JP2009276174A - Measurement method, measurement program, and measuring device - Google Patents
Measurement method, measurement program, and measuring device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009276174A JP2009276174A JP2008126893A JP2008126893A JP2009276174A JP 2009276174 A JP2009276174 A JP 2009276174A JP 2008126893 A JP2008126893 A JP 2008126893A JP 2008126893 A JP2008126893 A JP 2008126893A JP 2009276174 A JP2009276174 A JP 2009276174A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- comparison
- variable resistor
- comparison result
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【課題】試験時間の短縮を図ること。
【解決手段】可変抵抗の予め定められた可変パターンに従って変化する可変抵抗の電圧と、基準となる第1の電圧との大小をそれぞれ比較する工程と、第1の電圧による比較結果を格納手段に格納する工程と、可変抵抗の電圧と、第1の電圧とは異なる第2の電圧との大小をそれぞれ比較する工程と、第2の電圧による比較結果を格納手段に格納する工程と、第1の電圧による比較結果と、第2の電圧による比較結果とに基づき、可変抵抗の抵抗値を特定する工程とを有する。
【選択図】図11[PROBLEMS] To shorten test time.
A step of comparing the magnitude of a voltage of a variable resistor that changes according to a predetermined variable pattern of the variable resistor with a reference first voltage, and a comparison result by the first voltage in a storage means. A step of storing, a step of comparing the magnitudes of the voltage of the variable resistor and a second voltage different from the first voltage, a step of storing the comparison result by the second voltage in the storage means, And a step of specifying a resistance value of the variable resistor based on the comparison result by the second voltage and the comparison result by the second voltage.
[Selection] Figure 11
Description
本発明は測定方法、測定プログラムおよび測定装置に関し、特に、電子回路に含まれる可変抵抗の抵抗値を測定する測定方法、測定プログラムおよび測定装置に関する。 The present invention relates to a measurement method, a measurement program, and a measurement apparatus, and more particularly to a measurement method, a measurement program, and a measurement apparatus that measure a resistance value of a variable resistor included in an electronic circuit.
近年、データ伝送量の増大に伴い、デバイスの高速化や高速信号伝送として1Gbpsを超える帯域が普及しつつあり、高速信号の伝送品質を確保するために、LSI(Large Scale Integration circuit)に対しても様々な設計手法が取られている(例えば、特許文献1参照)。 In recent years, with the increase in data transmission volume, a band exceeding 1 Gbps is becoming widespread for high-speed device transmission and high-speed signal transmission. In order to ensure high-speed signal transmission quality, LSI (Large Scale Integration circuit) Also, various design techniques have been taken (see, for example, Patent Document 1).
LSIでは、出力タイミング上のずれを小さくするため、LSI内部の出力ドライバのインピーダンス値を調整することにより、出力信号のプルアップ抵抗とプルダウン抵抗値が等しくなるように電圧を補正する駆動能力切り替え機能を内蔵している。 In LSI, in order to reduce the deviation in output timing, by adjusting the impedance value of the output driver inside the LSI, the drive capability switching function that corrects the voltage so that the pull-up resistance and pull-down resistance of the output signal are equal Built in.
この機能は、例えば、DDR2 SDRAM(Double Data Rate 2 Synchronous DRAM(Random Access Memory))では、OCD(Off Chip Driver)機能として搭載されている。
製品出荷時等には、LSIが備える駆動能力切り替え機能が正常に動作しているかの試験を行う必要がある。
この試験装置として、一般的には、DCユニットを用いた直流電流測定や直流電圧測定が知られている。
At the time of product shipment or the like, it is necessary to test whether the drive capability switching function provided in the LSI is operating normally.
As this test apparatus, DC current measurement and DC voltage measurement using a DC unit are generally known.
しかしながら、駆動能力切り替え機能に用いられる抵抗は多段に亘る。また、LSIのSOC(System On Chip)化の要求により、LSIには、A/D変換器、D/A変換器、増幅器等、多様なアナログ回路が多数搭載され、メモリコントローラ(Memory Controller)回路やアナログ回路にも駆動能力切り替え機能が多数搭載されている。 However, the resistance used for the drive capability switching function is multistage. In response to the demand for LSI (System On Chip), LSIs are equipped with a variety of analog circuits such as A / D converters, D / A converters, and amplifiers, and memory controller circuits. And analog circuits are also equipped with many drive capability switching functions.
駆動能力切り替え機能を内蔵したLSIの機能を保証するためには、同時に測定できるDCユニットの数にもよるが、端子数分、プルアップ/プルダウン抵抗の段数分のDCユニットを用いた直流電流測定や直流電圧測定を繰り返す必要がある。また、SOC化された大規模LSIにおいては、端子数とプルアップ/プルダウンの段数の組み合わせが何百通りにもなる。 In order to guarantee the function of an LSI with a built-in drive capability switching function, DC current measurement using DC units equal to the number of terminals and the number of stages of pull-up / pull-down resistors depends on the number of DC units that can be measured simultaneously. It is necessary to repeat DC voltage measurement. Also, in a large-scale LSI that has been made into an SOC, there are hundreds of combinations of the number of terminals and the number of stages of pull-up / pull-down.
従って、DCユニットを用いた直流電流測定や直流電圧測定では、試験時間の増大が問題となっている。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、試験時間の短縮を図ることができる測定方法、測定プログラムおよび測定装置を提供することを目的とする。
Therefore, in DC current measurement and DC voltage measurement using a DC unit, an increase in test time is a problem.
The present invention has been made in view of these points, and an object of the present invention is to provide a measurement method, a measurement program, and a measurement apparatus that can shorten the test time.
上記目的を達成するために、電子回路に含まれる可変抵抗の抵抗値を測定する測定方法が提供される。この測定方法は、以下の工程の実行により実現される。
(1)可変抵抗の予め定められた可変パターンに従って変化する可変抵抗の電圧と、基準となる第1の電圧との大小をそれぞれ比較する工程。
In order to achieve the above object, a measurement method for measuring the resistance value of a variable resistor included in an electronic circuit is provided. This measurement method is realized by executing the following steps.
(1) A step of comparing the magnitude of the voltage of the variable resistor that changes in accordance with a predetermined variable pattern of the variable resistor and the first voltage as a reference.
(2)第1の電圧による比較結果を格納手段に格納する工程。
(3)可変抵抗の電圧と、第1の電圧とは異なる第2の電圧との大小をそれぞれ比較する工程。
(2) A step of storing the comparison result by the first voltage in the storage means.
(3) A step of comparing the magnitudes of the voltage of the variable resistor and the second voltage different from the first voltage.
(4)第2の電圧による比較結果を格納手段に格納する工程。
(5)第1の電圧による比較結果と、第2の電圧による比較結果とに基づき、可変抵抗の抵抗値を特定する工程。
(4) A step of storing the comparison result by the second voltage in the storage means.
(5) A step of specifying a resistance value of the variable resistor based on the comparison result by the first voltage and the comparison result by the second voltage.
また、上記目的を達成するために、電子回路の信号出力端子のインピーダンスを調整する可変抵抗を試験する測定装置が提供される。この測定装置は、パターン信号出力部と、比較部と、判定部とを有する。 In order to achieve the above object, a measuring device for testing a variable resistor that adjusts the impedance of a signal output terminal of an electronic circuit is provided. This measuring apparatus includes a pattern signal output unit, a comparison unit, and a determination unit.
パターン信号出力部は、可変抵抗の抵抗値を変化させる複数のパターン信号を出力する。
比較部は、抵抗値の変化に応じて信号出力端子から出力される値の異なる出力電圧を、抵抗値の変化を区別し得る比較用電圧とそれぞれ比較する。これにより、例えば、ある部分を境に比較部から出力される論理が切り替わる。
The pattern signal output unit outputs a plurality of pattern signals for changing the resistance value of the variable resistor.
The comparison unit compares an output voltage having a different value output from the signal output terminal in accordance with a change in the resistance value with a comparison voltage that can distinguish the change in the resistance value. Thereby, for example, the logic output from the comparison unit is switched at a certain part.
判定部は、比較部が比較したそれぞれの結果が、比較用電圧の大きさに応じて予め用意された結果と一致しているか否かを判定する。例えば、論理の切り替わり部分が予め用意された結果の切り替わり部分と一致しているか否かを判定する。 The determination unit determines whether each result compared by the comparison unit matches a result prepared in advance according to the magnitude of the comparison voltage. For example, it is determined whether or not the logic switching portion matches the switching portion of the result prepared in advance.
判定部の判定結果により可変抵抗が正常に動作しているか否かを判断することができる。 It can be determined whether or not the variable resistor is operating normally based on the determination result of the determination unit.
開示の測定方法、測定プログラムおよび測定装置によれば、それぞれ電圧の大小の比較で可変抵抗の抵抗値を特定するようにしたので、試験時間の短縮を図ることができる。 According to the disclosed measurement method, measurement program, and measurement apparatus, the resistance value of the variable resistor is specified by comparing the magnitudes of the voltages, so that the test time can be shortened.
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
図1は、システムの構成を示す図である。
試験システム30は、LSI回路10に試験装置(テスター)20が着脱可能に電気的に接続されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram showing a system configuration.
In the test system 30, a test apparatus (tester) 20 is detachably connected to the
LSI回路10は、試験対象となる回路であり、それぞれ等しい構成をなすドライブ回路(I/O回路)11、11、・・・を有している。
各ドライブ回路11は、それぞれ、入出力ドライバD1と、インピーダンス整合用抵抗Raとを有している。
The
Each
入出力ドライバD1は、LSI回路10内部で生成された信号を、バスラインを介して出力する。また、外部からの信号を、バスラインを介して入力する。
インピーダンス整合用抵抗Raは、対応する入出力ドライバD1の出力端子B1に接続された外部装置とのインピーダンスを調整する。
The input / output driver D1 outputs a signal generated inside the
The impedance matching resistor Ra adjusts the impedance with an external device connected to the output terminal B1 of the corresponding input / output driver D1.
試験装置20は、インピーダンス整合用抵抗Raのインピーダンス調整機能が正しく動作するか否かを試験する。
具体的には、図1では、各出力端子B1は、それぞれ試験装置20に接続されており、ドライブ回路11、11、・・・の出力値は、出力端子B1、B1、・・・を介して試験装置20に入力される。
The
Specifically, in FIG. 1, each output terminal B <b> 1 is connected to the
試験装置20は、制御端子Aに信号を入力し、各出力端子B1から出力される信号を検査することで、インピーダンス整合用抵抗Raのインピーダンス調整機能が正しく動作するか否かを試験する。
The
以下、各ドライブ回路11の機能はそれぞれ等しいため、以下、1つのドライブ回路11について説明する。
図2は、ドライブ回路の回路構成を示す図である。
Hereinafter, since each
FIG. 2 is a diagram illustrating a circuit configuration of the drive circuit.
入出力ドライバD1は、PチャネルトランジスタP1およびNチャネルトランジスタN1を有している。
PチャネルトランジスタP1のソース電極は、VDD端子に接続され、NチャネルトランジスタN1のソース電極は、GND端子に接続されている。
The input / output driver D1 has a P-channel transistor P1 and an N-channel transistor N1.
The source electrode of the P-channel transistor P1 is connected to the VDD terminal, and the source electrode of the N-channel transistor N1 is connected to the GND terminal.
インピーダンス整合用抵抗Raは、プルダウン抵抗RP1およびプルアップ抵抗RP2を有している。
プルダウン抵抗RP1は、一端がGND端子に接続され、他端がスイッチSW1に接続された抵抗R1と、一端がGND端子に接続され、他端がスイッチSW2に接続された抵抗R2と、一端がGND端子に接続され、他端がスイッチSW3に接続された抵抗R3とが並列に接続されている。
The impedance matching resistor Ra has a pull-down resistor RP1 and a pull-up resistor RP2.
The pull-down resistor RP1 has one end connected to the GND terminal, the other end connected to the switch SW1, one end connected to the GND terminal, the other end connected to the switch SW2, and one end GND. A resistor R3 connected to the terminal and having the other end connected to the switch SW3 is connected in parallel.
抵抗R1には、1mAの抵抗分電流が流れ、抵抗R2には、2mAの抵抗分電流が流れ、抵抗R3には、4mAの抵抗分電流が流れる。
プルアップ抵抗RP2は、一端がVDD端子に接続され、他端がスイッチSW4に接続された抵抗R4と、一端がVDD端子に接続され、他端がスイッチSW5に接続された抵抗R5と、一端がVDD端子に接続され、他端がスイッチSW6に接続された抵抗R6とが並列に接続されている。
A resistance current of 1 mA flows through the resistor R1, a resistance current of 2 mA flows through the resistor R2, and a resistance current of 4 mA flows through the resistor R3.
The pull-up resistor RP2 has one end connected to the VDD terminal, the other end connected to the switch SW4, one end connected to the VDD terminal, the other end connected to the switch SW5, and one end connected to the switch SW5. A resistor R6, which is connected to the VDD terminal and has the other end connected to the switch SW6, is connected in parallel.
抵抗R4には、1mAの抵抗分電流が流れ、抵抗R5には、2mAの抵抗分電流が流れ、抵抗R6には、4mAの抵抗分電流が流れる。
スイッチSW1〜SW6は、一端がそれぞれ抵抗R1〜R6に接続され、他端が入出力ドライバD1の出力に接続されている。
A resistance current of 1 mA flows through the resistor R4, a resistance current of 2 mA flows through the resistor R5, and a resistance current of 4 mA flows through the resistor R6.
One end of each of the switches SW1 to SW6 is connected to the resistors R1 to R6, and the other end is connected to the output of the input / output driver D1.
スイッチSW1〜SW6は、それぞれ、制御端子A1〜A6(図1の制御端子Aに相当)から入力されるテストパターン信号によって切り替えられる。このテストパターン信号は、前述したように試験装置20が出力する。
The switches SW1 to SW6 are switched by test pattern signals input from control terminals A1 to A6 (corresponding to the control terminal A in FIG. 1), respectively. The
具体的には、制御端子A1から入力されるテストパターン信号でスイッチSW1の切り替えを行い、制御端子A2から入力されるテストパターン信号でスイッチSW2の切り替えを行い、制御端子A3から入力されるテストパターン信号でスイッチSW3の切り替えを行い、制御端子A4から入力されるテストパターン信号でスイッチSW4の切り替えを行い、制御端子A5から入力されるテストパターン信号でスイッチSW5の切り替えを行い、制御端子A6から入力されるテストパターン信号でスイッチSW6の切り替えを行うことができる。 Specifically, the switch SW1 is switched by the test pattern signal input from the control terminal A1, the switch SW2 is switched by the test pattern signal input from the control terminal A2, and the test pattern input from the control terminal A3. The switch SW3 is switched by the signal, the switch SW4 is switched by the test pattern signal input from the control terminal A4, the switch SW5 is switched by the test pattern signal input from the control terminal A5, and input from the control terminal A6. The switch SW6 can be switched by the test pattern signal.
スイッチを切り替えることにより、プルダウン抵抗RP1およびプルアップ抵抗RP2は、それぞれ分解能3ビット、すなわち8種類の抵抗値を作成することができる。
図3は、試験装置の回路構成を示す図である。
By switching the switches, the pull-down resistor RP1 and the pull-up resistor RP2 can each create a 3-bit resolution, that is, eight types of resistance values.
FIG. 3 is a diagram illustrating a circuit configuration of the test apparatus.
試験装置20は、テスト回路21と、測定部22とを有している。
テスト回路21は、LSI回路10のドライブ回路11毎に設けられる。図3では1つのドライブ回路11について説明しているため、1つのテスト回路21を図示している。
The
The test circuit 21 is provided for each
このテスト回路21は、ドライバD2と、終端抵抗Rrefと、2つのコンパレータCMP1、CMP2とを有している。
ドライバD2は、抵抗R1を介して出力端子B1に接続されている。
The test circuit 21 includes a driver D2, a termination resistor Rref, and two comparators CMP1 and CMP2.
The driver D2 is connected to the output terminal B1 via the resistor R1.
終端抵抗Rrefには、基準電圧Vrefが印加されている。この終端抵抗Rrefは、例えば50Ωの抵抗値を備えており、コンパレータCMP1、CMP2にて電圧比較できるように出力端子B1から出力される信号を電圧換算する。 A reference voltage Vref is applied to the termination resistor Rref. The termination resistor Rref has a resistance value of 50Ω, for example, and converts the signal output from the output terminal B1 into a voltage so that the comparators CMP1 and CMP2 can compare the voltages.
コンパレータCMP1、CMP2は、それぞれ終端抵抗Rrefに対して並列接続されており、トランジスタのON抵抗と、プルダウン抵抗RP1およびプルアップ抵抗RP2と、終端抵抗Rrefとにより分圧された分圧電圧を、コンパレータCMP1、CMP2の比較用電圧と比較する。 The comparators CMP1 and CMP2 are connected in parallel to the termination resistor Rref, respectively, and the divided voltage divided by the ON resistance of the transistor, the pull-down resistor RP1, the pull-up resistor RP2, and the termination resistor Rref is a comparator. Comparison is made with the comparison voltages of CMP1 and CMP2.
また、コンパレータCMP1は、Hi側の電圧を測定し、コンパレータCMP2は、Lo側の電圧を測定する。
測定部22は、インピーダンス調整機能の試験に際し、LSI回路10に対して電圧VDDを出力し、コンパレータCMP1、CMP2に対して駆動電圧および比較用電圧を出力する。
The comparator CMP1 measures the Hi side voltage, and the comparator CMP2 measures the Lo side voltage.
In the test of the impedance adjustment function, the
また、コンパレータCMP1、CMP2の比較結果電圧を取り込んで、LSI回路10のインピーダンス調整機能が正常に動作するか否かを判定する。
図4は、測定部のハードウェア構成例を示す図である。
Further, the comparison result voltages of the comparators CMP1 and CMP2 are taken in, and it is determined whether or not the impedance adjustment function of the
FIG. 4 is a diagram illustrating a hardware configuration example of the measurement unit.
測定部22は、CPU(Central Processing Unit)22aによって装置全体が制御されている。CPU22aには、RAM22b、ROM(Read Only Memory)22c、および電源22dが接続されている。
The
RAM22bには、CPU22aに実行させるプログラムの少なくとも一部が一時的に格納される。また、RAM22bには、CPU22aによる処理に必要な各種データが格納される。ROM22cには、プログラムファイル等が格納される。
The
電源22dは、各部に出力する電圧を生成する。
以上のような回路構成によって、本実施の形態の処理機能を実現することができる。このような回路構成のシステムにおいてインピーダンス調整機能の試験を行うために、測定部22内には、以下のような機能が設けられる。
The
With the circuit configuration as described above, the processing function of the present embodiment can be realized. In order to test the impedance adjustment function in a system having such a circuit configuration, the following functions are provided in the
図5は、測定部の機能を示すブロック図である。
測定部22は、比較用電圧出力部221と、テストパターン格納部222と、テストパターン信号出力部223と、比較結果電圧取得部224と、比較結果電圧格納部225と、期待値判定テーブル格納部226と、期待値判定部227と、結果出力部228とを有している。
FIG. 5 is a block diagram illustrating functions of the measurement unit.
The
比較用電圧出力部221は、コンパレータCMP1、CMP2に駆動電圧および比較用電圧を出力する。比較用電圧の電圧レベルは、後述するコンパレートレベルに対応している。
The comparison
テストパターン格納部222は、前述した複数のテストパターン信号を作成するためのテストパターンが格納されている。
テストパターン信号出力部223は、テストパターン格納部222に格納されているテストパターンに従って、制御端子A1〜A6、並びに入出力ドライバD1が備えるPチャネルトランジスタP1およびNチャネルトランジスタN1へのテストパターン信号(PチャネルトランジスタP1およびNチャネルトランジスタN1においてはゲート信号に相当)を出力する。
The test
The test pattern
このように、テストパターン信号出力部223は、制御端子A1〜A6に異なるパターンの電圧を出力することにより、プルダウン抵抗RP1およびプルアップ抵抗RP2の組み合わせを変化させることで、コンパレータCMP1、CMP2の比較結果電圧を変化させる。
As described above, the test pattern
比較結果電圧取得部224は、コンパレータCMP1、CMP2が出力する比較結果電圧を取得し、比較結果電圧格納部225に格納する。
比較結果電圧格納部225は、比較結果電圧取得部224が取得した比較結果電圧を格納する。
The comparison result
The comparison result
期待値判定テーブル格納部226は、期待値判定部227の判定用のデータを格納したテーブルを格納している。
期待値判定部227は、比較用電圧出力部221が出力した比較用電圧と、比較結果電圧格納部225に格納された比較結果電圧と、期待値判定テーブル格納部226に格納されているテーブルとに基づいて、テストパターン信号出力部223が出力したテストパターンに応じた比較結果が得られているか否かを判定する。
The expected value determination
The expected
結果出力部228は、期待値判定部227の判定結果を出力する。
次に、テストパターン格納部222のデータ構成について説明する。テストパターン格納部222では、データがテーブル化されて格納されている。
The
Next, the data configuration of the test
図6は、テストパターンテーブルのデータ構造例を示す図である。
テストパターンテーブル222aには、試験アドレス、制御端子、PチャネルトランジスタおよびNチャネルトランジスタの欄が設けられており、横方向に並べられた情報同士が互いに関連づけられている。
FIG. 6 is a diagram illustrating an example of the data structure of the test pattern table.
The test pattern table 222a has columns of test address, control terminal, P channel transistor and N channel transistor, and pieces of information arranged in the horizontal direction are associated with each other.
試験アドレスの欄には、制御端子、PチャネルトランジスタおよびNチャネルトランジスタに出力するテストパターン信号の種別を識別する名前(アドレス1〜アドレス6)が格納されている。
In the test address column, names (
制御端子の欄には、制御端子A1〜A6に出力する電圧のパターン(0または1)が格納されている。
PチャネルトランジスタおよびNチャネルトランジスタの欄には、それぞれ、PチャネルトランジスタおよびNチャネルトランジスタのON/OFFパターン(0または1)が格納されている。
In the control terminal column, voltage patterns (0 or 1) output to the control terminals A1 to A6 are stored.
In the column of the P channel transistor and the N channel transistor, ON / OFF patterns (0 or 1) of the P channel transistor and the N channel transistor are stored, respectively.
次に、比較結果電圧格納部225のデータ構成について説明する。比較結果電圧格納部225では、データがテーブル化されて格納されている。
図7は、比較結果電圧テーブルのデータ構造例を示す図である。
Next, the data structure of the comparison result
FIG. 7 is a diagram illustrating a data structure example of the comparison result voltage table.
比較結果電圧テーブル225aは、比較用電圧出力部221が出力する比較用電圧の電圧レベルの個数、すなわち、コンパレートレベルに対応して複数個設けられている。
各比較結果電圧テーブル225aには、それぞれ試験アドレスおよび端子番号の欄が設けられており、横方向に並べられた情報同士が互いに関連づけられている。
A plurality of comparison result voltage tables 225a are provided corresponding to the number of voltage levels of the comparison voltage output from the comparison
Each comparison result voltage table 225a has columns of test address and terminal number, and information arranged in the horizontal direction is associated with each other.
試験アドレスの欄には、テストパターンテーブル222aの試験アドレスの欄と同じアドレス名が格納されている。
端子番号の欄には、ドライブ回路11の出力端子B1を識別する番号p1〜p7が設けられている。例えば、図1中、上側の出力端子B1が番号p1に対応しており、下側の出力端子B1が番号p2に対応している。
The same address name as the test address column of the test pattern table 222a is stored in the test address column.
In the terminal number column, numbers p1 to p7 for identifying the output terminal B1 of the
これら各欄には、テストパターン信号の出力に応じてコンパレータCMP1、CMP2から出力された比較結果電圧の論理(「H」または「L」)がそれぞれ格納される。
次に、期待値判定テーブル格納部226のデータ構成について説明する。
Each of these columns stores the logic (“H” or “L”) of the comparison result voltage output from the comparators CMP1 and CMP2 in accordance with the output of the test pattern signal.
Next, the data structure of the expected value determination
図8は、期待値判定テーブルのデータ構造例を示す図である。
期待値判定テーブル226aには、試験アドレスおよびコンパレートレベルの欄が設けられており、横方向に並べられた情報同士が互いに関連づけられている。
FIG. 8 is a diagram illustrating a data structure example of the expected value determination table.
The expected value determination table 226a is provided with test address and comparison level columns, and pieces of information arranged in the horizontal direction are associated with each other.
試験アドレスの欄には、テストパターンテーブル222aの試験アドレスの欄に対応するアドレス名が格納されている。
コンパレートレベルの欄には、インピーダンス整合用抵抗Raの分解能に応じた複数のコンパレートレベル(図8では1〜7)が設けられている。
In the test address column, address names corresponding to the test address column of the test pattern table 222a are stored.
In the column of the comparator level, a plurality of comparator levels (1 to 7 in FIG. 8) corresponding to the resolution of the impedance matching resistor Ra are provided.
各コンパレートレベルには、比較用電圧出力部221が、コンパレータCMP1、CMP2に出力する比較用電圧の値に応じてコンパレータCMP1、CMP2からの出力が期待される論理(期待値)がアドレス毎に格納されている。
At each comparator level, the logic (expected value) expected to be output from the comparators CMP1 and CMP2 in accordance with the value of the comparison voltage output by the comparison
図9および図10は、コンパレートレベルの具体例を示す図である。
図9では、「コンパレートレベル2」に対応する比較用電圧と、試験アドレスの変化に応じてコンパレータCMP1、CMP2の入力端子に印加される電圧との関係を図示している。
9 and 10 are diagrams showing specific examples of the comparison level.
FIG. 9 illustrates the relationship between the comparison voltage corresponding to “
図9に示すように、「コンパレートレベル2」の場合、アドレス3のテストパターン信号を出力したときのみ、出力結果が「コンパレートレベル2」の電圧を下回ることになる(下回るような比較用電圧に設定されている)ため、コンパレータCMP2によって「L」が出力される。残りのアドレスのテストパターン信号を出力した場合は、出力結果が「コンパレートレベル2」の電圧を上回ることになるため、コンパレータCMP1によって「H」が出力される。
As shown in FIG. 9, in the case of “
図10では、「コンパレートレベル4」に対応する比較用電圧と、試験アドレスの変化に応じてコンパレータCMP1、CMP2の入力端子に印加される電圧との関係を図示している。
FIG. 10 illustrates the relationship between the comparison voltage corresponding to “
図10に示すように、「コンパレートレベル4」の場合、アドレス1、アドレス2、およびアドレス3のテストパターン信号を出力した場合、出力結果が「コンパレートレベル4」の電圧を下回ることになるため、コンパレータCMP2によって「L」が出力される。アドレス4、アドレス5、およびアドレス6のテストパターン信号を出力した場合、出力結果が「コンパレートレベル4」の電圧を上回ることになるため、コンパレータCMP1によって「H」が出力される。
As shown in FIG. 10, in the case of “
これらの結果を期待値と比較することによって、インピーダンス整合用抵抗Raが正しく動作しているか否かを判断することができる。
次に、測定部22の処理を説明する。
By comparing these results with expected values, it can be determined whether or not the impedance matching resistor Ra is operating correctly.
Next, the process of the
図11は、測定部の処理を示すフローチャートである。
まず、比較用電圧出力部221が、決定したコンパレートレベルに応じた比較用電圧をコンパレータCMP1、CMP2に出力する(ステップS1)。
FIG. 11 is a flowchart showing the processing of the measurement unit.
First, the comparison
次に、テストパターン信号出力部223が、テストパターンテーブル222aに格納されている試験アドレスのテストパターン信号を、アドレス番号の小さいものから順に、制御端子A1〜A6、PチャネルトランジスタP1およびNチャネルトランジスタN1に対して出力する(ステップS2)。
Next, the test pattern
比較結果電圧取得部224は、テストパターン信号が出力される度に、コンパレータCMP1、CMP2から出力された比較結果電圧の論理を、比較結果電圧テーブル225aに順次格納していく(ステップS3)。
Each time the test pattern signal is output, the comparison result
全てのテストパターン信号の出力に対する比較結果電圧の論理の格納が終了すると、比較用電圧出力部221は、他のコンパレートレベルが存在するか否かを判断する(ステップS4)。
When the storage of the logic of the comparison result voltage for all the test pattern signal outputs is completed, the comparison
他のコンパレートレベルが存在する場合(ステップS4のYes)、ステップS1に移行し、他のコンパレートレベルを決定し、ステップS1以降の処理を継続して行う。
他のコンパレートレベルが存在しない場合(ステップS4のNo)、期待値判定部227が、比較結果電圧テーブル225aに格納された値を、期待値判定テーブル226aに格納されている期待値と比較し、一致するか否かを判定する(ステップS5)。
When another comparison level exists (Yes in step S4), the process proceeds to step S1, another comparison level is determined, and the processing after step S1 is continuously performed.
When there is no other comparison level (No in step S4), the expected
次に、判定結果を出力する(ステップS6)。
以上で、測定部22の処理を説明の説明を終了する。
次に、測定部22の処理の具体例を、図7に示す比較結果電圧テーブル225aを用いて説明する。
Next, the determination result is output (step S6).
Above, description of description of the process of the
Next, a specific example of the processing of the
まず、比較用電圧出力部221が、「コンパレートレベル4」に対応する比較用電圧をコンパレータCMP1、CMP2に出力する。
そして、テストパターンテーブル222aに格納されているテストパターン信号を、アドレス1からアドレス6まで順次出力する。
First, the comparison
Then, the test pattern signals stored in the test pattern table 222a are sequentially output from
図10に示したように、「コンパレートレベル4」の場合、アドレス1、アドレス2、およびアドレス3のテストパターン信号を出力した場合、コンパレータCMP2によって「L」が出力される。アドレス4、アドレス5、およびアドレス6のテストパターン信号を出力した場合、コンパレータCMP1によって「H」が出力される。比較結果電圧テーブル225aの端子番号の欄には、試験アドレスに応じた論理が順次格納されていく。
As shown in FIG. 10, in the case of “
測定が終了すると、期待値判定部227が、比較結果電圧テーブル225aに格納された値を、図8に示す期待値判定テーブル226aに格納されている「コンパレートレベル4」の期待値と比較し、一致するか否かを判定する。
When the measurement is completed, the expected
図7に示す比較結果電圧テーブル225aでは、端子番号p4において期待値と論理が一致しない。従って、端子番号p4のインピーダンス整合用抵抗Raが正しく動作していない旨を出力する。また、それ以外の端子番号のインピーダンス整合用抵抗Raは正しく動作している旨を出力する。 In the comparison result voltage table 225a shown in FIG. 7, the expected value does not match the logic at the terminal number p4. Therefore, it outputs that the impedance matching resistor Ra of the terminal number p4 is not operating correctly. Further, it outputs that the impedance matching resistors Ra of other terminal numbers are operating correctly.
なお、判定結果の出力は、正しく動作していない端子番号のみを出力するようにしてもよいし、正しく動作していない端子番号と正しく動作している端子番号を区別し得る態様で出力するようにしてもよい。 Note that the determination result may be output in such a manner that only terminal numbers that are not operating correctly may be output, or terminal numbers that are not operating correctly and terminal numbers that are operating correctly can be distinguished. It may be.
以上述べたように、本実施の形態の試験システム30によれば、測定部22が、比較結果電圧と期待値との2値判定を繰り返すことによって、インピーダンス整合用抵抗Raが正しく動作しているか否かを試験することができる。
As described above, according to the test system 30 of the present embodiment, the impedance matching resistor Ra is operating correctly by the
これにより、直流電流測定や、直流電圧測定を行う場合に比べ大幅な(例えば70%程度の)試験時間の短縮を図ることができる。
なお、試験装置20によれば、LSI回路10の端子数およびインピーダンス整合用抵抗Raが備える抵抗の組み合わせが増加する程、試験時間短縮の効果も増大する。
As a result, the test time can be significantly shortened (for example, about 70%) as compared with the case where DC current measurement or DC voltage measurement is performed.
According to the
なお、本実施の形態では、期待値判定部227は、期待値判定テーブル226aの内容に基づいて判定を行ったが、本発明はこれに限らず、例えば、各端子番号の比較結果電圧の論理同士を比較して判定を行うようにしてもよい。
In the present embodiment, the expected
以上、本発明の測定方法、測定プログラムおよび測定装置を、図示の実施の形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物や工程が付加されていてもよい。 The measurement method, the measurement program, and the measurement apparatus of the present invention have been described based on the illustrated embodiment. However, the present invention is not limited to this, and the configuration of each unit is an arbitrary function having the same function. It can be replaced with the configuration of Moreover, other arbitrary structures and processes may be added to the present invention.
また、本発明は、前述した実施の形態のうちの、任意の2以上の構成(特徴)を組み合わせたものであってもよい。
なお、本発明の測定方法は、前述したDDR2 SDRAMの他に、例えばPCIエキスプレス(Express)を備えるLSI等に適用することができる。
In addition, the present invention may be a combination of any two or more configurations (features) of the above-described embodiments.
Note that the measurement method of the present invention can be applied to, for example, an LSI including a PCI Express (Express) in addition to the above-described DDR2 SDRAM.
なお、上記の処理機能は、コンピュータによって実現することができる。その場合、測定部22が有すべき機能の処理内容を記述したプログラムが提供される。そのプログラムをコンピュータで実行することにより、上記処理機能がコンピュータ上で実現される。処理内容を記述したプログラムは、コンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録しておくことができる。コンピュータで読み取り可能な記録媒体としては、例えば、磁気記録装置、光ディスク、光磁気記録媒体、半導体メモリ等が挙げられる。磁気記録装置としては、例えば、ハードディスク装置(HDD)、フレキシブルディスク(FD)、磁気テープ等が挙げられる。光ディスクとしては、例えば、DVD(Digital Versatile Disc)、DVD−RAM(Random Access Memory)、CD−ROM(Compact Disc Read Only Memory)、CD−R(Recordable)/RW(ReWritable)等が挙げられる。光磁気記録媒体としては、例えば、MO(Magneto-Optical disk)等が挙げられる。
The above processing functions can be realized by a computer. In that case, a program describing the processing contents of the function that the
プログラムを流通させる場合には、例えば、そのプログラムが記録されたDVD、CD−ROM等の可搬型記録媒体が販売される。また、プログラムをサーバコンピュータの記憶装置に格納しておき、ネットワークを介して、サーバコンピュータから他のコンピュータにそのプログラムを転送することもできる。 When distributing the program, for example, a portable recording medium such as a DVD or a CD-ROM in which the program is recorded is sold. It is also possible to store the program in a storage device of a server computer and transfer the program from the server computer to another computer via a network.
測定プログラムを実行するコンピュータは、例えば、可搬型記録媒体に記録されたプログラムもしくはサーバコンピュータから転送されたプログラムを、自己の記憶装置に格納する。そして、コンピュータは、自己の記憶装置からプログラムを読み取り、プログラムに従った処理を実行する。なお、コンピュータは、可搬型記録媒体から直接プログラムを読み取り、そのプログラムに従った処理を実行することもできる。また、コンピュータは、サーバコンピュータからプログラムが転送される毎に、逐次、受け取ったプログラムに従った処理を実行することもできる。 The computer that executes the measurement program stores, for example, a program recorded on a portable recording medium or a program transferred from a server computer in its own storage device. Then, the computer reads the program from its own storage device and executes processing according to the program. The computer can also read the program directly from the portable recording medium and execute processing according to the program. In addition, each time the program is transferred from the server computer, the computer can sequentially execute processing according to the received program.
10 LSI回路
11 ドライブ回路
20 試験装置
21 テスト回路
22 測定部
22a CPU
22b RAM
22c ROM
22d 電源
30 試験システム
221 比較用電圧出力部
222 テストパターン格納部
222a テストパターンテーブル
223 テストパターン信号出力部
224 比較結果電圧取得部
225 比較結果電圧格納部
225a 比較結果電圧テーブル
226 期待値判定テーブル格納部
226a 期待値判定テーブル
227 期待値判定部
228 結果出力部
CMP1、CMP2 コンパレータ
A、A1〜A6 制御端子
B1 出力端子
D1 入出力ドライバ
Ra インピーダンス整合用抵抗
Rref 終端抵抗
DESCRIPTION OF
22b RAM
22c ROM
22d power supply 30
Claims (8)
前記可変抵抗の予め定められた可変パターンに従って変化する前記可変抵抗の電圧と、基準となる第1の電圧との大小をそれぞれ比較する工程と、
前記第1の電圧による比較結果を格納手段に格納する工程と、
前記可変抵抗の電圧と、前記第1の電圧とは異なる第2の電圧との大小をそれぞれ比較する工程と、
前記第2の電圧による比較結果を前記格納手段に格納する工程と、
前記第1の電圧による比較結果と、前記第2の電圧による比較結果とに基づき、前記可変抵抗の抵抗値を特定する工程と、
を有することを特徴とする測定方法。 In a measurement method for measuring the resistance value of a variable resistor included in an electronic circuit,
Comparing the voltage of the variable resistor, which changes according to a predetermined variable pattern of the variable resistor, with the reference first voltage, respectively,
Storing the comparison result of the first voltage in a storage means;
Comparing the magnitude of the voltage of the variable resistor and the second voltage different from the first voltage, respectively;
Storing the comparison result of the second voltage in the storage means;
Identifying a resistance value of the variable resistor based on a comparison result by the first voltage and a comparison result by the second voltage;
A measuring method characterized by comprising:
コンピュータに、
前記可変抵抗の予め定められた可変パターンに従って変化する前記可変抵抗の電圧と、基準となる第1の電圧との大小をそれぞれ比較する工程、
前記第1の電圧による比較結果を格納手段に格納する工程、
前記可変抵抗の電圧と、前記第1の電圧とは異なる第2の電圧との大小をそれぞれ比較する工程、
前記第2の電圧による比較結果を前記格納手段に格納する工程、
前記第1の電圧による比較結果と、前記第2の電圧による比較結果とに基づき、前記可変抵抗の抵抗値を特定する工程、
を実行させることを特徴とする測定プログラム。 In a measurement program that measures the resistance value of a variable resistor included in an electronic circuit,
On the computer,
Comparing the voltage of the variable resistor, which changes according to a predetermined variable pattern of the variable resistor, with the reference first voltage, respectively.
Storing the comparison result of the first voltage in a storage means;
Comparing the magnitude of the voltage of the variable resistor with a second voltage different from the first voltage;
Storing the comparison result by the second voltage in the storage means;
Identifying a resistance value of the variable resistor based on a comparison result by the first voltage and a comparison result by the second voltage;
A measurement program characterized by causing
前記可変抵抗の抵抗値を変化させる複数のパターン信号を出力するパターン信号出力部と、
前記抵抗値の変化に応じて前記信号出力端子から出力される値の異なる出力電圧を、前記抵抗値の変化を区別し得る比較用電圧とそれぞれ比較する比較部と、
前記比較部が比較したそれぞれの結果が、前記比較用電圧の大きさに応じて予め用意された結果と一致しているか否かを判定する判定部と、
を有することを特徴とする測定装置。 In a measuring device for testing a variable resistor that adjusts the impedance of a signal output terminal of an electronic circuit,
A pattern signal output unit for outputting a plurality of pattern signals for changing the resistance value of the variable resistor;
A comparison unit that compares an output voltage having a different value output from the signal output terminal according to the change in the resistance value with a comparison voltage that can distinguish the change in the resistance value, respectively.
A determination unit that determines whether or not each result compared by the comparison unit matches a result prepared in advance according to the magnitude of the comparison voltage;
A measuring apparatus comprising:
前記比較部は、前記抵抗値の変化に応じて前記信号出力端子から出力される値の異なる出力電圧を、複数の前記比較用電圧とそれぞれ比較することを特徴とする請求項5記載の測定装置。 A plurality of the comparison voltages are prepared,
The measuring device according to claim 5, wherein the comparison unit compares output voltages having different values output from the signal output terminal in accordance with a change in the resistance value with a plurality of the comparison voltages. .
前記パターン信号は、前記複数の抵抗素子のうちいずれか1つの抵抗を用いる信号であり、
前記各比較用電圧は、それぞれ前記可変抵抗の分解能に応じた電圧であることを特徴とする請求項6記載の測定装置。 The variable resistor has a plurality of resistance elements having different resistance values,
The pattern signal is a signal using any one of the plurality of resistance elements,
The measuring apparatus according to claim 6, wherein each of the comparison voltages is a voltage corresponding to a resolution of the variable resistor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008126893A JP2009276174A (en) | 2008-05-14 | 2008-05-14 | Measurement method, measurement program, and measuring device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008126893A JP2009276174A (en) | 2008-05-14 | 2008-05-14 | Measurement method, measurement program, and measuring device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009276174A true JP2009276174A (en) | 2009-11-26 |
Family
ID=41441748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008126893A Pending JP2009276174A (en) | 2008-05-14 | 2008-05-14 | Measurement method, measurement program, and measuring device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2009276174A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2024514723A (en) * | 2022-03-25 | 2024-04-03 | チャンシン メモリー テクノロジーズ インコーポレイテッド | Control method, semiconductor memory and electronic equipment |
| JP2024514720A (en) * | 2022-03-25 | 2024-04-03 | チャンシン メモリー テクノロジーズ インコーポレイテッド | CONTROL METHOD, SEMICONDUCTOR MEMORY AND ELECTRONIC APPARATUS |
| JP2024514722A (en) * | 2022-03-25 | 2024-04-03 | チャンシン メモリー テクノロジーズ インコーポレイテッド | CONTROL METHOD, SEMICONDUCTOR MEMORY AND ELECTRONIC APPARATUS |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62237367A (en) * | 1986-04-08 | 1987-10-17 | Rohm Co Ltd | Measuring instrument for logic circuit with high impedance function element |
| JPS6337267A (en) * | 1986-07-31 | 1988-02-17 | Nec Corp | Digital output level detection circuit |
| JPH03237365A (en) * | 1990-02-14 | 1991-10-23 | Fujitsu Ltd | Measuring device for resistance value |
| JPH1130649A (en) * | 1997-07-10 | 1999-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | Test method and test apparatus for semiconductor circuit |
| JPH11264856A (en) * | 1998-03-19 | 1999-09-28 | Fujitsu Ltd | Termination resistor circuit provided with test resistor circuit and test method of termination resistor circuit |
| JP2002093198A (en) * | 2000-09-21 | 2002-03-29 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
-
2008
- 2008-05-14 JP JP2008126893A patent/JP2009276174A/en active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62237367A (en) * | 1986-04-08 | 1987-10-17 | Rohm Co Ltd | Measuring instrument for logic circuit with high impedance function element |
| JPS6337267A (en) * | 1986-07-31 | 1988-02-17 | Nec Corp | Digital output level detection circuit |
| JPH03237365A (en) * | 1990-02-14 | 1991-10-23 | Fujitsu Ltd | Measuring device for resistance value |
| JPH1130649A (en) * | 1997-07-10 | 1999-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | Test method and test apparatus for semiconductor circuit |
| JPH11264856A (en) * | 1998-03-19 | 1999-09-28 | Fujitsu Ltd | Termination resistor circuit provided with test resistor circuit and test method of termination resistor circuit |
| JP2002093198A (en) * | 2000-09-21 | 2002-03-29 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2024514723A (en) * | 2022-03-25 | 2024-04-03 | チャンシン メモリー テクノロジーズ インコーポレイテッド | Control method, semiconductor memory and electronic equipment |
| JP2024514720A (en) * | 2022-03-25 | 2024-04-03 | チャンシン メモリー テクノロジーズ インコーポレイテッド | CONTROL METHOD, SEMICONDUCTOR MEMORY AND ELECTRONIC APPARATUS |
| JP2024514722A (en) * | 2022-03-25 | 2024-04-03 | チャンシン メモリー テクノロジーズ インコーポレイテッド | CONTROL METHOD, SEMICONDUCTOR MEMORY AND ELECTRONIC APPARATUS |
| JP7490792B2 (en) | 2022-03-25 | 2024-05-27 | チャンシン メモリー テクノロジーズ インコーポレイテッド | CONTROL METHOD, SEMICONDUCTOR MEMORY AND ELECTRONIC APPARATUS |
| JP7490790B2 (en) | 2022-03-25 | 2024-05-27 | チャンシン メモリー テクノロジーズ インコーポレイテッド | CONTROL METHOD, SEMICONDUCTOR MEMORY AND ELECTRONIC APPARATUS |
| JP7513730B2 (en) | 2022-03-25 | 2024-07-09 | チャンシン メモリー テクノロジーズ インコーポレイテッド | CONTROL METHOD, SEMICONDUCTOR MEMORY AND ELECTRONIC APPARATUS |
| US12230348B2 (en) | 2022-03-25 | 2025-02-18 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Control method, semiconductor memory, and electronic device |
| US12254942B2 (en) | 2022-03-25 | 2025-03-18 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Control method, semiconductor memory, and electronic device |
| US12380961B2 (en) | 2022-03-25 | 2025-08-05 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Control method, semiconductor memory, and electronic device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111863048B (en) | Circuit, method, memory and electronic device for determining memory reference voltage | |
| TWI407129B (en) | Adjustable voltage comparing circuit and adjustable voltage examining module | |
| CN103187098B (en) | Decoupling capacitance value calibration device and method for dynamic random access memory | |
| JP2009276174A (en) | Measurement method, measurement program, and measuring device | |
| KR102409926B1 (en) | Test device and test system having the same | |
| WO1997004328A1 (en) | Memory defect analyzer for semiconductor memory tester | |
| KR100933814B1 (en) | On die termination test device and on die termination test method | |
| US7607055B2 (en) | Semiconductor memory device and method of testing the same | |
| JP4558648B2 (en) | Test equipment | |
| JP2005276317A (en) | Testing apparatus and testing method | |
| CN111210865A (en) | On-chip measuring circuit and measuring method for low-voltage SRAM time parameter | |
| CN107436379B (en) | System for testing analog signals | |
| US10623011B2 (en) | Successive approximation analog-to-digital converter and calibration method thereof | |
| KR100824141B1 (en) | Semiconductor memory device | |
| CN1694362B (en) | Signal adjustable delay line in integrated circuit | |
| JP5151988B2 (en) | Test circuit and method and semiconductor device | |
| US20040100840A1 (en) | Integrated circuit device with a built-in detecting circuit for detecting maximum memory access time of an embedded memory | |
| JP2004530243A (en) | Memory cell structural test | |
| US7360128B2 (en) | Method of testing memory device | |
| US9509311B2 (en) | Semiconductor device and operation method thereof | |
| JPH1021150A (en) | Memory test circuit | |
| KR102071331B1 (en) | Leakage current test circuit and leakage current test system | |
| CN102269778B (en) | Adjustable voltage comparison circuit and adjustable voltage detection device | |
| TWI862453B (en) | Correction method and apparatus of the gate pulse signal in dram and electronic apparatus and non-transitory computer-readable storage medium | |
| JP2004020503A (en) | Semiconductor test apparatus, semiconductor device inspection method, and semiconductor device manufacturing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110222 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120209 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120214 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120409 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120807 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120927 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121204 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130228 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130307 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20130621 |