JP2009276174A - 測定方法、測定プログラムおよび測定装置 - Google Patents
測定方法、測定プログラムおよび測定装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009276174A JP2009276174A JP2008126893A JP2008126893A JP2009276174A JP 2009276174 A JP2009276174 A JP 2009276174A JP 2008126893 A JP2008126893 A JP 2008126893A JP 2008126893 A JP2008126893 A JP 2008126893A JP 2009276174 A JP2009276174 A JP 2009276174A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- comparison
- variable resistor
- comparison result
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【解決手段】可変抵抗の予め定められた可変パターンに従って変化する可変抵抗の電圧と、基準となる第1の電圧との大小をそれぞれ比較する工程と、第1の電圧による比較結果を格納手段に格納する工程と、可変抵抗の電圧と、第1の電圧とは異なる第2の電圧との大小をそれぞれ比較する工程と、第2の電圧による比較結果を格納手段に格納する工程と、第1の電圧による比較結果と、第2の電圧による比較結果とに基づき、可変抵抗の抵抗値を特定する工程とを有する。
【選択図】図11
Description
この試験装置として、一般的には、DCユニットを用いた直流電流測定や直流電圧測定が知られている。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、試験時間の短縮を図ることができる測定方法、測定プログラムおよび測定装置を提供することを目的とする。
(1)可変抵抗の予め定められた可変パターンに従って変化する可変抵抗の電圧と、基準となる第1の電圧との大小をそれぞれ比較する工程。
(3)可変抵抗の電圧と、第1の電圧とは異なる第2の電圧との大小をそれぞれ比較する工程。
(5)第1の電圧による比較結果と、第2の電圧による比較結果とに基づき、可変抵抗の抵抗値を特定する工程。
比較部は、抵抗値の変化に応じて信号出力端子から出力される値の異なる出力電圧を、抵抗値の変化を区別し得る比較用電圧とそれぞれ比較する。これにより、例えば、ある部分を境に比較部から出力される論理が切り替わる。
図1は、システムの構成を示す図である。
試験システム30は、LSI回路10に試験装置(テスター)20が着脱可能に電気的に接続されている。
各ドライブ回路11は、それぞれ、入出力ドライバD1と、インピーダンス整合用抵抗Raとを有している。
インピーダンス整合用抵抗Raは、対応する入出力ドライバD1の出力端子B1に接続された外部装置とのインピーダンスを調整する。
具体的には、図1では、各出力端子B1は、それぞれ試験装置20に接続されており、ドライブ回路11、11、・・・の出力値は、出力端子B1、B1、・・・を介して試験装置20に入力される。
図2は、ドライブ回路の回路構成を示す図である。
PチャネルトランジスタP1のソース電極は、VDD端子に接続され、NチャネルトランジスタN1のソース電極は、GND端子に接続されている。
プルダウン抵抗RP1は、一端がGND端子に接続され、他端がスイッチSW1に接続された抵抗R1と、一端がGND端子に接続され、他端がスイッチSW2に接続された抵抗R2と、一端がGND端子に接続され、他端がスイッチSW3に接続された抵抗R3とが並列に接続されている。
プルアップ抵抗RP2は、一端がVDD端子に接続され、他端がスイッチSW4に接続された抵抗R4と、一端がVDD端子に接続され、他端がスイッチSW5に接続された抵抗R5と、一端がVDD端子に接続され、他端がスイッチSW6に接続された抵抗R6とが並列に接続されている。
スイッチSW1〜SW6は、一端がそれぞれ抵抗R1〜R6に接続され、他端が入出力ドライバD1の出力に接続されている。
図3は、試験装置の回路構成を示す図である。
テスト回路21は、LSI回路10のドライブ回路11毎に設けられる。図3では1つのドライブ回路11について説明しているため、1つのテスト回路21を図示している。
ドライバD2は、抵抗R1を介して出力端子B1に接続されている。
測定部22は、インピーダンス調整機能の試験に際し、LSI回路10に対して電圧VDDを出力し、コンパレータCMP1、CMP2に対して駆動電圧および比較用電圧を出力する。
図4は、測定部のハードウェア構成例を示す図である。
以上のような回路構成によって、本実施の形態の処理機能を実現することができる。このような回路構成のシステムにおいてインピーダンス調整機能の試験を行うために、測定部22内には、以下のような機能が設けられる。
測定部22は、比較用電圧出力部221と、テストパターン格納部222と、テストパターン信号出力部223と、比較結果電圧取得部224と、比較結果電圧格納部225と、期待値判定テーブル格納部226と、期待値判定部227と、結果出力部228とを有している。
テストパターン信号出力部223は、テストパターン格納部222に格納されているテストパターンに従って、制御端子A1〜A6、並びに入出力ドライバD1が備えるPチャネルトランジスタP1およびNチャネルトランジスタN1へのテストパターン信号(PチャネルトランジスタP1およびNチャネルトランジスタN1においてはゲート信号に相当)を出力する。
比較結果電圧格納部225は、比較結果電圧取得部224が取得した比較結果電圧を格納する。
期待値判定部227は、比較用電圧出力部221が出力した比較用電圧と、比較結果電圧格納部225に格納された比較結果電圧と、期待値判定テーブル格納部226に格納されているテーブルとに基づいて、テストパターン信号出力部223が出力したテストパターンに応じた比較結果が得られているか否かを判定する。
次に、テストパターン格納部222のデータ構成について説明する。テストパターン格納部222では、データがテーブル化されて格納されている。
テストパターンテーブル222aには、試験アドレス、制御端子、PチャネルトランジスタおよびNチャネルトランジスタの欄が設けられており、横方向に並べられた情報同士が互いに関連づけられている。
PチャネルトランジスタおよびNチャネルトランジスタの欄には、それぞれ、PチャネルトランジスタおよびNチャネルトランジスタのON/OFFパターン(0または1)が格納されている。
図7は、比較結果電圧テーブルのデータ構造例を示す図である。
各比較結果電圧テーブル225aには、それぞれ試験アドレスおよび端子番号の欄が設けられており、横方向に並べられた情報同士が互いに関連づけられている。
端子番号の欄には、ドライブ回路11の出力端子B1を識別する番号p1〜p7が設けられている。例えば、図1中、上側の出力端子B1が番号p1に対応しており、下側の出力端子B1が番号p2に対応している。
次に、期待値判定テーブル格納部226のデータ構成について説明する。
期待値判定テーブル226aには、試験アドレスおよびコンパレートレベルの欄が設けられており、横方向に並べられた情報同士が互いに関連づけられている。
コンパレートレベルの欄には、インピーダンス整合用抵抗Raの分解能に応じた複数のコンパレートレベル(図8では1〜7)が設けられている。
図9では、「コンパレートレベル2」に対応する比較用電圧と、試験アドレスの変化に応じてコンパレータCMP1、CMP2の入力端子に印加される電圧との関係を図示している。
次に、測定部22の処理を説明する。
まず、比較用電圧出力部221が、決定したコンパレートレベルに応じた比較用電圧をコンパレータCMP1、CMP2に出力する(ステップS1)。
他のコンパレートレベルが存在しない場合(ステップS4のNo)、期待値判定部227が、比較結果電圧テーブル225aに格納された値を、期待値判定テーブル226aに格納されている期待値と比較し、一致するか否かを判定する(ステップS5)。
以上で、測定部22の処理を説明の説明を終了する。
次に、測定部22の処理の具体例を、図7に示す比較結果電圧テーブル225aを用いて説明する。
そして、テストパターンテーブル222aに格納されているテストパターン信号を、アドレス1からアドレス6まで順次出力する。
なお、試験装置20によれば、LSI回路10の端子数およびインピーダンス整合用抵抗Raが備える抵抗の組み合わせが増加する程、試験時間短縮の効果も増大する。
なお、本発明の測定方法は、前述したDDR2 SDRAMの他に、例えばPCIエキスプレス(Express)を備えるLSI等に適用することができる。
11 ドライブ回路
20 試験装置
21 テスト回路
22 測定部
22a CPU
22b RAM
22c ROM
22d 電源
30 試験システム
221 比較用電圧出力部
222 テストパターン格納部
222a テストパターンテーブル
223 テストパターン信号出力部
224 比較結果電圧取得部
225 比較結果電圧格納部
225a 比較結果電圧テーブル
226 期待値判定テーブル格納部
226a 期待値判定テーブル
227 期待値判定部
228 結果出力部
CMP1、CMP2 コンパレータ
A、A1〜A6 制御端子
B1 出力端子
D1 入出力ドライバ
Ra インピーダンス整合用抵抗
Rref 終端抵抗
Claims (8)
- 電子回路に含まれる可変抵抗の抵抗値を測定する測定方法において、
前記可変抵抗の予め定められた可変パターンに従って変化する前記可変抵抗の電圧と、基準となる第1の電圧との大小をそれぞれ比較する工程と、
前記第1の電圧による比較結果を格納手段に格納する工程と、
前記可変抵抗の電圧と、前記第1の電圧とは異なる第2の電圧との大小をそれぞれ比較する工程と、
前記第2の電圧による比較結果を前記格納手段に格納する工程と、
前記第1の電圧による比較結果と、前記第2の電圧による比較結果とに基づき、前記可変抵抗の抵抗値を特定する工程と、
を有することを特徴とする測定方法。 - 前記抵抗値を特定する工程は、前記第1の電圧による比較結果および前記第2の電圧による比較結果を、それぞれ予め用意された判定用の値と比較する工程を有することを特徴とする請求項1記載の測定方法。
- 前記可変抵抗は、前記電子回路のインピーダンス整合用の抵抗素子であることを特徴とする請求項1記載の測定方法。
- 電子回路に含まれる可変抵抗の抵抗値を測定する測定プログラムにおいて、
コンピュータに、
前記可変抵抗の予め定められた可変パターンに従って変化する前記可変抵抗の電圧と、基準となる第1の電圧との大小をそれぞれ比較する工程、
前記第1の電圧による比較結果を格納手段に格納する工程、
前記可変抵抗の電圧と、前記第1の電圧とは異なる第2の電圧との大小をそれぞれ比較する工程、
前記第2の電圧による比較結果を前記格納手段に格納する工程、
前記第1の電圧による比較結果と、前記第2の電圧による比較結果とに基づき、前記可変抵抗の抵抗値を特定する工程、
を実行させることを特徴とする測定プログラム。 - 電子回路の信号出力端子のインピーダンスを調整する可変抵抗を試験する測定装置において、
前記可変抵抗の抵抗値を変化させる複数のパターン信号を出力するパターン信号出力部と、
前記抵抗値の変化に応じて前記信号出力端子から出力される値の異なる出力電圧を、前記抵抗値の変化を区別し得る比較用電圧とそれぞれ比較する比較部と、
前記比較部が比較したそれぞれの結果が、前記比較用電圧の大きさに応じて予め用意された結果と一致しているか否かを判定する判定部と、
を有することを特徴とする測定装置。 - 前記比較用電圧は複数用意されており、
前記比較部は、前記抵抗値の変化に応じて前記信号出力端子から出力される値の異なる出力電圧を、複数の前記比較用電圧とそれぞれ比較することを特徴とする請求項5記載の測定装置。 - 前記可変抵抗は、抵抗値の異なる複数の抵抗素子を有しており、
前記パターン信号は、前記複数の抵抗素子のうちいずれか1つの抵抗を用いる信号であり、
前記各比較用電圧は、それぞれ前記可変抵抗の分解能に応じた電圧であることを特徴とする請求項6記載の測定装置。 - 前記比較用電圧を前記比較部に出力する比較用電圧出力部をさらに有することを特徴とする請求項5記載の測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008126893A JP2009276174A (ja) | 2008-05-14 | 2008-05-14 | 測定方法、測定プログラムおよび測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008126893A JP2009276174A (ja) | 2008-05-14 | 2008-05-14 | 測定方法、測定プログラムおよび測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009276174A true JP2009276174A (ja) | 2009-11-26 |
Family
ID=41441748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008126893A Pending JP2009276174A (ja) | 2008-05-14 | 2008-05-14 | 測定方法、測定プログラムおよび測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2009276174A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2024514723A (ja) * | 2022-03-25 | 2024-04-03 | チャンシン メモリー テクノロジーズ インコーポレイテッド | 制御方法、半導体メモリ及び電子機器 |
| JP2024514720A (ja) * | 2022-03-25 | 2024-04-03 | チャンシン メモリー テクノロジーズ インコーポレイテッド | 制御方法、半導体メモリ及び電子機器 |
| JP2024514722A (ja) * | 2022-03-25 | 2024-04-03 | チャンシン メモリー テクノロジーズ インコーポレイテッド | 制御方法、半導体メモリ及び電子機器 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62237367A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-17 | Rohm Co Ltd | ハイ・インピ−ダンス機能素子を備えた論理回路の測定装置 |
| JPS6337267A (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-17 | Nec Corp | デイジタル出力レベル検出回路 |
| JPH03237365A (ja) * | 1990-02-14 | 1991-10-23 | Fujitsu Ltd | 抵抗値測定装置 |
| JPH1130649A (ja) * | 1997-07-10 | 1999-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体回路のテスト方法及びテスト装置 |
| JPH11264856A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-09-28 | Fujitsu Ltd | 試験用抵抗回路を備えた終端抵抗回路および終端抵抗回路の試験方法 |
| JP2002093198A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-03-29 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
2008
- 2008-05-14 JP JP2008126893A patent/JP2009276174A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62237367A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-17 | Rohm Co Ltd | ハイ・インピ−ダンス機能素子を備えた論理回路の測定装置 |
| JPS6337267A (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-17 | Nec Corp | デイジタル出力レベル検出回路 |
| JPH03237365A (ja) * | 1990-02-14 | 1991-10-23 | Fujitsu Ltd | 抵抗値測定装置 |
| JPH1130649A (ja) * | 1997-07-10 | 1999-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体回路のテスト方法及びテスト装置 |
| JPH11264856A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-09-28 | Fujitsu Ltd | 試験用抵抗回路を備えた終端抵抗回路および終端抵抗回路の試験方法 |
| JP2002093198A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-03-29 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2024514723A (ja) * | 2022-03-25 | 2024-04-03 | チャンシン メモリー テクノロジーズ インコーポレイテッド | 制御方法、半導体メモリ及び電子機器 |
| JP2024514720A (ja) * | 2022-03-25 | 2024-04-03 | チャンシン メモリー テクノロジーズ インコーポレイテッド | 制御方法、半導体メモリ及び電子機器 |
| JP2024514722A (ja) * | 2022-03-25 | 2024-04-03 | チャンシン メモリー テクノロジーズ インコーポレイテッド | 制御方法、半導体メモリ及び電子機器 |
| JP7490792B2 (ja) | 2022-03-25 | 2024-05-27 | チャンシン メモリー テクノロジーズ インコーポレイテッド | 制御方法、半導体メモリ及び電子機器 |
| JP7490790B2 (ja) | 2022-03-25 | 2024-05-27 | チャンシン メモリー テクノロジーズ インコーポレイテッド | 制御方法、半導体メモリ及び電子機器 |
| JP7513730B2 (ja) | 2022-03-25 | 2024-07-09 | チャンシン メモリー テクノロジーズ インコーポレイテッド | 制御方法、半導体メモリ及び電子機器 |
| US12230348B2 (en) | 2022-03-25 | 2025-02-18 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Control method, semiconductor memory, and electronic device |
| US12254942B2 (en) | 2022-03-25 | 2025-03-18 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Control method, semiconductor memory, and electronic device |
| US12380961B2 (en) | 2022-03-25 | 2025-08-05 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Control method, semiconductor memory, and electronic device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111863048B (zh) | 存储器参考电压的确定电路、方法、存储器和电子设备 | |
| TWI407129B (zh) | 可調式電壓比較電路及可調式電壓檢測裝置 | |
| CN103187098B (zh) | 用于动态随机存取存储器的去耦电容值校准装置及方法 | |
| JP2009276174A (ja) | 測定方法、測定プログラムおよび測定装置 | |
| KR102409926B1 (ko) | 테스트 장치 및 이를 포함하는 테스트 시스템 | |
| WO1997004328A1 (fr) | Analyseur de defauts de memoire pour dispositif de controle de memoire a semi-conducteurs | |
| KR100933814B1 (ko) | 온 다이 터미네이션 테스트 장치 및 온 다이 터미네이션테스트 방법 | |
| US7607055B2 (en) | Semiconductor memory device and method of testing the same | |
| JP4558648B2 (ja) | 試験装置 | |
| JP2005276317A (ja) | 試験装置及び試験方法 | |
| CN111210865A (zh) | 一种低电压sram时间参数的片上测量电路及测量方法 | |
| CN107436379B (zh) | 用于测试模拟信号的系统 | |
| US10623011B2 (en) | Successive approximation analog-to-digital converter and calibration method thereof | |
| KR100824141B1 (ko) | 반도체 메모리 소자 | |
| CN1694362B (zh) | 集成电路中信号可调整的延迟线 | |
| JP5151988B2 (ja) | テスト回路と方法並びに半導体装置 | |
| US20040100840A1 (en) | Integrated circuit device with a built-in detecting circuit for detecting maximum memory access time of an embedded memory | |
| JP2004530243A (ja) | メモリセルの構造試験 | |
| US7360128B2 (en) | Method of testing memory device | |
| US9509311B2 (en) | Semiconductor device and operation method thereof | |
| JPH1021150A (ja) | メモリテスト回路 | |
| KR102071331B1 (ko) | 누설 전류 테스트 기능을 갖는 반도체 회로 및 누설 전류 테스트 시스템 | |
| CN102269778B (zh) | 可调式电压比较电路及可调式电压检测装置 | |
| TWI862453B (zh) | Dram中閘控脈衝信號的校正方法和裝置以及電子設備和非暫態電腦可讀儲存媒體 | |
| JP2004020503A (ja) | 半導体試験装置または半導体装置の検査方法または半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110222 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120209 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120214 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120409 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120807 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120927 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121204 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130228 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130307 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20130621 |