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JP2009116220A - Antireflection film, method for forming antireflection film, and translucent member - Google Patents

Antireflection film, method for forming antireflection film, and translucent member Download PDF

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JP2009116220A
JP2009116220A JP2007291610A JP2007291610A JP2009116220A JP 2009116220 A JP2009116220 A JP 2009116220A JP 2007291610 A JP2007291610 A JP 2007291610A JP 2007291610 A JP2007291610 A JP 2007291610A JP 2009116220 A JP2009116220 A JP 2009116220A
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sio
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forming
antireflection
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JP2007291610A
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Katsumi Suzuki
克己 鈴木
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Seiko Epson Corp
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Seiko Epson Corp
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Abstract

【課題】最表面の硬度が高く耐磨耗性に優れると共に、反射率が低い反射防止膜、及び透光部材、並びに反射防止膜の形成方法を提供する。
【解決手段】反射防止膜は、可視光が透過可能な部材の表面に形成された反射防止膜であって、反射防止膜の最表面を構成する膜が、Ｃを添加したＳｉＯ2であるＣ−ＳｉＯ2膜である。反射防止膜の形成方法は、可視光が透過する部材の表面に反射防止膜を形成する反射防止膜の形成方法であって、反射防止膜の最表面を構成する膜として、Ｃを添加したＳｉＯ2であるＣ−ＳｉＯ2膜を形成する最表面形成工程を有し、当該最表面形成工程において、Ｃ−ＳｉＯ2膜を、ＥＣＲプラズマ励起方式を用いたＥＣＲプラズマスパッタ装置によって形成する。透光部材は、可視光が透過可能な透光部材であって、最表面を構成する膜が、Ｃを添加したＳｉＯ2であるＣ−ＳｉＯ2膜である反射防止膜を備える。
【選択図】図１The present invention provides an antireflection film, a translucent member, and a method for forming an antireflection film having a high hardness on the outermost surface and excellent wear resistance and a low reflectance.
An anti-reflection film is an anti-reflection film formed on the surface of a member capable of transmitting visible light, and the film constituting the outermost surface of the anti-reflection film is C 2 with added C. it is a -SiO 2 film. The method of forming the antireflection film is a method of forming an antireflection film on the surface of a member through which visible light is transmitted, and includes SiO added with C as a film constituting the outermost surface of the antireflection film. has a top surface forming step of forming a C-SiO 2 film is 2, in the outermost surface forming step, the C-SiO 2 film is formed by ECR plasma sputtering apparatus using ECR plasma excitation method. The translucent member is a translucent member capable of transmitting visible light, and the film constituting the outermost surface includes an antireflection film that is a C—SiO 2 film that is SiO 2 to which C is added.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、可視光が透過可能な部材などに形成する反射防止膜、反射防止膜の形成方法、及び可視光が透過可能な透光部材に関する。   The present invention relates to an antireflection film formed on a member that can transmit visible light, a method for forming the antireflection film, and a translucent member that transmits visible light.

腕時計やＦＰＤ（Flat Panel Display：フラットパネルディスプレイ）などの装置において、表示部を保護するために、可視光が透過可能なカバーガラスが設けられている。カバーガラスは、それらを介して表示を視認するため、透過率が高いことが求められる。また、外光が反射されることによる映りこみが少ないことが望ましい。
カバーガラスの素材の屈折率が高いことに起因して反射率が高いことを改善するために、カバーガラスの表面に、屈折率の低い材料を用いて反射膜をコーティングすることが行われている。カバーガラスは表示部を保護するためのものであるため、反射膜の最表面は、硬度が高く耐磨耗性に優れることが必要である。特許文献１には、最表面に硬度が高く耐磨耗性に優れる素材としてＳｉＯ2を被覆した反射防止膜が開示されている。 In a device such as a wristwatch or an FPD (Flat Panel Display), a cover glass capable of transmitting visible light is provided to protect the display unit. The cover glass is required to have high transmittance in order to visually recognize the display through them. Further, it is desirable that there is little reflection due to reflection of external light.
In order to improve the high reflectance due to the high refractive index of the material of the cover glass, the surface of the cover glass is coated with a reflective film using a material having a low refractive index. . Since the cover glass is for protecting the display portion, the outermost surface of the reflective film needs to have high hardness and excellent wear resistance. Patent Document 1 discloses an antireflection film having an outermost surface coated with SiO 2 as a material having high hardness and excellent wear resistance.

特開２００４−２７１４８０号公報JP 2004-271480 A

しかしながら、ＳｉＯ2膜の硬度は８００Ｈｖから１０００Ｈｖ程度であり、耐磨耗性が必ずしも充分ではないという課題があった。例えば腕時計のカバーガラスに用いられるサファイヤガラスの硬度は１８００Ｈｖ程度であり、反射防止膜を形成することによって耐磨耗性を劣化させることを抑制するためには、サファイヤガラスに形成する反射防止膜の硬度は、１８００Ｈｖより高いことが好ましい。 However, the hardness of the SiO 2 film is about 800 Hv to 1000 Hv, and there is a problem that the wear resistance is not always sufficient. For example, the hardness of sapphire glass used for a cover glass of a wristwatch is about 1800 Hv. In order to suppress deterioration of wear resistance by forming an antireflection film, an antireflection film formed on sapphire glass is used. The hardness is preferably higher than 1800 Hv.

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

［適用例１］本適用例にかかる反射防止膜は、可視光が透過可能な部材の表面に形成された反射防止膜であって、前記反射防止膜の最表面を構成する膜が、Ｃを添加したＳｉＯ2であるＣ−ＳｉＯ2膜であることを特徴とする。 [Application Example 1] The antireflection film according to this application example is an antireflection film formed on the surface of a member capable of transmitting visible light, and the film constituting the outermost surface of the antireflection film is C. It is a C—SiO 2 film that is added SiO 2 .

この反射防止膜によれば、最表面がＣ−ＳｉＯ2膜となる。本願の発明者は、Ｃを添加することによってＳｉＯ2の硬度を高くさせることが可能であることを見出した。ＳｉＯ2膜は、屈折率が低いため、反射率が低いことが知られている。反射防止膜の最表面をＣ−ＳｉＯ2膜とすることで、最表面の硬度が高いことから耐磨耗性に優れると共に、最表面層の屈折率が低いことから反射率が低い反射防止膜を形成することができる。 According to this antireflection film, the outermost surface is a C—SiO 2 film. The inventor of the present application has found that the hardness of SiO 2 can be increased by adding C. Since the SiO 2 film has a low refractive index, it is known that the reflectance is low. The outermost surface of the antireflection film by a C-SiO 2 film is excellent in abrasion resistance since the hardness of the outermost surface is high, a low reflection preventing film reflectance since the refractive index of the outermost layer is low Can be formed.

［適用例２］上記適用例にかかる反射防止膜は、前記Ｃ−ＳｉＯ2膜と、Ｉｎ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＺｎＳ、Ｂｉ2Ｏ3、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＺｒＯ2、ＡｌＮのいずれかからなる膜と、を備えることが好ましい。 Application Example 2 The antireflection film according to the above application example includes the C-SiO 2 film, In 2 O 3 , Nd 2 O 3 , Sb 2 O 3 , CeO 2 , ZnS, Bi 2 O 3 , and HfO 2. And a film made of any one of Ta 2 O 5 , TiO 2 , Si 3 N 4 , ZrO 2 , and AlN.

この反射防止膜によれば、Ｉｎ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＺｎＳ、Ｂｉ2Ｏ3、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＺｒＯ2、ＡｌＮのいずれかからなる膜の上にＣ−ＳｉＯ2膜が形成された２層構造を有する。これにより、単層のＣ−ＳｉＯ2膜に比べて反射率をさらに低くすることができる。 According to this antireflection film, In 2 O 3 , Nd 2 O 3 , Sb 2 O 3 , CeO 2 , ZnS, Bi 2 O 3 , HfO 2 , Ta 2 O 5 , TiO 2 , Si 3 N 4 , ZrO 2. It has a two-layer structure in which a C—SiO 2 film is formed on a film made of either AlN. Thereby, the reflectance can be further reduced as compared with a single-layer C—SiO 2 film.

［適用例３］上記適用例にかかる反射防止膜は、前記Ｃ−ＳｉＯ2膜と、Ａｌ2Ｏ3、ＬａＦ3、ＮｄＦ3、ＣｅＦ3、ＭｇＯ、ＴｈＯ2、ＳｎＯ2、Ｌａ2Ｏ3、ＳｉＯ、Ｉｎ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＺｎＳ、Ｂｉ2Ｏ3、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＺｒＯ2、ＡｌＮのいずれかからなる２層以上の膜と、を備えることが好ましい。 Application Example 3 The antireflection film according to the application example includes the C-SiO 2 film, Al 2 O 3 , LaF 3 , NdF 3 , CeF 3 , MgO, ThO 2 , SnO 2 , La 2 O 3 , Any of SiO, In 2 O 3 , Nd 2 O 3 , Sb 2 O 3 , CeO 2 , ZnS, Bi 2 O 3 , HfO 2 , Ta 2 O 5 , TiO 2 , Si 3 N 4 , ZrO 2 , AlN It is preferable to provide a film having two or more layers.

この反射防止膜によれば、Ａｌ2Ｏ3、ＬａＦ3、ＮｄＦ3、ＣｅＦ3、ＭｇＯ、ＴｈＯ2、ＳｎＯ2、Ｌａ2Ｏ3、ＳｉＯ、Ｉｎ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＺｎＳ、Ｂｉ2Ｏ3、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＺｒＯ2、ＡｌＮのいずれかからなる２層以上の膜の上にＣ−ＳｉＯ2膜が形成された３層以上の膜からなる構造を有する。これにより、単層のＣ−ＳｉＯ2膜に比べて反射率をさらに低くすることができる。 According to this antireflection film, Al 2 O 3 , LaF 3 , NdF 3 , CeF 3 , MgO, ThO 2 , SnO 2 , La 2 O 3 , SiO, In 2 O 3 , Nd 2 O 3 , Sb 2 O 3 , CeO 2 , ZnS, Bi 2 O 3 , HfO 2 , Ta 2 O 5 , TiO 2 , Si 3 N 4 , ZrO 2 , AlN on a C-SiO 2 film It has a structure consisting of three or more layers of films. Thereby, the reflectance can be further reduced as compared with a single-layer C—SiO 2 film.

［適用例４］本適用例にかかる反射防止膜の形成方法は、可視光が透過する部材の表面に反射防止膜を形成する反射防止膜の形成方法であって、前記反射防止膜の最表面を構成する膜として、Ｃを添加したＳｉＯ2であるＣ−ＳｉＯ2膜を形成する最表面形成工程を有することを特徴とする。 Application Example 4 A method for forming an antireflection film according to this application example is a method for forming an antireflection film on the surface of a member that transmits visible light, and is an outermost surface of the antireflection film. As a film constituting the film, an outermost surface forming step of forming a C—SiO 2 film which is SiO 2 to which C is added is characterized.

この反射防止膜の形成方法によれば、形成される反射防止膜の最表面がＣ−ＳｉＯ2膜となる。本願の発明者は、Ｃを添加することによってＳｉＯ2の硬度を高くさせることが可能であることを見出した。ＳｉＯ2膜は、屈折率が低いため、反射率が低いことが知られている。反射防止膜の最表面をＣ−ＳｉＯ2膜とすることで、最表面の硬度が高いことから耐磨耗性に優れると共に、最表面層の屈折率が低いことから反射率が低い反射防止膜を形成することができる。 According to this method of forming an antireflection film, the outermost surface of the antireflection film to be formed is a C—SiO 2 film. The inventor of the present application has found that the hardness of SiO 2 can be increased by adding C. Since the SiO 2 film has a low refractive index, it is known that the reflectance is low. The outermost surface of the antireflection film by a C-SiO 2 film is excellent in abrasion resistance since the hardness of the outermost surface is high, a low reflection preventing film reflectance since the refractive index of the outermost layer is low Can be formed.

［適用例５］上記適用例にかかる反射防止膜の形成方法であって、前記最表面形成工程において、前記Ｃ−ＳｉＯ2膜を、ＥＣＲプラズマスパッタ装置によって形成することが好ましい。 Application Example 5 In the antireflection film forming method according to the application example, it is preferable that the C-SiO 2 film is formed by an ECR plasma sputtering apparatus in the outermost surface forming step.

この反射防止膜の形成方法によれば、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance：電子サイクロトロン共鳴）プラズマ励起方式を用いたプラズマスパッタ装置を用いて、最表面のＣ−ＳｉＯ2膜が形成される。ＥＣＲプラズマスパッタ装置を用いることで、他の方法で形成した膜に比べて密度の高い膜を形成することができる。ＥＣＲプラズマスパッタ装置を用いて最表面のＣ−ＳｉＯ2膜を形成することによって、他の方法で形成したＣ−ＳｉＯ2膜に比べて硬度が高いＣ−ＳｉＯ2膜を形成することができる。 According to this antireflection film forming method, the outermost surface C—SiO 2 film is formed using a plasma sputtering apparatus using an ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma excitation system. By using an ECR plasma sputtering apparatus, a film having a higher density than films formed by other methods can be formed. Using ECR plasma sputtering apparatus by forming a C-SiO 2 film on the outermost surface, it is possible hardness to form a high C-SiO 2 film in comparison with C-SiO 2 film formed by other methods.

［適用例６］上記適用例にかかる反射防止膜の形成方法であって、前記最表面形成工程において、ＳｉＣをターゲットとして、雰囲気中のＯと反応させることによって前記Ｃ−ＳｉＯ2膜を形成することが好ましい。 Application Example 6 A method for forming an antireflection film according to the above application example, wherein the C—SiO 2 film is formed by reacting with O in the atmosphere using SiC as a target in the outermost surface formation step. It is preferable.

この反射防止膜の形成方法によれば、プラズマがターゲットに衝突することによって放出されたＳｉ及びＣのスパッタ粒子と雰囲気中のＯとが反応することによって、均一なＣ−ＳｉＯ2膜を形成することができる。 According to this antireflection film forming method, a uniform C—SiO 2 film is formed by the reaction between the sputtered Si and C particles emitted by the plasma colliding with the target and O in the atmosphere. be able to.

［適用例７］本適用例にかかる透光部材は、可視光が透過可能な透光部材であって、最表面を構成する膜がＣを添加したＳｉＯ2であるＣ−ＳｉＯ2膜である反射防止膜を備えることを特徴とする。 Application Example 7 The light-transmitting member according to this application example is a light-transmitting member that can transmit visible light, and the film constituting the outermost surface is a C—SiO 2 film in which C is added to SiO 2. An antireflection film is provided.

この透光部材によれば、透光部材に形成された反射防止膜の最表面がＣ−ＳｉＯ2膜となる。本願の発明者は、Ｃを添加することによってＳｉＯ2の硬度を高くさせることが可能であることを見出した。ＳｉＯ2膜は、屈折率が低いため、反射率が低いことが知られている。反射防止膜の最表面をＣ−ＳｉＯ2膜とすることで、最表面の硬度が高いことから耐磨耗性に優れると共に、最表面層の屈折率が低いことから反射率が低い反射防止膜を形成することができる。これにより、耐磨耗性に優れると共に、反射率が低い反射防止膜を有する透光部材を形成することができる。 According to this translucent member, the outermost surface of the antireflection film formed on the translucent member becomes the C—SiO 2 film. The inventor of the present application has found that the hardness of SiO 2 can be increased by adding C. Since the SiO 2 film has a low refractive index, it is known that the reflectance is low. The outermost surface of the antireflection film by a C-SiO 2 film is excellent in abrasion resistance since the hardness of the outermost surface is high, a low reflection preventing film reflectance since the refractive index of the outermost layer is low Can be formed. Thereby, while being excellent in abrasion resistance, the translucent member which has an antireflection film with low reflectance can be formed.

［適用例８］上記適用例にかかる透光部材において、前記反射防止膜は、前記Ｃ−ＳｉＯ2膜と、Ｉｎ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＺｎＳ、Ｂｉ2Ｏ3、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＺｒＯ2、ＡｌＮのいずれかからなる膜と、を備えることが好ましい。 Application Example 8 In the translucent member according to the application example, the antireflection film includes the C-SiO 2 film, In 2 O 3 , Nd 2 O 3 , Sb 2 O 3 , CeO 2 , ZnS, and Bi. And a film made of any of 2 O 3 , HfO 2 , Ta 2 O 5 , TiO 2 , Si 3 N 4 , ZrO 2 , and AlN.

この透光部材によれば、透光部材が備える反射防止膜は、Ｉｎ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＺｎＳ、Ｂｉ2Ｏ3、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＺｒＯ2、ＡｌＮのいずれかからなる膜の上にＣ−ＳｉＯ2膜が形成された２層構造を有することで、単層のＣ−ＳｉＯ2膜に比べて反射率を低くすることができる。このため、反射率が低い反射防止膜を有することで反射率が低い透光部材を実現することができる。 According to this translucent member, the antireflection film included in the translucent member is In 2 O 3 , Nd 2 O 3 , Sb 2 O 3 , CeO 2 , ZnS, Bi 2 O 3 , HfO 2 , Ta 2 O 5. , TiO 2 , Si 3 N 4 , ZrO 2 , AlN has a two-layer structure in which a C—SiO 2 film is formed on the film, compared to a single-layer C—SiO 2 film The reflectance can be lowered. For this reason, the translucent member with a low reflectance is realizable by having an antireflection film with a low reflectance.

［適用例９］上記適用例にかかる透光部材において、前記反射防止膜は、前記Ｃ−ＳｉＯ2膜と、Ａｌ2Ｏ3、ＬａＦ3、ＮｄＦ3、ＣｅＦ3、ＭｇＯ、ＴｈＯ2、ＳｎＯ2、Ｌａ2Ｏ3、ＳｉＯ、Ｉｎ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＺｎＳ、Ｂｉ2Ｏ3、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＺｒＯ2、ＡｌＮのいずれかからなる２層以上の膜と、を備えることが好ましい。 Application Example 9 In the light transmissive member according to the application example, the antireflection film includes the C—SiO 2 film, Al 2 O 3 , LaF 3 , NdF 3 , CeF 3 , MgO, ThO 2 , SnO 2. , La 2 O 3 , SiO, In 2 O 3 , Nd 2 O 3 , Sb 2 O 3 , CeO 2 , ZnS, Bi 2 O 3 , HfO 2 , Ta 2 O 5 , TiO 2 , Si 3 N 4 , ZrO 2 and a film of two or more layers made of any one of AlN.

この透光部材によれば、透光部材が備える反射防止膜は、Ａｌ2Ｏ3、ＬａＦ3、ＮｄＦ3、ＣｅＦ3、ＭｇＯ、ＴｈＯ2、ＳｎＯ2、Ｌａ2Ｏ3、ＳｉＯ、Ｉｎ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＺｎＳ、Ｂｉ2Ｏ3、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＺｒＯ2、ＡｌＮのいずれかからなる２層以上の膜の上にＣ−ＳｉＯ2膜が形成された３層以上の膜からなる構造を有することで、単層のＣ−ＳｉＯ2膜に比べて反射率を低くすることができる。このため、反射率が低い反射防止膜を有することで反射率が低い透光部材を実現することができる。 According to this translucent member, the antireflection film included in the translucent member is Al 2 O 3 , LaF 3 , NdF 3 , CeF 3 , MgO, ThO 2 , SnO 2 , La 2 O 3 , SiO, In 2 O. 3 , two or more layers of any of Nd 2 O 3 , Sb 2 O 3 , CeO 2 , ZnS, Bi 2 O 3 , HfO 2 , Ta 2 O 5 , TiO 2 , Si 3 N 4 , ZrO 2 , AlN By having a structure composed of three or more layers in which a C—SiO 2 film is formed on this film, the reflectance can be lowered as compared with a single-layer C—SiO 2 film. For this reason, the translucent member with a low reflectance is realizable by having an antireflection film with a low reflectance.

［適用例１０］本適用例にかかるフラットパネルディスプレイは、上記適用例にかかる透光部材が、表示部のカバーガラスとして用いられていることを特徴とする。   Application Example 10 A flat panel display according to this application example is characterized in that the translucent member according to the application example is used as a cover glass of a display unit.

このフラットパネルディスプレイによれば、上記適用例にかかる透光部材をカバーガラスとして用いることによって、耐磨耗性に優れると共に、反射率が低い表示部のカバーガラスを有するフラットパネルディスプレイを構成することができる。   According to this flat panel display, by using the translucent member according to the above application example as a cover glass, a flat panel display having a cover glass of a display unit having excellent wear resistance and low reflectivity is configured. Can do.

［適用例１１］本適用例にかかる眼鏡は、上記適用例にかかる透光部材が、眼鏡レンズとして用いられていることを特徴とする。   Application Example 11 Glasses according to this application example are characterized in that the translucent member according to the application example is used as a spectacle lens.

この眼鏡によれば、上記適用例にかかる透光部材を眼鏡レンズとして用いることによって、耐磨耗性に優れると共に、反射率が低い眼鏡レンズを備えた眼鏡を構成することができる。   According to this spectacle, by using the translucent member according to the above application example as a spectacle lens, it is possible to configure spectacles including a spectacle lens having excellent wear resistance and low reflectance.

［適用例１２］本適用例にかかる時計は、上記適用例にかかる透光部材が、表示部のカバーガラスとして用いられていることを特徴とする。   Application Example 12 A timepiece according to this application example is characterized in that the translucent member according to the application example is used as a cover glass of a display unit.

この時計によれば、上記適用例にかかる透光部材を表示部のカバーガラスとして用いることによって、耐磨耗性に優れると共に、反射率が低い表示部のカバーガラスを備えた時計を構成こすることができる。   According to this timepiece, by using the translucent member according to the application example as the cover glass of the display unit, the timepiece is provided with the display unit cover glass having excellent wear resistance and low reflectance. be able to.

［適用例１３］上記適用例にかかる時計は、サファイヤガラス上に前記反射防止膜が形成されていることが好ましい。   Application Example 13 In the timepiece according to the application example described above, it is preferable that the antireflection film is formed on sapphire glass.

この時計によれば、輝きが良く透明度の高いサファイヤガラスに、反射率が低い反射防止膜を形成することで、視認性に優れるカバーガラスを形成し、表示部の視認性に優れる時計を構成することができる。   According to this timepiece, by forming an antireflection film having a low reflectance on a sapphire glass having high brightness and high transparency, a cover glass having excellent visibility is formed, and a watch having excellent visibility of the display unit is formed. be able to.

以下、反射防止膜、反射防止膜の形成方法、及び透光部材の一実施形態について図面を参照して、説明する。実施形態は、透光部材の一例である時計用のカバーガラスを例に説明する。   Hereinafter, an embodiment of an antireflection film, a method for forming the antireflection film, and a translucent member will be described with reference to the drawings. The embodiment will be described by taking a watch cover glass as an example of a translucent member as an example.

＜２層反射防止膜＞
最初に、表層がＣ−ＳｉＯ2膜である２層構造の反射防止膜について、図１を参照して説明する。図１（ａ）は、Ｃ−ＳｉＯ2膜を有する２層構造の反射防止膜が形成されたカバーガラスの断面を示す模式図であり、図１（ｂ）は、Ｃ−ＳｉＯ2膜を有する２層構造の反射防止膜の特性を示す表である。 <Two-layer antireflection film>
First, an antireflection film having a two-layer structure whose surface layer is a C—SiO 2 film will be described with reference to FIG. FIG. 1A is a schematic view showing a cross-section of a cover glass on which a two-layer antireflection film having a C—SiO 2 film is formed, and FIG. 1B has a C—SiO 2 film. It is a table | surface which shows the characteristic of the antireflection film of 2 layer structure.

図１（ａ）に示すように、カバーガラス２は、サファイヤガラス１０の表面に、反射防止膜２０が形成されている。反射防止膜２０は、表層膜２１及び第２層膜２２の、２層の膜を有している。図１（ａ）に示した反射防止膜２０の第２層膜２２は、ＺｒＯ2からなり、厚さが約１２２．２ｎｍである。反射防止膜２０の表層膜２１は、Ｃ−ＳｉＯ2からなり、厚さが約８５．３ｎｍである。
表層膜２１及び第２層膜２２の膜厚は、当該膜の一方の面で反射した光ともう一方の面で反射した光とが１／２波長ずれるような厚さに設定することが好ましい。表層膜２１及び第２層膜２２の膜厚は、Ｃ−ＳｉＯ2又はＺｒＯ2の屈折率を考慮して、可視光の波長領域のほぼ中央の波長である６００ｎｍの光において、反射防止膜として好ましい厚さに設定してある。 As shown in FIG. 1A, the cover glass 2 has an antireflection film 20 formed on the surface of the sapphire glass 10. The antireflection film 20 has two layers of a surface layer film 21 and a second layer film 22. The second layer film 22 of the antireflection film 20 shown in FIG. 1A is made of ZrO 2 and has a thickness of about 122.2 nm. The surface film 21 of the antireflection film 20 is made of C—SiO 2 and has a thickness of about 85.3 nm.
The film thickness of the surface layer film 21 and the second layer film 22 is preferably set to such a thickness that the light reflected on one surface of the film and the light reflected on the other surface are shifted by a half wavelength. . The film thickness of the surface layer film 21 and the second layer film 22 is an antireflection film for light having a wavelength of approximately 600 nm, which is approximately the center wavelength in the visible light wavelength range, in consideration of the refractive index of C—SiO 2 or ZrO 2. A preferred thickness is set.

図１（ｂ）に示すように、表層膜２１としＣ−ＳｉＯ2からなる膜を有する２層構造の反射防止膜２０を備えたカバーガラス２は、表層膜２１の屈折率が１．５２であり、硬度が１８００Ｈｖである。反射率は、１．２％であった。
表層膜としてＳｉＯ2の膜を有する２層構造の反射防止膜を備えたカバーガラスは、表層膜の屈折率が１．４６であり、硬度が８００Ｈｖである。反射率は、０．８％であった。８００Ｈｖの硬度は、カバーガラスとしては、必要な最低限度の硬度である。表層膜としてＡｌ2Ｏ3の膜を有する２層構造の反射防止膜を備えたカバーガラスは、表層膜の屈折率が１．６３であり、硬度が２４００Ｈｖである。反射率は、３．０％であった。３．０％の反射率は、カバーガラスの反射率としては、好ましくない反射率である。
カバーガラス２は、反射防止膜２０の表層膜２１の材料をＳｉＯ2にＣを添加したＣ−ＳｉＯ2膜にすることによって、反射防止膜の表層膜の材料がＳｉＯ2である反射防止膜に比べて、表層膜２１の硬度が高くなり、１８００Ｈｖになっている。カバーガラス２の表層膜２１の硬度１８００Ｈｖは、サファイヤガラスの硬度１８００Ｈｖと同等であり、直接触れられる可能性が高いことから、ＦＰＤなどより硬度が高いことが必要である腕時計用のカバーガラスとしても充分な硬度である。反射率は１．２％になっているが、１．２％の反射率は、カバーガラスの反射率として低い反射率である。
反射率は、分光光度計を用いて、４００ｎｍから８００ｎｍの波長の光について、入射角５°における反射光の強度を測定し、視感感度補正をかけて求めた。 As shown in FIG. 1B, the cover glass 2 having the antireflection film 20 having a two-layer structure having the film made of C—SiO 2 as the surface film 21 has a refractive index of the surface film 21 of 1.52. Yes, the hardness is 1800 Hv. The reflectance was 1.2%.
The cover glass provided with the antireflection film having the two-layer structure having the SiO 2 film as the surface layer film has a refractive index of 1.46 and a hardness of 800 Hv. The reflectance was 0.8%. The hardness of 800 Hv is the minimum hardness necessary for the cover glass. The cover glass provided with the antireflection film having a two-layer structure having an Al 2 O 3 film as the surface layer film has a refractive index of the surface layer film of 1.63 and a hardness of 2400 Hv. The reflectance was 3.0%. The reflectance of 3.0% is an unfavorable reflectance as the reflectance of the cover glass.
The cover glass 2 is made an antireflection film in which the material of the surface film of the antireflection film is SiO 2 by changing the material of the surface film 21 of the antireflection film 20 to a C—SiO 2 film in which C is added to SiO 2. In comparison, the hardness of the surface layer film 21 is increased to 1800 Hv. The hardness 1800Hv of the surface film 21 of the cover glass 2 is equivalent to the hardness 1800Hv of sapphire glass, and since it is highly likely to be directly touched, it can be used as a cover glass for a wristwatch that requires a higher hardness than FPD or the like. The hardness is sufficient. Although the reflectance is 1.2%, the reflectance of 1.2% is a low reflectance as the reflectance of the cover glass.
The reflectance was obtained by measuring the intensity of reflected light at an incident angle of 5 ° for light having a wavelength of 400 nm to 800 nm using a spectrophotometer and correcting the luminous sensitivity.

＜３層反射防止膜＞
次に、表層がＣ−ＳｉＯ2膜である３層構造の反射防止膜について、図２を参照して説明する。図２（ａ）は、Ｃ−ＳｉＯ2膜を有する３層構造の反射防止膜が形成されたカバーガラスの断面を示す模式図であり、図２（ｂ）は、Ｃ−ＳｉＯ2膜を有する３層構造の反射防止膜の特性を示す表である。 <Three-layer antireflection film>
Next, an antireflection film having a three-layer structure in which the surface layer is a C—SiO 2 film will be described with reference to FIG. 2A is a schematic view showing a cross section of a cover glass on which a three-layer antireflection film having a C—SiO 2 film is formed, and FIG. 2B has a C—SiO 2 film. It is a table | surface which shows the characteristic of the anti-reflective film of a 3 layer structure.

図２（ａ）に示すように、カバーガラス３は、サファイヤガラス１０の表面に、反射防止膜３０が形成されている。反射防止膜３０は、表層膜３１、第２層膜３２、及び第３層膜３３の、３層の膜を有している。図２（ａ）に示した反射防止膜３０の第３層膜３３は、ＴｈＯ2からなり、厚さが約８１．５ｎｍである。第２層膜３２は、ＴｉＯ2からなり、厚さが約１１７．８ｎｍである。反射防止膜３０の表層膜３１は、Ｃ−ＳｉＯ2からなり、厚さが約８５．０ｎｍである。
表層膜３１、第２層膜３２、及び第３層膜３３の膜厚は、当該膜の一方の面で反射した光ともう一方の面で反射した光とが１／２波長ずれるような厚さに設定することが好ましい。表層膜３１、第２層膜３２、及び第３層膜３３の膜厚は、Ｃ−ＳｉＯ2、ＴｉＯ2又はＴｈＯ2の屈折率を考慮して、可視光の波長領域のほぼ中央の波長である６００ｎｍの光において、反射防止膜として好ましい厚さに設定してある。 As shown in FIG. 2A, the cover glass 3 has an antireflection film 30 formed on the surface of the sapphire glass 10. The antireflection film 30 has a three-layer film including a surface layer film 31, a second layer film 32, and a third layer film 33. The third layer film 33 of the antireflection film 30 shown in FIG. 2A is made of ThO 2 and has a thickness of about 81.5 nm. The second layer film 32 is made of TiO 2 and has a thickness of about 117.8 nm. The surface film 31 of the antireflection film 30 is made of C—SiO 2 and has a thickness of about 85.0 nm.
The film thicknesses of the surface layer film 31, the second layer film 32, and the third layer film 33 are such that the light reflected on one surface of the film is shifted from the light reflected on the other surface by a half wavelength. It is preferable to set this. Surface film 31, the thickness of the second layer film 32, and the three-layer film 33, in consideration of the C-SiO 2, the refractive index of TiO 2 or ThO 2, at a wavelength approximately in the middle of the wavelength range of visible light In a certain 600 nm light, it is set to a preferable thickness as an antireflection film.

図２（ｂ）に示すように、表層膜３１としてＣ−ＳｉＯ2の膜を有する３層構造の反射防止膜３０を備えたカバーガラス３は、表層膜３１の屈折率が１．５２であり、硬度が１８００Ｈｖである。反射率は、０．６％であった。表層膜としてＳｉＯ2の膜を有する３層構造の反射防止膜を備えたカバーガラスは、表層膜の屈折率が１．４６であり、硬度が８００Ｈｖである。反射率は、０．５％であった。８００Ｈｖの硬度は、カバーガラスとしては、必要な最低限度の硬度である。表層膜としてＡｌ2Ｏ3の膜を有する３層構造の反射防止膜を備えたカバーガラスは、表層膜の屈折率が１．６３であり、硬度が２４００Ｈｖである。反射率は、２．０％であった。２．０％の反射率は、カバーガラスの反射率としては、許容可能な最低限度の反射率である。
カバーガラス３は、反射防止膜３０の表層膜３１の材料をＳｉＯ2にＣを添加したＣ−ＳｉＯ2膜にすることで、反射防止膜の表層膜の材料がＳｉＯ2である反射防止膜に比べて、表層膜３１の硬度が高くなり、１８００Ｈｖになっている。カバーガラス３の表層膜３１の硬度１８００Ｈｖは、サファイヤガラスの硬度１８００Ｈｖと同等であり、直接触れられる可能性が高いことから、ＦＰＤなどより硬度が高いことが必要である腕時計用のカバーガラスとしても充分な硬度である。反射率は０．６％になっているが、０．６％の反射率は、カバーガラスの反射率として充分低い反射率である。
反射率は、分光光度計を用いて、４００ｎｍから８００ｎｍの波長の光について、入射角５°における反射光の強度を測定し、視感感度補正をかけて求めた。 As shown in FIG. 2B, the cover glass 3 provided with the antireflection film 30 having a three-layer structure having a C—SiO 2 film as the surface layer film 31 has a refractive index of the surface layer film 31 of 1.52. The hardness is 1800 Hv. The reflectance was 0.6%. The cover glass provided with the antireflection film having the three-layer structure having the SiO 2 film as the surface layer film has a refractive index of 1.46 and a hardness of 800 Hv. The reflectance was 0.5%. The hardness of 800 Hv is the minimum hardness necessary for the cover glass. A cover glass having an antireflection film having a three-layer structure having an Al 2 O 3 film as a surface layer film has a refractive index of the surface layer film of 1.63 and a hardness of 2400 Hv. The reflectance was 2.0%. The reflectance of 2.0% is the minimum allowable reflectance for the cover glass.
The cover glass 3 is a C-SiO 2 film obtained by adding C to SiO 2 as the material of the surface film 31 of the anti-reflection film 30, so that the material of the surface film of the anti-reflection film is SiO 2. In comparison, the hardness of the surface layer film 31 is increased to 1800 Hv. The hardness 1800Hv of the surface film 31 of the cover glass 3 is equivalent to the hardness 1800Hv of the sapphire glass, and is likely to be touched directly. The hardness is sufficient. Although the reflectivity is 0.6%, the reflectivity of 0.6% is sufficiently low as the reflectivity of the cover glass.
The reflectance was obtained by measuring the intensity of reflected light at an incident angle of 5 ° for light having a wavelength of 400 nm to 800 nm using a spectrophotometer and correcting the luminous sensitivity.

＜Ｃ−ＳｉＯ2膜の形成＞
次に、Ｃ−ＳｉＯ2膜の形成方法について、図３及び図４を参照して説明する。ここでは、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance：電子サイクロトロン共鳴）プラズマ励起方式を用いたＥＣＲプラズマスパッタ装置を用いてＣ−ＳｉＯ2膜を形成する場合について説明する。 <Formation of C-SiO 2 film>
Next, a method for forming the C—SiO 2 film will be described with reference to FIGS. Here, a case where a C—SiO 2 film is formed using an ECR plasma sputtering apparatus using an ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma excitation method will be described.

図３は、ＥＣＲプラズマスパッタ装置の構成を示す模式図である。図３に示すように、ＥＣＲプラズマスパッタ装置５０は、成膜する基材を載置する載置台５６が中に配設されたチャンバ５１を備えている。チャンバ５１の一端には、載置台５６に臨むようにＥＣＲプラズマ源５２が配設されている。ＥＣＲプラズマ源５２から載置台５６方向の空間に発生する電場に直交する磁場を形成できる位置に磁石５４が配設されている。磁石５４の載置台５６の側には、ターゲット台が設けてあり、ターゲット４０がセットされる。ターゲット４０には、ターゲット電源５５によって負のバイアス電圧が印加される。チャンバ５１には、チャンバ５１内に反応気体を導入するための気体導入路５７と、チャンバ５１内から反応済みの反応気体を排出するための排気路５８と、が結合されている。   FIG. 3 is a schematic diagram showing the configuration of the ECR plasma sputtering apparatus. As shown in FIG. 3, the ECR plasma sputtering apparatus 50 includes a chamber 51 in which a mounting table 56 for mounting a base material on which a film is to be formed is disposed. An ECR plasma source 52 is disposed at one end of the chamber 51 so as to face the mounting table 56. A magnet 54 is disposed at a position where a magnetic field perpendicular to the electric field generated in the space in the direction of the mounting table 56 from the ECR plasma source 52 can be formed. A target base is provided on the mounting base 56 side of the magnet 54, and the target 40 is set. A negative bias voltage is applied to the target 40 by the target power supply 55. A gas introduction path 57 for introducing a reaction gas into the chamber 51 and an exhaust path 58 for discharging the reacted gas after reaction from the chamber 51 are coupled to the chamber 51.

ＳｉＯ2膜の形成は、図３に示すように、載置台５６に、サファイヤガラス１０、又は第２層膜２２又は第２層膜３２などが形成されたサファイヤガラス１０をセットする。ターゲット４０としては、ＳｉＣを用いる。気体導入路５７から、Ｏ2をチャンバ５１内に導入する。
ＥＣＲプラズマ源５２から発生されたマイクロ波と、磁石５４によって形成された磁場とによる電子サイクロトロン共鳴によって、ＥＣＲプラズマが発生する。ターゲット４０としてのＳｉＣに印加されたバイアス電圧によって、プラズマがターゲット４０に衝突して、ＳｉやＣのスパッタ粒子が放出される。ＳｉやＣのスパッタ粒子は、チャンバ５１内に導入されているＯ2ガスと反応して、載置台５６にセットされたサファイヤガラス１０などの表面に到達して付着し、Ｃ−ＳｉＯ2膜が形成される。 Formation of SiO 2 film, as shown in FIG. 3, the mounting table 56, and sets the sapphire glass 10 Sapphire 10, or such as the second layer film 22 or the second layer film 32 is formed. As the target 40, SiC is used. O 2 is introduced into the chamber 51 from the gas introduction path 57.
ECR plasma is generated by electron cyclotron resonance caused by the microwave generated from the ECR plasma source 52 and the magnetic field formed by the magnet 54. Due to the bias voltage applied to SiC as the target 40, the plasma collides with the target 40, and sputtered particles of Si or C are emitted. The sputtered particles of Si and C react with the O 2 gas introduced into the chamber 51 to reach and adhere to the surface of the sapphire glass 10 set on the mounting table 56, and the C—SiO 2 film is formed. It is formed.

図４は、形成されたＣ−ＳｉＯ2の膜の特性を示す表である。図４に示したように、ＥＣＲプラズマスパッタ装置５０を用いて形成したＣ−ＳｉＯ2膜は、屈折率が１．５３であり、硬度が２２００Ｈｖである。反応性蒸着を用いて形成したＣ−ＳｉＯ2膜は、屈折率が１．４６であり、硬度が１２００Ｈｖであり、ＥＣＲプラズマスパッタを用いることで、硬度の改善がみられる。
ＲＦリアクティブスパッタによるＣ−ＳｉＯ2膜は、屈折率が１．５２であり、硬度が１８００Ｈｖである。ＲＦリアクティブスパッタによっても、低屈折率で、高硬度の膜が得られる。 FIG. 4 is a table showing the characteristics of the formed C—SiO 2 film. As shown in FIG. 4, the C—SiO 2 film formed using the ECR plasma sputtering apparatus 50 has a refractive index of 1.53 and a hardness of 2200 Hv. The C—SiO 2 film formed by reactive vapor deposition has a refractive index of 1.46 and a hardness of 1200 Hv, and an improvement in hardness can be seen by using ECR plasma sputtering.
The C—SiO 2 film formed by RF reactive sputtering has a refractive index of 1.52 and a hardness of 1800 Hv. Also by RF reactive sputtering, a film having a low refractive index and a high hardness can be obtained.

以上、添付図面を参照して好適な実施形態について説明したが、好適な実施形態は、前記実施形態に限らない。要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論であり、以下のように実施することもできる。   As mentioned above, although preferred embodiment was described with reference to the accompanying drawing, suitable embodiment is not restricted to the said embodiment. It goes without saying that various changes can be made without departing from the scope of the invention, and the following can also be implemented.

（変形例１）前記実施形態においては、反射防止膜２０の第２層膜２２は、ＺｒＯ2からなる膜であったが、表層膜がＣ−ＳｉＯ2からなる膜である２層構造の反射防止膜において、第２層膜がＺｒＯ2からなる膜であることは必須ではない。２層構造の反射防止膜においては、反射防止膜の反射率を低くするために、表層膜と第２層膜と基材とのそれぞれの屈折率が、この順番で「低」、「高」、「中」の関係になることが好ましい。第２層膜の材料としては、表層膜のＣ−ＳｉＯ2膜、及び基材に対して、この屈折率の関係を保てる屈折率であって、可視光に対して透明な膜を形成可能な材料であればよい。このような材料としては、例えば、Ｉｎ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＺｎＳ、Ｂｉ2Ｏ3、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮなどが挙げられる。 (Modification 1) In the above embodiment, the second layer film 22 of the antireflection film 20 is a film made of ZrO 2 , but the reflection of the two-layer structure in which the surface layer film is a film made of C—SiO 2. In the prevention film, it is not essential that the second layer film is a film made of ZrO 2 . In the antireflection film having a two-layer structure, in order to reduce the reflectance of the antireflection film, the refractive indexes of the surface layer film, the second layer film, and the base material are “low” and “high” in this order. , “Medium” is preferable. As a material for the second layer film, it is possible to form a film transparent to visible light having a refractive index that can maintain the relationship of the refractive index with respect to the C-SiO 2 film of the surface layer film and the base material. Any material can be used. Examples of such materials include In 2 O 3 , Nd 2 O 3 , Sb 2 O 3 , CeO 2 , ZnS, Bi 2 O 3 , HfO 2 , Ta 2 O 5 , TiO 2 , Si 3 N 4 , AlN etc. are mentioned.

（変形例２）前記実施形態においては、反射防止膜３０の第２層膜３２は、ＴｉＯ2からなる膜であり、第３層膜３３は、ＴｈＯ2からなる膜であったが、表層膜がＣ−ＳｉＯ2である３層構造の反射防止膜において、第２層膜がＴｉＯ2からなる膜であり、第３層膜がＴｈＯ2からなる膜であることは必須ではない。３層構造の反射防止膜においては、反射防止膜の反射率を低くするために、表層膜と第２層膜と第３層膜と基材とのそれぞれの屈折率が、この順番で「低」、「高」、「中」、「中」の関係になることが好ましい。第２層膜及び第３層膜の材料としては、表層膜のＣ−ＳｉＯ2膜及び基材に対して、この屈折率の関係を保てる屈折率であって、可視光に対して透明な膜を形成可能な材料であればよい。このような材料としては、例えば、Ａｌ2Ｏ3、ＬａＦ3、ＮｄＦ3、ＣｅＦ3、ＭｇＯ、ＳｎＯ2、Ｌａ2Ｏ3、ＳｉＯ、Ｉｎ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＺｎＳ、Ｂｉ2Ｏ3、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｓｉ3Ｎ4、ＺｒＯ2、ＡｌＮなどが挙げられる。 (Modification 2) In the above embodiment, the second layer film 32 of the antireflection film 30 is a film made of TiO 2 , and the third layer film 33 is a film made of ThO 2. In the antireflection film having a three-layer structure in which C—SiO 2 is used, it is not essential that the second layer film is a film made of TiO 2 and the third layer film is a film made of ThO 2 . In the antireflection film having a three-layer structure, the refractive indexes of the surface layer film, the second layer film, the third layer film, and the substrate are reduced in this order in order to reduce the reflectance of the antireflection film. ”,“ High ”,“ medium ”, and“ medium ”. As a material of the second layer film and the third layer film, a film having a refractive index that can maintain the relationship of the refractive index with respect to the C-SiO 2 film and the base material of the surface layer film and transparent to visible light Any material can be used as long as it can be formed. Examples of such materials include Al 2 O 3 , LaF 3 , NdF 3 , CeF 3 , MgO, SnO 2 , La 2 O 3 , SiO, In 2 O 3 , Nd 2 O 3 , Sb 2 O 3 , CeO 2, ZnS, Bi 2 O 3, HfO 2, Ta 2 O 5, Si 3 N 4, ZrO 2, AlN or the like can be mentioned.

（変形例３）前記実施形態においては、２層構造の反射防止膜２０及び３層構造の反射防止膜３０について説明したが、表層膜がＣ−ＳｉＯ2からなる反射防止膜が２層構造又は３層構造であることは必須ではない。反射防止膜は、Ｃ−ＳｉＯ2の単層膜であってもよい。また、４層以上の膜が積層した反射防止膜であってもよい。４層以上の膜が積層した反射防止膜の第２層膜以降の各膜を形成する好適な材料としては、例えば、Ａｌ2Ｏ3、ＬａＦ3、ＮｄＦ3、ＣｅＦ3、ＭｇＯ、ＴｈＯ2、ＳｎＯ2、Ｌａ2Ｏ3、ＳｉＯ、Ｉｎ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＺｎＳ、Ｂｉ2Ｏ3、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＺｒＯ2、ＡｌＮなどが挙げられる。 (Modification 3) In the above embodiment, the antireflection film 20 having the two-layer structure and the antireflection film 30 having the three-layer structure have been described. However, the antireflection film whose surface layer film is made of C—SiO 2 has a two-layer structure or It is not essential to have a three-layer structure. The antireflection film may be a single-layer film of C—SiO 2 . Further, it may be an antireflection film in which four or more layers are laminated. Suitable materials for forming the second and subsequent layers of the antireflection film in which four or more layers are laminated include, for example, Al 2 O 3 , LaF 3 , NdF 3 , CeF 3 , MgO, ThO 2 , SnO 2, La 2 O 3, SiO, In 2 O 3, Nd 2 O 3, Sb 2 O 3, CeO 2, ZnS, Bi 2 O 3, HfO 2, Ta 2 O 5, TiO 2, Si 3 N 4 , ZrO 2 , AlN, and the like.

（変形例４）前記実施形態においては、反射防止膜２０が形成された時計用のカバーガラス２及び反射防止膜３０が形成された時計用のカバーガラス３について説明したが、反射防止膜を形成する対象は時計用のカバーガラスに限らない。ＦＰＤにおける表示部を保護するためのカバーガラスや、眼鏡レンズや、車の窓ガラスや、各種計測器における表示部を保護するためのカバーガラスにおいても、上述したような、表層膜がＣ−ＳｉＯ2からなる膜を形成することで、好適な反射防止膜を形成することができる。 (Modification 4) In the above embodiment, the watch cover glass 2 on which the antireflection film 20 is formed and the watch cover glass 3 on which the antireflection film 30 is formed have been described. However, the antireflection film is formed. The target to be performed is not limited to a watch cover glass. In the cover glass for protecting the display part in the FPD, the eyeglass lens, the car window glass, and the cover glass for protecting the display part in various measuring instruments, the surface layer film as described above is C-SiO. By forming a film made of 2 , a suitable antireflection film can be formed.

（変形例５）前記実施形態においては、カバーガラス２及びカバーガラス３の基材はサファイヤガラスであったが、反射防止膜を形成する基材がサファイヤガラスであることは必須ではない。時計のカバーガラスや、ＦＰＤの表示部のカバーガラスや、眼鏡レンズや、車の窓ガラスや、各種計測器の表示部のカバーガラスとして用いられる各種材料においても、上述したような、表層膜がＣ−ＳｉＯ2からなる膜を形成することで、好適な反射防止膜を形成することができる。 (Modification 5) In the said embodiment, although the base material of the cover glass 2 and the cover glass 3 was sapphire glass, it is not essential that the base material which forms an antireflection film is sapphire glass. As described above, the surface layer film is also used in various materials used as a cover glass of a watch, a cover glass of an FPD display unit, an eyeglass lens, a car window glass, or a display unit of various measuring instruments. By forming a film made of C—SiO 2 , a suitable antireflection film can be formed.

（変形例６）前記実施形態においては、カバーガラス２又はカバーガラス３において、反射防止膜２０又は反射防止膜３０を、それぞれサファイヤガラス１０の片面に形成していたが、反射防止膜を形成するのはカバーガラスの基材の片面のみに限らない。基材の両面にそれぞれ反射防止膜を形成してもよい。透光部材の基材の両面に反射防止膜を形成することによって、より透過率が高い透光部材を形成することができる。   (Modification 6) In the above embodiment, the antireflection film 20 or the antireflection film 30 is formed on one surface of the sapphire glass 10 in the cover glass 2 or the cover glass 3, respectively, but an antireflection film is formed. This is not limited to only one side of the base material of the cover glass. An antireflection film may be formed on each side of the substrate. By forming the antireflection film on both surfaces of the base material of the translucent member, a translucent member having higher transmittance can be formed.

（ａ）は、Ｃ−ＳｉＯ2膜を有する２層構造の反射防止膜が形成されたカバーガラスの断面を示す模式図。（ｂ）は、Ｃ−ＳｉＯ2膜を有する２層構造の反射防止膜の特性を示す表。(A) is a schematic view showing a two-layer cross-section of the cover glass on which the antireflection film is formed of a structure having a C-SiO 2 film. (B) is a table showing the characteristics of the antireflection film of the two-layer structure having a C-SiO 2 film. （ａ）は、Ｃ−ＳｉＯ2膜を有する３層構造の反射防止膜が形成されたカバーガラスの断面を示す模式図。（ｂ）は、Ｃ−ＳｉＯ2膜を有する３層構造の反射防止膜の特性を示す表。(A) is a schematic diagram showing a 3-layer section of the cover glass on which the antireflection film is formed of a structure having a C-SiO 2 film. (B) is a table showing the characteristics of the three-layered antireflection film having a C-SiO 2 film. ＥＣＲプラズマスパッタ装置の構成を示す模式図。The schematic diagram which shows the structure of an ECR plasma sputtering apparatus. 形成されたＣ−ＳｉＯ2の膜の特性を示す表。Table showing characteristics of the formed C-SiO 2 film.

符号の説明Explanation of symbols

２，３…カバーガラス、１０…サファイヤガラス、２０，３０…反射防止膜、２１，３１…表層膜、２２，３２…第２層膜、３３…第３層膜、４０…ターゲット、５０…ＥＣＲプラズマスパッタ装置、５２…ＥＣＲプラズマ源、５４…磁石、５７…気体導入路、５８…排気路。   2, 3 ... Cover glass, 10 ... Sapphire glass, 20, 30 ... Antireflection film, 21, 31 ... Surface layer film, 22, 32 ... Second layer film, 33 ... Third layer film, 40 ... Target, 50 ... ECR Plasma sputtering apparatus, 52 ... ECR plasma source, 54 ... magnet, 57 ... gas introduction path, 58 ... exhaust path.

Claims (13)

可視光が透過可能な部材の表面に形成された反射防止膜であって、前記反射防止膜の最表面を構成する膜が、Ｃを添加したＳｉＯ2であるＣ−ＳｉＯ2膜であることを特徴とする反射防止膜。 It is an antireflection film formed on the surface of a member capable of transmitting visible light, and the film constituting the outermost surface of the antireflection film is a C—SiO 2 film that is SiO 2 to which C is added. Anti-reflective film characterized. 前記Ｃ−ＳｉＯ2膜と、Ｉｎ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＺｎＳ、Ｂｉ2Ｏ3、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＺｒＯ2、ＡｌＮのいずれかからなる膜と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の反射防止膜。 The C-SiO 2 film, In 2 O 3 , Nd 2 O 3 , Sb 2 O 3 , CeO 2 , ZnS, Bi 2 O 3 , HfO 2 , Ta 2 O 5 , TiO 2 , Si 3 N 4 , ZrO 2. The antireflection film according to claim 1, further comprising: a film made of any one of AlN. 前記Ｃ−ＳｉＯ2膜と、Ａｌ2Ｏ3、ＬａＦ3、ＮｄＦ3、ＣｅＦ3、ＭｇＯ、ＴｈＯ2、ＳｎＯ2、Ｌａ2Ｏ3、ＳｉＯ、Ｉｎ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＺｎＳ、Ｂｉ2Ｏ3、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＺｒＯ2、ＡｌＮのいずれかからなる２層以上の膜と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の反射防止膜。 The C—SiO 2 film, Al 2 O 3 , LaF 3 , NdF 3 , CeF 3 , MgO, ThO 2 , SnO 2 , La 2 O 3 , SiO, In 2 O 3 , Nd 2 O 3 , Sb 2 O 3 , CeO 2 , ZnS, Bi 2 O 3 , HfO 2 , Ta 2 O 5 , TiO 2 , Si 3 N 4 , ZrO 2 , AlN, and a film having two or more layers, The antireflection film according to claim 1. 可視光が透過する部材の表面に反射防止膜を形成する反射防止膜の形成方法であって、
前記反射防止膜の最表面を構成する膜として、Ｃを添加したＳｉＯ2であるＣ−ＳｉＯ2膜を形成する最表面形成工程を有することを特徴とする反射防止膜の形成方法。 A method of forming an antireflection film that forms an antireflection film on the surface of a member that transmits visible light,
A method for forming an antireflection film, comprising: an outermost surface forming step of forming a C—SiO 2 film, which is SiO 2 added with C, as a film constituting the outermost surface of the antireflection film. 前記最表面形成工程において、前記Ｃ−ＳｉＯ2膜を、ＥＣＲプラズマスパッタ装置によって形成することを特徴とする、請求項４に記載の反射防止膜の形成方法。 Wherein the outermost surface forming step, the C-SiO 2 film, and forming by ECR plasma sputtering apparatus, a method of forming the antireflection film of claim 4. 前記最表面形成工程において、ＳｉＣをターゲットとして、雰囲気中のＯと反応させることによって前記Ｃ−ＳｉＯ2膜を形成することを特徴とする、請求項５に記載の反射防止膜の形成方法。 Wherein the outermost surface forming step, a SiC as a target, and forming the C-SiO 2 film by reacting with O in the atmosphere, the method of forming the anti-reflection film of claim 5. 可視光が透過可能な透光部材であって、
最表面を構成する膜がＣを添加したＳｉＯ2であるＣ−ＳｉＯ2膜である反射防止膜を備えることを特徴とする透光部材。 A translucent member capable of transmitting visible light,
A translucent member comprising an antireflection film, wherein the film constituting the outermost surface is a C—SiO 2 film that is SiO 2 to which C is added. 前記反射防止膜は、前記Ｃ−ＳｉＯ2膜と、Ｉｎ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＺｎＳ、Ｂｉ2Ｏ3、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＺｒＯ2、ＡｌＮのいずれかからなる膜と、を備えることを特徴とする、請求項７に記載の透光部材。 The antireflection film includes the C-SiO 2 film, In 2 O 3 , Nd 2 O 3 , Sb 2 O 3 , CeO 2 , ZnS, Bi 2 O 3 , HfO 2 , Ta 2 O 5 , TiO 2 , The translucent member according to claim 7, comprising a film made of any one of Si 3 N 4 , ZrO 2 , and AlN. 前記反射防止膜は、前記Ｃ−ＳｉＯ2膜と、Ａｌ2Ｏ3、ＬａＦ3、ＮｄＦ3、ＣｅＦ3、ＭｇＯ、ＴｈＯ2、ＳｎＯ2、Ｌａ2Ｏ3、ＳｉＯ、Ｉｎ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、ＣｅＯ2、ＺｎＳ、Ｂｉ2Ｏ3、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＺｒＯ2、ＡｌＮのいずれかからなる２層以上の膜と、を備えることを特徴とする、請求項７に記載の透光部材。 The antireflection film includes the C-SiO 2 film, Al 2 O 3 , LaF 3 , NdF 3 , CeF 3 , MgO, ThO 2 , SnO 2 , La 2 O 3 , SiO, In 2 O 3 , Nd 2. Two or more layers of any of O 3 , Sb 2 O 3 , CeO 2 , ZnS, Bi 2 O 3 , HfO 2 , Ta 2 O 5 , TiO 2 , Si 3 N 4 , ZrO 2 , AlN; The translucent member according to claim 7, comprising: 請求項７乃至９のいずれか一項に記載の透光部材が、表示部のカバーガラスとして用いられていることを特徴とする、フラットパネルディスプレイ。   A light transmitting member according to any one of claims 7 to 9, wherein the light transmitting member is used as a cover glass of a display unit. 請求項７乃至９のいずれか一項に記載の透光部材が、眼鏡レンズとして用いられていることを特徴とする、眼鏡。   The translucent member as described in any one of Claims 7 thru | or 9 is used as an eyeglass lens, The spectacles characterized by the above-mentioned. 請求項７乃至９のいずれか一項に記載の透光部材が、表示部のカバーガラスとして用いられていることを特徴とする、時計。   A timepiece, wherein the translucent member according to any one of claims 7 to 9 is used as a cover glass of a display unit. 前記透光部材は、サファイヤガラス上に前記反射防止膜が形成されていることを特徴とする、請求項１２に記載の時計。   The timepiece according to claim 12, wherein the translucent member has the antireflection film formed on sapphire glass.
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