最外層部分は積層を必要としないので、本発明の方法による配線高さ以上、積層樹脂厚以下のビア受けランドを形成する必要はない。さらにコア基板上にビルドアップ層を形成する場合にはコア基板の最表層の回路上のビア受けランド部分に本発明を実施しても良い。すなわち、導体回路が形成されたコア基板表層に第二のレジストパターンを上記方法にて形成し、パターンめっきを行うことでビア受けランド部分を他配線回路層の厚みより厚くする。 A via receiving land portion for performing interlayer conduction with the upper layer is exposed and developed using a mask pattern for the substrate on which the second plating resist layer is formed, and as shown in FIG. The copper surface of the via receiving land portion 161 is exposed. Further, a via receiving land portion having a copper height higher than that of the wiring layer is formed by electrolytic plating. The plating solution at this time may be a filled via plating solution, or other electrolytic copper plating baths may be used, or in some cases, dissimilar metal plating may be performed. Finally, the resist is peeled off, and the chemical copper plating layer is dissolved and removed by flash etching, so that the inner wiring layer in which the via receiving land portion 111 according to the present invention shown in FIG. Form. The copper circuit surface is subjected to a roughening process such as a CZ process to improve the adhesion of the interlayer insulating resin formed on the upper layer. The multilayer printed wiring board of the present invention is created by repeating the above inner layer wiring circuit creation step a plurality of times. Since the outermost layer portion of the multilayer printed wiring board of the present invention does not require lamination, there is no need to form via receiving lands having a wiring height or more and a laminated resin thickness of the method of the present invention or less. Furthermore, when a buildup layer is formed on the core substrate, the present invention may be carried out on a via receiving land portion on a circuit on the outermost layer of the core substrate. That is, the second resist pattern is formed on the surface of the core substrate on which the conductor circuit is formed by the above method, and pattern plating is performed to make the via receiving land portion thicker than the thickness of the other wiring circuit layer.

上述はめっき法によるビア受けランド部の増厚を一例にして説明したが、これに限らず、本発明による多層印刷配線板は、ビア受けランド部分の厚みが配線回路部分よりも厚く、なおかつ積層する層間絶縁樹脂厚以下であるものを実現する手段であれば良い。その他としてはスクリーン印刷法で導電性金属ペーストを形成することによってビア受けランド部分を厚くしても良いし、更にはディスペンサー、インクジェット法を用いてビア受けランド上に導電性金属ペーストを塗布することで、本発明による多層印刷配線板を作成しても良い。更にその他考えうる方法であってもよい。先も述べたが、コンフォーマルビア構造の多層印刷配線板についても適応可能であり、本発明の範囲にあたる。 In the above description, the increase in the thickness of the via receiving land portion by plating is described as an example. However, the present invention is not limited to this, and the multilayer printed wiring board according to the present invention has a via receiving land portion thicker than the wiring circuit portion and is laminated. Any means can be used as long as it achieves the thickness of the interlayer insulating resin or less. Otherwise, the via receiving land portion may be thickened by forming a conductive metal paste by a screen printing method, and further, the conductive metal paste is applied on the via receiving land using a dispenser or an ink jet method. Thus, a multilayer printed wiring board according to the present invention may be prepared. Furthermore, other conceivable methods may be used. As described above, the present invention can be applied to a multilayer printed wiring board having a conformal via structure and falls within the scope of the present invention.

以下に本発明の一部を図2及び図3を用いて実施例を持って説明する。 Hereinafter, a part of the present invention will be described with reference to FIG. 2 and FIG.

<実施例1>
・コア基板の作成方法
610×510mm角のガラス−エポキシ絶縁性基板MCL−E−679F(日立化成株式会社製、商品名)を公知の方法によって両面に導体配線パターンと表裏導通用のスルーホールを設けてコア基板を作成した(図2(A)) 。コア基板上に液状ネガ型レジストPMER N−HC40PY(東京応化製)をスリットコートにて全面に塗布した、後プリベークを行いレジスト層をコア基板樹脂表面より30μm厚(ビア受けパッド上面レジスト厚は15μm)で形成した。次にビア受けランド部のみを遮光したガラスマスクを用いて紫外線露光した後、専用現像液(東京応化製 PMER N−A5)で現像処理を行うことによってビア受けランド部を選択的に開口した後に、レジスト非形成部分に以下条件のハイスロー浴にて電解銅めっきを施し、厚さ10μmの電解銅めっき膜を形成した。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸 180g/L
硫酸銅 80g/L
添加剤(カパラシドGL、アトテックジャパン製) 1mL/L
〔電解めっき条件〕
電流密度 1A/dm
時間 40分
温度 室温
めっき終了後レジスト剥離を行い、配線高さTl=15μm、ビア受けランド部分高さTv=25μmを有するコア基板を作成した(図2(A−2))。
<Example 1>
・ How to create a core substrate
610 × 510mm square glass-epoxy insulating substrate MCL-E-679F (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) is prepared by providing a conductor wiring pattern and through holes for conduction on both sides on both sides by a known method. (FIG. 2 (A)). A liquid negative resist PMER N-HC40PY (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was applied to the entire surface by slit coating on the core substrate, followed by pre-baking to form a resist layer 30 μm thick from the core substrate resin surface (the resist thickness on the via receiving pad upper surface is 15 μm). ). Next, after exposing the via receiving land portion with ultraviolet light using a light-shielded glass mask, the via receiving land portion is selectively opened by developing with a dedicated developer (PMER N-A5, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.). Then, electrolytic copper plating was applied to the resist non-formed portion in a high-throw bath under the following conditions to form an electrolytic copper plating film having a thickness of 10 μm.
(Electrolytic plating aqueous solution)
Sulfuric acid 180g / L
Copper sulfate 80g / L
Additive (Kaparaside GL, manufactured by Atotech Japan) 1mL / L
[Electrolytic plating conditions]
Current density 1A / dm 2
Time 40 minutes Temperature After the room temperature plating, the resist was peeled off to produce a core substrate having a wiring height Tl = 15 μm and a via receiving land portion height Tv = 25 μm (FIG. 2 (A-2)).

・ビルドアップ内層回路の作成
続いて、厚さTr=35μmの層間絶縁樹脂ABF−GX code13(味の素ファインテクノ株式会社製 商品名)。を110℃、0.7MPaで真空ラミネートし、さらに110℃、6kgf/cm2、60秒で両面プレスしてフラッタリングした後に180℃、30分でキュアすることで両面に層間絶縁樹脂層を形成した。この絶縁樹脂層に所定のビアパターンのアライメントを合わせて、UVレーザーでφ60μmのビアホールを形成した。更に膨潤処理を行い、過マンガン酸カリウム60g/L、水酸化ナトリウム40g/Lの70℃溶液にてビア底部の加工残渣がなくなるまでデスミア・粗化処理を行った。こうして作成したビア部分深度は15μmt、開口幅はφ65μm、ビア底部の開口幅φ50μmであり、デスミア性も良好であった。
-Creation of build-up inner layer circuit Subsequently, interlayer insulation resin ABF-GX code 13 (trade name, manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.) having a thickness of Tr = 35 µm. Was laminated at 110 ° C. and 0.7 MPa, further pressed at 110 ° C. and 6 kgf / cm 2 for 60 seconds and fluttered, and then cured at 180 ° C. for 30 minutes to form an interlayer insulating resin layer on both sides. . A predetermined via pattern alignment was aligned with this insulating resin layer, and a via hole of φ60 μm was formed with a UV laser. Further swelling treatment was performed, and desmearing / roughening treatment was performed with a 70 ° C. solution of potassium permanganate 60 g / L and sodium hydroxide 40 g / L until there was no processing residue at the bottom of the via. The via part thus formed had a depth of 15 μmt, an opening width of φ65 μm, an opening width of the via bottom of φ50 μm, and a good desmear property.

次いで、無電解銅めっきの前処理として、基板を濃度:250g/Lのプリディップ液PD−301(日立化成工業株式会社製、商品名)に浸漬し、次に増感剤HS−202B(日立化成工業株式会社製、商品名)に浸漬処理を行い、次に密着促進剤ADP−601(日立化成工業株式会社製、商品名)に浸漬処理を行い、次いでCUST−201(日立化成工業株式会社製、商品名)で20分無電解銅めっきを行い0.8μm厚の導体配線シード層を形成した(図2(C))。 Next, as a pretreatment for electroless copper plating, the substrate is immersed in a pre-dip liquid PD-301 (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) having a concentration of 250 g / L, and then a sensitizer HS-202B (Hitachi). Immersion treatment is performed on Kasei Kogyo Co., Ltd., trade name), and then immersion treatment is performed on adhesion promoter ADP-601 (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.), and then CUST-201 (Hitachi Chemical Industry Co., Ltd.). The product was subjected to electroless copper plating for 20 minutes to form a 0.8 μm thick conductor wiring seed layer (FIG. 2C).

次いで、導体配線シード層上に、厚さ15μmの感光性ドライフィルムレジストUFG−115(旭化成エレクトロニクス株式会社製)を貼り合わせ、所望する外層配線パターンのフォトマスクを載置して、80mJ/cmで露光し、30℃の0.8%炭酸ナトリウム溶液で現像処理し、20μmピッチ、ライン/スペース=13/7μm設計の配線パターンのめっきレジストを設けた(図2(D))。 Next, a photosensitive dry film resist UFG-115 (manufactured by Asahi Kasei Electronics Co., Ltd.) having a thickness of 15 μm is bonded onto the conductor wiring seed layer, and a photomask having a desired outer layer wiring pattern is placed thereon, and 80 mJ / cm 2. And developed with a 0.8% sodium carbonate solution at 30 ° C. to provide a plating resist having a wiring pattern of 20 μm pitch and line / space = 13/7 μm design (FIG. 2D).

次いで、レジスト非形成部分に以下のフィルドビアめっき浴で電解銅めっきを施し、配線部分が厚さ12μmにて電解銅めっき膜を形成した(図2(E))。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸 50g/L
硫酸銅5水和物 200g/L
添加剤
CuブライトVF2 A 荏原ユージライト製 20mL/L
CuブライトVF2 B 荏原ユージライト製 1mL/L
塩素イオン濃度 50mg/L
〔電解めっき条件〕
電流密度 1A/dm
時間 40分
温度 室温
Next, electrolytic copper plating was performed on the non-resist forming portion with the following filled via plating bath to form an electrolytic copper plating film with a wiring portion having a thickness of 12 μm (FIG. 2E).
(Electrolytic plating aqueous solution)
Sulfuric acid 50g / L
Copper sulfate pentahydrate 200g / L
Additive Cu Bright VF2 A 20 ml / L made by Ebara Eugelite
Cu Bright VF2 B Ebara Eugelite 1mL / L
Chloride ion concentration 50mg / L
[Electrolytic plating conditions]
Current density 1A / dm 2
Time 40 minutes Temperature Room temperature

次いで、めっきレジストを50℃、5%NaOH水溶液で剥離除去した。こうして作成した基板のビアフィリング率(=ビア中央部の銅厚/ビア底部からビアランド外周までの銅厚=98%と良好であった。配線メッキ銅高さがドライフィルムレジスト厚より高くなるオーバーメッキ箇所はなく、めっき厚均一性も良好であった。 Next, the plating resist was peeled off at 50 ° C. with a 5% NaOH aqueous solution. The via filling rate of the substrate thus prepared (= copper thickness at the center of the via / copper thickness from the bottom of the via to the periphery of the via land = 98%. Overplating in which the wiring plating copper height is higher than the dry film resist thickness) There were no spots, and the plating thickness uniformity was also good.

続いてドライフィルムレジストを剥離した上基板に第二の液状ネガ型レジストPMER N−HC40PY(東京応化製)をスリットコートにて全面に塗布した後、プリベークを行いレジスト層をコア基板樹脂表面より30μm厚(ビア受けパッド上面レジスト厚は18μm)で形成した。次にビア受けランド部のみを遮光したガラスマスクを用いて紫外線露光した後、専用現像液(東京応化製 PMER N−A5)で現像処理を行うことによってビア受けランド部を選択的に開口した後(図2(F))に先のハイスロー浴にて電解銅めっきを施し、厚さ10μmの電解銅めっき膜を形成した。レジスト剥離後、CPE810(三菱瓦斯化学性)にてフラッシュエッチングを行い化学銅メッキ皮膜を溶解することによって配線回路を形成した(図2(G))。こうして作成した20μmピッチ配線高さは610×510角基板面内でTl=11±1.6μm以内で均一に形成されており、ビア受けランド高さTv=21μmの内層回路が良好な回路形状で作成できた。 Subsequently, a second liquid negative resist PMER N-HC40PY (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was applied to the entire surface by slit coating on the upper substrate from which the dry film resist was peeled off, and then pre-baked to form a resist layer 30 μm from the core substrate resin surface. Thickness (via receiving pad upper surface resist thickness is 18 μm). Next, after exposing the via receiving land portion with ultraviolet light using a light-shielded glass mask, the via receiving land portion is selectively opened by developing with a dedicated developer (PMER N-A5, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.). (FIG. 2 (F)) was subjected to electrolytic copper plating in the previous high throw bath to form an electrolytic copper plating film having a thickness of 10 μm. After removing the resist, flash wiring was performed with CPE 810 (Mitsubishi Gas Chemical) to dissolve the chemical copper plating film, thereby forming a wiring circuit (FIG. 2G). The 20 μm pitch wiring height created in this way is uniformly formed within Tl = 11 ± 1.6 μm within the 610 × 510 square substrate surface, and the inner layer circuit with via receiving land height Tv = 21 μm has a good circuit shape. I was able to create it.

・ビルトアップ最外層の作成
更にビルドアップ樹脂を先と同方法で、層間絶縁樹脂厚Tr=35μmにて基板両面に形成し、図2(B)のビア形成、触媒付与から図2(E)記載のパターンめっき工程までを同方法にて行った。パターンめっき後のビアフィリング率は99%と良好であった。更にドライフィルムレジストを剥離した後に、フラッシュエッチングを行い、基板最外層の導体回路を形成した(図3(H))。こうして作成した導体層の高さは610×510角基板面内で11±1.5μm以内で均一に形成することができた。
・ Creation of built-up outermost layer Further, build-up resin is formed on both sides of the substrate by the same method as above, with interlayer insulation resin thickness Tr = 35 μm, and from via formation and catalyst application in FIG. 2 (B) to FIG. 2 (E) The process up to the described pattern plating process was performed by the same method. The via filling rate after pattern plating was as good as 99%. Further, after the dry film resist was peeled off, flash etching was performed to form a conductor circuit on the outermost layer of the substrate (FIG. 3 (H)). The height of the conductor layer thus prepared could be uniformly formed within 11 ± 1.5 μm within the 610 × 510 square substrate surface.

続いて感光性ソルダーレジスト層を基板最外層両面に30μm厚になるように塗布した後にフリップチップパッドおよび、半田接合用パッドを露出するようにパターニングしソルダーレジストパターンを形成することでビルドアップ配線層−コア配線層−ビルドアップ配線層=2−2−2層の密度多層印刷配線板を作成した(図3(I))。作成した基板にTEGチップを実装し、チップ登載後の本発明による多層印刷配線板をマザーボードに実装した半導体装置を用いて、n=10で冷熱衝撃試験(−40℃〜125℃、1000サイクル)を行ったが断線も無く全て良好な結果であった。 Subsequently, a photosensitive solder resist layer is applied on both sides of the outermost layer of the substrate so as to have a thickness of 30 μm, followed by patterning so as to expose the flip chip pads and the solder bonding pads, thereby forming a solder resist pattern to form a build-up wiring layer -Core wiring layer-Build-up wiring layer = A 2-2-2 layer density multilayer printed wiring board was prepared (Fig. 3 (I)). Thermal shock test at n = 10 (−40 ° C. to 125 ° C., 1000 cycles) using a semiconductor device in which a TEG chip is mounted on the prepared substrate and the multilayer printed wiring board according to the present invention after mounting the chip is mounted on the motherboard. However, there was no disconnection and all were good results.

<実施例2>
本実施例2はビルドアップ樹脂のビア加工径をφ60μmからφ30μm変更した以外は実施例1の方法と同様に行った。デスミア粗化後のビア仕上がりはビア深さ15μmt、開口幅φ35μm、ビア底部開口幅φ25μmであり、ビア底面のデスミア性も良好であった。ビルドアップ内層配線は同様に20μmピッチ、配線パターンをオーバーめっき箇所なく形成することができた。このときのビアフィリング率は99%と良好であった。本発明の第二レジストを設け、再度ビア受けランド部に電解メッキを施した後にレジストを剥離し、フラッシュエッチングを行うことで配線高さTl=11±1.7μm、ラインアンドスペース10/10μm、ビア受けランド高さTv=21μmの内層回路が良好な回路形状で作成できた。
<Example 2>
Example 2 was performed in the same manner as in Example 1 except that the via processing diameter of the build-up resin was changed from φ60 μm to φ30 μm. The finished via after the desmear roughening had a via depth of 15 μmt, an opening width of φ35 μm, and a via bottom opening width of φ25 μm, and the desmear property of the via bottom was also good. Similarly, the build-up inner layer wiring was able to be formed with a 20 μm pitch and wiring pattern without overplating portions. The via filling rate at this time was as good as 99%. The second resist of the present invention is provided, and after the electrolytic plating is performed again on the via receiving land portion, the resist is peeled off and flash etching is performed, whereby the wiring height Tl = 11 ± 1.7 μm, the line and space 10/10 μm, An inner layer circuit having a via receiving land height Tv = 21 μm could be formed with a good circuit shape.

更に実施例1記載の方法と同方法にて作成し、基板最外層の導体回路を導体層高さ11±1.5μm以内で均一に形成することができた。続いて基板最表層にソルダーレジストパターン設け、フリップチップパッドおよび、半田接合用パッドが露出した2−2−2層の密度ビルドアップ多層印刷配線板を作成した。作成した基板にTEGチップを実装し、チップ登載後の本発明による多層印刷配線板をマザーボードに実装した半導体装置を用いて、n=10で冷熱衝撃試験(−40℃〜125℃、1000サイクル)を行ったが、全ての基板において断線も無く良好な結果であった。 Further, it was prepared by the same method as described in Example 1, and the conductor circuit of the outermost layer of the substrate could be uniformly formed within a conductor layer height of 11 ± 1.5 μm. Subsequently, a solder resist pattern was provided on the outermost layer of the substrate, and a 2-2-2 layer density build-up multilayer printed wiring board in which a flip chip pad and a solder bonding pad were exposed was prepared. Thermal shock test at n = 10 (−40 ° C. to 125 ° C., 1000 cycles) using a semiconductor device in which a TEG chip is mounted on the prepared substrate and the multilayer printed wiring board according to the present invention after mounting the chip is mounted on the motherboard. However, there was no disconnection in all the substrates, and good results were obtained.

<比較例1>
本比較例1はコア基板および内層回路への本発明によるビア受けランド部への選択的なパターンメッキを行わない以外は実施例1と同方法にて行った。実施例1と同方法でビルドアップ層を形成し、実施例1と同様φ60μmのビアホールを形成した。ビア底面の残渣を除去仕切るまでデスミア処理を施した結果、ビア部分深度は28μmt、開口幅はφ75μm、ビア底部の開口幅φ55μmであった。以下同方法にて15μmtのドライフィルムレジストをラミネートし、レジストパターンを形成した後、パターンメッキを行った。配線メッキ銅高さがドライフィルムレジスト厚より高くなるオーバーメッキ箇所が610×510角基板面内でいたるところに発生し、特に基板外周部で顕著であった。このときの配線高さは12±5.0μmであった。オーバーめっき箇所多発によって配線形成が不可能であり、これ以上の基板作成は不可能であった。このときのビアフィリング率は83%であった。
<Comparative Example 1>
Comparative Example 1 was performed in the same manner as in Example 1 except that selective pattern plating was not performed on the via receiving land portion according to the present invention on the core substrate and the inner layer circuit. A build-up layer was formed by the same method as in Example 1, and a via hole with a diameter of 60 μm was formed as in Example 1. As a result of performing the desmear process until the residue on the bottom surface of the via was removed and partitioned, the depth of the via portion was 28 μmt, the opening width was φ75 μm, and the opening width of the via bottom was φ55 μm. Thereafter, a dry film resist of 15 μmt was laminated by the same method to form a resist pattern, and then pattern plating was performed. Overplating spots where the wiring plating copper height was higher than the dry film resist thickness occurred everywhere in the 610 × 510 square substrate surface, and were particularly prominent at the outer periphery of the substrate. The wiring height at this time was 12 ± 5.0 μm. Wiring could not be formed due to frequent occurrence of overplating locations, and it was impossible to make more substrates. The via filling rate at this time was 83%.

<比較例2>
本比較例2はドライフィルムレジスト厚みを25μmのものを使用した以外は実施例1および比較例2と同方法にて行った。デスミア後のビア仕上がりは深度28μmt、開口幅はφ76μm、ビア底部の開口幅φ55μmであった。25μm厚のドライフィルムレジストに同ピッチのレジストパターンを形成したが、610×510角基板面内でいたるところにレジストパターンの剥離、および解像不良箇所があった。実施例1および比較例2と同方法にてパターンメッキを行った。配線メッキ銅高さがドライフィルムレジスト厚より高くなるオーバーメッキ箇所の発生は無くなったものの、電解めっき中にレジストが剥離する箇所もあり、実用的歩留まりで製造することができず、これ以上の基板作成は不可能であった。このときのビアフィリング率は82%であった。
<Comparative Example 2>
This Comparative Example 2 was carried out in the same manner as Example 1 and Comparative Example 2 except that a dry film resist having a thickness of 25 μm was used. The finished via after desmearing had a depth of 28 μmt, an opening width of φ76 μm, and an opening width of the via bottom of φ55 μm. A resist pattern having the same pitch was formed on a dry film resist having a thickness of 25 μm, but there were peeling of the resist pattern and defective resolution portions everywhere in the 610 × 510 square substrate surface. Pattern plating was performed in the same manner as in Example 1 and Comparative Example 2. Although the occurrence of overplating spots where the wiring plating copper height is higher than the dry film resist thickness has disappeared, there are also places where the resist peels off during electrolytic plating, and it is impossible to manufacture with practical yield, and more substrates Creation was impossible. The via filling rate at this time was 82%.

<比較例3>
本比較例3はコア基板および内層回路への本発明によるビア受けランド部への選択的なパターンメッキを行わない公知の方法で作成した以外は実施例2と同方法にて行った。ビルドアップ樹脂を形成した後に実施例2と同様にφ30μmのビアホールを形成した。ビア底面の残渣を除去仕切るまでデスミア処理を施した結果、ビア部分深度は28μmt、開口幅はφ50μm、ビア底部の開口幅φ40μmであり、デスミア処理を十分に行うと、ビア開口径が大幅に広がる結果となった。ついで同方法にて化学銅メッキを施し、15μmtのドライフィルムレジストをラミネートし、同ピッチのレジストパターンを形成した後、同方法にてパターンメッキを行った。配線メッキ銅高さがドライフィルムレジスト厚より高くなるオーバーメッキ箇所が610×510角基板面内でいたるところに発生し、特に基板外周部で顕著であった。このときの配線高さは12±7.0μmであった。オーバーめっき箇所多発によって配線形成が不可能であり、これ以上の基板作成は不可能であった。このときのビアフィリング率は78%であった。
<Comparative Example 3>
This Comparative Example 3 was performed in the same manner as in Example 2 except that it was prepared by a known method in which selective pattern plating was not performed on the via receiving land portion according to the present invention on the core substrate and the inner layer circuit. After forming the build-up resin, a via hole having a diameter of 30 μm was formed in the same manner as in Example 2. As a result of the desmear treatment until the residue on the bottom surface of the via is removed and divided, the depth of the via portion is 28 μm, the opening width is φ50 μm, and the opening width of the via bottom is φ40 μm. As a result. Subsequently, chemical copper plating was performed by the same method, a 15 μmt dry film resist was laminated, a resist pattern having the same pitch was formed, and then pattern plating was performed by the same method. Overplating spots where the wiring plating copper height was higher than the dry film resist thickness occurred everywhere in the 610 × 510 square substrate surface, and were particularly prominent at the outer periphery of the substrate. The wiring height at this time was 12 ± 7.0 μm. Wiring could not be formed due to frequent occurrence of overplating locations, and it was impossible to make more substrates. The via filling rate at this time was 78%.

<比較例4>
本比較例4はドライフィルムレジスト厚みを25μmのものを使用した以外は実施例2および比較例3と同方法にて行った。デスミア後のビア仕上がりは深度28μmt、開口幅はφ52μm、ビア底部の開口幅φ41μmであった。25μm厚のドライフィルムレジストに同ピッチのレジストパターンを形成したが、610×510角基板面内でいたるところにレジストパターンの剥離、および解像不良箇所があった。実施例1および比較例2と同方法にてパターンメッキを行った。配線メッキ銅高さがドライフィルムレジスト厚より高くなるオーバーメッキ箇所の発生は無くなったものの、電解めっき中にレジストが剥離する箇所もあり、実用的歩留まりで製造することができず、これ以上の基板作成は不可能であった。このときのビアフィリング率は76%であった。
<Comparative example 4>
This Comparative Example 4 was carried out in the same manner as Example 2 and Comparative Example 3 except that a dry film resist having a thickness of 25 μm was used. The finished via after desmearing had a depth of 28 μm, an opening width of φ52 μm, and an opening width of φ41 μm at the bottom of the via. A resist pattern having the same pitch was formed on a dry film resist having a thickness of 25 μm, but there were peeling of the resist pattern and defective resolution portions everywhere in the 610 × 510 square substrate surface. Pattern plating was performed in the same manner as in Example 1 and Comparative Example 2. Although the occurrence of overplating spots where the wiring plating copper height is higher than the dry film resist thickness has disappeared, there are also places where the resist peels off during electrolytic plating, and it is impossible to manufacture with practical yield, and more substrates Creation was impossible. The via filling rate at this time was 76%.

本発明における実施例および比較例のコア層及びビルドアップ層のビア受けランド、配線回路、層間絶縁樹脂層の厚み(Tv、Tl、Tr)をそれぞれまとめたものを表1に記載する。 Table 1 shows the sum of the thicknesses (Tv, Tl, Tr) of the via receiving lands, the wiring circuits, and the interlayer insulating resin layers of the core layer and the buildup layer in the examples and comparative examples of the present invention.

Figure 2009239184
Figure 2009239184

本発明における実施例および比較例に示す結果をまとめたものを表2に記載する。 Table 2 summarizes the results shown in Examples and Comparative Examples of the present invention.

Figure 2009239184
Figure 2009239184

以上の実施例および比較例が示す如く、本発明による高密度多層印刷配線板によれば、ビア小径化、配線の微細化、高信頼性の多層印刷配線板を提供できる。 As shown in the above Examples and Comparative Examples, the high-density multilayer printed wiring board according to the present invention can provide a multilayer printed wiring board with reduced via diameter, finer wiring, and high reliability.

本発明によれば、配線微細化およびビアの小径化が容易に実現することが可能であり、且つ高い電気的信頼性を確保できる多層印刷配線板を提供することにより、電子機器の軽薄短小化に貢献するものである。 According to the present invention, it is possible to easily realize miniaturization of wiring and reduction of via diameter, and to provide a multilayer printed wiring board capable of ensuring high electrical reliability. It contributes to.

本発明の多層印刷配線板の説明図Explanatory drawing of the multilayer printed wiring board of this invention 本発明における各工程の実施の例Examples of implementation of each process in the present invention 本発明における各工程の実施の例Examples of implementation of each process in the present invention

符号の説明Explanation of symbols

111 ビア受けランド
111aビア受けランド(第一層)
111bビア受けランド(第二層)
112 配線回路
113 層間接続用スルーホール
121 層間絶縁樹脂
122 ビアホール
123 粗化処理
131 化学銅めっき層
141 ドライフィルムレジストパターン
151 フィルドビア
152 ビアランド
153 ビア受けランド
154 配線回路
161 ビア受けランド
181 最外層導体回路(フリップチップあるいはボールパッド)
191 ソルダーレジスト層
192 ソルダーレジスト開口部
111 Via receiving land 111a Via receiving land (first layer)
111b via receiving land (second layer)
112 wiring circuit 113 interlayer connection through hole 121 interlayer insulating resin 122 via hole 123 roughening treatment 131 chemical copper plating layer 141 dry film resist pattern 151 filled via 152 via land 153 via receiving land 154 wiring circuit 161 via receiving land 181 outermost layer conductor circuit ( Flip chip or ball pad)
191 Solder resist layer 192 Solder resist opening

Claims (4)

内層回路を有する多層印刷配線板において、少なくとも1層の内層回路上には上層と層間接続するビアのビア受けランドと、配線回路とが設けられており、前記ビア受けランドの厚みをTv、配線回路の厚みをTl、前記内装回路上に積層される層間絶縁樹脂厚をTrとすると、Tr>Tv>Tlとなる内層回路を有することを特徴とする多層印刷配線板。 In a multilayer printed wiring board having an inner layer circuit, a via receiving land for a via connected to an upper layer and a wiring circuit are provided on at least one inner layer circuit, and the thickness of the via receiving land is Tv. A multilayer printed wiring board having an inner layer circuit satisfying Tr> Tv> Tl, where T1 is the thickness of the circuit and Tr is the thickness of the interlayer insulating resin laminated on the internal circuit. 前記ビア受けランドは、配線回路と略同一の厚みの第一層と、該第一層上の第二層とを有することを特徴とする請求項1記載の多層印刷配線板。   The multilayer printed wiring board according to claim 1, wherein the via receiving land includes a first layer having a thickness substantially the same as that of the wiring circuit and a second layer on the first layer. 前記第二層は金属めっき層であることを特徴とする請求項2記載の多層印刷配線板。   The multilayer printed wiring board according to claim 2, wherein the second layer is a metal plating layer. 少なくとも1層の内層回路上には上層と層間接続するビアのビア受けランドと、配線回路とが設けられた多層印刷配線板の製造方法であって、前記内層回路の製造工程には絶縁樹脂上に配線回路及びビア受けランド第一層を形成する工程と、電解めっきにより選択的に前記ビア受けランド第一層上にビア受けランド第二層を形成する工程とを有することを特徴とする多層印刷配線板の製造方法。 A method of manufacturing a multilayer printed wiring board in which via receiving lands for vias connected to an upper layer and a wiring circuit are provided on at least one inner layer circuit, and the inner layer circuit manufacturing process is performed on an insulating resin. Forming a wiring circuit and a via receiving land first layer and a step of selectively forming a via receiving land second layer on the via receiving land first layer by electrolytic plating. Manufacturing method of printed wiring board.
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