JP2009215194A - 含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法、及び該含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体を利用した含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。 - Google Patents

Abstract

【課題】
含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法、及び該含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体を利用した含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法を、簡便かつ工業的規模での実施が可能なものとして提供することを課題とする。
【解決手段】
含フッ素アシル誘導体とアミノアクリロニトリル誘導体から含フッ素アシルアセトニトリル誘導体を調製した後に、ヒドラジンと反応させることにより、一般式（１）

（１）
（式中、Ｒｆは少なくとも１つのフッ素原子で置換されている炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ１は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基等を表す。）で表される含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体を製造する。該含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体は、アルキル化、続く、加水分解を行なうことにより、含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体に変換できる。
【選択図】なし

Description

本発明は、含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法、及び該含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体を利用した含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法に関する。

含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体を含む化合物群は医薬及び農薬分野における有効な生理活性物質となりうることが知られている。さらにシアノ基は、カルボン酸、アミノメチル基、アミノカルボニル基、アルコキシイミドイル基等の多様な官能基に変換できるために、該含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体は該分野における有用な製造中間体にもなりうる。従って、新規な該含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体及びその製造方法を提供することは重要であり、様々な技術開発が行われてきた。

以下に代表的な先行技術例を示す。
（１）［ビス（トリフルオロアセトキシ）ヨード］ベンゼンとヨウ素を使用してトリフルオロメチルピラゾール誘導体をヨウ素化した後に、シアン化銅にてシアノ基を導入する方法（例えば、特許文献１参照）。
（２）ヴィルスマイヤー試薬にてトリフルオロメチルピラゾール誘導体にホルミル基を導入した後に、ヒドロキシルアミン、続くオキシ塩化リンと反応させてピラゾールカルボニトリル誘導体を合成する方法（例えば、特許文献２参照）。
国際公開第０５／０５６０１５号パンフレット 特開平８−２０８６２０号公報

しかしながら、（１）の方法に関しては、［ビス（トリフルオロアセトキシ）ヨード］ベンゼンやシアン化銅等の試剤は安全上好ましくなく、銅のような遷移金属類は廃棄上の問題がある。さらに、トリフルオロメチル源からの工程数も多く、工業的生産には適していない。（２）についても同様の問題を抱えている。安全上問題となる試剤としてヒドロキシルアミンを使用し、また廃棄上問題となる試剤としてオキシ塩化リンを使用している上、工程数も多い。さらに、大量合成には不向きなシリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を必要とする。

本発明は、含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法、及び該含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体を利用した含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法を、簡便かつ工業的規模での実施が可能なものとして提供することを課題とする。

前記課題を解決すべく鋭意検討を行った結果、含フッ素アシル誘導体とアミノアクリロニトリル誘導体から含フッ素アシルアセトニトリル誘導体を調製した後に、ヒドラジンと反応させることにより、含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体を製造できることを見出した。次いで、該含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体をアルキル化剤と反応させることにより、アルキル置換含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体に変換することが可能である。さらに、該アルキル置換含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体は加水分解を行なうことにより、含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体にすることが可能である。この含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体は、１−メチル−３−（トリフルオロメチル）−１Ｈ−ピラゾール−４−カルボン酸を始めとする農園芸用殺菌剤等の重要な原料となりうる。こうした方法は簡便であり、大量生産実施が可能な製造方法となりうる。以上により、本発明を完成させるに至った。

即ち、本発明は以下の通りである。
［１］ 下記一般式（１）

（１）
（式中、Ｒｆは少なくとも１つのフッ素原子で置換されている炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｘはハロゲン原子、水酸基、またはカルボニルオキシ基を表す。）で表される化合物と、一般式（２）

（２）
（式中、Ｒ１は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または置換されてもよいアリールアルキル基を表し、Ｒ２とＲ３はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、置換されてもよいアリールアルキル基、もしくは炭素数１〜６の置換されてもよいアシル基、または、Ｒ２とＲ３とが結合する窒素原子とヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表す。）で表される化合物を反応させて、一般式（３）

（３）
（式中、Ｒｆ、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は前記と同義である。）で表される化合物を製造した後に、さらに前記一般式（３）で表される化合物とヒドラジンを反応させる工程を含む、一般式（４）

（４）
（式中、ＲｆとＲ１は前記と同義である。）で表される含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
［２］ Ｒ１が水素原子であり、Ｒ２とＲ３はそれぞれ独立して、炭素数１〜６のアルキル基、もしくは炭素数３〜６のシクロアルキル基、または、Ｒ２とＲ３とが結合する窒素原子とヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表す、［１］に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
［３］ Ｒｆはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ２とＲ３はともにメチル基を表す、［２］に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
［４］ ［１］で得られた一般式（４）で表される化合物とアルキル化剤を反応させる工程をさらに含む、一般式（５）

（５）
（式中、ＲｆとＲ１は［１］に記載のものと同義であり、Ｒ４は炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリールアルキル基を表す。）で表されるアルキル置換含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
［５］ Ｒ１が水素原子であり、Ｒ２とＲ３はそれぞれ独立して炭素数１〜６のアルキル基、もしくは炭素数３〜６のシクロアルキル基、または、Ｒ２とＲ３とが結合する窒素原子とヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表す、［４］に記載のアルキル置換含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
［６］ Ｒｆはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ２とＲ３はともにメチル基を表し、Ｒ４は炭素数１〜６のアルキル基を表す、［５］に記載のアルキル置換含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
［７］ ［４］で得られた一般式（５）で表される化合物と水を反応させる工程をさらに含む、一般式（６）

（６）
（式中、Ｒｆ、Ｒ１及びＲ４は［４］に記載のものと同義である。）で表される含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。
［８］ Ｒ１が水素原子であり、Ｒ２とＲ３はそれぞれ独立して炭素数１〜６のアルキル基、もしくは炭素数３〜６のシクロアルキル基、または、Ｒ２とＲ３とが結合する窒素原子とヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表す、［７］に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。
［９］ Ｒｆはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ２とＲ３はともにメチル基を表し、Ｒ４は炭素数１〜６のアルキル基を表す、［８］に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。
［１０］ 下記一般式（３）

（３）
（式中、Ｒｆは少なくとも１つのフッ素原子で置換されている炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ１は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または置換されてもよいアリールアルキル基を表し、Ｒ２とＲ３はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、置換されてもよいアリールアルキル基、もしくは炭素数１〜６の置換されてもよいアシル基、または、Ｒ２とＲ３とが結合する窒素原子とヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表す。）で表される化合物とヒドラジンを反応させる工程を含む、一般式（４）

（４）
（式中、ＲｆとＲ１は前記と同義である。）で表される含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
［１１］ Ｒ１が水素原子であり、Ｒ２とＲ３はそれぞれ独立して炭素数１〜６のアルキル基、もしくは炭素数３〜６のシクロアルキル基、または、Ｒ２とＲ３とが結合する窒素原子とヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表す、［１０］に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
［１２］ Ｒｆはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ２とＲ３はともにメチル基を表す、［１１］に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
［１３］ 下記一般式（４）

（４）
（式中、Ｒｆは少なくとも１つのフッ素原子で置換されている炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ１は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または置換されてもよいアリールアルキル基を表す。）で表される化合物とアルキル化剤を反応させる工程を含む、一般式（５）

（５）
（式中、ＲｆとＲ１は前記と同義であり、Ｒ４は炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリールアルキル基を表す。）で表されるアルキル置換含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
［１４］ Ｒ１が水素原子である、［１３］に記載のアルキル置換含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
［１５］ Ｒｆはトリフルオロメチル基を表す、［１４］に記載のアルキル置換含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。

本発明によれば、含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法、及び該含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体を利用した含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法を、簡便かつ工業的規模での生産が可能な方法で提供することができる。

以下、本発明を詳細に説明する。

一般式（３）で表される含フッ素アシルアセトニトリル誘導体を製造する方法は、一般式（１）で表される化合物と一般式（２）で表される化合物を反応させるアシル化反応を含むものである。本反応は、製造工程の他に、必要に応じて、後処理工程、精製工程をさらに含むことができる。
以下、一般式（１）の説明をする。

一般式（１）中のＲｆにおける炭素数１〜６のアルキル基は直鎖アルキル基であっても分岐アルキル基であってもよい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等の直鎖状のものや、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、１，１−ジメチルプロピル基、２，２−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、１，１−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基等の分岐したものを表す。

一般式（１）中のＲｆは、前記炭素数１〜６のアルキル基が少なくとも１つのフッ素原子で置換されていればよい。具体的には、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ノナフルオロブチル基等のペルフルオロアルキル基であっても、モノフルオロメチル基、ジフルオロメチル基等の水素原子を有するフルオロアルキル基であっても、クロロジフルオロメチル基、ブロモジフルオロメチル基等のフッ素原子と他のハロゲン原子とを有するフルオロアルキル基であってもよい。

本発明においてＲｆは、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、およびヘプタフルオロプロピル基から選ばれるフルオロアルキル基であることが好ましく、トリフルオロメチル基及びジフルオロメチル基であることがより好ましい。

一般式（１）中のＸにおけるハロゲン原子とは、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素を表す。

一般式（１）中のＸにおけるカルボニルオキシ基とは、一般式（７）

（７）
（式中、Ｒ５は、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。）で表される置換基、もしくは、一般式（８）

（８）
（式中、Ｒ５は前記と同様である）で表される置換基を表す。

一般式（７）及び一般式（８）中のＲ５におけるハロゲン原子とは、一般式（１）中のＸにおけるハロゲン原子と同義である。

一般式（７）及び一般式（８）中のＲ５における炭素数１〜６のアルキル基とは、一般式（１）中のＲｆにおける炭素数１〜６のアルキル基と同義である。また、これらのアルキル基は１箇所以上にハロゲン原子が置換されてもよく、目的とするアシル基が導入される限りにおいて、特に制限されることはない。２箇所以上にハロゲン原子を置換する場合には、同一もしくは２種類以上のハロゲン原子で置換してもよく、目的とするアシル基が導入される限りにおいて、特に制限されることはない。

一般式（１）で表される化合物の使用量は、一般式（２）で表される化合物に対して１当量以上あれば特に限定されることはない。ただし、経済的観点から、１当量以上３当量以下が好ましい。

一般式（１）で表される化合物としては、例えば、トリフルオロ酢酸、トリフルオロ酢酸無水物、トリフルオロアセチルクロリド、ジフルオロ酢酸、クロロジフルオロ酢酸、ペンタフルオロプロピオン酸、ヘプタフルオロ酪酸等を挙げることができる。これらは市販品を使用することもできるし、公知の方法で製造したものを使用することもできる。
以下、一般式（２）で表される化合物を説明する。

一般式（２）中のＲ１における炭素数１〜６のアルキル基は、一般式（１）中のＲｆにおける炭素数１〜６のアルキル基と同義である。

一般式（２）中のＲ１における炭素数３〜６のシクロアルキル基は、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を表す。

一般式（２）中のＲ１における置換されてもよいアリール基、または置換されてもよいアリールアルキル基に使用される置換基とは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等のアルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘキサフルオロプロピル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、トリフルオロエチル基、ジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ブロモジフルオロメチル基、モノフルオロメチル基等のハロゲン置換アルキル基；フェニル基等のアリール基；ベンジル基等のアリールアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等のアルコキシ基；シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等のシクロアルコキシ基；トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロエトキシ基、トリクロロエトキシ基等のハロゲン置換アルコキシ基；フェノキシ基等のアリールオキシ基；ベンジルオキシ基等のアリールアルキルオキシ基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；シクロプロポキシカルボニル基、シクロブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基等のシクロアルコキシカルボニル基；トリフルオロメトキシカルボニル基、ジフルオロメトキシカルボニル基、トリフルオロエトキシカルボニル基、トリクロロエトキシカルボニル基等のハロゲン置換アルコキシカルボニル基；フェノキシカルボニル基等のアリールオキシカルボニル基；ベンジルオキシカルボニル基等のアリールアルキルオキシカルボニル基；メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基等のアルキルチオ基；シクロプロピルチオ基、シクロブチルチオ基、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等のシクロアルキルチオ基；トリフルオロメチルチオ基、ジフルオロメチルチオ基、トリフルオロエチルチオ基等のハロゲン置換アルキルチオ基；フェニルチオ基等のアリールチオ基；ベンジルチオ基等のアリールアルキルチオ基；メタンスルフィニル基、エタンスルフィニル基、プロパンスルフィニル基、ブタンスルフィニル基等のアルキルスルフィニル基；シクロプロパンスルフィニル基、シクロブタンスルフィニル基、シクロペンタンスルフィニル基、シクロヘキサンスルフィニル基等のシクロアルキルスルフィニル基；トリフルオロメタンスルフィニル基、ジフルオロメタンスルフィニル基、トリフルオロエタンスルフィニル基等のハロゲン置換アルキルスルフィニル基；フェニルスルフィニル基等のアリールスルフィニル基；ベンジルスルフィニル基等のアリールアルキルスルフィニル基；メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、プロパンスルホニル基、ブタンスルホニル基等のアルキルスルホニル基；シクロプロパンスルホニル基、シクロブタンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等のシクロアルキルスルホニル基；トリフルオロメタンスルホニル基、ジフルオロメタンスルホニル基、トリフルオロエタンスルホニル基等のハロゲン置換アルキルスルホニル基；フェニルスルホニル基等のアリールスルホニル基；ベンジルスルホニル基等のアリールアルキルスルホニル基；メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、イソプロピルカルボニル基、ブチルカルボニル基、イソブチルカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニル基等のアルキルカルボニル基；シクロプロピルカルボニル基、シクロブチルカルボニル基、シクロプロピルカルボニル基、シクロペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基等のシクロアルキルカルボニル基；トリフルオロメタンカルボニル基、ジフルオロメタンカルボニル基、トリクロロメタンカルボニル基等のハロゲン置換アルキルカルボニル基；ベンゾイル基等のアリールカルボニル基等；メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、イソブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基等のアルキルカルボニルオキシ基；シクロプロピルカルボニルオキシ基、シクロブチルカルボニルオキシ基、シクロプロピルカルボニルオキシ基、シクロペンチルカルボニルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基等のシクロアルキルカルボニルオキシ基；ベンゾイルオキシ基等のアリールカルボニルオキシ基；メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、イソプロピルカルボニルアミノ基、ブチルカルボニルアミノ基、イソブチルカルボニルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルアミノ基等のアルキルカルボニルアミノ基；シクロプロピルカルボニルアミノ基、シクロブチルカルボニルアミノ基、シクロプロピルカルボニルアミノ基、シクロペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基等のシクロアルキルカルボニルアミノ基；ベンゾイルアミノ基等のアリールカルボニルアミノ基；メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、プロポキシカルボニルアミノ基、イソプロポキシカルボニルアミノ基、ブトキシカルボニルアミノ基、イソブトキシカルボニルアミノ基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルアミノ基、メトキシカルボニル（メチル）アミノ基、エトキシカルボニル（メチル）アミノ基、プロポキシカルボニル（メチル）アミノ基、イソプロポキシカルボニル（メチル）アミノ基、ブトキシカルボニル（メチル）アミノ基、イソブトキシカルボニル（メチル）アミノ基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル（メチル）アミノ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル（メチル）アミノ基、メトキシカルボニル（エチル）アミノ基、エトキシカルボニル（エチル）アミノ基、プロポキシカルボニル（エチル）アミノ基、イソプロポキシカルボニル（エチル）アミノ基、ブトキシカルボニル（エチル）アミノ基、イソブトキシカルボニル（エチル）アミノ基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル（エチル）アミノ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル（エチル）アミノ基等のアルコキシカルボニルアミノ基；シクロプロポキシカルボニルアミノ基、シクロブトキシカルボニルアミノ基、シクロペンチルオキシカルボニルアミノ基、シクロヘキシルオキシカルボニルアミノ基、シクロプロポキシカルボニル（メチル）アミノ基、シクロブトキシカルボニル（メチル）アミノ基、シクロペンチルオキシカルボニル（メチル）アミノ基、シクロヘキシルオキシカルボニル（メチル）アミノ基、シクロプロポキシカルボニル（エチル）アミノ基、シクロブトキシカルボニル（エチル）アミノ基、シクロペンチルオキシカルボニル（エチル）アミノ基、シクロヘキシルオキシカルボニル（エチル）アミノ基等のシクロアルコキシカルボニルアミノ基；トリフルオロメトキシカルボニルアミノ基、ジフルオロメトキシカルボニルアミノ基、トリフルオロエトキシカルボニルアミノ基、トリクロロエトキシカルボニルアミノ基、トリフルオロメトキシカルボニル（メチル）アミノ基、ジフルオロメトキシカルボニル（メチル）アミノ基、トリフルオロエトキシカルボニル（メチル）アミノ基、トリクロロエトキシカルボニル（メチル）アミノ基、トリフルオロメトキシカルボニル（エチル）アミノ基、ジフルオロメトキシカルボニル（エチル）アミノ基、トリフルオロエトキシカルボニル（エチル）アミノ基、トリクロロエトキシカルボニル（エチル）アミノ基等のハロゲン置換アルコキシカルボニルアミノ基；フェノキシカルボニルアミノ基、フェノキシカルボニル（メチル）アミノ基、フェノキシカルボニル（エチル）アミノ基等のアリールオキシカルボニルアミノ基；ベンジルオキシカルボニルアミノ基、ベンジルオキシカルボニル（メチル）アミノ基、ベンジルオキシカルボニル（エチル）アミノ基等のアリールアルキルオキシカルボニルアミノ基；メチルアミノカルボニルオキシ基、エチルアミノカルボニルオキシ基、プロピルアミノカルボニルオキシ基、イソプロピルアミノカルボニルオキシ基、ブチルアミノカルボニルオキシ基、イソブチルアミノカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルアミノカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノカルボニルオキシ基、ジメチルアミノカルボニルオキシ基、{エチル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{プロピル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{イソプロピル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{ブチル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{イソブチル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、 {ｓｅｃ−ブチル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{ｔｅｒｔ−ブチル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{メチル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基、ジエチルアミノカルボニルオキシ基、{プロピル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{イソプロピル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{ブチル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{イソブチル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{ｓｅｃ−ブチル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{ｔｅｒｔ−ブチル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基等のアルキルアミノカルボニルオキシ基；シクロプロピルアミノカルボニルオキシ基、シクロブチルアミノカルボニルオキシ基、シクロペンチルアミノカルボニルオキシ基、シクロヘキシルアミノカルボニルオキシ基、{シクロプロピル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{シクロブチル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{シクロペンチル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{シクロヘキシル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{シクロプロピル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{シクロブチル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{シクロペンチル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{シクロヘキシル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基等のシクロアルキルアミノカルボニルオキシ基；トリフルオロメチルアミノカルボニルオキシ基、ジフルオロメチルアミノカルボニルオキシ基、トリフルオロエチルアミノカルボニルオキシ基、トリクロロエチルアミノカルボニルオキシ基、{トリフルオロメチル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{ジフルオロメチル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{トリフルオロエチル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{トリクロロエチル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{トリフルオロメチル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{ジフルオロメチル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{トリフルオロエチル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{トリクロロエチル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基等のハロゲン置換アルキルアミノカルボニルオキシ基；フェニルアミノカルボニルオキシ基、{フェニル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{フェニル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基等のアリールアミノカルボニルオキシ基；ベンジルアミノカルボニルオキシ基、{ベンジル（メチル）アミノ}カルボニルオキシ基、{ベンジル（エチル）アミノ}カルボニルオキシ基等のアリールアルキルアミノカルボニルオキシ基；ピロリジノカルボニルオキシ基、ピペリジノカルボニルオキシ基、モルホリノカルボニルオキシ基等の環状アミノカルボニルオキシ基；メチルアミノカルボニルアミノ基、エチルアミノカルボニルアミノ基、プロピルアミノカルボニルアミノ基、イソプロピルアミノカルボニルアミノ基、ブチルアミノカルボニルアミノ基、イソブチルアミノカルボニルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルアミノカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノカルボニルアミノ基、ジメチルアミノカ

ルボニルアミノ基、{エチル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{プロピル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{イソプロピル（メチル）アミノ}カルボニルメチル基、{ブチル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{イソブチル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{ｓｅｃ−ブチル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{ｔｅｒｔ−ブチル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{メチル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、ジエチルアミノカルボニルアミノ基、{プロピル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{イソプロピル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{ブチル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{イソブチル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{ｓｅｃ−ブチル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{ｔｅｒｔ−ブチル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、メチルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、エチルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、プロピルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、イソプロピルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、ブチルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、イソブチルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、ｓｅｃ−ブチルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、メチルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、エチルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、プロピルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、イソプロピルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、ブチルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、イソブチルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、ｓｅｃ−ブチルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、ジメチルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、{エチル（メチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{プロピル（メチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{イソプロピル（メチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{ブチル（メチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{イソブチル（メチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{ｓｅｃ−ブチル（メチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{ｔｅｒｔ−ブチル（メチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、ジメチルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、{エチル（メチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{プロピル（メチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{イソプロピル（メチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{ブチル（メチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{イソブチル（メチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{ｓｅｃ−ブチル（メチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{ｔｅｒｔ−ブチル（メチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、ジエチルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、{エチル（プロピル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{エチル（イソプロピル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{ブチル（エチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{エチル（イソブチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{ｓｅｃ−ブチル（エチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{ｔｅｒｔ−ブチル（エチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、ジエチルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、{エチル（プロピル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{エチル（イソプロピル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{エチル（ブチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{エチル（イソブチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{ｓｅｃ−ブチル（エチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{ｔｅｒｔ−ブチル（エチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基等のアルキルアミノカルボニルアミノ基；シクロプロピルアミノカルボニルアミノ基、シクロブチルアミノカルボニルアミノ基、シクロペンチルアミノカルボニルアミノ基、シクロヘキシルアミノカルボニルアミノ基、{シクロプロピル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{シクロブチル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{シクロペンチル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{シクロヘキシル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{シクロプロピル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{シクロブチル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{シクロペンチル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{シクロヘキシル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、シクロプロピルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、シクロブチルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、シクロペンチルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、シクロヘキシルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、シクロプロピルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、シクロブチルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、シクロペンチルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、シクロヘキシルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、{シクロプロピル（メチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{シクロブチル（メチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{シクロペンチル（メチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{シクロヘキシル（メチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{シクロプロピル（メチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{シクロブチル（メチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{シクロペンチル（メチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{シクロヘキシル（メチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{シクロプロピル（エチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{シクロブチル（エチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{シクロペンチル（エチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{シクロヘキシル（エチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{シクロプロピル（エチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{シクロブチル（エチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{シクロペンチル（エチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{シクロヘキシル（エチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基等のシクロアルキルアミノカルボニルアミノ基；トリフルオロメチルアミノカルボニルアミノ基、ジフルオロメチルアミノカルボニルアミノ基、トリフルオロエチルアミノカルボニルアミノ基、トリクロロエチルアミノカルボニルアミノ基、{トリフルオロメチル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{ジフルオロメチル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{トリフルオロエチル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{トリクロロエチル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{トリフルオロメチル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{ジフルオロメチル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{トリフルオロエチル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{トリクロロエチル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、トリフルオロメチルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、ジフルオロメチルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、トリフルオロエチルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、トリクロロエチルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、トリフルオロメチルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、ジフルオロメチルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、トリフルオロエチルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、トリクロロエチルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、
{トリフルオロメチル（メチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{ジフルオロメチル（メチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{トリフルオロエチル（メチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{トリクロロエチル（メチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{トリフルオロメチル（メチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{ジフルオロメチル（メチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{トリフルオロエチル（メチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{トリクロロエチル（メチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{トリフルオロメチル（エチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{ジフルオロメチル（エチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{トリフルオロエチル（エチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{トリクロロエチル（エチル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{トリフルオロメチル（エチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{ジフルオロメチル（エチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{トリフルオロエチル（エチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{トリクロロエチル（エチル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基等のハロゲン置換アルキルアミノカルボニルアミノ基；フェニルアミノカルボニルアミノ基、{フェニル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{フェニル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、フェニルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、フェニルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、{メチル（フェニル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{メチル（フェニル）アミノ }カルボニル（エチル）アミノ基、{エチル（フェニル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{エチル（フェニル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基等のアリールアミノカルボニルアミノ基；ベンジルアミノカルボニルアミノ基、{ベンジル（メチル）アミノ}カルボニルアミノ基、{ベンジル（エチル）アミノ}カルボニルアミノ基、ベンジルアミノカルボニル（メチル）アミノ基、ベンジルアミノカルボニル（エチル）アミノ基、{メチル（ベンジル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{メチル（ベンジル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基、{エチル（ベンジル）アミノ}カルボニル（メチル）アミノ基、{エチル（ベンジル）アミノ}カルボニル（エチル）アミノ基等のアリールアルキルアミノカルボニルアミノ基；ピロリジノカルボニルアミノ基、ピペリジノカルボニルアミノ基、モルホリノカルボニルアミノ基、ピロリジノカルボニル（メチル）アミノ基、ピペリジノカルボニル（メチル）アミノ基、モルホリノカルボニル（メチル）アミノ基、ピロリジノカルボニル（エチル）アミノ基、ピペリジノカルボニル（エチル）アミノ基、モルホリノカルボニル（エチル）アミノ基等の環状アミノカルボニルオキシ基；メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、イソプロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノカルボニル基、イソブチルアミノカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルアミノカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、{エチル（メチル）アミノ}カルボニル基、{メチル（プロピル）アミノ}カルボニル基、{イソプロピル（メチル）アミノ}カルボニル基、{ブチル（メチル）アミノ}カルボニル基、{イソブチル（メチル）アミノ}カルボニル基、{ｓｅｃ−ブチル（メチル）アミノ}カルボニル基、{ｔｅｒｔ−ブチル（メチル）アミノ}カルボニル基、{エチル（メチル）アミノ}カルボニル基、{エチル（プロピル）アミノ}カルボニル基、{エチル（イソプロピル）アミノ}カルボニル基、{ブチル（エチル）アミノ}カルボニル基、{イソブチル（エチル）アミノ}カルボニル基、{ｓｅｃ−ブチル（エチル）アミノ}カルボニル基、{ｔｅｒｔ−ブチル（エチル）アミノ}カルボニル基等のアルキルアミノカルボニル基；シクロプロピルアミノカルボニル基、シクロブチルアミノカルボニル基、シクロペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、{シクロプロピル（メチル）アミノ}カルボニル基、{シクロブチル（メチル）アミノ}カルボニル基、{シクロペンチル（メチル）アミノ}カルボニル基、{シクロヘキシル（メチル）アミノ}カルボニル基、{シクロプロピル（エチル）アミノ}カルボニル基、{シクロブチル（エチル）アミノ}カルボニル基、{シクロペンチル（エチル）アミノ}カルボニル基、{シクロヘキシル（エチル）アミノ}カルボニル基等のシクロアルキルアミノカルボニル基；トリフルオロメチルアミノカルボニル基、ジフルオロメチルアミノカルボニル基、トリフルオロエチルアミノカルボニル基、トリクロロエチルアミノカルボニル基、{トリフルオロメチル（メチル）アミノ}カルボニル基、{ジフルオロメチル（メチル）アミノ}カルボニル基、{トリフルオロエチル（メチル）アミノ}カルボニル基、{トリクロロエチル（メチル）アミノ}カルボニル基、{トリフルオロメチル（エチル）アミノ}カルボニル基、{ジフルオロメチル（エチル）アミノ}カルボニル基、{トリフルオロエチル（エチル）アミノ}カルボニル基、{トリクロロエチル（エチル）アミノ}カルボニル基等のハロゲン置換アルキルアミノカルボニル基；フェニルアミノカルボニル基、{フェニル（メチル）アミノ}カルボニル基、{フェニル（エチル）アミノ}カルボニル基等のアリールアミノカルボニル基；ベンジルアミノカルボニル基、{ベンジル（メチル）アミノ}カルボニル基、{ベンジル（エチル）アミノ}カルボニル基等のアリールアルキルアミノカルボニル基；ピロリジノカルボニル基、ピペリジノカルボニル基、モルホリノカルボニル基等の環状アミノカルボルニル基；メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、プロポキシカルボニルオキシ基、イソプロポキシカルボニルオキシ基、ブトキシカルボニルオキシ基、イソブトキシカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基等のアルコキシカルボニルオキシ基；シクロプロポキシカルボニルオキシ基、シクロブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニルオキシ基、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ基等のシクロアルコキシカルボニルオキシ基；トリフルオロメトキシカルボニルオキシ基、ジフルオロメトキシカルボニルオキシ基、トリフルオロエトキシカルボニルオキシ基、トリクロロエトキシカルボニルオキシ基等のハロゲン置換アルコキシカルボニルオキシ基；フェノキシカルボニルオキシ基等のアリールオキシカルボニルオキシ基；ベンジルオキシカルボニルオキシ基等のアリールアルキルオキシカルボニルオキシ基；メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基等のアルキルアミノ基；ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基等の環状アミノ基；ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ基、ジメチルフェニルシリルオキシ基等のシリルオキシ基；塩素、フッ素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子；ニトロ基；シアノ基等が例示される。

前記置換基の置換位置はアリールアルキル基を構成するアリール基上であっても、アルキル部位であってもよいが、アリール基上であることが好ましい。またアリール基上の置換基数は限定されることはない。２箇所以上の置換基で置換される場合、同一もしくは２種類以上の置換基で構成されてよく、特に限定されることはない。

一般式（２）中のＲ１におけるアリール基とは、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基等を表す。

一般式（２）中のＲ１におけるアリールアルキル基のアリール基とは、前記アリール基と同義である。

一般式（２）中のＲ１とＲ２におけるアリールアルキル基のアルキル部位は、炭素数１〜４のアルキレン基を表す。
一般式（２）中のＲ２とＲ３は、それぞれ独立している。

一般式（２）中のＲ２もしくはＲ３における炭素数１〜６のアルキル基は、一般式（１）中のＲｆにおける炭素数１〜６のアルキル基と同義である。

一般式（２）中のＲ２もしくはＲ３における炭素数３〜６のシクロアルキル基は、一般式（２）中のＲ１における炭素数３〜６のシクロアルキル基と同義である。

一般式（２）中のＲ２もしくはＲ３における置換されてもよいアリール基は、一般式（２）中のＲ１における置換されてもよいアリール基と同義である。

一般式（２）中のＲ２もしくはＲ３における置換されてもよいアリールアルキル基とは、一般式（２）中のＲ１における置換されてもよいアリールアルキル基と同義である。

一般式（２）中のＲ２もしくはＲ３における炭素数１〜６の置換されてもよいアシル基の置換基とは、一般式（２）中のＲ１における置換されてもよいアリール基、または置換されてもよいアリールアルキル基中に使用される置換基と同義である。

一般式（２）中のＲ２もしくはＲ３における炭素数１〜６の置換されてもよいアシル基でのアシル基とは、ホルミル基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、イソプロピルカルボニル基、ブチルカルボニル基、イソブチルカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、イソアミルカルボニル基、３−メチル−２−ブチルカルボニル基、ｔｅｒｔ−ペンチルカルボニル基、ｎｅｏ−ペンチルカルボニル基、２−ペンチルカルボニル基、３−ペンチルカルボニル基等を表す。

一般式（２）中のＲ２およびＲ３は、ヘテロ原子０〜１個を含む５〜６員環構造を形成するのに必要な原子群であってもよい。５〜６員環構造の具体例としては、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基等である。

一般式（２）で表される化合物は、トランス体もしくはシス体のいずれか一方の構造である化合物、またはトランス体とシス体が任意の割合で混合した化合物でよく、その構造は限定されることはない。

一般式（２）で表される化合物は、市販品を使用することもできるし、また、特開昭５５−１３０９５０号公報や米国特許第３９６６７９１号明細書等を参考にして製造されたものを使用することもできる。

一般式（２）で表される化合物として、Ｒ１が水素であり、Ｒ２とＲ３がそれぞれ独立して、炭素数１〜６のアルキル基、もしくは炭素数３〜６のシクロアルキル基、または、Ｒ２とＲ３とが結合する窒素原子とヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表すものが本発明に好ましく使用される。さらに好ましくは、Ｒ１が水素であり、Ｒ２とＲ３がともにメチル基である化合物である。
以下、一般式（３）で表される化合物について説明する。

一般式（３）中のＲｆは、一般式（１）中のＲｆと同義である。
一般式（３）中のＲ１は、一般式（２）中のＲ１と同義である。
一般式（３）中のＲ２もしくはＲ３は、一般式（２）におけるＲ２もしくはＲ３と同義である。

一般式（３）で表される化合物は、トランス体もしくはシス体のいずれか一方の構造である化合物、またはトランス体とシス体が任意の割合で混合した化合物でよく、その構造は限定されることはない。
以下、本アシル化反応について説明する。
以下、一般式（１）中のＸがハロゲン原子である反応を説明する。

一般式（１）で表される化合物と一般式（２）で表される化合物を反応させる際に、塩基を使用することが好ましい。
使用する塩基は、有機塩基や無機塩基である。

有機塩基の具体例として、トリエチルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン等の３級アミン、ピリジン、コリジン、ルチジン、４−ジメチルアミノピリジン等の芳香族アミン等を挙げることができ、無機塩基の具体例として、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム等が挙げられる。これらの塩基は、単独で使用することもできるし、２種類以上を任意の割合で混合することも可能である。

使用する塩基の当量は、一般式（２）に対して１当量以上あれば、特に限定されることはない。経済的観点から、１当量以上５当量以下が好ましい。

反応には溶媒を使用することができる。反応に使用する溶媒は、一般式（１）で表される化合物と反応しなければ、特に限定されることはない。

溶媒の具体例として、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソプロピル等のエステル系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶媒、およびメチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒等の非プロトン性溶媒が挙げられる。これらの溶媒は単独、或いは２種類以上を任意の割合で混合して使用することができる。

溶媒の使用量は、特に限定されることはないが、通常、一般式（２）の重量に対して、３倍以上４０倍以下の重量が好ましい。

反応温度に関しては、各化合物が分解しないように設定すれば特に限定されることはないが、通常、−３０℃以上１５０℃以下もしくは溶媒の沸点以下とすることができる。
一般式（１）で表される化合物のＸがハロゲン原子の場合、一般式（１）中のＲｆが少なくとも１つのフッ素原子で置換されている炭素数１〜３のアルキル基である化合物が好ましく本発明に適合できる。さらに好ましくは、一般式（１）で表される化合物がトリフルオロアセチルクロリド、トリフルオロアセチルフルオリドである。
以下、一般式（１）中のＸが水酸基である場合の反応を説明する。

一般式（１）のＸが水酸基である場合、ハロゲン化剤やイミダゾール化剤等を使用することが好ましい。

ハロゲン化剤は、一般式（１）で表される化合物の水酸基をハロゲンに置換することが可能な試剤を選択すればよく、反応が進行する限りにおいて特に制限を設けるものではない。

ハロゲン化剤の具体例としては、塩化スルフリル、塩化チオニル、臭化チオニル等の含硫黄ハロゲン化剤、オキサリルクロライド、オキサリルブロミド、ホスゲン等の含カルボニルハロゲン化剤、オキシ塩化リン、三塩化リン、三臭化リン、五塩化リン等の含リンハロゲン化剤等が挙げられる
ハロゲン化剤の使用量は、一般式（１）に対して１当量以上あれば特に制限されることはないが、経済的観点から、通常、１当量以上３当量以下である。

ハロゲン化剤は、ジメチルホルムアミド等のホルムアミド誘導体を添加し、ヴィルスマイヤー試薬に変換して使用することも可能である。

ヴィルスマイヤー試薬とは、一般式（９）

（９）
（式中、Ｒ６とＲ７はそれぞれ独立していて、炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｙはハロゲン原子を表す。）で表される化合物を含む塩である。

一般式（９）中のＲ６及びＲ７における炭素数１〜６のアルキル基は、一般式（１）中のＲｆにおける炭素数１〜６のアルキル基と同義である。

一般式（９）中のハロゲン原子とは、一般式（１）中のハロゲン原子と同義である。

また、イミダゾール化剤の具体例としては、Ｎ，Ｎ’−カルボニルジイミダゾールが挙げられる。

イミダゾール化剤の使用量は、一般式（１）で表される化合物に対して１当量以上あれば特に制限されることはないが、経済的観点から、通常、１当量以上３当量以下である。

一般式（１）で表される化合物と一般式（２）で表される化合物を反応させる際に、塩基を使用することが好ましい。

使用する塩基は、有機塩基や無機塩基である。

有機塩基の具体例として、トリエチルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン等の３級アミン、ピリジン、コリジン、ルチジン、４−ジメチルアミノピリジン等の芳香族アミン等を挙げることができ、無機塩基の具体例として、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム等が挙げられる。これらの塩基は、単独で使用することもできるし、２種類以上を任意の割合で混合することも可能である。

使用する塩基の当量は、一般式（２）に対して２当量以上あれば、特に限定されることはない。経済的観点から、２当量以上５当量以下が好ましい。

反応には溶媒を使用することができる。反応に使用する溶媒は、一般式（１）で表される化合物と反応しなければ、特に限定されることはない。

溶媒の具体例として、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系溶媒、ヘキサン、ヘプタン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソプロピル等のエステル系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶媒、およびメチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒等の非プロトン系溶媒が挙げられる。

溶媒の使用量は特に限定されることはないが、通常、一般式（２）で表される化合物の重量に対して、３倍以上４０倍以下の重量が好ましい。

反応温度に関しては、各化合物が分解しないように設定すれば特に限定されることはないが、通常、−３０℃以上１５０℃以下もしくは溶媒の沸点以下である。
試剤の装入方法に関しては、一般式（１）で表される化合物と一般式（２）で表される化合物と塩基を含む溶媒に対して、最後にハロゲン化剤を装入することが好ましい。また、一般式（１）で表される化合物と一般式（２）で表される化合物と塩基を含む溶媒には必要に応じて、ホルムアミド誘導体を加えてもよい。この装入方法によって、一般式（３）で表される化合物の収率が著しく改善される。

一般式（１）で表される化合物のＸが水酸基の場合、一般式（１）中のＲｆが少なくとも１つのフッ素原子で置換されている炭素数１〜３のアルキル基が好ましく本発明に適合できる。または、一般式（１）で表される化合物がトリフルオロ酢酸、ジフルオロ酢酸、クロロジフルオロ酢酸、ペンタフルオロプロピオン酸、ヘプタフルオロ酪酸に好ましく適合できる。さらに好ましくは、トリフルオロ酢酸、ジフルオロ酢酸である。
以下、一般式（１）中のＸがカルボニルオキシ基である反応を説明する。

一般式（１）で表される化合物と一般式（２）で表される化合物を反応させる際に、塩基を使用することができるが、必須ではない。
塩基を使用する場合は、有機塩基や無機塩基である。

有機塩基の具体例として、トリエチルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、１，４−ジアザビシクロ［２．２.２］オクタン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン等の３級アミン、ピリジン、コリジン、ルチジン、４−ジメチルアミノピリジン等の芳香族アミン等を挙げることができ、無機塩基の具体例として、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム等が挙げられる。これらの塩基は、単独で使用することもできるし、２種類以上を任意の割合で混合することも可能である。
使用する塩基の当量は、特に限定されることはない。経済的観点から、５当量以下である。

反応には溶媒を使用することができる。反応に使用する溶媒は、一般式（１）で表される化合物と反応しなければ、特に限定されることはない。

溶媒の具体例として、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系溶媒、ヘキサン、ヘプタン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソプロピル等のエステル系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶媒、およびメチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒等の非プロトン性溶媒が挙げられる。

溶媒の使用量は特に限定されることはないが、通常、一般式（２）で表される化合物の重量に対して、３倍以上４０倍以下の重量が好ましい。

反応温度に関しては、各化合物が分解しないように設定すれば特に限定されることはないが、通常、−３０℃以上１５０℃以下もしくは溶媒の沸点以下とすることができる。

一般式（１）で表される化合物のＸがカルボニルオキシ基の場合、Ｘが一般式（７）で表される置換基であり、かつ一般式（７）中のＲ５がＲｆである対称な化合物（−Ｏ（Ｃ＝Ｏ）Ｒｆと表される）が本発明に適合できる。さらに好ましくは、一般式（１）で表される化合物がトリフルオロ酢酸無水物である。
以下、後処理工程に関して説明する。これらの後処理は、Ｘがハロゲン原子、水酸基、カルボニルオキシ基である場合の各反応において共通である。

一般式（１）で表される化合物と一般式（２）で表される化合物を反応させることによって得られる一般式（３）で表される化合物を含む反応混合物は、水、アルカリ水溶液、酸性水溶液、或いは食塩水で洗浄することができる。

洗浄に使用するアルカリ水溶液、酸性水溶液は、一般式（３）で表される化合物が分解しない限りにおいて特に制限されるものではなく、通常、炭酸水素ナトリウム水溶液、炭酸ナトリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、炭酸水素カリウム水溶液、炭酸カリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液等のアルカリ水溶液や、塩酸水溶液、硫酸水溶液等の酸性水溶液が例示される。
反応混合物を洗浄する回数は、特に限定されることはない。

水、アルカリ水溶液、或いは酸性水溶液で洗浄した一般式（３）で表される化合物を含む反応混合物は、硫酸ナトリウムや硫酸マグネシウム等で脱水を行うことが可能である。

水、アルカリ水溶液、酸性水溶液、或いは食塩水で洗浄した一般式（３）で表される化合物を含む反応混合物、もしくは硫酸ナトリウムや硫酸マグネシウム等で脱水後の反応混合物は、そのまま次工程のピラゾール化に使用することができる。また、溶媒を留去した後に次工程に使用しても良い。さらには、再結晶、再沈殿、溶媒洗浄、蒸留等によって精製した後に次工程に使用してもよい。

再結晶、再沈殿、溶媒洗浄を行う際に使用する溶媒は、一般式（３）で表される化合物が分解されない限りにおいて特に制限されることはない。

再結晶、再沈殿、溶媒洗浄に使用する溶媒の具体例として、水、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール系溶媒、ヘプタン、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶媒、およびメチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒等が挙げられる。単独、或いは２種類以上を任意の割合で混合して使用することができる。

溶媒の使用量は、目的とする収量、純度に合わせて設定すれば特に限定されることはない。通常、一般式（３）で表される化合物の重量に対して１倍以上４０倍以下の重量が好ましい。

本アシル化反応は、Ｒ１が水素であり、Ｒ２とＲ３はそれぞれ独立して、炭素数１〜６のアルキル基、もしくは炭素数３〜６のシクロアルキル基、または、Ｒ２とＲ３とが結合する窒素原子とヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表す化合物群に好ましく適合できる。さらに好ましくは、Ｒｆはトリフルオロメチル基及びジフルオロメチル基を表し、Ｒ１は水素であり、Ｒ２とＲ３はともにメチル基を表す化合物群に好ましく適合できる。
一般式（４）で表される含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体を製造する方法は、一般式（３）で表される化合物とヒドラジンを反応させる環化反応を含むものである。本反応は、製造工程の他に、必要に応じて、後処理工程、精製工程をさらに含むことができる。
以下、ヒドラジンについて述べる。

ヒドラジンは市販品を使用することができる。
ヒドラジンは無水物、水和物のいずれでもよく、その形態は問わない。
ヒドラジンの使用量は、一般式（３）で表される化合物に対して１当量以上あれば特に限定されることはないが、経済的観点から１当量以上５当量以下である。

以下、一般式（４）について説明する。
一般式（４）中のＲｆは、一般式（１）中のＲｆと同義である。
一般式（４）中のＲ１は、一般式（２）中のＲ１と同義である。
以下、本環化反応について説明する。

一般式（３）で表される化合物とヒドラジンとの反応は、一般式（３）で表される化合物をヒドラジンに装入する方法、或いは、ヒドラジンを一般式（３）で表される化合物に装入する方法のいずれでもよい。この際、一般式（３）もしくはヒドラジンは、適当な溶媒に溶解、もしくは懸濁させて使用することが可能である。

本反応には溶媒を使用することができる。使用する溶媒は、反応が進行する限りにおいて、特に限定されることはない。使用する溶媒の具体例として、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、ヘプタン、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン等のウレア系溶媒、ジメチルスルホオキシド等のスルホニルオキシド系溶媒、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒、および水等が挙げられる。これらの溶媒は単独、或いは２種類以上を任意の割合で混合して使用することができる。

溶媒の使用量は特に限定されることはないが、通常、一般式（３）で表される化合物の重量に対して、３倍以上４０倍以下の重量が好ましい
反応温度に関しては、目的とする反応が進行すれば特に制限を設けるものではないが、通常、−４０℃以上１５０℃以下、もしくは溶媒の沸点以下とすることができる。

一般式（４）の化合物を含む反応混合物の後処理は、該一般式（４）の化合物が分解しない限りにおいて、特に制限されることがなく実施できる。以下に後処理方法の具体例を述べる。

水と相溶しない有機溶媒と水から構成される二層系溶媒が反応溶媒である反応混合物に関しては、分液することによって、一般式（４）で表される化合物を含む有機層を得ることができる。

水と相溶する有機溶媒と水から構成される均一系溶媒が反応溶媒である反応混合物に関しては、減圧下で有機溶媒を留去した後に、水と分離する有機溶媒によって一般式（４）で表される化合物を抽出することができる。

水と相溶しない有機溶媒が反応溶媒である反応混合物に関しては、そのまま減圧下で溶媒を留去して、一般式（４）で表される化合物を得ることができる。もしくは、溶媒留去の前に、後述する分液操作を実施してもよい。

水と相溶する有機溶媒が反応溶媒である反応混合物に関しては、そのまま減圧下で溶媒を留去して、一般式（４）で表される化合物を得ることができる。溶媒留去の後に、水と分離する有機溶媒と水を加えて、以下に示す分液操作を実施してもよい。

水が反応溶媒である反応混合物に関しては、一般式（４）で表される化合物が析出した際には析出物を濾取すればよい。該化合物が析出しない場合は、水と分離する有機溶媒を加えて抽出することが可能である。

一般式（４）で表される化合物を含む有機層を、水、酸性水溶液、アルカリ水溶液、或いは食塩水で洗浄することができる。洗浄回数、洗浄順序等は、該化合物が分解しないかぎりにおいて、特に限定されることはない。

洗浄に使用する酸性水溶液、アルカリ水溶液は、一般式（４）で表される化合物が分解しない限りにおいて特に制限されることはない。通常、塩酸水溶液、硫酸水溶液等の酸性水溶液や、炭酸水素ナトリウム水溶液、炭酸ナトリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、炭酸水素カリウム水溶液、炭酸カリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液等のアルカリ水溶液が例示される。

一般式（４）で表される化合物を含む有機層を、硫酸ナトリウムや硫酸マグネシウム等で脱水を行うことが可能である。

一般式（４）で表される化合物を含む有機層を、そのまま次工程のアルキル化工程に使用することができる。また、減圧下で溶媒留去した後に該化合物をアルキル化することも可能である。

一般式（４）で表される化合物の純度を挙げるために、蒸留、再結晶、再沈殿、溶媒洗浄等を実施することができる。

再結晶、再沈殿、溶媒洗浄を行う際に使用する溶媒は、一般式（４）で表される化合物が分解されない限りにおいて特に制限されることはない。

再結晶、再沈殿、溶媒洗浄に使用する溶媒の具体例として、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール系溶媒、ヘプタン、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶媒、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒、および水等が挙げられる。これらの溶媒は単独、或いは２種類以上を任意の割合で混合して使用することができる。

溶媒の使用量は、目的とする収量、純度に合わせて設定すればよく、特に限定されることはない。通常、一般式（４）で表される化合物の重量に対して１倍以上４０倍以下の重量が好ましい。

以上、本ピラゾール環化反応は、Ｒ１が水素であり、Ｒ２とＲ３はそれぞれ独立して、炭素数１〜６のアルキル基、もしくは炭素数３〜６のシクロアルキル基、または、Ｒ２とＲ３とが結合する窒素原子とヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表す化合物群に好ましく適合できる。さらに好ましくは、Ｒｆはトリフルオロメチル基及びジフルオロメチル基を表し、Ｒ１は水素であり、Ｒ２とＲ３はともにメチル基を表す化合物郡に好ましく適合できる。
一般式（５）で表されるアルキル置換含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体を製造する方法は、一般式（４）で表される化合物とアルキル化剤を反応させるアルキル化反応を含むものである。本反応は、製造工程の他に、必要に応じて、後処理工程、精製工程をさらに含むことができる。

以下、アルキル化剤について説明する。
アルキル化剤は、一般式（４）で表されるピラゾール誘導体における１位の窒素原子をアルキル化することが可能なものであれば、特に限定されることはない。

アルキル化剤の具体例として、ジメチル硫酸、ジエチル硫酸、ジプロピル硫酸、ジイソプロピル硫酸、ジブチル硫酸等のジアルキル硫酸； 臭化メチル、ヨウ化メチル、塩化エチル、臭化エチル、ヨウ化エチル、塩化プロピル、臭化プロピル、ヨウ化プロピル、塩化イソプロピル、臭化イソプロピル、ヨウ化イソプロピル、塩化ブチル、臭化ブチル、ヨウ化ブチル、塩化イソブチル、臭化イソブチル、ヨウ化イソブチル、塩化ｓｅｃ−ブチル、臭化ｓｅｃ−ブチル、ヨウ化ｓｅｃ−ブチル、塩化ペンチル、臭化ペンチル、ヨウ化ペンチル、塩化イソペンチル、臭化イソペンチル、ヨウ化イソペンチル、２−ブロモペンチル、３−ブロモペンチル、１−クロロ−２−メチルブタン、１−ヨード−２−メチルブタン、１−クロロ−２，２−ジメチルプロパン、１−ブロモ−２，２−ジメチルプロパン、塩化ヘキシル、臭化ヘキシル、ヨウ化ヘキシル、２−クロロヘキサン、２−ブロモヘキサン、３−クロロへキサン、３−ブロモへキサン、１−ブロモ−４−メチルペンタン等のハロゲン化アルキル；臭化シクロプロピル、塩化シクロブチル、臭化シクロブチル、塩化シクロペンチル、臭化シクロペンチル、塩化シクロヘキシル、臭化シクロヘキシル、ヨウ化シクロヘキシル等のハロゲン化シクロアルキル；塩化ベンジル、臭化ベンジル、塩化フェネチル、臭化フェネチル、ヨウ化フェネチル、３−フェニルプロピルクロリド、３−フェニルプロピルブロミド、４−フェニルブチルクロリド、４−フェニルブチルブロミド等のハロゲン化アリールアルキル；炭酸ジメチル、炭酸ジエチル等の炭酸ジアルキル等が挙げられる。

アルキル化剤の使用量は、一般式（４）で表される化合物に対して１当量以上あれば特に限定されることはなく、溶媒として使用することも可能である。
以下、一般式（５）で表される化合物について説明する。

一般式（５）中のＲｆは、一般式（１）中のＲｆと同義である。
一般式（５）中のＲ１は、一般式（２）中のＲ１と同義である。
一般式（５）中のＲ４における炭素数１〜６のアルキル基は、一般式（１）中のＲｆにおける炭素数１〜６のアルキル基と同義である。

一般式（５）中のＲ４における炭素数３〜６のシクロアルキル基は、一般式（２）中のＲ１における炭素数３〜６のシクロアルキル基と同義である。

一般式（５）中のＲ４における置換されてもよいアリールアルキル基は、一般式（２）中のＲ１における置換されてもよいアリールアルキル基と同義である。
以下、本アルキル化反応について説明する。
本反応には、塩基を使用することができる。塩基とは、有機塩基および無機塩基であるが、反応が進行する限りにおいて特に限定されることはない。

有機塩基の具体例として、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド等の金属アルコキシド、ジイソプロピルアミン等の２級アミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン等の３級アミン、ピリジン、コリジン、ルチジン、および４−ジメチルアミノピリジン等の芳香族アミン等が挙げられる。

無機塩基の具体例として、水素化ナトリウム、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム等が挙げられる。

これらの塩基は、単独で使用することもできるし、２種類以上を任意の割合で混合することも可能である。
塩基の使用量は、目的とする反応が進行する限りにおいて、特に制限を設けるものではないが、通常、１当量以上１０当量以下である。

本反応は、溶媒を使用することができる。使用する溶媒は、反応が進行する限りにおいて、特に限定されることはない。使用する溶媒の具体例として、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、ヘプタン、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン等のウレア系溶媒、ジメチルスルホオキシド等のスルホニルオキシド系溶媒、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒等が挙げられる。これらの溶媒は単独、或いは２種類以上を任意の割合で混合して使用することができる。

溶媒の使用量は特に限定されることはないが、通常、一般式（４）で表される化合物の重量に対して、３倍以上４０倍以下の重量が好ましい
反応温度に関しては、目的とする反応が進行すれば特に制限を設けるものではないが、通常、−４０℃以上１５０℃以下、もしくは溶媒の沸点以下とすることができる。

水と相溶しない有機溶媒が反応溶媒である反応混合物に関しては、そのまま減圧下で溶媒を留去して、一般式（５）で表される化合物を得ることができる。もしくは、溶媒留去の前に、後述する分液操作を実施してもよい。

水と相溶する有機溶媒が反応溶媒である反応混合物に関しては、そのまま減圧下で溶媒を留去して、一般式（５）で表される化合物を得ることができる。溶媒留去の後に、水と分離する有機溶媒と水を加えて、後述する分液操作を実施してもよい。

一般式（５）で表される化合物を含む有機層を、水、酸性水溶液、アルカリ水溶液、或いは食塩水で洗浄することができる。洗浄回数、洗浄順序等は、該化合物が分解しないかぎりにおいて、特に限定されることはない。

洗浄に使用する酸性水溶液、アルカリ水溶液は、一般式（５）で表される化合物が分解しない限りにおいて特に制限されることはない。通常、塩酸水溶液、硫酸水溶液等の酸性水溶液や、炭酸水素ナトリウム水溶液、炭酸ナトリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、炭酸水素カリウム水溶液、炭酸カリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液等のアルカリ水溶液が例示される。

一般式（５）で表される化合物を含む有機層を、硫酸ナトリウムや硫酸マグネシウム等で脱水を行うことが可能である。

一般式（５）で表される化合物を含む有機層を、そのまま次工程の加水分解工程に使用することができる。また、減圧下で溶媒留去した後に該化合物を加水分解することも可能である。

一般式（５）で表される化合物の純度を挙げるために、蒸留、再結晶、再沈殿、溶媒洗浄等を実施することができる。
再結晶、再沈殿、溶媒洗浄を行う際に使用する溶媒は、一般式（５）で表される化合物が分解されない限りにおいて特に制限されることはない。

再結晶、再沈殿、溶媒洗浄に使用する溶媒の具体例として、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール系溶媒、ヘプタン、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶媒、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒、および水等が挙げられる。これらの溶媒は単独、或いは２種類以上を任意の割合で混合して使用することができる。

溶媒の使用量は、目的とする収量、純度に合わせて設定すればよく、特に限定されることはない。通常、一般式（５）で表される化合物の重量に対して１倍以上４０倍以下の重量が好ましい。

本アルキル化反応は、Ｒ１が水素である化合物群と、アルキル化剤がジアルキル硫酸及び炭酸ジアルキルであるものに好ましく適応することができる。さらに好ましくは、Ｒｆがトリフルオロメチル基及びジフルオロメチル基、Ｒ１が水素である化合物群と、アルキル化剤がジメチル硫酸、ジエチル硫酸、炭酸ジメチル、炭酸ジエチルであるものに好ましく適応することができる。
一般式（６）で表される含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体を製造する方法は、一般式（５）で表される化合物と水を反応させる加水分解反応を含むものである。本反応は、製造工程の他に、必要に応じて、後処理工程、精製工程をさらに含むことができる。
以下、一般式（６）で表される化合物を説明する。

一般式（６）中のＲｆは、一般式（１）中のＲｆと同義である。
一般式（６）中のＲ１は、一般式（２）中のＲ１と同義である。
一般式（６）中のＲ４は、一般式（５）中のＲ４と同義である。
以下、本加水分解反応について説明する。

加水分解反応を進行させるためには、酸もしくは塩基を用いることが好ましい。
先ず、酸性条件下で、一般式（５）で表される化合物と水を反応させて、一般式（６）で表される化合物に変換する加水分解反応について記載する。

水の使用量は、一般式（５）で表される化合物に対して２当量以上あれば、特に限定されることはない。また、水は溶媒としても利用することできる。溶媒としての使用量は、前記の当量数を満たしていれば特に限定されることはない。通常、その上限は一般式（５）で表される化合物に対して４０倍以下の重量とすることができる。

使用する酸は、反応が進行する限りにおいて特に限定されるものではなく、有機酸、無機酸である。
有機酸の具体例として、メタンスルホン酸、トルエンスルホン酸等のスルホン酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等のカルボン酸等が挙げられる。
無機酸の具体例として、塩酸、臭化水素酸、硫酸等が挙げられる。

酸の使用量は、目的とする反応が進行する限りにおいて特に限定されることはない。通常、一般式（５）で表される化合物に対して０．１当量以上であればよい。

本発明においては溶媒を使用することができる。使用する溶媒は、酢酸等のカルボン酸系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、および水等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で使用することもできるが、２種類以上を任意の割合で混合することも可能である。

溶媒の使用量は特に限定されることはないが、通常、一般式（５）で表される化合物の重量に対して、３倍以上４０倍以下の重量が好ましい。

反応温度に関しては、目的とする反応が進行すれば特に制限を設けるものではないが、通常、０℃以上１５０℃以下、もしくは溶媒の沸点以下とすることができる。

酸性条件下で得られる一般式（６）で表される化合物を含む反応混合物の後処理方法に関しては、目的物である一般式（６）で表される化合物が分解されない限りにおいて、特に制限を設けるものではない。以下、後処理方法の具体例を述べる。

反応混合物、もしくは溶媒留去した反応混合物から一般式（６）で表される化合物が析出した場合は、析出物を濾取すればよい。

反応混合物や溶媒留去した反応混合物については、分液を実施することができる。その際、必要であるならば水や有機溶媒を追加することができる。分液に使用する水は、塩化ナトリウムのような塩を含んでいてもよい。また、分液回数は特に限定されることはない。

分液に使用する有機溶媒は、一般式（６）で表される化合物が分解されない限りにおいて、特に制限されることはない。

有機溶媒の具体例として、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル等のエーテル系溶媒、ヘプタン、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、および酢酸ブチル等のエステル系溶媒等が挙げられる。これらの溶媒は単独、或いは２種類以上を任意の割合で混合して使用することができる。

有機溶媒の使用量は特に限定されることはないが、通常、一般式（６）で表される化合物の重量に対して１倍以上４０倍以下の重量が好ましい
分液して得られる一般式（６）で表される化合物を含む有機層を、硫酸ナトリウムや硫酸マグネシウム等で脱水を行うことが可能である。

分液して得られる一般式（６）で表される化合物を含む有機層、もしくは硫酸ナトリウムや硫酸マグネシウム等で脱水後の有機層を、減圧下で溶媒留去することによって該化合物を得ることができる。また、要求される純度に応じて、得られた該化合物を、再結晶、再沈殿、溶媒洗浄、蒸留等にて精製することが可能である。

再結晶、再沈殿、溶媒洗浄を行う際に使用する溶媒は、一般式（６）で表される化合物が分解されない限りにおいて特に制限されることはない。
再結晶、再沈殿、溶媒洗浄に使用する溶媒の具体例として、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール系溶媒、ヘプタン、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶媒、および水等が挙げられる。これらの溶媒は単独、或いは２種類以上を任意の割合で混合して使用することができる。

溶媒の使用量は、目的とする収量、純度に合わせて設定すればよく、特に制限されることはない。通常、一般式（６）で表される化合物の重量に対して１倍以上４０倍以下の重量が好ましい。

次に、塩基性条件下で、一般式（５）で表される化合物と水とを反応させて、一般式（６）で表される化合物に変換する加水分解反応について記載する。

水の使用量は、一般式（５）で表される化合物に対して２当量以上あれば、特に限定されることはない。この際、水は溶媒としても利用することができる。溶媒としての使用量は、前記の当量数を満たしていれば特に限定されることはない。通常、その上限は一般式（５）で表される化合物に対して４０倍以下の重量である。

使用する塩基は、反応が進行する限りにおいて特に制限を設けるものではなく、有機塩基、無機塩基である。

有機塩基の具体例として、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド等の金属アルコキシド、ジイソプロピルアミン等の２級アミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン等の３級アミン、ピリジン、コリジン、ルチジン、および４−ジメチルアミノピリジン等の芳香族アミン等が挙げられる。

無機塩基の具体例として、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム等が挙げられる。

これらの塩基は、単独で使用することもできるし、２種類以上を任意の割合で混合することも可能である。

塩基の使用量は、目的とする反応が進行する限りにおいて特に限定されることはない。通常、一般式（５）で表される化合物に対して０．１当量以上２０当量以下とすることができる。

反応には溶媒を使用することができる。使用する溶媒は、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、および水等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で使用することもできるが、２種類以上を任意の割合で混合することも可能である。

溶媒の使用量は、特に限定されることはない。通常、一般式（５）で表される化合物の重量に対して、３倍以上４０倍以下の重量が好ましい。

反応温度に関しては、目的とする反応が進行すれば特に制限を設けるものではないが、通常、０℃以上１５０℃以下、もしくは溶媒の沸点以下とすることができる。

塩基性条件下で得られる一般式（６）で表される化合物を含む反応混合物を後処理する方法は、目的物である一般式（６）で表される化合物が分解されない限りにおいて、特に制限されることがない。以下、後処理方法の具体例を述べる。

塩基性条件下、一般式（５）で表される化合物と水とを反応させることによって得られる一般式（６）で表される化合物は、反応混合物中では塩の状態で存在する。その塩が反応混合物中で析出する場合は析出物を濾取すればよい。一方、塩が析出しない場合は、水と分離可能な有機溶媒を加えて分液することにより、不純物を除去することが可能である。分液操作の前には、減圧下で溶媒を留去することや、水もしくは有機溶媒を追加することができる。

濾取して得られた塩、分液精製した反応混合物に含まれる塩、或いは未処理の反応混合物中に含まれる塩に対して、酸を加えることにより、一般式（６）で表される化合物に変換することができる。

添加する酸は、メタンスルホン酸、スルホン酸等の有機酸や、塩酸、臭化水素酸、硫酸等の無機酸等が挙げられる。

酸の使用量は、反応に使用した塩基と発生するアンモニアの総和したモル数に対して１当量あれば、特に制限されることはない。

酸添加によって調製された一般式（６）で表される化合物の取り出し方法に関しては、反応混合物から該化合物が析出する場合は析出物を濾取すればよい。また、析出に関係なく、該化合物を有機溶媒で抽出することもできる。抽出した有機層を減圧下で溶媒留去することによって、該化合物が得られる。減圧留去の前には、硫酸ナトリウムや硫酸マグネシウム等で脱水を行うことが可能である。こうして得られた該化合物は、要求される純度に応じて、再結晶、再沈殿、溶媒洗浄、蒸留等の精製を行うことが可能である。

再結晶、再沈殿、溶媒洗浄を行う際に使用する溶媒は、一般式（６）で表される化合物が分解されない限りにおいて特に制限されることはない。

再結晶、再沈殿、溶媒洗浄に使用する溶媒の具体例として、水、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール系溶媒、ヘプタン、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、およびアセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶媒等が挙げられる。これらの溶媒は単独、或いは２種類以上を任意の割合で混合して使用することができる。

溶媒の使用量は、目的とする収量、純度に合わせて設定すればよく、特に限定されることはない。通常、一般式（６）で表される化合物の重量に対して１倍以上４０倍以下の重量が好ましい。

本加水分解反応は、Ｒ１が水素を表す化合物群に好ましく適合できる。さらに好ましくは、Ｒｆはトリフルオロメチル基またはジフルオロメチル基であり、Ｒ１は水素であり、Ｒ４は炭素数１〜６のアルキル基である化合物群に好ましく適合できる。

以上に示した方法によって、含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法、及び該含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体を利用した含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法を提供することが可能になった。

以下に実施例により、本発明を更に詳細に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

以下、３−ジメチルアミノ−アクリロニトリルを化合物（Ｉ）、３−（ジメチルアミノ）−２−トリフルオロアセチルアクリロニトリルを化合物（ＩＩ）、３−トリフルオロメチル−１Ｈ−ピラゾール−４−カルボニトリルを化合物（ＩＩＩ）、１−メチル−３−トリフルオロメチル−１Ｈ−ピラゾール−４−カルボニトリルを化合物（ＩＶ）、１−メチル−３−（トリフルオロメチル）−１Ｈ−ピラゾール−４−カルボン酸を化合物（Ｖ）、高速液体クロマトグラフィーをＨＰＬＣと称する。
［実施例１］トリフルオロ酢酸とホスゲンによる化合物（ＩＩ）の合成

窒素雰囲気下、９５重量％の化合物（Ｉ） ４．６５ｇとトリエチルアミン ９．３０ｇを含むトルエン ８０ｍｌに氷冷下でトリフルオロ酢酸 ５．２４ｇを滴下した。次いで、ホスゲン ５．００ｇを含むトルエン ４０ｍｌを滴下した。滴下終了後、室温まで昇温し、２時間攪拌した。反応液に窒素を１時間通気した後に、ＨＰＬＣによって反応収率を観測すると、化合物（ＩＩ）は定量的に生成していた。次に、水 １２０ｍｌを加えて分液した後に、有機層を飽和重曹水 １２０ｍｌで洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。硫酸ナトリウムを除去した後に減圧下で溶媒留去を行い、残渣にイソプロピルエーテルを加えて攪拌した。析出物を濾取し、得られた淡褐色固体は化合物（ＩＩ） ７．３２ｇ（収率８３％）であった。
化合物（ＩＩ）の物質データ
^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） δ３．３８ （１Ｈ， ｓ）， ３．５８ （１Ｈ， ｓ）， ７．９６ （１Ｈ， ｓ）．
¹³Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） δ３９．４５， ４８．８９， ７５．０８， １１６．０３， １１６．６９（ｑ，Ｊ＝２９０．４Ｈｚ）， １５９．６１， １７６．２５（ｑ，Ｊ＝３４．３Ｈｚ）．
ＩＲ（ｃｍ^−１） １１４０， １１８６， １６２４， ２２１０．
融点 ６８．４−６９．３℃

［実施例２］化合物（ＩＩＩ）の合成

氷冷下、９８重量％ヒドラジン１水和物 １．６０ｇを含むエタノール ２０ｍｌに対して、実施例１と同様の操作で得られた化合物（ＩＩ） ５．０ｇを含むエタノール６０ｍｌを滴下した。室温で５時間撹拌した後に、減圧下で濃縮を行なった。残渣に酢酸エチルと水を加えて分液し、分離した有機層に硫酸マグネシウムを加えた。乾燥剤を濾別し、減圧下で濃縮を行なった。残渣にヘキサンとジイソプロピルエーテルを加えて撹拌し、析出物を濾取した。得られた淡黄色の固体は、表題の化合物（ＩＩＩ） ３．５９ｇであった。

化合物（ＩＩＩ）の物質データ
^１Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ_６） δ８．９０ （１Ｈ，ｓ）．
¹³Ｃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） δ８９．１３， １１１．５０， １２０．３１ （ｑ， Ｊ＝２６９．６Ｈｚ）， １３８．４０， １４２．２ （ｑ， Ｊ＝３８．０Ｈｚ）．

［実施例３］化合物（ＩＶ）の合成 その１

化合物（ＩＩＩ） ２．０ｇと炭酸カリウム ２．０６ｇを含むＤＭＦ ２０ｍｌに、ジメチル硫酸 １．８８ｇを滴下した後に、８０℃で２時間撹拌した。室温まで冷却し、反応混合物をＨＰＬＣにて観測すると化合物（ＩＶ）が収率７９％で生成していた。次いで、析出物を濾別し、濾液を減圧下で濃縮した後に、残渣に水と酢酸エチルを加えて分液した。分離した有機層をさらに水洗した後に、硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。乾燥剤を除去し、減圧下で乾燥して表題の化合物（ＩＶ） １．９０ｇを純度８５．９％の黄色油状物質として得た。収率 ７５％。

物質データ（ＩＶ）
^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） δ４．０３ （３Ｈ，ｓ）， ７．９１ （１Ｈ，ｓ）．

［実施例４］化合物（Ｖ）の合成

実施例３で得た化合物（ＩＶ） １．８７ｇ（純度換算すると１．６１ｇ）を水酸化ナトリウム ２．３６ｇを含む水 １５ｍｌに加えて、周囲温度１００℃で３時間撹拌した。室温まで冷却した後に、濃塩酸で反応混合液を酸性にした。析出物を濾過し、表題の化合物（Ｖ） １．７３ｇを淡黄色固体として得た。収率 ９７％。

［実施例５］化合物（ＩＶ）の合成 その２
化合物（ＩＩＩ） ０．５ｇと炭酸カリウム ０．５１ｇを含む炭酸ジメチル ５ｍｌを９０℃で７．５時間反応した。室温まで冷却した後に、反応混合液をＨＰＬＣにて観測すると、化合物（ＩＶ）が収率７６％で生成していた。

［実施例６］化合物（ＩＶ）の合成 その３
化合物（ＩＩＩ） ０．５ｇと炭酸リチウム ０．２７ｇを含むＤＭＦ ５ｍｌを加えて８０℃で３０分間撹拌した。室温まで冷却した後に、ジメチル硫酸３５２μｌを滴下して、８０℃で３時間反応した。室温まで冷却した後に、反応混合物をＨＰＬＣにて観測すると、化合物（ＩＶ）が６５％で生成していた。

［実施例７］化合物（ＩＶ）の合成 その４
炭酸リチウムを炭酸ナトリウムにして、実施例６と同様に反応を行なった。反応混合物をＨＰＬＣにて観測すると、化合物（ＩＶ）が８３％で生成していた。

［実施例８］化合物（ＩＶ）の合成 その４
炭酸リチウムを炭酸セシウムにして、実施例６と同様に反応を行なった。反応混合物をＨＰＬＣにて観測すると、化合物（ＩＶ）が８０％で生成していた。

本発明によって、含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造、及び該含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体を利用した含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造が可能になった。本方法は、大量生産を実施する上で問題となる試剤を使用しない上、操作が簡便であるので、工業的製造方法としても適している。また、含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体から誘導することのできる含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体は、農園芸用殺菌剤等の重要な原料になりうる。以上より、医薬及び農薬分野において、本発明の有用性は非常に高く、産業上の利用可能性は高い。

Claims (15)

1. 一般式（１）
   

   

   （１）
   （式中、Ｒｆは少なくとも１つのフッ素原子で置換されている炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｘはハロゲン原子、水酸基、またはカルボニルオキシ基を表す。）で表される化合物と、一般式（２）
   

   

   （２）
   （式中、Ｒ１は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または置換されてもよいアリールアルキル基を表し、Ｒ２とＲ３はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、置換されてもよいアリールアルキル基、もしくは炭素数１〜６の置換されてもよいアシル基、または、Ｒ２とＲ３とが結合する窒素原子とヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表す。）で表される化合物を反応させて得られる、一般式（３）
   

   

   （３）
   （式中、Ｒｆ、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は前記と同義である。）で表される化合物とヒドラジンを反応させる工程を含む、一般式（４）
   

   

   （４）
   （式中、ＲｆとＲ１は前記と同義である。）で表される含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
2. Ｒ１が水素原子であり、Ｒ２とＲ３はそれぞれ独立して、炭素数１〜６のアルキル基、もしくは炭素数３〜６のシクロアルキル基、または、Ｒ２とＲ３とが結合する窒素原子とヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表す、請求項１に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
3. Ｒｆはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ２とＲ３はともにメチル基を表す、請求項２に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
4. 請求項１で得られた一般式（４）で表される化合物とアルキル化剤を反応させる工程をさらに含む、一般式（５）
   

   

   （５）
   （式中、ＲｆとＲ１は請求項１に記載のものと同義であり、Ｒ４は炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリールアルキル基を表す。）で表されるアルキル置換含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
5. Ｒ１が水素原子であり、Ｒ２とＲ３はそれぞれ独立して炭素数１〜６のアルキル基、もしくは炭素数３〜６のシクロアルキル基、または、Ｒ２とＲ３とが結合する窒素原子とヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表す、請求項４に記載のアルキル置換含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
6. Ｒｆはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ２とＲ３はともにメチル基を表し、Ｒ４は炭素数１〜６のアルキル基を表す、請求項５に記載のアルキル置換含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
7. 請求項４で得られた一般式（５）で表される化合物と水を反応させる工程をさらに含む、一般式（６）
   

   

   （６）
   （式中、Ｒｆ、Ｒ１及びＲ４は請求項４に記載のものと同義である。）で表される含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。
8. Ｒ１が水素原子であり、Ｒ２とＲ３はそれぞれ独立して炭素数１〜６のアルキル基、もしくは炭素数３〜６のシクロアルキル基、または、Ｒ２とＲ３とが結合する窒素原子とヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表す、請求項７に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。
9. Ｒｆはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ２とＲ３はともにメチル基を表し、Ｒ４は炭素数１〜６のアルキル基を表す、請求項８に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。
10. 一般式（３）
    

    

    （３）
    （式中、Ｒｆは少なくとも１つのフッ素原子で置換されている炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ１は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または置換されてもよいアリールアルキル基を表し、Ｒ２とＲ３はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、置換されてもよいアリールアルキル基、もしくは炭素数１〜６の置換されてもよいアシル基、または、Ｒ２とＲ３とが結合する窒素原子とヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表す。）で表される化合物とヒドラジンを反応させる工程を含む、一般式（４）
    

    

    （４）
    （式中、ＲｆとＲ１は前記と同義である。）で表される含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
11. Ｒ１が水素原子であり、Ｒ２とＲ３はそれぞれ独立して炭素数１〜６のアルキル基、もしくは炭素数３〜６のシクロアルキル基、または、Ｒ２とＲ３とが結合する窒素原子とヘテロ原子０〜１個とを含む５〜６員環を形成するのに必要な原子群を表す、請求項１０に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
12. Ｒｆはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ２とＲ３はともにメチル基を表す、請求項１１に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
13. 一般式（４）
    

    

    （４）
    （式中、Ｒｆは少なくとも１つのフッ素原子で置換されている炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ１は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または置換されてもよいアリールアルキル基を表す。）で表される化合物とアルキル化剤を反応させる工程を含む、一般式（５）
    

    

    （５）
    （式中、ＲｆとＲ１は前記と同義であり、Ｒ４は炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、置換されてもよいアリールアルキル基を表す。）で表されるアルキル置換含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
14. Ｒ１が水素原子である請求項１３に記載のアルキル置換含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
15. Ｒｆはトリフルオロメチル基を表す、請求項１４に記載のアルキル置換含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。