JP2009130044A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】一対のリードフレーム間に半導体素子を挟み、これをモールド樹脂で封止してなる半導体装置の製造方法において、リードフレーム間隔を一定に保持するための治具を用いることなく、且つ、部品点数を増やすことなく、当該間隔を一定に保持する。
【解決手段】半導体素子１、２の外側にて両リードフレーム３、４の一方のリードフレーム４の一部を、他方のリードフレーム３側に向かって延びるように曲げられた曲げ部４ｄとし、その後、半導体素子１、２を両リードフレーム３、４の間に挟む工程では、曲げ部４ｄによって、両リードフレーム３、４を互いに離間した状態にて曲げ部４ｄによって支持することにより、両リードフレーム３、４の間隔を一定に保持する。
【選択図】図２

Description

本発明は、一対のリードフレーム間に半導体素子を挟み、これをモールド樹脂で封止してなる半導体装置の製造方法に関する。

従来より、この種の半導体装置は、第１のリードフレームと第２のリードフレームとの間に半導体素子を挟んだ後、これら両リードフレームおよび半導体素子を、モールド樹脂で封止してなる。

通常、半導体素子と各リードフレームとは、はんだを介して接合されるが、半導体素子を両リードフレームの間に挟む工程では、両リードフレームの間隔を所定の厚みになるように保持する。

この場合、一般には、はんだ付け冶具を使用してリフローを行うが、この場合、冶具により当該間隔を一定に保持するため、一方のリードフレームを他方のリードフレームよりも小さいサイズで作成し、そのクリアランス部を利用して、そこに冶具が接触するようにしてリフローを行う。

そのため、従来の一般的な方法では、両リードフレームのサイズを同じにできないという問題や、冶具でリードフレーム間隔を一定に保持するため、量産する場合、冶具の磨耗状態を管理する必要がある。

これに対して、従来より、一対のリードフレームの間に、リードフレームとは別体の円柱状スペーサを介在させることにより、リードフレーム間隔を一定に保持する方法が提案されている（特許文献１参照）。これによれば、両リードフレームのサイズを同一にできると考えられる。
特開２００４−３０３９００号公報

しかしながら、上記特許文献１に記載の方法では、リードフレームとは別体のスペーサを用いているため、部品点数が多くなり、また、当該スペーサをリードフレームに固定するための嵌合穴などを形成するため、半導体装置の構成や製造工程が複雑になる。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、一対のリードフレーム間に半導体素子を挟み、これをモールド樹脂で封止してなる半導体装置の製造方法において、リードフレーム間隔を一定に保持するための治具を用いることなく、且つ、部品点数を増やすことなく、当該間隔を一定に保持できるようにすることを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、半導体素子（１、２）の外側にて両リードフレーム（３、４）の一方のリードフレームの一部を、当該一方のリードフレームに対向する他方のリードフレーム側に向かって延びるように曲げられた曲げ部（３ｄ、４ｄ、４ｅ）とし、その後、半導体素子（１、２）を両リードフレーム（３、４）の間に挟む工程では、曲げ部（３ｄ、４ｄ、４ｅ）によって、両リードフレーム（３、４）を互いに離間した状態にて曲げ部（３ｄ、４ｄ、４ｅ）によって支持することにより、当該両リードフレーム（３、４）の間隔を一定に保持することを特徴とする。

それによれば、両リードフレーム（３、４）の一方のリードフレームの一部を曲げ部（３ｄ、４ｄ、４ｅ）とし、この曲げ部（３ｄ、４ｄ、４ｅ）によって両リードフレーム（３、４）を支持し両リードフレーム（３、４）の間隔を一定に保持するため、リードフレーム間隔を一定に保持するための治具を用いることなく、且つ、部品点数を増やすことなく、当該間隔を一定に保持できる。

ここで、請求項２に記載の発明のように、挟む工程は、支持台（２００）の上に、第１のリードフレーム（３）、半導体素子（１、２）、第２のリードフレーム（４）を順次積層するものであり、第２のリードフレーム（４）として、端部にモールド樹脂（７）より突出する突出部（４ｃ）を有するものを用い、曲げ部（４ｄ）は、第２のリードフレーム（４）の突出部（４ｃ）を第１のリードフレーム（３）側に向かって延びるように曲げてなるものであり、挟む工程では、曲げ部（４ｄ）の先端側の部位を第１のリードフレーム（３）の外側にて支持台（２００）に接触させることで、曲げ部（４ｄ）による両リードフレーム（３、４）の支持を行うものにできる。

この場合、曲げ部（４ｄ）は支持台（２００）に接触するが、第１のリードフレーム（３）には接触しないため、完成後に両リードフレーム（３、４）が導通した状態となるのを回避できる。

さらに、請求項３に記載の発明のように、第２のリードフレーム（４）の突出部（４ｃ）を、第２のリードフレーム（４）における突出部（４ｃ）以外の部位よりも薄いものにすれば、突出部（４ｃ）を曲げやすくでき、曲げ部（４ｄ）を形成しやすい。

また、請求項４に記載の発明のように、上記突出部（４ｃ）は、第２のリードフレーム（４）において外部と接続される端子部となるものにできる。

また、上記請求項１の製造方法においては、請求項５に記載の発明のように、挟む工程は、支持台（２００）の上に、第１のリードフレーム（３）、半導体素子（１、２）、第２のリードフレーム（４）を順次積層するものであり、第１のリードフレーム（３）、第２のリードフレーム（４）として、それぞれ、端部に前記モールド樹脂（７）より突出する突出部（３ｃ、４ｃ）を有するものを用い、曲げ部（３ｄ）は、第１のリードフレーム（３）の突出部（３ｃ）を第２のリードフレーム（４）側に向かって延びるように曲げてなるものであり、挟む工程では、曲げ部（３ｄ）の先端側の部位を第２のリードフレーム（４）の突出部（４ｃ）に接触させることで、曲げ部（３ｄ）による両リードフレーム（３、４）の支持を行い、この挟む工程を行った後、曲げ部（３ｄ）と第２のリードフレーム（４）の突出部（４ｃ）とが接触する部位と、モールド樹脂（７）との間にて、両リードフレーム（３、４）の突出部（３ｃ、４ｃ）を分断して除去するようにしてもよい。

この場合、曲げ部（３ｄ）は第２のリードフレーム（４）の突出部（４ｃ）に接触するため、そのままでは、完成後に両リードフレーム（３、４）が導通した状態となるが、挟む工程の後に曲げ部（３ｄ）を分断除去することにより、そのような状態となるのを回避できる。

さらに、この場合、請求項６に記載の発明のように、第１のリードフレーム（３）の突出部（３ｃ）は、第１のリードフレーム（３）における突出部（３ｃ）以外の部位よりも薄く、第２のリードフレーム（４）の突出部（４ｃ）は、第２のリードフレーム（４ｃ）における突出部（４ｃ）以外の部位よりも薄いものにできる。

それによれば、第１のリードフレーム（３）の突出部（３ｃ）を曲げやすくでき、曲げ部（３ｄ）を形成しやすい。また、モールド樹脂（７）による封止後に、第１および第２のリードフレーム（３、４）の突出部（３ｃ、４ｃ）を分断するときに、当該分断を行いやすい。

また、この場合にも、請求項７に記載の発明のように、第１のリードフレーム（３）の突出部（３ｃ）、第２のリードフレーム（４）の突出部（４ｃ）は、それぞれ第１のリードフレーム（３）、第２のリードフレーム（４）において外部と接続される端子部となるものにできる。

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
図１（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置１００の概略断面構成を示す図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）中の上方向からの概略平面図である。この半導体装置１００は、たとえば自動車などの車両に搭載され、車両用電子装置を駆動するための装置として適用されるものである。

図１に示されるように、本半導体装置１００は、平面的に配置された２個の半導体素子１、２を備える。たとえば、第１の半導体素子１はＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）１であり、第２の半導体素子２は、ＦＷＤ（フライホイールダイオード）２である。

そして、これら両半導体素子１、２の両面は、半導体素子１、２の電極および放熱部材として機能する一対の放熱板としての一対のリードフレーム３、４にて挟まれている。これらリードフレーム３、４は、一般的なリードフレーム材料などよりなるもので、たとえば、銅合金にニッケルメッキを施した板材により構成されている。

ここで、一対のリードフレーム３、４は、互いの内面３ａ、４ａにて対向するように配置されているが、図１において、一対のリードフレーム３、４のうち下側に位置するリードフレーム３を、第１のリードフレーム３とし、上側に位置するリードフレーム４を、第２のリードフレーム４とする。また、各リードフレーム３、４において、内面３ａ、４ａとは反対側の面である外面３ｂ、４ｂは放熱面として構成されている。

ここでは、図１（ｂ）に示されるように、両リードフレーム３、４は平面略矩形の板であり、その端部に突出部３ｃ、４ｃを有する形状となっている。そして、これら両リードフレーム３、４の突出部３ｃ、４ｃを除く矩形部分は、同一形状・同一サイズ、すなわち合同形状となっている。

そして、両半導体素子１、２は、これら両リードフレーム３、４の内面３ａ、４ａの間に挟まれており、両半導体素子１、２と第１のリードフレーム３の内面３ａとの間は、はんだ５によって電気的・熱的に接続されている。また、両半導体素子１、２と第２のリードフレーム４との間には、ブロック体６が介在している。

このブロック体６は、電気導電性、熱伝導性に優れた矩形ブロック状のもので、通常銅からなるが、モリブデンなどを用いてもよい。このブロック体６により、両半導体素子１、２の高さが異なる場合などであっても、両リードフレーム３、４が平行に保持されるようになっている。

そして、各半導体素子１、２とブロック体６との間、および、ブロック体６と第２のリードフレーム４の内面４ａとの間は、それぞれ、はんだ５によって電気的・熱的に接続されている。

ここで、上記の各部を接続するはんだ５は、一般的な半導体装置の分野にて採用されるはんだ材料とすることができ、たとえば、すず−銅合金系はんだなどの鉛フリーはんだを採用することができる。

そして、図１、図２に示されるように、本実施形態の半導体装置１００においては、一対のリードフレーム３、４およびこれに挟み込まれた半導体素子１、２、ブロック体６が、モールド樹脂７にて封止されている。このモールド樹脂７はエポキシ樹脂などの通常のモールド材料よりなり、成形金型を用いたトランスファーモールド法によって作製されたものである。

また、図１に示されるように、一対のリードフレーム３、４のそれぞれにおいて外面３ｂ、４ｂが、モールド樹脂７から露出している。これにより、本半導体装置１００は、第１および第２の半導体素子１、２の両面のそれぞれにて、第１のリードフレーム３、第２のリードフレーム４を介した放熱が行われる両面放熱型の構成となっている。

また、一対のリードフレーム３、４は、上記はんだ５やブロック体６を介して、両半導体素子１、２の各面の図示しない電極に電気的に接続されている。そして、上記した各リードフレーム３、４の突出部３ｃ、４ｃは、モールド樹脂７より突出しており、外部と電気的に接続される端子部として構成されている。

また、図１に示されるように、第１のリードフレーム３の突出部３ｃは、第１のリードフレーム３の端部より突出するものであるが、当該突出部３ｃは、第１のリードフレーム３における突出部３ｃ以外の部位、具体的には矩形板状の部分よりも板厚が薄く、且つ、幅が狭いものとなっている。

同様に、第２のリードフレーム４の突出部４ｃは、第２のリードフレーム４の端部より突出するものであるが、当該突出部４ｃは、第２のリードフレーム４における突出部４ｃ以外の部位、具体的には矩形板状の部分よりも板厚が薄く、且つ、幅が狭いものとなっている。これら板厚、幅の相違するリードフレーム構成は、エッチングやプレスなどにより作製される。

さらに、この第２のリードフレーム４の突出部４ｃの先端側の部位は、モールド樹脂７の外側にて第１のリードフレーム３側に向かって延びるように曲げられており、この第１のリードフレーム３に向かって延びる部位が曲げ部４ｄとして構成されている。

この曲げ部４ｄは、図１（ａ）に示されるように、その先端部が第１のリードフレーム３の外面３ｂと同一面上に位置している。また、モールド樹脂７の外側にて、第１のリードフレーム３の突出部３ｃと、曲げ部４ｄを含む第２のリードフレーム４の突出部４ｃとは、両リードフレーム３、４の積層方向からみて互いにずれた位置にあり、互いに離れて電気的に独立している。

次に、上記半導体装置１００の製造方法について、図２を参照して述べる。図２（ａ）は、本製造方法において半導体素子１、２を両リードフレーム３、４の間に挟む工程（以下、単に挟む工程という）を示す概略側面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）の上方向の概略平面図である。

本実施形態の挟む工程では、支持台２００の上に、第１のリードフレーム３、半導体素子１、２、ブロック体６、第２のリードフレーム４を、はんだ５を介して順次積層する。このとき、第２のリードフレーム４として、端部に上記突出部４ｃを有するものを用い、図２に示されるように、この突出部４ｃを第１のリードフレーム３側に向かって延びるように曲げ、上記曲げ部４ｄを形成する。

そして、挟む工程では、上記各部品の積層を行うときに、第２のリードフレーム４を搭載して、曲げ部４ｄの先端側の部位を第１のリードフレーム３の外側にて支持台２００に接触させる。また、このとき、第２のリードフレーム４の上方から図示しない重りを載せ、荷重を加える。

そうすることで、曲げ部４ｄによる両リードフレーム３、４の支持が行われ、積層方向に延びる当該曲げ部４ｄの長さによって、リードフレーム間隔が一定に保持される。また、このとき、両リードフレーム３、４の突出部３ｃ、４ｃは、互いに接触しておらず、離れている。

こうして、曲げ部４ｄによりリードフレーム間隔を一定に保持した状態で、はんだリフローを行い、積層された上記各部品をはんだ５を介して接合する。こうして、本実施形態の挟む工程が終了する。次に、このワークをモールド樹脂７により封止する。この樹脂封止は、一般的なトランスファーモールド法に用いられる成形金型を用いて行われる。

そして、この樹脂封止工程の終了後、必要に応じて、両リードフレーム３、４の外面３ｂ、４ｂに付着した樹脂のバリを除去する工程などを行う。それにより、本実施形態の半導体装置１００ができあがる。

ところで、本実施形態によれば、両リードフレーム３、４の一方のリードフレームの一部、すなわち第２のリードフレーム４の突出部４ｃの先端側の部位を曲げ部４ｄとし、この曲げ部４ｄによって両リードフレーム３、４を支持している。

そのため、リードフレーム３、４の一部である曲げ部４ｄがリードフレーム間隔を一定に保持する機能を発揮することから、リードフレーム間隔を一定に保持するための治具を用いることなく、且つ、部品点数を増やすことなく、当該間隔を一定に保持することができる。

また、本実施形態の製造方法では、挟む工程において、第２のリードフレーム４の曲げ部４ｄは支持台２００に接触するが、第１のリードフレーム３には接触しないため、完成後に両リードフレーム３、４が導通した状態となるのを回避できる。

また、上述したように、従来の一般的な方法では、両リードフレームのサイズを変えて治具を用いていたが、本実施形態では、第２のリードフレームの突出部４ｃによってリードフレーム間隔を一定に保持させるため、両リードフレーム３、４の突出部３ｃ、４ｃを除いた第１および第２のリードフレーム３、４の平面形状を、上述したように合同形状とすることができる。

（第２実施形態）
図３（ａ）は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置１０１の概略断面構成を示す図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）中の上方向からの概略平面図である。本半導体装置１０１は、上記第１実施形態の半導体装置において、両リードフレーム３、４の突出部３ｃ、４ｃの構成を変形したものである。

本実施形態の半導体装置１０１においても、各リードフレーム３、４の突出部３ｃ、４ｃは、モールド樹脂７より突出しており、外部と電気的に接続される端子部として構成されている。

また、図３に示されるように、本実施形態においても、各リードフレーム３、４において、突出部３ｃ、４ｃは、当該各リードフレーム３、４における突出部３ｃ、４ｃ以外の部位、具体的には矩形板状の部分よりも板厚が薄く、且つ、幅が狭いものとして構成されている。

ここで、本半導体装置１０１においては、第１のリードフレーム３の突出部３ｃと第２のリードフレーム４の突出部４ｃとは、ともに先端側の部位がモールド樹脂７の外側に突出して互いに離れて電気的に独立しているが、両リードフレーム３、４の積層方向からみて、両突出部３ｃ、４ｃは重なる位置にある。

次に、本実施形態の半導体装置１０１の製造方法について、図４を参照して述べる。図４（ａ）は、本製造方法における挟む工程を示す概略側面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）の上方向の概略平面図である。また、図４（ａ）には、この挟む工程の後に形成されるモールド樹脂７の外形を破線にて示す。

本実施形態の挟む工程においても、支持台２００の上に、第１のリードフレーム３、半導体素子１、２、ブロック体６、第２のリードフレーム４を、はんだ５を介して順次積層する。

このとき、第１のリードフレーム３、第２のリードフレーム４として、それぞれ上記突出部３ｃを有するものを用いる。そして、本実施形態では、第１のリードフレーム３の突出部３ｃを第２のリードフレーム４側に向かって延びるように曲げ、曲げ部３ｄを形成する。ここでは、図４に示されるように、Ｕ字状に延びる曲げ部３ｄとしている。

そして、挟む工程では、上記各部品の積層を行うときに、第２のリードフレーム４を搭載して、その上から図示しない重りを載せて荷重を加え、曲げ部３ｄの先端側の部位を第２のリードフレーム４の突出部４ｃに接触させる。

そうすることで、曲げ部３ｄによる両リードフレーム３、４の支持が行われ、積層方向に延びる当該曲げ部３ｄの長さによって、リードフレーム間隔が一定に保持される。また、このとき、両リードフレーム３、４の突出部３ｃ、４ｃは、互いに接触している。この場合、上記重りによる荷重は、両方のリードフレーム３、４にかかるため、下側の第１のリードフレーム３が支持台２００から浮くのを回避できる。

こうして、曲げ部４ｄによりリードフレーム間隔を一定に保持した状態で、はんだリフローを行い、積層された上記各部品をはんだ５を介して接合する。次に、このワークをモールド樹脂７により封止する。

その後、第１のリードフレーム３の曲げ部３ｄと第２のリードフレーム４の突出部４ｃとが接触する部位と、モールド樹脂７との間にて、第１のリードフレーム３の突出部３ｃおよび第２のリードフレーム４の突出部４ｃを刃具などで分断して除去する。この分断の位置は、図４（ａ）中の破線のラインＫに示される。

これにより、両リードフレーム３、４の突出部３ｃ、４ｃが接触する部位は除去されるため、樹脂封止後において、両突出部３ｃ、４ｃは、モールド樹脂７から突出して互いに離れた状態として残されることになる。

ところで、本実施形態によれば、両リードフレーム３、４の一方のリードフレームの一部、すなわち第１のリードフレーム３の突出部３ｃの先端側の部位を曲げ部３ｄとし、この曲げ部３ｄによって両リードフレーム３、４を支持している。

そのため、リードフレーム３、４の一部である曲げ部３ｄがリードフレーム間隔を一定に保持する機能を発揮することから、リードフレーム間隔を一定に保持するための治具を用いることなく、且つ、部品点数を増やすことなく、当該間隔を一定に保持することができる。

また、本製造方法によっても、両リードフレーム３、４の突出部３ｃ、４ｃを除いた第１および第２のリードフレーム３、４の平面形状を、上述したように合同形状とすることができる。

また、本実施形態の製造方法では、第１のリードフレーム３の曲げ部３ｄは第２のリードフレーム４の突出部４ｃに接触するため、そのままでは、樹脂封止後に両リードフレーム３、４が導通した状態となる。

しかし、本製造方法では、樹脂封止後において曲げ部３ｄを含む両突出部３ｃ、４ｃの接触部を分断除去することにより、互いのリードフレーム３、４を電気的に独立した状態にできる。なお、この突出部３ｃ、４ｃの分断は、はんだリフロー後、すなわち挟む工程後であればよく、樹脂封止工程の前に行ってもよい。

（第３実施形態）
図５（ａ）は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置の製造方法における挟む工程を示す概略側面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）中の左方からの概略側面図であり、図５（ｃ）は、図５（ａ）中の上方向の概略平面図である。

本製造方法では、上記第１実施形態の半導体装置において、曲げ部４ｅを構成する突出部を、外部と接続される端子部３ｃ、４ｃ以外のものとしている。本製造方法において曲げ部４ｅとなる突出部は、第２のリードフレーム４の端部において端子部４ｃ以外の部位から突出しており、この突出部の先端側の部位が曲げ部４ｅとして構成されている。

ここでは、第２のリードフレーム３、４において、突出部４ｅは、当該第２のリードフレーム４における突出部４ｅ以外の部位、具体的には矩形板状の部分と板厚が同等であるが、このようなものであっても構わない。もちろん上記実施形態のように、曲げ部の方が薄い方が、曲げたり切断したりすることが容易になるという点で有利である。

本実施形態の挟む工程においては、この第１のリードフレーム３側に向かって延びる曲げ部４ｅの先端側の部位を第１のリードフレーム３の外側にて支持台２００に接触させ、上記重りによって、荷重を加える。そうすることで、曲げ部４ｅによって、リードフレーム間隔を一定に保持した状態で、はんだリフローを行い、はんだ接合する。こうして、本実施形態の挟む工程を行う。

その後は、本実施形態においても、上記同様に、樹脂封止および樹脂のバリ除去などを行うことで、本実施形態の半導体装置が完成する。この半導体装置においては、上記モールド樹脂から、曲げ部４ｅが突出した構成となる。

こうして、本実施形態によっても、リードフレーム間隔を一定に保持するための治具を用いることなく、且つ、部品点数を増やすことなく、当該間隔を一定に保持することができる。

（他の実施形態）
なお、半導体装置としては、第１のリードフレーム３と第２のリードフレーム４との間に半導体素子１、２を挟んでなるものを、モールド樹脂７で封止してなるものであればよく、可能ならば上記したブロック体６は無くてもよい。

また、上記第１実施形態および第３実施形態においては、曲げ部４ｄ、４ｅは他方のリードフレームに接触していないため、挟む工程後に切断されていないが、これら第１、第３実施形態においても、端子部の形状を整えるなどの目的で、挟む工程の後に、曲げ部４ｄ、４ｅを切断してもよい。

また、曲げ部としては、上記各実施形態以外にも、両リードフレーム３、４の一方の一部が他方側に向かって延びるように曲げられて上記した間隔保持の作用を発揮するものであればよく、曲げ形状や個数などは上記例に限定されるものではない。また、リードフレームとは、導電性・放熱性を有する金属などの材料よりなり、半導体素子を挟む面を有するものであればよく、上記図示例に限定されるものではない。

また、一対のリードフレーム３、４に挟まれる半導体素子としては、一対のリードフレーム３、４を電極や放熱板として用いることが可能なものであれば、上記したＩＧＢＴやＦＷＤなどでなくてもよい。また、半導体素子は２個に限定されるものではなく、１個でもよいし、３個以上でもよい。

（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の概略断面図、（ｂ）は、（ａ）中の上面図である。 （ａ）は、第１実施形態に係る製造方法における挟む工程を示す概略側面図、（ｂ）は（ａ）の上面図である。 （ａ）は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の概略断面図、（ｂ）は、（ａ）中の上面図である。 （ａ）は、第２実施形態に係る製造方法における挟む工程を示す概略側面図、（ｂ）は（ａ）の上面図である。 （ａ）は、本発明の第３実施形態に係る製造方法における挟む工程を示す概略側面図、（ｂ）は（ａ）の左側面図、（ｃ）は（ａ）の上面図である。

符号の説明

１…第１の半導体素子、２…第２の半導体素子、
３…第１のリードフレーム、３ｃ…第１のリードフレームの突出部、
３ｄ…第１のリードフレームの曲げ部、
４…第２のリードフレーム、４ｃ…第２のリードフレームの突出部、
４ｄ、４ｅ…第２のリードフレームの曲げ部、
７…モールド樹脂、２００…支持台。

Claims (7)

1. 第１のリードフレーム（３）と第２のリードフレーム（４）との間に半導体素子（１、２）を挟んでなるものを、モールド樹脂（７）で封止してなる半導体装置の製造方法において、
   前記半導体素子（１、２）の外側にて前記両リードフレーム（３、４）の一方のリードフレームの一部を、当該一方のリードフレームに対向する他方のリードフレーム側に向かって延びるように曲げられた曲げ部（３ｄ、４ｄ、４ｅ）とし、
   その後、前記半導体素子（１、２）を前記両リードフレーム（３、４）の間に挟む工程では、前記曲げ部（３ｄ、４ｄ、４ｅ）によって、前記両リードフレーム（３、４）を互いに離間した状態にて前記曲げ部（３ｄ、４ｄ、４ｅ）によって支持することにより、当該両リードフレーム（３、４）の間隔を一定に保持することを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記挟む工程は、支持台（２００）の上に、前記第１のリードフレーム（３）、前記半導体素子（１、２）、前記第２のリードフレーム（４）を順次積層するものであり、
   前記第２のリードフレーム（４）として、端部に前記モールド樹脂（７）より突出する突出部（４ｃ）を有するものを用い、
   前記曲げ部（４ｄ）は、前記第２のリードフレーム（４）の前記突出部（４ｃ）を前記第１のリードフレーム（３）側に向かって延びるように曲げてなるものであり、
   前記挟む工程では、前記曲げ部（４ｄ）の先端側の部位を前記第１のリードフレーム（３）の外側にて前記支持台（２００）に接触させることで、前記曲げ部（４ｄ）による前記両リードフレーム（３、４）の支持を行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記突出部（４ｃ）は、前記第２のリードフレーム（４）における前記突出部（４ｃ）以外の部位よりも薄いものであることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記突出部（４ｃ）は、前記第２のリードフレーム（４）において外部と接続される端子部となるものであることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記挟む工程は、支持台（２００）の上に、前記第１のリードフレーム（３）、前記半導体素子（１、２）、前記第２のリードフレーム（４）を順次積層するものであり、
   前記第１のリードフレーム（３）として、端部に前記モールド樹脂（７）より突出する突出部（３ｃ）を有するものを用い、
   前記第２のリードフレーム（４）として、端部に前記モールド樹脂（７）より突出する突出部（４ｃ）を有するものを用い、
   前記曲げ部（３ｄ）は、前記第１のリードフレーム（３）の前記突出部（３ｃ）を前記第２のリードフレーム（４）側に向かって延びるように曲げてなるものであり、
   前記挟む工程では、前記曲げ部（３ｄ）の先端側の部位を前記第２のリードフレーム（４）の前記突出部（４ｃ）に接触させることで、前記曲げ部（３ｄ）による前記両リードフレーム（３、４）の支持を行い、
   前記挟む工程を行った後、前記曲げ部（３ｄ）と前記第２のリードフレーム（４）の前記突出部（４ｃ）とが接触する部位と、前記モールド樹脂（７）との間にて、前記第１のリードフレーム（３）の前記突出部（３ｃ）および前記第２のリードフレーム（４）の前記突出部（４ｃ）を分断して除去することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記第１のリードフレーム（３）の前記突出部（３ｃ）は、前記第１のリードフレーム（３）における前記突出部（３ｃ）以外の部位よりも薄く、
   前記第２のリードフレーム（４）の前記突出部（４ｃ）は、前記第２のリードフレーム（４ｃ）における前記突出部（４ｃ）以外の部位よりも薄いものであることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記第１のリードフレーム（３）の前記突出部（３ｃ）、前記第２のリードフレーム（４）の前記突出部（４ｃ）は、それぞれ前記第１のリードフレーム（３）、前記第２のリードフレーム（４）において外部と接続される端子部となるものであることを特徴とする請求項５または６に記載の半導体装置の製造方法。

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