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JP2009245718A - Flat conductor for cable, flexible flat cable terminal part using conductor, and flexible flat cable having terminal part - Google Patents

Flat conductor for cable, flexible flat cable terminal part using conductor, and flexible flat cable having terminal part Download PDF

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JP2009245718A
JP2009245718A JP2008090153A JP2008090153A JP2009245718A JP 2009245718 A JP2009245718 A JP 2009245718A JP 2008090153 A JP2008090153 A JP 2008090153A JP 2008090153 A JP2008090153 A JP 2008090153A JP 2009245718 A JP2009245718 A JP 2009245718A
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JP
Japan
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tin
plating
copper
palladium
flexible flat
Prior art date
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Application number
JP2008090153A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshiyasu Isobe
芳泰 磯部
Kunihiro Naoe
邦浩 直江
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujikura Ltd
Original Assignee
Fujikura Ltd
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Publication date
Application filed by Fujikura Ltd filed Critical Fujikura Ltd
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Abstract

【課題】耐ウイスカー性を改善すること、耐食性や挿抜耐久性等の接触信頼性及びはんだ濡れ性にも優れた良好なフレキシブルフラットケーブル用の平角導体を得ることを目的とする。更に、錫系合金めっきを用いて単層でウィスカー抑制効果の高いめっきを施すことにより、めっき工程を簡易にすること、めっき厚さを管理しやすくすることを目的とする。
【解決手段】少なくとも一部の下地銅或いは銅合金配線2上に、錫−パラジウム合金めっき層3が形成され、前記錫−パラジウム合金めっき層3において、めっき層3の厚さが0.3〜1.0μm且つ、パラジウム含有量が3〜25質量%であることを特徴とするケーブル用平角導体。
【選択図】図1
An object of the present invention is to obtain a flat conductor for a flexible flat cable which has improved whisker resistance, excellent contact reliability such as corrosion resistance and insertion / extraction durability, and excellent solder wettability. Furthermore, it aims at simplifying a plating process and making it easy to manage plating thickness by plating with a whisker suppression effect with a single layer using tin system alloy plating.
A tin-palladium alloy plating layer 3 is formed on at least a part of the base copper or copper alloy wiring 2, and the thickness of the plating layer 3 is 0.3 to 0.3 in the tin-palladium alloy plating layer 3. A flat conductor for cables having 1.0 μm and a palladium content of 3 to 25 mass%.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、電子機器等のプリント基板相互間や、プリント基板と電子部品間の接続用リード線に利用されるケーブル用平角導体、フレキシブルフラットケーブルの端子部及び該端子部を備えるフレキシブルフラットケーブルに関する。   The present invention relates to a rectangular conductor for a cable, a terminal portion of a flexible flat cable, and a flexible flat cable provided with the terminal portion, which are used for lead wires for connection between printed circuit boards such as electronic devices and between printed circuit boards and electronic components. .

近年の電子機器等の小型化や軽量化に伴い、搭載される配線材料も小型化が進んでいる。このため、配線材料には限られたスペースに収まると共にその可とう性も要求されている。そして、配線材料には、例えば、平角状の導体であるケーブル用平角導体を複数本平面状に並べ、これをテープ状の絶縁体材料によって両側からラミネートしたフレキシブルフラットケーブルが使用されている。このフレキシブルフラットケーブルは、端末部を口出し加工して端子部として、プリント配線基板等に接続配線されるが、配線とコネクタの接触抵抗を小さくし、はんだ濡れ性を向上させるために、端子部には通常表面処理が施される。   With recent miniaturization and weight reduction of electronic devices and the like, the wiring materials to be mounted are also becoming smaller. For this reason, the wiring material is required to fit in a limited space and to be flexible. As the wiring material, for example, a flexible flat cable in which a plurality of flat conductors for cables, which are flat conductors, are arranged in a plane and laminated from both sides with a tape-like insulator material is used. This flexible flat cable is connected to a printed wiring board or the like as a terminal part by processing the terminal part, but in order to reduce the contact resistance between the wiring and the connector and improve the solder wettability, Is usually subjected to a surface treatment.

この表面処理として、例えば、金、錫−鉛合金等による電気めっき処理が挙げられるが、金めっきはコスト的に高くなる問題があり、また鉛を含む合金によるめっき処理では、鉛が溶出して環境を汚染する問題が指摘されており、鉛フリー化が求められている。このため、純錫めっきや鉛を含まない錫系合金のめっきが検討されている。   As this surface treatment, for example, electroplating treatment with gold, tin-lead alloy, etc. can be mentioned, but gold plating has a problem of high cost, and in the plating treatment with an alloy containing lead, lead is eluted. Problems that pollute the environment have been pointed out, and lead-free is required. For this reason, pure tin plating and plating of a tin-based alloy not containing lead have been studied.

しかし、錫めっき系の場合にはコネクタと嵌合した時に、端子に押し付けられた周辺のめっき層からウィスカーと呼ばれる針状結晶が成長してくることが知られている。特に、銅系の材料に錫系めっきを施した場合には、銅原子が錫めっき中を拡散していき、銅と錫の金属間化合物を形成する。この金属間化合物は、錫とは結晶構造が異なるために、格子間距離に歪みができ、圧縮応力が生じる。この圧縮応力がウィスカー発生の駆動力となるため、銅系の材料に錫系めっきを施した場合、ウィスカーが発生しやすいと言える。そして、このウィスカーの成長は、フレキシブルフラットケーブルの導体間の短絡を招く一因となってしまう。   However, in the case of a tin plating system, it is known that a needle-like crystal called a whisker grows from a peripheral plating layer pressed against a terminal when fitted with a connector. In particular, when tin-based plating is applied to a copper-based material, copper atoms diffuse through the tin plating, forming an intermetallic compound of copper and tin. Since this intermetallic compound has a crystal structure different from that of tin, the interstitial distance can be distorted and compressive stress is generated. Since this compressive stress becomes a driving force for generating whiskers, it can be said that whiskers are easily generated when tin-based plating is applied to a copper-based material. And the growth of this whisker will cause a short circuit between the conductors of the flexible flat cable.

そこで、錫系めっきでのウィスカー発生による短絡防止の策として、錫−ビスマスめっき、錫−銀めっき、錫−亜鉛めっきなどの錫系合金めっきの適用が挙げられる。そして、従来技術として、例えば、錫−ビスマス合金めっきを施す方法が開示されている(特許文献1参照。)。又、銅または銅合金導体上に、ビスマス、銀、銅、亜鉛のうち少なくとも1種を0.1〜15重量%含有する錫合金めっきを形成し、その上層に、亜鉛めっき、銀めっき、錫−亜鉛めっき、錫−ビスマスめっき、錫−銀めっきを形成させる方法が開示されている(特許文献2参照。)。   Therefore, as a measure for preventing a short circuit due to whisker generation in tin-based plating, application of tin-based alloy plating such as tin-bismuth plating, tin-silver plating, tin-zinc plating, and the like can be given. As a conventional technique, for example, a method of performing tin-bismuth alloy plating is disclosed (see Patent Document 1). Further, a tin alloy plating containing 0.1 to 15% by weight of at least one of bismuth, silver, copper, and zinc is formed on a copper or copper alloy conductor, and a zinc plating, silver plating, tin, or the like is formed thereon. -A method of forming zinc plating, tin-bismuth plating, and tin-silver plating is disclosed (see Patent Document 2).

特開2002−30468号公報JP 2002-30468 A 特開2007−46150号公報JP 2007-46150 A

上記特許文献1に記載された従来技術においては、導電性基体上に、単一の錫−ビスマス合金層が形成されており、且つビスマスの平均濃度が0.1〜10重量%であるか、または、導電性基体、導電性基体の上に形成された錫めっき層、錫めっき層の上に形成されたビスマス濃度1〜5重量%の錫−ビスマス合金めっき層の2層めっき構造を形成させる方法が開示されている。しかし、この方法では、はんだ濡れ性や曲げ加工性に優れた電子部品用のリード線を提供することはできるが、ウィスカー発生防止については考慮されておらず、ウィスカー抑制については効果が充分ではない。   In the prior art described in Patent Document 1, a single tin-bismuth alloy layer is formed on a conductive substrate, and the average concentration of bismuth is 0.1 to 10% by weight. Alternatively, a two-layer plating structure of a conductive substrate, a tin plating layer formed on the conductive substrate, and a tin-bismuth alloy plating layer having a bismuth concentration of 1 to 5% by weight formed on the tin plating layer is formed. A method is disclosed. However, this method can provide a lead wire for an electronic component having excellent solder wettability and bending workability, but it does not consider prevention of whisker generation, and is not sufficiently effective in suppressing whisker. .

又、上記特許文献2に記載された従来技術においては、銅または銅合金導体上に、ビスマス、銀、銅、亜鉛のうち少なくとも1種を0.1〜15重量%含有する錫合金めっきを形成し、その上層に、亜鉛めっき、銀めっき、錫−亜鉛めっき、錫−ビスマスめっき、錫−銀めっきを形成させる方法が記載されている。純錫めっきと比較するとウィスカーを抑制させる効果はあるが、二層めっき構造のため、めっき工程が増えるといった欠点や、めっき厚さの管理が難しくなるといった欠点が挙げられる。錫系合金めっきを用いて単層でウィスカー抑制効果の高いめっきができれば、めっき工程を単純にすることができ、めっき厚さも管理しやすい。   In the prior art described in Patent Document 2, tin alloy plating containing 0.1 to 15% by weight of at least one of bismuth, silver, copper, and zinc is formed on a copper or copper alloy conductor. In addition, a method of forming zinc plating, silver plating, tin-zinc plating, tin-bismuth plating, and tin-silver plating on the upper layer is described. Although there is an effect of suppressing whisker as compared with pure tin plating, there are disadvantages that the plating process is increased due to the two-layer plating structure and that the plating thickness is difficult to manage. If plating with high whisker suppression effect can be achieved with a single layer using tin-based alloy plating, the plating process can be simplified and the plating thickness can be easily managed.

そこで、本発明は、従来技術の欠点を解消し、ケーブル用平角導体、或いはフレキシブルフラットケーブルの端子部、即ちコネクタとの嵌合部分において、熱処理しても下地銅の拡散を抑制することが可能で、錫−銅合金層が生成せず、めっき層の厚さのばらつきを減少させ、耐ウイスカー性を改善すること、特に、ウィスカーの長さを50μm未満に抑制することを目的とする。又、耐食性や挿抜耐久性等の接触信頼性及びはんだ濡れ性にも優れた良好なフレキシブルフラットケーブル用の平角導体を得ることを目的とする。更に、錫系合金めっきを用いて単層でウィスカー抑制効果の高いめっきを施すことにより、めっき工程を簡易にすること、めっき厚さを管理しやすくすることを目的とする。   Therefore, the present invention eliminates the disadvantages of the prior art, and can suppress the diffusion of the base copper even when heat-treated at the terminal portion of the flat conductor for cable or the terminal portion of the flexible flat cable, that is, the connector fitting portion. Thus, a tin-copper alloy layer is not formed, the variation in the thickness of the plating layer is reduced, whisker resistance is improved, and in particular, the length of the whisker is suppressed to less than 50 μm. Another object of the present invention is to obtain a flat conductor for a flexible flat cable excellent in contact reliability such as corrosion resistance and insertion / extraction durability and solder wettability. Furthermore, it aims at simplifying a plating process and making it easy to manage plating thickness by plating with a whisker suppression effect with a single layer using tin system alloy plating.

上記課題を解決するための本発明は、少なくとも一部の下地銅或いは銅合金配線上に、錫−パラジウム合金めっき層が形成され、前記錫−パラジウム合金めっき層において、錫−パラジウム合金めっき層の厚さが0.3〜1.0μm且つ、パラジウム含有量が3〜25質量%であることを特徴とするケーブル用平角導体である。   The present invention for solving the above-mentioned problems is characterized in that a tin-palladium alloy plating layer is formed on at least a part of the base copper or copper alloy wiring, and the tin-palladium alloy plating layer includes a tin-palladium alloy plating layer. A flat rectangular conductor for a cable characterized by having a thickness of 0.3 to 1.0 μm and a palladium content of 3 to 25 mass%.

又、上記ケーブル用平角導体において、錫−パラジウム合金めっき層と下地銅或いは銅合金配線間に錫−銅金属間化合物層が形成されないことを特徴とするケーブル用平角導体である。   Moreover, in the above-mentioned flat conductor for cables, the flat conductor for cables is characterized in that a tin-copper intermetallic compound layer is not formed between the tin-palladium alloy plating layer and the underlying copper or copper alloy wiring.

又、上記何れかのケーブル用平角導体を用い、少なくともコネクタと嵌合されるフレキシブルフラットケーブル端子部の銅或いは銅合金配線上に、前記錫−パラジウム合金めっき層が形成されていることを特徴とするフレキシブルフラットケーブル端子部である。   Further, using any one of the above-mentioned flat conductors for cables, the tin-palladium alloy plating layer is formed on at least a copper or copper alloy wiring of a flexible flat cable terminal portion to be fitted to a connector. This is a flexible flat cable terminal portion.

更に、上記のフレキシブルフラットケーブル端子部を備えることを特徴とするフレキシブルフラットケーブルである。   Furthermore, it is a flexible flat cable provided with said flexible flat cable terminal part.

又、少なくとも一部の下地銅或いは銅合金配線上に、パラジウム含有量が3〜25質量%の錫−パラジウム合金によるめっき処理を施す工程と、錫−パラジウム合金めっき層の厚さを0.3〜1.0μmに調整する工程とを備えたことを特徴とするケーブル用平角導体の製造方法である。   Further, a step of performing a plating treatment with a tin-palladium alloy having a palladium content of 3 to 25% by mass on at least a part of the base copper or copper alloy wiring, and a thickness of the tin-palladium alloy plating layer is set to 0.3. And a step of adjusting to 1.0 μm. A method for producing a rectangular conductor for a cable.

以上のような本発明によれば、錫−パラジウム合金めっきを適用することで、耐食性や挿抜耐久性に優れるとともに、熱処理しても下地銅の拡散を抑制することが出来、錫−銅合金層が生成せず、めっき層の厚さのばらつきを減少させることが出来、ウィスカーの発生を抑制し、耐ウイスカー性を改善させることが可能となった。   According to the present invention as described above, by applying tin-palladium alloy plating, the corrosion resistance and insertion / extraction durability are excellent, and diffusion of the base copper can be suppressed even when heat-treated, and the tin-copper alloy layer Is not generated, variation in the thickness of the plating layer can be reduced, whisker generation can be suppressed, and whisker resistance can be improved.

特に錫−パラジウム合金めっき層の厚さを0.3〜1.0μmとし、且つパラジウム含有量を3〜25質量%の範囲とすることで、ウィスカー長さを50μm未満に抑制することが出来、更に、接触信頼性およびはんだ濡れ性にも優れた良好なケーブル用の平角導体、フレキシブルフラットケーブル端子部を得ることが出来た。   In particular, by setting the thickness of the tin-palladium alloy plating layer to 0.3 to 1.0 μm and the palladium content in the range of 3 to 25% by mass, the whisker length can be suppressed to less than 50 μm, Furthermore, a good flat conductor for a cable and a flexible flat cable terminal portion excellent in contact reliability and solder wettability could be obtained.

又、錫系合金めっきを用いて単層でウィスカー抑制効果の高いめっきを施すことにより、めっき工程を簡易にすることが出来ると共に、めっき厚さの管理が容易となった。   In addition, the plating process can be simplified and the thickness of the plating can be easily controlled by performing the plating with a high whisker suppression effect with a single layer using tin-based alloy plating.

このようにして得られたフレキシブルフラットケーブル用の平角導体は、適宜の間隔で複数本配置し、各種プラスチックテープで挟んでラミネートすることによって、フレキシブルフラットケーブルとして使用することができる。   A plurality of flat conductors for a flexible flat cable obtained in this way can be used as a flexible flat cable by arranging a plurality of flat conductors at an appropriate interval and sandwiching them with various plastic tapes.

以下、本発明の実施の形態を図を参照して説明する。本発明のケーブル用平角導体1は、少なくとも一部の下地銅或いは銅合金配線2上に、錫−パラジウム合金めっき層3を形成して構成している。そして、当該ケーブル用平角導体1を用いて構成したフレキシブルフラットケーブル及びその端子部は、少なくともコネクタと嵌合されるフレキシブルフラットケーブル端子部の下地の銅或いは銅合金配線2上に、錫−パラジウム合金めっき層3を形成して構成されている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The flat conductor for cable 1 of the present invention is formed by forming a tin-palladium alloy plating layer 3 on at least a part of the base copper or copper alloy wiring 2. And the flexible flat cable comprised using the said rectangular conductor 1 for cables and its terminal part are tin-palladium alloy on the copper or copper alloy wiring 2 of the foundation | substrate of the flexible flat cable terminal part fitted with a connector at least. The plating layer 3 is formed and configured.

そして、錫−パラジウム合金めっき層3は、パラジウムが添加されていることにより、錫−パラジウムなどの金属間化合物層が形成され、この錫−パラジウムなどの金属間化合物層により下地銅原子の拡散を抑制する。   The tin-palladium alloy plating layer 3 has an intermetallic compound layer such as tin-palladium formed by adding palladium, and the intermetallic compound layer such as tin-palladium diffuses the underlying copper atoms. Suppress.

そして、錫−パラジウム金属間化合物層により下地銅原子の拡散を抑制するので、ケーブル用平角導体1は、錫−パラジウム合金めっき層3と下地銅或いは銅合金配線2間に錫−銅金属間化合物層が形成されないで構成されている。錫−銅金属間化合物層が形成されないので、錫−パラジウム合金めっき層3のばらつきを小さく出来る。   And since the diffusion of the base copper atom is suppressed by the tin-palladium intermetallic compound layer, the flat conductor for cable 1 has a tin-copper intermetallic compound between the tin-palladium alloy plating layer 3 and the base copper or copper alloy wiring 2. A layer is not formed. Since the tin-copper intermetallic compound layer is not formed, the variation of the tin-palladium alloy plating layer 3 can be reduced.

従来のフレキシブルフラットケーブル用の錫めっき平角導体10は、錫めっきが施されたφ0.1〜0.2mmの銅丸線を厚さ0.035〜0.1mmに圧延加工した後に、通電アニールなどの熱処理を施すことによって作製している。しかし、図2に示すように、銅系の素材に錫系めっきを施した材料を熱処理したときには、下地銅12表面からCuSn相13、CuSn相14の錫と銅の金属間化合物層(以下、合金層と記す)17が積層される。 A conventional tin-plated flat conductor 10 for a flexible flat cable is obtained by rolling a tin-plated φ0.1-0.2 mm copper round wire to a thickness of 0.035-0.1 mm, followed by an electrical annealing, etc. The heat treatment is performed. However, as shown in FIG. 2, when a copper-based material is tin-plated, heat treatment is performed between the tin and copper metal of the Cu 3 Sn phase 13 and the Cu 6 Sn 5 phase 14 from the surface of the base copper 12. A compound layer (hereinafter referred to as an alloy layer) 17 is laminated.

前述のように、これらの合金層17が形成されることで、錫めっき皮膜中に圧縮応力が生じ、この圧縮応力がウィスカー成長の駆動力となる。また、CuSn相13やCuSn相14は凹凸状に成長するため、純錫めっき層15の厚さがばらつきやすい。この凹凸の激しい合金層が生成されないような錫系めっきがあれば、めっき層厚さのばらつきが減少し、ウィスカー抑制効果が大きいと考えられた。そこで、本発明では、錫と下地金属である銅との熱拡散を抑制させる効果をもつパラジウムを添加した錫−パラジウム合金めっきをしたフレキシブルフラットケーブル用平角導体を作製したものである。 As described above, when these alloy layers 17 are formed, a compressive stress is generated in the tin plating film, and this compressive stress becomes a driving force for whisker growth. Further, since the Cu 3 Sn phase 13 and the Cu 6 Sn 5 phase 14 grow in an uneven shape, the thickness of the pure tin plating layer 15 tends to vary. It was considered that if there was a tin-based plating that did not produce an alloy layer with such unevenness, the variation in the thickness of the plating layer was reduced and the whisker suppression effect was great. Therefore, in the present invention, a flat conductor for a flexible flat cable is produced which is plated with a tin-palladium alloy to which palladium having an effect of suppressing thermal diffusion between tin and copper as a base metal is added.

この錫−パラジウム合金めっき層3において、錫−パラジウム合金めっき層3の厚さは0.3〜1.0μmであることが好ましい。錫−パラジウム合金めっき層3が薄い場合には、接触信頼性やはんだ濡れ性が悪く、錫−パラジウム合金めっき層3が厚い場合には、ウィスカー発生に供給される錫原子の量が多くなり、ウィスカー発生の抑制効果が充分でなく、接触信頼性やはんだ濡れ性を良くし、ウィスカー長さを50μm未満に抑制するためには、錫−パラジウム合金めっき層3の厚さを0.3〜1.0μmにすること必要だからである。   In the tin-palladium alloy plating layer 3, the thickness of the tin-palladium alloy plating layer 3 is preferably 0.3 to 1.0 μm. When the tin-palladium alloy plating layer 3 is thin, the contact reliability and solder wettability are poor, and when the tin-palladium alloy plating layer 3 is thick, the amount of tin atoms supplied for whisker generation increases. In order to improve the contact reliability and solder wettability, and to suppress the whisker length to less than 50 μm, the thickness of the tin-palladium alloy plating layer 3 is 0.3 to 1 This is because it is necessary to make the thickness 0.0 μm.

また、この錫−パラジウム合金めっき層3において、パラジウム含有量は3〜25質量%であることが好ましい。パラジウム含有量を3〜25質量%の範囲にするとした理由は、3質量%未満では、パラジウム添加効果が不十分で、錫−銅合金層が形成されてしまい、耐ウィスカー性が充分には改善されない。又、25質量%を超えると、光沢のないめっきとなってしまい、はんだ濡れ性も低下してしまうためである。尚、めっき条件を変動させることでパラジウム含有率3〜25質量%の錫−パラジウム合金めっき層を得ることができる。   Moreover, in this tin-palladium alloy plating layer 3, it is preferable that palladium content is 3-25 mass%. The reason why the palladium content is in the range of 3 to 25% by mass is that if it is less than 3% by mass, the effect of adding palladium is insufficient, a tin-copper alloy layer is formed, and the whisker resistance is sufficiently improved. Not. Moreover, when it exceeds 25 mass%, it will become a dull plating and solder wettability will also fall. A tin-palladium alloy plating layer having a palladium content of 3 to 25% by mass can be obtained by changing the plating conditions.

ケーブル用平角導体1の製造方法としては、少なくとも一部の下地銅或いは銅合金配線上に、パラジウム含有量が3〜25質量%の錫−パラジウム合金によるめっき処理を施す工程と、錫−パラジウム合金めっき層の厚さを0.3〜1.0μmに調整する工程とを備えればよく、他の工程としては公知の工程を採用できる。具体的には、軟銅線等の銅或いは銅合金配線に、電解脱脂、酸洗浄等公知の前処理を行い、パラジウム含有量が3〜25重量%の錫−パラジウム合金による電解めっき法等公知のめっき方法を用いて、めっき処理を施し、下地銅或いは銅合金配線上に錫−パラジウム合金めっき層を形成する。このめっき層は単層であり、メッキ処理は1回でよい。そして、この錫−パラジウム合金めっきした軟銅線を伸線加工して伸線する。次に、圧延機を用いて圧延と通電アニールを行い、錫−パラジウム合金めっき層の厚さを0.3〜1.0μmに調整し、フレキシブルフラットケーブル用平角導体を作製する。   As a method for manufacturing the flat conductor 1 for a cable, a step of performing a plating treatment with a tin-palladium alloy having a palladium content of 3 to 25% by mass on at least a part of the base copper or copper alloy wiring, and a tin-palladium alloy And a step of adjusting the thickness of the plating layer to 0.3 to 1.0 μm, and a known step can be adopted as another step. Specifically, copper or copper alloy wiring such as an annealed copper wire is subjected to a known pretreatment such as electrolytic degreasing and acid cleaning, and an electroplating method using a tin-palladium alloy having a palladium content of 3 to 25% by weight. A plating process is performed using a plating method to form a tin-palladium alloy plating layer on the underlying copper or copper alloy wiring. This plating layer is a single layer, and the plating process may be performed once. Then, the annealed copper wire plated with the tin-palladium alloy is drawn and drawn. Next, rolling and energization annealing are performed using a rolling mill, the thickness of the tin-palladium alloy plating layer is adjusted to 0.3 to 1.0 μm, and a flat conductor for a flexible flat cable is produced.

そして、このようにして得られたフレキシブルフラットケーブル用の平角導体を、適宜の間隔で複数本配置し、各種プラスチックテープで挟んでラミネートすることによって、フレキシブルフラットケーブルを作成することが出来る。   Then, a plurality of flat conductors for the flexible flat cable obtained as described above are arranged at an appropriate interval, and sandwiched between various plastic tapes and laminated, whereby a flexible flat cable can be produced.

φ0.8mmの軟銅線に、電解めっき法によって錫−パラジウム合金めっき層を形成した。この錫−パラジウム合金めっきした軟銅線を伸線加工によって、φ0.12mmに伸線した。次に、圧延機を用いて圧延と通電アニールを行い、厚さ0.035mmのフレキシブルフラットケーブル用平角導体を作製した。尚、めっき条件を変動させることでパラジウム含有率3〜25質量%の錫−パラジウム合金めっき層を得、圧延と通電アニール条件を変更することで、錫−パラジウム合金めっき層の厚さを調整した。   A tin-palladium alloy plating layer was formed on an annealed copper wire of φ0.8 mm by electrolytic plating. This annealed copper wire plated with tin-palladium alloy was drawn to φ0.12 mm by wire drawing. Next, rolling and energization annealing were performed using a rolling mill to produce a flat conductor for a flexible flat cable having a thickness of 0.035 mm. By changing the plating conditions, a tin-palladium alloy plating layer having a palladium content of 3 to 25% by mass was obtained, and the thickness of the tin-palladium alloy plating layer was adjusted by changing the rolling and energization annealing conditions. .

このようにして得られた平角導体の縦断面を鏡面研磨した後、走査電子顕微鏡(以下「SEM」という。)観察を行い、めっき構造や耐ウィスカー性を評価した。めっき構造は、めっき層厚さと錫−銅合金層の有無を調査した。後述のように、これらのめっき層(皮膜)中には、錫と銅の合金層がほとんど成長していないことが確認できた。さらに、これらの導体を20本並列に配置し、ポリエステルの絶縁テープでラミネート加工によりフレキシブルフラットケーブルを作製し、端末部の絶縁テープを除去し、錫−パラジウム合金めっきされた銅導体を露出してフレキシブルフラットケーブル端子部とした。ついでこのフレキシブルフラットケーブルの耐ウイスカー性、接触抵抗およびはんだ濡れ性を調査した。   The vertical section of the flat conductor thus obtained was mirror-polished and then observed with a scanning electron microscope (hereinafter referred to as “SEM”) to evaluate the plating structure and whisker resistance. As for the plating structure, the thickness of the plating layer and the presence or absence of a tin-copper alloy layer were investigated. As described later, it was confirmed that an alloy layer of tin and copper was hardly grown in these plating layers (films). Furthermore, 20 of these conductors are arranged in parallel, a flexible flat cable is produced by laminating with a polyester insulating tape, the insulating tape at the end is removed, and the copper conductor plated with tin-palladium alloy is exposed. A flexible flat cable terminal was used. Next, whisker resistance, contact resistance and solder wettability of the flexible flat cable were investigated.

耐ウイスカー性の調査としては、コネクタとの嵌合試験を行い、常温常湿下で500時間保持後の導体表面をSEMで観察し、発生したウィスカーの最大値を調査した。コネクタにはJST製のZIFタイプで端子部にはSnリフローめっきを施してあるものを使用した。また、Au/Niめっき(Auめっき厚さ:0.3μm、Niめっき厚さ:3.0μm)したJST製のノンZIFタイプのコネクタに嵌合し、硫化水素10ppm、湿度85%の雰囲気に48時間放置して、ガス腐食試験を行った。ついで、テスターによって接触抵抗を測定し、その増加率を算出した。ガス腐食試験前に接触抵抗値に対して、20%未満の増加率のものを合格として○印で、20%以上の増加率のものを不合格として×印で記載した。   As an investigation of whisker resistance, a fitting test with a connector was performed, and the surface of the conductor after being held at normal temperature and humidity for 500 hours was observed with an SEM, and the maximum value of the generated whisker was investigated. The connector used was a ZIF type made by JST, and the terminal portion was subjected to Sn reflow plating. Also, it fits into a JST non-ZIF type connector made of Au / Ni plating (Au plating thickness: 0.3 μm, Ni plating thickness: 3.0 μm), and is 48 in an atmosphere of 10 ppm hydrogen sulfide and 85% humidity. The gas corrosion test was conducted after standing for a period of time. Subsequently, the contact resistance was measured by a tester, and the increase rate was calculated. Prior to the gas corrosion test, those with an increase rate of less than 20% with respect to the contact resistance value were indicated as ◯, and those with an increase rate of 20% or more were indicated as x with a failure.

さらに、コネクタとの挿抜特性を調査するために、前記フレキシブルフラットケーブル端子部と前記コネクタの挿抜を30回繰り返した後の接触抵抗をテスターによって測定し、挿抜前の接触抵抗値に対する増加率を算出した。挿抜前の接触抵抗値に対して、20%未満の増加率のものを合格として○印で、20%以上の増加率のものを不合格として×印で記載した。はんだ濡れ性は、JIS Z3198−4に基づいたウェッティングバランス法を用いて行い、初期の濡れ速度についてはゼロクロスタイムで、はんだとの親和性については、はんだ濡れ幅で評価した。ゼロクロスタイム3秒以内で濡れ幅がはんだ浸漬面積の95%以上であるものを合格として○印で記載し、これを満たさないものは不合格として×印で記載した。結果を表1に示す。   Furthermore, in order to investigate the insertion / extraction characteristics with the connector, the contact resistance after repeating the insertion / extraction of the flexible flat cable terminal portion and the connector 30 times is measured by a tester, and the rate of increase with respect to the contact resistance value before insertion / extraction is calculated. did. With respect to the contact resistance value before insertion / removal, those with an increase rate of less than 20% are indicated as “good” by ○, and those with an increase rate of 20% or more are indicated as “fail” by ×. Solder wettability was evaluated using a wetting balance method based on JIS Z3198-4, and the initial wetting rate was evaluated by zero cross time, and the affinity with solder was evaluated by the solder wetting width. Those in which the wetting width was 95% or more of the solder immersion area within 3 seconds of the zero crossing time were described as “good” as “acceptable”, and those not satisfying this were described as “failed” in “x”. The results are shown in Table 1.

Figure 2009245718
Figure 2009245718

表1の実施例1〜6に示されるように、少なくともコネクタと嵌合されるフレキシブルフラットケーブルの銅或いは銅合金配線上に錫−バラジウム合金めっきを形成し、前記錫−パラジウム合金めっき層の厚さが0.3〜1.0μm且つ、パラジウム含有量が3〜25質量%の範囲内のフレキシブルフラットケーブル端子部とした本発明は、ウィスカー発生を50μm未満にするとともに、ガス腐食試験後も接触抵抗値の増加率が20%未満、30回の挿抜試験を繰り返しても接触抵抗の増加率が20%未満であり、さらにはんだ濡れ性も良好なフレキシブルフラットケーブル端子部であることがわかる。   As shown in Examples 1 to 6 in Table 1, tin-baradium alloy plating is formed on at least a copper or copper alloy wiring of a flexible flat cable fitted to a connector, and the thickness of the tin-palladium alloy plating layer is formed. The present invention, which is a flexible flat cable terminal having a thickness of 0.3 to 1.0 μm and a palladium content of 3 to 25% by mass, reduces whisker generation to less than 50 μm and is in contact even after a gas corrosion test. It can be seen that the flexible flat cable terminal portion has a resistance increase rate of less than 20%, a contact resistance increase rate of less than 20% even after 30 insertion / extraction tests, and good solder wettability.

これに対して、比較例1〜8に示すように、本発明の範囲から外れた場合に、耐ウィスカー性、ガス腐食試験後の接触抵折値、複数回挿抜後の接触抵抗値、はんだ濡れ性等、いずれかの問題があった。即ち、比較例1〜2に示すように、錫−パラジウム合金めっき層の厚さが0.3μm未満の場合には、接触信頼性やはんだ濡れ性が悪いことがわかる。又、比較例3〜4に示すように、パラジウム含有量が3質量%未満では、下地銅の熱拡散抑制効果が不充分であるために、錫−銅合金層が形成されてしまい、めっき層厚さにもばらつきが生じて、耐ウィスカー性が悪いことがわかる。さらに、比較例5〜6に示すように、パラジウム含有量が25質量%を超えると、はんだ濡れ性が悪い問題があることがわかる。また、比較例7〜8に示すように、錫−パラジウム合金めっき層厚さが1.0μmより大きくなると、50μm以上のウィスカーが発生するため、耐ウイスカー性が改善されていないことがわかる。   On the other hand, as shown in Comparative Examples 1 to 8, whisker resistance, contact fold value after gas corrosion test, contact resistance value after multiple insertions and withdrawals, solder wetting when outside the scope of the present invention There was any problem such as sex. That is, as shown in Comparative Examples 1 and 2, it can be seen that when the thickness of the tin-palladium alloy plating layer is less than 0.3 μm, the contact reliability and solder wettability are poor. Further, as shown in Comparative Examples 3 to 4, when the palladium content is less than 3% by mass, the effect of suppressing the thermal diffusion of the underlying copper is insufficient, and thus a tin-copper alloy layer is formed, and the plating layer It can be seen that the thickness also varies and the whisker resistance is poor. Furthermore, as shown to Comparative Examples 5-6, when palladium content exceeds 25 mass%, it turns out that there is a problem that solder wettability is bad. Moreover, as shown in Comparative Examples 7 to 8, when the thickness of the tin-palladium alloy plating layer is larger than 1.0 μm, whiskers of 50 μm or more are generated, and thus it is understood that the whisker resistance is not improved.

本発明ケーブル用平角導体断面図Cross-sectional view of flat conductor for cable 銅系の素材に錫系めっきを施した従来のケーブル用平角導体断面図Cross-sectional view of a conventional rectangular conductor for cable with copper-based material tin-plated

符号の説明Explanation of symbols

1 ケーブル用平角導体
2 銅或いは銅合金配線
3 錫−パラジウム合金めっき層
10 ケーブル用平角導体
12 下地銅
13 CuSn相
14 CuSn
15 純錫めっき層
17 錫と銅の金属間化合物層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Flat conductor for cables 2 Copper or copper alloy wiring 3 Tin-palladium alloy plating layer 10 Flat conductor for cables 12 Base copper 13 Cu 3 Sn phase 14 Cu 6 Sn 5 phase 15 Pure tin plating layer 17 Intermetallic compound of tin and copper layer

Claims (5)

少なくとも一部の下地銅或いは銅合金配線上に、錫−パラジウム合金めっき層が形成され、前記錫−パラジウム合金めっき層において、錫−パラジウム合金めっき層の厚さが0.3〜1.0μm且つ、パラジウム含有量が3〜25質量%であることを特徴とするケーブル用平角導体。   A tin-palladium alloy plating layer is formed on at least a part of the base copper or copper alloy wiring, and the tin-palladium alloy plating layer has a thickness of 0.3 to 1.0 μm and A flat rectangular conductor for cables, wherein the palladium content is 3 to 25% by mass. 前記錫−パラジウム合金めっき層と下地銅或いは銅合金配線間に錫−銅金属間化合物層が形成されないことを特徴とする請求項1記載のケーブル用平角導体。   2. The rectangular conductor for a cable according to claim 1, wherein a tin-copper intermetallic compound layer is not formed between the tin-palladium alloy plating layer and the underlying copper or copper alloy wiring. 請求項1又は2に記載のケーブル用平角導体を用い、少なくともコネクタと嵌合されるフレキシブルフラットケーブル端子部の銅或いは銅合金配線上に、前記錫−パラジウム合金めっき層が形成されていることを特徴とするフレキシブルフラットケーブル端子部。   It uses that the said tin- palladium alloy plating layer is formed on the copper or copper alloy wiring of the flexible flat cable terminal part fitted with a connector at least using the flat conductor for cables of Claim 1 or 2. Characteristic flexible flat cable terminal. 請求項3に記載のフレキシブルフラットケーブル端子部を備えることを特徴とするフレキシブルフラットケーブル。   A flexible flat cable comprising the flexible flat cable terminal portion according to claim 3. 少なくとも一部の下地銅或いは銅合金配線上に、パラジウム含有量が3〜25質量%の錫−パラジウム合金によるめっき処理を施す工程と、錫−パラジウム合金めっき層の厚さを0.3〜1.0μmに調整する工程とを備えたことを特徴とするケーブル用平角導体の製造方法。   A step of performing a plating treatment with a tin-palladium alloy having a palladium content of 3 to 25% by mass on at least a part of the base copper or copper alloy wiring, and a thickness of the tin-palladium alloy plating layer being 0.3 to 1 A method for producing a rectangular conductor for a cable, comprising a step of adjusting the thickness to 0.0 μm.
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