[go: up one dir, main page]

JP2009290180A - Ledパッケージ及びその製造方法 - Google Patents

Ledパッケージ及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2009290180A
JP2009290180A JP2008182882A JP2008182882A JP2009290180A JP 2009290180 A JP2009290180 A JP 2009290180A JP 2008182882 A JP2008182882 A JP 2008182882A JP 2008182882 A JP2008182882 A JP 2008182882A JP 2009290180 A JP2009290180 A JP 2009290180A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cavity
led package
lead
package according
led
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008182882A
Other languages
English (en)
Inventor
Dae Yeon Kim
デヨン キム
Hun Joo Hahm
フンジュ ハム
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electro Mechanics Co Ltd filed Critical Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Publication of JP2009290180A publication Critical patent/JP2009290180A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/858Means for heat extraction or cooling
    • H10H20/8585Means for heat extraction or cooling being an interconnection
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/8506Containers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/857Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/858Means for heat extraction or cooling
    • H10H20/8582Means for heat extraction or cooling characterised by their shape
    • H10W74/00
    • H10W90/756

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】モールド部の変色を防止してパッケージの信頼性を向上させると共に、光源の大きさを減らすことができるLEDパッケージ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】2層以上の金属層から構成され、キャビティが設けられた放熱部と、前記放熱部の一側に延在する第1のリードと、前記放熱部と分離されて設けられた第2のリードと、前記放熱部、前記第1のリード及び前記第2のリードを固定するモールド部と、前記キャビティ内に実装されたLEDチップと、前記LEDチップを保護するように、前記キャビティ内に充填された第1の充填材とを含むLEDパッケージを提供し、またその製造方法を提供する。
【選択図】 図2b

Description

本発明は、LEDパッケージ及びその製造方法に関するものであり、より詳しくは、2層以上の金属層から構成された放熱部にキャビティを設け、該キャビティ内にLEDチップを実装するLEDパッケージ及びその製造方法に関するものである。
一般に、発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)は、電流を流すことによって発光する半導体発光素子であって、典型的には、GaAsやGaN等の半導体からなるPN接合ダイオード(junction diode)において電気エネルギーを光エネルギーに変えるものである。
このようなLEDから出る光の領域は、赤(630nm〜700nm)から青紫(400nm)に至り、青、緑及び白までも含んでいる。該LEDは白熱電球及び蛍光灯のような既存の光源に比べて、低電力消費、高効率、長時間動作寿命などの長所を有しており、その需要が増加の一途を辿っている。
最近、LEDは、モバイル端末の小型照明を始めて室内外の一般照明、自動車照明、大型LCD(Liquid Crystal Display)用バックライト(Backlight)に至るまで、その適用範囲が段々拡大している。
LEDをバックライトに適用するには、光学厚さを十分に下げることが必要になる。そのためには、パッケージ出射光の光指向角を確保しなければならないが、該パッケージの大きさを最小化しつつ光指向角を確保するために、光源の大きさも最小化が求められる。
また、LEDを照明に適用するには、出射効率を高めるためにレンズを用いる必要があるが、光源が大きいほど、ブルズアイ(bull‘s eye)のような方向に依存した色座標/色温度特性に違いが生じ得る。これを克服するためには、やはり光源の大きさの最小化が求められる。
従来は、光源の大きさを小さくするため、樹脂材質のモールド部にマイクロキャビティ(microcavity)を形成し、該マイクロキャビティ内にLEDチップを実装しているが、この場合、樹脂材質のモールド面が長時間高温及び高出力に晒されることによって、変色してしまい、その結果としてパッケージの輝度が低下して寿命が減るという不都合がある。このような不都合は、該パッケージの大きさが小さいほど顕著になる恐れがある。
従って、本発明は上記の問題点に鑑みて成されたものであって、本発明の主な目的は、2層以上の金属層から構成された放熱部にキャビティを設け、該キャビティ内にLEDチップを実装することによって、モールド部の変色を防止してパッケージの信頼性を向上させると共に、光源の大きさを減らすことができるLEDパッケージ及びその製造方法を提供することである。
上記目的を解決するために、本発明の好適な実施の形態によるLEDパッケージは、2層以上の金属層から構成され、キャビティが設けられた放熱部と、前記放熱部の一側に延在する第1のリードと、前記放熱部と分離された第2のリードと、前記放熱部、前記第1のリード及び前記第2のリードを固定するモールド部と、前記キャビティ内に実装されたLEDチップと、前記LEDチップを保護するべく前記キャビティ内に充填された第1の充填材とを含む。
ここで、前記放熱部の2層以上の金属層は、一つの金属板材を折り畳むことで構成することができる。
また、前記放熱部が2層の金属層から構成される場合、前記キャビティは前記放熱部の上層の金属層に設けられることができる。
また、前記放熱部が3層以上の金属層から構成される場合、前記キャビティは前記放熱部の最下層の金属層の上面が露出するように複数の金属層に亘って設けられるか、または前記放熱部の最下層の金属層を含む2層以上の金属層の上面が露出するように設けられることができる。
また、前記キャビティは、内部に傾斜面を有してもよい。また、前記LEDチップと前記第2のリードとを接続するワイヤがさらに含まれてもよい。また、前記モールド部は、前記キャビティより大きい開口部を有してもよい。また、前記開口部内に充填された第2の充填材がさらに含まれてもよい。
また、前記モールド部の上部面に結合したレンズがさらに含まれてもよい。また、前記キャビティを含む前記放熱部、前記第1のリード及び前記第2のリードの表面に、Agからなる反射部材が設けられてもよい。
また、上記目的を解決するために、本発明の他の好適な実施の形態によるLEDパッケージの製造方法は、一側に延在する第1のリード及び他側に分離され設けられる第2のリードを有する放熱部を提供するステップと、前記放熱部の一部分にキャビティを加工するステップと、前記キャビティの設けられた部分が最上層に位置するように前記放熱部を折り畳んで2層以上の金属層を形成するステップと、前記放熱部、前記第1のリード及び前記第2のリードを一体に固定するようにモールド部を設けるステップと、前記キャビティ内にLEDチップを実装するステップと、前記LEDチップと前記第2のリードとをワイヤボンディングで接続するステップと、前記キャビティ内に第1の充填材を満たすステップとを含む。
ここで、前記放熱部の一部分にキャビティを加工するステップにおいて、前記キャビティの内部に傾斜面に設けてもよい。
また、前記モールド部を設けるステップにおいて、前記モールド部内に前記キャビティより大きい開口部を設けてもよい。
また、前記第1の充填材を満たすステップの後に、前記開口部内に第2の充填材を満たすステップがさらに含まれてもよい。
また、前記第2の充填材を満たすステップの後に、前記モールド部の上部面にレンズを結合するステップがさらに含まれてもよい。
以上で説明した通り、本発明によるLEDパッケージ及びその製造方法によれば、2層以上の金属層から構成された放熱部にキャビティを設け、該キャビティ内にLEDチップを実装することによって、パッケージの輝度が低下することを防止し、パッケージ寿命を延長させると共に、高出力パッケージに適用することができるという効果を奏する。
また、本発明によれば、前記キャビティの大きさを最小化しても、パッケージの輝度及び寿命に支障がないので、光源の大きさを最小化することができるという長所がある。
本発明のさらに他の目的、本発明によって得られる利点は、以下において図面を参照して説明される実施の形態から一層明らかにされる。
以下に、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態によるLEDパッケージについて説明する。
まず、図1は本発明の実施の形態によるLEDパッケージの構造を示した断面図であり、図2aは、本発明の実施の形態によるLEDパッケージの放熱部を示した展開図であり、図2bは、本発明の実施の形態によるLEDパッケージの放熱部を示した斜視図である。
本発明の実施の形態によるLEDパッケージは、図1に示すように、キャビティ(cavity)105が設けられた放熱部100と、放熱部100の一側に延在する第1のリード110と、放熱部100の他側に分離されて設けられた第2のリード120と、放熱部100、第1のリード110及び第2のリード120を固定するモールド部130と、キャビティ105内に実装されたLEDチップ140とを含む。
LEDチップ140と第2のリード120とは、ワイヤ145のボンディングで電気的に接続されることができる。
キャビティ105内には、LEDチップ140を保護する第1の充填材150が充填されている。第1の充填材150は光の透光性に優れた透光性樹脂、例えばシリコーン樹脂またはエポキシ樹脂などから成ることができる。
また、第1の充填材150には、本LEDパッケージをバックライトユニットの白色光源として利用できるように、少なくとも一つ以上の蛍光体を含めることができる。具体的には、LEDチップ140の発光時に、LEDチップ140を構成する半導体素材の違いによって発生するR、G、B波長帯の光が、第1の充填材150に含まれた前記蛍光体によって白色光としてパッケージから出力される。
モールド部130は、樹脂材質からなることができる。また、モールド部130内には、LEDチップ140から発せられた光を外部に取り出すことができるように、開口部135が備えられている。この開口部135はキャビティ105より大きいことが望ましい。
モールド部130の開口部135内には、第2の充填材155が充填されてもよい。第2の充填材155は、シリコーン樹脂またはエポキシ樹脂などの透光性樹脂からなることができる。
モールド部130の上部面には、LEDチップ140から発せられた光を外部に広い指向角で取り出すレンズ160が取り付けられることができる。
本発明の実施の形態によるLEDパッケージにおいて、放熱部100は2層以上の金属層101、102から構成することができる。特に、この放熱部100において、2層以上の金属層101、102は、一つの金属板材を折り畳むことによって形成されることができる。
図2a及び図2bに示すように、放熱部100が2層の金属層101、102から構成される場合、上層の金属層102の下面が下層の金属層101の上面に接するように折り線(F)に沿って折り畳まれ、LEDチップ140が実装されるキャビティ105は、放熱部100の上層の金属層102に設けられる。
図3aは、本発明の実施の形態によるLEDパッケージの放熱部の他の実施の形態を示した展開図であり、図3bは本発明の実施の形態によるLEDパッケージの放熱部の他の実施の形態を示した斜視図である。
放熱部100は、図3a及び図3bに示すように、3層の金属層から構成される場合には、上層の金属層102の下面が中間層の金属層103の上面に接するように折り線(F)に沿って折り畳まれ、下層の金属層101の上面が前記中間層の金属層103の下面に接するように他の折り線(F)に沿って折り畳まれる。
このように、放熱部100が3層の金属層から構成される場合、キャビティ105は図3aに示すように、放熱部100の上層の金属層102にのみ設けることができるが、上層の金属層102と中間層の金属層103の両方に設けることもできる。ただし、下層の金属層101にはLEDチップ140が実装できるように、キャビティ105が形成されないようにすることが望ましい。
即ち、放熱部100が3層以上の金属層から構成される場合、キャビティ105は、放熱部100を構成する金属層のうち、最下層の金属層の上面が露出するように、複数の金属層に亘って設けられるか、または放熱部100を構成する金属層のうち、最下層の金属層を含む2層以上の金属層の上面が露出するように設けられることができる。
キャビティ105に実装されたLEDチップ140の発光時に発生する熱は、前記金属層からなる放熱部100を通じて外部に放出することができる。そのため、放熱部100は熱伝導性に優れた金属、例えば銅、銀、アルミニウム、鉄、ニッケル及びタングステンなどから成ることが望ましい。
キャビティ105は、LEDチップ140から発生する光を外部に効果的に放出することができるように、その内部に傾斜面が設けられることが望ましい。
キャビティ105を含む放熱部100の表面に、Agなどから成る反射部材(図示せず)を更に形成することで、LEDチップ140から発せられる光の反射効率を一層高めることができる。前記反射部材は、第1のリード110及び第2のリード120の表面にも共に設けられることができる。
前述のような本発明の実施の形態によるLEDパッケージによれば、金属層から構成された放熱部100内に設けられたキャビティ105にLEDチップ140が実装されることによって、LEDチップ140から発せられる光の大部分が、前記樹脂材質のモールド部130でなく、前記金属材質のキャビティ105の内部面で反射され、外部に取り出される。
このような本発明の実施の形態によるLEDパッケージは、前記金属材質のキャビティ105の内部面が高温にて長時間露出しても変色が容易に生じなく、パッケージの輝度が低下することを防止し、パッケージ寿命を延長させると共に、高出力パッケージへ適用することができるという長所がある。
また、本発明の実施の形態によるLEDパッケージでは、LEDチップ140の実装される空間であるキャビティ105の大きさによって光源の大きさが限定されるが、キャビティ105の大きさを最小化しても、パッケージの輝度及び寿命に支障がないので、光源の大きさを最小化することができる。
以下に、図4〜図10を参照して、本発明の他の実施の形態によるLEDパッケージの製造方法について詳細に説明する。
図4〜図10は、本発明の実施の形態によるLEDパッケージの製造方法を説明するために順次示した工程断面図である。まず、図4に示すように、一側に延在する第1のリード110及び他側に分離されて設けられた第2のリード120を有する放熱部100を提供する。ここで、放熱部100は、図2a及び図3aに示すように、2層またはそれ以上の金属層を備えるように折り畳まれる一つの金属板材形態で提供されてもよい。
続いて、図5に示すように、放熱部100の一部分にキャビティ105を加工する。このキャビティ105は、打ち抜き、またはエッチングなどの方式で加工でき、その内部に傾斜面を設けることが望ましい。
続いて、図6に示すように、キャビティ105の設けられた部分が最上層に位置するように放熱部100を折り畳んで、2層以上の金属層101、102を形成する。
続いて、図7に示すように、放熱部100、第1のリード110及び第2のリード120を一体に固定するようにモールド部130を設ける。
モールド部130は、樹脂物を用いて金型または押出方式などにより成形でき、モールド部130の成形時、キャビティ105より大きい開口部135が設けられるようにする。
その後、図8に示すように、キャビティ105内にLEDチップ140を実装した後、LEDチップ140と第2のリード120とをワイヤ145のボンディングで互いに電気的に接続する。
続いて、図9に示すように、キャビティ105内に第1の充填材150を満たし、開口部135内に第2の充填材155を満たす。第1の充填材150及び第2の充填材155は透光性樹脂からなってもよく、第1の充填材150には蛍光体が含まれてもよい。
続いて、図10に示すように、モールド部130の上部面に、レンズ160を取り付ける。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明の実施の形態によるLEDパッケージの構造を示した断面図である。 本発明の実施の形態によるLEDパッケージの放熱部を示した展開図である。 本発明の実施の形態によるLEDパッケージの放熱部を示した斜視図である。 本発明の実施の形態によるLEDパッケージの放熱部の他の実施の形態を示した展開図である。 本発明の実施の形態によるLEDパッケージの放熱部の他の実施の形態を示した斜視図である。 本発明の他の実施の形態によるLEDパッケージの製造方法を説明するために順次示した工程断面図である。 同じく、LEDパッケージの製造方法を説明するために順次示した工程断面図である。 同じく、LEDパッケージの製造方法を説明するために順次示した工程断面図である。 同じく、LEDパッケージの製造方法を説明するために順次示した工程断面図である。 同じく、LEDパッケージの製造方法を説明するために順次示した工程断面図である。 同じく、LEDパッケージの製造方法を説明するために順次示した工程断面図である。 同じく、LEDパッケージの製造方法を説明するために順次示した工程断面図である。
符号の説明
100 放熱部
101 金属層
102 金属層
103 金属層
105 キャビティ
110 第1のリード
120 第2のリード
130 モールド部
135 開口部
140 LEDチップ
145 ワイヤ
150 第1の充填材
155 第2の充填材
160 レンズ

Claims (17)

  1. 2層以上の金属層から構成され、キャビティが設けられた放熱部と、
    前記放熱部の一側に延在する第1のリードと、
    前記放熱部と分離された第2のリードと、
    前記放熱部、前記第1のリード及び前記第2のリードを固定するモールド部と、
    前記キャビティ内に実装されたLEDチップと、
    前記LEDチップを保護するように、前記キャビティ内に充填された第1の充填材と、
    を含むことを特徴とするLEDパッケージ。
  2. 前記放熱部の2層以上の金属層は、一つの金属板材を折り畳むことで構成されたことを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
  3. 前記放熱部が2層の金属層から構成される場合、
    前記キャビティは、前記放熱部の上層の金属層に設けられることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
  4. 前記放熱部が3層以上の金属層から構成される場合、
    前記キャビティは、前記放熱部の最下層の金属層の上面が露出するように複数の金属層に亘って設けられることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
  5. 前記放熱部が3層以上の金属層から構成される場合、
    前記キャビティは、前記放熱部の最下層の金属層を含む2層以上の金属層の上面が露出するように設けられることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
  6. 前記キャビティは内部に傾斜面を有していることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
  7. 前記LEDチップと前記第2のリードとを接続するワイヤをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
  8. 前記モールド部は、前記キャビティより大きい開口部を有することを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
  9. 前記開口部内に充填された第2の充填材をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載のLEDパッケージ。
  10. 前記モールド部の上部面に取り付けられるレンズをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
  11. 前記キャビティを含む前記放熱部、前記第1のリード及び前記第2のリードの各表面に、反射部材が設けられることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
  12. 前記反射部材は、Agからなることを特徴とする請求項11に記載のLEDパッケージ。
  13. 一側に延在する第1のリード及び他側に分離されて設けられる第2のリードを有する放熱部を提供するステップと、
    前記放熱部の一部分にキャビティを加工するステップと、
    前記キャビティの設けられた部分が最上層に位置するように、前記放熱部を折り畳んで2層以上の金属層を形成するステップと、
    前記放熱部、前記第1のリード及び前記第2のリードを一体に固定するように、モールド部を設けるステップと、
    前記キャビティ内にLEDチップを実装するステップと、
    前記LEDチップと前記第2のリードとをワイヤボンディングで接続するステップと、
    前記キャビティ内に第1の充填材を満たすステップと、
    を含むことを特徴とするLEDパッケージの製造方法。
  14. 前記放熱部の一部分にキャビティを加工するステップにおいて、
    前記キャビティの内部に傾斜面に設けることを特徴とする請求項13に記載のLEDパッケージの製造方法。
  15. 前記モールド部を設けるステップにおいて、
    前記モールド部内に、前記キャビティより大きい開口部を設けることを特徴とする請求項13に記載のLEDパッケージの製造方法。
  16. 前記第1の充填材を満たすステップの後に、
    前記開口部内に第2の充填材を満たすステップをさらに含むことを特徴とする請求項13に記載のLEDパッケージの製造方法。
  17. 前記第2の充填材を満たすステップの後に、
    前記モールド部の上部面にレンズを取り付けるステップをさらに含むことを特徴とする請求項16に記載のLEDパッケージの製造方法。
JP2008182882A 2008-05-29 2008-07-14 Ledパッケージ及びその製造方法 Pending JP2009290180A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080050050A KR101088910B1 (ko) 2008-05-29 2008-05-29 Led 패키지 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009290180A true JP2009290180A (ja) 2009-12-10

Family

ID=41378664

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008182882A Pending JP2009290180A (ja) 2008-05-29 2008-07-14 Ledパッケージ及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20090294793A1 (ja)
JP (1) JP2009290180A (ja)
KR (1) KR101088910B1 (ja)
TW (1) TW200950145A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101138442B1 (ko) 2010-04-20 2012-04-26 우리엘이디 주식회사 발광소자
JP2013069972A (ja) * 2011-09-26 2013-04-18 Dainippon Printing Co Ltd 光半導体装置用反射部材付リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム基板、光半導体装置、および、光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法、並びに、光半導体装置の製造方法
JP2013089905A (ja) * 2011-10-21 2013-05-13 Dainippon Printing Co Ltd 光半導体装置用反射部材付リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム基板、光半導体装置、および、光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法、並びに、光半導体装置の製造方法
JP2013518415A (ja) * 2010-01-25 2013-05-20 ヴィシャイ スプレイグ,インコーポレイテッド 金属基板電子素子成分パッケージ、およびその製造方法
JP2017069458A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
WO2017145923A1 (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 Shマテリアル株式会社 半導体素子搭載用基板、半導体装置及び光半導体装置、並びにそれらの製造方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8598612B2 (en) * 2010-03-30 2013-12-03 Micron Technology, Inc. Light emitting diode thermally enhanced cavity package and method of manufacture
JP5528900B2 (ja) * 2010-04-30 2014-06-25 ローム株式会社 発光素子モジュール
TWI451605B (zh) * 2011-03-08 2014-09-01 隆達電子股份有限公司 具有金屬反射面與散熱塊之發光二極體結構
CN103931006B (zh) * 2011-11-11 2017-03-01 日立金属株式会社 发光元件用衬底、发光组件和发光组件的制造方法
JP5569558B2 (ja) * 2012-06-06 2014-08-13 第一精工株式会社 電気部品用ハウジング
KR101403247B1 (ko) * 2013-01-31 2014-06-02 선순요 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법
KR101509073B1 (ko) * 2013-05-16 2015-04-07 한국생산기술연구원 발광다이오드 패키지 프레임
KR20170064673A (ko) * 2015-12-02 2017-06-12 (주)포인트엔지니어링 칩기판

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006339639A (ja) * 2005-05-30 2006-12-14 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 高出力ledパッケージおよびその製造方法
JP2007027765A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 側面放出型二重レンズ構造ledパッケージ
JP2007049149A (ja) * 2005-08-08 2007-02-22 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 熱伝達部に凹部が形成されたledパッケージ

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL151491B (nl) * 1966-09-30 1976-11-15 Philips Nv Verbrandingsflitslamp.
WO2004001862A1 (ja) * 2002-06-19 2003-12-31 Sanken Electric Co., Ltd. 半導体発光装置及びその製法並びに半導体発光装置用リフレクタ
KR20040092512A (ko) * 2003-04-24 2004-11-04 (주)그래픽테크노재팬 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치
JP4138586B2 (ja) * 2003-06-13 2008-08-27 スタンレー電気株式会社 光源用ledランプおよびこれを用いた車両用前照灯
US20050225222A1 (en) * 2004-04-09 2005-10-13 Joseph Mazzochette Light emitting diode arrays with improved light extraction
JP4359195B2 (ja) * 2004-06-11 2009-11-04 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
KR100587017B1 (ko) * 2005-02-23 2006-06-08 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
KR100616684B1 (ko) * 2005-06-03 2006-08-28 삼성전기주식회사 고출력 led 패키지 및 그 제조방법
KR100649765B1 (ko) * 2005-12-21 2006-11-27 삼성전기주식회사 엘이디 패키지 및 이를 이용한 백라이트유닛
JP2010506006A (ja) * 2006-10-03 2010-02-25 ライトスケイプ マテリアルズ,インク. 金属ケイ酸塩ハロゲン化物燐光体及びそれを使用するled照明デバイス

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006339639A (ja) * 2005-05-30 2006-12-14 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 高出力ledパッケージおよびその製造方法
JP2007027765A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 側面放出型二重レンズ構造ledパッケージ
JP2007049149A (ja) * 2005-08-08 2007-02-22 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 熱伝達部に凹部が形成されたledパッケージ

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013518415A (ja) * 2010-01-25 2013-05-20 ヴィシャイ スプレイグ,インコーポレイテッド 金属基板電子素子成分パッケージ、およびその製造方法
KR101138442B1 (ko) 2010-04-20 2012-04-26 우리엘이디 주식회사 발광소자
JP2013069972A (ja) * 2011-09-26 2013-04-18 Dainippon Printing Co Ltd 光半導体装置用反射部材付リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム基板、光半導体装置、および、光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法、並びに、光半導体装置の製造方法
JP2013089905A (ja) * 2011-10-21 2013-05-13 Dainippon Printing Co Ltd 光半導体装置用反射部材付リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレーム基板、光半導体装置、および、光半導体装置用反射部材付リードフレームの製造方法、並びに、光半導体装置の製造方法
JP2017069458A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
WO2017145923A1 (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 Shマテリアル株式会社 半導体素子搭載用基板、半導体装置及び光半導体装置、並びにそれらの製造方法
JP2017152588A (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 Shマテリアル株式会社 半導体素子搭載用基板、半導体装置及び光半導体装置、並びにそれらの製造方法
TWI636541B (zh) * 2016-02-25 2018-09-21 Ohkuchi Materials Co., Ltd. 半導體元件搭載用基板、半導體裝置及光半導體裝置、以及該等之製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20090294793A1 (en) 2009-12-03
KR20090124053A (ko) 2009-12-03
TW200950145A (en) 2009-12-01
KR101088910B1 (ko) 2011-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009290180A (ja) Ledパッケージ及びその製造方法
KR101365621B1 (ko) 열 방출 슬러그들을 갖는 발광 다이오드 패키지
JP3976063B2 (ja) 発光装置
CN101714597B (zh) 用于制造发光二极管封装的方法
CN100472818C (zh) 发光装置
CN100539134C (zh) 照明装置
TW200843130A (en) Package structure of a surface-mount high-power light emitting diode chip and method of making the same
JP2005243973A (ja) 発光装置および照明装置
CN102751272A (zh) 半导体发光组件及其制造方法
CN203839374U (zh) 发光装置
TW201347240A (zh) 發光裝置封裝件
JP2006049814A (ja) 発光装置および照明装置
JP4808550B2 (ja) 発光ダイオード光源装置、照明装置、表示装置及び交通信号機
KR101018119B1 (ko) Led 패키지
JP2009010308A (ja) 発光装置
KR20100003469A (ko) Led 패키지
US9093281B2 (en) Luminescence device
JP4010340B2 (ja) 発光装置
JP5484544B2 (ja) 発光装置
JP4679917B2 (ja) 半導体発光装置
KR101053049B1 (ko) 엘이디 패키지
CN100438093C (zh) 发光器件
JP2006237571A (ja) 発光ダイオード装置
KR20110131429A (ko) 발광소자 및 이의 제조방법
JP7512012B2 (ja) 光半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20091126

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20100107

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20100108

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20100714

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100827

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110518

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110524

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110824

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110829

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110922

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120131

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120531

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20120607

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20120713

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20120814

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20121114

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20121119

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20121120