JP2009118254A - 高周波信号出力回路 - Google Patents

Abstract

【課題】整合の自由度を拡張し低消費電力と低歪みとを満たす最適なインピーダンスを実現し、さらに、１／２発振の誘発を抑え、高周波信号のノイズ特性を低減する高周波信号出力回路を提供する。
【解決手段】高周波信号出力回路１０において、信号入力端１００から入力された高周波信号は、第１の整合用キャパシタ１０２と第２の整合用キャパシタ１０４とを介して、トランジスタ１０１のベースに入力される。トランジスタ１０１へのベースバイアスは、バイアス回路１０７からシャントインダクタ１０３とベース電流調整用抵抗１０５とを介して供給される。シャントインダクタ１０３は、十分大きな容量値を有するバイパスコンデンサ１０６を介して接地されているため、シャントインダクタ１０３に分岐された高周波信号をグランドへ逃がす機能と、バイアス回路１０７からの直流信号をトランジスタ１０１のベースへ伝達する機能とを有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、高周波信号出力回路に関し、より特定的には、高周波信号を増幅する多段高周波電力増幅器などに用いられる高周波信号出力回路に関する。

バイポーラトランジスタを用いた高周波電力増幅器には、携帯端末などの送信部に用いられている多段高周波電力増幅器がある（非特許文献１を参照）。図６Ａは、従来の多段高周波電力増幅器の段間部に用いられる高周波信号出力回路６０の回路図であり、図６Ｂは、従来の多段高周波電力増幅器の初段部（以下、ドライバ段）に用いられる高周波信号出力回路６１の回路図である。

図６Ａに示すように、従来の多段高周波電力増幅器の段間部に用いられる高周波信号出力回路６０において、ドライバ段のトランジスタ６０１で増幅された高周波信号は、整合用キャパシタ６０３を介して、パワー段トランジスタ６０２のベース端子６０７に入力される。パワー段トランジスタ６０２のベース端子６０７へのベースバイアスは、バイアス回路６０４からベース電流調整用抵抗６０５を介して供給される。このように、ドライバ段のトランジスタ６０１で増幅された高周波信号は、パワー段トランジスタ６０２によって、さらに増幅される。

一方、図６Ｂに示すように、従来の多段高周波電力増幅器のドライバ段に用いられる高周波信号出力回路６１において、信号入力端６１０から入力された高周波信号は、第１の整合用キャパシタ６１６と、第２の整合用キャパシタンス６１２とを介して、ドライバ段トランジスタ６１１のベース端子６１５に入力される。ドライバ段トランジスタ６１１のベース端子６１５へのベースバイアスは、バイアス回路６１３からベース電流調整用抵抗６１４を介して供給される。このように、信号入力端６１０から入力された高周波信号は、ドライバ段トランジスタ６１１によって増幅される。なお、第１の整合用キャパシタ６１６と第２の整合用キャパシタ６１２との接続点には、接地されたシャントインダクタ６１７が接続されている。第１の整合用キャパシタ６１６と第２の整合用キャパシタ６１２とシャントインダクタ６１７とにより整合回路部６１８を構成している。

以上のように、図６Ａおよび図６Ｂに示した高周波信号出力回路６０および６１によって多段高周波電力増幅器を構成し、高周波信号を増幅している。
小西良弘著、本城和彦編、「実用マイクロ波技術講座 集積回路と応用（第６巻）」ケイラボ出版、日刊工業新聞社、２００２年６月２５日、ｐ．９１、１１９−１２２

しかしながら、上述した従来の多段高周波電力増幅器の段間部に用いられる高周波信号出力回路６０の整合回路は、ドライバ段トランジスタ６０１のコレクタバイアスラインのインダクタ６０６と整合用キャパシタ６０３のみで構成される単純な回路である。このため、パワー段トランジスタ６０２のベース端子６０７に入力される高周波信号の整合の微調整が困難であった。さらに、現在の携帯端末の通信方式のように通信データレートが高い場合、携帯電話に用いる電力増幅器においては、低消費電力特性のみならず、低歪み特性も要求される。このため、上述したような従来の単純な整合回路では自由度が少なく、低消費電力および低歪みを満たす最適なインピーダンスを実現することが困難であった。また、電力増幅器において利得性能を向上させるためには、一般的に整合用キャパシタ６０３に大容量のキャパシタを用いればよい。しかし、整合用キャパシタ６０３に大容量のキャパシタを用いた場合、高帯域のみならず低帯域での利得性能も向上するため、１／２発振を誘発しやすくなるという課題があった。

一方、上述した従来の多段高周波電力増幅器のドライバ段に用いられる高周波信号出力回路６１においては、バイアス回路６１３からの直流信号経路と高周波信号経路との分離が不十分であり、バイアス回路６１３で発生する低周波の直流信号が、高周波信号経路に混在し、ノイズ特性が悪くなるという課題があった。なお、従来の多段高周波電力増幅器の段間部に用いられる高周波信号出力回路６０においても、同様にノイズ特性が悪くなるという課題があった。

それ故に、本発明の目的は、整合の自由度を拡張し低消費電力と低歪みを満たす最適なインピーダンスを実現し、さらに、１／２発振の誘発を抑え、高周波信号のノイズ特性を低減する高周波信号出力回路を提供することである。

上記目的を達成させるために、本発明の第１の高周波信号出力回路は、高周波信号を整合する整合回路とバイアス回路とを備えた高周波信号出力回路であって、一方端が信号入力端に接続された第１の整合用キャパシタと、一方端が第１の整合用キャパシタの他方端に接続された第２の整合用キャパシタと、一方端が第１の整合用キャパシタと第２の整合用キャパシタとの接続点に接続されたインダクタと、ベースが第２の整合用キャパシタの他方端に接続され、エミッタが接地されたトランジスタと、一方端がインダクタの他方端に接続され、他方端が接地されたバイパスコンデンサと、第２の整合用キャパシタと並列に接続されたベース電流調整用抵抗と、インダクタとバイパスコンデンサとの接続点にバイアス電圧を供給するバイアス回路とを備え、バイアス回路から供給されたバイアス電圧は、インダクタとベース電流調整用抵抗とを介して、トランジスタのベースに入力されることを特徴とする。

好ましい第１の高周波信号出力回路は、インダクタとバイパスコンデンサとの間に挿入され、インダクタの他方端に接続される入力端と、バイパスコンデンサの一方端に接続される第１の出力端と、第２の出力端とを有するスイッチ素子と、スイッチ素子に入力端と第１の出力端とを接続させた場合、バイアス回路をオンし、スイッチ素子に入力端と第２の出力端とを接続させた場合、バイアス回路をオフする制御部とをさらに備える。

また、本発明の第２の高周波信号出力回路は、高周波信号を整合する整合回路とバイアス回路とを備えた高周波信号出力回路であって、一方端が信号入力端に接続された第１の整合用キャパシタと、一方端が第１の整合用キャパシタの他方端に接続された複数の第２の整合用キャパシタと、一方端が第１の整合用キャパシタと複数の第２の整合用キャパシタとの接続点に接続されたインダクタと、ベースが複数の第２の整合用キャパシタのそれぞれの他方端に接続され、エミッタが接地され、コレクタが共通の信号出力端に接続された複数のトランジスタと、一方端がインダクタの他方端に接続され、他方端が接地されたバイパスコンデンサと、複数の第２の整合用キャパシタのそれぞれと並列に接続された複数のベース電流調整用抵抗と、インダクタとバイパスコンデンサとの接続点にバイアス電圧を供給するバイアス回路とを備え、バイアス回路から供給されたバイアス電圧は、インダクタと複数のベース電流調整用抵抗とを介して、複数のトランジスタのベースに入力されることを特徴とする。

好ましい第２の高周波信号出力回路は、インダクタとバイパスコンデンサとの間に挿入され、インダクタの他方端に接続される入力端と、バイパスコンデンサの一方端に接続される第１の出力端と、第２の出力端とを有するスイッチ素子と、スイッチ素子に入力端と第１の出力端とを接続させた場合、バイアス回路をオンし、スイッチ素子に入力端と第２の出力端とを接続させた場合、バイアス回路をオフする制御部とをさらに備える。

上述のように、本発明の高周波信号出力回路によれば、整合の自由度を拡張し低消費電力と低歪みとを満たす最適なインピーダンスを実現し、さらに、１／２発振の誘発を抑え、高周波信号のノイズ特性を低減することが可能となる。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る高周波信号出力回路１０の回路図である。図１に示すように、高周波信号出力回路１０は、信号入力端１００に第１の整合用キャパシタ１０２の一方端が接続され、第１の整合用キャパシタ１０２の他方端に第２の整合用キャパシタ１０４の一方端が接続され、第２の整合用キャパシタ１０４の他方端にトランジスタ１０１のベースが接続されている。また、トランジスタ１０１のエミッタは接地されている。第１の整合用キャパシタ１０２と第２の整合用キャパシタ１０４との接続点に、シャントインダクタ１０３の一方端が接続されている。シャントインダクタ１０３の他方端は、十分大きな容量値を有するバイパスコンデンサ１０６を介して接地されている。シャントインダクタ１０３とバイパスコンデンサ１０６との接続点１０８に、バイアス電圧を供給するバイアス回路１０７が接続されている。さらに、ベース電流調整用抵抗１０５が第２の整合用キャパシタ１０４と並列に接続されている。

高周波信号出力回路１０において、信号入力端１００から入力された高周波信号は、第１の整合用キャパシタ１０２と第２の整合用キャパシタ１０４とを介して、トランジスタ１０１のベースに入力される。トランジスタ１０１へのベースバイアスは、バイアス回路１０７からシャントインダクタ１０３とベース電流調整用抵抗１０５とを介して供給される。このように信号入力端１００から入力された高周波信号は、トランジスタ１０１で増幅される。

ここで、シャントインダクタ１０３は、十分大きな容量値を有するバイパスコンデンサ１０６を介して接地されている。これにより、シャントインダクタ１０３とバイパスコンデンサ１０６との接続点１０８は、交流的にはショートであるため、シャントインダクタ１０３に分岐した高周波信号はグランドへ逃がされる。一方、接続点１０８は、直流的にはオープンであるため、バイアス回路１０７からの直流信号は、シャントインダクタ１０３側へ流れ、さらにベース電流調整用抵抗１０５を介して、トランジスタ１０１のベース端子１０９に入力される。このように、図１に示した高周波信号出力回路１０のシャントインダクタ１０３は、シャントインダクタ１０３に分岐された高周波信号をグランドへ逃がす機能と、バイアス回路１０７からの直流信号をトランジスタ１０１のベースへ伝達する機能とを有する。

図６Ａに示した従来の高周波信号出力回路６０は、整合用キャパシタ６０３のみで段間結合を行う構成であった。しかし、本発明の高周波信号出力回路１０は、第１の整合用キャパシタ１０２と第２の整合用キャパシタ１０４とシャントインダクタ１０３とで整合回路（以下、ＣＬＣ整合回路）を構成している。したがって、高周波信号出力回路１０を多段高周波電力増幅器の段間部に用いた場合、図６Ａに示した従来の高周波信号出力回路６０に比べて、整合の自由度が高くなる。さらに、整合の自由度が高くなることによって、高周波信号出力回路１０のインピーダンスを低消費電力と低歪みとを満たす最適なインピーダンス範囲に合わせやすくなる。

さらに、本発明の高周波信号出力回路１０の構成によれば、低帯域の通過特性が抑圧できるので、耐発振性が改善できるという効果もある。図２は、図６Ａに示した従来の高周波信号出力回路６０と、本発明の高周波信号出力回路１０との通過特性Ｓ２１を示す図である。図２において、破線で示した通過特性Ａは、従来の高周波信号出力回路６０の通過特性Ｓ２１であり、実線で示した通過特性Ｂは、本発明の高周波信号出力回路１０の通過特性Ｓ２１である。ｆｏは基本周波数であり、１／２ｆｏは、１／２周波数である。本発明の高周波信号出力回路１０において、１／２周波数での通過特性Ｓ２１の抑圧が改善している。従来の高周波信号出力回路６０は、ドライバ段トランジスタ６０１のコレクタバイアスラインにインダクタ６０６を備えていたが、段間部においては、整合用キャパシタ６０３のみの構成であった。一方、本発明の高周波信号出力回路１０は、段間部においてＣＬＣ整合回路を構成している。このため、本発明の高周波信号出力回路１０は、ＣＬＣ整合回路のシャントインダクタ１０３が低帯域の通過特性を抑圧する機能によって、１／２発振の誘発を抑えることが可能となる。

一方、本発明の高周波信号出力回路１０を多段高周波電力増幅器のドライバ段に用いた場合、シャントインダクタ１０３とバイパスコンデンサ１０６とによって、バイアス回路１０７からの低周波の直流信号が抑圧される。したがって、バイアス回路１０７で発生する低周波の直流信号が、高周波信号経路に混在せず、ノイズ特性を改善することができる。

以上のように、本発明の第１の実施形態に係る高周波信号出力回路１０によれば、整合の自由度を拡張し低消費電力と低歪みを満たす最適なインピーダンスを実現し、さらに、１／２発振の誘発を抑え、高周波信号のノイズ特性を低減することができる。

（第２の実施形態）
図３Ａは、本発明の第２の実施形態に係る高周波信号出力回路３０の回路図である。図３Ａに示す高周波信号出力回路３０は、図１に示した第１の実施形態に係る高周波信号出力回路１０にスイッチ素子３００と制御部３０３とを追加した構成である。図３Ａに示す高周波信号出力回路３０において、図１に示した同様の構成要素については、同様の参照符号を付して説明を省略する。

図３Ａに示すように高周波信号出力回路３０において、スイッチ素子３００は、入力端子ａはシャントインダクタ１０３に接続され、一方の出力端子ｂはバイパスコンデンサ１０６に接続され、他方の出力端子ｃは分岐出力端子３０１に接続されている。スイッチ素子３００は、入力端子ａをバイパスコンデンサ１０６側の出力端子ｂと分岐出力端子３０１側の出力端子ｃとのいずれかに接続する。制御部３０３は、高周波信号出力回路３０からの出力信号に要求される出力電力に応じて、スイッチ素子３００のスイッチング動作およびバイアス回路１０７のオンオフ動作を制御する。図３Ｂは、高出力時および低出力時におけるスイッチ素子３００およびバイアス回路１０７の動作を示す図である。

出力電力を高出力にする高出力時には、制御部３０３によって、スイッチ素子３００は入力端子ａを出力端子ｂに接続し、バイアス回路１０７はオンされる。この場合、信号入力端１００から入力された高周波信号は、第１の実施形態で述べたように、バイアス回路１０７によってバイアス供給されることにより、トランジスタ１０１で増幅され、通常出力端子３０２から出力される。なお、スイッチ素子３００は一定の挿入損失量を有しているが、高周波信号経路に直列に挿入されていないため、信号入力端１００から入力された高周波信号を増幅する際に、スイッチ素子３００による挿入損失の影響はない。

出力電力を低出力にする低出力時には、制御部３０３によって、スイッチ素子３００は入力端子ａを出力端子ｃに接続し、バイアス回路１０７はオフされる。これにより、信号入力端１００から入力された高周波信号は、シャントインダクタ１０３側に分岐され、そのまま分岐出力端子３０１から出力される。

このように、制御部３０３によって、スイッチ素子３００のスイッチング動作とバイアス回路１０７のオンオフ動作とを連動させる。これによって、高周波信号出力回路３０は、信号入力端１００から入力された高周波信号をトランジスタ１０１で増幅して出力する高出力モードと、トランジスタ１０１を駆動させないで信号入力端１００から入力された高周波信号をそのまま出力する低出力モードとの２段階モードを実現することができる。

携帯電話端末のように、基地局からの距離に応じて出力制御が可能である場合、出力電力の大きさに応じた最適な回路構成を用いることにより、低消費電力化に効果を奏する。

以上のように、本発明の第２の実施形態に係る高周波信号出力回路３０によれば、出力電力の大きさに応じた最適な回路構成を実現することができ、携帯端末の低消費電力化に効果を奏する。

（第３の実施形態）
図４は、本発明の第３の実施形態に係る高周波信号出力回路４０の回路図である。図４に示す高周波信号出力回路４０は、図１に示した第１の実施形態に係る高周波信号出力回路１０をドライバ段に配置し、図３Ａに示した第２の実施形態に係る高周波信号出力回路３０を段間部に配置した、多段高周波電力増幅器の回路図である。図４に示す高周波信号出力回路４０において、図１および図３Ａに示した同様の構成要素については、同様の参照符号を付して説明を省略する。ただし、第１の整合用キャパシタ、トランジスタ、第２の整合用キャパシタ、シャントインダクタ、バイパスコンデンサ、バイアス回路、およびベース電流調整用抵抗を、ドライバ段においては、第１の整合用キャパシタ１０２ａ、トランジスタ１０１ａ、第２の整合用キャパシタ１０４ａ、シャントインダクタ１０３ａ、バイパスコンデンサ１０６ａ、バイアス回路１０７ａ、ベース電流調整用抵抗１０５ａとする。また、段間部においては、第１の整合用キャパシタ１０２ｂ、トランジスタ１０１ｂ、第２の整合用キャパシタ１０４ｂ、シャントインダクタ１０３ｂ、バイパスコンデンサ１０６ｂ、バイアス回路１０７ｂ、ベース電流調整用抵抗１０５ｂとする。なお、ドライバ段におけるトランジスタ１０１ａのコレクタバイアスラインにはインダクタ４００を備えている。

図４に示す高周波信号出力回路４０において、制御部３０３は、第２の実施形態で述べたように、高周波信号出力回路４０からの出力信号に要求される出力電力に応じて、スイッチ素子３００のスイッチング動作およびバイアス回路１０７ｂのオンオフ動作を制御する。

出力電力を高出力にする高出力時には、制御部３０３によって、スイッチ素子３００は入力端子ａを出力端子ｂに接続し、バイアス回路１０７ｂはオンされる。この場合、ドライバ段で増幅された高周波信号は、段間部のトランジスタ１０１ｂでさらに増幅され、通常出力端子３０２から出力される。

出力電力を低出力にする低出力時には、制御部３０３によって、スイッチ素子３００は入力端子ａを出力端子ｃに接続し、バイアス回路１０７ｂはオフされる。この場合、ドライバ段で増幅された高周波信号は、シャントインダクタ１０３ｂ側に分岐され、そのまま分岐出力端子３０１から出力される。

このように、多段高周波電力増幅器の段間部において、制御部３０３によって、スイッチ素子３００のスイッチング動作とバイアス回路１０７ｂのオンオフ動作とを連動させる。これによって、高周波信号出力回路４０は、ドライバ段で増幅された高周波信号は、段間部のトランジスタ１０１ｂでさらに増幅して出力する多段高周波電力増幅器の構成である高出力モードと、段間部のトランジスタ１０１ｂを駆動させないでドライバ段で増幅された高周波信号をそのまま出力する低出力モードとの２段階モードを実現することができる。

以上のように、本発明の第３の実施形態に係る高周波信号出力回路４０によれば、高周波信号を多段高周波電力増幅器によって増幅することができ、整合の自由度を拡張し低消費電力と低歪みを満たす最適なインピーダンスを実現し、さらに、１／２発振の誘発を抑え、高周波信号のノイズ特性を低減することができる。また、携帯電話端末のように、基地局からの距離に応じて出力制御が可能である場合、出力電力の大きさに応じた最適な回路構成を実現することができ、携帯端末の低消費電力化にさらに効果を奏する。

（第４の実施形態）
図５は、本発明の第４の実施形態に係る高周波信号出力回路５０の回路図である。図５に示す高周波信号出力回路５０は、図１に示した第１の実施形態に係る高周波信号出力回路１０のトランジスタ１０１と第２の整合用キャパシタ１０４とベース電流調整用抵抗１０５とを、それぞれ複数のトランジスタ５００と第２の整合用キャパシタ５０２とベース電流調整用抵抗５０３とで構成している。図５に示す高周波信号出力回路５０において、図１に示した同様の構成要素については、同様の参照符号を付して説明を省略する。

複数のトランジスタ５００は、コレクタ電極は信号出力端５０１に共通接続されており、エミッタ電極はそれぞれ接地されている。複数のトランジスタ５００は、並列合成することによって高周波信号を合成する。しかし、複数のトランジスタ５００にバイポーラトランジスタを用いた場合、不均一動作によりいずれかのトランジスタ５００に局所的に電流が集中し、熱暴走現象が発生する。

この熱暴走現象を防ぐために、ユニットセル５０４を構成し並列合成している。ユニットセル５０４は、１つのトランジスタ５００に、第２の整合用キャパシタ５０２とベース電流調整用抵抗５０３とを接続することによって構成されている。このように、第２の整合用キャパシタ５０２とベース電流調整用抵抗５０３とが１つのユニットセル５０４に１つずつ設けられているため、それぞれのトランジスタ５００へのベース電流を抑圧することができる。

以上のように、本発明の第４の実施形態に係る高周波信号出力回路５０によれば、複数のトランジスタ５００は均一動作し局所的に電流が集中する熱暴走を防止することができ、耐破壊性に効果を奏する。

本発明の回路技術は、低消費電力特性、低歪み特性、ノイズ特性に優れた回路を実現するものであり、高周波電力増幅器等に利用できる。また、パワーモード切替え機能に利用できるので、携帯端末と基地局の距離に応じて出力を制御する必要があるセルラー式携帯端末の送信部の電力増幅器等に利用することができる。

本発明の第１の実施形態に係る高周波信号出力回路の回路図 高周波信号出力回路の通過特性を示す図 本発明の第２の実施形態に係る高周波信号出力回路の回路図 本発明の第２の実施形態に係るスイッチング動作を示す図 本発明の第３の実施形態に係る高周波信号出力回路の回路図 本発明の第４の実施形態に係る高周波信号出力回路の回路図 従来の電力増幅回路技術における段間部の回路図 従来の電力増幅回路技術における初段部の回路図

符号の説明

１０，３０，４０，５０，６０，６１ 高周波信号出力回路
１００，６００，６１０ 信号入力端
１０１，１０１ａ，１０１ｂ，５００，６０１，６０２，６１１ トランジスタ
１０２，１０２ａ，１０２ｂ，６１６ 第１の整合用キャパシタ
１０３，１０３ａ，１０３ｂ，４００，６０６，６１７ インダクタ
１０４，１０４ａ，１０４ｂ，５０２，６１２ 第２の整合用キャパシタ
１０５，１０５ａ，１０５ｂ，５０３，６０５，６１４ ベース電流調整用抵抗
１０６，１０６ａ，１０６ｂ バイパスコンデンサ
１０７，１０７ａ，１０７ｂ，６０４，６１３ バイアス回路
１０８ バイアス回路接続点
１０９，６０７，６１５ トランジスタのベース端子
３００ スイッチ素子
３０１ 分岐出力端子
３０２ 通常出力端子
３０３ 制御部
５０１ 信号出力端
５０４ ユニットセル
６０３ 整合用キャパシタ
６１８ 整合回路部
Ａ，Ｂ 通過特性Ｓ２１
ａ，ｂ，ｃ スイッチ端子

Claims (4)

1. 高周波信号を整合する整合回路とバイアス回路とを備えた高周波信号出力回路であって、
   一方端が信号入力端に接続された第１の整合用キャパシタと、
   一方端が前記第１の整合用キャパシタの他方端に接続された第２の整合用キャパシタと、
   一方端が前記第１の整合用キャパシタと前記第２の整合用キャパシタとの接続点に接続されたインダクタと、
   ベースが前記第２の整合用キャパシタの他方端に接続され、エミッタが接地されたトランジスタと、
   一方端が前記インダクタの他方端に接続され、他方端が接地されたバイパスコンデンサと、
   前記第２の整合用キャパシタと並列に接続されたベース電流調整用抵抗と、
   前記インダクタと前記バイパスコンデンサとの接続点にバイアス電圧を供給するバイアス回路とを備え、
   前記バイアス回路から供給されたバイアス電圧は、前記インダクタと前記ベース電流調整用抵抗とを介して、前記トランジスタのベースに入力されることを特徴とする、高周波信号出力回路。
2. 前記インダクタと前記バイパスコンデンサとの間に挿入され、前記インダクタの他方端に接続される入力端と、前記バイパスコンデンサの一方端に接続される第１の出力端と、第２の出力端とを有するスイッチ素子と、
   前記スイッチ素子に前記入力端と前記第１の出力端とを接続させた場合、前記バイアス回路をオンし、前記スイッチ素子に前記入力端と前記第２の出力端とを接続させた場合、前記バイアス回路をオフする制御部とをさらに備える、請求項１に記載の高周波信号出力回路。
3. 高周波信号を整合する整合回路とバイアス回路とを備えた高周波信号出力回路であって、
   一方端が信号入力端に接続された第１の整合用キャパシタと、
   一方端が前記第１の整合用キャパシタの他方端に接続された複数の第２の整合用キャパシタと、
   一方端が前記第１の整合用キャパシタと前記複数の第２の整合用キャパシタとの接続点に接続されたインダクタと、
   ベースが前記複数の第２の整合用キャパシタのそれぞれの他方端に接続され、エミッタが接地され、コレクタが共通の信号出力端に接続された複数のトランジスタと、
   一方端が前記インダクタの他方端に接続され、他方端が接地されたバイパスコンデンサと、
   前記複数の第２の整合用キャパシタのそれぞれと並列に接続された複数のベース電流調整用抵抗と、
   前記インダクタと前記バイパスコンデンサとの接続点にバイアス電圧を供給するバイアス回路とを備え、
   前記バイアス回路から供給されたバイアス電圧は、前記インダクタと前記複数のベース電流調整用抵抗とを介して、前記複数のトランジスタのベースに入力されることを特徴とする、高周波信号出力回路。
4. 前記インダクタと前記バイパスコンデンサとの間に挿入され、前記インダクタの他方端に接続される入力端と、前記バイパスコンデンサの一方端に接続される第１の出力端と、第２の出力端とを有するスイッチ素子と、
   前記スイッチ素子に前記入力端と前記第１の出力端とを接続させた場合、前記バイアス回路をオンし、前記スイッチ素子に前記入力端と前記第２の出力端とを接続させた場合、前記バイアス回路をオフする制御部とをさらに備える、請求項３に記載の高周波信号出力回路。

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